KR20200066934A - 플렉서블 전계 발광 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 출원은 플렉서블 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 본 출원의 일 실시 예에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치는, 플렉서블 기판, 제1 금속층, 무기 물질층, 함몰부, 제2 금속층 유기 물질층을 포함한다. 플렉서블 기판은 구부림 축을 갖는다. 제1 금속층은, 구부림 축과 평행하게 플렉서블 기판 위에 배치된다. 무기 물질층은, 제1 금속층 위에 적층된다. 함몰부는, 무기 물질층에서 구부림 축과 평행하게 배치되며 제1 금속층을 노출한다. 제2 금속층은, 구부림 축과 평행하게 함몰부를 덮으며 제1 금속층과 접촉한다. 유기 물질층은, 무기 물질층 및 제2 금속층을 덮는다.

Description

플렉서블 전계 발광 표시장치{FLEXIBLE ELECTROLUMINESENCE DISPLAY}
본 출원은 플렉서블 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 출원은 표시 영역을 접었다 펼때 혹은 둥글게 말았다 펼때 굽힘 응력에 강건한 구조를 갖는 플렉서블 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.
표시장치들 중에서 전계 발광 표시장치는 자체 발광형으로서, 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백 라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비 전력이 유리한 장점이 있다. 특히, 전계 발광 표시장치 중 유기발광 표시장치는 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답 속도가 빠르며, 제조 비용이 저렴한 장점이 있다.
전계 발광 표시장치는 다수 개의 전계 발광 다이오드를 포함한다. 전계 발광 다이오드는, 애노드 전극, 애노드 전극 상에 형성되는 발광층, 그리고 발광층 위에 형성되는 캐소드 전극을 포함한다. 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면, 애노드 전극에서는 정공이 캐소드 전극에서는 전자가 각각 발광층으로 이동된다. 발광층에서 정공과 전자가 결합할 때, 여기 과정에서 여기자(exiton)가 형성되고, 여기자로부터의 에너지로 인해 빛이 발생한다. 전계 발광 표시장치는, 뱅크에 의해 개별적으로 구분되는 다수 개의 전계 발광 다이오드의 발광층에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.
전계 발광 표시장치는 초박형으로 구현할 수 있고, 유기물질의 특징인 유연성을 최대한 활용할 수 있다는 장점이 있다. 우수한 유연성을 이용하여, 필요에 따라 접고 펼수 있는 폴더블(foldable) 표시장치 혹은 두루마리 방식으로 말아서 보관하고 펼쳐서 사용하는 롤러블(Rollable) 표시장치로의 개발이 용이하다. 하지만, 반복적으로 접고 펴는 동작을 반복할 경우, 구부림 응력에 의해 접히는 부분에서의 갈라짐 혹은 파손이 발생할 수 있다. 이러한 파손이 발생할 경우, 파손된 결함부를 통해 수분 또는 이물질이 외부로부터 롤러블 혹은 폴더블 전계 발광 표시장치 내부로 침투되고, 이는 전계 발광 표시장치의 수명을 단축하는 원인이 될 수 있다.
본 출원은 구부림과 펴는 동작을 반복하더라도 구부림 응력을 최소화하여, 갈라짐이나 파손을 방지할 수 있는 플렉서블 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 또한, 본 출원은 반복되는 구부림 동작에 의한 응력을 흡수할 수 있으며 외부로부터 수분 침투를 억제하는 구조를 갖는 플렉서블 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 출원의 일 실시 예에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치는, 플렉서블 기판, 제1 금속층, 무기 물질층, 함몰부, 제2 금속층 유기 물질층을 포함한다. 플렉서블 기판은 구부림 축을 갖는다. 제1 금속층은, 구부림 축과 평행하게 플렉서블 기판 위에 배치된다. 무기 물질층은, 제1 금속층 위에 적층된다. 함몰부는, 무기 물질층에서 구부림 축과 평행하게 배치되며 제1 금속층을 노출한다. 제2 금속층은, 구부림 축과 평행하게 함몰부를 덮으며 제1 금속층과 접촉한다. 유기 물질층은, 무기 물질층 및 제2 금속층을 덮는다.
일례로, 무기 물질층은, 무기 버퍼층, 게이트 절연막 및 중간 절연막을 포함한다. 유기 물질층은, 유기 절연막, 평탄화 막 및 뱅크를 포함한다.
일례로, 플렉서블 기판은, 표시 영역과 비 표시 영역을 포함한다. 표시 영역은, 다수 개의 화소들이 매트릭스 방식으로 배열된다. 비 표시 영역은, 표시 영역의 외주변에 배치된다. 화소는, 발광 소자 그리고 발광 소자를 구동하는 박막 트랜지스터를 포함한다.
일례로, 화소는, 플렉서블 기판의 제1 방향으로 배열된 스캔 배선, 플렉서블 기판의 제2 방향으로 배열된 데이터 배선 및 구동 전류 배선에 의해 정의된다. 박막 트랜지스터는, 스캔 배선, 데이터 배선 및 구동 전류 배선에 연결된다. 발광 소자는, 박막 트랜지스터에 연결된다.
일례로, 무기 버퍼층, 반도체 층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 중간 절연막 그리고 유기 절연막을 더 포함한다. 무기 버퍼층은, 제1 금속층을 노출하며 플렉서블 기판 위에 적층된다. 반도체 층은, 무기 버퍼층 위에 형성된다. 게이트 절연막은, 반도체 층을 덮으며, 제1 금속층을 노출한다. 게이트 전극은, 게이트 절연막 위에서 반도체 층의 중심부와 중첩한다. 중간 절연막은, 게이트 전극과 반도체 층을 덮으며, 제1 금속층을 노출한다. 유기 절연막은, 중간 절연막 위에서 함몰부를 통해 제1 금속층과 연결된 제2 금속층, 및 중간 절연막을 덮는다.
일례로, 소스 전극 및 드레인 전극, 평탄화 막, 화소 전극, 뱅크, 발광층 그리고 공통 전극을 더 포함한다. 소스 전극은, 유기 절연막 위에서 반도체 층의 일측부와 연결된다. 드레인 전극은, 반도체 층의 타측부와 연결된다. 평탄화 막은, 유기 절연막, 소스 전극 및 드레인 전극을 덮는다. 화소 전극은, 평탄화 막 위에서 드레인 전극과 연결된다. 뱅크는, 평탄화 막 위에서 화소 전극의 중심 영역을 노출한다. 발광층은, 뱅크에 노출된 화소 전극 위에 적층된다. 공통 전극은, 발광층 위에 적층된다. 유기 절연막, 평탄화 막 및 뱅크는 유기 물질층으로서, 함몰부에는 유기 물질층이 적층된다.
일레로, 함몰부는, 구부림 축을 따라 플렉서블 기판을 가로지르며, 구부림 축에 직교하는 방향으로 일정 간격 떨어져 다수 개가 배치된다.
일례로, 함몰부는, 플렉서블 기판 상에 설정된 폴딩 영역을 포함하는 일부 영역에 다수 개가 배치된다.
일례로, 함몰부는, 플렉서블 기판 전체 면적에 걸쳐 일정 분포로 배치된다.
본 출원의 다른 실시 예에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치는, 플렉서블 기판, 구부림 축, 박막 트랜지스터 층, 평탄화 막, 발광 소자 및 트랜치-바를 포함한다. 구부림 축은, 플렉서블 기판의 제1 방향에 설정된다. 박막 트랜지스터 층은, 플렉서블 기판 위에 적층된다. 평탄화 막은, 박막 트랜지스터 층 위에 적층된다. 발광 소자는, 평탄화 막 위에 형성된다. 트랜치-바는 플렉서블 기판에서 제1 방향으로 형성된다. 트랜치-바는, 함몰부, 제1 금속 물질층 및 제2 금속 물질층을 포한다. 함몰부는, 플렉서블 기판과 평탄화 막 사이에서 제1 방향으로 플렉서블 기판을 가로질러 배치된다. 제1 금속 물질층은, 함몰부의 하부에 배치된다. 제2 금속 물질층은, 함몰부의 상부에 배치되어 제1 금속 물질층과 접촉한다.
일례로, 발광 소자는, 화소 전극, 뱅크, 발광층 및 공통 전극을 포함한다. 화소 전극은, 평탄화 막 위에서 박막 트랜지스터 층에 포함된 박막 트랜지스터와 연결된다. 뱅크는, 화소 전극에서 발광 영역을 정의한다. 발광층은, 뱅크와 화소 전극 위에 적층된다. 공통 전극은, 발광층 위에 적층된다.
일례로, 박막 트랜지스터 층은, 차광층, 무기 버퍼층, 반도체 층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 무기 절연막, 유기 절연막, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 차광층은, 플렉서블 기판 위에 형성된다. 무기 버퍼층은, 차광층을 덮는다. 반도체 층은, 무기 버퍼층 위에서 차광층 내에 형성된다. 게이트 절연막은, 반도체 층을 덮는다. 게이트 전극은, 게이트 절연막 위에서 반도체 층의 중심부와 중첩한다. 무기 절연막은, 게이트 절연막 및 게이트 전극을 덮는 무기 절연막을 포함한다. 유기 절연막은, 무기 절연막 위에 적층된다. 소스 전극은, 유기 절연막 위에서 반도체 층의 일측부와 접촉한다. 드레인 전극은, 유기 절연막 위에서 반도체 층의 타측부와 접촉한다.
일례로, 함몰부의 상부에는, 제2 금속층, 유기 절연막, 평탄화 막, 그리고 뱅크가 순차적으로 적층된다.
일례로, 유기 절연막은, 제2 금속층 위의 함몰부 내부를 채워 유기 절연막의 상부 표면을 평탄하게 한다.
일례로, 함몰부는, 플렉서블 기판 상에 설정된 폴딩 영역을 포함하는 일부 영역에 다수 개가 배치된다.
일례로, 함몰부는, 플렉서블 기판 전체 면적에 걸쳐 일정 분포로 배치된다.
본 출원에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치는 구부렸다 펴는 동작을 반복하더라도 응력을 완화하거나 흡수할 수 있는 구조를 갖는다. 그 결과, 반복되는 구부림 동작을 하더라도, 갈라짐이나 파손이 발생하지 않는다. 본 출원에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치는 구부림 응력에 강건하고, 외부로부터 수분 및 이물질의 침투를 방지할 수 있는 구조를 갖는다.
위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 출원에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치를 나타내는 평면도이다.
도 2a는 본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치에서 트랜치의 배치 구조를 나타내는 평면 확대도이다.
도 2b는 본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치에서 단일 화소의 구조를 나타내는 평면 확대도이다.
도 3은 본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 2b의 절취선 I-I'을 따라 도시한 단면도이다.
도 4는 본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치의 구부림 상태의 구조를 나타내는 사시도이다.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 본 출원에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.
도 1은 본 출원의 바람직한 실시 예에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 출원에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치는 플렉서블 기판(FS), 화소(P), 공통 전원 배선(CPL), 게이트 구동 회로(200), 댐 구조물(DM) 및 구동 IC(300)를 포함할 수 있다.
플렉서블 기판(FS)은 베이스 기판(또는 베이스층)으로서, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함한다. 특히, 플렉서블 표시장치의 경우, 유연성이 우수한 플라스틱 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 하지만, 유리 재질이더라도, 초박형으로 형성하여 플렉서블 표시장치를 구현할 수 있다.
일 예에 따른 플렉서블 기판(FS)은 평면적으로 사각 형태, 각 모서리 부분이 일정한 곡률반경으로 라운딩된 사각 형태, 또는 적어도 6개의 변을 갖는 비사각 형태를 가질 수 있다. 여기서, 비사각 형태를 갖는 플렉서블 기판(FS)은 적어도 하나의 돌출부 또는 적어도 하나의 노치부(notch portion)를 포함할 수 있다.
일 예에 따른 플렉서블 기판(FS)은 표시 영역(AA)과 비 표시 영역(IA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(AA)은 플렉서블 기판(FS)의 중간 영역에 마련되는 것으로, 영상을 표시하는 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 표시 영역(AA)은 평면적으로 사각 형태, 각 모서리 부분이 일정한 곡률 반경을 가지도록 라운딩 된 사각 형태, 또는 적어도 6개의 변을 갖는 비 사각 형태를 가질 수 있다. 여기서, 비 사각 형태를 갖는 표시 영역(AA)은 적어도 하나의 돌출부 또는 적어도 하나의 노치부를 포함할 수 있다.
비 표시 영역(IA)은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 플렉서블 기판(FS)의 가장자리 영역에 마련되는 것으로, 영상이 표시되는 않는 영역 또는 주변 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 비 표시 영역(IA)은 플렉서블 기판(FS)의 제1 가장자리에 마련된 제1 비 표시 영역(IA1), 제1 비 표시 영역(IA1)과 나란한 플렉서블 기판(FS)의 제2 가장자리에 마련된 제2 비 표시 영역(IA2), 플렉서블 기판(FS)의 제3 가장자리에 마련된 제3 비 표시 영역(IA3), 및 제3 비 표시 영역과 나란한 플렉서블 기판(FS)의 제4 가장자리에 마련된 제4 비 표시 영역(IA4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 비 표시 영역(IA1)은 플렉서블 기판(FS)의 상측(또는 하측) 가장자리 영역, 제2 비 표시 영역(IA2)은 플렉서블 기판(FS)의 하측(또는 상측) 가장자리 영역, 제3 비 표시 영역(IA3)은 플렉서블 기판(FS)의 좌측(또는 우측) 가장자리 영역, 그리고 제4 비 표시 영역(IA4)은 플렉서블 기판(FS)의 우측(또는 좌측) 가장자리 영역일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.
화소(P)는 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(AA) 상에 마련될 수 있다. 일 예에 따른 화소(P)는 복수 개가 매트릭스 배열을 이루고 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(AA) 내에 배치될 수 있다. 화소(P)는 스캔 배선(SL), 센싱 배선(RL), 데이터 배선(DL), 화소 구동 전원 배선(PL) 에 의해 정의될 수 있다.
스캔 배선(SL)은 제1 방향(X)을 따라 길게 연장되고 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 일정 간격으로 배치된다. 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(AA)은 제1 방향(X)과 나란하면서 제2 방향(Y)을 따라 서로 이격된 복수의 스캔 배선(SL)을 포함한다. 여기서, 제1 방향(X)은 플렉서블 기판(FS)의 가로 방향으로 정의될 수 있고, 제2 방향(Y)은 플렉서블 기판(FS)의 세로 방향으로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않고 그 반대로 정의될 수도 있다.
센싱 배선(RL)은 스캔 배선(SL)과 나란하도록 플렉서블 기판(FS) 상에 배치된다. 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(AA)은 스캔 배선(SL)과 나란한 복수의 센싱 배선(RL)을 포함한다. 경우에 따라서, 센싱 배선(RL)은 데이터 배선과 나란한 수직 센싱 배선을 더 포함할 수 있다.
데이터 배선(DL)은 제2 방향(Y)을 따라 길게 연장되고 제1 방향(X)을 따라 일정 간격으로 배치된다. 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(AA)은 제2 방향(Y)과 나란하면서 제1 방향(X)을 따라 서로 이격된 복수의 데이터 배선(DL)을 포함한다.
화소 구동 전원 배선(PL)은 데이터 배선(DL)과 나란하도록 플렉서블 기판(FS) 상에 배치된다. 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(AA)은 데이터 배선(DL)과 나란한 복수의 화소 구동 전원 배선(PL)을 포함한다. 선택적으로, 화소 구동 전원 배선(PL)은 스캔 배선(SL)과 나란하도록 배치될 수도 있다.
일 예에 따른 화소(P)는 표시 영역(AA) 상에 스트라이프(stripe) 구조를 가지도록 배치될 수 있다. 이 경우, 하나의 단위 화소는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있으며, 나아가 하나의 단위 화소는 백색 화소를 더 포함할 수 있다.
다른 예에 따른 화소(P)는 표시 영역(AA) 상에 펜타일(pentile) 구조를 가지도록 배치될 수 있다. 이 경우, 하나의 단위 화소는 평면적으로 다각 형태로 배치된 적어도 하나의 적색 화소, 적어도 2개의 녹색 화소, 및 적어도 하나의 청색 화소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 펜타일 구조를 갖는 하나의 단위 화소는 하나의 적색 화소, 2개의 녹색 화소, 및 하나의 청색 화소가 평면적으로 팔각 형태를 가지도록 배치될 수 있고, 이 경우 청색 화소는 상대적으로 가장 큰 크기의 개구 영역(또는 발광 영역)을 가질 수 있으며, 녹색 화소는 상대적으로 가장 작은 크기의 개구 영역을 가질 수 있다.
화소(P)는 인접한 스캔 배선(SL), 센싱 배선(RL), 데이터 배선(DL) 및 화소 구동 전원 배선(PL)에 전기적으로 연결된 화소 회로(PC), 및 화소 회로(PC)에 전기적으로 연결된 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다.
화소 회로(PC)는 인접한 적어도 하나의 스캔 배선(SL)으로부터 공급되는 스캔 신호에 응답하여 인접한 데이터 배선(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 기반으로 화소 구동 전원 배선(PL)으로부터 발광 소자(ED)에 흐르는 전류(Ied)를 제어한다.
일 예에 따른 화소 회로(PC)는 적어도 2개의 박막 트랜지스터 및 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 화소 회로(PC)는 데이터 전압을 기반으로 하는 데이터 전류(Ied)를 발광 소자(ED)에 공급하는 구동 박막 트랜지스터(DT), 데이터 배선(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(DT)에 공급하는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 및 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트-드레인 전압을 저장하는 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
다른 예에 따른 화소 회로(PC)는 적어도 3개의 박막 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 화소 회로(PC)는 적어도 3개의 박막 트랜지스터 각각의 동작(또는 기능)에 따라 전류 공급 회로와 데이터 공급 회로 및 보상 회로를 포함할 수 있다. 여기서, 전류 공급 회로는 데이터 전압을 기반으로 하는 데이터 전류(Ied)를 발광 소자(ED)에 공급하는 구동 박막 트랜지스터(DT)를 포함할 수 있다. 데이터 공급 회로는 적어도 하나의 스캔 신호에 응답하여 데이터 배선(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 전류 공급 회로에 공급하는 적어도 하나의 스위칭 박막 트랜지스터(ST)를 포함할 수 있다. 보상 회로는 적어도 하나의 센싱 신호에 응답하여 구동 박막 트랜지스터의 특성 값(임계 전압 및/또는 이동도) 변화를 보상하는 적어도 하나의 보상 박막 트랜지스터(ET)를 포함할 수 있다.
발광 소자(ED)는 화소 회로(PC)로부터 공급되는 데이터 전류(Ied)에 의해 발광하여 데이터 전류(Ied)에 해당하는 휘도의 광을 방출한다. 이 경우, 데이터 전류(Ied)는 화소 구동 전원 배선(PL)으로부터 구동 박막 트랜지스터와 발광 소자(ED)를 통해 공통 전원 배선(CPL)으로 흐를 수 있다.
일 예에 따른 발광 소자(ED)는 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 화소 구동 전극(또는 제 1 전극 혹은 애노드), 화소 구동 전극 상에 형성된 발광층, 및 발광층에 전기적으로 연결된 공통 전극(또는 제 2 전극 혹은 캐소드)을 포함할 수 있다.
공통 전원 배선(CPL)은 플렉서블 기판(FS)의 비표시 영역(IA) 상에 배치되고 표시 영역(AA) 상에 배치된 공통 전극과 전기적으로 연결된다. 일 예에 따른 공통 전원 배선(CPL)은 일정한 배선 폭을 가지면서 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(IA)에 인접한 제2 내지 제4 비표시 영역(IA2, IA3, IA4)을 따라 배치되고, 플렉서블 기판(FS)의 제1 비표시 영역(IA1)에 인접한 표시 영역(AA)의 일부를 제외한 나머지 부분을 둘러싼다. 공통 전원 배선(CPL)의 일단은 제1 비표시 영역(IA1)의 일측 상에 배치되고, 공통 전원 배선(CPL)의 타단은 제1 비표시 영역(IA1)의 타측 상에 배치될 수 있다. 그리고, 공통 전원 배선(CPL)의 일단과 타단 사이는 제2 내지 제4 비표시 영역(IA2, IA3, IA4)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 일 예에 따른 공통 전원 배선(CPL)은 평면적으로 플렉서블 기판(FS)의 제1 비표시 영역(IA1)에 해당하는 일측이 개구된 '∩'자 형태를 가질 수 있다.
봉지층은 플렉서블 기판(FS) 상에 형성되어 표시 영역(AA) 및 공통 전원 배선(CPL)의 상부면과 측면을 둘러싸도록 형성할 수 있다. 한편, 봉지층은, 제1 비 표시 영역(IA1)에서는, 공통 전원 배선(CPL)의 일단과 타단을 노출할 수 있다. 봉지층은 산소 또는 수분이 표시 영역(AA) 내에 마련된 발광 소자(ED)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 일 예에 따른 봉지층은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 다른 예에 따른 봉지층은 복수의 무기막 및 복수의 무기막 사이의 유기막을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치는 패드부(PP), 게이트 구동 회로(200) 및 구동 집적 회로(300)를 더 포함할 수 있다.
패드부(PP)는 플렉서블 기판(FS)의 비 표시 영역(IA)에 마련된 복수의 패드를 포함할 수 있다. 일 예에 따른 패드부(PP)는 플렉서블 기판(FS)의 제1 비 표시 영역(IA1)에 마련된 복수의 공통 전원 공급 패드, 복수의 데이터 입력 패드, 복수의 전원 공급 패드 및 복수의 제어 신호 입력 패드 등을 포함할 수 있다.
게이트 구동 회로(200)는 플렉서블 기판(FS)의 제3 비 표시 영역(IA3) 및/또는 제4 비 표시 영역(IA4)에 마련되어 표시 영역(AA)에 마련된 스캔 배선들(SL)과 일대일로 연결된다. 게이트 구동 회로(200)는 화소(P)의 제조 공정, 즉 박막 트랜지스터의 제조 공정과 함께 플렉서블 기판(FS)의 제3 비 표시 영역(IA3) 및/또는 제4 비 표시 영역(IA4)에 집적된다. 이러한 게이트 구동 회로(200)는 구동 집적 회로(300)로부터 공급되는 게이트 제어 신호를 기반으로 스캔 신호를 생성하여 정해진 순서에 따라 출력함으로써 복수의 스캔 배선(SL) 각각을 정해진 순서에 따라 구동한다. 일 예에 따른 게이트 구동 회로(200)는 쉬프트 레지스터를 포함할 수 있다.
