KR20200024339A - 배플을 갖는 가스 공급 부재 - Google Patents
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Abstract
가스 공급 부재는, 제2 측부에 대향하는 제1 측부, 및 제1 측부와 제2 측부 사이에서 연장되는 제1 개구를 정의하는 내측 표면을 포함한다. 가스 공급 부재는, 제1 측부에 직교하는 제3 측부를 포함하고, 제3 측부는, 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖는 제1 연장부를 포함하고, 제1 연장부는, 제1 연장부를 통해 그 면으로 연장되는 제1 복수의 구멍들을 포함한다. 가스 공급 부재는, 제3 측부에 대향하는 제4 측부를 포함하고, 제4 측부는, 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖는 돌출부를 포함한다. 가스 공급 부재는 또한, 내측 표면에 인접하게 배치되는 배플을 포함하며, 배플은, 내측 표면으로부터 연장되는 제1 부분, 및 제1 부분에 부착되는 제2 부분을 포함하고, 제2 부분은, 제1 부분에 직교하고 제3 측부와 평행하다.
Description
본원에 설명된 실시예들은 일반적으로, 유체의 균일한 유동을 제공하는 가스 공급 부재에 관한 것이다.
기판들 상에 집적 회로들을 제조하기 위한 처리 시스템들은, 기판들을 처리 챔버 내로 운반하기 위한 로드 록 챔버를 가질 수 있다. 챔버들 사이에서의 접근은 슬릿 밸브를 통해 제공된다. 슬릿 밸브는 처리 챔버에 있는 개구를 포함하며, 그 개구를 통해 기판이 지나갈 수 있다. 일부 챔버의 측부에 있는 슬릿 밸브에 대한 실제 개구는 전형적으로, 처리 챔버의 슬릿 밸브와 일치하지 않는 일반적으로 직사각형인 구멍이다. 따라서, 슬릿 밸브 삽입부가 삽입되어 어댑터로서 작용한다. 슬릿 밸브 도어는 처리 동안 슬릿 밸브 삽입부의 개구를 덮는다. 슬릿 밸브는 가스 주입부 및 터널과 유체 연결된다. 터널은, 공정 가스들이 가스 주입부를 통해 고속으로 처리 챔버에 들어갈 때 가스 유동을 기판을 향해 지향시킨다. 가스 유동의 운동량은 증착이 발생하는 기판으로 공정 가스들을 운반한다. 가스는 가스 주입부로부터 터널로 그리고 기판을 향해 유동한다.
공정 조건들에서의 변동들은 가스 유동 경로에 그리고 그에 따라 증착 균일성에 영향을 줄 수 있다. 가스 유동 경로에 영향을 주는 하나의 그러한 공정 조건은, 슬릿 밸브의 개방 및 폐쇄 사이클들 동안 도어가 더러워지거나 오염됨에 따른 슬릿 밸브 도어의 형상에서의 변화 및/또는 슬릿 밸브 도어의 각도이다. 가스가 슬릿 밸브 도어와 접촉함에 따른 유동의 변화들은 기판 상의 증착에 영향을 미친다. 증착에서의 변동들은 균일성에 영향을 준다.
따라서, 슬릿 밸브 삽입부의 형상 또는 조건에 관계없이 균일한 가스 유동 경로를 제공할 수 있는 개선된 가스 공급 부재에 대한 필요성이 존재한다.
본원에 설명된 실시예들은 일반적으로, 유체의 균일한 유동을 제공하는 가스 공급 부재에 관한 것이다. 일 실시예에서, 가스 공급 부재는, 제1 측부, 제1 측부에 대향하는 제2 측부, 제1 개구를 정의하는 제1 내측 표면, 제1 측부에 직교하는 제3 측부, 제3 측부에 대향하는 제4 측부, 및 개구를 정의하는 내측 표면에 인접하게 배치되는 배플을 포함한다. 제1 개구는 제1 측부와 제2 측부 사이에서 연장된다. 제3 측부는 제1 연장부를 포함한다. 제1 연장부는 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖고, 제1 연장부는, 제1 연장부를 통해 그 면으로 연장되는 제1 복수의 구멍들을 포함한다. 제4 측부는 돌출부를 포함한다. 돌출부는 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖는다. 배플은, 내측 표면으로부터 연장되는 제1 부분, 및 제1 부분에 부착되는 제2 부분을 포함한다. 제2 부분은 제1 부분에 직교하고 제3 측부와 평행하다.
다른 실시예에서, 가스 공급 부재가 개시된다. 가스 공급 부재는, 제1 측부, 제1 측부에 대향하는 제2 측부, 제1 개구를 정의하는 제1 내측 표면, 제1 측부에 직교하는 제3 측부, 제3 측부에 대향하는 제4 측부, 및 개구를 정의하는 내측 표면에 인접하게 배치되는 배플을 포함한다. 제1 개구는 제1 측부와 제2 측부 사이에서 연장된다. 제3 측부는 제1 연장부를 포함한다. 제1 연장부는 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖고, 제1 연장부는, 제1 연장부를 통해 그 면으로 연장되는 제1 복수의 구멍들을 포함한다. 제4 측부는 돌출부를 포함한다. 돌출부는 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖는다. 배플은, 내측 표면으로부터 연장되는 제1 부분, 제1 부분에 부착되는 제2 부분, 및 공동을 포함한다. 제2 부분은 제1 부분에 직교하고 제3 측부와 평행하다. 공동은 제1 부분과 제1 측부 사이에 형성된다.
다른 실시예에서, 가스 공급 부재가 개시된다. 가스 공급 부재는, 제1 측부, 제1 측부에 대향하는 제2 측부, 제1 개구를 정의하는 제1 내측 표면, 제1 측부에 직교하는 제3 측부, 제3 측부에 대향하는 제4 측부, 및 개구를 정의하는 내측 표면에 인접하게 배치되는 배플을 포함한다. 제1 개구는 제1 측부와 제2 측부 사이에서 연장된다. 제3 측부는 제1 연장부를 포함한다. 제1 연장부는 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖고, 제1 연장부는, 제1 연장부를 통해 그 면으로 연장되는 제1 복수의 구멍들을 포함한다. 제4 측부는 돌출부를 포함한다. 돌출부는 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖는다. 배플은, 내측 표면으로부터 연장되는 제1 부분, 제1 부분에 부착되는 제2 부분, 및 공동을 포함한다. 제2 부분은 제1 부분에 직교하고 제3 측부와 평행하다. 공동은 제1 부분과 제2 측부 사이에 형성된다.
본 개시내용의 상기 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 유의되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1a는 본원에 설명된 일 실시예에 따른 가스 공급 부재의 정면도를 도시한다.
도 1b는 본원에 설명된 일 실시예에 따른 가스 공급 부재의 배면도를 도시한다.
도 2a 내지 도 2f는 본원에 설명된 실시예들에 따른 가스 유동 모델들을 도시한다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가적인 열거가 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
도 1a는 본원에 설명된 일 실시예에 따른 가스 공급 부재의 정면도를 도시한다.
도 1b는 본원에 설명된 일 실시예에 따른 가스 공급 부재의 배면도를 도시한다.
도 2a 내지 도 2f는 본원에 설명된 실시예들에 따른 가스 유동 모델들을 도시한다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가적인 열거가 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
본원에 설명된 실시예들은 일반적으로 가스 공급 부재에 관한 것이다. 일 실시예에서, 가스 공급 부재는, 제1 측부, 제1 측부에 대향하는 제2 측부, 개구를 정의하는 제1 내측 표면, 제1 측부에 직교하는 제3 측부, 제3 측부에 대향하는 제4 측부, 및 내측 표면에 인접한 배플을 포함한다. 개구는 제1 측부와 제2 측부 사이에서 연장된다. 제3 측부는 제1 연장부를 포함하며, 제1 연장부에는, 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면, 및 제1 연장부를 통해 그 면으로 연장되는 제1 복수의 구멍들이 있다. 제4 측부는, 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖는 돌출부를 포함한다. 배플은, 내측 표면으로 연장되는 연결 벽, 및 연결 벽에 연결되는 다이버터(diverter) 벽을 포함한다. 장벽을 제공함으로써, 배플은 공정 가스들을 더 균일하게 증착되도록 기판을 향해 지향시킨다. 일부 경우들에서, 기판은, 회전가능한 기판 지지부를 특징으로 하는 처리 챔버 내에 배치되며, 여기서, 가스는 기판에 걸쳐 유동하도록 지향된다.
도 1a는 본원에 설명된 일 실시예에 따른 가스 공급 부재(100)의 정면도를 도시한다. 일 실시예에서, 가스 공급 부재(100)는 슬릿 밸브 삽입부이다. 가스 공급 부재(100)는, 임의의 적합한 공정 또는 처리 챔버, 이를테면, 노(furnace), 온도 제어형 챔버, 또는 화학 기상 증착(CVD) 챔버 및/또는 공정에서 사용될 수 있다. 사용될 수 있는 하나의 적합한 챔버는, 캘리포니아 주 산타 클라라의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드(Applied Materials, Inc.)로부터 입수가능한 VANTAGE® RADOX™ RTP 챔버이다. 다른 적합한 챔버는, 캘리포니아 주 산타 클라라의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 또한 입수가능한 PRODUCER® CVD 챔버일 수 있다. 가스 공급 부재(100)는, 기판을 위한 통로가 내부에 형성되는 처리 챔버 내로 삽입되는 어댑터이다. 가스 공급 부재(100)는, 몸체(105)에 있는 개구(120), 개구(120)에 있는 배플(140), 몸체(105)로부터의 연장부(145), 및 오목부(155)를 갖는다.
몸체(105)는 또한, 전방 표면(150), 후방 표면(110), 최상부 표면(165), 및 최하부 표면(170)을 포함한다. 전방 표면(150)은 후방 표면(110)에 대향한다. 최상부 표면(165)은 전방 표면(150)에 직교할 수 있다. 도 1a의 구현에서, 최상부 표면(165)은 최하부 표면(170)보다 더 큰 폭을 갖는다. 다른 구현에서, 최상부 표면(165)은 최하부 표면(170)보다 더 작은 폭을 가질 수 있다. 또 다른 구현에서, 최상부 표면(165)은 최하부 표면(170)과 동일한 폭을 가질 수 있다. 최하부 표면(170)은 최상부 표면(165)에 대향하고, 전방 표면(150)에 직교할 수 있다. 가스 공급 부재(100)가 처리 시스템에 설치될 때, 전방 표면(150)은 전형적으로 처리 챔버 내부와 대면한다.
개구(120)가 전방 표면(150)에 형성된다. 일부 실시예들에서, 가스 공급 부재(100)는 슬릿 밸브 삽입부이다. 그러한 실시예들에서, 개구(120)는, 슬릿 밸브 도어가 후퇴될 때 이송 챔버와 처리 챔버 사이에 있는 개구이다. 다시 말해서, 슬릿 밸브 도어가 후퇴될 때, 기판은 개구(120)를 통과하여 처리 챔버에 들어갈 수 있다. 그러한 경우들에서, 개구(120)는, 예컨대, 60 mm, 100 mm, 200 mm, 300 mm 등의 다양한 기판 크기들에 대해 만들어질 수 있다. 다른 실시예들에서, 가스 공급 부재(100)는, 슬릿 밸브와 연관되지 않은 가스 공급 도관에 있는 삽입부이다.
몸체(105)는, 둥근 모서리들 및 중앙에 위치된 함몰부(160)를 포함한다. 예컨대, 함몰부(160)는 최하부 표면(170)에 형성되며, 최하부 표면(170)에 수직인 방향으로 개구(120)를 향해 연장된다. 함몰부(160)는, 수직 갭 또는 슬릿(164)을 포함한다. 함몰부(160)는, 개구(120)에 인접한 둥근 모서리들(162, 163)을 갖는다. 둥근 모서리들(162, 163) 사이에 수직 슬릿(164)이 있다. 수직 슬릿은, 함몰부(160)로부터 개구(120)로 연장된다. 수직 슬릿(164)은, 둥근 모서리들(162, 163) 각각으로부터 거의 등거리에 배치된다. 수직 슬릿(164)은 최하부 표면(170)에 수직이다. 연장부(145)는, 함몰부(160)에 대향하게 배치될 수 있다. 연장부(145)는, 몸체(105)의 최상부 표면(165) 상에 배치된다. 연장부(145)는, 전방 표면(150)과 대면하는 각진 또는 만곡된 표면, 및 후방 표면(115)과 대면하는 각진 표면(146)을 갖는다. 연장부(145)의 기저부는, 몸체(105)의 최상부 표면(165)에 부착된다. 연장부는, 기저부에 대향하는 가장자리(147)를 포함한다. 기저부에서의 연장부(145)의 두께는 가장자리(147)에서의 두께보다 더 크다. 연장부(145)는 복수의 구멍들(130)을 포함한다. 구멍들(130)은, 도 1b에 예시된 바와 같이, 후방 표면(110)으로 연장된다.
오목부(155)는, 몸체(105)의 최상부 표면(165) 상의 연장부(145)에 인접하게 있다. 오목부(155)는 세장형(elongated) 함몰부(156)를 포함한다. 세장형 함몰부(156)의 최하부에 복수의 구멍들(158)이 있다. 동작 시, 공정 가스는, 함몰부(156)와 맞물린 가스 주입부(도시되지 않음)로부터 복수의 구멍들(158)을 통과한다. 세장형 함몰부(156)는 최상부 표면(165)의 길이를 따라 연장된다. 복수의 구멍들(158)은 배플(140)과 유체 연통한다. 배플(140)은 개구(120)에 인접하게 배치된다. 배플(140)은 가스 공급 부재(100)의 길이를 연장한다. 일 구현에서, 배플(140)의 일부분은 가스 공급 부재(100)의 최상부 표면(165)으로부터 아래로 연장된다. 그 부분은 도 1에서 보이지 않지만, 아래에 추가로 설명되는 도 2a 내지 도 2f에서 개략적으로 도시된다. 다시 말해서, 배플(140)은 최상부 표면(165)과 개구(120) 사이에 배치된다. 동작 시, 배플은, 도 2a에 예시된 바와 같이, 가스 유입구 및 터널과 유체 연결된다. 배플(140)은, 터널 내로 연장되는 쉘프(shelf)일 수 있다. 배플(140)은, 최상부 표면(165)에 직교하게 연장되는, 연결 벽일 수 있는 제1 부분, 및 다이버터 벽일 수 있는 제2 부분을 포함한다. 제2 부분은 제1 부분에 연결되고, 가스 공급 부재(100)의 최상부 표면(165)과 평행하게 연장된다. 동작 시, 가스는 가스 유입구로부터 터널로 유동하고, 터널에 배치된 배플(140)은 기판에 도달하기 전에 가스 속도 및 운동량에서의 브레이크를 제공한다. 구체적으로, 가스는 유입구로부터 유동하여 배플(140)의 제2 부분과 접촉한다. 배플은 가스 유동을 한 방향으로, 즉, 슬릿 밸브 도어를 향해 지향시킨다. 배플(140)은 가스 유입구와 터널 사이의 장벽이다.
도 1b는 본원에 설명된 일 실시예에 따른 가스 공급 부재(100)의 배면도를 도시한다. 개구(120)는, 도 1a에 도시된 개구들(158)을 은닉시키는 배플(140)을 노출시킨다. 가스 공급 부재(100)의 후방 표면(110)은 일단 삽입되면 이송 챔버의 내부와 대면한다. 후방 각진 표면(115)은 하향 각도로 이송 챔버의 내부 쪽과 대면하고, 슬릿 밸브 도어가 처리 챔버의 바닥으로부터 비스듬히 밀어 올려지고 후방 각진 표면(115)과 기밀 밀봉을 형성하여 슬릿 밸브를 폐쇄할 수 있는 슬릿 밸브 도어 시트를 형성한다. 후방 경사진 표면(125)은, 슬릿 밸브 도어가 후방 각진 표면(115)과 접촉할 수 있도록 하향으로 경사진다. 후방 경사진 표면(125) 및 후방 각진 표면(115)은 몸체(105)로부터 외측으로 돌출되어 예각을 형성한다. 후방 경사진 표면(125)은 수직 표면(135)에 인접하게 있다. 후방 각진 표면(115)은, 가스 공급 부재(100)의 최상부 표면(165)에 인접하게 배치되는 복수의 구멍들(130)을 갖는다. 수직 표면(135)은, 가스 공급 부재(100)의 최하부 표면(170) 근처에 복수의 구멍들(132)을 갖는다. 가스 공급 부재(100)는, 구멍들(130, 132)을 통해 체결구들(예컨대, 나사들 또는 볼트들)을 이용하여 처리 챔버에 부착된다. 최하부 표면(170)은 수직 쉘프(172)를 포함한다. 복수의 구멍들(132)은 수직 쉘프(172)에 배치된다. 가스 공급 부재(100)가 슬릿 밸브와 연관되지 않은 경우들에서, 가스 공급 부재(100)의 후방 표면(110)은 가스 공급 소스 또는 처리 시스템의 외부 표면과 대면할 수 있다.
도 2a 내지 도 2f는 본원에 설명된 실시예들에 따른 가스 유동 특징들의 개략도들이다. 각각의 경우에서, 가스 유동 도관(200)이 도시된다. 가스 유동 도관(200)(도 1a 또는 도 2a에 도시되지 않음)은, 가스 유동 도관(200)으로부터 그에 그리고 그 사이에 제공되는 터널(206)(이를테면, 도 1a 및 도 1b에 도시된 개구(120))로의 가스 유동을 제공하는 가스 유입구(204)(이를테면, 도 1a에 도시된 복수의 구멍들(158))에 결합된다. 터널(206)은, 가스 유입구(204)에 인접하게 터널(206) 내로 돌출되는 하나 이상의 배플(240, 250, 260, 270, 280, 및 290)(도 2a 내지 도 2f에 각각 도시됨)을 특징으로 한다. 터널(206)은 공정 가스를 처리 챔버(도시되지 않음) 내에 배치된 기판으로 지향시킨다.
터널(206)은, 처리 챔버에 근접한 제1 단부(208), 및 제1 단부(208)에 대향하는 제2 단부(210)를 갖는다. 도 2a의 구현에서, 배플(240)은, 터널(206)의 벽(205)과 함께, 슬릿 밸브 도어 또는 후방 표면을 향한, 제1 단부(208) 쪽과 대면하는 개구(246)를 정의한다. 벽(205)은 터널(206)의 내측 표면(212)을 정의한다. 배플(240)은, 제1 부분(242), 및 제1 부분(242)에 직교하는 제2 부분(244)을 갖는다. 제1 부분(242) 및 제2 부분(244)은, 가스 유입구(204)의 바로 맞은편에서 터널(206) 내로 연장된다. 제1 부분(242)은 벽(205)에 부착되고, 벽(205)으로부터 터널(206) 내로 연장된다. 제2 부분(244)은 제1 부분(242)의 원단부에서 그에 부착되고, 도 2a의 실시예에서, 터널(206)의 제1 단부(208)를 향해 터널(206)을 따라 연장된다.
가스가 가스 유입구(204)로부터 들어감에 따라, 가스는 배플(240)과 접촉한다. 가스의 일부분은 배플(240)의 제1 부분(242)을 향해 유동할 수 있다. 그러나, 배플이 하나의 개구(246)를 가지므로, 가스는 배플(240)과 접촉하고, 혼합된 다음, 개구(246)를 통해 제1 단부(208)를 향해 계속 유동한다. 슬릿 밸브 도어(도시되지 않음)의 교차점으로 형성된 제1 단부(208)에 충돌한 후, 가스는 터널(206)의 제2 단부(210)를 향해 그리고 터널(206)을 넘어 기판을 향해 계속된다. 터널(206)은 증착을 위해 가스의 유동을 기판으로 지향시킨다. 장벽을 제공함으로써, 배플(240)은 터널에 걸쳐 더 균일하고 일관된 유동 속도를 제공하고, 공정 가스들이 혼합될 더 작은 영역을 제공하고, 공정 가스들을 터널(206)을 향해 지향시키고, 공정 가스들의 더 균일한 증착을 제공한다. 개선된 증착 균일성은 또한 증착률에 유익한 영향을 줄 수 있는데, 그 이유는, 유동 불균일성들을 초래함이 없이 더 높은 가스 유량이 사용될 수 있기 ?문이다.
가스가 가스 유입구(204)로부터 들어감에 따라, 가스는 배플(260)과 접촉한다. 가스의 일부분은 배플(260)의 제1 부분(262)을 향해 유동할 수 있다. 그러나, 배플이 하나의 개구(266)를 가지므로, 가스는 배플(260)과 접촉하고, 혼합되기 시작한 다음, 개구(266)를 향해 계속 유동하고, 제1 단부(208)에 충돌한 후, 가스는 터널(206)을 향해 유동한다. 터널(206)은 증착을 위해 가스의 유동을 기판으로 지향시킨다.
다른 구현에서, 배플(260)은 텍스처링된 표면을 포함할 수 있다. 일 구현에서, 제2 부분(264)이 텍스처링될 수 있다. 다른 구현에서, 제3 부분(268), 제2 부분(264), 및 제1 부분(262)이 텍스처링될 수 있다. 텍스처링된 표면은, 약 25 미크론 내지 약 100 미크론의 작은 돌기들을 포함할 수 있다. 작은 돌기들은 크기 및 형상이 균일할 수 있거나, 무작위로 또는 임의의 패턴에 따라 변할 수 있다. 작은 돌기들은, 원형, 정사각형, 직사각형, 또는 임의의 다른 기하학적 형상일 수 있다. 동작 시, 가스 유동이 제2 부분(264)과 접촉함에 따라, 작은 돌기들은 제2 부분(264)을 따른 가스의 분산을 증가시킬 수 있다.
도 2b의 구현에서, 배플(250)은, 처리 챔버와 대면하는 개구(256)를 갖는다. 배플(250)은, 벽(205)에 연결되고 벽(205)으로부터 터널(206) 내로 연장되는 제1 부분(252), 및 제1 부분(252)의 원단부에서 그에 부착되고 가스 유입구(204)의 바로 맞은편에서 터널(206)을 따라 제1 부분(252)에 직교하게 연장되는 제2 부분(254)을 갖는다. 제2 부분(254)은, 도 2b의 실시예에서, 터널(206)의 제2 단부(210)를 향해 연장된다.
가스가 가스 유입구(204)로부터 들어감에 따라, 가스는 배플(250)과 접촉한다. 가스의 일부분은 배플(250)의 제1 부분(252)을 향해 유동할 수 있다. 제1 부분(252)은 슬릿 밸브 도어에 인접하게 있을 수 있다. 다시 말해서, 개구(256)는, 가스 공급 부재의 전방 표면 쪽과 대면한다. 그러나, 배플이 하나의 개구(256)를 가지므로, 가스들은 배플(250)과 접촉하고, 혼합되기 시작한 다음, 개구(256)를 통해 터널(206)을 향해 계속 유동한다. 터널(206)은 증착을 위해 가스의 유동을 기판으로 지향시킨다. 배플(250)은, 증착 균일성 및 증착률에서 배플(240)과 유사한 이점들을 갖는다.
도 2c의 구현에서, 배플(260)은, 도 2a의 구현과 유사하게, 슬릿 밸브 도어 또는 후방 표면과 대면하는 개구(266)를 갖는다. 배플(260)은, 벽(205)에 부착되는 제1 부분(262), 제2 부분(264), 및 제3 부분(268)을 갖는다. 제2 부분(264)은 제1 부분(262)에 직교하고, 가스 유입구(204)의 바로 맞은편에서 터널(206) 내로 연장된다. 제3 부분(268)은, 립, 작은 돌기, 원형 범프, 또는 임의의 형상의 연장부일 수 있다. 제3 부분(268)은 제1 부분(262)과 평행할 수 있다. 제3 부분(268)은, 제2 부분(264)의 원단부로부터 벽(205)을 향해 연장된다. 제3 부분(268)은 임의의 각도로 제2 부분(264)으로부터 연장될 수 있다. 일 구현에서, 제3 부분(268)은 90 도보다 큰 각도로 제2 부분(264)으로부터 연장된다. 다른 구현에서, 제3 부분(268)은 만곡된다. 제3 부분(268)은, 개구(266)에 인접하게 있는 것으로 도 2c에 도시된다. 다른 구현에서, 제3 부분(268)은 제2 부분(264) 상의 임의의 곳에 배치될 수 있다. 예컨대, 제3 부분(268)은 제2 부분(264)의 중간에 배치될 수 있다. 다른 구현에서, 제3 부분(268)은 가스 유입구(204)와 개구(266) 사이에 배치될 수 있다. 또 다른 구현에서, 제3 부분(268)은 가스 유입구(204)와 제1 부분(262) 사이에 배치될 수 있다.
도 2d의 구현에서, 배플(270)은, 도 2a의 배플(240)과 실질적으로 유사하다. 제2 부분(274)은, 터널(206)의 내측 표면(212) 상에 배치되고 터널(206) 내로 연장되는 연장부(278)에 대향한다. 연장부(278)는, 정사각형, 원형, 직사각형, 삼각형, 또는 임의의 다른 기하학적 형상일 수 있다. 도 2d의 구현에서, 연장부(278)는 단일 조각이다. 연장부(278)는 터널(206)의 일부로서 3D 프린팅 또는 기계가공될 수 있거나, 터널(206)에 부착된 별개의 조각일 수 있다. 다른 구현에서, 도 2e에 예시된 바와 같이, 하나 초과의 연장부(278)가 사용될 수 있다. 예컨대, 터널(206)의 내측 표면(212)으로부터의 2개의 돌기로서 2개의 연장부(278)가 형성될 수 있다. 2개 초과의 돌기들이 도 2e에 예시된 바와 같이 터널(206)의 내측 표면(212) 상에 배치될 수 있다. 연장부(278)는 텍스처링된 표면을 가질 수 있다. 일 구현에서, 연장부(278)는, 터널(206)의 제1 단부(208)와 배플(270) 사이에 배치될 수 있다. 다른 구현에서, 연장부(278)는 배플(270)과 중첩될 수 있다. 연장부(278)는, 터널(206)의 내측 표면(212)을 따라 배치될 수 있다.
도 2e의 구현에서, 배플(280)은, 립(288), 및 립(288)에 인접한 돌기(289)를 포함한다. 돌기(289)는, 배플(280)의 제2 부분(284)에 부착된 별개의 조각일 수 있다. 돌기(289)는 또한, 배플(280)의 하나의 연속적인 조각으로서 기계가공 또는 3D 프린팅될 수 있다. 돌기(289)는, 정사각형, 원형, 직사각형, 삼각형, 또는 임의의 다른 기하학적 형상일 수 있다. 도 2e의 구현에서, 단일 돌기(289)가 도시된다. 다른 구현에서, 배플(280)의 제2 부분(284)은 하나 초과의 돌기(289)를 포함할 수 있다. 도 2f의 구현에서, 2개의 돌기(289)가 도시된다. 배플(290)은, 하나 내지 20개의 돌기를 포함할 수 있다. 각각의 돌기(289)는 또한, 텍스처링된 표면을 포함할 수 있다. 돌기들(289)은, 배플(290)의 제2 돌기(294)를 따라 임의의 곳에 이격될 수 있다. 예컨대, 제1 돌기(289)는 배플(290)의 제1 부분에 인접하게 있을 수 있는 한편, 제2 돌기(289)는 터널(206)의 제1 단부(208)에 인접하게 있을 수 있다. 도 2e의 구현에서, 돌기(289), 립(288), 및 연장부(278)는, 돌기(289) 및 립(288)이 배플의 제2 부분(284) 상에 배치되고 연장부(278)가 터널(206)의 내측 표면(212) 상에 배치되는 톱니형 구성을 형성한다. 다시 말해서, 립(288)은 제1 연장부(278)와 제2 연장부(278) 사이에 배치된다. 임의의 수의 연장부(278) 및 돌기(289)가 터널(206)의 내측 표면(212) 및 배플(280) 상에 각각 포함될 수 있다.
장벽을 제공함으로써, 배플은 터널에 걸쳐 더 균일하고 일관된 유동 속도를 제공하고, 공정 가스들이 혼합될 더 작은 영역을 제공하고, 공정 가스들을 터널을 향해 지향시키고, 공정 가스들의 더 균일한 증착을 제공한다.
전술한 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 가스 공급 부재로서,
제1 측부;
상기 제1 측부에 대향하는 제2 측부;
제1 개구를 정의하는 내측 표면 ― 상기 제1 개구는 상기 제1 측부와 상기 제2 측부 사이에서 연장됨 ―;
상기 제1 측부에 직교하는 제3 측부 ― 상기 제3 측부는 제1 연장부를 포함하고, 상기 제1 연장부는, 상기 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖고, 상기 제1 연장부를 통해 상기 면으로 연장되는 제1 복수의 구멍들을 포함함 ―;
상기 제3 측부에 대향하는 제4 측부 ― 상기 제4 측부는 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부는 상기 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 가짐 ―; 및
상기 내측 표면에 인접하게 배치되는 배플을 포함하며,
상기 배플은,
상기 내측 표면으로부터 연장되는 제1 부분, 및
상기 제1 부분에 부착되는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분에 직교하고 상기 제3 측부와 평행한, 가스 공급 부재. - 제1항에 있어서,
상기 제2 측부를 부분적으로 정의하는, 상기 제3 측부로부터 상기 제1 개구 아래로 연장되는 제1 각진 표면을 더 포함하는, 가스 공급 부재. - 제1항에 있어서,
상기 제2 측부를 부분적으로 정의하는, 상기 돌출부의 면으로부터 상기 제1 개구를 향해 연장되는 제2 각진 표면을 더 포함하는, 가스 공급 부재. - 제3항에 있어서,
제1 각진 표면과 상기 제2 각진 표면 사이의 연결 표면을 더 포함하는, 가스 공급 부재. - 제3항에 있어서,
상기 제4 측부에 형성되고 상기 제3 측부에 수직인 함몰부를 더 포함하며, 상기 함몰부는 제1 둥근 모서리 및 제2 둥근 모서리를 포함하는, 가스 공급 부재. - 제3항에 있어서,
상기 제1 복수의 구멍들 각각은 제1 각진 표면을 통해 연장되는, 가스 공급 부재. - 제1항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 제2 측부로 연장되는 제2 복수의 구멍들을 갖는, 가스 공급 부재. - 가스 공급 부재로서,
제1 측부;
상기 제1 측부에 대향하는 제2 측부;
제1 개구를 정의하는 내측 표면 ― 상기 제1 개구는 상기 제1 측부와 상기 제2 측부 사이에서 연장됨 ―;
상기 제1 측부에 직교하는 제3 측부 ― 상기 제3 측부는 제1 연장부를 포함하고, 상기 제1 연장부는, 상기 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 갖고, 상기 제1 연장부를 통해 상기 면으로 연장되는 제1 복수의 구멍들을 포함함 ―;
상기 제3 측부에 대향하는 제4 측부 ― 상기 제4 측부는 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부는 상기 제2 측부를 부분적으로 정의하는 면을 가짐 ―; 및
상기 내측 표면에 인접하게 배치되는 배플을 포함하며,
상기 배플은,
상기 내측 표면으로부터 연장되는 제1 부분,
상기 제1 부분에 부착되는 제2 부분 ― 상기 제2 부분은 상기 제1 부분에 직교하고 상기 제3 측부와 평행함 ―, 및
상기 제1 부분과 상기 제1 측부 사이에 형성되는 공동을 포함하는, 가스 공급 부재. - 제8항에 있어서,
상기 제2 부분 상에 배치되는 립을 더 포함하는, 가스 공급 부재. - 제8항에 있어서,
함몰부를 더 포함하며, 상기 함몰부는 상기 제4 측부에 형성되고, 상기 함몰부는 상기 제3 측부에 수직이고, 상기 함몰부는 제1 둥근 모서리 및 제2 둥근 모서리를 포함하는, 가스 공급 부재. - 제10항에 있어서,
상기 제1 측부는 슬릿을 더 포함하며, 상기 슬릿은 상기 제1 둥근 모서리와 상기 제2 둥근 모서리 사이에 배치되는, 가스 공급 부재. - 제9항에 있어서,
상기 제2 측부를 부분적으로 정의하는, 상기 제3 측부로부터 상기 제1 개구 아래로 연장되는 제1 각진 표면을 더 포함하는, 가스 공급 부재. - 제9항에 있어서,
상기 제2 측부를 부분적으로 정의하는, 상기 돌출부의 면으로부터 상기 제1 개구를 향해 연장되는 제2 각진 표면을 더 포함하는, 가스 공급 부재. - 제13항에 있어서,
연결 표면을 더 포함하며, 상기 연결 표면은, 제1 각진 표면과 상기 제2 각진 표면 사이에 있는, 가스 공급 부재. - 제13항에 있어서,
상기 제1 복수의 구멍들 각각은 제1 각진 표면을 통해 연장되는, 가스 공급 부재.
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EP3980576A4 (en) * | 2019-06-06 | 2023-06-21 | Picosun Oy | SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS |
US20220154338A1 (en) * | 2020-11-13 | 2022-05-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and system for delivering gas to a process chamber |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010021746A (ko) * | 1997-07-11 | 2001-03-15 | 조셉 제이. 스위니 | 진공 처리 장치용 두 부품의 슬릿 밸브 삽입부재 |
US20080168947A1 (en) * | 2000-08-22 | 2008-07-17 | Novellus Systems, Inc. | Gas-purged vacuum valve |
KR20080105951A (ko) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 슬릿 밸브 |
KR20150108755A (ko) * | 2014-03-18 | 2015-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 시스템, 가스 분배 시스템을 포함한 리액터, 및 가스 분배 시스템 및 리액터를 이용하는 방법들 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6452230U (ko) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | ||
EP0453867B1 (en) | 1990-04-20 | 1994-08-10 | Applied Materials, Inc. | Slit valve apparatus and method |
US5997588A (en) | 1995-10-13 | 1999-12-07 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Semiconductor processing system with gas curtain |
US5888591A (en) | 1996-05-06 | 1999-03-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymer thin films |
US6089543A (en) * | 1997-07-11 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Two-piece slit valve door with molded-in-place seal for a vacuum processing system |
US6093655A (en) | 1998-02-12 | 2000-07-25 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching methods |
US6056267A (en) | 1998-05-19 | 2000-05-02 | Applied Materials, Inc. | Isolation valve with extended seal life |
US6010967A (en) | 1998-05-22 | 2000-01-04 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching methods |
US20020033183A1 (en) | 1999-05-29 | 2002-03-21 | Sheng Sun | Method and apparatus for enhanced chamber cleaning |
DE60035948T2 (de) | 1999-06-19 | 2008-05-15 | Asm Genitech Korea Ltd. | Chemischer abscheidungsreaktor und dessen verwendung für die abscheidung eines dünnen films |
US6800172B2 (en) | 2002-02-22 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor |
US7431772B2 (en) * | 2004-03-09 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Gas distributor having directed gas flow and cleaning method |
JP4600820B2 (ja) | 2004-04-27 | 2010-12-22 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置 |
JP5257424B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2013-08-07 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置 |
KR100886674B1 (ko) * | 2004-08-02 | 2009-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 챔버 도어용 플로팅 밀폐부를 제공하기 위한 방법 및 장치 |
KR100747735B1 (ko) * | 2005-05-13 | 2007-08-09 | 주식회사 테스 | 반도체 제조 장치 |
KR100703650B1 (ko) | 2005-11-30 | 2007-04-06 | 주식회사 아이피에스 | 박막증착장치 |
US7655543B2 (en) | 2007-12-21 | 2010-02-02 | Asm America, Inc. | Separate injection of reactive species in selective formation of films |
US8377213B2 (en) * | 2008-05-05 | 2013-02-19 | Applied Materials, Inc. | Slit valve having increased flow uniformity |
US20120152900A1 (en) | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers |
US9111980B2 (en) | 2012-09-04 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas exhaust for high volume, low cost system for epitaxial silicon deposition |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US20140099794A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Applied Materials, Inc. | Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways |
JP2014074190A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
WO2014105819A1 (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Sputtering Components, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition (pecvd) source |
US9435025B2 (en) * | 2013-09-25 | 2016-09-06 | Applied Materials, Inc. | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
JP6452230B2 (ja) | 2014-09-29 | 2019-01-16 | ダイハツ工業株式会社 | 塗装ブース装置 |
KR102585595B1 (ko) | 2017-07-31 | 2023-10-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 배플을 갖는 가스 공급 부재 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010021746A (ko) * | 1997-07-11 | 2001-03-15 | 조셉 제이. 스위니 | 진공 처리 장치용 두 부품의 슬릿 밸브 삽입부재 |
US20080168947A1 (en) * | 2000-08-22 | 2008-07-17 | Novellus Systems, Inc. | Gas-purged vacuum valve |
KR20080105951A (ko) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 슬릿 밸브 |
KR20150108755A (ko) * | 2014-03-18 | 2015-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 시스템, 가스 분배 시스템을 포함한 리액터, 및 가스 분배 시스템 및 리액터를 이용하는 방법들 |
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