KR20200044596A

KR20200044596A - 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법

Info

Publication number: KR20200044596A
Application number: KR1020180125578A
Authority: KR
Inventors: 김규현; 정성민; 이명현; 김영희; 권용진; 정은진; 권우택
Original assignee: 한국세라믹기술원; 주식회사 지텍
Priority date: 2018-10-19
Filing date: 2018-10-19
Publication date: 2020-04-29
Also published as: KR102187817B1; WO2020080856A1

Abstract

본 발명은 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착용 챔버에서 탄화규소 전구체를 원료로 증착공정을 완료한 후, 챔버내의 탄화규소가 증착된 부품을 회수하는 단계; 상기 회수된 부품으로부터 증착된 탄화규소를 수집하는 단계; 상기 수집된 탄화규소로부터 PVT법 단결정 원료에 적합한 크기의 탄화규소를 선별하는 단계; 및 선별된 탄화규소를 정제하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법을 제공한다.

Description

증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법{Recycling method of SiC by-product from the deposition process into the source of single crystal}

SiC 반도체는 큰 밴드갭(~3.2 eV)을 가지고 높은 절연파괴에 의한 반도체 크기감소, 낮은 전력 손실, 고온안정성을 가지므로 Si 소자의 최대 동작온도인 250℃ 보다도 훨씬 높은 온도인 300℃ ~ 500℃에서도 사용이 가능한 소자를 실현시킬 수 있어 Si 반도체 특성의 한계에 따른 해결책으로 기대되고 있으며, 이에 미국, 일본을 중심으로 SiC 단결정 기판이 주목되면서 SiC 기판을 사용한 제품시장이 확대되고 있는 추세이다.

이를 위해서는 전체 소비 에너지의 30 ~ 35%에 달하는 전기에너지 분야에서의 효율화 및 절약기술의 개발이 필수적이며, 이 분야에서 SiC-반도체를 이용한 전력반도체소자 (power semiconductor devices)의 개발 실용화는 현재 실리콘 wafer 반도체 변환손실 12% 수준을 3% 수준으로 낮추어 줄 것으로 예상된다. 또한 SiC로 제작한 디바이스는 정격전압 1000V 이상의 응용분야, 특히 에어컨, 태양광 발전, 전기자동차용 인버터 등에 적용되고 있다. SiC 단결정 웨이퍼는 전기자동차, 하이브리드카 등의 전력소자, 태양광소자의 에너지 변환소자, 에너지 절약이 요구되는 다양한 전자제품용 전력소자, LED/LD소자 및 고주파 소자에 응용될 것이 확실시 되며 2022년 이후 커다란 시장이 전망되는 바, 특히 미국, 일본, 유럽 등 소재 선진국을 중심으로 개발이 활발히 진행 중이다.

최근 SiC 전력반도체의 기술개발이 성숙기에 도달하고 시장이 개화하고 있어 SiC 웨이퍼의 공급량이 증가하고 있으나 아직 Si wafer 대비 제조단가가 높아 제조단가의 절감기술에 대한 니즈가 높다.

2009년 착수된 지식경제부의 WPM사업 “초고순도 SiC 소재”를 통하여 6인치급 4H-SiC 단결정성장(POSCO) 및 6N5급 고순도 분말기술개발이 진행된 바 있으며, 이에 국내에서도 복수의 기업에서 양산수준에 근접한 수준의 SiC 단결정 제조기술을 보유하고 있는 상황이다.

SiC 단결정은 통상 SiC 분말을 승화시킨후 다시 종자결정상에 재결정화시키는 승화재결정법(PVT;Physical Vapor Transport method)으로 단결정을 제조하고 있는데, 이때 사용되는 SiC 분말의 입자크기와 순도 등 품질수준이 제조되는 단결정의 품질에 결정적인 영향을 미치므로 고순도 분말의 제조가 필요하다.

일반적으로 PVT법을 이용하여 단결정을 성장시키는 경우 원료분말의 입도가 크고 균일할수록 packing density가 증가하여 장축의 단결정 성장에 유리하며 sublimation되는 양이 균일하게 많아지므로 고품질 단결정에 유리한 것으로 알려져 있다.

불순물이 다량 혼재하는 SiC 분말의 경우 결정성장과정에서 불순물의 영향에 의한 다양한 결함(기공, 동공결함(Micropipe), 전위(Dislocation), 폴리타입(Polytype), 입계(Grain Boundary))의 발생이 가능하며, 이로 인하여 성장공정 이후의 소재가공시 소재의 파손, 에피성장시 불균일한 에피박 형성, 소자형성시 누설전류의 발생으로 인한 수율 하락, 수명저하 등의 문제점이 발생되고 있다.

고순도 및 초고순도 SiC 분말의 합성을 위해 Si와 C의 direct reaction법, SiO₂ carbothermal reduction 법, Sol-gel 공정을 사용한 carbothermal reduction 법 및 organosilicon 열분해법 등이 개발되었으나, 아직까지 개발된 합성기술은 각 합성공정의 문제점으로 대량 생산 체제를 구축하지 못하고 있는 실정이다.

WPM 사업으로 개발된 초고순도 SiC 분말은 6N5 급 고순도 분말을 실현하였으나 RF소자용으로 적용되는 SiC 분말로는 적절하지 않으므로 전략적핵심소재사업으로 V-doped 고순도 SiC 분말개발이 별도로 진행중이며, 최근 사업목표 달성을 위해 N-free 고순도 SiC 분말의 필요성이 제기되고 있는 상태이다. 다만, WPM 사업으로 개발된 6N5 급 단결정성장용 고품질 분말은 상용화 수준에 도달하였으나, 공정단가가 높아 공정단가를 낮출 수 있는 새로운 제법의 제시가 요구되고 있다.

대한민국특허출원 제10-2014-0183368호 대한민국특허출원 제10-2013-0063427호

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 고난이도의 단결정 성장용 탄화규소 분말을 합성하는 공정을 별도로 수행할 필요가 없이 용이하게 분말을 수득할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 단결정 성장에 필요한 입도를 갖는 탄화규소 분말 또는 분쇄물을 용이하게 얻을 수 있도록 하는 것을 다른 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 무작위적으로 폐기되는 증착 장비의 부품에서 고순도의 탄화규소 원료를 얻을 수 있으며, 더 나아가 이를 단결정 성장용 원료로 재생할 수 있도록 하는 것을 또 다른 목적으로 한다.

본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 증착용 챔버에서 탄화규소 전구체를 원료로 증착공정을 완료한 후, 챔버내의 탄화규소가 증착된 부품을 회수하는 단계; 상기 회수된 부품으로부터 증착된 탄화규소를 수집하는 단계; 상기 수집된 탄화규소로부터 PVT법 단결정 원료에 적합한 크기의 탄화규소를 선별하는 단계; 및 선별된 탄화규소를 정제하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법을 제공한다.

상기 부품은 전극봉인 것이 바람직하다.

상기 전극봉은 저항가열용 흑연을 재질로 하는 것이 바람직하다.

상기 증착된 탄화규소를 수집하는 단계;에서는 알갱이 형태로 성장된 탄화규소를 수집하는 것이 바람직하다.

상기 탄화규소를 선별하는 단계;에서는 적어도 200㎛의 입도를 갖는 알갱이 형태로 성장된 탄화규소를 선별하는 것이 바람직하다.

상기 탄화규소를 선별하는 단계; 이후에 선별된 탄화규소를 분쇄하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.

상기 선별된 탄화규소를 정제하는 단계;는 산화분위기 또는 수소분위기에서 열처리하여 잔류하는 탄소를 가스화시키는 단계;임이 바람직하다.

상기 부품에 증착된 탄화규소는 적어도 6N(six-nine) 수준의 순도를 갖는 것이 바람직하다.

선별된 탄화규소를 정제하는 단계;는 로터리 킬른에서 수행되는 것이 바람직하다.

상기 정제온도는 650 ~ 850℃의 범위인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은 전술한 재생방법에 의하여 재생되며, 정제되어 적어도 5N(five-nine) 수준의 순도를 갖는 것을 특징으로 하는 재생된 탄화규소 단결정 핵을 제공한다.

이상과 같은 본 발명에 따르면, 고난이도의 단결정 성장용 탄화규소 분말을 합성하는 공정을 별도로 수행할 필요가 없이 용이하게 분말을 수득할 수 있도록 하는 효과를 기대할 수 있다.

또한, 단결정 성장에 필요한 입도를 갖는 탄화규소 분말 또는 분쇄물을 용이하게 얻을 수 있도록 하는 효과를 기대할 수 있다.

또한, 무작위적으로 폐기되는 증착 장비의 부품에서 고순도의 탄화규소 원료를 얻을 수 있으며, 더 나아가 이를 단결정 성장용 원료로 재생할 수 있도록 하는 효과를 기대할 수 있다.

이제껏 단결정 성장을 위한 원료로서 합성에 의하여 제조된 분말을 사용하였으나, 이는 고도의 합성과정을 수행하여야 하므로 매우 고가이며, 또한 일정 크기 이상으로 합성하여야 하므로 공정이 단순하지 않은 반면, 본 발명에 따르면 이와 같은 공정을 수행하지 않고도 고순도의 정제된 원료를 얻을 수 있으며, 동일 품질의 원료를 매우 낮은 가격에 확보할 수 있게 됨은 물론, 폐기물 처리 비용도 저감할 수 있으므로, 상당한 경제적 효과가 예상된다. 이제껏 이와 같은 시도는 없었다.

도 1은 SiC의 크기에 따른 승화량을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소 분말의 TG-DSC 분석 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소 분말 정제과정에 사용된 로터리 킬른의 개념도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의하여 수득된 탄화규소 분말을 각 온도에서 탈탄화한 후 촬영한 미세구조 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의하여 수득된 탄화규소 분말을 각 온도에서 탈탄화한 후 XRD 분석한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의하여 수득된 탄화규소 분말을 각 온도에서 탈탄화한 후 입도분석한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의하여 수득된 탄화규소 분말을 각 온도에서 탈탄화한 후 이를 이용하여 단결정 성장 공정을 수행하기 위한 PVT 공정 프로파일의 예시이다.
도 8은 도 7에 따른 PVT 공정 프로파일에 따라서 제작된 단결정 사진을 종래의 합성된 분말 및 본 발명에서 수득한 분말을 이용하여 제작한 단결정 사진과 함께 나타낸 것이다.

본 발명은 폐기되는 증착 챔버용 부품에 증착된 고순도의 원료를 수집 및 정제하여 이를 단결정 성장용 원료로 재활용하고자 하는 것이다.

본 발명에서는 CVD 공정으로 제한하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 증착공정의 종류 구분없이 챔버내 교체대상 부품으로부터 원료를 수득할 수 있다.

또한, PVT법으로 제한하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 단결정 공정원료로에도 적용될 수 있다.

최근 Si 반도체 공정용 부재로 그 적용폭이 확대되고 있는 CVD-SiC 다결정소재는 통상 MTS 등의 액체소스로부터 기화시킨 원료를 1500℃ 이하의 온도대역에서 다결정으로 성장시켜 고순도의 다결정 후막/벌크상으로 제조된다.

한편, LED용 MOCVD 및 반도체용 silicon Epi susceptors 또는 plasma etcher chamber용 parts의 수명 연장 및 수율 개선을 위하여, SiC ring, SiC wafer, SiC shower head 등 solid SiC components의 요구가 늘어나고 있는 추세이다.

CVD-SiC 공정에서 부수적으로 발생하는 고순도 SiC는 예를 들어 그라파이트 부재 또는 발열체 등에도 코팅되어 일회 가동 이후에는 모든 그라파이트 부재, 발열체 등을 교체해야 되므로, 월간 수십톤의 고순도 SiC coated 그라파이트를 고가의 처리비를 지불하고 처리하고 있다.

CVD 법의 특성상 7N급 이상의 고품질 SiC 다결정이 코팅되어 있으며, 이를 파쇄 등으로 입도를 제어하고 그라파이트 불순물을 재처리함으로써 단결정 원료로 재활용하는 방안이 제기되어 본 발명에 이르게 되었다.

이와 같이 재생되는 원료를 사용하면 기존의 고전압 파워소자용 전도성 단결정을 포함하여 통신용 RF소자용 반절연 기판용 저가 고순도 분말의 공급이 가능할 것으로 전망된다. 또한, 본 발명에 의하여, 이미 구축/운용되고 있는 CVD-SiC 설비를 활용한 고순도 단결정 원료의 공급이 가능하므로 시장의 트렌드를 바꿀수 있을 수준의 기술진전이 예상되어 사업화 전망이 우수할 것으로 기대된다.

이하, 본 발명을 바람직한 실시예와 함께 보다 상세히 설명하기로 한다.

발명은 증착용 챔버에서 탄화규소 전구체를 원료로 증착공정을 완료한 후, 챔버내의 탄화규소가 증착된 부품을 회수하는 단계; 상기 회수된 부품으로부터 증착된 탄화규소를 수집하는 단계; 상기 수집된 탄화규소로부터 PVT법 단결정 원료에 적합한 크기의 탄화규소를 선별하는 단계; 및 선별된 탄화규소를 정제하는 단계;를 포함하여 구성된다.

(1) CVD 공정 유래 SiC 증착물

통상 다결정 벌크체 제법으로 활용되고 있는 화학기상증착법(CVD)공정에서 발생하는 고순도의 CVD-SiC 벌크/후막/조립 분말을 단결정 성장용 분말로 정제하는 일련의 원료 개발과 해당 원료의 단결정 원료로서의 검증을 위한 SiC 단결정 성장을 수행하는 것이 본 발명의 목적이다. 위 SiC 증착층은 적어도 6N(six-nine)의 순도를 갖는다.

CVD 공정 유래 다결정 SiC 증착물은 위치에 따라 다양한 성상으로 증착이 진행되며 통상 흑연재질 부재상(예를 들어 저항가열용 흑연을 재질로 하는 전극봉)에 SiC 파티클(알갱이)이나 치밀한 증착층이 성장하게 된다. 이와 같이 SiC 파티클이나 치밀한 증착층이 성장된 흑연 재질의 부재를 회수하고, 이로부터 SiC 증착물 채취를 준비한다.

(2) 증착물 채취(수집)

본 발명에서는 SiC의 치밀한 증착층에 비하여 비교적 채취가 용이한 입상(파티클)의 증착물을 채취하여 단결정 원료로 적용하는 일련의 공정기술을 제안하였다. 다만, 치밀한 증착층도 채취의 의미가 있으나, 이를 채취하는 과정에서, 파티클에 비하여 불순물의 혼입이 더 많이 이루어지는 문제점이 있을 수 있으므로 이에 대한 정제과정에 더 많은 리소스가 투입될 수 있다. 채취의 방법에 제한은 없으나, 가장 간이한 기계적인 방법에 의하여 성장된 입상의 증착물을 채취하였다.

(3) 분쇄 및 입도선별

도 1에서 도시된 바와 같이, 일반적으로 PVT법을 이용하여 단결정을 성장시키는 경우, 원료분말의 입도가 크고 균일할수록 충전밀도(packing density)가 증가하여 장축의 단결정 성장에 유리하며 승화(sublimation)되는 양이 균일하게 많아지므로 고품질 단결정에 유리하다.

다만, 단결정 성장용 원료로서, 입도 제어를 위하여 기계적 분쇄공정 등을 수행하는 과정에서 분쇄 매체 혼입에 의하여 원료내 불순물 농도가 증가할 수 있으며 예를 들어서 금속 불순물은 성장 후 단결정 내부에 Micropipe, screw dislocation, basal dislocation과 같은 결함(defect)의 원인이 되므로 금속 불순물의 농도를 0.5ppm 이하로 낮추기 위한 가공공정을 적용할 수 있다.

CVD법에 의해 합성되는 SiC는 공정상 불순물의 함량이 낮을 것으로 예상되나 그라파이트 표면에 증착된 상태로 존재할 수 있으므로, 탄소가 불순물로 존재하게 되며, 따라서, SiC의 표면에 생성되는 SiO₂의 양을 최소화하면서 탈탄할 수 있는 공정이 시도되어야 한다.

이와 같이 채취 또는 분쇄된 SiC 증착물의 입도를 선별하여 적어도 200㎛의 크기를 갖는 입자를 수득한다. 위 크기 이상인 경우라야 단결정 성장이 원활하게 이루어질 수 있다.

(4) 잔류카본 및 불순물 제거

채취 후 정제(잔류카본 및 불순물의 제거)를 위하여 1차 열처리를 마친 SiC 분말은 약 10 ㎛의 크기를 갖는다. 처음 혼합 시에 카본을 과량으로 넣었기 때문에 XRD상에서 26°부근에 그라파이트(graphite) 피크가 약하게 나타나는 것을 제외하면 모두 β-SiC로 합성되었음을 확인할 수 있었다.

(5) 평가

그라파이트 제거를 위한 적당한 온도를 알기 위해 TG-DSC 분석을 실시하고 도 2에 나타내었다. 분석결과 700℃ 부근에서 무게 감량이 일어나는 것을 확인하였다.

또한, 그라파이트 제거를 위한 정확한 온도를 알기 위해 산소분위기, 700℃, 750℃, 800℃의 온도에서 각각 열처리를 하였으며, 미세구조를 확인하였고(도 4), XRD 분석을 행하였다(도 5). 그리고 탄소 제거 여부를 알기 위해 C/O 분석을 진행하였다.

도 5에서 도시된 바와 같이, Crucible에 SiC 파우더를 담아 700℃에서 산소분위기에서 12시간 열처리를 한 후 XRD 분석한 결과 XRD상에서 26°부근에서 그라파이트 피크가 남아 있음이 확인되었다. Crucible에 SiC 파우더를 담아 열처리 하는 경우에는 표면에서는 카본이 산소와 쉽게 반응하여 CO 가스로 제거되지만, 내부의 SiC 분말은 산소와 접촉되지 않아 장시간 열처리를 하는 경우에도 카본을 제거 할 수 없었다.

그러나, 도 3에서 나타낸 로터리 킬른(Rotary Kiln)을 사용하여 카본을 제거하는 경우에는 Kiln이 회전함에 따라 모든 SiC powder가 산소에 노출될 수 있으므로 excess carbon을 제거하는데 효과적이었다.

도 4에서 나타낸 바와 같이, 700℃, 750℃, 800℃에서 Rotary Kiln을 사용하여 4시간동안 열처리하여 카본을 제거한 후 입자의 형상과 입도 변화를 관찰한 결과 700℃, 750℃, 800℃에서 SiC 분말의 변화는 관찰되지 않았다. 여기서는 산소분위기(공기중)에서 열처리를 하였으나, 탈탄을 위하여 수소분위기에서 열처리를 할 수도 있다. 이 경우에는 메탄가스(CH₄)의 형태로 탈탄이 이루어질 것으로 예상된다.

도 5에서 나타낸 바와 같이, XRD 결과 세 조건(700℃, 750℃, 800℃) 모두 과량의 탄소가 제거된 것을 확인할 수 있었으며, C/O 분석에서도 탄소의 함량이 약 4% 줄어든 것을 확인할 수 있었다(표 1). 위 실험으로 700℃, 4hr의 경우가 산화가 가장 적게 진행되면서 카본을 제거할 수 있는 조건임을 확인하였다. 즉, 굳이 온도를 750℃ 또는 800℃까지 높일 필요가 없었다. 그럼에도 불구하고 650 ~ 850℃의 열처리 온도범위는 유의미하였다.

시료명	시험분석항목	시험분석결과
SiC Raw	C(%)	32.50
SiC Raw	O(%)	0.125
SiC 700℃	C(%)	29.76
SiC 700℃	O(%)	0.148
SiC 750℃	C(%)	29.76
SiC 750℃	O(%)	0.179
SiC 800℃	C(%)	29.67
SiC 800℃	O(%)	0.219

이와 같이 정제된 SiC 분말을 이용하여 도 7과 같은 스케줄을 통해 단결정을 성장하였으며, 그 결과 합성된 SiC 분말을 이용하여 제조된 단결정과 차이가 없었으며, 미세구조 또한 동일하였다. 또한 5N 이상의 순도를 갖는 것으로 측정되었다.

도 8은 도 7에 따른 PVT 공정 프로파일에 따라서 제작된 단결정 사진을 종래의 합성된 분말 및 본 발명에서 수득한 분말을 이용하여 제작한 단결정 사진과 함께 나타낸 것이다. 좌측이 합성분말을 이용하여 제조한 것이고, 우측이 본 발명에 의하여 수득된 분말을 이용하여 제조한 것이다.

도시된 바와 같이, 외관면에서 거의 대등한 수준이며, 따라서 본 발명에 의하여 수득된 분말을 이용하여 상용화 가능한 단결정을 제조할 수 있을 것으로 기대된다.

이상에서 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것이 아니고 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims

증착용 챔버에서 탄화규소 전구체를 원료로 증착공정을 완료한 후, 챔버내의 탄화규소가 증착된 부품을 회수하는 단계;
상기 회수된 부품으로부터 증착된 탄화규소를 수집하는 단계;
상기 수집된 탄화규소로부터 PVT법 단결정 원료에 적합한 크기의 탄화규소를 선별하는 단계; 및
선별된 탄화규소를 정제하는 단계;
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 부품은 전극봉인 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제2항에 있어서,
상기 전극봉은 저항가열용 흑연을 재질로 하는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 증착된 탄화규소를 수집하는 단계;에서는
알갱이 형태로 성장된 탄화규소를 수집하는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제4항에 있어서,
상기 탄화규소를 선별하는 단계;에서는
적어도 200㎛의 입도를 갖는 알갱이 형태로 성장된 탄화규소를 선별하는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 탄화규소를 선별하는 단계; 이후에
선별된 탄화규소를 분쇄하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 선별된 탄화규소를 정제하는 단계;는
산화분위기 또는 수소분위기에서 열처리하여 잔류하는 탄소를 가스화시키는 단계;임을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 부품에 증착된 탄화규소는 적어도 6N(six-nine) 수준의 순도를 갖는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제1항에 있어서,
선별된 탄화규소를 정제하는 단계;는
로터리 킬른에서 수행되는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제9항에 있어서,
상기 정제온도는 650 ~ 850℃의 범위인 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법.
제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 재생방법에 의하여 재생되며,
정제되어 적어도 5N(five-nine) 수준의 순도를 갖는 것을 특징으로 하는 재생된 탄화규소 단결정 핵.