KR20200083641A - 반도체 메모리를 위한 메모리 명령을 포함하는 장치 및 방법 - Google Patents
반도체 메모리를 위한 메모리 명령을 포함하는 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200083641A KR20200083641A KR1020207018616A KR20207018616A KR20200083641A KR 20200083641 A KR20200083641 A KR 20200083641A KR 1020207018616 A KR1020207018616 A KR 1020207018616A KR 20207018616 A KR20207018616 A KR 20207018616A KR 20200083641 A KR20200083641 A KR 20200083641A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- clock signal
- command
- clock
- timing
- data
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
- G06F13/1689—Synchronisation and timing concerns
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/32—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/30—Arrangements for executing machine instructions, e.g. instruction decode
- G06F9/30145—Instruction analysis, e.g. decoding, instruction word fields
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/023—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in clock generator or timing circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/028—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
반도체 메모리를 위한 메모리 명령을 포함하는 장치 및 방법이 설명된다. 제어기는 메모리에 액세스하기 위해 메모리 명령을 메모리 시스템에 제공한다. 상기 명령은 메모리 어레이에 액세스하기 위한 동작과 같은 동작을 수행하기 위한 내부 신호 및 명령을 제공하도록 디코딩된다. 상기 메모리에 액세스하기 위해 제공된 상기 메모리 명령은 타이밍 명령 및 액세스 명령을 포함할 수 있다. 액세스 명령의 예로는 판독 명령과 기입 명령이 있다. 타이밍 명령은 예를 들어 대응하는 액세스 명령에 대한 다양한 동작의 타이밍을 제어하는데 사용될 수 있다. 상기 타이밍 명령은 액세스 명령에 대한 연관된 액세스 동작 동안 다양한 동작 모드를 설정하는 연산 코드를 포함할 수 있다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2017년 11월 29일자로 출원된 미국 가출원 번호 62/592,208의 출원의 이익을 주장한다. 본 출원은 전체 내용이 모든 목적을 위해 본 명세서에 병합된다.
반도체 메모리는 나중에 검색될 수 있는 데이터를 저장하기 위해 많은 전자 시스템에서 사용된다. 전자 시스템이 더 빨라지고, 더 큰 메모리 용량을 가지며, 더 적은 전력을 소비하는 것에 대한 요구가 증가함에 따라, 변하는 요구를 충족시키기 위해 더 빠르게 액세스되고 더 많은 데이터를 저장하며 더 적은 전력을 사용하는 반도체 메모리가 지속적으로 개발되고 있다. 개발의 일부는 전자 시스템에서 메모리의 성능을 개선하기 위해 한 세대에서부터 그 다음 세대로 사양이 변하면서 반도체 메모리를 제어하고 액세스하기 위한 새로운 사양을 만드는 것을 포함한다.
반도체 메모리는 일반적으로 메모리에 명령 신호, 어드레스 신호, 클록 신호를 제공함으로써 제어된다. 다양한 신호는 예를 들어 메모리 제어기에 의해 제공될 수 있다. 명령 신호는 어드레스 신호에 대응하는 메모리 위치에서 다양한 메모리 동작, 예를 들어, 메모리로부터 데이터를 검색하기 위한 판독 동작 및 데이터를 메모리에 저장하기 위한 기입 동작을 수행하도록 반도체 메모리를 제어할 수 있다. 데이터는 메모리에 의해 연관된 명령을 수신한 것에 대해 알려진 타이밍으로 제어기와 메모리 사이에 제공될 수 있다. 알려진 타이밍은 일반적으로 대기 시간 정보로 정의된다. 대기 시간 정보는 시스템 클록 신호(CK 및 CKF)의 클록 사이클의 수로 정의될 수 있다.
새로 개발된 메모리에서, 메모리에는 예를 들어 타이밍 명령 신호 및 어드레스 신호에 대해 사용되는 시스템 클록 신호가 제공될 수 있고, 나아가 메모리에는 메모리에 의해 제공되는 판독 데이터의 타이밍을 위해 및 메모리에 제공되는 기입 데이터의 타이밍을 위해 사용되는 데이터 클록 신호가 제공될 수 있다. 메모리는 또한 제어기에 제공되는 데이터의 타이밍을 위해 클록 신호를 제어기에 제공할 수 있다.
클록 신호가 제공되는 시기, 데이터가 제공되거나 수신되는 시기 등의 타이밍을 포함하여, 제어기에 의해 제공되고 메모리에 의해 수신된 다양한 메모리 명령의 타이밍은 메모리의 성능을 제어하는데 사용될 수 있다. 서로에 대해 다양한 메모리 명령의 타이밍의 제한 조건은 메모리에 의해 덜 바람직한 성능을 초래할 수 있다. 이와 같이, 바람직한 메모리 성능을 제공하기 위해 유연한 타이밍으로 메모리 명령을 갖는 것이 바람직할 수 있다.
반도체 메모리를 위한 메모리 명령을 포함하는 장치 및 방법이 설명된다.
예시적인 장치는 데이터 클록 경로, 명령 입력 회로 및 명령 디코더를 포함한다. 상기 데이터 클록 경로는 인에이블될 때 데이터 클록 신호를 수신하도록 구성된 입력 버퍼를 포함한다. 상기 데이터 클록 경로는 상기 데이터 클록 신호에 기초하여 복수의 내부 클록 신호를 제공하도록 구성된다. 상기 데이터 클록 경로는 상기 복수의 내부 클록 신호 중 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 구성된 클록 신호 동기화 회로를 더 포함한다. 상기 명령 입력 회로는 액세스 명령 및 상기 액세스 명령과 연관된 타이밍 명령을 수신하도록 구성된다. 상기 명령 입력 회로는 상기 액세스 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 액세스 명령을 제공하고, 상기 타이밍 명령 중 제1 타이밍 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 제1 타이밍 명령을 제공하고, 상기 타이밍 명령 중 제2 타이밍 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 제2 타이밍 명령을 제공하도록 더 구성된다. 상기 명령 디코더는 상기 명령 입력 회로에 결합되고, 상기 내부 액세스 명령을 디코딩하고, 대응하는 액세스 동작을 수행하기 위해 내부 액세스 제어 신호를 제공하도록 구성되고, 상기 내부 타이밍 명령을 디코딩하고, 상기 데이터 클록 경로의 상기 입력 버퍼를 인에이블하고, 상기 타이밍 명령에 포함된 연산 코드(opcode)에 기초하여 시간에 상기 복수의 내부 클록 신호 중 상기 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 상기 클록 신호 동기화 회로를 제어하도록 더 구성된다.
다른 예시적인 장치는, 명령 버스 및 클록 버스에 결합되도록 구성되고, 상기 명령 버스를 통해 타이밍 명령 및 액세스 명령을 메모리에 제공하도록 더 구성된 제어기를 포함한다. 상기 타이밍 명령은 클록 신호의 제1 클록 에지에서 제공된 제1 부분, 및 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에서 제공된 제2 부분을 포함한다. 상기 제1 부분은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블 또는 디스에이블하기 위한 값을 포함하기 위한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함한다. 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션에 대한 클록 신호 동기화 동작의 지연에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 연산 코드 필드를 포함한다. 상기 제어기는 상기 연산 코드 값에 대응하는 지연에 따라 상기 타이밍 명령 이후의 시간에 상기 클록 버스를 통해 데이터 클록 신호를 상기 메모리에 제공하도록 더 구성된다.
다른 예시적인 장치는, 명령 버스 및 클록 버스에 결합되도록 구성되고 상기 명령 버스를 통해 타이밍 명령 및 액세스 명령을 수신하도록 더 구성된 메모리를 포함한다. 상기 타이밍 명령은 클록 신호의 제1 클록 에지에서 제공된 제1 부분, 및 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에서 제공된 제2 부분을 포함한다. 상기 제1 부분은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블 또는 디스에이블하기 위한 값을 포함하기 위한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함한다. 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션에 대한 클록 신호 동기화 동작의 지연에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 연산 코드 필드를 포함한다. 상기 메모리는 상기 클록 버스에 결합된 데이터 클록 입력 버퍼를 포함한다. 상기 메모리는 상기 연산 코드 값에 대응하는 지연에 따라 상기 타이밍 명령 이후의 시간에 상기 클록 버스를 통해 데이터 클록 신호를 수신하도록 상기 클록 입력 버퍼를 활성화하도록 더 구성된다.
예시적인 방법은 메모리에 타이밍 명령을 제공하는 단계, 상기 메모리에 액세스 명령을 제공하는 단계, 및 상기 메모리에 데이터 클록 신호를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 타이밍 명령은, 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하고, 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 메모리가 상기 타이밍 명령 이후 클록 신호 동기화 동작을 수행하는 시기에 지연을 설정하도록 구성된다. 상기 액세스 명령은 상기 타이밍 명령과 연관된다. 상기 데이터 클록 신호는 상기 타이밍 명령에 의해 설정된 지연에 기초하여 시간에 상기 메모리에 의해 동기화되도록 상기 메모리에 제공된다.
다른 예시적인 방법은 타이밍 명령을 수신하는 단계, 액세스 명령을 수신하는 단계, 및 데이터 클록 신호 및 이로부터 생성된 내부 클록 신호를 동기화하는 단계를 포함한다. 상기 타이밍 명령은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하고, 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 타이밍 명령 이후 클록 신호 동기화 동작이 수행되는 시기에 지연을 설정하도록 구성된다. 상기 액세스 명령은 상기 타이밍 명령과 연관된다. 상기 데이터 클록 신호 및 상기 내부 클록 신호는 상기 타이밍 명령에 의해 설정된 지연에 기초하여 시간에 동기화된다.
다른 예시적인 장치는 데이터 클록 경로, 명령 입력 회로 및 명령 디코더를 포함한다. 상기 데이터 클록 경로는 인에이블될 때 데이터 클록 신호를 수신하도록 구성된 입력 버퍼를 포함한다. 상기 데이터 클록 경로는 상기 데이터 클록 신호에 기초하여 복수의 내부 클록 신호를 제공하도록 구성된다. 상기 데이터 클록 경로는 상기 복수의 내부 클록 신호 중 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 구성된 클록 신호 동기화 회로를 더 포함한다. 상기 명령 입력 회로는 액세스 명령 및 상기 액세스 명령과 연관된 타이밍 명령을 수신하도록 구성된다. 상기 명령 입력 회로는 상기 액세스 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 액세스 명령을 제공하고, 상기 타이밍 명령 중 제1 타이밍 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 제1 타이밍 명령을 제공하고, 상기 타이밍 명령 중 제2 타이밍 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 제2 타이밍 명령을 제공하도록 더 구성된다. 상기 명령 디코더는 상기 명령 입력 회로에 결합되고, 상기 내부 액세스 명령을 디코딩하고, 대응하는 액세스 동작을 수행하기 위해 내부 액세스 제어 신호를 제공하도록 구성된다. 상기 명령 디코더는 상기 내부 타이밍 명령을 디코딩하고, 상기 데이터 클록 경로의 상기 입력 버퍼를 인에이블하고, 상기 타이밍 명령에 포함된 연산 코드에 기초하여 상기 입력 버퍼를 디스에이블하는 것을 지연시키도록 구성된다. 상기 명령 디코더는 상기 복수의 내부 클록 신호 중 상기 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 상기 클록 신호 동기화 회로를 제어하도록 더 구성된다.
다른 예시적인 장치는, 명령 버스 및 클록 버스에 결합되도록 구성되고 상기 명령 버스를 통해 타이밍 명령 및 액세스 명령을 메모리에 제공하도록 더 구성된 제어기를 포함한다. 상기 타이밍 명령은 클록 신호의 제1 클록 에지에서 제공된 제1 부분, 및 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에서 제공된 제2 부분을 포함한다. 상기 제1 부분은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블 또는 디스에이블하기 위한 값을 포함하기 위한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함한다. 상기 제2 부분은 상기 메모리의 입력 버퍼가 인에이블된 상태에 유지되는 시간에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 연산 코드 필드를 포함한다. 상기 제어기는 상기 타이밍 명령에 응답하여 인에이블되는 상기 입력 버퍼에 데이터 클록 신호를 제공하도록 더 구성된다.
다른 예시적인 장치는, 명령 버스 및 클록 버스에 결합되도록 구성되고 상기 명령 버스를 통해 타이밍 명령 및 액세스 명령을 수신하도록 더 구성된 메모리를 포함한다. 상기 타이밍 명령은 클록 신호의 제1 클록 에지에서 제공된 제1 부분, 및 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에서 제공된 제2 부분을 포함한다. 상기 제1 부분은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블 또는 디스에이블하기 위한 값을 포함하기 위한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함한다. 상기 제2 부분은 상기 클록 버스에 결합된 상기 메모리의 클록 입력 버퍼가 상기 액세스 명령의 액세스 동작 이후 인에이블된 상태에 유지되는 시간에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 연산 코드 필드를 포함한다. 상기 메모리는 상기 타이밍 명령 이후의 시간에 상기 클록 버스를 통해 데이터 클록 신호를 수신하도록 상기 클록 입력 버퍼를 활성화시키도록 더 구성된다.
다른 예시적인 방법은 메모리에 타이밍 명령을 제공하는 단계, 상기 메모리에 액세스 명령을 제공하는 단계, 및 상기 메모리에 의해 동기화되도록 상기 메모리의 상기 입력 버퍼에 데이터 클록 신호를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 타이밍 명령은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하고, 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 타이밍 명령과 연관된 상기 액세스 명령 이후 상기 메모리의 입력 버퍼가 디스에이블되는 시기에 지연을 설정하도록 구성된다.
다른 예시적인 방법은, 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하고, 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 타이밍 명령과 연관된 액세스 명령 이후 입력 버퍼가 디스에이블되는 시기에 지연을 설정하도록 구성된 타이밍 명령을 수신하는 단계; 상기 액세스 명령을 수신하는 단계; 데이터 클록 신호 및 이로부터 생성된 내부 클록 신호를 동기화하는 단계; 및 상기 타이밍 명령에 의해 설정된 지연에 기초하여 상기 입력 버퍼가 디스에이블되는 시기를 지연시키는 단계를 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 시스템의 블록도;
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 장치의 블록도;
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 경로 및 데이터 클록 경로의 블록도;
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 신호들 사이의 제1 위상 관계 및 제2 위상 관계를 도시하는 타이밍도;
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 IO 회로의 일부의 블록도;
도 6a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 타이밍 명령을 위한 명령 구조를 도시하는 도면;
도 6b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화 옵션을 위한 연산 코드를 도시하는 도면;
도 7a(도 7aa 및 도 7ab를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 신호 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도;
도 7b(도 7ba 및 도 7bb를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도;
도 7c(도 7ca 및 도 7cb를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도;
도 8(도 8a 및 도 8b를 포함)은 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 신호 동기화로 랭크별 기입 동작(rank-to-rank write operation)을 위한 타이밍도;
도 9(도 9a 및 도 9b를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 신호 동기화로 랭크별 기입 동작을 위한 타이밍도;
도 10a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 타이밍 명령에 대한 명령 구조를 도시하는 도면;
도 10b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화 옵션을 위한 연산 코드를 도시하는 도면;
도 10c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화 옵션을 위한 연산 코드를 도시하는 도면; 및
도 11(도 11a 및 도 11b를 포함)은 본 발명의 일 실시형태에 따른 랭크별 액세스 동작 동안 다양한 신호에 대한 타이밍도.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 장치의 블록도;
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 경로 및 데이터 클록 경로의 블록도;
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 신호들 사이의 제1 위상 관계 및 제2 위상 관계를 도시하는 타이밍도;
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 IO 회로의 일부의 블록도;
도 6a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 타이밍 명령을 위한 명령 구조를 도시하는 도면;
도 6b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화 옵션을 위한 연산 코드를 도시하는 도면;
도 7a(도 7aa 및 도 7ab를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 신호 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도;
도 7b(도 7ba 및 도 7bb를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도;
도 7c(도 7ca 및 도 7cb를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도;
도 8(도 8a 및 도 8b를 포함)은 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 신호 동기화로 랭크별 기입 동작(rank-to-rank write operation)을 위한 타이밍도;
도 9(도 9a 및 도 9b를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 신호 동기화로 랭크별 기입 동작을 위한 타이밍도;
도 10a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 타이밍 명령에 대한 명령 구조를 도시하는 도면;
도 10b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화 옵션을 위한 연산 코드를 도시하는 도면;
도 10c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 클록 신호 동기화 옵션을 위한 연산 코드를 도시하는 도면; 및
도 11(도 11a 및 도 11b를 포함)은 본 발명의 일 실시형태에 따른 랭크별 액세스 동작 동안 다양한 신호에 대한 타이밍도.
본 발명의 예를 충분히 이해하기 위해 특정 세부 사항이 아래에 제시된다. 그러나, 본 발명의 예는 이들 특정 세부 사항 없이 실시될 수 있다는 것은 이 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다. 또한, 본 명세서에 설명된 본 발명의 특정 예는 본 발명의 범위를 이들 특정 예로 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 다른 경우에, 잘 알려진 회로, 제어 신호, 타이밍 프로토콜 및 소프트웨어 동작은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해 상세하게 도시되지 않았다. 추가적으로, "결합" 및 "결합된"과 같은 용어는 2개의 구성 요소가 직접 또는 간접 전기적으로 결합될 수 있는 것을 의미한다. 간접 결합된이라는 것은 2개의 구성 요소가 하나 이상의 중간 구성 요소를 통해 결합된 것을 의미할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 시스템(100)의 블록도이다. 시스템(100)은 제어기(10) 및 메모리 시스템(105)을 포함한다. 메모리 시스템(105)은 메모리(110(0)-110(p))(예를 들어, "디바이스0" 내지 "디바이스p")를 포함하고, 여기서 p는 0이 아닌 정수이다. 메모리(110)는 본 발명의 일부 실시형태에서 저전력 이중 데이터 레이트(low power double data rate: LPDDR) DRAM과 같은 동적 랜덤 액세스 메모리(Dynamic Random Access Memory: DRAM)일 수 있다. 메모리(110(0)-110(p))는 명령/어드레스, 데이터 및 클록 버스에 각각 결합된다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 메모리(110(0)-110(p))는 메모리의 랭크로서 구성된다. 이러한 실시형태에서, 메모리는 메모리의 랭크에 의해 액세스될 수 있다. 제어기(10)와 메모리 시스템(105)은 여러 버스를 통해 통신한다. 예를 들어, 명령 및 어드레스는 명령/어드레스 버스(115)를 통해 메모리 시스템(105)에 의해 수신되고, 데이터는 데이터 버스(125)를 통해 제어기(10)와 메모리 시스템(105) 사이에 제공된다. 다양한 클록 신호가 클록 버스(130)를 통해 제어기와 메모리 시스템(105) 사이에 제공될 수 있다. 클록 버스(130)는 메모리 시스템(105)에 의해 수신된 시스템 클록 신호(CK 및 CKF)를 제공하기 위한 신호 라인, 메모리 시스템(105)에 의해 수신된 데이터 클록 신호(WCK 및 WCKF), 및 메모리 시스템(105)에 의해 제어기(10)에 제공되는 액세스 데이터 클록 신호(RDQS)를 포함할 수 있다. 각각의 버스는 신호가 제공되는 하나 이상의 신호 라인을 포함할 수 있다.
