KR20200035875A - 금속 자성 막 및 자성 시트 - Google Patents

금속 자성 막 및 자성 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20200035875A
KR20200035875A KR1020190117275A KR20190117275A KR20200035875A KR 20200035875 A KR20200035875 A KR 20200035875A KR 1020190117275 A KR1020190117275 A KR 1020190117275A KR 20190117275 A KR20190117275 A KR 20190117275A KR 20200035875 A KR20200035875 A KR 20200035875A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
magnetic
layer
film
sheet
Prior art date
Application number
KR1020190117275A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102248517B1 (ko
Inventor
다카시 야마다
미유키 야나기다
아쓰시 사토
겐이치 가와바타
Original Assignee
티디케이가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티디케이가부시기가이샤 filed Critical 티디케이가부시기가이샤
Publication of KR20200035875A publication Critical patent/KR20200035875A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102248517B1 publication Critical patent/KR102248517B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0075Magnetic shielding materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0083Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive non-fibrous particles embedded in an electrically insulating supporting structure, e.g. powder, flakes, whiskers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/562Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/005Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure organic or organo-metallic films, e.g. monomolecular films obtained by Langmuir-Blodgett technique, graphene
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/14Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/16Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/24Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/24Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
    • H01F41/26Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids using electric currents, e.g. electroplating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/001Magnets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

퍼멀로이와 탄소 원자를 포함하는 금속 자성 막으로서, 상기 탄소 원자의 함유량이, 상기 탄소 원자 및 금속 원소의 합계량을 기준으로 하여 0.3 내지 3.0at%인, 금속 자성 막.

Description

금속 자성 막 및 자성 시트 {METAL MAGNETIC FILM AND MAGNETIC SHEET}
본 발명은 금속 자성 막 및 자성 시트에 관한 것이다.
최근, 전자기기 등에서의 디지털 회로의 동작 속도의 고속화에 따라, 회로에서 발생하는 전자파 등의 노이즈에 의한 전자기기의 오작동이나 인체에 대한 영향이 심각해지고 있다. 그로 인해, 노이즈를 억제(차단)하기 위한 노이즈 억제 시트의 개발이 진행되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 단층의 두께가 10 내지 80㎛인 금속 자성체층 2층 이상 및 점착 층을, 라미네이트 수법을 사용하여 적층함으로써 얻어지는 노이즈 억제 시트가 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개2009-170634호
그러나, 디지털 회로 등을 탑재한 전자기기는, 최근, 경량화, 박형화, 및 고집적화가 진행되고 있고, 이에 따라, 노이즈 억제 시트에 있어서도, 높은 투자율을 유지하면서 박막화하는 것이 요구되고 있다. 본 발명자들은, 노이즈 억제 시트를 박막화하기 위해, Fe 및 Ni를 포함하는 합금(퍼멀로이) 등을 포함하는 금속 자성 막을 도금 공법으로 제작하는 것이 유효하다는 것을 발견하였다.
한편으로, 합금 등의 2원계의 도금 공법에서는, 막의 두께를 줄이면, 제막시에 휨이 발생해 버린다는 문제가 있었다.
본 발명은, 이러한 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 높은 투자율을 유지하면서 휨을 억제할 수 있는 금속 자성 막, 및 당해 금속 자성 막을 구비하는 자성 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 퍼멀로이와 탄소 원자를 포함하는 금속 자성 막으로서, 탄소 원자의 함유량이, 탄소 원자 및 금속 원소의 합계량을 기준으로 하여 0.3 내지 3.0at%인, 금속 자성 막을 제공한다.
본 발명은 또한, 지지체 및 당해 지지체 위에 형성된 상기 본 발명에 따른 금속 자성 막을 구비하고, 금속 자성 막의 두께가 1 내지 10㎛인 자성 시트를 제공한다.
지지체는, 비자성 금속체 층과, 당해 비자성 금속체 층의 금속 자성 막과 반대측의 면 위에 형성된 수지 층을 구비하고 있어도 좋다.
자성 시트는 노이즈 억제 시트여도 좋다.
본 발명에 의해, 높은 투자율을 유지하면서 휨을 억제할 수 있는 금속 자성 막, 및 당해 금속 자성 막을 구비하는 자성 시트를 제공할 수 있다.
[도 1] 자성 시트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 2] 도 1에 나타내는 자성 시트의 부분 확대도이다.
[도 3] 자성 시트의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 4] 자성 시트의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 5] 내굴곡성 시험기의 개략도이다.
이하, 도면을 적절히 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
본 실시형태에 따른 금속 자성 막은 퍼멀로이를 포함한다. 퍼멀로이는 금속 원소로서 Fe 및 Ni를 주성분으로서 포함하는 합금이며, 그 조성은 특별히 한정되지 않지만, 보다 높은 투자율을 달성하는 관점에서, Fe 및 Ni의 함유 비율(Fe/Ni)이, 질량비로, 10 내지 50, 15 내지 40, 또는 18 내지 25인 퍼멀로이를 사용하는 것이 바람직하다.
퍼멀로이는 본 발명의 효과를 현저하게 손상시키지 않는 범위에서 Fe 및 Ni 이외의 금속 원소가 포함되어 있어도 좋다. 그러한 금속 원소는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, Cu, Mo, Ti, Co, Mn 등을 들 수 있다.
금속 자성 막은, 탄소 원자 및 금속 원소의 합계량을 기준으로 하여 0.3 내지 3.0at%의 탄소 원자를 포함한다. 탄소 원자의 농도가 0.3at% 이상이면, 금속 자성 막을 도금 공법으로 제작할 때에, 막의 두께를 작게 한 경우여도, 휨을 억제할 수 있다. 한편, 탄소 원자의 농도가 3.0at% 이하이면, 금속 자성 막의 투자율을 높게 유지할 수 있어, 당해 금속 자성 막을 사용하여 노이즈 억제 시트를 제작한 경우에 양호한 노이즈 억제 효과를 확보할 수 있다. 이러한 관점에서, 탄소 원자의 농도는, 바람직하게는 0.3at% 이상이고, 보다 바람직하게는 1.0at% 이상이며, 더욱 바람직하게는 2.0at% 이상이고, 바람직하게는 3.0at% 이하이며, 보다 바람직하게는 2.5at% 이하이며, 더욱 바람직하게는 2.0at% 이하이다.
금속 자성 막에서의 탄소 원자의 농도는 전자 프로브 마이크로 애널라이저(EPMA)를 사용하여 측정할 수 있다.
금속 자성 막의 두께는, 노이즈 억제 효과를 보다 향상시키는 관점에서, 0.1㎛ 이상, 0.5㎛ 이상, 1㎛ 이상, 또는 5㎛ 이상이여도 좋고, 자성 시트의 박막화의 관점에서, 20㎛ 이하, 15㎛ 이하, 10㎛ 이하, 또는 7㎛ 이하여도 좋다.
금속 자성 막은, 예를 들면, 전해 도금법, 무전해 도금법 등을 사용하여 제조할 수 있다. 전해 도금법은, 예를 들면, 소정의 퍼멀로이를 포함하는 금속 자성체를 구성하는 금속의 이온, 및 금속 자성 막의 탄소원이 되는 화합물을 소정의 비율로 포함하는 전해 도금욕에 지지체를 침지한 후, 수세 등을 행하는 방법 등을 들 수 있다. 전해 도금욕은 인, 붕소 등을 추가로 포함해도 좋다. 전해 도금욕에서의 인, 붕소의 함유량은 예를 들면 5 내지 50g/L여도 좋다.
금속 자성체를 구성하는 금속 이온으로서는, 예를 들면 퍼멀로이를 형성하는 경우에는, 니켈 이온 및 철 이온이 사용된다. 니켈 이온을 부여하는 화합물로서는, 예를 들면 황산니켈, 염화니켈, 설파민산니켈 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하여 사용해도 좋다. 철 이온을 부여하는 화합물로서는, 황산철, 염화철, 설파민산철 등을 들 수 있고, 이들은 각각 1종을 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 병용하여 사용해도 좋다.
전해 도금욕에 있어서, 금속 자성체를 구성하는 금속의 이온을 부여하는 화합물의 함유량은, 목적으로 하는 금속 자성 막의 특성에 따라 적절하게 설정할 수 있는데, 예를 들면 1 내지 400g/L여도 좋다. 금속의 이온을 부여하는 화합물로서, 황산니켈 6수화물, 염화니켈 6수화물 및 황산철 7수화물을 사용하는 경우, 황산니켈 6수화물의 함유량은 100 내지 400g/L여도 좋고, 염화니켈 6수화물의 함유량은 1 내지 20g/L여도 좋고, 황산철 7수화물의 함유량은 1 내지 20g/L여도 좋다.
금속 자성 막의 탄소원이 되는 화합물로서는, 예를 들면, 사카린나트륨, 라우릴황산나트륨, 구연산, 말론산, 주석산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 전해 도금욕은, 사카린나트륨 및 라우릴황산나트륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
전해 도금욕에서의 금속 자성 막의 탄소원이 되는 화합물의 함유량은, 금속 자성 막에서의 탄소 원자의 농도를 원하는 범위로 하는 관점에서, 바람직하게는 0.1 내지 5.0g/L, 보다 바람직하게는 0.5 내지 4.0g/L, 더욱 바람직하게는 1.0 내지 3.0g/L이다. 금속 자성 막의 탄소원이 되는 화합물로서 사카린나트륨 및 라우릴황산나트륨을 사용하는 경우, 사카린나트륨의 함유량은 예를 들면 0.01 내지 3.0g/L 또는 0.03 내지 1.0g/L이며, 라우릴황산나트륨의 함유량은 예를 들면 0.01 내지 3.0g/L 또는 0.03 내지 1.0g/L이다.
전해 도금욕의 처리 조건으로서는, 예를 들면, 욕 온도가 35 내지 50℃이고 pH가 2 내지 3인 전해 도금욕을 사용하여, 전류 밀도가 0.5 내지 5A/dm2의 조건에서 5 내지 90분간 침지시키는 방법을 들 수 있다. 금속 자성 막에서의 탄소의 원소 농도를 원하는 범위로 하는 관점에서, 전류 밀도는 바람직하게는 0.1 내지 10.0A/dm2이고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 5.0A/dm2이고, 더욱 바람직하게는 1.0 내지 2.0A/dm2이며, 처리 시간은 바람직하게는 3 내지 300분이고, 보다 바람직하게는 6 내지 60분이며, 더욱 바람직하게는 15 내지 30분이다.
상술한 방법에 의해, 지지체 위에 금속 자성 막을 형성할 수 있다. 또한, 지지체 및 당해 지지체 위에 형성된 금속 자성 막을 구비하는 자성 시트를 얻을 수 있다.
지지체의 두께는, 노이즈의 반사를 보다 효과적으로 행하는 관점에서, 1㎛ 이상, 2㎛ 이상 또는 3㎛ 이상이여도 좋고, 자성 시트의 박막화의 관점에서, 4㎛ 이하 또는 3㎛ 이하여도 좋다.
지지체는, 예를 들면, 비자성 금속체 층과, 당해 비자성 금속체 층의 금속 자성 막과 반대측의 면 위에 형성된 수지 층을 구비하고 있어도 좋다.
도 1은 자성 시트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 자성 시트(1)는, 수지 층(2)과, 비자성 금속체 층(3)과, 금속 자성 막(4)을 이 순서로 구비하고 있다. 자성 시트(1)에 있어서, 수지 층(2)과 비자성 금속체 층(3)을 합쳐서 지지체(7)라고 할 수도 있다.
수지 층(2)을 형성하는 수지는, 예를 들면, 열경화성 수지여도 좋고, 자외선 경화성 수지여도 좋다. 열경화성 수지로서는, 예를 들면, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 자외선 경화성 수지로서는, 예를 들면, 아크릴레이트계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다.
수지 층(2)의 두께는, 자성 시트의 강도를 확보하는 관점에서, 0.1㎛ 이상, 0.5㎛ 이상 또는 1.0㎛ 이상이여도 좋고, 자성 시트의 박막화의 관점에서, 10.0㎛ 이하, 5.0㎛ 이하 또는 1.0㎛ 이하여도 좋다.
수지 층(2)은, 후술하는 비자성 금속체 층(3)과의 밀착성을 확보하는 관점에서, 무전해 도금 촉매를 추가로 함유하는 것이 바람직하다.
수지 층(2)에 포함되는 무전해 도금 촉매는, Pd, Cu, Ni, Co, Au, Ag, Rh, Pt, In 및 Sn으로부터 선택되는 금속이여도 좋고, 바람직하게는 Pd이다. 무전해 도금 촉매는 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 통상, 무전해 도금 촉매는 무전해 도금 촉매 입자로서 수지 중에 분산되어 있다.
수지 층(2)에서의 무전해 도금 촉매의 함유량은, 수지 층 전량을 기준으로 하여, 3질량% 이상, 4질량% 이상, 또는 5질량% 이상이여도 좋고, 50질량% 이하, 40질량% 이하, 또는 25질량% 이하여도 좋다.
무전해 도금 촉매는, 상기와 같이 수지 층(2)에 포함되는 것이 바람직하지만, 수지 층(2)의 비자성 금속체 층(3)과 접촉하는 측의 표면 위에 존재하고 있어도 좋다.
비자성 금속체 층(3)은 비자성 금속을 포함하는 층이다. 비자성 금속체 층(3)은, 후술하는 바와 같이, 예를 들면, 상기 수지 층(2) 위에 무전해 도금법에 의해 형성될 수 있다. 즉, 비자성 금속체 층(3)은 비자성 금속 도금층이라고도 할 수 있다. 비자성 금속체 층(3)은, 단일의 비자성 금속 도금으로 이루어진 층이여도 좋고, 금속 종이 상이한 복수의 비자성 금속 도금으로 구성되어도 좋다.
비자성 금속체 층(3)을 형성하는 비자성 금속은, 예를 들면, Cu, Al, Sn, Bi 등을 들 수 있고, 바람직하게는 Cu 및 Al로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함한다.
비자성 금속체 층(3)의 두께는, 노이즈의 반사를 보다 효과적으로 행하는 관점에서, 1㎛ 이상 또는 2㎛ 이상이여도 좋고, 자성 시트의 박막화의 관점에서, 4㎛ 이하, 3㎛ 이하, 또는 2㎛ 이하여도 좋다.
도 2는 도 1에 나타내는 자성 시트(1)의 영역 R의 확대도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 수지 층(2)은, 수지 층(2)의 비자성 금속체 층(3) 측의 표면(또는 상측 경계(M))에서부터 그 내측에 걸쳐 형성되고, 비자성 금속체 층(3)을 구성하는 비자성 금속을 포함하여 수지 층(2)에 들어가 있는 복수의 금속 입자(3R)를 포함하는 혼재 영역(20)을 갖고 있어도 좋다. 즉, 혼재 영역(20)은, 금속 입자(3R)와, 수지 층(2)의 주요 성분인 수지(31) 및 무전해 도금 촉매(무전해 도금 촉매 입자)(32)를 포함한다. 금속 입자(3R)는, 통상, 무전해 도금 촉매 입자(32)를 기점으로 하여 성장한 금속 도금을 포함한다. 그로 인해, 금속 입자(3R)에는, 무전해 도금 촉매 입자(32)가 들어가 있는 경우가 많다. 복수의 금속 입자(3R) 중 적어도 일부가, 비자성 금속체 층(3)에서부터 혼재 영역에 걸쳐 연속으로 이어져 있는 것이 바람직하다. 혼재 영역(20)이 형성되어 있는 것은, 예를 들면 주사형 전자 현미경으로 관찰함으로써 확인할 수 있다.
이와 같이 수지 층(2)이 수지(31) 및 무전해 도금 촉매(32)를 함유함으로써, 혼재 영역(20)을 형성할 수 있어, 비자성 금속체 층(3)과의 밀착성을 높일 수 있다.
혼재 영역(20)의 두께(T)는, 비자성 금속체 층(3)과의 밀착성을 더욱 높이는 관점에서, 바람직하게는 1nm 이상, 보다 바람직하게는 5nm 이상, 더욱 바람직하게는 10nm 이상이며, 또한, 바람직하게는 200nm 이하, 보다 바람직하게는 100nm 이하, 더욱 바람직하게는 50nm 이하이다.
여기서, 혼재 영역(20)의 두께(T)는, 비자성 금속체 층(3) 측의 상측 경계(M)에서부터, 그것보다도 수지 층(2)의 비자성 금속체 층(3)과는 반대측의 하측 경계(N)까지의 거리로서 정의된다. 상측 경계(M) 및 하측 경계(N)는, 각각, 수지 층(2)의 두께 방향에 수직인 방향의 단면(이하, 「수평면」이라고 함)이다. 상측 경계(M)는, 수지 층(2)을 구성하는 수지(31)를 포함하는 수평면 중 가장 비자성인 금속체 층(3) 측에 위치하는 것이다. 하측 경계(N)는, 금속 입자(3R)를 포함하는 수평면 중 가장 비자성인 금속체 층(3)과는 반대측에 위치하는 것이다. 하측 경계(N)는, 금속 입자(3R)를 포함하는 수평면 중 가장 비자성인 금속체 층(3)과는 반대측에 위치하는 것이다. 상측 경계(M) 및 하측 경계(N)는, 자성 시트(1)의 두께 방향을 따른 단면(이하, 「수직면」이라고 함)을 주사형 전자 현미경 등으로 관찰함으로써 결정할 수 있다. 복수의 수직면을 관찰하여 혼재 영역의 두께(T)를 구하고, 그 평균값을, 자성 시트(1)에서의 혼재 영역(20)의 두께(T)로 간주해도 좋다. 혼재 영역이 형성되어 있음으로써, 비자성 금속체 층(3)의 수지 층(2)으로부터의 박리가 효과적으로 억제된다.
수지 층(2)의 두께에 대한 혼재 영역(20)의 두께(T)의 비는 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.02 이상, 더욱 바람직하게는 0.03 이상이고, 바람직하게는 0.1 이하, 보다 바람직하게는 0.08 이하, 더욱 바람직하게는 0.05 이하이다.
수지 층(2) 위에 비자성 금속체 층(3)을 형성하는 방법으로서는, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 무전해 도금법 등을 사용할 수 있다. 무전해 도금법은, 예를 들면, 소정의 비자성 금속을 구성하는 금속의 이온을 포함하는 무전해 도금욕에 수지 층(2)을 침지한 후, 수세 등을 행하는 방법 등을 들 수 있다. 무전해 도금욕은, 인, 붕소, 철 등을 추가로 포함해도 좋다. 금속의 이온을 포함하는 무전해 도금욕의 처리 조건은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 소정의 금속 이온을 0.1 내지 2.0질량% 함유하는 무전해 도금욕을 사용하는 경우, 처리 온도는 70 내지 90℃이고 처리 시간은 10 내지 120초이다. 수지 층(2)에 무전해 도금 촉매가 포함되는 경우, 당해 무전해 도금 촉매를 기점으로 하여, 비자성 금속체 층(3)으로서의 무전해 금속 도금을 형성시킬 수 있다.
도 3은 자성 시트의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 자성 시트(1)는, 상술한 수지 층(2), 비자성 금속체 층(3) 및 금속 자성 막(4) 외에, 수지 층(2)의 비자성 금속체 층(3)과는 반대측의 주면 위에 형성된 점착 층(5)을 구비하고 있어도 좋다. 점착 층(5)을 구비함으로써, 자성 시트(1)를 노이즈 억제 시트로서 사용한 경우, 전자 부품 등의 원하는 장소에 접착시킬 수 있어, 전자 부품 등에서 발생하는 노이즈를 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
점착 층(5)은, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면 양면 테이프를 사용할 수 있다. 양면 테이프로서는, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다.
점착 층(5)의 두께는 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 또는 10㎛ 이상이여도 좋고, 1000㎛ 이하, 100㎛ 이하, 또는 10㎛ 이하여도 좋다.
도 4는 자성 시트의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 자성 시트(1)는, 상술한 수지 층(2), 비자성 금속체 층(3) 및 금속 자성 막(4) 외에, 금속 자성 막(4)의 비자성 금속체 층(3)과는 반대측의 주면 위에 형성된 방청 층(6) 또는 절연 층(6')을 추가로 구비하고 있어도 좋다. 또한, 자성 시트는, 상기 방청 층(6) 및 절연 층(6')을 함께 구비하고 있어도 좋다.
방청 층(6)은, 예를 들면, 금속 자성 막의 비자성 금속 대응과는 반대측의 주면 위에 인산염, 크롬산염 등을 사용한 방청 처리를 실시함으로써 형성할 수 있다.
방청 층(6)의 두께는 0.5㎛ 이상, 1.0㎛ 이상 또는 2.0㎛ 이상이여도 좋고, 3.0㎛ 이하 또는 2.0㎛ 이하여도 좋다.
절연 층(6')은, 예를 들면, 절연성을 갖는 소재로 형성되어도 좋다. 즉, 절연 층(6')은, 방청 층으로서 기능하는 층이여도 좋다. 절연성을 갖는 소재는 무기 재료 또는 수지여도 좋다. 무기 재료로서는, 예를 들면, SiO2, SiN 등의 규소를 함유하는 화합물을 들 수 있다. 수지로서는, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다.
절연 층의 두께는 0.5㎛ 이상, 1.0㎛ 이상, 또는 2.0㎛ 이상이여도 좋고, 3.0㎛ 이하, 또는 2.0㎛ 이하여도 좋다.
본 실시형태에 따른 자성 시트의 두께는, 자성 시트의 강도를 확보하는 관점에서, 3㎛ 이상, 5㎛ 이상 또는 10㎛ 이상이여도 좋고, 자성 시트의 박막화의 관점에서, 20㎛ 이하, 15㎛ 이하 또는 10㎛ 이하여도 좋다.
본 실시형태에 따른 자성 시트는, 전자 부품 등에 실장함으로써, 전자 부품에서의 회로 등에서 발생하는 노이즈(전자파 등)를 흡수, 억제할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 따른 자성 시트는 노이즈 억제 시트로서 적합하게 사용되며, 특히 전자파 실드로서 바람직하게 사용된다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[금속 자성 막의 제작]
(실시예 1)
20질량%의 팔라듐 입자와, 이소시아네이트 수지를 함유하는 수지 조성물을 준비하였다.
얻어진 수지 조성물을 PET 필름(토요보우세키 가부시키가이샤 제조, 상품명 「코스모샤인 A4100」) 위에 도포하고, 건조시킴으로써, PET 필름 위에 두께 1㎛의 수지 층을 구비하는 제1 적층체를 얻었다. 제1 적층체를 3.0g/L의 구리 이온을 포함하는 무전해 도금액에 침지하고, 도금욕의 온도 38℃에서 45분간 무전해 도금 처리를 행하여, 두께 2㎛의 비자성 금속체 층(Cu 층)이 형성된 제2 적층체를 얻었다. 또한, 제2 적층체에서의 혼재 영역의 두께는 38nm였다.
얻어진 제2 적층체를, 황산니켈 6수화물 200g/L, 염화니켈 6수화물 10g/L, 황산철 7수화물 10g/L, 붕산 30g/L, 사카린나트륨 20g/L 및 라우릴황산나트륨 1.0g/L의 조성을 갖는 pH 2.5의 전해 도금욕에 침지하여, 도금욕의 온도 40℃, 전류 밀도 1A/dm2의 조건 하에 60분간 전해 도금 처리를 행하여, 두께 5㎛의 금속 자성 막(퍼멀로이를 포함하는 막)이 형성된 자성 시트(두께: 8㎛)를 제작하였다. 퍼멀로이에서의 Fe 및 Ni의 함유 비율(Fe/Ni)은, 질량비로, 21.5였다.
(실시예 2)
전해 도금욕의 조성에 대해, 사카린나트륨의 함유량을 7g/L, 라우릴황산나트륨의 함유량을 0.3g/L로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 두께 5㎛의 금속 자성 막(퍼멀로이를 포함하는 막)이 형성된 자성 시트(두께: 8㎛)를 제작하였다. 퍼멀로이에서의 Fe 및 Ni의 함유 비율(Fe/Ni)은, 질량비로, 20.6이었다.
(실시예 3)
전해 도금욕의 조성에 대해, 사카린나트륨의 함유량을 40g/L, 라우릴황산나트륨의 함유량을 2.0g/L로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 두께 5㎛의 금속 자성 막(퍼멀로이를 포함하는 막)이 형성된 자성 시트(두께: 8㎛)를 제작하였다. 퍼멀로이에서의 Fe 및 Ni의 함유 비율(Fe/Ni)은, 질량비로, 22.0이었다.
(실시예 4)
전해 도금욕의 조성에 대해, 사카린나트륨의 함유량을 60g/L, 라우릴황산나트륨의 함유량을 3.0g/L로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 두께 5㎛의 금속 자성 막(퍼멀로이를 포함하는 막)이 형성된 자성 시트(두께: 8㎛)를 제작하였다. 퍼멀로이에서의 Fe 및 Ni의 함유 비율(Fe/Ni)은, 질량비로, 21.8이었다.
(비교예 1)
전해 도금욕에 있어서, 사카린나트륨 및 라우릴황산나트륨을 함유하지 않는 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 두께 5㎛의 금속 자성 막(퍼멀로이를 포함하는 막)이 형성된 자성 시트(두께: 8㎛)를 제작하였다. 퍼멀로이에서의 Fe 및 Ni의 함유 비율(Fe/Ni)은, 질량비로, 21.2였다.
(비교예 2)
전해 도금욕에 있어서, 사카린나트륨의 함유량을 2.0g/L, 라우릴황산나트륨의 함유량을 0.1g/L로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 두께 5㎛의 금속 자성 막(퍼멀로이를 포함하는 막)이 형성된 자성 시트(두께: 8㎛)를 제작하였다. 퍼멀로이에서의 Fe/Ni의 함유 비율(Fe/Ni)은, 질량비로, 20.8이었다.
(비교예 3)
전해 도금욕에 있어서, 사카린나트륨의 함유량을 100.0g/L, 라우릴황산나트륨의 함유량을 5.0g/L로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 행하여, 두께 5㎛의 금속 자성 막(퍼멀로이를 포함하는 막)이 형성된 자성 시트(두께: 8㎛)를 제작하였다. 퍼멀로이에서의 Fe/Ni의 함유 비율(Fe/Ni)은, 질량비로, 20.9였다.
[자성 시트의 평가]
(금속 자성 막에서의 탄소 함유량의 측정)
탄소 함유량의 측정은, 전자 프로브 마이크로 애널라이저(EPMA)를 사용하여, 조사 전류 1.0E-7A, 가속 전압 15kV, 빔 직경 1㎛의 측정 조건 하에서 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(투자율의 측정)
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 얻어진 자성 시트를 링 형상으로 가공하여, 임피던스 애널라이저를 사용하여 자성률의 주파수 특성을 측정하였다. 주파수 특성을 확인하여, 1MHz에서의 투자율을 판독하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(굴곡 시험)
실시예 1 내지 4에서 얻어진 자성 시트에 대해, 이하의 굴곡 시험을 행하여, 각 층간에서 박리가 없는지 확인하였다.
길이 150mm, 폭 50mm의 각 시트의 샘플을 준비하였다. 이 샘플을, 도 5에 나타내는 내굴곡성 시험기를 사용한, JISC5016에 따른 굴곡 시험에 제공하였다. 즉, 자성 시트(1)의 단부(12)를 고정부(13)에 고정하면서, 자성 시트(1)를 굴곡부(14)의 원형의 주면(곡률 반경(d): 5mm)을 따르게 함으로써, 자성 시트(1)가 굴곡하도록 배치하였다. 그 후, 단부(12)와는 반대측의 단부(15)를 화살표 B로 나타낸 방향을 따라 왕복시켰다. 왕복의 이동 거리를 30mm, 왕복의 주기를 150회/분으로 하여 1분간 단부(15)를 반복하여 왕복시켰다. 굴곡 시험 후의 샘플의 단면을 주사형 전자 현미경으로 관찰하여 각 층간에서 박리가 없는지 확인하였다.
Figure pat00001
1 … 자성 시트, 2 … 수지 층, 3 … 비자성 금속체 층, 3R … 금속 입자, 4 … 금속 자성 막, 5 … 점착 층, 6 … 방청 층, 6' … 절연 층, 7 … 지지체, 20 … 혼재 영역, 31 … 수지, 32 … 무전해 도금 촉매(무전해 도금 촉매 입자).

Claims (4)

  1. 퍼멀로이와 탄소 원자를 포함하는 금속 자성 막으로서,
    상기 탄소 원자의 함유량이, 상기 탄소 원자 및 금속 원소의 합계량을 기준으로 하여 0.3 내지 3.0at%인, 금속 자성 막.
  2. 지지체 및 당해 지지체 위에 형성된 제1항에 기재된 금속 자성 막을 구비하고, 상기 금속 자성 막의 두께가 1 내지 10㎛인 자성 시트.
  3. 제2항에 있어서, 상기 지지체가, 비자성 금속체 층과, 당해 비자성 금속체 층의 상기 금속 자성 막과 반대측의 면 위에 형성된 수지 층을 구비하는, 자성 시트.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 노이즈 억제 시트인, 자성 시트.
KR1020190117275A 2018-09-27 2019-09-24 금속 자성 막 및 자성 시트 KR102248517B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/144,604 US20200107479A1 (en) 2018-09-27 2018-09-27 Metal magnetic film and magnetic sheet
US16/144,604 2018-09-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200035875A true KR20200035875A (ko) 2020-04-06
KR102248517B1 KR102248517B1 (ko) 2021-05-06

Family

ID=69945344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190117275A KR102248517B1 (ko) 2018-09-27 2019-09-24 금속 자성 막 및 자성 시트

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20200107479A1 (ko)
KR (1) KR102248517B1 (ko)
CN (1) CN110957104A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021123680A (ja) * 2020-02-07 2021-08-30 日東電工株式会社 複合材料およびそれを成形してなる電磁波吸収体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86106937A (zh) * 1986-10-18 1988-04-27 成都电讯技术研究所 镍铁合金电渡法
JP2002319787A (ja) * 2001-02-15 2002-10-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 電磁波吸収材料
JP2006032929A (ja) * 2004-06-14 2006-02-02 Nitta Ind Corp 電磁干渉抑制体、これを用いる電磁障害抑制方法、およびrf‐idデバイス
KR20070085240A (ko) * 2004-09-29 2007-08-27 니타 가부시키가이샤 전자파 흡수체
JP2009170634A (ja) 2008-01-16 2009-07-30 Denki Kagaku Kogyo Kk 積層型電磁波制御部材

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3211815B2 (ja) * 1999-01-19 2001-09-25 学校法人早稲田大学 軟質磁性薄膜及びその製造方法
US7625633B2 (en) * 2003-03-25 2009-12-01 Shin-Etsu Polymer., Ltd. Electromagnetic noise suppressor, article with electromagnetic noise suppressing function, and their manufacturing methods
CN101045533B (zh) * 2007-03-12 2010-11-10 清华大学 表面负载磁性合金粒子的碳纳米管吸波材料及其制备方法
JP5316921B2 (ja) 2007-03-16 2013-10-16 日立金属株式会社 Fe基軟磁性合金、およびこれを用いた磁性部品
CN101492794B (zh) * 2008-01-21 2014-06-25 安泰科技股份有限公司 铁基非晶态合金材料及其用途
JP6352731B2 (ja) * 2013-09-20 2018-07-04 株式会社東芝 磁性金属粒子集合体及び電波吸収体
CN105283056A (zh) * 2014-07-15 2016-01-27 联茂电子股份有限公司 电磁波干扰遮蔽薄膜
JP6554278B2 (ja) * 2014-11-14 2019-07-31 株式会社リケン 軟磁性合金および磁性部品
JP6520688B2 (ja) * 2015-12-15 2019-05-29 Tdk株式会社 磁性シート

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86106937A (zh) * 1986-10-18 1988-04-27 成都电讯技术研究所 镍铁合金电渡法
JP2002319787A (ja) * 2001-02-15 2002-10-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 電磁波吸収材料
JP2006032929A (ja) * 2004-06-14 2006-02-02 Nitta Ind Corp 電磁干渉抑制体、これを用いる電磁障害抑制方法、およびrf‐idデバイス
KR20070085240A (ko) * 2004-09-29 2007-08-27 니타 가부시키가이샤 전자파 흡수체
JP2009170634A (ja) 2008-01-16 2009-07-30 Denki Kagaku Kogyo Kk 積層型電磁波制御部材

Also Published As

Publication number Publication date
US20200107479A1 (en) 2020-04-02
US20200352061A1 (en) 2020-11-05
CN110957104A (zh) 2020-04-03
KR102248517B1 (ko) 2021-05-06
US11765874B2 (en) 2023-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102243684B1 (ko) 노이즈 억제 시트
EP3456871B1 (en) Tinned copper terminal material, terminal, and electrical wire end part structure
US20080118747A1 (en) Process for Producing Permanent Magnet for Use in Automotive Ipm Motor
KR102547165B1 (ko) Sn 도금재 및 그 제조 방법
JP2016166396A (ja) 銀めっき付き銅端子材及び端子
EP3467152A1 (en) Surface treatment material, production method thereof, and component formed using surface treatment material
KR102248517B1 (ko) 금속 자성 막 및 자성 시트
KR20190097023A (ko) 표면 처리재 및 이를 이용하여 제작한 부품
KR102352019B1 (ko) 커넥터용 단자재 및 단자 그리고 전선 단말부 구조
US20110318602A1 (en) Metal-Coated Polyimide Resin Substrate with Excellent Thermal Aging Resistance Properties
WO2014199526A1 (ja) 金めっき被覆ステンレス材、および金めっき被覆ステンレス材の製造方法
KR102353143B1 (ko) 표면 처리 동박, 그리고 이것을 이용한 동 클래드 적층판 및 프린트 배선판
JP2002194586A (ja) めっき皮膜および電磁波シールド材
WO2019022188A1 (ja) 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造
JP7121232B2 (ja) 銅端子材、銅端子及び銅端子材の製造方法
KR101582659B1 (ko) 카테콜 폴리머를 이용하여 유리 섬유 표면에 금속을 코팅시키는 방법 및 이에 따라 금속이 코팅된 유리 섬유
JP5619307B1 (ja) 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル
KR102109339B1 (ko) 무전해-전해도금법을 이용하여 자화율이 향상된 고전도성 섬유를 제조하는 방법
US20120034475A1 (en) Metal-Coated Polyimide Resin Substrate with Excellent Thermal Aging Resistance Properties
KR102124327B1 (ko) 무전해 도금층을 이용한 회로기판용 전자파 차폐소재 및 이를 이용한 회로기판의 제조방법
US10553352B2 (en) Corrosion resistant magnet assembly
KR100584734B1 (ko) 전자파 차폐용 니켈-철 합금 코팅강판 및 그 제조방법
JP5534626B1 (ja) 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル
KR20230145270A (ko) PtRu 합금 박막을 구비하는 적층 구조
CN112837880A (zh) 噪声抑制片

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant