KR20190097076A - 광전기 혼재 기판 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 108
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 149
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 4
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 polyethernitrile Polymers 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B2006/12083—Constructional arrangements
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12166—Manufacturing methods
- G02B2006/12176—Etching
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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Abstract
휘어짐이 없거나 작은 광전기 혼재 기판을 제공한다. 본 발명의 광전기 혼재 기판은, 전기 회로 기판(E)과, 상기 전기 회로 기판(E)의 편면에 적층 형성된 광도파로(W)를 포함하고, 그 광도파로(W)가, 언더클래드층(3)과, 이 언더클래드층(3)의 표면에 형성된 광로용의 코어(4)와, 그 코어(4)를 피복하도록 상기 언더클래드층(3)의 표면에 형성된 오버클래드층(5)을 갖는 광전기 혼재 기판으로서, 상기 오버클래드층(5)의 적어도 표면 부분에, 상기 코어(4)의 정상면보다 낮은 위치에 그 홈바닥을 갖는 휘어짐 방지용의 홈(G)이 형성되어 있다.
Description
본 발명은, 전기 회로 기판과, 이 전기 회로 기판에 적층 형성된 광도파로를 포함한 광전기 혼재 기판에 관한 것이다.
최근의 전자 기기 등에서는, 전송 정보량의 증가에 따라서, 전기 배선에 더하여 광배선이 병용되고 있다. 그와 같은 것으로서, 전기 회로 기판에 광도파로가 적층 형성된 광전기 혼재 기판이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 상기 전기 회로 기판은, 절연성 기판과, 이 절연성 기판의 이면(제1면)에 형성된 전기 배선을 포함하고 있다. 또한, 상기 광도파로는, 상기 절연성 기판의 표면(제2면 : 상기 제1면과 반대측의 면)에 형성되어 있고, 그 절연성 기판의 표면에 형성된 언더클래드층과, 이 언더클래드층의 표면에 패턴 형성된 코어(광배선)와, 이 코어를 피복한 상태로 상기 언더클래드층의 표면에 형성된 오버클래드층을 포함하고 있다.
상기 광전기 혼재 기판의 전기 배선 부분에는, 발광 소자 및 수광 소자가 초음파 실장에 의해 실장된다. 그리고, 그 발광 소자로부터 발광된 광이, 상기 광도파로의 코어를 거쳐 상기 수광 소자에서 수광되는 것에 의해, 광전파가 이루어진다.
그러나, 상기 광전기 혼재 기판은, 경우에 따라서 광도파로를 내측으로 하여 휘어지는 경우가 있다. 그 원인을 본 발명자들이 규명한 결과, 그 원인은, 상기 광전기 혼재 기판의 제작에 있어서, 광도파로의 오버클래드층을 형성했을 때, 그 오버클래드층이 경화 수축하는 것에 있다는 것을 알았다. 오버클래드층은, 코어를 피복할 필요가 있기 때문에 체적이 크고, 특히 복수의 코어를 통합하여 피복하는 경우는, 체적이 더욱 커지고, 경화 수축하는 양도 많아진다. 이와 같이 광전기 혼재 기판이 휘어진 상태에서, 발광 소자 등을 초음파 실장에 의해 실장하면, 그 발광 소자 등을 광전기 혼재 기판에 적정하게 압박할 수 없고, 게다가 초음파 진동이 적정하게 전달되지 않기 때문에, 상기 발광 소자 등이 적정하게 실장되지 않는다. 그 결과, 나중에 상기 발광 소자 등이 광전기 혼재 기판으로부터 탈락하는 경우가 있다. 또한, 휘어진 광전기 혼재 기판을 강제로 눌러서 평탄하게 한 상태에서, 상기 발광 소자 등을 초음파 실장에 의해 실장했다 하더라도, 상기 누름을 해제했을 때에 상기 광전기 혼재 기판이 다시 휘어지고, 그 때, 상기 발광 소자 등이 광전기 혼재 기판으로부터 탈락하는 경우가 있다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 휘어짐이 없거나 작은 광전기 혼재 기판을 제공한다.
본 발명의 광전기 혼재 기판은, 전기 회로 기판과, 상기 전기 회로 기판의 편면에 적층 형성된 광도파로를 포함하고, 그 광도파로가, 광로용의 코어와, 그 코어를 피복하는 오버클래드층을 갖는 광전기 혼재 기판으로서, 상기 오버클래드층의 적어도 표면 부분에, 상기 코어의 정상면보다 낮은 위치에 그 홈바닥을 갖는 홈이 형성되어 있는 구성을 채택한다.
본 발명의 광전기 혼재 기판은, 전기 회로 기판에 광도파로가 적층 형성되어 있고, 그 광도파로의 오버클래드층의 적어도 표면 부분에, 상기 코어의 정상면보다 낮은 위치(코어의 정상면에 대하여 오버클래드층의 표면과 반대측의 위치)에 그 홈바닥을 갖는 홈이 형성되어 있다. 그 때문에, 상기 오버클래드층을 형성했을 때, 상기 홈의 형성에 의해, 그 홈만큼 오버클래드층의 체적이 적어진다. 즉, 경화 수축하는 오버클래드층의 체적이 적기 때문에, 오버클래드층이 경화할 때의 수축량도 적다. 또한, 상기 홈의 형성에 의해, 오버클래드층의 적어도 표면 부분이 분단된 상태로 되어 있다. 그것에 의해, 오버클래드층의 표면 부분의 경화 수축이, 분단된 부분마다 생기고, 그 분단된 부분에서는, 경화 수축하는 오버클래드층의 체적이 적어지기 때문에, 수축량이 적어진다. 이러한 점에서, 상기 전기 회로 기판과 상기 광도파로가 적층된 본 발명의 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 작아진다. 그 때문에, 본 발명의 광전기 혼재 기판은, 발광 소자나 수광 소자 등의 광소자를 초음파 실장 등에 의해 실장할 때의 실장성이 우수하다. 그 결과, 실장된 광소자가 나중에 탈락하지 않게 된다.
또한, 상기 홈의 긴 방향이 상기 코어의 긴 방향을 따르고 있는 경우에는, 상기 홈의 길이가 길수록 오버클래드층의 체적이 적어지기 때문에, 상기 오버클래드층의 수축량이 보다 적어진다. 이것에 의해, 본 발명의 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 보다 작아졌다. 그 때문에, 본 발명의 광전기 혼재 기판은 광소자의 실장성이 더욱 우수하다.
특히, 상기 광도파로가, 상기 전기 회로 기판의 편면에 형성된 언더클래드층을 가지며, 그 언더클래드층의 표면에 상기 코어 및 상기 오버클래드층이 형성되어 있고, 상기 언더클래드층의 측단부가 상기 오버클래드층으로 피복되지 않고 노출되어 있는 경우에는, 상기 언더클래드층의 측단부를 피복하지 않은 부분만큼 오버클래드층의 체적이 적어졌기 때문에, 수축량이 적어진다. 이것에 의해, 본 발명의 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 보다 작아졌다. 그 때문에, 본 발명의 광전기 혼재 기판은 광소자의 실장성이 더욱 우수하다.
그리고, 상기 광전기 혼재 기판의 휘어짐의 곡률반경이 35 mm 이상인 경우에는, 그 휘어짐이 없거나 매우 작아졌기 때문에, 본 발명의 광전기 혼재 기판은, 광소자의 실장성이 더욱 향상된 것이 되었다.
도 1은 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제1 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 2의 (a)∼(c)는, 상기 광전기 혼재 기판의 전기 회로 기판의 형성 공정을 모식적으로 나타내는 설명도이며, (d)는, 상기 광전기 혼재 기판의 금속층의 형성 공정을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 3의 (a)∼(c)는, 상기 광전기 혼재 기판의 광도파로의 형성 공정을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제2 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 5는 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제3 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제4 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 7은 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제5 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 8의 (a)∼(d)는, 상기 실시형태의 변형예를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 2의 (a)∼(c)는, 상기 광전기 혼재 기판의 전기 회로 기판의 형성 공정을 모식적으로 나타내는 설명도이며, (d)는, 상기 광전기 혼재 기판의 금속층의 형성 공정을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 3의 (a)∼(c)는, 상기 광전기 혼재 기판의 광도파로의 형성 공정을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제2 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 5는 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제3 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제4 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 7은 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제5 실시형태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 8의 (a)∼(d)는, 상기 실시형태의 변형예를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
다음으로, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 자세히 설명한다.
도 1은, 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제1 실시형태를 나타내는 횡단면도(코어의 긴 방향과 직교하는 단면도)이다. 이 실시형태의 광전기 혼재 기판은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 전기 회로 기판(E)과, 이 전기 회로 기판(E)의 편면(도 1에서는 상면)에 적층 형성된 광도파로(W)를 포함하고 있다. 또한, 이 실시형태에서는, 상기 전기 회로 기판(E)과 상기 광도파로(W) 사이에, 보강용의 금속층(M)이 부분적으로 배치되어 있다. 그리고, 상기 광도파로(W)의 오버클래드층(5)에, 상기 광도파로(W)의 코어(4)의 긴 방향을 따라서, 휘어짐 방지용의 홈(G)이 형성되어 있다. 이와 같이, 오버클래드층(5)에 휘어짐 방지용의 홈(G)을 형성한 것이 본 발명의 특징이다. 이 실시형태에서는, 상기 홈(G)은, 상기 광도파로의 언더클래드층(3)의 표면을 홈바닥으로 하고 있다.
보다 자세히 설명하면, 상기 전기 회로 기판(E)은, 절연층(1)과, 이 절연층(1)의 이면(도 1에서는 하면)에 형성된 전기 배선(2)과, 이 전기 배선(2)을 피복하는 커버레이(2a)를 포함하고 있다. 여기서, 상기 절연층(1)은 상기 금속층(M)의 이면(도 1에서는 하면)에 형성되어 있다.
상기 광도파로(W)는, 이 실시형태에서는, 1층의 언더클래드층(3)과, 이 언더클래드층(3)의 표면(도 1에서는 상면)에 패턴 형성된 복수(도 1에서는 4개)의 광로용의 코어(4)와, 이들 복수의 코어(4)를 나눠(도 1에서는 2개씩 나눠) 피복하도록 패턴 형성된 복수(도 1에서는 2개)의 오버클래드층(5)을 포함하고 있다. 즉, 인접하는 오버클래드층(5)과 오버클래드층(5) 사이는, 상기 언더클래드층(3)의 표면을 홈바닥으로 하는 홈(G)으로 되어 있고, 그 홈(G)에 의해 오버클래드층(5)이 분단된 상태로 되어 있다(도 1에서는 좌우 한쌍의 오버클래드층(5)이 코어(4)의 긴 방향을 따라서 형성되어 있다). 여기서, 상기 언더클래드층(3)은 상기 금속층(M)의 표면(도 1에서는 상면)에 형성되어 있다. 그리고, 상기 전기 회로 기판(E)과 상기 광도파로(W) 사이 중 금속층(M)이 배치되어 있지 않은 부분은, 상기 언더클래드층(3)으로 매립되어 있다.
다음으로, 상기 광전기 혼재 기판의 제법에 관해 설명한다.
〔광전기 혼재 기판의 전기 회로 기판(E)의 형성〕
우선, 상기 금속층(M)을 형성하기 위한 금속 시트재(Ma)〔도 2의 (a) 참조〕를 준비한다. 이 금속 시트재(Ma)의 형성 재료로는, 예컨대, 스테인레스, 42 얼로이 등을 들 수 있고, 그 중에서도 치수 정밀도 등의 관점에서 스테인레스가 바람직하다. 상기 금속 시트재(Ma)(금속층(M))의 두께는, 예컨대 10∼100 ㎛의 범위 내로 설정된다.
이어서, 도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이, 상기 금속 시트재(Ma)의 이면(도면에서는 하면)에 감광성 절연 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 소정 패턴의 절연층(1)을 형성한다. 이 절연층(1)의 형성 재료로는, 예컨대, 폴리이미드, 폴리에테르니트릴, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리염화비닐 등의 합성 수지, 실리콘계 졸겔 재료 등을 들 수 있다. 상기 절연층(1)의 두께는, 예컨대 10∼100 ㎛의 범위 내로 설정된다. 또, 이 절연층(1)의 형성 공정 및 다음 전기 배선(2)의 형성 공정에서는, 상기 금속 시트재(Ma)의 이면은 위로 향해 있다.
다음으로, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 상기 전기 배선(2)을, 예컨대 세미어디티브법, 서브트랙티브법 등에 의해 형성한다.
이어서, 도 2의 (c)에 나타낸 바와 같이, 상기 전기 배선(2)의 부분에 폴리이미드 수지 등으로 이루어진 감광성 절연 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 커버레이(2a)를 형성한다. 이와 같이 하여, 상기 금속 시트재(Ma)의 이면에 전기 회로 기판(E)을 형성한다.
〔광전기 혼재 기판의 금속층(M)의 형성〕
그 후, 도 2의 (d)에 나타낸 바와 같이, 상기 금속 시트재(Ma)에 에칭 등을 하는 것에 의해, 그 금속 시트재(Ma)의 불필요 부분을 제거하여 형태를 갖추고, 상기 금속 시트재(Ma)를 금속층(M)에 형성한다.
〔광전기 혼재 기판의 광도파로(W)의 형성〕
그리고, 상기 금속층(M)의 표면(상기 전기 회로 기판(E)과 반대측의 면)에 광도파로(W)(도 1 참조)를 형성하기 위해, 우선, 도 3의 (a)에 나타낸 바와 같이, 상기 금속층(M)의 표면(도면에서는 상면)에 언더클래드층(3)의 형성 재료인 감광성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 그 도포층을 1층의 언더클래드층(3)에 형성한다. 이 언더클래드층(3)의 두께(금속층(M)의 표면으로부터의 두께)는, 예컨대 5∼80 ㎛의 범위 내로 설정된다.
이어서, 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 상기 언더클래드층(3)의 표면(도면에서는 상면)에 코어(4)의 형성 재료인 감광성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 그 도포층을 복수의 코어(4)에 패턴 형성한다. 코어(4)의 치수는, 예컨대 폭이 20∼100 ㎛의 범위 내로 설정되고, 두께가 20∼100 ㎛의 범위 내로 설정된다. 또한, 코어(4)의 굴절률은, 상기 언더클래드층(3) 및 하기 오버클래드층(5)〔도 3의 (c) 참조〕의 굴절률보다 커졌다.
그리고, 도 3의 (c)에 나타낸 바와 같이, 상기 코어(4)를 피복하도록, 상기 언더클래드층(3)의 표면(도면에서는 상면)에 오버클래드층(5)의 형성 재료인 감광성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 그 도포층을 복수의 오버클래드층(5)에 패턴 형성한다. 이 패턴 형성에서는, 인접하는 오버클래드층(5)과 오버클래드층(5) 사이에, 상기 언더클래드층(3)의 표면을 홈바닥으로 하는 홈(G)을 코어(4)의 긴 방향을 따라서 형성한다. 이 오버클래드층(5)의 두께(코어(4)의 정상면으로부터의 두께)는, 예컨대 3∼50 ㎛의 범위 내로 설정된다. 상기 홈(G)의 폭은, 예컨대 10∼30000 ㎛의 범위 내로 설정된다. 상기 오버클래드층(5)의 형성 재료로는, 예컨대 상기 언더클래드층(3)과 동일한 감광성 수지를 들 수 있다. 이와 같이 하여, 상기 금속층(M)의 표면(도면에서는 상면)에 광도파로(W)를 형성한다.
그리고, 도 1에 나타내는 광전기 혼재 기판을 얻는다. 이 광전기 혼재 기판은, 오버클래드층(5)에 상기 홈(G)이 형성되는 것에 의해, 그 홈(G)만큼 오버클래드층(5)의 체적이 적어진다. 즉, 경화 수축하는 오버클래드층(5)의 체적이 적기 때문에, 오버클래드층(5)이 경화할 때의 수축량도 적다. 또한, 상기 홈(G)의 형성에 의해 오버클래드층(5)의 적어도 표면 부분이 분단된다. 그것에 의해, 오버클래드층(5)의 표면 부분의 경화 수축이, 분단된 부분마다 발생하고, 그 분단된 부분에서는, 경화 수축하는 오버클래드층(5)의 체적이 적어지기 때문에, 수축량이 적어진다. 이러한 점에서, 상기 전기 회로 기판(E)과 상기 광도파로(W)가 적층된 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 작아졌다. 특히, 이 실시형태에서는, 광전기 혼재 기판의 폭방향(도 1의 가로 방향)의 휘어짐이 없거나 작아졌다. 즉, 상기 홈(G)은, 광전기 혼재 기판의 휘어짐 방지용으로 되어 있다. 그리고, 상기와 같이 광전기 혼재 기판의 휘어짐이 없거나 작아졌기 때문에, 상기 광전기 혼재 기판은, 나중의 소자 실장 공정에서, 발광 소자나 수광 소자 등의 광소자를 초음파 실장 등에 의해 실장할 때의 실장성이 우수하다. 그 결과, 그 실장된 광소자가 나중에 탈락하는 일이 없다.
도 4는, 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제2 실시형태를 나타내는 횡단면도이다. 이 실시형태의 광전기 혼재 기판은, 도 1에 나타내는 제1 실시형태에 있어서, 언더클래드층(3)의 표면의 측단부(3a)(도 4에서는 표면의 우측단부)가 상기 오버클래드층(5)으로 피복되지 않고 노출된 것으로 되어 있다. 그 이외의 부분은 상기 제1 실시형태와 동일하며, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙였다.
이 제2 실시형태의 광전기 혼재 기판에서는, 상기 언더클래드층(3)의 측단부를 피복하지 않는 부분만큼, 오버클래드층(5)의 체적이 적어졌기 때문에, 수축량이 적어진다. 그 때문에, 본 발명의 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 보다 작아졌다.
도 5는, 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제3 실시형태를 나타내는 횡단면도이다. 이 실시형태의 광전기 혼재 기판은, 도 1에 나타내는 제1 실시형태에 있어서, 코어(4)를 1개씩, 1개의 오버클래드층(5)으로 피복한 것으로 되어 있다. 이것에 의해, 인접하는 코어(4)와 코어(4) 사이에는 전부 홈(G)이 형성된 상태로 되어 있다. 그 이외의 부분은 상기 제1 실시형태와 동일하며, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙였다.
이 제3 실시형태의 광전기 혼재 기판에서는, 오버클래드층(5)을 분단하는 홈(G)의 갯수가 늘어나기 때문에, 그 만큼 오버클래드층(5)의 체적이 보다 적어지고, 수축량이 보다 적어진다. 그 때문에, 상기 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 한층 더 작아졌다.
도 6은, 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제4 실시형태를 나타내는 횡단면도이다. 이 실시형태의 광전기 혼재 기판은, 도 5에 나타내는 제3 실시형태에 있어서, 언더클래드층(3)을 복수(도 6에서는 4개)로 패턴 형성하고, 각 언더클래드층(3)에 코어(4) 및 오버클래드층(5)을 각각 1개씩 형성한 것으로 되어 있다. 그 이외의 부분은 상기 제3 실시형태와 동일하며, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙였다.
이 제4 실시형태의 광전기 혼재 기판에서는, 언더클래드층(3)도 분단되기 때문에, 그 만큼 언더클래드층(3)의 체적이 적어진다. 그것에 의해, 오버클래드층(5)의 수축량이 적어지는 것에 더해, 언더클래드층(3)의 수축량도 적어진다. 그 때문에, 상기 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 더욱 작아졌다.
도 7은, 본 발명의 광전기 혼재 기판의 제5 실시형태를 나타내는 횡단면도이다. 이 실시형태의 광전기 혼재 기판은, 도 6에 나타내는 제4 실시형태에 있어서, 일부(도 7에서는 중앙부의 2개)의 언더클래드층(3)에 오버클래드층(5)을 형성하지 않은 것으로 되어 있다. 그 이외의 부분은 상기 제4 실시형태와 동일하며, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙였다.
이 제5 실시형태의 광전기 혼재 기판에서는, 일부의 오버클래드층(5)을 형성하지 않기 때문에, 그 만큼 오버클래드층(5)의 체적이 더욱 적어지고, 수축량이 더욱 적어진다. 그 때문에, 상기 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 더욱 작아졌다.
또, 상기 각 실시형태에 있어서, 상기 홈(G)은, 오버클래드층(5)의 전체 길이에 걸쳐 형성해도 좋고, 오버클래드층(5)의 긴 방향으로 부분적으로 형성해도 좋다. 그리고, 상기 각 실시형태에서는, 상기 홈(G)을, 코어(4)와 코어(4) 사이에 형성했지만, 코어(4)와 오버클래드층(5)의 측단면 사이에 형성해도 좋다.
또한, 상기 각 실시형태에서는, 상기 홈(G)을, 언더클래드층(3)의 표면을 홈바닥으로 하도록 형성했지만, 홈바닥이 코어(4)의 정상면보다 낮은 위치에 있으면, 오버클래드층(5)의 표면 부분에(오버클래드층(5)의 두께 방향의 도중까지)만 형성해도 좋다. 이 경우에도, 오버클래드층(5)의 표면 부분이 분단된 상태가 되는 것에 의해, 오버클래드층(5)의 표면 부분의 경화 수축이, 분단된 부분마다 발생한다. 그리고, 그 분단된 부분에서는, 경화 수축하는 오버클래드층(5)의 체적이 적어지기 때문에 수축량이 적어진다. 그 때문에, 상기 광전기 혼재 기판은, 휘어짐이 없거나 작아진다.
또한, 상기 각 실시형태에서는, 상기 홈(G)을 코어(4)의 긴 방향을 따라서 형성했지만, 코어(4)의 긴 방향으로 직각 내지 경사진 상태로 형성해도 좋다. 또한, 오버클래드층(5)의 표면 부분에 복수의 점형의 구멍부를 형성하고, 이들 구멍부의 몇 개를 이어서 이루어진 열을, 상기 홈(G)으로 해도 좋다.
또한, 상기 각 실시형태를 설명하는 도 1, 도 4∼도 7에서는, 인접하는 코어(4)와 코어(4) 사이에 형성된 홈(G)을, 이들 코어(4) 사이의 중앙에 배치한 상태로 도시했지만, 그 홈(G)은, 인접하는 코어(4)와 코어(4) 사이에 편심한 상태로 형성되어도 좋다.
또한, 상기 제1, 제3∼제5 실시형태를 설명하는 도 1, 도 5∼도 7에서는, 오버클래드층(5)의 배치를, 코어(4)의 배치에 대하여 균등하게 도시했지만, 그 오버클래드층(5)의 배치는 균등하지 않아도 좋다. 예컨대, 코어(4)의 한쪽 측면을 피복하는 오버클래드층(5)의 부분을 폭방향(도면에서는 가로 방향)으로 길게 형성해도 좋다. 그 경우, 오버클래드층(5)의 측단부가 전기 회로 기판(E)의 절연층(1)의 측단부 가장자리로부터 비어져 나와도 좋다.
그리고, 상기 각 실시형태에서는, 언더클래드층(3)의 측면을, 오버클래드층(5)으로 피복하지 않았지만, 오버클래드층(5)으로 피복해도 좋다.
또한, 상기 각 실시형태에서는, 코어(4)를 피복하는 오버클래드층(5)이 형성되어 있지만, 경우에 따라서, 언더클래드층(3)도 코어(4)도 형성되지 않은 부분에 오버클래드층(5)이 형성되거나, 코어(4)가 형성되지 않은 언더클래드층(3)에 오버클래드층(5)이 형성되거나 하는 경우가 있다. 그와 같은 경우에도, 상기 각 실시형태와 동일하게 하여, 도 8의 (a)∼(d)에 나타낸 바와 같이, 오버클래드층(5)에 홈(G)을 형성하는 것이 바람직하다. 또, 도 8의 (a)∼(d)에서는, 언더클래드층(3)이 형성되어 있는 경우를 도시하고 있다.
또한, 상기 각 실시형태에서는, 금속층(M)을 광전기 혼재 기판의 일부분에 배치했지만, 금속층(M)을 배치하지 않는 것이어도 좋다.
다음으로, 실시예에 관해 비교예와 더불어 설명한다. 단, 본 발명은 실시예에 한정되는 것이 아니다.
실시예
〔언더클래드층 및 오버클래드층의 형성 재료〕
성분 a : 에폭시 수지(미쯔비시 화학사 제조, JER1002) 60 중량부.
성분 b : 에폭시 수지(다이셀사 제조, EHPE3150) 30 중량부.
성분 c : 에폭시 수지(DIC사 제조, EXA-4816) 10 중량부.
성분 d : 광산 발생제(산아프로사 제조, CPI-101A) 0.5 중량부.
성분 e : 산화 방지제(교도 약품사 제조, Songnox1010) 0.5 중량부.
성분 f : 산화 방지제(산코사 제조, HCA) 0.5 중량부.
성분 g : 락트산에틸(용제) 50 중량부.
이들 성분 a∼g를 혼합하는 것에 의해, 언더클래드층 및 오버클래드층의 형성 재료를 조제했다.
〔코어의 형성 재료〕
성분 h : 에폭시 수지(신니테츠 화학사 제조, YDCN-700-3) 50 중량부.
성분 i : 에폭시 수지(미쯔비시 화학사 제조, JER1002) 30 중량부.
성분 j : 에폭시 수지(오사카 가스 케미컬사 제조, 오그솔 PG-100) 20 중량부.
성분 k : 광산 발생제(산아프로사 제조, CPI-101A) 0.5 중량부.
성분 l : 산화 방지제(교도 약품사 제조, Songnox1010) 0.5 중량부.
성분 m : 산화 방지제(산코사 제조, HCA) 0.125 중량부.
성분 n : 락트산에틸(용제) 50 중량부.
이들 성분 h∼n을 혼합하는 것에 의해, 코어의 형성 재료를 조제했다.
〔실시예 1〕
상기 형성 재료를 이용하여, 도 1에 나타내는 광전기 혼재 기판을 제작했다. 이 광전기 혼재 기판의 전폭을 3 mm, 전체 길이를 42.5 mm로 했다. 금속층은, 두께 20 ㎛의 스테인레스층으로 하고, 광전기 혼재 기판의 전체에 걸쳐 배치했다. 또한, 전기 회로 기판의 절연층의 두께를 10 ㎛, 전기 배선의 두께를 20 ㎛로 했다. 또한, 광도파로의 언더클래드층의 두께를 20 ㎛, 각 코어의 치수를 두께 40 ㎛×폭 40 ㎛, 각 오버클래드층의 치수는, 두께(코어의 정상면으로부터의 두께)를 30 ㎛, 폭을 1251.5 ㎛로 했다. 그리고, 홈은, 폭 500 ㎛로 하고, 오버클래드층의 전체 길이에 걸쳐 형성했다.
〔실시예 2〕
상기 형성 재료를 이용하여, 도 5에 나타내는 광전기 혼재 기판을 제작했다. 각 오버클래드층의 폭을 160 ㎛로 했다. 그 이외의 부분은, 상기 실시예 1과 동일하게 했다.
〔실시예 3〕
상기 형성 재료를 이용하여, 도 6에 나타내는 광전기 혼재 기판을 제작했다. 각 언더클래드층의 폭을 140 ㎛로 했다. 그 이외의 부분은, 상기 실시예 2와 동일하게 했다.
〔실시예 4〕
상기 형성 재료를 이용하여, 도 7에 나타내는 광전기 혼재 기판을 제작했다. 구성의 치수는, 상기 실시예 3과 동일하게 했다.
〔비교예〕
상기 실시예 1에 있어서, 오버클래드층에 홈이 형성되어 있지 않은 것으로 했다. 그 이외의 부분은, 상기 실시예 1과 동일하게 했다.
〔휘어짐의 곡률반경〕
상기 실시예 1∼4 및 비교예의 광전기 혼재 기판의 휘어짐의 곡률반경을, 레이저 현미경(기엔스사 제조, VK-X200)을 이용하여 측정했다. 그 결과를 하기의 표 1에 나타냈다.
상기 표 1의 결과로부터, 실시예 1∼4는, 비교예보다 휘어짐의 곡률반경이 크기 때문에 휘어짐이 작다는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 실시예 1∼4에 있어서, 상기 홈을, 오버클래드층의 긴 방향으로 부분적으로 형성한 광전기 혼재 기판에 관해서도, 상기 실시예 1∼4와 동일한 경향을 나타내는 결과가 얻어졌다.
또한, 상기 실시예 1∼4에 있어서, 상기 홈을, 오버클래드층의 표면 부분에만 형성한 광전기 혼재 기판에 관해서도, 상기 실시예 1∼4와 동일한 경향을 나타내는 결과가 얻어졌다.
또한, 상기 실시예 1∼4에 있어서, 금속층을 배치하지 않은 광전기 혼재 기판에 관해서도, 상기 실시예 1∼4와 동일한 경향을 나타내는 결과가 얻어졌다.
상기 실시예에서는, 본 발명에서의 구채적 형태에 관해 나타냈지만, 상기 실시예는 단순한 예시에 불과하며 한정적으로 해석되는 것이 아니다. 당업자에게 분명한 여러가지 변형은, 본 발명의 범위 내인 것이 의도되어 있다.
본 발명의 광전기 혼재 기판은, 그 자체의 휘어짐을 없애거나 작게 하는 경우에 이용 가능하다.
E : 전기 회로 기판
G : 홈
W : 광도파로
3 : 언더클래드층
4 : 코어
5 : 오버클래드층
G : 홈
W : 광도파로
3 : 언더클래드층
4 : 코어
5 : 오버클래드층
Claims (4)
- 전기 회로 기판과, 상기 전기 회로 기판의 편면에 적층 형성된 광도파로를 포함하고, 그 광도파로가, 광로용의 코어와, 그 코어를 피복하는 오버클래드층을 갖는 광전기 혼재 기판으로서, 상기 오버클래드층의 적어도 표면 부분에, 상기 코어의 정상면보다 낮은 위치에 그 홈바닥을 갖는 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전기 혼재 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 홈의 긴 방향이 상기 코어의 긴 방향을 따르고 있는 것인 광전기 혼재 기판.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광도파로가, 상기 전기 회로 기판의 편면에 형성된 언더클래드층을 가지며, 그 언더클래드층의 표면에 상기 코어 및 상기 오버클래드층이 형성되어 있고, 상기 언더클래드층의 측단부가 상기 오버클래드층으로 피복되지 않고 노출되어 있는 것인 광전기 혼재 기판.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광전기 혼재 기판의 휘어짐의 곡률반경이 35 mm 이상인 것인 광전기 혼재 기판.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016254717A JP7101454B2 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 光電気混載基板 |
JPJP-P-2016-254717 | 2016-12-28 | ||
PCT/JP2017/042473 WO2018123389A1 (ja) | 2016-12-28 | 2017-11-28 | 光電気混載基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190097076A true KR20190097076A (ko) | 2019-08-20 |
Family
ID=62708010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197018503A KR20190097076A (ko) | 2016-12-28 | 2017-11-28 | 광전기 혼재 기판 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10996395B2 (ko) |
JP (1) | JP7101454B2 (ko) |
KR (1) | KR20190097076A (ko) |
CN (1) | CN110114707B (ko) |
TW (1) | TWI781967B (ko) |
WO (1) | WO2018123389A1 (ko) |
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- 2016-12-28 JP JP2016254717A patent/JP7101454B2/ja active Active
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2017
- 2017-11-28 US US16/473,799 patent/US10996395B2/en active Active
- 2017-11-28 TW TW106141353A patent/TWI781967B/zh active
- 2017-11-28 WO PCT/JP2017/042473 patent/WO2018123389A1/ja active Application Filing
- 2017-11-28 CN CN201780080829.9A patent/CN110114707B/zh active Active
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JP7101454B2 (ja) | 2022-07-15 |
CN110114707A (zh) | 2019-08-09 |
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WO2018123389A1 (ja) | 2018-07-05 |
US10996395B2 (en) | 2021-05-04 |
TWI781967B (zh) | 2022-11-01 |
TW201825937A (zh) | 2018-07-16 |
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