JP7065027B2 - 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び/又は回避のための方法及びシステム - Google Patents
荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び/又は回避のための方法及びシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7065027B2 JP7065027B2 JP2018536266A JP2018536266A JP7065027B2 JP 7065027 B2 JP7065027 B2 JP 7065027B2 JP 2018536266 A JP2018536266 A JP 2018536266A JP 2018536266 A JP2018536266 A JP 2018536266A JP 7065027 B2 JP7065027 B2 JP 7065027B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- aperture
- charged
- vents
- cleaning agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B17/00—Methods preventing fouling
- B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/049—Focusing means
- H01J2237/0492—Lens systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
-荷電粒子のビームを発生させるための荷電粒子ビーム発生器と、
-真空チェンバ内に配置された荷電粒子鏡筒と、ここにおいて、該荷電粒子鏡筒は、ターゲット上に荷電粒子のビームを投影するように構成され、該荷電粒子鏡筒は、荷電粒子のビームに影響を与えるための荷電粒子光学素子を備える、
-クリーニング剤を提供するための供給源と、
-該供給源に接続され、及び荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するために構成された導管と、
を備え、
荷電粒子光学素子は、
-荷電粒子のビームを透過させる及び/又は荷電粒子のビームに影響を与えるための荷電粒子透過アパチャと、
-荷電粒子光学素子の第1のサイドと第2のサイドとの間に流路を提供するための通気孔と、
を備え、
通気孔は、荷電粒子透過アパチャの断面よりも大きい断面を有する。
-荷電粒子ビームの通過のための複数の荷電粒子透過アパチャ、及び荷電粒子の通過をブロックするための非アパチャエリアと、
-ビームストップ素子を通る流路を提供するための複数の通気孔と、
を備え、
該システムは、好ましくは、
-荷電粒子ビームを集束させるための複数の投影レンズアパチャを備える投影レンズをさらに備え、投影レンズは、ビームストップ素子の下流に配置され、投影レンズ及びビームストップ素子は、通気孔のうちの1つ又は複数を通り抜けるいずれの荷電粒子も、投影レンズの非アパチャエリアによってブロックされるように構成される。
-荷電粒子のビームから複数の荷電粒子ビームを形成するための複数のアパチャを備える第2のアパチャ素子と、第2のアパチャ素子は、荷電粒子ビーム発生器と荷電粒子光学素子との間に配置される、
-荷電粒子ビーム発生器と第2のアパチャ素子との間に設けられた制限素子と、制限素子は、荷電粒子ビーム発生器へのクリーニング剤又はその生成物質(product)の流れ又は通過を防止又は少なくとも低減するように構成される、
をさらに備える。
-ビーム発生器モジュールであって、荷電粒子ビーム発生器は該ビーム発生器モジュールに配置される、ビーム発生器モジュールと、
-変調モジュールであって、第2のアパチャ素子は該変調モジュールに配置される、変調モジュールと、
をさらに備え、
制限素子は、ビーム発生器モジュールに移動可能に接続され、重力及び/又はスプリング力を用いて変調モジュールに当接して配置される。ビーム発生器モジュール中へのクリーニング剤又は他のガス種の流路はそれにより、第2のアパチャ素子のアパチャを通るか又は荷電粒子鏡筒の外を介すかのどちらかをし、制限素子と、制限素子が置かれている変調モジュールの表面との間の制限された流路を通ることに限定される。モジュールは、システムのフレーム内に配置される取り外し可能モジュールとして設けられ得る。重力を用いて変調モジュールに置かれるか又は当接するように制限素子を配置することは、ビーム発生器中への流路を制限しながら、制限素子によって変調モジュールに対して及ぼされる力を制限する。
-第2のアパチャ素子の下流に配置された変調素子であって、該変調素子は、荷電粒子ビームの通過のための第2の複数のアパチャ及び第2の複数のアパチャに関連付けられた第2の複数の偏向器とを備え、偏向器は、荷電粒子ビームを選択的に偏向するか又は偏向しないように構成される、変調素子と、
-荷電粒子ビームの通過のための第3の複数のアパチャ及び荷電粒子ビームをブロックするためのブロックエリアを備えるビームストップ素子であって、該ビームストップ素子は変調素子の下流に配置される、ビームストップ素子と、
を備え、
変調素子及びビームストップ素子は、選択的に偏向された荷電粒子ビームを通過させるか又はブロックするように相まって機能するように構成され、
導管は、ビームストップ素子に向かって、及び好ましくは変調素子に向かっても、クリーニング剤を誘導するように配置される。ビームストップ素子の汚染はそれにより、防止されるか又は少なくとも除去されることができる。ビームストップ素子は、上で説明されたような荷電粒子光学素子を表す。荷電粒子ビームをブロックすることによって、これらはターゲットに向かって進み続けることを防止される。このビームストップ素子は、上で説明されたビームストップ素子であり得る。変調素子の各アパチャは、偏向器を設けられ得る。ブランカとも称される変調素子はそれにより、パターンデータに従って、1つ又は複数の個別の荷電粒子ビームを、他の個別のビームを偏向しない一方で、偏向することができる。
-荷電粒子光学素子に向かって誘導される、荷電粒子のビームをビーム発生器が発生させている間、及び/又は荷電粒子のビームを第2の荷電粒子ビーム供給源が発生させている間、荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するステップと、
-クリーニング剤を導入している間、真空チェンバにおいて真空を維持するステップと、
を備え、
真空を維持するステップは、通気孔を介して少なくとも荷電粒子光学素子を通り、真空チェンバに接続された真空ポンプへと向かう種の流れ又は動きを提供することを備える。
-荷電粒子ビーム発生器へのクリーニング剤又はその生成物質の流れが防止又は少なくとも低減されるように荷電粒子ビームシステムを構成するステップをさらに備える。
-ビーム発生器モジュールに荷電粒子ビーム発生器を、及び変調モジュールに荷電粒子光学素子を配置するステップと、
ビーム発生器モジュールに移動可能に接続された、並びに重力及び/又はスプリング力を用いて変調モジュールに当接する制限素子を設けるステップと、
をさらに備える。制限素子は、上で説明されたような制限素子であり得る。
荷電粒子光学素子は、荷電粒子のビームを透過させる及び/又は荷電粒子のビームに影響を与えるための荷電粒子透過アパチャ、並びに荷電粒子光学素子の第1のサイドから第2のサイドへの流路を提供するための少なくとも1つの通気孔を備え、
該方法は、
-荷電粒子のビームが荷電粒子光学素子のところに又はその近くに存在する間に、荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するステップと、
-真空チェンバにおいて真空を維持するステップと、
を備え、
真空を維持するステップは、荷電粒子光学素子の第1のサイドから第2のサイドへ、さらには真空チェンバに接続された真空ポンプへの、通気孔を通る流路を提供することを備える。
-荷電粒子のビームを発生させるための荷電粒子ビーム発生器と、
-真空チェンバ内に配置された荷電粒子鏡筒と、ここにおいて、荷電粒子鏡筒は、ターゲット上に荷電粒子のビームを投影するように構成され、荷電粒子鏡筒は、複数の荷電粒子透過アパチャを備える荷電粒子光学素子を備える、
-クリーニング剤を提供するための供給源と、
-荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するための、供給源に接続された導管と、
-荷電粒子のビームから複数の荷電粒子ビームを形成するための複数のアパチャを備える第2のアパチャ素子であって、該第2のアパチャ素子は荷電粒子ビーム発生器と荷電粒子光学素子との間に配置される、第2のアパチャ素子と、
-荷電粒子ビーム発生器と第2のアパチャ素子との間に設けられた制限素子であって、該制限素子は荷電粒子ビーム発生器へのクリーニング剤及び/又はその生成物質の流れ又は通過を防止又は少なくとも最小限にする、制限素子と、を備える。
-荷電粒子光学素子に向かって誘導される、荷電粒子のビームをビーム発生器が発生させている間、及び/又は荷電粒子のビームを第2の荷電粒子ビーム供給源が発生させている間、荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するステップと、
-クリーニング剤を導入している間、真空チェンバにおいて真空を維持するステップと、
を備え、
荷電粒子ビームシステムは、荷電粒子ビーム発生器へのクリーニング剤又はその生成物質の流れが防止又は少なくとも最小限にされるように配置される。
-荷電粒子のビームを発生させるための荷電粒子ビーム発生器と、
-真空チェンバ内に配置された荷電粒子鏡筒と、ここにおいて、荷電粒子鏡筒は、ターゲット上に荷電粒子のビームを投影するように構成され、荷電粒子鏡筒は、荷電粒子のビームに影響を与えるための荷電粒子光学素子を備える、
-クリーニング剤を提供するための供給源と、
-供給源に接続された、及び荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するために構成された導管と、
を備え、
荷電粒子光学素子は、荷電粒子のビームを透過させる及び/又は荷電粒子のビームに影響を与えるための荷電粒子透過アパチャ、並びに荷電粒子光学素子の第1のサイドと第2のサイドとの間の流路を提供するための少なくとも1つの通気孔を備え、通気孔は、荷電粒子のビームのための意図された軌道外に配置される。
では説明されているけれども、他の構成も可能であるため、これは、限定的と解釈されるべきではない。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
真空チェンバ内に配置された荷電粒子ビームシステムにおける荷電粒子透過アパチャの汚染を防止又は除去するための方法であって、前記荷電粒子ビームシステムは、ターゲット上に荷電粒子のビームを投影するための荷電粒子鏡筒を備え、前記荷電粒子鏡筒は、荷電粒子の前記ビームに影響を与えるための荷電粒子光学素子を備え、
前記荷電粒子光学素子は、荷電粒子の前記ビームを透過させる及び/又は荷電粒子の前記ビームに影響を与えるための前記荷電粒子透過アパチャ、並びに前記荷電粒子光学素子の第1のサイドから第2のサイドへの流路を提供する通気孔を備え、
前記方法は、
荷電粒子のビームが前記荷電粒子光学素子のところに又はその近くに存在する間に、前記荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するステップと、
前記真空チェンバにおいて真空を維持するステップであって、前記真空を維持するステップは、前記通気孔を介して少なくとも前記荷電粒子光学素子を通り、前記真空チェンバに接続された真空ポンプへと向かう種の流れ又は動きを可能にすることを備える、ステップと、
を備える、方法。
[C2]
前記荷電粒子光学素子は、荷電粒子の前記ビームをストップさせ又は少なくとも部分的にブロックしている、及び/又は前記荷電粒子透過アパチャは、電流制限アパチャの役割をしている、C1に記載の方法。
[C3]
荷電粒子ビームシステムであって、
荷電粒子のビームを発生させるための荷電粒子ビーム発生器と、
真空チェンバ内に配置された荷電粒子鏡筒であって、前記荷電粒子鏡筒はターゲット上に荷電粒子の前記ビームを投影するために構成され、前記荷電粒子鏡筒は荷電粒子の前記ビームに影響を与えるための荷電粒子光学素子を備える、荷電粒子鏡筒と、
クリーニング剤を提供するための供給源と、
前記供給源に接続された、及び前記荷電粒子光学素子に向かって前記クリーニング剤を導入するために構成された導管と、
を備え、
前記荷電粒子光学素子は、
荷電粒子の前記ビームを透過させる及び/又は荷電粒子の前記ビームに影響を与えるための荷電粒子透過アパチャと、
前記荷電粒子光学素子の第1のサイドと第2のサイドとの間に流路を提供するための通気孔と、
を備え、
前記通気孔は、前記荷電粒子透過アパチャの断面よりも大きい断面を有する、
システム。
[C4]
前記荷電粒子光学素子は、荷電粒子の前記ビームをストップさせ又は少なくとも部分的にブロックするために配置される、及び/又は前記荷電粒子透過アパチャは、電流制限アパチャの役割をする、C3に記載のシステム。
[C5]
前記荷電粒子光学素子は、複数の前記通気孔と、複数の前記荷電粒子透過アパチャとを備え、前記通気孔は、前記荷電粒子透過アパチャの隣に配置される、C3又は4に記載のシステム。
[C6]
前記通気孔は、前記通気孔の寸法に等しいかまたはそれよりも大きいピッチで配置され、前記ピッチは、特に、前記通気孔の前記寸法の1~3倍の範囲にある、C3~5のうちのいずれか一項に記載のシステム。
[C7]
前記通気孔を通り抜ける荷電粒子が前記ターゲットに到達することを防止されるように構成される、C3~6のうちのいずれか一項に記載のシステム。
[C8]
前記荷電粒子光学素子は、ビームストップ素子を備え、前記ビームストップ素子は、
荷電粒子ビームの通過のための複数の前記荷電粒子透過アパチャ、及び荷電粒子の通過をブロックするための非アパチャエリアと、
前記ビームストップ素子を通る流路を提供するための複数の通気孔と、
を備える、C3~7のうちのいずれか一項に記載のシステム。
[C9]
前記システムは、
前記荷電粒子ビームを集束させるための複数の投影レンズアパチャを備える投影レンズをさらに備え、前記投影レンズは、前記ビームストップ素子の下流に配置され、前記投影レンズ及び前記ビームストップ素子は、前記通気孔のうちの1つ又は複数を通るいずれの荷電粒子も、前記投影レンズの非アパチャエリアによってブロックされるように構成される、C8に記載のシステム。
[C10]
前記通気孔は、前記投影レンズアパチャの断面の半分から、前記投影レンズアパチャの前記断面の2倍までの範囲にある断面を有する、C9に記載のシステム。
[C11]
前記投影レンズは、前記投影レンズアパチャのグループの周囲に配置された複数のダミーアパチャをさらに備え、前記通気孔は、前記通気孔を通り抜けるいずれの荷電粒子も、前記ダミーアパチャの横方向外側に位置するエリアによってブロックされるように配置されている、C9又は10に記載のシステム。
[C12]
荷電粒子の前記ビームから複数の荷電粒子ビームを形成するための複数のアパチャを備える第2のアパチャ素子であって、前記第2のアパチャ素子は前記荷電粒子ビーム発生器と前記荷電粒子光学素子との間に配置される、第2のアパチャ素子と、
前記荷電粒子ビーム発生器と前記第2のアパチャ素子との間に設けられた制限素子であって、前記制限素子は前記荷電粒子ビーム発生器への前記クリーニング剤及び/又はその生成物質の流れを防止又は少なくとも低減するために配置される、制限素子と
をさらに備える、C3~11のうちのいずれか一項に記載のシステム。
[C13]
ビーム発生器モジュールであって、前記荷電粒子ビーム発生器は前記ビーム発生器モジュールに配置される、ビーム発生器モジュールと、
変調モジュールであって、前記第2のアパチャ素子は前記変調モジュールに配置され、前記制限素子は、前記ビーム発生器モジュールに移動可能に接続され、重力及び/又はスプリング力を用いて前記変調モジュールに当接するように配置される、変調モジュールと、
をさらに備える、C12に記載のシステム。
[C14]
前記制限素子は、前記ビーム発生器モジュールの第1の壁に接続され、前記制限素子は、荷電粒子の前記ビームの通過のための、前記第1の壁における開口部の外周を少なくとも部分的に囲み、前記制限素子は、少なくとも部分的にリング形状の素子、特にセラミックリングを備え、前記少なくとも部分的にリング形状の素子は、前記変調モジュールに向かう方向に、又は前記変調モジュールから離れる方向に前記第1の壁に対して移動可能に配置される、C13に記載のシステム。
[C15]
前記第1の壁に対する前記制限素子の移動を封じ込めるための封じ込め素子をさらに備え、前記制限素子は、1つ又は複数の突出部を設けられ、前記封じ込め素子は、前記制限素子の動きを封じ込めるために、前記突出部と共働するように構成される、C14に記載のシステム。
[C16]
前記第2のアパチャ素子の下流に配置された変調素子であって、前記変調素子は、前記荷電粒子ビームの通過のための第2の複数のアパチャと前記第2の複数のアパチャに関連付けられた偏向器とを備え、前記偏向器は、前記荷電粒子ビームを選択的に偏向するか又は偏向しないように構成される、変調素子をさらに備え、
前記荷電粒子光学素子は、荷電粒子ビームの通過のための第3の複数のアパチャと荷電粒子ビームをブロックするためのブロックエリアとを備えるビームストップ素子を備え、前記ビームストップ素子は、前記変調素子の下流に配置され、
前記変調素子及び前記ビームストップ素子は、前記選択的に偏向された荷電粒子ビームを通過させるか又はブロックするように相まって機能するように構成され、
前記導管は、前記ビームストップ素子に向かって前記クリーニング剤を誘導するように構成される、
をさらに備える、C12~15のうちのいずれか一項に記載のシステム。
[C17]
先行するC3~16のうちのいずれか一項に記載の前記荷電粒子ビームシステムにおける荷電粒子透過アパチャの汚染を防止又は除去するための方法であって、前記方法は、
荷電粒子の前記ビームを前記ビーム発生器が発生させている間、及び/又は前記荷電粒子光学素子に向かって誘導される荷電粒子のビームを第2の荷電粒子ビーム供給源が発生させている間、前記荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するステップと、
前記クリーニング剤を導入している間、前記真空チェンバにおいて真空を維持するステップと、
を備え、
前記真空を維持するステップは、前記通気孔を介して少なくとも前記荷電粒子光学素子を通り、前記真空チェンバに接続された真空ポンプへと向かう種の流れ又は動きを提供することを備える、
方法。
[C18]
前記少なくとも1つの通気孔を通り抜けるいずれの荷電粒子も前記ターゲットに到達しないようにするステップを備える、C17に記載の方法。
[C19]
前記通気孔を通り抜ける前記荷電粒子は、前記荷電粒子光学素子の下流に配置されたさらなるアパチャ素子に含まれる非アパチャエリアによりこれらの荷電粒子をブロックすることによって、前記ターゲットに到達することを防止され、前記さらなるアパチャ素子は、前記荷電粒子透過アパチャを既に通り抜けた荷電粒子ビームの通過のための1つ又は複数のアパチャを備える、C17又は18に記載の方法。
[C20]
ビーム発生器モジュールに前記荷電粒子ビーム発生器を、及び変調モジュールに前記荷電粒子光学素子を配置するステップと、
前記ビーム発生器モジュールに移動可能に接続された、並びに重力及び/又はスプリング力を用いて前記変調モジュールに当接する制限素子を設けるステップと、
をさらに備える、C17~19のうちのいずれか一項に記載の方法。
[C21]
前記荷電粒子が1~10kEV、特に5keVよりも低い又は5keV周辺、の範囲のエネルギーを有する前記荷電粒子鏡筒の領域において前記クリーニング剤を導入することを備える、C17~20のうちのいずれか一項に記載の方法。
[C22]
1つ又は複数の荷電粒子ビームは、前記荷電粒子光学素子に向かって前記クリーニング剤を誘導している間、前記荷電粒子光学素子のところに又はその近くに存在する、C17~21のうちのいずれか一項に記載の方法。
[C23]
荷電粒子のビームを発生させるための荷電粒子ビーム発生器と、
真空チェンバ内に配置された荷電粒子鏡筒であって、前記荷電粒子鏡筒はターゲット上に荷電粒子の前記ビームを投影するように構成され、前記荷電粒子鏡筒は複数の荷電粒子透過アパチャを備える荷電粒子光学素子を備える、荷電粒子鏡筒と、
クリーニング剤を提供するための供給源と、
前記荷電粒子光学素子に向かって前記クリーニング剤を導入するための、前記供給源に接続された導管と、
荷電粒子の前記ビームから複数の荷電粒子ビームを形成するための複数のアパチャを備える第2のアパチャ素子であって、前記第2のアパチャ素子は前記荷電粒子ビーム発生器と前記荷電粒子光学素子との間に配置される、第2のアパチャ素子と、
前記荷電粒子ビーム発生器と前記第2のアパチャ素子との間に設けられた制限素子であって、前記制限素子は、前記荷電粒子ビーム発生器への前記クリーニング剤及び/又はその生成物質の流れ又は通過を防止又は少なくとも最小限にする、制限素子と、
を備える、荷電粒子ビームシステム。
[C24]
ビーム発生器モジュールであって、前記荷電粒子ビーム発生器は前記ビーム発生器モジュールに配置される、ビーム発生器モジュールと、
変調モジュールであって、前記第2のアパチャ素子は前記変調モジュールに配置される、変調モジュールと、
をさらに備え、
前記制限素子は、前記ビーム発生器モジュールに移動可能に接続され、重力及び/又はスプリング力を用いて前記変調モジュールに当接するように配置される、
C23に記載のシステム。
[C25]
前記制限素子は、前記ビーム発生器モジュールの第1の壁に接続され、前記制限素子は、荷電粒子の前記ビームの通過のための前記第1の壁における開口部の外周を少なくとも部分的に囲み、前記制限素子は、少なくとも部分的にリング形状の素子を備え、前記少なくとも部分的にリング形状の素子は、前記変調モジュールに向かう方向に、又は前記変調モジュールから離れる方向に前記第1の壁に対して移動可能に配置される、C24に記載のシステム。
Claims (12)
- 荷電粒子ビームシステムであって、
荷電粒子のビームを発生させるための荷電粒子ビーム発生器と、
真空チェンバ内に配置された荷電粒子鏡筒であって、前記荷電粒子鏡筒はターゲット上に荷電粒子の前記ビームを投影するために構成され、前記荷電粒子鏡筒は荷電粒子の前記ビームに影響を与えるための荷電粒子光学素子を備える、荷電粒子鏡筒と、
前記荷電粒子の前記ビームを前記荷電粒子ビーム発生器が発生させている間、クリーニング剤を提供するように構成されたクリーニング剤供給源と、
前記クリーニング剤供給源に接続された、及び前記荷電粒子光学素子に向かって前記クリーニング剤を導入するために構成された導管と、
前記荷電粒子の前記ビームから複数の荷電粒子ビームを形成するための複数のアパチャを備える第2のアパチャ要素であって、前記第2のアパチャ要素は前記荷電粒子ビーム発生器と前記荷電粒子光学素子との間に配置される、第2のアパチャ要素と、
前記荷電粒子ビーム発生器と前記第2のアパチャ要素との間に設けられた制限要素であって、前記制限要素は前記荷電粒子鏡筒の外側から前記荷電粒子ビーム発生器への前記クリーニング剤及び/又はその生成物質の流れを防止又は少なくとも低減するために配置される、制限要素と、
ビーム発生器モジュールであって、前記荷電粒子ビーム発生器は前記ビーム発生器モジ ュールに配置される、ビーム発生器モジュールと、を備え、
前記制限要素は、前記ビーム発生器モジュールに移動可能に接続され、
前記荷電粒子光学素子は、
荷電粒子の前記ビームを透過させる及び/又は荷電粒子の前記ビームに影響を与えるための荷電粒子透過アパチャと、
前記荷電粒子光学素子の第1のサイドと第2のサイドとの間に流路を提供するための通気孔と、
を備え、
前記通気孔は、前記荷電粒子透過アパチャの断面よりも大きい断面を有する、
システム。 - 前記荷電粒子光学素子は、荷電粒子の前記ビームをストップさせ又は少なくとも部分的にブロックするために配置される、及び/又は前記荷電粒子透過アパチャは、電流制限アパチャの役割をする、請求項1に記載のシステム。
- 前記荷電粒子光学素子は、複数の前記通気孔と、複数の前記荷電粒子透過アパチャとを備え、前記通気孔は、前記荷電粒子透過アパチャの隣に配置される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記通気孔は、前記通気孔の寸法に等しいかまたはそれよりも大きいピッチで配置される、請求項1~3のうちのいずれか一項に記載のシステム。
- 前記荷電粒子光学素子は、ビームストップ要素を備え、前記ビームストップ要素は、
荷電粒子ビームの通過のための複数の前記荷電粒子透過アパチャ、及び荷電粒子の通過をブロックするための非アパチャエリアと、
前記ビームストップ要素を通る流路を提供するための複数の通気孔と、
を備える、請求項1~4のうちのいずれか一項に記載のシステム。 - 前記システムは、
前記荷電粒子ビームを集束させるための複数の投影レンズアパチャを備える投影レンズをさらに備え、前記投影レンズは、前記ビームストップ要素の下流に配置され、前記投影レンズ及び前記ビームストップ要素は、前記通気孔のうちの1つ又は複数を通るいずれの荷電粒子も、前記投影レンズの非アパチャエリアによってブロックされるように構成される、請求項5に記載のシステム。 - 前記投影レンズは、前記投影レンズアパチャのグループの周囲に配置された複数のダミーアパチャをさらに備え、前記通気孔は、前記通気孔を通り抜けるいずれの荷電粒子も、前記ダミーアパチャの横方向外側に位置するエリアによってブロックされるように配置されている、請求項6に記載のシステム。
- 前記荷電粒子ビームシステムは、荷電粒子マルチビームリソグラフィシステム、又は検査システムである、請求項1~7のうちのいずれか一項に記載のシステム。
- 先行する請求項1~8のうちのいずれか一項に記載の前記荷電粒子ビームシステムにおける荷電粒子透過アパチャの汚染を防止又は除去するための方法であって、前記方法は、
荷電粒子の前記ビームを前記ビーム発生器が発生させている間、前記荷電粒子光学素子に向かってクリーニング剤を導入するステップと、
前記クリーニング剤を導入している間、前記真空チェンバにおいて真空を維持するステップと、
を備え、
前記真空を維持するステップは、前記通気孔を介して少なくとも前記荷電粒子光学素子を通り、前記真空チェンバに接続された真空ポンプへと向かう物質の流れ又は動きを提供す
ることを備え、
前記方法は、前記少なくとも1つの通気孔を通り抜けるいずれの荷電粒子も前記ターゲットに到達しないようにするステップ、及び/又は前記少なくとも1つの通気孔の上流で荷電粒子をブロックするステップ、をさらに備える、方法。 - 前記通気孔を通り抜ける前記荷電粒子は、前記荷電粒子光学素子の下流に配置されたさらなるアパチャ要素に含まれる非アパチャエリアによりこれらの荷電粒子をブロックすることによって、前記ターゲットに到達することを防止され、前記さらなるアパチャ要素は、前記荷電粒子透過アパチャを既に通り抜けた荷電粒子ビームの通過のための1つ又は複数のアパチャを備える、請求項9に記載の方法。
- 前記荷電粒子が1~10kEVの範囲のエネルギーを有する前記荷電粒子鏡筒の領域において前記クリーニング剤を導入することを備える、請求項9~10のうちのいずれか一項に記載の方法。
- 1つ又は複数の荷電粒子ビームは、前記荷電粒子光学素子に向かって前記クリーニング剤を誘導している間、前記荷電粒子光学素子のところに又はその近くに存在する、請求項9~11のうちのいずれか一項に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021130717A JP7154355B2 (ja) | 2016-04-21 | 2021-08-10 | 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び/又は回避のための方法及びシステム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/135,138 US9981293B2 (en) | 2016-04-21 | 2016-04-21 | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
US15/135,138 | 2016-04-21 | ||
PCT/NL2017/050256 WO2017183980A2 (en) | 2016-04-21 | 2017-04-21 | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021130717A Division JP7154355B2 (ja) | 2016-04-21 | 2021-08-10 | 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び/又は回避のための方法及びシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019507951A JP2019507951A (ja) | 2019-03-22 |
JP7065027B2 true JP7065027B2 (ja) | 2022-05-11 |
Family
ID=59021557
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018536266A Active JP7065027B2 (ja) | 2016-04-21 | 2017-04-21 | 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び/又は回避のための方法及びシステム |
JP2021130717A Active JP7154355B2 (ja) | 2016-04-21 | 2021-08-10 | 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び/又は回避のための方法及びシステム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021130717A Active JP7154355B2 (ja) | 2016-04-21 | 2021-08-10 | 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び/又は回避のための方法及びシステム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US9981293B2 (ja) |
EP (1) | EP3446325A2 (ja) |
JP (2) | JP7065027B2 (ja) |
KR (2) | KR102626796B1 (ja) |
CN (2) | CN113871279A (ja) |
RU (1) | RU2018140708A (ja) |
TW (2) | TWI824520B (ja) |
WO (1) | WO2017183980A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110014131A1 (en) | 2009-07-20 | 2011-01-20 | Nanoink, Inc. | Nanomolding micron and nano scale features |
EP2528592A2 (en) | 2010-01-26 | 2012-12-05 | NanoInk, Inc. | Moire patterns generated by angular illumination of surfaces |
US20120104660A1 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Nanolnk, Inc. | Injection molding of micron and nano scale features for pharmaceutical brand protection |
WO2013165415A1 (en) | 2012-05-02 | 2013-11-07 | Nanoink, Inc. | Molding of micron and nano scale features |
US10312091B1 (en) * | 2015-10-13 | 2019-06-04 | Multibeam Corporation | Secure permanent integrated circuit personalization |
US9981293B2 (en) * | 2016-04-21 | 2018-05-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
US10307803B2 (en) * | 2016-07-20 | 2019-06-04 | The United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy | Transmission window cleanliness for directed energy devices |
NL2022156B1 (en) | 2018-12-10 | 2020-07-02 | Asml Netherlands Bv | Plasma source control circuit |
CN111266368B (zh) * | 2020-01-20 | 2020-09-22 | 哈尔滨工业大学 | 一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法 |
WO2023083545A1 (en) | 2021-11-11 | 2023-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method |
EP4181167A1 (en) | 2021-11-11 | 2023-05-17 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003090265A (ja) | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Honda Motor Co Ltd | 内燃機関用燃料供給装置 |
JP2007172862A (ja) | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線源用清浄化装置及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
JP4401614B2 (ja) | 2000-04-04 | 2010-01-20 | 株式会社アドバンテスト | 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法 |
JP5144716B2 (ja) | 2009-06-18 | 2013-02-13 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 電気コネクタ |
JP2013168396A (ja) | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Canon Inc | 静電型の荷電粒子線レンズ及び荷電粒子線装置 |
JP2014140009A (ja) | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Canon Inc | 描画装置、及び物品の製造方法 |
JP2015516690A (ja) | 2012-05-14 | 2015-06-11 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子リソグラフィシステムおよびビーム発生器 |
JP2015518268A (ja) | 2012-03-20 | 2015-06-25 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | ラジカルを輸送するための装置および方法 |
JP6188182B1 (ja) | 2017-04-27 | 2017-08-30 | 株式会社バカン | 空席管理装置及び空席管理プログラム |
Family Cites Families (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3678333A (en) * | 1970-06-15 | 1972-07-18 | American Optical Corp | Field emission electron gun utilizing means for protecting the field emission tip from high voltage discharges |
US4555303A (en) | 1984-10-02 | 1985-11-26 | Motorola, Inc. | Oxidation of material in high pressure oxygen plasma |
US4870030A (en) | 1987-09-24 | 1989-09-26 | Research Triangle Institute, Inc. | Remote plasma enhanced CVD method for growing an epitaxial semiconductor layer |
JP3253675B2 (ja) * | 1991-07-04 | 2002-02-04 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム照射装置及び方法 |
US5466942A (en) | 1991-07-04 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus |
CN1078768A (zh) | 1992-05-16 | 1993-11-24 | S·H·福尔 | 进气控制装置 |
JP3258104B2 (ja) * | 1992-12-21 | 2002-02-18 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム照射方法及び装置 |
JPH0737807A (ja) | 1993-07-21 | 1995-02-07 | Hitachi Ltd | 原子、分子線による表面処理方法およびその装置 |
JP3466744B2 (ja) | 1993-12-29 | 2003-11-17 | 株式会社東芝 | 洗浄機能付き荷電ビーム装置および荷電ビーム装置の洗浄方法 |
JPH09245716A (ja) | 1996-03-04 | 1997-09-19 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法および描画装置およびこれを用いた半導体集積回路 |
JP3827359B2 (ja) | 1996-03-19 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置 |
JPH09293472A (ja) | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置、その露光方法及びその製造方法 |
US5788778A (en) | 1996-09-16 | 1998-08-04 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source |
JPH10223512A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 電子ビーム投影露光装置 |
US8075789B1 (en) | 1997-07-11 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning source having reduced reactivity with a substrate processing chamber |
US6182603B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-02-06 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber |
GB9822294D0 (en) | 1998-10-14 | 1998-12-09 | Univ Birmingham | Contaminant removal method |
US6394109B1 (en) | 1999-04-13 | 2002-05-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system |
JP2001148340A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
US20020053353A1 (en) | 2000-03-13 | 2002-05-09 | Shintaro Kawata | Methods and apparatus for cleaning an object using an electron beam, and device-fabrication apparatus comprising same |
US6465795B1 (en) | 2000-03-28 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Charge neutralization of electron beam systems |
US6387207B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber |
JP2002157970A (ja) | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Nikon Corp | 電子線を用いた評価装置及び方法、並びに、こうした装置及び方法を用いたデバイス製造方法 |
US20020144706A1 (en) | 2001-04-10 | 2002-10-10 | Davis Matthew F. | Remote plasma cleaning of pumpstack components of a reactor chamber |
US6772776B2 (en) | 2001-09-18 | 2004-08-10 | Euv Llc | Apparatus for in situ cleaning of carbon contaminated surfaces |
JP2003124089A (ja) | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及び露光方法 |
AU2003231381A1 (en) | 2002-04-22 | 2003-11-03 | Nikon Corporation | Support apparatus, optical apparatus, light exposure apparatus, and method for producing device |
TWI300308B (en) | 2002-10-25 | 2008-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | Lithography system |
EP3671804A1 (en) | 2002-10-30 | 2020-06-24 | ASML Netherlands B.V. | Electron beam exposure system |
DE60323927D1 (de) | 2002-12-13 | 2008-11-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG139554A1 (en) | 2002-12-20 | 2008-02-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7116394B2 (en) | 2002-12-20 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system |
US7129502B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-10-31 | Mapper Lithography Ip B.V. | Apparatus for generating a plurality of beamlets |
ATE524822T1 (de) | 2003-05-28 | 2011-09-15 | Mapper Lithography Ip Bv | Belichtungsverfahren für strahlen aus geladenen teilchen |
ATE381728T1 (de) | 2003-07-30 | 2008-01-15 | Mapper Lithography Ip Bv | Modulator-schaltkreise |
JP2006128542A (ja) | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Nec Electronics Corp | 電子デバイスの製造方法 |
DE102005040267B4 (de) * | 2005-08-24 | 2007-12-27 | Universität Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen einer mehrschichtigen elektrostatischen Linsenanordnung, insbesondere einer Phasenplatte und derartige Phasenplatte |
US7709815B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-05-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system and projection method |
JP2007088386A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
US7465943B2 (en) | 2005-12-08 | 2008-12-16 | Asml Netherlands B.V. | Controlling the flow through the collector during cleaning |
DE602006015768D1 (de) * | 2006-02-23 | 2010-09-09 | Integrated Circuit Testing | Teilchenstrahlgerät mit Ozon-Quelle |
TWI432908B (zh) | 2006-03-10 | 2014-04-01 | Mapper Lithography Ip Bv | 微影系統及投射方法 |
JP4952375B2 (ja) | 2007-05-23 | 2012-06-13 | 株式会社明電舎 | レジスト除去方法及びその装置 |
CN100591801C (zh) | 2007-09-30 | 2010-02-24 | 南京大学 | 快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法 |
JP5017232B2 (ja) | 2007-10-31 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
KR101570974B1 (ko) | 2008-02-26 | 2015-11-23 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 투사 렌즈 배열체 |
US8445869B2 (en) | 2008-04-15 | 2013-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Projection lens arrangement |
KR101481950B1 (ko) | 2008-02-26 | 2015-01-14 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 투사 렌즈 배열체 |
TWI473140B (zh) * | 2008-04-11 | 2015-02-11 | Ebara Corp | 試料觀察方法與裝置,及使用該方法與裝置之檢查方法與裝置 |
CN102105960B (zh) * | 2008-05-23 | 2014-01-29 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 成像系统 |
JP5743886B2 (ja) | 2008-06-04 | 2015-07-01 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | ターゲットを露光するための方法およびシステム |
US7967913B2 (en) | 2008-10-22 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps |
WO2010082764A2 (en) | 2009-01-13 | 2010-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of dirty paper coding using nested lattice codes |
EP2494578B1 (en) | 2009-10-26 | 2016-06-15 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle multi-beamlet lithography system, with modulation device |
CN102098863B (zh) | 2009-12-14 | 2013-09-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于等离子体加工设备的电极板和清除工艺沉积物的方法 |
JP5568419B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-08-06 | 株式会社リコー | 表面電荷分布の測定方法および表面電荷分布の測定装置 |
JP2012061820A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 繊維強化複合材料の賦型方法 |
CN103238202B (zh) * | 2010-09-28 | 2016-11-09 | 以色列实用材料有限公司 | 粒子光学系统及布置,以及用于这种系统及布置的粒子光学组件 |
JP5709535B2 (ja) | 2011-01-07 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法 |
JP5709546B2 (ja) | 2011-01-19 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
JP5785436B2 (ja) | 2011-05-09 | 2015-09-30 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置およびそのクリーニング方法ならびにデバイスの製造方法 |
US20130020699A1 (en) | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Mediatek Inc. | Package structure and method for fabricating the same |
CN102255387B (zh) | 2011-07-11 | 2014-06-18 | 兰州陇能电力科技有限公司 | 一种电器设备的监控系统 |
JP5777445B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2015-09-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置及び物品の製造方法 |
JP2014530478A (ja) | 2011-09-09 | 2014-11-17 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 除振モジュール及び基板処理システム |
JP2013084638A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-09 | Canon Inc | 静電レンズ |
US9420515B2 (en) | 2011-10-18 | 2016-08-16 | Itron, Inc. | Endpoint repeater functionality selection |
NL2011401C2 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-09 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical device. |
JP2015153763A (ja) | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
US9981293B2 (en) * | 2016-04-21 | 2018-05-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
-
2016
- 2016-04-21 US US15/135,138 patent/US9981293B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-21 JP JP2018536266A patent/JP7065027B2/ja active Active
- 2017-04-21 RU RU2018140708A patent/RU2018140708A/ru not_active Application Discontinuation
- 2017-04-21 WO PCT/NL2017/050256 patent/WO2017183980A2/en active Application Filing
- 2017-04-21 EP EP17728669.7A patent/EP3446325A2/en active Pending
- 2017-04-21 KR KR1020237005258A patent/KR102626796B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-21 TW TW111118166A patent/TWI824520B/zh active
- 2017-04-21 TW TW106113428A patent/TWI765884B/zh active
- 2017-04-21 CN CN202111172533.4A patent/CN113871279A/zh active Pending
- 2017-04-21 CN CN201780024598.XA patent/CN109075004B/zh active Active
- 2017-04-21 KR KR1020187033067A patent/KR102501182B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-04-26 US US15/963,910 patent/US10632509B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-06 US US16/841,547 patent/US10987705B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-22 US US17/238,124 patent/US11738376B2/en active Active
- 2021-08-10 JP JP2021130717A patent/JP7154355B2/ja active Active
-
2023
- 2023-07-27 US US18/360,731 patent/US20240017301A1/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4401614B2 (ja) | 2000-04-04 | 2010-01-20 | 株式会社アドバンテスト | 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法 |
JP2003090265A (ja) | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Honda Motor Co Ltd | 内燃機関用燃料供給装置 |
JP2007172862A (ja) | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線源用清浄化装置及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
JP5144716B2 (ja) | 2009-06-18 | 2013-02-13 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 電気コネクタ |
JP2013168396A (ja) | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Canon Inc | 静電型の荷電粒子線レンズ及び荷電粒子線装置 |
JP2015518268A (ja) | 2012-03-20 | 2015-06-25 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | ラジカルを輸送するための装置および方法 |
JP2015516690A (ja) | 2012-05-14 | 2015-06-11 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子リソグラフィシステムおよびビーム発生器 |
JP2014140009A (ja) | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Canon Inc | 描画装置、及び物品の製造方法 |
JP6188182B1 (ja) | 2017-04-27 | 2017-08-30 | 株式会社バカン | 空席管理装置及び空席管理プログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019507951A (ja) | 2019-03-22 |
TWI765884B (zh) | 2022-06-01 |
JP2021185571A (ja) | 2021-12-09 |
CN113871279A (zh) | 2021-12-31 |
KR20230027325A (ko) | 2023-02-27 |
US10987705B2 (en) | 2021-04-27 |
KR102626796B1 (ko) | 2024-01-19 |
WO2017183980A2 (en) | 2017-10-26 |
TW201801815A (zh) | 2018-01-16 |
US20210237129A1 (en) | 2021-08-05 |
TW202235180A (zh) | 2022-09-16 |
US20200230665A1 (en) | 2020-07-23 |
US11738376B2 (en) | 2023-08-29 |
RU2018140708A (ru) | 2020-05-21 |
WO2017183980A3 (en) | 2018-04-19 |
EP3446325A2 (en) | 2019-02-27 |
US9981293B2 (en) | 2018-05-29 |
KR102501182B1 (ko) | 2023-02-20 |
JP7154355B2 (ja) | 2022-10-17 |
WO2017183980A4 (en) | 2018-06-28 |
KR20180132884A (ko) | 2018-12-12 |
US20240017301A1 (en) | 2024-01-18 |
US10632509B2 (en) | 2020-04-28 |
US20180236505A1 (en) | 2018-08-23 |
CN109075004B (zh) | 2021-10-26 |
US20170304878A1 (en) | 2017-10-26 |
CN109075004A (zh) | 2018-12-21 |
TWI824520B (zh) | 2023-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7065027B2 (ja) | 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び/又は回避のための方法及びシステム | |
JP6430606B2 (ja) | 荷電粒子ビーム発生器の高電圧シールド及び冷却 | |
JP7446374B2 (ja) | ラジカルを輸送するための装置および方法 | |
JP2015149449A (ja) | 荷電粒子線描画装置、汚染物除去方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180910 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180910 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20190607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190723 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190724 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200204 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210114 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210810 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210810 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210819 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210820 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20211001 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20211005 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220131 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20220322 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220412 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20220419 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20220419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7065027 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |