KR20190137661A - 발광 장치 - Google Patents

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KR20190137661A
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KR1020180115705A
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훼이-시우 천
리-천 웨이
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아이엔티 테크 씨오., 엘티디.
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Abstract

발광 장치는 기판과 기판 위의 발광 레이어를 포함한다. 발광 레이어는 복수의 발광 픽셀들 및 스페이서를 포함하는 발광 픽셀 어레이를 구비한다. 스페이서는 복수의 발광 픽셀들을 분리하도록 구성된다. 각각의 발광 픽셀은 발광 물질 및 발광 물질과 기판 사이의 전극을 구비한다. 스페이서는 기판으로부터 돌출되어 나온 곡면을 구비한 돌기를 구비하고, 돌기는 전극의 주변 영역을 커버한다.

Description

발광 장치 {LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 장치, 구체적으로는 유기 발광 장치에 관한 것이다.
유기 발광 디스플레이(OLED)는 대부분의 하이엔드 전자 장치에서 널리 사용되어 왔다. 그러나, 현재 기술의 한계로 인해, 픽셀 구획(pixel definition)은 마스크를 통해 기판(substrate) 상에 발광 물질을 코팅하는 방법으로 구현되고 있으며, 종종, 마스크 상의 임계 수치(critical dimension)가 100 마이크론 이하로 작아질 수 없다. 그러므로, OLED 제조사들에게 800ppi 또는 그 이상을 갖는 픽셀 밀도는 어려운 과제가 되었다.
발광 장치는 기판 및 기판 위의 발광 레이어를 포함한다. 발광 레이어는 복수의 발광 픽셀들 및 스페이서(spacer)를 포함하는 발광 픽셀 어레이를 구비한다. 스페이서는 복수의 발광 픽셀들을 분리하도록 구성된다. 각각의 발광 픽셀은 발광 물질과, 발광 물질과 기판 사이에 전극을 구비한다. 스페이서는 기판으로부터 돌출되어 나온 곡면을 구비한 돌기(bump)를 구비하고, 범프는 전극의 주변 영역을 커버한다.
일부 실시예에서, 돌기는 곡면에 근접한 영역에서 최고 농도를 가지는 불소를 포함한다. 일부 실시예에서, 곡면과 전극 사이의 각도는 35도 내지 55도 사이이다. 일부 실시예에서, 범프는 전극의 총 두께보다 약 1.5배 내지 2배의 두께를 가진다. 일부 실시예에서, 발광 물질은 돌기를 따라 라이닝되고 곡면을 부분적으로 커버한다. 일부 실시예에서, 발광 장치는 발광 물질과 돌기를 커버하는 제2 전극을 더 구비한다. 일부 실시예에서, 전극은 전도성 필름과 투명한 전도성 필름을 포함하며, 투명한 전도성 필름은 전도성 필름의 측벽을 커버한다.
일부 실시예에서, 돌기는 제1종 발광 픽셀과 제1종 발광 픽셀과는 다른 파장 스펙트럼을 방출하는 제2종 발광 픽셀 사이에 있고, 제1종 발광 픽셀에 대한 돌기를 오버래핑하는 발광 물질의 폭은 제2종 발광 픽셀에 대한 돌기를 오버래핑하는 발광 물질의 폭과 다르다.
일부 실시예에서, 제1종 발광 픽셀과 제2종 발광 픽셀 사이의 오버랩 폭의 차이는 제1종 발광 픽셀의 폭의 약 0.1% 내지 60%이다. 일부 실시예에서, 발광 물질은 돌기의 절반 폭의 약 75% 내지 약 90%의 폭으로 돌기를 오버랩한다. 일부 실시예에서, 곡면은 변곡점(inflection point)을 구비한다. 일부 실시예에서, 변곡점은 돌기와 전극의 접점(meeting point)에 근접한다.
발광 장치는 기판과 기판 위에 배치된 발광 어레이를 구비한다. 발광 어레이는 복수의 발광 픽셀들과 복수의 발광 픽셀들의 두 개의 인접한 전극들 사이에 있도록 구성된 스페이서 돌기를 포함한다. 스페이서 돌기는 두 개의 단부가 각각 두 개의 인접한 전극들을 교차하는 곡면을 구비하고, 스페이서 돌기는 비대칭적으로 두 개의 전극들에 내려앉는다. 일부 실시예에서, 투명 전도성 필름이 스페이서 돌기 아래에 그리고 두 개의 인접한 전극들 사이에 있다. 일부 실시예에서, 스페이서 돌기는 감광 물질(photo sensitive material)이다. 일부 실시예에서, 두 개의 인접한 전극들 각각은 대응하는 발광 물질 아래에 있다; 각각의 대응하는 발광 물질은 서로 다른 오버랩 폭을 가지고 곡면의 일부분을 커버한다. 일부 실시예에서, 두 개의 인접한 전극들 각각은 대응하는 제2 전극 아래에 있고, 두 개의 제2 전극들은 물리적으로 단절되어 있다.
도 1은 발광 장치의 중간 제품을 도시하는 평면도이다.
도 2a는 도 1의 A-A선을 따른 단면도이다.
도 2b는 두 개의 인접한 제1 전극들에 내려앉은 스페이서 돌기를 도시한 것이다.
도 2c는 스페이서 돌기의 또다른 실시예이다.
도 3은 일 실시예의 단면도이다.
도 4a는 여러 발광 픽셀들을 구비한 발광 레이어의 일부분의 평면도이다.
도 4b는 여러 발광 픽셀들을 구비한 발광 레이어의 일부분의 평면도이다.
도 5는 일 실시예의 단면도이다.
도 6a는 전극의 단면도이다.
도 6b는 전극의 단면도이다.
도 6c는 전극의 단면도이다.
도 7a는 일 실시예의 단면도이다.
도 7b는 일 실시예의 단면도이다.
도 1은 발광 장치(10)의 중간 제품을 도시하는 평면도이다. 발광 장치(10)는 발광 레이어(20)와 발광 레이어(20) 위의 캡 레이어(40)를 구비한다. 발광 레이어(20)에 대하여, 스페이서(21)가 발광 픽셀들의 어레이를 수용하기 위한 함몰부(recess)들의 어레이를 제공하도록 설계될 수 있다. 일부 실시예에서, 스페이서(210)는 감광 물질을 포함한다.
도 2a는 도 1의 A-A 선을 따라 절단한 단면도이고 발광 영역만을 도시한다. 여기서 캡 레이어(40)는 편의상 생략되었다. 스페이서(21)는 발광 픽셀 패턴을 형성하기 위한 여러 돌기들(210)을 구비한다. 함몰부는 두 개의 인접한 돌기들(210) 사이에 있고 발광 픽셀을 수용할 공간을 제공한다. 당업자는 돌기들(210)이 단면도에서 단절되어 있는 것으로 보여지지만, 도 1에서 보여진 것처럼 평면도 시점에서 볼 때는 스페이서(21)의 다른 부분들을 통해 서로 간에 연결되어 있을 수 있음을 이해할 것이다.
기판(100)은 발광 레이어(20)의 아래에 있다. 일부 실시예에서, 기판은 발광 레이어(20)의 발광 픽셀들에 대응하여 배치된 트랜지스터 어레이를 포함할 수 있다. 기판(100)은 여러 개의 캐패시터들을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 하나의 캐패시터와 하나의 발광 픽셀을 가지고 회로를 형성하도록 구성된 하나 이상의 트랜지스터가 있다.
일부 실시예에서, 기판(100)은 적어도 세 개의 다른 레이어를 포함하는 스택이다. 기판(100)은 바닥에는 무기물 유전체 레이어를 그리고 그 무기물 유전체 레이어 위에는 금속성 레이어를 구비할 수 있다. 또다른 무기물 유전체가 금속성 레이어 위에 배치될 수 있다. 금속성 레이어는 두 개의 무기물 유전체 레이어들에 의해 샌드위치될 수 있다. 일부 실시예에서, 무기물 유전체 레이어는 굴곡 반경(bending radius)이 약 100um 미만인 유기물 유전체 레이어로 교체될 수 있다. 일부 실시예에서, 무기물 유전체는 400um에서 1200um 사이의 두께를 가진다. 금속성 레이어는 약 100um 내지 400um 사이의 두께를 가진다. 일부 실시예에서, 기판(100)은 두 개의 중합체 레이어와 그 두 개의 중합체 레이어들 사이의 무기물 레이어를 포함한다.
일부 실시예에서, 기판(100)은 두 개의 중합체 레이어들과 그 사이의 금속성 레이어를 구비한다. 일부 실시예에서, 기판(100)은 두 개의 중합체 레이어들과 그 사이의 무기물 레이어를 구비한다. 무기물 레이어는 산화물(oxide)이나 질화물(nitride)일 수 있다. 일부 실시예에서, 무기물 레이어는 산화 규소(silicon oxide), 실리콘 질화물(silicon nitride), 산화 알루미늄(alumioxide)을 포함한다. 일부 실시예에서, 무기물 레이어는 중합체 레이어보다 높은 방수성(water resistance)을 가진다. 일부 실시예에서, 중합체 레이어의 (필름이 스태킹되는 방향을 따라) 적어도 하나의 면이 무기물 레이어로 코팅된다. 일부 실시예에서, 중합체 레이어는 약 1um에서 약 5um 사이의 두께를 갖는다. 일부 실시예에서, 기판(100)은 부분적으로 검은색 물질에 의해 형성된다. 검은색 물질은 가시광선을 흡수하여 반사를 저감할 수 있다.
발광 픽셀은 기판(100) 위에 제1 전극(215)을 구비한다. 일부 예시에서, 제1 전극은 발광 픽셀의 양극이다. 제1 전극(215)은 부분적으로 스페이서(21)에 의해 커버된다. 도 2a에서와 같이, 제1 전극(215)의 주변 영역은 돌기들(210)에 의해 커버된다. 일부 실시예에서, 전극(215)의 가장자리 모퉁이는 스페이서 돌기(210)에 의해 완전히 에워싸인다. 일부 실시예에서, 제1 전극(215)의 측벽은 스페이서 돌기(210)와 완전히 접촉한다.
제1 전극(215)은 약 1500 옹스트롱 내지 약 2700 옹스트롱의 총 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 전극(215)은 약 1800 옹스트롱 내지 약 2200 옹스트롱의 총 두께를 가진다. 일부 실시예에서, 제1 전극(215)은 약 2000 옹스트롱의 총 두께를 가진다. 제1 전극(215)은 ITO, IZO, AlCu 합금, AgMo 합금, 약 50 옹스트롱 내지 500 옹스트롱의 ITO (또는 IZO) 및 500 옹스트롱 내지 2000 옹스트롱의 금속성 필름(Ag, Al, Mg, Au) 및 약 50 옹스트롱 내지 1000 옹스트롱의 ITO(또는 IZO)을 포함할 수 있다.
제2 전극(216)은 발광 물질(205) 위에 있다. 일부 경우에, 제2 전극(216)은 각각의 발광 픽셀의 유효 발광 영역(effective light emitting area)만을 커버하도록 패터닝된다. 일부 경우에, 제2 전극(216)은 발광 물질(205)과 접촉해 있다. 제2 전극(216)은 도 2a에 보여지는 것처럼 연속적인 필름일 수 있고 발광 물질(205)과 스페이서 돌기(210) 위로 라이닝할 수 있다. 달리 말하면, 제2 전극(216)은 여러 발광 픽셀들에 대해 공통된 전극이다. 일부 경우에, 제2 전극(216)은 발광 레이어(20) 내의 모든 발광 픽셀들에 대한 공통된 전극이다.
제2 전극(216)은 약 80 옹스트롱 내지 약 500 옹스트롱의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 전극(216)은 약 80 옹스트롱 내지 약 150 옹스트롱의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 전극(216)은 약 150 옹스트롱 내지 약 200 옹스트롱의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 전극(216)은 약 200 옹스트롱 내지 약 300 옹스트롱의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 전극(216)은 약 300 옹스트롱 내지 약 400 옹스트롱의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 전극(216)은 약 400 옹스트롱 내지 약 500 옹스트롱의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 전극(216)은 복합 구조이다. 예를 들어, 제2 전극(216)은 전도성 필름과 그 위의 투명한 전도성 필름을 구비할 수 있다. 전도성 필름은 투명한 전도성 필름과 발광 물질(205) 사이에 위치한다. 일부 실시예에서, 전도성 필름은 알루미늄, 금, 은, 구리, 마그네슘, 몰리브덴 등을 포함한다. 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름은 인듐, 주석, 그래핀, 아연, 산소 등을 포함한다. 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름은 ITO(인듐 주석 산화물)이다. 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름은 IZO(인듐 아연 산화물)이다. 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름은 전도성 필름과 발광 물질(205) 사이에 있다.
발광 물질(205)은 제1 전극(215)과 제2 전극(216) 사이에 배치된다. 일부 실시예에서, 발광 물질(205)은 유기 발광 물질을 포함한다. 일부 실시예에서, 발광 물질(205)은 수직 축(Y 축)을 따라 스태킹된 여러 박막(thin film)들을 구비한 복합 필름 구조일 수 있다. 발광 물질(205)은 여러 캐리어 수송 또는 주입 필름들을 구비할 수 있다. 발광 물질(205)은 발광 레이어(EL)를 구비할 수 있다. 캐리어는 홀(hole) 또는 전자일 수 있다.
일부 실시예에서, 스페이서 돌기(210)는 기판(100)으로부터 돌출해 나온 곡면(212)을 구비하고 발광 물질(205)의 일부분(점선으로 된 원 참조)이 곡면(212) 위에 배치된다. 도 2b는 인접한 2개의 제1 전극들(215)에 내려앉은 스페이서 돌기(210)를 도시한다. 돌기(210)는 첨두 P를 가지고 돌기의 두께 H는 첨두 P에서 가장 크다. 본 발명에서, 두께는 Y 축을 따라 측정된다. 스페이서 돌기(210)에 대해, 두께는 기판(100)과 스페이서 돌기(210) 사이의 접면(또는 Q지점)으로부터 측정된다. 일부 실시예에서, 첨두 P에서 스페이서 돌기(210)의 두께 H는 약 7000 옹스트롱 내지 약 10000 옹스트롱이다. 일부 실시예에서, 두께 H는 약 7000 옹스트롱 내지 약 8000 옹스트롱이다. 일부 실시예에서, 첨두 P에서 스페이서 돌기(210)의 두께 H는 약 8000 옹스트롱 내지 약 9000 옹스트롱이다. 일부 실시예에서, 첨두 P에서 스페이서 돌기(210)의 두께 H는 약 9000 옹스트롱 내지 약 10000 옹스트롱이다. H는 첨두 P와 지점 Q 사이의 최단거리이다. 일부 실시예에서, 두께 H는 제1 전극(215)의 총 두께보다 약 1.5배 내지 2배 크다.
선 PQ는 돌기(210)의 중간선이다. 점 Tx는 곡면(212)이 제1 전극(215)을 만나는 지점이다. T1은 우측의 접점이고 T2는 좌측의 접점이다. W1은 접점 T1과 선 PQ 사이의 거리이고, W2는 접점 T2와 선 PQ 사이의 거리이다. 일부 실시예에서, W1은 약 0.8um 내지 약 1.6um이다. 일부 실시예에서, W1은 약 0.8um 내지 약 1.0um이다. 일부 실시예에서, W1은 약 1.0um 내지 약 1.2um이다. 일부 실시예에서, W1은 약 1.2um 내지 약 1.4um이다. 일부 실시예에서, W1은 약 1.4um 내지 약 1.6um이다. 일부 실시예에서, W1은 W2와 실질적으로 동일하다. 일부 실시예에서, W1과 W2 사이의 차이는 8%보다 크다 - 즉 돌기(210)는 인접한 제1 전극들에 비대칭적으로 내려앉는다.
돌기(210)의 또다른 특징은 곡면(212)과 제1 전극(215) 사이의 각도 θ이다. 각도 θ를 측정하려면, 먼저, 접점 T1으로부터 1/3 W1 지점에서 곡면(212)의 접선(tangent line)을 그린다. 접선은 연장되어 제1 전극(215)의 표면(215a)에 의해 교차된다. θ는 접선과 표면(215a) 사이의 각도이다. 일부 실시예에서, 그 각도는 약 35도에서 55도 사이이다. 일부 실시예에서, 그 각도는 약 35도에서 45도 사이이다. 일부 실시예에서, 그 각도는 약 40도에서 45도 사이이다. 일부 실시예에서, 그 각도는 약 45도에서 50도 사이이다. 일부 실시예에서, 그 각도는 약 50도에서 55도 사이이다. 일부 실시예에서, 그 각도는 약 40도에서 55도 사이이다.
일부 실시예에서, 스페이서(210)는 불소(F)를 포함할 수 있다. 스페이서(210)에서, 곡면(212)에 근접한 영역은 다른 영역들보다 더 큰 F 농도를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 일부 금속 산화물 미립자들이 스페이서(210)에 부가될 수 있다. 미립자들은 발광 물질(205)로부터 방출된 빛을 산란시키는데 사용될 수 있다.
도 2C는 스페이서 돌기(210)의 다른 실시예이다. 곡면(212)은 접점 T1에 근접한 변곡점 I를 가진다. 곡면(212)은 점 P와 점 I 사이에서 기판(100)으로부터 돌출되어 나온다. 변곡점 I 이후에, 곡면(212)은 기판(100)을 향해 함몰한다. 일부 실시예에서, 변곡점 I는 접점 T1으로부터 약 1/6 W1에 위치한다. 일부 실시예에서, 변곡점 I는 접점 T1으로부터 약 1/7 W1에 위치한다. 일부 실시예에서, 변곡점 I는 접점 T1으로부터 약 1/8 W1에 위치한다.
도 3을 참조하면, 발광 물질(205)은 제1 전극(215)을 따라 연속적으로 라이닝하고 더 연장되어 곡면(212)을 부분적으로 커버하고 나서 점 E에서 종료한다. 달리 말하면, 점 E는 스페이서 돌기(210), 제2 전극(216), 및 발광 물질(205)이 만나는 지점이다.
발광 물질(205)은 제1 전극(215)에 의해 오버랩되는 부분을 가진다. 일부 실시예에서, 그 부분은 또한 유효 조명 영역(effective illumination area)이라고 불린다. 일부 실시예에서, 유효 조명 영역은 적어도 10um 이하의 폭을 가진다. 일부 실시예에서, 유효 조명 영역은 약 3um 내지 6um의 폭을 가진다. 일부 실시예에서, 유효 조명 영역은 약 4um 내지 6um의 폭을 가진다. 유효 조명 영역은 도 1의 발광 장치(10)의 픽셀 크기를 결정한다. 유효 조명 영역의 크기가 10um 이하로 조절될 수 있기 때문에, 발광 장치(10)의 픽셀 밀도는 1000 또는 2000ppi 이상이 될 수 있다.
수평 거리 δ는 접점 T1으로부터 X축을 따른 끝점 E까지의 거리이다. 수평 거리 δ는 발광 물질(205)이 돌기(210)를 어떻게 오버랩하는지를 나타낸다. 수평 거리 δ는 또한 오버랩 폭(overlap width)으로 불린다. 일부 실시예에서, 오버랩 폭 δ는 W1의 약 80~85%이다. 일부 실시예에서, 오버랩 폭 δ는 W1의 약 75~80%이다. 일부 실시예에서, 오버랩 폭 δ는 W1의 약 75~90%이다. 일부 실시예에서, 오버랩 폭 δ는 약 0.85um 내지 1.0um이다. 일부 실시예에서, 오버랩 폭 δ는 약 0.8um 내지 0.9um이다. 일부 실시예에서, 오버랩 폭 δ는 약 0.9um 내지 1.0um이다.
일부 실시예에서, 발광 장치(10)에는 적어도 두 개의 다른 종류의 발광 픽셀이 있다. 제1종 픽셀은 제1 파장 스펙트럼을 가진 빛을 방출하고, 제2종 픽셀은 제1 파장 스펙트럼과 다른 제2 파장 스펙트럼을 가진 빛을 방출한다. 일부 실시예에서, 제1종 픽셀은 제2종 픽셀의 오버랩 폭에 비해 더 큰 오버랩 폭을 가진다. 일부 실시예에서, 제1종 픽셀의 오버랩 폭은 제2종 픽셀의 그것보다 약 0.1% 크다. 일부 실시예에서, 제1종 픽셀의 오버랩 폭은 제2종 픽셀의 그것보다 약 60% 크다. 일부 실시예에서, 제1종 픽셀의 오버랩 폭은 제2종 픽셀의 그것보다 약 0.1% 내지 60% 크다.
도 4a는 여러 발광 픽셀들을 구비한 발광 레이어(20)의 일부분의 평면도이다. 제1종 픽셀은 (401)이고 제2종 픽셀은 (402)이다. 점선들은 각각의 픽셀의 발광 물질이 스페이서 돌기(210)를 만나는 곳을 나타낸다. 도 4a의 점선들은 도 3의 점 T1 또는 T2이다. 간격 d는 도 3의 스페이서 돌기(210)의 폭, 즉 d=W1+W2이다. 모든 스페이서 돌기는 실질적인 폭을 갖지만, 오버랩 폭은 다르다. 제1종 픽셀의 오버랩 폭은 δ1이고 제2종 픽셀의 오버랩 폭은 δ2이다; δ1은 δ2보다 작다. 그러므로, 비록 발광 레이어(20)의 스페이서 돌기들이 균일한 폭을 가진다 하더라도, 인접한 픽셀들은 만약 그들이 (다른 파장 스펙트럼을 방출하는) 다른 종류라면 다른 오버랩 폭을 가질 수 있다.
도 4b는 여러 발광 픽셀들을 구비한 발광 레이어(20)의 일부분의 평면도이다. 제1종 픽셀은 (401)이고, 제2종 픽셀은 (402)이고, 제3종 픽셀은 (403)이다. 점선들은 각각의 픽셀의 발광 물질이 스페이서 돌기(210)를 만나는 곳을 나타낸다. 도 4b의 점선들은 도 3의 점 T1 또는 T2이다. 간격 d는 도 3의 스페이서 돌기(210)의 폭, 즉 d=W1+W2이다. 모든 스페이서 돌기는 실질적인 폭을 갖지만, 오버랩 폭은 다르다. 제1종 픽셀의 오버랩 폭은 δ1이고 제2종 픽셀의 오버랩 폭은 δ2이고, 제3종 픽셀의 오버랩 폭은 δ3이다. δ1은 δ2보다 작고, δ2는 δ3보다 작다. 도 4a와 유사하게, 발광 레이어(20)의 스페이서 돌기들은 균일한 폭을 가지지만, 인접한 픽셀들은 만약 그들이 (다른 파장 스펙트럼을 방출하는) 다른 종류라면 다른 오버랩 폭을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, δ1은 δ2보다 약 0.1% 내지 약 60% 작고, δ2는 δ3보다 약 0.1% 내지 60% 작다.
수직 거리 λ는 접점 T1으로부터 끝점 E까지 Y축을 따라 측정된 거리이다. 수직 거리 λ는 또한 발광 물질(205)이 돌기(210)를 어떻게 오버랩하거나 커버하는지를 나타내는데 쓰일 수 있다. 수직 거리 λ는 또한 오버랩 높이(overlap height)로 불린다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 H의 약 60~80%이다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 H의 약 60~75%이다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 H의 약 65~75%이다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 H의 약 70~80%이다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 H의 약 70~75%이다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 H의 약 75~80%이다.
일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 약 0.6um 내지 0.8um이다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 약 0.65um 내지 0.7um이다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 약 0.7um 내지 0.75um이다. 일부 실시예에서, 오버랩 높이 λ는 약 0.75um 내지 0.8um이다.
일부 실시예에서, 제1종 픽셀은 제2종 픽셀에 비해 더 큰 오버랩 높이를 가진다. 일부 실시예에서 제1종 픽셀의 오버랩 높이는 제2종 픽셀의 그것보다 약 20% 내지 약 50% 크다. 일부 실시예에서, 제1종 픽셀은 제2종 픽셀보다 더 큰 오버랩 높이를 가지고, 제2종 픽셀은 제3종 픽셀보다 더 큰 오버랩 높이를 가진다. 일부 실시예에서 제1종 필셀의 오버랩 높이는 제2종 픽셀의 그것보다 약 20% 내지 약 50% 크다. 일부 실시예에서 제2종 픽셀의 오버랩 높이는 제3종 픽셀의 그것보다 약 20% 내지 약 50% 크다.
일부 경우에, 발광 물질(205)은 곡면(212)과 접촉한다. 발광 물질(205)의 곡면(212)과 접촉한 부분은 곡면(212)과 등각(conformal)이다.
일부 실시예에서, 전극(215)은 복합 구조이다. 예를 들어, 전극(215)은 전도성 필름과 그 위의 투명한 전도성 필름을 구비한다. 도 6a는 전극(215)의 예시이다. 전도성 필름(2151)은 투명한 전도성 필름(2152)과 기판(100) 사이에 위치한다. 일부 실시예에서, 전도성 필름(2151)은 알루미늄, 금, 은, 구리 등을 포함한다. 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름(2152)은 인듐, 주석, 그래핀, 아연, 산소 등을 포함한다. 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름(2152)은 ITO(인듐 주석 산화물)이다. 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름(2152)은 IZO(인듐 아연 산화물)이다. 금속성 필름(2151)은 약 1500 옹스트롱 내지 약 3000 옹스트롱 사이의 두께를 가질 수 있다. 투명한 전도성 필름(2152)은 약 80 옹스트롱 내지 약 1000 옹스트롱의 두께를 가질 수 있다.
일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름(2152)은 더 연장되어 도 6b에 도시된 것처럼 전도성 레이어(2151)의 측벽(215b)을 커버한다. 일부 실시예에서, 도 6c에 보이는 것과 같이, 투명한 전도성 필름(2152)은, 측벽(215b)을 따라, 측벽(215b)의 최정점 부분(215c)에서 가장 큰 두께를 그리고 측벽의 최저점 부분(215d)(투명한 전도성 필름(2152)과 기판(100)이 접하는 곳)에서 가장 작은 두께를 가진다. 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름(2152)의 두께는 투명한 전도성 필름(2152)과 기판(100) 사이의 수직 거리에 따라 경사지게(gradiently) 증가한다.
일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름(2152)은 도 7a에 보이는 것과 같이 두 개의 인접한 그러나 분리된 전도성 레이어들 사이의 계곡(350)까지 더 연장된다. 계곡은 스페이서 돌기(210)로 채워진다. 계곡(350)에서, 투명한 전도성 필름(2152)은 한 쪽에서는 기판(100)과 접촉하고 반대 쪽에서는 스페이서 돌기(210)와 접촉한다. 전도성 필름은 계곡(350)에서 완전히 제거된다. 투명한 전도성 필름(2152)은 스페이서 돌기(210)와 기판(100) 사이에서 연속적이거나 여러 부분들로 분할되어 라이닝될 수 있다. 도 7b는 일부 실시예에서, 투명한 전도성 필름(2152)이 여러 부분들로 분할되어 기판 위에 무작위적으로 분포된 모습을 보여준다. 일부 실시예에서, 계곡(350)에서 투명한 전도성 필름(2152)의 평균 두께는 전도성 레이어(2151) 위의 투명한 전도성 필름 레이어(2152)의 두께의 약 1/4 내지 약 1/2이다.
일부 실시예에서, 제1 전극(215)은 3개의 다른 필름들을 가진다. Al, Cu, Ag, Au 등과 같은 전도성 필름은 두 개의 투명한 전도성 필름에 의해 샌드위치된다. 일부 경우에, 두 개의 투명한 전도성 필름들 중 하나는 ITO인데, 한 쪽에서는 기판(100)에 접촉하고 다른 쪽에서는 전도성 필름에 접촉한다. 일부 경우에, 두 개의 투명한 전도성 필름들 중 하나는 ITO인데, 한 쪽에서는 전도성 필름에 접촉하고 다른 쪽에서는 스페이서 돌기(210) 또는 발광 물질(205)과 접촉한다.
전술한 내용은 여러 실시예들의 특징들을 개략적으로 서술하므로 당업자는 본 발명의 양태들을 더 잘 이해할 수 있다. 당업자는 여기에 소개된 실시예들과 동일한 목적을 수행하거나 및/또는 동일한 장점을 얻기 위한 다른 절차들 또는 구조들을 설계 또는 수정하기 위한 기초로서 본 발명을 용이하게 사용할 수 있다는 것을 이해해야 한다. 당업자는 또한 그러한 균등한 구성은 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않는 것이며, 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않으면서 여기에 다양한 변경, 교체, 대체를 만들 수 있음을 이해하여야 한다.

Claims (15)

  1. 발광 장치로서,
    기판;
    상기 기판 위의 발광 레이어로서, 상기 발광 레이어는:
    복수의 발광 픽셀들을 포함하는 발광 픽셀 어레이; 및
    상기 복수의 발광 픽셀들을 분리하도록 구성된 스페이서(spacer)로서, 각각의 발광 픽셀은 발광 물질과 상기 발광 물질과 상기 기판 사이의 전극을 구비하는, 스페이서;를 포함하고,
    상기 스페이서는 상기 기판으로부터 돌출되어 나온 곡면을 구비한 돌기(bump)를 구비하고, 상기 돌기는 상기 전극의 주변 영역을 커버하는, 발광 레이어;를 포함하는, 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기는 상기 곡면에 근접한 영역에서 가장 큰 농도를 가지는 불소를 포함하는, 발광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 곡면과 상기 전극 사이의 각도는 약 35도 내지 55도 사이인, 발광 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기는 상기 전극의 총 두께보다 약 1.5배 내지 2배의 두께를 가지는, 발광 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 물질은 상기 돌기를 따라 라이닝되고 상기 곡면을 부분적으로 커버하는, 발광 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 물질과 상기 돌기를 커버링하는 제2 전극을 더 포함하는, 발광 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은 전도성 필름과 투명한 전도성 필름을 포함하고, 상기 투명한 전도성 필름은 상기 전도성 필름의 측벽을 커버하는, 발광 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기는 제1종 발광 픽셀과 제1종 발광 픽셀과는 다른 파장 스펙트럼을 방출하는 제2종 발광 픽셀 사이에 있고, 상기 제1종 발광 픽셀에 대한 상기 돌기를 오버랩핑하는 상기 발광 물질의 폭은 상기 제2종 발광 픽셀에 대한 상기 돌기를 오버랩핑하는 상기 발광 물질의 폭과 다른, 발광 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1종 발광 픽셀과 상기 제2종 발광 픽셀 사이의 상기 오버랩 폭의 차이는 상기 제1종 발광 픽셀의 상기 폭의 약 0.1% 내지 약 60%인, 발광 픽셀.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 곡면은 변곡점(inflection point)을 가지는, 발광 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 변곡점은 상기 돌기와 상기 전극 사이의 접점에 근접한, 발광 장치.
  12. 발광 장치로서,
    기판;
    상기 기판 위에 배치된 발광 어레이로서, 상기 발광 어레이는:
    복수의 발광 픽셀들;
    상기 복수의 발광 픽셀들의 두 개의 인접한 전극들 사이에 있도록 구성된 스페이서 돌기;를 포함하고,
    상기 스페이서 돌기는 두 개의 단부들이 각각 상기 두 개의 인접한 전극들과 교차하는 곡면을 구비하고, 상기 스페이서 돌기는 비대칭적으로 상기 인접한 전극들에 내려앉는(lands on), 발광 어레이;를 포함하는, 발광 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 스페이서 돌기 아래에 그리고 상기 두 개의 인접한 전극들 사이에 투명한 전도성 필름을 더 포함하는, 발광 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 두 개의 인접한 전극들 각각은 대응하는 발광 물질 아래에 있고, 각각의 대응하는 발광 물질은 상기 곡면의 일부분을 서로 다른 오버랩 폭을 가지고 커버하는, 발광 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 두 개의 인접한 전극들 각각은 대응하는 제2 전극 아래에 있고, 상기 두 개의 제2 전극들은 물리적으로 단절되어 있는, 발광 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331807A (zh) * 2020-11-27 2021-02-05 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 一种高亮高色域的硅基oled微显示器件

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210075281A (ko) * 2019-12-12 2021-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112885872B (zh) * 2020-01-21 2023-01-13 创王光电股份有限公司 发光元件
WO2023036138A1 (zh) * 2021-09-09 2023-03-16 台州观宇科技有限公司 发光装置及其制备方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6739931B2 (en) * 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP2003234186A (ja) * 2001-12-06 2003-08-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
US7307381B2 (en) * 2002-07-31 2007-12-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescent display and process for producing the same
JP2004192935A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4252297B2 (ja) 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
KR101066411B1 (ko) * 2004-03-31 2011-09-21 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
JP4121514B2 (ja) * 2004-07-22 2008-07-23 シャープ株式会社 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
TWI252587B (en) * 2004-12-14 2006-04-01 Quanta Display Inc Method for manufacturing a pixel electrode contact of a thin-film transistors liquid crystal display
JP4706287B2 (ja) * 2005-03-11 2011-06-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置および電子機器
KR101219045B1 (ko) * 2005-06-29 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이장치 및 그 제조방법
JP2007115465A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20070050330A (ko) 2005-12-19 2007-05-15 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 발광 소자
JP4864546B2 (ja) 2006-05-29 2012-02-01 三菱電機株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2008226746A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Sony Corp 表示装置および電子機器
WO2008146470A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Panasonic Corporation 有機ｅｌデバイス及び表示装置
EP2077698B1 (en) 2007-05-31 2011-09-07 Panasonic Corporation Organic el device and method for manufacturing the same
KR101581475B1 (ko) * 2007-07-31 2015-12-30 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법
KR100899426B1 (ko) * 2007-09-14 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 제조방법
WO2010143360A1 (ja) * 2009-06-11 2010-12-16 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイ
CN102612858A (zh) 2009-12-11 2012-07-25 日本先锋公司 有机el面板及其制造方法
JP5574113B2 (ja) * 2009-12-22 2014-08-20 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
JP5574114B2 (ja) * 2009-12-22 2014-08-20 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
WO2012017488A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子とその製造方法、および発光装置
KR101881852B1 (ko) * 2011-06-09 2018-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP6082917B2 (ja) 2012-05-31 2017-02-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光素子およびトランジスタ
KR101480928B1 (ko) * 2012-08-07 2015-01-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102014885B1 (ko) * 2012-12-26 2019-08-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150145834A (ko) * 2014-06-19 2015-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102377490B1 (ko) 2015-03-24 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102579326B1 (ko) 2015-12-23 2023-09-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108075045A (zh) * 2016-11-16 2018-05-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 用于印刷oled像素的限定结构及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331807A (zh) * 2020-11-27 2021-02-05 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 一种高亮高色域的硅基oled微显示器件
CN112331807B (zh) * 2020-11-27 2021-07-23 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 一种硅基oled微显示器件

Also Published As

Publication number Publication date
EP3576155A1 (en) 2019-12-04
TWI689117B (zh) 2020-03-21
TW202005132A (zh) 2020-01-16
CN110556401B (zh) 2022-07-26
US10581011B2 (en) 2020-03-03
CN110556401A (zh) 2019-12-10
US20190372047A1 (en) 2019-12-05

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