KR20200017027A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an apparatus and a method for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate includes: a housing having a processing space therein; a substrate support unit supporting the substrate in the processing space; a photosensitive liquid supply unit supplying photosensitive liquid onto the substrate supported on the substrate support unit; and a developing liquid supply unit supplying developing liquid onto the substrate supported on the substrate support unit. The photosensitive liquid is discharged in an inkjet manner, and a liquid film can be formed with a small quantity of the photosensitive liquid. Therefore, a volatilization amount of fume or volatile substances generated when the photosensitive liquid is discharged is extremely low and there is no recovery amount of the photosensitive liquid so that contamination of surrounding equipment can be minimized.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and Method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정이 순차적으로 수행되며, 각 공정이 수행되기 전후에는 기판의 베이처리하는 베이크 단계가 수행된다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photolithography process includes coating, exposure, and developing processes sequentially, and before and after each process is performed, a baking step of baying the substrate is performed. The application step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. An exposure process is a process of exposing a circuit pattern on the board | substrate with which the photosensitive film was formed. The developing step is a step of selectively developing an exposed region of the substrate.

이들 중 도포, 현상, 그리고 베이크 공정은 서로 다른 분위기에서 수행되며, 도포 공정에서 사용되는 감광액이나 현상 공정에 사용되는 현상액은 서로 파티클로 작용할 수있다. 이로 인해 각각의 공정은 서로 독립된 다른 위치에서 수행되어야 한다. 이로 인해 각 공정이 수행되는 장비 및 부품들은 다양해지며, 사진 공정 장치는 대형화된다. Among them, the coating, developing, and baking processes are performed in different atmospheres, and the photoresist used in the coating process or the developer used in the developing process may act as particles. Because of this, each process must be carried out in a separate location from each other. This results in a variety of equipment and components in which each process is performed, and the photographic processing apparatus becomes larger.

또한 장치가 대형화됨에 따라 기판의 반송 거리는 길어지며, 반송 경로가 복잡해진다. 이를 해결하기 위해, 기판의 반송 거리를 최소화하도록 각 공정의 장치들이 레이아웃을 고려해야하며, 기판들 간에 충돌이 일어나지 않도록 기판의 반송 레시피를 정밀하게 생성해야 한다. In addition, as the apparatus becomes larger, the conveyance distance of the substrate becomes longer, and the conveyance path becomes complicated. To solve this problem, the devices of each process should consider the layout to minimize the conveyance distance of the substrate, and precisely generate the conveying recipe of the substrate so that there is no collision between the substrates.

한국 특허 공개 번호: 2009-0070602Korean Patent Publication Number: 2009-0070602

본 발명은 도포 및 현상 공정을 수행하는 신규 구조를 가진 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus having a novel structure for carrying out an application and development process.

또한 본 발명은 도포 및 현상을 동일 챔버에서 수행이 가능한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method that can be applied and developed in the same chamber.

또한 본 발명은 기판을 반송하는 과정에서 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of shortening the time required in the process of conveying the substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for processing a substrate.

기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 감광액을 공급하는 감광액 공급 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 현상액을 공급하는 현상액 공급 유닛을 포함한다. The substrate processing apparatus includes a housing having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting a substrate in the processing space, a photosensitive liquid supplying unit for supplying a photosensitive liquid onto a substrate supported by the substrate supporting unit, and a substrate supporting unit And a developer supply unit for supplying a developer onto the substrate.

상기 감광액 공급 유닛은 잉크젯 방식으로 기판 상에 감광액을 도포하는 도포 노즐을 포함할 수 있다. 상기 도포 노즐은 감광액이 흐르는 메인 유로 및 상기 메인 유로와 연결되고 상기 감광액이 토출되는 토출홀이 형성되는 바디 및 상기 바디에 설치되며, 상기 메인 유로의 상부에 제공되어 상기 메인 유로를 흐르는 감광액이 상기 토출홀을 통해 토출되도록 압력을 인가하는 압전소자를 포함할 수 있다. The photosensitive liquid supply unit may include an application nozzle for applying the photosensitive liquid on a substrate by an inkjet method. The coating nozzle may be installed in the main flow path through which the photosensitive liquid flows and the main flow path and the body in which the discharge hole through which the photosensitive liquid is discharged is formed, and the photosensitive liquid flowing in the main flow path is provided on the main flow path. It may include a piezoelectric element for applying a pressure to be discharged through the discharge hole.

상기 바디의 내부에는 상기 메인 유로에 연결되는 도입 유로와 상기 도입 유로에 연결되는 복수의 공급 유로들이 더 형성되고, 상기 도입 유로에는 상기 복수의 공급 유로들로부터 서로 다른 종류의 감광액들이 선택적으로 공급될 수 있다. 상기 도입 유로는 상기 메인 유로의 상부에 위치되고, 상기 압전 소자는 상기 도입 유로와 상기 메인 유로의 사이에 위치될 수 있다. An introduction flow passage connected to the main flow passage and a plurality of supply flow passages connected to the introduction flow passage are further formed inside the body, and different types of photoresists may be selectively supplied from the plurality of supply flow passages to the introduction flow passage. Can be. The introduction flow path may be positioned above the main flow path, and the piezoelectric element may be positioned between the introduction flow path and the main flow path.

상기 바디에는 각각의 상기 공급 유로와 연결되며, 상기 공급 유로 및 상기 도입 유로가 세정되도록 상기 공급 유로에 세정액을 공급하는 복수의 세정액 유로가 더 형성될 수있다. ,The body may further include a plurality of cleaning liquid flow passages connected to each of the supply flow passages and supplying a cleaning liquid to the supply flow passages so as to clean the supply flow passage and the introduction flow passage. ,

상기 현상액 공급 유닛은, 적하 방식으로 기판 상에 현상액을 공급하는 현상 노즐을 포함할 수 있다. The developing solution supply unit may include a developing nozzle which supplies the developing solution onto the substrate in a dropping manner.

상기 장치는 상기 감광액 공급 유닛, 상기 현상액 공급 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 감광액 공급 유닛은 상기 도포 노즐을 이동시키는 노즐 구동기를 더 포함하고, 상기 기판 지지 유닛은 상기 기판이 놓여지는 지지판 및 상기 지지판을 회전시키는 회전 구동기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 감광액 공급 유닛으로부터 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판으로 감광액의 토출이 이루어지는 동안에는 상기 지지판이 회전되지 않고, 상기 현상액 공급 유닛으로부터 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판으로 현상액의 토출이 이루어지는 동안에는 상기 지지판이 회전되도록 상기 회전 구동기를 제어할 수 있다. 상기 장치는 상기 지지판에 설치되며 상기 지지판에 놓여진 기판을 가열하는 히터를 포함하는 가열 유닛을 더 포함할 수 있다. The apparatus further includes a controller for controlling the photoresist supply unit, the developer supply unit, and the substrate support unit, wherein the photoresist supply unit further includes a nozzle driver for moving the application nozzle, and the substrate support unit includes: The support plate on which the substrate is placed and a rotation driver for rotating the support plate, wherein the controller is not rotated while the support plate is discharged from the photosensitive liquid supply unit to the substrate placed on the substrate support unit, the developer The rotary driver may be controlled to rotate the support plate while the developer is discharged from the supply unit to the substrate placed on the substrate support unit. The apparatus may further include a heating unit installed on the support plate and including a heater for heating the substrate placed on the support plate.

상기 장치는 상기 감광액 공급 유닛, 상기 현상액 공급 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 감광액의 토출이 이루어지는 중에 상기 히터의 전원이 오프(Off)될 수 있다. 상기 장치는 상기 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 더 포함하되, 상기 냉각 유닛은 기판을 지지하는 냉각 플레이트 및 상기 냉각 플레이트를 이동시키는 제1위치와 제2위치로 이동시키는 플레이트 이동 부재를 포함하되,The apparatus further includes a controller for controlling the photoresist supply unit, the developer supply unit, and the substrate support unit, wherein the controller may be turned off while the photoresist is discharged. The apparatus further includes a cooling unit for cooling the substrate, wherein the cooling unit includes a cooling plate for supporting the substrate and a plate moving member for moving the first and second positions to move the cooling plate,

상기 제1위치는 상기 냉각 플레이트가 상기 지지판에 기판을 인수 또는 인계하는 위치이고, 상기 제2위치는 상기 제1위치를 벗어난 위치일 수 있다.The first position may be a position at which the cooling plate takes over or takes over the substrate to the support plate, and the second position may be a position outside the first position.

상기 냉각 플레이트의 내부에는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 형성될 수 있다. 상기 하우징의 일측에는 상기 처리 공간으로 기판이 반출입되는 개구가 형성되고, 상기 제2위치는 상기 제1위치보다 상기 개구에 더 가깝게 위치될 수 있다.A cooling passage through which a cooling fluid flows may be formed in the cooling plate. An opening may be formed at one side of the housing to carry the substrate in and out of the processing space, and the second position may be located closer to the opening than the first position.

상기 장치는 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상부가 개방된 처리 용기, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 유닛, 상기 처리 용기의 외측에 위치되며, 상기 도포 노즐이 대기되는 제1대기 포트와, 그리고 상기 처리 용기의 외측에 위치되며, 상기 현상액 노즐이 대기되는 제2대기 포트를 포함하며, 상기 린스액 공급 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스 노즐 및 상기 처리 용기의 외측에 위치되며, 상기 린스 노즐이 대기되는 제3대기 포트를 포함할 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 기판 지지 유닛을 감싸며 감광액과 현상액 중 어느 하나를 회수하는 제1회수통과 상기 제1회수통을 감싸며, 감광액과 현상액 중 다른 하나를 회수하는 제2회수통을 포함하고, 상기 장치는 상기 제1회수통과 상기 기판 지지 유닛 간의 상대 높이 및 상기 제2회수통과 상기 기판 지지 유닛 간의 상대 높이를 조절하는 승강 유닛을 더 포함할 수 있다. The apparatus encloses the substrate support unit, a processing container having an open top, a rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid onto a substrate supported by the substrate support unit, and positioned outside the processing container, A first standby port to be waited and a second standby port to be located outside of the processing container and to hold the developer nozzle, wherein the rinse solution supply unit is a rinse solution on a substrate supported by the substrate support unit. It may include a rinse nozzle for supplying a third and a third standby port which is located outside the processing vessel, the rinse nozzle is waiting. The processing container includes a first recovery container surrounding the substrate support unit and recovering any one of the photosensitive solution and the developer, and a second recovery container surrounding the first recovery container and recovering the other of the photosensitive solution and the developer. The apparatus may further include a lifting unit configured to adjust a relative height between the first collection container and the substrate support unit and a relative height between the second collection container and the substrate support unit.

상기 장치는 인덱스 모듈 및 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은, 기판을 수납하는 용기가 놓여지는 로드 포트 및 상기 로드 포트 및 상기 처리 모듈 사이에 배치되는 인덱스 프레임을 포함하고, 상기 처리 모듈은 상기 하우징, 상기 가열 유닛, 상기 감광액 공급 유닛, 그리고 상기 현상액 공급 유닛을 가지며, 복수 개로 제공되는 처리 챔버들, 상기 인덱스 프레임에 인접하게 위치되며, 기판을 임시 보관하는 버퍼 챔버, 그리고 상기 버퍼 챔버를 사이에 두고 상기 인덱스 프레임과 마주하게 위치되며, 상기 처리 챔버들 간, 그리고 상기 처리챔버와 상기 버퍼 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 챔버를 포함하되, 상기 처리 챔버들은 상기 반송 챔버의 일측 또는 양측에 복수 개로 제공될 수 있다. The apparatus includes an index module and a processing module for processing a substrate, wherein the index module includes a load port on which a container containing a substrate is placed and an index frame disposed between the load port and the processing module, The processing module includes the housing, the heating unit, the photosensitive liquid supply unit, and the developer liquid supply unit, a plurality of processing chambers, a buffer chamber positioned adjacent to the index frame, and temporarily storing a substrate, and the A transfer chamber positioned opposite the index frame with a buffer chamber interposed therebetween, for transporting a substrate between the processing chambers and between the processing chamber and the buffer chamber, wherein the processing chambers are located on one side of the transfer chamber or It may be provided in plural on both sides.

또한 기판을 처리하는 장치는 기판에 감광액이 도포 처리되는 도포 공정이 수행되는 도포 챔버, 노광된 기판이 현상 처리되는 현상 공정이 수행되는 현상 챔버, 그리고 상기 도포 챔버 또는 상기 현상 챔버로 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되, 상기 도포 챔버는 내부에 제1처리 공간을 가지는 제1처리 용기, 상기 제1처리 공간에서 기판을 지지하는 제1지지판, 그리고 상기 제1지지판에 지지된 기판에 잉크젯 방식으로 감광액을 공급하는 도포 노즐 포함하고, 상기 현상 챔버는 내부에 제2처리 공간을 가지는 제2처리 용기, 상기 제2처리 공간에서 기판을 지지하는 제2지지판, 그리고 상기 제2지지판에 지지된 기판에 현상액을 공급하는 현상 노즐을 포함할 수 있다.In addition, the apparatus for processing a substrate includes a coating chamber in which a coating process in which a photosensitive liquid is applied is applied to a substrate, a developing chamber in which a developing process in which an exposed substrate is developed is performed, and a substrate is conveyed to the coating chamber or the developing chamber. The coating chamber includes a conveying unit, wherein the coating chamber is inkjet to a first processing container having a first processing space therein, a first supporting plate for supporting a substrate in the first processing space, and a substrate supported by the first supporting plate. And a coating nozzle for supplying a photosensitive liquid, wherein the developing chamber includes a second processing container having a second processing space therein, a second supporting plate for supporting the substrate in the second processing space, and a substrate supported by the second supporting plate. It may include a developing nozzle for supplying a developer.

상기 도포 챔버는 상기 제1지지판을 고정 지지하는 지지축 및 상기 제1지지판에 설치되어 상기 제1지지판에 지지된 기판을 가열하는 가열 공정을 수행하는 히터를 가지는 가열 유닛을 더 포함할 수 있다. The coating chamber may further include a heating unit having a support shaft fixedly supporting the first support plate and a heater installed on the first support plate to perform a heating process for heating the substrate supported on the first support plate.

상기 도포 챔버는 상기 도포 노즐을 이동시키는 노즐 구동기 및 상기 가열 유닛 및 상기 도포 노즐을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 도포 공정의 전 또는 후에 상기 가열 공정이 수행되도록 상기 가열 유닛을 제어하되,감광액의 토출이 이루어지는 동안에는 상기 히터의 전원이 오프(off)될 수 있다. The application chamber further includes a nozzle driver for moving the application nozzle and a controller to control the heating unit and the application nozzle, wherein the controller controls the heating unit to be performed before or after the application process. However, the power of the heater may be turned off while the photoresist is discharged.

상기 현상 노즐은 적하 방식으로 현상액을 공급하고 상기 현상 챔버는 상기 제2지지판을 회전시키는 회전 구동기 및 상기 제2지지판에 설치되어 상기 제2지지판에 지지된 기판을 가열하는 가열 공정을 수행하는 히터를 가지는 가열 유닛을 더 포함할 수 있다. 상기 현상 챔버는 상기 가열 유닛 및 상기 회전 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 현상 공정이 수행되는 중에 상기 제2지지판이 회전되고, 상기 가열 공정이 수행되는 중에 상기 제2지지판의 회전이 중지되도록 상기 회전 구동기를 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 현상 공정의 전 또는 후에 상기 가열 공정이 수행되도록 상기 가열 유닛을 제어하되, 상기 현상 공정이 수행되는 중에는 상기 히터의 전원이 오프(off)될 수 있다. The developing nozzle supplies a developer in a dropping manner, and the developing chamber includes a rotary driver for rotating the second support plate and a heater installed in the second support plate to perform a heating process for heating a substrate supported on the second support plate. The branch may further comprise a heating unit. The developing chamber further includes a controller for controlling the heating unit and the rotary driver, wherein the controller rotates the second support plate while the developing process is performed, and wherein the second support plate is rotated during the heating process. The rotary driver can be controlled to stop rotation. The controller may control the heating unit to perform the heating process before or after the developing process, and the power of the heater may be turned off while the developing process is performed.

상기 장치는 상기 도포 챔버들을 포함하는 도포 모듈 및 상기 현상 챔버들을 포함하는 현상 모듈을 더 포함하되, 상기 도포 모듈과 상기 현상 모듈은 서로 적층되게 위치되고, 상기 반송 유닛은 상기 도포 모듈 및 상기 현상 모듈 각각에 제공될 수 있다. The apparatus further includes an application module including the application chambers and a development module including the development chambers, wherein the application module and the development module are positioned to be stacked on each other, and the conveying unit is the application module and the development module. May be provided in each.

상기 장치는 기판을 반송하는 반송 챔버를 더 포함하되, 상기 도포 챔버와 상기 현상 챔버는 상기 반송 챔버를 사이에 두고 서로 마주하도록 위치될 수 있다. The apparatus further includes a transfer chamber for transporting the substrate, wherein the application chamber and the developing chamber may be positioned to face each other with the transfer chamber therebetween.

또한 기판을 처리하는 방법은 제1기판 상에 감광액을 도포하는 도포 단계 및 도포 후 노광된 제2기판을 현상하는 현상 단계를 포함하되, 상기 도포 단계와 상기 현상 단계는 처리 공간 내에 기판 지지 유닛이 제공된 챔버 내에서 동일한 상기 기판 지지 유닛에 상기 제1기판 및 상기 제2기판이 지지된 상태로 수행된다. In addition, the method of treating a substrate includes a coating step of applying a photosensitive liquid on a first substrate and a developing step of developing a second substrate exposed after application, wherein the applying step and the developing step include: The first substrate and the second substrate are supported on the same substrate support unit in the provided chamber.

상기 제1기판과 상기 제2기판은 동일한 기판으로 제공될 수 있다. 상기 도포 단계에서 상기 감광액은 잉크젯 방식으로 상기 기판에 공급될 수 있다. 상기 도포 단계는 상기 기판이 회전되지 않은 상태로 수행되고, 상기 현상 단계는 상기 기판이 회전되는 상태에서 수행될 수 있다. The first substrate and the second substrate may be provided as the same substrate. In the applying step, the photosensitive liquid may be supplied to the substrate by an inkjet method. The applying step may be performed while the substrate is not rotated, and the developing step may be performed while the substrate is rotated.

상기 제1기판에 대해서, 상기 도포 단계 이전에 상기 제1기판을 가열하는 도포 전 가열 단계 또는 상기 도포 단계 이후에 상기 제1기판을 가열하는 도포 후 가열 단계를 포함하고, 상기 제2기판에 대해서, 상기 현상 단계 이전에 상기 제2기판을 가열하는 현상 전 가열 단계 또는 상기 현상 단계 이후에 상기 제2기판을 가열하는 현상 후 가열 단계를 포함하되, 상기 도포 전 가열 단계, 상기 도포 후 가열 단계, 상기 현상 전 가열 단계, 그리고 상기 현상 후 가열 단계는 상기 도포 단계와 상기 현상 단계가 수행되는 상기 챔버의 상기 처리 공간에서 수행될 수 있다. A pre-coating heating step of heating the first substrate before the coating step or a post-coating heating step of heating the first substrate after the coating step with respect to the first substrate, and with respect to the second substrate. And a pre-development heating step of heating the second substrate before the developing step or a post-development heating step of heating the second substrate after the developing step, wherein the pre-coating heating step, the post-coating heating step, The pre-development heating step and the post-development heating step may be performed in the processing space of the chamber in which the applying step and the developing step are performed.

본 발명이 실시예에 의하면, 감광액은 잉크젯 방식으로 토출되며, 액막은 소량의 감광액으로 형성 가능하다. 이로 인해 감광액을 토출하는 과정에서 발생되는 퓸 또는 휘발성 물질의 휘발량이 극히 적으며, 감광액의 회수량이 없으므로, 주변 장비의 오염을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the photosensitive liquid is discharged by the inkjet method, and the liquid film can be formed into a small amount of the photosensitive liquid. As a result, the volatilization amount of the fume or the volatile substance generated in the process of discharging the photosensitive liquid is extremely low, and the amount of the photosensitive liquid is not recovered, thereby minimizing contamination of surrounding equipment.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 감광액 공급 시 주변 장치의 오염을 최소화하므로, 베이크 공정과 현상 공정을 함께 수행할수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the contamination of the peripheral device when the photosensitive liquid supply is minimized, the baking process and the developing process can be performed together.

또한 본 발명의 실시예에 의하면 복수의 공정 챔버에 동일 장치가 적용되므로, 제작 비용을 절감할수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the same apparatus is applied to a plurality of process chambers, manufacturing costs can be reduced.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 복수의 공정 챔버에 동일 장치가 적용되므로, 장비의 구조가 단순화되고, 기판의 반송 경로를 단순화시킬 수 있으며, 기판들 간의 충돌을 최소화할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the same apparatus is applied to a plurality of process chambers, the structure of the equipment can be simplified, the transfer path of the substrate can be simplified, and the collision between the substrates can be minimized.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 도 1의 공정 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 2의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 처리 챔버의 정면도이다.
도 7은 도 2의 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 처리 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 8의 도포 노즐을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 8의 현상 노즐을 보여주는 사시도이다.
도 11 내지 도 17는 도 7의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 18은 도 1의 기판 처리 장치의 제2실시예를 보여주는 사시도이다.
도 19는 도 도 3의 기판 처리 장치의 제3실시예를 보여주는 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a front view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a plan view of a substrate processing apparatus showing the process block of FIG. 1.
4 is a diagram illustrating an example of a hand of the carrier robot of FIG. 2.
5 is a plan view schematically illustrating an example of the processing chamber of FIG. 2.
6 is a front view of the processing chamber of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view showing the processing unit of FIG. 2.
8 is a plan view showing the processing unit of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view illustrating the application nozzle of FIG. 8.
10 is a perspective view illustrating a developing nozzle of FIG. 8.
11 to 17 are views illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 7.
18 is a perspective view illustrating a second embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
19 is a plan view illustrating a third embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 3.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다. 도 3은 도 2의 공정 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 평면도이다. 1 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a front view of the substrate processing apparatus of FIG. 1. 3 is a plan view of a substrate processing apparatus showing the process block of FIG. 2.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a processing module 30, and an interface module 40. According to one embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, a direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top. A direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a second direction 14 and is referred to as a third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 conveys the board | substrate W from the container 10 in which the board | substrate W was accommodated to the processing module 30, and accommodates the processed board | substrate W in the container 10. FIG. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 with respect to the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed in the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a sealed container 10 such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The vessel 10 may be placed on the load port 22 by an operator or by a transfer means (not shown), such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. Can be.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and the third direction 16. Can be provided to be movable accordingly.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 복수의 공정 블럭들(31)을 포함한다. 공정 블럭(31)은 기판(W)에 대해 도포 공정, 현상 공정, 그리고 베이크 공정을 수행한다. 공정 블럭들(31)은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시예에 의하면, 공정 블럭(31)은 4개가 제공된다. 일 예에 의하면, 2개의 공정 블럭들(31)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. The processing module 30 performs an application process and a development process on the substrate W. FIG. The processing module 30 includes a plurality of process blocks 31. The process block 31 performs an application process, a development process, and a baking process on the substrate W. As shown in FIG. Process blocks 31 are provided stacked on each other. According to the embodiment of FIG. 1, four process blocks 31 are provided. In an example, the two process blocks 31 may perform the same process and may be provided in the same structure.

도 3을 참조하면, 공정 블럭(31)은 반송 챔버(3400), 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 처리 챔버(3600)는 기판(W)에 대해 베이크 공정, 도포 공정, 그리고, 현상 공정을 수행한다. 예컨대, 베이크 공정은 열처리 공정이고, 도포 공정은 액막 형성 공정일 수 있다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함하고, 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막을 포함할 수 있다. 반송 챔버(3400)는 공정 블럭(31) 내에 위치된 처리 챔버들(3600) 간, 그리고 처리 챔버(3600)와 버퍼 챔버(3800) 간에 기판(W)을 반송한다.Referring to FIG. 3, the process block 31 has a transfer chamber 3400, a processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The processing chamber 3600 performs a baking process, an application process, and a development process on the substrate W. As shown in FIG. For example, the baking process may be a heat treatment process and the coating process may be a liquid film forming process. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process, and the liquid film may include a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 carries the substrate W between the processing chambers 3600 located in the process block 31 and between the processing chamber 3600 and the buffer chamber 3800.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 처리 챔버들(3600) 간, 그리고 처리 챔버(3600)와 버퍼 챔버(3800) 간에 기판(W)을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. The transfer robot 3342 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer robot 3422 transports the substrate W between the processing chambers 3600 and between the processing chamber 3600 and the buffer chamber 3800. According to one example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and the third direction. It may be provided to be movable along 16. In the transfer chamber 3400, a guide rail 3300 having a longitudinal direction thereof is provided in parallel with the first direction 12, and the transfer robot 3342 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 4은 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 4 is a diagram illustrating an example of a hand of the carrier robot of FIG. 3. Referring to FIG. 4, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inward from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 may be provided to support edge regions of the substrate W. As shown in FIG. By way of example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 양측에 배치된다. 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 처리 챔버(3600)를 전단 처리 챔버(3602)(front treating chamber)라 칭한다. 처리 챔버들(3600) 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 처리 챔버(3600)를 후단 처리 챔버(3604)(rear treating chamber)라 칭한다. The processing chamber 3600 is provided in plurality. Some of the processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. 2 and 3, the processing chambers 3600 are disposed on both sides of the transfer chamber 3402. The processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the processing chambers 3600 are provided at a location adjacent to the index module 20. These processing chambers 3600 are hereinafter referred to as front treating chambers 3602. Another portion of the processing chambers 3600 is provided at a location adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these processing chambers 3600 are referred to as rear treating chambers.

전단 처리 챔버(3602)와 후단 처리 챔버(3604)는 도포 공정에서 사용되는 액의 종류가 달리 제공된다. 일 실시예에 의하면, 전단 처리 챔버(3602)의 도포 공정에는 도포액이 반사 방지막이고, 후단 처리 챔버(3604)의 도포 공정에는 도포액이 포토레지스트일 수 있다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 전단 처리 챔버(3602)의 도포액은 포토레지스트이고, 후단 처리 챔버(3604)의 도포액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 전단 처리 챔버(3602)와 후단 처리 챔버(3604) 각각의 도포 공정에 사용되는 도포액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front processing chamber 3602 and the rear processing chamber 3604 are provided with different kinds of liquids used in the application process. According to one embodiment, the coating liquid may be an anti-reflection film in the application process of the front end processing chamber 3602, and the coating liquid may be a photoresist in the application process of the rear end processing chamber 3604. The photoresist may be applied onto the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the coating liquid of the front processing chamber 3602 may be a photoresist, and the coating liquid of the rear processing chamber 3604 may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied onto the substrate W to which the photoresist is applied. Optionally, the coating liquids used in the application process of each of the front processing chamber 3602 and the back processing chamber 3604 are the same kind of liquid, and they may all be photoresists.

처리 챔버들(3602, 3604)은 모두 동일한 구조를 가지며, 전단 처리 챔버(3602)를 일 예로 설명한다. 도 5는 도 2의 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5의 처리 챔버의 정면도이다.The processing chambers 3602 and 3604 both have the same structure, and the shear processing chamber 3602 will be described as an example. 5 is a plan view schematically illustrating an example of the processing chamber of FIG. 2, and FIG. 6 is a front view of the processing chamber of FIG. 5.

도 5 및 도 6을 참조하면, 전단 처리 챔버(3602)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 그리고 처리 유닛(800)을 포함한다. 하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220) 및 처리 유닛(800)은 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 처리 유닛(800)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 처리 유닛(800)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.5 and 6, the shear processing chamber 3602 includes a housing 3210, a cooling unit 3220, and a processing unit 800. The housing 3210 is generally provided in the shape of a cuboid. A sidewall of the housing 3210 is formed with an inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits. The inlet can be kept open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the entrance. The cooling unit 3220 and the processing unit 800 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the processing unit 800 are provided side by side along the second direction 14. According to one example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the processing unit 800.

냉각 유닛(3220)은 냉각 플레이트(3240), 가이드 레일(3249), 그리고 구동기(3246)를 포함한다. 냉각 플레이트(3240)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 일 예에 의하면, 냉각 플레이트(3240)의 내부에는 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 가이드 레일(3249) 및 구동기(3246)는 냉각 플레이트를 이동시키는 플레이트 이동 부재(3249,3246)로 제공된다. 냉각 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1위치와 제2위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 제1위치는 냉각 플레이트(3240)가 기판 지지 유닛(830)과 마주하는 위치이고, 제2위치는 제1위치를 벗어난 위치이다. 제2위치는 제1위치보다 하우징의 반출입구에 더 가까운 위치이다. 냉각 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 냉각 플레이트(3240)의 끝단에서 냉각 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 냉각 플레이트(3240)와 처리 유닛(800) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 냉각 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The cooling unit 3220 includes a cooling plate 3240, a guide rail 3249, and a driver 3246. The cooling plate 3240 has a generally circular plate shape when viewed from the top, and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, the cooling plate 3240 may be provided as a flow path through which a cooling fluid flows. A notch 3244 is formed at an edge of the cooling plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. In addition, the notch 3344 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420, and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the upper and lower positions of the hand 3420 and the cooling plate 3240 are changed in the position where the hand 3420 and the cooling plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W may be moved between the hand 3420 and the cooling plate 3240. Delivery takes place. The guide rail 3249 and the driver 3246 are provided with plate moving members 3249 and 3246 for moving the cooling plate. The cooling plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first position and the second position along the guide rail 3249 by the driver 3246. Here, the first position is a position in which the cooling plate 3240 faces the substrate support unit 830, and the second position is a position outside the first position. The second position is a position closer to the carrying in and out of the housing than the first position. The cooling plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3324. The guide groove 3324 extends from the end of the cooling plate 3240 to the inside of the cooling plate 3240. The guide grooves 3324 are provided in the longitudinal direction along the second direction 14, and the guide grooves 3324 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3324 prevents the cooling plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the takeover of the substrate W is made between the cooling plate 3240 and the processing unit 800.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 냉각 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 냉각 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The heating of the substrate W is performed while the substrate W is placed directly on the support plate 1320, and the cooling of the substrate W is performed by the cooling plate 3240 on which the substrate W is placed. Is made in contact with The cooling plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is performed well. According to an example, the cooling plate 3240 may be provided with a metal material.

도 7은 도 2의 처리 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 8은 도 7의 처리 유닛을 보여주는 평면도이다. 처리 유닛(800)은 기판(W) 상에 액막을 형성하는 장치로 제공된다. 처리 유닛(800)은 처리 용기(850), 기류 제공 유닛(820), 기판(W) 지지 유닛(830), 가열 유닛(860), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(900), 그리고 제어기(990)를 포함한다. 7 is a cross-sectional view showing the processing unit of FIG. 2, and FIG. 8 is a plan view showing the processing unit of FIG. 7. The processing unit 800 is provided as an apparatus for forming a liquid film on the substrate W. As shown in FIG. The processing unit 800 includes a processing vessel 850, an airflow providing unit 820, a substrate W supporting unit 830, a heating unit 860, a lifting unit 890, a liquid supply unit 900, and a controller. 990.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간에 위치된다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내부에 기판(W)의 도포 공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정이 수행되는 처리 공간(812)을 제공한다. 처리 용기(850)는 제1회수통(852)과 제2회수통(858)을 포함한다. 제1회수통(852)은 기판(W)을 처리한 감광액을 회수하는 통으로 제공되고, 제2회수통(858)은 기판(W)을 처리한 현상액을 회수하는 통으로 제공된다. 제1회수통(852) 및 제2회수통(858) 각각은 환형의 링 형상을 가지며, 제2회수통(858)은 제1회수통(852)의 주변을 감싸는 형상을 가진다. The processing vessel 850 is located in the interior space of the housing 810. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing container 850 provides a processing space 812 in which an application process, a baking process, and a developing process of the substrate W are performed. The processing container 850 includes a first collection container 852 and a second collection container 858. The first collection container 852 is provided as a container for recovering the photosensitive liquid having processed the substrate W, and the second recovery container 858 is provided as a container for recovering the developer having been processed the substrate W. Each of the first collecting container 852 and the second collecting container 858 has an annular ring shape, and the second collecting container 858 has a shape surrounding the periphery of the first collecting container 852.

제1회수통(852)은 내측 컵(854) 및 외측 컵(856)을 포함한다. 외측 컵(856)과 내측 컵(854)의 사이 공간은 감광액이 유입되는 유입구로서 기능한다. The first collection container 852 includes an inner cup 854 and an outer cup 856. The space between the outer cup 856 and the inner cup 854 serves as an inlet through which the photosensitive liquid flows.

내측 컵(854)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(854)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(854)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(854)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(854)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(854)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(854)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(854)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The inner cup 854 is provided in a circular plate shape surrounding the rotation shaft 834. When viewed from the top, the inner cup 854 is positioned to overlap the inner exhaust port 814. As viewed from the top, the top surface of the inner cup 854 is provided such that each of its outer and inner regions is inclined at different angles. According to an example, the outer region of the inner cup 854 faces a downwardly inclined direction away from the substrate support unit 830, and the inner region faces an upwardly inclined direction away from the substrate support unit 830. Is provided. The point where the outer region and the inner region of the inner cup 854 meet each other is provided to correspond to the side end portion of the substrate W in the vertical direction. The top outer region of the inner cup 854 is provided to be rounded. The top outer region of the inner cup 854 is provided concave down. The upper outer surface area of the inner cup 854 may be provided as an area through which the processing liquid flows.

외측 컵(856)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(854)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(856)은 바닥벽, 측벽, 상벽, 그리고 경사벽을 가진다. 바닥벽은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽에는 회수 라인(855)이 형성된다. 회수 라인(855)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(855)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽은 바닥벽의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽은 바닥벽으로부터 위로 연장된다. The outer cup 856 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 854. The outer cup 856 has a bottom wall, side walls, top wall, and inclined wall. The bottom wall is provided to have a circular plate shape with a hollow. A recovery line 855 is formed on the bottom wall. The recovery line 855 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 855 can be reused by an external liquid regeneration system. The side wall is provided to have a circular cylindrical shape surrounding the substrate support unit 830. The side wall extends in a direction perpendicular to the side end of the bottom wall. The side wall extends up from the bottom wall.

경사벽은 측벽의 상단으로부터 외측 컵(856)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall extends in the inward direction of the outer cup 856 from the top of the side wall. The inclined wall is provided to move closer to the substrate support unit 830. The inclined wall is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830.

제2회수통(858)은 외측 컵(856)을 감싸는 컵 형상으로 제공된다. 제2회수통(858)은 외측 컵(856)을 감싸도록 외측 컵(856)보다 큰 형상으로 제공된다. 제2회수통(858)과 외측 컵(856)의 사이 공간은 현상액이 유입되는 유입구로서 기능한다.The second collection container 858 is provided in a cup shape surrounding the outer cup 856. The second collection container 858 is provided in a larger shape than the outer cup 856 to surround the outer cup 856. The space between the second collection vessel 858 and the outer cup 856 functions as an inlet through which the developer is introduced.

기류 제공 유닛(820)은 하우징(3210) 내에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 팬(824), 기류 공급 라인(822), 그리고 필터(826)를 포함한다. 팬(824)은 하우징(3210)의 천장면에서 처리 용기(850)과 마주하도록 위치된다. 팬(824)은 처리 용기(850)의 처리 공간(812)에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(3210)의 외부에서 팬(824)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(3210) 내에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 820 forms a downward airflow in the housing 3210. The airflow providing unit 820 includes a fan 824, an airflow supply line 822, and a filter 826. The fan 824 is positioned to face the processing vessel 850 at the ceiling surface of the housing 3210. The fan 824 creates a downdraft in the processing space 812 of the processing vessel 850. Air flow supply line 822 is connected to fan 824 outside of housing 3210. Airflow supply line 822 supplies external air into housing 3210. The filter 826 filters the air provided from the airflow supply line 822. The filter 826 removes impurities contained in the air. When air is supplied from the airflow supply line 822 to the fan 824, the fan 824 supplies air downward.

기판 지지 유닛(830)은 처리 공간(812)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지판(832), 회전 구동기(834,836), 그리고 리프트 핀(1340)을 포함한다. 지지판(832)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원 형상으로 제공된다. 지지판(832)의 상면은 기판(W)이 놓여지는 안착면으로 제공된다. 지지판(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉되게 놓여질 수 있다. 상부에서 바라볼 때 지지판(832)은 기판(W)보다 작은 크기를 가지되, 일정 크기 이상으로 제공된다. 예컨대, 지지판(832)의 상면의 면적은 기판(W)의 80% 이상일 수 있다. 이는 지지판(832)을 통한 전도열이 기판(W)의 일정 부분 이상을 가열하기 위함이다. 일 예에 의하면, 지지판(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 지지판(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 지지판(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in the processing space 812. The substrate support unit 830 supports and rotates the substrate W. FIG. The substrate support unit 830 includes a support plate 832, rotation drivers 834 and 836, and a lift pin 1340. The support plate 832 is provided in a generally circular shape when viewed from the top. The upper surface of the support plate 832 is provided as a seating surface on which the substrate W is placed. The upper surface of the support plate 832 may be placed in contact with the substrate (W). When viewed from the top, the support plate 832 has a size smaller than the substrate W, but is provided in a predetermined size or more. For example, an area of the top surface of the support plate 832 may be 80% or more of the substrate W. This is for the conductive heat through the support plate 832 to heat more than a portion of the substrate (W). According to an example, the support plate 832 may vacuum the substrate W to chuck the substrate W. Optionally, the support plate 832 may be provided as an electrostatic chuck that chucks the substrate W using static electricity. In addition, the support plate 832 may chuck the substrate W with a physical force.

회전 구동기(834,836)는 지지판(832)을 지지하고, 지지판(832)을 선택적으로 회전시킨다. 회전 구동기(834,836)는 회전축(834) 및 구동기(836)를 포함한다. 회전축(834)은 지지판(832)의 아래에서 지지판(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축(834)의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.Rotational drivers 834, 836 support support plate 832 and selectively rotate support plate 832. Rotational drivers 834, 836 include rotational axis 834 and driver 836. The rotating shaft 834 supports the support plate 832 under the support plate 832. The rotating shaft 834 is provided such that its longitudinal direction is directed upward and downward. The rotating shaft 834 is provided to be rotatable about its central axis. The driver 836 provides a driving force for the rotation shaft 834 to rotate. For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotational speed of the rotation shaft 834.

리프트 핀(1340)은 승하강 이동되어 지지판(832)에 기판(W)을 내려놓거나, 지지판(832)으로부터 기판(W)을 들어올린다. 리프트 핀(1340)은 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 핀(1340)은 지지판(832)과 중첩되게 위치된다. 리프트 핀(1340)은 지지판(832)에 제공되며, 리프트 핀(1340)은 승하강 이동되어 지지판(832) 내에 삽입되거나 지지판(832)으로부터 위로 돌출되도록 위치될 수 있다.The lift pins 1340 move up and down to lower the substrate W on the support plate 832 or to lift the substrate W from the support plate 832. The lift pins 1340 are provided in plural and are arranged to have an annular ring shape in combination with each other. When viewed from the top, the lift pins 1340 are positioned to overlap with the support plate 832. The lift pins 1340 are provided on the support plate 832, and the lift pins 1340 may be moved up and down to be inserted into the support plate 832 or to protrude upward from the support plate 832.

선택적으로 상부에서 바라볼 때 리프트 핀(1340)은 지지판(832)의 주변을 감싸도록 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 리프트 핀(1340)은 지지판(832)과 중첩되지 않고, 지지판(832)에 놓여진 기판(W)과 중첩되도록 위치될 수 있다.Optionally, the lift pin 1340 may be positioned to wrap around the support plate 832 when viewed from the top. When viewed from the top, the lift pin 1340 may be positioned not to overlap the support plate 832 but to overlap the substrate W placed on the support plate 832.

가열 유닛(860)은 지지판(832)에 지지된 기판(W)을 가열한다. 가열 유닛(860)은 복수의 히터(862)를 포함한다. 복수의 히터들(862)은 지지판(832) 내에 위치되며, 이들 각각은 동일 평면 상에 위치된다. 히터(862)들은 지지판(832)의 안착면의 서로 다른 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(862)에 대응되는 지지판(832)의 영역들은 히팅존들로 제공될 수 있다. 히터(862)들 중 일부는 지지판(832)의 중앙 영역에 위치되고, 다른 일부는 가장자리에 위치될 수 있다. 각각의 히터(862)는 온도가 독립되게 조절 가능하다. 히터(862)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.The heating unit 860 heats the substrate W supported by the support plate 832. The heating unit 860 includes a plurality of heaters 862. The plurality of heaters 862 are located in the support plate 832, each of which is located on the same plane. The heaters 862 heat different regions of the seating surface of the support plate 832. When viewed from the top, regions of the support plate 832 corresponding to each heater 862 may be provided as heating zones. Some of the heaters 862 may be located in the central region of the support plate 832, and others may be located at the edges. Each heater 862 is independently adjustable in temperature. The heater 862 may be a thermoelectric element or a hot wire.

승강 유닛(890)은 제1회수통(852) 및 제2회수통(858)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 제1회수통(852)을 승강 이동시키고, 외측 이동 부재(894)는 제2회수통(858)을 승강 이동시킨다. 이와 달리, 제1회수통(852)과 제2회수통(858)은 일체형으로 제공되어 함께 승강 이동될 수 있다.The lifting unit 890 lifts and moves the first collection container 852 and the second collection container 858, respectively. The elevating unit 890 includes an inner movable member 892 and an outer movable member 894. The inner side movement member 892 raises and lowers the 1st collection cylinder 852, and the outer side movement member 894 raises and moves the 2nd collection cylinder 858. On the contrary, the first collection container 852 and the second collection container 858 may be provided as an integral type to move up and down together.

액 공급 유닛(900)은 기판(W) 상에 감광액, 현상액, 그리고 린스액을 공급한다. 액 공급 유닛(900)은 감광액 공급 유닛(920), 현상액 공급 유닛(940), 그리고 린스액 공급 유닛(960)을 포함한다. 감광액 공급 유닛(920)은 기판(W) 상에 감광액을 공급하고, 현상액 공급 유닛(940)은, 기판(W) 상에 현상액을 공급하며, 린스액 공급 유닛(960)은 기판(W) 상에 린스액을 공급한다.The liquid supply unit 900 supplies the photosensitive liquid, the developing liquid, and the rinse liquid onto the substrate W. FIG. The liquid supply unit 900 includes a photosensitive liquid supply unit 920, a developer liquid supply unit 940, and a rinse liquid supply unit 960. The photoresist supply unit 920 supplies a photoresist on the substrate W, the developer supply unit 940 supplies a developer on the substrate W, and the rinse solution supply unit 960 is on the substrate W. Supply the rinse liquid to

감광액 공급 유닛(920)은 감광액을 잉크젯 방식으로 공급한다. 감광액 공급 유닛(920)은 가이드 레일(922), 도포 아암(924), 도포 노즐(930)을 포함한다. 가이드 레일(922) 및 도포 아암(924)은 도포 노즐(930)을 이동시키는 도포 노즐(930) 구동기로 제공된다. 가이드 레일(922)은 도포 아암(924)을 수평 방향으로 이동시킨다. 가이드 레일(922)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(922)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(922)의 길이 방향을 제2방향(14)과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(922)에는 도포 아암(924)이 설치된다. 도포 아암(924)은 가이드 레일(922)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 도포 아암(924)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(922)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 도포 아암(924)의 일단은 가이드 레일(922)에 장착되고, 타단에는 도포 노즐(930)이 각각 설치된다. 도포 노즐(930)은 가이드 레일에 의해 공정 위치와 제1대기 포트(920a)로 이동된다. 여기서 공정 위치는 도포 노즐(930)이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)과 마주하는 위치이고, 제1대기 포트(920a)는 도포 노즐(930)이 대기되는 위치로 제공된다. The photosensitive liquid supply unit 920 supplies the photosensitive liquid by an inkjet method. The photosensitive liquid supply unit 920 includes a guide rail 922, an application arm 924, and an application nozzle 930. Guide rail 922 and application arm 924 are provided to an application nozzle 930 driver to move application nozzle 930. The guide rail 922 moves the application arm 924 in the horizontal direction. The guide rail 922 is located at one side of the processing container 850. The guide rail 922 is provided so that its length direction may face a horizontal direction. According to an example, the length of the guide rail 922 may be provided to face in a direction parallel to the second direction 14. The application arm 924 is attached to the guide rail 922. The application arm 924 may be moved by a linear motor provided inside the guide rail 922. The application arm 924 is provided to face in the longitudinal direction perpendicular to the guide rail 922 when viewed from the top. One end of the application arm 924 is attached to the guide rail 922, and the application nozzle 930 is provided at the other end, respectively. The application nozzle 930 is moved to the process position and the first standby port 920a by the guide rail. The process position is a position where the application nozzle 930 faces the substrate W supported by the substrate support unit 830, and the first standby port 920a is provided at a position where the application nozzle 930 is waiting.

도 9는 도 8의 도포 노즐을 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 도포 노즐(930)은 도포 바디(932) 및 압전 소자(934)를 포함한다. 도포 바디(932) 내에는 감광액이 흐르는 유로가 형성되고, 압전 소자(934)는 유로에 흐르는 감광액에 압력을 인가하여, 감광액의 토출 및 토출 압력을 조절한다.9 is a cross-sectional view illustrating the application nozzle of FIG. 8. Referring to FIG. 9, the application nozzle 930 includes an application body 932 and a piezoelectric element 934. A flow path through which the photosensitive liquid flows is formed in the coating body 932, and the piezoelectric element 934 applies pressure to the photosensitive liquid flowing in the flow path to adjust the discharge and the discharge pressure of the photosensitive liquid.

도포 바디(932)는 기판(W)을 향하는 방향으로 감광액을 토출하는 토출홀(932a)이 형성된다. 토출홀(932a)은 복수 개로 제공되며, 도포 바디(932)의 저면에 일렬로 배열될 수 있다. 선택적으로 토출홀들(932a)은 복수 열로 배열될 수 있다. 도포 바디(932)의 내부에는 메인 유로(932b), 도입 유로(932c), 공급 유로(936), 그리고 세정액 유로(938)가 형성된다. The coating body 932 is formed with a discharge hole 932a for discharging the photosensitive liquid toward the substrate W. As shown in FIG. The discharge holes 932a may be provided in plural numbers and may be arranged in a row on the bottom surface of the application body 932. Optionally, the discharge holes 932a may be arranged in a plurality of rows. The main flow passage 932b, the introduction flow passage 932c, the supply flow passage 936, and the cleaning liquid flow passage 938 are formed inside the application body 932.

메인 유로(932b)는 감광액이 흐르는 유로이며, 토출홀들(932a)은 메인 유로로부터 연장되게 제공된다. 예컨대, 메인 유로(932b)는 도포 바디(932)의 저면과 인접하게 제공될 수 있다.The main flow path 932b is a flow path through which the photosensitive liquid flows, and the discharge holes 932a are provided to extend from the main flow path. For example, the main flow path 932b may be provided adjacent to the bottom of the application body 932.

도입 유로(932c)는 도포 바디(932) 내에 감광액이 도입되는 유로로 기능한다. 도입 유로(932c)는 메인 유로(932b)의 상부에 위치된다. 도입 유로(932c)와 메인 유로(932b)의 사이에는 압전 소자(934)가 위치된다. 압전 소자(934)는 메인 유로(932b)에 흐르는 감광액에 압력을 인가한다. 압전 소자(934)에 의한 압력에 의해 메인 유로(932b)에 흐르는 감광액은 토출홀들(932a)을 통해 토출된다. 이로 인해 감광액은 잉크젯 방식으로 토출된다.The introduction flow path 932c functions as a flow path through which the photosensitive liquid is introduced into the application body 932. The introduction passage 932c is located above the main passage 932b. The piezoelectric element 934 is positioned between the introduction passage 932c and the main passage 932b. The piezoelectric element 934 applies pressure to the photosensitive liquid flowing in the main flow path 932b. The photosensitive liquid flowing in the main flow path 932b by the pressure of the piezoelectric element 934 is discharged through the discharge holes 932a. For this reason, the photosensitive liquid is discharged by the inkjet method.

공급 유로(936)는 감광액 저장부(937)에 수용된 감광액을 도입 유로(932c)에 공급한다. 공급 유로(936)는 도입 유로(932c)에 연결된다. 공급 유로(936)는 복수 개로 제공되며, 이들 각각을 통해서 서로 다른 종류의 감광액들이 도입 유로(932c)에 공급된다. 공급 유로(936)들 간에는 서로 독립되게 제공된다.The supply flow passage 936 supplies the photosensitive liquid contained in the photosensitive liquid storage unit 937 to the introduction flow passage 932c. The supply flow passage 936 is connected to the introduction flow passage 932c. A plurality of supply flow passages 936 are provided, and different types of photosensitive liquids are supplied to the introduction flow passage 932c through each of them. The supply flow passages 936 are provided independently of each other.

세정액 유로(938)는 각 공급 유로(936)에 연결된다. 세정액 유로(938)는 복수 개로 제공되며, 공급 유로(936)에 일대일 연결된다. 세정액 유로(938)은 세정액 저장부(939)에 수용된 세정액을 각 공급 유로에 공급한다. 세정액 유로(938)는 도입 유로(932c) 및 일대일 대응되는 공급 유로(936)가 세정되도록 그 대응되는 공급 유로(936)에 세정액을 공급한다. 예컨대, 세정액은 시너(Thinner)일 수 있다. The cleaning liquid flow path 938 is connected to each supply flow path 936. The cleaning liquid flow path 938 is provided in plural numbers and is connected one-to-one to the supply flow path 936. The cleaning liquid flow path 938 supplies the cleaning liquid contained in the cleaning liquid storage part 939 to each supply flow path. The cleaning liquid flow path 938 supplies the cleaning liquid to the corresponding supply flow path 936 such that the introduction flow path 932c and the one-to-one corresponding supply flow path 936 are cleaned. For example, the cleaning liquid may be thinner.

현상액 공급 유닛(940)은 현상액을 적하 방식으로 공급한다. 현상액은 물줄기인 스트림 형태와 액 커튼 형태로 각각 공급될 수 있다. 현상액 공급 유닛(940)은 회전축(942), 현상 아암(944), 현상 노즐(950)을 포함한다. 회전축(942) 및 현상 아암(944)은 현상 노즐(950)을 이동시키는 노즐 구동기로 제공된다. 회전축(942)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 회전축(942)은 도포 노즐(930) 및 도포 아암이 이동되는 경로와 중첩되지 않도록 위치된다. 회전축(942)은 구동기(미도시)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 현상 아암(944)은 회전축(942)의 상단으로부터 수직한 방향으로 길게 연장되는 바 형상을 가진다. 현상 아암(944)의 끝단에는 현상 노즐(950)이 설치된다. 현상 노즐(950)은 현상 아암(944) 및 회전축(942)에 의해 공정 위치와 제2대기 포트(940a)로 이동된다. 여기서 공정 위치는 현상 노즐(950)이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)과 마주하는 위치이고, 제2대기 포트(940a)는 현상 노즐(950)이 대기되는 위치로 제공된다.The developer supply unit 940 supplies the developer in a dropwise manner. The developer may be supplied in the form of a stream, which is a body of water, and a liquid curtain, respectively. The developer supply unit 940 includes a rotating shaft 942, a developing arm 944, and a developing nozzle 950. The rotating shaft 942 and the developing arm 944 are provided to a nozzle driver for moving the developing nozzle 950. The rotating shaft 942 is located at one side of the processing container 850. The rotating shaft 942 is positioned so as not to overlap the path through which the application nozzle 930 and the application arm move. The rotating shaft 942 is rotatable about a magnetic center axis by a driver (not shown). The developing arm 944 has a bar shape extending in a vertical direction from an upper end of the rotating shaft 942. The developing nozzle 950 is provided at the end of the developing arm 944. The developing nozzle 950 is moved to the process position and the second standby port 940a by the developing arm 944 and the rotating shaft 942. Here, the process position is a position where the developing nozzle 950 faces the substrate W supported by the substrate support unit 830, and the second standby port 940a is provided at a position where the developing nozzle 950 is waiting.

도 10은 도 8의 현상 노즐을 보여주는 사시도이다. 도 10을 참조하면, 현상 노즐(950)은 몸체(952) 및 현상 바디(956)를 포함한다. 몸체(952)의 저면에는 원형 토출구(952b) 및 웨팅액 토출구(952a)가 형성된다. 원형 토출구(952b) 및 웨팅액 토출구(952a)는 일 방향을 따라 배열된다. 원형 토출구(952b)에는 현상액이 적하 방식으로 원형의 스트림 형태로 토출되고, 웨팅액 토출구(952a)에는 프리 웨팅액이 적하 방식으로 원형의 스트림 형태로 토출된다. 현상 바디(956)는 몸체(952)의 일측에 결합된다. 현상 바디(956)에는 슬릿 토출구(958)가 형성된다. 슬릿 토출구(958)는 원형 토출구(952b)와 웨팅액 토출구(952a)가 배열되는 방향과 평행한 길이 방향을 가진다. 슬릿 토출구(958)는 몸체에 가까워지수록 하향 경사지게 제공된다. 슬릿 토출구(958)에는 원형 토출구(952b)에서 토출되는 액과 동일한 종류의 액이 토출될 수 있다. 슬릿 토출구(958)에는 현상액이 적하 방식으로 액 커튼의 스트림 형태로 토출된다. 일 예에 의하면, 현상액은 원형 토출구(952b)를 통해 1차 공급된 후, 슬릿 토출구(958)를 통해 2차 공급될 수 있다. 원형의 스트림 형태의 현상액은 기판(W) 상에 균일한 현상액막을 형성하고, 액 커튼의 스트림 형태의 현상액은 현상액막의 두께를 증가시킬 수 있다.10 is a perspective view illustrating a developing nozzle of FIG. 8. Referring to FIG. 10, the developing nozzle 950 includes a body 952 and a developing body 956. On the bottom of the body 952, a circular discharge port 952b and a wetting liquid discharge port 952a are formed. The circular discharge port 952b and the wetting liquid discharge port 952a are arranged along one direction. The developing solution is discharged to the circular discharge port 952b in the form of a circular stream in a dropping manner, and the pre-wetting solution is discharged to the circular discharge port 952a in the form of a circular stream in a dropping manner. The developing body 956 is coupled to one side of the body 952. A slit discharge port 958 is formed in the developing body 956. The slit discharge port 958 has a longitudinal direction parallel to the direction in which the circular discharge port 952b and the wetting liquid discharge port 952a are arranged. The slit discharge port 958 is provided to be inclined downward as it approaches the body. The slit discharge port 958 may be the same type of liquid discharged from the circular discharge port 952b. The developer is discharged to the slit discharge port 958 in the form of a stream of liquid curtain in a dropwise manner. According to an example, the developer may be first supplied through the circular discharge port 952b and then secondly supplied through the slit discharge port 958. The developer in the form of a circular stream forms a uniform developer film on the substrate W, and the developer in the stream form of the liquid curtain can increase the thickness of the developer film.

다시 도 7 및 도 8을 참조하면, 린스액 공급 유닛(960)은 린스액을 적하 방식으로 공급한다. 린스액은 원형의 스트림 형태로 공급될 수 있다. 린스액 공급 유닛(960)은 회전축(962), 린스 아암(964), 린스 노즐(966)을 포함한다. 회전축(962) 및 린스 아암(964)은 린스 노즐(966)을 이동시키는 노즐 구동기로 제공된다. 회전축은 처리 용기(850)의 타측에 위치된다. 회전축은 도포 노즐(930) 및 도포 아암(924)이 이동되는 경로와 중첩되지 않도록 위치된다. 회전축(962)은 구동기(미도시)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 린스 아암(964)은 회전축(962)의 상단으로부터 수직한 방향으로 길게 연장되는 바 형상을 가진다. 린스 아암(964)의 끝단에는 린스 노즐(966)이 설치된다. 린스 노즐(966)은 린스 아암(964) 및 회전축(962)에 의해 공정 위치와 제3대기 포트(960a)로 이동된다. 여기서 공정 위치는 린스 노즐(966)이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)과 마주하는 위치이고, 제3대기 포트(960a)는 린스 노즐(966)이 대기되는 위치로 제공된다. 예컨대, 린스액은 현상액을 린스 처리할 수 있는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다.7 and 8 again, the rinse liquid supply unit 960 supplies the rinse liquid in a dropwise manner. The rinse liquid can be supplied in the form of a circular stream. The rinse liquid supply unit 960 includes a rotation shaft 962, a rinse arm 964, and a rinse nozzle 966. The rotating shaft 962 and the rinse arm 964 are provided to a nozzle driver for moving the rinse nozzle 966. The axis of rotation is located on the other side of the processing vessel 850. The axis of rotation is positioned so as not to overlap the path through which the application nozzle 930 and application arm 924 travel. The rotating shaft 962 is rotatable about a magnetic center axis by a driver (not shown). The rinse arm 964 has a bar shape that extends in a direction perpendicular to the top of the rotation shaft 962. A rinse nozzle 966 is installed at the end of the rinse arm 964. The rinse nozzle 966 is moved to the process position and the third standby port 960a by the rinse arm 964 and the rotating shaft 962. The process position is a position where the rinse nozzle 966 faces the substrate W supported by the substrate support unit 830, and the third standby port 960a is provided at a position where the rinse nozzle 966 is waiting. For example, the rinse liquid may be a liquid capable of rinsing the developer. The rinse liquid may be pure.

제1대기 포트(920a)는 도포 노즐(930)이 대기하는 공간을 제공한다. 상부에서 바라볼 때 제1대기 포트(920a)는 도포 노즐(930)이 이동되는 경로 상에 위치된다. 제1대기 포트(920a)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 도포 노즐(930)에 잔류된 이물질을 세정 처리한다. 제1대기 포트(920a) 내에는 제1세정액이 수용되며, 도포 노즐(930)은 제1세정액에 침지되도록 이동되어 도포 노즐(930)을 세정할 수 있다. 예컨대, 제1세정액은 시너(Thinner)일 수 있다. The first standby port 920a provides a space in which the application nozzle 930 stands. As viewed from the top, the first standby port 920a is located on the path through which the application nozzle 930 is moved. The first standby port 920a has a cup shape with an open top, and cleans the foreign matter remaining in the application nozzle 930. The first cleaning liquid is accommodated in the first standby port 920a, and the coating nozzle 930 is moved to be immersed in the first cleaning liquid to clean the coating nozzle 930. For example, the first cleaning liquid may be thinner.

제2대기 포트(940a)는 현상 노즐(950)이 대기하는 공간을 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제2대기 포트(940a)는 현상 노즐(950)이 이동되는 경로 상에 위치된다. 제2대기 포트(940a)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 현상 노즐(950)에 잔류된 이물질을 세정 처리한다. 제2대기 포트(940a) 내에는 제2세정액이 수용되며, 현상 노즐(950)은 제2세정액에 침지되도록 이동되어 현상 노즐(950)을 세정할 수 있다. 예컨대, 제2세정액은 린스액일 수 있다. 제2세정액은 순수일 수 있다.The second standby port 940a provides a space for the developing nozzle 950 to wait. As viewed from the top, the second standby port 940a is located on the path through which the developing nozzle 950 is moved. The second standby port 940a has a cup shape with an open top, and cleans the foreign matter remaining in the developing nozzle 950. The second cleaning liquid is accommodated in the second standby port 940a, and the developing nozzle 950 may be moved to be immersed in the second cleaning liquid to clean the developing nozzle 950. For example, the second cleaning liquid may be a rinse liquid. The second wash may be pure.

제3대기 포트(960a)는 린스 노즐(966)이 대기하는 공간을 제공한다. 상부에서 바라볼 때 제3대기 포트(960a)는 린스 노즐(966)이 이동되는 경로 상에 위치된다. 제3대기 포트(960a)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 린스 노즐(966)에 잔류된 이물질을 세정 처리한다. 제3대기 포트(960a) 내에는 제3세정액이 수용되며, 린스 노즐(966)은 제3세정액에 침지되도록 이동되어 린스 노즐(966)을 세정할 수 있다. 예컨대, 제3세정액은 순수일 수 있다.The third standby port 960a provides a space in which the rinse nozzle 966 stands. As viewed from the top, the third standby port 960a is located on the path through which the rinse nozzle 966 moves. The third standby port 960a has a cup shape with an open upper portion, and cleans foreign substances remaining in the rinse nozzle 966. The third cleaning liquid is accommodated in the third standby port 960a, and the rinse nozzle 966 may be moved to be immersed in the third cleaning liquid to clean the rinse nozzle 966. For example, the third wash may be pure water.

제어기(990)는 감광액 공급 유닛(920), 현상액 공급 유닛(940), 기판 지지 유닛(830), 그리고 가열 유닛(860)을 제어한다. 제어기(990)는 기판(W) 상에 감광액을 도포 처리하여 감광액막을 형성하는 도포 공정, 노광된 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 공정, 그리고 기판(W)을 가열하는 가열 공정이 진행되도록 각 유닛을 제어할 수 있다.The controller 990 controls the photosensitive liquid supply unit 920, the developer supply unit 940, the substrate support unit 830, and the heating unit 860. The controller 990 applies a photoresist on the substrate W to form a photoresist film, a development process of supplying and developing a developer onto the exposed substrate W, and heating to heat the substrate W. Each unit can be controlled so that the process proceeds.

각 공정에 대해 제어기(990)는 기판(W)에 액이 공급되는 액 처리 공정 중에는 히터(862)를 오프(Off)하고, 가열 공정 중에는 히터(862)를 온(On)하도록 가열 유닛(860)을 제어한다. For each process, the controller 990 turns off the heater 862 during the liquid treatment process in which the liquid is supplied to the substrate W, and the heating unit 860 to turn on the heater 862 during the heating process. ).

또한 제어기(990)는 기판(W)에 공급되는 액 종류에 따라 지지판(832)을 회전 또는 정지되도록 회전 구동기(834,836)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제어기(990)는 기판(W) 상에 감광액이 공급되는 중에는 기판(W) 및 지지판(832)의 회전이 중지되도록 회전 구동기(834,836)를 제어할 수 있다. 또한 제어기(990)는 기판(W) 상에 현상액 및 린스액이 공급되는 중에는 기판(W)과 지지판(832)이 회전되도록 회전 구동기(834,836)를 제어할 수 있다.In addition, the controller 990 controls the rotation drivers 834 and 836 to rotate or stop the support plate 832 according to the type of liquid supplied to the substrate W. FIG. According to an example, the controller 990 may control the rotation drivers 834 and 836 such that the rotation of the substrate W and the support plate 832 is stopped while the photosensitive liquid is supplied to the substrate W. FIG. In addition, the controller 990 may control the rotation drivers 834 and 836 so that the substrate W and the support plate 832 are rotated while the developer and the rinse solution are supplied onto the substrate W. FIG.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring again to FIGS. 2 and 3, the buffer chamber 3800 is provided in plurality. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. These buffer chambers are hereinafter referred to as front buffers 3802 (front buffer). The front end buffers 3802 are provided in plural numbers and are positioned to be stacked on each other along the vertical direction. The other portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40. These buffer chambers are called rear buffers 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural numbers and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front end buffers 3802 and the back end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates (W). The substrate W stored in the front end buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3342. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transfer member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬 필터 유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 공정 블럭(31)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 공정 블럭(31)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.The upper end of the interface frame 4100 may be provided with a fan filter unit for forming a downdraft therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the process block 31, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50, is carried into the process block 31. According to an example, the addition process may be an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, an upper surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. Can be. The plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. The additional process chambers 4200 may all be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 공정 블럭(31), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 공정 블럭(31) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W to be transported between the process block 31, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the process block 31 temporarily stays during the transport. The interface buffer 4400 may be provided in plurality, and the plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 공정 블럭(31), 부가 공정 챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 공정 블럭(31) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 공정 블럭(31), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 공정 블럭(31) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the process block 31, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the process block 31. The conveying member 4600 may be provided by one or a plurality of robots. According to one example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the process block 31, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( The substrate W may be transported between 50, and a second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the process block 31.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each comprise a hand on which the substrate W is placed, the hand moving forward and backward, rotating about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions 16.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 냉각 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hands 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate W with the cooling plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hand of the remaining robots is different from this. It may be provided as.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 공정 블럭(31)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 처리 유닛(800)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 may be provided to directly exchange the substrate W with the processing unit 800 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the process block 31.

또한, 공정 블럭(31) 및 공정 블럭(31)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 냉각 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer block 3342 provided to the process block 31 and the process block 31 may be provided to directly exchange the substrate W with the cooling plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 공정, 에지 노광 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정이 순차적으로 수행된다. The application process, the edge exposure process, the exposure process, and the development process are sequentially performed on the substrate W. FIG.

도포 공정 및 현상 공정은 각각 처리 챔버(3600)에서 수행된다. 일 예에 의하면, 도포 공정 및 현상 공정은 동일 처리 챔버(3600)에서 수행될 수 있고, 서로 다른 처리 챔버들(3600)에서 수행될 수 있다. 도포 공정의 전후 각각, 그리고 현상 공정의 전후 각각에는 기판(W)을 가열하는 가열 공정이 수행된다. 일 예에 의하면, 도포 공정의 전에는 도포 전 가열 공정이, 도포 공정의 후에는 도포 후 가열 공정이 수행되고, 현상 공정 전에는 현상 전 가열 공정이, 현상 공정의 후에는 현상 후 가열 공정이 수행될 수 있다.The application process and development process are each performed in the processing chamber 3600. According to an example, the coating process and the developing process may be performed in the same processing chamber 3600, and may be performed in different processing chambers 3600. Before and after each coating step, and before and after each developing step, a heating step of heating the substrate W is performed. According to one embodiment, the heating step before the coating step, the heating step after the coating step is carried out after the coating step, the heating step before the development step, the post-development heating step after the developing step may be performed. have.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of the conveyance path | route of the board | substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 is demonstrated.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 처리 챔버들(3600) 중 하나로 반송한다. 기판(W)은 냉각 플레이트(3240)에 의해 처리 유닛(800)에 기판(W)을 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the front end buffer 3802. The transfer robot 3342 transfers the substrate W stored in the front end buffer 3802 to one of the processing chambers 3600. The substrate W conveys the substrate W to the processing unit 800 by the cooling plate 3240.

처리 유닛(800)에는 기판(W)의 도포 전 가열 공정, 도포 공정, 그리고 도포 후 가열 공정이 순차적으로 수행된다. 도 11은 기판의 도포 전 가열 공정을 보여주는 단면도이고, 도 12는 기판의 도포 공정을 보여주는 단면도이며, 도 13은 기판의 도포 후 가열 공정을 보여주는 단면도이다. In the processing unit 800, a heating step before coating, a coating step, and a coating heating step of the substrate W are sequentially performed. 11 is a cross-sectional view showing a heating process before application of a substrate, FIG. 12 is a cross-sectional view showing a coating process of a substrate, and FIG. 13 is a cross-sectional view showing a heating process after application of a substrate.

처리 유닛(800)의 기판 지지 유닛(830)에 기판(W)이 놓여지면, 기판(W)의 도포 전 가열 공정이 수행된다. When the substrate W is placed on the substrate support unit 830 of the processing unit 800, a heating process before coating the substrate W is performed.

도포 전 가열 공정이 진행되면, 기판(W)은 정지 상태이고, 히터(862)의 전원(864)은 온(On)되어 기판을 가열한다. 도포 전 가열 공정이 완료되면, 도포 공정이 수행된다.When the heating process before coating is in progress, the substrate W is in a stopped state, and the power source 864 of the heater 862 is turned on to heat the substrate. When the heating process before the application is completed, the application process is performed.

도포 공정에서 기판(W)은 정지 상태를 유지한다. 도포 노즐(930)은 공정 위치로 이동되어 기판(W) 상에 감광액을 잉크젯 방식으로 공급한다. 도포 노즐(9300은 감광액의 탄착 위치가 기판(W)의 전체 영역을 포함하도록 기판(W)을 스캔 이동하면서 감광액을 토출한다. 감광액은 잉크젯 방식으로 토출되므로, 기판(W) 상에 균일한 감광액막을 형성할 수 있고, 적하 방식에 비해 얇은 감광액막을 형성할 수 있다. 이에 따라 감광액의 소비량을 절감할 수 있으며, 감광액으로부터 발생되는 휘발성 물질을 최소화할 수 있다. 이러한 휘발성 물질은 주변 장치를 오염시키며, 베이크 공정 및 현상 공정의 불량을 야기시키는 주원인이 된다. 그러나 본 실시예에는 감광액의 소비량을 최소화하여 그 휘발성 물질을 최소화함으로써, 가열 공정을 포함하는 베이크 공정 및 현상 공정을 동일 챔버 내에서 수행할 수 있다.In the coating step, the substrate W is kept stationary. The application nozzle 930 is moved to the process position to supply the photosensitive liquid on the substrate W in an inkjet manner. The coating nozzle 9300 discharges the photosensitive liquid while scanning the substrate W so that the contact position of the photosensitive liquid includes the entire area of the substrate W. Since the photosensitive liquid is discharged by the inkjet method, the photosensitive liquid is uniform on the substrate W. A film can be formed, and a thin photoresist film can be formed compared to the dropping method, thereby reducing the consumption of the photoresist and minimizing volatiles generated from the photoresist. However, in the present embodiment, the baking process and the developing process including the heating process can be performed in the same chamber by minimizing the consumption of the photosensitive liquid and minimizing its volatile substances. Can be.

또한 토출된 감광액 중 잉여 액이 발생되지 않으므로, 감광액의 회수가 발생되지 않아 주변 장치의 오염을 방지할 수 있다. 다만, 상술한 실시예에는 제1회수통이 감광액을 회수하는 것으로 설명하였다. 이는 장치의 오류 또는 불량 등으로 인해 감광액이 과다 토출될 수 있으며, 이 경우를 대비하여 감광액을 회수하는 제1회수통(852)을 필요로 한다. 도포 공정이 완료되면, 도포 후 가열 공정이 수행된다.In addition, since the excess liquid is not generated in the discharged photosensitive liquid, the recovery of the photosensitive liquid does not occur, it is possible to prevent contamination of the peripheral device. In the above-described embodiment, however, the first collection container has been described as recovering the photosensitive liquid. This may cause the photoresist to be excessively discharged due to an error or a defect of the apparatus, and in this case, a first collection container 852 for recovering the photoresist is required. When the application process is complete, a heating process is performed after the application.

도포 후 가열 공정은 도포 전 가열 공정과 동일한 조건으로 진행된다. 다만, 도포 후 가열 공정은 도포 전 가열 공정에 비해 낮은 온도로 기판(W)을 가열할 수 있다. The heating step after application is carried out under the same conditions as the heating step before application. However, the post-coating heating process may heat the substrate W at a lower temperature than the pre-coating heating process.

도포 후 가열 공정이 완료되면, 기판(W)은 냉각 플레이트(3240)에 의해 제1위치에서 제2위치로 이동된다. 기판(W)이 냉각 플레이트(3240)에 놓여지는 동안에는 기판(W)의 냉각 처리가 진행된다. 이후 반송 로봇(3422)은 냉각 플레이트(3240)로부터 인수하여 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. When the heating process after the application is completed, the substrate W is moved from the first position to the second position by the cooling plate 3240. While the substrate W is placed on the cooling plate 3240, the cooling process of the substrate W is performed. Thereafter, the transfer robot 3422 takes over from the cooling plate 3240 and transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 takes the substrate W out of the rear buffer 3804 and transports it to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 transports the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and conveys the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

다음은 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Next, an example of the conveyance path | route of the board | substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 is demonstrated.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 carries the substrate W out of the exposure apparatus 50 and conveys the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 노광된 기판을 처리 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 carries the substrate W out of the interface buffer 4400 and conveys the substrate W to the rear buffer 3804. The transfer robot 3422 takes out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the exposed substrate to the processing chamber 3600.

반송 로봇(3422)은 처리 챔버(3200) 내에 위치된 냉각 플레이트(3240)로 기판(W)을 인계한다. 기판(W)은 냉각 플레이트(3240)에 의해 처리 유닛(800)으로 반송된다. 처리 유닛(800)에는 기판(W)의 현상 전 가열 공정, 현상 공정, 현상 후 가열 공정, 그리고 린스 공정이 순차적으로 수행된다. 도 14은 기판의 현상 전 가열 공정을 보여주는 단면도이고, 도 15는 기판의 현상 공정을 보여주는 단면도이며, 도 16은 기판의 린스 공정을 보여주는 단면도이고, 도 17은 기판의 현상 후 가열 공정을 보여주는 단면도이다. 지지판(832)에 놓여지면 현상 전 가열 공정이 수행된다.The transfer robot 3422 takes over the substrate W with a cooling plate 3240 located in the processing chamber 3200. The substrate W is conveyed to the processing unit 800 by the cooling plate 3240. In the processing unit 800, a pre-development heating process, a developing process, a post-development heating process, and a rinsing process of the substrate W are sequentially performed. 14 is a cross-sectional view showing a heating process before development of the substrate, FIG. 15 is a cross-sectional view showing a developing process of the substrate, FIG. 16 is a cross-sectional view showing a rinsing process of the substrate, and FIG. 17 is a cross-sectional view showing a heating process after the development of the substrate. to be. When placed on the support plate 832, a heating process before development is performed.

현상 전 가열 공정이 진행되면, 기판(W)은 정지 상태이고, 히터(862)의 전원(864)은 온(On)되어 기판을 가열한다. 현상 전 가열 공정이 완료되면, 현상 공정이 수행된다.When the pre-development heating process proceeds, the substrate W is in a stopped state, and the power source 864 of the heater 862 is turned on to heat the substrate. When the heating process before development is completed, the development process is performed.

현상 공정이 진행되면, 기판(W)은 회전된다. 현상 노즐(950)은 공정 위치로 이동되어 기판(W) 상에 현상액을 원형의 스트림 형태로 공급하고, 이후에 액 커튼 형태로 공급한다. 현상 노즐(950)은 원형의 스트림 형태로 현상액을 공급 시 기판(W)의 중심에 현상액을 공급하고, 액 커튼 형태로 현상액을 공급 시 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역으로 이동하면서 현상액을 공급한다. 현상 공정이 완료되면, 린스 공정이 수행된다.As the developing process proceeds, the substrate W is rotated. The developing nozzle 950 is moved to the process position to supply the developer in the form of a circular stream on the substrate W, and then in the form of a liquid curtain. The developing nozzle 950 supplies the developer to the center of the substrate W when the developer is supplied in the form of a circular stream, and supplies the developer while moving from the center of the substrate W to the edge region when the developer is supplied in the form of a liquid curtain. do. When the developing process is completed, a rinse process is performed.

린스 공정이 진행되면, 기판(W)은 회전 상태를 유지한다. 린스 노즐(966)은 공정 위치로 이동되어 기판(W) 상에 린스액을 공급한다. 린스액은 기판(W) 상에 잔류된 현상액을 린스 처리한다. 린스 공정이 완료되면, 현상 후 가열 공정을 수행한다.When the rinse process is performed, the substrate W maintains the rotation state. The rinse nozzle 966 is moved to a process position to supply a rinse liquid onto the substrate W. The rinse liquid rinses the developer remaining on the substrate (W). When the rinse process is completed, the post-development heating process is performed.

현상 후 가열 공정은 현상 전 가열 공정과 동일한 조건으로 진행된다. 다만, 현상 후 가열 공정은 현상 전 가열 공정과 다른 온도로 기판을 가열할 수 있다. The post-development heating process proceeds under the same conditions as the pre-development heating process. However, the post-development heating process may heat the substrate to a temperature different from that of the pre-development heating process.

현상 후 가열 공정이 완료되면, 냉각 플레이트(3240)는 기판(W)을 기판 지지 유닛(830)에서 제2위치로 이동시킨다. 기판(W)이 냉각 플레이트(3240)에 놓여지는 중에 기판(W)은 냉각 처리된다. 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 처리 챔버(3600)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. When the post heating process is completed, the cooling plate 3240 moves the substrate W to the second position in the substrate support unit 830. The substrate W is cooled while the substrate W is placed on the cooling plate 3240. The board | substrate W carries out the board | substrate W from the processing chamber 3600 by the transfer robot 3422, and conveys it to the front end buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes the substrate W out of the front end buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 동일한 처리 챔버(3600)에서 도포 공정과 현상 공정이 각각 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 도포 공정과 현상 공정은 서로 다른 처리 챔버(3600)에서 수행될 수 있다. 일 예에 의하면, 도포 공정 전의 제1기판(W)은 처리 챔버들(3600) 중 어느 하나에서 도포 공정을 수행하고, 노광 처리된 제2기판(W)은 상기 어느 하나의 처리 챔버(3600)에서 현상 공정을 수행할 수 있다. 이후 노광 처리된 제1기판(W)은 처리 챔버들 중 다른 하나의 처리 챔버에서 현상 공정을 수행할 수 있다. It has been described that the coating process and the developing process are respectively performed in the same processing chamber 3600 of the substrate processing apparatus 1 described above. Alternatively, however, the coating process and the developing process may be performed in different processing chambers 3600. According to an example, the first substrate W before the coating process may be applied in any one of the processing chambers 3600, and the exposed second substrate W may be any one of the processing chambers 3600. The developing process can be carried out at. Thereafter, the exposed first substrate W may perform a developing process in another processing chamber among the processing chambers.

또한 노광 처리된 기판(W)은 처리 챔버들(3600) 중 공정 대기 상태인 처리 챔버(3600)로 반송되어 현상 공정을 수행할 수 있다. 여기서 공정 대기 중인 처리 챔버(3600)는 공정 진행이 수행되고 있지 않은 처리 챔버(3600)로 정의한다.In addition, the exposed substrate W may be transferred to a processing chamber 3600 which is in a process standby state among the processing chambers 3600 to perform a developing process. Here, the process chamber 3600 which is waiting for the process is defined as a process chamber 3600 in which process progress is not performed.

다음은 도 18을 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치의 제2실시예를 설명한다. 제2실시예에 의하면, 처리 모듈(30)은 도포 모듈(30a)과 현상 모듈(30b)을 포함할 수 있다. 도포 모듈(30a)과 현상 모듈(30b)은 서로 적층되게 위치될 수 있다. Next, a second embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. According to the second embodiment, the processing module 30 may include an application module 30a and a developing module 30b. The application module 30a and the development module 30b may be positioned to be stacked on each other.

도포 모듈(30a)에는 도포 챔버(3600)가 제공되고, 도포 챔버(3600)에는 도포 전 가열 공정, 도포 공정, 그리고 도포 후 가열 공정이 수행될 수 있다. 또한 현상 모듈에는 현상 챔버(3200)가 제공되고, 현상 챔버(3200)에는 현상 전 가열 공정, 현상 공정, 린스 공정, 그리고 현상 후 가열 공정이 수행될 수 있다. The application module 30a may be provided with an application chamber 3600, and the application chamber 3600 may be subjected to a pre-application heating process, an application process, and a post-application heating process. In addition, the developing module may be provided with a developing chamber 3200, and the developing chamber 3200 may include a pre-development heating process, a development process, a rinse process, and a post-development heating process.

도포 챔버(3600) 및 현상 챔버(3200) 각각은 도 8의 처리 챔버(3600)와 대체로 유사하게 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 그리고 처리 유닛(800)을 포함한다. 다만, 도포 챔버(3600)의 처리 유닛은 도 8의 처리 챔버(3600)에서 현상액 공급 유닛(940) 및 린스액 공급 유닛(960)이 제외된 형상을 가지고, 현상 챔버(3200)의 처리 유닛은 도 8의 처리 챔버(3600)에서 감광액 공급 유닛(920)이 제외된 형상을 가진다. 이로 인해 기판(W)은 도포 모듈(30a)에서 도포 공정 및 이에 관련된 가열 공정이 수행되고, 이후에 노광 처리된 후, 현상 모듈(3200)로 반송되어 현상 공정 및 이에 관한 가열 공정이 수행된다.Each of the application chamber 3600 and the development chamber 3200 includes a housing 3210, a cooling unit 3220, and a processing unit 800, similarly to the processing chamber 3600 of FIG. 8. However, the processing unit of the application chamber 3600 has a shape in which the developer solution supply unit 940 and the rinse solution supply unit 960 are excluded from the process chamber 3600 of FIG. 8, and the processing unit of the development chamber 3200 is In the processing chamber 3600 of FIG. 8, the photosensitive liquid supply unit 920 is removed. As a result, the coating process 30 and the heating process associated therewith are performed in the coating module 30a, and after the exposure process, the substrate W is conveyed to the developing module 3200 to perform the developing process and the heating process relating thereto.

다음은 도 19를 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치의 제3실시예를 설명한다. 제3실시예에 의하면, 공정 모듈은 제2실시예에서 설명한 도포 챔버(3600)와 현상 챔버(3200)를 포함한다. 반송 챔버(3400)의 일측에는 도포 챔버들(3200)이 배열되고, 타측에는 현상 챔버들(3600)이 배열되게 위치될 수 있다. Next, a third embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. According to the third embodiment, the process module includes the coating chamber 3600 and the developing chamber 3200 described in the second embodiment. Application chambers 3200 may be arranged at one side of the transfer chamber 3400, and development chambers 3600 may be arranged at the other side thereof.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above description shows and describes a preferred embodiment of the present invention, the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The embodiment described is for explaining the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

800: 처리 유닛 830: 기판 지지 유닛
850: 처리 용기 860: 히터 유닛
900: 액 공급 유닛 920: 감광액 공급 유닛
930: 도포 노즐 940: 현상액 공급 유닛
950: 현상 노즐 960: 린스액 공급 유닛800: processing unit 830: substrate support unit
850: processing container 860: heater unit
900: liquid supply unit 920: photosensitive liquid supply unit
930: application nozzle 940: developer supply unit
950: developing nozzle 960: rinse liquid supply unit

Claims (29)

내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 감광액을 공급하는 감광액 공급 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 현상액을 공급하는 현상액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.A housing having a processing space therein;
A substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
A photosensitive liquid supply unit supplying a photosensitive liquid on a substrate supported by the substrate supporting unit;
And a developer supplying unit for supplying a developer onto a substrate supported by the substrate supporting unit. 제1항에 있어서,
상기 감광액 공급 유닛은 잉크젯 방식으로 기판 상에 감광액을 도포하는 도포 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The photosensitive liquid supply unit includes a coating nozzle for applying a photosensitive liquid onto a substrate by an inkjet method. 제2항에 있어서,
상기 도포 노즐은 감광액이 흐르는 메인 유로 및 상기 메인 유로와 연결되고 상기 감광액이 토출되는 토출홀이 형성되는 바디와;
상기 바디에 설치되며, 상기 메인 유로의 상부에 제공되어 상기 메인 유로를 흐르는 감광액이 상기 토출홀을 통해 토출되도록 압력을 인가하는 압전소자를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The coating nozzle includes a main flow path through which the photosensitive liquid flows and a body connected to the main flow path, and a discharge hole through which the photosensitive liquid is discharged;
And a piezoelectric element provided in the body and applied to the upper portion of the main flow passage to apply pressure to discharge the photosensitive liquid flowing through the main flow passage through the discharge hole. 제3항에 있어서,
상기 바디의 내부에는 상기 메인 유로에 연결되는 도입 유로와 상기 도입 유로에 연결되는 복수의 공급 유로들이 더 형성되고,
상기 도입 유로에는 상기 복수의 공급 유로들로부터 서로 다른 종류의 감광액들이 선택적으로 공급되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
An introduction flow passage connected to the main flow passage and a plurality of supply flow passages connected to the introduction flow passage are further formed inside the body,
And a plurality of different types of photosensitive liquids are selectively supplied to the introduction flow passages from the plurality of supply flow passages. 제4항에 있어서,
상기 도입 유로는 상기 메인 유로의 상부에 위치되고, 상기 압전 소자는 상기 도입 유로와 상기 메인 유로의 사이에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 4, wherein
And the introduction flow path is positioned above the main flow path, and the piezoelectric element is positioned between the introduction flow path and the main flow path. 제5항에 있어서,
상기 바디에는
각각의 상기 공급 유로와 연결되며, 상기 공급 유로 및 상기 도입 유로가 세정되도록 상기 공급 유로에 세정액을 공급하는 복수의 세정액 유로가 더 형성된 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The body
And a plurality of cleaning liquid flow paths connected to each of the supply flow paths and supplying a cleaning liquid to the supply flow paths so as to clean the supply flow paths and the introduction flow paths. 제2항에 있어서,
상기 현상액 공급 유닛은,
적하 방식으로 기판 상에 현상액을 공급하는 현상 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The developer supply unit,
And a developing nozzle for supplying a developing solution onto the substrate in a dropping manner. 제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 감광액 공급 유닛, 상기 현상액 공급 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 감광액 공급 유닛은,
상기 도포 노즐을 이동시키는 노즐 구동기를 더 포함하고,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판이 놓여지는 지지판과;
상기 지지판을 회전시키는 회전 구동기를 더 포함하고,
상기 제어기는 상기 감광액 공급 유닛으로부터 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판으로 감광액의 토출이 이루어지는 동안에는 상기 지지판이 회전되지 않고, 상기 현상액 공급 유닛으로부터 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판으로 현상액의 토출이 이루어지는 동안에는 상기 지지판이 회전되도록 상기 회전 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 2 to 7,
The device,
Further comprising a controller for controlling the photosensitive liquid supply unit, the developer solution supply unit, and the substrate support unit,
The photosensitive liquid supply unit,
Further comprising a nozzle driver for moving the application nozzle,
The substrate support unit,
A support plate on which the substrate is placed;
Further comprising a rotary driver for rotating the support plate,
The controller does not rotate the support plate while the photoresist is discharged from the photoresist supply unit to the substrate placed on the substrate support unit. The substrate processing apparatus which controls the said rotation driver so that it may rotate. 제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 지지판에 설치되며 상기 지지판에 놓여진 기판을 가열하는 히터를 포함하는 가열 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 2 to 7,
The device,
And a heating unit installed on the support plate and including a heater for heating the substrate placed on the support plate. 제9항에 있어서,
상기 장치는,
상기 감광액 공급 유닛, 상기 현상액 공급 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 감광액의 토출이 이루어지는 중에 상기 히터의 전원이 오프(Off)되는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The device,
Further comprising a controller for controlling the photosensitive liquid supply unit, the developer solution supply unit, and the substrate support unit,
And the controller is configured to turn off the power of the heater while the photosensitive liquid is discharged. 제9항에 있어서,
상기 장치는,
상기 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 더 포함하되,
상기 냉각 유닛은,
기판을 지지하는 냉각 플레이트와;
상기 냉각 플레이트를 이동시키는 제1위치와 제2위치로 이동시키는 플레이트 이동 부재를 포함하되,
상기 제1위치는 상기 냉각 플레이트가 상기 지지판에 기판을 인수 또는 인계하는 위치이고,
상기 제2위치는 상기 제1위치를 벗어난 위치로 제공되는 기판 처리 장ㅊ,The method of claim 9,
The device,
Further comprising a cooling unit for cooling the substrate,
The cooling unit,
A cooling plate supporting the substrate;
It includes a plate moving member for moving to the first position and the second position for moving the cooling plate,
The first position is a position at which the cooling plate takes over or takes over a substrate to the support plate;
The second position is a substrate processing device provided at a position outside the first position; 제11항에 있어서,
상기 냉각 플레이트의 내부에는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
And a cooling passage through which a cooling fluid flows inside the cooling plate. 제11항에 있어서,
상기 하우징의 일측에는 상기 처리 공간으로 기판이 반출입되는 개구가 형성되고,
상기 제2위치는 상기 제1위치보다 상기 개구에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
On one side of the housing is formed an opening for carrying in and out of the substrate into the processing space,
And the second position is located closer to the opening than the first position. 제6항에 있어서,
상기 장치는,
상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상부가 개방된 처리 용기와;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스액 공급 유닛,
상기 처리 용기의 외측에 위치되며, 상기 도포 노즐이 대기되는 제1대기 포트와
상기 처리 용기의 외측에 위치되며, 상기 현상액 노즐이 대기되는 제2대기 포트를 포함하며,
상기 린스액 공급 유닛은,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 린스액을 공급하는 린스 노즐과;
상기 처리 용기의 외측에 위치되며, 상기 린스 노즐이 대기되는 제3대기 포트를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The device,
A processing container surrounding the substrate supporting unit and having an open top;
A rinse liquid supply unit supplying a rinse liquid onto a substrate supported by the substrate support unit;
A first standby port located outside the processing container and in which the application nozzle is waited;
Located on the outside of the processing vessel, and includes a second atmospheric port for the developer nozzle is waiting,
The rinse liquid supply unit,
A rinse nozzle for supplying a rinse liquid onto a substrate supported by the substrate support unit;
And a third standby port positioned outside the processing container and in which the rinse nozzle is waited. 제14항에 있어서,
상기 처리 용기는
상기 기판 지지 유닛을 감싸며 감광액과 현상액 중 어느 하나를 회수하는 제1회수통과
상기 제1회수통을 감싸며, 감광액과 현상액 중 다른 하나를 회수하는 제2회수통을 포함하고,
상기 장치는,
상기 제1회수통과 상기 기판 지지 유닛 간의 상대 높이 및 상기 제2회수통과 상기 기판 지지 유닛 간의 상대 높이를 조절하는 승강 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 14,
The processing container
A first recovery passage surrounding the substrate support unit to recover any one of a photoresist and a developer;
A second collection container surrounding the first collection container and recovering the other of the photosensitive solution and the developer;
The device,
And a lift unit configured to adjust a relative height between the first collection container and the substrate support unit and a relative height between the second collection container and the substrate support unit. 제7항에 있어서,
상기 장치는,
인덱스 모듈과;
기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하되,
상기 인덱스 모듈은,
기판을 수납하는 용기가 놓여지는 로드 포트와;
상기 로드 포트 및 상기 처리 모듈 사이에 배치되는 인덱스 프레임을 포함하고,
상기 처리 모듈은,
상기 하우징, 상기 가열 유닛, 상기 감광액 공급 유닛, 그리고 상기 현상액 공급 유닛을 가지며, 복수 개로 제공되는 처리 챔버들과;
상기 인덱스 프레임에 인접하게 위치되며, 기판을 임시 보관하는 버퍼 챔버와;
상기 버퍼 챔버를 사이에 두고 상기 인덱스 프레임과 마주하게 위치되며, 상기 처리 챔버들 간, 그리고 상기 처리 챔버와 상기 버퍼 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 챔버를 포함하되,
상기 처리 챔버들은 상기 반송 챔버의 일측 또는 양측에 복수 개로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 7, wherein
The device,
An index module;
A processing module for processing the substrate,
The index module,
A load port on which a container containing the substrate is placed;
An index frame disposed between the load port and the processing module,
The processing module,
Processing chambers each having a plurality of housings, the heating unit, the photosensitive liquid supply unit, and the developer supply unit;
A buffer chamber positioned adjacent to the index frame and temporarily storing a substrate;
A transfer chamber positioned opposite the index frame with the buffer chamber interposed therebetween, for transporting a substrate between the processing chambers and between the processing chamber and the buffer chamber,
The processing chamber is provided in plurality on one side or both sides of the transfer chamber. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판에 감광액이 도포 처리되는 도포 공정이 수행되는 도포 챔버와;
노광된 기판이 현상 처리되는 현상 공정이 수행되는 현상 챔버와;
상기 도포 챔버 또는 상기 현상 챔버로 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되,
상기 도포 챔버는,
내부에 제1처리 공간을 가지는 제1처리 용기와;
상기 제1처리 공간에서 기판을 지지하는 제1지지판과;
상기 제1지지판에 지지된 기판에 잉크젯 방식으로 감광액을 공급하는 도포 노즐 포함하고,
상기 현상 챔버는,
내부에 제2처리 공간을 가지는 제2처리 용기와;
상기 제2처리 공간에서 기판을 지지하는 제2지지판과;
상기 제2지지판에 지지된 기판에 현상액을 공급하는 현상 노즐을 포함하는 기판 처리 장치,In the apparatus for processing a substrate,
An application chamber in which an application process in which the photosensitive liquid is applied to the substrate is performed;
A developing chamber in which a developing process in which the exposed substrate is developed is performed;
A conveying unit for conveying a substrate to the application chamber or the developing chamber,
The application chamber,
A first processing container having a first processing space therein;
A first support plate for supporting a substrate in the first processing space;
An application nozzle for supplying a photosensitive liquid to the substrate supported by the first support plate by an inkjet method,
The developing chamber,
A second processing container having a second processing space therein;
A second support plate for supporting a substrate in the second processing space;
A substrate processing apparatus including a developing nozzle for supplying a developing solution to a substrate supported by the second supporting plate; 제17항에 있어서,
상기 도포 챔버는,
상기 제1지지판을 고정 지지하는 지지축과;
상기 제1지지판에 설치되어 상기 제1지지판에 지지된 기판을 가열하는 가열 공정을 수행하는 히터를 가지는 가열 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 17,
The application chamber,
A support shaft for fixing and supporting the first support plate;
And a heating unit installed on the first support plate and having a heater to perform a heating process for heating the substrate supported on the first support plate. 제18항에 있어서,
상기 도포 챔버는,
상기 도포 노즐을 이동시키는 노즐 구동기와;
상기 가열 유닛 및 상기 도포 노즐을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 도포 공정의 전 또는 후에 상기 가열 공정이 수행되도록 상기 가열 유닛을 제어하되,
감광액의 토출이 이루어지는 동안에는 상기 히터의 전원이 오프(off)되는 기판 처리 장치.The method of claim 18,
The application chamber,
A nozzle driver for moving the application nozzle;
Further comprising a controller for controlling the heating unit and the application nozzle,
The controller controls the heating unit to perform the heating process before or after the application process,
The substrate processing apparatus of which the power supply of the said heater is turned off while the photosensitive liquid is discharged. 제17항에 있어서,
상기 현상 노즐은 적하 방식으로 현상액을 공급하고
상기 현상 챔버는,
상기 제2지지판을 회전시키는 회전 구동기와;
상기 제2지지판에 설치되어 상기 제2지지판에 지지된 기판을 가열하는 가열 공정을 수행하는 히터를 가지는 가열 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 17,
The developing nozzle supplies a developer in a dropwise manner.
The developing chamber,
A rotary driver for rotating the second support plate;
And a heating unit installed on the second support plate and having a heater to perform a heating process of heating the substrate supported on the second support plate. 제20항에 있어서,
상기 현상 챔버는,
상기 가열 유닛 및 상기 회전 구동기를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 현상 공정이 수행되는 중에 상기 제2지지판이 회전되고, 상기 가열 공정이 수행되는 중에 상기 제2지지판의 회전이 중지되도록 상기 회전 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 20,
The developing chamber,
Further comprising a controller for controlling the heating unit and the rotary driver,
And the controller controls the rotation driver such that the second support plate is rotated while the developing process is performed, and the rotation of the second support plate is stopped while the heating process is performed. 제21항에 있어서,
상기 제어기는 상기 현상 공정의 전 또는 후에 상기 가열 공정이 수행되도록 상기 가열 유닛을 제어하되,
상기 현상 공정이 수행되는 중에는 상기 히터의 전원이 오프(off)되는 기판 처리 장치.The method of claim 21,
The controller controls the heating unit to perform the heating process before or after the developing process,
And the power of the heater is turned off while the developing process is performed. 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 도포 챔버들을 포함하는 도포 모듈과;
상기 현상 챔버들을 포함하는 현상 모듈을 더 포함하되,
상기 도포 모듈과 상기 현상 모듈은 서로 적층되게 위치되고,
상기 반송 유닛은 상기 도포 모듈 및 상기 현상 모듈 각각에 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 17 to 22,
The device,
An application module comprising the application chambers;
Further comprising a developing module including the developing chambers,
The application module and the development module are positioned to be stacked on each other,
The conveying unit is provided in each of the coating module and the developing module. 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
기판을 반송하는 반송 챔버를 더 포함하되,
상기 도포 챔버와 상기 현상 챔버는 상기 반송 챔버를 사이에 두고 서로 마주하도록 위치되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 17 to 22,
The device,
Further comprising a conveyance chamber for conveying the substrate,
And the application chamber and the developing chamber are positioned to face each other with the transfer chamber therebetween. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
제1기판 상에 감광액을 도포하는 도포 단계와;
도포 후 노광된 제2기판을 현상하는 현상 단계를 포함하되,
상기 도포 단계와 상기 현상 단계는 처리 공간 내에 기판 지지 유닛이 제공된 챔버 내에서 동일한 상기 기판 지지 유닛에 상기 제1기판 및 상기 제2기판이 지지된 상태로 수행되는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
An application step of applying the photosensitive liquid on the first substrate;
And developing the exposed second substrate after application,
Wherein said applying step and said developing step are performed with said first substrate and said second substrate supported on the same substrate support unit in a chamber provided with a substrate support unit in a processing space. 제25항에 있어서,
상기 제1기판과 상기 제2기판은 동일한 기판으로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 25,
And the first substrate and the second substrate are provided as the same substrate. 제25항 또는 제26항에 있어서,
상기 도포 단계에서 상기 감광액은 잉크젯 방식으로 상기 기판에 공급되는 기판 처리 방법.The method of claim 25 or 26,
In the coating step, the photosensitive liquid is supplied to the substrate by an inkjet method. 제27항에 있어서,
상기 도포 단계는 상기 기판이 회전되지 않은 상태로 수행되고,
상기 현상 단계는 상기 기판이 회전되는 상태에서 수행되는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
The applying step is performed without the substrate being rotated,
And the developing step is performed while the substrate is rotated. 제25항 또는 제26항에 있어서,
상기 제1기판에 대해서,
상기 도포 단계 이전에 상기 제1기판을 가열하는 도포 전 가열 단계 또는 상기 도포 단계 이후에 상기 제1기판을 가열하는 도포 후 가열 단계를 포함하고,
상기 제2기판에 대해서,
상기 현상 단계 이전에 상기 제2기판을 가열하는 현상 전 가열 단계 또는 상기 현상 단계 이후에 상기 제2기판을 가열하는 현상 후 가열 단계를 포함하되,
상기 도포 전 가열 단계, 상기 도포 후 가열 단계, 상기 현상 전 가열 단계, 그리고 상기 현상 후 가열 단계는 상기 도포 단계와 상기 현상 단계가 수행되는 상기 챔버의 상기 처리 공간에서 수행되는 기판 처리 방법.








The method of claim 25 or 26,
For the first substrate,
A pre-coating heating step of heating the first substrate before the coating step or a post-coating heating step of heating the first substrate after the coating step,
For the second substrate,
And a pre-development heating step of heating the second substrate before the developing step or a post-development heating step of heating the second substrate after the developing step,
And the pre-coating heating step, the post-coating heating step, the pre-development heating step, and the post-development heating step are performed in the processing space of the chamber in which the coating step and the developing step are performed.








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