KR20200091478A - 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법 - Google Patents

라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200091478A
KR20200091478A KR1020207020687A KR20207020687A KR20200091478A KR 20200091478 A KR20200091478 A KR 20200091478A KR 1020207020687 A KR1020207020687 A KR 1020207020687A KR 20207020687 A KR20207020687 A KR 20207020687A KR 20200091478 A KR20200091478 A KR 20200091478A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
optical system
electro
plasma
radicals
Prior art date
Application number
KR1020207020687A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102206544B1 (ko
Inventor
피터 크루트
마크 스미츠
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=48049956&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20200091478(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20200091478A publication Critical patent/KR20200091478A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102206544B1 publication Critical patent/KR102206544B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15D—FLUID DYNAMICS, i.e. METHODS OR MEANS FOR INFLUENCING THE FLOW OF GASES OR LIQUIDS
    • F15D1/00—Influencing flow of fluids
    • F15D1/02—Influencing flow of fluids in pipes or conduits
    • F15D1/025—Influencing flow of fluids in pipes or conduits by means of orifice or throttle elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/206—Flow affected by fluid contact, energy field or coanda effect [e.g., pure fluid device or system]
    • Y10T137/2082—Utilizing particular fluid
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87571—Multiple inlet with single outlet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

본 발명은 라디칼들을 운반하기 위한 배열체에 관한 것이다. 이 배열체는 플라즈마 발생기 및 안내 본체를 포함한다. 플라즈마 발생기는 내부에 플라즈마가 형성될 수 있는 챔버(2)를 포함한다. 챔버는 입력 가스를 수용하기 위한 유입구(5) 및 플라즈마 및 그 안에 생성된 라디칼들을 중 하나 이상의 제거를 위한 하나 또는 둘 이상의 유출구(6)들을 갖는다. 안내 본체는 중공형이고 플라즈마 내에 형성된 라디칼들을 오염물질 퇴적물이 제거될 영역 또는 용적을 향하여 안내하기 위해 배열된다. 챔버 유입구는 안내 몸체 내에 유동을 생성하도록 챔버 내로 펄스형 압력을 제공하기 위한 압력 장치(40)에 커플링된다.

