KR20200080172A - 성막 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 처리의 면내 균일성을 향상시킴과 함께, 파티클을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
내부에 진공 분위기를 형성하는 처리 용기와, 기판을 적재하기 위해서 상기 처리 용기 내에 마련된 가열 수단을 갖는 적재대와, 상기 적재대에 대향하는 위치에 마련된 가스 토출 기구와, 상기 처리 용기 내를 배기하는 배기 수단을 구비하고, 상기 가스 토출 기구는, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입구와, 상기 가스 도입구보다도 외측에 제1 개구부를 갖는 제1 판형 부재와, 상기 제1 판형 부재와 상기 적재대 사이에 마련되고, 상기 제1 개구부로부터 복수의 가스 구멍을 지나 프로세스 공간에 상기 처리 가스를 공급하는 샤워 플레이트를 포함하는 성막 장치가 제공된다.

Description

성막 장치 및 방법{FILM-FORMING APPARATUS AND FILM-FORMING METHOD}
본 개시는, 성막 장치 및 방법에 관한 것이다.
기판에 대향하는 면에 균일하게 가스 구멍이 형성된 샤워 헤드로부터 원료 가스를 포함하는 가스를 공급하고, 기판에 성막하는 성막 장치가 있다. 이러한 성막 장치에서는, 샤워 헤드의 중심부 근방에서는 가스의 압력이 높고, 또한, 가스의 외주 방향으로의 유속이 기판의 중심부 근방에서는 느리기 때문에, 원료 가스의 농도가 기판의 중심부 근방에서 높아져, 기판의 중앙에서 막 두께가 증가함으로써, 막의 면내 균일성을 도모할 수 없는 경우가 있다.
그래서, 특허문헌 1은, 기판의 외주보다도 외측에 가스를 분출하고, 또한 기판의 외주보다도 직경 방향 상에서 외측에 마련된 배기구로부터 가스를 배기하는 성막 장치를 제안한다. 이것에 의하면, 기판의 외측으로부터 기판의 표면에 확산되는 원료 가스의 화학종에 의해 기판 상에 성막을 행함으로써 막의 면내 균일성을 개선할 수 있다.
일본 특허 공개 제2009-239104호 공보
본 개시는, 막의 면내 균일성을 향상시킴과 함께, 파티클을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 하나의 양태에 의하면, 내부에 진공 분위기를 형성하는 처리 용기와, 기판을 적재하기 위해서 상기 처리 용기 내에 마련된 가열 수단을 갖는 적재대와, 상기 적재대에 대향하는 위치에 마련된 가스 토출 기구와, 상기 처리 용기 내를 배기하는 배기 수단을 구비하고, 상기 가스 토출 기구는, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입구와, 상기 가스 도입구보다도 직경 방향 외측에 제1 개구부를 갖는 제1 판형 부재와, 상기 제1 판형 부재와 상기 적재대 사이에 마련되고, 상기 제1 개구부로부터 복수의 가스 구멍을 지나 프로세스 공간에 상기 처리 가스를 공급하는 샤워 플레이트를 포함하는 성막 장치가 제공된다.
하나의 측면에 의하면, 막의 면내 균일성을 향상시킴과 함께, 파티클을 억제 할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 관한 성막 장치의 처리 위치에 있어서의 단면 모식도.
도 2는 일 실시 형태에 관한 성막 장치의 전달 위치에 있어서의 단면 모식도.
도 3은 도 1의 I-I 단면을 나타내는 도면.
도 4는 일 실시 형태에 관한 성막 장치 및 비교예의 성막 장치의 처리 가스의 흐름의 일례를 나타내는 도면.
도 5는 일 실시 형태에 관한 성막 장치 및 비교예의 성막 장치에 의한 성막의 실험 결과의 일례.
도 6은 일 실시 형태에 관한 성막 장치 및 비교예의 성막 장치에 의한 성막의 실험 결과의 일례.
도 7은 일 실시 형태에 관한 성막 장치의 갭을 변경했을 때의 성막의 실험 결과의 일례.
이하, 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략하는 경우가 있다.
[성막 장치]
먼저, 본 개시에 일 실시 형태에 관한 성막 장치(1)의 구성예에 대해, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 일 실시 형태에 관한 성막 장치(1)의 처리 위치에 있어서의 단면 모식도이다. 도 2는, 일 실시 형태에 관한 성막 장치(1)의 전달 위치에 있어서의 단면 모식도이다. 도 1 및 도 2에 도시되는 성막 장치(1)는, CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치이며, 예를 들어 루테늄을 매립하기 위한 루테늄 매립 공정을 행하는 장치이다. 예를 들어, 도데카카르보닐3루테늄 Ru3(CO)12 등의 루테늄 함유 가스(원료 가스, 전구체)와 CO 등의 캐리어 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하여 웨이퍼 W 상에 루테늄막을 성막한다.
성막 장치(1)는, 처리 용기(101)를 갖는다. 처리 용기(101)는, 상측에 개구를 갖는 바닥이 있는 용기이다. 처리 용기(101)는, 성막 시에 내부가 진공 분위기로 된다. 처리 용기(101)는, 내부에, 웨이퍼 W를 적재하기 위한 적재대(105)와, 적재대(105)와 대향하도록 처리 용기(101)의 상부에 마련되고, 웨이퍼 W의 표면에 가스를 공급하기 위한 가스 토출 기구(103)를 구비하고 있다. 가스 토출 기구(103)는, 가스를 도입하는 공간을 구획 형성한다. 가스 토출 기구(103)의 구성에 대해서는 후술한다.
지지 부재(102)는, 가스 토출 기구(103)를 지지한다. 또한, 지지 부재(102)가 처리 용기(101)의 상측 개구를 막음으로써, 처리 용기(101)는 밀폐되어, 처리실(101c)이 형성된다. 가스 공급부(40)는, 지지 부재(102)를 관통하는 공급관에 의해 형성된 가스 도입구(16)를 통하여, 가스 토출 기구(103)에 루테늄 함유 가스 등의 원료 가스와 CO 가스 등의 캐리어 가스를 공급한다. 가스 공급부(40)로부터 공급된 루테늄 함유 가스나 캐리어 가스는, 가스 토출 기구(103)로부터 처리실(101c) 내로 공급된다. 또한, 루테늄 함유 가스나 캐리어 가스는 처리 가스의 일례이다.
적재대(105)는, 예를 들어 질화 알루미늄이나 석영 등을 재료로 하여, 편평한 원판형으로 형성된 판부(105a)를 갖고 있다. 적재대(105)의 내부에는, 웨이퍼 W를 가열하는 가열 수단의 일례로서, 히터(106)가 매설되어 있다. 히터(106)는, 예를 들어 시트형 저항 발열체로 구성되어 있다. 히터(106)는, 처리 용기(101)의 외부에 마련된 전원(126)으로부터 전력이 공급되어 발열하여, 적재대(105)의 적재면을 가열함으로써, 성막에 적합한 소정의 프로세스 온도까지 웨이퍼 W를 승온한다. 히터(106)는, 적재대(105) 상에 적재된 웨이퍼 W를, 예를 들어 130 내지 300℃로 가열한다.
또한, 적재대(105)는, 적재대(105)의 하면 중심부로부터 하방을 향해서 신장하고, 처리 용기(101)의 저부를 관통하는 지지 부재(105b)를 갖는다. 지지 부재(105b)의 일단은, 승강판(109)을 통하여 승강 기구(110)에 지지되어 있다. 지지 부재(105b), 승강판(109) 및 승강 기구(110)는, 적재대(105)가 갖는 승강 가능한 구동 기구의 일례이다.
또한, 적재대(105)의 하부에는, 온도 조절 부재로서, 온도 조절 재킷(108)이 마련되어 있다. 온도 조절 재킷(108)은, 적재대(105)와 동일 정도의 사이즈의 판부(108a)의 상부에 형성되고, 지지 부재(105b)보다도 직경이 큰 축부(108b)가 하부에 형성되어 있다. 또한, 온도 조절 재킷(108)에는, 중앙의 상하 방향에 판부(108a) 및 축부(108b)를 관통하는 구멍부(108c)가 형성되어 있다.
온도 조절 재킷(108)은, 구멍부(108c)에 지지 부재(105b)를 수용하고 있으며, 구멍부(108c)에서 지지 부재(105b)를 덮음과 함께 적재대(105)의 이면 전체면을 덮도록 배치되어 있다.
온도 조절 재킷(108)은, 판부(108a)의 내부에 냉매 유로(108d)가 형성되고, 축부(108b)의 내부에 2개의 냉매 배관(115a, 115b)이 마련되어 있다. 냉매 유로(108d)는, 한쪽의 단부가 한쪽의 냉매 배관(115a)에 접속되고, 다른 쪽의 단부가 다른 쪽의 냉매 배관(115b)에 접속되어 있다. 냉매 배관(115a, 115b)은, 냉매 유닛(115)에 접속되어 있다.
냉매 유닛(115)은, 예를 들어 칠러 유닛이다. 냉매 유닛(115)은, 냉매의 온도가 제어 가능하게 되어 있고, 소정 온도의 냉매를 냉매 배관(115a)에 공급한다. 냉매 유로(108d)에는, 냉매 유닛(115)으로부터 냉매 배관(115a)을 통하여 냉매가 공급된다. 냉매 유로(108d)에 공급된 냉매는, 냉매 배관(115b)을 통하여 냉매 유닛(115)으로 복귀한다. 온도 조절 재킷(108)은, 냉매 유로(108d) 중에 냉매, 예를 들어 냉각수 등을 순환시킴으로써, 온도 조정이 가능하게 되어 있다.
적재대(105)와 온도 조절 재킷(108) 사이에는, 단열 부재로서, 단열 링(107)이 배치되어 있다. 단열 링(107)은, 예를 들어 SUS316, A5052, Ti(티타늄), 세라믹 등에 의해, 원반형으로 형성되어 있다.
단열 링(107)은, 적재대(105)와의 사이에, 온도 조절 재킷(108)의 구멍부(108c)로부터 에지부까지 연통하도록 간극이 모든 둘레 방향으로 형성되어 있다. 예를 들어, 단열 링(107)은, 적재대(105)와 대향하는 상면에 복수의 돌기부가 마련되어 있다.
단열 링(107)에는, 둘레 방향으로 간격을 두고 동심원형으로 복수의 돌기부가 복수, 예를 들어 2열 형성되어 있다. 또한, 돌기부는, 동심원형으로 적어도 1열 형성되어 있으면 된다.
온도 조절 재킷(108)의 축부(108b)는, 처리 용기(101)의 저부를 관통한다. 온도 조절 재킷(108)의 하단부는, 처리 용기(101)의 하방에 배치된 승강판(109)을 통하여, 승강 기구(110)에 지지된다. 처리 용기(101)의 저부와 승강판(109) 사이에는, 벨로우즈(111)가 마련되어 있어, 승강판(109)의 상하 이동에 의해서도 처리 용기(101) 내의 기밀성은 유지된다.
승강 기구(110)가 승강판(109)을 승강시킴으로써, 샤워 플레이트(12)와 적재대(105)의 거리 G를 제어할 수 있다. 또한, 적재대(105)는, 웨이퍼 W의 처리가 행해지는 처리 위치(도 1 참조)와, 반입출구(101a)를 통하여 외부의 반송 기구(도시되지 않음) 사이에서 웨이퍼 W의 전달이 행해지는 전달 위치(도 2 참조)의 사이를 승강할 수 있다.
승강 핀(112)은, 외부의 반송 기구(미도시)와의 사이에서 웨이퍼 W의 전달을 행할 때, 웨이퍼 W의 하면으로부터 지지되고, 적재대(105)의 적재면으로부터 웨이퍼 W를 들어 올린다. 승강 핀(112)은, 축부와, 축부보다도 직경 확대된 헤드부를 갖고 있다. 적재대(105) 및 온도 조절 재킷(108)의 판부(108a)는, 승강 핀(112)의 축부가 삽입 관통하는 관통 구멍이 형성되어 있다. 또한, 적재대(105)의 적재면측에 승강 핀(112)의 헤드부를 수납하는 홈부가 형성되어 있다. 승강 핀(112)의 하방에는, 맞닿음 부재(113)가 배치되어 있다.
적재대(105)를 웨이퍼 W의 처리 위치(도 1 참조)까지 이동시킨 상태에 있어서, 승강 핀(112)의 헤드부는 홈부 내에 수납되어, 웨이퍼 W는 적재대(105)의 적재면에 적재된다. 또한, 승강 핀(112)의 헤드부가 홈부에 걸림 지지되고, 승강 핀(112)의 축부는 적재대(105) 및 온도 조절 재킷(108)의 판부(108a)를 관통하고, 승강 핀(112)의 축부의 하단은 온도 조절 재킷(108)의 판부(108a)로부터 돌출되어 있다. 한편, 적재대(105)를 웨이퍼 W의 전달 위치(도 2 참조)까지 이동시킨 상태에 있어서, 승강 핀(112)의 하단이 맞닿음 부재(113)와 맞닿고, 승강 핀(112)의 헤드부가 적재대(105)의 적재면으로부터 돌출된다. 이에 의해, 승강 핀(112)의 헤드부가 웨이퍼 W의 하면으로부터 지지되고, 적재대(105)의 적재면으로부터 웨이퍼 W를 들어 올린다.
환형 부재(114)는, 적재대(105)의 상방에 배치되어 있다. 적재대(105)를 웨이퍼 W의 처리 위치(도 1 참조)까지 이동시킨 상태에서, 환형 부재(114)는, 웨이퍼 W의 상면 외주부와 접촉하고, 환형 부재(114)의 자중에 의해 웨이퍼 W를 적재대(105)의 적재면에 압박한다. 한편, 적재대(105)를 웨이퍼 W의 전달 위치(도 2 참조)까지 이동시킨 상태에 있어서, 환형 부재(114)는, 반입출구(101a)보다도 상방에서 도시하지 않은 걸림 지지부에 의해 걸림 지지되어 있고, 반송 기구(도시되지 않음)에 의한 웨이퍼 W의 전달을 저해하지 않도록 되어 있다.
전열 가스 공급부(116)는, 배관(116a), 온도 조절 재킷(108)에 형성된 유로(미도시), 적재대(105)에 형성된 유로(미도시)를 통하여, 적재대(105)에 적재된 웨이퍼 W의 이면과 적재대(105)의 적재면 사이에, 예를 들어 He 가스 등의 전열 가스를 공급한다.
퍼지 가스 공급부(117)는, 배관(117a), 적재대(105)의 지지 부재(105b)와 온도 조절 재킷(108)의 구멍부(108c) 사이에 형성된 간극을 지나, 적재대(105)와 단열 링(107) 사이에 형성되어 직경 방향 외측을 향해서 연장되는 유로(미도시), 적재대(105)의 외주부에 형성된 상하 방향의 제2 유로(도시되지 않음)를 통하여, 환형 부재(114)의 하면과 적재대(105)의 상면 사이에, 예를 들어 CO 가스 등의 퍼지 가스를 공급한다. 이에 의해, 환형 부재(114)의 하면과 적재대(105)의 상면 사이의 공간에 프로세스 가스가 유입되는 것을 억제하여, 환형 부재(114)의 하면이나 적재대(105)의 외주부의 상면에 성막되는 것을 방지한다.
적재대(105)의 직경 방향 상의 외측에는, 적재대(105)보다 상측의 프로세스 공간(101d)을 배기하는 배기구(13)가 형성되어 있다. 적재대(105)는, 외주부에 커버 링(104)이 걸림 결합되고, 커버 링(104)에 위치 결정된 환형 부재(114)가 웨이퍼 W의 주연부를 압박하고, 웨이퍼 W의 주연부를 압박하는 환형 부재(114)의 상면과 샤워 플레이트(12)의 하면 사이에 형성된 배기구(13)에 의해, 처리 가스가 직경 방향 외측으로 배기된다. 배기구(13)는, 환형 부재(114)의 상면과 샤워 플레이트(12)의 외주부에 마련된 돌기부의 하면 사이에 형성된 개구이며, 처리 용기(101)의 공간과 연통한다.
처리 용기(101)의 측벽에는, 웨이퍼 W를 반입출하기 위한 반입출구(101a)와, 반입출구(101a)를 개폐하는 게이트 밸브(118)가 마련되어 있다.
처리 용기(101) 하방의 측벽에는, 배기관(101b)을 통하여, 진공 펌프 등을 포함하는 배기부(119)가 접속된다. 배기부(119)에 의해 처리 용기(101) 내가 배기되고, 처리실(101c) 내가 소정의 진공 분위기(예를 들어, 1.33Pa)로 설정, 유지된다. 배기관(101b) 및 배기부(119)는, 처리 용기(101) 내를 배기하는 배기 수단의 일례이다. 배기 수단은, 적재대(105)보다 하방에 위치한다.
가스 토출 기구(103)의 천장부의 중앙에는, 가스 도입구(16)가 마련되어 있다. 가스 도입구(16)는, 가스 라인(43)을 통하여 가스 공급부(40)에 접속되어, 가스 토출 기구(103) 내에 원료 가스와 캐리어 가스를 포함하는 처리 가스를 도입한다.
가스 공급부(40)는, 유량 제어기(41f, 42f) 및 밸브(41v, 42v)를 포함하고 있다. 유량 제어기(41f, 42f)의 각각은, 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식 유량 제어기이다.
유량 제어기(41f)의 입력에는 가스 소스(41s)가 접속되어 있다. 가스 소스(41s)는 예를 들어 원료 가스로서 사용될 수 있는 Ru3(CO)12의 소스이다. 유량 제어기(41f)의 출력은, 밸브(41v)를 거쳐 가스 라인(43)에 접속되어 있다.
유량 제어기(42f)의 입력에는 가스 소스(42s)가 접속되어 있다. 가스 소스(42s)는 예를 들어 캐리어 가스로서 사용될 수 있는 CO 가스의 소스이다. 유량 제어기(42f)의 출력은, 밸브(42v)를 거쳐 가스 라인(43)에 접속되어 있다.
또한, 성막 장치(1)는, 또한 도시하지 않은 가스 소스로부터 희가스를 공급해도 된다. 가스 공급부(40)는, 가스 소스(41s, 42s)로부터의 처리 가스의 유량을 제어하고, 유량이 제어된 처리 가스를 가스 도입구(16)로부터 처리 용기(101)의 내부에 공급한다.