제어기(10)에 의해 메모리 시스템(105)에 제공되는 CK 및 CKF 신호는 명령 및 어드레스의 제공 및 수신을 타이밍하기 위해 사용된다. WCK 및 WCKF 신호 및 RDQS 신호는 데이터의 제공을 타이밍하기 위해 사용된다. CK 및 CKF 신호는 상보적이고 WCK 및 WCKF 신호는 상보적이다. 클록 신호는 제1 클록 신호의 상승 에지가 제2 클록 신호의 하강 에지와 동시에 발생할 때 그리고 제2 클록 신호의 상승 에지가 제1 클록 신호의 하강 에지와 동시에 발생할 때 상보적이다. 제어기(10)에 의해 메모리 시스템(105)에 제공되는 WCK 및 WCKF 신호는 또한 제어기(10)에 의해 메모리 시스템(105)에 제공되는 CK 및 CKF 신호에 동기화될 수 있다. 추가적으로, WCK 및 WCKF 신호는 CK 및 CKF 신호보다 더 높은 클록 주파수를 가질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시형태에서, WCK 및 WCKF 신호는 CK 및 CKF 신호의 클록 주파수의 4배인 클록 주파수를 갖는다. WCK 및 WCKF 신호는 액세스 동작을 위한 타이밍 성능을 향상시키기 위해 액세스 동작 동안 제어기(10)에 의해 메모리 시스템(105)에 지속적으로 제공될 수 있다(예를 들어, WCK 항상 온(on) 옵션이 인에이블됨). 그러나 WCK 및 WCKF 신호를 지속적으로 제공하면 시스템의 전력 소비가 증가한다. 전력 소비가 우려되는 경우, 제어기(10)는 WCK 및 WCKF 신호를 지속적으로 제공하지 않는다(예를 들어, WCK는 항상 온 옵션이 디스에이블됨). 예를 들어, 제어기는 액세스 동작에 필요할 때 WCK 및 WCKF 신호를 제공한다. WCK 및 WCKF 신호는, 예를 들어, WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 내부 클록 신호가 생성되기에 충분한 시간을 제공하기 위해 사양에 의해 정의될 수 있는 시간에 메모리에 제공된다.
제어기(10)는 메모리 동작을 수행하기 위해 명령을 메모리 시스템(105)에 제공한다. 메모리 명령의 비-제한적 예는 다양한 동작의 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 명령, 메모리에 액세스하기 위한 액세스 명령, 예를 들어, 판독 동작을 수행하기 위한 판독 명령 및 기입 동작을 수행하기 위한 기입 명령, 모드 레지스터 기입 및 판독 동작을 수행하기 위한 모드 레지스터 기입 및 판독 명령, 및 다른 명령 및 동작을 포함한다. 제어기(10)에 의해 메모리 시스템(105)에 제공되는 명령 신호는 선택 신호(예를 들어, 칩 선택 CS 신호(CS0, CS1, CSp))를 더 포함한다. 모든 메모리(110)에 명령, 어드레스, 데이터 및 클록 신호가 제공되지만, 각각의 선택 신호 라인 상에 제공된 선택 신호는, 명령에 응답하고 대응하는 동작을 수행하는 메모리(110)가 어느 것인지를 선택하는데 사용된다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 각각의 선택 신호는 메모리 시스템(105)의 각각의 메모리(110)에 제공된다. 제어기(10)는 대응하는 메모리(110)를 선택하기 위해 활성 선택 신호를 제공한다. 각각의 선택 신호가 인에이블되는 동안, 대응하는 메모리(100)는 명령/어드레스 버스(115) 상에 제공된 명령 및 어드레스를 수신하도록 선택된다.
동작 시, 판독 명령 및 연관된 어드레스가 제어기(10)에 의해 메모리 시스템(105)에 제공될 때, 선택 신호에 의해 선택된 메모리(110)는 판독 명령 및 연관 어드레스를 수신하고, 연관 어드레스에 대응하는 메모리 위치로부터 판독된 데이터를 제어기(10)에 제공하기 위한 판독 동작을 수행한다. 판독 데이터는 판독 명령을 수신하는 것에 대한 타이밍에 따라 선택된 메모리(110)에 의해 제어기(10)에 제공된다. 예를 들어, 타이밍은 판독된 데이터가 선택된 메모리(110)에 의해 제어기(10)에 제공될 때 판독 명령 후에 CK 및 CKF 신호의 클록 사이클의 수(CK 및 CKF 신호의 클록 사이클은 tCK로 지칭됨)를 나타내는 판독 대기 시간(RL) 값에 기초할 수 있다. RL 값은 제어기(10)에 의해 메모리(110)에 프로그래밍된다. 예를 들어, RL 값은 메모리(110)의 각각의 모드 레지스터에 프로그래밍될 수 있다. 알려진 바와 같이 메모리(110) 각각에 포함된 모드 레지스터는, 다양한 동작 모드를 설정하고 및/또는 메모리의 동작을 위한 기능을 선택하기 위한 정보로 프로그래밍될 수 있다. 설정 중 하나는 RL 값에 대한 것일 수 있다.
판독된 데이터를 제어기(10)에 제공하는 선택된 메모리(110)를 준비할 때, 제어기는 활성 WCK 및 WCKF 신호를 메모리 시스템(105)에 제공한다. WCK 및 WCKF 신호는 선택된 메모리(110)에 의해 액세스 데이터 클록 신호(RDQS)를 생성하기 위해 사용될 수 있다. 클록 신호는 클록 신호가 주기적으로 낮은 클록 레벨과 높은 클록 레벨 사이에서 전이될 때 활성이다. 반대로, 클록 신호는 클록 신호가 일정한 클록 레벨을 유지하고 주기적으로 전이하지 않으면 비활성이다. RDQS 신호는 제어기(10)에 판독 데이터의 제공을 타이밍하기 위해 판독 동작을 수행하는 메모리(110)에 의해 제어기(10)에 제공된다.
제어기(10)는 판독 데이터를 수신하기 위해 RDQS 신호를 사용할 수 있다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 제어기(10)는 판독 데이터를 수신하기 위해 RDQS 신호를 사용하기 위해 2가지 모드를 갖는다. 제1 모드에서, 제어기(10)는 RDQS 신호를 사용하여 선택된 메모리(110)로부터 판독된 데이터를 캡처하기 위한 회로부의 타이밍을 제어할 수 있다. 제2 모드에서, 제어기(10)는 RDQS 신호로부터 클록 타이밍을 복구하고, 복구된 타이밍에 기초하여 내부 타이밍 신호를 생성할 수 있다. 내부 타이밍 신호는 선택된 메모리(110)로부터 판독된 데이터를 캡처하기 위해 회로부의 타이밍을 제어하기 위해 제어기(10)에 의해 사용될 수 있다.
제어기(10)는 제어기(10)에 의해 RDQS 신호가 사용되는 모드가 어느 모드인지를 나타내기 위해 메모리 시스템(105)에 정보를 (예를 들어, 명령으로) 제공한다. 메모리 시스템(105)은 제어기(10)에 의해 지시된 모드에 따라 상이한 타이밍으로 RDQS 신호를 제어기(10)에 제공한다. 예를 들어, 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, RDQS 신호는 제1 모드 동안 제1 타이밍을 제어기(10)에 제공될 수 있고, 제2 모드 동안 제2 타이밍을 제어기(10)에 제공될 수 있고, 여기서 제2 타이밍은 제1 모드에 비해 상대적으로 앞선다(예를 들어, 더 이르다). RDQS 신호를 제어기(10)에 제공하는 메모리 시스템(105)의 타이밍이 더 앞서면 판독 대기 시간 값(RL)에 의해 수립된 데이터 타이밍을 충족시키기 위해 데이터가 메모리 시스템(105)에 의해 제공되기 전에 제어기(10)가 RDQS 신호로부터 클록 타이밍을 복구하는 데 더 많은 시간을 줄 수 있다.
동작 시, 기입 명령 및 연관 어드레스가 제어기(10)에 의해 메모리 시스템(105)에 제공될 때, 선택 신호에 의해 선택된 메모리(110)는 기입 명령 및 연관된 어드레스를 수신하고, 제어기(10)로부터 데이터를 연관된 어드레스에 대응하는 메모리 위치에 기입하기 위한 기입 동작을 수행한다. 기입 데이터는 기입 명령을 수신하는 것에 대한 타이밍에 따라 제어기(10)에 의해 선택된 메모리(110)에 제공된다. 예를 들어, 타이밍은 기입 데이터가 제어기(10)에 의해 선택된 메모리(110)에 제공될 때 기입 명령 후 CK 및 CKF 신호의 클록 사이클의 수를 나타내는 기입 대기 시간(WL) 값에 기초할 수 있다. WL 값은 제어기(10)에 의해 메모리(110)에서 프로그래밍된다. 예를 들어, WL 값은 메모리(110)의 각각의 모드 레지스터에서 프로그래밍될 수 있다.
제어기(10)로부터 기입 데이터를 수신하는 선택된 메모리(110)를 준비할 때, 제어기는 활성 WCK 및 WCKF 신호를 메모리 시스템(105)에 제공한다. WCK 및 WCKF 신호는 기입 데이터를 수신하기 위해 회로의 동작을 타이밍하기 위해 내부 클록 신호를 생성하기 위해 선택된 메모리(110)에 의해 사용될 수 있다. 데이터는 제어기(10)에 의해 제공되고, 선택된 메모리(110)는 WCK 및 WCKF 신호에 따라 기입 데이터를 수신하고, 기입 데이터는 메모리 어드레스에 대응하는 메모리에 기입된다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 장치의 블록도이다. 장치는 반도체 디바이스(200)일 수 있으며, 이와 같이 지칭된다. 일부 실시형태에서, 반도체 디바이스(200)는 예를 들어 단일 반도체 다이에 통합된 LPDDR 메모리와 같은 메모리를 포함할 수 있으나 이로 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 반도체 다이는 반도체 디바이스(200)만을 포함할 수 있다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 반도체 다이는 다른 시스템이 동일한 반도체 다이 상에 통합된 상태로 내장된 반도체 디바이스(200)를 포함할 수 있다. 반도체 디바이스(200)는 본 발명의 일부 실시형태에서 도 2의 메모리 시스템(205)에 포함될 수 있다. 예를 들어, 각각의 메모리(110)는 반도체 디바이스(200)를 포함할 수 있다. 반도체 디바이스(200)는 메모리 어레이(250)를 포함할 수 있다. 메모리 어레이(250)는 복수의 뱅크(bank)를 포함하고, 각각의 뱅크는 복수의 워드 라인(WL), 복수의 비트 라인(BL) 및 복수의 워드 라인(WL)과 복수의 비트 라인(BL)의 교차점에 배열된 복수의 메모리 셀(MC)을 포함한다. 워드 라인(WL)의 선택은 행 디코더(240)에 의해 수행되고, 비트 라인(BL)의 선택은 열 디코더(245)에 의해 수행된다. 감지 증폭기(SAMP)는 대응하는 비트 라인(BL)에 대해 위치되고 적어도 하나에 각각의 로컬 I/O 라인 쌍(LIOT/B)에 연결되고, 이 라인 쌍은 스위치로서 기능하는 전송 게이트(TG)를 통해 적어도 각각의 하나의 주 I/O 라인 쌍(MIOT/B)에 결합된다.
반도체 디바이스(200)는 명령 신호(COMMAND) 및 어드레스 신호(ADDRESS)를 수신하기 위해 명령/어드레스 버스에 결합된 명령/어드레스 단자, 클록 신호(CK 및 CKF)를 수신하기 위한 클록 단자, 데이터 클록 신호(WCK 및 WCKF)를 수신하기 위한 데이터 클록 단자, 데이터 단자(DQ 및 RDQS), 전력 공급 단자(VDD, VSS 및 VDDQ) 및 ZQ 교정 단자(ZQ)를 포함하는 복수의 외부 단자를 사용할 수 있다.
명령/어드레스 단자에는 어드레스 신호 및 뱅크 어드레스 신호가 공급될 수 있다. 명령/어드레스 단자에 공급된 어드레스 신호 및 뱅크 어드레스 신호는 명령/어드레스 입력 회로(205)를 통해 어드레스 디코더(212)에 전송된다. 어드레스 디코더(212)는 어드레스 신호를 수신하고, 디코딩된 행 어드레스 신호(XADD)를 행 디코더(240)에 공급하고, 디코딩된 열 어드레스 신호(YADD)를 열 디코더(245)에 공급한다. 어드레스 디코더(212)는 또한 뱅크 어드레스 신호를 수신하고, 뱅크 어드레스 신호(BADD)를 행 디코더(240), 열 디코더(245)에 공급한다.
명령/어드레스 단자에는, 예를 들어, 메모리 제어기로부터 명령 신호(COMMAND)가 더 공급될 수 있다. 명령 신호(COMMAND)는 명령/어드레스 입력 회로(205)를 통해 명령 디코더(215)에 내부 명령 신호(ICMD)로서 제공될 수 있다. 명령 디코더(215)는 명령 신호에 기초하여 메모리 어레이(250)에 액세스하기 위해, 예를 들어, 판독 명령 또는 기입 명령에 기초하여 각각 메모리 어레이(250)로부터 데이터를 판독하거나 메모리 어레이에 데이터를 기입하기 위해 동작을 수행하기 위한 다양한 내부 신호 및 명령을 생성하기 위해, 예를 들어, 반도체 디바이스(200)의 회로를 제어하기 위한 내부 신호를 생성하기 위해 내부 명령 신호(ICMD)를 디코딩하는 회로를 포함한다. 다른 예는 동작을 수행하기 위한 회로를 인에이블하기 위한 내부 신호, 예를 들어, 클록 신호를 수신하는 신호 입력 버퍼를 인에이블하기 위해 제어 신호를 제공하는 것일 수 있다.
판독 명령이 발행되고 판독 명령에 행 어드레스 및 열 어드레스가 적시에 공급될 때, 판독 데이터는 이 행 어드레스 및 열 어드레스에 의해 지정된 메모리 어레이(250)의 메모리 셀로부터 판독된다. 판독 명령은 명령 디코더(215)에 의해 수신되고, 이 명령 디코더는, 판독 데이터가 RDQS 클록 신호에 따라 판독/기입 증폭기(255) 및 입력/출력 회로(260)를 통해 데이터 단자(DQ)로부터 외부로 출력되도록 입력/출력 회로(260)에 내부 명령을 제공한다. 전술한 바와 같이, 판독 데이터는 반도체 디바이스에서, 예를 들어, 모드 레지스터(도 2에 도시되지 않음)에서 프로그래밍될 수 있는 판독 대기 시간 정보(RL)로 정의된 시간에 제공된다. 판독 대기 시간 정보(RL)는 CK 신호의 클록 사이클로 정의될 수 있다. 예를 들어, 판독 대기 시간 정보(RL)는 연관된 판독 데이터가 제공될 때 반도체 디바이스(200)에 의해 판독 명령이 수신된 후 CK 신호의 클록 사이클의 수일 수 있다.
기입 명령이 발행되고 이 명령에 행 어드레스 및 열 어드레스가 적시에 공급되면, 기입 데이터는 WCK 및 WCKF 신호에 따라 데이터 단자(DQ)에 공급된다. 기입 명령은 명령 디코더(215)에 의해 수신되고, 명령 디코더는 기입 데이터가 데이터 수신기에 의해 입력/출력 회로(260)에 수신되고 입력/출력 회로(260) 및 판독/기입 증폭기(255)를 통해 메모리 어레이(250)에 공급되도록 내부 명령을 입력/출력 회로(260)에 제공한다. 기입 데이터는 행 어드레스 및 열 어드레스에 의해 지정된 메모리 셀에 기입된다. 전술한 바와 같이, 기입 데이터는 기입 대기 시간(WL) 정보로 정의된 시간에 데이터 단자(DQ)에 제공된다. 기입 대기 시간(WL) 정보는 반도체 디바이스(200)에서, 예를 들어, 모드 레지스터(도 2에 도시되지 않음)에서 프로그래밍될 수 있다. 기입 대기 시간(WL) 정보는 CK 신호의 클록 사이클로 정의될 수 있다. 예를 들어, 기입 대기 시간(WL) 정보는 연관된 기입 데이터가 데이터 단자(DQ)에 제공될 때 기입 명령이 반도체 디바이스(200)에 의해 수신된 후 CK 신호의 클록 사이클의 수일 수 있다.
클록 단자 및 데이터 클록 단자에는 외부 클록 신호가 공급된다. 외부 클록 신호(CK, CKF, WCK, WCKF)는 클록 입력 회로(220)에 공급될 수 있다. CK 및 CKF 신호는 상보적일 수 있고 WCK 및 WCKF 신호는 상보적일 수 있다. 인에이블될 때, 클록 입력 회로(220)에 포함된 입력 버퍼는 외부 클록 신호를 수신한다. 예를 들어, 입력 버퍼는 명령 디코더(215)로부터 CKE 신호에 의해 인에이블될 때 CK 및 CKF 신호를 수신하고, 입력 버퍼는 명령 디코더(215)로부터 WCKIBEN 신호에 의해 인에이블될 때 WCK 및 WCKF 신호를 수신한다. 클록 입력 회로(220)는 외부 클록 신호를 수신하여 내부 클록 신호(ICK 및 IWCK 및 IWCKF)를 생성할 수 있다. 내부 클록 신호(ICK 및 IWCK 및 IWCKF)는 내부 클록 회로(230)에 공급된다.
내부 클록 회로(230)는 수신된 내부 클록 신호에 기초하여 다양한 위상 및 주파수 제어 내부 클록 신호를 제공하는 회로를 포함한다. 예를 들어, 내부 클록 회로(230)는, ICK 신호를 수신하고 내부 클록 신호(ICK 및 ICKD)를 명령 디코더(215)에 제공하는 클록 경로(도 2에 도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 내부 클록 회로(230)는, IWCK 및 IWCKF 신호를 수신하고 내부 클록 신호(IWCK 및 IWCKF)에 기초하여 다상 클록 신호(IWCKn)를 제공하는 데이터 클록 경로를 더 포함할 수 있다. 이하에서 보다 상세히 설명되는 바와 같이, 다상 클록 신호(IWCKn)는 서로 상대적인 위상을 가지며, WCK 및 WCKF 신호와의 위상 관계를 갖는다. 내부 클록 회로(230)에 포함된 클록 신호 동기화 회로는, IWCKn 신호와 WCK 및 WCKF 신호 사이의 위상 관계를 결정하고, 필요한 경우 IWCKn 신호와 WCK 및 WCKF 신호 사이의 위상 관계를 반도체 디바이스(200)의 적절한 동작을 제공하는 위상 관계로 변경하기 위해 WCK-CK 동기화를 수행한다. IWCKn 신호와 WCK 및 WCKF 신호가 이 위상 관계를 가지면 WCK-CK 동기화가 완료된다.
