KR101884856B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지 부재와; 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재와; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 제 1 처리액을 공급하는 제 1 노즐을 가지는 제 1 공급 유닛과; 상기 기판 상에 제 2 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 가지는 제 2 공급 유닛을 포함하되, 상기 제 2 노즐은 상기 제 2 처리액을 아래 방향으로 경사진 방향으로 토출한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a substrate supporting member for supporting a substrate; A rotation driving member for rotating the substrate support member; A first supply unit having a first nozzle for supplying a first processing solution onto a substrate supported by the substrate supporting unit; And a second supply unit having a second nozzle for supplying a second treatment liquid onto the substrate, wherein the second nozzle discharges the second treatment liquid in a downwardly inclined direction.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On hard mask, 이하 도포) 공정이 사용된다. Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. Among these processes, a deposition and spin-on hard mask (SOH) process is used as a process for forming a film on a substrate.

일반적으로 증착 공정은 기판 상에 공정 가스를 증착하여 기판 상에 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 기판의 중심에 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정이다.In general, a deposition process is a process of forming a film on a substrate by depositing a process gas on a substrate, and a coating process is a process of forming a liquid film by supplying a process liquid to the center of the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치(40)를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 도포 공정과 같이 처리액을 공급하는 공정은 노즐(41)이 일반적으로 처리액이 공급되는 기판(W) 상의 공급 위치의 상부에 위치된 상태에서 기판(W)을 향해 연직 방향으로 처리액을 공급한다.Fig. 1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus 40. Fig. 1, the process of supplying the process liquid as in the application process is a process in which the nozzle 41 is vertically moved toward the substrate W in a state where the nozzle 41 is positioned above the supply position on the substrate W, The process liquid is supplied in the direction shown in Fig.

본 발명은 처리액의 토출 면적 대비 기판과 처리액의 접촉 면적을 넓게 제공할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of providing a wide contact area between a substrate and a processing liquid with respect to a discharge area of the processing liquid.

또한, 본 발명은 기판 표면에 수평 방향의 타력을 인가할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus capable of applying a horizontal force to a substrate surface.

또한, 본 발명은 기판 처리 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus capable of increasing substrate processing efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 따르면, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지 부재와; 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재와; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 제 1 처리액을 공급하는 제 1 노즐을 가지는 제 1 공급 유닛과; 상기 기판 상에 제 2 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 가지는 제 2 공급 유닛을 포함하되, 상기 제 2 노즐은 상기 제 2 처리액을 아래 방향으로 경사진 방향으로 토출한다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes: a substrate supporting member for supporting a substrate; A rotation driving member for rotating the substrate support member; A first supply unit having a first nozzle for supplying a first processing solution onto a substrate supported by the substrate supporting unit; And a second supply unit having a second nozzle for supplying a second treatment liquid onto the substrate, wherein the second nozzle discharges the second treatment liquid in a downwardly inclined direction.

상기 제 2 노즐의 상기 제 2 처리액이 토출되는 토출구는 슬릿(Slit) 형상으로 제공될 수 있다.The discharge port through which the second treatment liquid of the second nozzle is discharged may be provided in a slit shape.

상기 토출구는 길이 방향이 상기 기판의 상면에 평행이 되도록 제공될 수 있다.The discharge port may be provided such that the longitudinal direction thereof is parallel to the upper surface of the substrate.

상기 제 1 노즐은 상기 제 1 처리액을 연직방향으로 토출할 수 있다.The first nozzle can discharge the first process liquid in the vertical direction.

상기 제 1 처리액은 상기 기판 상에 막을 형성하는 도포액이고, 상기 제 2 처리액은 상기 기판 상에 형성된 막을 식각하는 캐미칼일 수 있다.The first processing liquid may be a coating liquid for forming a film on the substrate, and the second processing liquid may be a chemical pencil for etching a film formed on the substrate.

상기 제 1 처리액은 포토 레지스트(PR: Photo Resist)액 또는 스핀 온 하드마스크(SOH: Spin-On Hard mask)액이고, 상기 제 2 처리액은 신너(Thinner)로 제공될 수 있다.The first process liquid may be a photoresist (PR) liquid or a spin-on hard mask (SOH) liquid, and the second process liquid may be provided as a thinner.

이와 달리, 기판 처리 장치는, 인덱스 모듈과; 공정 처리 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은, 기판을 수용하는 용기가 놓이는 로드 포트와; 상기 용기와 상기 공정 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 이송 프레임을 가지고, 상기 공정 처리 모듈은, 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 간에 기판을 반송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 포함하고, 상기 공정 챔버는 기판에 제 1 처리액 및 제 2 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제 1 챔버를 포함하되, 상기 제 1 챔버는, 기판을 지지하는 기판 지지 부재와; 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재와; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 상기 제 1 처리액을 공급하는 제 1 노즐을 가지는 제 1 공급 유닛과; 상기 기판 상에 상기 제 2 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 가지는 제 2 공급 유닛을 포함하되, 상기 제 2 노즐은 상기 제 2 처리액을 아래 방향으로 경사진 방향으로 토출한다.Alternatively, the substrate processing apparatus may further include: an index module; A process module, the index module comprising: a load port in which a container for receiving a substrate is placed; And a transfer frame provided with an index robot for transferring the substrate between the container and the processing module, the processing module comprising: a processing chamber; And a transfer chamber provided with a main robot for transferring a substrate between the process chambers, wherein the process chamber includes a first chamber for processing the substrate by supplying a first process solution and a second process solution to the substrate, The chamber includes a substrate supporting member for supporting the substrate; A rotation driving member for rotating the substrate support member; A first supply unit having a first nozzle for supplying the first processing solution onto a substrate supported by the substrate supporting unit; And a second supply unit having a second nozzle for supplying the second treatment liquid onto the substrate, wherein the second nozzle discharges the second treatment liquid in a downwardly inclined direction.

상기 제 2 노즐의 상기 제 2 처리액이 토출되는 토출구는 슬릿(Slit) 형상으로 제공될 수 있다.The discharge port through which the second treatment liquid of the second nozzle is discharged may be provided in a slit shape.

상기 토출구는 길이 방향이 상기 기판의 상면에 평행이 되도록 제공될 수 있다.The discharge port may be provided such that the longitudinal direction thereof is parallel to the upper surface of the substrate.

상기 제 1 노즐은 상기 제 1 처리액을 연직방향으로 토출할 수 있다.The first nozzle can discharge the first process liquid in the vertical direction.

상기 공정 챔버는 기판에 제 3 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제 2 챔버를 더 포함할 수 있다.The process chamber may further include a second chamber for supplying a third process liquid to the substrate to process the substrate.

상기 장치는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 기판 상에 상기 제 3 처리액을 공급하는 공정, 기판 상에 상기 제 2 처리액을 공급하는 공정 및 기판 상에 상기 제 1 처리액을 공급하는 공정을 순차적으로 수행하도록 상기 공정 처리 모듈을 제어할 수 있다.The apparatus further includes a controller, wherein the controller is configured to perform the steps of: supplying the third process liquid onto the substrate; supplying the second process liquid onto the substrate; and supplying the first process liquid onto the substrate The process module may be controlled to sequentially perform the process.

상기 제 1 처리액 및 상기 제 3 처리액은 기판 상에 막을 형성하는 도포액이고, 상기 제 2 처리액은 기판 상에 형성된 막을 식각하는 캐미칼일 수 있다.The first treatment liquid and the third treatment liquid may be a coating liquid for forming a film on a substrate and the second treatment liquid may be a chemilicate for etching a film formed on the substrate.

상기 제 1 처리액 및 상기 제 3 처리액은 포토레지스트(PR: Photo Resist) 또는 스핀 온 하드마스크(SOH: Spin-On hard mask)액으로 제공되고, 상기 제 2 처리액은 신너(Thinner)로 제공될 수 있다.The first treatment liquid and the third treatment liquid are provided as a photoresist (PR) or a spin-on hard mask (SOH) liquid, and the second treatment liquid is supplied to a thinner Can be provided.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 기판 처리 장치는 처리액의 토출 면적 대비 기판과 처리액의 접촉 면적을 넓게 제공할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus of the present invention can provide a wide contact area between the substrate and the processing liquid with respect to the discharge area of the processing liquid.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 기판 처리 장치는 기판 표면에 수평 방향의 타력을 인가할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus of the present invention can apply a horizontal force to the substrate surface.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 기판 처리 장치는 기판 처리 효율을 높일 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus of the present invention can increase the substrate processing efficiency.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 액처리 챔버를 정면에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 4의 액처리 챔버의 평면도이다.
도 6은 도 2의 캐미칼 노즐을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 2의 베이크 챔버를 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 7의 베이크 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 7의 베이크 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 11 내지 도 13은 각각 도 10의 제 1 도포 공정, 식각 공정 및 제 2 도포 공정이 수행된 기판을 보여주는 단면도이다.1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 viewed from the direction AA.
4 is a cross-sectional view of the liquid processing chamber of FIG. 2 viewed from the front.
5 is a plan view of the liquid processing chamber of Fig.
FIG. 6 is a perspective view showing the nozzle of FIG. 2; FIG.
Figure 7 is a perspective view showing the bake chamber of Figure 2;
8 is a plan view showing the bake chamber of Fig. 7;
Figure 9 is a cross-sectional view showing the bake chamber of Figure 7;
10 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 11 to 13 are sectional views showing the substrate on which the first coating process, the etching process, and the second coating process of FIG. 10 are performed, respectively.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시 예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시 예의 설비는 기판을 회전시키고 기판의 중심으로 처리액을 공급하여 액을 형성하는 공정을 수행하는데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 평판 표시 패널, 포토 마스크 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. 또한, 이와 달리, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 다양한 설비에 적용될 수 있다.The facility of this embodiment is used to perform a process of forming a liquid film by supplying a process liquid to a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the facility of this embodiment is used to perform a process of rotating a substrate and supplying a process liquid to the center of the substrate to form a liquid. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example. However, the substrate may be various types of substrates such as a flat panel display panel and a photomask in addition to a semiconductor wafer. Alternatively, the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention can be applied to various facilities for processing a substrate by supplying a liquid to the substrate.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10), 공정 처리 모듈(20) 및 제어기(30)를 포함한다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 viewed from the direction A-A. 2 and 3, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 10, a processing module 20, and a controller 30. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납되는 용기로 제공되는 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The load port 120 is seated with a carrier 18 provided in a container in which the substrate W is housed. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. The carrier 18 is provided with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240) 및 복수개의 공정 챔버(260, 280)를 가진다. 공정 챔버(260, 280)는 액처리 챔버(260) 및 베이크 챔버(280)를 포함한다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 액처리 챔버들(260)이 배치되고, 타측에는 베이크 챔버(280)들이 배치된다. 액처리 챔버들(260) 및 베이크 챔버(280)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 액처리 챔버들(260)이 제공된다. 액처리 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 액처리 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액처리 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액처리 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 액처리 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 액처리 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액처리 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. The processing module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a plurality of process chambers 260 and 280. Process chambers 260 and 280 include a liquid processing chamber 260 and a bake chamber 280. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Liquid processing chambers 260 are disposed on one side of the transfer chamber 240 and bake chambers 280 are disposed on the other side. The liquid processing chambers 260 and the bake chambers 280 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the liquid processing chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the liquid processing chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, at one side of the transfer chamber 240, the liquid processing chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of liquid processing chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of liquid processing chambers 260 provided in a row along the third direction 16. [ When four or six liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the liquid processing chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of the liquid processing chambers 260 may increase or decrease.

일 실시 예에 따르면, 액처리 챔버(260)는 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 포함한다. According to one embodiment, the liquid processing chamber 260 includes a first chamber and a second chamber.

제 1 챔버는 기판(W)에 제 1 처리액 및 제 2 처리액을 공급하여 기판을 처리한다. 제 1 챔버는 기판(W) 상에 제 1 처리액을 공급하는 제 1 노즐을 가지는 제 1 공급 유닛과 기판 상에 제 2 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 가지는 제 2 공급 유닛을 포함한다.The first chamber supplies the first processing solution and the second processing solution to the substrate W to process the substrate. The first chamber includes a first supply unit having a first nozzle for supplying a first process liquid onto the substrate W and a second supply unit having a second nozzle for supplying a second process liquid onto the substrate.

제 2 챔버는 기판(W)에 제 3 처리액을 공급하여 기판을 처리한다.The second chamber supplies the third processing solution to the substrate W to process the substrate.

제 1 챔버 및 제 2 챔버에서 수행되는 공정의 순서 및 내부에서 식각 공정(S30)의 수행 여부에 따라, 제 1 챔버는 이하 설명될 제 1 액처리 챔버(260a) 및 제 2 액처리 챔버(260b) 중 하나에 대응되고, 제 2 챔버는 제 1 액처리 챔버(260a) 및 제 2 액처리 챔버(260b) 중 다른 하나에 대응될 수 있다. Depending on the sequence of processes performed in the first chamber and the second chamber and whether or not the etching process S30 is carried out in the first chamber, the first chamber may include a first liquid processing chamber 260a and a second liquid processing chamber 260b , And the second chamber may correspond to the other of the first liquid processing chamber 260a and the second liquid processing chamber 260b.

예를 들면, 제 1 챔버가 이하 설명될 제 1 도포 공정(S10) 및 식각 공정(S30)을 수행하는 경우, 제 1 챔버는 식각 유닛(940)을 가지는 제 1 액처리 챔버(260a)에 대응되고, 제 2 챔버는 식각 유닛(940)이 제공되지 않은 제 2 액처리 챔버(260b)에 대응될 수 있다. 이 경우, 제 1 처리액은 제 1 도포액이고, 제 2 처리액은 캐미칼이며, 제 3 처리액은 제 2 도포액일 수 있다.For example, when the first chamber performs the first coating step S10 and the etching step S30, which will be described below, the first chamber corresponds to the first liquid processing chamber 260a having the etching unit 940 And the second chamber may correspond to the second liquid processing chamber 260b where the etching unit 940 is not provided. In this case, the first treatment liquid may be a first coating liquid, the second treatment liquid may be a camical, and the third treatment liquid may be a second coating liquid.

이와 달리, 제 1 챔버가 이하 설명될 식각 공정(S30) 및 제 2 도포 공정(S40)을 수행하는 경우, 제 1 챔버는 식각 유닛을 가지는 제 2 액처리 챔버(260b)에 대응되고, 제 2 챔버는 식각 유닛이 제공되지 않은 제 1 액처리 챔버(260a)에 대응될 수 있다. 이 경우, 제 1 처리액은 제 2 도포액이고, 제 2 처리액은 캐미칼이며, 제 3 처리액은 제 1 도포액일 수 있다.Alternatively, when the first chamber performs the etching process S30 and the second application process S40, which will be described below, the first chamber corresponds to the second liquid processing chamber 260b having the etching unit, The chamber may correspond to a first liquid processing chamber 260a not provided with an etching unit. In this case, the first treatment liquid may be a second coating liquid, the second treatment liquid may be a camical, and the third treatment liquid may be a first coating liquid.

제 1 액처리 챔버(260a) 및 제 2 액처리 챔버(260b)는 각각 복수개가 제 1 방향(12)으로 배열되게 제공된다. 제 1 액처리 챔버(260a) 및 제 2 액처리 챔버(260b)는 서로 적층되게 제공되고, 제 1 액처리 챔버(260a)는 제 2 액처리 챔버(260b)의 위에 제공될 수 있다. 이와 달리, 선택적으로 제 2 액처리 챔버(260b)는 제 1 액처리 챔버(260a)의 위에 제공될 수 있다.A plurality of first liquid processing chambers 260a and second liquid processing chambers 260b are provided so as to be arranged in the first direction 12, respectively. The first liquid processing chamber 260a and the second liquid processing chamber 260b may be provided so as to be laminated to each other and the first liquid processing chamber 260a may be provided above the second liquid processing chamber 260b. Alternatively, the second liquid processing chamber 260b may be provided on top of the first liquid processing chamber 260a.

상술한 바와 달리, 액처리 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 액처리 챔버(260a) 및 제 2 액처리 챔버(260b)는 서로 동일한 높이에 제공될 수 있다. Unlike the above, the liquid processing chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240. In this case, the first liquid processing chamber 260a and the second liquid processing chamber 260b may be provided at the same height with each other.

이송 챔버(240)의 타측에는 복수 개의 베이크 챔버들(280)이 제공된다. 베이크 챔버(280)는 액처리 챔버(260)보다 많은 수로 제공될 수 있다. 베이크 챔버들(280) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 베이크 챔버들(280) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 타측에는 베이크 챔버들(280)이 C X D의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 C는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 베이크 챔버(280)의 수이고, D는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 베이크 챔버(280)의 수이다. 이송 챔버(240)의 타측에 베이크 챔버(280)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 베이크 챔버들(280)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 베이크 챔버(280)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 액처리 챔버(260a) 및 제 2 액처리 챔버(260b)가 도 2 및 도 3과 같이 제공된 경우, 베이크 챔버(280)의 일부는 제 1 액처리 챔버(260a)로부터 제 2 방향에 위치되고 제 1 방향을 따라 배열된다. 베이크 챔버(280)의 다른 일부는 제 2 액처리 챔버(260b)로부터 제 2 방향에 위치되고 제 1 방향을 따라 배열된다. 따라서, 베이크 챔버의 일부와 제 1 액처리 챔버(260a)의 사이 및 베이크 챔버(280)의 다른 일부와 제 2 액처리 챔버(260b)의 사이에는 이송 챔버(240)가 위치된다. 상술한 바와 달리, 베이크 챔버들(280)은 단층으로 제공될 수 있다.On the other side of the transfer chamber 240, a plurality of bake chambers 280 are provided. The bake chamber 280 may be provided in a larger number than the liquid processing chamber 260. Some of the bake chambers 280 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. Further, some of the bake chambers 280 are arranged to be stacked on each other. That is, at the other side of the transfer chamber 240, the bake chambers 280 may be arranged in an array of C X Ds. Where C is the number of bake chambers 280 provided in a row along the first direction 12 and D is the number of bake chambers 280 provided in a row along the third direction 16. When four or six bake chambers 280 are provided on the other side of the transfer chamber 240, the bake chambers 280 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of the bake chambers 280 may increase or decrease. According to one embodiment, when the first liquid processing chamber 260a and the second liquid processing chamber 260b are provided as shown in FIGS. 2 and 3, a part of the bake chamber 280 is connected to the first liquid processing chamber 260a, And arranged along the first direction. Another portion of the bake chamber 280 is located in the second direction from the second liquid processing chamber 260b and is arranged along the first direction. The transfer chamber 240 is positioned between a portion of the bake chamber and the first liquid processing chamber 260a and between the other portion of the bake chamber 280 and the second liquid processing chamber 260b. Unlike the above, the bake chambers 280 may be provided as a single layer.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 공정 처리 모듈(20)의 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 carries the substrate W between the carrier 18 seated in the load port 120 and the buffer unit 220 of the processing module 20. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 and another portion of the index arms 144c from the carrier 18 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 메인 로봇(244)은 버퍼 유닛(220), 제 1 액처리 챔버(260a), 제 2 액처리 챔버(260b), 베이크 챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The main robot 244 transports the substrate W between the buffer unit 220, the first liquid processing chamber 260a, the second liquid processing chamber 260b and the bake chamber 280. [ The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

액처리 챔버(260)에서는 기판(W) 상에 막을 형성하는 막 형성 공정이 수행된다. 액처리 챔버(260) 중 일부는 서로 동일한 구조 및 구성을 가진다. 다만, 액처리 챔버(260)는 수행하는 막 형성 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액처리 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액처리 챔버(260)의 구성 및 구조는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 액처리 챔버(260)의 구성 및 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. In the liquid processing chamber 260, a film forming process for forming a film on the substrate W is performed. Some of the liquid processing chambers 260 have the same structure and configuration. However, the liquid processing chamber 260 may have a different structure depending on the kind of the film forming process to be performed. Optionally, the liquid processing chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the liquid processing chambers 260 belonging to the same group have the same structure and structure, and the liquid processing chambers 260 belonging to different groups The structures may be provided differently from each other.

일 실시 예에 따르면, 제 1 액처리 챔버(260a)는 제 1 도포 공정(S10)을 수행한다. 제 1 도포 공정(S10)은 패턴(13)이 형성된 기판(W) 상에 제 1 도포액을 공급하여 제 1 도포층(15)을 형성하는 공정이다. 제 2 액처리 챔버(260b)는 제 2 도포 공정(S40)을 수행한다. 제 2 도포 공정(S40)은 패턴(13)이 형성된 기판(W) 상에 제 2 도포액을 공급하여 제 2 도포층(17)을 형성하는 공정이다. 예를 들면, 제 1 도포액 및 제 2 도포액은 포토 레지스트(PR: Photo Resist) 등의 감광액 또는 스핀 온 하드마스크(Spin-On Hard mask)액으로 제공될 수 있다. 제 1 도포액 및 제 2 도포액은 서로 성분 및/또는 성분비가 상이한 포토 레지스트(PR: Photo Resist)액 으로 제공될 수 있다. 또는 제 1 도포액 및 제 2 도포액은 서로 성분 및/또는 성분비가 상이한 스핀 온 하드마스크(Spin-On Hard mask)액으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the first liquid processing chamber 260a performs the first coating step S10. The first coating step S10 is a step of forming a first coating layer 15 by supplying a first coating liquid onto a substrate W on which a pattern 13 is formed. And the second liquid processing chamber 260b performs a second coating step (S40). The second coating step S40 is a step of forming the second coating layer 17 by supplying the second coating liquid onto the substrate W on which the pattern 13 is formed. For example, the first coating liquid and the second coating liquid may be provided as a sensitizing liquid such as a photoresist (PR) or a spin-on hard mask liquid. The first coating liquid and the second coating liquid may be provided in a photoresist (PR) solution having a different component and / or composition ratio from each other. Alternatively, the first coating liquid and the second coating liquid may be provided in a spin-on hard mask liquid having different component and / or composition ratios from each other.

제 1 액처리 챔버(260a) 또는 제 2 액처리 챔버(260b) 중 하나에서 식각 공정(S30)이 수행된다. 식각 공정(S30)은 제 1 도포 공정(S10)이 수행된 기판(W)에 캐미칼을 공급하여 패턴(13)의 상면이 노출되도록 패턴(13)의 상면에 위치한 제 1 도포층(15)을 제거하는 공정이다. 예를 들면, 캐미칼은 신너(Thinner)로 제공될 수 있다. 이와 달리, 캐미칼은 제 1 도포층(15) 및 제 2 도포층(17)을 식각할 수 있는 다양한 종류의 유체로 제공될 수 있다.The etching process S30 is performed in either the first liquid processing chamber 260a or the second liquid processing chamber 260b. In the etching step S30, a first coating layer 15 located on the upper surface of the pattern 13 is exposed so that the upper surface of the pattern 13 is exposed by supplying a chemical to the substrate W on which the first coating step S10 has been performed. . For example, a camel can be provided as a thinner. Alternatively, the chemical may be provided with various kinds of fluids capable of etching the first application layer 15 and the second application layer 17.

제 1 도포 공정(S10), 제 2 도포 공정(S40) 및 식각 공정(S30)은 상압에서 수행될 수 있다. 제 1 도포 공정(S10), 제 2 도포 공정(S40) 및 식각 공정(S30)은 기판(W)이 회전되는 상태에서 기판(W)에 각각 제 1 도포액, 제 2 도포액 또는 캐미칼을 공급함으로써 수행될 수 있다.The first coating step (S10), the second coating step (S40) and the etching step (S30) may be performed at normal pressure. The first coating step S10, the second coating step S40 and the etching step S30 are carried out in such a manner that the first coating liquid, the second coating liquid or the chemical liquid is supplied to the substrate W in a state in which the substrate W is rotated . ≪ / RTI >

각 공정에 대한 상세한 내용은 도 10 내지 도 13을 참고하여 본 발명의 기판 처리 방법과 함께 설명한다. Details of each process will be described together with the substrate processing method of the present invention with reference to FIGS. 10 to 13. FIG.

도 4는 도 2의 액처리 챔버(260)를 정면에서 바라본 단면도이고, 도 5는 도 4의 액처리 챔버(260)의 평면도이다. 도 2에 도시된 액처리 챔버(260)는 제 1 액처리 챔버(260a) 또는 제 2 액처리 챔버(260b)일 수 있다. 제 1 액처리 챔버(260a) 및 제 2 액처리 챔버(260b)는 도포 유닛에서 공급하는 도포액의 종류 및 식각 유닛(940)의 유무 외에 구성 및 구조가 동일하게 제공될 수 있다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 액처리 챔버(260)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 도포 유닛(920), 그리고 식각 유닛(940)를 포함한다. FIG. 4 is a cross-sectional view of the liquid processing chamber 260 of FIG. 2 viewed from the front, and FIG. 5 is a plan view of the liquid processing chamber 260 of FIG. The liquid processing chamber 260 shown in FIG. 2 may be the first liquid processing chamber 260a or the second liquid processing chamber 260b. The first liquid processing chamber 260a and the second liquid processing chamber 260b may be provided with the same configuration and structure except for the kind of the coating liquid supplied from the coating unit and the presence or absence of the etching unit 940. [ 4 and 5, the liquid processing chamber 260 includes a housing 810, an airflow providing unit 820, a substrate supporting unit 830, a processing vessel 850, a lift unit 890, 920), and an etching unit 940.

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular tubular shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810. The opening serves as an inlet through which the substrate W is carried in and out. The opening is provided with a door, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is performed, the door is closed to seal the inner space 812 of the housing 810. An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810. The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816. According to one example, the airflow provided in the processing vessel 850 is exhausted through the inner exhaust port 814, and the airflow provided outside the processing vessel 850 can be exhausted through the outer exhaust port 816.

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 820 forms a downward flow in the inner space of the housing 810. The airflow providing unit 820 includes an airflow supply line 822, a fan 824, and a filter 826. The airflow supply line 822 is connected to the housing 810. The air supply line 822 supplies external air to the housing 810. The filter 826 links the air provided from the airflow supply line 822 to the filter 826. The filter 826 removes impurities contained in the air. The fan 824 is mounted on the upper surface of the housing 810. The fan 824 is located in a central region in the upper surface of the housing 810. The fan 824 forms a downward flow in the inner space of the housing 810. When air is supplied to the fan 824 from the airflow supply line 822, the fan 824 supplies air in a downward direction.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832) 및 회전 구동 부재(834,836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in the inner space of the housing 810. The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a spin chuck 832 and rotation drive members 834 and 836. The spin chuck 832 is provided with a substrate support member 832 for supporting the substrate. The spin chuck 832 is provided to have a circular plate shape. The substrate W contacts the upper surface of the spin chuck 832. The spin chuck 832 is provided so as to have a smaller diameter than the substrate W. [ According to one example, the spin chuck 832 can vacuum-suck the substrate W and chuck the substrate W. Alternatively, the spin chuck 832 may be provided with an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. The spin chuck 832 can also chuck the substrate W by physical force.

회전 구동 부재(834,836)는 회전축(834) 및 구동기(836)을 포함한다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation drive members 834 and 836 include a rotation shaft 834 and a driver 836. The rotating shaft 834 supports the spin chuck 832 below the spin chuck 832. The rotary shaft 834 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The rotation shaft 834 is provided so as to be rotatable about its central axis. The driver 836 provides a driving force such that the rotation shaft 834 is rotated. For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotational speed of the rotating shaft.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 is located in the interior space 812 of the housing 810. The processing vessel 850 provides a processing space therein. The processing vessel 850 is provided so that the upper portion thereof has an open cup shape. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862.

내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 도포 유닛(920)으로부터 공급된 도포액 및 식각 유닛(940)으로부터 공급된 캐미칼 등의 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The inner cup 852 is provided in the shape of a circular plate surrounding the rotation shaft 834. The inner cup 852 is positioned to overlap the inner vent 814 when viewed from above. The upper surface of the inner cup 852 is provided such that its outer and inner regions are inclined at different angles from each other. According to one example, the outer region of the inner cup 852 is oriented downwardly away from the substrate support unit 830, and the inner region is oriented in an upward sloping direction away from the substrate support unit 830 Lt; / RTI > A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet with each other is vertically provided in correspondence with the side end portion of the substrate W. [ The upper surface area of the inner cup 852 is provided to be rounded. The upper surface area of the inner cup 852 is provided downwardly concave. The upper surface area of the inner cup 852 may be provided in a region where the coating liquid supplied from the coating unit 920 and the processing liquid such as the camber supplied from the etching unit 940 flow.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.The outer cup 862 is provided to have a cup shape that encloses the substrate support unit 830 and the inner cup 852. The outer cup 862 has a bottom wall 864, a side wall 866, a top wall 870, and an inclined wall 870. The bottom wall 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A collection line 865 is formed in the bottom wall 864. The recovery line 865 recovers the treatment liquid supplied on the substrate W. [ The treatment liquid recovered by the recovery line 865 can be reused by an external liquid recovery system. The side wall 866 is provided to have a circular tubular shape surrounding the substrate supporting unit 830. The side wall 866 extends in a vertical direction from the side edge of the bottom wall 864. The side wall 866 extends upwardly from the bottom wall 864.

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends inward of the outer cup 862 from the top of the side wall 866. The inclined wall 870 is provided so as to approach the substrate supporting unit 830 upward. The inclined wall 870 is provided so as to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported on the substrate supporting unit 830. [

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The elevating unit 890 lifts the inner cup 852 and the outer cup 862, respectively. The elevating unit 890 includes an inside moving member 892 and an outside moving member 894. The inner moving member 892 lifts the inner cup 852 and the outer moving member 894 moves the outer cup 862 up and down.

도포 유닛(920)은 박막을 형성하는 도포 공정을 수행한다. 여기서 박막은 액에 의해 형성되는 액막으로 제공된다. 도포 유닛(920)은 기판(W) 상에 도포액을 공급한다. 도 4의 공정 챔버가 제 1 액처리 챔버(260a)인 경우, 도포 유닛(920)은 제 1 도포 유닛(920a)으로 제공된다. 이와 달리, 도 4의 공정 챔버가 제 2 액처리 챔버(260b)인 경우, 도포 유닛(920)은 제 2 도포 유닛(920b)으로 제공된다. 제 1 도포 유닛(920a)은 기판(W) 상에 제 1 도포액을 공급하여 제 1 도포 공정(S10)을 수행한다. 제 2 도포 유닛(920b)은 기판(W) 상에 제 2 도포액을 공급하여 제 2 도포 공정(S40)을 수행한다. 도포 유닛(920)은 가이드 부재(922), 아암(924), 도포 노즐(926)을 포함한다. 가이드 부재(922) 및 아암(924)은 도포 노즐(926)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 도포 노즐(926)의 토출단이 기판(W)의 중심과 마주보는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 가이드 부재(922)는 아암(924)을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일(922)을 포함한다. 가이드 레일(922)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(922)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(922)의 길이 방향을 제1방향(12)과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(922)에는 아암(924)이 설치된다. 아암(924)은 가이드 레일(922)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암(924)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(922)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(924)의 일단은 가이드 레일(922)에 장착된다. 아암(924)의 타단 저면에는 도포 노즐(926)이 설치된다. 도포 노즐(926)은 스핀척(832)에 놓인 기판(W)의 중심 또는 중심에 인접한 위치에서 연직 방향으로 위쪽에서 연직 방향으로 아래 방향으로 제 1 도포액 또는 제 2 도포액을 공급한다. 선택적으로 아암(924)은 길이 방향이 제3방향(16)을 향하는 회전축(834)에 결합되어 회전될 수 있다.The application unit 920 performs an application process of forming a thin film. Wherein the thin film is provided as a liquid film formed by the liquid. The application unit 920 supplies the application liquid onto the substrate W. [ When the processing chamber of Fig. 4 is the first liquid processing chamber 260a, the application unit 920 is provided as the first application unit 920a. Alternatively, when the processing chamber of Fig. 4 is the second liquid processing chamber 260b, the application unit 920 is provided as the second application unit 920b. The first coating unit 920a supplies the first coating liquid onto the substrate W to perform the first coating process S10. The second coating unit 920b supplies the second coating liquid onto the substrate W to perform the second coating process S40. The application unit 920 includes a guide member 922, an arm 924, and a dispensing nozzle 926. The guide member 922 and the arm 924 move the application nozzle 926 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the discharge end of the application nozzle 926 faces the center of the substrate W, and the standby position is defined as a position out of the process position. The guide member 922 includes a guide rail 922 for moving the arm 924 in the horizontal direction. The guide rails 922 are located on one side of the processing vessel 850. The guide rails 922 are provided so that their longitudinal directions are oriented in the horizontal direction. According to an example, the longitudinal direction of the guide rail 922 may be provided so as to be directed in a direction parallel to the first direction 12. An arm 924 is provided on the guide rail 922. The arm 924 can be moved by a linear motor provided inside the guide rail 922. The arm 924 is provided so as to face the longitudinal direction perpendicular to the guide rail 922 when viewed from above. One end of the arm 924 is mounted on the guide rail 922. A coating nozzle 926 is provided on the bottom surface of the other end of the arm 924. The application nozzle 926 supplies the first coating liquid or the second coating liquid in the vertical direction from the upper side to the lower side in the vertical direction at a position adjacent to the center or the center of the substrate W placed on the spin chuck 832. Optionally, the arm 924 may be coupled to a rotational axis 834 whose longitudinal direction faces the third direction 16 and may be rotated.

식각 유닛(940)은 기판(W)에 캐미칼을 공급하여 식각 공정을 수행한다. 따라서, 식각 유닛(940)은 상기 설명된 제 2 공급 유닛에 대응된다. 식각 유닛(940)은 가이드 부재(942), 아암(944) 및 캐미칼 노즐(946)을 포함한다. 식각 유닛(940)의 가이드 부재(942) 및 아암(944)은 도포 유닛(920)의 가이드 부재(922) 및 아암(924)과 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 식각 유닛(940)의 가이드 부재(942) 및 아암(944)은 도포 유닛(920)과 독립적으로 구동 가능하다. 따라서, 식각 유닛(940)의 가이드 부재(942) 및 아암(944)에 대한 상세한 설명은 생략한다. The etching unit 940 supplies the substrate W with a chemical to perform the etching process. Thus, the etching unit 940 corresponds to the second supply unit described above. The etching unit 940 includes a guide member 942, an arm 944, and a chemical nozzle 946. The guide member 942 and the arm 944 of the etching unit 940 are provided so as to have the same shape as the guide member 922 and the arm 924 of the application unit 920. [ The guide member 942 and the arm 944 of the etching unit 940 are independently actuatable with the application unit 920. Therefore, the detailed description of the guide member 942 and the arm 944 of the etching unit 940 is omitted.

도 6은 도 2의 캐미칼 노즐(946)을 보여주는 사시도이다. 도 6을 참조하면, 캐미칼 노즐(946)은 상술한 제 2 노즐에 대응된다. 캐미칼 노즐(946) 은 기판(W) 상에 캐미칼을 토출한다. 캐미칼 노즐(946)은 캐미칼을 아래 방향으로 경사진 방향으로 토출한다. 일 실시 예에 따르면, 캐미칼 노즐(946)의 캐미칼이 토출되는 토출구(946a)는 슬릿(Slit) 형상으로 제공될 수 있다. 토출구(946a)는 길이 방향이 스핀척(832)에 놓인 기판(W)의 상면에 평행이 되도록 제공될 수 있다. 6 is a perspective view showing the camical nozzle 946 of FIG. Referring to Fig. 6, the camical nozzle 946 corresponds to the second nozzle described above. The chemical nozzle 946 discharges the chemical on the substrate W. The camical nozzle 946 discharges the camber in a downwardly inclined direction. According to one embodiment, the discharge port 946a through which the camber of the chemical nozzle 946 is discharged may be provided in a slit shape. The discharge port 946a may be provided so that its longitudinal direction is parallel to the upper surface of the substrate W placed on the spin chuck 832. [

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 각각의 베이크 챔버(280)는 동일한 구조를 가진다. 다만, 베이크 챔버(280) 는 수행하는 막 형성 공정의 종류 또는 각 챔버(810)의 높이 차이로 인한 배기량의 차이에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(280)들은 복수개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 베이크 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 베이크 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이하게 제공될 수 있다.2 and 3, each of the bake chambers 280 has the same structure. However, the bake chamber 280 may have a different structure depending on the type of the film forming process to be performed or the difference in the amount of exhaust due to the height difference between the chambers 810. Alternatively, the bake chambers 280 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses provided to the bake chamber 280 belonging to the same group are identical to each other, and the substrate processing apparatuses 280 provided in the bake chamber 280, May be provided differently from each other.

베이크 챔버(280)는 기판(W)을 소정의 온도로 가열하는 열처리 공정을 수행하고, 각각의 열처리 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있다. The bake chamber 280 may perform a heat treatment process for heating the substrate W to a predetermined temperature and a cooling process for cooling the substrate W after each heat treatment process.

도 7은 도 2의 베이크 챔버(280)를 보여주는 사시도이다. 도 8은 도 7의 베이크 챔버(280)를 보여주는 평면도이다. 도 9는 도 7의 베이크 챔버(280)를 보여주는 단면도이다. 도 7 내지 도 9를 참조하면, 베이크 챔버(280)는 하우징(1100), 반송 유닛(1200), 가열 유닛(1300) 그리고 냉각 유닛(1400)을 포함한다.7 is a perspective view showing the bake chamber 280 of FIG. 8 is a plan view showing the bake chamber 280 of FIG. 9 is a cross-sectional view showing the bake chamber 280 of Fig. 7 to 9, the bake chamber 280 includes a housing 1100, a transfer unit 1200, a heating unit 1300, and a cooling unit 1400.

하우징(1100)은 베이크 공정과 같은 처리가 이루어지도록 내부에 처리 공간을 제공한다. 하우징(1100)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 제1측벽(1111), 제2측벽(1112), 제3측벽(1113) 그리고 제4측벽(1114)을 포함한다. The housing 1100 provides a processing space therein for processing such as a baking process. The housing 1100 is provided in a rectangular parallelepiped shape. The housing 100 includes a first sidewall 1111, a second sidewall 1112, a third sidewall 1113, and a fourth sidewall 1114.

제1측벽(1111)은 하우징(1100)의 일측면에 제공된다. 제1측벽(1111)에는 기판(W)이 출입되는 출입구(1116)가 형성된다. 출입구(1116)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다.The first side wall 1111 is provided on one side of the housing 1100. The first sidewall 1111 is formed with an entrance 1116 through which the substrate W enters and exits. The entry port 1116 provides a passage through which the substrate W is moved.

제2측벽(1112)은 제1측벽(1111)의 반대편에 형성된다. 제2측벽(1112)은 제1측벽(1111)과 평행하게 제공된다. 제3측벽(1113)은 제1측벽(1111)과 제2측벽(1112) 사이에 제공된다. 제3측벽(1113)은 제1측벽(1111)과 제2측벽(1112) 각각에 수직하게 제공된다. 제4측벽(1114)은 제1측벽(111)과 제2측벽(1112) 사이에 제공된다. 제4측벽(1114)은 제1측벽(1111)과 제3측벽(1113) 각각에 수직하게 제공된다. 제4측벽(1114)은 제3측벽(1113)과 평행하게 제공된다.The second side wall 1112 is formed on the opposite side of the first side wall 1111. The second side wall 1112 is provided in parallel with the first side wall 1111. A third sidewall 1113 is provided between the first sidewall 1111 and the second sidewall 1112. The third sidewall 1113 is provided perpendicularly to the first sidewall 1111 and the second sidewall 1112, respectively. A fourth sidewall 1114 is provided between the first sidewall 111 and the second sidewall 1112. A fourth sidewall 1114 is provided perpendicularly to the first sidewall 1111 and the third sidewall 1113, respectively. The fourth side wall 1114 is provided in parallel with the third side wall 1113.

반송 유닛(1200)은 하우징(1100) 내에서 가열 유닛(1300)과 냉각 유닛(1400) 간에 기판(W)을 이동시킨다. 반송 유닛(1200)은 반송 플레이트(1210), 지지암(1220), 지지링(1230), 그리고 구동 부재(1270)를 포함한다.The transfer unit 1200 moves the substrate W between the heating unit 1300 and the cooling unit 1400 in the housing 1100. The transport unit 1200 includes a transport plate 1210, a support arm 1220, a support ring 1230, and a drive member 1270.

반송 플레이트(1210)에는 기판(W)이 놓인다. 반송 플레이트(1210)는 원형의 형상으로 제공된다. 반송 플레이트(1210)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 반송 플레이트(1210)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 반송 플레이트(1210)에는 가이드 홀(1250)이 형성된다. 가이드 홀(1250)은 리프트 핀(1315)을 수용하기 위한 공간이다. 가이드 홀(1250)은 반송 플레이트(1210)의 외측으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(1250)은 반송 플레이트(1210)의 이동 시 리프트 핀(1315)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다.The substrate W is placed on the transfer plate 1210. The transport plate 1210 is provided in a circular shape. The transfer plate 1210 is provided with the same size as the substrate W. [ The transfer plate 1210 is made of a metal material having good thermal conductivity. A guide hole 1250 is formed in the transport plate 1210. The guide hole 1250 is a space for accommodating the lift pin 1315. Guide holes 1250 are provided extending from the outside of the conveying plate 1210 to the inside thereof. The guide hole 1250 prevents interference or collision with the lift pin 1315 when the conveying plate 1210 is moved.

지지암(1220)은 반송 플레이트(1210)와 고정결합된다. 지지암(1220)은 반송 플레이트(1210)와 구동 부재(1270) 사이에 제공된다. The support arm 1220 is fixedly coupled to the transfer plate 1210. A support arm 1220 is provided between the transfer plate 1210 and the drive member 1270.

지지링(1230)은 반송 플레이트(1210) 주위를 감싸며 제공된다. 지지링(1230)은 반송 플레이트(1210)의 가장 자리를 지지한다. 지지링(1230)은 기판(W)이 반송 플레이트(1210)에 놓여진 후 기판(W)이 정위치에 놓이도록 기판(W)을 지지하는 역할을 한다. A support ring 1230 is provided wrapping around the conveying plate 1210. The support ring 1230 supports the edge of the transfer plate 1210. The support ring 1230 serves to support the substrate W such that the substrate W is placed in the correct position after the substrate W is placed on the transfer plate 1210.

구동 부재(1270)는 반송 플레이트(1210)를 이송 또는 반송할 수 있도록 한다. 구동 부재(1270)는 반송 플레이트(1210)를 직선 운동 또는 상하 구동할 수 있도록 제공된다. The driving member 1270 allows the transport plate 1210 to be transported or transported. The driving member 1270 is provided so as to be able to linearly move or vertically drive the transfer plate 1210.

가열 유닛(1300)은 기판을 지지하여 기판을 가열한다. 가열 유닛(1300)은 플레이트(1311), 핀 홀(1312), 히터(1313), 리프트 핀(1315), 커버(1317), 구동기(1319)를 포함한다. The heating unit 1300 supports the substrate to heat the substrate. The heating unit 1300 includes a plate 1311, a pin hole 1312, a heater 1313, a lift pin 1315, a cover 1317, and a driver 1319.

플레이트(1311)는 원통형의 형상으로 제공된다. 플레이트(1311)는 열전도도가 좋은 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 플레이트(1311)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 플레이트(1311)의 상부에는 리프트 핀(1315)을 수용하는 핀 홀(1312)이 형성되어 있다. The plate 1311 is provided in a cylindrical shape. The plate 1311 may be provided with a material having good thermal conductivity. For example, the plate 1311 may be made of a metal material. A pin hole 1312 is formed in the upper portion of the plate 1311 to receive a lift pin 1315. [

히터(1313)는 기판(W)을 가열한다. 히터(1313)는 플레이트(1311)의 내부에 제공된다. 예컨대, 히터(1313)는 플레이트(1311) 내에는 히팅 코일로 설치될 수 있다. 이와는 달리 플레이트(1311)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 히터(1313)는 플레이트(1311) 내부에 제공되므로 기판이 가열되기 전에 우선적으로 플레이트(1311)가 가열된다.The heater 1313 heats the substrate W. The heater 1313 is provided inside the plate 1311. For example, the heater 1313 may be installed in the plate 1311 as a heating coil. Alternatively, the plate 1311 may be provided with heating patterns. Since the heater 1313 is provided inside the plate 1311, the plate 1311 is preferentially heated before the substrate is heated.

핀 홀(1312)은 리프트 핀(1315)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(1315)의 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(1312)은 플레이트(1311)의 상부에 제공되며, 복수개가 제공될 수 있다. The pin hole 1312 is provided for the moving path of the lift pin 1315 when the lift pin 1315 moves the substrate W up and down. A pin hole 1312 is provided on the top of the plate 1311, and a plurality of pins can be provided.

리프트 핀(1315)은 승강 기구(미도시)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(1315)은 기판(W)을 플레이트(1311) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(1315)은 기판(W)을 플레이트(1311)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다. The lift pins 1315 are moved up and down by a lifting mechanism (not shown). The lift pins 1315 can seat the substrate W on the plate 1311. [ The lift pins 1315 can raise and lower the substrate W to a position spaced apart from the plate 1311 by a predetermined distance.

커버(1317)는 플레이트(1311)의 상부에 위치한다. 커버(1317)는 원통형의 형상으로 제공된다. 커버(1317)는 내부에 가열 공간을 제공한다. 커버(1317)는 기판(W)이 플레이트(1311)로 이동시 구동기(1319)에 의해 플레이트(1311)의 상부로 이동한다. 커버(1317)는 기판(W)이 플레이트(1311)에 의해 가열 시 구동기(1319)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 가열 공간을 형성한다.The cover 1317 is located on the top of the plate 1311. The cover 1317 is provided in a cylindrical shape. The cover 1317 provides a heating space therein. The cover 1317 moves to the upper portion of the plate 1311 by the driver 1319 when the substrate W is moved to the plate 1311. [ The cover 1317 moves the substrate W downward by the driver 1319 when heated by the plate 1311 to form a heating space in which the substrate W is heated.

구동기(1319)는 지지부(1318)에 의해 커버(1317)와 고정 결합된다. 구동기(1319)는 기판(W)의 플레이트(1311)로 이송 또는 반송 되는 경우 커버(1317)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(1319)는 실린더 구동기로 제공될 수 있다. The driver 1319 is fixedly coupled to the cover 1317 by a support portion 1318. [ The driver 1319 moves the cover 1317 upward and downward when it is conveyed or conveyed to the plate 1311 of the substrate W. [ In one example, the actuator 1319 may be provided as a cylinder actuator.

냉각 유닛(1400)은 플레이트(1311) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시키는 역할을 한다. 냉각 유닛(1400)은 하우징(1100)의 내부에 위치한다. 냉각 유닛(1400)은 제2측벽(1112)보다 제1측벽(1111)에 더 인접하게 위치한다.냉각 유닛(400)은 냉각 플레이트(410)를 포함한다.The cooling unit 1400 serves to cool the plate 1311 or the processed substrate W. [ The cooling unit 1400 is located inside the housing 1100. The cooling unit 1400 is positioned closer to the first sidewall 1111 than the second sidewall 1112. The cooling unit 400 includes a cooling plate 410. [

냉각 플레이트(1410)는 기판을 냉각한다. 냉각 플레이트(1410)는 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1410)는 기판에 상응하는 크기로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1410)의 내부에에는 냉각 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W)을 냉각할 수 있다. 기판은 반송 플레이트(1210)에 유지된 상태에서 반송 플레이트(1210)가 냉각 플레이트(1410)에 놓이고, 기판이 냉각될 수 있다.Cooling plate 1410 cools the substrate. The cooling plate 1410 may be provided in a circular shape. The cooling plate 1410 may be provided in a size corresponding to the substrate. A cooling channel may be provided inside the cooling plate 1410. Cooling water is supplied to the cooling passage to cool the substrate W. The transfer plate 1210 is placed on the cooling plate 1410 while the substrate is held on the transfer plate 1210, and the substrate can be cooled.

제어기(30)는 제 1 도포 공정(S10), 식각 공정(S30) 및 제 2 도포 공정(S40)이 순차적으로 수행되도록 공정 처리 모듈(20)을 제어한다. 제어기(30)는 제 1 도포 공정(S10) 및 식각 공정(S30) 사이, 그리고 제 2 도포 공정(S40) 후에 열처리 공정을 수행하도록 공정 처리 모듈(20)을 제어한다.The controller 30 controls the process module 20 such that the first coating process S10, the etching process S30 and the second coating process S40 are sequentially performed. The controller 30 controls the process processing module 20 to perform the heat treatment process between the first coating process S10 and the etching process S30 and after the second coating process S40.

이하, 도 2의 기판 처리 설비(1)를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 설명한다.Hereinafter, a substrate processing method for processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 of Fig. 2 will be described.

도 10는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 도 10을 참조하면, 기판 처리 방법은 제 1 도포 공정(S10), 식각 공정(S30), 제 2 도포 공정(S40) 및 열처리 공정(S20, S50)을 포함한다. 제 1 도포 공정(S10), 식각 공정(S30) 및 제 2 도포 공정(S40)은 순차적으로 수행된다. 10 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10, the substrate processing method includes a first coating step (S10), an etching step (S30), a second coating step (S40), and a heat treatment step (S20, S50). The first coating step (S10), the etching step (S30) and the second coating step (S40) are performed sequentially.

도 11 내지 도 13는 각각 도 9의 제 1 도포 공정(S10), 식각 공정(S30) 및 제 2 도포 공정(S40)이 수행된 기판(W)을 보여주는 단면도이다. 도 11을 참조하면, 제 1 도포 공정(S10)에서, 제어기(30)는 제 1 도포 공정(S10)을 수행하도록 제 1 도포 유닛(920a) 및 기판 지지 유닛(830)을 제어한다. 제 1 도포 공정(S10)에서는, 제 1 액처리 챔버(260a) 내에서 패턴(13)이 형성된 기판(W) 상에 제 1 도포액을 공급하여 제 1 도포층(15)을 형성시킨다. 제 1 도포액은 패턴(13) 사이의 오목부 및 패턴(13)의 상면에 도포되어 패턴(13) 사이의 오목부 및 패턴(13)의 상면에 제 1 도포층(15)을 형성한다.11 to 13 are sectional views showing the substrate W on which the first coating step (S10), the etching step (S30) and the second coating step (S40) shown in Fig. 9 are carried out. Referring to Fig. 11, in the first coating step S10, the controller 30 controls the first coating unit 920a and the substrate supporting unit 830 to perform the first coating step S10. In the first coating step S10, the first coating liquid is supplied onto the substrate W on which the pattern 13 is formed in the first liquid processing chamber 260a to form the first coating layer 15. The first coating liquid is applied to the concave portion between the patterns 13 and the upper surface of the pattern 13 to form the first coating layer 15 on the concave portion between the patterns 13 and on the upper surface of the pattern 13.

도 12를 참조하면, 식각 공정(S30)에서, 제어기(30)는 제 1 액처리 챔버(260a) 또는 제 2 액처리 챔버(260b) 내에서 식각 공정(S30)을 수행하도록 식각 유닛(940) 및 기판 지지 유닛(830)을 제어한다. 식각 공정(S30)에서는 기판(W)에 캐미칼을 공급하여 패턴(13)의 상면이 노출되도록 패턴(13)의 상면에 위치한 제 1 도포층(15)을 제거한다. 식각 공정(S30)에서 캐미칼은 캐미칼 노즐(946)로부터 아래 방향으로 경사진 방향으로 토출된다. 캐미칼 노즐(946)에 대한 상세한 설명은 상기 장치에 대한 설명 내용과 동일하다. 식각 공정(S30)은 기판(W)의 상면의 전체에 대해 수행된다. 식각 공정(S30)이 캐미칼을 공급하여 수행되는 습식 방식으로 제공됨으로써, 건식 방식에 비해 높은 선택비의 식각이 가능하다. 도 2의 장치를 이용하여 본 발명의 기판 처리 방법을 수행하는 경우, 식각 공정(S30)이 제 1 액처리 챔버(260a)에서 수행되면, 제 1 도포 공정(S10)이 완료된 후, 베이크 챔버(280)에서 열처리 공정(S20)을 수행하기 위해 제 1 액처리 챔버(260a)로부터 기판(W)이 반출된 후, 식각 공정(S30)을 위해 다시 제 1 액처리 챔버(260a)로 반입되는 기판 반송이 수행된다. 따라서, 식각 공정(S30)이 제 2 액처리 챔버(260b)에서 수행되면, 식각 공정(S30) 및 제 2 도포 공정(S40) 간에 기판 반송이 요구되지 않으므로, 식각 공정(S30)이 제 2 챔버(S40)에서 수행되는 경우에 비해 전체 공정 시간이 단축되므로 효율적일 수 있다. 이와 달리, 제 1 도포 공정(S10) 및 식각 공정(S30) 사이에 열처리 공정(S20)은 수행되지 않을 수 있다. 12, in the etching process S30, the controller 30 controls the etching unit 940 to perform the etching process S30 in the first liquid processing chamber 260a or the second liquid processing chamber 260b. And the substrate support unit 830. [ In the etching step S30, the first coated layer 15 located on the upper surface of the pattern 13 is removed so that the upper surface of the pattern 13 is exposed by supplying a chemical to the substrate W. In the etching process (S30), the chemical is discharged from the chemical nozzle 946 in a downwardly inclined direction. A detailed description of the camical nozzle 946 is the same as that of the above apparatus. The etching process S30 is performed on the entire upper surface of the substrate W. [ The etching process (S30) is provided in a wet process performed by supplying a chemical, so that etching with a high selectivity ratio is possible as compared with the dry process. 2, when the etching process S30 is performed in the first liquid processing chamber 260a, after the first coating process S10 is completed, the substrate processing method of the present invention is applied to the bake chamber The substrate W is transferred from the first liquid processing chamber 260a to the first liquid processing chamber 260a for the etching process S30 to carry out the heat treatment process S20 in the first liquid processing chamber 260, The transfer is performed. Therefore, if the etching process S30 is performed in the second liquid processing chamber 260b, the substrate transfer is not required between the etching process S30 and the second coating process S40, so that the etching process S30 is performed, The total process time is shortened as compared with the case where the process is performed in step S40. Alternatively, the heat treatment step (S20) may not be performed between the first coating step (S10) and the etching step (S30).

도 13을 참조하면, 제 2 도포 공정(S40)에서, 제어기(30)는 제 2 도포 공정(S40)을 수행하도록 제 2 도포 유닛(920b) 및 기판 지지 유닛(830)을 제어한다. 제 2 도포 공정(S40)에서는, 제 2 액처리 챔버(260b) 내에서 기판(W) 상에 제 2 도포액을 공급하여 제 2 도포층(17)을 형성시킨다. 제 2 도포액은 패턴(13)의 상면 및 패턴(13) 사이의 오목부에 채워진 제 1 도포층(15)의 상면에 형성되는 제 2 도포층(17)이 서로 평평하게 형성되도록 도포된다.Referring to FIG. 13, in the second coating step (S40), the controller 30 controls the second coating unit 920b and the substrate supporting unit 830 to perform the second coating step (S40). In the second coating step S40, the second coating liquid is supplied onto the substrate W in the second liquid processing chamber 260b to form the second coating layer 17. The second coating liquid is applied such that the second coating layer 17 formed on the upper surface of the pattern 13 and the upper surface of the first coating layer 15 filled in the recesses between the patterns 13 are formed to be flat.

열처리 공정(S20, S50)에서는 기판(W)을 일정 온도로 가열하여 기판(W)에 대해 열처리가 수행된다. 열처리 공정(S20, S50)은 제 1 도포 공정(S10) 및 식각 공정(S30)의 사이, 그리고 제 2 도포 공정(S40) 후에 수행된다. 제 1 도포 공정(S10) 및 식각 공정(S30)의 사이에 수행되는 열처리 공정(S20)에서 기판(W)을 가열하는 온도와, 제 2 도포 공정(S40) 후에 수행되는 열처리 공정(S50)에서 기판(W)을 가열하는 온도는 상이할 수 있다. 기판(W)의 반송 거리를 단축시키기 위해, 제 1 도포 공정(S10) 및 식각 공정(S30)의 사이에 수행되는 열처리 공정(S20)을 수행하는 베이크 챔버(280)는 제 1 액처리 챔버(260a)와 대응되는 높이로 제공되고, 제 2 도포 공정(S40) 후에 수행되는 열처리 공정(S50)을 수행하는 베이크 챔버(280)는 제 2 액처리 챔버(260b)와 대응되는 높이로 제공될 수 있다.In the heat treatment process (S20, S50), the substrate W is heated to a predetermined temperature and heat treatment is performed on the substrate W. The heat treatment steps S20 and S50 are performed between the first coating step S10 and the etching step S30 and after the second coating step S40. The temperature at which the substrate W is heated in the heat treatment step S20 performed between the first coating step S10 and the etching step S30 and the temperature at which the substrate W is heated in the heat treatment step S50 performed after the second coating step S40 The temperature at which the substrate W is heated may be different. The bake chamber 280 for performing the heat treatment step S20 performed between the first coating step S10 and the etching step S30 is formed in the first liquid processing chamber The bake chamber 280 performing the heat treatment process S50 performed after the second application process S40 may be provided at a height corresponding to that of the second liquid processing chamber 260b. have.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 처리액을 기판(W)을 향해 아래 방향으로 경사지도록 토출함으로써, 처리액의 토출 면적 대비 기판과 처리액의 접촉 면적을 넓게 제공할 수 있고, 기판 표면에 수평 방향의 타력을 인가할 수 있다. 따라서, 기판(W) 상의 처리액의 초기 면적이 넓게 제공되므로 처리액의 확산이 용이하고, 처리액이 식각을 위한 캐미칼인 경우, 수평 방향의 타력에 의해 막이 보다 용이하게 제거되어 식각의 효과를 높일 수 있다. 따라서, 기판 처리 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.As described above, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention provides a wider contact area between the substrate and the processing liquid than the discharge area of the processing liquid by discharging the processing liquid so as to be inclined downward toward the substrate W And a horizontal force can be applied to the surface of the substrate. Accordingly, since the initial area of the treatment liquid on the substrate W is widely provided, the treatment liquid can be easily diffused, and in the case where the treatment liquid is a camillary for etching, the film is more easily removed by the horizontal direction force, . Therefore, it is intended to provide a substrate processing apparatus capable of increasing substrate processing efficiency.

1: 기판 처리 설비 10: 인덱스 모듈
20: 공정 처리 모듈 260: 액처리 챔버
260a: 제 1 액처리 챔버 260b: 제 2 액처리 챔버
280: 베이크 챔버 920: 도포 유닛
940: 식각 유닛1: substrate processing equipment 10: index module
20: Process processing module 260: Liquid processing chamber
260a: First liquid processing chamber 260b: Second liquid processing chamber
280: Baking chamber 920: Coating unit
940: etching unit

Claims (17)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판을 처리하는 장치에 있어서,
인덱스 모듈과;
공정 처리 모듈을 포함하되,
상기 인덱스 모듈은,
기판을 수용하는 용기가 놓이는 로드 포트와;
상기 용기와 상기 공정 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 이송 프레임을 가지고,
상기 공정 처리 모듈은,
공정 챔버와;
상기 공정 챔버 간에 기판을 반송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 포함하고,
상기 공정 챔버는,
기판에 제 1 처리액 및 제 2 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제 1 챔버와;
상기 기판에 제3처리액을 공급하여 기판을 처리하는 제2챔버를 포함하되,
상기 제 1 챔버는,
기판을 지지하는 기판 지지 부재와;
상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재와;
상기 기판 지지 부재에 지지된 기판 상에 상기 제 1 처리액을 공급하는 제 1 노즐을 가지는 제 1 공급 유닛과;
상기 기판 상에 상기 제 2 처리액을 공급하는 제 2 노즐을 가지는 제 2 공급 유닛을 포함하고,
상기 제 2 노즐은,
상기 제 2 처리액을 아래 방향으로 경사진 방향으로 토출하며, 상기 제1노즐이 상기 기판에 상기 제1처리액을 공급하는 영역에 상기 제2처리액을 공급하고,
상기 제 2 노즐의 상기 제 2 처리액이 토출되는 토출구는 슬릿(Slit) 형상으로 제공되고,
상기 토출구는 길이 방향이 상기 기판의 상면에 평행이 되도록 제공되고, 상기 기판의 반경방향에 수직하도록 제공되며,
상기 제 1 노즐은 상기 제 1 처리액을 연직방향으로 토출하며,
상기 제 1 처리액 및 상기 제 3 처리액은 포토레지스트(PR: Photo Resist) 또는 스핀 온 하드마스크(SOH: Spin-On hard mask)액으로 제공되고,
상기 제 2 처리액은 신너(Thinner)로 제공되고,
상기 제2노즐은, 상기 기판상에 막이 형성된 이후 상기 제2처리액을 공급하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
An index module;
Process processing module,
The index module comprises:
A load port in which a vessel containing a substrate is placed;
And a transfer frame provided with an index robot for transferring a substrate between the container and the process processing module,
Wherein the process module comprises:
A process chamber;
And a transfer chamber provided with a main robot for transferring a substrate between the process chambers,
The process chamber includes:
A first chamber for supplying a first processing solution and a second processing solution to the substrate to process the substrate;
And a second chamber for supplying a third processing solution to the substrate to process the substrate,
Wherein the first chamber comprises:
A substrate support member for supporting the substrate;
A rotation driving member for rotating the substrate support member;
A first supply unit having a first nozzle for supplying the first processing solution onto a substrate supported by the substrate supporting member;
And a second supply unit having a second nozzle for supplying the second treatment liquid onto the substrate,
The second nozzle
The second processing liquid is supplied to the region where the first processing liquid is supplied to the substrate by the first nozzle,
The discharge port through which the second treatment liquid of the second nozzle is discharged is provided in a slit shape,
Wherein the discharge port is provided so that its longitudinal direction is parallel to the upper surface of the substrate and is provided to be perpendicular to the radial direction of the substrate,
Wherein the first nozzle discharges the first treatment liquid in a vertical direction,
The first treatment liquid and the third treatment liquid are provided as a photoresist (PR) or a spin-on hard mask (SOH) liquid,
The second treatment liquid is provided as a thinner,
And the second nozzle supplies the second processing liquid after the film is formed on the substrate. 제14항의 기판 처리 장치를 이용해서 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 공정 챔버 내에서 패턴이 형성된 기판 상에 상기 제1 처리액을 공급하여 제1 도포층을 형성하는 제1 도포 공정과;
상기 제1 도포층이 형성된 기판에 상기 제2 처리액을 공급하여 상기 패턴 상면이 노출되도록 상기 제1 도포층 중 상기 패턴 상면에 위치한 부분을 제거하는 식각 공정과;
상기 패턴 사이에 위치하는 상기 제1 도포층의 잔여부분의 상면과 상기 패턴 상면에 제2 도포 층이 형성되도록 제3 처리액을 공급하는 제2 도포 공정을 포함하는 기판 처리 방법. A method for processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 14,
A first coating step of forming a first coating layer by supplying the first processing solution onto a patterned substrate in the process chamber;
An etching process of supplying the second process liquid to a substrate on which the first coating layer is formed to remove a portion of the first coating layer located on the pattern top surface so that the top surface of the pattern is exposed;
And a second coating step of supplying a third treatment liquid so that a second coating layer is formed on the upper surface of the remaining part of the first coating layer positioned between the patterns and the upper surface of the pattern. 삭제delete 제15항에 있어서,
상기 기판을 가열하는 열처리 공정이, 상기 제1 도포 공정과 상기 식각 공정 사이, 상기 식각 공정과 상기 제2 도포 공정 사이에 각각 수행되며,
상기 제1 도포 공정과 상기 식각 공정 사이에 수행되는 열처리 공정과, 상기 식각 공정과 상기 제2 도포 공정 사이에 수행되는 열처리 공정 중 상기 기판에 가해지는 열의 온도는 서로 상이한 기판 처리 방법.16. The method of claim 15,
A heat treatment step of heating the substrate is performed between the first application step and the etching step, between the etching step and the second application step,
Wherein a temperature of a heat applied to the substrate during a heat treatment step performed between the first coating step and the etching step and a heat treatment step performed between the etching step and the second coating step are different from each other.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102284471B1 (en) * 2014-09-05 2021-08-03 세메스 주식회사 Chemical nozzle and apparatus for treating substrate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007173765A (en) * 2005-11-24 2007-07-05 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method, and apparatus therefor

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