성막 장치(1)는, 제어부(120)를 더 구비할 수 있다. 제어부(120)는, 프로세서, 메모리 등의 기억부, 입력 장치, 표시 장치, 신호의 입출력 인터페이스 등을 구비하는 컴퓨터일 수 있다. 제어부(120)는, 성막 장치(1)의 각 부를 제어한다. 예를 들어, 제어부(120)는, 가스 공급부(40), 히터(106), 승강 기구(110), 냉매 유닛(115), 전열 가스 공급부(116), 퍼지 가스 공급부(117), 게이트 밸브(118), 배기부(119) 등을 제어함으로써, 성막 장치(1)의 동작을 제어한다.
제어부(120)에서는, 입력 장치를 사용하여, 오퍼레이터가 성막 장치(1)를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있다. 또한, 제어부(120)에서는, 표시 장치에 의해, 성막 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시할 수 있다. 또한, 기억부에는, 제어 프로그램 및 레시피 데이터가 저장되어 있다. 제어 프로그램은, 성막 장치(1)에서 각종 처리를 실행하기 위해서, 프로세서에 의해 실행된다. 프로세서가, 제어 프로그램을 실행하고, 레시피 데이터에 따라서 성막 장치(1)의 각 부를 제어한다.
다음에, 성막 장치(1)의 동작의 일례에 대해서 설명한다. 또한, 개시 시에 있어서, 처리실(101c) 내는, 배기부(119)에 의해 진공 분위기로 되어 있다. 또한, 적재대(105)는 전달 위치에 이동되어 있다.
제어부(120)는, 게이트 밸브(118)를 개방한다. 여기서, 외부의 반송 기구(미도시)에 의해, 승강 핀(112) 상에 웨이퍼 W가 적재된다. 반송 기구(미도시)가 반입출구(101a)로부터 나오면, 제어부(120)는, 게이트 밸브(118)를 폐쇄한다.
제어부(120)는, 승강 기구(110)를 제어하여 적재대(105)를 처리 위치로 이동시킨다. 이 때, 적재대(105)가 상승함으로써, 승강 핀(112) 상에 적재된 웨이퍼 W가 적재대(105)의 적재면에 적재된다. 또한, 환형 부재(114)가 웨이퍼 W의 상면 외주부와 접촉하고, 환형 부재(114)의 자중에 의해 웨이퍼 W를 적재대(105)의 적재면에 압박한다. 이에 의해, 처리실(101c)에는, 적재대(105)보다 상측의 프로세스 공간(101d)과, 적재대(105)보다 하측의 하부 공간(101e)이 형성된다.
처리 위치에 있어서, 제어부(120)는, 히터(106)를 동작시킴과 함께, 가스 공급부(40)를 제어하여, Ru3(CO)12의 원료 가스와 CO의 캐리어 가스를 가스 토출 기구(103)로부터 처리실(101c)의 프로세스 공간(101d) 내로 공급시킨다. 이에 의해, 웨이퍼 W에 루테늄막이 성막된다. 처리 후의 가스는, 프로세스 공간(101d)으로부터 환형 부재(114)의 상면측의 배기구(13)를 통과하고, 하부 공간(101e)으로 흘러서, 배기관(101b)을 통하여 배기부(119)에 의해 배기된다.
이 때, 제어부(120)는, 전열 가스 공급부(116)를 제어하여, 적재대(105)에 적재된 웨이퍼 W의 이면과 적재대(105)의 적재면 사이에 전열 가스를 공급한다. 또한, 제어부(120)는, 퍼지 가스 공급부(117)를 제어하여, 환형 부재(114)의 하면과 적재대(105)의 상면 사이에 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지 가스는, 환형 부재(114)의 하면측의 유로를 통과하고, 하부 공간(101e)으로 흘러서, 배기관(101b)을 통하여 배기부(119)에 의해 배기된다.
소정의 처리가 종료되면, 제어부(120)는, 승강 기구(110)를 제어하여 적재대(105)를 수취 위치로 이동시킨다. 이 때, 적재대(105)가 하강함으로써, 환형 부재(114)가 도시하지 않은 걸림 지지부에 의해 걸림 지지된다. 또한, 승강 핀(112)의 하단이 맞닿음 부재(113)와 접촉함으로써, 승강 핀(112)의 헤드부가 적재대(105)의 적재면으로부터 돌출하여, 적재대(105)의 적재면으로부터 웨이퍼 W를 들어 올린다.
제어부(120)는, 게이트 밸브(118)를 개방한다. 여기서, 외부의 반송 기구(미도시)에 의해, 승강 핀(112) 상에 적재된 웨이퍼 W가 반출된다. 반송 기구(미도시)가 반입출구(101a)로부터 나오면, 제어부(120)는, 게이트 밸브(118)를 폐쇄한다.
이와 같이, 도 1 및 도 2에 도시하는 성막 장치(1)에 의하면, 웨이퍼 W에 성막 등의 소정의 처리를 행할 수 있다.
[가스 토출 기구의 구성]
다음에, 가스 토출 기구(103)의 구성에 대해서 설명한다. 가스 토출 기구(103) 내의 가스 도입구(16)와 적재대(105) 사이에는, 상측으로부터 순서대로 제1 판형 부재(10), 제2 판형 부재(11) 및 샤워 플레이트(12)가 마련되어 있다. 제1 판형 부재(10), 제2 판형 부재(11) 및 샤워 플레이트(12)는, 모두 원반형 부재이며, 가스 토출 기구(103) 내에서 적재대(105)에 대향하여 대략 평행하게 수평 방향으로 이격하여 마련된다.
제1 판형 부재(10)는, 가스 도입구(16)에 대향하여 배치되어 있다. 제1 판형 부재(10)는, 가스 도입구(16)보다도 직경 방향 외측에 제1 개구부(10a)를 갖는다. 도 3은, 도 1의 I-I 단면을 나타내는 도면이다. 제1 판형 부재(10)는, 중앙의 원판 부재(10c)와 외측의 원반 부재(10d) 사이에 둘레 방향으로 4개의 제1 개구부(10a)를 갖는다. 중앙의 원판 부재(10c)와 외측의 원반 부재(10d)는, 지지부(10b)로 연결되어 있다. 단, 제1 개구부(10a)의 개수 및 지지부(10b)의 개수는 이에 한정되지 않고, 2 이상이어도 된다.
또한, 중앙의 원판 부재(10c)는, 가스 도입구(16)의 직경보다 큰 것이 바람직하고, 예를 들어 8 내지 34cm이다. 중앙의 원판 부재(10c)의 크기를, 가스 도입구(16)의 직경보다 크게 함으로써, 상류로부터의 가스가 중앙의 원판 부재(10c)에 접촉하는 비율이 많아져, 가스를 효율적으로 확산할 수 있다. 또한, 상류에 포함될 가능성이 있는 파티클을 중앙의 원판 부재(10c)에서 효율적으로 감소시킬 수 있다.
도 1로 되돌아가, 제2 판형 부재(11)는, 제1 판형 부재(10)와 샤워 플레이트(12) 사이에 마련되고, 중앙부에 제2 개구부(11a)를 갖는다. 제1 개구부(10a)와 제2 개구부(11a)는, 평면으로 볼 때 중첩되지 않는다.
샤워 플레이트(12)는, 제1 판형 부재(10)와 적재대(105) 사이에 마련되고, 복수의 가스 구멍(12a)으로부터 웨이퍼 W의 프로세스 공간에 처리 가스를 공급한다. 샤워 플레이트(12)가 갖는 복수의 가스 구멍(12a) 중, 최외주의 가스 구멍(12a)은, 적재대(105) 상의 웨이퍼 W보다도 직경 방향 외측에 마련되어 있다. 최외주의 가스 구멍(12a)이 적재대(105) 상의 웨이퍼 W보다도 직경 방향 외측에 마련되어 있음으로써, 처리 가스를 효율적 및/또는, 균등하게 확산, 공급할 수 있다. 샤워 플레이트(12)는, 가스 토출 기구(103)의 내부를 적재대(105)측의 프로세스 공간(101d)과, 가스 도입구(16)측의 공간(가스를 도입하는 공간)으로 처리실(101c)을 칸막이한다.
[처리 가스의 흐름]
다음에, 도 4를 참조하여, 일 실시 형태의 성막 장치(1)에 대해, 비교예의 성막 장치와 비교하면서 처리 가스의 흐름에 대해서 설명한다. 도 4의 (a)는, 일 실시 형태에 관한 성막 장치(1)의 처리 가스의 흐름을 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 4의 (b)는 비교예에 관한 성막 장치(9)의 처리 가스의 흐름을 모식적으로 나타낸 도면이다.
비교예에 관한 성막 장치(9)는, 배플판(19)이 가스 도입구(16)에 대향하여 마련되어 있다. 배플판(19)은, 가스 도입구(16)보다도 직경 방향 외측에 개구부(19a)를 갖는다. 성막 장치(9)는, 제2 판형 부재(11)와 샤워 플레이트(12)를 갖지 않는다.
성막 장치(9)에서는, 가스 도입구(16)로부터 도입된 처리 가스는, 배플판(19)과 처리 용기(2)의 천장면 사이를 지나 직경 방향 외측으로 흘러, 개구부(19a)를 통과한다. 그리고, 웨이퍼 W의 외주보다도 외측으로 처리 가스를 분출한다. 또한, 성막 장치(9)는 웨이퍼 W의 외주보다도 직경 방향 상에서 외측에 마련된 배기구(18)로부터 처리 가스를 배기한다. 이것에 의하면, 개구부(19a) 및 배기구(18)를 지나 배기되는 처리 가스는, 동시에, 프로세스 공간 U1 내에 확산되어, 웨이퍼 W의 외측으로부터 웨이퍼 W의 표면으로 확산되는 원료 가스의 화학종에 의해 웨이퍼 W 상에 성막을 행함으로써 막의 면내 균일성을 개선할 수 있다.
비교예에 관한 성막 장치(9)에 대해, 도 4의 (a)에 나타내는 일 실시 형태에 관한 성막 장치(1)는, 가일층의 면내 균일성의 향상과 파티클의 저감이 가능한 구조로 되어 있다. 가스 도입구(16)로부터 도입되는 처리 가스에는, 다수의 파티클이 포함된다. 처리 가스는, 먼저, 제1 판형 부재(10)에 접촉한다. 이에 의해, 처리 가스 중의 파티클의 일부는 제1 판형 부재(10)의 상면에 남는다. 이에 의해, 처리 가스 중의 파티클을 저감할 수 있다.
처리 가스는, 제1 판형 부재(10)의 직경 방향 외측을 향해서 흐른다. 그 후, 처리 가스는, 제1 판형 부재(10)의 제1 개구부(10a)를 지나, 제1 판형 부재(10)와 제2 판형 부재(11) 사이를 직경 방향 외측으로부터 내측을 향하여 흐른다.
또한, 처리 가스는, 제2 판형 부재(11)의 중앙에 마련된 제2 개구부(11a)로부터 하측을 향해서 흐른다. 제2 판형 부재(11) 아래에는, 샤워 플레이트(12)가 마련되어 있다. 처리 가스는, 제2 판형 부재(11)와 샤워 플레이트(12) 사이를 내측으로부터 외측을 향해 흐르면서, 샤워 플레이트(12)의 어느 가스 구멍(12a)에 흐른다. 이에 의해, 처리 가스가 웨이퍼 W의 상방에 샤워 형상으로 공급된다. 샤워 형상으로 공급된 처리 가스는, 웨이퍼 W의 성막에 사용되고, 적재대(105)의 직경 방향 상에 외측에 마련된 배기구(13)로부터 적재대(105)보다 하측의 하부 공간(101e)을 지나 외부로 배기된다.
이와 같이, 제1 판형 부재(10)에 의해 처리 가스 중의 파티클을 저감하고, 제2 판형 부재(11)의 중앙에 마련된 제2 개구부(11a)에 의해, 처리 가스를 중앙으로 모은 후, 샤워 플레이트(12) 상에 처리 가스를 흘린다. 이에 의해, 다수의 가스 구멍(12a)으로부터 적재대(105)측의 공간에 균등하게 처리 가스를 확산시킬 수 있다. 이에 의해, 비교예의 성막 장치(9)와 비교하여 더욱 막의 면내 균일성을 개선할 수 있다.
[실험 결과]
다음에, 일 실시 형태에 관한 성막 장치(1) 및 비교예에 관한 성막 장치(9)를 사용한 성막 처리의 실험 결과의 일례에 대해, 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5의 「 비교예」는, 도 4의 (b)에 나타내는 성막 장치(9)를 사용한 성막 처리의 실험 결과의 일례를 나타낸다. 도 5의 「본 실시 형태」는, 도 4의 (a)에 나타내는 성막 장치(1)를 사용한 성막 처리의 실험 결과의 일례를 나타낸다.
본 실시 형태의 φ120은, 도 1에 나타내는 제2 판형 부재(11)의 제2 개구부(11a)의 직경φ을 120mm로 한 경우, 본 실시 형태의 φ50은, 제2 개구부(11a)의 직경φ을 50mm로 한 경우의 실험 결과의 일례이다.
또한, 도 5는, 처리 가스로서 원료 가스의 Ru3(CO)12 가스 및 캐리어 가스의 CO 가스의 혼합 가스를 가스 도입구(16)로부터 100sccm 도입하고, 웨이퍼 W 상에 루테늄의 성막을 행했을 때의 실험 결과이다. 실험에서는, 적재대(105) 내의 히터(106)를 사용해서 적재대(105)의 온도를 135℃, 155℃, 175℃로 설정했다.
도 5의 실험 결과 중, 웨이퍼 W에 형성된 루테늄막의 막 두께는, 10nm정도로 했다. 막 두께의 Sigma/Ave(%)는, 웨이퍼 W 상에 대략 균등하게 점재시킨 49의 플롯에 있어서의 막 두께의, 막 두께 평균값에 대한 변동의 정도(%)를 나타낸다.
막 두께(직경 방향)는, 웨이퍼 W(직경 300mm)의 중심을 지나는 직경 방향으로 측정한 막 두께이다. 막 두께(직경 방향)의 그래프 중, A는 적재대(105)를 135℃로 설정했을 때의 웨이퍼 W 직경 방향의 막 두께를 나타낸다. B는 적재대(105)를 155℃로 설정했을 때의 웨이퍼 W 직경 방향의 막 두께를 나타낸다. C는 적재대(105)를 175℃로 설정했을 때의 웨이퍼 W 직경 방향의 막 두께를 나타낸다.
실험 결과에 의하면, 비교예에서는, 적재대(105)의 온도가 135℃ 및 155℃ 일 때에, Sigma/Ave(이하, 「막 두께의 변동 정도」라고 함)는 10.7(%) 및 10.2(%)였다.
이에 반하여, 본 실시 형태에서는, 제2 개구부(11a)의 직경φ가 120mm인 경우, 적재대(105)의 온도가 135℃ 및 155℃인 때에, 막 두께의 변동 정도는 5.5(%) 및 5.0(%)이었다. 또한, 제2 개구부(11a)의 직경φ가 50mm인 경우, 적재대(105)의 온도가 135℃ 및 155℃인 때에, 막 두께의 변동 정도는 6.5(%) 및 3.7(%)이었다.
이상으로부터, 본 실시 형태에서는, 135℃ 및 155℃의 비교적 저온의 조건에서는, 제2 개구부(11a)의 직경φ가 120mm인 경우 및 50mm인 경우 모두, 비교예와 비교해서 막 두께의 변동이 절반 정도 또는 그 이하가 되어, 막의 면내 균일성이 향상된 결과가 되었다.
동일 처리 가스를 동일 유량으로 도입했을 때, 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에서는, 비교예에 관한 성막 장치(9)보다도 샤워 플레이트(12)의 상부에서 처리 가스의 유속이 높아진다. 이 영향에 의해, 적재대(105)의 온도가 135℃의 저온일 때에는, 처리 가스의 유속이 빠를수록 성막 레이트가 내려간다.
한편, 적재대(105)의 온도가 그것보다도 고온인 155℃, 175℃가 되면, 온도의 영향에 의해 처리 가스의 유속이 빠를수록 성막 레이트가 오르는 것을 알 수 있다. 그 이유 중 하나로서는, 샤워 플레이트(12)를 마련함으로써, 처리 가스를 웨이퍼 W 상에 균일하게 공급할 수 있기 때문에, 적재대(105)의 온도가 155℃ 이상으로 높은 경우에는 처리 가스의 성막 이용 효율을 높일 수 있었던 것을 들 수 있다.
또한, 샤워 플레이트(12)를 마련함으로써, 처리실(101c)의 내부를 가스 도입구(16)측의 공간과 프로세스 공간(101d)으로 칸막이한다. 이에 의해, 가스 도입구(16)측의 공간과 처리실(101c) 사이에 차압이 생긴다. 이에 의해, 웨이퍼 W 상에 처리 가스를 균일하게 공급할 수 있다.
도 5의 막 두께의 그래프에 나타내는 바와 같이, 적재대(105)를 135℃ 및 155℃로 설정했을 때의 직경 방향의 막 두께를 나타내는 A 및 B에 있어서, 성막 장치(1)에서는 제2 개구부(11a)의 직경φ가 120mm 및 50mm인 경우 모두 면내 균일성이 도모되어 있는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 막 두께의 그래프로부터, 제2 개구부(11a)의 직경φ는, 적재대(105)의 온도에 의해 최적인 사이즈가 변화되는 것을 알 수 있었다. 예를 들어, 적재대(105)의 온도가 135℃ 또는 155℃인 때에는, 제2 개구부(11a)의 직경φ 사이즈에 의해 처리 가스의 흐름이 변화되는 것이 막의 면내 균일성에 끼치는 영향은 적다. 이에 반하여, 적재대(105)의 온도가 175℃인 때, 제2 개구부(11a)의 직경φ 사이즈에 의해 처리 가스의 흐름이 변화되는 것이 막의 면내 균일성에 끼치는 영향은 커진다. 구체적으로는, 직경φ가 50mm인 경우에는, 직경φ가 120mm인 경우보다도 웨이퍼 W의 중앙에서 외주보다도 성막 레이트가 높아져, 웨이퍼 W의 중앙부에서 주연부보다도 막 두께가 두꺼워진다. 따라서, 제2 개구부(11a)의 직경은, 5 내지 31cm인 것이 바람직하다.
이렇게 제2 개구부(11a)의 개구 직경에 의해 막 두께 분포를 변화시킬 수 있음을 알 수 있다. 이상으로부터, 제2 판형 부재(11)는, 처리 가스를 샤워 플레이트(12)에 공급하기 직전에 중앙으로 모아, 면내 균일성의 파라미터의 하나가 되기 때문에, 제1 판형 부재(10)와 샤워 플레이트(12)와 함께 배치되는 것이 바람직함을 알 수 있다. 단, 제1 판형 부재(10)와 샤워 플레이트(12)를 배치하면, 제2 판형 부재(11)는 배치하지 않아도 된다.
도 6은, 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1) 및 비교예에 관한 성막 장치(9)를 사용한 성막 처리의 실험 결과로서, 파티클의 발생 결과의 일례를 나타내는 도면이다. D는 비교예에 관한 성막 장치(9)를 사용했을 때의 파티클의 발생 결과를 나타내며, E, F는 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)를 사용했을 때의 파티클의 발생 결과를 나타낸다. E는 제2 개구부(11a)의 직경φ를 120mm로 설계한 경우이며, F는 제2 개구부(11a)의 직경φ를 50mm로 설계한 경우이다.
또한, 도 6의 실험 결과는, 도 5의 실험 결과를 얻기 위한 성막 조건과 동일 조건에서 성막을 실행해서 얻어진 결과이며, 적재대(105) 내의 히터(106)를 사용해서 적재대(105)의 온도를 135℃, 155℃, 175℃로 설정했다. 또한, 도 6의 실험 결과는, 적재대(105)의 온도를 135℃로 제어했을 때의 비교예 D에 나타내는 성막 장치(9)를 사용했을 때의 파티클을 「1」로 했을 때에, 여기에 대응하는 파티클의 비율을 나타낸다.
이것에 의하면, 적재대(105)의 온도를 135℃, 155℃, 175℃로 설정한 경우, 본 실시 형태 E, F에 나타내는 성막 장치(1)를 사용했을 때의 파티클의 발생은, 비교예 D에 나타내는 성막 장치(9)를 사용했을 때의 파티클의 발생에 대해 약 1/3 이하로 저감되었다.
이상으로부터, 본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에 의하면, 웨이퍼 W에 형성된 막의 면내 균일성을 향상시키고, 또한, 파티클의 발생을 억제하며, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
[변형예]
본 실시 형태에 관한 성막 장치(1)에서는, 샤워 플레이트(12)와 적재대(105)의 거리 G(도 1 참조)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 도 5 및 도 6의 실험 결과는, 샤워 플레이트(12)와 적재대(105)의 거리 G를 40mm 정도로 제어했을 때의 결과였다.
이에 반하여, 본 변형예에서는, 성막 장치(1)의 샤워 플레이트(12)와 적재대(105)의 거리 G를 20mm 정도로 제어했다. 제2 개구부(11a)의 직경φ는 120mm인 것을 사용하고, 이 경우의 막 두께(직경 방향)의 그래프의 일례를 도 7에 나타낸다.
도 7의 본 변형예(φ120mm: 거리 G가 20mm정도인 경우)의 그래프와, 제2 개구부(11a)의 직경φ가 동일한 크기의 본 실시 형태(φ120mm: 거리 G가 40mm정도인 경우)의 그래프를 비교했다. 이 결과, 적재대(105)의 온도를 135℃, 155℃로 제어한 경우, 거리 G를 20mm로 제어했을 때에는 거리 G를 40mm로 제어했을 때보다도 막의 면내 균일성은 낮아졌다. 이것은, 샤워 플레이트(12)와 적재대(105)의 거리 G를 20mm정도로 짧게 함으로써, 거리 G가 40mm정도인 때와 비교해서 웨이퍼 W 상의 중앙에서 처리 가스의 속도가 높아져, 웨이퍼 W의 중앙에서 성막 레이트가 낮아진 것이 하나의 요인으로서 생각된다.
단, 적재대(105)의 온도를 175℃로 제어한 경우에는, 거리 G를 20mm 정도로 제어했을 때의 쪽이 거리 G를 40mm 정도로 제어했을 때와 비교하여, 막의 면내 균일성은 양호했다.
이상으로부터, 성막 장치(1)의 샤워 플레이트(12)와 적재대(105)의 거리 G를 제어함으로써 막의 면내 균일성을 제어할 수 있음을 알 수 있다.
본 실시 형태 및 그의 변형예에 의하면, 적재대(105)의 온도에 의해, 막의 면내 균일성에 미치는 처리 가스의 흐름의 영향이 바뀌는 것을 알 수 있다. 그리고, 적재대(105)의 온도가 135℃ 내지 155℃의 비교적 저온 조건에서는, 제2 개구부(11a)의 직경φ가 120mm 및 50mm인 어느 경우에서도, 막의 면내 균일성, 파티클의 발생 상태를 종합적으로 보아 양호한 결과라는 결론을 얻었다.
또한, 적재대(105)의 온도가 135℃ 내지 155℃의 비교적 저온 조건에서는, 제2 개구부(11a)의 직경φ가 120mm 및 50mm의 어느 경우에서도 막 두께의 변동이 작고 면내 균일성이 보다 향상되는 것을 알 수 있다.
또한, 적재대(105)의 온도와, 제2 개구부(11a)의 직경 및 적재대(105)와 샤워 플레이트(12)의 거리 G를 제어함으로써, 막의 면내 균일성을 제어성 높게 컨트롤할 수 있음을 알 수 있다.
금회 개시된 일 실시 형태에 관한 성막 장치 및 방법은, 모든 점에 있어서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그의 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취해 얻을 수 있고, 또한, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
본 개시의 성막 장치(1)는, CVD 장치인 것으로서 설명했지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 플라스마 처리 장치여도 된다. 또한, 플라스마 처리 장치는, CCP(Capacitively Coupled Plasma), ICP(Inductively Coupled Plasma), RLSA(Radial Line Slot Antenna), ECR(Electron Cyclotron Resonance Plasma), HWP(Helicon Wave Plasma)의 어느 타입의 성막 장치라도 적용 가능하다.
본 명세서에서는, 기판의 일례로서 웨이퍼 W를 들어 설명하였다. 그러나, 기판은, 이에 한정하지 않으며, FPD(Flat Panel Display)에 사용되는 각종 기판, 프린트 기판 등이어도 된다.

Claims (15)

  1. 내부에 진공 분위기를 형성하는 처리 용기와,
    기판을 적재하기 위해서 상기 처리 용기 내에 마련된 가열 수단을 갖는 적재대와,
    상기 적재대에 대향하는 위치에 마련된 가스 토출 기구와,
    상기 처리 용기 내를 배기하는 배기 수단을 구비하고,
    상기 가스 토출 기구는,
    상기 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입구와,
    상기 가스 도입구보다도 직경 방향 외측에 제1 개구부를 갖는 제1 판형 부재와,
    상기 제1 판형 부재와 상기 적재대 사이에 마련되고, 상기 제1 개구부로부터 복수의 가스 구멍을 지나 프로세스 공간에 상기 처리 가스를 공급하는 샤워 플레이트를 포함하는, 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 판형 부재와 상기 샤워 플레이트 사이에 마련되고, 중앙부에 제2 개구부를 갖는 제2 판형 부재를 포함하는,
    성막 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부는, 평면으로 볼 때 중첩되지 않는,
    성막 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2 개구부의 직경은, 5 내지 31cm인,
    성막 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적재대는, 외주부에 커버 링이 걸림 결합되고, 상기 샤워 플레이트의 하면과 해당 커버 링의 상면 사이에 형성된 배기구에 의해, 상기 처리 가스가 직경 방향 외측으로 배기되는,
    성막 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 샤워 플레이트가 갖는 복수의 가스 구멍 중, 최외주의 가스 구멍은, 상기 적재대 상의 기판보다도 직경 방향 외측에 마련되어 있는,
    성막 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 판형 부재는,
    원주방향으로 복수의 상기 제1 개구부를 포함하는,
    성막 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 판형 부재는, 중앙부에 원형 판부와, 상기 원형 판부를 지지하는 복수의 지지부를 갖고, 상기 가스 도입구에 대향하는,
    성막 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 원형 판부는, 상기 가스 도입구의 직경보다 큰,
    성막 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 원형 판부의 직경은, 8 내지 34cm인,
    성막 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 샤워 플레이트는, 상기 처리 용기 내의 공간을 상기 가스 도입구의 측의 공간과, 상기 프로세스 공간으로 칸막이하는,
    성막 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배기 수단은, 상기 적재대보다 하방에 위치하는,
    성막 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적재대는, 승강 가능한 구동 기구를 갖고, 상기 샤워 플레이트의 거리를 제어 가능한,
    성막 장치.
  14. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적재대의 구동 기구와, 상기 적재대의 가열 수단과, 상기 처리 가스의 공급과, 상기 배기 수단을 제어하는 제어부를 포함하는,
    성막 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 성막 장치를 사용하여, 처리 용기 내의 기판에 대해 성막 처리를 행하는 성막 처리 방법에 있어서, 루테늄 함유 전구체와 캐리어 가스를 공급해서 상기 기판 상에 루테늄막을 성막하는, 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210153536A (ko) * 2020-06-10 2021-12-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6925548B1 (ja) * 2020-07-08 2021-08-25 信越化学工業株式会社 酸化ガリウム半導体膜の製造方法及び成膜装置
JP7114763B1 (ja) * 2021-02-15 2022-08-08 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム、および基板処理方法
CN115786884B (zh) * 2023-02-02 2023-05-05 江苏邑文微电子科技有限公司 一种增压加速型半导体薄膜沉积装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007308735A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置
KR20090107081A (ko) * 2007-03-01 2009-10-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ＳｒＴｉＯ3막의 성막 방법 및 기억 매체
JP2009239104A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置、コンピュータ可読記録媒体

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4707959B2 (ja) * 2004-02-20 2011-06-22 日本エー・エス・エム株式会社 シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
JP2005340251A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Shin Etsu Chem Co Ltd プラズマ処理装置用のシャワープレート及びプラズマ処理装置
US7231321B2 (en) * 2004-11-10 2007-06-12 Tokyo Electron Limited Method of resetting substrate processing apparatus, storage medium storing program for implementing the method, and substrate processing apparatus
US7927066B2 (en) * 2005-03-02 2011-04-19 Tokyo Electron Limited Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component
JP2007250944A (ja) 2006-03-17 2007-09-27 Sony Corp 半導体薄膜の成膜方法および半導体薄膜の成膜装置
JP2008047869A (ja) * 2006-06-13 2008-02-28 Hokuriku Seikei Kogyo Kk シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
JP5045000B2 (ja) * 2006-06-20 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5010234B2 (ja) * 2006-10-23 2012-08-29 北陸成型工業株式会社 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法
JP2008205219A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Masato Toshima シャワーヘッドおよびこれを用いたｃｖｄ装置
US20090155488A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-18 Asm Japan K.K. Shower plate electrode for plasma cvd reactor
US20110263123A1 (en) * 2008-08-05 2011-10-27 Tokyo Electron Limited Placing table structure
JP5123820B2 (ja) * 2008-10-27 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置
JP2010174779A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP5398837B2 (ja) * 2009-08-10 2014-01-29 三菱電機株式会社 プラズマｃｖｄ装置、プラズマ電極および半導体膜の製造方法
JP5445252B2 (ja) * 2010-03-16 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8895116B2 (en) 2010-11-04 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of crystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device
JP5654613B2 (ja) * 2010-11-24 2015-01-14 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜装置のクリーニング方法
WO2012133585A1 (ja) * 2011-03-29 2012-10-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
CN103794460B (zh) * 2012-10-29 2016-12-21 中微半导体设备(上海)有限公司 用于半导体装置性能改善的涂层
JP6324800B2 (ja) * 2014-05-07 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP6818402B2 (ja) * 2015-07-17 2021-01-20 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
US10483092B2 (en) 2016-04-13 2019-11-19 Lam Research Corporation Baffle plate and showerhead assemblies and corresponding manufacturing method
JP2021118249A (ja) * 2020-01-24 2021-08-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007308735A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置
KR101130897B1 (ko) * 2006-05-16 2012-03-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법 및 성막 장치
KR20090107081A (ko) * 2007-03-01 2009-10-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ＳｒＴｉＯ3막의 성막 방법 및 기억 매체
JP2009239104A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置、コンピュータ可読記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210153536A (ko) * 2020-06-10 2021-12-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20200208267A1 (en) 2020-07-02
JP7224175B2 (ja) 2023-02-17
JP2020105555A (ja) 2020-07-09
CN111378959B (zh) 2022-10-14
US11236423B2 (en) 2022-02-01
KR102358277B1 (ko) 2022-02-07
TW202033817A (zh) 2020-09-16
TWI837254B (zh) 2024-04-01
CN111378959A (zh) 2020-07-07

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