다상 클록 신호(IWCKn)는 또한 판독 데이터의 출력 타이밍 및 기입 데이터의 입력 타이밍을 제어하기 위해 입력/출력 회로(260)에 제공될 수 있다. 입력/출력 회로(160)는 RDQS 신호를 생성 및 제공하기 위해 클록 회로 및 구동기 회로를 포함할 수 있다. 데이터 클록 경로는 또한 더 지연된 다상 클록 신호(IWCKn) 중 하나인 지연된 다상 클록 신호(IWCKD)를 제공할 수 있다.
전력 공급 단자에는 전력 공급 전위(VDD 및 VSS)가 공급된다. 이 전력 공급 전위(VDD 및 VSS)는 내부 전압 생성기 회로(270)에 공급된다. 내부 전압 생성기 회로(270)는 전력 공급 전위(VDD 및 VSS)에 기초하여 다양한 내부 전위(VPP, VOD, VARY, VPERI 등) 및 기준 전위(ZQVREF)를 생성한다. 내부 전위(VPP)는 주로 행 디코더(240)에 사용되고, 내부 전위(VOD 및 VARY)는 주로 메모리 어레이(250)에 포함된 감지 증폭기에 사용되고, 내부 전위(VPERI)는 많은 다른 회로 블록에 사용된다. 기준 전위(ZQVREF)는 ZQ 교정 회로(265)에 사용된다.
전력 공급 단자에는 전력 공급 전위(VDDQ)가 또한 공급된다. 전력 공급 전위(VDDQ)는 전력 공급 전위(VSS)와 함께 입력/출력 회로(260)에 공급된다. 전력 공급 전위(VDDQ)는 본 발명의 일 실시형태에서 전력 공급 전위(VDD)와 동일한 전위일 수 있다. 전력 공급 전위(VDDQ)는 본 발명의 다른 실시형태에서 전력 공급 전위(VDD)와는 다른 전위일 수 있다. 그러나, 전용 전력 공급 전위(VDDQ)는 입력/출력 회로(260)에 의해 생성된 전력 공급 잡음이 다른 회로 블록으로 전파되지 않도록 입력/출력 회로(260)에 사용된다.
교정 단자(ZQ)는 ZQ 교정 회로(265)에 연결된다. ZQ 교정 회로(265)는 ZQ 교정 명령(ZQ_com)에 의해 활성화될 때 RZQ의 임피던스 및 기준 전위(ZQVREF)를 참조하여 교정 동작을 수행한다. 교정 동작에 의해 획득된 임피던스 코드(ZQCODE)는 입력/출력 회로(260)에 공급되어, 입력/출력 회로(260)에 포함된 출력 버퍼(도시되지 않음)의 임피던스가 지정된다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 클록 경로(310) 및 데이터 클록 경로(330)의 블록도이다. 클록 경로(310) 및 데이터 클록 경로(330)는 본 발명의 일부 실시형태에서 도 2의 반도체 디바이스(200)에 포함될 수 있다. 예를 들어, 데이터 클록 경로(330)의 일부는 도 2의 반도체 디바이스(200)의 클록 입력 회로(220) 및/또는 내부 클록 회로(230)에 포함될 수 있다. 클록 경로(310)와 데이터 클록 경로(330) 중 하나 또는 둘 모두는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 수정될 수 있다.
클록 경로(310)는 입력 버퍼(312)를 포함할 수 있다. 활성 인에이블 신호(CKE)(예를 들어, 활성 높은 논리 레벨)에 의해 인에이블될 때, 입력 버퍼(312)는 상보적인 클록 신호(CK 및 CKF)를 수신하고 내부 클록 신호(ICK)를 제공한다. 입력 버퍼(312)는 도 2의 클록 입력 회로(220)에 포함될 수 있다. 내부 클록 신호(ICK)는 CK 및 CKF 신호에 기초한다. 리피터 회로(314)는 ICK 신호를 수신하고 ICK' 신호를 지연 회로(316)에 제공한다. 리피터 회로(314)는 입력 버퍼(312)로부터 지연 회로(316)로 클록 라인을 통해 ICK 신호를 구동한다. ICK' 신호는 지연된 ICK 클록 신호(ICKD)를 제공하기 위해 지연 회로(316)에 의해 지연된다. ICK' 및 ICKD 신호는 메모리 동작(예를 들어, 판독, 기입 등)을 수행하기 위해 내부 명령 신호의 디코딩 및 제공을 타이밍하기 위해 명령 경로(도시되지 않음)에 의해 사용될 수 있다.
데이터 클록 경로(330)는 입력 버퍼(352)를 포함한다. 활성 인에이블 신호(WCKIBEN)(예를 들어, 활성 높은 논리 레벨)에 의해 인에이블될 때, 입력 버퍼(352)는 상보적인 클록 신호(WCK 및 WCKF)를 수신하고, WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 상보적인 내부 클록 신호(IWCK 및 IWCKF)를 제공한다. 수신기 회로(352)는 예를 들어 메모리 명령에 응답하여 명령 디코더에 의해 인에이블될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, IWCK 및 IWCKF 신호는 WCK 및 WCKF 신호와 동일한 클록 주파수를 가지며, IWCK 신호는 WCK 신호에 대응하고, IWCKF 신호는 WCKF 신호에 대응한다. 입력 버퍼(352)는 도 2의 클록 입력 회로(220)에 포함될 수 있다.
IWCK 및 IWCKF 신호는 다상 클록 신호(IWCK0, IWCK90, IWCK180, IWCK270)(통칭하여 다상 클록 신호(IWCKn)로 지칭됨)를 제공하도록 구성된 클록 분할기(clock divider) 회로(354)에 제공된다. 다상 클록 신호(IWCKn)는 서로 상대적인 위상을 가지며, WCK 및 WCKF 신호(및 IWCK 및 IWCKF 신호)의 클록 주파수보다 더 작은 클록 주파수를 갖는다. 본 발명의 일 실시형태에서, IWCK0, IWCK90, IWCK180 및 IWCK270 신호는 WCK 및 WCKF 신호의 클록 주파수의 절반인 클록 주파수를 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에서, IWCK0, IWCK90, IWCK180 및 IWCK270 신호는 서로 90도의 상대 위상을 갖는다. 예를 들어, IWCK90 신호는 IWCK0 신호에 대해 90도의 위상을 가지며, IWCK180 신호는 IWCK90 신호에 대해 90도의 위상(및 IWCK0 신호에 대해 180도의 위상)을 가지고, IWCK270 신호는 IWCK180 신호에 대해 90도의 위상(및 IWCK0 신호에 대해 270도의 위상)을 갖는다. 이러한 경우에, 다상 클록 신호(IWCK0, IWCK90, IWCK180 및 IWCK270)는 "직교(quadrature)" 위상 클록 신호로 지칭될 수 있다.
다상 클록 신호는 리피터 회로(356)에 제공된다. 리피터 회로(356)는 다상 클록 신호(IWCKn) 각각에 대한 리피터 회로를 포함한다. 리피터 회로(356)는 클록 분할기 회로(354)로부터 클록 분배 회로(358)로 클록 라인을 통해 다상 클록 신호(IWCKn)를 구동한다. 클록 분배 회로(358)는 다상 클록 신호에 따라 동작하는 다양한 회로부에 다상 클록 신호(IWCKn)를 제공한다. 예를 들어, 다상 클록 신호(IWCKn)는 IWCKn 신호(도 3에서 "DQ 블록으로"라고 지칭됨)의 타이밍에 따라 데이터를 제공 및 수신하기 위해 입력/출력 회로를 클록하도록 제공될 수 있다.
클록 신호 동기화 회로(360)는, IWCKn 신호와 WCK 및 WCKF 신호 사이의 위상 관계를 결정하고, 필요한 경우 IWCKn 신호와 WCK 및 WCKF 신호 사이의 위상 관계를 반도체 디바이스(200)의 적절한 동작을 제공하는 위상 관계로 변경하기 위해 WCK-CK 동기화를 수행한다.
전술한 바와 같이, 클록 분할기 회로(354)에 의해 제공되는 IWCK0, IWCK90, IWCK180 및 IWCK270 신호는 IWCK 및 IWCKF 신호에 기초한다. IWCK0, IWCK90, IWCK180, IWCK270 신호는 IWCK 및 IWCKF 신호에 대해 위상 관계를 가질 수 있으며, 마찬가지로 WCK 및 WCKF 신호(IWCK 및 IWCKF 신호의 기반이 되는 신호)와도 위상 관계를 가질 수 있다. 예를 들어, 클록 분할기 회로(354)에 의해 제공되는 다상 클록 신호(IWCK0, IWCK90, IWCK180 및 IWCK270)는 WCK 및 WCKF 신호에 대한 2개의 위상 관계 중 하나를 가질 수 있다. 제1 위상 관계와 제2 위상 관계는 도 4에 나와 있다.
제1 위상 관계에서, IWCK0 신호의 상승 에지(420)는 IWCK 신호의 제1 상승 에지(410)(및 도 4에 도시되지 않은 WCK 신호) 및 CK 신호의 제1 상승 에지와 연관되고, IWCK90 신호의 상승 에지(422)는 IWCK 신호의 제1 하강 에지(412)와 연관되고, IWCK180 신호의 상승 에지(424)는 IWCK 신호의 제2 상승 에지(414) 및 CK 신호의 제1 하강 에지와 연관되고, IWCK270 신호의 상승 에지(426)는 IWCK 신호의 제2 하강 에지(416)와 연관된다. 제1 위상 관계는 "정렬된(in order)" 위상 관계로 지칭될 수 있다.
제2 위상 관계에서, IWCK0 신호의 하강 에지(430)는 IWCK 신호(및 WCK 신호)의 제1 상승 에지(410) 및 CK 신호의 제1 상승 에지와 연관되고, IWCK90 신호의 하강 에지(432)는 IWCK 신호의 제1 하강 에지(412)와 연관되고, IWCK180 신호의 하강 에지(434)는 IWCK 신호의 제2 상승 에지(414) 및 CK 신호의 제1 하강 에지와 연관되고, IWCK270 신호의 하강 에지(436)는 IWCK 신호의 제2 하강 에지(416)와 연관된다. 제2 위상 관계는 "비정렬된(out of order)" 위상 관계로 지칭될 수 있다.
제1 및 제2 위상 관계는 WCK 및 WCKF(및 IWCK 및 IWCKF) 신호의 클록 주파수가 변할 때에도 유지되고, 예를 들어, 클록 주파수는 도 4에 도시된 바와 같이 IWCK 신호의 하강 에지(416) 이후 증가한다.
클록 분할기 회로(254)에 의해 제공되는 다상 클록 신호(IWCKn)의 위상 관계는 결정이 이루어질 때까지 알려지지 않을 수 있다. 다상 클록 신호(IWCKn)의 위상 관계는 예를 들어, WCK-CK 동기화 프로세스 동안 결정될 수 있으며, 이는 아래에 더 상세히 설명된다.
클록 신호 동기화 회로는 다상 클록 신호(IWCKn)와 WCK 및 WCKF 신호의 위상 관계를 결정하기 위해 WCK-CK 동기화를 수행한다. 반도체 디바이스(200)의 적절한 동작은 위상 관계 중 하나를 갖는 다상 클록 신호에 기초할 수 있기 때문에, 다상 클록 신호(IWCKn)와 WCK 및 WCKF 신호의 위상 관계를 결정하는 것이 필요할 수 있다. 예를 들어, 다상 클록 신호가 "정렬된" 위상 관계를 갖고 IWCK0 신호가 WCK 신호와 동기화될 때 판독 데이터는 반도체 디바이스(200)에 의해 적절하게 제공될 수 있다. 이러한 예에서, 다상 클록 신호(IWCKn)가 "비정렬된" 위상 관계를 갖는 것으로 결정되면, 클록 신호 동기화 회로(360)는 IWCK0 신호를 WCK 신호와 동기화시키기 위해 "정렬된" 다상 클록 신호를 제공하도록 다상 클록 신호 중 다양한 것을 변경한다. 예로서, 비정렬된 다상 클록 신호의 IWCK180 신호 및 IWCK0 신호가 스위칭될 수 있고, 비정렬된 다상 클록 신호의 IWCK270 신호 및 IWCK90 신호가 스위칭될 수 있다. 결과적으로, "비정렬된" 다상 클록 신호는 "정렬된" 다상 클록 신호로 전환된다.
다상 클록 신호(IWCKn)와 WCK 및 WCKF 신호 사이의 위상 관계를 결정함으로써, 다상 클록 신호(IWCKn)와 CK 및 CKF 신호 사이의 관계가 결정될 수 있다. 필요한 경우, 클록 신호 동기화 회로(360)는 "정렬된" 위상 관계를 제공하기 위해 IWCKn 신호와 WCK 및 WCKF 신호 간의 위상 관계를 변경한다. 결과적으로 IWCK0 신호는 IWCK0 신호를 CK 신호와 또한 동기화하는 WCK 신호와 동기화된다. 본 발명의 일부 실시형태에서, IWCK0 신호가 CK 신호와 정렬될 때 WCK-CK 동기화가 완료될 수 있다(예를 들어, 도 4를 참조하면, IWCK0 신호의 모든 다른 상승 에지는 CK 신호의 상승 에지와 동기화된다).
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 입력/출력 회로의 일부의 블록도이다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 입력/출력 회로의 일부는 도 2의 입력/출력 회로(260)에 포함된다. RDQS 클록 회로(510) 및 데이터 래치 및 시프트 회로(530)는 다상 클록 신호(IWCK0, IWCK90, IWCK180 및 IWCK270)(통칭하여 IWCKn 신호)를 수신한다. IWCKn 신호는 직교 클록 신호일 수 있으며, 각 클록 신호는 클록 신호 중 다른 것에 대해 90도 위상(예를 들어, 0도 클록 신호, 90도 클록 신호, 180도 클록 신호 및 270도 클록 신호)을 갖는다. IWCKn 신호는 데이터 클록 신호(WCK 및 WCKF)에 기초할 수 있고, WCK 및 WCKF 신호의 클록 주파수보다 더 낮은 클록 주파수를 갖는다. 본 발명의 일부 실시형태에서, IWCKn 신호는 WCK 및 WCKF 신호의 클록 주파수의 절반을 갖는다. 다상 클록 신호(IWCKn)는 WCK 신호를 수신하는 데이터 클록 경로에 의해 제공될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시형태에서, IWCKn 신호는 도 3에 도시된 데이터 클록 경로(330)에 의해 제공될 수 있다.
RDQS 클록 회로(510)는 IWCKn 신호에 기초하여 내부 스트로브 신호(IRDQS)를 제공한다. IRDQS 신호는 구동기 회로(520)에 제공된다. 구동기 회로(520)는 IRDQS 신호에 기초하여 데이터 스트로브 신호(RDQS)를 제공한다. RDQS 신호는 디바이스에 의한 데이터의 수신을 타이밍하기 위해 디바이스(예를 들어, 제어기(10))에 제공될 수 있다. RDQS 신호의 클록 주파수는 IWCKn 신호의 클록 주파수보다 더 클 수 있다. 본 발명의 일부 실시형태에서, RDQS 신호는 IWCKn 신호의 클록 주파수의 2배인 클록 주파수를 갖는다. IWCKn 신호의 클록 주파수가 WCK 및 WCKF 신호의 클록 주파수의 절반인 경우, RDQS 신호는 WCK 및 WCKF 신호와 동일한 클록 주파수를 가질 수 있다.
IWCKn 신호에 더하여, 데이터 래치 및 시프트 회로(530)는 내부 데이터(ID0-IDr)를 수신하고, 여기서 r은 0이 아닌 정수이다. ID0-IDr 데이터는 메모리 어레이로부터 제공될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시형태에서, ID 데이터는 메모리 어레이(250)로부터, 메모리 래치 및 시프트 회로(530)를 포함하는 입력/출력 회로(260)에 제공된다. 데이터 래치 및 시프트 회로(530)는 IWCKn 신호에 기초하여 내부 데이터(ID0-IDr)를 래치 및 시프트하여 데이터(IDQ0-IDQs)를 제공하고, 여기서 s는 0이 아닌 정수이다. IDQ0-IDQs 데이터는 데이터 구동기 회로(540)에 제공되고 이 데이터 구동기 회로는 IDQ0-IDQs 데이터를 DQ0-DQs 데이터로서 구동한다. 데이터 구동기 회로(540)는 (s+1)개의 데이터 구동기 회로를 포함할 수 있고, 특히 IDQ0-IDQs 데이터 각각에 대해 하나의 데이터 구동기 회로를 포함할 수 있다.
동작 시, 데이터 래치 및 시프트 회로(530)는 IWCKn 신호에 기초하여 (r+1) 비트 폭(ID0-IDr) 데이터를 (s+1) 비트 폭(IDQ0-IDQs) 데이터로 시프트한다. 이어서, IDQ0-IDQs 데이터는 데이터 구동기 회로(540)에 의해 (s+1) 비트 폭(DQ0-DQs) 데이터로서 제공된다. DQ0-DQs 데이터에는 RDQS 신호에 대응하는 타이밍이 제공될 수 있다. 예를 들어, DQ0-DQs 데이터 각각에 대해 하나의 비트가 RDQS 신호의 상승 클록 에지 및 하강 클록 에지에서 제공될 수 있다. 결과적으로, RDQS 신호의 각각의 에지에서 (s+1) 비트가 병렬로 출력된다. 이러한 방식으로, DQ0-DQs 데이터의 (s+1) 비트는 예를 들어 RDQS 신호에 따라 타이밍에 따라 디바이스에 의해 수신될 수 있다.
이하에서 더 상세히 설명될 바와 같이, 제어기는 메모리(예를 들어, 판독 또는 기입 메모리)에 액세스하기 위해 메모리 시스템 메모리 명령을 제공한다. 명령은 명령 디코더(예를 들어, 명령 디코더(215))에 의해 디코딩되고, 명령 디코더는 메모리 어레이에 액세스하기 위한 동작과 같은 동작을 수행하기 위한 내부 신호 및 명령을 제공한다. 메모리에 액세스하기 위해 제공되는 메모리 명령은 타이밍 명령 및 액세스 명령을 포함한다. 전술한 바와 같이, 타이밍 명령은 예를 들어 대응하는 액세스 명령에 대한 다양한 동작의 타이밍을 제어하는데 사용될 수 있다. 액세스 명령의 예로는 판독 명령과 기입 명령이 있다. 타이밍 명령의 예로는 CAS 명령과 MPC 명령이 있다. 타이밍 명령은 액세스 명령에 대한 연관된 액세스 동작 동안 다양한 동작 모드를 설정하는 연산 코드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다양한 연산 코드와 연관된 정보 비트가 타이밍 명령에 포함된다. 연산 코드는 타이밍 명령의 하나 이상의 비트를 포함할 수 있다. 연산 코드는 타이밍 명령의 비트 위치에 의해 식별될 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 타이밍 명령에 대한 명령 구조(600)를 도시하는 도면이다. 도 6a의 타이밍 명령은 CAS 명령이다. CAS 명령은 명령 디코더를 포함하는 메모리에 제어기에 의해 제공될 수 있고, 명령 디코더는 CAS 명령을 디코딩하고 CAS 명령에 기초하여 동작을 수행하기 위해 내부 제어 신호를 제공한다. 도 6a의 CAS 명령은 14 비트, CK 신호의 상승 에지(R1)에서 수신된 처음 7개의 비트(CA0-CA6), 및 CK 신호의 하강 에지(F1)에서 수신된 두 번째 7 비트(CA0-CA6)를 포함한다. 제어기는 CK 신호의 상승 에지(R1)에서 처음 7 비트를 제공한 다음, CK 신호의 하강 에지(F1)에서 두 번째 7 비트를 제공하도록 비트를 변경한다. CAS 명령은 CK 신호의 상승 에지(R1)에서 각각의 높은 레벨 CS 신호에 의해 인에이블된 메모리에 의해 수신된다.
CK 신호의 상승 에지(R1)에서 메모리에 의해 수신되고 명령 디코더에 의해 디코딩된 CAS 명령의 처음 7 비트(CA0-CA6)는, 예를 들어, 도 6a에서, CAS 명령 및 다양한 클록 신호 동기화 옵션을 위한 명령 코드를 포함한다. 특히 CAS 명령의 처음 7 비트(CA0-CA6)는 비트(CA0-CA3)에 대응하는 4 비트 명령 코드; 비트(CA4)에 대응하는 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR); 비트(CA5)에 대응하는 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD); 비트(CA6)에 대응하는 WCK-CK 고속 동기화 옵션(WS_FS)을 포함한다. 도 6a의 CAS 명령에 대한 명령 코드는 비트(CA0-CA3)에 대응하는 0011(도 6a에서 LLHH)이다.
CK/CKF 신호와 WCK/WCKF 신호 사이의 관계 및 WCK/WCKF 신호와 WCK/WCKF 신호에 기초하여 생성된 내부 클록 신호(예를 들어, 다상 IWCKn 신호) 사이의 관계를 결정하기 위해 메모리에 의해 WCK-CK 동기화가 수행된다. 메모리의 적절한 동작을 위해서는 CK/CKF, WCK/WCKF 및 내부 클록 신호의 관계를 결정하는 것이 필요할 수 있다. 비트(CA)에 대응하는 1 값을 제공함으로써 WCK-CK 동기화 옵션이 인에이블될 수 있다. 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR)은 기입 동작을 수행하기 위한 기입 명령과 함께 사용될 수 있으며, CAS 명령의 처음 7 비트에 대해 CA4 비트가 1(예를 들어, WS_WR = 1)일 때 인에이블될 수 있다. 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)은 판독 동작을 수행하기 위해 READ 명령과 함께 사용될 수 있으며, CAS 명령의 처음 7 비트에 대해 CA5 비트가 1(예를 들어, WS_RD = 1)일 때 인에이블된다.
WCK-CK 고속 동기화 옵션(WS_FS)은 액세스 명령(예를 들어, READ 명령, 기입 명령 등)과 함께 사용될 수 있으며, CAS 명령의 처음 7 비트에 대해 CA6 비트가 1(예를 들어, WS_FS = 1)일 때 인에이블될 수 있다. WCK-CK 고속 동기화 옵션은 메모리의 다수의 랭크에 액세스하는 것을 수반하는 랭크별 액세스 동작에 바람직할 수 있다. WCK-CK 고속 동기화 옵션이 인에이블되면, CAS 명령이 메모리에 의해 수신된 때에 대해 유연한 타이밍으로 WCK-CK 동기화 동작이 수행될 수 있다.
CK 신호의 하강 에지(F1)에서 메모리에 의해 수신된 CAS 명령의 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는, 예를 들어, 도 6a에서, CAS 명령의 처음 7 비트의 WCK-CK 동기화 옵션을 위한 다양한 기능의 연산 코드를 포함한다. 추가적으로, WCK-CK 고속 동기화 옵션이 인에이블된 경우(예를 들어, WS_FS = 1), CAS 명령의 두 번째 7 비트(CA0-CA6)의 정의는 WCK-CK 동기화 옵션이 인에이블되지 않은 경우(예를 들어, WS_FS = 0)에 비해 변하게 된다.
예를 들어, 도 6a를 참조하면, WS_FS = 0일 때, CK 신호의 하강 에지(F1)에서 수신된 CAS 명령의 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR)과 관련된 제1 기능에 대한 비트(CA0-CA3)에 대응하는 4개의 비트 연산 코드(DC0-DC3); 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR)과 관련된 제2 기능에 대한 비트(CA4)에 대응하는 하나의 비트 연산 코드(V); 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR)과 관련된 제3 기능에 대한 비트(CA5)에 대응하는 하나의 비트 연산 코드(WRX); 및 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)과 관련된 기능에 대한 비트(CA6)에 대응하는 하나의 비트 연산 코드(B3)를 포함한다.
그러나 WS_FS = 1인 경우, CAS 명령의 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR)과 관련된 제1 기능에 대한 비트(CA0 및 CA1)에 대응하는 2 비트 연산 코드(DC0 및 DC1); WCK-CK 고속 동기화 옵션(WS_FS)과 관련된 기능에 대한 비트(CA2-CA4)에 대응하는 3 비트 연산 코드(WCKENL_OTF); 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR)과 관련된 제3 기능에 대한 비트(CA5)에 대응하는 하나의 비트 연산 코드(WRX); 및 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)과 관련된 기능에 대한 비트(CA6)에 대응하는 하나의 비트 연산 코드(B3)를 포함한다.
아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, WCKENL_OTF 연산 코드는 WCK-CK 고속 동기화 옵션이 인에이블되는 시기에 지연을 추가하는데 사용될 수 있다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 추가될 지연 기간은 WCKENL_OTF 연산 코드에 대한 값에 기초하여 선택될 수 있다. WCK-CK 고속 동기화 동작의 지연 시간을 서로 다르게 추가할 수 있는 능력을 가지면 CAS 명령 및 액세스 명령의 타이밍에 유연성을 제공할 수 있다. CAS 명령의 타이밍 및 WCK-CK 고속 동기화가 수행되는 시기는 메모리의 성능을 향상시키기 위해, 예를 들어, 동작 동안 메모리에 의한 전력 소비를 감소시키기 위해 사용될 수 있다.
도 6a의 CAS 명령은 WS_FS 옵션을 위한 연산 코드(WCKENL_OTF)를 갖는 두 번째 7 비트를 포함하지만, 본 발명의 다른 실시형태에서, CAS 명령은 CAS 명령의 WS_WR, WS_RD, WS_FS 옵션 중 하나 이상에 대한 추가 또는 대체 연산 코드를 포함할 수 있다. 예를 들어, CAS 명령의 두 번째 7 비트는 인에이블될 때 WS_WR 및/또는 WS_RD 옵션에 대한 WCK-CK 동기화 동작을 수행하는 시기에 지연을 추가하기 위한 연산 코드를 포함할 수 있다. 다른 예는 WS_FS 옵션에 대한 대체 연산 코드를 갖는 것을 포함하고, 또 다른 예는 WS_FS 옵션에 대한 추가 연산 코드를 갖는 것을 포함한다. 도 6a의 CAS 명령에 대한 비트의 특정 정의는 본 발명의 범위를 설명된 특정 예로 제한하려고 의도된 것이 아니다.
도 6b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 WCKENL_OTF 연산 코드를 도시하는 도면이다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 도 6b의 WCKENL_OTF 연산 코드는 도 6a의 CAS 명령과 함께 사용될 수 있다.
상이한 지연 기간이 WCK-CK 동기화가 CAS 명령에 대해 수행될 수 있는 시기의 타이밍에 추가될 수 있다. 상이한 지연 기간은 원하는 지연에 대응하는 값을 갖는 WCKENL_OTF 연산 코드를 제공함으로써 선택될 수 있다. 예를 들어, WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 추가 지연이 추가되지 않는 경우, WCKENL_OTF = 000이고; WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 1 tCK의 지연이 추가되는 경우, WCKENL_OTF = 001이고; WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 2 tCK의 지연이 추가되는 경우, WCKENL_OTF = 010이고; WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 3 tCK의 지연이 추가되는 경우, WCKENL_OTF = 011이고; WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 4 tCK의 지연이 추가되는 경우, WCKENL_OTF = 100이고; WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 6 tCK의 지연이 추가되고, WCKENL_OTF = 101이고; WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 8 tCK의 지연이 추가되는 경우, WCKENL_OTF = 110이고; WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 11 tCK의 지연이 추가되는 경우, WCKENL_OTF = 111이다.
본 발명의 다른 실시형태는 선택될 수 있는 더 적거나 또는 더 많은 지연 기간을 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시형태는 도 6b의 예에 도시된 것과 다른 지연 기간을 포함할 수 있다. 도 6a의 WCKENL_OTF 연산 코드에 대한 특정 수 및 지연 기간은 본 발명의 범위를 설명된 특정 예로 제한하려고 의도된 것이 아니다.
도 7a 내지 도 7c, 도 8, 도 9 및 도 11은 본 발명의 실시형태에 따른 다양한 액세스 동작의 예이다. 실시형태는 액세스 명령(예를 들어, 판독 명령)과 함께 타이밍 명령(예를 들어, CAS 명령)을 사용하는 것을 예시한다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 액세스 동작 동안 다양한 신호에 대한 타이밍도이다. 도 7a 내지 도 7c는 제어기 및 메모리 시스템을 포함하는 시스템에 대한 판독 동작을 참조하여 설명될 것이다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 도 1의 시스템(100) 및 도 2의 반도체 디바이스(200)는 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 설명된 동작에 사용될 수 있다. 도 7a 내지 도 7c는 도 1의 시스템(100) 및 도 2의 반도체 디바이스(200)를 참조하여 설명될 것이지만, 본 발명의 범위는 특정 시스템(100) 또는 특정 반도체 디바이스(200)로 제한되는 것이 아니다. 추가적으로, 본 발명의 일부 실시형태에서, CAS 명령은 도 6a를 참조하여 설명된 바와 같은 명령 구조를 갖는다. 도 7a 내지 도 7c는 도 6a의 CAS 명령 구조를 참조하여 설명될 것이지만, 본 발명의 범위는 도 6a의 특정 명령 구조로 제한되는 것은 아니다. 도 7a 내지 도 7c의 판독 동작에 대한 판독 대기 시간은 17 tCK(예를 들어, CK 신호의 17개의 클록 사이클)이다.
도 7a(도 7aa 및 도 7ab를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 WCK-CK 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도이다. 시간(Ta-1)에서, 제어기(10)에 의해 제공되는 선택 신호(CS)는 메모리(예를 들어, 도 2의 반도체 디바이스(200))를 선택하기 위해 활성이다. 결과적으로, 메모리의 명령/어드레스 입력 회로는 시간(Ta-1)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 CAS 명령의 처음 7 비트를 수신하고, CK 신호의 이후 하강 클록 에지에서 CAS 명령의 두 번째 7 비트를 수신한다.
CAS 명령에 대한 처음 7 비트(CA0-CA6)는 CAS 명령에 대한 명령 코드(0011)를 포함하고, 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)이 인에이블되고, 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR) 및 WCK-CK 고속 동기화 옵션(WS_FS)은 모두 인에이블되지 않는다. WS_RD 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA5)는 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션을 인에이블하기 위해 시간(Ta-1)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 높음이다(WS_RD = 1). 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션 및 WCK-CK 고속 동기화 옵션을 모두 인에이블하지 않기 위해 시간(Ta-1)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서, WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA4)는 낮음이고(WS_WR = 0), WS_FS 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA6)는 낮음이다(WS_FS = 0). (처음 7 비트부터) WS_FS = 0인 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 DC0-DC3, V, WRX 및 B3에 대응한다. 선택된 메모리는 또한 시간(Ta0)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 판독 명령(READ)을 수신한다.
메모리의 명령 디코더는 CAS 및 READ 명령을 디코딩하고, 이에 따라 WCK-CK 동기화 및 판독 동작을 수행하기 위한 회로를 활성화시키기 위해 내부 제어 신호를 생성한다. 예를 들어, 시간(Ta-1)에서 CAS 명령 이후, WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 제어기(10)로부터 WCK 및 WCKF 신호를 수신하기 위해 준비할 때 시간(tWCKENL_RD)(예를 들어, 7 tCK)의 종료에 의해 활성화된다. 시간(tWCKENL_RD) 이후, WCK 및 WCKF 신호는 시간(Ta6)과 시간(Ta10) 사이의 정적 기간(tWCKPRE_정적)(예를 들어, 4 tCK) 동안 정적 상태를 유지한다. 시간(Ta10)에서, 제어기(10)에 의해 제공되는 활성 WCK 및 WCKF 신호는 메모리에 의해 수신되고, 메모리는 RDQS 신호(도 7a에 도시되지 않음)를 제공하기 위해 사용될 수 있는 WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 내부 클록 신호를 생성하기 위해 시간(Ta10) 내지 시간(Ta17) 사이 tWCKPRE_토글_RD(예를 들어, 7 tCK) 동안 WCK-CK 동기화를 수행한다. RDQS 신호는 WCK 및 WCKF 신호와 동기화된다.
시간(Ta17)에 의한 WCK-CK 동기화가 완료되면, 내부 클록 신호는 데이터(DQ)를 제공하는 것과 같은 타이밍 동작을 위해 사용하기 위해 준비된다. (시간(Ta0)에서 READ 명령 이후의 대기 시간(RL)에 대응하는) 시간(Ta17)에서, 메모리는 시간(Ta17)의 시간 기간(tWCK2DQO) 내에 데이터(DQ)를 제어기(10)에 제공한다. 메모리는 또한 시간(Ta17) 이후 활성 RDQS 신호(도시되지 않음)를 제어기(10)에 제공하고, 전술한 바와 같이, 데이터(DQ)의 타이밍 수신을 위해 제어기(10)에 의해 사용될 수 있다. 데이터 버스트(예를 들어, 16 비트 데이터 버스트)가 완료될 때까지 RDQS 신호의 각 클록 에지에서 데이터(DQ)의 비트가 제공되도록 데이터(DQ)는 RDQS 신호(및 WCK 및 WCKF 신호)와 동기화되어 메모리의 입력/출력 회로로부터 제공된다. 도 7a는 메모리의 하나의 데이터 단자로부터 제공된 데이터(DQ)를 도시하지만, RDQS 신호와 동일한 타이밍을 갖는 데이터는 메모리의 다른 데이터 단자로부터 동시에 제공될 수 있다.
도 7b(도 7ba 및 도 7bb를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 WCK-CK 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도이다. 시간(Ta-4)에서, 제어기(10)에 의해 제공되는 선택 신호(CS)는 메모리(예를 들어, 도 2의 반도체 디바이스(200))를 선택하기 위해 활성이다. 결과적으로, 메모리의 명령/어드레스 입력 회로는 시간(Ta-4)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 CAS 명령의 처음 7 비트를 수신하고, CK 신호의 이후 하강 클록 에지에서 CAS 명령의 두 번째 7 비트를 수신한다.
CAS 명령에 대한 처음 7 비트(CA0-CA6)는 CAS 명령에 대한 명령 코드(0011)를 포함하고, WCK-CK 고속 동기화 옵션(WS_FS)이 인에이블되고, 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR) 및 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)은 모두 인에이블되지 않는다. WS_FS 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA6)는 WCK 고속 동기화 옵션을 인에이블하기 위해 시간(Ta-4)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 높음(WS_FS = 1)이다. 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션 및 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션을 인에이블하지 않기 위해 시간(Ta-4)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA4)는 낮음이고(WS_WR = 0) WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA5)는 낮음(WS_RD = 0)이다. (처음 7 비트부터) WS_FS = 1인 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 DC0, DC1, WCKENL_OTF, WRX 및 B3에 대응한다. 선택된 메모리는 또한 시간(Ta0)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 판독 명령(READ)을 수신한다.
WCK 및 WCKF 신호는 WCK-CK 고속 동기화 모드가 인에이블될 때(WS_FS = 1) 도 7a에 도시된 타이밍에 비해 더 일찍 제공될 수 있다. WCK-CK 고속 동기화 모드가 인에이블되면, 제어기(10)로부터 WCK 및 WCKF 신호를 더 일찍 수신하기 위해 준비할 때 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼가 더 일찍 인에이블된다. WCK-CK 고속 동기화 모드가 인에이블되지 않은(WS_FS = 0) 도 7a에 도시된 WCK 및 WCKF 신호 타이밍에 비해, 메모리는 WCK-CK 고속 동기화 모드가 인에이블될 때 제어기(10)로부터 WCK 및 WCKF 신호를 더 일찍 수신하기 위해 준비가 된다. 예를 들어, 도 7b의 예에 도시된 바와 같이, WCK 및 WCKF 신호는 도 7a의 예보다 6 tCK 더 일찍 제공된다. 제어기(10)는 메모리가 WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 내부 신호를 생성하기 시작하는 것을 허용하도록 WCK 및 WCKF 신호를 더 일찍 제공하기 위해 WCK-CK 고속 동기화 모드를 인에이블할 수 있다.
메모리의 명령 디코더는 CAS 및 READ 명령을 디코딩하고, WCK-CK 고속 동기화 및 판독 동작을 수행하기 위한 회로를 활성화하기 위해 내부 제어 신호를 생성한다. 예를 들어 시간(Ta-4)에서 CAS 명령 이후, WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 제어기(10)로부터 WCK 및 WCKF 신호를 수신하기 위해 준비할 때 시간(tWCKENL_FS)(예를 들어, 4 tCK)의 종료에 의해 활성화된다. 시간(tWCKENL_FS) 이후, WCK 및 WCKF 신호는 시간(Ta0)과 시간(Ta4) 사이의 정적 기간(tWCKPRE_정적)(예를 들어, 4 tCK) 동안 정적 상태를 유지한다. 시간(Ta4)에서, 제어기(10)에 의해 제공되는 활성 WCK 및 WCKF 신호는 메모리에 의해 수신되고, 메모리는 WCK 및 WCKF 신호와 동기화될 수 있는 RDQS 신호(도 7b에 도시되지 않음)를 제공하는데 사용될 수 있는 WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 내부 클록 신호를 생성하기 위해 시간(Ta4)과 시간(Ta11) 사이 tWCKPRE_토글_RD(예를 들어, 7 tCK) 동안 WCK-CK 동기화를 수행한다.
시간(Ta11)에 의한 WCK-CK 동기화가 완료되면, 내부 클록 신호는 시간(Ta11) 이후 데이터를 제공하는 것과 같은 타이밍 동작을 위해 사용될 준비가 된다. 그러나, 전술한 바와 같이, 본 예에서 대기 시간(RL)은 17 tCK인 것으로 가정된다. 시간(Ta11)과 시간(Ta17) 사이, 즉, WCK-CK 고속 동기화가 완료되는 시간과 데이터(DQ)가 메모리에 의해 제어기(10)에 제공되는 시간 사이에, WCK 및 WCKF 신호와 이 WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 생성된 내부 클록 신호는 계속 토글되지만, 이 시간에 메모리 동작에 클록 신호가 필요한 것은 아니다.
