KR20220060027A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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heat treatment
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안영서
백혜빈
이정현
이정열
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate treatment apparatus. A substrate treatment apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process treatment module; and a controller for controlling the process treatment module. The process treatment module includes a plurality of process chambers including a heat treatment chamber having a heating unit therein. The controller has a heating unit to perform a first treatment step for performing heat treatment on the substrate on which a pattern is formed at a first temperature for a first time in a heat treatment chamber and then performing a second heat treatment step for performing heat treatment on the substrate at a second temperature for a second time. The first temperature may be different from the second temperature.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 액처리 및 열처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for liquid treatment and heat treatment of a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중에는 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 공정이나 도포 공정이 있다. 일반적으로 증착 공정은 기판 상에 공정 가스를 증착하여 기판 상에 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 기판의 중심에 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정이다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, a deposition process or a coating process is a process for forming a film on a substrate. In general, the deposition process is a process of forming a film on the substrate by depositing a process gas on the substrate, and the coating process is a process of forming a liquid film by supplying a treatment solution to the center of the substrate.

예컨대, 증착 공정에는 기판 상으로 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane,HMDS)가스를 공급하여 기판 상에 포토 레지스트의 부착률을 향상시키는 공정이 있다. 또한, 도포 공정에는 기판 상에 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On hard mask) 또는 포토 레지스트를 공급하는 공정이 있다.For example, in the deposition process, there is a process of improving the adhesion rate of the photoresist on the substrate by supplying hexamethyldisilazane (HMDS) gas onto the substrate. In addition, in the coating process, there is a process of supplying a spin-on hard mask (SOH) or photoresist on the substrate.

다만, 증착 공정이나 도포 공정 이전에 진행된 공정에 의해 기판 상에 수분 등의 잔여물이 존재한다. 이와 같은 잔여물은 증착 공정이나 도포 공정 시에 기판에 결함을 야기하는 문제가 있다.However, residues such as moisture exist on the substrate due to a process performed before the deposition process or the application process. Such residues have a problem of causing defects in the substrate during the deposition process or the coating process.

본 발명은 기판 상에 액을 도포하는 액처리 공정 또는 기판을 열처리하는 열처리 공정 이전에 기판에 잔류하는 잔여물을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of removing residues remaining on a substrate prior to a liquid treatment process of applying a liquid on a substrate or a heat treatment process of heat treating the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 공정 처리 모듈; 그리고 공정 처리 모듈을 제어하는 제어기를 포함하되, 공정 처리 모듈은, 내부에 가열 유닛을 가지는 열처리 챔버를 포함하는 복수의 공정 챔버를 포함하고, 제어기는, 패턴이 형성된 기판을 열처리 챔버 내에서 제1온도로 제1시간 동안 열처리하는 제1 열처리 단계를 수행한 이후에 제2온도로 제2시간 동안 열처리하는 제2 열처리 단계를 수행하도록 가열 유닛을 제어하고, 제1온도와 제2온도는 상이하게 제공될 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate. According to an embodiment, a substrate processing apparatus may include a process processing module; and a controller for controlling the process processing module, wherein the process processing module includes a plurality of process chambers including a heat treatment chamber having a heating unit therein, and the controller is configured to heat the substrate on which the pattern is formed in the first heat treatment chamber. After performing the first heat treatment step of heat treatment at the temperature for a first time, the heating unit is controlled to perform a second heat treatment step of heat treatment at a second temperature for a second time, the first temperature and the second temperature are different can be provided.

일 실시 예에 의하면, 제1온도는 제2온도보다 낮게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first temperature may be provided to be lower than the second temperature.

일 실시 예에 의하면, 제1시간은 제2시간보다 짧은 시간으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first time may be provided as a shorter time than the second time.

일 실시 예에 의하면, 열처리 챔버는 열처리 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고 제어기는 제2 열처리 단계에서 가스 공급 유닛이 열처리 챔버 내로 가스를 공급하도록 가스 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the heat treatment chamber may include a gas supply unit for supplying gas into the heat treatment chamber, and the controller may control the gas supply unit so that the gas supply unit supplies gas into the heat treatment chamber in the second heat treatment step.

일 실시 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane,HMDS)가스로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the gas may be provided as a hexamethyldisilazane (HMDS) gas.

일 실시 예에 의하면, 공정 처리 모듈은, 공정 챔버 간에 기판을 반송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 더 포함하고, 공정 챔버는 액처리 챔버를 더 포함하되, 제어기는, 제1 열처리 단계와 제2 열처리 단계 사이에, 액처리 챔버에서 기판에 액을 공급하여 액처리하는 액처리 단계를 수행하도록 공정 처리 모듈을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the process processing module further includes a transfer chamber provided with a main robot for transferring substrates between process chambers, wherein the process chamber further includes a liquid processing chamber, wherein the controller includes: the first heat treatment step and the second heat treatment step; Between the heat treatment steps, the process processing module may be controlled to perform a liquid treatment step of supplying a liquid to the substrate in the liquid treatment chamber to perform liquid treatment.

일 실시 예에 의하면, 액은 스핀 온 하드마스크(SOH: Spin-On hard mask)액으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the liquid may be provided as a spin-on hard mask (SOH) liquid.

일 실시 예에 의하면, 액은 포토레지스트(PR: Photo Resist)로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the liquid may be provided as a photoresist (PR).

일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에서 기판을 가열 처리하는 열처리 챔버와; 열처리 챔버를 제어하는 제어기를 포함하고, 열처리 챔버는, 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와; 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛을 포함하고, 제어기는, 패턴이 형성된 기판을 처리 공간 내에서 제1온도로 제1시간 동안 열처리하는 제1 열처리 단계를 수행한 이후에 제2온도로 제2시간 동안 열처리하는 제2 열처리 단계를 수행하도록 가열 유닛을 제어하고, 제1온도는 제2온도와 상이하게 제공될 수 있다.According to an embodiment, a substrate processing apparatus includes: a heat treatment chamber configured to heat a substrate therein; a controller for controlling the heat treatment chamber, the heat treatment chamber comprising: a process chamber having an upper body and a lower body having a processing space therein; a gas supply unit supplying gas to the processing space; a support unit positioned in the processing space and supporting the substrate; a heating unit provided to heat the substrate placed on the support unit; The heating unit may be controlled to perform a second heat treatment step of heat treatment for a second time period, and the first temperature may be provided to be different from the second temperature.

일 실시 예에 의하면, 제1온도는 제2온도 보다 낮게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first temperature may be provided to be lower than the second temperature.

일 실시 예에 의하면, 제1시간은 제2시간보다 짧은 시간으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first time may be provided as a shorter time than the second time.

일 실시 예에 의하면, 제어기는 제2 열처리 단계에서 가스 공급 유닛이 열처리 챔버 내로 가스를 공급하도록 가스 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the gas supply unit so that the gas supply unit supplies gas into the heat treatment chamber in the second heat treatment step.

일 실시 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane,HMDS)가스로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the gas may be provided as a hexamethyldisilazane (HMDS) gas.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시예에서 기판 처리 방법은, 패턴이 형성된 기판을 열처리 챔버 내에서 제1온도로 제1시간 동안 열처리하는 제1 열처리 단계와; 제1 열처리 단계 이후에 열처리 챔버 내에서 기판을 제2온도로 제2시간 동안 열처리하는 제2 열처리 단계를 포함하고, 제1온도와 제2온도는 상이하게 제공될 수 있다.The present invention also provides a method for processing a substrate. In one embodiment, a substrate processing method includes: a first heat treatment step of heat-treating a substrate on which a pattern is formed at a first temperature for a first time in a heat treatment chamber; A second heat treatment step of heat-treating the substrate at a second temperature for a second time in the heat treatment chamber after the first heat treatment step, the first temperature and the second temperature may be provided differently.

일 실시 예에 의하면, 제1온도는 제2온도보다 낮게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first temperature may be provided to be lower than the second temperature.

일 실시 예에 의하면, 제1시간은 제2시간보다 짧은 시간으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first time may be provided as a shorter time than the second time.

일 실시 예에 의하면, 제2 열처리 단계에서, 열처리 챔버 내로 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane,HMDS)가스가 공급될 수 있다.According to an embodiment, in the second heat treatment step, a hexamethyl disilazane (HMDS) gas may be supplied into the heat treatment chamber.

일 실시 예에 의하면, 제1 열처리 단계와 제2 열처리 단계 사이에, 기판에 액을 공급하여 액처리하는 액처리 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, between the first heat treatment step and the second heat treatment step, a liquid treatment step of supplying a liquid to the substrate for liquid treatment may be further included.

일 실시 예에 의하면, 액은 스핀 온 하드마스크(SOH: Spin-On hard mask)액으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the liquid may be provided as a spin-on hard mask (SOH) liquid.

일 실시 예에 의하면, 액은 포토레지스트(PR: Photo Resist)로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the liquid may be provided as a photoresist (PR).

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 액을 도포하는 액처리 공정 또는 기판을 열처리하는 열처리 공정 이전에 기판에 잔류하는 잔여물을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.According to one embodiment of the present invention, it is to provide a substrate processing apparatus and method capable of removing residues remaining on a substrate before a liquid treatment process of applying a liquid on a substrate or a heat treatment process of heat treating the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3은 도 1의 열처리 챔버를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 열처리 챔버를 상부에서 바라본 평면도이다.
도 5는 3의 열처리 챔버를 정면에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 5의 가열 유닛을 정면에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 1의 액처리 챔버를 정면에서 바라본 단면도이다.
도 8은 도 1의 액처리 챔버를 상부에서 바라본 평면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 10 내지 도 12는 각각 본 발명의 기판 처리 방법에 따른 기판 처리 공정이 수행된 기판을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing facility of FIG. 1 as viewed in a direction AA.
3 is a perspective view illustrating the heat treatment chamber of FIG. 1 ;
4 is a plan view of the heat treatment chamber of FIG. 3 viewed from above.
5 is a cross-sectional view of the heat treatment chamber 3 as viewed from the front.
6 is a cross-sectional view of the heating unit of FIG. 5 viewed from the front;
7 is a cross-sectional view of the liquid processing chamber of FIG. 1 viewed from the front.
FIG. 8 is a plan view of the liquid processing chamber of FIG. 1 as viewed from above.
9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
10 to 12 are cross-sectional views each showing a substrate on which a substrate processing process according to the substrate processing method of the present invention is performed.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시 예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 처리액을 공급하여 액막을 형성하는 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시 예의 설비는 기판을 회전시키고 기판의 중심으로 처리액을 공급하여 액을 형성하는 공정을 수행하는데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 평판 표시 패널, 포토 마스크 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. 또한, 이와 달리, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 기판에 액막을 형성하는 다양한 설비에 적용될 수 있다.The equipment of this embodiment is used to perform a process of forming a liquid film by supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment is used to rotate the substrate and perform a process of forming a liquid by supplying a treatment liquid to the center of the substrate. Hereinafter, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example. However, the substrate may be various types of substrates, such as a flat panel display panel and a photo mask, in addition to the semiconductor wafer. Also, unlike this, the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention may be applied to various facilities for forming a liquid film on a substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10), 공정 처리 모듈(20) 및 제어기(30)를 포함한다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the substrate processing facility of FIG. 1 as viewed from the direction A-A. 1 and 2 , the substrate processing facility 1 includes an index module 10 , a process processing module 20 , and a controller 30 . The index module 10 has a load port 120 and a transport frame 140 . The load port 120 , the transfer frame 140 , and the process processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the load port 120 , the transfer frame 140 , and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 , and when viewed from the top, is perpendicular to the first direction 12 . The direction is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납되는 용기로 제공되는 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier 18 provided as a container in which the substrate W is accommodated is seated on the load port 120 . A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14 . The number of load ports 120 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the process processing module 20 . A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 18 for accommodating the substrates W in a horizontally arranged state with respect to the ground. As the carrier 18 , a Front Opening Unifed Pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240) 및 복수개의 공정 챔버(260, 280)를 가진다. 공정 챔버는 액처리 챔버(260) 및 열처리 챔버(280)를 포함한다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 액처리 챔버들(260)이 배치되고, 타측에는 열처리 챔버(280)들이 배치된다. 액처리 챔버들(260) 및 열처리 챔버(280)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 액처리 챔버들(260)이 제공된다. 액처리 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 액처리 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액처리 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액처리 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 액처리 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 액처리 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액처리 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.The process module 20 includes a buffer unit 220 , a transfer chamber 240 , and a plurality of process chambers 260 and 280 . The process chamber includes a liquid processing chamber 260 and a heat treatment chamber 280 . The transfer chamber 240 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . Liquid processing chambers 260 are disposed on one side of the transfer chamber 240 , and heat treatment chambers 280 are disposed on the other side of the transfer chamber 240 . The liquid processing chambers 260 and the heat treatment chambers 280 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240 . A plurality of liquid processing chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240 . Some of the liquid processing chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240 . Also, some of the liquid processing chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, the liquid processing chambers 260 may be arranged in an A X B arrangement on one side of the transfer chamber 240 . Here, A is the number of liquid processing chambers 260 provided in a line along the first direction 12 , and B is the number of liquid processing chambers 260 provided in a line along the third direction 16 . When four or six liquid processing chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 , the liquid processing chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2 . The number of liquid processing chambers 260 may increase or decrease.

일 실시 예에 따르면, 액처리 챔버(260)는 제 1 챔버(260a) 및 제 2 챔버(260b)를 포함한다. 이 경우, 제 1 챔버(260a) 및 제 2 챔버(260b)는 각각 복수개가 제 1 방향(12)으로 배열되게 제공된다. 제 1 챔버(260a) 및 제 2 챔버(260b)는 서로 적층되게 제공되고, 제 1 챔버(260a)는 제 2 챔버(260b)의 위에 제공될 수 있다. 이와 달리, 선택적으로 제 2 챔버(260b)는 제 1 챔버(260a)의 위에 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 액처리 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 챔버(260a) 및 제 2 챔버(260b)는 서로 동일한 높이에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the liquid processing chamber 260 includes a first chamber 260a and a second chamber 260b. In this case, a plurality of the first chamber 260a and the second chamber 260b are provided to be arranged in the first direction 12 , respectively. The first chamber 260a and the second chamber 260b may be provided to be stacked on each other, and the first chamber 260a may be provided above the second chamber 260b. Alternatively, the second chamber 260b may optionally be provided above the first chamber 260a. Unlike the above, the liquid processing chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240 . In this case, the first chamber 260a and the second chamber 260b may be provided at the same height.

이송 챔버(240)의 타측에는 복수 개의 열처리 챔버들(280)이 제공된다. 열처리 챔버(280)는 액처리 챔버(260)보다 많은 수로 제공될 수 있다. 열처리 챔버들(280) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 열처리 챔버들(280) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 타측에는 열처리 챔버들(280)이 C X D의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 C는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 열처리 챔버(280)의 수이고, D는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 열처리 챔버(280)의 수이다. 이송 챔버(240)의 타측에 열처리 챔버(280)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 열처리 챔버들(280)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 열처리 챔버(280)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 챔버(260a) 및 제 2 챔버(260b)가 도 1 및 2와 같이 제공된 경우, 열처리 챔버(280)의 일부는 제 1 챔버(260a)로부터 제 2 방향에 위치되고 제 1 방향을 따라 배열된다. 열처리 챔버(280)의 다른 일부는 제 2 챔버(260b)로부터 제 2 방향에 위치되고 제 1 방향을 따라 배열된다. 따라서, 열처리 챔버의 일부와 제 1 챔버(260a)의 사이 및 열처리 챔버(280)의 다른 일부와 제 2 챔버(260b)의 사이에는 이송 챔버(240)가 위치된다. 상술한 바와 달리, 열처리 챔버들(280)은 단층으로 제공될 수 있다.A plurality of heat treatment chambers 280 are provided on the other side of the transfer chamber 240 . The heat treatment chamber 280 may be provided in a greater number than the liquid treatment chamber 260 . Some of the heat treatment chambers 280 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240 . In addition, some of the heat treatment chambers 280 are disposed to be stacked on each other. That is, the heat treatment chambers 280 may be arranged in a C X D arrangement on the other side of the transfer chamber 240 . Here, C is the number of heat treatment chambers 280 provided in a line along the first direction 12 , and D is the number of heat treatment chambers 280 provided in a line along the third direction 16 . When four or six heat treatment chambers 280 are provided on the other side of the transfer chamber 240 , the heat treatment chambers 280 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2 . The number of the heat treatment chambers 280 may be increased or decreased. According to an embodiment, when the first chamber 260a and the second chamber 260b are provided as in FIGS. 1 and 2 , a part of the heat treatment chamber 280 is located in the second direction from the first chamber 260a and arranged along the first direction. Another part of the heat treatment chamber 280 is located in the second direction from the second chamber 260b and is arranged along the first direction. Accordingly, the transfer chamber 240 is positioned between a portion of the heat treatment chamber and the first chamber 260a and between another portion of the heat treatment chamber 280 and the second chamber 260b. Unlike the above, the heat treatment chambers 280 may be provided in a single layer.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240 . The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 . A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided in the buffer unit 220 . A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16 . A surface of the buffer unit 220 facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are open.

이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144 . The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14 . The index robot 144 transfers the substrate W between the carrier 18 seated on the load port 120 and the buffer unit 220 . The index robot 144 is installed on the index rail 142 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 142 . The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142 . The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 . Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18 , and the other part of the index arms 144c is used for transferring the substrate W from the carrier 18 to the process processing module 20 . ) can be used to return This may prevent the particles generated from the substrate W before the process from adhering to the substrate W after the process in the process of the index robot 144 loading and unloading the substrate W.

이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 메인 로봇(244)은 버퍼 유닛(220), 제 1 챔버(260a), 제 2 챔버(260b), 열처리 챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244 . The main robot 244 transfers the substrate W between the buffer unit 220 , the first chamber 260a , the second chamber 260b , and the heat treatment chamber 280 . The guide rail 242 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242 . The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242 . The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 .

액처리 챔버(260)에서는 기판(W) 상에 막을 형성하는 막 형성 공정이 수행된다. 액처리 챔버(260) 중 일부는 서로 동일한 구조 및 구성을 가진다. 다만, 액처리 챔버(260)는 수행하는 막 형성 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액처리 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액처리 챔버(260)의 구성 및 구조는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 액처리 챔버(260)의 구성 및 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.In the liquid processing chamber 260 , a film forming process of forming a film on the substrate W is performed. Some of the liquid processing chambers 260 have the same structure and configuration. However, the liquid processing chamber 260 may have a different structure depending on the type of the film forming process to be performed. Optionally, the liquid processing chambers 260 are divided into a plurality of groups, so that the configuration and structure of the liquid processing chamber 260 belonging to the same group are the same as that of the liquid processing chamber 260 belonging to different groups, and The structures may be provided differently from each other.

일 실시 예에 따르면, 제 1 챔버(260a)와 제2 챔버(260b)는 각각 다른 액처리 단계를 수항한다. 일 예에서, 제 1 챔버(260a)와 제2 챔버(260b)는 각각 다른 액을 기판 상으로 공급할 수 있다. 예를 들면, 제 1 챔버(260a)는 기판(W) 상으로 스핀 온 하드마스크(Spin-On Hard mask)액을 공급하고, 제2 챔버(260b)는 기판(W) 상으로 포토 레지스트(PR: Photo Resist) 등의 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로, 제 1 챔버(260a)와 제2 챔버(260b)는 같은 액을 공급하되, 각 액의 성분비가 상이하게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first chamber 260a and the second chamber 260b each undergo different liquid processing steps. In an example, the first chamber 260a and the second chamber 260b may supply different liquids onto the substrate. For example, the first chamber 260a supplies a spin-on hard mask liquid onto the substrate W, and the second chamber 260b supplies a photoresist PR onto the substrate W. : Photoresist) can be supplied. Optionally, the first chamber 260a and the second chamber 260b may supply the same liquid, but the component ratio of each liquid may be different.

각각의 열처리 챔버(280)는 동일한 구조를 가진다. 다만, 열처리 챔버(280)는 수행하는 막 형성 공정의 종류 또는 각 챔버(810)의 높이 차이로 인한 배기량의 차이에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로, 열처리 챔버(280)들은 복수개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 열처리 챔버(280)로 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이하게 제공될 수 있다. 열처리 챔버(280)는 기판(W)을 소정의 온도로 가열하는 열처리 공정을 수행하고, 각각의 열처리 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있다.Each heat treatment chamber 280 has the same structure. However, the heat treatment chamber 280 may have a different structure depending on the type of the film forming process to be performed or the difference in exhaust amount due to the difference in height of each chamber 810 . Optionally, the heat treatment chambers 280 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing apparatuses provided to the heat treatment chamber 280 belonging to the same group are identical to each other, and the substrate processing apparatuses provided to the heat treatment chamber 280 belonging to different groups. may be provided differently from each other. The heat treatment chamber 280 may perform a heat treatment process of heating the substrate W to a predetermined temperature, and may perform a cooling process of cooling the substrate W after each heat treatment process.

도 3은 도 1의 열처리 챔버(280)를 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 열처리 챔버(280)를 상부에서 바라본 평면도이고, 도 5는 3의 열처리 챔버(280)를 정면에서 바라본 단면도이다. 도 3 내지 도 5을 참조하면, 열처리 챔버(280)는 하우징(1100), 반송 유닛(1200), 가열 유닛(1300) 그리고 냉각 유닛(1400)을 포함한다.3 is a perspective view showing the heat treatment chamber 280 of FIG. 1 , FIG. 4 is a plan view of the heat treatment chamber 280 of FIG. 3 viewed from the top, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the heat treatment chamber 280 of FIG. 3 from the front . 3 to 5 , the heat treatment chamber 280 includes a housing 1100 , a transfer unit 1200 , a heating unit 1300 , and a cooling unit 1400 .

하우징(1100)은 베이크 공정과 같은 처리가 이루어지도록 내부에 처리 공간을 제공한다. 하우징(1100)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 제1측벽(1111), 제2측벽(1112), 제3측벽(1113) 그리고 제4측벽(1114)을 포함한다.The housing 1100 provides a processing space therein so that processing such as a baking process is performed. The housing 1100 is provided in a rectangular parallelepiped shape. The housing 100 includes a first sidewall 1111 , a second sidewall 1112 , a third sidewall 1113 , and a fourth sidewall 1114 .

제1측벽(1111)은 하우징(1100)의 일측면에 제공된다. 제1측벽(1111)에는 기판(W)이 출입되는 출입구(1116)가 형성된다. 출입구(1116)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다. 제2측벽(1112)은 제1측벽(1111)의 반대편에 형성된다. 제2측벽(1112)은 제1측벽(1111)과 평행하게 제공된다. 제3측벽(1113)은 제1측벽(1111)과 제2측벽(1112) 사이에 제공된다. 제3측벽(1113)은 제1측벽(1111)과 제2측벽(1112) 각각에 수직하게 제공된다. 제4측벽(1114)은 제1측벽(111)과 제2측벽(1112) 사이에 제공된다. 제4측벽(1114)은 제1측벽(1111)과 제3측벽(1113) 각각에 수직하게 제공된다. 제4측벽(1114)은 제3측벽(1113)과 평행하게 제공된다.The first side wall 1111 is provided on one side of the housing 1100 . An entrance 1116 through which the substrate W enters and exits is formed in the first sidewall 1111 . The entrance 1116 provides a passage through which the substrate W moves. The second sidewall 1112 is formed opposite to the first sidewall 1111 . The second sidewall 1112 is provided parallel to the first sidewall 1111 . A third sidewall 1113 is provided between the first sidewall 1111 and the second sidewall 1112 . The third sidewall 1113 is provided perpendicular to each of the first sidewall 1111 and the second sidewall 1112 . A fourth sidewall 1114 is provided between the first sidewall 111 and the second sidewall 1112 . The fourth sidewall 1114 is provided perpendicular to each of the first sidewall 1111 and the third sidewall 1113 . The fourth sidewall 1114 is provided parallel to the third sidewall 1113 .

반송 유닛(1200)은 하우징(1100) 내에서 가열 유닛(1300)과 냉각 유닛(1400) 간에 기판(W)을 이동시킨다. 일 예에서, 반송 유닛(1200)은 반송 플레이트(1210), 지지암(1220), 지지링(1230), 그리고 구동 부재(1270)를 포함한다. 반송 플레이트(1210)에는 기판(W)이 놓인다. 반송 플레이트(1210)는 원형의 형상으로 제공된다. 반송 플레이트(1210)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 반송 플레이트(1210)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 반송 플레이트(1210)에는 가이드 홀(1250)이 형성된다. 가이드 홀(1250)은 리프트 핀(1315)을 수용하기 위한 공간이다. 가이드 홀(1250)은 반송 플레이트(1210)의 외측으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(1250)은 반송 플레이트(1210)의 이동 시 리프트 핀(1315)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다. 일 예에서, 지지암(1220)은 반송 플레이트(1210)와 고정결합된다. 지지암(1220)은 반송 플레이트(1210)와 구동 부재(1270) 사이에 제공된다. 지지링(1230)은 반송 플레이트(1210) 주위를 감싸며 제공된다. 지지링(1230)은 반송 플레이트(1210)의 가장 자리를 지지한다. 지지링(1230)은 기판(W)이 반송 플레이트(1210)에 놓인 후 기판(W)이 정위치에 놓이도록 기판(W)을 지지하는 역할을 한다. 구동 부재(1270)는 반송 플레이트(1210)를 이송 또는 반송할 수 있도록 한다. 구동 부재(1270)는 반송 플레이트(1210)를 직선 운동 또는 상하 구동할 수 있도록 제공된다.The transfer unit 1200 moves the substrate W between the heating unit 1300 and the cooling unit 1400 in the housing 1100 . In one example, the transfer unit 1200 includes a transfer plate 1210 , a support arm 1220 , a support ring 1230 , and a driving member 1270 . A substrate W is placed on the transfer plate 1210 . The carrying plate 1210 is provided in a circular shape. The transport plate 1210 is provided with the same size as the substrate W. As shown in FIG. The transport plate 1210 is made of a metal material having good thermal conductivity. A guide hole 1250 is formed in the transport plate 1210 . The guide hole 1250 is a space for accommodating the lift pins 1315 . The guide hole 1250 is provided extending from the outside to the inside of the carrying plate 1210 . The guide hole 1250 prevents interference or collision with the lift pin 1315 when the transport plate 1210 moves. In one example, the support arm 1220 is fixedly coupled to the carrying plate 1210 . The support arm 1220 is provided between the carrying plate 1210 and the driving member 1270 . The support ring 1230 is provided to wrap around the carrying plate 1210 . The support ring 1230 supports the edge of the carrying plate 1210 . The support ring 1230 serves to support the substrate W so that the substrate W is placed in the proper position after the substrate W is placed on the transport plate 1210 . The driving member 1270 may transport or transport the transport plate 1210 . The driving member 1270 is provided to linearly or vertically drive the conveying plate 1210 .

가열 유닛(1300)은 기판을 지지하여 기판을 가열한다. 가열 유닛(1300)에 대해서는 후술한다.The heating unit 1300 supports the substrate to heat the substrate. The heating unit 1300 will be described later.

냉각 유닛(1400)은 플레이트(1311) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시키는 역할을 한다. 냉각 유닛(1400)은 하우징(1100)의 내부에 위치한다. 냉각 유닛(1400)은 제2측벽(1112)보다 제1측벽(1111)에 더 인접하게 위치한다. 냉각 유닛(400)은 냉각 플레이트(410)를 포함한다. 냉각 플레이트(1410)는 기판을 냉각한다. 냉각 플레이트(1410)는 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1410)는 기판에 상응하는 크기로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1410)의 내부에에는 냉각 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W)을 냉각할 수 있다. 기판은 반송 플레이트(1210)에 유지된 상태에서 반송The cooling unit 1400 serves to cool the plate 1311 or the processed substrate W. The cooling unit 1400 is located inside the housing 1100 . The cooling unit 1400 is located closer to the first sidewall 1111 than the second sidewall 1112 . The cooling unit 400 includes a cooling plate 410 . The cooling plate 1410 cools the substrate. The cooling plate 1410 may be provided in a circular shape. The cooling plate 1410 may be provided in a size corresponding to the substrate. A cooling passage may be provided inside the cooling plate 1410 . Cooling water may be supplied to the cooling passage to cool the substrate W. The substrate is transported while being held on the transport plate 1210 .

냉각 유닛(1400)은 플레이트(1311) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시키는 역할을 한다. 냉각 유닛(1400)은 하우징(1100)의 내부에 위치한다. 냉각 유닛(1400)은 제2측벽(1112)보다 제1측벽(1111)에 더 인접하게 위치한다. 냉각 유닛(400)은 냉각 플레이트(410)를 포함한다. 냉각 플레이트(1410)는 기판을 냉각한다. 냉각 플레이트(1410)는 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1410)는 기판에 상응하는 크기로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1410)의 내부에에는 냉각 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W)을 냉각할 수 있다. 기판은 반송 플레이트(1210)에 유지된 상태에서 반송 플레이트(1210)가 냉각 플레이트(1410)에 놓이고, 기판이 냉각될 수 있다.The cooling unit 1400 serves to cool the plate 1311 or the processed substrate W. The cooling unit 1400 is located inside the housing 1100 . The cooling unit 1400 is located closer to the first sidewall 1111 than the second sidewall 1112 . The cooling unit 400 includes a cooling plate 410 . The cooling plate 1410 cools the substrate. The cooling plate 1410 may be provided in a circular shape. The cooling plate 1410 may be provided in a size corresponding to the substrate. A cooling passage may be provided inside the cooling plate 1410 . Cooling water may be supplied to the cooling passage to cool the substrate W. In a state in which the substrate is held by the carrier plate 1210 , the carrier plate 1210 is placed on the cooling plate 1410 , and the substrate may be cooled.

도 6은 가열 유닛(1300)의 단면도를 나타낸다. 도 6을 참조하면, 가열 유닛(1300)은 플레이트(1311), 히터(1313), 리프트 핀(1315), 챔버(1310), 구동기(1319) 그리고 가스 공급 유닛(1350)를 포함한다.6 shows a cross-sectional view of the heating unit 1300 . Referring to FIG. 6 , the heating unit 1300 includes a plate 1311 , a heater 1313 , a lift pin 1315 , a chamber 1310 , a driver 1319 , and a gas supply unit 1350 .

플레이트(1311)는 원통형의 형상으로 제공된다. 플레이트(1311)는 열전도도가 좋은 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 플레이트(1311)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 플레이트(1311)의 상부에는 리프트 핀(1315)을 수용하는 핀 홀(미도시)이 형성되어 있다.The plate 1311 is provided in a cylindrical shape. The plate 1311 may be made of a material having good thermal conductivity. For example, the plate 1311 may be made of a metal material. A pin hole (not shown) for accommodating the lift pin 1315 is formed at an upper portion of the plate 1311 .

히터(1313)는 기판(W)을 가열한다. 히터(1313)는 플레이트(1311)의 내부에 제공된다. 예컨대, 히터(1313)는 플레이트(1311) 내에는 히팅 코일로 설치될 수 있다. 이와 달리, 플레이트(1311)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 히터(1313)는 플레이트(1311) 내부에 제공되므로 기판(W)이 가열되기 전에 우선적으로 플레이트(1311)가 가열된다.The heater 1313 heats the substrate W. A heater 1313 is provided inside the plate 1311 . For example, the heater 1313 may be installed as a heating coil in the plate 1311 . Alternatively, heating patterns may be provided on the plate 1311 . Since the heater 1313 is provided inside the plate 1311 , the plate 1311 is preferentially heated before the substrate W is heated.

핀 홀(미도시)은 리프트 핀(1315)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(1315)의 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(미도시)은 플레이트(1311)의 상부에 제공되며, 복수개가 제공될 수 있다.A pin hole (not shown) is provided for a movement path of the lift pin 1315 when the lift pin 1315 moves the substrate W up and down. A pin hole (not shown) is provided on the plate 1311 , and a plurality of pin holes may be provided.

리프트 핀(1315)은 승강 기구(미도시)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(1315)은 기판(W)을 플레이트(1311) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(1315)은 기판(W)을 플레이트(1311)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다.The lift pin 1315 is moved up and down by an elevating mechanism (not shown). The lift pins 1315 may seat the substrate W on the plate 1311 . The lift pins 1315 may lift the substrate W to a position spaced apart from the plate 1311 by a predetermined distance.

챔버(1310)는, 상부 바디(1317)와 하부 바디(1319)를 갖는다. 상부 바디(1317)는 플레이트(1311)의 상부에 위치한다. 상부 바디(1317)와 하부 바디(1319)는 원통형의 형상으로 제공된다. 상부 바디(1317)와 하부 바디(1319)는 조합되어 내부에 처리 공간(1301)을 제공한다. 일 예에서, 상부 바디(1317)와 하부 바디(1319) 사이에 실링 부재(1320)이 제공된다. 이에, 처리 공간(1301) 내에서 기판(W)이 처리될 때, 처리 공간(1301)과 외부가 차단될 수 있도록 한다. 이와 달리, 상부 바디(1317)와 하부 바디(1319)는, 기판(W)이 처리 공간(1301) 내에서 처리될 때, 소정의 간격을 가지도록 제공되고, 상부 바디(1317)와 하부 바디(1319) 사이에는 실링 부재(1320) 대신 에어 커튼을 형성하는 에어 커튼 부재(미도시)가 제공될 수 있다.The chamber 1310 has an upper body 1317 and a lower body 1319 . The upper body 1317 is positioned above the plate 1311 . The upper body 1317 and the lower body 1319 are provided in a cylindrical shape. The upper body 1317 and the lower body 1319 are combined to provide a processing space 1301 therein. In one example, a sealing member 1320 is provided between the upper body 1317 and the lower body 1319 . Accordingly, when the substrate W is processed in the processing space 1301 , the processing space 1301 and the outside may be blocked. In contrast, the upper body 1317 and the lower body 1319 are provided to have a predetermined distance when the substrate W is processed in the processing space 1301 , and the upper body 1317 and the lower body 1317 and the lower body ( An air curtain member (not shown) for forming an air curtain instead of the sealing member 1320 may be provided between 1319 .

일 예에서, 상부 바디(1317)는 기판(W)이 플레이트(1311)로 이동시 구동기(1319)에 의해 플레이트(1311)의 상부로 이동한다. 상부 바디(1317)는 기판(W)이 플레이트(1311)에 의해 가열 시 구동기(1319)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 가열 공간을 형성한다.In one example, the upper body 1317 moves to the upper portion of the plate 1311 by the driver 1319 when the substrate W moves to the plate 1311 . When the substrate W is heated by the plate 1311 , the upper body 1317 moves downward by the driver 1319 to form a heating space in which the substrate W is heated.

구동기(1319)는 지지부(1318)에 의해 상부 바디(1317)와 고정 결합된다. 구동기(1319)는 기판(W)의 플레이트(1311)로 이송 또는 반송되는 경우 상부 바디(1317)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(1319)는 실린더 구동기로 제공될 수 있다.The actuator 1319 is fixedly coupled to the upper body 1317 by the support 1318 . The driver 1319 elevates the upper body 1317 up and down when it is transferred or conveyed to the plate 1311 of the substrate W. For example, the actuator 1319 may be provided as a cylinder actuator.

가스 공급 유닛(1350)은 처리 공간(1301) 내에 위치한 기판(W)으로 가스를 공급한다. 가스는 기판(W)의 가열 중에 처리 공간(1301)으로 공급되어 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane, HMDS) 가스일 수 있다. HMDS 가스는 기판(W)의 성질은 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 일 예에서, HMDS 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 제공될 수 있다. 일 예에서, 캐리어 가스는 불활성 가스로 제공될 수 있다. 예컨대, 불활성 가는 질소일 수 있다.The gas supply unit 1350 supplies a gas to the substrate W located in the processing space 1301 . The gas may be supplied to the processing space 1301 while the substrate W is heated to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilazane (HMDS) gas. The HMDS gas can change the properties of the substrate W from hydrophilic to hydrophobic. In one example, the HMDS gas may be provided mixed with a carrier gas. In one example, the carrier gas may be provided as an inert gas. For example, the inert gas may be nitrogen.

가스 공급 유닛(1350)은 가스 공급관(1352)과 가스 공급 라인(1354)을 포함한다. 일 예에서, 가스 공급관(1352)은 상부 바디(1317)의 중앙영역에 연결된다. 가스 공급관(1352)은 가스 공급 라인(1354)에서 전달된 가스를 기판(W)으로 공급한다. 가스 공급관(1352)에 가스 공급 위치는 기판(W)의 중앙 상부 영역과 대향되게 위치한다.The gas supply unit 1350 includes a gas supply pipe 1352 and a gas supply line 1354 . In one example, the gas supply pipe 1352 is connected to the central region of the upper body 1317 . The gas supply pipe 1352 supplies the gas transferred from the gas supply line 1354 to the substrate W. A gas supply position to the gas supply pipe 1352 is opposite to the central upper region of the substrate W.

도면에 도시되지는 않았으나, 가열 유닛(1300)은 처리 공간(1301)을 배기하는 배기 유닛을 더 포함할 수 있다.Although not shown in the drawings, the heating unit 1300 may further include an exhaust unit evacuating the processing space 1301 .

상술한 예와 달리, 가열 유닛(1300)에는 가스 공급 유닛(1350)이 제공되지 않을 수 있다.Unlike the above-described example, the heating unit 1300 may not be provided with the gas supply unit 1350 .

도 7은 도 1의 액처리 챔버(260)를 정면에서 바라본 단면도이고, 도 8은 도 1의 액처리 챔버(260)를 상부에서 바라본 평면도이다. 액처리 챔버(260)는 제 1 챔버(260a) 또는 제 2 챔버(260b)일 수 있다. 제 1 챔버(260a) 및 제 2 챔버(260b)는 공급하는 액의 종류를 제외하고는 그 구성 및 구조가 동일하게 제공될 수 있다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 액처리 챔버(260)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(920)을 포함한다.7 is a cross-sectional view of the liquid processing chamber 260 of FIG. 1 viewed from the front, and FIG. 8 is a plan view of the liquid processing chamber 260 of FIG. 1 viewed from above. The liquid processing chamber 260 may be a first chamber 260a or a second chamber 260b. The first chamber 260a and the second chamber 260b may have the same configuration and structure, except for the type of liquid to be supplied. 7 and 8 , the liquid processing chamber 260 includes a housing 810 , an airflow providing unit 820 , a substrate support unit 830 , a processing vessel 850 , an elevation unit 890 , and a liquid supply unit. (920).

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810 . The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is performed, the door closes the opening to seal the inner space 812 of the housing 810 . An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810 . The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816 . According to an example, the airflow provided in the processing vessel 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814 , and the airflow provided outside the processing vessel 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816 .

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 820 forms a descending airflow in the inner space of the housing 810 . The airflow providing unit 820 includes an airflow supplying line 822 , a fan 824 , and a filter 826 . An airflow supply line 822 is connected to the housing 810 . The airflow supply line 822 supplies external air to the housing 810 . The filter 826 filters 826 the air provided from the airflow supply line 822 . The filter 826 removes impurities contained in the air. The fan 824 is installed on the upper surface of the housing 810 . A fan 824 is located in a central region on the top surface of the housing 810 . The fan 824 forms a downdraft in the interior space of the housing 810 . When air is supplied to the fan 824 from the airflow supply line 822 , the fan 824 supplies air in a downward direction.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832) 및 회전 구동 부재(834,836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.The substrate support unit 830 supports the substrate W in the inner space of the housing 810 . The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a spin chuck 832 and rotation driving members 834 and 836 . The spin chuck 832 serves as a substrate support member 832 for supporting a substrate. The spin chuck 832 is provided to have a circular plate shape. The substrate W is in contact with the upper surface of the spin chuck 832 . The spin chuck 832 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. According to an example, the spin chuck 832 may chuck the substrate W by vacuum sucking the substrate W. Optionally, the spin chuck 832 may be provided as an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. Also, the spin chuck 832 may chuck the substrate W with a physical force.

회전 구동 부재(834,836)는 회전축(834) 및 구동기(836)을 포함한다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation drive members 834 and 836 include a rotation shaft 834 and a driver 836 . The rotation shaft 834 supports the spin chuck 832 under the spin chuck 832 . The rotation shaft 834 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the vertical direction. The rotating shaft 834 is provided to be rotatable about its central axis. The actuator 836 provides a driving force to rotate the rotation shaft 834 . For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotation speed of the rotation shaft.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. 내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 액 공급 유닛(920)으로부터 공급된 액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.The processing vessel 850 is located in the interior space 812 of the housing 810 . The processing vessel 850 provides a processing space therein. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862 . The inner cup 852 is provided in a circular plate shape surrounding the rotation shaft 834 . When viewed from above, the inner cup 852 is positioned to overlap the inner vent 814 . When viewed from above, the upper surface of the inner cup 852 is provided such that its outer and inner regions are respectively inclined at different angles. According to an example, the outer region of the inner cup 852 faces a downward sloping direction as it moves away from the substrate support unit 830 , and the inner region of the inner cup 852 faces an upward sloping direction as it moves away from the substrate support unit 830 . provided to do A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. An area outside the upper surface of the inner cup 852 is provided to be rounded. The upper surface outer region of the inner cup 852 is provided concave downwards. An area outside the upper surface of the inner cup 852 may be provided as an area through which the liquid supplied from the liquid supply unit 920 flows.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 852 . The outer cup 862 has a bottom wall 864 , a side wall 866 , a top wall 870 , and a sloped wall 870 . The bottom wall 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A return line 865 is formed in the bottom wall 864 . The recovery line 865 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 865 may be reused by an external liquid recovery system. The sidewall 866 is provided to have a circular cylindrical shape surrounding the substrate support unit 830 . The side wall 866 extends in a direction perpendicular to the side end of the bottom wall 864 . A sidewall 866 extends upwardly from the bottom wall 864 .

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.The inclined wall 870 extends from the top of the sidewall 866 in an inward direction of the outer cup 862 . The inclined wall 870 is provided to be closer to the substrate support unit 830 as it goes upward. The inclined wall 870 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830 .

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.The lifting unit 890 moves the inner cup 852 and the outer cup 862 up and down, respectively. The lifting unit 890 includes an inner moving member 892 and an outer moving member 894 . The inner moving member 892 moves the inner cup 852 up and down, and the outer moving member 894 moves the outer cup 862 up and down.

액 공급 유닛(920)은 기판(W) 상에 액을 공급하는 액 처리 단계를 수행한다. 액 공급 유닛(920)은 가이드 부재(922), 아암(924), 도포 노즐(926)을 포함한다. 가이드 부재(922) 및 아암(924)은 도포 노즐(926)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 도포 노즐(926)의 토출단이 기판(W)의 중심과 마주보는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 가이드 부재(922)는 아암(924)을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일(922)을 포함한다. 가이드 레일(922)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(922)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(922)의 길이 방향을 제1방향(12)과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(922)에는 아암(924)이 설치된다. 아암(924)은 가이드 레일(922)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암(924)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(922)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(924)의 일단은 가이드 레일(922)에 장착된다. 아암(924)의 타단 저면에는 도포 노즐(926)이 설치된다. 선택적으로 아암(924)은 길이 방향이 제3방향(16)을 향하는 회전축(834)에 결합되어 회전될 수 있다.The liquid supply unit 920 performs a liquid processing step of supplying a liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 920 includes a guide member 922 , an arm 924 , and an application nozzle 926 . The guide member 922 and the arm 924 move the application nozzle 926 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the discharge end of the application nozzle 926 faces the center of the substrate W, and the standby position is defined as a position out of the process position. The guide member 922 includes a guide rail 922 that moves the arm 924 in the horizontal direction. The guide rail 922 is located on one side of the processing vessel 850 . The guide rail 922 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the horizontal direction. According to an example, a longitudinal direction of the guide rail 922 may be provided to face a direction parallel to the first direction 12 . An arm 924 is installed on the guide rail 922 . The arm 924 may be moved by a linear motor provided inside the guide rail 922 . The arm 924 is provided to face a longitudinal direction perpendicular to the guide rail 922 when viewed from above. One end of the arm 924 is mounted on the guide rail 922 . An application nozzle 926 is provided on the bottom surface of the other end of the arm 924 . Optionally, the arm 924 may be rotated by being coupled to a rotational shaft 834 whose longitudinal direction faces the third direction 16 .

이하, 도 9 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이고, 도 10 내지 도 12는 각각 본 발명의 기판 처리 방법에 따른 기판 처리 공정이 수행된 기판을 보여주는 단면도이다. 제어기(30)는 본 발명의 기판 처리 방법이 순차적으로 수행되도록 공정 처리 모듈(20)을 제어한다.Hereinafter, a substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 12 . 9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 10 to 12 are cross-sectional views each showing a substrate on which a substrate processing process according to the substrate processing method of the present invention is performed. The controller 30 controls the process processing module 20 so that the substrate processing method of the present invention is sequentially performed.

도 9를 참조하면, 기판 처리 방법은, 제1 열처리 단계(S10), 액처리 단계(S20) 그리고 제2열처리 단계(S30)를 포함한다. 일 예에서, 제1 열처리 단계(S10)와 제2열처리 단계(S30)는 열처리 챔버(280) 내에서 기판(W)을 베이크 처리하는 단계이다.Referring to FIG. 9 , the substrate processing method includes a first heat treatment step S10 , a liquid treatment step S20 , and a second heat treatment step S30 . In one example, the first heat treatment step S10 and the second heat treatment step S30 are steps of baking the substrate W in the heat treatment chamber 280 .

제1 열처리 단계(S10)에서, 패턴(P)이 형성된 기판(W)을 제1온도로 제1시간 동안 열처리한다. 제1 열처리 단계(S10)를 수행하기 위해, 기판(W)은 열처리 챔버(280) 내의 가열 유닛(1300)으로 반송된다. 제1 열처리 단계(S10)가 수행되기 이전에 기판(W)은 세정액이 공급되는 등의 공정을 거친다. 이에, 제1 열처리 단계(S10)가 수행되기 이전에 기판(W) 상에는 도 10에 도시된 바와 같이 액과 같은 잔류물(R)이 잔존한다. 제1 열처리 단계(S10)에서 기판(W)을 열처리하면서 기판(W) 상에 잔존하는 잔류물(R)을 증발시킨다.In the first heat treatment step ( S10 ), the substrate W on which the pattern P is formed is heat treated at a first temperature for a first time. To perform the first heat treatment step S10 , the substrate W is transferred to the heating unit 1300 in the heat treatment chamber 280 . Before the first heat treatment step S10 is performed, the substrate W undergoes a process such as supplying a cleaning solution. Accordingly, a liquid-like residue R remains on the substrate W before the first heat treatment step S10 is performed, as shown in FIG. 10 . The residue R remaining on the substrate W is evaporated while the substrate W is heat-treated in the first heat treatment step S10 .

제1 열처리 단계(S10)가 완료되면, 액처리 단계(S20)가 수행된다. 액처리 단계(S20)를 수행하기 위해 메인 로봇(244)은 기판(W)은 열처리 챔버(280)에서 액처리 챔버로 반송한다. 제1액처리 챔버 또는 제2액처리 챔버에서 액처리 단계(S20)가 수행된다. 액처리 단계(S20)에서, 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 기판(W)을 제1 열처리 단계(S10)에서 열처리하는 바, 도 11에 도시된 바와 같이 기판(W) 상의 잔류물(R)이 제거된다. 이에, 액처리 단계(S20)에서, 도 12에 도시된 바와 같이 패턴(P) 사이 사이로 액이 결함없이 공급될 수 있다. 또한, 수분에 의해 액의 조성이 변경되는 등의 문제가 발생하지 않을 수 있다. 일 예에서, 액처리 단계(S20)는 액처리 챔버에서 기판(W) 상으로 스핀 온 하드마스크(SOH: Spin-On hard mask)액을 공급하는 공정일 수 있다. 선택적으로, 액처리 단계(S20)는 액처리 챔버에서 기판(W) 상으로 포토레지스트(PR: Photo Resist)를 공급하는 공정일 수 있다.When the first heat treatment step S10 is completed, the liquid treatment step S20 is performed. In order to perform the liquid processing step S20 , the main robot 244 transfers the substrate W from the heat treatment chamber 280 to the liquid processing chamber. The liquid treatment step S20 is performed in the first liquid treatment chamber or the second liquid treatment chamber. In the liquid processing step ( S20 ), a liquid is supplied onto the substrate W . When the substrate W is heat-treated in the first heat treatment step S10 , the residue R on the substrate W is removed as shown in FIG. 11 . Accordingly, in the liquid processing step S20 , the liquid may be supplied without defects between the patterns P as shown in FIG. 12 . In addition, a problem such as a change in the composition of the liquid due to moisture may not occur. In one example, the liquid processing step ( S20 ) may be a process of supplying a spin-on hard mask (SOH) liquid from the liquid processing chamber onto the substrate W. Optionally, the liquid processing step S20 may be a process of supplying a photoresist (PR) onto the substrate W in the liquid processing chamber.

이후, 제2열처리 단계(S30)에서, 열처리 챔버(280) 내에서 패턴(P)이 형성된 기판(W)을 제2온도로 제2시간 동안 열처리한다. 열처리 챔버(280)에서 제2열처리 단계(S30)를 수행하기 위해, 메인 로봇(244)은 액처리 챔버로부터 열처리 챔버(280)로 기판(W)을 이송한다. 제1 열처리 단계(S10)에서 기판(W) 상의 수분이 제거된 바, 제2열처리 단계(S30)에서 수분에 의한 영향을 최소화할 수 있다. 일 예에서, 제1온도는 제2온도보다 낮게 제공될 수 있다. 일 예에서, 제1시간은 제2시간보다 짧은 시간으로 제공될 수 있다.Thereafter, in the second heat treatment step S30 , the substrate W on which the pattern P is formed in the heat treatment chamber 280 is heat treated at a second temperature for a second time. In order to perform the second heat treatment step S30 in the heat treatment chamber 280 , the main robot 244 transfers the substrate W from the liquid treatment chamber to the heat treatment chamber 280 . Since moisture on the substrate W is removed in the first heat treatment step S10 , the influence of moisture may be minimized in the second heat treatment step S30 . In one example, the first temperature may be provided to be lower than the second temperature. In one example, the first time may be provided as a shorter time than the second time.

상술한 예에서는, 본 발명의 기판 처리 방법은 제1 열처리 단계(S10), 액처리 단계(S20) 그리고 제2열처리 단계(S30)를 포함하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 도 13에 도시된 바와 같이 액처리 단계(S20)는 수행되지 않고, 제1 열처리 단계(S11)와 제2열처리 단계(S31)만이 수행될 수 있다. 제1 열처리 단계(S11)가 수행되는 열처리 챔버(280)와 제2열처리 단계(S31)가 수행되는 열처리 챔버(280)는 동일한 챔버일 수 있다.In the above-described example, the substrate processing method of the present invention has been described as including the first heat treatment step (S10), the liquid treatment step (S20), and the second heat treatment step (S30). However, unlike in FIG. 13 , the liquid treatment step S20 is not performed, and only the first heat treatment step S11 and the second heat treatment step S31 may be performed. The heat treatment chamber 280 in which the first heat treatment step S11 is performed and the heat treatment chamber 280 in which the second heat treatment step S31 is performed may be the same chamber.

일 예에서, 제1 열처리 단계(S10)와 제2열처리 단계(S30)가 수행되는 열처리 챔버(280)는 열처리 챔버(280) 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛(1350)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제2열처리 단계(S30)는 기판을 가열하며 기판 상으로 가스를 공급하여 기판에 가스를 증착시키는 공정일 수 있다. 제1 열처리 단계(S10)가 수행되는 동안 처리 공간 내로 가스는 공급되지 않고, 제2열처리 단계(S30)에서 가스 공급 유닛이 열처리 챔버(280) 내로 가스를 공급할 수 있다. 일 예에서, 제1온도는 제2온도보다 낮게 제공될 수 있다. 일 예에서, 제1시간은 제2시간보다 짧은 시간으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane,HMDS) 가스로 제공된다. 제1 열처리 단계(S10)에서 기판 상에 수분을 제거하는 바, 제2열처리 단계(S30)에서 가스의 증착률이 높아지는 이점이 있다.In one example, the heat treatment chamber 280 in which the first heat treatment step S10 and the second heat treatment step S30 are performed may include a gas supply unit 1350 for supplying a gas into the heat treatment chamber 280 . In one example, the second heat treatment step ( S30 ) may be a process of depositing a gas on the substrate by heating the substrate and supplying the gas onto the substrate. Gas is not supplied into the processing space while the first heat treatment step S10 is performed, and the gas supply unit may supply the gas into the heat treatment chamber 280 in the second heat treatment step S30 . In one example, the first temperature may be provided to be lower than the second temperature. In one example, the first time may be provided as a shorter time than the second time. In one example, the gas is provided as Hexamethyldisilazane (HMDS) gas. Since moisture is removed from the substrate in the first heat treatment step ( S10 ), there is an advantage in that the deposition rate of the gas is increased in the second heat treatment step ( S30 ).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
공정 처리 모듈; 그리고
상기 공정 처리 모듈을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 공정 처리 모듈은,
내부에 가열 유닛을 가지는 열처리 챔버를 포함하는 복수의 공정 챔버를 포함하고,
상기 제어기는,
패턴이 형성된 기판을 상기 열처리 챔버 내에서 제1온도로 제1시간 동안 열처리하는 제1 열처리 단계를 수행한 이후에 제2온도로 제2시간 동안 열처리하는 제2 열처리 단계를 수행하도록 상기 가열 유닛을 제어하고,
상기 제1온도와 상기 제2온도는 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
process processing module; And
A controller for controlling the process processing module,
The process processing module,
a plurality of process chambers including a heat treatment chamber having a heating unit therein;
The controller is
After performing a first heat treatment step of heat-treating the pattern-formed substrate at a first temperature for a first time in the heat treatment chamber, the heating unit is configured to perform a second heat treatment step of heat-treating the substrate at a second temperature for a second time control,
The first temperature and the second temperature are provided to be different from each other. 제1항에 있어서,
상기 제1온도는 상기 제2온도보다 낮게 제공되는 기판 처리 장치. According to claim 1,
The first temperature is a substrate processing apparatus provided to be lower than the second temperature. 제1항에 있어서,
상기 제1시간은 상기 제2시간보다 짧은 시간으로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first time period is shorter than the second time period. 제1항에 있어서,
상기 열처리 챔버는 상기 열처리 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고
상기 제어기는 상기 제2 열처리 단계에서 상기 가스 공급 유닛이 상기 열처리 챔버 내로 가스를 공급하도록 가스 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치. According to claim 1,
The heat treatment chamber includes a gas supply unit for supplying a gas into the heat treatment chamber,
and the controller controls the gas supply unit so that the gas supply unit supplies the gas into the heat treatment chamber in the second heat treatment step. 제4항에 있어서,
상기 가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane,HMDS)가스로 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The substrate processing apparatus in which the gas is provided as a hexamethyl disilazane (HMDS) gas. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정 처리 모듈은,
상기 공정 챔버 간에 기판을 반송하는 메인 로봇이 제공된 이송 챔버를 더 포함하고,
상기 공정 챔버는 액처리 챔버를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 제1 열처리 단계와 상기 제2 열처리 단계 사이에,
상기 액처리 챔버에서 상기 기판에 액을 공급하여 액처리하는 액처리 단계를 수행하도록 상기 공정 처리 모듈을 제어하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The process processing module,
Further comprising a transfer chamber provided with a main robot for transferring substrates between the process chambers,
The process chamber further comprises a liquid processing chamber,
The controller is
Between the first heat treatment step and the second heat treatment step,
A substrate processing apparatus for controlling the process processing module to perform a liquid processing step of supplying a liquid to the substrate in the liquid processing chamber to perform liquid processing. 제6항에 있어서,
상기 액은 스핀 온 하드마스크(SOH: Spin-On hard mask)액으로 제공되는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The liquid is a substrate processing apparatus provided as a spin-on hard mask (SOH: Spin-On hard mask) liquid. 제6항에 있어서,
상기 액은 포토레지스트(PR: Photo Resist)로 제공되는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The substrate processing apparatus in which the liquid is provided as a photoresist (PR). 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에서 상기 기판을 가열 처리하는 열처리 챔버와;
상기 열처리 챔버를 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 열처리 챔버는,
서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛을 포함하고,
상기 제어기는,
패턴이 형성된 상기 기판을 상기 처리 공간 내에서 제1온도로 제1시간 동안 열처리하는 제1 열처리 단계를 수행한 이후에 제2온도로 제2시간 동안 열처리하는 제2 열처리 단계를 수행하도록 상기 가열 유닛을 제어하고,
상기 제1온도는 상기 제2온도와 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a heat treatment chamber for heat-processing the substrate inside;
A controller for controlling the heat treatment chamber,
The heat treatment chamber,
a process chamber having an upper body having a processing space therein and a lower body in combination with each other;
a gas supply unit supplying gas to the processing space;
a support unit positioned in the processing space to support a substrate;
a heating unit provided to heat a substrate placed on the support unit;
The controller is
The heating unit to perform a second heat treatment step of heat-treating the substrate on which the pattern is formed for a second time at a second temperature after performing a first heat treatment step of heat-treating the substrate at a first temperature for a first time in the processing space to control,
The first temperature is provided to be different from the second temperature. 제9항에 있어서,
상기 제1온도는 상기 제2온도 보다 낮게 제공되는 기판 처리 장치. 10. The method of claim 9,
The first temperature is a substrate processing apparatus provided to be lower than the second temperature. 제9항에 있어서,
상기 제1시간은 상기 제2시간보다 짧은 시간으로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The first time period is shorter than the second time period. 제9항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제2 열처리 단계에서 상기 가스 공급 유닛이 상기 열처리 챔버 내로 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
and the controller controls the gas supply unit so that the gas supply unit supplies the gas into the heat treatment chamber in the second heat treatment step. 제9항에 있어서,
상기 가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane,HMDS)가스로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The substrate processing apparatus in which the gas is provided as a hexamethyl disilazane (HMDS) gas. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
패턴이 형성된 기판을 열처리 챔버 내에서 제1온도로 제1시간 동안 열처리하는 제1 열처리 단계와;
상기 제1 열처리 단계 이후에 상기 열처리 챔버 내에서 상기 기판을 제2온도로 제2시간 동안 열처리하는 제2 열처리 단계를 포함하고,
상기 제1온도와 상기 제2온도는 상이하게 제공되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate, comprising:
a first heat treatment step of heat-treating the substrate on which the pattern is formed at a first temperature for a first time in a heat treatment chamber;
a second heat treatment step of heat treating the substrate at a second temperature for a second time in the heat treatment chamber after the first heat treatment step;
The first temperature and the second temperature are provided to be different from each other. 제14항에 있어서,
상기 제1온도는 상기 제2온도보다 낮게 제공되는 기판 처리 방법. 15. The method of claim 14,
The first temperature is provided to be lower than the second temperature. 제14항에 있어서,
상기 제1시간은 상기 제2시간보다 짧은 시간으로 제공되는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
wherein the first time period is shorter than the second time period. 제14항에 있어서,
상기 제2 열처리 단계에서,
상기 열처리 챔버 내로 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane,HMDS)가스가 공급되는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
In the second heat treatment step,
A substrate processing method in which a hexamethyldisilazane (HMDS) gas is supplied into the heat treatment chamber. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 열처리 단계와 상기 제2 열처리 단계 사이에,
상기 기판에 액을 공급하여 액처리하는 액처리 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Between the first heat treatment step and the second heat treatment step,
The substrate processing method further comprising a liquid processing step of supplying a liquid to the substrate to process the liquid. 제18항에 있어서,
상기 액은 스핀 온 하드마스크(SOH: Spin-On hard mask)액으로 제공되는 기판 처리 방법.19. The method of claim 18,
The liquid is a substrate processing method provided as a spin-on hard mask (SOH: Spin-On hard mask) liquid. 제18항에 있어서,
상기 액은 포토레지스트(PR: Photo Resist)로 제공되는 기판 처리 방법.

19. The method of claim 18,
The substrate processing method in which the liquid is provided as a photoresist (PR).
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