댐 구조체(DM)는 플렉서블 기판(FS)의 제1 비 표시 영역(IA1), 제2 비 표시 영역(IA2), 제3 비 표시 영역(IA3) 및 제4 비 표시 여역(IA4)에 마련되어 표시 영역(AA) 주변을 둘러싸는 폐곡선 구조를 가질 수 있다. 일례로, 댐 구조체(DM)는 공통 전원 배선(CPL)의 외측에 배치됨으로서 기판(200) 위에서 최 외각부에 위치할 수 있다. 패드부(PP)와 구동 집적 회로(300)는 댐 구조체(DM)의 외측 영역에 배치되는 것이 바람직하다.
도 1에서는 댐 구조체(DM)가 최외곽에 배치된 경우를 도시하였지만, 이에 국한하는 것은 아니다. 다른 예로, 댐 구조체(DM)는 공통 전원 배선(CPL)과 게이트 구동 회로(200) 사이에 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 댐 구조체(DM)는 표시 영역(AA)과 게이트 구동 회로(300) 사이에 배치될 수 있다.
구동 집적 회로(300)는 칩 실장(또는 본딩) 공정을 통해 플렉서블 기판(FS)의 제1 비표시 영역(IA1)에 정의된 칩 실장 영역에 실장된다. 구동 집적 회로(300)의 입력 단자들은 패드부(PP)에 전기적으로 연결되고, 구동 집적 회로(300)의 입력 단자들은 표시 영역(AA)에 마련된 복수의 데이터 배선(DL)과 복수의 화소 구동 전원 배선(PL)에 전기적으로 연결된다. 구동 집적 회로(300)는 패드부(PP)를 통해 디스플레이 구동 회로부(또는 호스트 회로)로부터 입력되는 각종 전원, 타이밍 동기 신호, 및 디지털 영상 데이터 등을 수신하고, 타이밍 동기 신호에 따라 게이트 제어 신호를 생성하여 게이트 구동 회로(200)의 구동을 제어하고, 이와 동시에 디지털 영상 데이터를 아날로그 형태의 화소 데이터 전압으로 변환하여 해당하는 데이터 배선(DL)에 공급한다.
구동 집적 회로(300)가 칩 형태로 실장된 경우, 폴더블 혹은 롤러블 표시장치에서 구동 집적 회로(300)가 접히는 부분이 되지 않는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이, 구동 집적 회로(300)는 접히거나 둥글게 말리지 않아도 되는 하단변에 평행하도록 설정하는 것이 바람직하다.
이하, 본 출원의 주요 특징을 설명하기 위해 구조적 특징을 잘 나타내고 있는 확대도면 및/또는 단면도들을 참조하여 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 특히, 폴더블 혹은 롤러블 표시장치에서 구부림 응력에 의해 파손을 방지할 수 있는 트랜치 구조를 중심으로 상세히 설명한다.
도 2a, 2b 및 3을 참조하여, 본 출원의 바람직한 실시 예에 대해 설명한다. 필요한 경우, 도 1을 함께 참조한다. 도 2a는 본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치에서 트랜치의 배치 구조를 나타내는 평면 확대도이다. 도 2b는 본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치에서 단일 화소의 구조를 나타내는 평면 확대도이다. 도 3은 본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치의 구조를 나타내는 것으로 도 2b의 절취선 I-I'을 따라 도시한 단면도이다.
도 2a에 도시한 본 출원의 일 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치는 플렉서블 기판(FS) 위에 매트릭스 방식으로 배열된 다수 개의 화소(P)들을 구비한다. 플렉서블 기판(FS) 위에는 가로 방향으로 배열된 스캔 배선(SL) 및 센싱 배선(RL), 그리고 세로 방향으로 배열된 데이터 배선(DL) 및 화소 구동 전원 배선(PL)을 포함한다. 이들 배선들에 의해 화소(P)의 영역이 정의된다. 도 2a에서는 이웃하는 두 개의 센싱 배선(RL)들 사이 그리고 데이터 배선(DL)과 화소 구동 전원 배선(PL) 사이의 사각형 영역으로 화소(P) 하나가 정의된 경우를 도시한다.
일 예로, 본 출원에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치는 플렉서블 기판(FS) 위에서 센싱 배선(RL)과 중첩되어 배치된 트랜치(TR)를 포함한다. 트랜치(TR)는 플렉서블 기판(FS)의 구부림 축과 평행하게 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 플렉서블 전계 발광 표시장치가 X축 상에 구부림 축을 갖는 경우, 트랜치(TR)도 X축과 평행하게 배치되며, 플렉서블 기판(FS)의 폭 전체를 가로질러 배치하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 트랜치(TR)는 플렉서블 기판(FS)의 제3 비 표시 영역(IA3)의 좌측 끝단에서 제4 비 표시 영역(IA4)의 우측 끝단까지 계속 연장된 선분 형상을 가질 수 있다.
또한, 트랜치(TR)는 무기 물질막들이 제거되어 형성되므로, 이를 통해 외부로부터 수분이 침투 및/또는 확산되는 것을 방지할 수 있는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 이를 위해 트랜치(TR)는 하부에 차광층에 배치되는 하부 금속층(BSL) 그리고 상부에 센싱 배선(RL)을 적층하는 것이 바람직하다. 특히, 트랜치(TR)의 폭은 하부 금속층(BSL) 및 센싱 배선(RL)보다 좁은 폭을 갖는 것이 바람직하다.
도 2b를 참조하여, 본 출원의 일 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치의 화소 구조를 상세히 설명한다. 화소(P) 영역 내부에는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT), 보상 박막 트랜지스터(ET), 커패시터(Cst) 그리고 화소 구동 전극(AE)이 배치되어 있다. 화소 구동 전극(AE) 위에는 발광층(EL) 및 공통 전극(CE)이 순차 적층되어 발광 소자(ED)를 구성한다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)을 통해 공급된 스캔 신호에 응답하여 데이터 배선(DL)을 통해 공급되는 데이터 신호가 커패시터(Cst)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압에 따라 화소 구동 전원 배선(PL)과 공통 전원 배선(CPL) 사이에 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 발광 소자(ED)는 구동 박막 트랜지스터(DT)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광한다. 보상 박막 트랜지스터(ET)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 문턱 전압 등을 보상하기 위해 화소 내에 배치된 회로이다. 보상 박막 트랜지스터(ET)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 발광 소자(ED)의 화소 구동 전극(AE)(혹은 센싱 노드)에 접속된다. 보상 박막 트랜지스터(ET)는 센싱 배선(RL)을 통해 전달되는 초기화 전압을 센싱 노드에 공급하거나 센싱 노드의 전압 또는 전류를 검출하도록 동작한다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 데이터 배선(DL)에 소스 전극(SS)이 연결되고, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)에 드레인 전극(SD)이 연결된다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 화소 구동 전원 배선(PL)에 소스 전극(DS)이 연결되고, 발광 소자(ED)의 화소 구동 전극(AE)에 드레인 전극(DD이 연결된다. 커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)에 제1 전극이 연결되고, 발광 소자(ED)의 화소 구동 전극(AE)에 제2 전극이 연결된다.
발광 소자(ED)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)에 화소 구동 전극(AE)이 연결되고 공통 배선(CPL)에 공통 전극(CE)이 연결된다. 보상 박막 트랜지스터(ET)는 센싱 배선(RL)에 소스 전극(ES)이 연결되고 센싱 노드인 발광 소자(ED)의 화소 구동 전극(AE)에 드레인 전극(ED)이 연결된다.
스캔 배선(SL)은 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 보상 박막 트랜지스터(ET)의 반도체 층(SA, EA)과 중첩한다. 스캔 배선(SL)에서 스캔 반도체 층(SA)과 중첩하는 부분이 스캔 게이트 전극(SG)이며, 스캔 반도체 층(SA)에서 스캔 게이트 전극(SG)과 중첩하는 영역이 채널 영역으로 정의된다. 마찬가지로, 센싱 배선(RL)에서 센싱 반도체 층(EA)과 중첩되는 부분이 센싱 게이트 전극(EG)이며, 센싱 반도체 층(EA)에서 스캔 게이트 전극(EG)와 중첩하는 영역이 채널 영역으로 정의된다. 한편, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 반도체 층(DG)은 일측단이 구동 소스 전극(DS)에 접촉하고 구동 게이트 전극(DG)과 중첩하여 타단이 구동 드레인 전극(DG)에 연결된다.
여기서, 이웃하는 두 개의 센싱 배선(RL)들 사이에 화소(P) 영역이 정의된다. 센싱 배선(RL)은 플렉서블 기판(FS) 전체를 가로질러 배치된다. 센싱 배선(RL)을 따라 무기 물질막이 제거된 영역인 트랜치(TR)가 형성되어 있다. 따라서, 트랜치(TR) 역시 플렉서블 기판(FS) 전체를 가로질러 배치된다. 트랜치(TR)의 하층과 상층에는 각각 금속 물질을 적층하여 센싱 배선(RL)을 형성하고 있다.
도 3을 더 참조하여, 본 출원의 일 실시 예에 의한 트랜치(TR)의 구조와 트랜치(TR)의 상층과 하층에 배치된 하부 금속층(BSL) 및 센싱 배선(RL)의 구조를 상세히 설명한다. 본 출원의 바람직한 실시 예에 따른 플렉서블 전계 발광 표시장치는 플렉서블 기판(FS) 및 화소 어레이층(120)을 포함할 수 있다.
플렉서블 기판(FS)은 베이스 층으로서, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함한다. 일 예에 따른 플렉서블 기판(FS)은 불투명 또는 유색 폴리이미드(polyimide) 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴리이미드 재질의 기판(SUB)은 상대적으로 두꺼운 캐리어 기판에 마련되어 있는 릴리즈층의 전면(前面)에 일정 두께로 코팅된 폴리이미드 수지가 경화된 것일 수 있다. 이 경우, 캐리어 유리 기판은 레이저 릴리즈 공정을 이용한 릴리즈층의 릴리즈에 의해 기판(SUB)으로부터 분리된다. 이러한 일 예에 따른 플렉서블 기판(FS)은 두께 방향(Z)을 기준으로, 플렉서블 기판(FS)의 후면에 결합된 백 플레이트를 더 포함한다. 백 플레이트는 플렉서블 기판(FS)을 평면 상태로 유지시킨다. 일 예에 따른 백 플레이트는 플라스틱 재질, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 재질을 포함할 수 있다. 이러한 백 플레이트는 캐리어 유리 기판으로부터 분리된 플렉서블 기판(FS)의 후면에 라미네이팅될 수 있다.
다른 예에 따른 플렉서블 기판(FS)은 플렉서블 유리 기판일 수 있다. 예를 들어, 유리 재질의 플렉서블 기판(FS)은 100마이크로미터 이하의 두께를 갖는 박형 유리 기판이거나, 기판 식각 공정에 의해 100마이크로미터 이하의 두께를 가지도록 식각된 캐리어 유리 기판일 수 있다.
가장 바람직하게는 플렉서블 기판(FS)은, 자유롭게 접거나 펼 수 있는 유연성이 우수한 재질인 것이 바람직하다. 플렉서블 기판(FS)은 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비 표시 영역(IA)을 포함할 수 있다.
플렉서블 기판(FS)의 상부 표면 상에는 차광층(BS) 및 하부 금속층(BSL)이 형성되어 있다. 차광층(BS)은 박막 트랜지스터들(ST, DT, ET)의 반도체 층(SA, DA, EA)와 중첩하는 위치에 배치하는 것이 바람직하다. 하부 금속층(BSL)은 센싱 배선(RL)과 동일한 형상으로 배치하는 것이 바람직하다. 차광층(BS)은 각 화소 내에서 독립된 섬모양으로 가질 수 있다. 또는 가로 방향의 화소들에 배치된 차광층(BS)들이 일체 형으로 연결된 구조를 가질 수도 있다. 하지만, 차광층(BS)과 하부 금속층(BSL)은 서로 분리되어 있는 것이 바람직하다.
차광층(BS) 및 하부 금속층(BSL)이 형성된 플렉서블 기판(FS) 위에는 버퍼층(BUF)이 형성될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 투습에 취약한 플렉서블 기판(FS)을 통해서 화소 어레이 층(120)으로 침투하는 수분을 차단하기 위하여, 플렉서블 기판(FS)의 하부면 상에 형성된다. 일 예에 따른 버퍼층(BUF)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BUF)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 및 실리콘산질화막(SiON) 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다.
화소 어레이 층(120)은 박막 트랜지스터 층, 평탄화 층(PLN), 뱅크 패턴(BN), 및 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터 층은 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(AA)에 정의된 복수의 화소(P) 및 플렉서블 기판(FS)의 제3 및/또는 제4 비표시 영역(IA3, IA4)에 정의된 게이트 구동 회로(200)에 각각 마련된다.
일 예에 따른 박막 트랜지스터 층은 버퍼층(BUF) 위에 형성된 박막 트랜지스터(T), 게이트 절연막(GI) 및 중간 절연막(ILD)을 포함한다. 여기서, 도 3에는, 편의상, 발광 소자(ED)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT)를 도시하였다.
박막 트랜지스터(DT)는 버퍼층(BUF) 상에 형성된 구동 반도체 층(DA), 구동 게이트 전극(DG), 구동 소스 전극(DS) 및 구동 드레인 전극(DD)을 포함한다. 도 3에서 구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 게이트 전극(DG)이 구동 반도체 층(DA)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 구조를 도시하였으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 다른 예로, 구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 게이트 전극(DG)이 구동 반도체 층(DA)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 구조 또는 구동 게이트 전극(DG)이 구동 반도체 층(DA)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 구조를 가질 수 있다.
구동 반도체 층(DA)은 버퍼층(BUF) 위에서 차광층(BS) 내측 영역에 형성될 수 있다. 구동 반도체 층(DA)은 실리콘계 반도체 물질, 산화물계 반도체 물질, 또는 유기물계 반도체 물질을 포함할 수 있으며, 단층 구조 또는 복층 구조를 가질 수 있다.
게이트 절연막(GI)은 구동 반도체 층(DA)을 덮도록 플렉서블 기판(FS) 전체에 형성될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
구동 게이트 전극(DG)은 구동 반도체 층(DA)과 중첩되도록 게이트 절연막(GI) 상에 형성될 수 있다. 구동 게이트 전극(DG)은 스캔 배선(SL)과 함께 형성될 수 있다. 일 예에 따른 구동 게이트 전극(DG)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
무기 절연막(ILD1)은 구동 게이트 전극(DG)과 게이트 절연막(GI)을 덮도록 플렉서블 기판(FS) 전체에 형성될 수 있다. 무기 절연막(ILD1), 게이트 절연막(GI) 및 버퍼층(BUF)를 패턴하여 하부 금속층(BSL)을 노출하는 트랜치(TR)를 형성한다.
무기 절연막(ILD1)과 트랜치(TR) 위에 금속 물질을 증착하고, 패턴하여 센싱 배선(RL)을 형성한다. 센싱 배선(RL)은 트랜치(TR)을 통해 하부 금속층(BSL)과 물리적 및 전기적으로 연결된다.
센신 배선(RL)이 형성된 플렉서블 기판(FS) 위에 유기 절연막(ILD2)을 도포한다. 유기 절연막(ILD2)은 구동 게이트 전극(DG)과 게이트 절연막(GI) 상에 평탄면을 제공한다. 즉, 트랜치(TR) 영역은 유기 절연막(ILD2)에 의해 채워진 평탄한 표면 상태를 유지한다.
유기 절연막(ILD2), 무기 절연막(ILD1) 및 게이트 절연막(GI)을 패턴하여, 구동 반도체 층(GA)의 일측단과 타측단을 노출한다. 유기 절연막(ILD2) 위에 금속 물질을 증착하고 패턴하여, 구동 소스 전극(DS)과 구동 드레인 전극(DD)을 형성한다. 이 때, 도 2b에서 도시한 데이터 배선(DL), 화소 구동 전원 배선(PL) 그리고, 캐패시터(Cst)의 제1 전극을 함께 형성할 수 있다.
구동 소스 전극(DS)과 구동 드레인 전극(DD)은 구동 게이트 전극(DG)을 사이에 두고 구동 반도체 층(DA)과 중첩되도록 중간 절연막(ILD) 상에 형성될 수 있다. 구동 소스 전극(DS)과 구동 드레인 전극(DD)은 데이터 배선(DL)과 화소 구동 전원 배선(PL) 및 공통 전원 배선(CPL)과 함께 형성될 수 있다. 즉, 구동 소스 전극(DS), 구동 드레인 전극(DD), 데이터 배선(DL), 화소 구동 전원 배선(PL) 및 공통 전원 배선(CPL) 각각은 소스 드레인 전극 물질에 대한 패터닝 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다.
구동 소스 전극(DS)과 구동 드레인 전극(DD) 각각은 유기 절연막(ILD2)과 게이트 절연막(GI)을 관통하는 전극 컨택홀을 통해 구동 반도체 층(DA)에 접속될 수 있다. 구동 소스 전극(DS)과 구동 드레인 전극(DD)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 여기서, 도 2b 및 3에 도시된 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 소스 전극(DS)은 화소 구동 전원 배선(PL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같이, 플렉서블 기판(FS)의 화소(P)에 마련된 박막 트랜지스터들(ST, DT. ET)은 화소 회로(PC)를 구성한다. 또한, 플렉서블 기판(FS)의 제3 및/또는 제 4 비표시 영역(IA3, IA4)에 배치된 게이트 구동 회로(200)는 화소(P)에 마련된 박막 트랜지스터(ST, DT, ET)와 동일하거나 유사한 박막 트랜지스터를 구비할 수 있다.
평탄화 층(PLN)은 박막 트랜지스터 층을 덮도록 플렉서블 기판(FS) 전체에 형성된다. 평탄화 층(PLN)은 박막 트랜지스터 층 상에 평탄면을 제공한다. 일 예에 따른 평탄화 층(PLN)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
다른 예에 따른 평탄화 층(PLN)은 화소(P)에 마련된 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)을 노출시키기 위한 화소 컨택홀(PH)을 포함할 수 있다.
평탄화 층(PLN) 위에 도전 물질을 증착하고 패턴하여 화소 구동 전극(AE)을 형성한다. 화소 구동 전극(AE) 위에는 뱅크 패턴(BN)을 형성한다. 뱅크 패턴(BN)은 평탄화 층(PLN) 상에 배치되어 표시 영역(AA)의 화소(P) 내에 개구 영역(또는 발광 영역)을 정의한다. 이러한 뱅크 패턴(BN)은 화소 정의막으로 표현될 수도 있다.
발광 소자(ED)는 화소 구동 전극(AE), 발광층(EL), 및 공통 전극(CE)을 포함한다. 화소 구동 전극(AE)은 평탄화 층(PLN) 상에 형성되고 평탄화 층(PLN)에 마련된 화소 컨택홀(PH)을 통해 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(D)에 전기적으로 연결된다. 이 경우, 화소(P)의 개구 영역과 중첩되는 화소 구동 전극(AE)의 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분은 뱅크 패턴(BN)에 의해 덮일 수 있다. 뱅크 패턴(BN)은 화소 구동 전극(AE)의 가장자리 부분을 덮음으로써 화소(P)의 개구 영역을 정의할 수 있다.
일 예에 따른 화소 구동 전극(AE)은 반사율이 높은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 구동 전극(AE)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC(Ag/Pd/Cu) 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 다층 구조로 형성되거나, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조를 포함할 수 있다.
발광층(EL)은 화소 구동 전극(AE)과 뱅크 패턴(BN)을 덮도록 플렉서블 기판(FS)의 표시 영역(AA) 전체에 형성된다. 일 예에 따른 발광층(EL)은 백색 광을 방출하기 위해 수직 적층된 2 이상의 발광부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 발광층(EL)은 제 1 광과 제 2 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하기 위한 제 1 발광부와 제 2 발광부를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 발광부는 제 1 광을 방출하는 것으로 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제 2 발광부는 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 중 제 1 광의 보색 관계를 갖는 제 2 광을 방출하는 발광부를 포함할 수 있다.
다른 예에 따른 발광층(EL)은 화소(P)에 설정된 색상과 대응되는 컬러 광을 방출하기 위한, 청색 발광부, 녹색 발광부, 및 적색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다른 예에 따른 발광층(EL)은 유기 발광층, 무기 발광층, 및 양자점 발광층 중 어느 하나를 포함하거나, 유기 발광층(또는 무기 발광층)과 양자점 발광층의 적층 또는 혼합 구조를 포함할 수 있다.
추가적으로, 일 예에 따른 발광 소자(ED)는 발광층(EL)의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 기능층을 더 포함하여 이루어질 수 있다.
공통 전극(CE)은 발광층(EL)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 공통 전극(CE)은 각 화소(P)에 마련된 발광층(EL)과 공통적으로 연결되도록 기판(SUB)의 표시 영역(AA) 전체에 형성된다.
일 예에 따른 공통 전극(CE)은 광을 투과시킬 수 있는 투명 전도성 물질 또는 반투과 전도성 물질을 포함할 수 있다. 공통 전극(CE)이 반투과 전도성 물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity) 구조를 통해 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 출광 효율을 높일 수 있다. 일 예에 따른 반투과 전도성 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금 등을 포함할 수 있다. 추가적으로, 공통 전극(CE) 상에는 발광 소자(ED)에서 발광된 광의 굴절율을 조절하여 광의 출광 효율을 향상시키기 위한 캡핑층(capping layer)이 더 형성될 수 있다.
도면으로 도시하지 않았으나, 발광 소자(ED) 위에는 봉지층이 더 적층될 수 있다. 봉지층은 외부로부터 수분이나 이물질이 발광 소자(ED)로 침투하는 것을 방지하기 위한 것이다.
이하, 도 4를 참조하여, 본 출원에 의한 폴더블 혹은 롤러블 전계 발광 표시장치에서 표시 기판을 구부리거나 둥글게 말았을 때의 구조 및 특징에 대해 상세히 설명한다. 도 4는 본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치의 구부림 상태의 구조를 나타내는 사시도이다. 도 4에서는, 이해의 편의성을 위해, 트랜치 부분을 확대하여 도시하고, 적층된 여러 박막들은 단일 층으로 표시하였다.
본 출원의 바람직한 실시 예에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치는, 플렉서블 기판(FS), 제1 금속층(M1), 무기 물질층(INO), 트랜치(TR), 제2 금속층(M2) 및 유기 물질층(ORL)을 포함한다. 플렉서블 기판(FS)은 구부림 축(BX)을 가질 수 있다. 구부림 축(BX)을 기준으로 플렉서블 기판(FS)는 자유롭게 구부리거나 둥글게 말아서 보관 및 이동할 수 있다.
구부림 축(BX)은 플렉서블 기판(FS)의 평면 상에서 어느 한 축과 평행할 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 기판(FS)이 XY 평면 상의 사각형 판상 구조를 가질 경우, 구부림 축(BX)은 X축으로 정의할 수 있다. 반드시 이에 국한되는 것은 아니며, Y축 상에 정의하거나 45도 사선 방향을 구부림 축(BX)으로 정의할 수 있다.
플렉서블 기판(FS)을 구부리면, 구부림 축(BX)과 평행한 플렉서블 기판(FS)의 양변이 서로 만나거나, 어느 한 변이 다른 한 변의 아래로 들어가면서 둥글게 말릴 수 있다. 플렉서블 기판(FS)이 구부러지거나 둥글게 말리는 방향을 구부림 방향(BD)으로 정의한다. 구부림 방향(BD)은 구부림 축(BX)과 직교하는 방향일 수 있다.
제1 금속층(M1)은 플렉서블 기판(FS) 위에 형성되며, 구부림 축(BX)과 평행하게 배치된다. 특히, 제1 금속층(M1)은 좁은 폭을 갖고 길이가 긴 형상으로 플렉서블 기판(FS)을 가로질러 배치되며, 다수 개가 구부림 축(BX)와 직교하는 방향 즉, 구부림 방향(BD)을 따라 일정 간격 배치될 수 있다. 여기서, 제1 금속층(M1)은 도 3에서 설명한 하부 금속층(BSL)에 대응하는 구성 요소이다.
플렉서블 기판(FS) 위에는 무기 물질층(INO)이 적층되어 있다. 하지만, 제1 금속층(M1) 위에는 적층되지 않는다. 예를 들어, 제1 금속층(ML)이 형성된 플렉서블 기판(FS) 위에 무기 물질층(INO)을 증착한 후에 제1 금속층(ML) 위에만 선택적으로 무기 물질층(INO)을 제거할 수 있다. 무기 물질층(INO)은 도 3에서 설명한, 무기 버퍼층(BUF), 게이트 절연막(GI) 및 무기 절연막(ILD1)을 포함한다.
이와 같이 무기 물질층(INO)이 제거되어 제1 금속층(M1)을 노출하는 부분이 트랜치(TR)이다. 트랜치(TR)는 무기 물질층(INO)이 제거된 우물 형상을 갖는다. 특히, 트랜치(TR)는 구부림 축(BX)과 평행하게 플렉서블 기판(FS)을 가로 지르는 연속된 띠 모양의 도랑 형상을 갖는다. 트랜치(TR)에는 제2 금속층(M2)이 형성되어 제1 금속층(M1)과 접촉한다. 여기서 제2 금속층(M2)은 도 3에서 설명한 센싱 배선(RL)에 대응하는 구성 요소이다. 하지만, 이에 국한되는 것은 아니며, 다른 목적을 위한 금속 배선이거나, 아무런 기능을 하지 않는 더미 패턴일 수 있다.
제2 금속층(M2)이 형성된 플렉서블 기판(FS)의 표면 위에 유기 물질층(ORL)이 적층된다. 특히, 유기 물질층(ORL)은 무기 물질층(INO)이 제거되어 형성된 트랜치(TR)의 내부를 채워 상부 표면이 평탄한 상태를 이루는 것이 바람직하다. 여기서, 유기 물질층(ORL)은 도 3에서 설명한다. 유기 절연막(ILD2), 평탄화 막(PLN) 및 뱅크(BN)을 포함할 수 있다.
본 출원에 의한 플렉서블 전계 발광 표시장치는 구부림 축(BX)과 평행하게 형성되고 구부림 축(BX)에 직교하는 방향으로 일정 간격 떨어져 배치된 다수 개의 트랜치(TR)들을 포함한다. 트랜치(TR)는 플렉서블 기판(FS)의 구부림 축(BX)을 따라 좁은 폭을 갖고 길게 연장된 막대(바: Bar) 형상을 갖는다.
트랜치(TR)는 플렉서블 기판(FS) 위에서 일정 영역에 걸쳐 적층되었던 무기 물질층(INO)을 모두 제거하여 형성한 것이다. 무기 물질층(INO)이 패턴되었기 때문에, 트랜치(TR)를 통해 외부에서 수분이 침투할 가능성이 매우 높다. 이를 방지하기 위해 트랜치(TR)를 구성하는 함몰부(W)의 하부에는 제1 금속층(M1)이 상부에는 제2 금속층(M2)가 형성됨으로써, 트랜치(TR)의 패턴된 함몰부(W)를 밀봉하는 구조를 갖는다.
또한, 트랜치(TR)가 가지는 함몰부(W)에는 유기 물질층(ORL)이 채우고 있다. 유기 물질층(ORL)에 의해 함몰부(W)가 채워진 결과, 트랜치(TR)는 평탄한 표면을 가진다. 따라서, 트랜치(TR)를 구비한 표시 패널은 판상형 기판의 형태를 온전히 유지할 수 있다. 트랜치(TR)에는 무기 물질막(INO)이 모두 제거되어 있으므로, 반복되는 구부림 동작에 의한 무기 물질막(INO) 파손이나 갈라짐이 발생하지 않는다. 트랜치(TR)에는 유기 물질막(ORL)이 채우고 있어, 반복되는 구부림 동작에 의한 스트레스를 충분히 흡수할 수 있다. 또한, 트랜치(TR)에서 제거된 무기 물질막(INO)의 식각 측벽, 즉 함몰부(W)는 제1 금속층(M1) 및 제2 금속층(M2)에 의해 보호되므로, 외부로부터 수분이 침투하는 경로도 완전히 차단된다.
본 출원에 의한 폴더블 혹은 롤러블 전계 발광 표시장치는, 반복되는 구부림 동작에 의한 스트레스를 흡수 및/또는 분산하며, 무기 물질막이 파손되는 것을 방지함과 동시에, 외부로부터의 수분 침투를 억제할 수 있는 구조를 제공한다.
일례로, 폴더블 전계 발광 표시장치의 경우, 트랜치(TR)은 정해진 구부림 영역에만 배치될 수 있다. 폴더블 전계 발광 표시장치는, 표시 패널의 중앙부에 X축 방향으로 구부림 축(BX)이 고정되어 있을 수 있다. 이 경우, 트랜치(TR)는 구부림 축(BX)를 중심으로 상변 및 하변 방향으로 정의된 폴딩 영역을 포함하는 일부 영역에만 배치될 수 있다. 즉, 폴딩 영역보다 약간 더 넓은 영역에 배치된 수십 혹은 수백 개의 화소 행들 각각에 걸쳐 X축 방향으로 플렉서블 기판(FS)을 가로지르는 띠 형상으로 형성할 수 있다. 구부러지지 않는 영역에는 트랜치(TR)가 배치되지 않을 수 있다. 경우에 따라서, 트랜치(TR)의 유무로 인해 화질에 미세한 차이가 발생할 것이 예상되는 제품에는, 구부러지지 않는 영역에도 트랜치(TR)들을 동일한 방식으로 배치할 수 있다.
다른 예로, 롤러블 전계 발광 표시장치의 경우, 사용하지 않을 경우에는 둥글게 말아서 보관하고, 표시 장치로 사용할 경우 평평하게 펼쳐서 표시 기능을 이용한다. 이 경우에는 표시 패널이 둥글게 말아 놓을 수 있어야 하므로, 표시 패널 전체에 걸쳐 트랜치(TR)들을 균일한 분포로 배치하는 것이 바람직하다.
이와 같은 본 출원의 일 예에 따른 전계 표시 장치는 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC), 스마트 폰(smart phone), 이동 통신 단말기, 모바일 폰, 태블릿 PC(personal computer), 스마트 와치(smart watch), 와치 폰(watch phone), 또는 웨어러블 기기(wearable device) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라 텔레비전, 노트북, 모니터, 냉장고, 전자 레인지, 세탁기, 카메라 등의 다양한 제품에 적용될 수 있다.
상술한 본 출원의 다양한 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
SUB: 기판 T: 박막 트랜지스터
PLN: 평탄화 층 BN: 뱅크 패턴
200: 게이트 구동 회로 300: 구동 집적 회로
120: 화소 어레이층 FS: 플렉서블 기판
ED: 발광 소자 AE: 화소 구동 전극
EL: 발광층 CE: 공통 전극
CPL: 공통 전원 배선 BS: 차광층
BSL: 하부 금속층 TR: 트랜치
M1: 제1 금속층 M2: 제2 금속층
W: 함몰부
ORL: 유기 물질층 INO: 무기 물질층
BD: 구부림 방향 BX: 구부림 축

Claims (16)

  1. 구부림 축을 갖는 플렉서블 기판;
    상기 구부림 축과 평행하게 상기 플렉서블 기판 위에 배치된 제1 금속층;
    상기 제1 금속층 위에 적층된 무기 물질층;
    상기 무기 물질층에서 상기 구부림 축과 평행하게 배치되며, 상기 제1 금속층을 노출하는 함몰부;
    상기 구부림 축과 평행하게 상기 함몰부를 덮으며 상기 제1 금속층과 접촉하는 제2 금속층; 그리고
    상기 무기 물질층 및 상기 제2 금속층을 덮는 유기 물질층을 포함하는 전계 발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 물질층은,
    무기 버퍼층, 게이트 절연막 및 중간 절연막을 포함하고,
    상기 유기 물질층은,
    유기 절연막, 평탄화 막 및 뱅크를 포함하는 전계 발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판은,
    다수 개의 화소들이 매트릭스 방식으로 배열된 표시 영역; 그리고
    상기 표시 영역의 외주변에 배치된 비 표시 영역을 포함하고,
    상기 화소는
    발광 소자; 그리고
    상기 발광 소자를 구동하는 박막 트랜지스터를 포함하는 전계 발광 표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 화소는
    상기 플렉서블 기판의 제1 방향으로 배열된 스캔 배선, 상기 플렉서블 기판의 제2 방향으로 배열된 데이터 배선 및 구동 전류 배선에 의해 정의되고,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 스캔 배선, 상기 데이터 배선 및 상기 구동 전류 배선에 연결되며,
    상기 발광 소자는 상기 박막 트랜지스터에 연결된 전계 발광 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 금속층을 노출하며 상기 플렉서블 기판 위에 적층된 무기 버퍼층;
    상기 무기 버퍼 층 위에 형성된 반도체 층;
    상기 반도체 층을 덮으며, 상기 제1 금속층을 노출하는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 위에서 상기 반도체 층의 중심부와 중첩하는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극과 상기 반도체 층을 덮으며, 상기 제1 금속층을 노출하는중간 절연막; 그리고
    상기 중간 절연막 위에서 상기 함몰부를 통해 상기 제1 금속층과 연결된 상기 제2 금속층, 및 상기 중간 절연막을 덮는 유기 절연막을 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 유기 절연막 위에서 상기 반도체 층의 일측부와 연결된 소스 전극 및 상기 반도체 층의 타측부와 연결된 드레인 전극;
    상기 유기 절연막, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮는 평탄화 막;
    상기 평탄화 막 위에서 상기 드레인 전극과 연결된 화소 전극;
    상기 평탄화 막 위에서 상기 화소 전극의 중심 영역을 노출하는 뱅크;
    상기 뱅크에 노출된 상기 화소 전극 위에 적층된 발광층; 그리고
    상기 발광층 위에 적층된 공통 전극을 더 포함하며,
    상기 유기 절연막, 상기 평탄화 막 및 상기 뱅크는, 상기 함몰부에 적층된 전계 발광 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 함몰부는,
    상기 구부림 축을 따라 상기 플렉서블 기판을 가로지르며,
    상기 구부림 축에 직교하는 방향으로 일정 간격 떨어져 다수 개가 배치된 전계 발광 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 함몰부는,
    상기 플렉서블 기판 상에 설정된 폴딩 영역을 포함하는 일부 영역에 다수 개가 배치된 전계 발광 표시장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 함몰부는,
    상기 플렉서블 기판 전체 면적에 걸쳐 일정 분포로 배치된 전계 발광 표시장치.
  10. 플렉서블 기판;
    상기 플렉서블 기판의 제1 방향에 설정된 구부림 축;
    상기 플렉서블 기판 위에 적층된 박막 트랜지스터 층;
    상기 박막 트랜지스터 층 위에 적층된 평탄화 막;
    상기 평탄화 막 위에 형성된 발광 소자; 그리고
    상기 플렉서블 기판에서 상기 제1 방향으로 형성된 트랜치-바를 포함하며,
    상기 트랜치-바는,
    상기 플렉서블 기판과 상기 평탄화 막 사이에서 상기 제1 방향으로 상기 플렉서블 기판을 가로질러 배치된 함몰부;
    상기 함몰부의 하부에 배치된 제1 금속 물질층; 그리고
    상기 함몰부의 상부에 배치되어 상기 제1 금속 물질층과 접촉하는 제2 금속 물질층을 포함하는 전계 발광 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 발광 소자는,
    상기 평탄화 막 위에서 상기 박막 트랜지스터 층에 포함된 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극;
    상기 화소 전극에서 발광 영역을 정의하는 뱅크;
    상기 뱅크와 상기 화소 전극 위에 적층된 발광층;
    상기 발광층 위에 적층된 공통 전극을 포함하는 전계 발광 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터 층은,
    상기 플렉서블 기판 위에 형성된 차광층;
    상기 차광층을 덮는 무기 버퍼층;
    상기 무기 버퍼층 위에서 상기 차광층 내에 형성된 반도체 층;
    상기 반도체 층을 덮는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 위에서 상기 반도체 층의 중심부와 중첩하는 게이트 전극;
    상기 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극을 덮는 무기 절연막;
    상기 무기 절연막 위에 적층된 유기 절연막;
    상기 유기 절연막 위에서 상기 반도체 층의 일측부와 접촉하는 소스 전극;
    상기 유기 절연막 위에서 상기 반도체 층의 타측부와 접촉하는 드레인 전극을 포함하는 전계 발광 표시장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 함몰부의 상부에는,
    상기 제2 금속층;
    상기 유기 절연막;
    상기 평탄화 막; 그리고
    상기 뱅크가 순차적으로 적층된 전계 발광 표시장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 유기 절연막은,
    상기 제2 금속층 위의 상기 함몰부 내부를 채워 상기 유기 절연막의 상부 표면이 평탄한 전계 발광 표시장치.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 함몰부는,
    상기 플렉서블 기판 상에 설정된 폴딩 영역을 포함하는 일부 영역에 다수 개가 배치된 전계 발광 표시장치.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 함몰부는,
    상기 플렉서블 기판 전체 면적에 걸쳐 일정 분포로 배치된 전계 발광 표시장치.
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