(시간(Ta0)에서 READ 명령 이후 대기 시간(RL)에 대응하는) 시간(Ta17)에서, 메모리는 데이터(DQ)를 제공하기 위해 준비가 된다. 메모리는 시간(Ta17)의 시간 기간(tWCK2DQO) 내에 제어기(10)에 데이터(DQ)를 제공한다. 메모리는 또한 시간(Ta17) 이후 활성 RDQS 신호(도시되지 않음)를 제어기(10)에 제공하고, 전술한 바와 같이, 데이터(DQ)의 타이밍 수신을 위해 제어기(10)에 의해 사용될 수 있다. 데이터 버스트(예를 들어, 16 비트 데이터 버스트)가 완료될 때까지 RDQS 신호의 각 클록 에지에서 데이터(DQ)의 비트가 제공되도록 데이터(DQ)는 RDQS 신호(및 WCK 및 WCKF 신호)와 동기화되어 메모리의 입력/출력 회로로부터 제공된다. 도 7b는 메모리의 하나의 데이터 단자로부터 제공된 데이터(DQ)를 도시하지만, RDQS 신호와 동일한 타이밍을 갖는 데이터는 메모리의 다른 데이터 단자로부터 동시에 제공될 수 있다.
전술한 바와 같이, WCK-CK 동기화가 완료되는 시간(Ta11)과 데이터(DQ)가 메모리에 의해 제공되는 시간(Ta17) 사이의 시간 동안, WCK 및 WCKF 신호는 계속 토글되지만, 메모리 동작에 WCK 및 WCKF 신호가 필요한 것은 아니다. 그러나 토글의 6 tCK(및 WCK 및 WCKF 신호의 24 tWCK) 동안, WCK 및 WCKF 신호를 수신하고 WCK 및 WCKF 신호로부터 내부 클록 신호를 생성 및 제공하는 메모리 회로에 의해 전력이 소비된다. WCK 및 WCKF 신호가 불필요하게 제공되는 이 시간 동안의 전력 소비는 저전력 시스템에서 바람직하지 않을 수 있다.
도 7c(도 7ca 및 도 7cb를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 고속 WCK-CK 동기화로 판독 동작을 위한 타이밍도이다. 도 7c의 타이밍도는 도 7b의 타이밍도와 유사하다. 그러나, 도 7b와 달리, WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 지연이 도 7c에서 추가된다. 추가된 지연은 불필요한 클록 토글 시간을 감소시킬 수 있고, 결과적으로 추가된 지연이 없는 것(예를 들어, 도 7b에 도시된 타이밍)에 비해 전력 소비를 감소시킬 수 있다. 시간(Ta-4)에서, 제어기(10)에 의해 제공되는 선택 신호(CS)는 메모리(예를 들어, 도 2의 반도체 디바이스(200))를 선택하기 위해 활성이다. 결과적으로, 메모리의 명령/어드레스 입력 회로는 시간(Ta-4)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 CAS 명령의 처음 7 비트를 수신하고, CK 신호의 이후 하강 클록 에지에서 CAS 명령의 두 번째 7 비트를 수신한다.
CAS 명령에 대한 처음 7 비트(CA0-CA6)는 CAS 명령에 대한 명령 코드(0011)를 포함하고, WCK 고속 동기화 옵션(WS_FS)이 인에이블되고, 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR) 및 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)은 모두 인에이블되지 않는다. WS_FS 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA6)는 WCK 고속 동기화 옵션을 인에이블하기 위해 시간(Ta-4)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 높음(WS_FS = 1)이다. 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션과 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션을 인에이블하지 않기 위해 시간(Ta-4)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서, WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA4)는 낮음(WS_WR = 0)이고, WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA5)는 낮음이다(WS_RD = 0). (처음 7 비트부터) WS_FS = 1인 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 DC0, DC1, WCKENL_OTF, WRX 및 B3에 대응한다. 선택된 메모리는 또한 시간(Ta0)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 판독 명령(READ)을 수신한다.
도 7b의 예와 달리, 도 7c의 예에서 WCKENL_OTF 값은 WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 지연을 추가하는데 사용된다. 예를 들어, WCKENL_OTF 연산 코드가 도 6b에 도시된 바와 같이 정의되는 본 발명의 실시형태에서, WCKENL_OTF 연산 코드는 정적 WCK 및 WCKF 신호가 메모리에 제공되기 전 시간(tWCKENL_FS)에 6 tCK의 지연을 추가하기 위해 101의 값을 가진다. 도 7b의 예를 참조하여 전술한 바와 같이, tWCKENL_FS는 4 tCK일 수 있다. WS_FS 옵션이 인에이블될 때 WCKENL_OTF에 의해 추가된 추가 6 tCK는 메모리에 의해 WCK 및 WCKF 신호가 예상되는 시간을 지연시킨다. 도 7c의 예에서는, (도 7b의 예에서와 같이) 정적 WCK 및 WCKF 신호는 시간(Ta0)에서 예상되는 것이 아니라, 정적 WCK 및 WCKF 신호는 아래에서 보다 상세히 설명되는 바와 같이 시간(Ta6)에서 예상된다.
메모리의 명령 디코더는 CAS 및 READ 명령을 디코딩하고, WCK-CK 고속 동기화 및 판독 동작을 수행하기 위한 회로를 활성화하기 위해 내부 제어 신호를 생성한다. 시간(Ta-4)에서 CAS 명령 이후, WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 제어기(10)로부터 WCK 및 WCKF 신호를 수신하기 위해 준비할 때 시간(tWCKENL_FS + WCKENL_OTF)(예를 들어, 4 tCK + 6 tCK)의 종료에 의해 활성화된다. 시간(tWCKENL_FS + WCKENL_OTF) 이후에, WCK 및 WCKF 신호는 시간(Ta6)과 시간(Ta10) 사이의 정적 기간(tWCKPRE_정적)(예를 들어, 4 tCK) 동안 정적 상태를 유지한다. 시간(Ta10)에서, 제어기(10)에 의해 제공되는 활성 WCK 및 WCKF 신호는 메모리에 의해 수신되고, 메모리는 RDQS 신호(도 7c에 도시되지 않음)를 제공하는데 사용될 수 있는 WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 내부 클록 신호를 생성하기 위해 시간(Ta10)과 시간(Ta17) 사이 tWCKPRE_토글_RD (예를 들어, 7 tCK) 동안 WCK-CK 동기화를 수행한다. RDQS 신호는 WCK 및 WCKF 신호와 동기화될 수 있다.
시간(Ta17)에 의한 WCK-CK 동기화가 완료되면, 데이터(DQ)를 제공하는 것과 같은 타이밍 동작을 사용하기 위해 내부 클록 신호가 준비된다. (시간(Ta0)에서 READ 명령 이후의 대기 시간(RL)에 대응하는) 시간(Ta17)에서, 메모리는 시간(Ta17)의 시간 기간(tWCK2DQO) 내에 데이터(DQ)를 제어기(10)에 제공한다. 메모리는 또한 시간(Ta17) 이후 활성 RDQS(도시되지 않음) 신호를 제공하고, 이 신호는 메모리에 의해 제어기(10)에 제공되고 전술한 바와 같이 데이터(DQ)의 타이밍 수신을 위해 사용될 수 있다. 데이터 버스트(예를 들어, 16 비트 데이터 버스트)가 완료될 때까지 RDQS 신호의 각 클록 에지에서 데이터(DQ)의 비트가 제공되도록 데이터(DQ)는 RDQS 신호(및 WCK 및 WKF 신호)와 동기화되어 메모리의 입력/출력 회로로부터 제공된다. 도 7c는 메모리의 하나의 데이터 단자로부터 제공된 데이터(DQ)를 도시하지만, RDQS 신호와 동일한 타이밍을 갖는 데이터는 메모리의 다른 데이터 단자로부터 동시에 제공될 수 있다.
도 7b의 예에 비해, 도 7c의 예는 WCK-CK 고속 동기화로 메모리 동작을 수행하는데 필요한 것보다 더 일찍 WCK 및 WCKF 신호를 토글하는 것을 포함하지 않는다. 도 7b를 참조하여 전술한 바와 같이, WCK-CK 동기화가 시간(Ta11)에 의해 완료되고, WCK 및 WCKF 신호는 시간(Ta11)과 시간(Ta17) 사이에서 계속 토글되지만, 이 시간 동안 데이터(DQ)를 제공하는데 WCK 및 WCKF 신호가 필요한 것은 아니다. 도 7c를 참조하면, WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 지연을 추가하면 WCK 및 WCKF 신호가 토글되는 시간을 감소시키지만(제거할 수 있지만) 이 신호는 메모리 동작에는 필요하지 않다. WS_FS 옵션에 WCKENL_OTF 연산 코드를 사용하여 추가된 지연은 WCK-CK 동기화에 지연을 추가하지 않는 동작(예를 들어, 도 7b의 예)에 비해 메모리 전력 소비를 줄이는 데 유용할 수 있다.
도 7a 내지 도 7c의 실시형태가 판독 동작과 관련하여 설명되었지만, 타이밍 명령은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 기입 동작과 관련하여 사용될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, CAS 명령은 기입 동작에 사용될 수 있다. 제어기로부터 판독 명령을 수신하고 데이터를 제어기에 제공하는 것이 아니라, 메모리는 제어기로부터 기입 명령을 수신하고, 제어기로부터 저장될 데이터를 수신한다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 랭크별 액세스 동작 동안 다양한 신호에 대한 타이밍도이다. 도 8 및 도 9는 제어기 및 메모리 시스템을 포함하는 시스템에 대한 랭크별 기입 동작을 참조하여 설명될 것이다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 도 1의 시스템(100) 및 도 2의 반도체 디바이스(200)는 도 8 및 도 9를 참조하여 설명된 동작에 사용될 수 있다. 도 8 및 도 9는 도 1의 시스템(100) 및 도 2의 반도체 디바이스(200)를 참조하여 설명될 것이지만, 본 발명의 범위는 특정 시스템(100) 또는 특정 반도체 디바이스(200)로 제한되는 것은 아니다. 추가적으로, 본 발명의 일부 실시형태에서, CAS 명령은 도 6a를 참조하여 설명된 바와 같은 명령 구조를 갖는다. 도 8 및 도 9는 도 6a의 CAS 명령 구조를 참조하여 설명될 것이지만, 본 발명의 범위는 도 6a의 특정 명령 구조로 제한되는 것은 아니다. 도 8 및 도 9의 기입 동작에 대한 기입 대기 시간(WL)은 16 tCK(예를 들어, CK 신호의 16 클록 사이클)이다.
도 8(도 8a 및 도 8b를 포함)은 본 발명의 일 실시형태에 따른 WCK-CK 동기화로 랭크별 기입 동작을 위한 타이밍도이다. 시간(Ta-3)에서, 제어기(10)에 의해 제공된 선택 신호(CS0 및 CS1)는 디바이스0(랭크0) 및 디바이스1(랭크1)을 선택하기 위해 활성이다. 결과적으로, 디바이스0 및 디바이스1의 명령/어드레스 입력 회로는 시간(Ta-3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 CAS 명령의 처음 7 비트를 수신하고, CK 신호의 이후 하강 클록 에지에서 CAS 명령의 두 번째 7 비트를 수신한다.
CAS 명령에 대한 처음 7 비트(CA0-CA6)는 CAS 명령에 대한 명령 코드(0011)를 포함하고, WCK-CK 고속 동기화 옵션(WS_FS)이 인에이블되고, 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR) 및 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)은 모두 인에이블되지 않는다. WS_FS 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA6)는 WCK 고속 동기화 옵션을 인에이블하기 위해 시간(Ta-3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 높음이다(WS_FS = 1). 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션과 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션을 인에이블하지 않기 위해 시간(Ta-3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서, WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA4)는 낮음(WS_WR = 0)이고, WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA5)는 낮음이다(WS_RD = 0). (처음 7 비트부터) WS_FS = 1인 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 DC0, DC1, WCKENL_OTF, WRX 및 B3에 대응한다.
전술한 바와 같이, WCK 및 WCKF 신호는 WCK-CK 고속 동기화 모드가 인에이블되지 않은 경우에 비해 WCK-CK 고속 동기화 모드가 인에이블될 때 더 일찍 제공될 수 있다. WCK-CK 고속 동기화 모드가 인에이블된 경우, 디바이스0 및 디바이스1의 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 제어기(10)로부터 WCK 및 WCKF 신호를 수신하기 위해 준비할 때 CAS 명령 이후 인에이블된다. 도 8에 도시된 바와 같이, 디바이스0 및 디바이스1에 대한 WCK 및 WCKF 입력 버퍼는 시간(Ta-3)과 시간(Ta-1) 사이의 시간(WCKENL_FS)(예를 들어, 2 tCK)의 종료에 의해 인에이블된다(도 8에 도시된 바와 같이 랭크0의 WCK IB 인에이블 및 랭크1의 WCK IB 인에이블은 시간(WCKENL_FS)이 종료될 때까지 활성이다).
디바이스0 및 디바이스1에 대한 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼가 인에이블된 후, 제어기(10)는 시간(Ta-1)에서 정적 WCK 및 WCKF 신호를 제공한다. WCK 및 WCKF 신호는 시간(Ta-1)과 시간(Ta3) 사이의 정적 기간(tWCKPRE_정적) 동안 정적 상태로 (각각 낮은 클록 레벨 및 높은 클록 레벨에) 유지된다. 시간(Ta3)에서, 제어기(10)에 의해 제공되는 활성 WCK 및 WCKF 신호는 디바이스0 및 디바이스1에 의해 수신된다. 디바이스0과 디바이스1은 기입 동작 동안 데이터의 타이밍 수신을 위해 사용될 수 있는 WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 내부 클록 신호를 생성하기 위해 시간(Ta3)과 시간(Ta5) 사이의 tWCKPRE_토글_WR 동안 WCK-CK 동기화를 수행한다.
시간(Ta0)으로 다시 돌아가면, 선택 신호(CS0)는 시간(Ta0)에 제공된 기입 명령(WRITE)이 CK 신호의 상승 클록 에지에서 디바이스0에 의해 수신되도록 디바이스0을 선택하도록 활성이다. 16 tCK의 기입 대기 시간으로 시간(Ta0)에서 기입 명령에 대한 데이터는 시간(Ta16) 이후 디바이스0에 제공된다. 선택 신호(CS1)는 시간(Ta3)에서 제공된 기입 명령(WRITE)이 시간(Ta3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 디바이스1에 의해 수신되도록 디바이스1을 선택하도록 시간(Ta3)에서 활성이다. 16 tCK의 기입 대기 시간으로 시간(Ta3)에서 기입 명령에 대한 데이터는 시간(Ta19) 이후 디바이스1에 의해 제공된다.
시간(Ta5)에 의한 WCK-CK 동기화가 완료되면, 내부 클록 신호는 시간(Ta5) 이후 데이터를 수신하는 것과 같은 타이밍 동작을 위해 사용을 위해 준비가 된다. 그러나, 전술한 바와 같이, 본 예에서 대기 시간(WL)은 16 tCK인 것으로 가정된다. 시간(Ta5)과 시간(Ta16) 사이, 즉 WCK-CK 고속 동기화가 완료되는 시간과 데이터(DQ)가 메모리에 의해 수신되는 시간 사이, WCK 및 WCKF 신호뿐만 아니라 WCK 및 WCKF에 기초하여 생성된 내부 클록 신호는 계속 토글되지만, 이 시간에 메모리 동작에 클록 신호가 필요한 것은 아니다.
시간(Ta16) 이후, 디바이스0은 (랭크0의 경우) 시간(Ta0)에서 기입 명령에 대한 시간(Ta16)의 시간(tWCK2DQI0) 내에 제어기(10)로부터 데이터(DQ)를 수신한다. 시간(Ta19) 이후, 디바이스1은 (랭크1의 경우) 시간(Ta3)에서 기입 명령에 대한 시간(Ta19)의 시간(tWCK2DQI1) 내에 제어기(10)로부터 데이터(DQ)를 수신한다. 디바이스0 및 디바이스1에 제공된 데이터(DQ)는 데이터 버스트(예를 들어, 16 비트 데이터 버스트는 도 8에 표시되어 있다)가 완료될 때까지 WCK 및 WCKF 신호의 각 클록 에지에서 데이터(DQ)의 비트가 수신되도록 WCK 및 WCKF 신호와 동기화된다. 도 8은 디바이스0 및 디바이스1의 하나의 데이터 단자에 제공된 데이터(DQ)를 도시하지만, 동일한 상대 타이밍을 갖는 데이터는 디바이스0 및 디바이스1의 다른 데이터 단자에 동시에 제공될 수 있다.
디바이스0 및 디바이스1에 대한 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 데이터(DQ)의 수신이 완료된 후에 디스에이블된다. 예를 들어, 랭크0의 데이터(DQ)의 마지막 비트를 수신한 후, 랭크0의 WCK IB 인에이블 신호는 디바이스0의 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼의 디스에이블을 나타내는 비활성(비활성 낮은 논리 레벨)이 된다. 유사하게, 랭크1의 데이터(DQ)의 마지막 비트를 수신한 후, 랭크1의 WCK IB 인에이블 신호는 디바이스1의 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼의 디스에이블을 나타내는 비활성(비활성 낮은 논리 레벨)이 된다.
전술한 바와 같이, WCK-CK 동기화가 완료되는 시간(Ta5)과 데이터(DQ)가 디바이스0에 제공되는 시간(Ta16) 사이의 시간 동안, WCK 및 WCKF 신호는 계속 토글되지만, 메모리 동작에 WCK 및 WCKF 신호가 필요한 것은 아니다. 그러나 토글의 11 tCK(및 WCK 및 WCKF 신호의 44 tWCK) 동안, WCK 및 WCKF 신호를 수신하고 WCK 및 WCKF 신호로부터 내부 클록 신호를 생성 및 제공하는 디바이스0 및 디바이스1의 메모리 회로에 의해 전력이 소비된다. WCK 및 WCKF 신호가 불필요하게 제공되는 이 시간 동안의 전력 소비는 저전력 시스템에서 바람직하지 않을 수 있다.
도 9(도 9a 및 도 9b를 포함)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 WCK-CK 동기화로 랭크별 기입 동작을 위한 타이밍도이다. 도 9의 타이밍도는 도 8의 타이밍도와 유사하다. 그러나, 도 8과 달리, 도 9에서 WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 지연이 추가된다. 추가된 지연은 불필요한 클록 토글 시간을 감소시킬 수 있고, 결과적으로 추가된 지연이 없는 것(예를 들어, 도 8에 도시된 타이밍)에 비해 전력 소비를 감소시킬 수 있다. 시간(Ta-3)에서, 제어기(10)에 의해 제공된 선택 신호(CS0 및 CS1)는 디바이스0(랭크0) 및 디바이스1(랭크1)을 선택하기 위해 활성이다. 결과적으로, 디바이스0 및 디바이스1의 명령/어드레스 입력 회로는 시간(Ta-3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 CAS 명령의 처음 7 비트를 수신하고, CK 신호의 이후 하강 클록 에지에서 CAS 명령의 두 번째 7 비트를 수신한다.
CAS 명령에 대한 처음 7 비트(CA0-CA6)는 CAS 명령에 대한 명령 코드(0011)를 포함하고, WCK 고속 동기화 옵션(WS_FS)이 인에이블되고, 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR) 및 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)은 모두 인에이블되지 않는다. WS_FS 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA6)는 WCK 고속 동기화 옵션을 인에이블하기 위해 시간(Ta-3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 높음(WS_FS = 1)이다. 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션과 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션을 인에이블하지 않기 위해 시간(Ta-3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서, WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA4)는 낮음(WS_WR = 0)이고, WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA5)는 낮음이다(WS_RD = 0). (처음 7 비트부터) WS_FS = 1인 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 DC0, DC1, WCKENL_OTF, WRX 및 B3에 대응한다.
도 8의 예와 달리, 도 9의 예에서 WCKENL_OTF 값은 WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 지연을 추가하는데 사용된다. 예를 들어, WCKENL_OTF 연산 코드가 도 6b에 도시된 바와 같이 정의되는 본 발명의 실시형태에서, WCKENL_OTF 연산 코드는 정적 WCK 및 WCKF 신호가 메모리에 제공되기 전 시간(tWCKENL_FS)에 11 tCK의 지연을 추가하기 위해 111의 값을 갖는다. 도 8의 예를 참조하여 전술한 바와 같이, tWCKENL_FS는 2 tCK일 수 있다. WS_FS 옵션이 인에이블될 때 WCKENL_OTF 옵션에 의해 추가된 추가 11 tCK는 WCK 및 WCKF 신호가 메모리에 의해 예상되는 시간을 지연시킨다. 도 9의 예에서는, 정적 WCK 및 WCKF 신호는 (도 8의 예에서와 같이) 시간(Ta-1)에서 예상되는 것이 아니라, 정적 WCK 및 WCKF 신호는 아래에서 보다 상세히 설명되는 바와 같이 시간(Ta10)에서 예상된다.
시간(Ta0)에서, 선택 신호(CS0)는 시간(Ta0)에서 제공된 기입 명령(WRITE)이 CK 신호의 상승 클록 에지에서 디바이스0에 의해 수신되도록 디바이스0을 선택하도록 활성이다. 16 tCK의 기입 대기 시간으로 시간(Ta0)에서 기입 명령에 대한 데이터는 시간(Ta16) 이후 디바이스0에 제공된다. 선택 신호(CS1)는 시간(Ta3)에서 제공된 기입 명령(WRITE)이 시간(Ta3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 디바이스1에 의해 수신되도록 디바이스1을 선택하도록 시간(Ta3)에서 활성이다. 16 tCK의 기입 대기 시간으로 시간(Ta3)에서 기입 명령에 대한 데이터는 시간(Ta1) 이후 디바이스1에 의해 제공된다.
디바이스0 및 디바이스1의 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 제어기(10)로부터 WCK 및 WCKF 신호를 수신하기 위해 준비할 때 인에이블된다. 그러나 WCKENL_OTF를 사용하여 11 tCK의 지연이 추가되어 디바이스0 및 디바이스1의 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 (WCKENL_FS 시간에 대해 2 tCK 및 WCKENL_OTF로부터 11 tCK의 지연이 추가된) 시간(Ta-3)에서 CAS 명령 이후 13 tCK인 시간(Ta10)에 의해 인에이블된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 랭크0의 WCK IB 인에이블 및 랭크1의 WCK IB 인에이블은 시간(Ta10) 이전에 활성이다. 디바이스0 및 디바이스1에 대한 WCK 및 WCKF 입력 버퍼는 WCKENL_OTF를 사용하여 지연이 추가되지 않은 도 8의 예(예를 들어, 도 8의 예)에 비해 나중에 인에이블될 수 있다.
디바이스0 및 디바이스1에 대한 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼가 인에이블된 후, 제어기(10)는 시간(Ta4)에서 정적 WCK 및 WCKF 신호를 제공한다. WCK 및 WCKF 신호는 시간(Ta10)과 시간(Ta14) 사이의 정적 기간(tWCKPRE_정적) 동안 정적 상태로 (각각 낮은 클록 레벨 및 높은 클록 레벨에) 유지된다. 시간(Ta10)에서, 제어기(10)에 의해 제공되는 활성 WCK 및 WCKF 신호는 디바이스0 및 디바이스1에 의해 수신된다. 디바이스0과 디바이스1은 기입 동작 동안 데이터의 타이밍 수신에 사용될 수 있는 WCK 및 WCKF 신호에 기초하여 내부 클록 신호를 생성하기 위해 시간(Ta14)과 시간(Ta16) 사이의 tWCKPRE_토글_WR 동안 WCK-CK 동기화를 수행한다.
시간(Ta16) 이후, 디바이스0은 (랭크0의 경우) 시간(Ta0)에서 기입 명령에 대한 시간(Ta16)의 시간(tWCK2DQI0) 내에 제어기(10)로부터 데이터(DQ)를 수신한다. 시간(Ta19) 이후, 디바이스1은 (랭크1의 경우) 시간(Ta3)에서 기입 명령에 대한 시간(Ta19)의 시간(tWCK2DQI1) 내에 제어기(10)로부터 데이터(DQ)를 수신한다. 디바이스0 및 디바이스1에 제공된 데이터(DQ)는 데이터 버스트(예를 들어, 16 비트 데이터 버스트는 도 9에 표시되어 있다)가 완료될 때까지 데이터(DQ)의 비트가 WCK 및 WCKF 신호의 각 클록 에지에서 수신되도록 WCK 및 WCKF 신호와 동기화된다. 도 9는 디바이스0 및 디바이스1의 하나의 데이터 단자에 제공된 데이터(DQ)를 도시하지만, 동일한 상대 타이밍을 갖는 데이터는 또한 디바이스0 및 디바이스1의 다른 데이터 단자에 동시에 제공될 수 있다.
디바이스0 및 디바이스1에 대한 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 데이터(DQ)의 수신이 완료된 후에 디스에이블된다. 예를 들어 랭크0의 데이터(DQ)의 마지막 비트를 수신한 후, 랭크0의 WCK IB 인에이블 신호는 디바이스0의 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼의 디스에이블을 나타내는 비활성(비활성 낮은 논리 레벨)이 된다. 마찬가지로 랭크1의 데이터(DQ)의 마지막 비트를 수신한 후, 랭크1의 WCK IB 인에이블 신호는 디바이스1의 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼의 디스에이블을 나타내는 비활성(비활성 낮은 논리 레벨)이 된다.
도 8의 예에 비해, 도 9의 예는 WCK-CK 고속 동기화로 메모리 동작을 수행하는데 필요한 것보다 더 일찍 WCK 및 WCKF 신호를 토글하는 것을 포함하지 않는다. 도 8을 참조하여 전술한 바와 같이, WCK-CK 동기화는 시간(Ta5)에 의해 완료되고, WCK 및 WCKF 신호는 시간(Ta5)과 시간(Ta16) 사이에서 계속 토글되지만, 이 시간 동안 데이터(DQ)를 수신하는데 WCK 및 WCKF 신호가 필요한 것은 아니다. 도 9를 참조하면, WCK-CK 동기화가 수행되는 시기에 지연을 추가하면 WCK 및 WCKF 신호가 토글되는 시간을 감소시킬 수 있지만(제거할 수 있지만) 이들 신호는 메모리 동작에는 필요치 않다. WCKENL_OTF 연산 코드를 사용하여 추가된 지연은 WCK-CK 동기화의 시작 시에 지연을 추가하지 않는 동작(예를 들어, 도 8의 예)에 비해 메모리의 전력 소비를 줄이는 데 유용할 수 있다.
전술한 바와 같이, 디바이스0 및 디바이스1에 대한 WCK 및 WCKF 신호에 대한 입력 버퍼는 액세스 동작이 완료된 후에 디스에이블된다. WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 디스에이블될 때 후속 액세스 동작을 수행하기 전에 WCK-CK 동기화를 다시 수행할 필요가 있다. WCK-CK 동기화를 다시 수행하면 액세스 동작에 시간이 추가되고 전체 액세스 시간이 증가하므로 바람직하지 않다.
도 10a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 타이밍 명령에 대한 명령 구조(1000)를 도시하는 도면이다. 도 6a의 타이밍 명령은 CAS 명령이다. 타이밍 명령 구조(1000)는 도 6a를 참조하여 설명된 CAS 명령의 것과 유사하다. 그러나 CAS 명령의 처음 7 비트에서 WCK-CK 고속 동기화 옵션이 인에이블된 경우(예를 들어, WS_FS = 1) CAS 명령의 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 WCK-CK 고속 동기화 옵션(WS_FS)과 관련된 제2 기능에 대한 비트(CA0 및 CA1)에 대응하는 2 비트 연산 코드(WCKon_OTF)를 포함한다. 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, WCKon_OTF 연산 코드는 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 액세스 동작 이후 인에이블된 상태에 유지되는 시간을 연장시키는데 사용될 수 있다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 이 시간은 WCKon_OTF 연산 코드에 대한 값에 기초하여 연장될 수 있다. 본 발명의 일부 실시형태에서, WCKon_OTF 연산 코드는 액세스 동작 이후 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 디스에이블되는 시간을 지연시키기 위해 사용될 수 있다. 이 시간은 WCKon_OTF 연산 코드에 대한 값에 기초하여 지연될 수 있다. WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블되는 시간을 다른 기간만큼 연장시키면(및/또는 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 디스에이블되는 시간을 다른 기간만큼 지연시키면) CAS 명령 및 액세스 명령의 타이밍에 유연성이 제공된다. WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블되는 시간을 연장시키는 것은 메모리의 성능을 향상시키는데, 예를 들어, WCK-CK 신호의 재 동기화를 방지하여 동작 동안 대역폭을 개선하고 메모리의 전력 소비를 줄이는 데 사용될 수 있다.
도 10a의 명령 구조의 실시형태는 WCKENL_OTF 연산 코드에 포함된 WCKon_OTF 연산 코드를 도시한다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 명령 구조는 WCKENL_OTF 연산 코드가 없는 WCKon_OTF 연산 코드를 포함한다. 즉, 본 발명의 이 실시형태의 명령 구조는 WCK-CK 고속 동기화 옵션이 인에이블되는 시기에 지연을 추가함이 없이 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블되는 시간을 연장시키는 (WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 디스에이블되는 시간을 지연시키는) 것을 제공한다. 따라서, 본 발명의 실시형태는 WCKENL_OTF 및 WCKon_OTF 연산 코드를 모두 포함하는 명령 구조로 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명의 실시형태는 하나의 연산 코드 또는 다른 연산 코드를 포함하는 명령 구조를 포함한다.
도 10b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 WCKon_OTF 연산 코드를 도시하는 도면이다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 도 10b의 WCKon_OTF 연산 코드는 도 10a의 CAS 명령과 함께 사용될 수 있다.
WCK-CK 고속 동기화 옵션이 인에이블될 때 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블된 상태에 유지되는 상이한 시간 기간은 CAS 명령 이후 액세스 명령(예를 들어, 판독(RD) 또는 기입(WR) 명령)의 개수에 기초하여 측정될 수 있다. 액세스 명령의 원하는 개수에 대응하는 값을 갖는 WCKon_OTF 연산 코드를 제공함으로써 상이한 시간 기간이 선택될 수 있다. 예를 들어 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 하나의 액세스 명령에 대해 인에이블된 상태로 유지되는 경우 WCKon_OTF = 00이고; WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 2개의 액세스 명령에 대해 인에이블된 상태로 유지되는 경우, WCKon_OTF = 01이고; WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 4개의 액세스 명령에 대해 인에이블된 상태로 유지되는 경우, WCKon_OTF = 10이고; WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 8개의 액세스 명령에 대해 인에이블된 상태로 유지되는 경우, WCKon_OTF = 11이다.
본 발명의 다른 실시형태는 선택될 수 있는 더 적거나 또는 더 많은 수의 액세스 명령을 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시형태는 도 10b의 예에 도시된 것과 다른 수의 액세스 명령을 포함할 수 있다. 도 10a의 WCKon_OTF 연산 코드에 대한 액세스 명령의 특정 개수는 본 발명의 범위를 설명된 특정 예로 제한하려고 의도된 것이 아니다.
도 10c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 WCKon_OTF 연산 코드를 도시하는 도면이다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 도 10c의 WCKon_OTF 연산 코드는 도 10a의 CAS 명령과 함께 사용될 수 있다.
WCK-CK 고속 동기화 옵션이 인에이블될 때 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블 상태로 유지하는 상이한 시간 기간은 액세스 동작 완료 후 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블된 상태로 유지되는 CK 및 CKF 신호의 추가 클록 사이클의 개수에 기초하여 측정될 수 있다. 클록 사이클의 원하는 개수에 대응하는 값을 갖는 WCKon_OTF 연산 코드를 제공함으로써 상이한 시간 기간이 선택될 수 있다. 예를 들어, WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 액세스 동작의 완료 후 0개의 클록 사이클 동안 인에이블된 상태로 유지되는 경우, WCKon_OTF = 00이고; WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 액세스 동작의 완료 후 4개의 클록 사이클 동안 인에이블된 상태로 유지되는 경우, WCKon_OTF = 01이고; WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 액세스 동작의 완료 후 8개의 클록 사이클 동안 인에이블된 상태로 유지되는 경우, WCKon_OTF = 10이고; WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 액세스 동작의 완료 후 16개의 클록 사이클 동안 인에이블된 상태로 유지되는 경우 WCKon_OTF = 11이다.
본 발명의 다른 실시형태는 선택될 수 있는 더 적거나 또는 더 많은 수의 클록 사이클을 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시형태는 도 10c의 예에 도시된 것과 상이한 수의 클록 사이클을 포함할 수 있다. 도 10a의 WCKon_OTF 연산 코드에 대한 클록 사이클의 특정 개수는 본 발명의 범위를 개시된 특정 예로 제한하려고 의도된 것이 아니다.
도 11(도 11a 및 도 11b를 포함)은 본 발명의 일 실시형태에 따른 랭크별 액세스 동작 동안 다양한 신호에 대한 타이밍도이다. 도 11은 제어기 및 메모리 시스템을 포함하는 시스템에 대한 랭크별 기입 동작을 참조하여 설명될 것이다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 도 1의 시스템(100) 및 도 2의 반도체 디바이스(200)는 도 11을 참조하여 설명된 동작에 사용될 수 있다. 도 11은 도 1의 시스템(100) 및 도 2의 반도체 디바이스(200)를 참조하여 설명될 것이지만, 본 발명의 범위는 특정 시스템(100) 또는 특정 반도체 디바이스(200)로 제한되는 것은 아니다. 추가적으로, 본 발명의 일부 실시형태에서, CAS 명령은 도 10a를 참조하여 설명된 바와 같은 명령 구조를 갖는다. 도 11은 도 10a의 CAS 명령 구조를 참조하여 설명될 것이지만, 본 발명의 범위는 도 10a의 특정 명령 구조로 제한되는 것은 아니다. 도 11의 기입 동작에 대한 기입 대기 시간(WL)은 16 tCK(예를 들어, CK 신호의 16 클록 사이클)이다.
도 11의 예는 도 9의 예와 유사하다. 그러나 도 9의 예에 비해, 도 11의 예에서, 시간(Ta-3)에서 제공된 CAS 명령은 WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 액세스 동작 후에 인에이블된 상태로 유지되는 시간을 연장하기 위한 WCKon_OTF 옵션을 포함한다. 예를 들어, CAS 명령에 대해 도 10a의 명령 구조(1000)를 사용하는 본 발명의 실시형태에서, WS_FS 옵션이 인에이블될 때 CK 신호의 하강 에지에서 두 번째 7 비트 중 비트(CA0 및 CA1)는 아래에서 더 상세히 설명된 바와 같이, 예를 들어, 도 10b 또는 도 10c에 도시된 바와 같이, 연장된 시간에 대응하는 값을 포함할 수 있다. 추가적으로, 도 11의 예는 Ta22의 tWCK2DQI0 내에 디바이스0에 제공된 제2 기입 명령에 대한 데이터(DQ)와 함께 시간(Ta6)에서 디바이스0(랭크0)에 제공된 제2 기입 명령을 포함한다. WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블된 시간을 연장한 결과, 도 11의 예에서 디바이스0 및 디바이스1의 WCK 및 WCKF 입력 버퍼는 시간(Ta0)에서 디바이스0에 대한 기입 명령 및 시간(Ta3)에서 디바이스1에 대한 기입 명령에 대한 각각의 기입 동작이 완료된 이후에 디스에이블되지 않는다(도 11에 도시된 바와 같이 랭크0 및 랭크1의 WCK IB 인에이블 신호는 각각의 기입 동작 이후 활성 상태로 유지된다). 도 9의 예에 대한 이전의 설명은 간결함을 위해 도 11을 참조하여 반복 설명되지 않는다. 그러나, 도 9의 예와 도 11의 예 사이의 차이점이 보다 상세하게 설명될 것이다.
시간(Ta-3)에서 수신된 CAS 명령에 대한 처음 7 비트(CA0-CA6)는 CAS 명령에 대한 명령 코드(0011)를 포함하고, WCK 고속 동기화 옵션(WS_FS)이 인에이블되고, 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_WR) 및 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션(WS_RD)은 모두 인에이블되지 않는다. WS_FS 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA6)는 WCK 고속 동기화 옵션을 인에이블하기 위해 시간(Ta-3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서 높음(WS_FS = 1)이다. 기입 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션과 판독 명령과의 WCK-CK 동기화 옵션을 인에이블하지 않기 위해 시간(Ta-3)에서 CK 신호의 상승 클록 에지에서, WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA4)는 낮음(WS_WR = 0)이고 WS_WR 옵션에 대응하는 CAS 명령의 비트(CA5)는 낮음이다(WS_RD = 0). (처음 7 비트부터) WS_FS = 1인 두 번째 7 비트(CA0-CA6)는 WCKon_OTF, WCKENL_OTF, WRX 및 B3에 대응한다.
도 9의 예와 달리, 도 11의 예에서 WCKon_OTF 값은 액세스 동작의 완료 후 디바이스0 및 디바이스1의 WCK 및 WCKF 입력 버퍼의 인에이블 기간을 연장하는데 사용된다. 예를 들어, WCKon_OTF 값이 도 10b에 도시된 선택에 의해 정의되는 실시형태에서, WCKon_OTF 값은 2개의 READ 또는 기입 명령에 대한 WCK 및 WCKF 입력 버퍼 인에이블 시간을 연장하는 것에 대응하는 01일 수 있다. WCKon_OTF 값이 도 10c에 도시된 선택에 의해 정의되는 실시형태에서, WCKon_OTF 값은 연장되지 않은 경우보다 8 tCK 더 긴 시간 동안 WCK 및 WCKF 입력 버퍼 인에이블 시간을 연장하는 것에 대응하는 10일 수 있다. 더 많은 액세스 동작이 고려될 때 WCK 및 WCKF 입력 버퍼 인에이블 시간을 더 많이 연장하는 다른 WCKon_OTF 값이 사용될 수 있다.
시간(Ta6)에서, 선택 신호(CS0)는 시간(Ta6)에서 제공된 기입 명령(WRITE)이 CK 신호의 상승 클록 에지에서 디바이스0에 의해 수신되도록 디바이스0을 선택하기 위해 다시 활성이다. 16 tCK의 기입 대기 시간으로 시간(Ta6)에서 기입 명령에 대한 데이터는 시간(Ta22) 이후 디바이스0에 제공된다. 전술한 바와 같이, WCK-CK 동기화는 Ta14와 Ta16 사이 디바이스0 및 디바이스1에 의해 수행된다. 도 9의 예와 달리, 시간(Ta0)으로부터 디바이스0으로 기입 명령에 대한 기입 동작이 완료된 이후 디바이스0의 WCK 및 WCKF 입력 버퍼는 디스에이블되지 않는다. 따라서, 시간(Ta6)에서 기입 명령에 대한 데이터가 디바이스0에 제공될 때, WCK-CK 동기화를 수행할 필요가 없다.
시간(Ta22) 이후, 디바이스0은 (랭크0의 경우) 시간(Ta6)에서 기입 명령에 대한 시간(Ta22)의 시간(tWCK2DQI0) 내에 제어기(10)로부터 데이터(DQ)를 수신한다. 디바이스0에 제공된 데이터(DQ)는 디바이스0 및 디바이스1에 의해 시간(Ta14)과 시간(Ta16) 사이에 이전에 동기화될 때 동일한 WCK-CK 동기화를 갖는 WCK 및 WCKF 신호와 동기화된다.
도 11의 예에 의해 도시된 바와 같이, WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블되는 시간은 후속 액세스 동작을 위한 WCK-CK 동기화의 반복을 피하기 위해 연장될 수 있다. WCK 및 WCKF 입력 버퍼가 인에이블되는 동안 WCK-CK 동기화가 유지된다.
도 8, 도 9 및 도 11의 실시형태가 기입 동작의 맥락에서 설명되었지만, 타이밍 명령은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 판독 동작의 맥락에서 사용될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, CAS 명령은 판독 동작에 사용될 수 있다. 제어기로부터 기입 명령을 수신하고 제어기로부터 데이터를 수신하는 것이 아니라, 디바이스0 및 디바이스1은 제어기로부터 판독 명령을 수신하고 제어기에 데이터를 제공한다.
개시된 타이밍 명령(예를 들어, CAS 명령)은 클록 신호 동기화 옵션 및 액세스 동작, 예를 들어, 메모리에 단일 랭크 액세스 동작 및 다수의 메모리에 랭크별 액세스 동작을 포함하는 액세스 동작을 수행하는 타이밍에 유연성을 제공한다. 타이밍 명령에 의해 제공되는 유연성은 이 시간에 액세스 동작에 불필요한 클록 신호를 수신 및 생성하는 것으로 인한 전력 소비를 감소시키면서 상이한 타이밍 시나리오를 수용할 수 있다. 예를 들어, WCK 및 WCKF 신호를 수신하고 연관된 액세스 동작에 필요한 것보다 더 일찍 내부 클록 신호를 생성하는 일반적인 고속 WCK-CK 동기화 동작과 달리, 본 발명의 일 실시형태에 따른 타이밍 명령은 WCK 및 WCKF 신호가 수신될 수 있는 시기와 고속 WCK-CK 동기화 동작이 수행될 수 있는 시기에 지연을 추가하는데 사용될 수 있다. 결과적으로, 타이밍 명령은 유연한 타이밍을 제공하기 위해 사용될 수 있다.
전술한 내용으로부터, 본 발명의 특정 실시형태가 예시의 목적으로 본 명세서에서 설명되었지만, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형이 이루어질 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 본 명세서에 설명된 특정 실시형태 중 임의의 것으로 제한되지 않아야 한다.
Claims (68)
- 장치로서,
입력 버퍼를 포함하는 데이터 클록 경로로서, 상기 입력 버퍼는 인에이블될 때 데이터 클록 신호를 수신하도록 구성되고, 상기 데이터 클록 경로는 상기 데이터 클록 신호에 기초하여 복수의 내부 클록 신호를 제공하도록 구성되고, 상기 데이터 클록 경로는 상기 복수의 내부 클록 신호 중 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 구성된 클록 신호 동기화 회로를 더 포함하는, 상기 데이터 클록 경로;
액세스 명령과 상기 액세스 명령과 연관된 타이밍 명령을 수신하도록 구성되고, 상기 액세스 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 액세스 명령을 제공하고, 상기 타이밍 명령 중 제1 타이밍 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 제1 타이밍 명령을 제공하고, 상기 타이밍 명령 중 제2 타이밍 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 제2 타이밍 명령을 제공하도록 더 구성된 명령 입력 회로; 및
상기 명령 입력 회로에 결합되고, 상기 내부 액세스 명령을 디코딩하고, 대응하는 액세스 동작을 수행하기 위해 내부 액세스 제어 신호를 제공하도록 구성되고, 상기 내부 타이밍 명령을 디코딩하고, 상기 데이터 클록 경로의 상기 입력 버퍼를 인에이블하고, 상기 타이밍 명령에 포함된 연산 코드(opcode)에 기초하여 시간에 상기 복수의 내부 클록 신호 중 상기 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 상기 클록 신호 동기화 회로를 제어하도록 더 구성된 명령 디코더를 포함하는, 장치. - 제1항에 있어서, 상기 복수의 내부 클록 신호는 다상 클록 신호를 포함하고, 상기 데이터 클록 경로는 상기 데이터 클록 신호에 기초하여 상기 다상 클록 신호를 제공하도록 구성된 클록 분할기 회로를 더 포함하는, 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 명령 디코더는 상기 타이밍 명령에 포함된 상기 연산 코드에 기초하여 시간에 상기 입력 버퍼를 활성화시키도록 더 구성된, 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 명령 입력 회로는 클록 신호의 제1 클록 에지에 응답하여 타이밍 명령의 제1 부분을 수신하고, 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에 응답하여 상기 타이밍 명령의 제2 부분을 수신하도록 구성되고, 클록 신호 동기화 옵션은 상기 타이밍 명령의 상기 제1 부분에 포함되고, 상기 연산 코드는 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분에 포함되는, 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분에 포함된 상기 연산 코드는 상기 클록 신호 동기화 회로가 상기 복수의 내부 클록 신호 중 상기 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하기 시작하도록 제어되기 전에 지연되는 상기 클록 신호의 추가 클록 사이클의 수에 대응하는, 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 클록 신호의 추가 클록 사이클은 상기 타이밍 명령의 수신 시로부터 측정된 시간에 추가되는, 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 클록 신호 동기화 옵션은 상기 데이터 클록 신호 및 상기 클록 신호에 대한 고속 클록 신호 동기화를 포함하는, 장치.
- 장치로서,
명령 버스 및 클록 버스에 결합되도록 구성되고, 상기 명령 버스를 통해 타이밍 명령 및 액세스 명령을 메모리에 제공하도록 더 구성된 제어기를 포함하되, 상기 타이밍 명령은 클록 신호의 제1 클록 에지에서 제공된 제1 부분, 및 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에서 제공된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블 또는 디스에이블하기 위한 값을 포함하기 위한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션에 대한 클록 신호 동기화 동작의 지연에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 연산 코드 필드를 포함하고,
상기 제어기는 상기 연산 코드 값에 대응하는 지연에 따라 상기 타이밍 명령 이후의 시간에 상기 클록 버스를 통해 데이터 클록 신호를 상기 메모리에 제공하도록 더 구성된, 장치. - 제8항에 있어서, 상기 메모리에 제공되는 상기 데이터 클록 신호는 상기 클록 신호보다 더 높은 주파수를 갖는, 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 타이밍 명령은 CAS 명령을 포함하는, 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 연산 코드 값은 상기 클록 신호의 클록 사이클의 지연에 대응하는, 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 액세스 명령은 판독 명령 또는 기입 명령을 포함하는, 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 클록 신호의 상기 제1 클록 에지는 상기 클록 신호의 상승 클록 에지를 포함하고, 상기 클록 신호의 상기 제2 클록 에지는 상기 클록 신호의 하강 클록 에지를 포함하는, 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드가 상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하지 않게 하기 위한 값을 포함하는 경우 제1 연산 코드 정의를 갖고, 상기 타이밍 명령의 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드가 상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하기 위한 값을 포함할 때 상기 클록 신호 동기화 동작 옵션 필드와 연관된 상기 연산 코드 필드를 포함하는 연산 코드 정의를 갖는, 장치.
- 장치로서,
명령 버스 및 클록 버스에 결합되도록 구성되고, 상기 명령 버스를 통해 타이밍 명령 및 액세스 명령을 수신하도록 더 구성된 메모리를 포함하되, 상기 타이밍 명령은 클록 신호의 제1 클록 에지에서 제공된 제1 부분, 및 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에서 제공된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블 또는 디스에이블하기 위한 값을 포함하는 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션에 대한 클록 신호 동기화 동작의 지연에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 연산 코드 필드를 포함하고,
상기 메모리는 상기 클록 버스에 결합된 데이터 클록 입력 버퍼를 포함하고, 상기 메모리는 상기 연산 코드 값에 대응하는 지연에 따라 상기 타이밍 명령 이후의 시간에 상기 클록 버스를 통해 데이터 클록 신호를 수신하기 위해 상기 클록 입력 버퍼를 활성화시키도록 더 구성된, 장치. - 제15항에 있어서, 상기 클록 신호 동기화 옵션은 데이터 클록 신호를 고속 클록 신호와 동기화하는 옵션을 포함하는, 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제1 부분은 기입 명령 클록 신호 동기화 옵션 필드 및 판독 명령 클록 신호 동기화 옵션 필드를 더 포함하는, 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분은 상기 클록 입력 버퍼를 비활성화시키는 것의 지연에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 제2 연산 코드 필드를 더 포함하는, 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 제2 연산 코드 필드에 대한 상기 연산 코드 값은 상기 클록 입력 버퍼를 비활성화하기 전의 액세스 명령의 수에 대응하는, 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분은, 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드가 상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하기 위한 값을 포함할 때, 상기 클록 신호 동기화 옵션에 대한 클록 신호 동기화 동작의 지연에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 상기 연산 코드 필드를 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드가 상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하지 않게 하기 위한 값을 포함할 때 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 상기 연산 코드 필드를 포함하지 않는, 장치.
- 방법으로서,
타이밍 명령을 메모리에 제공하는 단계로서, 상기 타이밍 명령은, 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하고, 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 메모리가 상기 타이밍 명령 이후 클록 신호 동기화 동작을 수행하는 시기에 지연을 설정하도록 구성된, 상기 타이밍 명령을 메모리에 제공하는 단계;
상기 메모리에 액세스 명령을 제공하는 단계로서, 상기 액세스 명령은 상기 타이밍 명령과 연관된, 상기 메모리에 액세스 명령을 제공하는 단계; 및
상기 타이밍 명령에 의해 설정된 지연에 기초하여 시간에 상기 메모리에 의해 동기화되도록 데이터 클록 신호를 상기 메모리에 제공하는 단계를 포함하는, 방법. - 제21항에 있어서, 상기 타이밍 명령과 연관된 제2 액세스 명령을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 액세스 명령은 제2 메모리로 향하는, 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 타이밍 명령과 연관된 제3 액세스 명령을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 액세스 명령은 상기 메모리로 향하는, 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 데이터 클록 신호를 상기 메모리에 제공하는 단계는 제1 시간 동안 정적 레벨을 갖는 상기 데이터 클록 신호를 제공하는 단계 및 이후 클록 레벨이 변화된 상기 데이터 클록 신호를 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 타이밍 명령 및 상기 액세스 명령의 타이밍 수신을 위한 클록 신호를 제공하는 단계를 더 포함하는, 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 타이밍 명령은,
상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하기 위한 값에 대한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함하는 제1 부분; 및
상기 메모리가 클록 신호 동기화 동작을 수행하는 시기에 지연을 설정하기 위한 값을 위한 연산 코드 필드를 포함하는 제2 부분을 포함하는, 방법. - 방법으로서,
타이밍 명령을 수신하는 단계로서, 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하고, 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 타이밍 명령 이후 클록 신호 동기화 동작이 수행되는 시기에 지연을 설정하도록 구성된 상기 타이밍 명령을 수신하는 단계;
상기 타이밍 명령과 연관된 액세스 명령을 수신하는 단계; 및
상기 타이밍 명령에 의해 설정된 지연에 기초하여 시간에 데이터 클록 신호 및 이로부터 생성된 내부 클록 신호를 동기화하는 단계를 포함하는, 방법. - 제27항에 있어서, 상기 타이밍 명령은 상기 입력 버퍼를 활성화된 상태로 유지하기 위한 시간을 설정하도록 더 구성된, 방법.
- 제28항에 있어서,
상기 데이터 클록 신호를 수신하도록 구성된 입력 버퍼를 활성화시키는 단계;
상기 입력 버퍼에서 상기 데이터 클록 신호를 수신하는 단계;
상기 액세스 명령에 대한 액세스 동작이 완료된 후 상기 입력 버퍼를 활성화된 상태로 유지하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제27항에 있어서, 상기 액세스 명령은 기입 명령을 포함하고, 상기 방법은 상기 액세스 명령 이후의 기입 대기 시간으로 정의된 시간에 상기 기입 명령과 연관된 데이터를 수신하는 단계를 더 포함하는, 방법.
- 제27항에 있어서, 상기 액세스 명령은 판독 명령을 포함하고, 상기 방법은 상기 액세스 명령 이후 판독 대기 시간으로 정의된 시간에 상기 판독 명령과 연관된 데이터를 제공하는 단계를 더 포함하는, 방법.
- 제31항에 있어서, 클록 신호에 상기 데이터를 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 클록 신호는 상기 데이터 클록 신호에 기초하는, 방법.
- 제27항에 있어서, 상기 데이터 클록 신호를 동기화하는 단계는 상기 데이터 클록 신호와 상기 내부 클록 신호 사이의 위상 관계를 결정하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제27항에 있어서, 상기 클록 신호 동기화 동작은 상기 데이터 클록 신호와 고속 클록 신호를 동기화하는 동작을 포함하는, 방법.
- 장치로서,
입력 버퍼를 포함하는 데이터 클록 경로로서, 상기 입력 버퍼는 인에이블될 때 데이터 클록 신호를 수신하도록 구성되고, 상기 데이터 클록 경로는 상기 데이터 클록 신호에 기초하여 복수의 내부 클록 신호를 제공하도록 구성되고, 상기 데이터 클록 경로는 상기 복수의 내부 클록 신호 중 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 구성된 클록 신호 동기화 회로를 더 포함하는, 상기 데이터 클록 경로;
액세스 명령 및 상기 액세스 명령과 연관된 타이밍 명령을 수신하도록 구성되고, 상기 액세스 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 액세스 명령을 제공하고, 상기 타이밍 명령 중 제1 타이밍 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 제1 타이밍 명령을 제공하고, 상기 타이밍 명령 중 제2 타이밍 명령을 수신하는 것에 응답하여 내부 제2 타이밍 명령을 제공하도록 더 구성된 명령 입력 회로; 및
상기 명령 입력 회로에 결합되고, 상기 내부 액세스 명령을 디코딩하고, 대응하는 액세스 동작을 수행하기 위해 내부 액세스 제어 신호를 제공하도록 구성된 명령 디코더로서, 상기 내부 타이밍 명령을 디코딩하고, 상기 데이터 클록 경로의 상기 입력 버퍼를 인에이블하고, 상기 타이밍 명령에 포함된 연산 코드에 기초하여 상기 입력 버퍼를 디스에이블하는 것을 지연시키도록 구성되고, 상기 복수의 내부 클록 신호 중 상기 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 상기 클록 신호 동기화 회로를 제어하도록 더 구성된, 상기 명령 디코더를 포함하는, 장치. - 제35항에 있어서, 상기 복수의 내부 클록 신호는 다상 클록 신호를 포함하고, 상기 데이터 클록 경로는 상기 데이터 클록 신호에 기초하여 상기 다상 클록 신호를 제공하도록 구성된 클록 분할기 회로를 더 포함하는, 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 명령 디코더는 상기 타이밍 명령에 포함된 제2 연산 코드에 기초하여 시간에 상기 복수의 내부 클록 신호 중 상기 제1 내부 클록 신호를 상기 데이터 클록 신호와 동기화하도록 더 구성된, 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 명령 입력 회로는 클록 신호의 제1 클록 에지에 응답하여 타이밍 명령의 제1 부분을 수신하고, 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에 응답하여 상기 타이밍 명령의 제2 부분을 수신하도록 구성되고, 클록 신호 동기화 옵션이 상기 타이밍 명령의 상기 제1 부분에 포함되고, 상기 연산 코드는 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분에 포함되는, 장치.
- 제38항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분에 포함된 상기 연산 코드는 상기 입력 버퍼가 디스에이블되는 것이 지연되는 상기 클록 신호의 추가 클록 사이클에 대응하는, 장치.
- 제39항에 있어서, 상기 클록 신호의 추가 클록 사이클은 액세스 동작의 완료 시로부터 측정된 시간에 추가되는, 장치.
- 제38항에 있어서, 상기 클록 신호 동기화 옵션은 상기 데이터 클록 신호 및 상기 클록 신호에 대한 고속 클록 신호 동기화를 포함하는, 장치.
- 장치로서,
명령 버스 및 클록 버스에 결합되도록 구성되고, 상기 명령 버스를 통해 타이밍 명령 및 액세스 명령을 메모리에 제공하도록 더 구성된 제어기를 포함하되, 상기 타이밍 명령은 클록 신호의 제1 클록 에지에서 제공된 제1 부분, 및 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에서 제공된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블 또는 디스에이블하기 위한 값을 포함하기 위한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 메모리의 입력 버퍼가 인에이블된 상태에 유지되는 시간에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 연산 코드 필드를 포함하고,
상기 제어기는 상기 타이밍 명령에 응답하여 인에이블되는 상기 입력 버퍼에 데이터 클록 신호를 제공하도록 더 구성된, 장치. - 제42항에 있어서, 상기 메모리에 제공되는 상기 데이터 클록 신호는 상기 클록 신호보다 더 높은 주파수를 갖는, 장치.
- 제42항에 있어서, 상기 타이밍 명령은 CAS 명령을 포함하는, 장치.
- 제42항에 있어서, 상기 연산 코드 값은 상기 타이밍 명령 이후 액세스 명령의 수에 대응하는, 장치.
- 제42항에 있어서, 상기 액세스 명령은 판독 명령 또는 기입 명령을 포함하는, 장치.
- 제42항에 있어서, 상기 클록 신호의 상기 제1 클록 에지는 상기 클록 신호의 상승 클록 에지를 포함하고, 상기 클록 신호의 상기 제2 클록 에지는 상기 클록 신호의 하강 클록 에지를 포함하는, 장치.
