KR20200088347A - 발광 소자 및 표시 장치, 그리고 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K gallium;phosphate Chemical compound [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
적색 발광 다이오드로서, 각각 적색 광을 발광하는 복수의 발광층과, 전압이 부가되면 발광층에서 적색 광이 발광하도록 발광층에 접합된 복수의 P 층 및 N 층을 구비하고, 복수의 발광층과, 복수의 P 층 및 N 층이 T 방향에 관해서 차례로 늘어서서 접합된 것이다. 적색 발광 다이오드를 사용하여 화상 표시 장치를 제조할 때에는, 기판의 상면에 배치된 가이드 부재의 상면에 적색 발광 다이오드를 산란한다. 발광 소자의 배열 및 화상 표시 장치의 제조를 효율적으로 실시할 수 있다.
Description
본 발명은 발광 소자 및 표시 장치, 그리고 발광 소자 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드 (Light Emitting Diode : LED) 를 사용하는 화상 표시 장치는, 다수의 소형 발광 다이오드인 이른바 마이크로 발광 다이오드 (이하, 마이크로 LED 라고 한다) 를 매트릭스 형상으로 배열하여 조립된다. 종래, 적색, 청색, 및 녹색의 발광 다이오드는, 서로 기재 및 이 위에 성막하는 재료가 상이하기 때문에, 그들 3 색의 발광 다이오드를 동일한 기재 상에 반도체 소자 제조 프로세스를 사용하여 형성하는 것은 곤란하다. 이 때문에, 풀 컬러의 화상 표시 장치를 제조하는 경우, 그들 3 색의 다수의 마이크로 LED 를 개별적으로 제조한 후, 그들의 마이크로 LED 를 개별적으로 소정의 배치로 배열할 필요가 있었다. 그 배열 방법의 일례로서, 예를 들어, 인용 문헌 1 이 제안되어 있다.
제 1 양태에 의하면, 각각 광을 발광하는 복수의 발광층과, 전압이 부가되면 복수의 발광층에서 그 광이 발광하도록 복수의 발광층에 접합된 복수의 반도체층을 구비하고, 복수의 발광층과 복수의 반도체층이 소정 방향에 관해서 차례로 늘어서서 접합된 발광 소자가 제공된다.
제 2 양태에 의하면, 제 1 양태의 발광 소자와, 그 발광층에 전력을 공급하는 배선이 형성되고, 그 발광 소자가 접합되는 기판을 구비하는 표시 장치가 제공된다.
제 3 양태에 의하면, 제 1 양태의 발광 소자를 제조하는 제조 방법으로서, 그 발광 소자를 형성하도록 복수의 발광층과 복수의 반도체층을 그 소정 방향에 관해서 늘어놓아 접합하는 것과, 접합된 그 발광 소자를, 그 소정 방향과 교차하는 방향에 관해, 잘라 나누는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법이 제공된다.
제 4 양태에 의하면, 제 2 양태의 표시 장치를 제조하는 제조 방법으로서, 그 기판 상에 있어서, 복수의 발광 소자를 산란하는 것과, 산란된 발광 소자와 그 기판을 접합하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
도 1(A) 는, 제 1 실시형태에 관련된 3 색의 마이크로 LED 를 나타내는 확대 사시도, (B) 는, 도 1(A) 중의 적색의 마이크로 LED 및 그 변형예를 나타내는 도면, (C) 는, 도 1(A) 의 적색의 마이크로 LED 를 기판 상에 배치한 상태를 나타내는 확대 단면도이다.
도 2(A) 는, 그 실시형태에 관련된 화상 표시 장치를 나타내는 정면도, (B) 는 도 2(A) 의 화상 표시 장치의 일부를 나타내는 확대도이다.
도 3 은, 그 실시형태에 관련된 화상 표시 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 4(A) 는, 기판의 상방에 가이드 부재를 배치한 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 가이드 부재를 기판의 상면에 설치한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 5(A) 는, 가이드 부재의 상면에 다수의 마이크로 LED 를 산포하는 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 기판의 상면에 다수의 마이크로 LED 를 배치한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 6(A) 는, 기판으로부터 가이드 부재를 떼어낸 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 변형예의 3 색의 마이크로 LED 를 나타내는 확대 사시도, (C) 는, 다른 변형예의 마이크로 LED 를 나타내는 확대 사시도이다.
도 7(A) 는, 또 다른 변형예에 관련된 화상 표시 장치의 일부를 나타내는 확대도, (B) 는, 도 7(A) 의 횡단면도, (C) 는, 도 7(B) 에 대응하는 다른 변형예를 나타내는 횡단면도, (D) 는, 도 6(B) 의 마이크로 LED 를 사용하는 예의 도 7(B) 에 대응하는 횡단면도이다.
도 8(A), (B), (C), 및 (D) 는, 각각 제 2 실시형태에 관련된 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 마이크로 LED 유닛을 나타내는 측면도이다.
도 9(A) 는, 제 1 마이크로 LED 유닛을 사용하는 화상 표시 장치를 나타내는 정면도, (B) 는, 제 2 마이크로 LED 유닛을 사용하는 화상 표시 장치를 나타내는 정면도이다.
도 10(A) 는, 제 4 마이크로 LED 유닛을 사용하는 화상 표시 장치를 나타내는 정면도, (B) 는, 도 10(A) 의 일부의 확대 단면도이다.
도 11 은, 제 2 실시형태에 관련된 화상 표시 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 12(A) 는, 5 매의 발광 다이오드용의 웨이퍼를 나타내는 확대 측면도, (B) 는 5 매의 웨이퍼를 첩합 (貼合) 한 상태를 확대 측면도이다.
도 13(A) 는, 5 매의 웨이퍼로부터 최하부의 기재를 분리한 상태를 나타내는 확대 측면도, (B) 는, 마이크로 LED 유닛을 잘라낸 상태를 나타내는 확대 측면도이다.
도 14(A) 는, 기판의 상방에 제 1 가이드 부재를 배치한 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 제 1 가이드 부재의 상면에 다수의 마이크로 LED 유닛을 산포하는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 15(A) 는, 제 1 가이드 부재의 다수의 개구에 마이크로 LED 유닛을 배치한 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 도 15(A) 의 화상 표시 장치의 일부를 나타내는 확대 평면도, (C) 는, 도 15(B) 의 일부를 나타내는 확대 횡단면도이다.
도 16(A) 는, 제 1 가이드 부재의 상방에 제 2 가이드 부재를 배치하고, 이 상방에 복수의 마이크로 LED 유닛을 산포한 상태를 나타내는 확대 횡단면도, (B) 는 복수의 마이크로 LED 유닛의 단부 (端部) 가 제 1 가이드 부재의 개구 내에 들어간 상태를 나타내는 확대 횡단면도이다.
도 17(A) 는, 제 1 가이드 부재에 대해 제 2 가이드 부재를 X 방향으로 상대 이동하는 상태를 나타내는 확대 횡단면도, (B) 는 복수의 마이크로 LED 유닛이 제 1 가이드 부재의 개구 내에 배열된 상태를 나타내는 확대 횡단면도이다.
도 2(A) 는, 그 실시형태에 관련된 화상 표시 장치를 나타내는 정면도, (B) 는 도 2(A) 의 화상 표시 장치의 일부를 나타내는 확대도이다.
도 3 은, 그 실시형태에 관련된 화상 표시 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 4(A) 는, 기판의 상방에 가이드 부재를 배치한 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 가이드 부재를 기판의 상면에 설치한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 5(A) 는, 가이드 부재의 상면에 다수의 마이크로 LED 를 산포하는 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 기판의 상면에 다수의 마이크로 LED 를 배치한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 6(A) 는, 기판으로부터 가이드 부재를 떼어낸 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 변형예의 3 색의 마이크로 LED 를 나타내는 확대 사시도, (C) 는, 다른 변형예의 마이크로 LED 를 나타내는 확대 사시도이다.
도 7(A) 는, 또 다른 변형예에 관련된 화상 표시 장치의 일부를 나타내는 확대도, (B) 는, 도 7(A) 의 횡단면도, (C) 는, 도 7(B) 에 대응하는 다른 변형예를 나타내는 횡단면도, (D) 는, 도 6(B) 의 마이크로 LED 를 사용하는 예의 도 7(B) 에 대응하는 횡단면도이다.
도 8(A), (B), (C), 및 (D) 는, 각각 제 2 실시형태에 관련된 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 마이크로 LED 유닛을 나타내는 측면도이다.
도 9(A) 는, 제 1 마이크로 LED 유닛을 사용하는 화상 표시 장치를 나타내는 정면도, (B) 는, 제 2 마이크로 LED 유닛을 사용하는 화상 표시 장치를 나타내는 정면도이다.
도 10(A) 는, 제 4 마이크로 LED 유닛을 사용하는 화상 표시 장치를 나타내는 정면도, (B) 는, 도 10(A) 의 일부의 확대 단면도이다.
도 11 은, 제 2 실시형태에 관련된 화상 표시 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 12(A) 는, 5 매의 발광 다이오드용의 웨이퍼를 나타내는 확대 측면도, (B) 는 5 매의 웨이퍼를 첩합 (貼合) 한 상태를 확대 측면도이다.
도 13(A) 는, 5 매의 웨이퍼로부터 최하부의 기재를 분리한 상태를 나타내는 확대 측면도, (B) 는, 마이크로 LED 유닛을 잘라낸 상태를 나타내는 확대 측면도이다.
도 14(A) 는, 기판의 상방에 제 1 가이드 부재를 배치한 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 제 1 가이드 부재의 상면에 다수의 마이크로 LED 유닛을 산포하는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 15(A) 는, 제 1 가이드 부재의 다수의 개구에 마이크로 LED 유닛을 배치한 상태를 나타내는 사시도, (B) 는, 도 15(A) 의 화상 표시 장치의 일부를 나타내는 확대 평면도, (C) 는, 도 15(B) 의 일부를 나타내는 확대 횡단면도이다.
도 16(A) 는, 제 1 가이드 부재의 상방에 제 2 가이드 부재를 배치하고, 이 상방에 복수의 마이크로 LED 유닛을 산포한 상태를 나타내는 확대 횡단면도, (B) 는 복수의 마이크로 LED 유닛의 단부 (端部) 가 제 1 가이드 부재의 개구 내에 들어간 상태를 나타내는 확대 횡단면도이다.
도 17(A) 는, 제 1 가이드 부재에 대해 제 2 가이드 부재를 X 방향으로 상대 이동하는 상태를 나타내는 확대 횡단면도, (B) 는 복수의 마이크로 LED 유닛이 제 1 가이드 부재의 개구 내에 배열된 상태를 나타내는 확대 횡단면도이다.
이하, 제 1 실시형태에 대해 도 1(A) ∼ 도 6(A) 를 참조하여 설명한다. 이하에서는, 발광 다이오드를 간단히 LED 라고도 부른다.
도 1(A) 는, 본 실시형태에 관련된 적색 광을 발생하는 발광 다이오드 (이하, 적색 LED 라고 한다) (10R), 청색 광을 발생하는 발광 다이오드 (이하, 청색 LED 라고 한다) (10B), 및 녹색 광을 발생하는 발광 다이오드 (이하, 녹색 LED 라고 한다) (10G) 를 나타낸다. LED (10R, 10B, 10G) 의 형상은, 각각 단면 (斷面) 형상이 정방형이고, 단면의 변의 길이보다 높이 (길이) 가 높은 직방체 형상이다. 일례로서, LED (10R, 10B, 10G) 의 형상은, 단면의 변의 길이가 20 ∼ 100 ㎛ 정도, 높이가 그 변의 길이의 1.5 배 ∼ 3 배 정도이다. 즉, LED (10R, 10B, 10G) 는 각각 마이크로 LED 이다. 또한, 적색 LED (10R) 는 가장 단면적이 크고, 높이가 가장 낮고, 청색 LED (10B) 는, 단면적이 적색 LED (10R) 보다 작고 높이가 적색 LED (10R) 보다 높고, 녹색 LED (10G) 는, 가장 단면적이 작고, 높이가 가장 높다. 또한, LED (10R, 10B, 10G) 는, 서로 형상이 상이하면 되고, 그 형상은 임의이다. 이하에서는, LED (10R, 10B, 10G) 의 높이 (길이) 의 방향을 T 방향으로 설명한다.
또, 적색 LED (10R) (적색의 마이크로 LED) 는, T 방향으로 순서대로, 제 1 P 형 반도체층 (이하, P 층이라고 한다) (12P1) (제 1 반도체층), 제 1 발광층 (12R1), N 형 반도체층 (이하, N 층이라고 한다) (12N) (제 2 반도체층), 제 2 발광층 (12R2), 및 제 2 P 층 (12P2) (제 1 반도체층) 을 적층하여 형성되어 있다. P 층 (12P1, 12P2) 과 N 층 (12N) 은 전도 형식이 상이하다. 또, 발광층 (12R1, 12R2) 도 반도체층의 일부로 간주하는 것도 가능하다. 또, 적층은 복수 회의 접합이라고도 할 수 있다. 본 실시형태에서는, T 방향이 발광층 및 반도체층의 접합 방향 (적층 방향) 이다.
발광층 (12R1 (12R2)) 은, P 층 (12P1 (12P2)) 에서 N 층 (12N) 을 향하여 순서대로, P 층 (12P1 (12P2)) 보다 홀 (정공) 밀도가 낮은 이른바 p- 층과, N 층 (12N) 보다 전자 밀도가 낮은 이른바 n- 층을 적층한 것이다. 마찬가지로, 청색 LED (10B) (청색의 마이크로 LED) 는, T 방향으로 순서대로, 제 1 P 층 (14P1), 제 1 발광층 (14B1), N 층 (14N), 제 2 발광층 (14B2), 및 제 2 P 층 (14P2) 을 적층하여 형성되고, 녹색 LED (10G) (녹색의 마이크로 LED) 는, T 방향으로 순서대로, 제 1 P 층 (16P1), 제 1 발광층 (16G1), N 층 (16N), 제 2 발광층 (16G2), 및 제 2 P 층 (16P2) 을 적층하여 형성되어 있다.
일례로서, 적색 LED (10R) 는, 갈륨인 (GaP) 또는 갈륨비소 (GaAs) 로 이루어지는 기재의 표면에, 아연, 산소 등을 첨가한 갈륨인 (GaP (Zn, O)) 또는 갈륨알루미늄비소 (GaAlAs) 등의 반도체층 (P 층, N 층) 및 발광층을 형성하여 제조되고, 청색 LED (10B) 는, 사파이어 또는 탄화규소 (SiC) 로 이루어지는 기재의 표면에, 인듐갈륨질소 (InGaN) 등의 반도체층 및 발광층을 형성하여 제조되고, 녹색 LED (10G) 는, 사파이어 또는 SiC 로 이루어지는 기재의 표면에, 질소 등을 첨가한 갈륨인 (GaP (N)) 또는 InGaN 등의 반도체층 및 발광층을 형성하여 제조된다. 이와 같이, LED (10R) 와 LED (10B, 10G) 는, 서로 기재 및 반도체층, 발광층의 재료가 상이하다. 또, LED (10B, 10G) 도, 서로 기재 및 반도체층, 발광층의 적어도 일방의 재료가 상이한 경우가 있다. 또한, LED (10R, 10B, 10G) 의 기재 및 반도체층, 발광층의 재료는 임의이며, LED (10R, 10B, 10G) 의 기재 및/또는 반도체층, 발광층의 재료가 서로 동일해도 된다.
도 1(B) 에 나타내는 바와 같이, 적색 LED (10R) 는, T 방향에 있어서 중심이 되는 직선 (18) 에 관해서, P 층 (12P1, 12P2), 및 N 층 (12N) 이 각각 대칭 (선대칭) 이다. 이하에서는, T 방향에 있어서 중심이 되는 직선 (18) 에 관해서 대칭인 것을, 간단히 T 방향에 관해서 대칭이다라고도 한다. 적색 LED (10R) 를 사용하여 화상 표시 장치를 제조하기 위해서 (상세 후술), 도 2(C) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22) 상의 가이드 부재 (30) 중에 적색 LED (10R) 를 설치하여, 배선 (28A, 28B) 을 통해서 P 층 (12P1, 12P2) 에 정 (正) 의 전압을 인가하고, 배선 (28B) 을 통해서 N 층 (12N) 에 부 (負) 의 전압을 인가하면 (또는 접지하면), 적색 LED (10R) 의 발광층 (12R1, 12R2) 으로부터 전체 방향 (측면 방향을 포함한다) 으로 적색 광이 발생한다. 이 때에, 적색 LED (10R) 의 넓은 측면이 표시 방향을 향하고 있기 때문에, 표시 방향에 대해 충분한 광 강도가 얻어진다. 또한, 2 개의 발광층 (12R1, 12R2) 이 동시에 빛나기 때문에, 광 강도는 발광층이 1 개인 발광 다이오드에 비해 2 배가 된다. 또, P 층 (12P1, 12P2) 에 인가하는 전압을 상이하게 함으로써, 발광층 (12R1, 12R2) 으로부터 출력되는 적색 광의 광 강도의 밸런스를 제어할 수도 있다.
또한, 적색 LED (10R) 는, P 층 (12P1, 12P2) 및 N 층 (12N) 이 각각 T 방향에 관해서 대칭이기 때문에, 기판 (22) 상에 적색 LED (10R) 를 T 방향에 관해서 반전하여 설치해도, 배선 (28A ∼ 28C) 의 패턴을 변경하는 일 없이, 또한 배선 (28A ∼ 28C) 에 인가하는 전압을 변경하는 일 없이, 적색 LED (10R) 는 방향을 반전하기 전과 동일하게 발광한다. 이것은 다른 LED (10B, 10G) 도 동일하다. 이 때문에, 기판 (22) 상에서의 LED (10R, 10B, 10G) 의 배열을 효율적으로 실시할 수 있다.
또한, 적색 LED (10R) 는, T 방향에 관해서 발광층 (12R1, 12R2) 도 대칭이다. 이 때문에, 적색 LED (10R) 를 T 방향에 관해서 반전하여 설치해도, 색조가 변화하지 않는다.
또, 적색 LED (10R) 대신에, 도 1(B) 에 나타내는 바와 같이, T 방향으로 순서대로, 제 1 N 층 (12N1), 제 1 발광층 (12R1), P 층 (12P), 제 2 발광층 (12R2), 및 제 2 N 층 (12N2) 을 접합하여 형성된 적색 LED (10RA) 를 제조 (사용) 할 수도 있다. 바꿔 말하면, 적색 LED (10RA) 는, 적색 LED (10R) 의 P 층과 N 층을 바꿔 넣은 구성이다. 적색 LED (10RA) 도, T 방향에 관해서, N 층 (12N1, 12N2), 발광층 (12R1, 12R2), 및 P 층 (12P) 이 각각 대칭이다. 이 때문에, 기판 (22) 상에 적색 LED (10RA) 를 T 방향에 관해서 반전하여 설치해도, 적색 LED (10RA) 는 방향을 반전하기 전과 동일하게 발광한다.
다음으로, 도 2(A) 는, 본 실시형태에 관련된 LED (10R, 10B, 10G) (3 색의 마이크로 LED) 를 사용한 풀 컬러의 화상 표시 장치 (20) 를 나타낸다. 화상 표시 장치 (20) 는, 거의 장방형의 절연체로 이루어지는 기판 (22) 의 상면에, 적색 LED (10R), 청색 LED (10B), 및 녹색 LED (10G) 를 매트릭스 형상으로 배열하여 고정한 표시부와, 다수의 LED (10R, 10B, 10G) 의 온/오프 및 광 강도를 개별적으로 제어하는 제어부 (24) 를 구비하고 있다. 또한, 도 2(A) 및 이하에서 참조하는 도면에서는, 설명의 편의상, LED (10R, 10B, 10G) 를 실제의 크기보다 훨씬 확대하여 나타내고 있다. 이하, 기판 (22) 의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 각각 X 축 및 Y 축을 취하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 일례로서, LED (10R, 10B, 10G) 의 접합 방향인 T 방향이 X 축에 평행한 방향 (X 방향) 으로 되어 있다. 본 실시형태에서는, 적색 LED (10R), 청색 LED (10B), 및 녹색 LED (10G) 는 각각 Y 축에 평행한 직선을 따라 Y 방향으로 소정 피치로 배열되고, 일렬의 적색 LED (10R), 일렬의 청색 LED (10B), 및 일렬의 녹색 LED (10G) 가 X 방향으로 소정 피치로 배열되어 있다. LED (10R, 10B, 10G) 의 X 방향, Y 방향의 배열의 피치는 일례로서 100 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도이며, LED (10R, 10B, 10G) 의 X 방향 및 Y 방향의 배열수는 각각 1000 정도이다. 또한, LED (10R, 10B, 10G) 의 배열은 임의이며, LED (10R, 10B, 10G) 를 예를 들어 체크무늬 형상으로 배열해도 된다.
또, 도 2(B) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22) 의 상면의 LED (10R, 10B, 10G) 가 설치되는 영역에는, LED (10R, 10B, 10G) 의 P 층 (12P1, 12P2, 14P1, 14P2 및 16P1, 16P2) (도 1(A) 참조) 에 전압을 인가하기 위한 배선 (28A, 28C, 28D, 28F, 28G, 28I), 및 LED (10R, 10B, 10G) 의 N 층 (12N, 14N 및 16N) 에 전압을 인가하기 위한 배선 (28B, 28E, 28H) 이 형성되어 있다. 또, 배선 (28A ∼ 28I) 이 대응하는 P 층 (12P1) 등 또는 N 층 (12N) 등의 접촉부에는, 얇은 원판상의 단자부 (26A, 26B, 26C, 26D, 26E, 26F, 26G, 26H, 26I) 가 형성되어 있다. 단자부 (26A ∼ 26I) 는, 대응하는 P 층 또는 N 층에 가열에 의해 용착 가능한 재료 (예를 들어 땜납 등) 로 형성되어 있다. 또한, 배선 (28A ∼ 28I) 도 용착 가능한 재료로 형성해도 된다. 제어부 (24) 는, 배선 (28A ∼ 28I) 에 인가하는 전압을 다수의 LED (10R, 10B, 10G) 마다, 또한 각 LED (10R, 10B, 10G) 내의 2 개의 발광층마다 개별적으로 제어한다. 이에 따라, 표시부에서 임의의 화상을 풀 컬러로 고정밀하게 표시할 수 있다. 또한, 단자부 (26A ∼ 26I) (및 배선 (28A ∼ 28I)) 를 도전성의 접착제로 형성해도 된다.
다음으로, 본 실시형태의 LED (10R, 10B, 10G) (마이크로 LED) 및 화상 표시 장치 (20) 의 제조 방법의 일례에 대해서 도 3 의 플로 차트를 참조하여 설명한다. 이 제조를 위해서는, 도시하지 않은 박막 형성 장치, 레지스트의 코터·디벨로퍼, 마스크 패턴을 기재의 표면의 레지스트에 전사 노광하는 노광 장치, 에칭 장치, 검사 장치, 및 다이싱 장치 등이 사용된다.
먼저, 도 3 의 스텝 102 에 있어서, 반도체 소자 제조 프로세스를 사용하여, LED (10R, 10B, 10G) 를 제조하기 위한 원판상의 3 종류의 기재 (도시하지 않음) 의 표면에 각각 P 층, 발광층, N 층, 발광층, 및 P 층을 적층하여 3 종류의 웨이퍼를 제조한다. 그리고, 스텝 104 에 있어서, LED (10R, 10B, 10G) 용의 웨이퍼로부터 각각 에칭 등에 의해 기재부를 분리 (제거) 하고, 다이싱 장치에 의해 각 색용의 웨이퍼로부터 각각 다수의 LED (10R, 10B, 10G) 를 잘라낸다. 이에 따라, 다수의 적색 LED (10R), 청색 LED (10B), 및 녹색 LED (10G) 가 제조된다.
또, 스텝 106 에 있어서, 도 4(A) 에 나타내는 바와 같이, 화상 표시 장치 (20) 의 기판 (22) 및 가이드 부재 (30) 를 제조한다. 기판 (22) 의 상면의 LED (10R, 10B, 10G) 가 배치되는 영역 (23R, 23B, 23G) (예를 들어 기판 (22) 의 X 방향 및 Y 방향의 단부를 기준으로 위치가 미리 규정되어 있다) 에는, 각각 배선 (28A ∼ 28I) 및 단자부 (26A ∼ 26I) 등 (도 2(B) 참조) 이 형성되어 있다. 또한, 제어부 (24) 도 제조된다. 가이드 부재 (30) 는, 거의 기판 (22) 과 동일한 크기로, 가이드 부재 (30) 에는, 도 2(A) 의 LED (10R, 10B, 10G) 의 배열과 동일한 배열로, 적색 LED (10R) 가 수용 가능한 장방형의 개구 (32R), 청색 LED (10B) 가 수용 가능한 장방형의 개구 (32B), 및 녹색 LED (10G) 가 수용 가능한 장방형의 개구 (32G) 가 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 개구 (32R, 32B, 32G) 는 대응하는 LED (10R, 10B, 10G) 의 측면의 형상보다 조금 크게 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, LED (10R, 10B, 10G) 는 점차 형상이 가늘고 길게 되어 있기 때문에, LED (10R, 10B, 10G) 를 측면이 기판 (22) 에 접하도록 배치할 때, 개구 (32R, 32B 및 32G) 에는 각각 적색 LED (10R), 청색 LED (10B), 및 녹색 LED (10G) 만이 수용 가능하다.
LED (10R, 10B, 10G) 를 기판 (22) 상에 배열하는 경우에만 가이드 부재 (30) 를 사용하여, 배열 완료 후에 가이드 부재 (30) 를 떼어내는 경우, 가이드 부재 (30) 는 예를 들어 금속 (알루미늄 등) 또는 세라믹스 등으로 형성해도 된다. 한편, 가이드 부재 (30) 를 기판 (22) 에 장착한 채로 해 두는 경우, 가이드 부재 (30) 는 합성 수지 등으로 형성해도 된다. 개구 (32R, 32B, 32G) 의 주변의 가이드 부재 (30) 의 두께는, 가장 단면적이 작은 녹색 LED (10G) 의 단면의 변의 길이 정도이다.
그리고, 스텝 108 에 있어서, 기판 (22) 의 LED (10R, 10B, 10G) 가 배치되는 영역 (23R, 23B, 23G) 에, 가이드 부재 (30) 의 개구 (32R, 32B, 32G) 가 대향하도록, 기판 (22) 에 대해 가이드 부재 (30) 의 위치 결정을 실시하고, 도 4(B) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22) 의 상면에 가이드 부재 (30) 를 배치한다. 이 때에 가이드 부재 (30) 의 개구 (32R, 32B, 32G) 는, 길이 방향이 X 방향으로 평행하게 되어 있다. LED (10R, 10B, 10G) 의 배열 후에 가이드 부재 (30) 를 기판 (22) 으로부터 떼어내는 경우에는, 가이드 부재 (30) 는, 예를 들어 도시하지 않은 지지 부재에 의해, 기판 (22) 으로부터 약간 간격을 두고 유지해도 된다. 또, 가이드 부재 (30) 를 기판 (22) 에 장착한 채로 하는 경우에는, 접착 등으로 가이드 부재 (30) 를 기판 (22) 에 고정해도 된다. 또한, 스텝 102, 104 의 LED (10R) 등의 제조 공정, 및 스텝 106, 108 의 기판 등의 제조 공정은 실질적으로 병행하여 실시해도 된다.
다음의 스텝 112 에 있어서, 도 5(A) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22) 상에 배치된 가이드 부재 (30) 의 상면에, 도시하지 않은 다수의 LED (10R, 10B, 10G) 를 수용하는 스토커를 경사시키는 등의 방법으로, 다수의 LED (10R, 10B, 10G) 를 산란시킨다 (산포한다). 이 결과, 도 5(B) 에 나타내는 바와 같이, 가이드 부재 (30) 의 개구 (32R, 32B, 32G) 에 각각 적색 LED (10R), 청색 LED (10B), 및 녹색 LED (10G) 가, 그 측면이 기판 (22) 에 접하도록 수용된다. 다음의 스텝 114 에 있어서, 가이드 부재 (30) 의 상면에 있고, 개구 (32R, 32B, 32G) 에 수용되어 있지 않은 LED (10R, 10B, 10G) 를 제거한다. 또한, 이 스텝 114 는, 후술하는 바와 같이 기판 (22) 에 LED (10R, 10B, 10G) 를 고정한 다음에 실시해도 된다. 그리고, 스텝 116 에 있어서, 도시하지 않은 검사 장치를 사용하여, 가이드 부재 (30) 의 모든 개구 (32R, 32B, 32G) 에 대응하는 LED (10R, 10B, 10G) 가 수용되어 있는지 여부를 검사한다. 그리고, LED (10R, 10B, 10G) 가 수용되어 있지 않은 개구 (32R, 32B, 32G) 가 있는 경우에는, 모든 개구 (32R, 32B, 32G) 에 LED (10R, 10B, 10G) 가 수용될 때까지, 스텝 112, 114 를 반복한다.
그리고, 모든 개구 (32R, 32B, 32G) 에 LED (10R, 10B, 10G) 가 수용되었을 때에는, 스텝 118 로 이행하여, 기판 (22) 을 바닥면으로부터 가열한다. 이 때에, 도시하지 않은 유연성을 갖는 부재를 사용하여, LED (10R, 10B, 10G) 의 상부를 기판 (22) 측에 탄성 지지하고 있어도 된다. 이에 따라, 도 2(B) 에 나타내는 기판 (22) 의 단자부 (26A ∼ 26I) (및 배선 (28A ∼ 28I)) 가 대응하는 LED (10R, 10B, 10G) 의 P 층 또는 N 층에 용착하고, LED (10R, 10B, 10G) 는 각각 P 층 및 N 층이 전기적으로 대응하는 배선 (28A ∼ 28I) 등에 도통하는 상태에서, 기판 (22) 의 상면에 고정된다. 그 후, 스텝 120 에 있어서, 가이드 부재 (30) 를 제거할지 여부를 판정하고, 가이드 부재 (30) 를 제거하는 경우에는 스텝 122 로 이행하여, 도 6(A) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22) 으로부터 가이드 부재 (30) 를 떼어낸다. 그 후, 스텝 124 에 있어서, LED (10R, 10B, 10G) 를 덮는 커버 유리의 설치 등을 실시함으로써, 화상 표시 장치 (20) 가 제조된다. 가이드 부재 (30) 를 제거하지 않는 경우에는, 동작은 스텝 120 에서 124 로 이행한다. 또한, 단자부 (26A ∼ 26I) (및 배선 (28A ∼ 28I)) 를 도전성의 접착제로 형성한 경우에는, 스텝 118 의 기판 (22) 의 가열 공정을 생략할 수 있다.
이와 같이 본 실시형태에서는, 가이드 부재 (30) 의 상면에 다수의 LED (10R, 10B, 10G) 를 산란함으로써, 기판 (22) 의 상면에 목표로 하는 배치로 3 종류의 LED (10R, 10B, 10G) 를 효율적으로 배열할 수 있다. 이 때에, LED (10R, 10B, 10G) 는 T 방향에 관해서 P 층 (12P1, 12P2) 등 및 N 층 (12N) 등 (반도체층) 이 대칭이기 때문에, 가이드 부재 (30) 의 개구 (32R, 32B, 32G) 에 대해 LED (10R, 10B, 10G) 가 T 방향 (X 방향) 에 관해서 반전하여 수용되었다고 해도, 배선 (28A ∼ 28I) 에 인가하는 전압을 변경하는 일 없이, LED (10R, 10B, 10G) 는 동일하게 발광 가능하다. 이 때문에, 보다 효율적으로 화상 표시 장치 (20) 를 제조할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태의 적색 LED (10R) (마이크로 LED) 는, 각각 적색 광을 발광하는 복수의 발광층 (12R1, 12R2) 과, 전압이 부가되면 발광층 (12R1, 12R2) 에서 적색 광이 발광하도록 발광층 (12R1, 12R2) 에 접합된 복수의 P 층 (12P1, 12P2) (제 1 반도체층) 및 N 층 (12N) (제 2 반도체층) 을 구비하고, 복수의 발광층 (12R1, 12R2) 과, 복수의 P 층 (12P1, 12P2) 및 N 층 (12N) (반도체층) 이 T 방향 (접합 방향) 에 관해서 차례로 늘어서서 접합된 발광 소자이다. 또, 청색 LED (10B) 및 녹색 LED (10G) 도 동일한 발광 소자이다.
LED (10R, 10B, 10G) 를 사용하여 화상 표시 장치 (20) 를 제조하는 경우, LED (10R, 10B, 10G) 를 예를 들어 기판 (22) 상의 가이드 부재 (30) 의 상면에 산란시킬 뿐, LED (10R, 10B, 10G) 가 가이드 부재 (30) 의 개구 (32R, 32B, 32G) 에 수용되어, LED (10R, 10B, 10G) 를 목표로 하는 배치에 효율적으로 배열할 수 있다. 또한, 예를 들어 적색 LED (10R) 의 P 층 (12P1, 12P2) 및 N 층 (12N) (반도체층) 이 T 방향에 관해서 대칭이 아닌 경우에는, 적색 LED (10R) 가 기판 (22) 상에 설치된 다음에, 예를 들어 제어부 (24) 에 의해 그 적색 LED (10R) 의 전류가 흐르는 방향 (P 층 (12P1, 12P2) 및 N 층 (12N) 의 배열 상태) 을 검출하고, 이 검출 결과에 기초하여 적색 LED (10R) 에 공급하는 전압을 변경해도 된다.
또, 본 실시형태의 화상 표시 장치 (20) 는, LED (10R, 10B, 10G) 와, 그들의 발광층 (12R1, 12R2, 14B1, 14B2, 16G1, 16G2) 에 전력을 공급하는 배선 (28A ∼ 28I) 이 형성되고, LED (10R, 10B, 10G) 가 접합되는 기판 (22) 을 구비하고 있다. 화상 표시 장치 (20) 는, 기판 (22) 상에서의 LED (10R, 10B, 10G) 의 배열을 고정밀도로 또한 효율적으로 실시할 수 있기 때문에, 효율적으로 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태의 적색 LED (10R) 의 제조 방법은, 적색 LED (10R) 를 형성하도록, 발광층 (12R1, 12R2) 과, P 층 (12P1, 12P2) 및 N 층 (12N) 을 T 방향에 관해서 늘어놓아 접합하여 웨이퍼를 제조하는 스텝 102 와, 접합된 적색 LED (10R) 를 포함하는 웨이퍼를 T 방향과 직교하는 방향에 관해, 잘라 나누는 스텝 104 를 포함한다. 이 제조 방법에 의하면, 복수의 발광층 (12R1, 12R2) 을 갖는 적색 LED (10R) 를 효율적으로 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태의 화상 표시 장치 (20) 의 제조 방법은, 기판 (22) 상에 있어서, 복수의 LED (10R, 10B, 10G) 를 산란하는 스텝 112 와, 산란된 LED (10R, 10B, 10G) 와 기판 (22) 을 가열에 의한 용착에 의해 접합하는 스텝 118 을 포함한다. 이 제조 방법에 의하면, LED (10R, 10B, 10G) 의 산란에 의해 효율적으로 LED (10R, 10B, 10G) 를 목표로 하는 배치로 배열할 수 있기 때문에, 화상 표시 장치 (20) 를 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태에서는 이하와 같은 변형이 가능하다.
먼저, 상기 서술한 실시형태에 있어서, LED (10R, 10B, 10G) 를 가이드 부재 (30) (기판 (22)) 의 상면에 산란할 때에, LED (10R, 10B, 10G) 를 이오나이저 (도시하지 않음) 에 의해 제전해 두어도 된다. 이에 따라, LED (10R, 10B, 10G) 가 가이드 부재 (30) 의 개구 (32R, 32B, 32G) 이외의 영역에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또, 상기 서술한 실시형태에서는, LED (10R, 10B, 10G) 의 발광층 (12R1, 12R2) 등은 2 층이고, P 층 (12P1, 12P2) 및 N 층 (12N) 의 반도체층은 3 층이지만, 발광층을 3 층 이상으로 해도 된다. 발광층을 3 층 이상의 N 층 (N 은 3 이상의 정수) 으로 하는 경우, 반도체층의 층수는, (N＋1) 층 이상으로 해도 된다. 발광층의 층수 N 층 (N 은 4 이상의 짝수) 으로 하는 경우에는, 반도체층의 층수는 (N＋1) 층으로 해도 된다. 또, 발광층의 층수 N 층 (N 은 3 이상의 홀수 및/또는 4 이상의 짝수) 으로 하는 경우, 그 반도체층은 (N＋1) 층 이상이 된다.
또, LED (10R, 10B, 10G) 는 직방체 형상이지만, 도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 원기둥 형상의 적색 LED (11R), 청색 LED (11B), 및 녹색 LED (11G) 를 제조할 수도 있다. 예를 들어 적색 LED (11R) 는, T 방향으로 순서대로, P 층 (13P1), 발광층 (13R1), N 층 (13N), 발광층 (13R2), 및 P 층 (13P2) 을 적층하여 형성되어 있다. LED (11R, 11B, 11G) 도 T 방향에 관해서 반도체층이 대칭이기 때문에, 상기 서술한 실시형태와 동일한 효과가 얻어진다. 또, 일례로서, 녹색 LED (11G) 는 단면적이 가장 크고 높이가 가장 낮고, 청색 LED (11B) 는 단면적이 가장 작고 높이가 가장 높고, 적색 LED (11R) 는 단면적이 중간이고, 높이도 중간이다. 이와 같이 LED (11R, 11B, 11G) 는 서로 형상이 상이하기 때문에, 기판 (22) 상에 LED (11R, 11B, 11G) 를 배열할 때에, 가이드 부재 (30) 와 동일한 LED (11R, 11B, 11G) 를 수용 가능한 개구를 갖는 가이드 부재를 사용함으로써, LED (11R, 11B, 11G) 를 목표로 하는 배치로 효율적으로 배열할 수 있다. 또한, 도 6(C) 에 나타내는 바와 같이, 단면 형상이 정육각형의 각기둥 형상의 적색 LED (11RA) 를 제조하는 것도 가능하다. 또, 단면 형상이 임의의 다각형의 마이크로 LED 를 제조하는 것도 가능하다.
또, 상기 서술한 실시형태에서는, 가이드 부재 (30) 의 상면에 LED (10R, 10B, 10G) 를 산란하고 있다. 이에 대해, 도 2(B) 에 대응하는 도 7(A) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22) 의 상면의 LED (10R, 10B, 10G) 가 설치되는 영역에, 각각 LED (10R, 10B, 10G) 가 설치 가능한 오목부 (22a, 22b, 22c) 를 형성해 두어도 된다. 도 7(B) 는 도 7(A) 의 횡단면도이고, 도 7(B) 에 나타내는 바와 같이, 오목부 (22a, 22b, 22c) 에는, 각각 LED (10R, 10B, 10G) 의 P 층 및 N 층에 대향하는 위치에 단자부 (26A ∼ 26I) 가 형성되고, 단자부 (26A ∼ 26I) 가 배선 (28A) 등을 통해서 도 2(A) 의 제어부 (24) 에 접속되어 있다. 이 변형예에서는, 오목부 (22a, 22b 및 22c) 에는 각각 LED (10R, 10B 및 10G) 만이 수용 가능하기 때문에, 기판 (22) 의 상면에 다수의 LED (10R, 10B, 10G) 를 산란하면, 오목부 (22a, 22b 및 22c) 에는 각각 LED (10R, 10B 및 10G) 만이 수용된다. 이 때문에, 가이드 부재 (30) 를 사용하는 일 없이, 기판 (22) 의 상면에 LED (10R, 10B, 10G) 를 목표로 하는 배치로 효율적으로 배열할 수 있다.
이 변형예에서는, 오목부 (22a, 22b 및 22c) 내에서 LED (10R, 10B, 10G) 는 각각 측면이 기판 (22) 에 접하도록 배치되어 있다. 이 때문에, LED (10R, 10B, 10G) 의 측면에서 방출되는 충분한 광 강도의 광으로 화상을 표시할 수 있다. 또, 도 7(C) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22) 의 상면에 각각 LED (10R, 10B, 10G) 를 길이 방향 (T 방향) 이 그 상면에 수직이 되도록 수용 가능한 오목부 (22d, 22e, 22f) 를 형성하는 것도 가능하다. 또한, 도 7(C) 에서는, LED (10R, 10B, 10G) 가 기판 (22) 의 상면으로부터 돌출하여 수용되어 있도록 도시되어 있지만, LED (10R, 10B, 10G) 의 길이 방향의 길이에 맞추어, 오목부 (22d, 22e, 22f) 의 Z 방향의 길이 (깊이) 를 설정하도록 해도 된다. 또, 오목부 (22d, 22e, 22f) 의 Z 방향의 길이 (깊이) 를 설정할 때에는, LED (10R, 10B, 10G) 의 발광층 전부가 발광하도록 설정하지 않아도 되고, LED (10R, 10B, 10G) 의 발광층 중 기판에 접하는 발광층의 수가 LED (10R, 10B, 10G) 에서 동일해지도록 하면 된다. 또한, LED (10R, 10B, 10G) 의 지름 방향의 길이가 오목부 (22d, 22e, 22f) 의 지름 방향의 길이보다 짧은 경우, 예를 들어, LED (10G) 와 오목부 (22d), 수용되어야 하는 것이 아닌 오목부 (22d) 에 LED (10G) 가 삽입되는 경우가 있다. 그러나 이 경우, 비록, 지름 방향의 길이가 크게 상이하기 때문에, 오목부 (22d) 내의 LED (10G) 가 기판 (22) 과 접할 가능성이 낮고, LED (10G) 는 발광하지 않는다. 또, 만일 오목부 (22d) 에 LED (10G) 가 삽입되었다고 해도, 지름 방향의 길이가 크게 상이하기 때문에, 오목부 (22d) 로부터 LED (10G) 가 빠진다. 따라서, 수용되어야 하는 것이 아닌 오목부 (예를 들어 오목부 (22d)) 에 지름 방향의 길이가 상이한 LED (예를 들어 10G) 가 수용되었다고 해도, LED 가 발광할 가능성은 거의 없다.
또, 도 7(D) 에 나타내는 바와 같이, 도 6(B) 의 원기둥 형상의 LED (11R, 11B, 11G) 를 사용하는 경우, 기판 (22) 의 상면에는 각각 LED (11R, 11B, 11G) 를 수용 가능한 원기둥의 측면 형상의 오목부 (22h, 22i, 22g) 를 형성해 두어도 된다. 이 예에서는, LED (11R, 11B, 11G) 를 산란하면, LED (11R, 11B, 11G) 가 각각 기판 (22) 의 오목부 (22h, 22i, 22g) 에 효율적으로 배열된다.
다음으로, 제 2 실시형태에 대해 도 8(A) ∼ 도 17(B) 를 참조하여 설명한다. 또한, 도 8(A) ∼ 도 17(B) 에 있어서 도 1(A) ∼ 도 6(A) 에 대응하는 부분에는 동일한 부호를 붙여 그 상세한 설명을 생략한다.
도 8(A) 는, 본 실시형태에 관련된 적색 광, 청색 광, 및 녹색 광을 각각 발생하는 복수의 마이크로 LED 를 결합한 제 1 마이크로 LED 의 유닛 (이하, LED 유닛이라고 한다) (42) 을 나타낸다. LED 유닛 (42) 은, 적색 광을 발생하는 제 1 발광 다이오드 (이하, 적색 LED 라고 한다) (40R) (제 1 발광부), 청색 광을 발생하는 제 1 발광 다이오드 (이하, 청색 LED 라고 한다) (40B) (제 2 발광부), 녹색 광을 발생하는 제 1 발광 다이오드 (이하, 녹색 LED 라고 한다) (40G) (제 3 발광부), 제 2 녹색 LED (40G1) (제 3 발광부), 제 2 청색 LED (40B1) (제 2 발광부), 및 제 2 적색 LED (40R1) (제 1 발광부) 를, 각 LED 의 발광층과 반도체층의 접합 방향인 T 방향으로 접합한 것이다. 적색 LED (40R) 는, T 방향으로 순서대로, P 층 (12P1) (제 1 층), 발광층 (12R1), 및 N 층 (12N) (제 2 층) 을 적층하여 형성되고, 청색 LED (40B) 는, T 방향으로 순서대로, P 층 (14P1) (제 3 층), 발광층 (14B1), 및 N 층 (14N) (제 4 층) 을 적층하여 형성되고, 녹색 LED (40G) 는, T 방향으로 순서대로, P 층 (16P1) (제 5 층), 발광층 (16G1), 및 N 층 (16N) (제 6 층) 을 적층하여 형성되어 있다.
또, 녹색 LED (40G1), 청색 LED (40B1), 및 적색 LED (40R1) 는, 각각 녹색 LED (40G), 청색 LED (40B), 및 적색 LED (40R) 를 T 방향에 관해서 반전한 것이다. LED 유닛 (42) 에 있어서, 녹색 LED (40G, 40G1) (제 3 발광부) 는, 녹색 LED (40G1) 의 N 층 (12N) (제 2 반도체층) 과 녹색 LED (40G) 의 발광층 (16G1) 의 사이에 N 층 (16N) (제 2 반도체층) 을 갖는다. 이 구성으로, 녹색 LED (40G, 40G1) 를 LED 유닛 (42) 의 중앙에 배치해도, 녹색 LED (40G, 40G1) 의 반도체층 및 발광층을 T 방향에 관해서 대칭으로 배치할 수 있다.
LED 유닛 (42) 은, 단면 형상이 정방형이고 T 방향으로 가늘고 긴 직방체 형상이다. 또, LED 유닛 (42) 은, T 방향에 있어서 중심이 되는 직선 (18A) 에 관해서, P 층 (12P1, 14P1, 16P1, 16P1, 14P1, 12P1) 및 N 층 (12N, 14N, 16N, 16N, 14N, 12N) 이 각각 대칭 (선대칭) 이다. 이 경우, LED 유닛 (42) 을 사용하여 화상 표시 장치를 제조하기 위해서, LED 유닛 (42) 을 기판 (22A) (도 9(A) 참조) 상에 설치하는 경우, 기판 (22) 상에 LED 유닛 (42) 을 T 방향에 관해서 반전하여 설치해도, 도시하지 않은 배선 패턴을 변경하는 일 없이, 또한 배선에 인가하는 전압을 변경하는 일 없이, LED 유닛 (42) 은 3 색의 광을 발광한다. 이 때문에, 기판 (22) 상에서의 LED 유닛 (42) 의 배열을 효율적으로 실시할 수 있다.
또, LED 유닛 (42) 은, T 방향에 관해서, 적색, 청색, 및 녹색의 발광층 (12R1, 14B1, 16G1, 16G1, 14B1, 12R1) 도 각각 대칭이다. 이 때문에, LED 유닛 (42) 을 T 방향에 관해서 반전하여 설치해도, 색조가 변화하지 않는다. 또, LED 유닛 (42) 의 중앙에는 녹색 LED (40G, 40G1) 가 배치되어 있다. 적색, 청색, 녹색의 광 중에서 녹색 광 (중심이 555 ㎚) 은 비시감도가 가장 높기 때문에, 녹색 LED (40G, 40G1) 를 중앙에 배치함으로써, 중앙이 밝아져, 밝기의 밸런스가 좋다. 단, LED 유닛 (42) 은, 적색 LED (40R, 40R1), 청색 LED (40B, 40B1), 및 녹색 LED (40G, 40G1) 에 공급하는 전압을 개별적으로 제어할 수 있고, 적색 LED (40R, 40R1), 청색 LED (40B, 40B1), 및 녹색 LED (40G, 40G1) 의 광 강도를 개별적으로 제어할 수 있기 때문에, 반드시 녹색 LED (40G, 40G1) 를 중앙에 배치할 필요는 없다.
다음으로, 도 8(B) 는, 제 2 LED 유닛 (42A) 을 나타낸다. LED 유닛 (42A) 은, 제 1 적색 LED (10R), 제 1 청색 LED (10B), 녹색 LED (10G), 제 2 청색 LED (10B), 및 제 2 적색 LED (10R) 를 T 방향으로 접합한 것이다. 단, 제 2 청색 LED (10B), 및 제 2 적색 LED (10R) 는, 각각 제 1 청색 LED (10B), 및 제 1 적색 LED (10R) 에 대해 T 방향으로 반전하고 있다. 또한, 적색 LED (10R) 및 청색 LED (10B) 는 제 1 실시형태에서 설명한 바와 같이 반도체층 및 발광층이 T 방향에 관해서 대칭이기 때문에, 제 2 청색 LED (10B), 및 제 2 적색 LED (10R) 는 각각 2 개의 P 층 및 2 개의 발광층의 부호가 바뀌어 있다.
LED 유닛 (42A) 은, T 방향에 있어서 중심이 되는 직선 (18B) 에 관해서, P 층 (12P1, 12P2, … 12P2, 12P1) 및 N 층 (12N, … 12N) 이 각각 대칭이다. 또한, LED 유닛 (42A) 은, T 방향에 관해서, 3 색의 발광층 (12R1, 12R2, 14B1, 14B2, 16G1, 16G2, 14B2, 14B1, 12R2, 12R1) 이 각각 대칭이다. 이 경우, LED 유닛 (42A) 을 사용하여 화상 표시 장치를 제조할 때에, 기판 상에 LED 유닛 (42A) 을 T 방향에 관해서 반전하여 설치해도, 도시하지 않은 배선 패턴을 변경하는 일 없이, 또한 배선에 인가하는 전압을 변경하는 일 없이, LED 유닛 (42A) 은 3 색의 광을 발광한다. 이 때문에, 기판 상에서의 LED 유닛 (42A) 의 배열을 효율적으로 실시할 수 있다. 또한, 색조가 변화하지 않는다.
또, 도 8(C) 는, 제 3 LED 유닛 (42B) 을 나타낸다. LED 유닛 (42B) 은, 제 1 적색 LED (40R), 제 1 청색 LED (40B), 녹색 LED (10G), 제 2 청색 LED (40B1), 및 제 2 적색 LED (40R1) 를 T 방향으로 접합한 것이다. LED 유닛 (42B) 도, T 방향에 있어서 중심이 되는 직선 (18C) 에 관해서, P 층 (12P1, 14P1, … 14P1, 12P1) 및 N 층 (12N, 14N, … 12N) 이 각각 대칭이다. 또한, LED 유닛 (42B) 은, T 방향에 관해서, 3 색의 발광층 (12R1, 14B1, 16G1, 16G2, 14B1, 12R1) 이 각각 대칭이다. 이 경우, LED 유닛 (42B) 을 사용하여 화상 표시 장치를 제조할 때에, 기판 상에 LED 유닛 (42B) 을 T 방향에 관해서 반전하여 설치해도, 도시하지 않은 배선 패턴을 변경하는 일 없이, 또한 배선에 인가하는 전압을 변경하는 일 없이, LED 유닛 (42B) 은 3 색의 광을 발광한다. 또한, 색조가 변화하지 않는다.
또, 도 8(D) 는, 제 4 LED 유닛 (44) 을 나타낸다. LED 유닛 (44) 은, 제 1 적색 LED (10R), 스페이서부 (46A), 제 1 청색 LED (10B), 스페이서부 (46B), 녹색 LED (10G), 스페이서부 (46C), 제 2 청색 LED (10B), 스페이서부 (46D), 및 제 2 적색 LED (10R) 를 T 방향으로 접합한 것이다. 서로 동일한 구성이고 동일한 크기의 스페이서부 (46A ∼ 46D) 는, 예를 들어 LED (10R, 10B, 10G) 를 제조할 때에 사용되는 기재 또는 그 일부이며, 스페이서부 (46A ∼ 46D) 는 광을 발생하지 않는 부분 (흑색부 또는 이른바 블랙 매트릭스부) 이다. 또, 제 2 청색 LED (10B), 및 제 2 적색 LED (10R) 는, 각각 제 1 청색 LED (10B), 및 제 1 적색 LED (10R) 에 대해 2 개의 P 층 및 2 개의 발광층의 부호가 바뀌어 있다. 청색 LED (10B) (제 2 발광부) 는, P 층 (12P1) (제 3 층), 발광층 (14B1), N 층 (14N) (제 4 층), 발광층 (14B2), P 층 (14P2) (제 3 층) 을 T 방향으로 차례로 늘어놓은 구성이다. 또, 청색 LED (10B) 는, T 방향의 일단측에 P 층 (12P1) (제 3 층), 발광층 (14B1) 이 배열되고, 타단측에 발광층 (14B2), P 층 (14P2) (제 3 층) 이 배열되어 있다. LED 유닛 (44) 은, 단면이 예를 들어 20 ∼ 100 ㎛ 정도 폭의 정방형이고, 높이 (길이) 가 300 ∼ 700 ㎛ 정도의 사각기둥 형상이다.
LED 유닛 (44) 은, T 방향에 있어서 중심이 되는 직선 (18D) 에 관해서, P 층 (12P1, 12P2, … 12P1) 및 N 층 (12N, 14N, … 12N) 이 각각 대칭이다. 또한, LED 유닛 (44) 은, T 방향에 관해서, 3 색의 발광층 (12R1, 12R2, 14B1, 14B2, 16G1, 16G2, 14B2, 14B1, 12R2, 12R1) 및 스페이서부 (46A ∼ 46D) 가 각각 대칭이다. 이 경우, LED 유닛 (44) 을 사용하여 화상 표시 장치를 제조할 때에, 기판 상에 LED 유닛 (44) 을 T 방향에 관해서 반전하여 설치해도, 도시하지 않은 배선 패턴을 변경하는 일 없이, 또한 배선에 인가하는 전압을 변경하는 일 없이, LED 유닛 (44) 은 3 색의 광을 발광한다. 이 때문에, 기판 상에서의 LED 유닛 (44) 의 배열을 효율적으로 실시할 수 있다. 또한, 색조가 변화하지 않는다.
상기 서술한 바와 같이 LED 유닛 (42, 42A, 42B, 44) 은, 각각 단면 형상이 정방형이고 T 방향으로 가늘고 긴 직방체 형상이다. 또한, LED 유닛 (42, 42A ∼ 42C, 44) 의 외형을, 가늘고 긴 원기둥 형상, 또는 가늘고 긴 다각 기둥 형상으로 해도 된다. 또, LED 유닛 (42, 42A ∼ 42C, 44) 은, T 방향에 관해서 반도체층 (P 층, N 층) 및 각 색의 발광층이 대칭으로 배치되어 있으면, 그 반도체층 (P 층, N 층) 및 각 색의 발광층의 수 및 배치는 임의이다.
도 9(A) 는, 각각 본 실시형태에 관련된 LED 유닛 (42) 을 사용한 풀 컬러의 화상 표시 장치 (20A) 를 나타낸다. 도 9(B) 는, 각각 본 실시형태에 관련된 LED 유닛 (42B) 을 사용한 풀 컬러의 화상 표시 장치 (20B) 를 나타낸다. 도 10(A) 는, 각각 본 실시형태에 관련된 LED 유닛 (44) 을 사용한 풀 컬러의 화상 표시 장치 (20C) 를 나타낸다. 화상 표시 장치 (20A, 20B, 20C) 는, 각각 거의 장방형의 절연체로 이루어지는 기판 (22A, 22B, 22C) 의 상면에, LED 유닛 (42, 42A, 44) 을 매트릭스 형상으로 배열하여 고정한 표시부와, 다수의 LED 유닛 (42, 42A, 44) 의 온/오프 및 광 강도를 개별적으로 제어하는 제어부 (24A, 24B, 24C) 를 구비하고 있다. 또한, 도 9(A), 도 9(B), 도 10(A) 및 이하에서 참조하는 도면에서는, 설명의 편의상, LED 유닛 (42, 42A, 44) 을 실제의 크기보다 훨씬 확대하여 나타내고 있다. 이하, 기판 (22A, 22B, 22C) 의 길이 방향 및 폭 방향을 따라 각각 X 축 및 Y 축을 취하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 일례로서, LED 유닛 (42, 42A, 44) 의 접합 방향인 T 방향이 X 방향으로 되어 있다.
예를 들어 제어부 (24C) 는, 각 LED 유닛 (44) 내의 합계 5 개 있는 LED (10R, 10B, 10G) 내의 임의의 LED 의 광 강도도 개별적으로 제어할 수 있다. 제어부 (24A) 는, 각각 각 LED 유닛 (42) 내의 LED (40R, 40R1, 40G, 40G1, 40B, 40B1) 내의 발광층의 광 강도를 개별적으로 제어할 수 있다.
본 실시형태에서는, LED 유닛 (42, 42A, 44) 은 각각 X 축에 평행한 직선을 따라 X 방향으로 소정 피치로 배열되고, X 방향으로 배열된 2 열의 LED 유닛 (42, 42A, 44) 은, X 방향으로 절반 피치 어긋나 체크무늬 형상으로 배치되어 있다. LED 유닛 (42, 42A, 44) 의 X 방향의 배열의 피치는, 예를 들어 LED 유닛 (42, 42A, 44) 의 X 방향의 길이 (높이) 의 1.1 배 정도이고, LED 유닛 (42, 42A, 44) 의 Y 방향의 배열의 피치는, 예를 들어 LED 유닛 (42, 42A, 44) 의 단면 형상의 폭의 1.5 ∼ 2 배 정도이다. LED 유닛 (42, 42A, 44) 의 X 방향 및 Y 방향의 배열수는 각각 200 및 1000 정도이다. 또한, LED 유닛 (42, 42A, 44) 의 배열 및 배열수는 임의이며, 예를 들어 X 방향으로 배열된 1 열의 LED 유닛 (42, 42A, 44) 을 그대로 Y 방향으로 평행 이동하는 상태의 배열로 해도 된다.
또, 도 10(B) 에 나타내는 바와 같이, 화상 표시 장치 (20C) 의 기판 (22C) 의 상면의 LED 유닛 (44) 이 설치되는 영역에는, LED 유닛 (44) 의 LED (10R, 10B, 10G, 10B, 10R) 의 P 층 (12P1, 12P2, … 12P2) 및 N 층 (12N, 14N, … 12N) (도 8(D) 참조) 에 전압을 인가하기 위한 배선 (28A ∼ 28I 및 28F ∼ 28A) 이 형성되어 있다. 또, 배선 (28A ∼ 28I) 과 대응하는 LED (10R, 10B, 10G) 와의 사이에는 도 2(B) 의 단자부 (26A ∼ 26I) 와 동일한 가열에 의해 용착 가능한 재료 또는 도전성의 접착제로 이루어지는 단자부 (도시하지 않음) 가 형성되어 있다. 제어부 (24C) 는, 배선 (28A ∼ 28I) 등에 인가하는 전압을 다수의 LED 유닛 (44) 내의 LED (10R, 10B, 10G) 내의 2 개의 발광층마다 개별적으로 제어한다. 이에 따라, 표시부에서 임의의 화상을 풀 컬러로 고정밀하게 표시할 수 있다. 마찬가지로, 화상 표시 장치 (20A, 20B) 에 있어서도, 표시부에서 임의의 화상을 풀 컬러로 표시할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태의 LED 유닛 (44) 및 화상 표시 장치 (20C) 의 제조 방법의 일례에 대해서 도 11 의 플로 차트를 참조하여 설명한다. 이 제조를 위해서는, 제 1 실시형태와 동일한 제조 장치 (도시하지 않음) 가 사용된다. 또한, LED 유닛 (42, 42A, 42B) 및 화상 표시 장치 (20A, 20B) 도 동일한 공정으로 제조할 수 있다.
먼저, 도 11 의 스텝 102A 에 있어서, 반도체 소자 제조 프로세스를 사용하여, 도 8(D) 의 LED 유닛 (44) 을 구성하는 3 종류의 LED (10R, 10B, 10G) 를 제조하기 위한 원판상의 3 종류의 기재 (48A, 48B, 48C) 의 표면에, 도 12(A) 에 나타내는 바와 같이, 각각 P 층 (12PA, 14PA, 16PA), 발광층 (12RA, 14BA, 16GA), N 층 (12NA, 14NA, 16NA), 발광층 (12RB, 14BB, 16GB), 및 P 층 (12PB, 14PB, 16PB) 을 T 방향으로 적층한다. 이에 따라, 적색의 마이크로 LED 용의 2 매의 웨이퍼 (46R1, 46R2) (제 1 기판), 청색의 마이크로 LED 용의 2 매의 웨이퍼 (46B1, 46B2) (제 2 기판), 및 녹색의 마이크로 LED 용의 1 매의 웨이퍼 (46G) (제 3 기판) 가 제조된다.
그리고, 스텝 130 에 있어서, 도 12(B) 에 나타내는 바와 같이, 5 매의 웨이퍼 (46R1, 46B1, 46G, 46B2, 46R2) 를 절연성의 접착제 (48A, 48B, 48C, 48D) 를 개재하여 첩합한다. 또한, 스텝 132 에 있어서, 도 13(A) 에 나타내는 바와 같이, 최하부의 적색 LED 용의 웨이퍼 (46R1) 의 기재 (48A) 를 에칭 등에 의해 분리 (제거) 하여, 다수의 LED 유닛 (44) 의 집합체 (50) 를 제조하고, 다이싱 장치 (도시하지 않음) 에 의해 집합체 (50) 의 점선의 절단부 (52) 를 절단한다. 이에 따라, 도 13(B) 에 나타내는 바와 같이, LED (10R, 10B, 10G) 및 스페이서부 (46A ∼ 46D) 를 적층한 구성의 다수의 LED 유닛 (44) 을 제조할 수 있다. 웨이퍼 (46B1, 46G, 46B2, 46R2) 의 기재 (48B, 48C, 48B, 48A) 의 일부가 각각 스페이서부 (46A ∼ 46D) 로 되어 있다. 이 LED 유닛 (44) 의 제조 방법에 의하면, 다층 구성의 LED 유닛 (44) 을 효율적으로 제조할 수 있다.
그리고, 스텝 106A 에 있어서, 도 14(A) 에 나타내는 바와 같이, 화상 표시 장치 (20C) 의 기판 (22C), 제 1 가이드 부재 (30A), 및 도 16(A) 의 제 2 가이드 부재 (30B) 를 제조한다. 기판 (22C) 의 상면의 LED 유닛 (44) 이 배치되는 영역 (23) (예를 들어 기판 (22C) 의 X 방향 및 Y 방향의 단부를 기준으로 위치가 미리 규정되어 있다) 에는, 각각 배선 (28A ∼ 28I) 및 단자부 (도 10(B) 참조) 가 형성되어 있다. 또한, 제어부 (24C) 도 제조된다. 가이드 부재 (30A) 는, 거의 기판 (22C) 과 동일한 크기이고, 가이드 부재 (30A) 에는, 도 10(A) 의 LED 유닛 (44) 의 배열과 동일한 배열로, LED 유닛 (44) 이 수용 가능한 복수의 장방형의 개구 (52) 가 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 개구 (52) 는 대응하는 LED 유닛 (44) 의 측면의 형상보다 조금 크게 형성되어 있다.
본 실시형태에서는, 일례로서 가이드 부재 (30A) 를 기판 (22) 에 장착한 채로 해 두는 것으로 한다. 또한, LED 유닛 (44) 의 장착 후에 가이드 부재 (30A) 를 기판 (22) 으로부터 떼어내도록 해도 된다. 개구 (52) 의 주변의 가이드 부재 (30A) 의 두께는, LED 유닛 (44) 의 단면의 변의 폭 정도이다. 또, 가이드 부재 (30A) 의 인접하는 2 개의 개구 (52) 사이에는, 도 15(B) 및 (C) 에 나타내는 바와 같이, 개구 (52) 에 X 방향을 향하여 점차 낮아지는 경사부 (54A, 54B) 와, 개구 (52) 에 Y 방향을 향하여 점차 낮아지는 경사부 (54C, 54D) 가 형성되어 있다. 경사부 (54A ∼ 54C) 에 의해, LED 유닛 (44) 은 원활하게 개구 (52) 에 수용된다.
그리고, 스텝 134 에 있어서, 기판 (22C) 의 LED 유닛 (44) 이 배치되는 영역 (23) 에, 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 가 대향하도록, 기판 (22C) 에 대해 가이드 부재 (30A) 의 위치 결정을 실시하고, 도 14(B) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22C) 의 상면에 가이드 부재 (30A) 를 배치하여 고정시킨다. 일례로서, 후술하는 제 2 가이드 부재 (30B) 를 사용하지 않는 경우에는, 도 3 의 스텝 112 ∼ 116 과 마찬가지로, 도 14(B) 에 나타내는 바와 같이, 가이드 부재 (30A) 의 상면에 다수의 LED 유닛 (44) 을 산포하면, 도 15(A) 에 나타내는 바와 같이, 가이드 부재 (30A) 의 다수의 개구 (52) 내의 기판 (22C) 의 상면에, 각각 LED 유닛 (44) 이 그 측면이 기판 (22C) 의 상면에 접하도록 배치된다. 도 15(B), (C) 에 나타내는 바와 같이, 위치 (B1 및 B2) 에 있는 LED 유닛 (44) 은 각각 가이드 부재 (30A) 의 경사부 (54A, 54B) 를 통해서 대응하는 개구 (52) 내에 원활하게 수용된다. 그 후, 동작은 도 11 의 스텝 118A 로 이행한다.
여기서는, 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 내에 의해 효율적으로 LED 유닛 (44) 을 수용시키기 위해서, 도 16(A) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 가이드 부재 (30B) 를 사용하는 경우에 대해서 설명한다. 제 2 가이드 부재 (30B) 에는, 제 1 가이드 부재 (30A) 의 다수의 개구 (52) 와 동일한 배열로, 기판 (22C) 의 상면의 법선 방향으로 길이 방향이 배치된 LED 유닛 (44) 이 통과 가능한 다수의 개구 (56) 가 형성되어 있다. 바꿔 말하면, 개구 (56) 는, LED 유닛 (44) 의 단면 형상보다 조금 큰 형상이다. 또, 제 2 가이드 부재 (30B) 의 상면의 개구 (56) 에 인접하는 영역에도, 개구 (56) 를 향하여 점차 저하하는 경사부 (58A, 58B) 가 형성되고, 제 2 가이드 부재 (30B) 의 바닥면 (기판 (22C) 에 대향하는 면) 의 개구 (56) 에 인접하는 영역에는, 경사부 (58A, 58B) 보다 작은 경사부 (58C, 58D) (모따기부여도 된다) 가 형성되어 있다.
이 때, 스텝 136 에 있어서, 제 2 가이드 부재 (30B) 의 개구 (56) 의 -X 방향의 단부가 제 1 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 의 -X 방향의 단부에 거의 일치하도록, 또한 제 2 가이드 부재 (30B) 의 바닥면과 기판 (22C) 의 간격이 LED 유닛 (44) 의 높이보다 조금 작아지도록, 제 1 가이드 부재 (30A) 에 대해 제 2 가이드 부재 (30B) 를 위치 결정한다. 이 때에, 제 2 가이드 부재 (30B) 를 X 방향, Y 방향, 및 기판 (22C) 의 법선 방향으로 이동하는 구동부 (60) (도시하지 않음) 가 사용된다.
다음의 스텝 138 에 있어서, 도 16(A) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (22C) 및 제 1 가이드 부재 (30A) 의 상방에 배치된 제 2 가이드 부재 (30B) 의 상면에, 다수의 LED 유닛 (44) 을 산포한다. 이 결과, 다수의 LED 유닛 (44) 은 제 2 가이드 부재 (30B) 의 경사부 (58A, 58B) 를 통해서 각각 개구 (56) 를 통과한다. 도 16(B) 에 나타내는 바와 같이, 개구 (56) 를 통과한 LED 유닛 (44) 의 단부가, 각각 제 1 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 의 -X 방향의 단부에 접촉한다. 이 상태에서, 스텝 140 에 있어서, 구동부 (60) 에 의해 제 2 가이드 부재 (30B) 를 제 1 가이드 부재 (30A) 에 대해 화살표 (B3) 로 나타내는 ＋X 방향으로 상대 이동한다. 그리고, 제 2 가이드 부재 (30B) 의 이동에 의해, 도 17(A) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 내의 LED 유닛 (44) 은 각각 시계방향으로 회전하고, 최종적으로 도 17(B) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 내의 LED 유닛 (44) 은, 각각 측면이 기판 (22C) 에 접촉하는 자세로 개구 (52) 내에 수용된다. 이에 따라, 기판 (22C) 의 상면에서의 다수의 LED 유닛 (44) 이 목표로 하는 배치로 배열된다.
다음의 스텝 118A 에 있어서, 기판 (22C) 을 바닥면으로부터 가열함으로써, 기판 (22C) 의 단자부 (도시하지 않음) (및 도 10(B) 의 배선 (28A ∼ 28I)) 가 LED 유닛 (44) 의 대응하는 LED (10R, 10B, 10G) 의 P 층 또는 N 층에 용착하고, LED 유닛 (44) 이 기판 (22C) 의 상면에 고정된다. 그 후, 스텝 124A 에 있어서, 제 2 가이드 부재 (30B) 를 제거하고, LED 유닛 (44) 을 덮는 커버 유리의 설치 등을 실시함으로써, 화상 표시 장치 (20C) 가 제조된다.
이와 같이 본 실시형태에서는, 제 2 가이드 부재 (30B) 의 상면에 다수의 LED 유닛 (44) 을 산포함으로써, 기판 (22C) 의 상면의 제 1 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 내에 목표로 하는 배치로 LED 유닛 (44) 을 효율적으로 배열할 수 있다. 이 때에, LED 유닛 (44) 은 T 방향에 관해서 P 층 (12P1, 12P2, … 12P1) 및 N 층 (12N, 14N, … 12N) 이 대칭이기 때문에, 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 에 대해 LED 유닛 (44) 이 T 방향 (X 방향) 으로 반전하여 수용되었다고 해도, 배선 (28A ∼ 28I) 에 인가하는 전압을 변경하는 일 없이, LED 유닛 (44) 의 LED (10R, 10B, 10G) 는 동일하게 발광 가능하다. 이 때문에, 보다 효율적으로 화상 표시 장치 (20) 를 제조할 수 있다.
또한, LED 유닛 (44) 은 3 색의 발광층 (12R1, 12R2, … 12R1) 도 T 방향에 관해서 대칭이기 때문에, 가이드 부재 (30A) 의 개구 (52) 에 대해 LED 유닛 (44) 이 T 방향으로 반전하여 수용되었다고 해도, 화상 표시 장치 (20C) 의 색조가 변화하지 않는다.
상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태의 LED 유닛 (44) 은, 각각 적색 광, 청색 광, 또는 녹색 광을 발광하는 복수의 발광층 (12R1, 12R2, 14B1, 14B2, 16G1, 16G2) 과, 전압이 부가되면 발광층 (12R1, … 16G2) 에서 광이 발광하도록 발광층 (12R1, … 16G2) 에 접합된 복수의 P 층 (12P1, 12P2) 등 및 N 층 (12N, 14N) 등 (반도체층) 을 구비하고, 복수의 발광층 (12R1) 등과, 복수의 P 층 (12P1) 등 및 N 층 (12N) 등 (반도체층) 이 T 방향 (접합 방향) 에 관해서 차례로 늘어서서 접합된 발광 소자이다.
LED 유닛 (44) 을 사용하여 화상 표시 장치 (20C) 를 제조하는 경우, LED 유닛 (44) 을 예를 들어 기판 (22C) 상의 가이드 부재 (30A 또는 30B) 의 상면에 산란시킬 뿐, LED 유닛 (44) 을 목표로 하는 배치로 효율적으로 배열할 수 있다. 또한, LED 유닛 (44) 은 3 색 발광층, 및 반도체층이 각각 T 방향에 관해서 대칭이기 때문에, LED 유닛 (44) 을 기판 (22C) 상에서 T 방향으로 반전하여 설치해도, 배선 등을 변경하는 일 없이, 동일 색조로 LED 유닛 (44) 의 3 색의 광을 발광시킬 수 있다.
또, 본 실시형태의 화상 표시 장치 (20C) 는, LED 유닛 (44) 과, LED 유닛 (44) 의 발광층 (12R1, 12R2) 등에 전력을 공급하는 배선 (28A ∼ 28I) 이 형성되고, LED 유닛 (44) 이 접합되는 기판 (22C) 을 구비하고 있다. 화상 표시 장치 (20C) 는, 기판 (22C) 상에서의 LED 유닛 (44) 의 배열을 효율적으로 실시할 수 있기 때문에, 효율적으로 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태의 LED 유닛 (44) 의 제조 방법은, 3 색 LED (10R, 10B, 10G) 를 각각 형성하도록, 발광층 (12R1, 12R2) 등과, P 층 (12PA, 12PB) 등 및 N 층 (12NA) 등을 T 방향에 관해서 늘어놓아 접합하여 적색 LED, 청색 LED, 및 녹색 LED 의 웨이퍼 (46R1, 46B1, 46G) 를 제조하는 스텝 102A 와, 웨이퍼 (46R1, 46B1, 46G) 를 T 방향으로 늘어놓아 절연성의 접착제 (48A, 48B) 를 개재하여 첩합하는 스텝 130 과, 첩합한 웨이퍼 (46R1, 46B1, 46G) 를 T 방향과 직교하는 방향에 관해서 잘라 나누는 스텝 132 를 갖는다. 이 제조 방법에 의하면, 다층으로 3 색의 LED 유닛 (44) 을 효율적으로 고정밀도로 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태의 화상 표시 장치 (20C) 의 제조 방법은, 기판 (22C) 상에 있어서, 복수의 LED 유닛 (44) 을 산란하는 스텝 138 과, 산란된 LED 유닛 (44) 과 기판 (22C) 을 가열에 의한 용착에 의해 접합하는 스텝 118A 를 포함한다. 이 제조 방법에 의하면, LED 유닛 (44) 의 산란에 의해 효율적으로 LED 유닛 (44) 을 목표로 하는 배치로 배열할 수 있기 때문에, 화상 표시 장치 (20C) 를 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태에서는 이하와 같은 변형이 가능하다.
먼저, 상기 서술한 실시형태에서는, LED 유닛 (44) 은 3 색으로 발광하지만, LED 유닛 (44) 은 적어도 1 색으로 발광해도 된다. 또, LED 유닛 (44) 은, 백색광을 발생하는 마이크로 LED 를 가져도 된다.
또, 상기 서술한 실시형태에 있어서, 도 10(B) 에 점선으로 나타내는 바와 같이, 기판 (22C) 의 LED 유닛 (44) 이 설치되는 영역에 흡인공 (22Ca) 을 형성하고, LED 유닛 (44) 을 기판 (22C) 의 단자부 등에 고정 (용착) 할 때에, 도시하지 않은 진공 펌프에 의해, LED 유닛 (44) 을 흡인공 (22Ca) 을 통해서 흡착하고 있어도 된다. 이에 따라, 보다 안정적으로 LED 유닛 (44) 을 기판 (22C) 에 고정할 수 있다.
또, 상기 서술한 실시형태에서는, 발광부는 발광 다이오드이지만, 발광부는 반도체 레이저 등이어도 된다.
10R, 40R : 적색 LED
10B, 40B : 청색 LED
10G, 40G : 녹색 LED
12P1, 12P2, 14P1, 14P2, 16P1, 16P2 : P 층
12N, 14N, 16N : N 층
12R1, 12R2, 14B1, 14B2, 16G1, 16G2 : 발광층
20, 20A ∼ 20C : 화상 표시 장치
22, 22A ∼ 22C : 기판
26A ∼ 26I : 단자부
28A ∼ 28I : 배선
30, 30A, 30B : 가이드 부재
42, 42A, 42B, 44 : LED 유닛
46R1, 46R2 : 적색 LED 의 웨이퍼
46B1, 46B2 : 청색 LED 의 웨이퍼
46G : 녹색 LED 의 웨이퍼
10B, 40B : 청색 LED
10G, 40G : 녹색 LED
12P1, 12P2, 14P1, 14P2, 16P1, 16P2 : P 층
12N, 14N, 16N : N 층
12R1, 12R2, 14B1, 14B2, 16G1, 16G2 : 발광층
20, 20A ∼ 20C : 화상 표시 장치
22, 22A ∼ 22C : 기판
26A ∼ 26I : 단자부
28A ∼ 28I : 배선
30, 30A, 30B : 가이드 부재
42, 42A, 42B, 44 : LED 유닛
46R1, 46R2 : 적색 LED 의 웨이퍼
46B1, 46B2 : 청색 LED 의 웨이퍼
46G : 녹색 LED 의 웨이퍼
Claims (28)
- 각각 광을 발광하는 복수의 발광층과,
전압이 부가되면 복수의 상기 발광층에서 상기 광이 발광하도록 복수의 상기 발광층에 접합된 복수의 반도체층을 구비하고,
복수의 상기 발광층과 복수의 상기 반도체층이 소정 방향에 관해서 차례로 늘어서서 접합된, 발광 소자. - 제 1 항에 있어서,
복수의 상기 반도체층의 수는, 복수의 상기 발광층의 수보다 많은, 발광 소자. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
복수의 상기 반도체층의 수는, 복수의 상기 발광층의 수보다 1 개 많은, 발광 소자. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
복수의 상기 반도체층은, 전도 형식이 서로 상이한 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 갖고,
상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층은, 각각 상기 소정 방향에 관해서 대칭으로 배열되는, 발광 소자. - 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 반도체층은, 전도 형식이 서로 상이한 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 갖고,
복수의 상기 발광층과 복수의 상기 반도체층은, 상기 소정 방향에 관해, 상기 제 1 반도체층, 상기 발광층, 상기 제 2 반도체층, 상기 발광층, 및 상기 제 1 반도체층의 순서로 배열된 발광부를 형성하는, 발광 소자. - 제 5 항에 있어서,
상기 발광부는, 상기 제 2 반도체층과 상기 발광층의 사이에, 상기 제 2 반도체층을 추가로 갖는, 발광 소자. - 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 발광층은, 서로 상이한 파장의 광을 발광하는 제 1 발광층 및 제 2 발광층을 갖고,
상기 제 1 반도체층은, 상기 제 1 발광층에 접합되는 제 1 층 및 상기 제 2 발광층에 접합되는 제 3 층을 갖고, 상기 제 2 반도체층은, 상기 제 1 발광층에 접합되는 제 2 층 및 상기 제 2 발광층에 접합되는 제 4 층을 갖고,
상기 발광부는, 각각 제 1 발광층 및 제 2 발광층을 포함하는 제 1 발광부 및 제 2 발광부를 갖고,
상기 제 1 발광층 및 상기 제 2 발광층은, 상기 소정 방향에 관해서 대칭으로 배열되는, 발광 소자. - 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 발광층은, 서로 상이한 파장의 광을 발광하는 제 1 발광층 및 제 2 발광층을 갖고,
상기 제 1 반도체층은, 상기 제 1 발광층에 접합되는 제 1 층, 및 상기 제 2 발광층에 접합되는 제 3 층을 갖고, 상기 제 2 반도체층은, 상기 제 1 발광층에 접합되는 제 2 층, 및 상기 제 2 발광층에 접합되는 제 4 층을 갖고,
상기 발광부는, 각각 제 1 발광층 및 제 2 발광층을 포함하는 제 1 발광부 및 제 2 발광부를 갖고,
상기 제 2 발광부는, 상기 소정 방향에 관해서, 상기 제 3 층, 상기 제 2 발광층, 상기 제 4 층, 상기 제 2 발광층, 및 상기 제 3 층을 차례로 늘어놓아 배열하여 형성되는, 발광 소자. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 발광부는, 상기 소정 방향에 관해서, 일단측에 상기 제 3 층 및 상기 제 2 발광층이 배열되고, 타단측에 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 층이 배열되는. 발광 소자. - 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
복수의 상기 발광층은, 상기 제 1 및 제 2 발광층과 상이한 파장의 광을 발광하는 제 3 발광층을 갖고,
상기 제 1 반도체층은, 상기 제 3 발광층에 접합되는 제 5 층을 갖고, 상기 제 2 반도체층은, 상기 제 3 발광층에 접합되는 제 6 층을 갖고,
상기 발광부는, 상기 제 3 발광층을 포함하는 제 3 발광부를 갖고,
상기 제 1 발광부, 상기 제 2 발광부, 및 상기 제 3 발광부는, 상기 소정 방향에 관해서 대칭으로 배열되는, 발광 소자. - 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광부는, 대응하는 상기 발광층에 있어서 발광하는 상기 광의 색에 따라, 크기가 상이한, 발광 소자. - 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 또는 제 2 발광부의 적어도 일방은, 원 혹은 다각형의 바닥면과, 상기 소정 방향의 높이를 갖는 원기둥 혹은 다각기둥인, 발광 소자. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 또는 제 2 발광부의 적어도 일방은, 대응하는 상기 발광층에 있어서 발광하는 상기 광의 색에 따라, 상기 바닥면 또는 상기 높이의 적어도 일방이 상이한, 발광 소자. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 발광층은, 녹색 파장의 광을 발광하는 녹색 발광층을 갖고, 상기 소정 방향에 관해서 상기 녹색 발광층이 중심으로 배열되는, 발광 소자. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자와,
상기 발광층에 전력을 공급하는 배선이 형성되고, 상기 발광 소자가 접합되는 기판을 구비하는, 표시 장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 발광 소자와 상기 배선이 접속되는 소정 위치에 상기 발광 소자를 유도하는 가이드부를 구비하는, 표시 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 가이드부는, 상기 발광 소자의 측면이 상기 기판과 접촉하도록 형성되는, 표시 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 가이드부는, 상기 발광 소자의 바닥면이 상기 기판과 접촉하도록 형성되는, 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 제조하는 제조 방법으로서,
상기 발광 소자를 형성하도록 복수의 상기 발광층과 복수의 상기 반도체층을 상기 소정 방향에 관해서 늘어놓아 접합하는 것과,
접합된 상기 발광 소자를, 상기 소정 방향과 교차하는 방향에 관해, 잘라 나누는 것을 포함하는, 발광 소자의 제조 방법. - 제 19 항에 있어서,
복수의 상기 발광층은, 서로 상이한 파장의 광을 발광하는 제 1 발광층, 제 2 발광층, 및 제 3 발광층을 갖고,
상기 반도체층은, 각각 상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층, 및 상기 제 3 발광층에 접합되는 복수의 층을 갖고,
상기 접합하는 것은,
상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층, 및 상기 제 3 발광층과, 대응하는 상기 반도체층의 층을 접합하여 제 1 발광부, 제 2 발광부, 및 제 3 발광부가 형성된 제 1 기판, 제 2 기판, 및 제 3 기판을 제조하는 것과,
상기 제 1 기판, 상기 제 2 기판, 및 상기 제 3 기판을 상기 소정 방향에 관해서 늘어놓아 절연성의 접착제를 개재하여 첩합 (貼合) 하는 것을 포함하는, 발광 소자의 제조 방법. - 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치를 제조하는 제조 방법으로서,
상기 기판 상에 있어서, 복수의 상기 발광 소자를 산란하는 것과,
산란된 상기 발광 소자와 상기 기판을 접합하는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제 21 항에 있어서,
상기 산란하는 것은, 서로 상이한 크기를 갖는 복수의 상기 발광 소자를 상기 기판 상에 산란하는 것을 포함하는. 표시 장치의 제조 방법. - 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
상기 발광 소자와 상기 배선이 접속되는 소정 위치에 상기 발광 소자를 수용 가능한 복수의 개구가 형성된 가이드부를 상기 기판을 따라 배치하는 것을 포함하고,
상기 산란하는 것은, 상기 가이드부의 복수의 상기 개구에 각각 상기 발광 소자가 수용되도록, 복수의 상기 발광 소자를 상기 가이드부 상에 산란하는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제 23 항에 있어서,
상기 산란하는 것은, 상기 소정 위치에 위치하는 상기 발광 소자가 어긋나지 않도록 상기 기판이 갖는 흡인공을 통해서, 상기 기판 상에 상기 발광 소자를 고정시키는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
상기 가이드부는, 상기 발광 소자의 바닥면이 상기 기판과 접촉하도록 상기 발광 소자를 유도하는 제 1 가이드부와, 상기 제 1 가이드부에 의해 상기 바닥면과 상기 기판이 접촉한 상기 발광 소자의 측면이 상기 기판과 접촉하도록 이동 가능하고 상기 개구가 형성된 제 2 가이드부를 갖고,
상기 산란하는 것은, 상기 제 1 가이드부를 통해서 상기 발광 소자의 상기 바닥면이 상기 기판과 접촉하도록 상기 발광 소자를 상기 제 2 가이드부의 상기 개구에 유도하는 것과, 상기 발광 소자의 측면이 상기 기판과 접촉하도록 상기 제 2 가이드부를 이동시키는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제 23 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 소자와 상기 기판이 접합된 후, 상기 가이드부를 상기 기판 상으로부터 없애는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제 21 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접합하는 것은, 상기 발광 소자와 상기 기판을 열 처리에 의해 접합하는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제 21 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산란하는 것은, 이오나이저에 의해 제전된 상기 발광 소자를 상기 기판 상에 산란하는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2017-226750 | 2017-11-27 | ||
| JP2017226750 | 2017-11-27 | ||
| PCT/JP2018/042613 WO2019102955A1 (ja) | 2017-11-27 | 2018-11-19 | 発光素子及び表示装置、並びにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200088347A true KR20200088347A (ko) | 2020-07-22 |
Family
ID=66630957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207015071A KR20200088347A (ko) | 2017-11-27 | 2018-11-19 | 발광 소자 및 표시 장치, 그리고 그 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPWO2019102955A1 (ko) |
| KR (1) | KR20200088347A (ko) |
| CN (1) | CN111418077A (ko) |
| TW (2) | TW202046382A (ko) |
| WO (1) | WO2019102955A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022086277A1 (ko) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368282A (ja) | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143678A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Fujitsu Ltd | 発光トランジスタ |
| JPH0652806B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1994-07-06 | 圭弘 浜川 | 半導体発光素子の製造方法 |
| US5824186A (en) * | 1993-12-17 | 1998-10-20 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| JP3195720B2 (ja) * | 1994-12-20 | 2001-08-06 | シャープ株式会社 | 多色ｌｅｄ素子およびその多色ｌｅｄ素子を用いたｌｅｄ表示装置、並びに多色ｌｅｄ素子の製造方法 |
| JPH11163397A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JP3829594B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 素子実装方法と光伝送装置 |
| JP3844061B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2006-11-08 | ソニー株式会社 | 電子部品の配置方法及びその装置 |
| JP4082031B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2008-04-30 | ソニー株式会社 | 素子の配列方法、及び表示装置 |
| JP2006173326A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置 |
| US7381995B2 (en) * | 2005-03-16 | 2008-06-03 | Industrial Technology Research Institute | Lighting device with flipped side-structure of LEDs |
| TWI279165B (en) * | 2005-08-09 | 2007-04-11 | Au Optronics Corp | White organic light emitting diode |
| CN101263610B (zh) * | 2005-09-30 | 2013-03-13 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 具有竖直堆叠发光二极管的发光器件 |
| JP2007227682A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP5057824B2 (ja) * | 2007-04-04 | 2012-10-24 | 株式会社 ハリーズ | 電子部品の製造方法 |
| KR101058880B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2011-08-25 | 서울대학교산학협력단 | 액티브 소자를 구비한 ｌｅｄ 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR101191869B1 (ko) * | 2011-06-08 | 2012-10-16 | 주식회사 프로텍 | Ｌｅｄ 소자 제조 방법 |
| TWI493751B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-07-21 | 華夏光股份有限公司 | 堆疊結合發光二極體 |
| TW201344955A (zh) * | 2012-04-27 | 2013-11-01 | Phostek Inc | 發光二極體裝置 |
| TWI506813B (zh) * | 2013-04-09 | 2015-11-01 | Unity Opto Technology Co Ltd | Single crystal dual light source light emitting element |
| US10510973B2 (en) * | 2014-12-17 | 2019-12-17 | Universal Display Corporation | Color-stable organic light emitting diode stack |
| CN105977392A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 三原色白光oled器件结构及其电致发光器件和显示器件 |
-
2018
- 2018-11-13 TW TW109116812A patent/TW202046382A/zh unknown
- 2018-11-13 TW TW107140131A patent/TWI697035B/zh active
- 2018-11-19 WO PCT/JP2018/042613 patent/WO2019102955A1/ja active Application Filing
- 2018-11-19 KR KR1020207015071A patent/KR20200088347A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-11-19 CN CN201880076745.2A patent/CN111418077A/zh active Pending
- 2018-11-19 JP JP2019555292A patent/JPWO2019102955A1/ja active Pending
-
2023
- 2023-08-04 JP JP2023127536A patent/JP2023156400A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368282A (ja) | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022086277A1 (ko) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023156400A (ja) | 2023-10-24 |
| CN111418077A (zh) | 2020-07-14 |
| WO2019102955A1 (ja) | 2019-05-31 |
| TWI697035B (zh) | 2020-06-21 |
| TW201937556A (zh) | 2019-09-16 |
| TW202046382A (zh) | 2020-12-16 |
| JPWO2019102955A1 (ja) | 2021-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |