KR20200062374A - 리프트 핀 홀더 - Google Patents

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키엠 케이. 응우옌
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

리프트 핀 홀더들의 실시예들이 본원에서 개시된다. 일부 실시예들에서, 리프트 핀 홀더는, 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 하우징 부재 ― 상부 부분은 중앙 공간을 정의하는 환상 벽을 포함함 ―; 중앙 공간 내에 적어도 부분적으로 배치되고, 그리고 베이스, 및 리프트 핀을 지지하도록 구성된 상방 돌출 부분을 갖는 지지 부재; 제1 그리퍼 ― 제1 그리퍼는 지지 부재의 최상부에 배치되고, 그리고 제1 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되어 리프트 핀을 파지하도록 구성된 제1 복수의 프롱들을 가짐 ―; 및 제2 그리퍼를 포함하며, 제2 그리퍼는 지지 부재의 베이스의 최상부에 배치되고, 그리고 제2 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되어 리프트 핀을 파지하도록 구성된 제2 복수의 프롱들을 갖고, 여기서, 제1 그리퍼는 제3 중앙 개구 내에 배치된다.

Description

리프트 핀 홀더
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱에 관한 것이다.
[0002] 반도체 프로세싱에서, 리프트 핀들은 프로세스 챔버에서 기판 지지부 상으로 반도체 기판을 리프팅 및 하강시키기 위해 사용된다. 전형적으로, 로봇 암이 기판을 프로세스 챔버의 상부 부분 내로 운송하며, 여기서, 기판 지지부를 통해 상방으로 연장되는 리프트 핀들 상에 기판이 놓인다. 이어서, 리프트 핀들은 기판 지지부 상에 기판을 배치하기 위해 프로세스 챔버의 하부 부분 내로 하강된다. 그 후, 로봇 암은 챔버로부터 인출된다.
[0003] 기판의 프로세싱 후에, 리프트 핀들은 기판을 위로 밀어서 기판 지지부로부터 기판을 리프팅하기 위해 기판 지지부 내의 부싱(bushing)들을 통해 상방으로 상승된다. 이어서, 로봇 암은 프로세싱된 기판을 챔버로부터 인출하기 위해 기판 아래에 재삽입된다. 본 발명자들은 종래의 리프트 핀 홀더들이 리프트 핀을 충분히 잘 고정시키지 못하여, 리프트 핀이 기판 지지부 내의 부싱들에 대해 기대어 마찰될 수 있게 하는 것을 발견하였다.
[0004] 리프트 핀들이 기판 지지부로부터 기판을 리프팅하려고 시도하고, 리프트 핀들의 움직임이 매끄러운 연속적인 움직임이 아니라 대신에 스터터링 움직임(stuttered movement)일 때, 종래의 리프트 핀 조립체들에 대한 부가적인 문제가 발생된다. 본 발명자들은, 리프트 핀들을 지지하는, 기판 지지부 아래의 리프트 핀 홀더들 내에 파편이 떨어지는 것에 의해 스터터링 움직임이 야기된다는 것을 발견하였다. 스터터링 움직임은 진동들을 야기할 것이며, 이는 기판의 움직임으로부터 생성되는 입자들이 리프트 핀 홀더 내에 떨어지게 할 것이다. 파편은, 리프트 핀이 위 또는 아래로 이동될 때, 리프트 핀이 부싱에 대해 마찰되게 한다. 결과로서, 리프트 핀의 스터터링 움직임으로 인해 기판에 대한 손상이 발생될 수 있다. 스터터링 문제를 해결하기 위하여, 리프트 핀 홀더들을 세정하기 위해 세정 용액들이 사용되었다. 그러나, 세정이 근본적인 문제를 해결하지 않기 때문에, 리프트 핀 홀더 내에 파편이 다시 떨어지게 된다.
[0005] 따라서, 본 발명자는 개선된 리프트 핀 홀더 및 이를 포함하는 리프트 핀 조립체들을 제공하였다.
[0006] 리프트 핀 홀더들의 실시예들이 본원에서 개시된다. 일부 실시예들에서, 리프트 핀 홀더는, 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 하우징 부재 ― 상부 부분은 중앙 공간을 정의하는 환상 벽을 포함함 ―; 중앙 공간 내에 적어도 부분적으로 배치되고, 그리고 베이스, 및 리프트 핀을 지지하도록 구성된 상방 돌출 부분을 갖는 지지 부재; 제1 그리퍼(gripper) ― 제1 그리퍼는 지지 부재의 최상부에 배치되고, 그리고 제1 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되는 제1 복수의 프롱(prong)들을 갖고, 제1 그리퍼는, 제1 복수의 프롱들 사이에 배치되어 제1 그리퍼의 바디를 통해 연장되는 제1 중앙 개구를 포함하고, 제1 복수의 프롱들은 리프트 핀이 제1 중앙 개구 내로 연장될 때 리프트 핀을 파지하도록 구성되고, 지지 부재의 상방 돌출 부분은 제1 중앙 개구 내로 연장됨 ―; 및 제2 그리퍼를 포함하며, 제2 그리퍼는 지지 부재의 베이스의 최상부에 배치되고, 그리고 제2 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되는 제2 복수의 프롱들을 갖고, 제2 그리퍼는 제2 복수의 프롱들 사이에 배치된 제2 중앙 개구, 및 제2 그리퍼의 바디를 통해 연장되어 제2 중앙 개구로 개방된 제3 중앙 개구를 포함하고, 제2 복수의 프롱들은 리프트 핀이 제2 중앙 개구 내로 연장될 때 리프트 핀을 파지하도록 구성되고, 제1 그리퍼는 제3 중앙 개구 내에 배치된다.
[0007] 일부 실시예들에서, 리프트 핀 조립체는, 베이스; 베이스로부터 상방으로 연장되는 복수의 지지 엘리먼트들; 복수의 지지 엘리먼트들 중 대응하는 지지 엘리먼트들의 상부 부분에 커플링된 복수의 리프트 핀 홀더들; 및 복수의 리프트 핀 홀더들에 대응하는 복수의 리프트 핀들을 포함한다. 복수의 리프트 핀 홀더들 각각은, 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 하우징 부재 ― 상부 부분은 중앙 공간을 정의하는 환상 벽을 포함하고, 하우징 부재의 하부 부분은 대응하는 지지 엘리먼트를 수용하고 리세스 내에서의 대응하는 지지 엘리먼트의 상대적인 회전을 방지하도록 구성된 리세스를 포함함 ―; 중앙 공간 내에 적어도 부분적으로 배치되고, 그리고 베이스, 및 리프트 핀을 지지하도록 구성된 상방 돌출 부분을 갖는 지지 부재; 제1 그리퍼 ― 제1 그리퍼는 지지 부재의 최상부에 배치되고, 그리고 제1 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되는 제1 복수의 프롱들을 갖고, 제1 그리퍼는, 제1 복수의 프롱들 사이에 배치되어 제1 그리퍼의 바디를 통해 연장되는 제1 중앙 개구를 포함하고, 제1 복수의 프롱들은 제1 중앙 개구 내로 연장되는 리프트 핀을 파지하도록 구성되고, 지지 부재의 상방 돌출 부분은 제1 중앙 개구 내로 연장됨 ―; 및 제2 그리퍼를 포함하며, 제2 그리퍼는 지지 부재의 베이스의 최상부에 배치되고, 그리고 제2 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되는 제2 복수의 프롱들을 갖고, 제2 그리퍼는 제2 복수의 프롱들 사이에 배치된 제2 중앙 개구, 및 제2 그리퍼의 바디를 통해 연장되어 제2 중앙 개구로 개방된 제3 중앙 개구를 포함하고, 제2 복수의 프롱들은 제2 중앙 개구 내로 연장되는 리프트 핀을 파지하도록 구성되고, 제1 그리퍼는 제3 중앙 개구 내에 배치된다. 복수의 리프트 핀들 각각의 최하부 부분은 복수의 리프트 핀 홀더들 중 대응하는 리프트 핀 홀더 내에 배치된다.
[0008] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 챔버 바디; 챔버 바디 위에 배치된 덮개 ― 덮개와 챔버 바디는 내부 볼륨을 정의함 ―; 내부 볼륨 내에 배치된 기판 지지부; 기판 지지부 내에 배치되고, 그리고 대응하는 복수의 리프트 핀들이 복수의 리프트 핀 부싱들을 통과할 수 있게 하도록 구성된 복수의 리프트 핀 부싱들; 및 리프트 핀 조립체를 포함한다. 리프트 핀 조립체는, 베이스; 베이스로부터 상방으로 연장되는 복수의 지지 엘리먼트들; 복수의 지지 엘리먼트들 중 대응하는 지지 엘리먼트들의 상부 부분에 커플링된 복수의 리프트 핀 홀더들을 포함한다. 복수의 리프트 핀 홀더들 각각은, 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 하우징 부재 ― 상부 부분은 중앙 공간을 정의하는 환상 벽을 포함하고, 하우징 부재의 하부 부분은 대응하는 지지 엘리먼트를 수용하고 리세스 내에서의 대응하는 지지 엘리먼트의 상대적인 회전을 방지하도록 구성된 리세스를 포함함 ―; 중앙 공간 내에 적어도 부분적으로 배치되고, 그리고 베이스, 및 리프트 핀을 지지하도록 구성된 상방 돌출 부분을 갖는 지지 부재; 제1 그리퍼 ― 제1 그리퍼는 지지 부재의 최상부에 배치되고, 그리고 제1 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되는 제1 복수의 프롱들을 갖고, 제1 그리퍼는, 제1 복수의 프롱들 사이에 배치되어 제1 그리퍼의 바디를 통해 연장되는 제1 중앙 개구를 포함하고, 제1 복수의 프롱들은 제1 중앙 개구 내로 연장되는 리프트 핀을 파지하도록 구성되고, 지지 부재의 상방 돌출 부분은 제1 중앙 개구 내로 연장됨 ―; 및 제2 그리퍼를 포함하며, 제2 그리퍼는 지지 부재의 베이스의 최상부에 배치되고, 그리고 제2 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되는 제2 복수의 프롱들을 갖고, 제2 그리퍼는 제2 복수의 프롱들 사이에 배치된 제2 중앙 개구, 및 제2 그리퍼의 바디를 통해 연장되어 제2 중앙 개구로 개방된 제3 중앙 개구를 포함하고, 제2 복수의 프롱들은 제2 중앙 개구 내로 연장되는 리프트 핀을 파지하도록 구성되고, 제1 그리퍼는 제3 중앙 개구 내에 배치된다.
[0009] 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 아래에서 설명된다.
[0010] 앞서 간략히 요약되고 아래에서 더 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하고, 범위를 제한하지 않는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 가질 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른, 리프트 핀 홀더가 내부에서 사용될 수 있는 예시적인 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0012] 도 2는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 리프트 핀 조립체의 사시도를 예시한다.
[0013] 도 3a는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 리프트 핀 홀더의 등각도를 도시한다.
[0014] 도 3b는 라인 B-B’를 따라 취해진 도 3a의 리프트 핀 홀더의 단면도를 도시한다.
[0015] 도 4는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 리프트 핀 홀더의 등각 저면도를 도시한다.
[0016] 도 5는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른, 리프트 핀 홀더에서 사용하기 위한 그리퍼의 등각도를 도시한다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것이 아니고, 명확성을 위해 간략화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있다.
[0018] 리프트 핀 홀더들 및 이를 포함하는 리프트 핀 조립체들의 실시예들이 본원에서 개시된다. 본 발명의 리프트 핀 홀더는 유리하게, 리프트 핀 홀더들이 리프트 핀 홀더 내에 떨어진 파편에 대해 점착되게(stuck) 하는, 종래의 리프트 핀 홀더들에 대한 문제들을 감소 또는 제거한다. 본 발명의 리프트 핀 홀더는 리프트 핀 홀더 내에 떨어질 수 있는 파편과 접촉할 수 있는 첨예한 에지들을 제거함으로써, 리프트 핀 홀더의 엘리먼트들이 파편에 점착될 리스크를 상당히 감소시킨다. 본 발명의 리프트 핀 홀더는 리프트 핀 홀더 내에 리프트 핀을 고정시키기 위한 부가적인 지지부를 제공함으로써 리프트 핀의 안정성을 더 개선한다.
[0019] 도 1은 예시적인 기판 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도를 도시하며, 그 기판 프로세스 챔버(100)에서, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른, 리프트 핀 홀더 및 리프트 핀 조립체가 사용될 수 있다. 본원에서 개시되는 교시들과 함께 사용하도록 적응될 수 있는 적합한 반응기들은, 예컨대, TETRATM I, TETRATM II, 및 TETRATM III 포토마스크 에칭 시스템들을 포함하며, 이들 모두는 캘리포니아, 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능하다. 본원에서 도시된 프로세스 챔버(100)의 특정 실시예는 예시적인 목적들을 위해 제공되며, 본 개시내용의 범위를 제한하기 위해 사용되지 않아야 한다. 본 발명의 리프트 핀 홀더는 본원에서 개시되는 이점들을 위해 유사한 리프트 핀 조립체를 활용하는 임의의 프로세스 챔버에 피팅(fit)될 수 있다.
[0020] 프로세스 챔버(100)는 일반적으로, 프로세싱 볼륨(108)을 정의하는, 최하부(103) 및 측벽(104)을 갖는 챔버 바디, 및 챔버 바디의 측벽(104) 위에 배치된 챔버 덮개(106)를 포함한다. 프로세스 챔버(100)는 기판 지지 조립체(101)를 더 포함한다. 프로세스 챔버(100)는 프로세싱 케미스트리(chemistry) 및/또는 프로세싱 부산물들로부터 측벽(104)이 손상 및 오염되는 것을 방지하기 위해 프로세싱 볼륨(108)에 배치된 라이너(110)를 더 포함한다. 프로세스 챔버(100)에 커플링된 클러스터 툴과 같은 시스템에 배치된 기판 이송 메커니즘 및 기판들의 통과를 가능하게 하기 위해, 슬릿 밸브 도어 개구(112)가 측벽(104) 및 라이너(110)를 통해 형성된다. 슬릿 밸브 도어(114)가 슬릿 밸브 도어 개구(112)를 선택적으로 개방 및 폐쇄한다.
[0021] 기판 지지부(139) 및 연결 구역(140)을 포함하는 기판 지지 조립체(101)가 프로세싱 볼륨(108)에 배치되어 지지부(들)(142)에 의해 지지된다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부(139)는 정전 척일 수 있다. 리프트(116)는, 기판(102)의 프로세싱 및 로딩/언로딩 동안, (도 2에 대하여 아래에서 설명되는 바와 같은) 리프트 핀 조립체(160) 상에 배치된 리프트 핀들(118)을 기판 지지부(139)에 배치된 부싱들(185)을 통해 상승 및 하강시키도록 구성된다. 리프트 핀 조립체(160)는 베이스(161) 및 복수의 지지 엘리먼트들(162)을 포함한다. 기판 지지 조립체(101)의 연결 구역(140)은 일반적으로, 프로세싱 볼륨(108)과 유체 연통하지 않는다. 일부 실시예들에서, 연결 구역(140)은 복수의 전기 연결부들, 이를테면 예컨대, 열전대 와이어들, 가열기 엘리먼트 와이어들, 차폐된 e-척 전극 와이어들 등, 및 기판 지지 조립체(101)를 통해 유체를 전달하기 위한 튜브들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 연결 구역(140)은 또한, 지지부(들)(142), 냉각 튜브들(144), 및 전기 연결부들(122)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전기 연결부들(122)은 기판 지지 조립체(101) 상에 기판(102)을 고정시키도록 척킹력을 생성하기 위해 바이어스 전력 소스(120)에 기판 지지 조립체(101)를 커플링시킨다. 저항성 가열 엘리먼트들과 같은 하나 이상의 가열 엘리먼트들(119)이 기판(102)을 미리 결정된 온도로 가열 및 유지하기 위해 기판 지지부(139)에 매립될 수 있다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들(119)이 기판(102)을 원하는 프로세싱 온도로 가열하기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 연결 구역(140)은 또한, 기판 지지부(139)를 통해 냉각제를 유동시키기 위한 냉각 튜브들(144)을 포함할 수 있다. 냉각 튜브들은 열 교환기(146)에 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 온도 측정 디바이스(148)가 기판 지지 조립체(101)에 커플링될 수 있다.
[0022] 일부 실시예들에서, 하나 이상의 프로세싱 가스들이 가스 소스(124)로부터 유입구(126)를 통해 프로세싱 볼륨(108)에 공급될 수 있다. 진공 펌프(128)가 플리넘(130)을 통해 프로세싱 볼륨(108)을 펌핑하고 저압 환경을 유지하기 위해 프로세싱 볼륨(108)과 유체 연통한다.
[0023] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는 챔버 덮개(106) 외부에 배치된 안테나 조립체(132)를 더 포함한다. 안테나 조립체(132)는 정합 네트워크(136)를 통해 RF(radio frequency) 플라즈마 전력 소스(134)에 커플링될 수 있다. 프로세싱 동안, 안테나 조립체(132)는 RF 플라즈마 전력 소스(134)에 의해 제공되는 RF 전력으로 에너자이징되어, 프로세싱 볼륨(108) 내의 프로세싱 가스들을 점화시켜서 플라즈마를 형성하고, 기판(102)의 프로세싱 동안 플라즈마를 유지한다.
[0024] 도 2는 본원에서 개시되는 실시예들에 따른 리프트 핀 조립체(160)의 사시도를 예시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 리프트 핀 조립체(160)는 베이스(161) 및 복수의 지지 엘리먼트들(162)을 포함한다. 베이스(161)는 예컨대 원형과 같은 임의의 적합한 형상일 수 있다. 일부 실시예들에서, 베이스(161)는 프로세싱 챔버(100)에서 프로세싱될 기판과 동일한 형상을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스(161)는 환상일 수 있다. 각각의 지지 엘리먼트(162)는 도 3a 내지 도 5에 대하여 아래에서 논의되는 바와 같은 리프트 핀 홀더를 통해 리프트 핀(118)을 지지하도록 구성된다. 리프트 핀들(118) 및 지지 엘리먼트들(162)의 수는 프로세싱 챔버(100)의 구성에 기반하여 변할 수 있다. 일부 실시예들에서, 리프트 핀 조립체(160)는 3개의 리프트 핀들(118)을 지지하기 위해 베이스(161) 상에 배치된 3개의 지지 엘리먼트들(162)을 포함한다.
[0025] 도 3a는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 리프트 핀 홀더(300)의 등각도를 도시한다. 도 3b는 라인 B-B’를 따라 취해진 도 3a의 리프트 핀 홀더(300)의 단면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 리프트 핀 홀더(300)는 하우징 부재(302), 지지 부재(304), 제1 그리퍼(306), 및 제2 그리퍼(308)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 하우징 부재(302) 및 지지 부재(304)는 스테인리스 강으로 형성된다. 그러한 실시예들에서, 하우징 부재(302) 및 지지 부재(304)의 표면들은 부가적으로, 하우징 부재(302) 및 지지 부재(304)의 접촉 표면들의 내구성을 향상시키기 위해 전해 연마될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 그리퍼들(306, 308)은 프로세스-양립가능한 플라스틱, 이를테면 예컨대, 유기 열가소성 폴리머(예컨대, PEEK) 또는 폴리이미드계 플라스틱(예컨대, VESPEL®)으로 형성된다. 일부 실시예들에서, 지지 부재(304)의 표면 마감(surface finish)은, 중앙 공간(316) 내에 떨어진 임의의 파편에 지지 부재(304)가 점착되는 것을 최소화 또는 방지하기 위해, 22 Ra 미만이다. 일부 실시예들에서, 적어도 지지 부재(304)의 최하부 에지들(370)은, 중앙 공간(316) 내에 떨어진 임의의 파편에 지지 부재(304)가 점착되는 것을 추가로 최소화 또는 방지하기 위해, 약 0.025 인치 내지 약 0.040 인치의 반경을 갖는다.
[0026] 하우징 부재(302)는 상부 부분(310) 및 하부 부분(312)을 갖는다. 상부 부분(310)은 중앙 공간(316)을 정의하는 환상 벽(314)을 포함한다. 지지 부재(304)는 중앙 공간(316) 내에 적어도 부분적으로 배치되고, 그리고 베이스(318), 및 리프트 핀(118)을 지지하도록 구성된 상방 돌출 부분(320)을 갖는다. 제1 그리퍼(306)(도 5에 또한 도시됨)는 지지 부재(304)의 최상부에 배치된다.
[0027] 도 5를 참조하면, 일부 실시예들에서, 제1 그리퍼(306)는 바디(343)로부터 상방으로 연장되는 제1 복수의 프롱들(342)을 포함한다. 제1 복수의 프롱들(342)은 제1 복수의 슬롯들(344)에 의해 분리되고, 그리고 제1 그리퍼(306)를 통해 연장되는 제1 중앙 개구(345)를 둘러싼다. 지지 부재(304)의 상방 돌출 부분(320)은 제1 중앙 개구(345) 내로 연장된다. 제1 중앙 개구(345)의 제1 내경은 리프트 핀(118)의 직경보다 더 작고, 그에 따라, 리프트 핀(118)이 제1 그리퍼(306) 내에 삽입될 때, 제1 복수의 프롱들(342)이 외측으로 휘어져서 리프트 핀(118)이 제1 중앙 개구(345) 내로 통과할 수 있게 한다. 제1 중앙 개구(345)의 내경이 리프트 핀(118)의 직경보다 더 작기 때문에, 제1 복수의 프롱들(342)은 리프트 핀(118)에 대해 반경방향 내향 힘을 가함으로써 리프트 핀(118)을 파지하여 리프트 핀(118)을 적소에 홀딩한다.
[0028] 도 3a 및 도 3b로 돌아가면, 제2 그리퍼(308)는 지지 부재(304)의 베이스(318)의 최상부에 배치되고, 그리고 제2 그리퍼(308)의 바디(324)로부터 상방으로 돌출되는 제2 복수의 프롱들(346)을 포함한다. 제2 그리퍼(308)는 제2 복수의 프롱들(346) 사이에 배치된 제2 중앙 개구(326), 및 제2 그리퍼(308)의 바디를 통해 연장되어 제2 중앙 개구(326)로 개방된 제3 중앙 개구(322)를 포함한다. 제2 복수의 프롱들(346)은 제2 중앙 개구(326) 내로 연장되는 리프트 핀(118)을 파지하도록 구성된다. 제1 그리퍼(306)는 제3 중앙 개구(322) 내에 배치된다.
[0029] 제2 복수의 프롱들(346)은 제2 복수의 슬롯들(348)에 의해 분리된다. 제1 중앙 개구(345) 및 제1 복수의 프롱들(342)과 유사하게, 제2 중앙 개구(326)는 리프트 핀(118)의 직경보다 더 작은 제2 직경을 갖고, 그에 따라, 리프트 핀(118)이 제2 그리퍼(308) 내에 삽입될 때, 제2 복수의 프롱들(346)이 외측으로 휘어져서 리프트 핀(118)이 제2 중앙 개구(326) 내로 통과할 수 있게 한다. 따라서, 제2 그리퍼(308)는 유리하게, 리프트 핀(118) 상에 부가적인 홀딩/안정화 힘을 제공한다. 일부 실시예들에서, 하우징 부재(302), 지지 부재(304), 제1 그리퍼(306), 및 제2 그리퍼(308)는 동축이다.
[0030] 일부 실시예들에서, 제1 그리퍼(306)는 제1 그리퍼(306)의 대향 측면들을 통해 배치된 제1 세트의 공선형 홀(collinear hole)들(349)(도 5에는 하나가 도시되어 있지만 도 3b에서 단면으로 둘 모두가 도시됨)을 포함한다. 그러한 실시예들에서, 지지 부재(304)는 제1 세트의 공선형 홀들(349)과 동축으로 배치된 제1 관통 홀(328)을 포함한다. 제1 로킹 핀(locking pin)(330)이 지지 부재(304)에 대한 제1 그리퍼(306)의 상대적인 포지션을 고정시키기 위해 제1 세트의 공선형 홀들(349) 및 제1 관통 홀(328)을 통해 배치된다.
[0031] 일부 실시예들에서, 제2 그리퍼(308)는 제2 그리퍼(308)의 대향 측면들을 통해 배치된 제2 세트의 공선형 홀들(332)을 포함한다. 그러한 실시예들에서, 지지 부재(304)는 부가적으로, 제2 세트의 공선형 홀들(332)과 동축으로 배치된 제2 관통 홀(334)을 포함한다. 제2 로킹 핀(336)이 지지 부재(304)에 대한 제2 그리퍼(308)의 상대적인 포지션을 고정시키기 위해 제2 세트의 공선형 홀들(332) 및 제2 관통 홀(334)을 통해 배치된다.
[0032] 일부 실시예들에서, 리프트 핀 홀더(300)는 하우징 부재(302)의 환상 채널(340)에 배치된 환상 리테이닝 링(338)(예컨대, 스냅 링)을 더 포함한다. 환상 리테이닝 링(338)은 지지 부재(304), 제1 그리퍼(306), 및 제2 그리퍼(308)가 하우징 부재(302) 밖으로 떨어지는 것을 방지하도록(즉, 하우징 부재(302) 밖으로의 수직 이동을 방지함) 구성된다.
[0033] 일부 실시예들에서, 제1 그리퍼(306)는, 제1 복수의 프롱들(342)의 열 팽창을 가능하게 하기 위해, 제1 복수의 슬롯들(344)의 최하부에 배치되어 제1 복수의 슬롯들(344)로 개방된 제1 복수의 릴리프 홀(relief hole)들(350)을 포함한다. 유사하게, 일부 실시예들에서, 제2 그리퍼(308)는, 제2 복수의 프롱들(346)의 열 팽창을 가능하게 하기 위해, 제2 복수의 슬롯들(348)의 최하부에 배치되어 제2 복수의 슬롯들(348)로 개방된 제2 복수의 릴리프 홀들(352)을 포함한다.
[0034] 일부 실시예들에서, 하우징 부재(302)의 하부 부분은 리프트 핀 조립체(160)의 지지 엘리먼트들(162) 중 하나를 수용하도록 구성된 리세스(354)를 포함한다. 리세스(354)는 리세스(354) 내의 지지 엘리먼트(162)의 상대적인 회전을 방지하도록 구성된다. 도 4를 참조하면, 일부 실시예들에서, 리세스(354)는 하나 이상의 직선 벽들(402) 및 하나 이상의 곡선 벽들(404)을 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 각각의 지지 엘리먼트(162)의 상부 부분(202)은 대응하는 형상을 가질 수 있고, 그에 따라, 상부 부분(202)이 리세스(354) 내에 삽입될 때, 지지 엘리먼트(162)에 대한 리프트 핀 홀더(300)의 회전이 유리하게 방지된다. 일부 실시예들에서, 리세스(354) 내에서의 상부 부분(202)의 열 팽창을 보상하기 위해, 복수의 릴리프 슬롯들(406)이 리세스(354)에 부가적으로 제공될 수 있다.
[0035] 일부 실시예들에서, 하우징 부재(302)는 부가적으로, 하우징 부재(302)의 하부 부분(312) 내의 홀(358)을 통해 리세스(354) 내로 연장되는 고정 엘리먼트(356)를 포함할 수 있다. 고정 엘리먼트(356)는 하우징 부재(302)에 지지 엘리먼트(162)를 커플링시키도록 구성된다. 예컨대, 고정 엘리먼트(356)는, 지지 엘리먼트(162)의 상부 부분(202) 내의 대응 나사형 홀(204) 내에 스크루잉(screw)되도록 구성된 나사형 샤프트(360)를 갖는 스크루(예컨대, 카운터싱크 스크루(countersink screw))일 수 있다.
[0036] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있다.

Claims (15)

  1. 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 하우징(housing) 부재 ― 상기 상부 부분은 중앙 공간을 정의하는 환상 벽을 포함함 ―;
    상기 중앙 공간 내에 적어도 부분적으로 배치되고, 그리고 베이스, 및 리프트 핀을 지지하도록 구성된 상방 돌출 부분을 갖는 지지 부재;
    제1 그리퍼(gripper) ― 상기 제1 그리퍼는 상기 지지 부재의 최상부에 배치되고, 그리고 상기 제1 그리퍼의 바디(body)로부터 상방으로 돌출되는 제1 복수의 프롱(prong)들을 갖고, 상기 제1 그리퍼는, 상기 제1 복수의 프롱들 사이에 배치되어 상기 제1 그리퍼의 바디를 통해 연장되는 제1 중앙 개구를 포함하고, 상기 제1 복수의 프롱들은 상기 리프트 핀이 상기 제1 중앙 개구 내로 연장될 때 상기 리프트 핀을 파지하도록 구성되고, 상기 지지 부재의 상기 상방 돌출 부분은 상기 제1 중앙 개구 내로 연장됨 ―; 및
    제2 그리퍼
    를 포함하며,
    상기 제2 그리퍼는 상기 지지 부재의 상기 베이스의 최상부에 배치되고, 그리고 상기 제2 그리퍼의 바디로부터 상방으로 돌출되는 제2 복수의 프롱들을 갖고, 상기 제2 그리퍼는 상기 제2 복수의 프롱들 사이에 배치된 제2 중앙 개구, 및 상기 제2 그리퍼의 바디를 통해 연장되어 상기 제2 중앙 개구로 개방된 제3 중앙 개구를 포함하고, 상기 제2 복수의 프롱들은 상기 리프트 핀이 상기 제2 중앙 개구 내로 연장될 때 상기 리프트 핀을 파지하도록 구성되고, 상기 제1 그리퍼는 상기 제3 중앙 개구 내에 배치되는,
    리프트 핀 홀더.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 부재에 상기 제1 그리퍼를 고정시키기 위해 상기 제1 그리퍼 및 상기 지지 부재를 통해 배치된 제1 로킹 핀(locking pin)을 더 포함하는,
    리프트 핀 홀더.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 지지 부재에 상기 제2 그리퍼를 고정시키기 위해 상기 제2 그리퍼 및 상기 지지 부재를 통해 배치된 제2 로킹 핀을 더 포함하는,
    리프트 핀 홀더.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 하우징 부재의 환상 채널에 배치되고, 상기 지지 부재, 상기 제1 그리퍼, 및 상기 제2 그리퍼가 상기 하우징 부재 밖으로 떨어지는 것을 방지하도록 구성된 환상 리테이닝 링을 더 포함하는,
    리프트 핀 홀더.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 프롱들은 제1 복수의 슬롯들에 의해 분리되고, 상기 제1 중앙 개구는 상기 리프트 핀의 직경보다 더 작은 제1 내경을 갖고, 상기 제2 복수의 프롱들은 제2 복수의 슬롯들에 의해 분리되고, 상기 제2 중앙 개구는 상기 리프트 핀의 직경보다 더 작은 제2 내경을 갖는,
    리프트 핀 홀더.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 그리퍼는 제1 복수의 릴리프 홀(relief hole)들을 포함하고, 상기 제1 복수의 릴리프 홀들은 상기 제1 복수의 슬롯들의 최하부에 있고, 상기 제1 복수의 슬롯들로 개방되며, 상기 제2 그리퍼는 제2 복수의 릴리프 홀들을 포함하고, 상기 제2 복수의 릴리프 홀들은 상기 제2 복수의 슬롯들의 최하부에 있고, 상기 제2 복수의 슬롯들로 개방되는,
    리프트 핀 홀더.
  7. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 부재의 하부 부분은 리세스(recess)를 포함하며, 상기 리세스는 리프트 핀 조립체의 지지 엘리먼트를 수용하고, 상기 리세스 내의 상기 지지 엘리먼트의 상대적인 회전을 방지하도록 구성되는,
    리프트 핀 홀더.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 하우징 부재는 상기 하우징 부재의 하부 부분 내의 홀을 통해 상기 리세스 내로 연장되는 고정 엘리먼트를 포함하며, 상기 고정 엘리먼트는 상기 하우징 부재에 상기 지지 엘리먼트를 커플링시키도록 구성되는,
    리프트 핀 홀더.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 고정 엘리먼트는 스크루인,
    리프트 핀 홀더.
  10. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 부재 및 상기 지지 부재는 스테인리스 강으로 형성되는,
    리프트 핀 홀더.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 지지 부재의 표면 마감(surface finish)은 22 Ra 미만인,
    리프트 핀 홀더.
  12. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 그리퍼 및 상기 제2 그리퍼는 프로세스-양립가능한 플라스틱으로 형성되는,
    리프트 핀 홀더.
  13. 베이스;
    상기 베이스로부터 상방으로 연장되는 복수의 지지 엘리먼트들;
    상기 복수의 지지 엘리먼트들 중 대응하는 지지 엘리먼트들의 상부 부분에 커플링된 복수의 리프트 핀 홀더들 ― 상기 복수의 리프트 핀 홀더들 각각은 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 기재된 리프트 핀 홀더와 같음 ―; 및
    상기 복수의 리프트 핀 홀더들에 대응하는 복수의 리프트 핀들
    을 포함하며,
    상기 복수의 리프트 핀들 각각의 최하부 부분은 상기 복수의 리프트 핀 홀더들 중 대응하는 리프트 핀 홀더 내에 배치되는,
    리프트 핀 조립체.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 복수의 리프트 핀 홀더들은,
    상기 제1 그리퍼에 배치되어 상기 제1 복수의 프롱들을 분리하는 제1 복수의 슬롯들, 및 상기 제2 그리퍼 상에 배치되어 상기 제2 복수의 프롱들을 분리하는 제2 복수의 슬롯들 ― 상기 제1 중앙 개구는 상기 리프트 핀의 직경보다 더 작은 제1 내경을 갖고, 상기 제2 중앙 개구는 상기 리프트 핀의 직경보다 더 작은 제2 내경을 가짐 ―; 또는
    상기 하우징 부재에 대응하는 지지 엘리먼트를 커플링시키기 위해, 상기 하우징 부재의 최하부 부분 내의 홀을 통해 상기 리세스 내로 연장되는 고정 엘리먼트
    중 적어도 하나를 포함하는,
    리프트 핀 조립체.
  15. 챔버 바디;
    상기 챔버 바디 위에 배치된 덮개 ― 상기 덮개와 상기 챔버 바디는 내부 볼륨을 정의함 ―;
    상기 내부 볼륨 내에 배치된 기판 지지부;
    상기 기판 지지부 내에 배치된 복수의 리프트 핀 부싱(bushing)들;
    베이스, 상기 베이스로부터 상방으로 연장되는 복수의 지지 엘리먼트들, 및 상기 복수의 지지 엘리먼트들 중 대응하는 지지 엘리먼트들의 상부 부분에 커플링된 복수의 리프트 핀 홀더들을 포함하는 리프트 핀 조립체 ― 상기 복수의 리프트 핀 홀더들 각각은 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 기재된 리프트 핀 홀더와 같음 ―; 및
    상기 복수의 리프트 핀 홀더들에 대응하는 복수의 리프트 핀들
    을 포함하며,
    각각의 리프트 핀은 상기 복수의 리프트 핀 부싱들 중 대응하는 리프트 핀 부싱을 통과하고, 상기 복수의 리프트 핀들 각각의 최하부 부분은 상기 복수의 리프트 핀 홀더들 중 대응하는 리프트 핀 홀더 내에 배치되는,
    프로세스 챔버.
KR1020207014949A 2017-10-27 2018-10-25 리프트 핀 홀더 KR102404531B1 (ko)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10784142B2 (en) * 2018-01-09 2020-09-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Lift pin system for wafer handling
KR102201887B1 (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US11282738B2 (en) 2019-12-16 2022-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Lift pin module
US11753245B1 (en) 2020-11-10 2023-09-12 Express Scripts Strategic Development, Inc. Pharmaceutical container holder
CN114843164A (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 升降销固定器、升降销组件及等离子体处理装置
CN113488370B (zh) * 2021-07-06 2024-05-31 北京屹唐半导体科技股份有限公司 用于等离子体处理设备的升降销组件
KR102504269B1 (ko) * 2021-11-11 2023-02-28 피에스케이 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102647933B1 (ko) * 2021-12-30 2024-03-14 주식회사 에이이엘코리아 매엽식 세정장치용 스핀척 장치
TWI831544B (zh) * 2021-12-31 2024-02-01 南韓商細美事有限公司 升降銷單元、包括其的基板支撐單元及基板處理設備

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060156981A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Kyle Fondurulia Wafer support pin assembly
KR100833315B1 (ko) * 2007-04-06 2008-05-28 우범제 리프트 핀 홀더
KR20090067455A (ko) * 2007-12-21 2009-06-25 주성엔지니어링(주) 리프트 핀 어셈블리
JP5155790B2 (ja) * 2008-09-16 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 基板載置台およびそれを用いた基板処理装置
US20170221750A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Applied Materials, Inc. Conductive wafer lift pin o-ring gripper with resistor

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879128A (en) * 1996-07-24 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Lift pin and support pin apparatus for a processing chamber
US5848670A (en) * 1996-12-04 1998-12-15 Applied Materials, Inc. Lift pin guidance apparatus
JP3398936B2 (ja) * 1999-04-09 2003-04-21 日本エー・エス・エム株式会社 半導体処理装置
CN2395364Y (zh) * 1999-10-26 2000-09-06 四川鼎天微电有限公司 光盘机机芯
US6572708B2 (en) * 2000-02-28 2003-06-03 Applied Materials Inc. Semiconductor wafer support lift-pin assembly
US6958098B2 (en) * 2000-02-28 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer support lift-pin assembly
US8365682B2 (en) * 2004-06-01 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for supporting substrates
TWI253676B (en) * 2005-01-14 2006-04-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd A pin set for a reactor
KR101207771B1 (ko) 2006-02-09 2012-12-05 주성엔지니어링(주) 마찰력을 감소시킨 리프트 핀 홀더
US20090314211A1 (en) * 2008-06-24 2009-12-24 Applied Materials, Inc. Big foot lift pin
US8869975B2 (en) * 2010-02-12 2014-10-28 Presbibio, Llc Lens holder apparatus and system and method
JP5512508B2 (ja) * 2010-12-28 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR101312501B1 (ko) 2011-03-02 2013-10-01 엘아이지에이디피 주식회사 리프트 핀 모듈 및 이것을 포함하는 평판표시소자 제조장치
KR101977376B1 (ko) * 2012-08-07 2019-05-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치
KR101432152B1 (ko) 2012-11-13 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 기판 지지 모듈
JP6130703B2 (ja) * 2013-04-01 2017-05-17 キヤノン株式会社 ホルダ、ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
WO2015106860A1 (en) * 2014-01-20 2015-07-23 Asml Netherlands B.V. Substrate holder and support table for lithography
US10892180B2 (en) * 2014-06-02 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly
US9978632B2 (en) 2014-06-13 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Direct lift process apparatus
KR102164611B1 (ko) * 2014-07-02 2020-10-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 매립형 광섬유들 및 에폭시 광학 확산기들을 사용하는 기판들의 온도 제어를 위한 장치, 시스템들, 및 방법들
TWI808334B (zh) * 2015-08-06 2023-07-11 美商應用材料股份有限公司 工件握持器
US10332778B2 (en) * 2015-11-11 2019-06-25 Lam Research Corporation Lift pin assembly and associated methods
US10460977B2 (en) * 2016-09-29 2019-10-29 Lam Research Corporation Lift pin holder with spring retention for substrate processing systems
US10262887B2 (en) * 2016-10-20 2019-04-16 Lam Research Corporation Pin lifter assembly with small gap
JP6812224B2 (ja) 2016-12-08 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060156981A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Kyle Fondurulia Wafer support pin assembly
KR100833315B1 (ko) * 2007-04-06 2008-05-28 우범제 리프트 핀 홀더
KR20090067455A (ko) * 2007-12-21 2009-06-25 주성엔지니어링(주) 리프트 핀 어셈블리
JP5155790B2 (ja) * 2008-09-16 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 基板載置台およびそれを用いた基板処理装置
US20170221750A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Applied Materials, Inc. Conductive wafer lift pin o-ring gripper with resistor

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Publication number Publication date
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