KR20200008583A - 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 구성 원소가 In, Sn, Ti 및 O이고, In의 함유 비율이 In2O3 환산으로 88.0 내지 98.2질량％이고, Sn의 함유 비율이 SnO2 환산으로 1.0 내지 8.0질량％이고, Ti의 함유 비율이 TiO2 환산으로 0.8 내지 4.0질량％인 산화물 소결체이다. 본 발명의 산화물 소결체에 의해, 투명성이 높은 투명 도전막, 또한, 더욱 저항이 낮은 투명 도전막을, 고온의 열처리를 하지 않아도 얻을 수 있는 박막을 성막할 수 있는 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다.

Description

산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃
본 발명은, 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃에 관한 것으로, 상세하게는, 가시광 영역에서의 투과율이 높고, 비저항이 낮은 박막을 얻을 수 있는 스퍼터링 타깃 및 그와 같은 타깃을 제작할 수 있는 산화물 소결체에 관한 것이다.
액정을 중심으로 하는 표시 디바이스의 발전에 수반하여, 투명 도전막의 수요가 증가하고 있다. 투명 도전막에는 고투명성이 요구되고, 나아가 저저항도 요구된다. 고투명성 및 저저항의 요구로부터, 투명 도전막으로서 ITO막이 널리 사용되고 있다. ITO 투명 도전막의 형성 방법으로서는, 조작성의 간편함이라는 점에서 ITO 스퍼터링 타깃을 스퍼터링하여 성막하는 방법이 일반적이다.
특히 최근에는 액정의 컬러화, 소자의 미세화, 액티브 매트릭스 방식의 채용에 수반하여, 보다 투명성이 높고, 더욱 저항이 낮은 고성능 ITO 투명 도전막이 요구되고 있다.
특허문헌 1에는, 산화주석을 1 내지 20중량％ 및 산화 티타늄을 0.05 내지 5중량％ 포함하는 고투과율, 저저항의 투명 도전막 및 스퍼터링 타깃이 기재되어 있고, 300℃에서 열처리, 소위 어닐함으로써 투명 도전막의 고투과율화, 저저항화를 하는 것이 가능한 것이 기재되어 있다.
특허문헌 2에는, 산화인듐, 산화주석 및 티타늄 등의 산화물로 이루어지는 스퍼터링 타깃을 스퍼터하고, 얻어진 인듐주석 산화물 박막을 열처리에 의해 결정화시키는 투명 도전막의 제조 방법이 기재되어 있다. 이 방법에서는, 스퍼터에 의해 얻어진 아몰퍼스인 인듐주석 산화물 박막을 200℃ 이상의 열처리에 의해 결정화시킴으로써, 박막의 비저항을 작게 하여, 도전 특성을 높일 수 있다.
그러나, 200℃ 이상의 고온에서의 열처리를 필요로 하는 방법은, 200℃ 이상에서는 변형되어 버리는 수지제의 필름 상에 투명 도전막을 제작하는 경우 등에 있어서는 적용할 수 없다.
일본 특허 공개 평4-277408호 공보 일본 특허 제5726752호 공보
본 발명은, 투명성이 높고, 또한 저항이 낮은 투명 도전막을, 고온의 열처리를 하지 않아도 얻을 수 있는 박막을 성막할 수 있는 스퍼터링 타깃을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 산화물 소결체는, 구성 원소가 In, Sn, Ti 및 O이고, In의 함유 비율이 In2O3 환산으로 88.0 내지 98.2질량％이고, Sn의 함유 비율이 SnO2 환산으로 1.0 내지 8.0질량％이고, Ti의 함유 비율이 TiO2 환산으로 0.8 내지 4.0질량％이다.
상기 산화물 소결체는, 비저항이 5.0×10-4Ω㎝ 이하인 것이 바람직하고, 상대밀도가 95％ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 상기 산화물 소결체를 포함한다.
본 발명의 스퍼터링 타깃은, 상기 스퍼터링 타깃재를 기재에 접합하여 이루어진다.
본 발명의 투명 도전막은, In의 함유 비율이 In2O3 환산으로 88.0 내지 98.2질량％이고, Sn의 함유 비율이 SnO2 환산으로 1.0 내지 8.0질량％이고, Ti의 함유 비율이 TiO2 환산으로 0.8 내지 4.0질량％이다.
본 발명의 투명 도전막의 제조 방법은, 상기 스퍼터링 타깃을 스퍼터링함으로써 성막된 박막을 110 내지 145℃에서 가열 처리한다.
본 발명의 산화물 소결체에 의해, 투명성이 높은 투명 도전막, 또한 더욱 저항이 낮은 투명 도전막을, 고온의 열처리를 하지 않아도 얻을 수 있는 박막을 성막할 수 있는 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다.
도 1은 실시예 15에 있어서, 스퍼터링에 의해 얻어진 박막 및 이 박막을 125℃에서 열처리함으로써 얻어진 투명 도전막의 파장 300㎚ 내지 800㎚의 범위에 있어서의 광투과율을 도시하는 도면이다.
도 2는 실시예 15 및 비교예 1, 3에 있어서, 스퍼터링에 의해 얻어진 박막을 125℃에서 열처리함으로써 얻어진 투명 도전막의 파장 300㎚ 내지 800㎚의 범위에 있어서의 광투과율을 도시하는 도면이다.
본 발명의 산화물 소결체는, 구성 원소가 In, Sn, Ti 및 O이고, In의 함유 비율이 In2O3 환산으로 88.0 내지 98.2질량％이고, Sn의 함유 비율이 SnO2 환산으로 1.0 내지 8.0질량％이고, Ti의 함유 비율이 TiO2 환산으로 0.8 내지 4.0질량％이다.
상기 산화물 소결체는, In의 함유 비율이 In2O3 환산으로 88.0 내지 98.2질량％, 바람직하게는 90.0 내지 97.0질량％, 보다 바람직하게는 91.5 내지 96.0질량％, 더욱 바람직하게는 93.0 내지 95.5질량％이고, Sn의 함유 비율은 SnO2 환산으로 1.0 내지 8.0질량％, 바람직하게는 2.0 내지 7.0질량％, 보다 바람직하게는 2.7 내지 6.0질량％, 더욱 바람직하게는 3.0 내지 5.0질량％이고, Ti의 함유 비율은 TiO2 환산으로 0.8 내지 4.0질량％, 바람직하게는 1.0 내지 3.0질량％, 보다 바람직하게는 1.3 내지 2.5질량％, 더욱 바람직하게는 1.5 내지 2.0질량％이다. 본 발명과 같은 산화물 소결체에는 원료 등에서 유래하는 불가피적 불순물이 포함될 수 있는 것은 당연하고, 본 발명의 산화물 소결체에도 불가피적 불순물이 포함되는 경우는 있다. 본 발명의 산화물 소결체에 있어서의 불가피적 불순물로서는 Fe, Cr, Ni, Si, W, Zr 등을 들 수 있고, 그것들의 함유량은 각각 통상 100ppm 이하이다.
또한, 본 발명에 있어서 구성 원소란, 산화물 소결체 또는 투명 도전막에 있어서의 불가피적 불순물을 제외한 구성 원소를 의미하고, 각 구성 원소의 함유 비율은, 산화물 소결체 또는 투명 도전막 전체에 차지하는 각 구성 원소의 함유 비율을 의미한다.
상기 산화물 소결체의 비저항은 5.0×10-4Ω㎝ 이하인 것이 바람직하고, 4.8×10-4Ω㎝ 이하인 것이 보다 바람직하고, 4.5×10-4Ω㎝ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이로써 저렴한 DC 전원을 사용한 스퍼터링이 가능해져, 성막 레이트를 향상시킬 수 있고, 또한 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.
상기 산화물 소결체의 상대밀도는, 바람직하게는 95％ 이상이고, 보다 바람직하게는 98％ 이상, 더욱 바람직하게는 99％ 이상이다. 상대밀도가 95％ 이상이면 노듈이나 아킹의 발생이 없는, 효율적인 스퍼터링이 가능하다. 상대밀도의 상한은 특별히 제한은 없고, 100％를 초과해도 된다. 상기 상대밀도는 아르키메데스법에 기초하여 측정된 수치이다.
상기 산화물 소결체는, 예를 들어 이하에 나타내는 바와 같은 방법에 의해 제조할 수 있다.
먼저, 원료 분말을 혼합한다. 원료 분말은, 통상 In2O3 분말, SnO2 분말 및 TiO2 분말이다. In2O3 분말, SnO2 분말 및 TiO2 분말은, 얻어지는 소결체에 있어서의 In, Sn 및 Ti의 함유량이 각각 상기 범위 내로 되도록 혼합된다. 또한, 원료 분말을 혼합하여 얻어진 혼합 분말에 있어서의 In2O3 분말, SnO2 분말 및 TiO2 분말의 함유비는, 상기 산화물 소결체에 있어서의 In2O3 환산의 In 함유비, SnO2 환산의 Sn 함유비 및 TiO2 환산의 Ti 함유비와 각각 일치한다.
각 원료 분말은, 통상은 입자가 응집되어 있기 때문에, 사전에 분쇄하여 혼합하거나, 혹은 혼합하면서 분쇄를 행하는 것이 바람직하다.
원료 분말의 분쇄 방법이나 혼합 방법에는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 원료 분말을 포트에 넣고, 볼 밀에 의해 분쇄 또는 혼합을 행할 수 있다.
얻어진 혼합 분말은, 그대로 성형하여 성형체로 하고, 이것을 소결할 수도 있지만, 필요에 따라 혼합 분말에 바인더를 더하여 성형하여 성형체로 해도 된다. 이 바인더로서는, 공지의 분말 야금법에 있어서 성형체를 얻을 때에 사용되는 바인더, 예를 들어 폴리비닐알코올, 아크릴 에멀젼 바인더 등을 사용할 수 있다. 또한, 혼합 분말에 분산매를 더하여 슬러리를 조제하고, 이 슬러리를 스프레이 드라이하여 과립을 제작하고, 이 과립을 성형해도 된다.
성형 방법은, 종래 분말 야금법에 있어서 채용되어 있는 방법, 예를 들어 콜드 프레스나 CIP(냉간 등방압 성형) 등을 사용할 수 있다.
또한, 혼합 분말을 일단 가프레스하여 가성형체를 제작하고, 이것을 분쇄하여 얻어진 분쇄 분말을 본프레스함으로써 성형체를 제작해도 된다.
또한, 슬립 캐스트법 등의 습식 성형법을 사용하여 성형체를 제작해도 된다.
얻어진 성형체는, 필요에 따라 종래 분말 야금법에 있어서 채용되어 있는 방법에 의해 탈지해도 된다. 성형체의 밀도는 통상 50 내지 75％이다.
이어서 얻어진 성형체를 소성하여, 산화물 소결체를 제작한다. 소성에 사용하는 소성로로서는, 냉각 시에 냉각 속도를 컨트롤할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 분말 야금에 일반적으로 사용되는 소성로라도 지장이 없다. 소성 분위기로서는 산소 분위기가 적합하다.
승온 속도는, 고밀도화 및 균열 방지의 관점에서, 통상 100 내지 500℃/h이다. 소성 온도는 1300 내지 1600℃이고, 바람직하게는 1400 내지 1600℃이다. 소성 온도가 상기 범위 내이면, 고밀도의 산화물 소결체를 얻을 수 있다. 상기 소성 온도에서의 유지 시간은 통상 3 내지 30h, 바람직하게는 5 내지 20h이다. 유지 시간이 상기 범위 내이면, 고밀도의 산화물 소결체를 얻기 쉽다.
냉각 속도는 통상 300℃/hr 이하, 바람직하게는 50℃/hr 이하이다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는 상기 산화물 소결체를 포함한다. 구체적으로는, 상기 산화물 소결체를, 필요에 따라 원하는 형상으로 잘라내고, 연삭을 행하는 등의 가공을 실시함으로써 스퍼터링 타깃재를 얻을 수 있다.
이 스퍼터링 타깃재의 조성 및 비저항, 상대밀도 등의 물성값에 대해서는, 상기 산화물 소결체의 조성, 비저항, 상대밀도 등과 동일하다.
상기 스퍼터링 타깃재를 기재에 접합함으로써 스퍼터링 타깃이 얻어진다. 기재는, 통상 Cu, Al, Ti 또는 스테인리스제이다. 접합재는, 종래의 ITO 타깃재의 접합에 사용되는 접합재, 예를 들어 In 메탈을 사용할 수 있다. 접합 방법도, 종래의 ITO 타깃재의 접합 방법과 마찬가지이다.
상기 스퍼터링 타깃을 스퍼터링함으로써 박막을 성막할 수 있다. 스퍼터링은, 통상의 ITO 스퍼터링 타깃을 사용한 스퍼터링에 있어서의 조건에 준하여 행할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 박막은 통상 아몰퍼스이다. 이 박막을 열처리, 소위 어닐함으로써, 결정화할 수 있고, 광투과율이 높고, 비저항이 낮은 투명 도전막을 얻을 수 있다. 광투과율에 대해서는, 특히 단파장 지역, 예를 들어 300 내지 380㎚의 파장 영역에 있어서의 광투과율을 현저하게 높일 수 있다.
이 열처리에 필요한 온도는 110℃ 내지 145℃이고, 바람직하게는 115 내지 140℃이고, 더욱 바람직하게는 120℃ 내지 135℃이다. 전술한 바와 같이, 종래 알려져 있던 ITO 박막을 고투과율화, 저저항화하기 위한 열처리에는 200℃ 이상의 온도가 필요했다. 이에 비해, 본 발명의 스퍼터링 타깃을 스퍼터링함으로써 얻어지는 박막을 고투과율화, 저저항화하기 위한 열처리 온도는 110 내지 145℃라는 저온이어도 된다. 이 때문에, 본 발명의 스퍼터링 타깃을 사용하면, 200℃ 이상이면 변형 등을 일으켜 버리는 수지제의 필름 등의 위에 투명 도전막을 제작하는 경우라도, 필름 등의 변형 등을 일으키는 일 없이, 높은 광투과율 및 낮은 저항을 갖는 투명 도전막을 제작할 수 있다. 한편, 145℃를 초과하는 온도에서 열처리를 행하면, 충분한 고투과율화 및 저저항화가 얻어지지 않고, 오히려 종래의 ITO막(In2O3:SnO2＝90:10(질량비))보다 투과율이 낮고, 비저항이 높아지는 경향이 있으므로 바람직하지 않다.
상기 열처리에 필요로 하는 시간은, 통상 0.1 내지 2시간, 바람직하게는 0.5 내지 1시간이다. 상기 열처리는 대기 중에 행할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타깃을 스퍼터링함으로써 얻어지는 박막에 대하여 상기 열처리를 실시함으로써, 광투과율 및 비저항을 향상시킬 수 있다.
특히 광투과율은, 상기 온도에서의 열처리를 실시함으로써, 가시광의 파장 영역(예를 들어, 380 내지 750㎚)의 파장 영역에 있어서, 또한 특히 단파장 지역(예를 들어, 300 내지 380㎚)에 있어서, 종래 알려져 있던 ITO 박막(In2O3:SnO2＝90:10(질량비))보다도 높게 할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 투명 도전막은, 구성 원소로서 In, Sn, Ti 및 O를 갖고, 예를 들어 In의 함유 비율이 In2O3 환산으로 88.0 내지 98.2질량％이고, 바람직하게는 90.0 내지 97.0질량％, 보다 바람직하게는 91.5 내지 96.0질량％, 더욱 바람직하게는 93.0 내지 95.5질량％이고, Sn의 함유 비율이 SnO2 환산으로 1.0 내지 8.0질량％이고, 바람직하게는 2.0 내지 7.0질량％, 보다 바람직하게는 2.7 내지 6.0질량％, 더욱 바람직하게는 3.0 내지 5.0질량％이고, Ti의 함유 비율이 TiO2 환산으로 0.8 내지 4.0질량％이고, 바람직하게는 1.0 내지 3.0질량％, 보다 바람직하게는 1.3 내지 2.5질량％, 더욱 바람직하게는 1.5 내지 2.0질량％이다. 이 투명 도전막은, 전술한 바와 같이 고광투과율을 갖고, 더욱 저저항을 가질 수 있다.
실시예
하기 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 측정 방법을 이하에 나타낸다.
1. 산화물 소결체의 상대밀도
산화물 소결체의 상대밀도는 아르키메데스법에 기초하여 측정했다. 구체적으로는, 산화물 소결체의 공중 질량을 체적(산화물 소결체의 수중 질량/계측 온도에 있어서의 물 비중)으로 나누고, 하기 식 (X)에 기초하는 이론 밀도 ρ(g/㎤)에 대한 백분율의 값을 상대밀도(단위: ％)
로 했다.
Figure pct00001
(식 중 C1 ~ Ci는 각각 산화물 소결체의 구성 물질의 함유량(질량％)을 나타내고, ρ1 ~ ρi는 C1 ~ Ci에 대응하는 각 구성 물질의 밀도(g/㎤)를 나타낸다.)
하기 실시예 및 비교예에 있어서 산화물 소결체의 제조에 사용하는 물질(원료)은, In2O3, SnO2, TiO2이기 때문에, 예를 들어
C1: 산화물 소결체에 사용한 In2O3 원료의 질량％
ρ1: In2O3의 밀도(7.18g/㎤)
C2: 산화물 소결체에 사용한 SnO2 원료의 질량％
ρ2: SnO2의 밀도(6.95g/㎤)
C3: 산화물 소결체에 사용한 TiO2 원료의 질량％
ρ3: TiO2의 밀도(4.26g/㎤)
를 식 (X)에 적용함으로써 이론 밀도 ρ를 산출할 수 있다.
2. 산화물 소결체의 비저항
산화물 소결체의 비저항은, 미쯔비시 가가쿠사제, 로레스타(등록 상표) HP MCP-T410(직렬 4탐침 프로브 TYPE ESP)을 사용하여, 가공 후의 소결체 표면에 프로브를 닿게 하고, AUTO RANGE 모드에서 측정했다. 측정 개소는 산화물 소결체의 중앙 부근 및 네구석의 총 5개소로 하고, 각 측정값의 평균값을 그 소결체의 벌크 저항값으로 했다.
3. 막의 광투과성
막의 광투과율은 히타치 하이테크 사이언스사제, 자외 가시 근적외 분광 광도계 UH4150을 사용하여 측정했다. 측정 조건은 스캔 스피드; 600㎚/min, 파장 영역; 200 내지 2600㎚로 설정했다. 처음에, 성막을 행하고 있지 않은 미가공 유리 기판을 장치에 세트하여 베이스 라인을 측정하고, 그 후 각각의 성막 샘플의 투과율을 측정했다.
4. 투명 도전막의 비저항
투명 도전막의 막 비저항은, 고와 리켄사제, 4탐침 계측기 K-705RS를 사용하여 측정했다.
[실시예 및 비교예]
(산화물 소결체의 제조)
In2O3 분말과, SnO2 분말과, TiO2 분말을, 표 1에 나타낸 비율로, 볼 밀을 사용하여 혼합하고, 혼합 분말을 조제했다.
상기 혼합 분말에, 4질량％로 희석한 폴리비닐알코올을 혼합 분말에 대하여 6질량％ 첨가하고, 유발을 사용하여 폴리비닐알코올을 분말에 잘 섞어서, 5.5메쉬의 체에 통과시켰다. 얻어진 분말을 200㎏/㎠의 조건에서 가프레스하고, 얻어진 가성형체를 유발에서 분쇄했다. 얻어진 분쇄분을 프레스용 형에 충전하고, 프레스 압 1t/㎠로 60초간 성형하여, 성형체를 얻었다.
얻어진 성형체를 소결로에 넣고, 노 내에 10L/min으로 산소를 플로우시켜, 소성 분위기를 산소 플로우 분위기로 하고, 승온 속도를 350℃/h, 소결 온도를 1550℃, 소결 온도에서의 유지 시간을 9h로 하여 소결했다.
그 후, 강온 속도 100℃/h로 냉각하여 산화물 소결체를 얻었다.
이어서, 얻어진 산화물 소결체를 절삭 가공하고, 표면 조도 Ra가 1.0㎛인 폭 210㎜, 길이 710㎜, 두께 6㎜인 스퍼터링 타깃재를 얻었다. 또한, 절삭 가공에는 #170의 지석을 사용했다.
상기 산화물 소결체의 상대밀도 및 비저항을 상기 방법에 의해 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서, 각 원료 분말을 제조할 때에 계량한 각 원소의 함유율이, 얻어진 산화물 소결체에 있어서의 각 원소의 함유율과 동등한 것을 확인했다. 산화물 소결체에 있어서의 각 원소의 함유율은, 예를 들어 ICP-AES(Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy: 유도 결합 플라스마 발광 분광법)에 의해 측정할 수 있다.
(스퍼터링 타깃의 제조)
상기 스퍼터링 타깃재를, 구리제 백킹 플레이트에 In 땜납에 의해 접합함으로써 스퍼터링 타깃을 제조했다.
(투명 도전막의 제조)
상기 스퍼터링 타깃을 사용하여, 이하의 조건에서 스퍼터링을 행하고, 유리 기판 상에 막 두께 100㎚인 박막을 성막했다.
장치: 신쿠 기키 고교 가부시키가이샤제 EX-3013M
(DC 마그네트론 스퍼터링 장치)
도달 진공도: 1.0×10-4㎩ 미만
스퍼터 가스: Ar/O2 혼합 가스
스퍼터 가스 압력: 0.4㎩
산소 유량: 0 내지 2.0sccm
기판: 유리 기판(코닝사제 EAGLE XG(등록 상표))
기판 온도: 실온
스퍼터링 전력: 3W/㎠
또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서, 스퍼터링 타깃재에 사용된 산화물 소결체에 있어서의 각 원소의 함유율이, 성막된 투명 도전막에 있어서의 각 원소의 함유율과 동등한 것을 확인했다. 투명 도전막에 있어서의 각 원소의 함유율은, 예를 들어 ICP-AES(Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy: 유도 결합 플라스마 발광 분광법)에 의해 측정할 수 있다.
얻어진 박막을 대기 중, 125℃에서 1시간 열처리하여, 투명 도전막을 제조했다.
상기 박막 및 투명 도전막의 파장 350㎚ 및 550㎚에 있어서의 광투과율, 투명 도전막의 비저항을 상기 방법에 의해 측정했다. 광투과율 및 비저항의 결과를 표 1에 나타낸다.
비저항에 대해서는, 종래의 ITO 박막인 비교예 1에서 얻어진 투명 도전막(In2O3:SnO2＝90:10(질량비))의 비저항 4.8×10-4Ω㎝(이하, 기준 비저항이라고 함)와 비교하여 평가를 행하여, 비저항이 기준 비저항의 1.0배 미만이었던 투명 도전막을 「A」, 비저항이 기준 비저항의 1.0배 이상 1.1배 미만이었던 투명 도전막을 「B」, 비저항이 기준 비저항의 1.1배 이상 1.2배 미만이었던 투명 도전막을 「C」, 비저항이 기준 비저항의 1.2배 이상이었던 투명 도전막을 「D」라고 평가했다.
또한, 실시예 15에 있어서, 스퍼터링에 의해 얻어진 박막 및 이 박막을 125℃에서 열처리함으로써 얻어진 투명 도전막의 파장 300㎚ 내지 800㎚의 범위에 있어서의 광투과율을 도 1에, 실시예 15 및 비교예 1, 3에 있어서, 스퍼터링에 의해 얻어진 박막을 125℃에서 열처리한 투명 도전막의 파장 300㎚ 내지 800㎚의 범위에 있어서의 광투과율을 도 2에 도시한다. 도 1에 있어서 「as-depo」는, 열처리하지 않은 것을 의미한다.
Figure pct00002

Claims (7)

  1. 구성 원소가 In, Sn, Ti 및 O이고, In의 함유 비율이 In2O3 환산으로 88.0 내지 98.2질량％이고, Sn의 함유 비율이 SnO2 환산으로 1.0 내지 8.0질량％이고, Ti의 함유 비율이 TiO2 환산으로 0.8 내지 4.0질량％인, 산화물 소결체.
  2. 제1항에 있어서, 비저항이 5.0×10-4Ω㎝ 이하인, 산화물 소결체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상대밀도가 95％ 이상인, 산화물 소결체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 산화물 소결체를 포함하는, 스퍼터링 타깃재.
  5. 제4항에 기재된 스퍼터링 타깃재를 기재에 접합하여 이루어지는, 스퍼터링 타깃.
  6. 구성 원소로서 In, Sn, Ti 및 O를 갖고, In의 함유 비율이 In2O3 환산으로 88.0 내지 98.2질량％이고, Sn의 함유 비율이 SnO2 환산으로 1.0 내지 8.0질량％이고, Ti의 함유 비율이 TiO2 환산으로 0.8 내지 4.0질량％인, 투명 도전막.
  7. 제5항에 기재된 스퍼터링 타깃을 스퍼터링함으로써 성막된 박막을 110 내지 145℃에서 가열 처리하는, 투명 도전막의 제조 방법.
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