- 제42항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드가 상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하지 않게 하기 위한 값을 포함할 때 제1 연산 코드 정의를 갖고, 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드가 상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하기 위한 값을 포함할 때 상기 메모리의 상기 입력 버퍼가 인에이블된 상태에 유지되는 시간과 연관된 상기 연산 코드 필드를 포함하는 제2 연산 코드 정의를 갖는, 장치.
- 장치로서,
명령 버스 및 클록 버스에 결합되도록 구성되고, 상기 명령 버스를 통해 타이밍 명령 및 액세스 명령을 수신하도록 더 구성된 메모리를 포함하되, 상기 타이밍 명령은 클록 신호의 제1 클록 에지에서 제공된 제1 부분, 및 상기 클록 신호의 제2 클록 에지에서 제공된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블 또는 디스에이블하기 위한 값을 포함하기 위한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 클록 버스에 결합된 상기 메모리의 클록 입력 버퍼가 상기 액세스 명령의 액세스 동작 이후 인에이블된 상태에 유지되는 시간에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 연산 코드 필드를 포함하고,
상기 메모리는 상기 타이밍 명령 이후의 시간에 상기 클록 버스를 통해 데이터 클록 신호를 수신하기 위해 상기 클록 입력 버퍼를 활성화시키도록 더 구성된, 장치. - 제49항에 있어서, 상기 클록 신호 동기화 옵션은 데이터 클록 신호를 고속 클록 신호와 동기화하는 옵션을 포함하는, 장치.
- 제50항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제1 부분은 기입 명령 클록 신호 동기화 옵션 필드 및 판독 명령 클록 신호 동기화 옵션 필드를 더 포함하는, 장치.
- 제49항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션에 대한 클록 동기화 동작의 지연에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 제2 연산 코드 필드를 더 포함하는, 장치.
- 제52항에 있어서, 상기 제2 연산 코드 필드에 대한 상기 연산 코드 값은 상기 클록 동기화 동작이 시작되기 전 상기 타이밍 명령 이후 지연되는 상기 클록 신호의 추가 클록 사이클의 수에 대응하는, 장치.
- 제49항에 있어서, 상기 타이밍 명령의 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드가 상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하기 위한 값을 포함할 때 상기 액세스 명령의 액세스 동작 후 상기 메모리의 상기 클록 입력 버퍼가 인에이블된 상태에 유지되는 시간에 대응하는 연산 코드 값을 포함하기 위해 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 상기 연산 코드 필드를 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드가 상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하지 않게 하기 위한 값을 포함할 때 상기 클록 신호 동기화 옵션 필드와 연관된 상기 연산 코드 필드를 포함하지 않는, 장치.
- 방법으로서,
타이밍 명령을 메모리에 제공하는 단계로서, 상기 타이밍 명령은 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하고, 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 타이밍 명령과 연관된 액세스 명령 이후 상기 메모리의 입력 버퍼가 디스에이블되는 시기에 지연을 설정하도록 구성된, 상기 타이밍 명령을 메모리에 제공하는 단계;
상기 메모리에 상기 액세스 명령을 제공하는 단계; 및
상기 메모리에 의해 동기화되도록 데이터 클록 신호를 상기 메모리의 상기 입력 버퍼에 제공하는 단계를 포함하는, 방법. - 제55항에 있어서, 상기 타이밍 명령과 연관된 제2 액세스 명령을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 액세스 명령은 제2 메모리로 향하는, 방법.
- 제56항에 있어서, 상기 타이밍 명령과 연관된 제3 액세스 명령을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 액세스 명령은 상기 메모리로 향하는, 방법.
- 제55항에 있어서, 상기 데이터 클록 신호를 상기 메모리에 제공하는 단계는 제1 시간 동안 정적 레벨을 갖는 상기 데이터 클록 신호를 제공하는 단계 및 이후 클록 레벨이 변화된 상기 데이터 클록 신호를 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제55항에 있어서, 상기 타이밍 명령 및 상기 액세스 명령의 타이밍 수신을 위해 클록 신호를 제공하는 단계를 더 포함하는, 방법.
- 제55항에 있어서, 상기 타이밍 명령은,
상기 클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하기 위한 값을 위한 클록 신호 동기화 옵션 필드를 포함하는 제1 부분; 및
상기 액세스 명령 이후 상기 메모리의 상기 입력 버퍼가 디스에이블되는 시기에 지연을 설정하기 위한 값을 위한 연산 코드 필드를 포함하는 제2 부분을 포함하는, 방법. - 방법으로서,
클록 신호 동기화 옵션을 인에이블하고, 상기 클록 신호 동기화 옵션이 인에이블될 때 상기 타이밍 명령과 연관된 액세스 명령 이후 입력 버퍼가 디스에이블되는 시기에 지연을 설정하도록 구성된 타이밍 명령을 수신하는 단계;
상기 액세스 명령을 수신하는 단계;
데이터 클록 신호 및 이로부터 생성된 내부 클록 신호를 동기화하는 단계; 및
상기 타이밍 명령에 의해 설정된 지연에 기초하여 상기 입력 버퍼가 디스에이블되는 시기를 지연시키는 단계를 포함하는, 방법. - 제61항에 있어서, 상기 타이밍 명령은 상기 데이터 클록 신호와 상기 내부 클록 신호가 상기 타이밍 명령 이후 동기화되는 시기를 설정하도록 더 구성된, 방법.
- 제62항에 있어서,
상기 입력 버퍼가 상기 데이터 클록 신호를 수신하게 하는 단계;
상기 입력 버퍼에서 상기 데이터 클록 신호를 수신하는 단계; 및
설정된 지연에 따라 상기 액세스 명령에 대한 액세스 동작이 완료된 후 상기 입력 버퍼를 디스에이블하는 것을 지연시키는 단계를 더 포함하는, 방법. - 제61항에 있어서, 상기 액세스 명령은 기입 명령을 포함하고, 상기 방법은 상기 액세스 명령 이후의 기입 대기 시간으로 정의된 시간에 상기 기입 명령과 연관된 데이터를 수신하는 단계를 더 포함하는, 방법.
- 제61항에 있어서, 상기 액세스 명령은 판독 명령을 포함하고, 상기 방법은 상기 액세스 명령 이후의 판독 대기 시간으로 정의된 시간에 상기 판독 명령과 연관된 데이터를 제공하는 단계를 더 포함하는, 방법.
- 제65항에 있어서, 클록 신호에 상기 데이터를 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 클록 신호는 상기 데이터 클록 신호에 기초하는, 방법.
- 제61항에 있어서, 상기 데이터 클록 신호를 동기화하는 단계는 상기 데이터 클록 신호와 상기 내부 클록 신호 사이의 위상 관계를 결정하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제61항에 있어서, 상기 클록 신호 동기화 동작은 상기 데이터 클록 신호와 고속 클록 신호를 동기화하는 동작을 포함하는, 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762592208P | 2017-11-29 | 2017-11-29 | |
US62/592,208 | 2017-11-29 | ||
PCT/US2018/044126 WO2019108271A1 (en) | 2017-11-29 | 2018-07-27 | Apparatuses and methods including memory commands for semiconductor memories |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200083641A true KR20200083641A (ko) | 2020-07-08 |
KR102435438B1 KR102435438B1 (ko) | 2022-08-24 |
Family
ID=66632408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207018616A KR102435438B1 (ko) | 2017-11-29 | 2018-07-27 | 반도체 메모리를 위한 메모리 명령을 포함하는 장치 및 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US10915474B2 (ko) |
EP (1) | EP3718111A4 (ko) |
KR (1) | KR102435438B1 (ko) |
CN (2) | CN111566737B (ko) |
WO (1) | WO2019108271A1 (ko) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9601182B2 (en) * | 2015-05-08 | 2017-03-21 | Micron Technology, Inc. | Frequency synthesis for memory input-output operations |
US10210918B2 (en) * | 2017-02-28 | 2019-02-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for determining a phase relationship between an input clock signal and a multiphase clock signal |
US10269397B2 (en) | 2017-08-31 | 2019-04-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for providing active and inactive clock signals |
US10437514B2 (en) | 2017-10-02 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods including memory commands for semiconductor memories |
US10915474B2 (en) | 2017-11-29 | 2021-02-09 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods including memory commands for semiconductor memories |
US11508422B2 (en) * | 2019-08-02 | 2022-11-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same |
US11493949B2 (en) | 2020-03-27 | 2022-11-08 | Qualcomm Incorporated | Clocking scheme to receive data |
KR20220126833A (ko) * | 2021-03-09 | 2022-09-19 | 삼성전자주식회사 | 데이터 클럭의 동기화를 연장하는 메모리 장치의 동작 방법, 및 메모리 장치를 포함하는 전자 장치의 동작 방법 |
TWI809541B (zh) * | 2021-03-09 | 2023-07-21 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 與記憶體控制器進行通訊的記憶體元件的操作方法、以及包括其之電子元件的操作方法 |
US11171654B1 (en) * | 2021-05-13 | 2021-11-09 | Qualcomm Incorporated | Delay locked loop with segmented delay circuit |
KR20220157609A (ko) | 2021-05-21 | 2022-11-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
US11727979B2 (en) * | 2021-07-07 | 2023-08-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of reducing clock domain crossing timing violations, and related devices and systems |
US11914532B2 (en) * | 2021-08-31 | 2024-02-27 | Apple Inc. | Memory device bandwidth optimization |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020019375A (ko) * | 2000-09-05 | 2002-03-12 | 윤종용 | 고주파 클럭 신호의 주파수를 낮추어 어드레스 및커맨드의 동작 주파수로 사용하고 서로 다른 주파수의클럭 신호들을 수신하는 반도체 메모리 장치, 이를포함하는 메모리 모듈 및 시스템 메모리 모듈 |
KR100885387B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2009-02-24 | 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드 | 다중-주파수 동기화 클록 신호 발생기 |
KR100910852B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2009-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 |
KR20100083365A (ko) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 삼성전자주식회사 | 리드/라이트 명령 및 스캔 명령을 중재하는 중재 회로 및 이를 구비하는 디스플레이 구동회로 |
US20140293727A1 (en) * | 2010-12-13 | 2014-10-02 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal |
KR101499176B1 (ko) * | 2008-04-08 | 2015-03-06 | 삼성전자주식회사 | 클럭 신호의 위상 튜닝 방법 및 그 장치 |
KR20170005250A (ko) * | 2015-07-01 | 2017-01-12 | 삼성전자주식회사 | 커맨드 연동 클럭 생성 스키마를 갖는 반도체 메모리 장치 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3717289B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2005-11-16 | 富士通株式会社 | 集積回路装置 |
JP2000067577A (ja) | 1998-06-10 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
JP2000076853A (ja) | 1998-06-17 | 2000-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
JP2000030456A (ja) | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Fujitsu Ltd | メモリデバイス |
US8165155B2 (en) * | 2004-07-01 | 2012-04-24 | Broadcom Corporation | Method and system for a thin client and blade architecture |
GB2370667B (en) | 2000-09-05 | 2003-02-12 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor memory device having altered clock frequency for address and/or command signals, and memory module and system having the same |
JP4028694B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | カメラ装置および当該カメラ装置を具備する電子装置 |
US6801989B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Method and system for adjusting the timing offset between a clock signal and respective digital signals transmitted along with that clock signal, and memory device and computer system using same |
JP3866618B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2007-01-10 | エルピーダメモリ株式会社 | メモリシステム及びその制御方法 |
KR100510490B1 (ko) * | 2002-08-29 | 2005-08-26 | 삼성전자주식회사 | 부분적으로 제어되는 지연 동기 루프를 구비하는 반도체메모리 장치 |
DE10255354B3 (de) | 2002-11-27 | 2004-03-04 | Infineon Technologies Ag | A/D-Wandler mit minimiertem Umschaltfehler |
US7370168B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-05-06 | Renesas Technology Corp. | Memory card conforming to a multiple operation standards |
US6894551B2 (en) * | 2003-09-05 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Multiphase clock generators |
TWI251837B (en) | 2004-10-13 | 2006-03-21 | Via Tech Inc | Method and related apparatus for adjusting timing of memory signals |
US7656745B2 (en) | 2007-03-15 | 2010-02-02 | Micron Technology, Inc. | Circuit, system and method for controlling read latency |
KR100884609B1 (ko) | 2007-09-12 | 2009-02-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리장치의 버퍼제어회로 |
KR100942950B1 (ko) | 2008-09-02 | 2010-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
JP5687412B2 (ja) | 2009-01-16 | 2015-03-18 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体記憶装置及びそのリード待ち時間調整方法、メモリシステム、並びに半導体装置 |
US8683164B2 (en) | 2009-02-04 | 2014-03-25 | Micron Technology, Inc. | Stacked-die memory systems and methods for training stacked-die memory systems |
JP5653177B2 (ja) | 2010-11-04 | 2015-01-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | メモリインターフェース回路及び半導体装置 |
WO2012122381A2 (en) | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Rambus Inc. | Power-management for integrated circuits |
KR101898176B1 (ko) * | 2012-05-25 | 2018-09-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 버퍼 제어회로 |
WO2014085267A1 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Intel Corporation | Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package |
US9520169B2 (en) * | 2013-02-25 | 2016-12-13 | Longitude Semiconductor S.A.R.L. | Semiconductor device |
KR102079630B1 (ko) | 2013-03-13 | 2020-04-07 | 삼성전자주식회사 | 지연동기회로를 가지는 동기 반도체 메모리 장치 및 파워 세이빙을 위한 지연동기회로 블록 구동 제어 방법 |
US9024665B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-05-05 | Intel Corporation | Transmitter with voltage and current mode drivers |
CN103888141B (zh) | 2014-04-09 | 2017-10-27 | 华为技术有限公司 | 流水线逐次比较模数转换器的自校准方法和装置 |
US9384830B2 (en) * | 2014-05-06 | 2016-07-05 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing multiple memory operations |
US9530473B2 (en) | 2014-05-22 | 2016-12-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for timing provision of a command to input circuitry |
KR20160048512A (ko) | 2014-10-24 | 2016-05-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 타이밍 마진 자체 조정이 가능한 반도체 장치 |
JP6500910B2 (ja) * | 2014-11-10 | 2019-04-17 | ソニー株式会社 | インターフェース回路、記憶装置、情報処理システム、および、インターフェース回路の制御方法 |
US9865324B2 (en) | 2015-10-19 | 2018-01-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for decoding commands |
KR102429907B1 (ko) * | 2015-11-06 | 2022-08-05 | 삼성전자주식회사 | 소스 드라이버의 동작 방법, 디스플레이 구동 회로 및 디스플레이 구동 회로의 동작 방법 |
US9865317B2 (en) * | 2016-04-26 | 2018-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses including command delay adjustment circuit |
US10269397B2 (en) * | 2017-08-31 | 2019-04-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for providing active and inactive clock signals |
US10437514B2 (en) | 2017-10-02 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods including memory commands for semiconductor memories |
US10915474B2 (en) | 2017-11-29 | 2021-02-09 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods including memory commands for semiconductor memories |
KR20190068094A (ko) | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 메모리 시스템 |
-
2018
- 2018-07-13 US US16/035,414 patent/US10915474B2/en active Active
- 2018-07-13 US US16/035,452 patent/US10467158B2/en active Active
- 2018-07-27 EP EP18883686.0A patent/EP3718111A4/en not_active Withdrawn
- 2018-07-27 WO PCT/US2018/044126 patent/WO2019108271A1/en unknown
- 2018-07-27 CN CN201880085160.7A patent/CN111566737B/zh active Active
- 2018-07-27 KR KR1020207018616A patent/KR102435438B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-27 CN CN202311288334.9A patent/CN117193664A/zh active Pending
-
2019
- 2019-10-18 US US16/657,474 patent/US10789186B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-25 US US17/032,152 patent/US11347666B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-04 US US17/167,475 patent/US11550741B2/en active Active
-
2022
- 2022-05-23 US US17/751,298 patent/US20220334986A1/en active Pending
-
2023
- 2023-01-04 US US18/149,817 patent/US12019570B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020019375A (ko) * | 2000-09-05 | 2002-03-12 | 윤종용 | 고주파 클럭 신호의 주파수를 낮추어 어드레스 및커맨드의 동작 주파수로 사용하고 서로 다른 주파수의클럭 신호들을 수신하는 반도체 메모리 장치, 이를포함하는 메모리 모듈 및 시스템 메모리 모듈 |
KR100885387B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2009-02-24 | 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드 | 다중-주파수 동기화 클록 신호 발생기 |
KR100910852B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2009-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 |
KR101499176B1 (ko) * | 2008-04-08 | 2015-03-06 | 삼성전자주식회사 | 클럭 신호의 위상 튜닝 방법 및 그 장치 |
KR20100083365A (ko) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 삼성전자주식회사 | 리드/라이트 명령 및 스캔 명령을 중재하는 중재 회로 및 이를 구비하는 디스플레이 구동회로 |
US20140293727A1 (en) * | 2010-12-13 | 2014-10-02 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal |
JP5642524B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2014-12-17 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置 |
KR20170005250A (ko) * | 2015-07-01 | 2017-01-12 | 삼성전자주식회사 | 커맨드 연동 클럭 생성 스키마를 갖는 반도체 메모리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US12019570B2 (en) | 2024-06-25 |
US11550741B2 (en) | 2023-01-10 |
US11347666B2 (en) | 2022-05-31 |
CN111566737B (zh) | 2023-10-20 |
EP3718111A1 (en) | 2020-10-07 |
KR102435438B1 (ko) | 2022-08-24 |
US20210232514A1 (en) | 2021-07-29 |
US10467158B2 (en) | 2019-11-05 |
EP3718111A4 (en) | 2021-09-08 |
US20230214335A1 (en) | 2023-07-06 |
US10789186B2 (en) | 2020-09-29 |
US10915474B2 (en) | 2021-02-09 |
US20200050564A1 (en) | 2020-02-13 |
US20190163653A1 (en) | 2019-05-30 |
WO2019108271A1 (en) | 2019-06-06 |
CN111566737A (zh) | 2020-08-21 |
US20190163652A1 (en) | 2019-05-30 |
US20210011868A1 (en) | 2021-01-14 |
CN117193664A (zh) | 2023-12-08 |
US20220334986A1 (en) | 2022-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102435438B1 (ko) | 반도체 메모리를 위한 메모리 명령을 포함하는 장치 및 방법 | |
CN111124998B (zh) | 片上系统、其操作方法及包括该片上系统的电子设备 | |
KR102401526B1 (ko) | 입력 클록 신호와 다상 클록 신호 간의 위상 관계를 결정하기 위한 장치 및 방법 | |
US10872646B2 (en) | Apparatuses and methods for providing active and inactive clock signals | |
US11262941B2 (en) | Apparatuses and methods including memory commands for semiconductor memories | |
CN112820333B (zh) | 用于半导体存储器中的时钟调平的设备及方法 | |
US11056171B1 (en) | Apparatuses and methods for wide clock frequency range command paths | |
US8107315B2 (en) | Double data rate memory device having data selection circuit and data paths | |
KR20130046122A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 | |
US20230386556A1 (en) | Apparatuses and methods for arranging read data for output | |
CN117476071A (zh) | 用于训练操作的设备及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |