JP2022000901A - バッフルを有するガス供給部材 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本願は以下に記載する態様を含む。
(態様1)
ガス供給部材であって、
第1の側面と、
前記第1の側面の反対の第2の側面と、
第1の開口部を画定する内面であって、前記第1の開口部は前記第1の側面と前記第2の側面との間に延在する、内面と、
前記第1の側面に直交する第3の側面であって、
前記第2の側面を部分的に画定する面を有する第1の延在部であって、前記第1の延在部を通って前記面に延在する第1の複数の孔を含む、第1の延在部
を含む第3の側面と、
前記第3の側面の反対の第4の側面であって、
前記第2の側面を部分的に画定する面を有する突出部
を含む第4の側面と、
前記内面に隣接して配置されたバッフルであって、
前記内面から延在する第1の部分と、
前記第1の部分に取り付けられた第2の部分であって、前記第1の部分に直交し、前記第3の側面に平行する、第2の部分と
を含むバッフルと
を備える、ガス供給部材。
(態様2)
前記第3の側面から前記第1の開口部の下に延在し、前記第2の側面を部分的に画定する第1の角面を更に備える、態様1に記載のガス供給部材。
(態様3)
前記突出部の面から前記第1の開口部の方に延在し、前記第2の側面を部分的に画定する第2の角面を更に備える、態様1に記載のガス供給部材。
(態様4)
第1の角面と前記第2の角面との間に接続面を更に備える、態様3に記載のガス供給部材。
(態様5)
前記第4の側面に形成され且つ前記第3の側面に対して直角の凹部を更に備え、前記凹部は第1の丸い角と第2の丸い角とを含む、態様3に記載のガス供給部材。
(態様6)
前記第1の複数の孔は各々、第1の角面を通って延在する、態様3に記載のガス供給部材。
(態様7)
前記突出部は前記第2の側面に延在する第2の複数の孔を有する、態様1に記載のガス供給部材。
(態様8)
ガス供給部材であって、
第1の側面と、
前記第1の側面の反対の第2の側面と、
第1の開口部を画定する内面であって、前記第1の開口部は前記第1の側面と前記第2の側面との間に延在する、内面と、
前記第1の側面に直交する第3の側面であって、
前記第2の側面を部分的に画定する面を有する第1の延在部であって、前記第1の延在部を通って前記面に延在する第1の複数の孔を含む、第1の延在部
を含む第3の側面と、
前記第3の側面の反対の第4の側面であって、
前記第2の側面を部分的に画定する面を有する突出部
を含む第4の側面と、
前記内面に隣接して配置されたバッフルであって、
前記内面から延在する第1の部分と、
前記第1の部分に取り付けられた第2の部分であって、前記第1の部分に直交し且つ前記第3の側面に平行する、第2の部分と、
前記第1の部分と前記第1の側面との間に形成された空洞と
を含むバッフルと
を備える、ガス供給部材。
(態様9)
前記第2の部分に配置された縁部を更に備える、態様8に記載のガス供給部材。
(態様10)
凹部を更に備え、前記凹部は前記第4の側面に形成され、前記凹部は前記第3の側面に対して直角であり且つ第1の丸い角と第2の丸い角とを含む、態様8に記載のガス供給部材。
(態様11)
前記第1の側面はスリットを更に含み、前記スリットは前記第1の丸い角と前記第2の丸い角との間に配置されている、態様10に記載のガス供給部材。
(態様12)
前記第3の側面から前記第1の開口部の下に延在し、前記第2の側面を部分的に画定する第1の角面を更に備える、態様9に記載のガス供給部材。
(態様13)
前記突出部の面から前記第1の開口部の方に延在し、前記第2の側面を部分的に画定する第2の角面を更に備える、態様9に記載のガス供給部材。
(態様14)
接続面を更に備え、前記接続面は第1の角面と前記第2の角面との間にある、態様13に記載のガス供給部材。
(態様15)
前記第1の複数の孔は各々、第1の角面を通って延在する、態様13に記載のガス供給部材。
Claims (15)
- ガス供給部材であって、
第1の側面と、
前記第1の側面の反対の第2の側面と、
第1の開口部を画定する内面であって、前記第1の開口部は前記第1の側面と前記第2の側面との間に延在する、内面と、
前記第1の側面に直交する第3の側面であって、
前記第2の側面を部分的に画定する面を有する第1の延在部であって、前記第1の延在部を通って前記面に延在する第1の複数の孔を含む、第1の延在部
を含む第3の側面と、
前記第3の側面の反対の第4の側面であって、
前記第2の側面を部分的に画定する面を有する突出部
を含む第4の側面と、
前記内面に隣接して配置されたバッフルであって、
前記内面から延在する第1の部分と、
前記第1の部分に取り付けられた第2の部分であって、前記第1の部分に直交し、前記第3の側面に平行する、第2の部分と
を含むバッフルと
を備える、ガス供給部材。 - 前記第3の側面から前記第1の開口部の下に延在し、前記第2の側面を部分的に画定する第1の角面を更に備える、請求項1に記載のガス供給部材。
- 前記突出部の面から前記第1の開口部の方に延在し、前記第2の側面を部分的に画定する第2の角面を更に備える、請求項1に記載のガス供給部材。
- 第1の角面と前記第2の角面との間に接続面を更に備える、請求項3に記載のガス供給部材。
- 前記第4の側面に形成され且つ前記第3の側面に対して直角の凹部を更に備え、前記凹部は第1の丸い角と第2の丸い角とを含む、請求項3に記載のガス供給部材。
- 前記第1の複数の孔は各々、第1の角面を通って延在する、請求項3に記載のガス供給部材。
- 前記突出部は前記第2の側面に延在する第2の複数の孔を有する、請求項1に記載のガス供給部材。
- ガス供給部材であって、
第1の側面と、
前記第1の側面の反対の第2の側面と、
第1の開口部を画定する内面であって、前記第1の開口部は前記第1の側面と前記第2の側面との間に延在する、内面と、
前記第1の側面に直交する第3の側面であって、
前記第2の側面を部分的に画定する面を有する第1の延在部であって、前記第1の延在部を通って前記面に延在する第1の複数の孔を含む、第1の延在部
を含む第3の側面と、
前記第3の側面の反対の第4の側面であって、
前記第2の側面を部分的に画定する面を有する突出部
を含む第4の側面と、
前記内面に隣接して配置されたバッフルであって、
前記内面から延在する第1の部分と、
前記第1の部分に取り付けられた第2の部分であって、前記第1の部分に直交し且つ前記第3の側面に平行する、第2の部分と、
前記第1の部分と前記第1の側面との間に形成された空洞と
を含むバッフルと
を備える、ガス供給部材。 - 前記第2の部分に配置された縁部を更に備える、請求項8に記載のガス供給部材。
- 凹部を更に備え、前記凹部は前記第4の側面に形成され、前記凹部は前記第3の側面に対して直角であり且つ第1の丸い角と第2の丸い角とを含む、請求項8に記載のガス供給部材。
- 前記第1の側面はスリットを更に含み、前記スリットは前記第1の丸い角と前記第2の丸い角との間に配置されている、請求項10に記載のガス供給部材。
- 前記第3の側面から前記第1の開口部の下に延在し、前記第2の側面を部分的に画定する第1の角面を更に備える、請求項9に記載のガス供給部材。
- 前記突出部の面から前記第1の開口部の方に延在し、前記第2の側面を部分的に画定する第2の角面を更に備える、請求項9に記載のガス供給部材。
- 接続面を更に備え、前記接続面は第1の角面と前記第2の角面との間にある、請求項13に記載のガス供給部材。
- 前記第1の複数の孔は各々、第1の角面を通って延在する、請求項13に記載のガス供給部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021142485A JP7236512B2 (ja) | 2017-07-31 | 2021-09-01 | バッフルを有するガス供給部材 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IN201741027099 | 2017-07-31 | ||
JP2020504012A JP6938761B2 (ja) | 2017-07-31 | 2018-07-30 | バッフルを有するガス供給部材 |
JP2021142485A JP7236512B2 (ja) | 2017-07-31 | 2021-09-01 | バッフルを有するガス供給部材 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020504012A Division JP6938761B2 (ja) | 2017-07-31 | 2018-07-30 | バッフルを有するガス供給部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022000901A true JP2022000901A (ja) | 2022-01-04 |
JP7236512B2 JP7236512B2 (ja) | 2023-03-09 |
Family
ID=65138136
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020504012A Active JP6938761B2 (ja) | 2017-07-31 | 2018-07-30 | バッフルを有するガス供給部材 |
JP2021142485A Active JP7236512B2 (ja) | 2017-07-31 | 2021-09-01 | バッフルを有するガス供給部材 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020504012A Active JP6938761B2 (ja) | 2017-07-31 | 2018-07-30 | バッフルを有するガス供給部材 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11124878B2 (ja) |
JP (2) | JP6938761B2 (ja) |
KR (3) | KR102585595B1 (ja) |
TW (2) | TWI758521B (ja) |
WO (1) | WO2019027863A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102585595B1 (ko) | 2017-07-31 | 2023-10-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 배플을 갖는 가스 공급 부재 |
EP3980576A4 (en) * | 2019-06-06 | 2023-06-21 | Picosun Oy | SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS |
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KR102585595B1 (ko) | 2017-07-31 | 2023-10-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 배플을 갖는 가스 공급 부재 |
-
2018
- 2018-07-30 KR KR1020227029184A patent/KR102585595B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-30 WO PCT/US2018/044293 patent/WO2019027863A1/en active Application Filing
- 2018-07-30 US US16/049,239 patent/US11124878B2/en active Active
- 2018-07-30 KR KR1020217042055A patent/KR102437093B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-30 JP JP2020504012A patent/JP6938761B2/ja active Active
- 2018-07-30 KR KR1020207005641A patent/KR102343757B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-31 TW TW107126430A patent/TWI758521B/zh active
- 2018-07-31 TW TW111104449A patent/TWI801125B/zh active
-
2021
- 2021-05-11 US US17/317,418 patent/US11885021B2/en active Active
- 2021-09-01 JP JP2021142485A patent/JP7236512B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI758521B (zh) | 2022-03-21 |
KR102437093B1 (ko) | 2022-08-26 |
KR20210158872A (ko) | 2021-12-31 |
KR102343757B1 (ko) | 2021-12-27 |
TWI801125B (zh) | 2023-05-01 |
TW201910550A (zh) | 2019-03-16 |
US20210262093A1 (en) | 2021-08-26 |
TW202219316A (zh) | 2022-05-16 |
JP6938761B2 (ja) | 2021-09-22 |
US20190032216A1 (en) | 2019-01-31 |
US11885021B2 (en) | 2024-01-30 |
JP2020529727A (ja) | 2020-10-08 |
WO2019027863A1 (en) | 2019-02-07 |
US11124878B2 (en) | 2021-09-21 |
JP7236512B2 (ja) | 2023-03-09 |
KR102585595B1 (ko) | 2023-10-10 |
KR20200024339A (ko) | 2020-03-06 |
KR20220123146A (ko) | 2022-09-05 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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