KR102243063B1 - Unit for supplying liquid, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 상에 액막을 형성하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 상에 감광액을 공급하는 유닛은 감광액을 공급하는 도포 노즐을 포함하되, 상기 도포 노즐은 내부에 감광액이 흐르는 메인 유로가 형성되고, 상기 메인 유로와 연결되어 외부로 감광액이 토출되는 복수의 토출홀이 형성된 바디 및 상기 바디에 설치되며, 상기 메인 유로의 상부에 제공되어 상기 메인 유로를 흐르는 감광액이 상기 토출홀을 통해 토출되도록 압력을 인가하는 압전소자를 포함한다. 이로 인해 액막 형성에 사용되는 감광액의 소비량을 절감할 수 있고, 감광액을 토출하는 과정에서 발생되는 퓸 또는 휘발성 물질의 휘발량이 극히 적어 주변 장비의 오염을 최소화할 수 있다.The present invention provides an apparatus and method for forming a liquid film on a substrate. The unit for supplying the photoresist on the substrate includes a coating nozzle for supplying the photoresist, wherein the coating nozzle has a main flow path through which the photosensitive liquid flows, and a plurality of discharge holes through which the photosensitive liquid is discharged outside by being connected to the main flow path. And a piezoelectric element installed in the body and the body, provided above the main flow path, and applying pressure so that the photosensitive liquid flowing through the main flow path is discharged through the discharge hole. Accordingly, it is possible to reduce the amount of consumption of the photoresist used for forming the liquid film, and the amount of volatilization of fume or volatile substances generated in the process of discharging the photoresist is extremely small, thus minimizing contamination of peripheral equipment.
Description
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 액막을 형성하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for liquid processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for forming a liquid film on a substrate.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정이 순차적으로 수행되며, 각 공정이 수행되기 전후에는 기판의 베이처리하는 베이크 단계가 수행된다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photographing, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, in the photographic process, coating, exposure, and development processes are sequentially performed, and before and after each process is performed, a bake step of baking the substrate is performed. The coating process is a process of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. In the developing process, the exposed area of the substrate is selectively developed.
일반적으로 도포 공정은 기판을 회전시키고, 회전되는 기판 상에 감광액을 공급한다. 감광액은 기판의 중심에 공급되고 기판의 원심력에 의해 확산된다. 그러나 이러한 도포 방법은 감광액막의 중심 영역과 가장자리 영역 간에 두께 차를 발생시키며, 불균일한 감광액막을 형성하는 요인이다. In general, the coating process rotates a substrate and supplies a photoresist onto the rotated substrate. The photoresist is supplied to the center of the substrate and diffuses by the centrifugal force of the substrate. However, such a coating method generates a difference in thickness between the center region and the edge region of the photoresist film, and is a factor in forming an uneven photoresist film.
또한 회전되는 기판 상에 감광액을 도포하는 경우에는, 기판의 회전 속도 조절을 통해 그 두께를 조절한다. 이로 인해 감광액은 필요한 양보다 다량으로 공급되어야 하며, 감광액의 일부는 회수된다. 이러한 과정에서 감광액으로부터 다량의 퓸이 발생되어 주변 장치를 오염시킨다. 뿐만 아니라, 이러한 회전되는 기판으로 액을 도포하는 경우에는 액의 소비량이 크다.In addition, when a photoresist is applied on a rotating substrate, its thickness is adjusted by controlling the rotational speed of the substrate. For this reason, the photoresist must be supplied in a larger amount than the required amount, and a part of the photoresist is recovered. In this process, a large amount of fume is generated from the photoresist, contaminating the peripheral device. In addition, when the liquid is applied to such a rotating substrate, the consumption of the liquid is large.
본 발명은 도포 공정을 수행 시 도포액의 소비량을 절감할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of reducing the consumption amount of a coating liquid when performing a coating process.
또한 본 발명은 도포 공정을 수행 시 주변 장치의 오염을 최소화할수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of minimizing contamination of peripheral devices when performing the coating process.
또한 본 발명은 도포 및 현상 공정을 동일 챔버에서 수행 가능한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of performing coating and developing processes in the same chamber.
본 발명의 실시예는 기판 상에 액막을 형성하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 상에 감광액을 공급하는 유닛은 감광액을 공급하는 도포 노즐을 포함하되, 상기 도포 노즐은 내부에 감광액이 흐르는 메인 유로가 형성되고, 상기 메인 유로와 연결되어 외부로 감광액이 토출되는 복수의 토출홀이 형성된 바디 및 상기 바디에 설치되며, 상기 메인 유로의 상부에 제공되어 상기 메인 유로를 흐르는 감광액이 상기 토출홀을 통해 토출되도록 압력을 인가하는 압전소자를 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for forming a liquid film on a substrate. The unit for supplying the photoresist on the substrate includes a coating nozzle for supplying the photoresist, wherein the coating nozzle has a main flow path through which the photosensitive liquid flows, and a plurality of discharge holes through which the photosensitive liquid is discharged outside by being connected to the main flow path. And a piezoelectric element installed in the body and the body, provided above the main flow path, and applying pressure so that the photosensitive liquid flowing through the main flow path is discharged through the discharge hole.
상기 바디의 내부에는 상기 메인 유로에 연결되는 도입 유로와 상기 도입 유로에 연결되는 복수의 공급 유로들이 더 형성되고, 상기 도입 유로에는 상기 복수의 공급 유로들로부터 서로 다른 종류의 감광액들이 선택적으로 공급될 수 있다. An introduction flow path connected to the main flow path and a plurality of supply flow paths connected to the introduction flow path are further formed inside the body, and different types of photoresist solutions may be selectively supplied to the introduction flow path from the plurality of supply flow paths. I can.
상기 도입 유로는 상기 메인 유로의 상부에 위치되고, 상기 압전 소자는 상기 도입 유로와 상기 메인 유로의 사이에 위치될 수 있다. 상기 바디에는 각각의 상기 공급 유로와 연결되며, 상기 공급 유로 및 상기 도입 유로가 세정되도록 상기 공급 유로에 세정액을 공급하는 복수의 세정액 유로들이 더 형성될 수 있다. The introduction passage may be positioned above the main passage, and the piezoelectric element may be positioned between the introduction passage and the main passage. The body may further include a plurality of cleaning liquid flow paths connected to each of the supply flow paths and supplying a cleaning liquid to the supply flow path so that the supply flow path and the introduction flow path are cleaned.
상기 유닛은 상기 복수의 공급 유로들 및 상기 복수의 세정액 유로들 각각을 개폐하는 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 공급 유로들 중 하나에서 감광액이 공급되고, 다른 하나에서 감광액이 공급되기 전에는 상기 하나에 세정액이 공급되도록 상기 밸브를 제어할 수 있다. The unit further includes a controller for controlling a valve for opening and closing each of the plurality of supply flow paths and the plurality of cleaning liquid flow paths, wherein the controller is supplied with a photosensitive liquid from one of the supply flow paths, and the photosensitive liquid is supplied from the other. Before being supplied, the valve can be controlled so that the cleaning liquid is supplied to the one.
상기 유닛은 상기 도포 노즐과 기판 간의 상대 위치를 이동시키는 도포 노즐 구동기 및 상기 도포 노즐 구동기 및 상기 도포 노즐을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 감광액을 기판에 공급되는 중에 상기 도포 노즐이 이동되도록 상기 도포 노즐 구동기를 제어할 수 있다. The unit further includes a coating nozzle driver for moving a relative position between the coating nozzle and the substrate, and a controller for controlling the coating nozzle driver and the coating nozzle, wherein the controller moves the coating nozzle while the photoresist is supplied to the substrate. The coating nozzle driver can be controlled so as to be possible.
상기 유닛은 감광액이 공급되기 전에, 기판 상에 웨팅액을 공급하는 웨팅액 노즐 및 상기 웨팅액 노즐을 이동시키며, 상기 제어기에 의해 제어되는 웨팅액 노즐 구동기를 더 포함하되, 상기 제어기는 웨팅액을 기판에 공급되는 중에 상기 웨팅액 노즐의 이동이 정지되도록 상기 웨팅액 노즐 구동기를 제어할 수 있다. The unit further includes a wetting liquid nozzle for supplying a wetting liquid on a substrate and a wetting liquid nozzle driver controlled by the controller, and the controller further includes a wetting liquid nozzle for supplying the wetting liquid on the substrate before the photoresist is supplied. The wetting liquid nozzle driver may be controlled so that the movement of the wetting liquid nozzle is stopped while being supplied to the substrate.
기판 상에 액막을 형성하는 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 기판 상에 감광액을 공급하는 도포 노즐을 가지는 감광액 공급 유닛을 포함하되, 상기 도포 노즐은 내부에 감광액이 흐르는 메인 유로가 형성되고, 상기 메인 유로와 연결되어 외부로 감광액이 토출되는 복수의 토출홀이 형성된 바디 및 상기 바디에 설치되며, 상기 메인 유로의 상부에 제공되어 상기 메인 유로를 흐르는 감광액이 상기 토출홀을 통해 토출되도록 압력을 인가하는 압전소자를 포함한다. An apparatus for forming a liquid film on a substrate includes a photosensitive liquid supply unit having a substrate support unit supporting the substrate and a coating nozzle supplying the photosensitive liquid onto the substrate, wherein the coating nozzle has a main flow path through which the photosensitive liquid flows, A body connected to the main flow path and provided with a plurality of discharge holes through which the photosensitive solution is discharged to the outside, and installed in the body, and provided above the main flow path to apply pressure so that the photosensitive liquid flowing through the main flow path is discharged through the discharge hole. It includes a piezoelectric element to be applied.
상기 바디의 내부에는 상기 메인 유로에 연결되는 도입 유로와 상기 도입 유로에 연결되는 복수의 공급 유로들이 더 형성되고, 상기 도입 유로에는 상기 복수의 공급 유로들로부터 서로 다른 종류의 감광액들이 선택적으로 공급될 수 있다. An introduction flow path connected to the main flow path and a plurality of supply flow paths connected to the introduction flow path are further formed inside the body, and different types of photoresist solutions may be selectively supplied to the introduction flow path from the plurality of supply flow paths. I can.
상기 도입 유로는 상기 메인 유로의 상부에 위치되고, 상기 압전 소자는 상기 도입 유로와 상기 메인 유로의 사이에 위치될 수 있다. 상기 바디에는 각각의 상기 공급 유로와 연결되며, 상기 공급 유로 및 상기 도입 유로가 세정되도록 상기 공급 유로에 세정액을 공급하는 복수의 세정액 유로들이 더 형성될 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 상기 복수의 공급 유로들 및 상기 복수의 세정액 유로들 각각을 개폐하는 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 공급 유로들 중 하나에서 감광액이 공급되고, 다른 하나에서 감광액이 공급되기 전에는 상기 하나에 세정액이 공급되도록 상기 밸브를 제어할 수 있다. The introduction passage may be positioned above the main passage, and the piezoelectric element may be positioned between the introduction passage and the main passage. The body may further include a plurality of cleaning liquid flow paths connected to each of the supply flow paths and supplying a cleaning liquid to the supply flow path so that the supply flow path and the introduction flow path are cleaned. The liquid supply unit further includes a controller for controlling a valve for opening and closing each of the plurality of supply flow paths and the plurality of cleaning liquid flow paths, wherein the controller is supplied with a photosensitive liquid from one of the supply flow paths, and Before the photosensitive liquid is supplied, the valve may be controlled so that the cleaning liquid is supplied to the one.
상기 유닛은 상기 도포 노즐과 기판 간의 상대 위치를 이동시키는 도포 노즐 구동기 및 상기 도포 노즐 구동기 및 상기 도포 노즐을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 감광액을 기판에 공급되는 중에 상기 도포 노즐이 이동되도록 상기 도포 노즐 구동기를 제어할 수 있다. The unit further includes a coating nozzle driver for moving a relative position between the coating nozzle and the substrate, and a controller for controlling the coating nozzle driver and the coating nozzle, wherein the controller moves the coating nozzle while the photoresist is supplied to the substrate. The coating nozzle driver can be controlled so as to be possible.
상기 제어기는 감광액이 기판에 공급되는 중에 기판의 회전이 정지되도록 상기 기판 지지 유닛을 더 제어할 수 있다. The controller may further control the substrate support unit so that rotation of the substrate is stopped while the photoresist is supplied to the substrate.
상기 장치는 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 현상액을 공급하는 현상 노즐을 가지는 현상액 공급 유닛을 더 포함할수있다. The apparatus may further include a developer supply unit having a developing nozzle for supplying a developer onto a substrate supported by the substrate support unit.
또한 기판을 처리하는 방법은 상기 기판 상에 감광액을 도포하는 도포 단계를 포함하되, 상기 도포 단계에서 상기 감광액은 잉크젯 방식으로 상기 기판에 공급된다. In addition, the method of treating the substrate includes a coating step of applying a photoresist onto the substrate, wherein the photosensitive liquid is supplied to the substrate in an inkjet manner.
상기 감광액이 토출되는 바디는 내부에 상기 감광액이 흐르는 메인 유로와 상기 메인 유로로부터 연장되어 상기 감광액이 토출되는 복수의 토출홀들이 형성되고, 상기 바디의 내부에는 서로 다른 종류의 감광액들이 선택적으로 도입될 수 있다. 상기 서로 다른 종류의 감광액들은 상기 바디에 연결된 복수의 공급 유로들에 의해 선택적으로 공급되고, 상기 도포 단계 이후에는, 상기 복수의 공급 유로들 중 선택적으로 상기 감광액이 공급된 공급 유로에 세정액을 공급하여 상기 공급 유로 및 상기 바디의 내부를 세정하는 세정 단계를 더 포함할 수 있다. The body from which the photoresist is discharged has a main flow path through which the photoresist flows and a plurality of discharge holes through which the photoresist is discharged are formed therein, and different types of photoresist are selectively introduced into the body. I can. The different types of photosensitive liquids are selectively supplied by a plurality of supply flow paths connected to the body, and after the applying step, a cleaning liquid is selectively supplied to a supply flow path supplied with the photosensitive liquid among the plurality of supply flow paths. It may further include a cleaning step of cleaning the supply passage and the inside of the body.
상기 도포 단계에는 상기 기판의 회전이 정지될 수 있다. In the applying step, rotation of the substrate may be stopped.
상기 도포 단계에는 상기 감광액을 공급하는 도포 노즐과 상기 기판의 상대 위치가 변경되도록 상기 도포 노즐을 이동시킬 수 있다. In the coating step, the coating nozzle may be moved so that the relative position of the coating nozzle for supplying the photoresist and the substrate is changed.
본 발명이 실시예에 의하면, 감광액을 잉크젯 방식으로 토출한다. 이로 인해 액막 형성에 사용되는 감광액의 소비량을 절감할 수 있다.According to this embodiment of the present invention, the photoresist is discharged in an inkjet manner. Accordingly, it is possible to reduce the consumption amount of the photoresist used for forming the liquid film.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 감광액을 소량으로 사용하므로, 감광액을 토출하는 과정에서 발생되는 퓸 또는 휘발성 물질의 휘발량이 극히 적으며, 감광액의 회수량이 없고, 주변 장비의 오염을 최소화할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the photoresist is used in a small amount, the volatilization amount of fume or volatile substances generated in the process of discharging the photoresist is extremely small, there is no recovery amount of the photoresist, and contamination of peripheral equipment can be minimized. have.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 도포 노즐은 다양한 종류의 감광액을 선택적으로 공급한다. 이로 인해 장비를 단순화시키며, 공간 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the coating nozzle selectively supplies various types of photoresist. This simplifies equipment and improves space efficiency.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 각 공급 유로에 세정액이 공급된다. 이로 인해 단일의 도포 노즐로 복수의 감광액을 선택적으로 토출하는 과정에서 감광액들이 혼합되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the cleaning liquid is supplied to each supply passage. Accordingly, it is possible to prevent the photosensitive liquids from being mixed in the process of selectively discharging a plurality of photoresist with a single application nozzle.
도 1은 회전되는 기판 상에 감광액을 공급하여 형성된 액막을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 4는 도 2의 공정 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 7의 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 처리 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 9의 도포 노즐을 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 10의 도포 노즐을 보여주는 사시도이다.
도 12는 도 9의 현상 노즐을 보여주는 사시도이다.
도 13 내지 도 19은 도 8의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 20은 도 11의 도포 노즐의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a liquid film formed by supplying a photoresist on a rotating substrate.
2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a front view of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
4 is a plan view of a substrate processing apparatus showing a process block of FIG. 2.
5 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 3.
6 is a plan view schematically showing an example of the processing chamber of FIG. 4.
7 is a front view of the processing chamber of FIG. 6.
8 is a cross-sectional view showing the processing unit of FIG. 7.
9 is a plan view showing the processing unit of FIG. 8.
10 is a cross-sectional view showing the application nozzle of FIG. 9.
11 is a perspective view showing the application nozzle of FIG. 10.
12 is a perspective view showing the developing nozzle of FIG. 9.
13 to 19 are views illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 8.
20 is a perspective view showing another embodiment of the application nozzle of FIG. 11.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 정면도이다. 도 4는 도 2의 공정 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 평면도이다. 2 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a front view of the substrate processing apparatus of FIG. 2. 4 is a plan view of a substrate processing apparatus showing a process block of FIG. 2.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 2 to 4, the
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 복수의 공정 블럭들(31)을 포함한다. 공정 블럭(31)은 기판(W)에 대해 도포 공정, 현상 공정, 그리고 베이크 공정을 수행한다. 공정 블럭들(31)은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시예에 의하면, 공정 블럭(31)은 4개가 제공된다. 일 예에 의하면, 2개의 공정 블럭들(31)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. The
도 4를 참조하면, 공정 블럭(31)은 반송 챔버(3400), 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 처리 챔버(3600)는 기판(W)에 대해 베이크 공정, 도포 공정, 그리고, 현상 공정을 수행한다. 예컨대, 베이크 공정은 열처리 공정이고, 도포 공정은 액막 형성 공정일 수 있다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함하고, 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막을 포함할 수 있다. 반송 챔버(3400)는 공정 블럭(31) 내에 위치된 처리 챔버들(3600) 간, 그리고 처리 챔버(3600)와 버퍼 챔버(3800) 간에 기판(W)을 반송한다.Referring to FIG. 4, the
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 처리 챔버들(3600) 간, 그리고 처리 챔버(3600)와 버퍼 챔버(3800) 간에 기판(W)을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 5 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 4. 5, the
처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 양측에 배치된다. 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 처리 챔버(3600)를 전단 처리 챔버(3602)(front treating chamber)라 칭한다. 처리 챔버들(3600) 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 처리 챔버(3600)를 후단 처리 챔버(3604)(rear treating chamber)라 칭한다. The
전단 처리 챔버(3602)와 후단 처리 챔버(3604)는 도포 공정에서 사용되는 액의 종류가 달리 제공된다. 일 실시예에 의하면, 전단 처리 챔버(3602)의 도포 공정에는 도포액이 반사 방지막이고, 후단 처리 챔버(3604)의 도포 공정에는 도포액이 포토레지스트일 수 있다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 전단 처리 챔버(3602)의 도포액은 포토레지스트이고, 후단 처리 챔버(3604)의 도포액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 전단 처리 챔버(3602)와 후단 처리 챔버(3604) 각각의 도포 공정에 사용되는 도포액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The
처리 챔버들(3602, 3604)은 모두 동일한 구조를 가지며, 전단 처리 챔버(3602)를 일 예로 설명한다. 도 6는 도 4의 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 처리 챔버의 정면도이다.All of the
도 6 및 도 7을 참조하면, 전단 처리 챔버(3602)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 그리고 처리 유닛(800)을 포함한다. 하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220) 및 처리 유닛(800)은 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 처리 유닛(800)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 처리 유닛(800)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.6 and 7, the
냉각 유닛(3220)은 냉각 플레이트(3240), 가이드 레일(3249), 그리고 구동기(3246)를 포함한다. 냉각 플레이트(3240)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 일 예에 의하면, 냉각 플레이트(3240)의 내부에는 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 냉각 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 가이드 레일(3249) 및 구동기(3246)는 냉각 플레이트를 이동시키는 플레이트 이동 부재(3249,3246)로 제공된다. 냉각 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1위치와 제2위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 제1위치는 냉각 플레이트(3240)가 기판 지지 유닛(830)과 마주하는 위치이고, 제2위치는 제1위치를 벗어난 위치이다. 제2위치는 제1위치보다 하우징의 반출입구에 더 가까운 위치이다. 냉각 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 냉각 플레이트(3240)의 끝단에서 냉각 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 냉각 플레이트(3240)와 처리 유닛(800) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 냉각 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The
기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 냉각 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 냉각 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the support plate 1320, and the
도 8은 도 7의 처리 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 9는 도 8의 처리 유닛을 보여주는 평면도이다. 처리 유닛(800)은 기판(W) 상에 액막을 형성하는 장치로 제공된다. 처리 유닛(800)은 처리 용기(850), 기류 제공 유닛(820), 기판(W) 지지 유닛(830), 가열 유닛(860), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(900), 그리고 제어기(990)를 포함한다. 8 is a cross-sectional view illustrating the processing unit of FIG. 7, and FIG. 9 is a plan view illustrating the processing unit of FIG. 8. The
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간에 위치된다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내부에 기판(W)의 도포 공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정이 수행되는 처리 공간(812)을 제공한다. 처리 용기(850)는 제1회수통(852)과 제2회수통(858)을 포함한다. 제1회수통(852)은 기판(W)을 처리한 감광액을 회수하는 통으로 제공되고, 제2회수통(858)은 기판(W)을 처리한 현상액을 회수하는 통으로 제공된다. 제1회수통(852) 및 제2회수통(858) 각각은 환형의 링 형상을 가지며, 제2회수통(858)은 제1회수통(852)의 주변을 감싸는 형상을 가진다. The
제1회수통(852)은 내측 컵(854) 및 외측 컵(856)을 포함한다. 외측 컵(856)과 내측 컵(854)의 사이 공간은 감광액이 유입되는 유입구로서 기능한다. The
내측 컵(854)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(854)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(854)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(854)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(854)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(854)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(854)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(854)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The
외측 컵(856)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(854)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(856)은 바닥벽, 측벽, 상벽, 그리고 경사벽을 가진다. 바닥벽은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽에는 회수 라인(855)이 형성된다. 회수 라인(855)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(855)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽은 바닥벽의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽은 바닥벽으로부터 위로 연장된다. The
경사벽은 측벽의 상단으로부터 외측 컵(856)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall extends in the inner direction of the
제2회수통(858)은 외측 컵(856)을 감싸는 컵 형상으로 제공된다. 제2회수통(858)은 외측 컵(856)을 감싸도록 외측 컵(856)보다 큰 형상으로 제공된다. 제2회수통(858)과 외측 컵(856)의 사이 공간은 현상액이 유입되는 유입구로서 기능한다.The
기류 제공 유닛(820)은 하우징(3210) 내에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 팬(824), 기류 공급 라인(822), 그리고 필터(826)를 포함한다. 팬(824)은 하우징(3210)의 천장면에서 처리 용기(850)과 마주하도록 위치된다. 팬(824)은 처리 용기(850)의 처리 공간(812)에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(3210)의 외부에서 팬(824)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(3210) 내에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The
기판 지지 유닛(830)은 처리 공간(812)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지판(832), 회전 구동기(834,836), 그리고 리프트 핀(1340)을 포함한다. 지지판(832)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원 형상으로 제공된다. 지지판(832)의 상면은 기판(W)이 놓여지는 안착면으로 제공된다. 지지판(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉되게 놓여질 수 있다. 상부에서 바라볼 때 지지판(832)은 기판(W)보다 작은 크기를 가지되, 일정 크기 이상으로 제공된다. 예컨대, 지지판(832)의 상면의 면적은 기판(W)의 80% 이상일 수 있다. 이는 지지판(832)을 통한 전도열이 기판(W)의 일정 부분 이상을 가열하기 위함이다. 일 예에 의하면, 지지판(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 지지판(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 지지판(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The
회전 구동기(834,836)는 지지판(832)을 지지하고, 지지판(832)을 선택적으로 회전시킨다. 회전 구동기(834,836)는 회전축(834) 및 구동기(836)를 포함한다. 회전축(834)은 지지판(832)의 아래에서 지지판(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축(834)의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The
리프트 핀(1340)은 승하강 이동되어 지지판(832)에 기판(W)을 내려놓거나, 지지판(832)으로부터 기판(W)을 들어올린다. 리프트 핀(1340)은 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 핀(1340)은 지지판(832)과 중첩되게 위치된다. 리프트 핀(1340)은 지지판(832)에 제공되며, 리프트 핀(1340)은 승하강 이동되어 지지판(832) 내에 삽입되거나 지지판(832)으로부터 위로 돌출되도록 위치될 수 있다.The
선택적으로 상부에서 바라볼 때 리프트 핀(1340)은 지지판(832)의 주변을 감싸도록 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 리프트 핀(1340)은 지지판(832)과 중첩되지 않고, 지지판(832)에 놓여진 기판(W)과 중첩되도록 위치될 수 있다.Optionally, when viewed from the top, the lift pins 1340 may be positioned to surround the
가열 유닛(860)은 지지판(832)에 지지된 기판(W)을 가열한다. 가열 유닛(860)은 복수의 히터(862)를 포함한다. 복수의 히터들(862)은 지지판(832) 내에 위치되며, 이들 각각은 동일 평면 상에 위치된다. 히터(862)들은 지지판(832)의 안착면의 서로 다른 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(862)에 대응되는 지지판(832)의 영역들은 히팅존들로 제공될 수 있다. 히터(862)들 중 일부는 지지판(832)의 중앙 영역에 위치되고, 다른 일부는 가장자리에 위치될 수 있다. 각각의 히터(862)는 온도가 독립되게 조절 가능하다. 히터(862)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.The heating unit 860 heats the substrate W supported on the
승강 유닛(890)은 제1회수통(852) 및 제2회수통(858)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 제1회수통(852)을 승강 이동시키고, 외측 이동 부재(894)는 제2회수통(858)을 승강 이동시킨다. 이와 달리, 제1회수통(852)과 제2회수통(858)은 일체형으로 제공되어 함께 승강 이동될 수 있다.The elevating
액 공급 유닛(900)은 기판(W) 상에 감광액, 현상액, 그리고 린스액을 공급한다. 액 공급 유닛(900)은 감광액 공급 유닛(920), 현상액 공급 유닛(940), 그리고 린스액 공급 유닛(960)을 포함한다. 감광액 공급 유닛(920)은 기판(W) 상에 감광액을 공급하고, 현상액 공급 유닛(940)은, 기판(W) 상에 현상액을 공급하며, 린스액 공급 유닛(960)은 기판(W) 상에 린스액을 공급한다.The
감광액 공급 유닛(920)은 감광액을 잉크젯 방식으로 공급한다. 감광액 공급 유닛(920)은 가이드 레일(922), 도포 아암(924), 도포 노즐(930), 웨팅액 노즐을 포함한다. 가이드 레일(922) 및 도포 아암(924)은 도포 노즐(930)을 이동시키는 도포 노즐(930) 구동기로 제공된다. 가이드 레일(922)은 도포 아암(924)을 수평 방향으로 이동시킨다. 가이드 레일(922)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(922)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(922)의 길이 방향을 제2방향(14)과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(922)에는 도포 아암(924)이 설치된다. 도포 아암(924)은 가이드 레일(922)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 도포 아암(924)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(922)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 도포 아암(924)의 일단은 가이드 레일(922)에 장착되고, 타단에는 도포 노즐(930)이 각각 설치된다. 도포 노즐(930)은 가이드 레일(922)에 의해 공정 위치와 제1대기 포트(920a)로 이동된다. 여기서 공정 위치는 도포 노즐(930)이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)과 마주하는 위치이고, 제1대기 포트(920a)는 도포 노즐(930)이 대기되는 위치로 제공된다. The photosensitive
도 10은 도 9의 도포 노즐을 보여주는 단면도이고, 도 11은 도 10의 도포 노즐을 보여주는 사시도이다. 도 10 및 도 11을 참조하면, 도포 노즐(930)은 도포 바디(932) 및 압전 소자(934)를 포함한다. 도포 바디(932) 내에는 감광액이 흐르는 유로가 형성되고, 압전 소자(934)는 유로에 흐르는 감광액에 압력을 인가하여, 감광액의 토출 및 토출 압력을 조절한다.FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating the application nozzle of FIG. 9, and FIG. 11 is a perspective view illustrating the application nozzle of FIG. 10. 10 and 11, the
도포 바디(932)는 기판(W)을 향하는 방향으로 감광액을 토출하는 토출홀(932a)이 형성된다. 토출홀(932a)은 복수 개로 제공되며, 도포 바디(932)의 저면에 일렬로 배열된다. 선택적으로 토출홀들(932a)은 복수 열로 배열될 수 있다. 도포 바디(932)의 내부에는 메인 유로(932b), 도입 유로(932c), 공급 유로(936), 그리고 세정액 유로(938)가 형성된다. The
메인 유로(932b)는 감광액이 흐르는 유로이며, 토출홀들(932a)은 메인 유로(932b)로부터 연장되게 제공된다. 예컨대, 메인 유로(932b)는 도포 바디(932)의 저면과 인접하게 제공될 수 있다.The
도입 유로(932c)는 도포 바디(932) 내에 감광액이 도입되는 유로로 기능한다. 도입 유로(932c)는 메인 유로(932b)의 상부에 위치된다. 도입 유로(932c)와 메인 유로(932b)의 사이에는 압전 소자(934)가 위치된다. 압전 소자(934)는 메인 유로(932b)에 흐르는 감광액에 압력을 인가한다. 압전 소자(934)에 의한 압력에 의해 메인 유로(932b)에 흐르는 감광액은 토출홀들(932a)을 통해 토출된다. 이로 인해 감광액은 잉크젯 방식으로 토출된다.The
공급 유로(936)는 감광액 저장부(937)에 수용된 감광액을 도입 유로(932c)에 공급한다. 공급 유로(936)는 도입 유로(932c)에 연결된다. 공급 유로(936)는 복수 개로 제공되며, 이들 각각을 통해서 서로 다른 종류의 감광액들이 도입 유로(932c)에 공급된다. 공급 유로(936)들 간에는 서로 독립되게 제공된다.The
세정액 유로(938)는 각 공급 유로(936)에 연결된다. 세정액 유로(938)는 복수 개로 제공되며, 공급 유로(936)에 일대일 연결된다. 세정액 유로(938)은 세정액 저장부(939)에 수용된 세정액을 각 공급 유로에 공급한다. 세정액 유로(938)는 도입 유로(932c) 및 일대일 대응되는 공급 유로(936)가 세정되도록 그 대응되는 공급 유로(936)에 세정액을 공급한다. 예컨대, 세정액은 시너(Thinner)일 수 있다. The cleaning
웨팅액 노즐은 감광액이 공급되기 전에, 기판(W) 상에 웨팅액을 공급한다. 웨팅액은 기판(W)의 표면을 젖음 상태로 전환시킨다. 웨팅액은 기판(W)의 표면을 감광액과 유사한 성질로 전환시킨다. 웨팅액 노즐은 회전되는 기판의 중심으로 웨팅액을 공급할 수 있다. 이에 따라 기판의 원심력에 의해 웨팅액은 기판의 전체영역으로 확산될 수 있다. 예컨대, 웨팅액 노즐은 도포 아암(924)에 설치되어 도포 노즐(930)과 함께 이동되거나, 도포 노즐(930)과 독립되게 이동될 수 있다.The wetting liquid nozzle supplies the wetting liquid onto the substrate W before the photosensitive liquid is supplied. The wetting liquid converts the surface of the substrate W into a wet state. The wetting liquid converts the surface of the substrate W into properties similar to those of the photoresist. The wetting liquid nozzle may supply the wetting liquid to the center of the rotating substrate. Accordingly, the wetting liquid may diffuse to the entire area of the substrate by the centrifugal force of the substrate. For example, the wetting liquid nozzle may be installed on the
현상액 공급 유닛(940)은 현상액을 적하 방식으로 공급한다. 현상액은 물줄기인 스트림 형태와 액 커튼 형태로 각각 공급될 수 있다. 현상액 공급 유닛(940)은 회전축(942), 현상 아암(944), 현상 노즐(950)을 포함한다. 회전축(942) 및 현상 아암(944)은 현상 노즐(950)을 이동시키는 노즐 구동기로 제공된다. 회전축(942)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 회전축(942)은 도포 노즐(930) 및 도포 아암이 이동되는 경로와 중첩되지 않도록 위치된다. 회전축(942)은 구동기(미도시)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 현상 아암(944)은 회전축(942)의 상단으로부터 수직한 방향으로 길게 연장되는 바 형상을 가진다. 현상 아암(944)의 끝단에는 현상 노즐(950)이 설치된다. 현상 노즐(950)은 현상 아암(944) 및 회전축(942)에 의해 공정 위치와 제2대기 포트(940a)로 이동된다. 여기서 공정 위치는 현상 노즐(950)이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)과 마주하는 위치이고, 제2대기 포트(940a)는 현상 노즐(950)이 대기되는 위치로 제공된다.The
도 12는 도 9의 현상 노즐을 보여주는 사시도이다. 도 12를 참조하면, 현상 노즐(950)은 몸체(952) 및 현상 바디(956)를 포함한다. 몸체(952)의 저면에는 원형 토출구(952b) 및 웨팅액 토출구(952a)가 형성된다. 원형 토출구(952b) 및 웨팅액 토출구(952a)는 일 방향을 따라 배열된다. 원형 토출구(952b)에는 현상액이 적하 방식으로 원형의 스트림 형태로 토출되고, 웨팅액 토출구(952a)에는 프리 웨팅액이 적하 방식으로 원형의 스트림 형태로 토출된다. 현상 바디(956)는 몸체(952)의 일측에 결합된다. 현상 바디(956)에는 슬릿 토출구(958)가 형성된다. 슬릿 토출구(958)는 원형 토출구(952b)와 웨팅액 토출구(952a)가 배열되는 방향과 평행한 길이 방향을 가진다. 슬릿 토출구(958)는 몸체에 가까워지수록 하향 경사지게 제공된다. 슬릿 토출구(958)에는 원형 토출구(952b)에서 토출되는 액과 동일한 종류의 액이 토출될 수 있다. 슬릿 토출구(958)에는 현상액이 적하 방식으로 액 커튼의 스트림 형태로 토출된다. 일 예에 의하면, 현상액은 원형 토출구(952b)를 통해 1차 공급된 후, 슬릿 토출구(958)를 통해 2차 공급될 수 있다. 원형의 스트림 형태의 현상액은 기판(W) 상에 균일한 현상액막을 형성하고, 액 커튼의 스트림 형태의 현상액은 현상액막의 두께를 증가시킬 수 있다.12 is a perspective view showing the developing nozzle of FIG. 9. Referring to FIG. 12, the developing
다시 도 8 및 도 9를 참조하면, 린스액 공급 유닛(960)은 린스액을 적하 방식으로 공급한다. 린스액은 원형의 스트림 형태로 공급될 수 있다. 린스액 공급 유닛(960)은 회전축(962), 린스 아암(964), 린스 노즐(966)을 포함한다. 회전축(962) 및 린스 아암(964)은 린스 노즐(966)을 이동시키는 노즐 구동기로 제공된다. 회전축은 처리 용기(850)의 타측에 위치된다. 회전축은 도포 노즐(930) 및 도포 아암(924)이 이동되는 경로와 중첩되지 않도록 위치된다. 회전축(962)은 구동기(미도시)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 린스 아암(964)은 회전축(962)의 상단으로부터 수직한 방향으로 길게 연장되는 바 형상을 가진다. 린스 아암(964)의 끝단에는 린스 노즐(966)이 설치된다. 린스 노즐(966)은 린스 아암(964) 및 회전축(962)에 의해 공정 위치와 제3대기 포트(960a)로 이동된다. 여기서 공정 위치는 린스 노즐(966)이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)과 마주하는 위치이고, 제3대기 포트(960a)는 린스 노즐(966)이 대기되는 위치로 제공된다. 예컨대, 린스액은 현상액을 린스 처리할 수 있는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다.Referring back to FIGS. 8 and 9, the rinse
제1대기 포트(920a)는 도포 노즐(930)이 대기하는 공간을 제공한다. 상부에서 바라볼 때 제1대기 포트(920a)는 도포 노즐(930)이 이동되는 경로 상에 위치된다. 제1대기 포트(920a)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 도포 노즐(930)에 잔류된 이물질을 세정 처리한다. 제1대기 포트(920a) 내에는 제1세정액이 수용되며, 도포 노즐(930)은 제1세정액에 침지되도록 이동되어 도포 노즐(930)을 세정할 수 있다. 예컨대, 제1세정액은 시너(Thinner)일 수 있다. The
제2대기 포트(940a)는 현상 노즐(950)이 대기하는 공간을 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제2대기 포트(940a)는 현상 노즐(950)이 이동되는 경로 상에 위치된다. 제2대기 포트(940a)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 현상 노즐(950)에 잔류된 이물질을 세정 처리한다. 제2대기 포트(940a) 내에는 제2세정액이 수용되며, 현상 노즐(950)은 제2세정액에 침지되도록 이동되어 현상 노즐(950)을 세정할 수 있다. 예컨대, 제2세정액은 린스액일 수 있다. 제2세정액은 순수일 수 있다.The second
제3대기 포트(960a)는 린스 노즐(966)이 대기하는 공간을 제공한다. 상부에서 바라볼 때 제3대기 포트(960a)는 린스 노즐(966)이 이동되는 경로 상에 위치된다. 제3대기 포트(960a)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 린스 노즐(966)에 잔류된 이물질을 세정 처리한다. 제3대기 포트(960a) 내에는 제3세정액이 수용되며, 린스 노즐(966)은 제3세정액에 침지되도록 이동되어 린스 노즐(966)을 세정할 수 있다. 예컨대, 제3세정액은 순수일 수 있다.The
제어기(990)는 감광액 공급 유닛(920), 현상액 공급 유닛(940), 기판 지지 유닛(830), 그리고 가열 유닛(860)을 제어한다. 제어기(990)는 기판(W) 상에 감광액을 도포 처리하여 감광액막을 형성하는 도포 공정, 노광된 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 공정, 그리고 기판(W)을 가열하는 가열 공정이 진행되도록 각 유닛을 제어할 수 있다.The
제어기(990)는 도포 공정을 진행 시 서로 다른 종류의 감광액들 중 어느 하나가 바디(932)에 연결된 복수의 공급 유로들(936)에 의해 선택적으로 공급되도록 공급 유로(936)에 설치된 밸브들을 제어한다. The
제어기(990)는 도포 공정 이후에, 복수의 공급 유로들(936) 중 감광액이 공급된 공급 유로에 세정액을 공급하여 그 공급 유로(936) 및 바디(932)의 내부를 세정하는 세정 공정이 진행되도록 세정액 유로(938)에 설치된 밸브들을 제어할 수 있다. 이러한 세정 공정은 제1대기 포트(920a)에서 대기되는 중에 진행할 수 있다.After the application process, the
각 공정에 대해 제어기(990)는 기판(W)에 액이 공급되는 액 처리 공정 중에는 히터(862)를 오프(Off)하고, 가열 공정 중에는 히터(862)를 온(On)하도록 가열 유닛(860)을 제어한다. For each process, the
또한 제어기(990)는 기판(W)에 공급되는 액 종류에 따라 지지판(832)을 회전 또는 정지되도록 회전 구동기(834,836)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제어기(990)는 기판(W) 상에 감광액이 공급되는 중에는 기판(W) 및 지지판(832)의 회전이 중지되도록 회전 구동기(834,836)를 제어할 수 있다. 또한 제어기(990)는 기판(W) 상에 웨팅액, 현상액, 그리고 린스액이 공급되는 중에는 기판(W)과 지지판(832)이 회전되도록 회전 구동기(834,836)를 제어할 수 있다.In addition, the
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬 필터 유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 공정 블럭(31)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 공정 블럭(31)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a downward airflow therein may be provided at an upper end of the
인터페이스 버퍼(4400)는 공정 블럭(31), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 공정 블럭(31) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an
반송 부재(4600)는 공정 블럭(31), 부가 공정 챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 공정 블럭(31) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 공정 블럭(31), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 공정 블럭(31) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 냉각 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hand of the
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 공정 블럭(31)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 처리 유닛(800)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the
또한, 공정 블럭(31) 및 공정 블럭(31)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 냉각 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the
다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the
기판(W)에 대해 도포 공정, 에지 노광 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정이 순차적으로 수행된다. A coating process, an edge exposure process, an exposure process, and a developing process are sequentially performed on the substrate W.
도포 공정 및 현상 공정은 각각 처리 챔버(3600)에서 수행된다. 일 예에 의하면, 도포 공정 및 현상 공정은 동일 처리 챔버(3600)에서 수행될 수 있고, 서로 다른 처리 챔버들(3600)에서 수행될 수 있다. 도포 공정의 전후 각각, 그리고 현상 공정의 전후 각각에는 기판(W)을 가열하는 가열 공정이 수행된다. 일 예에 의하면, 도포 공정의 전에는 도포 전 가열 공정이, 도포 공정의 후에는 도포 후 가열 공정이 수행되고, 현상 공정 전에는 현상 전 가열 공정이, 현상 공정의 후에는 현상 후 가열 공정이 수행될 수 있다.The coating process and the developing process are respectively performed in the
이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the
인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 처리 챔버들(3600) 중 하나로 반송한다. 기판(W)은 냉각 플레이트(3240)에 의해 처리 유닛(800)에 기판(W)을 반송한다. The
처리 유닛(800)에는 기판(W)의 도포 전 가열 공정, 도포 공정, 그리고 도포 후 가열 공정이 순차적으로 수행된다. 도 13은 기판의 도포 전 가열 공정을 보여주는 단면도이고, 도 14는 기판의 도포 공정을 보여주는 단면도이며, 도 15는 기판의 도포 후 가열 공정을 보여주는 단면도이다. In the
처리 유닛(800)의 기판 지지 유닛(830)에 기판(W)이 놓여지면, 기판(W)의 도포 전 가열 공정이 수행된다. When the substrate W is placed on the
도포 전 가열 공정이 진행되면, 기판(W)은 정지 상태이고, 히터(862)의 전원(864)은 온(On)되어 기판을 가열한다. 도포 전 가열 공정이 완료되면, 도포 공정이 수행된다.When the heating process before application is performed, the substrate W is in a stopped state, and the
도포 공정에서 기판(W)은 정지 상태를 유지한다. 도포 노즐(930)은 공정 위치로 이동되어 기판(W) 상에 감광액을 잉크젯 방식으로 공급한다. 도포 노즐(9300은 감광액의 탄착 위치가 기판(W)의 전체 영역을 포함하도록 기판(W)을 스캔 이동하면서 감광액을 토출한다. 감광액은 잉크젯 방식으로 토출되므로, 기판(W) 상에 균일한 감광액막을 형성할 수 있고, 적하 방식에 비해 얇은 감광액막을 형성할 수 있다. 이에 따라 감광액의 소비량을 절감할 수 있으며, 감광액으로부터 발생되는 휘발성 물질을 최소화할 수 있다. 휘발성 물질은 휘발되는 과정에서 주변 장치을 오염시키며, 현상 공정 및 가열 공정을 포함하는 베이크 공정에 악영향을 끼친다. 본 실시예는 감광액을 잉크젯 방식으로 토출함으로써, 감광액의 소비량을 최소화하여 휘발성 물질을 함께 최소화한다. 이로 인해 주변 장치의 오염을 최소화시켜, 도포 공정을 현상 공정 및 베이크 공정과 동일 챔버 내에서 수행할 수 있다. In the coating process, the substrate W is maintained in a stationary state. The
또한 토출된 감광액 중 잉여 액이 발생되지 않으므로, 감광액의 회수가 발생되지 않아 주변 장치의 오염을 방지할 수 있다. 다만, 상술한 실시예에는 제1회수통이 감광액을 회수하는 것으로 설명하였다. 이는 장치의 오류 또는 불량 등으로 인해 감광액이 과다 토출될 수 있으며, 이 경우를 대비하여 감광액을 회수하는 제1회수통(852)을 필요로 한다. 도포 공정이 완료되면, 도포 노즐(930)은 제1대기 포트(920a)로 이동되어 대기되고, 도포 후 가열 공정이 수행된다. 이때 도포 노즐(930)은 제1대기 포트(920a)에서 감광액이 공급된 공급 유로(936) 및 바디(932)의 내부를 세정하는 세정 단계를 수행한다. 세정액은 복수의 공급 유로들(936) 중 감광액이 공급된 공급 유로(936)에 공급되어 그 공급 유로(936) 및 바디(932)의 내부를 세정한다. In addition, since excess liquid is not generated among the discharged photosensitive liquid, the recovery of the photosensitive liquid does not occur, thereby preventing contamination of peripheral devices. However, in the above-described embodiment, it has been described that the first collection container recovers the photoresist. In this case, the photoresist may be excessively discharged due to an error or defect of the device, and a
도포 후 가열 공정은 도포 전 가열 공정과 동일한 조건으로 진행된다. 다만, 도포 후 가열 공정은 도포 전 가열 공정에 비해 낮은 온도로 기판(W)을 가열할 수 있다. The heating process after application is performed under the same conditions as the heating process before application. However, the heating process after application may heat the substrate W at a lower temperature than the heating process before application.
도포 후 가열 공정이 완료되면, 기판(W)은 냉각 플레이트(3240)에 의해 제1위치에서 제2위치로 이동된다. 기판(W)이 냉각 플레이트(3240)에 놓여지는 동안에는 기판(W)의 냉각 처리가 진행된다. 이후 반송 로봇(3422)은 냉각 플레이트(3240)로부터 인수하여 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. When the heating process is completed after application, the substrate W is moved from the first position to the second position by the
보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the
이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the
이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the
다음은 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Next, an example of a conveyance path of the substrate W from the
제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The
이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 노광된 기판을 처리 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the
반송 로봇(3422)은 처리 챔버(3200) 내에 위치된 냉각 플레이트(3240)로 기판(W)을 인계한다. 기판(W)은 냉각 플레이트(3240)에 의해 처리 유닛(800)으로 반송된다. 처리 유닛(800)에는 기판(W)의 현상 전 가열 공정, 현상 공정, 현상 후 가열 공정, 그리고 린스 공정이 순차적으로 수행된다. 도 16은 기판의 현상 전 가열 공정을 보여주는 단면도이고, 도 17은 기판의 현상 공정을 보여주는 단면도이며, 도 18은 기판의 린스 공정을 보여주는 단면도이고, 도 19는 기판의 현상 후 가열 공정을 보여주는 단면도이다. 냉각 플레이트(3240)으로부터 기판(W)이 지지판(832)에 놓여지면 현상 전 가열 공정이 수행된다.The
현상 전 가열 공정이 진행되면, 기판(W)은 정지 상태이고, 히터(862)의 전원(864)은 온(On)되어 기판을 가열한다. 현상 전 가열 공정이 완료되면, 현상 공정이 수행된다.When the heating process before development proceeds, the substrate W is in a stopped state, and the
현상 공정이 진행되면, 기판(W)은 회전된다. 현상 노즐(950)은 공정 위치로 이동되어 기판(W) 상에 현상액을 원형의 스트림 형태로 공급하고, 이후에 액 커튼 형태로 공급한다. 현상 노즐(950)은 원형의 스트림 형태로 현상액을 공급 시 기판(W)의 중심에 현상액을 공급하고, 액 커튼 형태로 현상액을 공급 시 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역으로 이동하면서 현상액을 공급한다. 현상 공정이 완료되면, 린스 공정이 수행된다.When the developing process proceeds, the substrate W is rotated. The developing
린스 공정이 진행되면, 기판(W)은 회전 상태를 유지한다. 린스 노즐(966)은 공정 위치로 이동되어 기판(W) 상에 린스액을 공급한다. 린스액은 기판(W) 상에 잔류된 현상액을 린스 처리한다. 린스 공정이 완료되면, 현상 후 가열 공정을 수행한다.When the rinsing process proceeds, the substrate W is maintained in a rotating state. The rinse
현상 후 가열 공정은 현상 전 가열 공정과 동일한 조건으로 진행된다. 다만, 현상 후 가열 공정은 현상 전 가열 공정과 다른 온도로 기판을 가열할 수 있다. The heating process after development is performed under the same conditions as the heating process before development. However, the heating process after development may heat the substrate at a different temperature than the heating process before development.
현상 후 가열 공정이 완료되면, 냉각 플레이트(3240)는 기판(W)을 기판 지지 유닛(830)에서 제2위치로 이동시킨다. 기판(W)이 냉각 플레이트(3240)에 놓여지는 중에 기판(W)은 냉각 처리된다. 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 처리 챔버(3600)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. When the heating process after development is completed, the
이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the
상술한 실시예에 의하면, 도포 노즐(930)의 토출홀들(932a)은 일 방향을 따라 일렬 또는 복수 열로 배열되는 것으로 설명하였다. 그러나 도포 노즐(930)의 바디(932) 저면은 원형으로 제공되며, 토출홀들(932a)은 원형의 저면에 균일하게 배열될 수 있다.According to the above-described embodiment, it has been described that the discharge holes 932a of the
상술한 기판 처리 장치(1)의 동일한 처리 챔버(3600)에서 도포 공정과 현상 공정이 각각 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 도포 공정과 현상 공정은 서로 다른 처리 챔버(3600)에서 수행될 수 있다. 일 예에 의하면, 도포 공정 전의 제1기판(W)은 처리 챔버들(3600) 중 어느 하나에서 도포 공정을 수행하고, 노광 처리된 제2기판(W)은 상기 어느 하나의 처리 챔버(3600)에서 현상 공정을 수행할 수 있다. 이후 노광 처리된 제1기판(W)은 처리 챔버들 중 다른 하나의 처리 챔버에서 현상 공정을 수행할 수 있다. It has been described that the coating process and the developing process are respectively performed in the
또한 노광 처리된 기판(W)은 처리 챔버들(3600) 중 공정 대기 상태인 처리 챔버(3600)로 반송되어 현상 공정을 수행할 수 있다. 여기서 공정 대기 중인 처리 챔버(3600)는 공정 진행이 수행되고 있지 않은 처리 챔버(3600)로 정의한다.In addition, the exposed substrate W may be conveyed to the
또한 상술한 실시예와 달리, 처리 모듈(30)은 도포 모듈과 현상 모듈을 포함할 수 있다. 도포 모듈과 현상 모듈은 서로 적층되게 위치될 수 있다. Also, unlike the above-described embodiment, the
도포 모듈에는 도포 챔버가 제공되고, 도포 챔버에는 도포 전 가열 공정, 도포 공정, 그리고 도포 후 가열 공정이 수행될 수 있다. 또한 현상 모듈에는 현상 챔버가 제공되고, 현상 챔버에는 현상 전 가열 공정, 현상 공정, 린스 공정, 그리고 현상 후 가열 공정이 수행될 수 있다. An application chamber is provided in the application module, and a heating process before application, an application process, and a heating process after application may be performed in the application chamber. In addition, a developing chamber may be provided in the developing module, and a heating process before development, a developing process, a rinsing process, and a heating process after development may be performed in the developing chamber.
도포 챔버(3600) 및 현상 챔버(3200) 각각은 도 8의 처리 챔버(3600)와 대체로 유사하게 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 그리고 처리 유닛(800)을 포함한다. 다만, 도포 챔버(3600)의 처리 유닛은 도 8의 처리 챔버(3600)에서 현상액 공급 유닛(940) 및 린스액 공급 유닛(960)이 제외된 형상을 가지고, 현상 챔버(3200)의 처리 유닛은 도 8의 처리 챔버(3600)에서 감광액 공급 유닛(920)이 제외된 형상을 가진다. 이로 인해 기판(W)은 도포 모듈에서 도포 공정 및 이에 관련된 가열 공정이 수행되고, 이후에 노광 처리된 후, 현상 모듈(3200)로 반송되어 현상 공정 및 이에 관한 가열 공정이 수행된다Each of the
선택적으로 공정 모듈은 상술한 도포 챔버와 현상 챔버를 포함하고, 반송 챔버(3400)의 일측에는 도포 챔버들이 배열되고, 타측에는 현상 챔버들이 배열되게 위치될 수 있다.Optionally, the process module may include the above-described application chamber and development chamber, and may be positioned such that application chambers are arranged on one side of the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is to illustrate the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the technology or knowledge in the art. The above-described embodiments are to describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.
800: 처리 유닛 830: 기판 지지 유닛
850: 처리 용기 860: 히터 유닛
900: 액 공급 유닛 920: 감광액 공급 유닛
930: 도포 노즐 932: 도포 바디
934: 압전 소자 932a: 토출홀
932b: 메인 유로 932c: 도입 유로800: processing unit 830: substrate support unit
850: processing vessel 860: heater unit
900: liquid supply unit 920: photosensitive liquid supply unit
930: application nozzle 932: application body
934:
932b:
Claims (20)
감광액을 공급하는 도포 노즐을 포함하되,
상기 도포 노즐은,
내부에 감광액이 흐르는 메인 유로가 형성되고, 상기 메인 유로와 연결되어 외부로 감광액이 토출되는 복수의 토출홀이 형성된 바디와;
상기 바디에 설치되며, 상기 메인 유로를 흐르는 감광액이 상기 토출홀을 통해 토출되도록 압력을 인가하는 압전소자를 포함하고,
상기 압전소자는,
상기 토출홀을 통해 상기 기판에 상기 감광액을 잉크젯 방식으로 공급하고,
상기 바디의 내부에는 상기 메인 유로에 연결되는 도입 유로와 상기 도입 유로에 연결되는 복수의 공급 유로들이 더 형성되고,
상기 도입 유로에는 상기 복수의 공급 유로들로부터 서로 다른 종류의 감광액들이 선택적으로 공급되는 액 공급 유닛.In the unit for supplying a photoresist onto a substrate,
Including a coating nozzle for supplying a photoresist,
The application nozzle,
A body having a main flow path through which the photosensitive liquid flows, and a plurality of discharge holes through which the photosensitive liquid is discharged to the outside by being connected to the main flow path;
And a piezoelectric element installed in the body and applying pressure to discharge the photosensitive liquid flowing through the main flow path through the discharge hole,
The piezoelectric element,
Supplying the photoresist to the substrate through the discharge hole in an inkjet method,
An introduction passage connected to the main passage and a plurality of supply passages connected to the introduction passage are further formed inside the body,
A liquid supply unit in which different types of photosensitive liquids are selectively supplied to the introduction passage from the plurality of supply passages.
상기 도입 유로는 상기 메인 유로의 상부에 위치되고, 상기 압전소자는 상기 도입 유로와 상기 메인 유로의 사이에 위치되는 액 공급 유닛.The method of claim 1
The introduction flow path is located above the main flow path, and the piezoelectric element is a liquid supply unit located between the introduction flow path and the main flow path.
상기 바디에는 각각의 상기 공급 유로와 연결되며, 상기 공급 유로 및 상기 도입 유로가 세정되도록 상기 공급 유로에 세정액을 공급하는 복수의 세정액 유로들이 더 형성되는 액 공급 유닛.The method of claim 3,
A liquid supply unit connected to each of the supply flow paths in the body and further comprising a plurality of cleaning liquid flow paths for supplying a cleaning liquid to the supply flow path so that the supply flow path and the introduction flow path are cleaned.
상기 유닛은,
상기 복수의 공급 유로들 및 상기 복수의 세정액 유로들 각각을 개폐하는 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 공급 유로들 중 하나에서 감광액이 공급되고, 다른 하나에서 감광액이 공급되기 전에는 상기 하나에 세정액이 공급되도록 상기 밸브를 제어하는 액 공급 유닛.The method of claim 4,
The unit,
Further comprising a controller for controlling a valve for opening and closing each of the plurality of supply flow paths and the plurality of cleaning liquid flow paths,
The controller is a liquid supply unit configured to control the valve so that a photosensitive liquid is supplied from one of the supply flow paths and a cleaning liquid is supplied to the one before the photosensitive liquid is supplied from the other.
상기 유닛은,
상기 도포 노즐과 기판 간의 상대 위치를 이동시키는 도포 노즐 구동기와;
상기 도포 노즐 구동기 및 상기 도포 노즐을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 감광액이 기판에 공급되는 중에 상기 도포 노즐이 이동되도록 상기 도포 노즐 구동기를 제어하는 액 공급 유닛.The method according to any one of claims 1 and 3 to 4,
The unit,
A coating nozzle driver for moving a relative position between the coating nozzle and the substrate;
Further comprising a controller for controlling the coating nozzle driver and the coating nozzle,
The controller is a liquid supply unit for controlling the coating nozzle driver so that the coating nozzle is moved while the photoresist is supplied to the substrate.
상기 유닛은,
감광액이 공급되기 전에, 기판 상에 웨팅액을 공급하는 웨팅액 노즐과;
상기 웨팅액 노즐을 이동시키며, 상기 제어기에 의해 제어되는 웨팅액 노즐 구동기를 더 포함하되,
상기 제어기는 웨팅액을 기판에 공급되는 중에 상기 웨팅액 노즐의 이동이 정지되도록 상기 웨팅액 노즐 구동기를 제어하는 액 공급 유닛.The method of claim 6,
The unit,
A wetting liquid nozzle for supplying a wetting liquid onto the substrate before the photosensitive liquid is supplied;
Moving the wetting liquid nozzle, further comprising a wetting liquid nozzle driver controlled by the controller,
The controller is a liquid supply unit that controls the wetting liquid nozzle driver so that movement of the wetting liquid nozzle is stopped while the wetting liquid is supplied to the substrate.
기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
기판 상에 감광액을 공급하는 도포 노즐을 가지는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 도포 노즐은,
내부에 감광액이 흐르는 메인 유로가 형성되고, 상기 메인 유로와 연결되어 외부로 감광액이 토출되는 복수의 토출홀이 형성된 바디와;
상기 바디에 설치되며, 상기 메인 유로의 상부에 제공되어 상기 메인 유로를 흐르는 감광액이 상기 토출홀을 통해 토출되도록 압력을 인가하는 압전소자를 포함하고,
상기 압전소자는,
상기 감광액을 상기 토출홀을 통해 상기 기판에 잉크젯 방식으로 공급하고,
상기 바디의 내부에는 상기 메인 유로에 연결되는 도입 유로와 상기 도입 유로에 연결되는 복수의 공급 유로들이 더 형성되고,
상기 도입 유로에는 상기 복수의 공급 유로들로부터 서로 다른 종류의 감광액들이 선택적으로 공급되는 기판 처리 장치.In the apparatus for forming a liquid film on a substrate,
A substrate support unit supporting a substrate;
Comprising a liquid supply unit having a coating nozzle for supplying a photosensitive liquid on the substrate,
The application nozzle,
A body having a main flow path through which the photosensitive liquid flows, and a plurality of discharge holes through which the photosensitive liquid is discharged to the outside by being connected to the main flow path;
A piezoelectric element installed in the body and provided above the main flow path to apply pressure so that the photosensitive liquid flowing through the main flow path is discharged through the discharge hole,
The piezoelectric element,
Supplying the photoresist to the substrate through the discharge hole in an inkjet method,
An introduction passage connected to the main passage and a plurality of supply passages connected to the introduction passage are further formed inside the body,
A substrate processing apparatus in which different types of photoresist are selectively supplied to the introduction passage from the plurality of supply passages.
상기 도입 유로는 상기 메인 유로의 상부에 위치되고, 상기 압전 소자는 상기 도입 유로와 상기 메인 유로의 사이에 위치되는 기판 처리 장치.According to claim 8
The introduction passage is positioned above the main passage, and the piezoelectric element is positioned between the introduction passage and the main passage.
상기 바디에는 각각의 상기 공급 유로와 연결되며, 상기 공급 유로 및 상기 도입 유로가 세정되도록 상기 공급 유로에 세정액을 공급하는 복수의 세정액 유로들이 더 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The substrate processing apparatus further includes a plurality of cleaning liquid flow paths connected to each of the supply flow paths in the body and supplying a cleaning liquid to the supply flow path so that the supply flow path and the introduction flow path are cleaned.
상기 액 공급 유닛은,
상기 복수의 공급 유로들 및 상기 복수의 세정액 유로들 각각을 개폐하는 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 공급 유로들 중 하나에서 감광액이 공급되고, 다른 하나에서 감광액이 공급되기 전에는 상기 하나에 세정액이 공급되도록 상기 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The liquid supply unit,
Further comprising a controller for controlling a valve for opening and closing each of the plurality of supply flow paths and the plurality of cleaning liquid flow paths,
The controller controls the valve so that a photosensitive liquid is supplied from one of the supply passages and a cleaning liquid is supplied to the one before the photosensitive liquid is supplied from the other.
상기 액 공급 유닛은,
상기 도포 노즐과 기판 간의 상대 위치를 이동시키는 도포 노즐 구동기와;
상기 도포 노즐 구동기 및 상기 도포 노즐을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 감광액이 기판에 공급되는 중에 상기 도포 노즐이 이동되도록 상기 도포 노즐 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 8 and 10 to 11,
The liquid supply unit,
A coating nozzle driver for moving a relative position between the coating nozzle and the substrate;
Further comprising a controller for controlling the coating nozzle driver and the coating nozzle,
The controller controls the coating nozzle driver to move the coating nozzle while the photoresist is supplied to the substrate.
상기 제어기는 감광액이 기판에 공급되는 중에 기판의 회전이 정지되도록 상기 기판 지지 유닛을 더 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 13,
The controller further controls the substrate support unit so that rotation of the substrate is stopped while the photoresist is supplied to the substrate.
상기 장치는,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 현상액을 공급하는 현상 노즐을 가지는 현상액 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 13,
The device,
A substrate processing apparatus further comprising a developer supply unit having a developing nozzle for supplying a developer onto a substrate supported by the substrate support unit.
상기 기판 상에 감광액을 도포하는 도포 단계를 포함하되,
상기 감광액이 토출되는 바디는 내부에 상기 감광액이 흐르는 메인 유로와 상기 메인 유로로부터 연장되어 상기 감광액이 토출되는 복수의 토출홀들이 형성되고,
상기 도포 단계에서,
상기 감광액은,
상기 바디에 설치되며, 상기 메인 유로의 상부에 제공되어 상기 메인 유로를 흐르는 감광액이 상기 토출홀을 통해 토출되도록 압력을 인가하는 압전소자를 통해 잉크젯 방식으로 상기 기판에 공급되며,
상기 바디의 내부에는 서로 다른 종류의 감광액들이 선택적으로 도입되며 상기 서로 다른 종류의 감광액들은 상기 바디에 연결된 복수의 공급 유로들에 의해 선택적으로 공급되는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
Including a coating step of applying a photosensitive solution on the substrate,
The body from which the photosensitive liquid is discharged has a main flow path through which the photosensitive liquid flows and a plurality of discharge holes extending from the main flow path through which the photosensitive liquid is discharged,
In the application step,
The photoresist is,
It is installed in the body and is supplied to the substrate in an inkjet manner through a piezoelectric element that is provided above the main flow path and applies pressure so that the photosensitive liquid flowing through the main flow path is discharged through the discharge hole,
Different types of photoresists are selectively introduced into the body, and the different types of photoresists are selectively supplied by a plurality of supply passages connected to the body.
상기 서로 다른 종류의 감광액들은 상기 바디에 연결된 복수의 공급 유로들에 의해 선택적으로 공급되고,
상기 도포 단계 이후에는, 상기 복수의 공급 유로들 중 선택적으로 상기 감광액이 공급된 공급 유로에 세정액을 공급하여 상기 공급 유로 및 상기 바디의 내부를 세정하는 세정 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The different types of photoresists are selectively supplied by a plurality of supply flow paths connected to the body,
After the applying step, the substrate processing method further comprising a cleaning step of cleaning the inside of the supply channel and the body by supplying a cleaning solution to a supply channel selectively supplied with the photosensitive solution among the plurality of supply channels.
상기 도포 단계에는 상기 기판의 회전이 정지되는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 16 or 18,
The substrate processing method in which the rotation of the substrate is stopped in the coating step.
상기 도포 단계에는 상기 감광액을 공급하는 도포 노즐과 상기 기판의 상대 위치가 변경되도록 상기 도포 노즐을 이동시키는 기판 처리 방법.
The method of claim 19,
In the coating step, the coating nozzle is moved so that the relative position of the coating nozzle for supplying the photoresist and the substrate is changed.
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