KR20200022456A - 발광을 이용해서 전력 전자 컴포넌트의 냉각 경로의 열적 열화를 측정하기 위한 장치 - Google Patents

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요나탄 빙클러
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로베르트 보쉬 게엠베하
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Abstract

본 발명은, 하나 이상의 스위칭 반도체 컴포넌트(100); 반도체 컴포넌트(100)를 냉각하기 위한 냉각 경로; 및 미리 결정된 전류 세기로 컴포넌트를 관류하는 전류를 토대로 냉각 경로의 열화를 결정하기 위한 장치(200);를 포함하는 전기 에너지 변환 장치(10)에 관한 것이다. 이 장치(10)는, 미리 결정된 전류 세기를 갖는 전류에 의해 반도체 컴포넌트(100)가 관류될 때, 반도체 컴포넌트(100)가 이 반도체 컴포넌트의 온도에 좌우되는 휘도를 갖는 광을 발생시키는 광학 활성 반도체 재료를 포함하며, 열화를 결정하기 위한 장치(200)는 발생한 광의 휘도를 검출하기 위한 휘도 센서(210)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본원 장치는, 열화를 결정하기 위한 장치와 컴포넌트가 본질적으로 갈바니 전기적으로 절연되어 있고, 고해상도로 열화를 결정할 수 있다는 장점이 있다.

Description

발광을 이용해서 전력 전자 컴포넌트의 냉각 경로의 열적 열화를 측정하기 위한 장치
본 발명은, 전기 에너지를 변환하기 위한 장치 및 발광을 이용해서 냉각 경로의 열화를 결정하기 위한 방법에 관한 것이다.
많은 전력 전자 장치에서는, 스위칭 반도체 컴포넌트가 에너지 변환의 목적으로 사용된다. 이 경우, 컴포넌트는 냉각 경로를 사용해서 냉각된다. 이와 같은 장치의 사용 분야는, 예를 들어 전기차, 태양광 설비 또는 풍력 설비에서 전력 제어 유닛으로서의 사용, 인버터로서의 사용 또는 직류 변압기(DC/DC 컨버터)로서의 사용을 포함한다. 이때, 컴포넌트의 올바른 기능을 위해서는 올바르게 기능하는 냉각 경로가 필요하다. 이 경우, 여러 용례들에서, 컴포넌트의 오작동 또는 고장을 피하거나 방지할 수 있기 위해 냉각 경로의 열화의 결정을 수행하는 것이 유익하거나 필수적이다.
이와 같은 장치에서 사용되는 반도체 컴포넌트의 예로는, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET); 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT); 및 예를 들어 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC) 또는 질화 갈륨(GaN) 내에서 구현될 수 있는 다이오드;가 있다.
전술한 장치에 사용되는 전자 반도체 컴포넌트는 스위칭을 위해 이용되며, 스위칭 소자에 대해 차단 방향으로 배치된, 일반적으로 다이오드에 상응하는 프리 휠링 경로를 갖는다.
금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는, 보통 바디 다이오드로서 공지되어 있는 프리 휠링 경로를 기능상 자체 구조에 의해 이미 포함하고 있다.
본질적으로 상기와 같은 프리 휠링 경로가 없는 스위칭 반도체 컴포넌트, 특히 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)에는 일반적으로 별도의 프리 휠링 다이오드가 보충된다. 회로 최적화의 이유로, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)에도 마찬가지로 별도의 프리 휠링 다이오드가 보완될 수 있으며, 이 경우 상기 별도의 프리 휠링 다이오드는 대부분 쇼트키 다이오드(Schottky diode)로서 구현된다.
반도체 컴포넌트 내의 pn 접합이 흐름 방향으로 작동되고 전류에 의해 관류되면, 광자가 방출될 수 있다(발광). 사용된 반도체 및 pn 접합의 특성(도핑 농도)에 따라, 광은 다양한 강도와 파장으로 방출된다. 방출된 광의 강도는 pn 접합을 통과하는 전류 흐름 및 컴포넌트의 온도에 따라 좌우된다.
본 발명에 따라, 청구항 1항에 따른 전기 에너지 변환 장치가 제공되며, 이 장치는 하나 이상의 반도체 컴포넌트, 냉각을 위한 냉각 경로, 및 미리 결정된 전류 세기로 컴포넌트를 관류하는 전류를 토대로 냉각 경로의 열화를 결정하기 위한 장치를 포함한다. 본원 장치는, 반도체 컴포넌트가 미리 결정된 전류 세기를 갖는 전류에 의해 관류될 때, 반도체 컴포넌트가 이 장치의 온도에 좌우되는 휘도를 갖는 광을 발생시키는 광학 활성 반도체 구조를 포함하며, 열화를 결정하기 위한 장치는 발생한 광의 휘도를 검출하기 위한 휘도 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.
청구항 10에 따른 본원 방법은, 반도체 컴포넌트의 냉각 경로의 열화를 결정하기 위해 이용되며, 이 경우 전자 반도체 컴포넌트는, 미리 결정된 전류 세기를 갖는 전류에 의해 반도체 컴포넌트가 관류될 때, 온도에 좌우되는 휘도를 갖는 광을 발생시키는 광학 활성 반도체 구조를 포함한다. 본 발명에 따른 방법은, 휘도 센서를 이용해서 발생한 광의 휘도를 검출하는 단계와, 검출된 휘도를 사용해서 흐르는 전류를 토대로 냉각 경로의 열화를 결정하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 장치는, 전류 세기를 결정하기 위한 장치와 컴포넌트가 본질적으로 갈바니 전기적으로 절연되어 있다는 장점이 있다. 전위 분리 없이도, 낮은 전압 레벨에서 신호 평가가 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 장치는 전체 체적이 작고 생산 비용이 낮다. 또한, 본 발명은, 예를 들어 열화가 한계값을 초과하여 증가한 경우에 컴포넌트를 적시에 교체함으로써, 전기 에너지 변환 장치가 고장에 더욱 안전한 방식으로 작동될 수 있게 한다.
본 장치의 특별한 일 실시예에서는 포토다이오드가 휘도 센서로서 제공됨으로써, 유리한 방식으로 휘도 측정이 가능해진다.
열화를 결정하기 위한 장치는, 전류가 미리 결정된 전류 세기로 컴포넌트를 관류하는 미리 결정된 기간의 경과 후에 열화를 결정하도록 설계될 수 있다.
상기와 같은 설계 방식이, 컴포넌트 내에서 발생하는 손실열이 냉각 경로에 도달할 정도로 충분히 오랫동안 미리 결정된 세기를 갖는 측정 전류를 인가할 수 있게 함으로써, 냉각 경로의 기능성에 좌우되는 컴포넌트의 가열이 수행되고, 이로써 방사된 광에 열적 영향이 미치게 된다.
열화를 결정하기 위한 장치는, 미리 결정된 시간 간격에 걸쳐 포토다이오드의 광전류 세기를 합산함으로써 전하를 결정하도록 설계될 수 있다. 이로써 간단한 방식으로, 컴포넌트 내에서의 초기 열분배 효과에 의해 야기되는, 노후화 등급 결정에서의 오류가 줄어들 수 있다.
열화를 결정하기 위한 장치는, 결정된 측량값(전하) 및 기준 측량값(기준 전하)을 사용해서 열화를 결정하도록 설계될 수 있다.
많은 용례의 경우, 출발 값에 대한 상대적 변량만 알면 된다. 특히, 컴포넌트의 교체는, 예컨대 기준 측량값(기준 전하)으로부터의 결정된 측량값(전하)의 미리 결정된 최소 편차에 의해 트리거될 수 있다.
증가된 광 효율의 장점으로써, 또 다른 일 실시예에서는, 프리 휠링 경로를 갖는 스위치가 적어도 부분 투과성으로 구현된 하나 이상의 반도체 컴포넌트를 포함하는 구성이 제안된다. 이 경우, 기능과 관련된 금속층(예컨대 드레인 전극 또는 소스 전극)이 부분적으로 개방되고, 그리고/또는 캡슐이 투명하게 구현될 수 있음으로써, 광이 반도체 및/또는 이 반도체의 캡슐로부터 방출될 수 있다.
이를 위해, 바람직하게는 반도체 컴포넌트의 본질적으로 투과성인 에지(칩 에지)가 이용되며, 이로 인해 반도체 컴포넌트의 투과성을 달성하기 위한 또 다른 별도의 조치가 경우에 따라 생략될 수 있다.
관련 반도체 컴포넌트는, 바람직하게 바디 다이오드 및/또는 별도의 역병렬 프리 휠링 다이오드를 구비한 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 또는 역병렬 프리 휠링 다이오드를 구비한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)이다.
광 발생을 위해 바디 다이오드 또는 프리 휠링 다이오드가 이용되거나, IGBT의 경우에는 콜렉터의 pn 접합이 이용된다.
반도체 컴포넌트는, 광을 발생시키기 위한 광학 활성 구역을 포함할 수 있다. 따라서, 광 효율이 증가될 수 있고, 휘도 결정이 개선될 수 있다.
이는, 대안적으로 또는 추가로, 반도체 컴포넌트가 광 발생을 증가시키는 도펀트를 포함함으로써도 구현될 수 있다.
본원 장치는, 발생한 광을 휘도 센서로 가이드하도록 배치된 광 가이드 요소를 포함할 수 있다. 이로써, 마찬가지로 광 효율이 증가될 수 있고, 휘도 결정이 개선될 수 있다.
본 장치는, 전기차용 전력 제어 유닛 또는 인버터일 수 있다.
본 발명의 바람직한 개선예들은 종속 청구항들에 명시되어 있고, 상세한 설명 부분에 기술되어 있다.
본 발명의 실시예들이 도면 및 이하의 상세한 설명을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 개략도이다.
도 2는 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 3은 손상되지 않은 컴포넌트 및 열화된 냉각 경로를 갖는 컴포넌트에 대한 측정 전류와, 컴포넌트의 온도와 포토다이오드 전류 사이의 관계를 나타낸 예시적인 측정 곡선들의 그래프이다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예를 개략적으로 보여준다.
본 도면은, 전기 에너지를 변환하기 위한 장치(10)를 보여준다. 전기 에너지의 변환은 하나 이상의 스위칭 반도체 컴포넌트(100)에 의해서 야기된다. 도시된 예에서, 스위칭 반도체 컴포넌트는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 예를 들어 Si-MOSFET, GaN-MOSFET 또는 SiC-MOSFET이며, 이 경우 MOSFET의 다이오드 또는 바디 다이오드(110)는 광 발생을 위해 사용된다. 하지만, 본 발명을 벗어나지 않는 다른 컴포넌트들도 대안적으로 사용될 수 있다. 컴포넌트는, 냉각 경로를 통해 컴포넌트(100)에 연결된 냉각기(400)를 사용해서 냉각된다. 또한, 장치(10)는, 컴포넌트를 관류하는 전류를 토대로 반도체 컴포넌트(100)의 냉각 경로의 열화를 결정하기 위한 장치(200)를 포함한다. 이 경우, 전류의 전류 세기는 미리 결정될 수 있거나, 또는 미리 결정된 프로파일을 따를 수 있다.
반도체 컴포넌트(100)는, 광학 활성 반도체 재료를 포함하고 별도의 소스 벌크 단자(121)를 통해 다이오드(110)에 대해 병렬로 소스 전극(111)과 드레인 전극(112) 사이에 접속된, 고농도로 도핑된 기판 구간(120)을 포함한다. 광학 활성 반도체 재료는 반도체 컴포넌트(100)의 바디 다이오드의 일부분을 형성하고, 반도체 컴포넌트(100)가 전류에 의해 관류될 때 전류 및 온도에 좌우되는 휘도를 갖는 광을 발생시킨다. 냉각 경로의 노후화 등급을 결정하기 위한 장치(200)는, 발생한 광의 휘도를 검출하기 위한 휘도 센서(210)를 포함한다. 도시된 예에서 휘도 센서(210)는 포토다이오드이지만, 본 발명을 벗어나지 않는 다른 휘도 센서도 대안적으로 또는 추가로 사용될 수 있다. 몇몇 실시예에서는, 휘도와 온도 사이의 관계가 역수이며, 즉, 온도가 상승하면 휘도는 감소한다.
반도체 컴포넌트(100)는 적어도 부분적으로 투과성인 전극 및/또는 적어도 부분적으로 투과성인 캡슐을 포함하며, 발생한 광이 상기 전극 또는 캡슐을 통해 전자 컴포넌트(100)로부터 방출될 수 있다.
다른 일 실시예에서, 컴포넌트는 하부면에 부분적으로 투과성인 드레인 금속층을 포함한다. 상부면에서는 소스 금속층 외에 게이트 금속층도 개방하는 것도 가능하다. 제3의 가능성은 투과성 칩 에지를 이용하는 것이다. 이를 통해 특수 금속층 및/또는 개구가 불필요해진다.
장치(10)는, 발생한 광을 포토다이오드(210)로 가이드하도록 배치된 광 가이드 요소(300)를 포함한다. 컴포넌트(100)와 휘도 센서(210) 사이의 광학 전송 경로에 의해, 상기 컴포넌트와 휘도 센서의 전위가 분리되어 있다. 이는 특히 고전압 애플리케이션들에 유리하다. 휘도 센서(210)는 컴포넌트(100)와 통합될 수도 있다.
또 다른 일 실시예에서는, 광 가이드 요소가 생략되고 산란광이 직접 평가된다.
그러한 경우, 발생한 광의 휘도가 사전 설정된 측정 전류 세기에서 휘도 센서에 의해 검출될 수 있고, 검출된 휘도를 사용해서 냉각 경로의 노후화 등급이 결정될 수 있다. 이 경우, 발광의 온도 의존성은 전류를 알고 있을 때 이용된다.
도시된 예에서, 측량값/전하는 사전 설정된 시간 간격에 걸쳐 포토다이오드를 관류하는 전류의 전류 세기를 합산함으로써 결정될 수 있다.
도 3은, 예시적인 측정 곡선들에서, 측정 전류와, 컴포넌트의 온도와, 손상되지 않은 컴포넌트 및 열화된 냉각 경로를 갖는 컴포넌트에 대한 포토다이오드 전류 사이의 관계를 보여준다.
기간(Δt)에 걸쳐, 미리 결정된 전류 세기를 갖는 측정 전류(ISense)가 인가된다. 이는 상부 곡선에 나타나 있다. 이로 인해, 컴포넌트 내 온도(T)가 기간(Δt) 동안 상승한다. 그런 다음, 측정 전류가 차단되면 온도가 다시 하강한다. 이 경우, 열화된 냉각 경로로 인해, 열화된 냉각 경로를 갖는 컴포넌트의 온도(파선 곡선)가 손상되지 않은 컴포넌트의 온도(실선 곡선)보다 더 강하게 상승한다. 이는 중간 곡선에 나타나 있다. 상이한 온도 프로파일은 상응하게 상이한 광전류(IFoto)를 야기한다. 기간(Δt)에 걸친 광전류(IFoto)의 차이를 합산하면, 측량값/전하에 상응하는 곡선들 사이의 면적이 산출된다.
본 실시예에서, 미리 결정된 전류 세기를 갖는 측정 전류(ISense)는 일정하다. 하지만, 미리 결정된 시간 간격 내에 미리 결정된 방식으로 전류 세기가 변하는 측정 전류(ISense)도 가능하다.
포토다이오드를 관류하는 전류는 평가 전에 증폭되고, 디지털 신호로 변환되어 처리될 수 있다. 처리는 예를 들어 평활화, 필터링 및/또는 시간 동기화를 포함할 수 있다.
본 방법의 일 실시예에서, 측정은 동일한 조건 하에서, 구체적으로는 동일한 출발 온도에서, 규칙적으로 반복된다. 반복은, 예를 들어 미리 결정된 냉각제 온도를 초과하는 경우에 수행될 수 있다. 이 경우, 시스템은 측량값들의 밸런싱을 위한 내부 메모리를 포함한다.
본 방법의 일 실시예에서는, 예를 들어 미리 결정된 냉각제 온도를 초과하는 경우, 미리 결정된 광량이 방출될 때까지 반도체가 미리 결정된 전류로 가열된다. 가열을 위해 필요한 기간이 측정된다. 이 기간이 짧을수록, 냉각 경로를 통한 반도체의 연결은 더 악화된다.
그렇기 때문에, 또 다른 실시예들에서 본원 장치는 증폭기 및/또는 아날로그/디지털 변환기 및/또는 신호 전처리 요소를 포함한다.
도 2는, 또 다른 일 실시예를 단면도로 보여준다.
본 실시예에서는, 스위칭 과정 동안 컴포넌트(100) 내에서 생성되는 열을 방출하기 위하여, 스위칭 반도체 컴포넌트(100)가 냉각기(400) 상에 배치되어 있다. 냉각기(400)가 배치되어 있는 컴포넌트(100)의 측의 맞은 편에는, 광학 활성 구역에 컴포넌트(100)의 투과성 캡슐이 배치되어 있다. 이 경우, 투과성 캡슐이 반대편 측을 형성한다. 이 투과성 캡슐을 통해, 고농도로 도핑된 기판 구간 내에서 발생하는 광이 컴포넌트(100)로부터 포토다이오드(210)의 방향으로 방출될 수 있다. 본 실시예에서, 포토다이오드(210)는 인쇄 회로 기판(200)[printed circuit board(PCB)] 상에 배치되어 있다.
본 발명의 범주에서의 한 방법의 실시예에서는, 반도체(예컨대 전계 효과 트랜지스터의 바디 다이오드)의 pn 접합에 사전 설정된 고정 기간(Δt) 동안 0이 아닌 사전 설정된 일정한 측정 전류(ISense)가 인가된다. 측정 전류(ISense)에 의해 반도체가 가열되고 발광하도록 여기된다. 이때, 그 결과로 나타나는 열 흐름이 기간(Δt)의 경과 후에 반도체의 냉각 경로에 도달했다(열적 연결).
기간에 걸쳐 발광 강도가 감광 센서에 의해, 본 실시예에서는 포토다이오드에 의해, 결과적인 광 전류로서 검출된다.
본 실시예에서는, 시간(Δt) 동안 포토다이오드의 광전류가 합산됨으로써, 평가를 위해 측량값, 예를 들어 전하량이 도출된다. 열적 연결이 노후화되어 그 결과로 열적 임피던스가 증가하는 경우에는, 가열 동안 열이 원활하게 방출될 수 없음으로써, 배리어 층 내에서 반도체의 온도(T)가 더 강하게 상승한다. 더 높은 온도로 인해 발광이 감소함으로써, 결정된 측량값, 예를 들어 결정된 전하량과, 온도와, 이와 더불어 냉각 경로의 열화 사이에 명확한 의존성이 나타나게 된다.
본 실시예에서는, 결정된 측량값, 예를 들어 결정된 전하량이 기준 측량값, 예를 들어 반도체가 손상되지 않은 경우에 흐르게 될 미리 결정된 목표 전하량에서 감산되며, 그리고/또는 목표 전하량에 대해 비교된다. 이로부터 기준 측량값, 예를 들어 목표 전하로부터의 상대 편차가 도출되어, 본 실시예에서 열화 척도로서 이용된다.
상대 편차의 크기가 사전 정의된 임계값, 예를 들어 0.1(정상치에 비해 적어도 10%의 드리프트에 상응함)을 초과하면, 본원 방법의 일 개선예에서는 반도체가 그 기본 기능성과 무관하게 교체된다.
냉각 경로의 열화는 수명에 걸쳐 비교적 서서히 진행되므로, 작동 동안 상태를 검출할 필요가 없다.
그렇기 때문에, 본원 방법의 상기의 또는 여타의 개선예들에서 본원 방법은, 반도체의 스위치-온 과정(반도체를 포함하는 시스템의 초기화, 예를 들어 반도체를 포함하는 차량의 개방 시 또는 상기 차량의 엔진의 시동 시)의 범주에서, 그리고/또는 반도체의 스위치-오프 과정(시스템의 셧다운, 예를 들어 엔진 또는 차량의 스위치 오프 시)의 범주에서, 백그라운드 프로세스로서 실행된다.

Claims (10)

  1. 하나 이상의 스위칭 반도체 컴포넌트(100), 반도체 컴포넌트(100)를 냉각하기 위한 냉각 경로, 및 미리 결정된 전류 세기로 컴포넌트를 관류하는 전류를 토대로 냉각 경로의 열화를 결정하기 위한 장치(200)를 포함하는, 전기 에너지 변환 장치(10)에 있어서,
    미리 결정된 전류 세기를 갖는 전류에 의해 반도체 컴포넌트(100)가 관류될 때, 반도체 컴포넌트(100)가 온도 의존적 휘도를 갖는 광을 발생시키는 광학 활성 반도체 재료(120)을 포함하며, 열화를 결정하기 위한 장치(200)는 발생한 광의 휘도를 검출하기 위한 휘도 센서(210)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전기 에너지 변환 장치.
  2. 제1항에 있어서, 휘도 센서(210)가 포토다이오드를 포함하는, 전기 에너지 변환 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 열화를 결정하기 위한 장치(200)는, 전류가 미리 결정된 전류 세기로 컴포넌트를 관류하는 미리 결정된 기간의 경과 후에 열화를 결정하도록 설계되는, 전기 에너지 변환 장치.
  4. 제2항 및 제3항에 있어서, 열화를 결정하기 위한 장치(200)는, 미리 결정된 시간 간격에 걸쳐 포토다이오드의 광전류 세기를 합산함으로써 전하량을 결정하도록 설계되는, 전기 에너지 변환 장치.
  5. 제4항에 있어서, 열화를 결정하기 위한 장치(200)는, 결정된 전하량 및 목표 전하량을 사용해서 열화를 결정하도록 설계되는, 전기 에너지 변환 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 컴포넌트(100)가 적어도 부분적으로 투명한 소스 전극(111) 및/또는 적어도 부분적으로 투명한 캡슐을 갖는 하나 이상의 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 포함하고, 발생한 광이 상기 소스 전극 또는 캡슐을 통해 MOSFET로부터 방출될 수 있으며, 상기 MOSFET는 GaN 기반의 MOSFET 또는 SiC 기반의 MOSFET이고, 상기 MOSFET의 다이오드(110) 또는 바디 다이오드가 광 발생을 위해 사용되며, 상기 장치가, 다이오드(110)에 대해 병렬로 소스 전극(111)과 드레인 전극(112) 사이에 접속된 기판 구간(120)을 포함하는, 전기 에너지 변환 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 컴포넌트(100)가, 광을 발생시키기 위한 광학 활성 구역(120) 및/또는 광 발생을 증가시키는 도펀트를 포함하는, 전기 에너지 변환 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 발생한 광을 휘도 센서(210)로 가이드하도록 배치된 광 가이드 요소(300)를 포함하는 전기 에너지 변환 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 본원 장치가 전기차용 전력 제어 유닛이거나 인버터인, 전기 에너지 변환 장치.
  10. 미리 결정된 전류 세기로 반도체 컴포넌트(100)를 관류하는 전류를 사용해서, 반도체 컴포넌트(100)의 냉각 경로의 열화를 결정하기 위한 방법으로서, 이 경우, 반도체 컴포넌트(100)는, 미리 결정된 전류 세기를 갖는 전류에 의해 반도체 컴포넌트(100)가 관류될 때, 온도 의존적 휘도를 갖는 광을 발생시키는 광학 활성 반도체 재료를 포함하며,
    상기 방법은, 휘도 센서(210)를 이용해서 발생한 광의 휘도를 검출하는 단계 및 검출된 휘도를 사용해서 열화를 결정하는 단계를 포함하는, 반도체 컴포넌트의 냉각 경로의 열화 결정 방법.
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