KR20190127529A - 유기전계발광소자 - Google Patents

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KR20190127529A
KR20190127529A KR1020180164731A KR20180164731A KR20190127529A KR 20190127529 A KR20190127529 A KR 20190127529A KR 1020180164731 A KR1020180164731 A KR 1020180164731A KR 20180164731 A KR20180164731 A KR 20180164731A KR 20190127529 A KR20190127529 A KR 20190127529A
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정재호
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도광석
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곽태호
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Abstract

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로 유기전계발광소자에 포함되는 하나 이상의 유기층에 신규한 보론계 유기 화합물 및 안트라센계 유기 화합물을 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.

Description

유기전계발광소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로 유기전계발광소자에 포함되는 하나 이상의 유기층에 신규한 보론계 유기 화합물 및 안트라센계 유기 화합물을 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
유기전계발광 소자(OLED)는 기존 액정 표시 장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계 방출 디스플레이(FED) 등의 타 평판 표시 소자에 비해 구조가 간단하고, 제조 공정상의 다양한 장점이 있으며, 높은 휘도 및 시야각 특성이 우수하고, 응답속도가 빠르며, 구동전압이 낮아 벽걸이 TV등의 평판 디스플레이 또는 디스플레이의 배면광, 조명, 광고판 등의 광원으로서 사용되도록 활발하게 개발 및 제품화 되고 있다.
유기전계발광 소자는 이스트만 코닥사의 탕(C. W. Tang) 등에 의해 최초의 유기 EL 소자가 보고(C. W. Tang, S. A. Vanslyke, Applied Physics Letters, 51권 913페이지, 1987년)되었으며, 이의 발광 원리는 일반적으로, 전압을 인가하였을 때, 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자가 재결합하여 전자-정공 쌍인 엑시톤을 형성하며, 이 엑시톤의 에너지를 발광 재료에 전달함에 의해 빛으로 변환되는 것을 기초로 한다.
더욱 구체적으로, 유기전계발광 소자는 음극(전자주입전극)과 양극(정공주입전극), 및 상기 두 전극 사이에 하나 이상의 유기층을 포함하는 구조를 갖는다. 이때, 유기전계발광 소자는 양극으로부터 정공주입층(HIL, hole injection layer), 정공수송층(HTL, hole transport layer), 발광층(EML, light emitting layer), 전자수송층(ETL, electron transport layer) 또는 전자주입층(EIL, electron injection layer)의 순서로 적층되며, 발광층의 효율을 높이기 위하여 전자차단층(EBL, electron blocking layer) 또는 정공차단층(HBL, hole blocking layer)을 각각 발광층의 앞뒤에 추가로 포함할 수 있다.
이러한 유기전계발광 소자의 유기층 중에서 발광층 유기물질로는 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 가진 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다. 더욱 구체적으로, 발광층은 호스트(host)와 도펀트(dopant)의 두 물질로 구성되며 도펀트는 양자 효율이 높아야 하며, 호스트 물질은 도펀트 물질보다 에너지 갭이 커서 도펀트로의 에너지 전이가 용이하게 일어나게 하는 것이 바람직하다.
일반적으로, 유기전계 발광소자에 사용되는 발광층 유기물은 박막으로 성막 시 비정질막으로 형성되기 쉬우나, 분자 형상 또는 분자 극성에 따라 비등방성의 배열로 성막되는 경향을 보이는 재료들도 존재한다. 이러한 비등방성 배열은 분자의 형상이 선형에 가깝고 그 축을 따라 분자 내 쌍극자를 형성하는 기를 포함할 경우 기판에 수평방향으로의 배열하는 성향이 커지며, 이를 통해 수직으로의 전하 전송도 및 광취출 효율이 크게 향상되는 것으로 알려져 있다 (Ref. J. Mater. Chem., 2011, 21, 19187).
이에 따라, 소자의 구동전압 및 광효율을 높이기 위해서는 기존에 주로 사용되는 폴리아로마틱(polyarmatic)으로만 구성된 청색 호스트보다는, 디벤조퓨란(dibenzofuran), 디벤조티오펜(dibenzothiophene) 등과 같이 극성이 있는 유도체를 치환하는 것이 중요하다.
그 이유는 디벤조퓨란(Dibenzofuran)에 포함되어 있는 산소 분자 또는 디벤조티오펜(dibenzothiophene)에 포함되어 있는 황 분자로 인해 분극률(Polarizability) 및 쌍극자모멘트(Dipole Moment)가 증가하여 성막 시 수평 방향 분자 배열이 증가하고, 전하 이동도 및 광취출이 증가하여 소자 구동전압 및 효율을 개선시킬 수 있기 때문이다.
그러나, 호스트 재료의 극성이 증가할 경우, 도펀트의 여기상태와 기저상태의 에너지가 이를 둘러싸고 있는 호스트의 극성에 영향을 받아 발광 스펙트럼이 장파장으로 이동하는 경향을 나타내고, 궁극적으로 색특성 저하 현상을 야기한다.
기존의 청색 도펀트로 사용되는 물질은 페릴렌(Perylene), 쿠마린(Coumarine), 안트라센(Anthracene), 파이렌(Pyrene)등의 형광 분자의 활용이 많은 비중을 차지했지만, 도펀트의 발광스펙트럼의 반치폭(Full width half the maximum)이 ~40nm 수준으로 넓어 진청색(Deep Blue)을 구현하기 어려우며, 전면발광 소자에서 광학적인 공진을 통해 일정 파장 구간을 증폭시킬 때에도 광학적인 손실이 발생한다.
특히, 상기 구동전압 및 효율 개선을 위해 극성이 있는 호스트를 사용시 도펀트의 색특성 저하 효과가 더 크게 나타나게 되는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명의 발명자들은 극성이 높은 호스트 재료 사용 시, 반치폭이 상대적으로 좁은 도펀트 재료를 사용하여 동일 발광스펙트럼 최대파장에서 색특성 저하를 최소화하면서 호스트 재료로 인한 구동 및 효율 향상 효과를 향상시키고자 하였다.
그러나, 반치폭이 좁은 도펀트를 사용하더라도 호스트의 높은 극성으로 인해 소자의 수명이 감소한다는 또 다른 문제점이 제기되었다. 국제공개공보 제2017-188111호의 유기 전계발광소자도 디벤조퓨란(dibenzofuran) 또는 디벤조티오펜(dibenzothiophene) 치환기를 가지는 안트라센계 화합물과 반치폭이 작은 도펀트를 사용하고 있지만 여전히 수명 감소 문제가 해결되지 않았다. 이에, 본 발명의 발명자들은 극성이 높은 호스트 재료 사용 시, 반치폭이 상대적으로 좁은 도펀트 재료를 사용하여, 동일 발광스펙트럼 최대파장에서 색특성 저하를 최소화하는 동시에 호스트 재료로 인한 구동 및 효율 향상을 향상시키고 수명이 감소 문제도 함께 해결하고자 한다.
한국공개특허 제10-2013-0010633호
Krebs, Frederik C., et al. "Synthesis, Structure, and Properties of 4, 8, 12-Trioxa-12c-phospha-4, 8, 12, 12ctetrahydrodibenzo [cd, mn] pyrene, a Molecular Pyroelectric." Journal of the American Chemical Society 119.6 (1997): 1208-1216.
본 발명의 목적은 소자의 효율, 색특성, 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 높은 극성을 가짐에도 불구하고 특정 구조식을 가지는 호스트 물질을사용하여 색특성 저하 방지, 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율 및 장수명 등의 특성을 갖는 유기전계 발광소자를 제공한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 발명에서 “알킬”은 탄소수 1 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알케닐(alkenyl)”은 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 비닐(vinyl), 알릴(allyl), 이소프로펜일(isopropenyl), 2-부텐일(2-butenyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알키닐(alkynyl)”은 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 에티닐(ethynyl), 2-프로파닐(2-propynyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “아릴”은 단독 고리 또는 2이상의 고리가 조합된 탄소수 6 내지 60개의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다.
또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴, 다이메틸플루오레닐 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “헤테로아릴”은 핵원자수 5 내지 60개의 모노헤테로사이클릭 또는 폴리헤테로사이클릭 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이때, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로원자로 치환된다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있고, 나아가 아릴기와의 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 헤테로아릴의 예로는 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 트리아지닐과 같은 6-원 모노사이클릭 고리, 페녹사티에닐 (phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 퀴놀릴(quinolyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 카바졸릴(carbazolyl)과 같은 폴리사이클릭 고리 및 2-퓨라닐, N-이미다졸릴, 2-이속사졸릴, 2-피리디닐, 2-피리미디닐 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “아릴옥시”는 RO-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R은 탄소수 6 내지 60개의 아릴을 의미한다. 이러한 아릴옥시의 예로는 페닐옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알킬옥시”는 R'O-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R'는 탄소수 1 내지 40개의 알킬을 의미하며, 직쇄(linear), 측쇄(branched) 또는 사이클릭(cyclic) 구조를 포함할 수 있다. 알킬옥시의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 1-프로폭시, t-부톡시, n-부톡시, 펜톡시 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “아릴아민”은 탄소수 6 내지 60개의 아릴로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서 “시클로알킬”은 탄소수 3 내지 40개의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 시클로알킬의 예로는 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로 헥실, 노르보닐(norbornyl), 아다만틴(adamantine) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “헤테로시클로알킬”은 핵원자수 3 내지 40개의 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하며, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로 원자로 치환된다. 이러한 헤테로시클로알킬의 예로는 모르폴린, 피페라진 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 “알킬실릴”은 탄소수 1 내지 40개의 알킬로 치환된 실릴이고, “아릴실릴”은 탄소수 6 내지 60개의 아릴로 치환된 실릴을 의미한다.
본 발명에서 “축합고리”는 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리, 축합 헤테로방향족 고리 또는 이들의 조합된 형태를 의미한다.
본 발명에서 "아릴렌기"은 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 일예로, 페닐렌(phenylene), 바이페닐렌(biphenylene) 나프틸렌(naphthylene), 안트라세닐렌(anthracenylene) 또는 플루오레닐렌(flu orenylene) 일 수 있다.
본 발명에서 "헤테로아릴렌"은 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 상기 목적을 달성하기 위하여, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기전계 발광소자로서, 상기 유기막은 발광층을 포함하며, 상기 발광층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다;
[화학식 1] [화학식 2]
Figure pat00001
Figure pat00002
상기 화학식 1에서,
Y는 B, N, P=O 또는 P=S 이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S, Se, N(R12) 및 N(R13)로 이루어진 군으로부터 선택되며,
R1 내지 R13은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 2에서,
X는 O 또는 S이며,
n은 0 내지 4의 정수이며,
m은 0 내지 3의 정수이며,
L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 핵원자수 6 내지 30개의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 시클로알케닐렌기 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로시클로알케닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
Ar1은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알케닐기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알케닐기 이루어진 군으로부터 선택되며,
R14 내지 R23은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 R22 또는 R23은 서로 연결되어 고리를 형성하지 않는다.
상기 화학식 1 및 2에서, 상기 R1 내지 R23, L1 내지 L2 및 Ar1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있으며, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
[화학식 1]
Figure pat00003
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1의 Y는 B이며, X1 및 X2는 각각 독립적으로 O 및 N(R12)로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 R1 내지 R13은 상기에서 정의한 바와 동일하다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R3은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기 및 치환 또는 비치환된 핵원자수 6 내지 30의 아릴아미노기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 더욱 바람직하게 R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 시클로프로필기, 치환 또는 비치환된 시클로부틸기, 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기, 치환 또는 비치환된 시클로헥실기, 치환 또는 비치환된 시클로헵틸기 및 치환 또는 비치환된 아다만틸기, 치환 또는 비치환된 페닐아미노기 및 치환 또는 비치환된 디페닐아미노기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
[화학식 2]
Figure pat00004
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2의 L1 은 치환 또는 비치환의 아릴렌기이며, 바람직하게는 치환 또는 비치환의 나프틸렌기 또는 치환 또는 비치환의 페닐렌기이며, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환의 페닐렌기이다. L1 이 아릴렌기인 경우, 화학식 2 화합물의 유리전이온도(Tg)가 우수하여 내열성이 강하며, 저전압 구현, 유리전이온도(Tg), 효율 및 수명 특성이 우수한 유기전계 발광소자의 제공이 가능하다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2의 L2는 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환의 핵원자수 6 내지 30개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고, 더욱 바람직하게는 단일결합이다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2의 X는 바람직하게 O이다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2의 Ar1은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기이고, 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환된 페닐, 비페닐, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐기, 파이레닐기, 페날레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등의 아릴기이다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2의 X는 O이며, L1 은 치환 또는 비치환의 아릴렌기이고, L2는 단일결합이고, Ar1은 치환 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
Figure pat00035
Figure pat00036
본 발명의 유기전계 발광소자는 색순도가 우수해 더욱 진한 청색(Deep Blue)을 구현하는 청색 호스트/도펀트 시스템을 제공하며, 이와 함께 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율 및 장수명 등의 특성을 갖는 효과를 나타낸다.
또한, 본 발명의 호스트/도펀트 화합물들을 포함하는 유기전계발광소자는 시야각 문제를 개선하는 효과를 발휘한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
이하에서, 상기 화학식 1 및 2로 표시되는 화합물들의 합성방법을 대표적인 예를 들어 하기에 설명한다.
그러나, 본 발명의 화합물들의 합성방법이 하기 예시된 방법으로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 화합물들은 하기에 예시된 방법과 이 분야의 공지의 방법에 의해 제조될 수 있다.
<합성예 1-1>
Figure pat00037
출발물질 1을 8.9 g (20 mmol) 을 tert-butylbenzene (250 ml)에 녹인 후 0 ℃까지 냉각하였다. 질소 분위기 하에서 1.7 M의 tert-butyllithium 용액(in Pentane) 24.7 ml (42 mmol)을 첨가하고 60 ℃에서 2시간 교반하였다.
이 후 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 BBr3 4.0 ml (42 mmol)를 첨가한 후 상온에서 0.5시간 교반하였다. 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-diisopropylethylamine 7.3 ml (42 mmol)를 첨가한 후 60 ℃에서 2시간 교반하였다.
반응액을 실온까지 냉각시키고 Ethyl acetate와 Water를 이용하여 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층의 용매를 제거한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 (DCM/Hexane) 방법을 이용하여 정제하였다. 이 후 DCM/Acetone 혼합 용매로 재결정 정제하여, 상기 화합물 1-1을 20.2 % 수율로 1.7 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 420 [M]+
<합성예 1-2>
Figure pat00038
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-3을 9.9 g (20 mmol) 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-3 을 23.0 % 수율로 2.16 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 470 [M]+
<합성예 1-3>
Figure pat00039
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-5를 10.6 g (20 mmol) 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-5를 23.2 % 수율로 2.3 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 502 [M]+
<합성예 1-4>
Figure pat00040
출발물질 1-44 대신 출발물질 1-14를 16.4 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-14를 12.2 % 수율로 1.95 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 811 [M]+
<합성예 1- 5>
Figure pat00041
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-55를 11.4 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-55를 15.0 % 수율로 1.6 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 545 [M]+
<합성예 1-6>
Figure pat00042
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-62를 11.6 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-62를 8.4 % 수율로 0.9 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 552 [M]+
<합성예 1- 7>
Figure pat00043
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-63을 12.2 g (20 mmol) 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-63을 7.0 % 수율로 0.82 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 586 [M]+
<합성예 1-8>
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-64를 14.3 g (20 mmol) 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-64를 11.0 % 수율로 1.52 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 689 [M]+
Figure pat00044
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-64를 14.3 g (20 mmol) 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-64를 11.0 % 수율로 1.52 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 689 [M]+
<합성예 1-9>
Figure pat00045
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-104를 13.4 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-104를 21.7 % 수율로 2.7 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 644 [M]+
<합성예 1-10>
Figure pat00046
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-126를 15.3 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-126를 15.0 % 수율로 2.29 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 739 [M]+
<합성예 1-11>
Figure pat00047
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-127을 12.8 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-127을 18.0 % 수율로 2.21 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 615 [M]+
<합성예 1-12>
Figure pat00048
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-129를 15.5 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-129를 7.0 % 수율로 1.05 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 752 [M]+
<합성예 1-13>
Figure pat00049
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-130 을 15.5 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-130을 1.1 % 수율로 0.15 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 752 [M]+
<합성예 1-14>
Figure pat00050
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-146을 15.1 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-146을 21.2 % 수율로 3.1 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 726 [M]+
<합성예 1-15>
Figure pat00051
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-148을 10.4 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-148을 12.7 % 수율로 1.3 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 492 [M]+
<합성예 1-16>
Figure pat00052
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-151을 12.4 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-151을 16.4 % 수율로 1.9 g 얻었다.
*MS (MALDI-TOF) m/z: 592 [M]+
<합성예 1- 17>
Figure pat00053
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-166을 13.9 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-166을 19.2 % 수율로 2.6 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 670 [M]+
<합성예 1- 18>
Figure pat00054
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-167을 14.5 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-167을 20.4 % 수율로 2.8 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 696 [M]+
<합성예 1- 19>
Figure pat00055
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-169를 14.5g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-169를 15.4 % 수율로 2.1 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 696 [M]+
<합성예 1- 20>
Figure pat00056
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-170을 13.3 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-170을 17.8 % 수율로 2.3 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 640 [M]+
<합성예 1- 21>
Figure pat00057
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-171을 15.5g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-171을 21.1 % 수율로 3.2 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 748 [M]+
<합성예 1-22>
Figure pat00058
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-179를 16.1 g (20 mmol) 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-179를 20.7 % 수율로 3.2 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 778 [M]+
<합성예 1-23>
Figure pat00059
출발물질 1-181 대신 출발물질 1-181을 13.1 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-181을 9.9 % 수율로 1.2 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 626 [M]+
<합성예 1-24>
Figure pat00060
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-182를 15.0 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-182를 19.1 % 수율로 2.8 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 722 [M]+
<합성예 1-25>
Figure pat00061
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-183을 15.0 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-183을 18.0 % 수율로 2.6 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 722 [M]+
<합성예 1-26>
Figure pat00062
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-184를 16.1 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 251를 15.2 % 수율로 2.4 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 778 [M]+
<합성예 1- 27>
Figure pat00063
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-185를 15.0 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-185를 18.8 % 수율로 2.7 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 722 [M]+
<합성예 1- 28>
Figure pat00064
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-187을 16.1 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-187을 18.3 % 수율로 2.9 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 778 [M]+
<합성예 1- 29>
Figure pat00065
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-188을 16.6 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-188을 17.8 % 수율로 2.9 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 800 [M]+
<합성예 1-30>
Figure pat00066
출발물질 1-1 대신 출발물질 1-193을 14.8 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-193을 21.2 % 수율로 3.06 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 722 [M]+
<합성예 1-31>
Figure pat00067
출발물질 1 대신 출발물질 1-198을 16.0 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-198 을 23.4 % 수율로 3.63 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 774 [M]+
<합성예 1-32>
Figure pat00068
출발물질 1 대신 출발물질 1-211을 16.1 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-211 을 25.4 % 수율로 3.50 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 778 [M]+
<합성예 1-33>
Figure pat00069
출발물질 1 대신 출발물질 1-212을 15.6 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-212 을 20.1 % 수율로 2.92 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 726 [M]+
<합성예 1-34>
Figure pat00070
출발물질 1 대신 출발물질 1-216을 18.3 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-216 을 11.2 % 수율로 2.00 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 891 [M]+
<합성예 1-35>
Figure pat00071
출발물질 1 대신 출발물질 1-219을 14.9 g 사용한 것을 제외하고는 합성예 1-1과 동일한 방법으로 실험을 진행하여 상기 화합물 1-219을 12.5 % 수율로 1.81 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 722 [M]+
<합성예 2-1>
화합물 2-1의 합성
Figure pat00072
9-브로모-10-페닐안트라센 (3.33 g, 10 mmol)과 디벤조퓨란-4-보론산 (2.33 g, 11 mmol), 탄산칼륨 (2.76 g, 20 mmol), 톨루엔 50 mL, 물 10 mL, 에탄올 10 mL를 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류한다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-1을 2.45 g (63 %) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 420 [M]+
<합성예 2-2>
화합물 2-2의 합성
Figure pat00073
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조퓨란 (4.23 g, 10.0 mmol)과 (4-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산 (2.18 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-2를 2.38g (48 %) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 496 [M]+
<합성예 2-3>
화합물 2-5 합성
Figure pat00074
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조퓨란 (4.23 g, 10.0 mmol)과 [1,1':4',1''-터페닐]-4-일 보론산 (3.01 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-5를 3.08 g (54%) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 572 [M]+
<합성예 2-4>
화합물 2-6의 합성
Figure pat00075
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조퓨란 (4.23 g, 10.0 mmol)과 (4-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산 (2.72 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 물을 투입한 후, 층분리하고 유기층을 MgSO4 처리하여 수분을 제거하였다. 여과한 후, 여액을 감압하에서 농축하고 디클로로메탄과 n-헵탄으로 재결정하여 화합물 2-6을 1.85 g (34%) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 546 [M]+
<합성예 2-5>
화합물 2-7의 합성
Figure pat00076
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조퓨란 (4.23 g, 10.0 mmol)과 (4-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산 (2.72 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-7을 3.06 g (56%) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 546 [M]+
<합성예 2-6>
화합물 2-8의 합성
Figure pat00077
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조퓨란 (4.23 g, 10.0 mmol)과 (3-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산 (2.72 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-8을 2.67g (49 %) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 546 [M]+
<합성예 2-7>
화합물 2-11의 합성
Figure pat00078
10-브로모-9-(나프탈렌-1'-일) 안트라센 (3.83 g, 10.0 mmol)과 디벤조퓨란-4-보론산 (2.34 g, 11 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.231 g (0.2 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-11을 3.20 g (37%) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 470 [M]+
<합성예 2-8>
화합물 2-13의 합성
Figure pat00079
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조퓨란 (4.23 g, 10.0 mmol)과 (4-페닐나프탈렌-1-일)보론산 (2.72 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-13을 2.67 g (49%) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 546 [M]+
<합성예 2-9>
화합물 2-14의 합성
Figure pat00080
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조퓨란 (4.23 g, 10.0 mmol)과 (6-페닐나프탈렌-2-일)보론산 (2.72 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-14를 3.06 g (56%) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 546 [M]+
<합성예 2-10>
화합물 2-34의 합성
Figure pat00081
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조퓨란 (4.23 g, 10.0 mmol)과 (4-(페난쓰렌-9-일)페닐)보론산 (3.27 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-34을 3.16 g (54 %) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 596 [M]+
<합성예 2-11>
화합물 2-42의 합성
Figure pat00082
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조티오펜(4.23 g, 10.0 mmol)과 (4-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산 (2.72 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-42을 2.97g (53 %) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 562 [M]+
<합성예 2-12>
화합물 2-46의 합성
Figure pat00083
4-(10-브로모안트라센-9-일)디벤조티오펜 (4.23 g, 10.0 mmol)과 (3-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산 (2.72 g, 11.0 mmol), 탄산칼륨 (5.16 g, 20 mmol), 톨루엔 100 mL, 물 20 mL, 에탄올 100 mL 넣는다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.231 g, 0.20 mmol)을 투입하고 10시간 동안 환류하였다. 이후 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 생성한 고체를 톨루엔, 메탄올, 물로 세정한 뒤 톨루엔에서 재결정하여 화합물 2-46을 2.31g (41 %) 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 562 [M]+
<실시예 1: 유기전계발광소자의 제조>
유기전계 발광소자의 양극인 ITO(12nm)가 순차적으로 적층된 기판을 노광(Photo-Lithograph)공정을 통해 음극과 양극영역 그리고 절연층으로 구분하여 패터닝(Patterning)하였고, 이후 양극(ITO)의 일함수 (work-function) 증대와 세정을 목적으로 UV Ozone 처리와 O2:N2 플라즈마로 표면처리 하였다.
그 위에 정공주입층(HIL)으로 N4,N4,N4',N4'-테트라([1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민에 p-dopant를 3% 비율로 함께 진공증착하여 100 Å 두께로 형성하였다.
이어 상기 정공주입층 상부에, N4,N4,N4',N4'-테트라([1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 진공 증착하여 900Å 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 (HTL) 상부에 전자차단층(EBL)으로써 N-페닐-N-(4-(스피로[벤조[de]안트라센-7,9'-플루오렌]-2'-일)페닐)디벤조[b,d]푸란-4-아민을 100 Å 두께로 형성하고, 상기 전자차단층(EBL) 상부에 발광층의 호스트로 화합물 2-5를 증착시키면서 동시에 도펀트로 화합물 1-211을 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성하였다.
그 위에 2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸과 LiQ를 1:1의 중량비로 혼합하여 260 Å 두께로 전자수송층(ETL)을 증착하였으며, 전자주입층(EIL)로 LiF를 10 Å 두께로 형성한 후 음극으로 알루미늄(Al)을 1000 Å 두께로 증착시켰다.
이후 UV 경화형 접착제로 씰 캡(seal cap)을 합착하여 대기 중의 O2나 수분으로부터 유기전계 발광소자를 보호할 수 있게 하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
<실시예 2 내지 7: 유기전계발광소자의 제조>
호스트로써 상기 화합물 2-5 대신 하기 표 1에 기재된 바와 같은 화합물을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기전계 발광소자를 제조하였다.
<실시예 8 내지 21: 유기전계발광소자의 제조>
호스트로써 상기 화합물 2-5 대신 하기 표 1에 기재된 바와 같은 화합물을 사용하고, 도펀로써 상기 화합물 1-211 대신 하기 표 1에 기재된 바와 같은 화합물을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기전계 발광소자를 제조하였다.
<비교예 1: 유기전계발광소자의 제조>
도펀트로써 상기 화합물 1-211 대신 하기 화합물 1-A 를 사용하고, 호스트로써 상기 화합물 2-5 대신 하기 화합물 2-A 를 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
[화합물 1-A] [화합물 2-A]
Figure pat00084
Figure pat00085
<비교예 2: 유기전계발광소자의 제조>
도펀트로써 상기 화합물 1-1 대신 하기 화합물 1-A를 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
<비교예 3 내지 4: 유기전계발광소자의 제조>
호스트로써 상기 화합물 2-5 대신 하기 화합물 2-A를 사용하고, 도펀트로써 본 발명의 화합물 211 또는 1-14를 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
[화합물 2-A]
Figure pat00086
<비교예 5 내지 12: 유기전계발광소자의 제조>
호스트로써 상기 화합물 2-5 대신 하기 화합물 2-B 내지 2-H 중 하나를 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
[화합물 2-B] [화합물 2-C] [화합물 2-D]
Figure pat00087
Figure pat00088
Figure pat00089
[화합물 2-E] [화합물 2-F] [화합물 2-G] [화합물 2-H]
Figure pat00090
Figure pat00091
Figure pat00092
Figure pat00093
<실험예 1: 유기전계발광소자의 특성 분석>
이하 실시예 1 내지 21 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 유기전계발광소자를 이용하여 10mA/cm2의 전류 구동 시 효율 및 전압 특성과 20mA/cm2의 정전류 구동 초기 휘도 대비 5% 감소 수명 특성을 비교하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
Figure pat00094
실험결과, 비교예 1 내지 2에서 알 수 있듯이 종래의 파이렌 도펀트(화합물 1-A)와 반치폭이 넓은 도펀트에 극성이 있는 호스트를 함께 사용시 CIE y 좌표가 증가하여 색특성 측면에서 패널 색구현 구간이 감소하였다.
비교예 3 및 4는 종래의 파이렌 도펀트(화합물 1-A) 대신에 반치폭이 좁은 도펀트로서 본원 발명의 화학식 1의 구조를 가지는 화합물 1-211 또는 화합물 1-14를 사용함으로써, 비교예 1 및 2에 비해 CIE y 좌표가 감소하고 색순도가 향상되었다. 그러나, 비교예 3 및 4의 수명 특성은 여전히 낮았다.
반면, 본 발명의 실시예는 화학식 1의 도펀트와 함께 화학식 2의 화합물을 사용하여, CIE y 좌표의 감소하고 수명 특성은 증가하는 경향을 보였다. 실시예 1~11와 같이 peak 파장이 456nm으로 동일한 경우, CIEy 값이 0.05~0.06으로 색순도가 우수한 것으로 확인되며, 실시예 12~21 에서는 다른 실시예보다 장파장임에도 불구하고, 극성 호스트를 사용한 비교예 2와 동등이상의 색특성을 보여주며, 구동전압 감소 및 효율이 증가하였다.
표 1의 비교예 5 내지 12는 도펀트로서 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하고, 호스트로서 디벤조퓨란(dibenzofuran)의 치환기를 가지는 극성 화합물을 사용하고 있지만, 디벤조퓨란의 결합 위치가 본원 발명의 화학식 2와 상이함에 따라 실시예 1 내지 21에에 비해서 수명이 현저하게 저하되었다.
본원의 실시예 1 내지 21은 화학식 1의 도펀트와 화학식 2의 호스트를 사용하여 색특성 저하를 방지하고, 종래 소자와 동등 이상의 효율, 낮은 전압 및 높은 수명을 달성하였다.

Claims (6)

  1. 제1전극;
    제2전극; 및
    상기 제1전극과 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기전계 발광소자로서,
    상기 유기막은 발광층을 포함하며,
    상기 발광층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기전계발광소자:
    [화학식 1]
    Figure pat00095

    여기서,
    Y는 B, N, P=O 또는 P=S 이며,
    X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S, Se, N(R12) 및 N(R13)로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    R1 내지 R13은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,

    [화학식 2]
    Figure pat00096

    여기서,
    X는 O 또는 S이며,
    n은 0 내지 4의 정수이며,
    m은 0 내지 3의 정수이며,
    L1 및 L2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환의 핵원자수 6 내지 30개의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 시클로알케닐렌기 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 10의 헤테로시클로알케닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    Ar1은 치환 또는 비치환의 탄소수 6내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 시클로알케닐기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20개의 헤테로알케닐기 이루어진 군으로부터 선택되며,
    R14 내지 R23은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 R22 또는 R23은 서로 연결되어 고리를 형성하지 않으며,
    상기 R1 내지 R23, L1 내지 L2 및 Ar1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있으며, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
  2. 제1항에 있어서,
    하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기전계 발광소자:
    [화학식 1]
    Figure pat00097

    상기 식에서,
    Y는 B이며,
    X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, N(R12) 및 N(R13)로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 R1 내지 R13은 제1항에서 정의한 바와 동일하다.
  3. 제 1항에 있어서,
    하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기전계 발광소자:
    [화학식 2]
    Figure pat00098

    L1 은 치환 또는 비치환의 아릴렌기이고,
    L2는 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환의 핵원자수 6 내지 30개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    X, R14 내지 R23 및 Ar1 은 제1항에 정의된 바와 같다.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 화학식 2에서,
    X는 O이며,
    Ar1은 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30개의 헤테로아릴기이고,
    L2는 단일결합인 유기전계 발광소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기전계발광소자:
    Figure pat00099

    Figure pat00100

    Figure pat00101

    Figure pat00102

    Figure pat00103

    Figure pat00104

    Figure pat00105

    Figure pat00106

    Figure pat00107

    Figure pat00108

    Figure pat00109

    Figure pat00110

    Figure pat00111

    Figure pat00112

    Figure pat00113

    Figure pat00114

    Figure pat00115

    Figure pat00116

    Figure pat00117

    Figure pat00118

    Figure pat00119

  6. 제 3항에 있어서,
    상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기전계발광소자:
    Figure pat00120

    Figure pat00121

    Figure pat00122

    Figure pat00123


    Figure pat00124

    Figure pat00125

    Figure pat00126

    Figure pat00127

    Figure pat00128

    Figure pat00129

    Figure pat00130

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