JP3257742B2 - 電子ビーム露光装置 - Google Patents

電子ビーム露光装置

Info

Publication number
JP3257742B2
JP3257742B2 JP04446894A JP4446894A JP3257742B2 JP 3257742 B2 JP3257742 B2 JP 3257742B2 JP 04446894 A JP04446894 A JP 04446894A JP 4446894 A JP4446894 A JP 4446894A JP 3257742 B2 JP3257742 B2 JP 3257742B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
lens barrel
aperture array
chip
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04446894A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07254540A (ja
Inventor
義久 大饗
智彦 阿部
総一郎 荒井
繁 丸山
洋 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP04446894A priority Critical patent/JP3257742B2/ja
Priority to US08/404,830 priority patent/US5528048A/en
Publication of JPH07254540A publication Critical patent/JPH07254540A/ja
Priority to US08/610,190 priority patent/US5614725A/en
Priority to US08/745,632 priority patent/US5977548A/en
Priority to US09/022,881 priority patent/US5920077A/en
Priority to US09/283,974 priority patent/US6118129A/en
Priority to US09/588,644 priority patent/US6486479B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3257742B2 publication Critical patent/JP3257742B2/ja
Priority to US10/238,759 priority patent/US6646275B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はブランキングアパーチャ
アレイ方式の電子ビーム露光装置に関する。電子ビーム
露光装置の中でも、ブランキングアパーチャアレイ方式
の装置は、ブランキングアパーチャアレイチップが外部
の制御回路と多くの個所で電気的に接続されている関係
上、ブランキングアパーチャアレイチップの保守がしに
くい構造となっており、この改善が望まれている。
【0002】
【従来の技術】図18は従来のブランキングアパーチャ
アレイ方式電子ビーム露光装置10のブランキングアパ
ーチャアレイチップ(以下BAAチップという)11の
部分を示す。
【0003】12は鏡筒、13は電子銃、14はウェハ
である。鏡筒12の内部は、真空である。
【0004】15はプリント回路基板であり、ソケット
のピンが差し込まれる多数の孔15a及び配線パターン
15bを有し、鏡筒12内に取り付けてある。
【0005】プリント回路基板15は、多数本の電線1
6、ハーメチックシール17を介して、鏡筒12の外部
のビーム・オン/オフ信号発生器1と電気的に接続され
ている。
【0006】BAAチップ11は、パッケージ19に接
着剤層20によって接着してあり、且つBAA電極21
がワイヤボンディングによってはられたワイヤ22によ
ってパッケージ19と電気的に接続してある。
【0007】このパッケージ19が、ソケット23に差
し込まれて取り付けてある。
【0008】このソケット23が、プリント基板15に
差し込まれて取り付けてある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】保守等のため、BAA
チップ11を交換することが必要となる場合がある。
【0010】ここで、ピンの数が相当に多く、パッケー
ジ19はソケット23に強い力で接続されており、ソケ
ット23はプリント回路基板15に強い力で接続されて
おり、パッケージ19又はソケット23を鏡筒10内で
取り外したり、取り付けし直す操作はおよそ不可能であ
る。
【0011】従って、BAAチップ11は交換するに
は、鏡筒12内を大気圧に開放した上で、プリント基板
15を取り外し、BAAチップ11をパッケージ19及
びソケット23と共に電線16の長さが許す範囲で鏡筒
12の外に引き出し、鏡筒12の外部で作業してBAA
チップの交換を行なっていた。
【0012】また、BAAチップを交換し、再び鏡筒1
2内に収めた後に、鏡筒12内を再び真空状態とする作
業を行う。この鏡筒12内を真空とするには、真空引き
を長時間行う必要がある。
【0013】このため、BAAチップを交換する作業が
非常に手間がかかって面倒となってしまう。
【0014】従って、従来のBAA方式電子ビーム露光
装置は、保守性が良くないという問題があった。
【0015】そこで、本発明は、上記課題を解決した電
子ビーム露光装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、複数
のピクセル及び電極を有するブランキングアパーチャア
レイチップを、鏡筒の外部の制御装置と電気的に接続さ
れた状態で、該鏡筒の内部に取り付けて使用する電子ビ
ーム露光装置において、上記ブランキングアパーチャア
レイチップを、パッドを周囲に沿って配した構成とする
と共に、上記鏡筒の内部に、上記制御装置と電気的に接
続された、多数のプローブが多数放射状に配されたプロ
ーブ手段と、上記ブランキングアパーチャアレイチップ
を、上記パッドが上記プローブの先端の針先に押し当た
る装着位置と、鏡筒の外部へ取り出しを可能とする位置
との間で移動させる移動手段とを有する構成としたもの
である。
【0017】請求項2の発明は、二つのプローブを備え
た、ブランキングアパーチャアレイ装着検出手段を更に
有し、上記ブランキングアパーチャアレイは、コーナ部
分に、上記二つのプローブの針部に対応する位置関係で
配された二つのパッド部と、この二つのパッド部をつな
ぐつなぎ部とを有する装着確認用パッドパターンを有す
る構成としたものである。
【0018】請求項3の発明は、基板と、該基板に形成
してある任意形状の開口と、該基板に、上記開口の一部
に臨んで形成してある電極と、該電極と電気的に接続さ
れており、上記基板の周囲に沿って並んだ多数のパッド
とよりなる構成としたものである。
【0019】請求項4の発明は、基板と、該基板に形成
してある任意形状の開口と、該基板に、上記開口の一部
に臨んで形成してある電極と、該電極と電気的に接続さ
れており、上記基板の周囲に沿って並んだ多数のパッド
とよりなるブランキングアパーチャアレイチップを使用
する電子ビーム装置であって、鏡筒と、鏡筒の内部に設
けてあり、多数のプローブが放射状に配されたプローブ
手段と、該プローブと電気的に接続されており、鏡筒の
外部に設けられた制御手段と、該鏡筒の内部に設けてあ
り、上記ブランキングアパーチャアレイチップを、上記
パッドが上記プローブの先端の針先に押し当たる装着位
置と、鏡筒の外部へ取り出しを可能とする位置との間で
移動させる移動手段と、上記ブランキングアパーチャア
レイチップの上記任意形状開口を通過した電子ビームを
ステップ的に偏向させる手段とを有する構成としたもの
である。
【0020】請求項5の発明は、装着されたブランキン
グアパーチャアレイチップに対応して、上記ブランキン
グアパーチャチップの上記任意形状開口を通過した電子
ビームを遮蔽が確実である方向に偏向させるブランキン
グ手段を更に有する構成としたものである。
【0021】
【作用】請求項1のプローブ手段を設けた構成は、ブラ
ンキングアパーチャアレイチップを制御装置との電気的
接続及び電気的接続の解除が、パッドをプローブの針先
へ押し当てることによって、またパッドを針先から離す
ことによって可能となるように作用する。
【0022】請求項2の二つのパッド部とつなぎ部と
は、チップが所定の位置に装着された場合に、装着検出
手段の二つのプローブを電気的に接続させるように作用
する。請求項3の任意形状の開口を有し、且つ開口に臨
んで電極を有する構成は、開口のうち電極が臨む部分を
通過する電子ビームを偏向させるように作用する。従っ
て、一の開口に基づいて、複数種類のパターンを作り出
し且つパターンの切り換えが、nsecオーダで行われ
るように作用する。
【0023】請求項4の任意形状開口を有するチップを
装着されて使用される構成は、露光パターンの形状の切
り換えを短時間で済ませるように作用する。
【0024】請求項4のブランキング手段を備えた構成
は電子ビームを漏れにくい方向に偏向させるように使用
する。
【0025】
【実施例】
〔第1の実施例〕図1は第1の発明の一実施例になるブ
ランキングアパーチャアレイ方式の電子ビーム露光装置
30を示す。
【0026】電子ビーム露光装置30は、鏡筒31と、
鏡筒31より側方に突き出しているサブチャンバ32
と、鏡筒31の外部の制御装置33とを有する。
【0027】鏡筒31の内部には、頂部側に、電子銃3
4、底部側に、ウェハ用ステージ35が設けてある。
【0028】鏡筒31の内部には、更に、収束用レンズ
36〜41、メインデフレクタ42、サブデフレクタ4
3、ブランキング電極装置44、ラウンドアパーチャ4
5、プローブ装置46、BAA用ステージ装置47、ブ
ランキングアパーチャアレイチップ48が設けてある。
【0029】制御装置33は、CPU50と、露光情報
が記憶されているメモリ51と、ビーム・オン/オフ信
号を発生するビーム・オン/オフ信号発生器52と、走
査信号発生器53と、ブランキング制御信号発生器54
を有する。
【0030】サブチャンバ32に関連して、ロッドロッ
ク弁60,61、及び真空ポンプ62が設けてある。こ
こで、上記構成の電子ビーム露光装置30の一般な動作
について説明する。ステージ36上に、レジスト21が
塗布されたウェハ70をセットする。
【0031】電子銃34から放射された電子ビーム71
は、BAAチップ48を照射し、これを通過して二次元
的に整形され、オフ・ビーム72とオン・ビーム73と
の束となる。
【0032】オフ・ビーム72は、BAAチップ48の
電極にオフ信号が印加されているときのビームであり、
屈曲して、ラウンドアパーチャ45により遮ぎられ、ウ
ェハ70までには到らない。
【0033】オン・ビーム73は、BAAチップ48の
電極にオン電極が印加されているときのビームであり、
直進して、ラウンドアパーチャ45の開口を通り抜け、
レンズ39,40,41によって集束され、且つデフレ
クタ43,42によって偏向され、ウェハ70上を照射
すると共に走査する。
【0034】これにより、ウェハ70のレジスト膜上
に、所定のパターンが露光される。
【0035】次に、本発明の要部について説明する。
【0036】〔BAAチップを交換可能とする構造〕B
AAチップを交換可能とする構造は、プローブ装置46
と、BAAチップ用ステージ装置47よりなる。
【0037】(1)プローブ装置46(図2,3参照) プローブ装置46は、図2,図3に示すように、略リン
グ形状の多層基板よりなる基盤80と、基盤80上のリ
ング形状の樹脂製のプローブ支持リング81と、プロー
ブ支持リング81により支持され、円錐面状に並んで放
射状に配された多数のプローブ82とを有する。
【0038】各プローブ82は、基部側を基盤80上の
パッド83に半田付け固定してある。各プローブ82
は、先端に、針部82aを有する。
【0039】プローブ82の先端の針部分82aは、B
AAチップのパッドの配置に対応した配置で配されてい
る。
【0040】各パッド83は、基盤80の内部の配線パ
ターン84を介して基盤80の外周部側のパッド85と
接続してある。パッド85から電線86が引き出されて
いる。
【0041】プローブ装置46は、鏡筒31より内方に
延出して形成してある円筒形状の壁部87,88によっ
て、基盤80の外周寄りの部分89を、真空シール部材
90,91を介して挟み込まれており真空シールされて
いる。
【0042】鏡筒31の外部に引き出されている電線8
6は、信号発生器52に接続されている。
【0043】また、プローブ装置46は、BAAチップ
が正常に装着されたことを確認するための、一対のプロ
ーブ92,93を有する。このプローブ92,93は、
先端の針部92a,93aがBAAチップ48のコーナ
の部分に対向するように配してある。
【0044】プローブ92,93は、図1に示すよう
に、BAAチップ装着検出回路94と電気的に接続され
ている。
【0045】このプローブ装置46は、鏡筒31の内部
において、BAAチップ48のビーム・オン/オフ信号
発生器52に対する電気的接続、及び電気的接続の解除
を可能とするために設けてある。
【0046】(2)BAAチップ用ステージ装置47
(図4乃至図7参照) 図4乃至図7に示すように、BAAチップ用ステージ装
置47は、鏡筒31に固定してある基台100と、基台
100上の四角枠状のフレーム101と、フレーム10
1にX方向に延在して設けてある二本のカイドロッド1
02a,102bと、ガイドロッド102a,102b
に支持されてX1 ,X2 方向に移動可能なXステージ1
03と、Xステージ103を位置P1 ,P2 の間で
1 ,X2 方向に移動させるXステージ移動機構104
と、Xステージ103の4カ所に組込まれてある軸受部
材105と、軸受部材105を挿通しており、Z1 ,Z
2 方向に変位可能である4本の軸106と、軸104の
下端に固定してあり、下面にホルダが嵌合されて支持さ
れる浅い凹状のホルダ支持部107を有する矩形板状の
Zステージ108と、軸104をZ1 方向に付勢するば
ね109と、Zステージ108を、図5に示す下動した
位置Q1 と、この位置より若干上動した位置Q2との間
で昇降させるZステージ昇降機構110とを有する。
【0047】Xステージ移動機構104は、図4に示す
ように、Xステージ103上のラック111と、フレー
ム110に支持されており、ラック111に歯合してい
るピニオン112と、ピニオン112を回転させるモー
タ(図示せず)とを有する。Zステージ昇降機構110
は、Xステージ103の上方に横架してある回転軸11
3a,113bと、回転軸113a,113bの一部に
形成してあり、上記4つの軸106の夫々の頂部に対向
している偏心カム114a〜114dと、上記軸113
a,113bを回動させるモータ(図示せず)とを有す
る。
【0048】115はBAAチップ用ホルダであり、長
方形の板状を有し、浅い凹状のBAAチップ支持部11
5aを有し、且つ一端側に係止部115bを有する。
【0049】ホルダ115は、ホルダ支持部107に対
して、X1 ,X2 方向に挿抜可能である。
【0050】上記構造のステージ装置47は、BAAチ
ップ用ホルダ115を鏡筒31の中心の位置S1 と、サ
ブチャンバ32の近くの位置S2 との間を移動させるた
めに設けてある。
【0051】(3)挿抜治具 図4中、120は挿抜用治具であり、棒121の先端に
係止腕部122を有する形状を有する。
【0052】この治具120は、操作者によって操作さ
れ、位置P2 まで運ばれてきたホルダ115を室32内
に引き込むため、及び室32のホルダ115を、Zステ
ージ108に装着するために設けてある。
【0053】(4)サブチャンバ 図1中のサブチャンバ32及びロッドロック扉60,6
1は、鏡筒31内を大気に開放させずに、BAAチップ
用ホルダ115を、鏡筒31に対して出し入れするため
に設けてある。
【0054】(5)BAAチップ 図8に示すように、BAAチップ48は、シリコン製の
矩形形状の基板130上に、0.1μm角の多数のピク
セル(矩形開口)131を有し、ピクセル131に関連
して、アクティブ電極132及びグランド電極133を
有する。
【0055】基板130の各辺130a〜130dに沿
って、多数のパッド134が並んでいる。
【0056】電極132,133とパッド134とが配
線パターン136を介して接続してある。
【0057】パッド134は、第1の行135-1,第2
の行135-2、第3の行135-3、第4の行135-4
よりなる4行を有し、隣り合う行を構成するパッドがず
れており、2段千鳥配列となっている。
【0058】各パッド134は、基板130の辺に沿う
方向の寸法aが0.2mm、基板130の中心に向かう
方向の寸法bが0.3mmの長方形状を有する。b>a
としたのは、プローブ装置46との接続の際に、針先が
寸法bの方向に移動するからである。
【0059】基板130の4つのコーナ130e〜13
0hのうち、3つのコーナ130e,130f,130
gの部分に、BAAチップ装着確認用パッド137-1
137-2,137-3が形成してある。
【0060】各パッドパターン137-1(137-2,1
37-3)は、0.2mm角の二つのパッド部138,1
39と、この二つのパッド部138,139をつなぐつ
なぎ部140とを有する。
【0061】残りの一のコーナ130hの部分には、被
把持部141であり、パッドは形成されていない。
【0062】(6)BAAチップの交換 BAAチップ48は、図2,図3に示すように、パッド
134がプローブ82の針部82aに接触した状態にあ
る。
【0063】このBAAチップ48は、以下の手順、操
作によって交換される。
【0064】 ステージ装置47の昇降機構110を
動作させる。
【0065】これにより、Zステージ108がQ1 から
約2mm上動してQ2 に到る(図5参照)。
【0066】BAAチップ48はZステージ180と一
体に上動し、各パッド134がプローブ82の針先82
aから離れる。
【0067】これにより、BAAチップ48は、プロー
ブ装置46に対する機械的接触が解除されると共に、信
号発生器52に対する電気的接続が解除される。
【0068】 続いて、同じくステージ装置47のX
ステージ移動機構104を動作させる。
【0069】これにより、Xステージ103が位置P1
からX1 方向に位置P2 まで移動される。
【0070】ホルダ115はXステージ103と一体的
に移動され、ロードロック扉60の近くに到る。
【0071】BAAチップ48は、鏡筒31の外部への
取り出しを可能とする位置S1 (図5参照)に到る。
【0072】 真空状態とされているサブチャンバ6
2のロッドロック扉60を開き、サブチャンバ32より
挿抜治具120を突き出し、回して、係止腕部122を
ホルダ115の係止部115bに係止させ、治具120
をX1 方向に引く。
【0073】これにより、ホルダ115が、Zステージ
108から引き抜かれて、鏡筒31の内部から引き出さ
れて、図1中、二点鎖線で示すようにサブチャンバ32
内に収容される。
【0074】 ロッドロック扉60を閉じ、ロッドロ
ック扉61を開いて、ホルダ115を、サブチャンバ3
2より取り出す。これにより、BAAチップ48が電子
ビーム露光装置30より取り出される。なお、BAAチ
ップ48は、被把持部139を把持することによって、
パッド等を傷付けずに、持ち運ばれる。
【0075】 別のBAAチップ48Aが取り付けて
あるホルダ115を、サブチャンバ32内に入れ、ロッ
ドロック扉61を閉じ、ポンプ62を動作させて、サブ
チャンバ32内を真空状態とする。
【0076】 ロッドロック扉60を開き、治具12
0を操作して、ホルダ115を、鏡筒31内に送り出
し、ホルダ支持部107に挿入し、Zステージ108に
取り付ける。
【0077】 治具120をサブチャンバ32内に引
き込み、ロッドロック扉60を閉じる。
【0078】 次に、ステージ装置47のXステージ
移動機構104を動作させる。
【0079】これにより、Xステージ103が、位置P
2 からX2 方向にP1 まで移動される。ホルダ15は、
Xステージ103と一体的に移動される。
【0080】 最後に、昇降機構110が動作され
る。
【0081】これにより、Zステージ108が、位置Q
2 からX2 方向に約2mm下動して、Q1 に到る。
【0082】ホルダ115はZステージ108と一体的
に移動する。
【0083】BAAチップ48Aは、ホルダ115と一
体的に下動し、所定の装着位置S2(図5参照)に到
り、4行で2段千鳥配列のパッド134が対応するプロ
ーブ82の針部82aに押し当たって、パッド134と
プローブ82とが電気的に接続された状態となる。
【0084】これにより、BAAチップ48Aの全部の
ピクセル131の電極が、ビーム・オン/オフ信号発生
器52と電気的に接続される。
【0085】BAAチップ48Aが所定の位置に正しく
装着された場合には、三つのコーナ130e〜130g
において、図3に示すように、パッド部138がプロー
ブ92の針部92aに接触し、パッド部139がプロー
ブ93の針部93aに接触し、プローブ92,93が、
つなぎ部140を介して電気的に導通する。
【0086】図1中のBAAチップ装着検出回路94
は、三個所の全部において、プローブ92と93とが電
気的に導通した場合に、そのことを検出する。
【0087】従って、回路94が検出動作をすると、B
AAチップ48Aが位置及び回動方向についてずれがな
く正しく装着されたことになり、BAAチップの交換が
完了する。
【0088】なお、回路94が検出動作をしない場合に
は、例えば、BAAチップが正しく装着されていないこ
とが表示され、BAAチップ装着動作を再度行う。
【0089】〔第2の発明の実施例〕図9は第2の発明
の第1実施例になる任意形状開口型ブランキングアパー
チャアレイ(BAA)チッブ150を示す。
【0090】図中、図8に示す構成部分と対応する部分
には、同一符号を付し、その説明は省略する。
【0091】チップ150は、図8中のピクセル131
に代えて、略C字状の一のパターンの開口151を有す
る。
【0092】電極152,153は、オン信号が加えら
れているときは、開口151のうち、電極152,15
3に対向する部分についても、電子ビームを偏向させな
いで通過させ、オフ信号が加えられると、電極152及
び153に対向する部分を通過する電子ビームをラウン
ドアパーチャによって遮断されるように偏向させる。従
って、このチップ150によれば、電極152,153
への信号の状況によって、図10(A)乃至(D)に示
すように、ウェハのレジスト層上に、4つの露光パター
ン155-1,155-2,155-3,155-4を選択的に
形成できる。従って、図9の任意開口BAAチップ15
0は、ブロック露光のチップに比べて、次の特長を有す
る。
【0093】 一の任意開口から複数のパターンを得
ることができるため、形成されている任意開口151の
数の数倍の種類のパターンを露光できる。
【0094】 電極152,153への信号の切り換
えに要する時間は数nsecであり、ブロック露光の場
合のように電子ビームを偏向させて別の開口を選択する
のに要する数msecに比べて相当に短い。従って、ウ
ェハにパターンを形成する作業のスループットが高い。
【0095】 BAAチップに比べてみると、これに
比べてより細いパターンを精度良く且つ効率良く形成出
来る。
【0096】図11は、第2の発明の第2の実施例にな
る任意形状開口型ブランキングアパーチャ(BAA)チ
ップ160を示す。
【0097】開口161の形状はジグザグ状であり、両
端側に開口161に臨んで電源162,163を有す
る。
【0098】ここで、電極151,152,162,1
63へのビーム・オン/オフ信号によって電子ビームが
偏向される方向についてみる。
【0099】図9のチップ150と、図11のBAAチ
ップ160とでは、ウェハ上に露光されるパターンの形
状が異なる他に、電極152,153,162,163
へ加えられるビーム・オン/オフ信号によって電子ビー
ムが偏向される方向が異なる。
【0100】図12に示すように、図9のBAAチップ
150においては、電子ビームが矢印171方向に偏向
される。
【0101】このように、BAAチップ毎に、電子ビー
ムの偏向の方向が異なっているのが一般的である。
【0102】またBAAチップは、ウェハの一のレジス
ト層に形成するパターン毎に、別々に用意してあるのが
一般的であり、ウェハの一のレジスト層の全面にパター
ンを形成した後、ウェハを鏡筒から取り出し、エッチン
グ等を行っている間に、次のレジスト層に形成するパタ
ーンに対応した別のBAAチップと交換される。
【0103】また、同じチップ内に、領域を分けて、任
意開口151(161)と、ピクセル群とを、併せて有
する構成としてもよい。
【0104】〔第3の発明の実施例〕第3の発明は、上
記第2の発明になる任意形状開口型BAチップを使用し
てなる電子ビーム露光装置に係るものである。
【0105】図13は、本発明の一実施例になる電子ビ
ーム露光装置180を示す。
【0106】この電子ビーム露光装置180は、一部を
除いて、図1の電子ビーム露光装置30と同じ構成であ
り、図13中、図1に示す構成部分と対応する部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。
【0107】上記のビーム・オン/オフ信号による電子
ビームの偏向方向が、BAAチップ毎に異なることに伴
って、ブランキング電極装置181は、図14に示す構
造としてある。
【0108】ブランキング電極装置181は、略直交す
る位置関係で配された第1,第2の電極182,183
と、これらに対向する第3の電極184とを有する。
【0109】第1,第2の電極182,183は、ブラ
ンキング制御信号発生回路54と電気的に接続してあ
る。
【0110】第3の電極184は、接地してある。
【0111】上記構造のブランキング電圧装置181に
よれば、第1,第2の電極182、183への電圧の印
加の仕方によって、電子ビームを偏向させる方向を自由
に変えることが可能となる。
【0112】図13中、185は入力装置であり、例え
ば、ブランキング電極装置181による電子ビームを偏
向させる方向を指定する。
【0113】次に、上記構成の電子ビーム露光装置18
0の動作について説明する。
【0114】例えば、最初に図9のBAAチップ150
を使用して、第1層を露光し、次に図11のBAAチッ
プ160を使用して第2層を露光する場合を、例にとっ
て説明する。
【0115】 図9のBAAチップ150を図15に
示すように装着する。
【0116】 入力装置185を操作して、偏向方向
が、図12中、矢印170で示す方向である旨を入力す
る。
【0117】 走査信号発生器53より、図16
(A)に示す階段状の信号aがサブデフレクタ43に出
力される。
【0118】ブランキング制御信号発生回路54より
は、図16(B)に示すブランキング信号bが出力さ
れ、図14の電極182,183に加えられ、電子ビー
ムは、図12中、矢印180で示すように矢印170と
同じ方向に偏向される。これにより、電子ビームはラウ
ンドアパーチャ45の中央の孔45aより更に離れる方
向に振られ、電子ビームの漏れは効果的に防止される。
【0119】ビーム・オン/オフ信号発生器52から、
ビーム・オン/オフ信号が出力され、電極152に対し
て、図16(C)に示すオン信号cが加えられ、電極1
53に対して、図16(D)に示すオン信号dが加えら
れる。
【0120】これにより、→→→→と、ブロ
ック露光と同様に露光が行われ、図17(A)に示すパ
ターン190が形成される。同図中、破線はつなぎ部分
である。
【0121】 ウェハの第1層全体に露光を終了する
と、ウェハを取り出して現像処理工程に送ると共に、B
AAチップ150を取り外し、図11のBAチップ17
0を装着する。このBAチップの交換は、図1の装置の
場合と同様に行う。
【0122】 入力装置185を操作して、偏向方向
が、図12中、矢印171が示す方向に変更された旨を
入力する。
【0123】 走査信号発生器53、ブランキング制
御信号発生回路54、ビーム・オン/オフ信号を発生器
52を上記と略同じく動作させる。
【0124】電子ビームは、ブランキング電極装置18
1によって、図12中、矢印187で示すように、矢印
171と同じ方向に振られ、電子ビームの漏れは効果的
に防止される。
【0125】これにより、レジスト層には、図17
(B)に示すようパターン191が形成される。
【0126】上記の動作が繰り返される。
【0127】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、パッドを針先に押し付けたり、パッドを針先か
ら離したりするだけでよいため、チップの制御装置との
電気的接続及びその解除を、鏡筒の内部において円滑に
且つ安定に行うことが出来る。従って、更に移動手段を
有することによって、ブランキングアパーチャアレイチ
ップの交換を行うことが出来る。
【0128】この結果、従来に比べて、保守性及び操作
性が優れた電子ビーム露光装置を実現出来る。
【0129】請求項2の発明によれば、二つのプローブ
が電気的に接続されたことを確認することによって、チ
ップが外部からみることのできない鏡筒内の所定の位置
に正常に装着されたことを確認することが出来る。
【0130】請求項3の発明によれば、一の開口から複
数種類のパターンを露光できるため、従来のクロック露
光用チップに比べて、一のチップに基づいて、数倍多く
の形状のパターンを作り出すことが出来る。しかも、従
来のブロック露光用チップにいてはパターンの切り換え
を電子ビームを偏向させて数msecかけて行っている
のに対して、パターンの切り換えは電極への信号の加え
方を変えるだけでよいため、msecに比べて相当に短
いnsecのオーダで行うことが出来、パターンの形成
する作業のスループットを向上させることが出来る。
【0131】請求項4の発明によれば、従来のブロック
露光方式に比べて、ウェハに対する露光を短時間で行う
ことが出来、またピクセル群のBAA露光方式に比べて
より精密なパターンを露光することが出来る露光装置を
実現できる。
【0132】請求項5の発明によれば、装着されたチッ
プの種類に、関係なく、任意開口を通過した電子ビーム
を確実に遮蔽出来、電子ビームの漏れを確実に防止する
ことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の発明の一実施例になるブランキングアパ
ーチャアレイ方式の電子ビーム露光装置の全体構成図で
ある。
【図2】図1中のプローブ装置を示す図である。
【図3】図2中のプローブ装置の一ブランキングを拡大
して示す斜視図である。
【図4】BAAチップ用ステージ装置の平面図である。
【図5】図4のBAAチップ用ステージ装置の正面図で
ある。
【図6】図4中、VI-VI 線に沿うBAAチップ用ステー
ジ装置の拡大縦断面図である。
【図7】図4のBAAチップ用ステージ装置の底面図で
ある。
【図8】BAAチップの平面図である。
【図9】第2の発明の第1実施例になる任意形状開口型
BAAチップを示す図である。
【図10】図9のチップの一の任意形状開口から得られ
るパターン形状を示す図である。
【図11】第2の発明の第2実施例になる任意形状開口
型BAAチップを示す図である。
【図12】ビーム・オン/オフ信号による電子ビームの
偏向の方向を説明する図である。
【図13】第3の発明の一実施例になるブランキングア
パーチャアレイ方式の電子ビーム露光装置の全体構成図
である。
【図14】図13中、ブランキング電極装置を示す図で
ある。
【図15】図13中、BAAチップのプローブ装置への
電気的接続状態を示す図である。
【図16】図13の装置の動作を説明する図である。
【図17】露光されたパターンを示す図である。
【図18】従来の1例のブランキングアパーチャアレイ
方式電子ビーム露光装置のブランキングアパーチャアレ
イチップの部分を示す図である。
【符号の説明】
30 ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露
光装置 31 鏡筒 32 サブチャンバ 33 制御装置 34 電子銃 35 ウェハ用ステージ 36〜41 収束用レンズ 42 メインデフレクタ 43 サブデフレクタ 44 ブランキング電極装置 45 ラウンドアパーチャ 46 プローブ装置 47 BAAチップ用ステージ装置 48 BAAチップ 50 CPU 51 メモリ 52 ビーム・オン/オフ信号発生器 53 走査信号発生器 54 ブランキング制御信号発生器 55 入力装置 60,61 ロッドロック扉 62 真空ポンプ 70 ウェハ 71 電子ビーム 72 オフ・ビーム 73 オン・ビーム 80 基板 81 プローブ支持リング 82 プローブ 82a 針部 83 パッド 84 配線パターン 86 電線 87,88 壁部 89 部分 90,91 真空シール部材 92,93 プローブ 92a,92b 針部 94 BAAチップ装着検出回路 100 基台 101 フレーム 102a,102b ガイドロッド 103 Xステージ 104 Xステージ移動機構 105 軸受部材 106 軸 107 ホルダ支持部 108 Zステージ 109 ばね 110 昇降機構 111 ラック 112 ピニオン 113a,113b 回転軸 114 BAAチップ用ホルダ 115a BAA用チップ支持部 115b 係止部 120 挿抜治具 121 棒 122 係止部 130 基板 130a〜130d 辺 130e〜130h コーナ 131 ピクセル 132 アクティブ電極 133 グランド電極 134 パッド 135-1 第1の行 135-2 第2の行 135-3 第3の行 135-4 第4の行 136 配線パターン 137-1〜137-3 BAAチップ装着確認パッドパタ
ーン 140 つなぎ部 141 被把持部 150,160 BAAチップ 151 略C字状の開口 152,153,162,163 電極 155-1〜155-4 露光パターン 161 ジグザグ形状開口 170,171 偏向の方向を示す矢印 180 電子ビーム露光装置 181 ブランキング電極装置 182 第1の電極 183 第2の電極 184 第3の電極 185 入力装置 190,191 パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 繁 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 安田 洋 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−54855(JP,A) 特開 昭52−92666(JP,A) 特開 平2−37655(JP,A) 特開 昭63−314832(JP,A) 特開 平2−125608(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のピクセル及び電極を有するブラン
    キングアパーチャアレイチップを、鏡筒の外部の制御装
    置と電気的に接続された状態で、該鏡筒の内部に取り付
    けて使用する電子ビーム露光装置において、 上記ブランキングアパーチャアレイチップを、パッド
    134)を周囲に沿って配した構成とすると共に、 上記鏡筒の内部に、 上記制御装置と電気的に接続された、多数のプローブ
    (82)が多数放射状に配されたプローブ手段(46)
    と、 上記ブランキングアパーチャアレイチップを、上記パッ
    ドが上記プローブの先端の針先に押し当たる装着位置
    S2 )と、鏡筒の外部へ取り出しを可能とする位置
    (S1 )との間で移動させる移動手段(47)とを有す
    る構成としたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
  2. 【請求項2】 二つのプローブを備えた、ブランキング
    アパーチャアレイ装着検出手段(92,93,94)を
    更に有し、 上記ブランキングアパーチャアレイは、コーナ部分に、
    上記二つのプローブの針部に対応する位置関係で配され
    た二つのパッド部(138,139)と、この二つのパ
    ッド部をつなぐつなぎ部(140)とを有する装着確認
    用パッドパターン(137-1〜137-3)を有する構成
    としたことを特徴とする請求項1記載の電子ビーム露光
    装置。
  3. 【請求項3】 基板(130)と、 該基板に形成してある任意形状の開口(151,16
    1)と、 該基板に、上記開口の一部に臨んで形成してある電極
    (152,153,162,163)と、 該電極と電気的に接続されており、上記基板の周囲に沿
    って並んだ多数のパッド(134)とよりなる構成とし
    たことを特徴とするブランキングアパーチャアレイチッ
    プ。
  4. 【請求項4】 基板(130)と、 該基板に形成してある任意形状の開口(151,16
    1)と、 該基板に、上記開口の一部に臨んで形成してある電極
    (152,162)と、 該電極と電気的に接続されており、上記基板の周囲に沿
    って並んだ多数のパッド(134)とよりなるブランキ
    ングアパーチャアレイチップ(150,160)を使用
    する電子ビーム装置であって、 鏡筒(31)と、 鏡筒の内部に設けてあり、多数のプローブ(82)が放
    射状に配されたプローブ手段(46)と、 該プローブと電気的に接続されており、鏡筒の外部に設
    けられた制御手段(33)と、 該鏡筒の内部に設けてあり、上記ブランキングアパーチ
    ャアレイチップを、上記パッドが上記プローブの先端の
    針先に押し当たる装着位置(S2 )と、鏡筒の外部へ取
    り出しを可能とする位置(S1 )との間で移動させる移
    動手段(47)と、 上記ブランキングアパーチャアレイチップの上記任意形
    状開口を通過した電子ビームをステップ的に偏向させる
    手段(43,53)とを有する構成としたことを特徴と
    する電子ビーム露光装置。
  5. 【請求項5】 装着されたブランキングアパーチャアレ
    イチップに対応して、 上記ブランキングアパーチャアレイチップの上記任意形
    状開口を通過した電子ビームを、遮蔽が確実である方向
    に偏向させるブランキング手段(44)を更に有する構
    成としたことを特徴とする請求項4記載の電子ビーム露
    光装置。
JP04446894A 1994-03-15 1994-03-15 電子ビーム露光装置 Expired - Fee Related JP3257742B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04446894A JP3257742B2 (ja) 1994-03-15 1994-03-15 電子ビーム露光装置
US08/404,830 US5528048A (en) 1994-03-15 1995-03-15 Charged particle beam exposure system and method
US08/610,190 US5614725A (en) 1994-03-15 1996-03-04 Charged particle beam exposure system and method
US08/745,632 US5977548A (en) 1994-03-15 1996-11-08 Charged particle beam exposure system and method
US09/022,881 US5920077A (en) 1994-03-15 1998-02-12 Charged particle beam exposure system
US09/283,974 US6118129A (en) 1994-03-15 1999-04-01 Method and system for exposing an exposure pattern on an object by a charged particle beam which is shaped into a plurality of beam elements
US09/588,644 US6486479B1 (en) 1994-03-15 2000-06-07 Charged particle beam exposure system and method
US10/238,759 US6646275B2 (en) 1994-03-15 2002-09-11 Charged particle beam exposure system and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04446894A JP3257742B2 (ja) 1994-03-15 1994-03-15 電子ビーム露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07254540A JPH07254540A (ja) 1995-10-03
JP3257742B2 true JP3257742B2 (ja) 2002-02-18

Family

ID=12692344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04446894A Expired - Fee Related JP3257742B2 (ja) 1994-03-15 1994-03-15 電子ビーム露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3257742B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6014200A (en) * 1998-02-24 2000-01-11 Nikon Corporation High throughput electron beam lithography system
JP2003142391A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 電子ビーム露光装置
JP4615816B2 (ja) * 2002-11-14 2011-01-19 キヤノン株式会社 電子レンズ、その電子レンズを用いた荷電粒子線露光装置、デバイス製造方法
JP4987554B2 (ja) * 2007-04-26 2012-07-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5679774B2 (ja) * 2010-11-09 2015-03-04 キヤノン株式会社 偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法
US9123507B2 (en) * 2012-03-20 2015-09-01 Mapper Lithography Ip B.V. Arrangement and method for transporting radicals
JP2016082106A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6593090B2 (ja) 2015-10-20 2019-10-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 支持ケース及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2017126674A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2024008279A (ja) * 2022-07-07 2024-01-19 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム照射装置、マルチ荷電粒子ビーム照射方法およびブランキングアパーチャアレイ実装基板の交換方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07254540A (ja) 1995-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3257742B2 (ja) 電子ビーム露光装置
US8610093B2 (en) Direct write lithography system
JP5086706B2 (ja) 平面ビュー・サンプル作製
US6797953B2 (en) Electron beam system using multiple electron beams
US7276707B2 (en) Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus
JP2811073B2 (ja) 断面加工観察装置
US6023060A (en) T-shaped electron-beam microcolumn as a general purpose scanning electron microscope
US20020160311A1 (en) Charged particle beam exposure apparatus, device manufacturing method, and charged particle beam applied apparatus
US20130164684A1 (en) Charged particle beam lithography apparatus and method, and article manufacturing method
JP4246401B2 (ja) 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
EP0772221B1 (en) Electron source for multibeam electron lithography sytem
JP4220209B2 (ja) 電子ビーム露光装置、偏向装置、及び電子ビーム露光方法
EP0221657B1 (en) Charged-particle-beam lithography
EP1455380B1 (en) Charged particle beam device with cleaning unit and method of operation thereof
JPH0316775B2 (ja)
US20060192141A1 (en) Method and devices for producing corpuscular radiation systems
JP4076834B2 (ja) 偏向器、偏向器の製造方法、及び荷電粒子線露光装置
JP2005136114A (ja) 電極基板およびその製造方法、ならびに該電極基板を用いた荷電ビーム露光装置
JP2000100917A (ja) 静電チャック装置
JP2010528446A (ja) Cntチップを用いる電子カラム及びcntチップを整列する方法
JP4071085B2 (ja) 偏向器、偏向器の製造方法、及び荷電粒子線露光装置
JPH0661126A (ja) 電子ビーム装置及びオリフィス形成方法
KR20240037199A (ko) 집속 이온 빔 장치
KR20200122993A (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치
JP2007019245A (ja) 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20011120

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071207

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081207

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081207

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081207

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091207

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees