KR101621487B1

KR101621487B1 - Substrate treating apparatus and processing liquid supplying method

Info

Publication number: KR101621487B1
Application number: KR1020130165400A
Authority: KR
Inventors: 이정열; 민충기; 김정수
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-08-30
Filing date: 2013-12-27
Publication date: 2016-05-17
Also published as: KR20150027669A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 처리액 도포 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 처리 될 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재를 회전 시키는 회전 구동 부재; 상기 기판 지지 부재의 둘레에 제공되는 용기; 상기 기판의 상면으로 감광액을 공급하는 감광액 노즐을 갖는 처리액 공급 유닛을 포함하되, 상기 감광액 노즐은, 상기 기판 지지 부재가 제 1 공급 속력으로 회전하는 상태에서 상기 감광액의 공급을 개시하여, 상기 기판 지지 부재가 상기 제 1 공급 속력보다 감속된 제 2 공급 속력으로 회전하는 상태에서 상기 감광액의 공급을 중지한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a process liquid application method. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate supporting member for supporting a substrate to be processed; A rotation drive member for rotating the substrate support member; A container provided around the substrate support member; And a processing liquid supply unit having a photosensitive liquid nozzle for supplying a photosensitive liquid onto an upper surface of the substrate, wherein the photosensitive liquid nozzle starts supply of the photosensitive liquid in a state in which the substrate supporting member rotates at a first feeding speed, The supplying of the photosensitive liquid is stopped in a state in which the supporting member rotates at a second feeding speed decelerated lower than the first feeding speed.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판 처리 장치 및 처리액 도포 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a process liquid application method.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. The photolithography process performed to form the pattern plays an important role in achieving the high integration of the semiconductor device.

포토 리소그래피 공정은 기판에 감광액을 도포하여 수행된다. 감광액의 도포 과정은 기판이 회전 되는 상태에서 수행될 수 있다. 기판의 영역별로 도포되는 감광액의 양이 상이하면, 기판의 불량이 야기될 수 있다.The photolithography process is performed by applying a sensitizing solution to the substrate. The application of the sensitizing solution can be performed in a state in which the substrate is rotated. If the amount of the photosensitive liquid applied differs for each region of the substrate, the substrate may be defective.

본 발명은 기판을 균일하게 처리하기 할 수 있는 기판 처리 장치 및 처리액 도포 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a substrate processing apparatus and a method of applying a processing solution capable of uniformly processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판에 감광액을 균일하게 도포할 수 있는 기판 처리 장치 및 처리액 도포 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a method of applying a processing solution capable of uniformly applying a photosensitive liquid onto a substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 처리 될 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재를 회전 시키는 회전 구동 부재; 상기 기판 지지 부재의 둘레에 제공되는 용기; 상기 기판의 상면으로 감광액을 공급하는 감광액 노즐을 갖는 처리액 공급 유닛을 포함하되, 상기 감광액 노즐은, 상기 기판 지지 부재가 제 1 공급 속력으로 회전하는 상태에서 상기 감광액의 공급을 개시하여, 상기 기판 지지 부재가 상기 제 1 공급 속력보다 감속된 제 2 공급 속력으로 회전하는 상태에서 상기 감광액의 공급을 중지하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a substrate supporting member for supporting a substrate to be processed; A rotation drive member for rotating the substrate support member; A container provided around the substrate support member; And a processing liquid supply unit having a photosensitive liquid nozzle for supplying a photosensitive liquid onto an upper surface of the substrate, wherein the photosensitive liquid nozzle starts supply of the photosensitive liquid in a state in which the substrate supporting member rotates at a first feeding speed, There is provided a substrate processing apparatus for stopping supply of the photosensitive liquid in a state in which a supporting member rotates at a second feeding speed decelerated lower than the first feeding speed.

또한, 상기 회전 구동 부재는 상기 감광액의 공급이 종료된 후, 상기 기판 지지 부재를 상기 제 2 공급 속력보다 가속된 확산 속력으로 회전 시킬 수 있다.Further, the rotation driving member may rotate the substrate supporting member at an accelerated diffusion speed higher than the second supply speed after the supply of the photosensitive liquid is completed.

또한, 상기 확산 속력은 상기 제 1 공급 속력보다 작고 상기 제 2 공급 속력보다 크게 설정될 수 있다.Further, the diffusion speed may be set to be smaller than the first feed speed and larger than the second feed speed.

또한, 상기 회전 구동 부재는 상기 기판 지지 부재를 상기 확산 속력보다 감속된 종료 속력으로 회전 시킨 후 정지시킬 수 있다.In addition, the rotation driving member may rotate the substrate support member at a decelerated termination speed lower than the diffusion speed, and then stop the rotation.

또한, 상기 회전 구동 부재는 상기 기판 지지 부재의 회전 속력을 상기 제 1 공급 속력에서 상기 제 2 공급 속력으로의 감속을 단계적으로 수행할 수 있다.In addition, the rotation drive member may perform the stepwise deceleration of the rotation speed of the substrate support member from the first supply speed to the second supply speed.

또한, 상기 회전 구동 부재는 상기 제 1 공급 속력에서 상기 제 2 공급 속력으로의 감속 과정에서 설정 시간 동안 버퍼 속력으로 상기 기판 지지 부재를 회전 시킬 수 있다.In addition, the rotation drive member may rotate the substrate support member at a buffer speed for a set time in the course of deceleration from the first feed speed to the second feed speed.

또한, 상기 처리액 공급 유닛은, 일단에 상기 감광액 노즐이 위치되는 노즐 암; 및 상기 노즐 암을 상기 기판 지지 부재에 대해 이동 시키는 구동 부재를 포함하되 상기 감광액의 공급의 중단은 상기 구동 부재가 상기 감광액 노즐이 상기 기판 중심의 위쪽에 위치되도록 상기 노즐 암을 위치 시킨 상태에서 이루어 질 수 있다.The treatment liquid supply unit may further include: a nozzle arm having the photosensitive liquid nozzle at one end; And a driving member for moving the nozzle arm with respect to the substrate supporting member, wherein the supply of the photosensitive liquid is stopped when the driving member is positioned with the nozzle arm positioned such that the photosensitive liquid nozzle is positioned above the center of the substrate Can be.

또한, 상기 감광액의 공급의 개시는, 상기 구동 부재가 상기 감광액 노즐이 상기 기판의 중심의 위쪽에서 편심되도록 위치되도록 상기 노즐 암을 위치 시킨 상태에서 이루어 질 수 있다.The start of supply of the photosensitive liquid may be performed in a state in which the driving member is positioned such that the photosensitive liquid nozzle is positioned eccentrically above the center of the substrate.

또한, 상기 구동 부재는, 상기 감광액의 공급이 개시된 후 상기 감광액 노즐이 상기 기판의 중심의 위쪽에 위치되도록 상기 노즐 암을 이동 시킬 수 있다.In addition, the driving member may move the nozzle arm such that the photosensitive liquid nozzle is positioned above the center of the substrate after the supply of the photosensitive liquid is started.

또한, 상기 감광액 노즐은 상기 기판 중심의 위쪽에 위치된 상태에서 설정 시간동안 상기 감광액을 공급할 수 있다.In addition, the photosensitive liquid nozzle may be positioned above the center of the substrate to supply the photosensitive liquid for a set time.

또한, 상기 처리액 공급 유닛은 상기 기판으로 유기 용제를 공급하는 프리웨트 노즐을 더 포함할 수 있다.In addition, the treatment liquid supply unit may further include a pre-wet nozzle for supplying the organic solvent to the substrate.

또한, 상기 프리웨트 노즐은 상기 감광액의 공급에 앞서 상기 유기 용제를 상기 기판으로 공급할 수 있다.Further, the pre-wet nozzle may supply the organic solvent to the substrate prior to supplying the photosensitive liquid.

또한, 상기 처리액 공급 유닛은 상기 프리웨트 노즐이 상기 기판의 중심 위쪽에 위치된 상태에서 상기 기판으로 상기 유기 용제를 공급할 수 있다.In addition, the treatment liquid supply unit may supply the organic solvent to the substrate in a state where the pre-wet nozzle is positioned above the center of the substrate.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 처리액 도포 방법은 제 1 공급 속력으로 회전하는 기판 지지 부재에 지지된 기판의 상면으로 감광액의 공급을 개시 한 후, 상기 기판 지지 부재가 상기 제 1 공급 속력보다 감속된 제 2 공급 속력으로 감속된 상태에서 상기 감광액의 공급을 중단할 수 있다.The method of applying a treatment liquid according to another embodiment of the present invention is characterized in that after the supply of the photosensitive liquid is started to the upper surface of the substrate supported by the substrate supporting member rotated at the first supply speed, The supply of the photosensitive liquid can be stopped in a state of being decelerated by the second supply speed.

또한, 상기 감광액의 공급이 종료된 후, 상기 기판 지지 부재를 상기 제 2 공급 속력보다 가속된 확산 속력으로 회전 시켜, 상기 기판의 중앙 부분에 모인 상기 감광액을 주위로 확산 시킬 수 있다.Also, after the supply of the photosensitive liquid is completed, the substrate supporting member may be rotated at an accelerated diffusion speed higher than the second supply speed to diffuse the photosensitive liquid collected in the central portion of the substrate.

또한, 상기 기판 지지 부재를 상기 확산 속력보다 감속된 종료 속력으로 설정 시간 회전 시킨 후 회전을 정지할 수 있다.Further, the rotation of the substrate support member may be stopped after the set time of the substrate support member is reduced to the termination speed lower than the diffusion speed.

또한, 상기 제 1 공급 속력에서 상기 제 2 공급 속력으로의 감속을 단계적으로 수행할 수 있다.In addition, it is possible to perform the stepwise deceleration from the first feeding speed to the second feeding speed.

또한, 상기 감광액의 공급은 상기 기판의 중심에서 편심된 위치에서 개시되어, 상기 기판의 중심으로 이동될 수 있다.Also, supply of the photosensitive liquid may be started at a position eccentric from the center of the substrate, and may be moved to the center of the substrate.

또한, 상기 감광액은 상기 기판의 중심으로 공급되는 상태에서 공급이 중지될 수 있다.Also, supply of the photosensitive liquid may be stopped in a state where the photosensitive liquid is supplied to the center of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 균일하게 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate can be treated uniformly.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 감광액을 균일하게 도포할 수 있다. Further, according to the embodiment of the present invention, the photosensitive liquid can be uniformly applied to the substrate.

도 1은 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 에에 따른 도포 모듈의 평면도이다.
도 6은 도 5의 도포 모듈의 측단면도이다.
도 7은 유기 용제 공급 단계일 때, 프리웨트 노즐에서 유기 용제가 공급되는 상태를 나타내는 정면도이다.
도 8을 편심 공급 단계로 감광액이 공급되는 상태를 나타내는 정면도이다.
도 9는 중심 공급 단계로 감광액이 공급되는 상태를 나타내는 정면도이다.
도 10은 확산 단계를 나타내는 정면도이다.
도 11은 감광액 공급 단계 및 확산 단계에서의 지지판의 회전 속도를 나타내는 그래프이다.
도 12는 또 다른 실시 예에 따른 지지판의 회전 속도를 나타내는 그래프이다.1 is a top view of the substrate processing apparatus.
Fig. 2 is a view of the facility of Fig. 1 viewed from the direction AA.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 1 viewed from the BB direction.
Fig. 4 is a view of the facility of Fig. 1 viewed from the CC direction; Fig.
5 is a top view of an application module according to one embodiment of the present invention.
Figure 6 is a side cross-sectional view of the application module of Figure 5;
7 is a front view showing a state in which organic solvent is supplied from the pre-wet nozzle when the organic solvent is supplied.
8 is a front view showing a state in which the photosensitive liquid is supplied to the eccentric supply step.
9 is a front view showing a state in which the photosensitive liquid is supplied to the center supply step.
10 is a front view showing the diffusion step.
11 is a graph showing the rotation speed of the support plate in the photosensitive liquid supplying step and the diffusion step.
12 is a graph showing the rotation speed of the support plate according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정, 그리고 액침 노광 전후에 요구되는 노광 전후 처리 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facility of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the facilities of this embodiment are used to perform a coating process, a development process, and a pre- and post-exposure process required for the substrate before and after the immersion exposure. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 1 to 4 are schematic views of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 1 is a plan view of the apparatus of FIG. 1 viewed from the direction AA, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 1 viewed from the BB direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 1 In the CC direction.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있으며, 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.1 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, an interface module 700, and a purge module 800. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction. The fuzzy module 800 may be provided at a position where the exposure apparatus 900 at the rear end of the interface module 700 is connected or at a side of the interface module 700 And can be provided in various positions.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
The wafer W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 상세히 설명한다.
Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, the interface module 700 ), And the fuzzy module 800 will be described in detail.

(로드 포트)(Load port)

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 accommodating wafers W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 1, four placement tables 120 are provided.

(인덱스 모듈)(Index module)

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
The index module 200 transfers the wafer W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is a four-axis drive system in which the hand 221 directly handling the wafer W is movable in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

(제 1 버퍼 모듈)(First buffer module)

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of wafers W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One wafer W is placed on each support 332. The housing 331 is configured such that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the development robot 482 of the developing module 402 described later attach the wafer W to the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the wafer W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
The cooling chambers 350 cool the wafers W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the wafer W is placed and a cooling means 353 for cooling the wafer W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the wafer W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 described later can carry the wafers W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

(도포 및 현상 모듈)(Application and development module)

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the wafer W before the exposure process and a process of developing the wafer W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a step of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the wafer W and a heat treatment step such as heating and cooling for the wafer W before and after the resist application step. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the wafer W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the wafer W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the wafer W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the wafer W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the wafer W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the wafer W coated with the photoresist.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heat-treats the wafer W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process in which the wafer W is heated to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the wafer W before the photoresist is applied, A soft bake process is performed after coating the wafer W on the wafer W, and a cooling process for cooling the wafer W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as a cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with a heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in a single bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421, and the other portions may include only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(5402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process of supplying a developing solution to obtain a pattern on the wafer W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the wafer W before and after the developing process . The development module 5402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six development chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470 and the development chambers 460 and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, The wafer W is transferred between the second cooling chambers 540 of the wafer W. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the wafer W irradiated with light. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is placed in the housing 461 and supports the wafer W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the wafer W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the wafer W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the wafer W to which the developer is supplied.

베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 heat-treats the wafer W. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the wafer W before the development process is performed, a hard bake process for heating the wafer W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the wafer. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

(제 2 버퍼 모듈)(Second buffer module)

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the wafer W is transferred between the application and development module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the wafer W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
The second buffer robot 560 carries the wafer W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the wafers W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the wafer W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the wafers W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the wafers W before the wafers W processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the preprocessing module 601 to be described later. The second cooling chamber 540 cools the wafers W before the wafers W processed in the post-processing module 602 described below are transferred to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the wafers W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402. [

(노광 전후 처리 모듈)(Pre-exposure post-processing module)

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 can process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the wafer W during liquid immersion exposure when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. Further, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the wafer W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 processes the wafer W before the exposure process, and the post-processing module 602 processes the wafer W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The wafer W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the wafer W during immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the wafer W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the wafer W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the wafer W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the wafer W while rotating the wafer W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the wafer W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And carries the wafer W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the wafer W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the wafer W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the wafer W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the wafer W while rotating the wafer W placed on the support plate 662. The nozzle 663 can linearly or rotationally move from the central region to the edge region of the wafer W while the wafer W is selectively rotated.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure baking chamber 670 heats the wafer W subjected to the exposure process using deep ultraviolet light. The post-exposure bake step heats the wafer W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

(인터페이스 모듈)(Interface module)

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 퍼지 모듈(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the wafer W between the exposure pre- and post-processing module 600, the purge module 800, and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 퍼지 모듈(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the wafer W between the first buffer 720, the second buffer 730, the purge module 800 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
The first buffer 720 temporarily stores the wafers W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. [ The second buffer 730 temporarily stores the processed wafers W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One wafer W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the wafer W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only buffers and robots as described above without providing a chamber to perform a predetermined process on the wafer.

(퍼지 모듈)(Fuzzy module)

퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 구체적으로, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제 1 버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 노광 전후 처리 모듈(600)에서 포토레지스트의 보호를 위한 보호막이 도포된 웨이퍼에 대해 가스 퍼지 공정과 린스 공정을 수행한다.
The purge module 800 may be disposed within the interface module 700. Specifically, the fuzzy module 800 may be disposed at a position facing the first buffer 720 around the interface robot 740. The fuzzy module 800 may be provided at various positions such as a position where the exposure apparatus 900 at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700. [ The purge module 800 performs a gas purging process and a rinsing process on the wafer to which the protective film for protecting the photoresist is applied in the pre- and post-exposure processing module 600.

도 5는 본 발명의 일 실시 에에 따른 도포 모듈의 평면도이고, 도 6은 도 5의 도포 모듈의 측단면도이다.FIG. 5 is a plan view of the application module according to one embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a side sectional view of the application module of FIG.

도 5 내지 도 6을 참조하면, 도포 모듈(401)은 기판 지지 부재(4100) 및 처리액 공급 유닛(4300)을 포함한다. 기판 지지 부재(4100)는 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(4100)는 기판(W)을 지지한 상태로 회전될 수 있다. 처리액 공급 유닛(4300)은 기판 지지 부재(4100)에 놓인 기판(W)상으로 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리한다.5 to 6, the application module 401 includes a substrate support member 4100 and a process liquid supply unit 4300. [ The substrate support member 4100 supports the substrate W. [ The substrate support member 4100 can be rotated while supporting the substrate W. [ The treatment liquid supply unit 4300 supplies the treatment liquid onto the substrate W placed on the substrate support member 4100 to treat the substrate W. [

기판 지지 부재(4100)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 모터 등의 회전 구동 부재(4120)에 의해 회전된다. 기판 지지 부재(4100)는 원형의 상부 면을 가지는 지지판(4140)을 가지고, 지지판(4140)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재들(4160)이 설치된다. 핀 부재들(4160)에 의해 지지된 기판(W)은 기판 지지 부재(4100)가 회전 구동 부재(4120)에 의해 회전됨에 따라 회전된다.The substrate supporting member 4100 supports the substrate W during the process, and is rotated by the rotation driving member 4120 such as a motor during the process. The substrate support member 4100 has a support plate 4140 having a circular upper surface and pin members 4160 supporting the substrate W are provided on the upper surface of the support plate 4140. The substrate W supported by the pin members 4160 is rotated as the substrate supporting member 4100 is rotated by the rotation driving member 4120. [

기판 지지 부재(4100)의 둘레에는 용기(4200)가 배치된다. 용기(4200)는 대체로 원통 형상을 가지며, 하부 벽(4220)에는 배기 홀(4240)이 형성되고, 배기 홀(4240)에는 배기관(4260)이 연통 설치된다. 배기관(4260)에는 펌프와 같은 배기 부재(4280)가 연결되며, 배기 부재(4280)는 기판(W)의 회전에 의해 비산된 처리액이 포함된 용기(4200) 내부의 공기를 배기시키도록 음압을 제공한다.A container 4200 is disposed around the substrate support member 4100. The container 4200 has a generally cylindrical shape and an exhaust hole 4240 is formed in the lower wall 4220 and an exhaust pipe 4260 is connected to the exhaust hole 4240. An exhaust member 4280 such as a pump is connected to the exhaust pipe 4260 and the exhaust member 4280 is connected to the exhaust pipe 4280 so as to exhaust the air inside the container 4200 containing the process liquid scattered by the rotation of the substrate W, .

처리액 공급 유닛(4300)은 기판 지지 부재(4100) 상에 놓인 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛(4300)은 기판 지지 부재(4100)의 일 측에 제공되는 노즐 암(4320)을 가진다. 노즐 암(4320)의 끝단에는 복수 개의 노즐들(4340,4360)이 장착될 수 있다. 노즐들(4340,4360)은 노즐 암(4320)의 길이 방향에 수직하게 노즐 암(4320)의 일단에 일렬로 배치될 수 있다. 노즐들(4340,4360) 중 하나는 감광액 노즐(4360)로 제공되고, 다른 하나는 프리웨트(Pre-wet) 노즐(4340)로 제공된다. 노즐 암(4320)은 노즐들(4340,4360)의 배열 방향이 기판 지지 부재(4100)에 놓인 기판(W)의 중심을 통과하도록 기판 지지 부재(4100)의 일 측에 배치될 수 있다.The treatment liquid supply unit 4300 supplies the treatment liquid to the upper surface of the substrate W placed on the substrate support member 4100. [ The treatment liquid supply unit 4300 has a nozzle arm 4320 provided on one side of the substrate supporting member 4100. [ A plurality of nozzles 4340 and 4360 may be mounted on the end of the nozzle arm 4320. The nozzles 4340 and 4360 may be arranged in a line on one end of the nozzle arm 4320 perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle arm 4320. One of the nozzles 4340 and 4360 is provided to the photosensitive liquid nozzle 4360 and the other is provided to the pre-wet nozzle 4340. [ The nozzle arm 4320 can be disposed on one side of the substrate support member 4100 so that the arrangement direction of the nozzles 4340 and 4360 passes through the center of the substrate W placed on the substrate support member 4100. [

감광액 노즐(4360)은 기판(W)에 감광액(Photoresist)을 공급한다. 프리웨트 노즐(4340)은 기판(W)에 감광액을 공급하기 이전에 기판(W)에 대한 감광액의 젖음성이 향상되도록 기판(W)에 유기 용제를 공급한다. 기판(W) 상에 감광액을 공급하기 이전에 유기 용제를 공급하면, 감광액이 기판(W)상에 균일하게 퍼지게 되어 기판(W)상에 균일한 감광막이 형성될 수 있다.The photosensitive liquid nozzle 4360 supplies a photoresist to the substrate W. [ The pre-wet nozzle 4340 supplies the organic solvent to the substrate W so as to improve the wettability of the photosensitive liquid to the substrate W before supplying the photosensitive liquid to the substrate W. When the organic solvent is supplied before the photosensitive liquid is supplied onto the substrate W, the photosensitive liquid spreads uniformly on the substrate W, and a uniform photosensitive film can be formed on the substrate W. [

프리웨트 노즐(4340)로부터 기판(W)으로 공급되는 유기 용제는 신나(Thinner) 등이 사용될 수 있다.
The organic solvent supplied from the pre-wet nozzle 4340 to the substrate W may be a thinner or the like.

복수 개의 노즐들(4340,4360)이 장착된 노즐 암(4320)은 노즐들(4340,4360)의 배열 방향을 따라 구동 부재(4400)에 의해 직선 이동될 수 있다. 구동 부재(4400)는 노즐 암 지지 부재(4410)와, 가이드 부재(4420)를 포함한다. 노즐 암(4320)의 타 단에는 노즐 암 지지 부재(4410)가 결합된다. 노즐 암 지지 부재(4410)는 노즐 암(4320)의 일측에서 아래 방향으로 배치된 로드 형상으로 제공될 수 있다. 노즐 암 지지 부재(4410)의 하단부는 가이드 부재(4420)에 연결된다. 가이드 부재(4420)는 도 5의 평면 배치 구조상 노즐 암(4320)의 길이 방향과 수직을 이루도록 기판 지지 부재(4100)의 일 측에 배치된다. 가이드 부재(4420)는 레일 형상으로 제공될 수 있으며, 노즐 암 지지 부재(4410)의 직선 이동을 안내한다. 노즐 암 지지 부재(4410)는 상하 방향으로 길이가 가변되게 제공될 수 있다.The nozzle arm 4320 to which the plurality of nozzles 4340 and 4360 are mounted can be linearly moved by the driving member 4400 along the arrangement direction of the nozzles 4340 and 4360. The driving member 4400 includes a nozzle arm supporting member 4410 and a guide member 4420. A nozzle arm supporting member 4410 is coupled to the other end of the nozzle arm 4320. The nozzle arm supporting member 4410 may be provided in a rod shape arranged downward from one side of the nozzle arm 4320. The lower end of the nozzle arm support member 4410 is connected to the guide member 4420. [ The guide member 4420 is disposed on one side of the substrate support member 4100 so as to be perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle arm 4320 on the plane arrangement structure of Fig. The guide member 4420 may be provided in a rail shape and guides the linear movement of the nozzle arm supporting member 4410. [ The nozzle arm support member 4410 may be provided with a variable length in the vertical direction.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 구동 부재(4400)에 의해 처리액 공급 유닛(4300)은 직선 이동되면서, 기판 지지 부재(4100) 상의 공정 위치와 기판 지지 부재(4100)의 일 측에 제공된 공정 대기 위치로 이동할 수 있다.The processing liquid supply unit 4300 is linearly moved by the driving member 4400 having the above-described configuration to move the processing position on the substrate supporting member 4100 and the processing waiting position provided on one side of the substrate supporting member 4100 . &Lt; / RTI >

도 7은 유기 용제 공급 단계일 때, 프리웨트 노즐에서 유기 용제가 공급되는 상태를 나타내는 정면도이다.7 is a front view showing a state in which organic solvent is supplied from the pre-wet nozzle when the organic solvent is supplied.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 처리액 공급 유닛(4300)은 먼저 기판(W) 지지 부재에 위치된 기판(W)으로 유기 용제를 공급한다.5 to 7, the treatment liquid supply unit 4300 first supplies the organic solvent to the substrate W positioned on the substrate W support member.

구동 부재(4400)는 유기 용제가 공급되는 동안 기판(W)에 대한 프리웨트 노즐(4340)의 위치를 조절한다. 일 예로, 구동 부재(4400)는 프리웨트 노즐(4340)이 기판(W)의 중앙 위쪽에 위치되도록 노즐 암(4320)을 이동 시킬 수 있다. 그에 따라, 프리웨트 노즐(4340)은 기판(W)의 중앙으로 유기 용제를 공급한다. 유기 용제가 공급되는 동안 회전 구동 부재(4400)는 지지판(4140)을 회전 시킨다. 따라서, 기판(W)으로 공급된 유기 용제는 원심력에 의해 기판(W)의 중심에서 반경 방향으로 확산되면서 기판(W)의 상면에 균일하게 도포될 수 있다. 또 다른 예로, 프리웨트 노즐(4340)은 기판(W)의 중심에서 벗어난 위치에서 유기 용제의 공급을 개시할 수 있다. 그리고, 구동 부재(4400)는 유기 용제가 공급되는 동안 프리웨트 노즐(4340)이 기판(W) 중심의 위쪽에 위치되도록 노즐 암(4320)을 이동 시킨다.The driving member 4400 adjusts the position of the pre-wet nozzle 4340 with respect to the substrate W while the organic solvent is supplied. The driving member 4400 can move the nozzle arm 4320 such that the pre-wet nozzle 4340 is positioned above the center of the substrate W. [ Accordingly, the pre-wet nozzle 4340 supplies the organic solvent to the center of the substrate W. [ The rotation driving member 4400 rotates the support plate 4140 while the organic solvent is supplied. Therefore, the organic solvent supplied to the substrate W can be uniformly applied to the upper surface of the substrate W while diffusing in the radial direction from the center of the substrate W by the centrifugal force. As another example, the pre-wet nozzle 4340 can start the supply of the organic solvent at a position deviated from the center of the substrate W. [ The driving member 4400 moves the nozzle arm 4320 such that the pre-wet nozzle 4340 is positioned above the center of the substrate W while the organic solvent is being supplied.

도 8은 편심 공급 단계로 감광액이 공급되는 상태를 나타내는 정면도이고, 도 9는 중심 공급 단계로 감광액이 공급되는 상태를 나타내는 정면도이다.8 is a front view showing a state in which the photosensitive liquid is supplied to the eccentric supply step, and FIG. 9 is a front view showing a state in which the photosensitive liquid is supplied to the center supply step.

도 5 내지 도 9를 참조하면, 처리액 공급 유닛(4300)은 설정 시간 동안 기판(W)에 유기 용제를 공급한 후, 기판(W)으로 감광액을 공급한다.5 to 9, the processing solution supply unit 4300 supplies the organic solvent to the substrate W for a set time, and then supplies the photosensitive solution to the substrate W.

설정 시간동안 유기 용제가 공급된 후, 처리액 공급 유닛(4300)은 감광액 공급단계를 개시한다. 감광액 공급 단계(도 11의 S)는 편심 공급 단계(도 11의 Se)와 중심 공급 단계(도 11의 Sc)를 포함할 수 있다.After the organic solvent is supplied for the set time, the treatment liquid supply unit 4300 starts the photosensitive liquid supply step. The photosensitive liquid supply step (S in Fig. 11) may include an eccentric supply step (Se in Fig. 11) and a center supply step (Sc in Fig. 11).

처리액 공급 유닛(4300)은 편심 공급 단계(Se)로 감광액의 공급을 개시한다. 먼저, 구동 부재(4400)는 감광액 노즐(4360)이 기판(W)의 중심에 대해 편심된 곳의 위쪽에 위치되도록 노즐 암(4320)을 이동 시킨다. 이후, 감광액 노즐(4360)의 기판(W)의 중심에서 편심된 곳으로 감광액의 공급을 개시한다. 편심 공급 단계(Se)에서 감광액이 공급되는 동안, 회전 구동 부재(4400)는 지지판(4140)을 회전시킨다. 그에 따라 기판(W)으로 공급된 감광액은 주위로 확산된다.The process liquid supply unit 4300 starts supply of the photosensitive liquid in the eccentric supply step Se. First, the driving member 4400 moves the nozzle arm 4320 such that the photosensitive liquid nozzle 4360 is positioned above the eccentric position with respect to the center of the substrate W. Thereafter, the supply of the photosensitive liquid is started to a position eccentric from the center of the substrate W of the photosensitive liquid nozzle 4360. While the photosensitive liquid is supplied in the eccentric supply step Se, the rotation drive member 4400 rotates the support plate 4140. [ The sensitizing solution supplied to the substrate W is diffused around.

감광액 노즐(4360)에서 감광액 공급이 개시된 이후, 구동 부재(4400)는 감광액 노즐(4360)이 기판(W)의 중심 위쪽에 위치되도록 노즐 암(4320)을 이동 시킨다. 노즐 암(4320)의 이동은 감광액의 공급 개시와 동시에 시작될 수 있다. 또한, 노즐 암(4320)의 이동은 설정 시간 감광액이 공급된 이후 개시될 수 있다.The driving member 4400 moves the nozzle arm 4320 such that the photosensitive liquid nozzle 4360 is located above the center of the substrate W. [ The movement of the nozzle arm 4320 can be started at the same time as the supply of the photosensitive liquid starts. In addition, the movement of the nozzle arm 4320 can be started after the set time sensitizing solution is supplied.

기판(W) 중심 방향으로의 노즐 암(4320)의 이동 속력은 등속력일 수 있다. 또한, 노즐 암(4320)의 이동 속력은 시간의 경과에 따라 가변될 수 있다. 예를 들어, 노즐 암(4320)의 이동 속력은 설정 시간의 경과에 따라 가속, 등속 및 감속될 수 있다.The moving speed of the nozzle arm 4320 in the direction of the center of the substrate W may be an equal speed. In addition, the moving speed of the nozzle arm 4320 can be varied with time. For example, the moving speed of the nozzle arm 4320 can be accelerated, constant speed and decelerated as the set time passes.

편심 공급 단계(Se) 이후, 중심 공급 단계(Sc)에 따라 처리액 공급 유닛(4300)은 감광액을 기판(W)에 공급한다. 구체적으로, 노즐 암(4320)이 기판(W) 중심 방향으로 이동되어 감광액 노즐(4360)이 기판(W) 중심의 위쪽에서 위치되면, 구동 부재(4400)는 노즐 암(4320)을 정지 시킨다. 감광액 노즐(4360)은 편심 공급 단계(Se)에서 감광액의 공급을 개시한 후, 편심 공급 단계(Se) 및 중심 공급 단계(Sc)에 걸쳐 계속적으로 기판(W)에 감광액을 공급한다.After the eccentric supply step Se, the process liquid supply unit 4300 supplies the photosensitive liquid to the substrate W in accordance with the central supply step Sc. More specifically, when the nozzle arm 4320 is moved in the center direction of the substrate W and the photosensitive liquid nozzle 4360 is positioned above the center of the substrate W, the driving member 4400 stops the nozzle arm 4320. The photosensitive liquid nozzle 4360 continuously supplies the photosensitive liquid to the substrate W over the eccentric supplying step Se and the central supplying step Sc after the supply of the photosensitive liquid is started in the eccentric supplying step Se.

중심 공급 단계(Sc)에서 감광액이 공급되는 동안, 회전 구동 부재(4400)는 지지판(4140)을 회전시킨다. 그에 따라 기판(W)의 중심으로 공급된 감광액은 주위로 확산된다.While the photosensitive liquid is supplied in the center supply step Sc, the rotation drive member 4400 rotates the support plate 4140. [ The photosensitive liquid supplied to the center of the substrate W is diffused to the surroundings.

또 다른 실시 에에 의하면, 편심 공급 단계(Se)는 생략될 수 있다. 그에 따라, 기판(W)에 유기 용제의 공급이 완료된 후, 중심 공급 단계(Sc)로 기판에 감광액을 공급한다.According to another embodiment, the eccentric supply step Se may be omitted. Accordingly, after the supply of the organic solvent to the substrate W is completed, the photosensitive liquid is supplied to the substrate in the central supply step Sc.

도 10은 확산 단계를 나타내는 정면도이다.10 is a front view showing the diffusion step.

도 5 내지 도 10을 참조하면, 확산 단계(SP)는 감광액 공급 단계(S)의 종료와 함께 개시된다.Referring to Figs. 5 to 10, the diffusion step SP starts with the end of the photosensitive liquid supply step (S).

감광액 노즐(4360)은 기판(W) 중심으로 감광액을 공급하던 상태에서 공급을 중단한다. 감광액의 공급이 중단된 이후 확단 단계에서, 회전 구동 부재(4400)는 지지판(4140)을 계속 회전 시킨다. 이에 따라, 기판(W)의 중심으로 공급된 감광액은 계속 확산되어, 기판(W) 상면에 도포된 상태의 균일도가 향상된다.The photosensitive liquid nozzle 4360 stops supplying while the photosensitive liquid is being supplied to the center of the substrate W. After the supply of the sensitizing solution is stopped, the rotation driving member 4400 continues to rotate the supporting plate 4140 in the pressing step. Accordingly, the photosensitive liquid supplied to the center of the substrate W is continuously diffused, and the uniformity of the state of being applied to the upper surface of the substrate W is improved.

도 11은 감광액 공급 단계 및 확산 단계에서의 지지판의 회전 속도를 나타내는 그래프이다.11 is a graph showing the rotation speed of the support plate in the photosensitive liquid supplying step and the diffusion step.

도 8 내지 도 11을 참조하면, 시간의 경과에 따라 지지판(4140)의 회전 속도는 가변 된다.8 to 11, the rotation speed of the support plate 4140 varies with the passage of time.

편심 공급 단계(Se)에서 지지판(4140)은 제 1 공급 속력(Va)으로 등속 회전한다. 제 1 공급 속력(Va)은 유기 용제가 공급되는 동안의 지지판(4140)의 회전 속력와 동일 할 수 있다. 또한, 제 1 공급 속력(Va)은 유기 용제가 공급되는 동안의 지지판(4140)의 회전 속력보다 빠르거나 느릴 수 있다. 지지판(4140)의 회전 속력은 편심 공급 단계(Se)의 종료 후, 중심 공급 단계(Sc)의 개시 후에도 설정 시간 지속된다.In the eccentric supply step Se, the support plate 4140 rotates at the first feed speed Va at a constant speed. The first feed speed Va may be the same as the rotational speed of the support plate 4140 while the organic solvent is supplied. Also, the first feed speed Va may be faster or slower than the rotational speed of the support plate 4140 while the organic solvent is being supplied. The rotation speed of the support plate 4140 is maintained for a set time after the eccentric supply step Se and after the start of the central supply step Sc.

중심 공급 단계(Sc)로 설정 시간 감광액이 공급 된 후, 지지판(4140)의 회전 속력은 제 1 공급 속력(Va)에서 제 2 공급 속력(Vb)으로 감속된다. 지지판(4140)이 제 1 공급 속력(Va)에서 제 2 공급 속력(Vb)으로 감속되는 구간에서의 그래프의 기울기는 기판(W)의 크기, 기판(W)으로 공급되는 감광액의 양 등에 따라 조절될 수 있다. 중심 공급 단계(Sc)는 제 2 공급 속력(Vb)에서 설정 시간 지속된 후 종료된다.After the set time sensitizing solution is supplied to the central supplying step Sc, the rotational speed of the supporting plate 4140 is reduced from the first supplying speed Va to the second supplying speed Vb. The slope of the graph in the section in which the support plate 4140 is decelerated from the first feeding speed Va to the second feeding speed Vb is controlled according to the size of the substrate W, the amount of the photosensitive liquid supplied to the substrate W, . The central supply step Sc ends after the set time at the second supply speed Vb.

감광액의 공급이 중단되는 시점을 전 후하여, 기판(W)의 상면에 작용하는 힘은 변화가 발생한다. 이와 같은 힘은 지지판(4140)의 회전에 의한 원심력, 공급되는 감광액이 기판(W)의 상면에 작용하는 힘 및 이들 힘의 상호 작용에 의해 발생된다. 감광액 공급의 중단을 전후로 한 이와 같은 힘들의 변화는 기판(W) 상면에 공급된 감광액의 영역별 불균형을 야기한다. 반면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 도포 모듈(401)은 제 1 공급 속력(Va)에 비해 감속된 제 2 공급 속력(Vb)에서 감광액의 공급이 중단된다. 즉, 감광액의 영역별 불균형을 야기하는 위와 같은 힘들이 감소된 상태에서 감광액 공급이 중단된다. 따라서, 감광액의 공급 중단 시 발생하는 감광액의 영역별 불균형이 최소화될 수 있다.A force acting on the upper surface of the substrate W changes before and after the point of time when the supply of the photosensitive liquid is stopped. Such force is generated by the centrifugal force due to the rotation of the support plate 4140, the force acting on the upper surface of the substrate W, and the interaction of these forces. Such a change in the forces before and after the stop of the supply of the photoresist causes an irregularity in each region of the photoresist supplied to the top surface of the substrate W. [ On the other hand, the application module 401 according to an embodiment of the present invention stops supply of the photosensitive liquid at the second supply speed Vb, which is reduced compared to the first supply speed Va. That is, the supply of the photosensitive liquid is stopped in a state in which the above-mentioned forces causing the imbalance of the photosensitive liquid are reduced. Accordingly, the imbalance of the photosensitive liquid, which is generated when the supply of the photosensitive liquid is interrupted, can be minimized.

또한, 제 2 공급 속력(Vb)은 공급된 감광액 가운데 일부가 주위로 확산 되지 않고 기판(W)의 중심에 모여 있을 수 있는 속력으로 설정된다. 이와 같이 중심에 모여 있는 감광액은 감광액의 공급 중단시 발생된 힘으로 인한 영역별 불균형을 메우도록 유동될 수 있다.Further, the second supply speed Vb is set to a speed at which a part of the supplied photosensitive liquid can be concentrated at the center of the substrate W without being diffused to the periphery. Thus, the photosensitive liquid collected at the center can be flowed so as to fill in the regional imbalance due to the force generated when the supply of the photosensitive liquid is stopped.

확산 단계(SP)에서, 지지판(4140)은 기판(W)의 중심에 모여있는 감광액이 주위로 확산되도록 가속된다. 구체적으로 지지판(4140)은 설정 시간이 경과된 후 제 2 공급 속력(Vb)에서 확산 속력(Vc)으로 가속된다. 확산 속력(Vc)은 기판(W)의 크기, 도포 모듈(401)에서의 공정 시간에 따라 설정될 수 있다. 예를 들어, 확산 속력(Vc)은 제 1 공급 속력(Va)보다 작게 설정 될 수 있다. 또한, 확산 속력(Vc)은 제 1 공급 속력(Va)과 동일하거나 제 1 공급 속력(Va)보다 크게 설정될 수도 있다.In the diffusion step SP, the support plate 4140 is accelerated so that the photosensitive liquid collected at the center of the substrate W is diffused around. Specifically, the support plate 4140 is accelerated from the second supply speed Vb to the diffusion speed Vc after the set time has elapsed. The diffusion speed Vc can be set according to the size of the substrate W and the process time in the application module 401. [ For example, the diffusion speed Vc may be set to be smaller than the first feed speed Va. Further, the diffusion speed Vc may be set equal to the first feed speed Va or greater than the first feed speed Va.

설정 시간 확산 속력(Vc)이 지속된 후, 지지판(4140)은 종료 속력(Vd)을 감속된다. 종료 속력(Vd)은 제 2 공급 속력(Vb)과 동일할 수 있다. 또한, 종료 속력(Vd)은 제 2 공급 속력(Vb)보다 크거나 작을 수 있 도 있다. 이후, 지지판(4140)은 설정 시간 동안 종료 속력(Vd)으로 회전을 계속한 후 정지되면, 도모 모듈에서의 감광액 도포 공정이 종료된다.After the set time spreading speed Vc continues, the support plate 4140 decelerates the termination speed Vd. The termination speed Vd may be equal to the second feed speed Vb. Also, the termination speed Vd may be larger or smaller than the second feeding speed Vb. Thereafter, when the support plate 4140 continues to rotate at the termination speed Vd during the set time and then stops, the photosensitive liquid application process in the pattern module ends.

도 12는 또 다른 실시 예에 따른 지지판의 회전 속도를 나타내는 그래프이다.12 is a graph showing the rotation speed of the support plate according to another embodiment.

도 12를 참조하면, 중심 공급 단계(Sc1)에서 제 1 공급 속력(Va1)에서 제 2 공급 속력(Vb1)으로의 감속은 단계적으로 수행될 수 있다. 구체적으로 중심 공급 단계(Sc1)에서의 감속은 먼저, 제 1 공급 속력(Va1)에서 버퍼 속력(VP)을 향해 이루어 진다. 그리고, 지지판(4140)은 버퍼 속력(VP)으로 설정 시간 회전된 후, 다시 제 2 공급 속력(Vb1)으로 감속된다. 이 때, 제 1 공급 속력(Va1)에서 버퍼 속력(VP)으로의 감속시의 그래프의 기울기는 버퍼 속력(VP)에서 제 2 공급 속력(Vb1)으로의 감속시의 기울기와 동일하게 설정될 수 있다. 또한, 제 1 공급 속력(Va1)에서 버퍼 속력(VP)으로의 감속시의 그래프의 기울기는 버퍼 속력(VP)에서 제 2 공급 속력(Vb1)으로의 감속시의 기울기보다 크거나 작게 설정 될 수 있다. 또한, 버퍼 속력(VP)은 제 1 공급 속력(Va1)과 제 2 공급 속력(Vb1)의 산술 평균값으로 설정될 수 있다. 또한, 버퍼 속력(VP)은 제 1 공급 속력(Va1)과 제 2 공급 속력(Vb1)의 산술 평균값보다 크거나 작게 설정될 수 있다. 또한, 도 12는 제 1 공급 속력(Va1)에서 제 2 공급 속력(Vb1) 사이에 하나의 버퍼 속력(VP)이 위치되는 것을 예로 설명 하였으나, 버퍼 속력(VP)은 2개 이상 위치되어 지지판(4140)의 감속은 2 단계 이상에 걸쳐 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 12, the deceleration from the first feeding speed Va1 to the second feeding speed Vb1 in the central feeding step Sc1 may be performed stepwise. More specifically, the deceleration in the central supply step Sc1 is first performed from the first supply speed Va1 to the buffer speed VP. Then, after the support plate 4140 is rotated for the set time by the buffer speed VP, it is decelerated again to the second feed speed Vb1. At this time, the slope of the graph at the time of deceleration from the first feeding speed Va1 to the buffer speed VP may be set equal to the slope at the time of deceleration from the buffer speed VP to the second feeding speed Vb1 have. The slope of the graph at the time of deceleration from the first feed speed Va1 to the buffer speed VP may be set to be larger or smaller than the slope at the time of deceleration from the buffer speed VP to the second feed speed Vb1 have. Also, the buffer speed VP may be set to an arithmetic average value of the first supply speed Va1 and the second supply speed Vb1. Further, the buffer speed VP may be set to be larger or smaller than the arithmetic average value of the first supply speed Va1 and the second supply speed Vb1. 12 illustrates an example in which one buffer speed VP is located between the first and second supply speeds Va1 and Vb1. However, two or more buffer speeds VP may be located on the support plate 4140 may be made in two or more stages.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100: 로드 포트 200: 인덱스 모듈
300: 제 1 버퍼 모듈 400: 도포 및 현상 모듈
500: 제 2 버퍼 모듈 600: 노광 전후 처리 모듈
700: 인터페이스 모듈 4100: 기판 지지 부재
4200: 용기 4300: 처리액 공급 유닛
4320: 노즐 암 4340: 프리웨트(Pre-wet) 노즐
4360: 감광액 노즐100: Load port 200: Index module
300: first buffer module 400: application and development module
500: second buffer module 600: pre-exposure processing module
700: interface module 4100: substrate support member
4200: container 4300: process liquid supply unit
4320: Nozzle arm 4340: Pre-wet nozzle
4360: Photosensitizer nozzle

Claims

A substrate support member for supporting a substrate to be processed;
A rotation drive member for rotating the substrate support member;
A container provided around the substrate support member;
And a processing liquid supply unit having a photosensitive liquid nozzle for supplying a photosensitive liquid onto an upper surface of the substrate,
Wherein the photosensitive liquid nozzle starts to supply the photosensitive liquid in a state in which the substrate supporting member rotates at a first feeding speed, and when the substrate supporting member rotates at a second feeding speed decelerated from the first feeding speed, The supply of the photosensitive liquid is stopped,
Wherein the rotation drive member is configured to stepwise perform a deceleration of the rotation speed of the substrate support member from the first feed speed to the second feed speed while setting the rotation speed of the substrate support member in a deceleration process from the first feed speed to the second feed speed And rotating the substrate support member at a buffered velocity for a period of time.

The method according to claim 1,
Wherein the rotation driving member rotates the substrate supporting member at an accelerated diffusion speed higher than the second supply speed after the supply of the photosensitive liquid is completed.

3. The method of claim 2,
Wherein the diffusion speed is set to be smaller than the first feed speed and larger than the second feed speed.

3. The method of claim 2,
Wherein the rotation driving member rotates the substrate support member at a decelerated termination speed lower than the diffusion speed and then stops.

delete

The method according to claim 1,
Wherein the processing liquid supply unit includes:
A nozzle arm having the photosensitive liquid nozzle at one end thereof; And
And a driving member for moving the nozzle arm with respect to the substrate supporting member,
Wherein the supply of the photosensitive liquid is stopped when the driving member is positioned with the nozzle arm positioned such that the photosensitive liquid nozzle is positioned above the center of the substrate.

A substrate support member for supporting a substrate to be processed;
A rotation drive member for rotating the substrate support member;
A container provided around the substrate support member;
And a processing liquid supply unit having a photosensitive liquid nozzle for supplying a photosensitive liquid onto an upper surface of the substrate,
Wherein the photosensitive liquid nozzle starts to supply the photosensitive liquid in a state in which the substrate supporting member rotates at a first feeding speed, and when the substrate supporting member rotates at a second feeding speed decelerated from the first feeding speed, The supply of the photosensitive liquid is stopped,
Wherein the processing liquid supply unit includes:
A nozzle arm having the photosensitive liquid nozzle at one end thereof; And
And a driving member for moving the nozzle arm with respect to the substrate supporting member,
Wherein the start of supply of the photosensitive liquid is performed in a state in which the driving member is positioned such that the photosensitive liquid nozzle is positioned eccentrically above the center of the substrate and the supply of the photosensitive liquid is stopped when the driving member And the nozzle arm is positioned such that the nozzle is located above the center of the substrate,
Wherein the driving member moves the nozzle arm such that the photosensitive liquid nozzle is positioned above the center of the substrate after the supply of the photosensitive liquid starts.

delete

9. The method of claim 8,
Wherein the photosensitive liquid nozzle is located above the center of the substrate and supplies the photosensitive liquid for a preset time.

The method according to claim 1,
Wherein the processing liquid supply unit further comprises a pre-wet nozzle for supplying organic solvent to the substrate.

12. The method of claim 11,
Wherein the pre-wet nozzle supplies the organic solvent to the substrate prior to supplying the photosensitive liquid.

12. The method of claim 11,
Wherein the processing liquid supply unit supplies the organic solvent to the substrate in a state in which the pre-wet nozzle is positioned above the center of the substrate.

After the start of supply of the photosensitive liquid to the upper surface of the substrate supported by the substrate supporting member rotated at the first supply speed, the substrate supporting member is decelerated in the first supplying speed and decelerated in the second supplying speed, Wherein the substrate support member is rotated at a buffer speed for a set time in the course of deceleration from the first feed speed to the second feed speed.

15. The method of claim 14,
Wherein after the supply of the photosensitive liquid is completed, the substrate supporting member is rotated at an accelerated diffusion speed higher than the second supply speed, thereby diffusing the photosensitive liquid collected in the central portion of the substrate.

16. The method of claim 15,
The rotation of the substrate support member is stopped after the set time of the substrate support member is reduced to the termination speed lower than the diffusion speed.

delete

15. The method of claim 14,
Wherein supply of the photosensitive liquid is started at a position eccentric from the center of the substrate, and is moved to the center of the substrate.

15. The method of claim 14,
Wherein the supply of the photosensitive liquid is stopped in a state where the photosensitive liquid is supplied to the center of the substrate.