Description

라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법 {ARRANGEMENT AND METHOD FOR TRANSPORTING RADICALS}
본 발명은 예를 들면 오염물질 퇴적물들의 제거를 위해 라디칼(radical)들을 운반하기 위한 배열체 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이 같은 배열체를 포함하는 하전 입자 리소그래피 시스템(charged particle lithography system)에 관한 것이다. 본 발명은 또한 플라즈마 챔버로의 연결을 위한 압력 조절기에 관한 것이다. 본 발명은 또한 라디칼들을 운반하기 위한 방법에 관한 것이다.
하전 입자 리소그래피 시스템들의 정밀도 및 신뢰도는 오염에 의해 부정적인 영향을 받는다. 이 같은 리소그래피 시스템에서 오염에 대한 중요한 원인 제공은 오염물질들의 퇴적물들의 축적에 의해 유발된다. 패턴화된 빔렛(patterning beamlet)들의 부분이 되고 이 시스템에서 발생되는 하전 입자들은 시스템 내에 이미 존재하는 탄화수소들과 상호 작용한다. 결과적인 전자 빔 유도 퇴적(EBID)은 시스템 내의 표면상에 탄소 함유 층을 형성한다. 탄소 함유 재료의 이러한 층은 빔 안정성에 영향을 미친다. 하전 입자 빔들 및/또는 빔렛들이 통과하여 지나가는 통공들 내 또는 통공들 주위에 이 같은 탄소 함유 층의 축적은 또한 통공의 크기를 감소시키고 이러한 통공들을 통한 빔들 또는 빔렛들의 전달을 감소시킨다. 따라서 특히 비교적 높은 탄화수소 부분 압력들 및 비교적 높은 빔 전류 밀도들을 갖는 영역들에서, EBID의 제거가 매우 바람직하다.
이 같은 퇴적물들은 원자 세정에 의해 감소 또는 제거될 수 있다. 이는 퇴적물들과 반응하기 위한 원자들의 스트림을 발생하기 위하여 플라즈마 발생기를 사용하여 달성될 수 있다. 여기서 제공된 플라즈마 및 원자들, 특히 라디칼들의 운반은 종종 비효율적이어서 상대적으로 긴 세정 기간들, 및 불충분한 세정 품질, 즉 특정 표면 또는 특정 용적 상의 퇴적물들의 불완전하거나 부적절한 제거를 초래할 수 있다.
본 발명의 목적은 예를 들면 오염물질 퇴적물들이 더 효과적인 방식으로 제거되는 구역을 향하여 라디칼들을 운반하기 위한 배열체 및 방법을 제공하는 것이다. 이를 위해, 본 발명의 일부 실시예들은 예를 들면 오염물질 퇴적물의 제거를 위해 라디칼들을 운반하기 위한 배열체에 관한 것으로, 상기 배열체는 내부에 플라즈마가 형성될 수 있는 챔버로서, 상기 챔버는 입력 가스를 수용하기 위한 유입구, 및 플라즈마 및 플라즈마 안에 생성된 라디칼들 중 하나 이상의 제거를 위한 하나 또는 둘 이상의 유출구들을 포함하는 챔버를 포함하는 플라즈마 발생기; 및 오염물질 퇴적물이 제거될 영역 또는 용적을 향하여 플라즈마 내에 형성된 라디칼들을 안내하기 위한 중공형 안내 본체(hollow guiding body)를 포함하며, 상기 챔버 유입구는 안내 본체 내에 유동을 생성하기 위하여 챔버 내로 펄스형 압력을 제공하기 위한 압력 장치에 커플링된다. 펄스형 방식으로 챔버 내의 압력을 증가시킴으로써, 챔버 안에 발생된 라디칼들이 더 이상 분자 유동 상태(regime)로 이동하지 않지만 대신 라디칼들은 소위 점성 압력 상태로 이동한다. 점성 압력 상태에서 플라즈마는 유동을 형성하고 이 유동은 점성 유동으로 지칭될 수 있고 국부적으로 증가되는 압력의 이러한 기간들 동안 라디칼들을 운반하고 라디칼들은 라디칼들, 및 선택적으로 플라즈마의 전달의 효율을 상당히 증가시킬 수 있는 안내 본체를 향하여 안내될 수 있다. 결과적으로, 안내 본체를 통하여 원하는 위치, 예를 들면 오염된 영역을 향하여 전달되는 원자 라디칼들의 개수가 증가한다. 부가적으로, 펄스형 방식으로 국부적으로 증가된 압력의 기간들을 제공함으로써, 안내 본체 내의 플라즈마 소멸의 가능한 우려가 감소된다.
바람직하게는, 압력 장치는 밸브이다. 밸브는 유입구의 신속한 개방 및 폐쇄를 가능하게 하며, 이는 비교적 고 주파수에서 펄스형 압력을 제공하는 것을 가능하게 한다.
일부 실시예들에서, 본 발명은 예를 들면 오염물질 퇴적물의 제거를 위해 라디칼들을 운반하기 위한 배열체에 관한 것으로, 상기 배열체는 내부에 플라즈마가 형성될 수 있는 챔버로서, 상기 챔버는 입력 가스를 수용하기 위한 유입구, 및 플라즈마 및 플라즈마 안에 생성된 라디칼들 중 하나 이상의 제거를 위한 하나 또는 둘 이상의 유출구들을 포함하는, 챔버를 포함하는 플라즈마 발생기, 및 오염물질 퇴적물이 제거될 영역 또는 용적을 향하여 플라즈마 내에 형성된 라디칼들을 안내하기 위한 하나 또는 둘 이상의 챔버 유출구들에 커플링되는 중공형 안내 본체를 포함하며, 상기 챔버 내의 압력은 라디칼들과 함께 끌어당기기에 충분한 세기를 가진 유동을 일시적으로 형성하기 위하여 증가될 수 있다. 안내 본체 내부의 일시적으로 증가된 압력은 플라즈마의 소멸을 유발할 수 있다. 또한, 이 같은 압력 증가는 재조합에 의해 예를 들면 3개의 바디 상호 작용(라디칼+라디칼+분자)에 의해, 라디칼들의 감소를 증가시킬 수 있다. 그러나, 이러한 이벤트(event)들 중 하나 또는 양자 모두가 발생하는 예상 밖의 환경들 하에서조차, 증가된 압력의 결과로서 챔버로부터 안내 본체의 유출구를 향한 라디칼들의 더 유효한 전달이 일시적인 플라즈마 소멸 및/또는 재조합에 의한 라디칼 손실들보다 더 크다. 특히, 증가된 압력은 전달되는 라디칼들의 개수의 증가를 유발할 수 있다. 압력 증가가 펄스 특성(pulsed nature)을 갖는 경우, 플라즈마 소멸의 변화들이 상당히 감소하여, 라디칼 운반의 증가된 효율이 안내 본체 내의 압력의 잔존과 조합될 수 있다.
일부 실시예들에서, 본 발명은 예를 들면 오염물질 퇴적물의 제거를 위해 라디칼들을 운반하기 위한 배열체에 관한 것으로, 상기 배열체는 내부에 플라즈마가 형성될 수 있는 챔버로서, 상기 챔버는 입력 가스를 수용하기 위한 유입구, 및 플라즈마 및 플라즈마 안에 생성된 라디칼들 중 하나 이상의 제거를 위한 하나 또는 둘 이상의 유출구들을 포함하는 챔버를 포함하는 플라즈마 발생기; 오염물질 퇴적물이 제거될 영역 또는 용적을 향하여 플라즈마에 형성된 라디칼들을 안내하기 위한 챔버의 하나 또는 둘 이상의 유출구들에 커플링된 중공형 안내 본체; 및 제 1 횡단면적을 구비한 유입구 및 제 2 횡단면적을 구비한 유출구를 가지는 압력 조절기를 포함하며, 상기 제 1 횡단면적이 상기 제 2 횡단면적보다 크고, 상기 압력 조절기는 하나 또는 둘 이상의 챔버 유출구들에 커플링되며, 상기 압력 조절기 유출구는 안내 본체에 커플링되며, 상기 압력 조절기에는 추가 유입 가스를 수용하기 위한 추가 유입구가 제공된다. 깔때기 압력 조절기 내의 추가 유입구의 존재는 챔버 내부 및 안내 본체 내부의 압력을 독립적으로 조정하는 가능성을 열어둔다. 안내 본체의 컨덕턴스(conductance)는 지금부터 안내 본체 내부의 압력이 최적치 아래에 있도록 설계될 수 있다. 최적 압력은 이어서 압력 조절기 내의 추가 유입구를 경유하여 추가 가스를 첨가(insert)함으로써 수행될 수 있다. 따라서, 안내 본체 내부의 압력이 이의 유출구를 향하여 라디칼들을 안내하기 위해 추가 유입구를 통해 적절한 가스의 제어된 공급에 의해 최적화될 수 있는 동안 챔버 내의 압력은 라디칼들을 발생하기 위해 최적화될 수 있다.
플라즈마 발생기의 챔버는 천공 벽과 같은 유동 제한기를 포함할 수 있다. 유동 제한기는 플라즈마 발생기의 챔버와 환경, 일반적으로 진공 환경 사이의 압력 차를 유지하는 것을 보조하는데, 상기 환경으로 압력 조절기의 유출구가 연결된다. 압력 조절기의 압력에서의 위치와 안내 본체의 유출구 사이의 압력 차는 선택적으로 플라즈마 유동과 조합하여 라디칼들의 유동을 만드는데 도움이 된다.
요약하면, 위에서 설명된 배열체들은 안내 본체를 통하여 라디칼 운반 효율을 증가시킨다.
본 발명의 일부 실시예는 플라즈마를 포함하는 챔버로의 연결을 위한 압력 조절기에 관한 것으로, 압력 조절기는 제 1 횡단면적을 가지며 플라즈마 및 플라즈마 내에 생성된 라디칼들 중 하나 이상을 수용하기 위한 유입구 및 제 2 횡단면적을 구비한 유출구를 가지며, 제 1 횡단면적은 제 2 횡단면적보다 더 크며, 압력 조절기 유입구는 플라즈마 챔버에 커플링되며, 압력 조절기 유출구는 중공형 몸체에 제거가능하게 부착가능하다. 압력 조절기는 깔때기 형태를 취할 수 있다. 압력 조절기는 추가 유입 가스(inlet gas)를 수용하기 위한, 예를 들면 앞에서 설명된 바와 같은 목적을 위한 추가 유입구가 제공될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들은 리소그래피 시스템에 관한 것으로, 리소그래피 시스템은 복수의 빔렛들을 발생하기 위한 빔렛 발생기; 빔렛들을 조종하기 위한 복수의 빔렛 조종기 요소; 및 위에서 언급된 실시예들 중 하나에 따른 배열체를 포함하며, 상기 배열체는 플라즈마 및 플라즈마 안에 생성된 라디칼들을 발생하도록 그리고 빔렛 조종기 요소들 중 하나 또는 둘 이상의 표면으로 라디칼들을 지향시키도록 구성된다. 빔렛 조종기 요소들의 예들은 투사 렌즈 구조 및 빔렛 변조 구조를 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 선택적으로 플라즈마와 조합하여 라디칼들을 빔렛 조종기 요소들 중 하나 또는 둘 이상의 표면상으로 지향시킴으로써, 오염물질 퇴적물들은 효과적인 방식으로 국부적으로 제거될 수 있다.
리소그래피 시스템은 하전 입자 리소그래피 시스템일 수 있다. 각각의 빔렛 조종기 요소는 이어서 빔렛이 관통하여 지나가는 복수의 통공들을 포함할 수 있다. 빔렛 변조 구조는 이어서 블랭커(blanker) 구조, 즉 복수의 블랭커들의 배열체의 형태를 취할 수 있으며, 블랭커들은 하나 또는 둘 이상의 하전 입자 빔렛들을 편향시킬 수 있다. 전형적으로, 블랭커들은 제 1 전극, 제 2 전극 및 통공이 제공되는 정전 편향기들이다. 이어서 전극들은 통공을 가로질러 전기장을 발생시키기 위한 통공의 마주하는 측면들 상에 위치된다. 일반적으로, 제 2 전극은 접지 전극, 즉 접지 전위에 연결된 전극이다. 하전 입자 리소그래피 시스템에서 투사 렌즈 구조는 하나 또는 둘 이상의 정전 렌즈 어레이들을 포함할 수 있다.
소정의 다른 실시예들에서, 리소그래피 시스템은 극자외선(EUV) 리소그래피 시스템이다. 이 같은 시스템에서, 각각의 빔렛 조종기 요소는 배향이 제어 가능할 수 있는 거울과 같은, 반사 요소의 형태를 취할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들은 라디칼들을 운반하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 표면에 매우 근접하게 중공형 안내 본체의 단부를 구비한 위에서 언급된 실시예들 중 하나에 따른 배열체를 제공하는 단계; 챔버 내로 입력 가스를 첨가하는 단계; 챔버 내에 플라즈마 및 라디칼들을 형성하는 단계, 및 중공형 안내 본체의 단부를 향하여 라디칼들의 유동을 생성하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 유동을 생성하는 단계는 펄스형 압력을 밸브 또는 펌프와 같은 압력 장치에 의해 챔버 내로 펄스형 압력을 제공하는 단계를 포함한다. 밸브는 매우 효율적인데, 이는 밸브가 신속하게 작동하고 밸브는 비교적 높은 주파수들로 작동될 수 있기 때문이다.
마지막으로, 본 발명의 일부 실시예들은 라디칼들을 운반하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 표면에 매우 근접한 중공형 안내 본체의 단부를 구비한 위에서 언급된 실시예들 중 하나에 따른 배열체를 제공하는 단계; 입력 가스를 챔버 내로 첨가하는 단계; 챔버 내에 플라즈마 및 라디칼들을 형성하는 단계; 및 라디칼들과 함께 끌어당기기에 충분한 세기를 가진 유동을 형성하도록 챔버 내의 압력을 일시적으로 증가시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들이 지금부터 첨부되는 개략도들을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 라디칼들을 운반하기 위한 배열체를 개략적으로 도시하며;
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 라디칼들을 운반하기 위한 배열체를 도시하며,
도 3은 분자 유동 상태(molecular flow regime)에서 라디칼들의 예시적인 일부 궤도들을 도시하며,
도 4는 점성 유동 상태에서 라디칼들의 예시적인 일부 궤도들을 도시하며,
도 5a는 압력 장치를 더 포함하는, 도 1의 배열체를 개략적으로 도시하며,
도 5b는 추가 유입구를 더 포함하는, 도 5a의 배열체를 개략적으로 도시하며,
도 6a는 압력 조절기에 추가 유입구가 제공되는 배열체의 대안적인 실시예를 개략적으로 도시하며,
도 6b는 도 6a에서 사용된 압력 조절기의 더 상세한 도면을 개략적으로 도시하며,
도 7은 하전 입자 다중-빔렛 리소그래피 시스템의 일 실시예의 단순화된 개략도를 도시하며,
도 8은 모듈형 리소그래피 시스템의 단순화된 블록도를 도시하며,
도 9는 라디칼들을 운반하기 위한 배열체의 일 실시예의 상부(elevated) 평면도를 도시하며,
도 10은 도 9에 도시된 배열체를 포함하는 모듈형 리소그래피 시스템의 횡단면도를 도시하며,
도 11은 도 9에 도시된 배열체의 압력 조절기와 도 8에 도시된 리소그래피 시스템에서 사용하기 위한 모듈 사이의 연결부의 일 실시예의 더 상세한 도면을 도시한다.
도면들을 참조하여 단지 예로서 주어진 본 발명의 다양한 실시예들의 설명이 후술된다. 도면들은 축척 대로 도시되지 않으며 단지 예시 목적들로 의도된다.
도 1은 라디칼들을 운반하기 위한, 예를 들면 오염물질 퇴적물, 특히 진공 환경 내에 위치되는 표면들 상에 퇴적되는 오염물질들의 제거를 위한 배열체(1)를 개략적으로 도시한다. 배열체(1)가 플라즈마를 사용하여 작동하기 때문에, 이 같은 배열체는 또한 플라즈마 소스(plasma source)로서 지칭될 수 있다. 배열체(1)는 챔버(2)의 외부 주위에 RF 코일(4)을 구비한 챔버(2)를 포함하는 무선 주파수(RF) 플라즈마 발생기를 포함한다. 챔버(2)에는 산소와 같은 입력 가스의 챔버(2) 내로의 유입을 허용하기 위한 유입구(5)가 제공된다. 입력 가스는 챔버(2) 내에 발생될 라디칼들을 위한 전구체이며, 바람직하게는 이러한 라디칼들의 의도된 사용의 관점에서 선택된다. 챔버(2) 내의 가스는 코일(4) 위에 인가된 RF 전압으로 통전될 수 있어(energize) 산소 원자 라디칼들과 같은, 라디칼들을 포함하는 플라즈마를 발생한다. 플라즈마 및 라디칼들은 하나 또는 둘 이상의 유출구(6)들을 통해 챔버(2)로부터 나올 수 있다.
배열체(1)는 깔때기(8)와 같은 압력 조절기 및 플라즈마 및 플라즈마 안에 생성된 라디칼들을 미리 결정된 목적지 영역을 향하여 집속하여 안내하기 위한 튜브(9)와 같은 안내 본체를 더 포함한다. 안내 본체는 플라즈마를 원하는 방향으로 지향시키기 위해 직선형일 수 있거나 절곡부(bend; 11)(도 1에 도시됨) 또는 엘보우(elbow; 12)(도 2에 도시됨)와 같은 하나 또는 둘 이상의 절곡부들을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 안내 본체는 안내 본체를 통하여 전달되는 라디칼들의 평균 수명을 증가시키기 위해 가능하게는 직선형이다. 안내 본체는 감소되거나 제거될 오염물질 퇴적물에 매우 근접하게 위치될 수 있는 유출구(12)를 갖는다. 전형적으로, 유출구(12)는 진공 환경과 직접 접촉한다.
일부 실시예들에서, 챔버(2)에는 통공 어레이의 형태를 취할 수 있는 복수의 유출구(6)들을 생성하는 천공 벽과 같은, 유동 제한기가 제공된다. 유동 제한기는 압력 조절기의 유출구가 연결되는 환경, 일반적으로 진공 환경과 플라즈마 발생기의 챔버(2) 사이의 압력차를 유지하는 것을 돕는다. 입략 조절기의 유입구에서의 위치와 안내 본체의 유출구 사이의 압력차는 라디칼들의 유동을 생성하는 것을 돕는다.
도 2는 라디칼들을 운반하기 위한 배열체(1')를 도시한다. 안내 본체가 도 1의 배열체에 도시된 바와 같은 절곡부(11)에 대한 대안으로서 턴(turn) 또는 엘보우(13)를 포함하는 튜브(9)의 형태를 취하는 것을 제외하고 배열체(1')는 도 1의 배열체(1)와 유사하다. 또한, 도 2는 플라즈마(20)가 챔버(2) 내에 발생되는 상태들 하에서 작동 중인 배열체(1')를 도시한다. 도 1에 도시된 배열체가 유사한 방식으로 작동될 수 있는 것이 이해될 것이다.
특히, 산소와 같은 입력 가스는 챔버(2)에 공급되고 RF 코일(4)은 입력 가스를 유도 가열하기 위해 통전되고 플라즈마(20)는 챔버(2) 내에 발생된다. 플라즈마(20) 및 특히 플라즈마 내에 발생된 라디칼들은 점선 화살표(21)에 의해 개략적으로 표시된 바와 같이 챔버(2)로부터 나와서 깔때기(8) 및 튜브(9) 내로 유동할 수 있다.
산소의 사용의 경우, 플라즈마 발생기(1)로부터의 산소 라디칼들은 특히 EBID 오염에 의해 유발된 오염물질 퇴적물들을 제거 또는 감소시키기 위해 적용된다. 챔버(2) 내에 발생되는 산소 라디칼들은 깔때기(8) 및 안내 본체를 통해 감소되거나 제거되는 오염물질 퇴적물을 향하여 안내된다. 깔때기(8) 및/또는 안내 본체는 석영 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(상표명 Teflon® 으로 주지됨)과 같은 불활성 재료로 제조될 수 있거나, 이들의 내부 표면이 산소 원자 라디칼들이 이러한 요소들과 상호 작용할 때 산소 원자 라디칼들의 소멸을 억제하기 위하여 이 같은 불활성 재료로 코팅될 수 있다.
이후, 본 발명의 실시예들은 산소 원자 라디칼들을 참조하여 설명될 것이다. 그러나, 본 발명의 일부 실시예들이 다른 라디칼들을 채용할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 더욱이, 비록 라디칼들의 운반이 참조되지만, 이 같은 참조는 라디칼들과 조합되는 플라즈마의 운반을 배제하지 않는다.
표면들, 예를 들면 리소그래피 시스템에서 하나 또는 둘 이상의 빔렛 조종기 요소들의 표면들로부터 전자 빔 유도 퇴적물(일반적으로 "탄소")을 제거하기 위해, 산소 원자 라디칼들과 같은 라디칼들이 사용될 수 있다. 이 같은 산소 원자 라디칼들은 도 1 및 도 2에 도시된 배열체(1, 1')들의 챔버(2) 내부에서 만들어질 수 있다.
불행하게도, 이러한 배열체(1, 1')들에서 라디칼들의 주 손실들이 관측되는데, 이는 이러한 배열체들에서 라디칼들이 소위 분자 유동 상태로 전달되기 때문에 당연하다. 이 같은 상태에서, 다른 라디칼들과 라디칼들의 상호 작용이 무시될 수 있으며, 반면 벽과의 상호 작용은 재조합을 초래할 수 있다. 더욱이, 라디칼들은 챔버(2)로부터 나와서 임의 각도들로 전체 유출구를 거쳐 안내 본체, 즉 도 1, 2의 튜브(9)로 들어간다.
분자 유동 상태에서 라디칼들의 일부 예시적인 궤도들은 점선(15)으로서 도 3에 도시된다. 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 라디칼들은 안내 본체로 전혀 들어가지 않을 수 있고, "되튀게(bounce back)"될 것이다.
발명자들은 라디칼 운반의 효율이 배열체(1, 1')를 통하여 사용되는 압력들에 의존하는 것을 구현하였다. 챔버(2) 내부의 압력은 플라즈마의 효율, 및 플라즈마 안에 발생되는 라디칼들의 개수를 결정한다. 안내 본체(및 깔때기(8)) 내부의 압력은 안내 본체를 통과하는 라디칼들의 운반의 효율을 결정한다.
펄스 방식으로 챔버(2) 내부의 압력을 증가시킴으로써, 챔버 안에 발생되는 라디칼들은 더 이상 분자 유동 상태로 이동하지 않지만, 대신, 라디칼들은 대신 소위 점성 압력 상태로 이동한다. 점성 압력 상태에서 플라즈마는 점성 유동으로서 지칭될 수 있는 유동을 형성하며, 이 유동은 예를 들면 화살표들에 의해 도 4에 개략적으로 도시된 바와 같은 방식으로 라디칼들을 운반한다. 국부적으로 증가된 압력의 이러한 기간들 동안, 라디칼들은 안내 본체를 통하여 원하는 장소, 예를 들면 오염된 영역을 향하여 전달될 수 있는 원자 라디칼들의 개수를 상당히 증가시킬 수 있는 안내 본체를 향하여 안내될 수 있다.
일부 실시예들에서, 안내 본체 내의 일시적으로 증가하는 압력은 플라즈마의 소멸을 유발한다. 또한 일부 실시예들에서 재조합에 의한, 예를 들면 3개의 바디 상호 작용(라디칼+라디칼+분자)에 의한 라디칼들의 감소는 일시적으로 증가된 압력의 결과로서 증가하는 것이 가능하다. 그러나, 형성되는 유동의 존재에 의해 챔버(2)로부터 튜브 유출구(12)를 향하여 전달되는 라디칼들의 개수의 증가가 일시적인 플라즈마 소멸 및 제조합에 의한 라디칼 손실들보다 더 크다.
도 5a는 도 1의 배열체(1)를 개략적으로 도시하며, 이 배열체는 압력 장치(40), 바람직하게는 밸브, 그러나 선택적으로 제어 유닛(45)에 의해 제어 가능한 펌프와 같은 다른 독립체(entity)를 더 포함한다. 제어 유닛(45)은 챔버(2) 내의 압력의 임시적 증가를 처리하도록 배열될 수 있어 챔버(2)로부터 튜브 유출구(12)를 향하여 라디칼들과 함께 끌어당기기에 충분한 강도를 가진 유동을 형성한다. 제어 유닛(45)은 펌프와 같은 압력 장치(40)를 직접 제어할 수 있다. 그러나, 제어 유닛(45)은 또한 이 같은 펌프와 챔버(2) 사이의 연결을 제어하기 위하여 하나 또는 둘 이상의 밸브들을 제어할 수 있다.
압력 장치(40)는 챔버 내의 압력이 주기적 압력 펄스들을 겪는 방식으로, 즉 압력이 일시적으로 주기적 방식으로 증가하는 방식으로 제어될 수 있다. 압력 증가는 일시적으로 유입구(5)를 통해 챔버(2) 내로 더 많은 입력 가스를 허용하는 것을 초래할 수 있다. 대안적으로, 압력 증가는 하나 또는 둘 이상의 다른 유입구들을 통해 추가 입력 가스를 첨가함으로써 설정될 수 있다.
대안적으로, 또는 부가적으로, 일시적인 압력 증가는 추가의 입력 가스, 예를 들면 질소 가스를 첨가함으로써 달성될 수 있다. 추가 입력 가스는 유입구(5)를 통해 첨가될 수 있다. 대안적으로, 추가 입력 가스는 도 5b에 도시된 바와 같이, 챔버(2)의 추가 유입구(5')를 통해 첨가될 수 있다. 추가 유입구(5')는 압력 장치(41), 예를 들면 밸브 또는 펌프에 커플링될 수 있으며, 제어 유닛(45)과 같은, 제어 유닛에 의해 제어될 수 있다.
도 5a, 도 5b의 배열체에서, 챔버(2) 내부 및 안내 본체, 본 실시예에서 튜브(9)의 내부 압력은 독립적으로 조정될(tuned) 수 없다. 압력들 양자 모두는 하나 또는 그 초과의 유출구(6)들의 컨덕턴스에 의해 그리고 튜브(9) 자체의 컨덕턴스에 의해 관련된다. 더욱이, 앞에서 언급된 바와 같이, 이러한 배열체에서 튜브(9) 내부의 일시적으로 증가된 압력은 플라즈마의 소멸을 유발할 수 있다.
도 6a는 깔때기(8)와 같은 압력 조절기에는 산소와 같은 추가 입력 가스, 또는 질소와 같은 버퍼 가스의 공급을 위한 추가 유입구(35)가 제공되는 배열체의 대안적인 실시예를 도시한다. 이후, 추가 유입구(35)를 통해 공급된 가스는 추가 유입 가스로서 지칭될 것이다. 도 6a의 깔때기(8)는 도 6b에서 더 상세하게 도시된다. 깔때기(8)에서 추가 유입구(35)의 존재는 챔버(2) 내부 및 튜브(9) 내부의 압력을 독립적으로 조정하는 가능성을 열어 놓는다. 튜브(9)의 컨덕턴스는 지금부터 튜브(9) 내부의 압력이 최적치 아래가 되도록 설계될 수 있다. 최적 압력은 이어서 추가 유입구(35)를 통해 추가 가스를 첨가함으로써 달성될 수 있다. 챔버(2) 내부의 압력은 이어서 라디칼들을 발생하도록 최적화될 수 있고 안내 본체 내부의 압력은 이의 유출구를 향하여 라디칼들을 안내하기 위하여 추가 유입구(35)를 통해 적절한 가스의 제어된 공급에 의해 최적화될 수 있다. 추가 유입구(35)의 구현은 또한 플라즈마가 튜브(9) 내에서 소멸되는 위험을 감소시킬 수 있다. 추가 유입구(35)는 밸브 또는 펌프와 같은 압력 장치에 연결될 수 있다. 압력 장치는 제어 유닛(45)과 같은 제어 유닛에 연결될 수 있다.
도 7은 하전 입자 다중 빔렛 리소그래피 시스템(51)의 일 실시예의 단순화된 개략도를 도시한다. 이 같은 리소그래피 시스템은 예를 들면 미국 특허 제 6,897,458호 및 제 6,958,804호 및 제 7,084,414호 및 제 7,129,502호에서 설명되며, 이 미국 특허들은 본 출원의 출원인에게 양도되고 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
이 같은 리소그래피 시스템(51)은 적합하게는 복수의 빔렛들을 발생하는 빔렛 발생기, 변조된 빔렛들을 형성하기 위하여 빔렛들을 패턴화하는 빔렛 변조기, 및 변조된 빔렛들을 타겟(target)의 표면상으로 투사하기 위한 빔렛 투사기를 포함한다.
빔렛 발생기는 전형적으로 소스 및 하나 이상의 빔 스플리터를 포함한다. 도 7의 소스는 실질적으로 균일하게 팽창하는 전자 빔(54)을 발생하기 위해 배열되는 전자 소스(53)이다. 전자 빔(54)의 빔 에너지는 바람직하게는 약 1 내지 10keV의 범위 내에서 비교적 낮게 유지된다. 이를 달성하기 위하여, 가속 전압은 바람직하게는 낮으며, 전자 소스(53)는 비록 다른 설정들이 또한 사용될 수 있지만, 접지 전위에서 타겟에 대해 약 -1 내지 -10 kV 의 전압으로 유지될 수 있다.
도 7에서 전자 소스(54)로부터의 전자 빔은 전자 빔(54)을 시준하기 위하여 시준기 렌즈(55)를 통과한다. 시준기 렌즈(55)는 시준하는 광학 시스템의 임의의 타입일 수 있다. 시준 전에, 전자 빔(54)은 이중 팔중극(double octopole; 도시안됨)을 통과할 수 있다.
후속적으로, 전자 빔(54)은 빔 스플리터, 도 7의 실시예에서 통공 어레이(56) 상에 충돌한다. 통공 어레이(56)는 바람직하게는 관통 구멍들을 가지는 판을 포함한다. 통공 어레이(56)는 빔(54)의 일부를 차단하도록 배열된다. 부가적으로, 어레이(56)는 복수의 평행한 전자 빔렛(57)들을 발생하기 위하여 복수의 빔렛(57)들이 관통하여 지나가는 것을 허용한다.
비록 리소그래피 시스템이 다소의 빔렛들을 발생하는 것이 물론 가능하지만, 도 7의 리소그래피 시스템(51)은 많은 개수의 빔렛(57)들, 바람직하게는 약 10,000 내지 1,000,000개의 빔렛들을 발생한다. 다른 공지된 방법들이 또한 시준된 빔렛을 발생하기 위해 사용될 수 있다는 것에 주의하여야 한다. 전자 빔(54)으로부터 서브빔(subbeam)들을 생성하고 서브빔으로부터 전자 빔렛(57)을 생성하기 위하여 제 2 통공 어레이가 시스템 내에 부가될 수 있다. 이는 서브빔들의 조작을 추가의 하류에서 허용하며 특히 시스템에서 빔렛들의 개수가 5,000개 또는 그 초과일 때 시스템 작동을 위해 유익한 것으로 증명된다.
도 7에서 모듈 시스템(58)으로서 표시되는 빔렛 변조기는 통상적으로 복수의 블랭커들의 배열체를 포함하는 빔렛 블랭커 어레이(59) 및 빔렛 중단 어레이(70)를 포함한다. 블랭커들은 전자 빔렛(57) 중 하나 또는 둘 이상을 편향시킬 수 있다. 본 발명의 실시예들에서, 블랭커들은 제 1 전극, 제 2 전극, 및 통공이 제공되는 더 특별한 정전 편향기들이다. 전극들은 이어서 통공을 가로질러 전기장을 발생하기 위해 통공의 마주하는 측면들 상에 위치된다. 일반적으로, 제 2 전극이 접지 전극, 즉 접지 전위에 연결된 전극이다.
블랭커 어레이(50)의 평면 내에 전극 빔렛(57)을 집속하기 위하여, 리소그래피 시스템은 집광 렌즈 어레이(도시 안됨)를 더 포함할 수 있다.
도 7의 실시예에서, 빔렛 중단 어레이(70)는 빔렛들이 통과하는 것을 허용하기 위한 통공들의 어레이를 포함한다. 빔렛 중단 어레이(70)는 이의 기본 형태에서, 비록 다른 형상들이 또한 사용될 수 있지만 관통공들, 전형적으로 라운드형 구멍(round hole)들이 제공되는 기판을 포함한다. 일부 실시예들에서, 빔렛 중단 어레이(70)의 기판은 관통공들의 일정하게 이격된 어레이를 구비한 실리콘 웨이퍼로 형성되고 표면 차징(surface charging)을 방지하기 위하여 금속의 표면 층으로 코팅될 수 있다. 일부 추가 실시예들에서, 금속은 CrMo와 같은, 천연(native)-산화물 스킨을 형성하지 않는 타입이다.
빔렛 블랭커 어레이(59) 및 빔렛 중단 어레이(70)는 빔렛(57)들을 차단하거나 통과시키기 위해 함께 작동한다. 일부 실시예들에서, 빔렛 중단 어레이(70)의 통공들은 빔렛 블랭커 어레이(59)에서 정전기적 편향기들의 통공들과 정렬된다. 빔렛 블랭커 어레이(59)가 빔렛을 편향하는 경우, 빔렛 중단 어레이(70) 내의 대응하는 통공을 통과하여 지나가지 않을 것이다. 대신 빔렛은 빔렛 차단 어레이(70)의 기판에 의해 차단될 것이다. 빔렛 블랭커 어레이(59)가 빔렛을 편향하지 않는 경우, 빔렛은 빔렛 중단 어레이(70) 내의 대응하는 통공을 통과하여 지나가지 않을 것이다. 일부 대안적인 실시예들에서, 빔렛 블랭커 어레이(59)와 빔렛 중단 어레이(70) 사이의 협동은 블랭커 어레이(59) 내의 편향기에 의한 빔렛의 편향이 빔렛 중단 어레이(70) 내의 대응하는 통공을 통한 빔렛의 통과를 초래하며, 반면 비-편향이 빔렛 중단 어레이(70)의 기판에 의한 차단을 초래한다.
변조 시스템(58)은 제어 유닛(60)에 의해 제공된 입력을 기초로 하여 빔렛(57)들에 패턴을 부가하기 위해 배열된다. 제어 유닛(60)은 데이터 저장 유닛(61), 판독 유닛(read out unit; 62), 및 데이터 변환기(63)를 포함할 수 있다. 제어 유닛(60)은 시스템의 나머지로부터 멀리, 예를 들면 세정실의 내부 부분 외부에 위치될 수 있다. 광학 섬유(64)들을 사용하여, 패턴 데이터를 홀딩하는 변조된 광선(modulated light beam; 74)들이 광(light)을 섬유 어레이(개략적으로 판(75)으로서 도시됨) 내의 섬유들의 단부로부터 점선 박스 및 도면 부호 "78"로 개략적으로 표시된, 리소그래피 시스템(51)의 전자 광학 부분 내로 투사하는 투사기(65)로 전달될 수 있다.
도 7의 실시예에서, 변조된 광선들은 빔렛 블랭커 어레이(59) 상으로 투사된다. 더욱 상세하게는, 광학 섬유 단부들로부터 변조된 광선(74)들은 빔렛 블랭커 어레이(59) 상에 위치된 대응하는 감광성 요소들 상에 투사된다. 감광성 요소들은 광 신호를 상이한 타입의 신호, 예를 들면 전기 신호로 변환하기 위해 배열될 수 있다. 변조된 광선(74)은 대응하는 감광성 요소에 커플링되는 하나 또는 둘 이상의 블랭커들을 제어하기 위한 패턴 데이터의 일 부분을 운반한다. 적절하게, 대응하는 감광성 요소들 상으로 광선(74)들을 투사하기 위하여, 투사기(65)와 같은 광학 요소들이 사용될 수 있다. 부가적으로, 적절한 입사각도로 광선(74)들의 투사를 허용하도록, 예를 들면 투사기(65)와 빔렛 블랭커 어레이(59) 사이에 적절히 배치된 거울이 포함될 수 있다.
투사기(65)는 제어 유닛(60)의 제어 하에서 투사기 위치 설정 장치(77)에 의해 판(75)과 적절히 정렬될 수 있다. 결과적으로, 빔렛 블랭커 어레이(59) 내의 감광성 요소들과 투사기(65) 사이의 거리가 또한 변화할 수 있다.
일부 실시예들에서, 광선들은 판으로부터 적어도 부분적으로 광 도파로(optical waveguide)에 의해 감광성 요소들을 향하여 전달될 수 있다. 광 도파로는 광을 감광성 요소들에 매우 근접한 위치로, 적절하게는 일 센티미터보다 적게, 바람직하게는 일 밀리미터 정도로 떨어지게 안내할 수 있다. 광 도파로와 대응하는 감광성 요소들 사이의 짧은 거리는 광 손실을 감소시킨다. 한편, 하전 입자 빔렛들에 의해 점유될 수 있는 공간으로부터 멀리 위치된 판(75) 및 투사기(65)의 사용은 빔렛 장애가 최소화되고, 빔렛 블랭커 어레이(59)의 구성이 덜 복잡하게 되는 장점을 갖는다.
빔렛 변조기로부터 나오는 변조된 빔렛들은 빔렛 투사기에 의해 타겟(84)의 타겟 표면(73) 상으로 점(spot)으로서 투사된다. 빔렛 투사기는 전형적으로 타켓 표면(73) 위로 변조된 빔렛들을 스캐닝하기 위한 스캐닝 편향기 및 타겟 표면(73) 상으로 변조된 빔렛들을 집속하기 위한 투사 렌즈 시스템을 포함한다. 이러한 구성 요소들은 단일 단부 모듈 내에 존재할 수 있다.
이 같은 단부 모듈은 바람직하게는 삽입가능하고 교체 가능한 유닛으로서 구성된다. 단부 모듈은 이에 따라 편향기 어레이(71), 및 투사 렌즈 조립체(72)를 포함할 수 있다. 삽입가능하고, 교체 가능한 유닛은 또한 빔렛 변조기에 관하여 위에서 논의된 바와 같이 빔렛 중단 어레이(70)를 포함할 수 있다. 단부 모듈로부터 나온 후, 빔렛(57)들은 타겟 평면에 위치 설정된 타겟 표면(73) 상에 충돌한다. 리소그래피 적용들에 대해, 타겟은 보통 하전 입자 민감 층 또는 저항 층이 제공된 웨이퍼를 포함한다.
편향기 어레이(71)는 빔렛 중단 어레이(70)를 통과하는 각각의 빔렛(57)을 편향하기 위해 배열된 스캐닝 편향기 어레이의 형태를 취할 수 있다. 편향기 어레이(71)는 비교적 작은 구동 전압들의 인가를 가능하게 하는 복수의 정전기적 편향기들을 포함할 수 있다. 비록 편향기 어레이(71)가 투사 렌즈 배열체(72)의 상류에 그려져 있지만, 편향기 어레이(71)는 또한 투사 렌즈 배열체(72)와 타겟 표면(73) 사이에 위치 설정될 수 있다.
투사 렌즈 배열체(72)는 편향기 어레이(71)에 의한 편향 전 또는 편향 후, 빔렛(57)들을 집속하기 위해 배열된다. 바람직하게는, 집속은 직경이 10 내지 30 nm의 기하학적 점 크기를 초래한다. 이 같이 바람직한 실시예에서, 투사 렌즈 배열체(72)는 바람직하게는 약 100 내지 500 배, 가장 바람직하게는 가능한 크게, 예를 들면 300 내지 500 배로의 축소를 제공하도록 배열된다. 이러한 바람직한 실시예에서, 투사 렌즈 배열체(72)는 유리하게는 타겟 표면(73)에 근접하게 위치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 빔 투사기(도시 안함)는 타겟 표면(73)과 투사 렌즈 배열체(72) 사이에 위치될 수 있다. 빔 투사기는 복수의 적합하게 위치 설정된 통공들이 제공된 포일 또는 판일 수 있다. 빔 투사기는 방출된 저항 입자들이 리소그래피 시스템(51) 내의 민감 요소들 중 어느 하나에 도달할 수 있기 전에 방출된 저항 입자들을 흡수하기 위해 배열된다.
타겟 표면(73) 상의 픽셀의 위치가 미소 규모로 정정되는 적절한 스캐닝 작동들을 편향기 어레이(71)가 보장할 수 있는 동안, 투사 렌즈 배열체(72)는 이에 따라 타겟 표면(73) 상의 단일 픽셀의 점 크기가 정확하게 되는 것을 보장할 수 있다. 특히, 편향기 어레이(71)의 작동은 픽셀이 궁극적으로 타겟 표면(73) 상에 패턴을 구성하는 픽셀들의 그리드 내로 맞추는 것이다. 타겟 표면(73) 상의 픽셀의 미소 규모 위치 설정이 적절하게는 타겟(84) 아래 존재하는 웨이퍼 위치 설정 시스템에 의해 가능하게 되는 것이 이해될 것이다.
보통, 타겟 표면(73)은 기판의 상부 상에 저항 막을 포함한다. 저항 막의 부분들은 하전 입자들, 즉 전자들의 빔렛들의 인가에 의해 화학적으로 수정될 것이다. 이의 결과로서, 필름의 조사 부분은 현상제 내에서 다소 용해가능하게 되어, 웨이퍼 상에 저항 패턴을 초래한다. 웨이퍼 상의 저항 패턴은 후속적으로 하부 층으로 전달될 수 있으며 즉 반도체 제조 분야에서 공지된 바와 같이 에칭 및/또는 증착 단계들을 실행함으로써 전달될 수 있다. 명백하게, 조사가 균일하지 않은 경우, 저항부는 균일한 방식으로 전개되지 않을 수 있어 패턴에 오류들을 초래한다. 고-품질 투사가 이에 따라 재현가능한 결과를 제공하는 리소그래피 시스템을 얻는 것에 관련된다. 조사에서의 차이가 편향 단계들로부터 초래되지 않아야 한다.
특히 하전 입자 다중-빔렛 리소그래피 시스템이 참조되지만, 본 발명의 일부 실시예들은 노출 목적을 위해 극자외(EUV) 방사선을 사용하여 리소그래피 시스템들과 같은 다른 타입의 리소그래피 시스템들에 관한 것일 수 있다. EUV 리소그래피 시스템들에서 거울과 같은 반사 표면들은 패턴형 또는 변조된 방사선 빔을 생성하기 위해 또는 빔렛들의 궤도들에 영향을 미치기 위해 사용되어 선택된 빔렛들이 노출될 타겟에 전형적으로 적절한 저항 층이 제공된 웨이퍼에 도달한다.
도 8은 모듈식 리소그래피 시스템의 단순화된 블록도를 도시한다. 리소그래피 시스템은 바람직하게는 보수 유지의 용이성을 허용하기 위해 모듈 방식으로 설계된다. 주요 서브시스템들은 바람직하게는 자체 내장되고 제거가능한 모듈들로 구성되어, 이 서브 시스템들이 가능한 다른 서브시스템들에 대한 방해 없이 리소그래피 기계로부터 제거될 수 있다. 이는 특히 진공 챔버 내에 들어 있는 리소그래피 기계에 대해 특히 유용하며 여기서 기계에 대한 접근이 제한된다. 이에 따라, 결함이 있는 서브 시스템은 다른 시스템들로부터 불필요하게 연결 해제하거나 방해하지 않으면서 신속하게 제거 및 교체될 수 있다.
도 8에 도시된 실시예에서, 이러한 모듈형 서브시스템들은 하전 입자 빔 소스(101)와 빔 시준 시스템(102)을 포함하는 조명 광학계 모듈(illumination optics module; 201), 통공 어레이(103) 및 집광 렌즈 어레이(104)를 포함하는 집광 렌즈 모듈(202), 빔렛 블랭커 어레이(105)를 포함하는 빔 스위칭 모듈(203), 및 빔 중단 어레이(108), 빔 편향기 어레이(109) 및 투사 렌즈 어레이(110)를 포함하는 투사 광학계 모듈(204)을 포함한다. 모듈들은 정렬 프레임 내 및 밖으로 슬라이드하도록 설계될 수 있다. 도 8에 도시된 실시예에서, 정렬 프레임은 내부 정렬 서브-프레임(205) 및 외부 정렬 서브-프레임(206)을 포함한다. 투사 광학계 모듈(204)은 하나 또는 둘 이상의 굴곡부에 의해 내부 정렬 서브-프레임(205) 및 외부 정렬 서브-프레임 중 하나 이상에 연결될 수 있다.
조명 광학계 모듈(201), 통공 어레이 및 집광 렌즈 모듈(202), 빔 스위칭 모듈(203) 및 투사 광학계 모듈(204)에서 언급된 구성요소들은 도 7의 리소그래피 시스템(1)에 대해 유사한 구성요소들의 기능성에 대응하여 작동하도록 배열될 수 있다.
도 8의 실시예에서, 프레임(208)은 진동 감쇠 마운트(207)들을 통해 정렬 서브-프레임(205 및 206)들을 지지한다. 이러한 실시예에서, 웨이퍼(130)는 웨이퍼 테이블(209) 상에 놓이고 웨이퍼 테이블은 이어서 추가 지지 구조(210) 상에 장착된다. 웨이퍼 테이블(209) 및 추가의 지지 구조(210)의 조합은 앞으로 또한 척(210)으로서 지칭될 수 있다. 척(210)은 스테이지 상의 짧은 스트로크(211) 및 긴 스트로크(212) 상에 놓인다. 리소그래피 기계는 진공 챔버(250) 내에 에워싸이며 이 진공 챔버는 바람직하게는 뮤(mu) 금속 차폐 층 또는 층(215)들을 포함한다. 기계는 프레임 부재(221)들에 의해 지지된 베이스 플레이트(220) 상에 놓인다.
각각의 모듈은 대다수의 전기 신호들 및/또는 광학 신호들 및 이의 작동을 위한 전력을 요구할 수 있다. 진공 챔버 내의 모듈들은 전형적으로 챔버의 외부에 위치되는 하나 또는 둘 이상의 제어 시스템(224)들로부터 이러한 신호들을 수신한다. 진공 챔버(250)는 케이블 주위의 진공 밀봉을 유지하는 동안 신호들을 제어 시스템들로부터 진공 하우징 내로 운반하는 케이블들이 유입되는 포트로서 지칭되는 개구들을 포함한다. 각각의 모듈은 바람직하게는 상기 모듈 전용인 하나 또는 둘 이상의 포트들을 통하여 루팅되는 전기적, 광학적 및/또는 전력 케이블링 연결부들의 집합물들을 갖는다. 이는 다른 모듈들 중 어느 하나를 위한 케이블들을 방해하지 않으면서 특별한 모듈을 위한 케이블들이 연결 해제되고 제거되고 교체되는 것을 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 패치 패널은 진공 챔버(250) 내에 제공될 수 있다. 패치 패널은 모듈들의 하나 또는 둘 이상의 연결부들을 제거가능하게 연결하기 위한 하나 또는 둘 이상의 커넥터들을 포함한다. 하나 또는 둘 이상의 포트들은 제거 가능한 모듈들의 하나 또는 둘 이상의 연결부들을 진공 챔버 내로 유입하기 위해 사용될 수 있다.
도 9는 오염물질 퇴적물의 제거를 위한 배열체(300)의 일 실시예의 상부(elevated) 평면도를 도시한다. 상기 배열체(300)는 플라즈마가 형성될 수 있고 깔때기(308)의 형태로 압력 조절기에 커플링되는 챔버(302)를 포함한다. 깔때기(308)에는 슬릿(307a, 307b)들의 형태로 두 개의 유출구들이 제공된다.
도 10은 도 9에 도시된 오염물질 퇴적물의 제거를 위한 배열체를 포함하는 모듈식 리소그래피 시스템의 횡단면도를 도시한다. 도시된 실시예에서, 모듈식 리소그래피 시스템은 도 8과 관련하여 논의된 시스템이다. 챔버(302), 및 이러한 특별한 실시예에서 또한 깔때기(308)가 하나 또는 둘 이상의 모듈들을 수용하기 위한 정렬 프레임(208) 내로 통합된다. 배열체는 슬릿(307a)에 연결된 제 1 튜브(309a) 및 슬릿(307b)에 연결된 제 2 튜브(309b)를 더 포함한다. 제 2 튜브(309b)는 투사 광학계 모듈(204)의 표면에 근접한 유출구를 갖는다. 제 1 튜브(309a)는 다른 모듈, 예를 들면 도 8의 모듈식 리소그래피 시스템 내의 빔 스위칭 모듈(203)에 라디칼들을 전달하도록 배열된다.
도 11은 튜브(309b)를 이용하는 투사 광학계 모듈(204)과 깔때기(308) 사이의 연결부의 일 실시예의 더 상세한 도면을 도시한다. 유사한 연결부들이 깔때기(308)와 다른 모듈들 사이에 이루어질 수 있다. 도시된 연결부에서, 튜브(309b)는 슬릿(307b)의 연장된 부분 상으로 클릭 결합될 수 있다(click). 압력 조절기 유출구(307b)는 이에 따라 연장된 부분이 제공되고 이 연장된 부분 상으로 안내 몸체, 즉 도 11의 튜브(309b)가 제거 가능하게 부착 가능하다.
또한, 튜브 주변을 향하여 원자 라디칼들과 같은 입자들의 누출을 감소하기 위하여 실제 연결부의 위치 위에 배치될 수 있는 커버(400)가 제공된다. 커버(400)는 슬라이딩 가능한 커버일 수 있다.
튜브(309b)는 튜브(309b)의 내벽들과 원자 라디칼들의 상호 작용을 최소화하도록 가능한 직선인 것이 바림직하다. 이러한 특별한 실시예에서, 투사 광학계 모듈(204)은 모듈 판(410) 상에 장착되고 튜브(309b)는 판(410)을 통하여 지나간다. 이 같은 구성은 판(410) 및 튜브(309b)에 의해 점유되는 공간을 감소시킨다.
본 발명은 위에서 논의된 소정의 실시예들을 참조하여 설명되었다. 이러한 실시예들이 첨부된 청구범위에서 규정된 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않으면서 당업자에게 주지된 다양한 수정들 및 대안적인 형태들로 될 수 있음이 인정될 것이다.

Claims (15)

  1. 전자 광학 시스템(electron optical system)으로서,
    복수의 전자 빔렛(beamlet)을 발생시키기 위한 빔렛 발생기;
    상기 복수의 전자 빔렛을 조정하기 위한 통공들(apertures)의 어레이를 포함하는 빔렛 조종기(beamlet manipulator);
    플라즈마가 내부에서 형성될 수 있는 챔버를 포함하는, 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생기 - 상기 챔버는, 입력 가스를 받아들이기 위한 유입구와, 내부에서 생성된 플라즈마와 라디칼들 중 적어도 하나의 제거를 위한 하나 이상의 유출구를 포함함 - ; 및
    상기 플라즈마 내에서 형성되는 라디칼들을 오염물질 퇴적물이 제거될 상기 통공들의 어레이를 향하여 안내하기 위한 하나 이상의 챔버 출구에 커플링된 중공형 안내 본체
    를 포함하는,
    전자 광학 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생기는, 상기 하나 이상의 챔버 유출구와 유동연결되는 하나 이상의 발생기 유출구를 추가로 포함하는,
    전자 광학 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발생기 유출구들 중 적어도 하나는 상기 빔렛 조종기에 측방향으로 배열되는,
    전자 광학 시스템.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생기는 깔때기(funnel)의 의해 하나 이상의 챔버 유출구로 연결되는,
    전자 광학 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 깔때기에는 슬릿 형태로 적어도 두 개의 챔버 유출구가 제공되는
    전자 광학 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    각각의 챔버 유출구의 슬릿에 연결되는 튜브를 더 포함하고, 유출구를 갖는 각각의 튜브는 오염물질 퇴적물이 제거될 상기 통공들의 어레이의 표면에 근접한,
    전자 광학 시스템.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 중공형 안내 본체와 발생기 유출구의 연장 부분 사이의 연결부 위에 배치시키기 위한 커버를 더 포함하고, 상기 중공형 안내 본체는 상기 커버에 의하여 상기 발생기 유출구의 연장 부분에 제거가능하게 연결될 수 있는,
    전자 광학 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 커버는 상기 연결부의 위치 위에서 슬라이딩 가능하게 위치되도록 배열되는,
    전자 광학 시스템.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중공형 안내 본체는 상기 플라즈마 발생기 유출구와 상기 빔렛 조종기 사이의 유동 연결을 수립하는,
    전자 광학 시스템.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 빔렛 조종기는 제거가능한 모듈 판 상에 장착되고, 상기 중공형 안내 본체는 상기 제거가능한 모듈 판 상에 장착되는,
    전자 광학 시스템.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 빔렛 조종기를 지지하도록 배열되는 정렬 프레임, 및 상기 정렬 프레임을 지지하도록 배열된 프레임을 더 포함하고,
    상기 플라즈마 발생기의 챔버와 상기 깔대기는 상기 정렬 프레임에 통합되는,
    전자 광학 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 정렬 프레임을 지지하도록 배열되는 프레임은, 진동 감쇠 마운트들을 통해 상기 정렬 프레임을 지지하도록 배열되는,
    전자 광학 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생기는 상기 빔렛 조종기에 측방향으로(laterally) 배열되는,
    전자 광학 시스템.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 정렬 프레임은, 슬라이딩하게 제거가능한 하나 이상의 빔렛 조종기 모듈들을 지지하도록 배열되는,
    전자 광학 시스템.
  15. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    빔렛 조종기 모듈들을 포함하는 진공 챔버를 추가로 포함하는,
    전자 광학 시스템.
KR1020207020687A 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법 KR102206544B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261613391P 2012-03-20 2012-03-20
US61/613,391 2012-03-20
PCT/EP2013/055865 WO2013139878A2 (en) 2012-03-20 2013-03-20 Arrangement and method for transporting radicals

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207001461A Division KR102136829B1 (ko) 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200091478A true KR20200091478A (ko) 2020-07-30
KR102206544B1 KR102206544B1 (ko) 2021-01-25

Family

ID=48049956

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207020687A KR102206544B1 (ko) 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법
KR1020187027484A KR102069183B1 (ko) 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법
KR1020207001461A KR102136829B1 (ko) 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법
KR1020147029380A KR101905618B1 (ko) 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187027484A KR102069183B1 (ko) 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법
KR1020207001461A KR102136829B1 (ko) 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법
KR1020147029380A KR101905618B1 (ko) 2012-03-20 2013-03-20 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법

Country Status (8)

Country Link
US (2) US9123507B2 (ko)
EP (1) EP2828708B1 (ko)
JP (4) JP6239583B2 (ko)
KR (4) KR102206544B1 (ko)
CN (2) CN104321701B (ko)
NL (3) NL2010488C2 (ko)
RU (2) RU2017146228A (ko)
WO (1) WO2013139878A2 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013226678A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem und Transporteinrichtung zum Transport eines reflektiven optischen Elements
US9981293B2 (en) 2016-04-21 2018-05-29 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems
NL2022156B1 (en) 2018-12-10 2020-07-02 Asml Netherlands Bv Plasma source control circuit
CN114616198A (zh) * 2019-11-22 2022-06-10 Abb瑞士股份有限公司 输送机、输送系统以及输送机的制造方法
CN111638569B (zh) * 2020-07-17 2022-04-22 中国人民解放军空军工程大学 一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR870010942A (ko) * 1986-05-21 1987-12-19 미다 가쓰시게 플라즈마표면처리장치 및 방법
US20010006070A1 (en) * 1998-07-13 2001-07-05 Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
KR20040046176A (ko) * 2002-11-26 2004-06-05 한국전자통신연구원 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
KR20100098515A (ko) * 2007-11-06 2010-09-07 칼 짜이스 에스엠티 아게 광학면으로부터 오염층을 제거하는 방법, 세정 가스를 생성하는 방법 및 대응하는 세정 및 세정 가스 생성 장치들

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS586129A (ja) * 1981-07-03 1983-01-13 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光装置
US4555303A (en) * 1984-10-02 1985-11-26 Motorola, Inc. Oxidation of material in high pressure oxygen plasma
US4870030A (en) * 1987-09-24 1989-09-26 Research Triangle Institute, Inc. Remote plasma enhanced CVD method for growing an epitaxial semiconductor layer
US5466942A (en) * 1991-07-04 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus
JP3253675B2 (ja) * 1991-07-04 2002-02-04 株式会社東芝 荷電ビーム照射装置及び方法
JPH05198536A (ja) * 1992-01-23 1993-08-06 Sony Corp ドライエッチング方法
CN1078768A (zh) * 1992-05-16 1993-11-24 S·H·福尔 进气控制装置
JP3258104B2 (ja) * 1992-12-21 2002-02-18 株式会社東芝 荷電ビーム照射方法及び装置
JP3568553B2 (ja) * 1993-03-18 2004-09-22 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光装置及びそのクリーニング方法
JPH0737807A (ja) * 1993-07-21 1995-02-07 Hitachi Ltd 原子、分子線による表面処理方法およびその装置
JP3466744B2 (ja) * 1993-12-29 2003-11-17 株式会社東芝 洗浄機能付き荷電ビーム装置および荷電ビーム装置の洗浄方法
JP3257742B2 (ja) * 1994-03-15 2002-02-18 富士通株式会社 電子ビーム露光装置
US5665640A (en) 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
JPH09223594A (ja) * 1996-02-16 1997-08-26 Ebara Corp ビーム源及び微細加工方法
JP3827359B2 (ja) 1996-03-19 2006-09-27 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
JPH09293472A (ja) 1996-04-26 1997-11-11 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光装置、その露光方法及びその製造方法
US5788778A (en) 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
US6039834A (en) 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
US8075789B1 (en) 1997-07-11 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning source having reduced reactivity with a substrate processing chamber
JPH11135297A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Kumagai Hiromi プラズマ発生器
US6989546B2 (en) * 1998-08-19 2006-01-24 Ims-Innenmikrofabrikations Systeme Gmbh Particle multibeam lithography
GB9822294D0 (en) 1998-10-14 1998-12-09 Univ Birmingham Contaminant removal method
US6105589A (en) * 1999-01-11 2000-08-22 Vane; Ronald A. Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using an air plasma as an oxygen radical source
US6394109B1 (en) 1999-04-13 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system
JP2001144000A (ja) * 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 荷電粒子線転写装置及びそのクリーニング方法並びにそれを用いるデバイス製造方法
JP2001148340A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Advantest Corp 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
US6465795B1 (en) 2000-03-28 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Charge neutralization of electron beam systems
US6387207B1 (en) 2000-04-28 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber
US6905547B1 (en) * 2000-12-21 2005-06-14 Genus, Inc. Method and apparatus for flexible atomic layer deposition
US20020144706A1 (en) 2001-04-10 2002-10-10 Davis Matthew F. Remote plasma cleaning of pumpstack components of a reactor chamber
US6772776B2 (en) 2001-09-18 2004-08-10 Euv Llc Apparatus for in situ cleaning of carbon contaminated surfaces
US6936551B2 (en) 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
KR101060557B1 (ko) 2002-10-25 2011-08-31 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 리소그라피 시스템
WO2004040614A2 (en) 2002-10-30 2004-05-13 Mapper Lithography Ip B.V. Electron beam exposure system
DE60323927D1 (de) 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
KR101068607B1 (ko) 2003-03-10 2011-09-30 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 복수 개의 빔렛 발생 장치
JP4949843B2 (ja) 2003-05-28 2012-06-13 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 荷電粒子ビームレット露光システム
JP2005208120A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Ebara Corp 試料修正装置及び試料修正方法並びに該方法を用いたデバイス製造方法
JP2006128542A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Nec Electronics Corp 電子デバイスの製造方法
ITMI20050585A1 (it) * 2005-04-07 2006-10-08 Francesco Cino Matacotta Apparato e processo per la generazione accelerazione e propagazione di fasci di elettroni e plasma
KR100717505B1 (ko) * 2005-11-25 2007-05-14 동부일렉트로닉스 주식회사 노광장치의 투영 렌즈 세정장치
US7465943B2 (en) 2005-12-08 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Controlling the flow through the collector during cleaning
JP4952375B2 (ja) 2007-05-23 2012-06-13 株式会社明電舎 レジスト除去方法及びその装置
CN100591801C (zh) * 2007-09-30 2010-02-24 南京大学 快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
KR101570974B1 (ko) * 2008-02-26 2015-11-23 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 투사 렌즈 배열체
US7967913B2 (en) 2008-10-22 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps
EP2399270B1 (en) * 2009-02-22 2013-06-12 Mapper Lithography IP B.V. Charged particle lithography apparatus
EP2399271B1 (en) * 2009-02-22 2013-01-16 Mapper Lithography IP B.V. Lithography machine and substrate handling arrangement
EP2399272A1 (en) * 2009-02-22 2011-12-28 Mapper Lithography IP B.V. A method and arrangement for realizing a vacuum in a vacuum chamber
KR20120101982A (ko) * 2009-06-23 2012-09-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US8349125B2 (en) * 2009-07-24 2013-01-08 Xei Scientific, Inc. Cleaning device for transmission electron microscopes
CN102098863B (zh) * 2009-12-14 2013-09-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于等离子体加工设备的电极板和清除工艺沉积物的方法
JP5988537B2 (ja) * 2010-06-10 2016-09-07 株式会社ニコン 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
JP2012023316A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Canon Inc 荷電粒子線描画装置および物品の製造方法
JP5709535B2 (ja) * 2011-01-07 2015-04-30 キヤノン株式会社 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法
JP5709546B2 (ja) * 2011-01-19 2015-04-30 キヤノン株式会社 エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法
JP5785436B2 (ja) * 2011-05-09 2015-09-30 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置およびそのクリーニング方法ならびにデバイスの製造方法
CN103959919A (zh) * 2011-09-28 2014-07-30 迈普尔平版印刷Ip有限公司 等离子产生器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR870010942A (ko) * 1986-05-21 1987-12-19 미다 가쓰시게 플라즈마표면처리장치 및 방법
US20010006070A1 (en) * 1998-07-13 2001-07-05 Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
KR20040046176A (ko) * 2002-11-26 2004-06-05 한국전자통신연구원 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
KR20100098515A (ko) * 2007-11-06 2010-09-07 칼 짜이스 에스엠티 아게 광학면으로부터 오염층을 제거하는 방법, 세정 가스를 생성하는 방법 및 대응하는 세정 및 세정 가스 생성 장치들

Also Published As

Publication number Publication date
US20150332899A1 (en) 2015-11-19
US20150028223A1 (en) 2015-01-29
JP2022167939A (ja) 2022-11-04
NL2010488A (en) 2013-09-23
KR102206544B1 (ko) 2021-01-25
EP2828708B1 (en) 2022-11-02
NL2015332A (en) 2016-06-27
CN104321701B (zh) 2017-04-12
RU2014142037A (ru) 2016-05-10
KR102069183B1 (ko) 2020-01-22
NL2010488C2 (en) 2014-10-21
JP2018050061A (ja) 2018-03-29
WO2013139878A3 (en) 2013-12-27
NL2013637A (en) 2014-12-15
KR101905618B1 (ko) 2018-10-10
JP7166315B2 (ja) 2022-11-07
CN106933063A (zh) 2017-07-07
JP7446374B2 (ja) 2024-03-08
KR20200008064A (ko) 2020-01-22
CN106933063B (zh) 2019-01-18
EP2828708A2 (en) 2015-01-28
KR102136829B1 (ko) 2020-07-24
US9484187B2 (en) 2016-11-01
JP2021002661A (ja) 2021-01-07
JP2015518268A (ja) 2015-06-25
CN104321701A (zh) 2015-01-28
KR20140141665A (ko) 2014-12-10
NL2013637C2 (en) 2015-08-25
RU2642494C2 (ru) 2018-01-25
JP6239583B2 (ja) 2017-11-29
WO2013139878A2 (en) 2013-09-26
NL2015332B1 (en) 2016-09-30
KR20180108894A (ko) 2018-10-04
US9123507B2 (en) 2015-09-01
RU2017146228A (ru) 2019-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7446374B2 (ja) ラジカルを輸送するための装置および方法
JP7065027B2 (ja) 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び／又は回避のための方法及びシステム
JP6430606B2 (ja) 荷電粒子ビーム発生器の高電圧シールド及び冷却
JP2014535125A (ja) プラズマ発生器
JP2012151304A (ja) エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant