KR20070085240A - 전자파 흡수체 - Google Patents

Abstract

도전성 패턴 (12)가 기본적으로 다각형인　대략적 다각형의 외곽 형상을 갖고 있고, 전자파 흡수량의 피크 값을 도전성 패턴의 외곽 형상이 원형의 경우와 비교하여, 전자파 흡수량의 피크 값을 높게 할 수 있다. 이와 같이 기본적으로는 다각형이고, 적어도１개의 모서리부가 곡선 형상으로 형성된다. 이것에 따라 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남을 작게 억제한 말을 할 수 있다. 따라서 전자파의 흡수량의 피크 값이 높고, 또한 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남이 작은 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현한 말을 할 수 있다.

모서리부, 곡선 형상, 복소비 유전율, 투자율

Description

전자파 흡수체{Electromagnetic Wave Absorber}

　본 발명은 전자파를 측정하고 흡수하는 전자파 흡수체에 관한 것이다.

컴퓨터 네트워크의 LAN(Local　Area　Network) 구축에 있어서, 마이크로파를 이용하는 무선 LAN이 이용되어 보다 유연한 모바일성의 높은 통신 시스템이 구축되고 있다. 또한, FWA(Fixed　Wireless　Access)로 불리는 광역 네트워크 또는 교환망과 이용자가 조작하는 통신 장치와의 사이에 무선통신 서비스가 시작되어, 무선통신 시스템이 보다 가까이에 활용되고 있다. 게다가 WPAN(Wireless　Personal　Area　Network)의 대표로 여겨지는 블루투스(Bluetooth)로 불리는 근거리 무선 기술이 유선 케이블 기술의 대체 기술로서 이용되고 있다. 향후, VoWLAN(Voice　over　Wireless　Local　Area　Network)로 불리는 무선 LAN에 의한 음성 통화를 할 수 있는 휴대전화 장치를 이용하는 통신 시스템의 보급도 예상된다.

　복수의 무선 LAN 시스템을 매우 가까이 구축하거나 무선 LAN 시스템이 구축되어 있는 환경에 있어서, 전자 렌지 및 무선통신기술을 이용하는 도난 방지 장치 등을 이용하는 경우, 같은 대역의 전자파를 이용하는 결과 전자파 간섭(다른 파의 간섭)의 문제가 생기는 일이 있다. 그것과는 별도로 반사파 등에 의해 전송이 잘못되는 문제(멀티 패스의 문제, 자기 간섭)가 생기는 일도 있다. 구체적으로는, 상기의 무 선 기술을 이용하는 기기간의 전송 속도의 저하, BER(Bit　Error　Rate)의 증대 즉 통신 환경의 열화를 일으킨다. 전자기기에 영향을 미칠 우려도 있고 최악의 경우에는, 기기의 오동작이 생길 우려가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서, 도전성 패턴(이하 단지 「패턴」이라고 하는 경우가 있다)을 가지는 패턴층을 갖추는 전자파 흡수체(이하 「패턴 전파 흡수체」라고 하는 경우가 있다)가 이용되고 있다.

　패턴 전자파 흡수체는, 예를 들어 특허 제 3076473호(특개평 6－244583호 공보), 특허 제 3209456호(특개평 6－140787호 공보), 특개평 11－204984호 공보 및 특개 2002－246786호 공보에 개시되고 있다. 특히, 특개 2002－246786호 공보에는, 경사 입사 특성이 뛰어나는 패턴층을 가지는 전자파 흡수체가 개시되고 있다. 또한, 특개평 11－204984호 공보에는, 복수의 공진형 주파수 선택성 전자파 차단성 면상(면의 형상)체에 관한 기재가 있고 이것은 쌍봉특성을 가지는 패턴층을 가지는 전자파 흡수체에 관한 것이다. 이것들 각 특허 문헌에 개시되는 전자파 흡수체로 이용되고 있는 패턴의 형상은, 다각형 또는 원형이며, 선 또는 면의 형상이다. 패턴의 형상에 있어서, 편파 전자파의 흡수 특성의 영향에 대해 고찰한 문헌은 눈에 띄지 않았다.

　패턴 전자파 흡수체는 패턴을 흡수해야 할 주파수의 전자파에 대응하는 수신 안테나로서 기능시켜 전자파를 파악하고, 그 파악한 전자파를 패턴 및 손실층에 의해, 전자파를 감쇠시키거나 서로 지우도록 간섭시켜 반사파를 작게 한다. 이와 같이 패턴 전자파 흡수체는 흡수해야 할 주파수의 전자파에 대해서 공진하도록 정합시킨 박형의 전자파 흡수체를 실현하고 있다.

　패턴 전자파 흡수체는 패턴의 치수를 적당히 설정하여 흡수해야 할 주파수의 전자파 반사량이 작아지도록 설계되지만, 패턴의 편파 의존성이 큰 경우에는 흡수해야 할 주파수의 전자파에 대응시키는 것이 곤란하게 된다. 즉 패턴의 형상에 기인해, TE파, TM파, 그 사이의 임의의 각도로부터 들어가는 전자파 혹은 원편파에 의해, 전자파 흡수 특성, 특히 흡수 주파수가 변동한다고 하는 문제, 따라서 전자파 흡수 특성이 편파 의존성을 가진다고 하는 문제가 있었다.

　이 원인은 패턴 전자파 흡수체가, 패턴의 형상, 수, 배열, 손실층의 치수 및 물질 상수(ε＇, ε”, μ＇, μ”)를 포함한 파라미터가 관여해 최적 상태를 창출하고, 고성능 박형 전자파 흡수체를 실현하고 있으므로, 수직 입사의 전자파에 대한 흡수 특성에 대한 최적화 설계는 되어 있지만, 전자파의 입사각도나 편파의 영향에 의해 공진 상태가 영향을 받기 쉽고, 공진 주파수가 변동하기 쉽기 때문이다.

　본 발명의 목적은 전자파 흡수량의 피크치가 높고, 또는 복수 주파수의 전자파를 흡수할 수가 있고, 한편 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 차이가 작은 전자파 흡수체를 제공하는 것이다.

본 발명은 적어도 1개의 모서리가 곡선형태로 대략적 다각형의 외곽 형상을 가지는 단수 또는 복수 종류의 도전성 패턴을 포함한 복수개의 도전성 패턴이, 서로 연결하지 않는 상태로 형성되는 패턴층과 복소비투자율(μ＇,μ”)을 가지는 자성 손실재 및 복소비유전률(ε＇,ε”)을 가지는 유전손실재의 적어도 어느 한쪽의 재료로부터 완성되는 부분을 가지는 손실층이 적층되어 구성되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체이다.

　또한, 본 발명은, 상기 모서리부에 있어서의 곡선상에 형성하는 부분의 치수는, 편파 방향의 차이에 의해 흡수 가능한 주파수의 차이를 억제 가능한 치수의 범위 내에서 작은 치수로 결정되는 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 도전성 패턴은 면 형상의 패턴인 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 바깥 둘레의 길이가 다른 도전성 패턴이 조합되어 형성되는 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 모서리부의 곡율 반경이 다른 도전성 패턴이 조합되어 형성되는 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 인접하는 2개의 도전성 패턴의 간격이 위치에 따라 상이한 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 도전성 패턴은 단수 또는 복수개의 빈 구멍부분을 갖고 그 빈 구멍부분은 흡수해야 할 주파수의 전자파에 대하여 공진하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 손실층은 자성 손실재 및 유전 손실재의 적어도 어느 한 쪽에 있는 재료로 이루어지는 전자파 흡수층과, 유전체 재료로 이루어지는 유전체층을 포함한 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 전자파 흡수층은 유기 중합체 100 중량부에 대하여, 자성 손실 재료로서 페라이트, 철합금, 철입자의 군으로부터 선택된 １ 또는 복수 재료를 1 중량부 이상 １５００ 중량부 이하의 배합량으로 포함한 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 유전체층의 복소비 유전율의 실질적인 부분(μ’)이 １ 이상 ５０ 이하의 범위에 있는 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 전자파 흡수층 및 유전체층은 면 저항률이 각각 단위 면적당 １０６Ω 이상인 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 전자파 흡수층 및 유전체층 중 적어도 어느 한편이 여러 층 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은２. ４ＧＨz　대의 전자파를 흡수하기 위한 전자파 흡수체이고 전체 두께가 ４ｍｍ 이하인 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은 ９００ＭＨz　대의 전자파를 흡수하기 위한 전자파 흡수체이고 총체 두께가 １０ｍｍ 이하인 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은, 도전성 반사층이 손실층에 대하여 패턴층과 반대측에 적층되는 것을 특징으로 한다.

　또한, 본 발명은 난연성 또는 불연성을 갖는 전자파 흡수체를 제공한다.

　또한, 본 발명은 전술한 전자파 흡수체를 이용하는 것에 의한 전자파 흡수 방법을 제공한다.

　본 발명과 이러한 목적과 그 밖의 목적 및 특색과 이점은 아래와 같은 상세한 설명 및 도면으로부터 한층 명확하게 될 것이다.

도１은 방형 패턴의 각도에 따라 전자파를 조사할 경우의 전계가 발생한 방향을 설명하기 위해 패턴Ｐ를 가리키는 정면도이다.

　도２는 본 발명의 실시의 한 형태의 전자파 흡수체(１)의 단면도이다.

　도３은 도２에 나타나는 본 발명의 실시의 한 형태의 전자파 흡수체(１)을 구성한 패턴층(５)를 가리키는 정면도이다.

　도４는 도２ 및 도３에 나타나는 실시의 형태에 있어서 패턴층(５)의 일부가 확대한 정면도이다.

　도５는 본 발명의 실시에 따른 다른 형태로 전자파 흡수체(１)의 단면도이다.

　도６은 본 발명의 실시에 따른 또 다른 형태의 전자파 흡수체(１)의 단면도이다.

　도７은 본 발명의 실시에 따른 또 다른 형태의 전자파 흡수체(１)를 구성한 패턴층(５)을 가리키는 정면도이다.

　도８은 본 발명의 실시에 따른 또 다른 형태의 전자파 흡수체(１)를 구성한 패턴층(5)을 가리키는 정면도이다.

　도９는 본 발명의 실시에 따른 또 다른 형태의 대략 방형 패턴(４１)을 가리키는 정면도이다.

　도 １０은 본 발명의 실시에 따른 또 다른 형태의 방사형 패턴(４０)을 가리키는 정면도이다.

　도 １１은 전자파의 흡수 특성의 시뮬레이션 결과를 가리키는 그래프이다.

　도 １２는 Ｒ 부여에 의하여 흡수 특성이 개선한 결과와, 흡수 주파수가 고주파에 시프트한 것을 가리키는 그래프（시뮬레이션 결과）이다.

　도 １３은 2.45ＧＨz　대의 흡수 특성 시뮬레이션 결과와 실제 관측치를 비교한 그래프이다.

도 １４는 흡수 주파수가 ２개인 시뮬레이션 결과를 가리키는 그래프이다.

　도 １５는 도 １４의 전자파 흡수 특성을 가리키는 도전성 패턴, 구체적으로는 대략 방형 패턴 (３１)의 배열의 일부를 가리키는 정면도이다.

　도 １６은 곡률 반경Ｒ이 다른 간략 방형 패턴(31)의 조합에 의하여 전자파 흡수 특성이 변화한 시뮬레이션 결과를 가리키는 그래프이다.

　도 １７은 흡수 주파수가 ３개인 시뮬레이션 결과를 가리키는 그래프이다.

　도 １８은 도 １７의 전자파 흡수 특성을 가리키는 도전성 패턴, 구체적으로는 간략 방형 패턴 (３１)의 배열의 일부를 가리키는 정면도이다.

　도 １９는 본 발명의 실시예로서 ９００ＭＨz　대에서 흡수 피크를 갖는 전자파 흡수체의 ＴＥ 파의 전자파 흡수 특성의 그래프이다.

　도 ２０은 본 발명의 실시예로서 ９００ＭＨz　대에서 흡수 피크를 갖는 전자파 흡수체의 ＴＭ 파의 전자파 흡수 특성의 그래프이다.

　도 ２１은 본 발명의 실시에 따른 또 다른 형태의 전자파 흡수체(１)을 구성한 패턴층(５)를 가리키는 정면도이다.

　도 ２２는 본 발명의 실시예로서 ９００ＭＨz　대에서 흡수 피크를 갖는 전자파 흡수체의 시뮬레이션 결과를 가리키는 그래프이다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 전자파 흡수체의 바람직한 실시 형태에 관하여 설명한다.

도１은 패턴Ｐ에 있어서, ＴＥ파인 전자파를 받은 경우의 패턴Ｐ의 방향이 패턴Ｐ 안에 생기는 전계에 주는 영향을 가리키는 패턴Ｐ의 정면도이다. 도１ (１）은 전자파에 대한 전계의 방향（이하「편파방향」이라고 한 경우가 있다）에 방형의 패턴Ｐ를 정면으로 마주보는 위치관계에 둔 경우에 전계가 생기는 것을 나타내고, 도１（２）는 도１의 위치로부터 패턴Ｐ를 ４５도（°）각 변위시킨 경우에 전계가 생기고 것을 나타내고, 도１（３）는 원형의 패턴Ｐ의 경우의 전계가 생기고 것을 나타내고 있다. 도１（１）의 위치 관계는 전자파에 대한 전계의 방향에 대해서, 평행 또는 수직하는 변이 존재하는 방형의 패턴Ｐ의 위치관계이다. 도１（２）에 있어서 위치 관계는 도１（１）의 위치에서 방형의 도전성 패턴Ｐ를 ４５도（°）각 변위시킨 위치 관계이다. 방형이란 ４개의 내각이 직각인　사각형이다. 도１에 있어서 각 패턴Ｐ는 도전성 패턴이다.

　도１에 나타나듯이, 패턴Ｐ에 의하여 전자파를 수신할 때에 패턴Ｐ에 생기는 전계의 방향Ｅ는 패턴Ｐ의 형상에 따라 다르고 동시에, 방형의 패턴Ｐ의 경우는 전자파의 편파방향으로 대한 패턴Ｐ의 위치 관계에 따라 다르다. 도１（１）의 경우 패턴Ｐ 안에 생기는 전계의 방향Ｅ는 한 쪽 방향으로 평행한 직선 방향이다. 도１（２） 및 도１（３）의 경우, 패턴Ｐ 안에 생기는 전계의 방향Ｅ는 대체적으로 쌍곡선 형상이 된다.

　이와 같이 생기는 전계의 방향Ｅ가 변하면 전자파에 대한 공진주파수가 변하게 된다. 방형의 패턴Ｐ에 있어 전자파, 특히 ＴＥ 파 및 ＴＭ 파를 받는 경우, 도１（１）의 배치로 하면, 측면 부근의 변을 따라 공진 전류가 흐르기 쉽다.

방형의 패턴Ｐ를 도１（１）로부터 ４５도（°）각 변위시킨 도１（２）의 경우 및 원형의 패턴Ｐ를 이용한 도１（３）의 경우는 방형의 패턴Ｐ를 도１（１）과 같이 변 부근에 공진 전류가 집중할 수 없는 것을 나타내고 있다. 따라서 전자파를 수신하기 위해 이용한 패턴에는 전자파의 편파방향으로 관계없이 수신 상태가 일정한 원형의 패턴과 같은 패턴과 전자파의 편파방향에 따라 수신 상태가 변화해 버리는 방형의 패턴과 같은 도전성 패턴이 존재한다. 실제의 전자파 흡수체의 사용 환경에서는 ＴＥ파 및 ＴＭ파와 같은 직선 편파의 전자파뿐만 아니라, 원형파의 전자파가 존재함과 동시에 직선 편파의 전자파라도 편파방향이 반드시 동일한 방향이라고는 할 수 없고, 편파 방향이 다른 전자파가 뒤섞여 혼란한 전자파를 흡수하지 않기 때문에, 이와 같은 편파방향에 의해 수신 상태가 다른 편파 의존성을 억제한 것, 즉 편파 특성을 좋게 하는 것은 중요한 과제가 된다. 본 발명으로는 이 과제를 해결할 수 있다.

또한 도전성 패턴에 의하여 전자파를 수신하고, 손실층으로 에너지를 손실시키는 전자파 흡수체에 있어서, 도전성 패턴의 형상에 기인한 전자파 흡수 특성의 경향을 분석하면, 전자파 흡수량의 향상과, 편파 의존성을 적게 하는 편파 특성의 향상은 양립한 것이 아니라 오히려 상반되는 것이다. 도전성 패턴의 형상이 다각형인 경우, 선의 형상인지 면의 형상인지 여부를 묻지 않고, 도전성 패턴의 외곽 형상에 에지라고도 불리는 예각인 모서리부를 갖는 경우, 전자파 흡수량의 피크 값은 높아지지만 전자파 전계의 방향에 의해 흡수량이 피크 값이 되는 주파수의 어긋남은 커져 버린다. 또 도전성 패턴의 형상이 원형인　경우, 선의 형상인지 면의 형상인지 를 불문하고 전자파의 편파 방향에 의한 흡수량이 피크가 되는 주파수는 어긋나지 않지만, 전자파 흡수량의 피크 값이 낮아져 버린다.

　다각형 등의 예각인 모서리부를 갖는 도전성 패턴은 원형의 도전성 패턴보다도 Ｑ 값이 높아진다. Ｑ 값은 공진주파수와 대역폭으로 나타낼 수 있고, Ｑ＝공진주파수／대역폭이 된다. 대역폭은 미리 정한 수신 강도, 예를 들면 공진주파수 ω０에서 수신 강도의 ２분의 １ 이상의 수신 강도를 갖는 대역폭이다. 따라서 공진주파수를 ω０으로 하여, 수신 강도가 공진주파수 ω０에서 수신 강도의 ２분의 １이 되는 공진주파수를 사이에 두는 양측의 주파수를 각각 ω１, ω２（＞ω２）라고 하면, Ｑ＝ω０／（ω２－ω１）로 나타낼 수 있다.

　이 Ｑ 값은 패턴 전자파 흡수체의 전자파 흡수 특성을 나타내기 때문에, 전자파 흡수량의 피크 값에 적용시키고 표현된다. Ｑ 값이 높다고 하는 것은 흡수한 전자파의 주파수대역（이하「흡수대역」이라고 한 경우가 있다）의 폭은 작지만, 높은 전자파 흡수량（이하 단지「흡수량」이라고 한 경우가 있다）의 피크 값을 갖는 것을 나타낸다. 또 Ｑ 값이 낮다는 것은 흡수량의 피크 값은 작지만 큰 흡수 대역의 폭을 갖는 것을 나타낸다. 흡수 대역은 미리 정한 흡수량 이상의 흡수량으로 흡수된 전자파의 주파수이다.

예각인 모서리부를 갖는 도전성 패턴은 Ｑ 값이 크기 때문에 흡수량의 피크 값은 높아지지만 , 흡수 대역의 폭이 좁아지고, 편파 방향이 다른 것에 의하여 공진주파수를 벗어나는 현상이 발생한다. 이것은 도１（１）의 경우, 그 패턴Ｐ의 변을 따라 강한 전류가 생기고, 그 부분에서 공진이 일어나는 것에 비해, 도１（２） 및 도１（３）의 경우는 강한 전류가 흐르는 경로가 도１（１）의 경우와 같은 정도로 변을 따라 집중하지 않게 되는 현상이 일어나는 것이 분명하다. 바꾸어 말하면, 전류의 경로가 넓어질 때, 공진에 관계된 반파장파의 분포한 영역이 넓어지고 공진하는 조건이 많아진다고 할 수 있다. 이 결과로서 흡수 대역의 폭이 커진다. 방형의 도전성 패턴의 경우, 도１（１）과 같이 배치하면, 변에 평행하게 곧은 방향의 전계가 되지만, 도１（２）과 같이 ４５도（°）각 변위시키면 원호를 그리는 것 같은 방향의 전계가 생기기 때문에 , 분명히 분포가 다르다. 즉 방형의 도전성 패턴을 이용한 구성은 공진이 집중해 일어나는 결과, 전자파 흡수 특성이 높아지지만 편파 의존성을 가지고 있다. 이와 같은 특성은 방형에 한하지 않고, 다각형의 도전성 패턴을 이용한 구성도 마찬가지로 갖고 있다.

　본 실시 형태는 도전성 패턴 형상의 최적화를 도모하고 편파 의존성이 작고 또한 전자파 흡수량을 높게 할 수 있는 우수한 패턴 전자파 흡수체를 공급하는 것에 있다. 패턴 전파 흡수체란 도전성 패턴을 갖는 패턴층을 구비한 전자파 흡수체이다. 다각형의 도전성 패턴을 이용한 경우의 상기 결점을 개선하기 위해, 도전성 패턴의 형상은 기본적으로는 다각형이지만 적어도１개의 모서리부가 곡선 모양으로 형성된 형상으로 한다. 모서리부에 Ｒ을 부여한다. 즉, 곡면 형상이라고 하는 효과는 공진 전류가 모서리부에 머무르지 않아 흐르기 쉬워지고 공진하는 영역이 폭넓게 되는 된다. 그 결과 Ｑ 값은 약간 떨어지지만 광대역 성능을 나타내기 때문에 편파 특성이 개선된다.

　이와 같이, 전자파의 편파 방향에 따라 흡수량이 피크 값이 되는 주파수의 어긋 남을 작게 억제할 수 있다. 따라서 전자파의 흡수량의 피크 값이 크고, 또한 전자파의 편파 방향에 의한 흡수량이 피크 값이 된 주파수의 어긋남이 작은 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다.

도２는 본 발명에 따른 실시의 한 형태로서, 전자파 흡수체(1)의 단면도이다. 예를 들면 사무실 등의 공간의 전자파 환경을 개선한 상기 전자파 흡수체(1)는 도２의 상부에 있는 전자파 입사측에서부터, 패턴층(5)과, 전자파 흡수층(4)과, 유전체 층(3)과, 도전성 반사 층(2)이 전자파 입사측으로부터 이 순서로 적층된 구성이다. 패턴층(5)은 복수의 도전성 패턴(12)을 갖는다. 도전성 패턴(12)은 이 도전성 패턴(12)에 포함된 각 패턴(30, 31) 형상에 의존하고, 정합 주파수를 조정할 수 있다. 전자파 흡수체(1)는, 예를 들면 2.4ＧＨz　또는 5.2ＧＨz의 전자파를 흡수하기 위해 사용된다.

　도３은 도２에 나타나는 본 발명에 따른 실시의 한 형태로서, 전자파 흡수체(1)를 구성하는 패턴층(5)을 나타내는 정면도이다. 도４는 도２ 및 도３에 나타나는 실시의 형태의 패턴층(５)의 일부를 확대한 정면도이다.

　상기 패턴층(5)은 판 형상의 기판(11)의 전자파 입사측의 표면상에 도전성 패턴(12)이 형성된다. 판 형상의 기판(11)은 예를 들면 합성 수지인　유전체로 이루어져 있고, 이 판 형상의 기판(11)도 또한 유전성의 손실재(損失材)이다. 도전성 패턴(12)은 방사형 패턴(30)과 대략 방형 패턴(31)을 갖는다.

　방사형 패턴(30)은 방사 형상으로 형성되어 다수의 방사형 패턴(30)이 서로 간격（이하「방사형 패턴 간격」이라고 하다）ｃ２ｘ, ｃ２ｙ 간격을 두고 설치된다. 또한 구체적으로 말하면, 예를 들면 이 실시의 형태로는 방사형 패턴(30)은 서로 수직인 x 방향 및 ｙ 방향을 따라 방사 형태의 열십자상으로 형성되어, ｘ 방향으로 방사형 패턴 간격 ｃ２ｘ를 사이에 두고, ｙ 방향으로 방사형 패턴 간격 ｃ２ｙ를 사이에 두어 행렬 형태로 규칙적으로 배치되어도 좋다.

　방사형 패턴(30)은 도４에 가상선으로 표시되는 열십자(20)를 기초로 해서, 교차부분(16)에 4개의 모서리부(21)를 곡선상, 구체적으로는 원호상을 한 형상이다. 기초가 되는 열십자 (20)는 ｘ 방향으로 가늘고 길게 늘어나는 장(長)방형의 형상부분(14)과 y 방향으로 가늘고 길게 늘어나는 장(長)방형의 형상부분(15)이 그러한 각각의 형상부분(14, 15)의 중심을 겹치고, 교차부분(16)에서 직각으로 교차한 형상이다. 각 형상부분(14, 15)은 교차부분(16)에서 수직인 축선 중심으로 ９０도 어긋나 있고, 동일 형상을 갖는다. 이러한 열십자(20)에 직각 이등변 삼각형이고, 직각의 모서리부에 대향하는 사변이 직각의 모서리부로 향하여 오목한 원호 형상으로 된 ４개의 대략적 삼각형 형상(22)을 직각의 모서리부가 열십자(20)의 각 교차부분(16)의 모서리부(21)에 자리 잡도록 설치한 형상이다. 본 발명에서 대략적 삼각형 등 대략적 다각형이란 말은 모서리가 곡선 형상으로 형성되어 완전한 다각형은 아니지만 다각형 모양을 한 것을 나타낸다.

　흡수해야 할 전자파의 주파수가 2.4ＧＨz 인 경우, 방사형 패턴(30)의 치수의 일례를 들면, 각 형상부분(14, 15) 폭 ａ１ｘ, ａ１ｙ는 같다. 예를 들면 １. ０ｍｍ이고 각 형상부 분(14, 15) 길이 ａ２ｘ, ａ２ｙ는 같다. 예를 들면 ２５. ０ｍｍ이다. 원호 형상으로 형성된 모서리부의 원호 형상이 되는 치수, 따라서 대략적 삼 각형(22)의 빗변을 제외한 변의 길이, 구체적으로는 ｘ 방향의 변의 길이 ａ３ｘ 및 ｙ 방향의 변의 길이 ａ３ｙ는 같고, 예를 들면 １１. ５ｍｍ이고, 빗변의 곡률 반경 Ｒ１은 １１. ５ｍｍ이다. 방사형 패턴 간격은 ｘ 방향의 간격 ｃ２ｘ와 ｙ 방향의 간격 ｃ２ｙ가 같고, 예를 들면 ４. ０ｍｍ이다.

　대략적 방형 패턴(31)은 방사형 패턴(30)에 둘러싸인 영역에 방사형 패턴 ３０으로부터 간격（이하「방사－방형 간격」이라고 하다）ｃ１을 사이에 두고 배치되어, 방사형 패턴(30)에 둘러싸인 영역을 채우도록 설치된다. 또한 상세하게는 방사형 패턴부에 둘러싸인 영역에 대응한 형상으로 형성된다. 또한 구체적으로 말하면, 예를 들면 이 실시의 형태로는 방사형 패턴부(30)가 앞서 진술한 것과 같은 십자상이고, 방사형 패턴(30)에 둘러싸인 영역은 장방형을 기초로 하고 있는 대략적인 장방형이고, 이것에 대응한 형상, 즉 방사－방형 간격 ｃ１이 전 둘레에 걸쳐 동일한 형상으로 형성된다. 각 형상부분(14, 15)이 앞서 진술한 것과 같이 동일한 형상인 경우, 방사형 패턴(30)에 둘러싸인 영역은 정방형을 기초로 하는 대략적 정방형이 되고, 대략적 방형 패턴(31)은 정방형 (25)을 기초로 하는 대략적인 정방형이 된다. 대략적인 방형 패턴(31)은 기초를 이루는 정방형 (25)의 가장자리부가 ｘ 방향 및 ｙ 방향의 어느 한쪽에서 연장되어 연결되도록 배치되고 있다.

대략적 방형 패턴(31)은 정방형(25)을 기초로 하여 ４개의 모서리부(26)를 곡선 형상, 구체적으로는 원호 형상을 한 형상이다. 구체적으로는 정방형(25)부터 직각 이등변 삼각형인 직각의 모서리부에 대향하는 빗변이 직각의 모서리부를 향하여 오목하게 되는 원호 형상인　４개의 대략적 삼각형(27)을 직각의 모서리부가 정방형의 각 모서리부(26)에 위치되도록 위치관계에서 제거한 형상이다.

　흡수해야 할 전자파의 주파수가 2.4ＧＨz　인 경우, 대략적 방형 패턴(31)의 치수의 일례를 들면, 정방형(25)의 ｘ 방향 치수(b1ｘ)와 ｙ 방향의 치수 b1y가 같다. 예를 들면 ２５. ０ｍｍ이다. 반달 모양으로 형성된 모서리부의 원호 형상이 된 치수, 대략적 삼각형 (27)의 빗변을 제외한 변의 길이, 구체적으로는ｘ 방향의 변의 길이 b2x 및 ｙ 방향의 변의 길이 b2y는 같다. 예를 들면 １０. ０ｍｍ이고, 빗변의 곡률 반경 Ｒ２는 １０. ０ｍｍ이다. 방사－방형 간격은 ｘ 방향의 간격 ｃ１ｘ 와 ｙ 방향의 간격 ｃ１ｙ가 같고, 예를 들면 ４. ０ｍｍ이다.

　이와 같이 방사형 패턴(30) 및 대략적 방형 패턴(31)은 대략적 다각형을 기초로 하여 적어도１개의 모서리부가 곡선 형상인　대략적 다각형의 외곽 형상을 갖는 도전성 패턴이다. 이와 같은 패턴으로는 전자파를 수신할 때의 공진 전류가 곡선 형상으로 형성된 모서리부로 순조롭게 흐르게 된다.

　또한 방사형 패턴(30) 및 대략적 방형 패턴(31)은 앞서 기술한 형상의 바깥 둘레(외주)를 따라 연장된 폐루프(loop)의 선상(띠모양)이 아니라, 내주부도 채워지는 면상의 패턴이다. 따라서 도전성 반사 층(2)과의 사이에 콘덴서를 형성할 수 있다.

　이와 같은 전자파 흡수체(1)에서는 패턴층(5)에 의해 각 도전성 패턴(12)의 공진주파수의 전자파를 효율적으로 수신할 수 있다. 다만, 최종적인 공진주파수는 패턴 치수뿐만 아니라, 도전성 패턴(12) 끼리의 결합 특성, 전자파 흡수층(4), 유전체 층(3)으로부터 결정되어지는 임피던스의 영향을 받아 정해진다. 이 패턴층(5)에 근접하고, 전자파 흡수층(4), 유전체층(3)이 설치되어 있고, 패턴층(5)에 의해 수신된 전자파의 에너지가 손실된다. 바꾸어 말한다면, 전자파의 에너지를 열 에너지로 변환해 흡수할 수 있다. 이와 같이 패턴층(5)을 이용하는 것에 의해 전자파를 효율적으로 수신하고 흡수 할 수 있다.

전자파 흡수층(4)은 복소비 투자율（μ’, μ”）을 갖는 자성 손실재 및 복소비 유전율（ε’, ε”）을 갖는 유전 손실재 중 적어도 어느 하편의 재료로 이루어진다. 유전체층(3)은 복소 비 유전율（ε’, ε”）을 갖는 유전 손실재로 이루어진다. 도전성 반사 층(2)은 판 형상 기판의 전자파 입사측의 표면상에, 전체 면에 걸쳐 도전성막이 형성되고 구성된다. 전자파 흡수체(1)는 패턴층(5)의 각 도전성 패턴(12)에 의해, 그 형상 및 치수에 따라 결정되어지는 공진주파수의 전자파를 수신하고, 그 전자파 에너지를 전자파 흡수층(4) 및 유전체층(3)을 포함한 손실층으로 손실시킨다. 구체적으로는 열 에너지로 변화시키고 흡수할 수 있다. 유전체층(3)을 포함하지 않는 구성도 가능하다.

　전자파 흡수체(1)는 전술한 것과 같은 적층 구성으로 함으로써, 전자파의 흡수 효율을 높게 할 수 있기 때문에, 전자파 흡수량이 큰 전자파 흡수 특성을 얻을 수 있고, 박형화 및 경량화를 도모할 수 있다. 예를 들면 2.45ＧＨz의 전자파를 흡수하기 위한 구성과 비교하면, 전자파 흡수체(1)는 λ／４ 형의 전자파 흡수체에 비해 약 １／３∼약 １／４ 정도의 두께로 억제된 박형화, 고무 페라이트 등을 이용하는 단층형 전자파 흡수체에 비해 약 １／２ 정도의 두께로 억제된 박형화 및 약 １／４ 정도의 중량으로 억제된 경량화를 실현할 수 있다. 또 도전성 패턴(12)을 면상의 패턴으로서, 도전성 반사 층(2)과의 사이에 콘덴서를 형성하고, 그 용량을 크게 하여 수신 효율을 높이고, 전자파 흡수 효율을 높게 할 수 있다.

　또 전자파 흡수체(1)는 전자파 차폐판(遮蔽板)으로서의 도전성 반사판(2)을 설치한 구성으로 한다. 이 도전성 반사판(2)을 설치하지 않는 경우에는 전자파 차폐 성능을 갖는 물체의 면 위에 설치하도록 하는 구성으로 한다. 이러한 방법으로, 패턴층(5)의 형상 및 치수 등의 결정, 즉 설계가 용이해진다. 이 경우 도전성 반사판(2)을 이용한 구성에서는 전자파 흡수체(1)의 설치 장소에 영향을 받아 도전성 패턴(12, 30, 31)의 공진주파수가 변화하는 것이 방지된다. 예를 들면 전자파 흡수체(1)（도전성 반사판２를 적층하지 않는 구성）를 도전성을 갖지 않는 건물 내장재 위에 설치해도, 그 중 내장재 고유의 복소비 유전율 등의 영향을 받아 패턴（수신 안테나）의 공진주파수가 변화해 버리는 일이 있지만, 그것을 막을 수 있다. 또한, 도전성 패턴(12)에 있어서, 방사형 패턴(30)은 전술한 것과 같이 방사상으로 연장되는 부분을 서로 맞대도록 배치하여, 대략적 방형 패턴 (31)은 방사형 패턴 (30)에 둘러싸인 영역에 대응한 형상으로 형성된다. 이와 같은 배치는 수신 원리가 다른（방사형 패턴은 다이 폴 안테나, 방형 패턴은 패치 안테나가 된다. ）방사형 패턴(30)과 방형 패턴(31)을 조합시키는 것으로, 수신 효율이 최적(높아진다)이 되는 조합이다. 따라서 흡수 효율이 높은 전자파 흡수체를 실현할 수 있다. 또 방사형 패턴(30)이 ｘ 방향 및 ｙ 방향을 따라 방사되어 있는 배치와 동시에 대략적 방형 패턴(31)의 기초가 되는 정방형의 변 부분이 ｘ 방향 및ｙ 방향으로 연장되도록 배치되어 있고, ｘ 방향 및 ｙ 방향으로 전계의 방향이 존재하도록 편파하는 전자 파의 수신 효율이 높게 할 수 있다.

　전자파 흡수체(1)로는, 전자파를 수신하는 도전성 패턴(12)이 기본적으로 다각형인　대략적 다각형의 외곽 형상을 갖고 있고, 전자파 흡수량의 피크 값을 도전성 패턴의 외곽 형상이 원형인 경우와 비교하여, 전자파 흡수량의 피크 값을 높게 할 수 있다. 이와 같이 기본적으로는 다각형이고, 적어도１개의 모서리부가 곡선 형상으로 형성된다. 이러한 방법에 의해, 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남을 작게 억제할 수 있다. 따라서 전자파 흡수량의 피크 값이 크고, 또한 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크 값이 되는 주파수의 어긋남이 작은 우수한 전자파 흡수 특성을 얻을 수 있다.

　이와 같이 본 실시에 따른 전자파 흡수체(1)는 패턴층(5)의 도전성 패턴(12)에 의하여, 안테나의 공진 원리에 따라 특정 주파수의 전자파를 수신한다. 바꾸어 말하면, 본 발명의 전자파 흡수체는 전자파를 흡수하는 이외에 근처에 금속（도전성 반사 층(2)）이 존재하는 상태에서 도체 패턴(12)가 수신 안테나로서도 유효하게 동작하도록 하는 기능을 갖고 있다. 여기에서 특정 주파수는 도전성 패턴(12) 형상 및 치수 등의 제원에 의하여 결정되어지는 주파수이고, 전자파 흡수체(1)에 의하여 흡수해야 할 주파수이다. 전자파를 도전성 패턴 (12)으로 수신하면, 도전성 패턴(12) 끝 부분에 공진 전류가 흐르게 된다. 이 전류가 흐름으로써, 전류의 주변에 자장이 발생한다. 자속밀도는 전류에 가까울수록 큰 상태로 분포한다. 이 패턴층(5)의 근처에 자성 손실재를 갖는 손실층을 설치하면, 자계를 에너지적으로 손실시킬 수 있다. 이와 같이 전자파의 에너지를 열에너지로 변환시키고 흡수할 수 있 다. 본 실시 형태에서는 손실층은 전자파 흡수층(4) 및 유전체(3)를 포함한다.

　 또한 전자파 흡수체(1)를 표면부가 도전성 재료로 이루어지는 물체에 장착시켜 이용하거나, 또는 손실층에 대하여 패턴층(5)과 반대측에 도전성 반사층을 더 설치하는 등, 패턴층과 도전성의 층의 사이에 손실층을 이용한 적층 상태로 이용함으로써, 패턴층(5)의 도전성 패턴(12)과 도전성의 층（도전성 재료로 이루어지는 물체의 표면층 또는 도전성 반사층）의 사이에 콘덴서를 구성할 수 있다. 이 도전성 패턴(12)과 도전성 층과의 거리를 단축하면 콘덴서의 용량을 크게 할 수 있다. 또 패턴 서로 간에도 콘덴서를 형성할 수 있다. 이와 같이 패턴 전자파 흡수체로는 콘덴서를 이용함으로써, 유도 저항 조정 기능이 부여되므로 박형화를 달성할 수 있다.

　도５는 본 발명에 따른 실시의 다른 형태로서 전자파 흡수체(1)의 단면도이다. 이 실시의 형태는 앞서 진술한 도 ２∼도４의 각 실시 형태와 유사하고, 대응하는 부분에는 동일한 참조부를 붙인다. 특히 이 실시의 형태에서는 전자파 입사측에서 전자파 흡수층(4), 패턴층 (5), 유전체층(3)과 도전성 반사 층(2)이 순서에 따라 적층 구성된다. 그 밖의 구성은 앞서 기술한 실시의 형태와 마찬가지이다.

본 발명의 전자파 흡수량（반사 손실량의 계산은 컴퓨터 시뮬레이션으로 행하고 있다. 시뮬레이션은 ＴＬＭ 법을 이용하여, ＫＣＣ사에서 제조한 「Micro－Stripes」를 사용하고 있다. 상기 계산에 있어, 일 실시예로서, 전자파 흡수층(4)의 ２. ４ＧＨz　의 물질 상수는 복소비 유전율의 실부 ε’＝１２. ２이고, 복소비 유전율의 허부 ε”＝１. １３이고, 복소비 투자율의 실부μ’＝１. ０２이고, 복소비 투 자율의 허부 μ”＝０. ４８이고, 두께는 ０. ５ｍｍ로 하였다. 유전체층(3)은, 예를 들면 ２. ４ＧＨ　의 물질 상수는 ε’＝３. ７９, ε”＝０. ０３이고, 두께는 ２. ０ｍｍ로 하였다. 즉, ２. ４ＧＨz　대의 전자파 흡수체로서 두께 ２. ５ｍｍ (투자율을 갖는 층으로서는 ０. ５ｍｍ）의 박형을 실현하고 있다. 그러나 물질 상수 및 두께는 , 이러한 수치로 한정되는 것은 아니고, 임의의 조합을 선택할 수 있다. 예를 들면, 새로운 박형화를 위해서는 ε’나 μ’를 향상시키는 것에 의한 파장 단축 효과에 따라, 총 두께를 ０. ５ｍｍ나 １. ０ｍｍ로 제조하는 것이 가능하다.

　도６은 , 본 발명에 따른 또 다른 형태에 따른 전자파 흡수체(1)의 단면도이다. 이 실시의 형태는 전술의 도 ２∼도４의 실시의 형태와 유사하고, 대응하는 부분에는 동일한 참조부를 붙인다. 특히 이 실시의 형태로는 패턴층(5)의 전자파 입사측（도６의 상방）에는 전술한 것과 같이 다시 표면층(6)이 형성되어도 좋다. 구성은 도５ 및 도６에 가리키는 구성으로 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 전자파 입사측에서 전자파 흡수층(4), 패턴층(5), 전자파 흡수층(4), 유전체층(3), 도전성 반사 층(2)의 순서로 구성하는 것 등도 가능하다.

　본 발명의 실시 형태로서는 전파가 입사하는 방향으로부터 패턴층(5), 전자파 흡수층(4), 유전체층(3), 도전성 반사 층(2) 순서인　적층체와, 전자파 흡수층(4), 패턴층(5), 유전체층 (３), 도전성 반사 층(2) 순서의 적층체와, 전자파 흡수층(4), 패턴층(5), 전자파 흡수층(4), 유전체층(3), 도전성 반사 층(2) 순서인　적층체가 있다. 이들로 한정되는 것이 아니라, 다양한 상태의 적층체가 포함된다. 또 이들 적층체는 주요한 층을 추출한 것이고, 반드시 이와 같은 방식으로 나란히 할 필요도 없고, 예를 들어 각 층의 사이에 접착층이나 지지체 또는 보호층 등이 들어가도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또 접착제에 배합하는 것으로, 접착층과 유전체층(3)이나 전자파 흡수층(4)을 겸할 수 있다.

본 발명의 실시의 또 다른 형태로는, 전자파 흡수체는 도 ２∼도６의 실시의 각 형태에 있어서 도전성 반사 층(2)을 포함하지 않고, 이와 같은 도전성 반사 층(2)을 포함하지 않는 전자파 흡수체가 유전체층(3)의 전자파 입사측（도５ 및 도６의 상방）과는 반대측（도５ 및 도６의 아래쪽）으로 전자파 차폐 성능을 갖는 면상(面上)에 설치되도록 구성되어도 좋다. 전자파 차폐 성능을 갖는 면은, 예를 들면 도전성 반사 층(2)과 동일한 구성을 가져도 괜찮고, 예를 들면 금속판 등에 의하여 실현되어도 좋다. 이와 같은 구성은 도전성 반사층(2)를 갖는 전자파 흡수체와 동일한 전자파 흡수 특성을 달성할 수 있다.

　도７은 본 발명에 따른 또 다른 형태로, 전자파 흡수체(1)를 구성한 패턴층(5)을 가리키는 정면도이다. 본 실시의 형태로는 도３ 및 도４에 나타내는 패턴층(5)에 대신하여 도７에 나타내는 패턴층(5)을 이용한다. 그 밖의 구성은 도 ２∼도６의 구성과 마찬가지이다. 도３ 및 도４에 나타내는 패턴층(5)의 도전성 패턴(12)은 방사형 패턴(30)과, 대략적 방형 패턴(31)을 갖고 있지만 도７의 패턴층(5)의 도전성 패턴(12)은 대략적 방형 패턴 (31)만을 갖는다. 이와 같은 구성이라도 동일한 효과를 달성한 수 있다.

　도８은 본 발명에 따른 또 다른 실시 형태로써, 전자파 흡수체(1)를 구성한 패턴 층(5)을 나타내는 정면도이다. 본 실시의 형태에서는 도３ 및 도４에 나타내는 패턴층(5)을 대신하여 도８에 나타내는 패턴층(5)을 이용한다. 그 밖의 구성은 도 ２∼도６의 구성과 마찬가지이다. 도３ 및 도４에 나타내는 패턴층(5)의 도전성 패턴(12)은 방사형 패턴(30)과 대략적 방형 패턴(31)을 갖고 있지만 도８의 패턴층(5)의 도전성 패턴(12)은 방사형 패턴(30)만을 갖는다. 이와 같은 구성이라도 동일한 효과를 달성할 수 있다.

　도９는 본 발명에 따른 또 다른 실시 형태로써, 대략적 방형 패턴(41)을 나타내는 정면도이다. 본 실시의 형태로는 도 ３, 도４ 및 도７에 나타내는 대략적 방형 패턴(31)을 대신하여, 도９에 나타내는 대략 방형 패턴(41)을 이용한다. 그 밖의 구성은 도 ２∼도７의 구성과 마찬가지이다. 도 ３, 도４ 및 도７에 나타내는 대략적 방형 패턴(31)은 면상 패턴이었지만 도９의 대략적 방형 패턴(41)은 바깥 둘레를 따라 연장되는 폐루프(loop)의 선상（띠모양）의 패턴이다. 이와 같은 구성이라도, 도전성 반사 층(2)과의 사이에 형성된 콘덴서의 용량은 작아지지만 동일한 효과를 달성할 수 있다.

도 １０은 본 발명의 실시의 또 다른 형태의 방사형 패턴(40)을 나타내는 정면도이다. 본 실시의 형태로는 도 ３, 도４ 및 도８에 나타내는 방사형 패턴 ３０을 대신하여, 도 １０에 나타내는 방사형 패턴(40)을 이용한다. 그 밖의 구성은 도 ２∼도６ 및 도８의 구성과 마찬가지이다. 도 ３, 도４ 및 도８에 나타내는 방사형 패턴(30)은 면상 패턴이었지만 도 １０의 대략적 방사형 패턴(40)은 바깥 둘레를 따라 연장되는 폐루프(loop)의 선상（띠모양）의 패턴이다. 이와 같은 구성이라도, 도전성 반사 층２와의 사이에 형성된 콘덴서의 용량은 작아지지만 동일한 효과를 달성할 수 있다.

　도 １１은 전자파의 흡수 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다. 전자파 흡수체(1)의 구성으로는 도２의 구성을 하고 있다. 도 １１에 있어서. 횡축은 주파수를 가리키고, 종축은 반사 손실을 가리킨다, 반사 손실은 값이 작아질수록 전자파의 흡수량이 큰 것을 가리킨다. 정방형, 모서리부를 원호상으로 한 대략적 정방형, 원형의 패턴을 도７과 같이 나열한 전자파 흡수체에 관하여 반사 특성을 구하였다. 모서리부의 곡률 반경 이외의 조건은 전부 일치하고 있다.

　첨자「ａ」「ｂ」에 관계없이 부호 ５０을 붙인 라인 ５０ａ, ５０ｂ는 정방형 패턴의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 첨자「ａ」「ｂ」에 관계없이, 부호 ５１을 붙인 라인 ５１ａ, ５１ｂ는 원형 패턴의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 첨자「ａ」「ｂ」에 관계없이, 부호 ５２를 붙인 라인 ５２ａ, ５２ｂ는 정방형을 기초로 해서 모서리부를 작은 곡률 반경의 원호상으로 한 패턴의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 첨자「ａ」「ｂ」에 관계없이, 부호 ５３을 붙인 라인 ５３ａ, ５３ｂ는 정방형을 기초로 해서 모서리부를 중간적인 곡률 반경의 원호상으로 한 패턴의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 첨자「ａ」「ｂ」에 관계없이 부호 ５４를 붙인 라인 ５４ａ, ５４ｂ는 정방형을 기초로 해서 모서리부를 작은 곡률 반경의 원호상으로 한 패턴의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 각 패턴에 관하여 편파 방향이 ４５도（°）다른 전자파에 대한 전자파 흡수 특성을 첨자「ａ」, 「ｂ」로 구별하여 나타낸다.

　정방형 패턴（Ｒ이 없음）의 경우에는, Ｑ 값이 높고 전자파 흡수량의 피크 값（피크 흡수량）은 크지만 흡수량이 큰 주파수대역이 작고 이 대역을 목적으로 하는 흡수해야 할 주파수에 맞도록 조정하기 위해 직접 조작을 하여야 한다. 게다가 전자파의 편파 방향에 따라, 전자파의 흡수량이 피크가 되는 주파수（피크 주파수）가 크게 빗나가서, 편파 특성이 나쁘다. 원형의 패턴에서 편파 특성은 지극히 양호하지만 Ｑ 값이 낮고, 피크 흡수량이 작다. 정방형을 기초로 하여 모서리부를 곡선상으로 한 패턴（Ｒ부 정방형）의 경우에는, 피크 흡수량이 큰 동시에 편파 특성이 양호하다.

　도 １１에서 명확한 것처럼, 정방형을 기초로 해서 모서리부를 곡선상으로 한 패턴에 있어, 모서리부에서 곡선상으로 형성한 부분의 치수에는 편파 방향의 차이에 의한 흡수 가능한 주파수의 어긋남을 억제 가능, 즉 원형과 동일한 정도의 편파 특성을 얻을 수 있는 범위가 존재한다. 도 １１의 경우, ３개의 모서리부의 곡률 반경 중 큰 쪽 ２개의 반경의 패턴에서는 양호한 편파 특성을 얻을 수 있다. 피크 흡수량은, 모서리부의 곡률 반경이 작아지면 작아질수록 커지게 되어 있기 때문에 원형과 동일한 정도의 편파 특성을 얻을 수 있는 범위 내에서 가급적으로 작은 치수의 곡률 반경으로 곡선 형상으로 하는 것이 바람직하다. 도 １１의 대략적 방형 패턴(31)이 대응하는 정방형 ２５의 변의 길이는 ８ｍｍ이고, 편파 방향으로 평행한 변을 갖는 배치인 실험예가 ０도（°）위치의 경우（도면에서 실선, 이하「０도（°）편파」라고 하는 경우가 있다）, Ｒ＝２의 경우의 반사 손실이 －１７ｄＢ, Ｒ＝３의 경우의 반사 손실이 －１４ｄＢ이고, 상기０도（°）의 위치에서 자료를 ４５도（°）각 변위시킨 경우（도면에서 파선, 이하「４５도（°）편파」라고 하는 경우가 있다）라도 거의 흡수 주파수의 어긋남은 없고, 편파 특성이 양호한 것을 알 수 있다.

　반사 손실은 전자파 흡수체에 입사한 전자파가 전자파 흡수체로 반사한다고 한 시점에서 보았던 경우의 손실로서 전자파가 전자파 흡수체에 의하여 흡수되는 것에 의한 손실을 나타내고 있고, 전자파 흡수체에 있어서 전자파의 흡수량에 대응하는 값이다. 반사 손실은 부(-)의 값으로 표현되고 있고, 반사 손실의 절대치가 전자파의 흡수량이 된다.

　도 １２는 정방형을 기초로서 모서리부를 곡선상으로 한 도전성 패턴에 있어, 모서리부에 있어서 곡선상으로 형성한 부분의 치수에 의한 전자파 흡수 특성의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 １２는 도전성 패턴의 모서리부에 곡선상의 부분을 형성함으로써, Ｑ 값도 증가하고 반사 손실이 커지게 되어 전자파 흡수 특성이 개선된 예를 가리키고 있다. 도 １２의 예로는 도전성 패턴의 한 변의 길이는 ２０ｍｍ이다.

곡률 반경 Ｒ＝０ｍｍ인　경우, ０도（°）편파의 전자파의 반사 손실은 도면부호 ６０으로 나타나 피크 값이 －２３ｄＢ（２. ６ＧＨz　）이지만 , 곡률 반경 Ｒ＝２ｍｍ의 경우, ０도（°）편파의 전자파의 반사 손실은 도면부호 ６１로 나타나고 피크 값이 －３２ｄＢ（２. ６５ＧＨz　）이 된다. 이와 같이 Ｒ을 부여（곡선부 형성）함으로써, 공진 전류의 흐름도 순조롭게 되고 Ｑ 값이 증가하는 것으로 생각되어진다. 이것은 방형 패턴이 항상 Ｑ 값의 가장 높은 상태에 있는 것이 아닌 것 을 나타내고 있다. 곡률 반경Ｒ을 더욱 크게 하면 이번에는 반사 손실의 값이 작아지고, 고주파수 측에 이동하는 경향도 볼 수 있다. 곡률 반경 Ｒ＝１０ｍｍ의 경우에서는 , ０도（°）편파의 전자파의 반사 손실은 도면부호 ６３으로 나타나고, 피크 값이 곡률 반경 Ｒ＝０ｍｍ의 경우를 밑돌고 있다. 따라서 반사 손실을 개선하기 위해서는 곡률 반경Ｒ의 범위는 １ｍｍ＜Ｒ＜２０ｍｍ가 양호하다고 할 수 있다.

　곡률 반경 Ｒ＝０ｍｍ인　경우의 ４５도（°）편파의 전자파의 반사 손실을 도면번호 ６３으로 나타내고, 곡률 반경 Ｒ＝２ｍｍ인　경우의 ４５도（°）편파의 전자파의 반사 손실을 도면번호 ６４로 나타내고, 곡률 반경 Ｒ＝１０ｍｍ인　경우의 ４５도（°）편파의 전자파의 반사 손실을 도면번호 ６５로 나타낸다. 그리고 곡률 반경 Ｒ＝４ｍｍ인　경우의 ０도（°）편파의 전자파의 반사 손실을 도면번호 ６６으로 나타내고, 곡률 반경 Ｒ＝４ｍｍ인　경우의 ４５도（°）편파의 전자파의 반사 손실을 도면번호 ６７로 나타낸다. 편파 특성도 포함시켰다. 반사 손실 개선 효과는 곡률 반경 Ｒ＝４ｍｍ가 가장 뛰어나다. （반사 손실은 －２９ｄＢ）이러한 결과로부터, 패턴 형상에 Ｒ을 부여하는 것으로 흡수 주파수의 고주파수측에의 시프트(이동) 제어와 나아가서는Ｑ 값의 최적화도 달성할 수 있는 경우가 있다는 것을 나타내고 있어서, 전자파 흡수 특성의 조정 수단으로서 유효한 수단인 것을 알 수 있다. 또한 ４５°기울인 경우（４５°편파）의 흡수 특성의 어긋남을 계산하면 Ｒ 부여의 개선 효과는 확실히 확인된다.

본 실시의 형태에서는 상기 모서리부에 곡선 형상으로 형성하는 부분의 치수는 편 파 방향의 차이에 의한 흡수 가능한 주파수의 어긋남을 억제 가능한 치수의 범위 내에서 작은 치수로 결정된다. 이와 같은 구성에 의하여, 모서리부에 있어서 곡선 형상으로 형성한 부분을 가급적으로 작게 할 수 있다.

도 １１ 및 도 １２로부터 명확한 것처럼, 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남을 억제한 다음 전자파의 흡수량의 피크 값을 가능한 한 높게 할 수 있다. 즉 모서리부의 곡선의 곡률 반경이 커진다면 패턴 형상은 원에 가까워져 최종적으로 원이 된다. 따라서 Ｑ 값은 작아져서 전자파 흡수 특성은 저하되어 가는 경향에 있지만, 편파 특성은 좋아진다. 따라서 상기 모서리부에 곡선 형상으로 형성한 부분의 치수를 편파 방향의 차이에 의한 흡수 가능한 주파수의 어긋남을 억제 가능한 치수의 범위 내에서 작은 치수에 결정되는 것에 의하여 전자파 흡수 특성을 높게, 그러나 편파 특성을 좋게 하도록 곡률 반경Ｒ의 크기를 최적화한 패턴 형상으로 하고 있다. 따라서 지극히 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다.

　도 １３은 Ｒ 부여한 대략적 방형 패턴(31)을 이용한 도７의 패턴 배열에 의한 전자파 흡수체(1)의 전자파 흡수 특성의 계산치와 실제 측정치를 비교하고 나타내는 그래프이다. 도면번호 ７０은 ０도（°）편파의 전자파의 전자파 흡수 특성의 계산치를 가리키고 도면번호 ７１은 ４５도（°）편파의 전자파의 전자파 흡수 특성의 계산치를 가리킨다. 도면번호 ７２는 ０도（°）편파ＴＥ 파의 전자파의 전자파 흡수 특성의 실제 측정치를 가리키고 도면번호 ７３은 ０도（°）편파ＴＭ 파의 전자파의 전자파 흡수 특성의 실제 측정치를 가리킨다. 도면번호 ７４는 ４５도（ °）편파ＴＥ 파의 전자파의 전자파 흡수 특성의 실제 측정치를 가리키고, 도면번호 ７５는 ４５도（°）편파ＴＭ 파의 전자파의 전자파 흡수 특성의 실제 측정치를 가리킨다.

이 대략적 방형 패턴(31)을 이용한 전자파 흡수체(1)은 ２. ４５ＧＨz　에 전자파 흡수 피크를 맞추도록 설계하고 있다. 계산치로는 약－１７ｄＢ의 반사 손실이 보여지고, ４５도（°）기울인 경우의 흡수 특성의 어긋남도 거의 눈에 띄지 않았다. 실제 측정치는 ＴＥ 파 및 ＴＭ 파에 대하여, ０도（°）와 ４５도（°）회전한 상태에서의 자유 공간법에 의한 전자파 흡수 특성이다. 실제 측정치의 반사 손실（전자파 흡수량에 상당히）은 , －１５∼－１９ｄＢ（ＴＥ 파 및 ＴＭ 파, ０° 및 ４５°편파를 포함하고）로 계산치와의 차이는 적게, 대역폭은 실제 측정치 쪽이 약간 커지고 있다. Ｒ 부여 효과에 의하여, 편파 특성에 우수한 흡수 특성이 관찰되었다.

도 １４는 Ｒ 부여한 대략적 방형 패턴(31)의 사이즈가 다른 것을 배열하고, ２개의 주파수의 전자파 흡수를 노린 전자파 흡수체(1)의 전자파 흡수 특성을 가리키는 그래프이다. 도 １５는 도 １４의 전자파 흡수 특성을 가리키는 도전성 패턴, 구체적으로는 대략적 방형 패턴(31) 배열의 일부를 가리키는 정면도이다. 본 발명의 실시의 다른 형태로서 바깥 테두리의 길이가 다른 도전성 패턴이 조합되고 형성된다. 본 실시의 형태로는 대략적 방형 패턴(31)으로서, 대응하는 정방형(25)의 변의 길이가 １０ｍｍ인 제１의 대략적 방형 패턴 (31ａ)과 대응하는 정방형(25)의 변의 길이가 ２４ｍｍ인 제２의 대략적 방형 패턴(31ｂ)을, 도 １５에 나타나는 변의 길 이가 ２７ｍｍ인 정방형 패턴 단위를 ｘ 방향 및ｙ 방향으로 반사면에 대응하도록 반복하여 배치하여 패턴층５를 형성하고 있다. 환언하면, 제１의 대략 방형 패턴(31ｂ)를 체크 무늬 형상으로 배치하고, 제１의 대략적 방형 패턴 (31ｂ) 사이에 제２의 대략적 방형 패턴(31ａ)을 행렬 형태로 하여 ４개씩 배치하고 있다.

　도 １４에 있어서, 실선 ７０은 ０도（°）편파의 전자파 흡수 특성을 가리키고, 점선 ７１은 ４５도（°）편파의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 이 전자파 흡수체１에서 반사 손실（전자파 흡수 특성）은 ２. ４５ＧＨz　와 ５. ２ＧＨz 에 있어서 모두 약－１０ｄＢ의 ２개의 흡수 피크를 가리키고 있다. 또한 ４５도（°）기울인 경우의 흡수 특성의 어긋남을 계산하면 거의 어긋남이 없는 것이 밝혀지고, Ｒ 부여의 개선 효과는 확실히 확인된다.

　표１은 곡률 반경Ｒ의 다른 대략적 방형 패턴(31)을 조합시킨 경우의 전자파 흡수 특성을 비교하여 나타낸다.

도 １６은 곡률 반경 Ｒ이 다른 대략적 방형 패턴(31)을 조합시킨 경우의 전자파 흡수 특성을 비교하여 나타내는 그래프이다. 본 발명의 실시의 다른 형태로서, 모서리부의 곡률 반경이 다른 도전성 패턴으로 조합되어 형성된다. 본 실시의 형태로는 도７에 나타내는 대략적 방형 패턴(31)을 나열하는 구성에 있어서, ｘ 방향 및 ｙ 방향에 인접한 대략적 방형 패턴(31) 사이의 곡률 반경 Ｒ이 다른 구성이고, 각 모서리부의 곡률 반경Ｒ이 제１의 값인　대략적 방형 패턴(31)과 각 모서리부의 곡률 반경Ｒ이 제２의 값인　대략적 방형 패턴(31)이 체크 무늬 형태로 병렬 배치된다. 제１의 값과 제２의 값은 다르다. 곡률 반경Ｒ은 도７의 설명에 이용하고 있는 도３ 및 도４에서 대략적 방형 패턴(31)의 모서리부에 있어서 곡률 반경 Ｒ１에 상당하지만, 편의상「Ｒ」을 이용한다.

　도 １６에는 도７과 같이 대략적 방형 패턴(31)을 나열한 구성에 있어서, ｘ 방향 및 ｙ 방향으로 인접한 대략적 방형 패턴(31)의 곡률 반경 Ｒ의 차이에 의한 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 도 １６에 있어서, 도면번호 １００∼１０３은 한 변의 길이가 ２３ｍｍ인　정방형의 각 모서리부를 곡선상으로 형성한 구성의 전자파 흡수 특성을 나타낸다. 또한 정방형의 간격은 ６ｍｍ이다. 파선 １００은 ｘ 방향 및 ｙ 방향으로 인접한 대략적 방형 패턴(31)의 곡률 반경 Ｒ은 동일한 ７ｍｍ인　경우의 전자파 흡수 특성을 나타낸다. 실선 １０１은 ｘ 방향 및 ｙ 방향으로 인접한 대략 방형 패턴(31) 중 한 편의 대략적 방형 패턴(31)의 각 모서리부의 곡률 반경 Ｒ이 ６ｍｍ이고, 또한 다른 편의 대략 방형 패턴(31)의 각 모서리부의 곡률 반경 Ｒ이 ８ｍｍ인　경우의 전자파 흡수 특성을 나타낸다. 점선 １０２는 ｘ 방향 및 ｙ 방향으로 인접한 대략적 방형 패턴(31) 중 한 편의 대략적 방형 패턴(31)의 각 모서리부의 곡률 반경 Ｒ이 ５ｍｍ이고, 다른 편의 대략적 방형 패턴(31)의 각 모서리부의 곡률 반경 Ｒ이 ９ｍｍ인　경우의 전자파 흡수 특성을 나타낸다. 1점 쇄선 １０３은 ｘ 방향 및 ｙ 방향에 인접한 대략적 방형 패턴(31) 중 한 편의 대략적 방형 패턴(31)의 각 모서리부의 곡률 반경 Ｒ이 ４ｍｍ이고, 또한 다른 편의 대략 방형 패턴(31)의 각 모서리부의 곡률 반경 Ｒ이 １０ｍｍ인　경우의 전자파 흡수 특성을 가리킨다.

　파선 １００은 표１의 「１ 종류」라고 기록한 구성의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 실선 １０１은 표１의 「２ 종류１」이라고 기록한 구성의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 점선 １０２는 표１의 「２ 종류２」라고 기록한 구성의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 1점 쇄선 １０３은 표１의 「２ 종류３」라고 기록한 구성의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 표１에 있어서, 흡수 대역의 넓이는 반사 손실이 －２０ｄＢ, －１５ｄＢ, －１０ｄＢ, －６ｄＢ 이상인　주파수대역의 폭을 가리킨다.

인접하는 대략적 방형 패턴(31)의 모서리부의 곡률 반경 Ｒ을 다르게 할 수 있는 것으로 , 대략적 방형 패턴(31)의 바깥 테두리의 길이가 다르고, 그것에 따라 공진주파수가 다르다. 인접하는 대략적 방형 패턴(31)의 모서리부의 곡률 반경 Ｒ이 동일한 경우와 다른 경우와의 전자파 흡수 특성의 차이는 예를 들어, 곡률 반경 Ｒ을 크게 하면 그 비율에 따라 대략적 방형 패턴(31)의 바깥 테두리의 길이가 짧아지고, ‘공진주파수가 고주파수에 시프트한다’라는 단순한 차이가 아니다. 도 １６으로부터 명확한 것처럼, 인접하는 ２개의 대략적 방형 패턴(31)의 곡률 반경 Ｒ을 합계치가 일정하게 되도록 유지하고 차이를 크게 하면 전자파의 흡수 주파수는 저주파수측에 시프트한다. 흡수 주파수는 흡수량이 피크 값이 되는 주파수이다.

　게다가 인접하는 ２개의 대략적 방형 패턴(31)의 곡률 반경 Ｒ의 차이가 작은 경우 즉, 도 １６에 나타내는 예에서 차이가 ２ｍｍ의 경우는 전자파 흡수량의 피크 값은 인접한２개의 대략적 방형 패턴(31)의 곡률 반경 Ｒ이 동일한 경우의 흡수량의 피크 값을 유지한 채 흡수 대역이 폭넓게 된다. 이 흡수 대역이 폭넓게 되는 현상은 인접한 도전성 패턴의 간격이 비교적으로 가까운 경우에, 바꾸어 말하면 도전성 패턴 사이의 간섭 효과가 생기는 거리에 있는 경우에 생기는 것이 본건 발명자에 의하여 확인되고 있다. 인접한２개의 대략적 방형 패턴(31)의 곡률 반경 Ｒ의 차이를 더욱 크게 하면, 전자파 흡수량의 피크 값은 그다지 저하되지 않고 저주파수에 흡수 주파수가 시프트한다. 도 １６에 나타내는 예로는 특히 곡률 반경의 차이가 ４ｍｍ 이하의 경우는, 전자파 흡수량의 피크 값은 인접하는 ２개의 대략적 방형 패턴(31)의 곡률 반경 Ｒ이 동일한 경우의 흡수량의 피크 값을 유지하고 있다.

　이와 같이 인접하는 ２개의 대략적 방형 패턴(31)의 곡률 반경 Ｒ은 전자파 흡수체의 설계 패러미터로서 유효하게 기여한 것이 분명하다. 나란히 한 도전성 패턴 사이의 간섭 및 영향에 의하여 특이한 현상이 생기고 있다. 모서리부의 곡률 반경 Ｒ의 차이에 기인한 공진주파수가 가까운 다수의 도전성 패턴을 조합시키는 것에 의하여, 흡수 대역 및 흡수 주파수가 변화한다. 인접하는 도전성 패턴의 모서리부의 곡률 반경 Ｒ을 다르게 함으로써, 인접하는 도전성 패턴 끼리 상호 영향을 주고받는 효과에 의하여, 인접하는 도전성 패턴의 모서리부의 곡률 반경Ｒ을 동일하게 하는 경우와 비교하여 흡수량의 피크 값을 유지한 채 흡수 주파수를 변경할 수 있다.

이와 같이 인접하는 도전성 패턴의 모서리부의 곡률 반경Ｒ을 다르게 할 수 있는 구성에 의하면, 모서리부의 곡률 반경이 동일한 도전성 패턴만을 형성한 경우에 비하여, 전자파 흡수량의 피크 값을 저하시키지 않고 흡수 대역을 변경할 수 있다. 예를 들면 인접하는 도전성 패턴의 모서리부의 곡률 반경에 약간의 차이를 줌으로써, 전자파 흡수체의 흡수량의 피크 값을 저하시키지 않고 흡수 대역을 넓힐 수 있고, 또 예를 들면 인접하는 도전성 패턴의 모서리부의 곡률 반경에 조금 큰 차이를 줌으로써, 전자파 흡수체의 흡수량의 피크 값을 저하시키지 않고 흡수한 전자파의 주파수（이하「흡수 주파수」라고 하는 경우가 있다）를 낮게 할 수 있다.

　도 １７은 Ｒ을 부여한 대략 적방형 패턴(31)의 안에 빈 구멍 부분（슬롯 안테나 부）(75)을 형성하고, 그 빈 구멍 부분 (75)의 안에 다시 작은 사이즈의 대략적 방형 패턴(31)을 배치한 패턴층(5)을 갖는 전자파 흡수체(1)의 전자파 흡수 특성을 가리키는 그래프이다. 도 １８은 도 １７의 전자파 흡수 특성을 나타내는 도전성 패턴의 배열의 일부를 가리키는 정면도이다. 상기 예로는 대략적 방형 패턴(31)에 대응하는 정방형(25)의 변의 길이가 ２４ｍｍ이고, 외곽에 대해 ４５도（°）경사진 방향의 대략적 방형（４개의 모서리부가 곡선 형상）의 빈 구멍 부분(75)이 형성된 제１의 대략 방형 패턴(31ｃ)과 , 이 제１의 대략 방형 패턴(31ｃ)과 동일한 방향으로 배치되고 빈 구멍 부분(75)의 내측에 형성된 제２의 대략 방형 패턴 (31ｄ)이 설치된다. 빈 구멍 부분(75)의 변의 길이는１６ｍｍ이고, 제２의 대략 방형 패턴 (31ｄ)는 １０ｍｍ이다.

도 １７에는 도 １８에 나타내는 패턴 단위를 ｘ 방향 및 ｙ 방향으로 반복하고 복수배열시킨 패턴층(5)을 이용한 전자파 흡수체(1)의 반사 손실의 계산 결과를 나타낸다. 도 １７에 있어서, 실선 ８０은 ０도（°）편파의 전자파 흡수 특성을 가리키고, 파선 ８１은 ４５도（°）편파의 전자파 흡수 특성을 가리킨다. 이 경우에, 전자파 흡수체(1)로는 １. ８ＧＨ　z 로－３. ５ｄＢ, ５. ４ＧＨz　에서 －９ｄＢ, ７. ５ｄＢ로 －１８ｄＢ와 각 안테나에 따라 ３개의 대역으로 전자파를 흡수하는 것을 볼 수 있다. ４５°기울인 경우의 흡수 특성의 어긋남을 계산하면 거의 어긋남이 없는 것이 밝혀지고, Ｒ 부여의 개선 효과는 확실히 확인된다.

　도 １７ 및 도 １８에 나타나는 구성에 의하면, 도전성 패턴인　제１의 대략 방형 패턴 (31ｃ)에 빈 구멍 부분(75)이 설치되어, 이 빈 구멍 부분 지체를 또한 수신 안테나로서 기능 시킬 수 있다. 즉 외주 길이에 대응한 주파수에 공진하는 대략적 방형 패턴 (31ｃ)에 내주 길이에 대응한 주파수에 대하여 공진하는 슬롯 패턴（슬롯 안테나 부）(75)를 설치할 수 있고, １개의 도전성 패턴인 대략적 방형 패턴(31ｃ)에 의하여 다른 복수（２ 이상）의 주파수에 대하여 공진할 수 있다. 이것에 의해１개의 도전성 패턴의 외주 길이와 그것에 형성된１개의 슬롯 패턴의 내주 길이에 각각 대응하는 ２개의 주파수의 전자파를 흡수하는 쌍봉특성의 전자파 흡수체를 얻을 수 있다.

또１개의 도전성 패턴에 다수의 슬롯 패턴을 형성하고 각 슬롯 패턴의 내주 길이가 다른 경우는 １개의 도전성 패턴에 의하여, 슬롯 패턴의 수＋１의 수의 주파수의 전자파를 흡수하는 다봉(多峰) 특성의 전자파 흡수체를 얻을 수 있다. 또한 반복하여 슬롯 패턴의 안쪽에 다른 도전성 패턴을 설치할 수 있고, 그것을 공진 안테나로서 다른 주파수의 전자파에 대응시킬 수 있고, 또한 흡수 주파수를 증가시켜 １개의 도전성 패턴에 １개의 슬롯 패턴을 형성하고 이론상３개 이상의 주파수의 전자파를 흡수하는 다봉 특성의 전자파 흡수체를 얻을 수 있다. 이 경우에도 고흡수 특성뿐만 아니라 도전성 패턴의 모서리부에 곡선 형상을 설치하는 것으로 편파 특성을 개선할 수 있다. 이 조작의 반복에 의하여 또한 다수（４개 이상）의 주파수의 전자파를 흡수하는 것이 가능해진다.

　본 발명에서의 전자파 흡수체(1)의 제조 방법은, 예를 들면 다음과 같은 방법이 있다. 패턴층(5)은 알루미늄 증착 ＰＥＴ 필름（필름 두께＝２５μｍ, 알루미늄 두께　６００∼８００ 옹거스트롱）으로 에칭법에 의하여 소정 형상의 도전성 패턴을 형성하여 제조하고 있다. 전자파 흡수층(4)은 ＳＢＳ（스틸렌·부타디엔·스틸렌 공중합체）수지 １００ 부에 페라이트를 ３４０ 부, 카본블랙을 ５０ 배합하고 다른 충전제와 함께 혼합하고, ０. ５ｍｍ두께로 피복(sheeting)하여 형성하고 있다. 유전체층(3)은 ＳＢＳ（스틸렌·부타디엔·스틸렌 공중합체）수지에 무기계 및 다른 충전제（자성 손실재는 사용하지 않는다）를 충전하고 혼합한 후, ２. ０ｍｍ두께로 피복하고 형성된다. 각 층의 물질 상수는 φ７×φ３의 링(ring) 형상으로 가공하고 동축 관법에 의하여 네트워크 분석가에 의해 측정하여 원하는 물질 상수가 되도록 배합을 조정하고 있다. 다른 충전제로서는 난연제, 노화 방지제, 가공 조제 및 무기물 충전제 등을 적절히 사용하고 있다.

이러한 각 층을 접착제를 이용하여 적층하고 접착 반응이 완료 된 후５０ｃｍ×５０ｃｍ의 치수로 재단하였다.

　페라이트로서는, 예를 들면 Ｍｎ－Ｚｎ 페라이트, Ｎｉ－Ｚｎ 페라이트 및 Ｍｎ－Ｍｇ 페라이트 등의 소프트 페라이트 또는 영구자석 재료인　하드 페라이트를 들 수 있다. 철 합금으로서는, 예를 들면 자성 스테인리스（Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｓｉ 합금), 센다스트（Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ 합금）, 파마 합금（Ｆｅ－Ｎｉ 합금）, 규소 동（Ｆｅ－Ｃｕ－Ｓｉ 합금), Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ（－Ｃｕ－Ｎｂ）합금, Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ 합금 및 Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ－Ｓｉ 합금등 을 들 수 있다. 또한, 이들 합금에 있어서는 편평한 상태의 것을 이용해도 좋다. 철 입자로서는, 예를 들면 카르보닐 철분을 들 수 있다. 카르보닐 철의 경우는 가능한 한 완전한 구에 가까운 것이 좋다. 자성 재료라면 그 형상의 제한은 없고, 덩어리진 상태, 편평한 상태, 섬유 상태 등을 적절 이용할 수 있다. 되도록이면 저비용으로 복소비 투자율이 높은 소프트 페라이트 분말을 사용하는 것이 좋다. 페라이트와 같은 자성 손실재가 존재하지 않으면, 복소비 투자율을 이용한 박층화를 달성할 수 없다. 또, 전자파 흡수층(4)은 자성체 그 자체로 형성되어도 좋다. 이 경우는 페라이트 등의 연자성 소결체나 그러한 도금 물건, 금속 화합물이나 금속 산화물의 층을 형성한 방법이 채용된다.

　또한, 전자파 흡수층(4), 혹은 필요하다면 유전체층(3)에도 포함된 유전 손실 재료는 그래파이트(graphite), 카본블랙, 탄소 섬유, 그래파이트(graphite) 섬유, 금속 가루, 금속 섬유 군으로부터 선택된 재료인　전자파 흡수체이다. 전자파 흡수층(4)은 자성 손실 재료를 필수의 성분으로서 포함하지만, 임피던스 정합을 위해서는 적절한 복소비 유전율을 부여하는 것도 바람직하다. 이 목적으로 전자파 흡수층(4) 또는 필요하면 유전체층(3)에 충전된 유전 손실 재료로서는, 예를 들면 용광로 블랙이나 채널 블랙 등의 카본블랙, 스테인리스강이나 동이나 알루미늄 등의 도전 입자나 섬유, 그래파이트, 카본 섬유, 그래파이트 섬유, 산화 티탄 등을 들 수 있다. 본 발명으로 바람직하게 사용한 유전성 재료는 카본블랙이고, 특히 질소 흡착비 표면적（ＡＳＴＭ（American　Society　for　Testing　and　Materials）Ｄ３０３７­９３）이 １００∼１０００ｍ２／ｇ, ＤＢＰ 흡유량（ＡＳＴＭ　Ｄ２４１４－９６）이 １００∼４００ｍｌ／１００ｇ인　 카본블랙, 예를 들면 소화(昭和) 캬보토사(社)의 상품명 ＩＰ１０００ 및 라이온·아크조 사(社)의 상품명 케첸부락 ＥＣ 등을 사용하는 것이 바람직하다. ＤＢＰ 흡유량이라는 것은 가소제(可塑劑)의 일종인　ＤＢＰ（dibutyl　phthalate의 약어）의 흡수량（단위 ｃｍ３／１００ｇ）이다.

전자파 흡수층(4) 및 유전체층(3)에 사용된 유기 중합체의 재료（vehicle, 매개물）로서는 합성 수지, 고무 및 열가소성 일래스토머를 사용하고 있다. 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 이러한 혼성 중합체, 폴리 부타디엔 및 이러한 혼성 중합체 등의 폴리올레핀, 폴리우레탄, 폴리 염화 비닐, 폴리 초산 비닐, 에폭시 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지 등의 열가소성 수지 또는 열경화성 수지나 역청(bituman) 등을 들 수 있다. 폴리 요산 등의 생분해성을 갖는 수지도 사용 가능하다. 또 유리 섬유 등의 재료가 충전된 ＦＲＰ로 되어 있어도 좋다.

　전자파 흡수층(4)은 상기 유기 중합체 이외의 석고재, 시멘트재, 또는 부직포나 발포체, 종이, 판지 등에 자성을 갖는 도료 등을 함침(含浸)시킨 것이어도 좋고, 충전재를 배합할 수 있는 재료를 적절 선택할 수 있다.

　유전체층(3)은 유기 중합체의 재료를 사용한 것으로 한정될 필요는 없고, 복소비 유전율을 갖고, 도전성을 나타내지 않는 것이면 어떤 재료라도 사용 가능하다. 예를 들면, 목재, 합판, 종이, 석고, 시멘트, 점토, 모래, 토, 부직포, 재활용 수지, 불연 보드, 역청, 아스팔트 및 발포체 등이 이용될 수 있다.

　전자파 흡수층(4)은 접착제층을 겸할 수 있다. 예를 들면 에폭시 수지에 페라이트나 유전 손실재를 배합시키어 패턴층(5), 유전체층(3), 도전성 반사 층(2)의 각계면이나 적층으로 이용한 경우의 각 층의 사이에 위치시킬 수 있다. 이 경우 전자파 흡수층(4) 및 유전체층(3)을 교대로 여러 층으로 적층하는 구성을 취할 수 있는 것도 전술한 것과 같다.

이 때, 전자파 흡수층(4)이나 유전체층(3)에 난연성을 부여하기 위해서는 소정량의 난연제 및 난연조제(難燃助劑)를 배합한다. 난연성의 척도로서는 ＵＬ９４Ｖ０을 충족시키는 것이 요구된다. 난연제로서는 특히 한정되는 것은 없고 인 화합물, 붕소 화합물, 브롬 계난연제, 아연 계난연제, 질소 계난연제, 수산화물 계난연제 등이 적절량 사용될 수 있다. 인 화합물으로서는 인산 에스테르, 인산 티탄 등을 들 수 있다. 붕소 화합물으로서는 붕산 아연 등을 들 수 있다. 브롬 계난연제로서는 헥사 브로모 벤젠, 데카 브로모 벤질 페닐 에테르, 데카 브로모 벤질 페닐 산화물, 테트라 브로모 비스페놀, 취화 암모늄 등을 들 수 있다. 아연 계난연제로서는 탄산 아연, 산화 아연 또는 붕산 아연 등을 들 수 있다. 질소 계난연제로서는 예를 들면, 트리아진 화합물, 힌다드 아민 화합물, 또는 메라민시아누레토, 멜라민 구아니딘 화합물과 같은 멜라민계 화합물 등을 들 수 있다. 수산화물 계난연제로서는 수산화마그네슘, 수산화 알미늄 등을 들 수 있다. 난연성이나 불연성을 부여한 경우에 는, 패턴층(5)이나 도전성 반사 층(2)에 이용한 ＰＥＴ 필름이 문제된다. 기본적으로 ＰＥＴ 필름의 난연화는 어렵고, 챠르（탄화 층）와 같은 불연 재료로 덮는 것을 생각할 수 있다. 그 밖의 방법으로서는 패턴층(5)에 대하여 도전성 패턴만을 전자파 흡수층(4)에 전사(轉寫)하고, ＰＥＴ 필름을 얇게 벗겨 내는 구성이나 , 도전성 반사 층(2)에 대해서는 ＰＥＴ 필름 대용으로 유리 섬유나 유리 직물에 금속박을 가한 층을 사용하는 것으로 대응한다.

　본 발명에서 실시하는 난연 배합은, 전자파 흡수층(4)이 결합재로서의 ＰＶＣ １００（ｐｈｒ）, 탄산 칼슘 ７０（ｐｈｒ）및 난연제（환능 유화 공업 주식회사 제논네산ＳＡＮ―１）２０（ｐｈｒ）를 베이스로 분산제, 가소제, 페라이트, 흑연 등을 배합하고 있다. 또한 유전체층３은 결합재로서 재생 ＰＶＣ１００（ｐｈｒ）, 탄산 칼슘 １４０（ｐｈｒ）, 난연제（환능 유화 공업 주식회사 제논네산ＳＡＮ―１）１０（ｐｈｒ）등을 배합하고 있다. 어느 층도 ＵＬ９４의 Ｖ－０ 상당의 난연성을 나타내었다. 또한 이 배합에서 작성한 패턴 전파 흡수체는 , 제품으로서 방염 규격에 합격하고 있다.

패턴층(5) 및 도전성 반사 층(2)은 금, 백금, 은, 니켈, 크롬, 알루미늄, 동, 아연, 연, 텅스텐, 철 등의 금속이라도 좋고, 수지에 상기 금속의 분말, 도전성 카본블랙이 혼합되어진 수지 혼합물, 또는 도전성 수지의 필름 등이라도 좋다. 상기 금속 등을 플레이트(plate), 시트(sheet), 필름, 부직포 등에 가공되는 것이어도 좋다. 또는 합성 수지성 필름(film) 상에 막두께 예를 들면, ６００Å의 금속층이 형성된 구성을 가져도 좋다. 금속박을 필름 또는 직물 등의 기재에 전사한 것이라도 좋다. 또, 도전 잉크(예를 들면 저항률１０Ω／면적 이하 ０. ５Ω／면적 이상）를 기판 또는 전자파 흡수체(4) 또는 유전체층(3) 상에 도포해도 좋다.

　전자파 흡수 특성은 자유 공간(free space) 법에 의한다. 자유 공간(free space) 법은 자유 공간에 놓여진 측정 시료인　전자파 흡수체(1)에 평면파를 조사하고, 주파수, 입사각도 및 편파를 변화시켜 그 때의 반사 계수, 투과 계수를 측정하여, 재료의 복소비 유전율 및 복소비 투자율을 얻는 측정 방법이고, 이렇게 얻어진 복소비 유전율 및 복소비 투자율로부터, 전자파 흡수체(1)의 전자파 흡수량（반사 손실）을 계산하고 구한다. 이 때 ＴＥ 파, ＴＭ 파, 또한 시료(실험재료)를 ４５°회전시킨 상태에서 측정을 행하고 있다. 사용한 측정 기기는 네트워크 분석가（아지렌트 테크놀로지사의 상품명 ＨＰ８７２０ＥＳ）이고, 안테나는 더블리짓 안테나이다. 전자파 흡수체(1)인　측정 시료의 구형의 각변의 사이즈는 ５００×５００（ｍｍ） 및 １０００×１０００（ｍｍ）이다.

　도６에 있는 표면층(6)은 도６의 순서로 적층한 것뿐만 아니라 다른 순서로 적층 구성된 전자파 흡수체(1)의 경우에도 얹혀 질 수 있다. 표면층(6)의 구체적인 예는 벽지, 타일 카펫, 타일, 불연 보드, 합판, 치장판, 도장면, 수지 판, 천 제품, 종이류 등이 있다. 기본적으로, 전자파 쉴드(shield)성을 갖는 도전성의 재료 이외의 재료라면, 전부 위（패턴층의 외측）에 적층할 수 있다. 이러한 두께가 예를 들면, １ｍｍ 이하와 같이 얇다면 전자파 흡수 특성에 거의 영향을 주지 않지만, 두터운 경우나 복소비 유전율이 높은 경우는 전자파 흡수 특성의 최적화를 위한 재설계가 필요해진다. 그러나 이 재설계로 조정하면 원하는 전자파 흡수 특성을 발휘할 수 있다.

본 발명에서 대상이 되는 전자파는 용도에 의하여 결정되어지는 것이다. 예를 들면, ９００ＭＨz　대에 있는 일부 주파수의 전자파이고, 또한 구체적으로는 ９５０ＭＨz　이상 ９５６ＭＨz　이하의 범위를 포함한 주파수의 전자파이다. 상기 차단 대상으로 한 전자파의 주파수는 예시이고, 예시의 주파수 이외의 주파수대의 전자파를 차단한 구성에서도 본 발명에 포함된다. ９００ＭＨz　대란 ８８０ＭＨz　이상 １０００ＭＨ　미만의 주파수 범위이다. 각 구성층의 재료 특성은 이러한 주파수 범위에서는 거의 차이가 없이 변하고, 본 발명으로의 수치를 그대로 사용할 수 있다.

　또 ２. ４ＧＨz　대의 주파수의 전자파를 흡수의 대상으로 한 것이 있다. ２. ４ＧＨz　대는 ２４００ＭＨz　이상 25００ＭＨz　미만의 전자파이다. 구체적으로는 ＲＦＩＤ용의 ２４００ＭＨz　이상 ２４８３. ５ＭＨz　이하의 범위를 포함한 주파수의 전자파이다.

　이러한 주파수는 ＵＨＦ대 （３００ＭＨz　∼３ＧＨz　）, ＳＨＦ 대（３ＧＨz　∼３０ＧＨz　） 및 ＥＨＦ 대（３０ＧＨz　∼３００ＧＨz　） 가운데에서 임의의 단수 또는 복수의 주파수를 선택할 수 있다. 즉 흡수의 대상이 된 전자파는 ３００ＭＨz　이상 ３００ＧＨz　이하의 주파수의 전자파를 포함한다.

　마지막으로, ９５０ＭＨz　대에서 흡수 특성을 갖는 패턴 전파 흡수체의 패턴 형상과 적층 구성, 배합을 나타낸다. 패턴 형상은 도３에 나타나는 구성에서 ａ１ｘ＝ａ１ｙ＝１. ０ｍｍ, ａ２ｘ＝ａ２ｙ＝１７. ５ｍｍ, ｂ１ｘ＝ｂ１ｙ＝２０. ５ｍｍ, ｃ２ｘ＝ｃ２ｙ＝９. ０ｍｍ, ｃ１＝１. ５ｍｍ, 방사형 패턴(30)에 있어서 대략적 삼각형 부분(22)의 곡률 반경 Ｒ１＝７. ５ｍｍ, 대략적방형 패턴 (31)에 있어서 모서리부의 곡률 반경 Ｒ２＝７. ０ｍｍ라고 하였다. 전자파 흡수체 층(4)의 배합은 ＰＶＣ（주식회사 카네카, ＫＳ１７００）１００（ｐｈｒ）, 페라이트（ＪＦＥ 페라이트 주식회사 제ＬＤ－Ｍ）４３０（ｐｈｒ）, 흑연（일본 흑연 주식회사제 청Ｐ　３５（ｐｈｒ）를 베이스로 가소제, 분산제, 탄산 칼슘 등을 첨가하고 있다. 구성은 패턴층（알루미늄 증착 ＰＥＴ 필름）, 전자파 흡수체 층(4)（２. ５ｍｍ）, 유전체층(3)으로서 합판（６. ５ｍｍ）, 도전성 반사층（알루미늄 증착 ＰＥＴ 필름）의 적층으로 하였다.

　표２는 자유 공간법으로 측정한 ＴＥ 파 및 ＴＭ 파의 전자파 흡수 특성을 가리킨다.

도 １９는 자유 공간법으로 측정한 ＴＥ 파의 전자파 흡수 특성을 나타내는 그래프이다. 도 ２０은 자유 공간법으로 측정한 ＴＭ 파의 전자파 흡수 특성을 나타내는 그래프이다. 도 １９에 있어 실선 １１０은 입사각이 １０도（°）인 경우의 전자파 흡수 특성을 나타내고, 파선 １１１은 입사각이 ３０도（°）인 경우의 전자파 흡수 특성을 나타내고, 1점 쇄선 １１２는 입사각이 ４５도（°）인 경우의 전자파 흡수 특성을 나타낸다. 도 ２０에 있어서, 실선 １２０은 입사각이 １０도（°）인 경우의 전자파 흡수 특성을 나타내고, 파선 １２１은 입사각이 ３０도（°）인 경우의 전자파 흡수 특성을 나타내고, 1점 쇄선 １２２는 입사각이 ４５도（°）인 경우의 전자파 흡수 특성을 나타낸다. 전술의 구성의 전자파 흡수체는 , 예를 들면 입사각이 １０도（°）로 입사한 ＴＥ 파에 대해 ２０ｄＢ의 전자파 흡수량을 나타내고, 입사각이 １０도（°）로 입사한 ＴＭ 파에 대해 25ｄＢ의 전자파 흡수량을 나타냈다. 이방성도 적고, 고흡수 성능을 나타내는 것을 알 수 있다. 도 １９ 및 도 ２０ 및 표２로부터 명확한 것처럼, 방사형 패턴(30) 및 대략 방형 패턴 (31)의 치수, 전자파 흡수층(4)의 재질을 적절 선택하는 것에 의하여 ９５０ＭＨz　의 전자파를 흡수한 전자파 흡수체(1)를 얻을 수 있는 것이 분명하다.

도 ２１은 본 발명에 따른 실시의 또 다른 형태로서, 전자파 흡수체(1)를 구성한 패턴층(5)를 나타내는 정면도이다. 도 ２２는 도 ２１에 나타내는 패턴층(5)을 구비한 전자파 흡수체(1)의 전자파 흡수 특성을 나타내는 그래프이다. 또한 박형화를 나타내는 ９５０MHz 대에서 흡수 특성을 갖는 패턴 전파 흡수체의 패턴 형상과 적층 구성 및 배합을 나타낸다. 패턴 형상은 도 ２１에 나타나듯이 거의 도３에 나타내는 구성과 유사하고, 다른 점은 치수가 다르다. 대응하는 부분에는 동일한 부호를 붙인다. 본 실시의 형태에서는 방사형 패턴(30)과 대략적 방형 패턴 (31)과의 각 곡률에 차이를 주어, ２개의 패턴 (30, 31)의 간격 ｃ１을 연속적으로 변화시키고 있다. 도체 패턴 치수는 ａ１ｘ＝ａ１ｙ＝１. ０ｍｍ, ａ２ｘ＝ａ２ｙ＝２０. ０ｍｍ, ｂ１ｘ＝ｂ１ｙ＝２５ｍｍ, ｃ２ｘ＝ｃ２ｙ＝７. ０ｍｍ, ｃ１＝０. ５ｍｍ 이상 ２. ５ｍｍ 이하, 방사형 패턴(30)에 있어서 대략적 삼각형 부분(22)의 곡률 반경 Ｒ１＝６. ５ｍｍ, 대략적 방형 패턴 (31)에서 모서리부의 곡률 반경 Ｒ２＝１０. ５ｍｍ로 하였다. 방사형 패턴(30)과 대략적 방형 패턴 (31)과의 간격 ｃ１은 이들 패턴(30, 31) 사이의 간극이 늘어나는 방향의 양단부와 비교하여, 중간부가 커지도록 연속적으로 변화하고 있다.

전자파 흡수체 층(4)의 배합은 염소화 폴리에틸렌（쇼와전공 주식회사, 에라스렌３０１ＮＡ）１００（ｐｈｒ）, 카르보닐 철（ＢＡＳＦ제ＥＷ－１）６５０（ｐｈｒ）을 베이스로 가소제, 분산제, 탄산 칼슘 등을 첨가하고 있다. 구성은 패턴층（알루미늄 증착 ＰＥＴ 필름）, 전자파 흡수체 층(4)（１. ２ｍｍ）, 유전체층(3)（３. ２ｍｍ）, 도전성 반사층（알루미늄 증착 ＰＥＴ 필름）의 적층으로 하였다. 전자파 흡수층(4) 및 유전체층(3)의 ９５０ＭＨz　의 물질 상수는 뒤에 표시되는 표３과 같다. 즉, ９５０ＭＨz　대의 전자파 흡수체로서 두께 ４. ４ｍｍ（투자율을 갖는 층으로서는 １. ２ｍｍ）의 박형을 실현하고 있다. 그 시뮬레이션에 의한 전자파 흡수량은 도 ２２와 같다. 도 ２２에서 , 선 ２００은 전자파 흡수량을 나타낸다. ９２５ＭＨz　대에 １９. ５ｄＢ의 흡수량의 결과를 얻을 수 있다.

도 ２１에 나타낸 것처럼, 인접하는 ２개의 도전성 패턴인　방사형 패턴(30)과 대략적 방형 패턴 (31)과의 사이 간격 ｃ１은 위치에 따라 다른 구성으로 할 수 있다. 이것에 따라 방사형 패턴(30)과 대략 방형 패턴 (31)과의 간격 ｃ１을 일정하게 하는 경우와 비교하여, 전자파 흡수량을 크게 할 수 있다. 따라서 인접하는 도전성 패턴의 모서리부의 곡률 반경을 바꾸고 도전성 패턴 사이의 간격을 연속적으로 변화하면, 흡수 주파수를 저주파수에 시프트 시키어 흡수량도 증가시키는 것도 가능해진다.

　표３은 전술의 실시례를 이용한 전자파 흡수층(4) 및 유전체층(3)의 물질 상수 및 두께를 나타낸다. 표３에 있어 전자파 흡수층(4)을 단지「흡수층」이라고 기록하고 있다.

전술한 실시의 형태는 본 발명의 예시에 지나지 않고, 본 발명의 범위 내에서 구성을 변경 할 수 있다. 본 발명은 도전성 패턴의 모서리부를 곡선 형상으로 하는 것이 큰 특징이지만 , 모든 도전성 패턴의 모서리부를 곡선상으로 형성하지 않아도 좋고 일부의 도전성 패턴에 관해서만, 곡선상의 모서리부를 갖는 형상이라도 좋다. 또 도전성 패턴의 각도를 곡선 형상으로 형성한 경우, 모든 모서리부를 곡선 형상으로 하여도 좋고 일부의 모서리부만을 곡선 형상으로 하여도 좋다.

　또한, 도전성 패턴은 대략적 다각형의 면 형상이라도 좋고, 대략 다각형의 외주를 따라 늘어나는 폐루프(loop)의 선의 형상이라도 좋다.

　또한, 전자파 흡수층은 유기 중합체 １００ 중량부에 대하여, 자성 손실 재료로서 페라이트, 철 합금, 철 입자군으로부터 선택된１ 또는 다수의 재료를 １ 중량부 이상 １５００ 중량부 이하의 배합량으로 포함한 구성으로 할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 손실층에 복소비 투자율（μ’, μ”）을 부여할 수 있고, 도체 패턴의 주위에 발생한 자장을 효율적이고 에너지적으로 감쇠할 수 있다.

　또 유전체층의 복소비 유전율의 실부μ’가 １ 이상 ５０ 이하의 범위에 있는 구성으로 할 수 있다. 이와 같은 구성에 하면, 유전체층 및 전자파 흡수체의 유전율을 임의로 제어 할 수 있고, 도전성 패턴의 소형화나 전자파 흡수체의 박형화에 기여할 수 있다.

　또 ２. ４ＧＨz　대의 전자파를 흡수하기 위한 전자파 흡수체로서, 총 두께가 ４ｍｍ 이하인　구성을 할 수 있다. 이와 같은 구성에 하면, 도전성 패턴이 ２. ４GHz 대의 전자파에 대하여 공진 안테나로서 기능할 수 있다. 따라서 전자파 흡수체에 있어서 전자파 흡수 효율을 높게 할 수 있고, 전자파 흡수체의 박형화가 가능해진다.

　또 ９００MHz 대의 전자파를 흡수하기 위한 전자파 흡수체로서 , 총 두께가 １０ｍｍ 이하인　구성으로 할 수 있다. 이와 같은 구성에 하면, 도전성 패턴이 ９００MHz 대의 전파에 대하여 공진 안테나로서 기능할 수 있다. 따라서 전자파 흡수체에 있어서 전자파 흡수 효율을 높게 할 수 있고, 전자파 흡수체의 박형화가 가능해진다.

　본 발명에 의하면, 다음 실시의 형태가 가능하다.

（１）적어도１개의 모서리부가 곡선 형상인　대략적 다각형의 외곽 형상을 갖는 단수 또는 복수 종류의 도전성 패턴이 서로 연결하지 않는 상태로 복수개 배열하고 형성된 패턴층과,

복소비 투자율（μ’, μ”）을 갖는 자성 손실재 및 복소비 유전율（ε’, ε”）을 갖는 유전 손실재 중 적어도 어느 한편에 있는 재료로 이루어지는 손실층이 적층되고 구성되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.

　우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다. 그 이유에 관하여는 이하에서 상세히 설명한다.

　도전성 패턴을 이용한 전자파 흡수체에 있어서 박형화의 메커니즘을 이하에서 설명한다. 먼저 패턴층의 도전성 패턴에 의하여, 안테나의 공진 원리에 따라 특정 주파수의 전자파를 수신한다. 여기에서 특정 주파수는 도전성 패턴의 형상 및 치수 등의 제원에 의하여 결정되어지는 주파수이고, 전자파 흡수체에 의하여 흡수해야 할 주파수이다. 전자파를 도전성 패턴으로 수신하면 도전성 패턴의 끝부분에 공진 전류가 흐르게 된다. 이 전류가 흐름으로써, 전류 주변에 자속이 발생한다. 자속은 전류원에 가까울수록 많아지고, 자속밀도가 큰 상태로 분포한다. 이 패턴층에 근접하고 자성 손실재를 갖는 손실층을 형성하면 자장 에너지를 손실시킬 수 있다. 이와 같이 전자파의 에너지를 열 에너지로 변화시키고 흡수할 수 있다.

　 또한 전자파 흡수체를 표면부가 도전성 재료로 이루어지는 물체에 장착시켜 이용하거나, 또는 손실층에 대하여 패턴층과 반대측에 도전성 반사층을 더 설치하는 등, 패턴층과 도전성 층의 사이에 손실층을 이용한 적층 상태로 이용함으로써, 패턴층의 도전성 패턴과 도전성 층（도전성 재료로 이루어지는 물체의 표면층 또는 도전성 반사 층）의 사이에 콘덴서를 형성할 수 있다. 이 도전성 패턴과 도전성의 층과의 거리를 단축하면 , 콘덴서의 용량을 크게 할 수 있다.

또 패턴 서로 간에도 콘덴서를 형성할 수 있다. 이와 같이 패턴 전자파 흡수체로는 콘덴서를 이용하는 것에 의하여 유도 저항 조정 기능이 부여되는 것으로 박형화를 달성할 수 있다.

　 또한 전자파를 수신하는 도전성 패턴이 기본적으로 다각형인　대략적 다각형의 외곽 형상을 갖고 있고, 전자파 흡수량의 피크 값을 도전성 패턴의 외곽 형상이 원형의 경우와 비교하여, 전자파 흡수량의 피크 값을 높게 할 수 있다.

　왜냐하면 다각형 패턴의 경우 Ｑ 값이 원형 패턴보다도 높아지기 때문이다. 먼저Ｑ 값에 관하여 설명하면, 공진에서 Ｑ 값은 대역폭으로 나타낼 수 있다. 양자의 관계는, Ｑ＝공진주파수／대역폭이 된다. 따라서Ｑ 값이 커진다고 하는 것은 대역폭이 좁아지는 것이 된다.

　이 관계는 패턴을 이용한 전자파 흡수체의 전자파 흡수량의 피크 값에 적용시키고 표현된다. 즉 다각형 패턴의 Ｑ 값이 커다는 것은 좁은 대역이지만 높은 전자파 반사 감쇠량（전자파 흡수량의 피크 값）을 갖는 것이고, Ｑ 값이 낮다는 것은 넓은 흡수 대역을 나타내는 것이지만 전자파 반사 감쇠량（전자파 흡수량의 피크 값）은 낮은 것을 나타낸다.

　다각형 패턴의 Ｑ 값이 높은 반대로서, 흡수 대역이 좁아지고 편파의 영향에 의해 공진주파수의 어긋남이 발생해 버리게 된다. 이것은 방형(사각형) 패턴에 ０°의 전계（편파가 없는 상태）가 걸리면 방형 패턴의 변을 따라 강한 전류가 흐르고, 그 부분에서 공진이 일어나는 것에 대하여, 방형 패턴으로 전계를 ４５°기울인 경우나 , 원형 패턴의 경우는 강한 전류가 흐르는 경로가 방형 패턴의 ０°인 때 만큼 가늘게 가장자리에 집중하지 않게 되는 현상이 일어나는 것에 의하여 설명할 수 있다. 환언하면, 전류의 경로가 넓어지는 것으로 , 공진에 관계된 반파장 파가 분포하는 영역이 확산되고 공진하는 조건이 많아진다고 할 수 있다. 이 결과로서 대역폭을 벌 수 있다고 생각하고 있다. 예를 들면 방형 패턴의 경우, 전자파（ＴＥ 파）를 받으면 변에 평행하게 곧장 전계가 생길 수 있지만, 방형을 ４５°회전시킨 경우는 전자파（ＴＥ 파）를 받은 경우의 패턴 안의 전계는 원호를 그리도록 생기기 때문에 분명히 분포가 다르다. 즉 방형（다각형）패턴은 공진이 집중하여 일어나는 결과, 전자파 흡수 특성이 높아지는 것이지만, 편파 의존성을 발현하기 쉬운 결점이 있다.

이 결점을 개선하기 위해, 패턴 형상은 기본적으로는 다각형이지만 적어도１개의 모서리부가 곡선 형상으로 형성되는 것으로 한다. 여기에서 모서리부에 곡률 반경 Ｒ을 부여하다, 즉 곡면 형상이라고 하는 효과는 공진 전류가 모서리부로 막히는 일 없이 흐르기 쉬워지는 것이고, 또한 공진하는 영역이 폭넓게 되는 것이고, 결과 Ｑ 값은 약간 떨어지지만 광대역 성능을 나타내는 것에 의해 편파 특성이 개선된다. 이것에 따라, 전자파의 편파방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남을 작게 억제할 수 있다. 따라서 전자파의 흡수량의 피크 값이 높아지고, 또한 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남이 작은 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다.

　도전성 패턴은 대략적 다각형의 면 모양의 형상이라도 좋고, 대략적 다각형의 바깥 테두리를 따라 연장되는 폐루프(loop)의 선 모양의 형상이라도 좋다.

　기본적으로 다각형이고, 적어도 일부의 모서리부를 곡선 형상으로 함으로써, 전자파의 흡수량의 피크 값이 높아지고, 또한 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남이 작은 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다.

　（２）상기 모서리부에 곡선 형상으로 형성하는 부분의 치수는 편파 방향의 차이에 의한 흡수 가능한 주파수의 어긋남을 억제 가능한 치수의 범위내에서 작은 치수로 결정되어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.

　모서리부에 곡선 형상으로 형성하는 부분을 가급적으로 작게 할 수 있다. 이것에 따라 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남을 억제한 다음, 전자파의 흡수량의 피크 값을 가능한 한 높게 할 수 있다. 즉 모서리부의 곡선 곡률 반경 Ｒ이 커진다면 패턴 형상은 원에 가까워지고 최종적으로 원이 된다. 그것에 따라 Ｑ 값은 내려가서 전자파 흡수 특성은 저하되어 가는 경향에 있지만 편파 특성은 좋아진다. 본 발명에 의하면, 전자파 흡수 특성을 높고, 편파 특성을 좋게 하도록 곡률 반경 Ｒ의 크기를 최적화한 패턴 형상으로 하고 있다. 따라서 극히 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다.

전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남을 억제한 다음, 전자파의 흡수량의 피크 값을 가능한 한 높게 할 수 있다.

　（３）도전성 패턴은 면 형상의 패턴인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.

　전자파 흡수체를 표면이 도전성의 재료로 이루어지는 물체에 장착시켜 이용하거나 또 도전성의 반사층을 더 설치하고 이용하는 등, 패턴층이 도전성 층에 적층된 상태에서 이용하는 것에 의하여, 패턴층의 도전성 패턴과 도전성 층에 의하여 콘덴서를 구성할 수 있다. 또한 면 형상의 패턴이기 때문에, 콘덴서의 용량을 크게 할 수 있다. 면 형상의 도전성 패턴은 용량이 큰 콘덴서를 형성하기 쉽고, 도전성 패턴을 이용한 전자파 흡수체의 박형화에 효과를 가지는 유도 저항 조정 기능을 유효하게 활용할 수 있다.

　도전선 패턴에 의한 전자파의 수신 효율을 높게 하여, 전자파 흡수체에 있어서 전자파 흡수량을 높게 할 수 있다.

　（４）도전성 패턴의 조합에 의하여, ２개 이상의 주파수의 전자파를 흡수할 수 있는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.

　도전성 패턴은 특정 주파수의 전자파에 대하여 공진 안테나로서 기능을 한다. 그리고 면 형상 패턴의 경우는 외주 길이가 특정 주파수의 파장에 대응하도록 설계되고 있다. 그러면, 패턴의 사이즈를 ２개 이상의 전자파 주파수에 대응시킨 여러 종류를 배열하는 경우, ２개 이상의 주파수의 전자파를 흡수하는 쌍봉 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다. 이 경우도 고흡수 특성뿐만 아니라, 패턴 형상의 모서리부에 곡선 형상을 설치하는 것으로 편파 특성을 개선할 수 있다.

　패턴 형상의 조합에 의하여 여러 주파수의 전자파 수신을 가능하게 하고, ２ 개 또는 ２개 이상의 전자파를 흡수할 수 있다.

　（５）도전성 패턴은 단수 또는 복수개의 빈 구멍부분을 갖고, 그 빈 구멍부분은 흡수해야 할 주파수의 전자파에 대하여 공진하는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.

예를 들면 면 형상 패턴의 내부에 빈 구멍부분을 설치하고, 이 빈 구멍부분 자체를 수신 안테나로서 기능 시키킬 수 있다. 즉 공진 패치 안테나인　면 형상 패턴의 내부에 슬롯 패턴（슬롯 안테나）을 설치할 수 있다. 이것에 의해 ２개의 주파수의 전자파를 흡수하는 쌍봉특성의 전자파 흡수체를 얻을 수 있다. 또한 반복하여 슬롯 패턴의 내부에 면 형상 패턴을 설치함으로써, 그것을 공진 안테나로서 다른 주파수의 전자파에 대응시킬 수 있고, 이론상３개의 주파수의 전자파를 흡수한 다봉 특성의 전자파 흡수체를 얻을 수 있다. 이 경우도 고흡수 특성뿐만 아니라, 패턴 형상의 모서리부에 곡선 형상을 설치하는 것으로 편파 특성을 개선할 수 있다. 이 조작의 반복에 의하여, 또한 다수（４개 이상）의 주파수의 전자파를 흡수한 것이 가능해진다.

　도전성 패턴에 빈 구멍부분을 형성하는 것에 의하여, 여러 주파수의 전자파의 수신을 가능하게 하고, ２ 개 또는 ２개 이상의 전자파의 흡수를 할 수 있다.

　（６）손실층은 자성 손실재 및 유전 손실재의 중 적어도 어느 한편의 재료로 이루어지는 전자파 흡수층과 ,

　유전체 재료로 이루어지는 유전체층을 포함한 것을 특징으로 한 전자파 흡수체.

　손실층에서 전자파의 흡수를 양호하게 할 수 있다. 따라서 전자파 흡수체에서 전자파 흡수 효율을 높게 할 수 있고, 전자파 흡수체의 박형화가 가능해진다.

　손실층에서 전자파의 흡수를 양호하게 하여, 전자파 흡수량을 높게 할 수 있다.

　（７）전자파 흡수층 및 유전체층은 , 표면 고유 저항률이 각각 １０^６Ω／면적 이상인 것을 특징으로 한 전자파 흡수체.

　전자파 흡수층 및 유전체층의 표면 저항률（ＪＩＳ　Ｋ６９１１ 기준）이 도전성이라고 불려지는 레벨（１０^－４∼１０^１Ω／면적）과 비교하여 충분 높고, 이러한 층이 이른바 전자파 실드(shield) 성을 갖지 않는 것이다. 이 결과, 특정 주파수의 전자파를 높은 효율로 내부에 취입하고, 열에너지로 변환할 수 있게 된다.

전자파를 반사하지 않고 매우 적합하게 흡수할 수 있다.

　（８）전자파 흡수층 및 유전체층의 중 적어도 어느 한편이 여러층으로 적층되고 있는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.

　전자파 흡수층과 유전체층이 적층체로 구성된 경우 뿐만 아니라 전자파 흡수층 및 유전체층이 교대로 적층된 경우도 상정하고 있다. 예를 들면 유전체층으로서 불연 보드, 열경화성 수지, 난연지나 합판의 박판을 이용하여, 전자파 흡수층으로써 접착성 수지의 안에 자성 손실재를 배합한 접착제층을 이용하는 경우에 , 접착제층의 필요 두께를 얻기 위해 두껍게 칠하게 되면, 전용 설비를 필요로 하게 되어 비용 증가와 연결된다. 얇게 칠하는 것을 다층화해도 전자파 흡수층으로서의 효과를 얻어지기 위해서, 기존 설비에서 얇게 칠하여 적층수를 늘리는 교대 적층을 채용하면, 신규 전용 설비는 불필요하게 된다.

　각 층의 박형 복층화에 의하여, 기존 설비를 사용하여 저렴하게 제조할 수 있다.

　（９）도전성 반사층이 손실층에 대하여 패턴층과 반대측에 적층되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.

　전자파 흡수체의 장착 장소의 제한이 적어지고, 예를 들면 표면이 비도전성 재료로 이루어지는 물체에 장착하고 이용하여, 전자파를 흡수한 말을 할 수 있다. 따라서 편리성이 향상한다.

　편리성이 높은 전자파 흡수체를 얻을 수 있다.

　（１０）전술의 전자파 흡수체를 이용하는 전자파 흡수 방법.

　전술과 같이 우수한 전자파 흡수체를 이용함으로써, 전자파를 매우 적합하게 흡수할 수 있다.

전술의 전자파 흡수체의 구체적인 용도로서는, 오피스 등의 전자파 환경 공간이 형성하는 바닥재, 벽재, 천장재로서, 또는 가구나 사무 기기의 금속면의 피복재로서, 또는 칸막이 등으로서 본 발명에 따른 전자파 흡수체를 배치하는 것에 의하여, 전자파 환경의 개선을 행한다. 구체적으로는, 자기 간섭(self interference)이나 다른 파에 의한 간섭에 의한 전자기기（의료용 기기）의 오동작 방지, 인체 보호, 무선 ＬＡＮ（２. ４GHz 대, ４. ９GHz 대, ５. ２ＧＨz　대 등） 및 ＤＳＲＣ, ＥＴＣ（５. ８ＧＨz　）등의 전송 지연 대책이나 전자파 통신 환경의 보전 대책이다. 또한, 밀리미터 전파대의 전자파를 사용한 ＩＴＳ 와 관계의 이동체 사이의 무선 통신의 전자파 통신 환경의 개선에도 사용할 수 있다. 그리고 전자파 환경에 관해서는 오피스만이 아니고, 가정내, 병원, 콘서트 홀, 공장, 연구 시설, 역사(驛舍), 전시장, 도로 측벽 등의 옥외 시설 등이라도 이용할 수 있다. 각각 상정할 수 있는 환경에서의 벽, 상, 천장, 주, 패널, 광고판, 도루 제품 등에 있어, 필요로 하는 부분마다 이용할 수 있다.

　전술과 같이 우수한 전자파 흡수체를 이용하여, 매우 적합하게 전자파를 흡수할 수 있다.

　본 발명은 그 정신 또는 주요한 특징으로부터 일탈하는 일 없이, 다른 다양한 형태로 실시할 수 있다. 따라서 전술의 실시 형태는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않고, 본 발명의 범위는 청구의 범위에 나타나는 것이고, 명세서 본문에는 전혀 구속되지 않는다.

　 또한, 청구의 범위의 균등 범위에 속한 변형이나 변경은 전부 본 발명의 범위내의 것이다.

본 발명에 의하면, 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다. 전자파 흡수체로는 먼저 패턴층의 도전성 패턴에 의하여, 안테나의 공진 원리에 따라 특정 주파수의 전자파를 수신한다. 여기에서 특정 주파수는 도전성 패턴의 형상 및 치수 등의 제원에 의하여 결정되어지는 주파수이고, 전자파 흡수체에 의하여 흡수해야 할 주파수이다. 전자파를 수신한 도전성 패턴을 갖는 패턴층에 적층하고 손실층을 설치하기 때문에 수신한 전자파의 에너지를 손실층에 의해 손실시킬 수 있다. 이와 같이 하여 전자파를 흡수할 수 있다.

　 또한 전자파를 수신한 도전성 패턴이 기본적으로 다각형인　대략적 다각형의 외곽 형상을 갖고, 또한 적어도１개의 모서리부가 곡선 형상으로 형성된다. 모서리부에 Ｒ을 부여하다, 즉 곡선 형상으로 하는 것에 의하여, 전자파의 편파 방향에 따라 전자파 흡수량（이하 단지「흡수량」이라고 한 경우가 있다）이 피크 값가 되는 주파수의 어긋남을 작게 억제하고, 편파 특성을 양호하게 할 수 있다. 따라서 전자파의 흡수량의 피크 값이 높고, 또한 전자파의 편파 방향에 따라 흡수량의 피크 값 이 되는 주파수의 어긋남이 작은 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다.

패턴층은 모든 도전성 패턴이 곡선상의 모서리부를 갖는 구성이라도 좋지만, 모든 도전성 패턴이 곡선상의 모서리부를 갖는 구성이 아니어도 좋고, 일부의 도전성 패턴이 곡선상의 모서리부를 갖는 구성이라면 좋다. 일부의 도전성 패턴이 곡선 형상의 모서리부를 갖는 경우에는 그 밖의 도전성 패턴은 곡선 형상의 모서리부의 유무에 관하여 한정되는 것이 아니다. 또한 곡선상의 모서리부를 갖는 도전성 패턴은 일부의 모서리부만이 곡선 형상이라도 좋고, 모든 모서리부가 곡선 형상이라도 좋다. 또 도전성 패턴은 거의 다각형의 면상의 형상이라도 좋고, 대략적 다각형상으로 연결되는 폐루프(loop)의 선 묘양의 형상이라도 좋다.

　본 발명에 의하면, 모서리부에서 곡선 형상으로 형성한 부분을 가급적으로 작게 할 수 있다. 이것에 따라 전자파의 편파 방향에 의해 흡수량이 피크가 되는 주파수의 어긋남을 억제한 다음, 전자파의 흡수량의 피크 값을 가능한 한 높게 할 수 있다. 즉 전자파 흡수량의 피크 값이 높고, 또한 편파 특성을 좋게 하도록 곡률 반경 Ｒ의 크기를 최적화한 패턴 형상으로 하고 있다. 따라서 극히 우수한 전자파 흡수 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다.

본 발명에 의하면, 전자파 흡수체를 표면이 도전성의 재료로 이루어지는 물체에 장착시켜 이용하거나 또 도전성의 반사층을 더 설치하여 이용하는 등 패턴 층이 도전성 층에 적층된 상태에서 이용함으로써, 패턴층의 도전성 패턴과 도전성 층에 의하여, 콘덴서를 구성할 수 있다. 또한 면 형상의 패턴이기 때문에 , 콘덴서의 용량을 크게 할 수 있다. 면상의 도전성 패턴은 용량의 큰 콘덴서를 형성하기 쉽고, 콘덴서를 형성하는 것에 의하여 유도 저항을 조정하여, 도전성 패턴을 이용한 전자파 흡수체를 박형화할 수 있다.

　본 발명에 의하면, 도전성 패턴은 특정 주파수의 전자파에 대하여 공진 안테나로서 기능 한다. 도전성 패턴은 외주 길이가 특정 주파수의 파장에 대응하도록 설계되고 있다. 따라서 외주 길이가 다른 도전성 패턴을 형성하는 것에 의하여, 외주 길이에 각각 대응하는 ２개 이상의 전자파의 주파수에 대하여 공진 한다. 이것에 따라 ２개 이상의 주파수의 전자파를 흡수하는 다봉 특성의 전자파 흡수체를 실현할 수 있다. 이 경우도 고흡수 특성 뿐만 아니라, 패턴 형상의 모서리부에 곡선 형상을 설치한 것으로 편파 특성을 개선한 말을 할 수 있다.

본 발명에 의하면, 모서리부의 곡률 반경이 다른 도전성 패턴을 형성하는 것에 의하여, 모서리부의 곡률 반경이 동일한 도전성 패턴만을 형성한 경우에 대하여, 전자파 흡수량의 피크 값을 저하시키지 않고 흡수한 전자파의 주파수 대역(이하「흡수 대역」이라고 하는 경우가 있다）을 변경할 수 있다. 흡수 대역의 변경은 흡수 대역을 폭넓게 하는 것 및 흡수 주파수의 변경을 포함한다. 예를 들면 인접한 도전성 패턴의 모서리부의 곡률 반경에 약간의 차이를 주는 것에 의하여, 전자파 흡수체의 흡수량의 피크 값을 저하시키지 않고 흡수 대역을 넓힐 수 있고, 또 예를 들면 인접한 도전성 패턴의 모서리부의 곡률 반경에 조금 큰 차이를 주는 것에 의하여, 전자파 흡수체의 흡수량의 피크 값을 저하시키지 않고 흡수한 전자파의 주파수（이하「흡수 주파수」라고 하는 경우가 있다）를 낮게 할 수 있다.

　본 발명에 의하면, 인접한 ２개의 도전성 패턴의 간격을 일정하게 하는 경우와 비교하여, 전자파 흡수량을 크게 할 수 있다.

　본 발명에 의하면, 도전성 패턴에 빈 구멍부분이 설치되어, 이 빈 구멍부분 자체를 또 수신 안테나로서 기능 시킬 수 있다. 즉 외주 길이에 대응한 주파수에 공진하는 도전성 패턴에 내주 길이에 대응하는 주파수에 공진하는 슬롯 패턴（슬롯 안테나）을 설치할 수 있고, 다른 다수（２ 이상）의 주파수에 대하여 공진할 수 있다. 이것에 의해 ２개 이상의 주파수의 전자파를 흡수하는 다봉 특성의 전자파 흡수체를 얻을 수 있다. 또한 반복하여 슬롯 패턴의 안쪽에 다른 도전성 패턴을 설치할 수 있고, 그것을 공진 안테나로서 다른 주파수의 전자파에 대응시킬 수 있고, 이론상 ３개 이상의 주파수의 전자파를 흡수하는 다봉 특성의 전자파 흡수체를 얻을 수 있다. 이 경우도 고흡수 특성뿐만 아니라, 패턴 형상의 모서리부에 곡선 형상을 설치하는 것으로 편파 특성을 개선할 수 있다. 이 조작의 반복에 의하여 또한 다수（４개 이상）의 주파수의 전자파를 흡수한 것이 가능해진다.

　본 발명에 의하면, 손실층에 있어서 전자파의 흡수를 양호하게 할 수 있다. 따라서 전자파 흡수체에 있어서 전자파 흡수 효율을 높게 할 수 있고, 전자파 흡수체의 박형화가 가능해진다.

본 발명에 의하면, 손실층에 복소비 투자율（μ’, μ”）을 부여할 수 있고, 도체 패턴의 주위에 발생한 자장을 효율적으로 에너지적으로 감쇠하는 것이 가능해진다.

　본 발명에 의하면, 유전체층 및 전자파 흡수체의 유전율을 임의로 제어할 수 있고, 도전성 패턴의 소형화 및 전자파 흡수체의 박형화에 기여할 수 있다.

　본 발명에 의하면, 전자파 흡수층 및 유전체층의 표면 저항률（ＪＩＳ　Ｋ６９１１ 기준）이 도전성이라고 불려지는 레벨（１０^－４∼１０^１Ω／면적）과 비교하여 충분 높고, 이러한 층이 이른바 전자파 실드(shield) 성을 갖지 않는 것이다. 이 결과, 특정 주파수의 전자파를 비싼 효율로 내부에 취입하고, 열에너지로 변환할 수 있게 된다. 또, 전자파를 반사하지 않고, 매우 적합하게 흡수할 수 있다.

　본 발명에 의하면, 전자파 흡수층과 유전체층이 적층체로 구성된 경우 뿐만 아니라 전자파 흡수층 및 유전체층이 교대로 적층된 경우도 상정하고 있다. 예를 들면 유전체층으로서 불연 보드, 열경화성 수지, 난연지나 합판의 박판을 이용하여, 전자파 흡수층으로서 접착성 수지의 안에 자성 손실재를 배합한 접착제층을 이용한 경우에, 접착제층의 필요 두께를 얻기 위해 두껍게 칠하게 되면, 전용 설비를 필요로 하게 되어 비용 증가와 연결된다. 얇게 칠하는 것을 다층화해도 전자파 흡수층으로서의 효과를 얻기 위해서, 기존 설비에서 얇게 칠하여 적층수를 늘리는 교대 적층을 채용하면, 신규 전용 설비는 불필요하게 된다. 각 층의 박형 복층화에 의하여, 기존 설비를 사용하여, 저렴하게 할 수 있다.

　본 발명에 의하면, 도전성 패턴이 ２. ４GHz 대의 전자파에 대하여 공진 안테나로서 기능할 수 있다. 따라서 전자파 흡수체에 있어서 전자파 흡수 효율을 높게 할 수 있고, 전자파 흡수체의 박형화가 가능해진다.

　본 발명에 의하면, 도전성 패턴이 ９００MHz 대의 전파에 대하여 공진 안테나로서 기능할 수 있다. 따라서 전자파 흡수체에 있어서 전자파 흡수 효율을 높게 할 수 있고, 전자파 흡수체의 박형화가 가능해진다.

　본 발명에 의하면, 전자파 흡수체의 장착 장소의 제한이 적어지고, 예를 들면 표면이 비도전성 재료로 이루어지는 물체에 장착하고 이용하여, 전자파를 흡수할 수 있다. 따라서 편리성이 향상한다.

본 발명에 의하면, 적층체인 전자파 흡수체에 난연성 또는 불연성이 첨가된다. 적층체로서 전자파 흡수체에 난연성 또는 불연성을 부여하기 위해서는, 예를 들면 전자파 흡수층 및 흡수체층의 적어도 한층에 난연성 또는 불연성을 부여하는 등으로 실현할 수 있다. 이와 같이 전자파 흡수체에 난연성 또는 불연성을 부여함으로써, 전자파 흡수체를 내장재 또는 내장재를 구성하는 재료로서 매우 적합하게 이용할 수 있다.

　본 발명에 의하면, 전술과 같이 우수한 전자파 흡수체를 이용함으로써, 매우 적합하게 전자파를 흡수할 수 있다.

　전술의 각 본 발명의 전자파 흡수체의 구체적인 용도로서는, 어디까지나 일례로서 말하면, 오피스 등의 전자파 환경 공간을 형성한 바닥재, 벽재 및 천장재로서 , 또는 가구 및 사무 기기의 금속면의 피복재로서, 또는 칸막이 등으로서 이용할 수 있다. 이러한 용도로 본 발명에 따른 전자파 흡수체를 배치하는 것에 의하여, 전자파 환경을 개선한 말을 할 수 있다. 또한 구체적으로는, 자기 간섭 및 다른 파장에 의한 간섭에 의한 전자기기（의료용 기기）의 오동작 방지, 전자파로부터의 인체 보호를 목적으로 하고 이용할 수 있다. 또한 무선 ＬＡＮ（２. ４GHz 대, ４. ９GHz 대, ５. ２ＧＨ　대등）, ＩＣ 견인선（９５０MHz 대, ２. ４GHz 대 ）, ＤＳＲＣ, ＥＴＣ（５. ８GHz 대） 및 선박의 레이저 （９. ４GHz 대, ３GHz 대）등에 있어서 전송 지연 대책 및 전자파 통신 환경의 보전 대책에 이용할 수 있고, 또한 레이저 위상 방지 대책에 이용할 수 있다. 또 밀리미터 전파대의 전자파를 사용하는 ＩＴＳ에 관계되는 이동체 사이의 무선 통신의 전자파 통신 환경의 개선에도 이용할 수 있다. 그리고 전자파 환경에 관해서는, 오피스만이 아니고, 일반 가옥, 병원, 콘서트 홀, 공장, 연구 시설, 역사, 전시장, 도로 측벽, 선박, 항공기, 컨테이너, 트럭, 창고, 물류 센터, 백화점, 주차장, 주유소, 편의점, 점포 등의 옥내외 시설 등이라도 이용할 수 있다. 각각 상정할 수 있는 환경에서의 벽, 상, 천장, 주, 패널, 광고판, 도루 제품, 궤, 파티션, 선반, 지주, 설비, 금속제 부재 등에 있어, 필요하게 되는 부분마다 이용할 수 있다. 상기의 구체적인 용도는 어디까지나 예시이고 본 발명이 이 용도로 한정되는 것이 아니라, 전자파의 흡수를 목적으로 하고 있는 모든 용도로 폭넓게 이용할 수 있다.

Claims (17)

1. 적어도１개의 모서리부가 곡선 형상인　대략적 다각형의 외곽 형상을 갖는 단수 또는 여러 종류의 도전성 패턴을 포함하는 복수개의 도전성 패턴이 서로 연결하지 않는 상태로 형성된 패턴층과 ,

   　복소비 투자율（μ’, μ”）을 갖는 자성 손실재 및 복소비 유전율（ε’, ε”）을 갖는 유전 손실재 중 적어도 어느 한편의 재료로 이루어지는 부분을 갖는 손실층이 적층되고 구성되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체.
2. 상기 모서리부에 곡선 형상으로 형성하는 부분의 치수는 편파 방향의 차이에 의한 흡수 가능한 주파수의 어긋남을 억제 가능한 치수의 범위 내에서 작은 치수로 결정되어지는 것을 특징으로 하는 청구항１에 기재된 전자파 흡수체.
3. 도전성 패턴은 면 형상의 패턴인 것을 특징으로 하는 청구항１ 또는２에 기재된 전자파 흡수체.
4. 외주 길이가 다른 도전성 패턴이 조합되고 형성되는 것을 특징으로 하는 청구항 １∼３의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
5. 모서리부의 곡률 반경이 다른 도전성 패턴이 조합되고 형성되는 것을 특징으 로 하는 청구항 １∼４의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
6. 인접하는 ２개의 도전성 패턴의 간격이 위치에 따라 다른 것을 특징으로 하는 청구항 １∼５의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
7. 도전성 패턴은 단수 또는 복수 개의 빈 구멍부분을 갖고, 그 빈 구멍부분은 흡수해야 할 주파수의 전자파에 대하여 공진하는 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 １∼６의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
8. 손실층은 ,

   　자성 손실재 및 유전 손실재 중 적어도 어느 한편의 재료로 이루어지는 전자파 흡수층과,

   　유전체 재료로 이루어지는 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 １∼７의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
9. 전자파 흡수층은, 유기 중합체 １００ 중량부에 대하여, 자성 손실 재료로서 페라이트, 철 합금, 철 입자의 군으로부터 선택된 １ 또는 다수개의 재료를 １ 중량부 이상 １５００ 중량부 이하의 배합량으로 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항８에 기재된 전자파 흡수체.
10. 유전체층의 복소 비유전율의 실부μ’가 １ 이상 ５０ 이하의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 청구항８ 또는９에 기재된 전자파 흡수체.
11. 전자파 흡수층 및 유전체층은 표면 저항률이 각각 １０^６Ω／면적 이상인 것을 특징으로 하는 청구항 ８∼１０의 하나에 기재된 전자파 흡수체.
12. 　전자파 흡수층 및 유전체층 중 적어도 어느 한편이 여러 층 적층 되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 ８∼１１의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
13. 　２. ４GHz 대의 전자파를 흡수하기 위한 전자파 흡수체이고,

    　총 두께가 ４ｍｍ 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 １∼１２의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
14. ９００MHz 대의 전자파를 흡수하기 위한 전자파 흡수체이고,

    　총 두께가 １０ｍｍ 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 １∼１２의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
15. 도전성 반사층이 , 손실층에 대하여 패턴층과 반대측에 적층되는 것을 특징으로 하는 청구항 １∼１４의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
16. 난연성 또는 불연성을 갖는 것을 특징으로 하는 청구항 １∼１５의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체.
17. 청구항 １∼１６의 어느 하나에 기재된 전자파 흡수체를 이용하는 것에 의한 전자파 흡수 방법.

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