KR20190096812A

KR20190096812A - 다이싱 테이프

Info

Publication number: KR20190096812A
Application number: KR1020190013251A
Authority: KR
Inventors: 유지 가토; ?페이 다나카
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2018-02-09
Filing date: 2019-02-01
Publication date: 2019-08-20
Also published as: KR102574149B1; SG10201900958QA; JP7141924B2; TW201936832A; JP2019140378A; TWI763973B

Abstract

스텔스 다이싱에 사용될 수 있는 다이싱 테이프이며, 카메라에 의한 레이저광 조사 위치 검지 및 양호한 개질층의 형성을 저해하지 않는 다이싱 테이프를 제공하는 것.
본 발명의 다이싱 테이프는, 기재와, 당해 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비하고, 기재측으로부터 레이저 현미경에 의해 관찰하여 취득한 휘도 256계조의 그레이 스케일 화상을, 최대 휘도의 55％를 역치로 하여, 백색부와 흑색부로 2치화하였을 때, 백색부의 면적이, 화상 면적에 대해 80％ 이상이다.

Description

다이싱 테이프{DICING TAPE}

본 발명은, 다이싱 테이프에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 당해 다이싱 테이프를 개재하여 스텔스 다이싱을 행할 때, 적합하게 사용되는 다이싱 테이프에 관한 것이다.

전자 부품의 집합체인 워크(예를 들어, 반도체 웨이퍼)는, 대직경으로 제조되고, 표면에 패턴을 형성한 후, 통상, 웨이퍼의 두께가 100 내지 600㎛ 정도가 되도록 이면이 연삭되고, 이어서 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되어, 다시 마운트 공정으로 이행된다. 이 다이싱 공정에서는 워크를 절단하여, 소편화한다. 다이싱 후의 워크를 고정하기 위해, 통상, 워크에 점착 테이프(다이싱 테이프)를 접합한 후, 다이싱을 행한다(예를 들어, 특허문헌 1). 다이싱의 방법 중 하나로서, 레이저광에 의해 워크를 다이싱하는 방법이 알려져 있다. 이러한 다이싱 방법으로서는, 레이저광을 워크의 표면에 집광시켜, 당해 워크의 표면에 홈을 형성한 후, 워크를 절단하는 방법이 다용되고 있다. 한편, 근년, 레이저광을 워크의 내부에 집광시켜, 당해 개소에서 워크를 개질시킨 후에, 워크를 절단하는 스텔스 다이싱도 제안되어 있다.

상기한 바와 같이 레이저광에 의한 다이싱에 있어서, 다이싱 테이프측으로부터 레이저광을 조사하는 경우, 당해 다이싱 테이프에는, 카메라에 의한 레이저광 조사 위치 검지가 양호하게 행해질 수 있는 특성이 요구된다. 특히, 스텔스 다이싱에 있어서 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 경우, 레이저광 조사 위치 결정을 위한 반도체 웨이퍼의 표면 패턴 인식, 레이저광 초점 조정을 위한 반도체 웨이퍼 높이 방향의 위치 검출을 고정밀도로 행할 것이 요구되고, 또한 개질층을 양호하게 형성할 것이 요구되고, 상기 다이싱 테이프는 이들 요구 달성을 저해하지 않는 특성이 요구된다.

일본 특허 공개 제2003-007646호 공보

본 발명의 과제는, 스텔스 다이싱에 사용될 수 있는 다이싱 테이프이며, 다이싱 시에 카메라에 의한 레이저광 조사 위치 검지 및 양호한 개질층의 형성을 저해하지 않는 다이싱 테이프를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다이싱 테이프는, 기재와, 당해 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비하고, 기재측으로부터 레이저 현미경에 의해 관찰하여 취득한 휘도 256계조의 그레이 스케일 화상을, 최대 휘도의 55％를 역치로 하여, 백색부와 흑색부로 2치화하였을 때, 백색부의 면적이, 화상 면적에 대해 80％ 이상이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 한쪽 면의 습윤성이, 40mN/m 이하이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 습윤성이 40mN/m 이하인 면을 점착제층과는 반대측의 면이 되도록 하여, 상기 기재가 배치되어 있다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재가, 폴리에틸렌계 수지를 포함한다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 적어도 한쪽 면이, 코로나 처리면이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층의 22℃에 있어서의 인장 탄성률이, 0.05㎫ 내지 1㎫이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층이 2층 구성이고, 상기 다이싱 테이프는, 상기 기재와, 제1 점착제층과, 제2 점착제층을 이 순서로 구비한다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 점착제층의 22℃에 있어서의 인장 탄성률이, 0.05㎫ 내지 1㎫이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제2 점착제층의 22℃에 있어서의 인장 탄성률이, 0.1㎫ 내지 2㎫이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 점착제층의 두께가, 5㎛ 내지 468㎛이다.

본 발명에 따르면, 스텔스 다이싱에 사용될 수 있는 다이싱 테이프이며, 카메라에 의한 레이저광 조사 위치 검지, 및 양호한 개질층의 형성을 저해하지 않는 다이싱 테이프를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 다이싱 테이프의 개략 단면도이다.

A. 다이싱 테이프의 개요

도 1은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 다이싱 테이프의 개략 단면도이다. 이 실시 형태에 의한 다이싱 테이프(100)는, 기재(10)와, 기재(10)의 편측에 배치된 점착제층(20)을 구비한다. 도시하고 있지 않지만, 본 발명의 다이싱 테이프는, 사용에 제공할 때까지의 동안, 점착면을 보호할 목적으로, 점착제층의 외측에 박리 라이너가 마련되어 있어도 된다. 또한, 다이싱 테이프는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 그 밖의 층을 더 포함하고 있어도 된다. 바람직하게는, 점착제층은, 기재에 직접 배치된다.

다른 실시 형태에 있어서는, 점착제층이 2층 구성이고, 다이싱 테이프는, 기재와 제1 점착제층과 제2 점착제층을 이 순서로 구비한다.

다이싱 테이프의 기재측으로부터 레이저 현미경에 의해 관찰하여 취득한 휘도 256계조의 그레이 스케일 화상을, 최대 휘도의 55％를 역치로 하여 백색부(고휘도부)와 흑색부(저휘도부)로 2치화하였을 때, 백색부의 면적은, 화상 면적에 대해 80％ 이상이다. 여기서, 최대 휘도의 55％를 역치로 하는 2치화는, 휘도 256계조의 저휘도측으로부터 140계조를 경계로 계조 분할하여, 저휘도측을 흑색부로 하고, 고휘도측을 백색부로 하는 처리이다. 2치화 처리는, 예를 들어 화상 해석 소프트웨어 Image J(Wayne Rasband사 제조)를 사용하여 행할 수 있다. 상기한 바와 같이 구성되어 있는 본 발명의 다이싱 테이프를 사용하면, 스텔스 다이싱 공정에 있어서, 당해 다이싱 테이프를 개재한 카메라 검출, 즉, 카메라(예를 들어, IR 카메라, SD 카메라)에 의한 반도체 웨이퍼의 표면 패턴 인식, 반도체 웨이퍼 높이 방향의 위치 검출 등을 고정밀도로 행할 수 있다. 또한, 상기한 바와 같이 구성되어 있는 본 발명의 다이싱 테이프를 사용하면, 스텔스 다이싱 공정에 있어서, 당해 다이싱 테이프를 개재하여 레이저광을 조사하는 경우에도, 레이저광을 양호하게 집광시킬 수 있고, 그 결과, 반도체 웨이퍼 내부에 개질층을 양호하게 형성할 수 있다. 보다 구체적으로는, 개질층에, 누락, 사행 등의 불량 부분이 형성되는 일이 방지될 수 있다.

상기 백색부의 면적은, 화상 면적에 대해, 바람직하게는 83％ 이상이고, 보다 바람직하게는 85％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이다. 이러한 범위이면, 상기 효과는 보다 현저해진다. 상기 백색부의 면적은, 넓을수록 바람직하지만, 그 상한은, 예를 들어 99.5％(바람직하게는 99.8％, 보다 바람직하게는 100％)이다.

본 발명의 다이싱 테이프를 스테인리스판에 접착하였을 때의 23℃에 있어서의 초기 점착력은, 바람직하게는 0.2N/20㎜ 내지 8N/20㎜이고, 보다 바람직하게는 0.5N/20㎜ 내지 5N/20㎜이다. 점착력은, JIS Z 0237:2000에 준하여 측정된다. 구체적으로는, 2㎏의 롤러를 1왕복에 의해 다이싱 테이프를 스테인리스판(산술 평균 표면 조도 Ra:50±25nm)에 접착하고, 23℃하에서 30분간 방치한 후, 박리 각도 180°, 박리 속도(인장 속도) 300㎜/min의 조건에서, 다이싱 테이프를 박리하여 측정된다. 후술하는 바와 같이 점착제층은, 활성 에너지선 조사에 의해 점착력이 변화되어도 되지만, 본 명세서에 있어서, 「초기 점착력」이란, 활성 에너지선의 조사 전의 점착력을 의미한다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 다이싱 테이프를 실리콘제 미러 웨이퍼에 접착하고, 460mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 23℃에 있어서의 점착력은, 바람직하게는 0.01N/20㎜ 내지 0.3N/20㎜이고, 보다 바람직하게는 0.02N/20㎜ 내지 0.2N/20㎜이다. 이러한 범위이면, 다이싱 후의 자외선 조사에 의해 점착력이 저하되어, 소편화된 워크(예를 들어, 반도체 칩)의 픽업이 용이해지는 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 상기 자외선 조사는, 예를 들어 자외선 조사 장치(닛토 세이미츠 기까이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여, 고압 수은등의 자외선(특성 파장: 365㎚, 적산 광량: 460mJ/㎠, 조사 에너지: 70W/㎠, 조사 시간: 6.6초)을 점착제층에 조사하여 행해진다.

다이싱 테이프의 두께는, 바람직하게는 35㎛ 내지 500㎛이고, 보다 바람직하게는 60㎛ 내지 300㎛이고, 더욱 바람직하게는 80㎛ 내지 200㎛이다.

다이싱 테이프의 전광선 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 이러한 범위이면, 다이싱 테이프를 개재한 카메라 검출이 양호하게 행해질 수 있고, 또한 레이저광의 투과·집광을 저해시키기 어려운 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 다이싱 테이프의 전광선 투과율의 상한은, 예를 들어 98％(바람직하게는 99％)이다.

다이싱 테이프에 있어서, 파장 1064㎚의 광의 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 이러한 범위이면, 레이저광의 투과·집광을 저해시키기 어려운 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 다이싱 테이프의 파장 1064㎚의 광의 투과율의 상한은, 예를 들어 98％(바람직하게는 99％)이다.

다이싱 테이프의 헤이즈값은, 바람직하게는 20％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5％ 이하이다. 이러한 범위이면, 다이싱 테이프를 개재한 카메라 검출이 양호하게 행해질 수 있고, 또한 레이저광의 투과·집광을 저해시키기 어려운 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 다이싱 테이프의 헤이즈값의 하한은, 예를 들어 1％이다.

B. 기재

상기 기재는, 임의의 적절한 수지로 구성될 수 있다. 당해 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리메틸펜텐계 수지 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르케톤계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 불소계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 아이오노머 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는 폴리올레핀계 수지이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재는, 폴리에틸렌계 수지를 포함한다. 폴리에틸렌계 수지를 포함하는 기재를 사용하면, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 폴리에틸렌계 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌 등을 들 수 있다.

폴리에틸렌계 수지 중에서, 에틸렌 유래의 구성 단위 함유 비율은, 바람직하게는 80몰％ 이상이고, 보다 바람직하게는 90몰％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 95몰％ 이상이다. 에틸렌 유래의 구성 단위 이외의 구성 단위로서는, 에틸렌과 공중합체와 공중합 가능한 단량체 유래의 구성 단위를 들 수 있고, 예를 들어 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-펜텐, 2-메틸-1-부텐, 3-메틸-1-부텐, 1-헥센, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1- 테트라데센, 1- 헥사데센, 1-옥타데센, 1-이코센 등을 들 수 있다.

폴리에틸렌계 수지의 함유량은, 기재 100중량부에 대해, 바람직하게는 80중량부 이상이고, 보다 바람직하게는 85중량부 내지 100중량부이고, 더욱 바람직하게는 95중량부 내지 100중량부이다.

상기 기재는, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 가공 보조제, 충전제, 대전 방지제, 안정제, 항균제, 난연제, 착색제 등을 들 수 있다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재는, 활제를 포함한다. 활제를 포함함으로써, 다이싱 테이프를 롤 형상으로 하였을 때의 블로킹을 방지할 수 있다. 그 결과, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 활제로서는, 예를 들어 지방산 아미드계 활제, 실리콘계 활제, 불소계 활제, 장쇄 알킬계 활제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 불순물 혼입의 리스크가 적고, 활제로서의 효과가 높다는 점에서, 지방산 아미드계 활제이다. 활제의 함유 비율은, 기재 100중량부에 대해, 바람직하게는 0.1중량부 내지 30중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 15중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.8중량부 내지 10중량부이고, 특히 바람직하게는 1중량부 내지 5중량부이다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 한쪽 면의 습윤성이 40mN/m 이하이다. 하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재는, 습윤성이 40mN/m 이하인 면을 점착제층과는 반대측의 면이 되도록 하여 배치되어 있다. 상기 습윤성을 갖는 표면이 점착제층과는 반대측의 면이 되도록 하여 기재를 배치하면, 다이싱 테이프를 롤 형상으로 하였을 때의 블로킹을 방지할 수 있다. 그 결과, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 상기 기재의 한쪽 면의 습윤성은, 바람직하게는 39mN/m 이하이고, 보다 바람직하게는 38mN/m 이하이고, 더욱 바람직하게는 30mN/m 내지 38mN/m이다. 기재의 습윤성은, 기재 재료의 종류; 기재에 첨가하는 첨가제의 유무, 종류, 첨가량; 습윤성 조정면의 표면 처리의 유무, 종류, 조건 등에 의해 조정할 수 있다. 하나의 실시 형태에 있어서는, 기재 재료로서 폴리올레핀계 수지(바람직하게는 폴리에틸렌계 수지)를 사용하고, 코로나 처리 등의 표면 처리를 행하지 않음으로써, 습윤성이 상기 범위인 기재를 얻을 수 있다. 또한, 상기 습윤성은, JIS K6768에 준하여 측정될 수 있다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 적어도 한쪽 면은, 코로나 처리가 실시되어 있다. 바람직하게는, 기재의 한쪽 면에만 코로나 처리가 실시되고, 코로나 처리면을 점착제층측의 면으로 한다. 점착제층측의 면에 코로나 처리를 실시함으로써, 점착제층과 기재의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 다른 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 양면 모두 코로나 처리가 실시되어 있지 않다. 기재의 점착제층과는 반대측의 면을 코로나 미처리면으로 함으로써, 다이싱 테이프를 롤 형상으로 하였을 때의 블로킹을 방지할 수 있다. 그 결과, 롤 형상 다이싱 테이프를 감고 풀 때에 당해 다이싱 테이프가 손상을 받기 어려워져, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 코로나 처리는, 예를 들어 속도: 20m/min, 방전 전력: 0.7kw, 방전 전극 길이: 1550㎜의 조건에서 행해질 수 있다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 한쪽 면은 엠보싱 처리가 실시되어 있다. 바람직하게는, 기재의 한쪽 면에만 엠보싱 처리가 실시되고, 엠보싱 처리면을 점착제층측의 면으로 한다. 점착제층측의 면에 엠보싱 처리를 실시함으로써, 점착제층과 기재의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 바람직하게는, 기재의 점착제층과는 반대측의 면에는, 엠보싱 처리가 실시되어 있지 않다. 기재의 점착제층과는 반대측의 면에 엠보싱 처리를 실시하지 않고, 당해 면을 평활하게 함으로써, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 기재의 엠보싱 미처리면의 산술 평균 표면 조도 Ra(JIS B 0601)는, 바람직하게는 1.0㎛ 미만이고, 보다 바람직하게는 0.8㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하이고, 특히 바람직하게는 0.01㎛ 내지 1㎛이다. 또한, 기재의 엠보싱 처리면의 산술 평균 표면 조도 Ra(JIS B 0601)는, 바람직하게는 1.0㎛ 내지 3㎛이고, 보다 바람직하게는 1.4㎛ 내지 2㎛이다. 기재의 엠보싱 처리면의 산술 평균 표면 조도 Ra가 3㎛를 초과하면, 점착제층과 기재 사이에 공극이 생기기 쉬워져, 2치화 화상의 백색 면적이 커질 우려가 있다. 또한, 당해 Ra가, 1㎛보다 작으면, 기재 보관 시에 블로킹이 발생할 우려가 있다.

상기 기재의 두께는, 바람직하게는 30㎛ 내지 300㎛이고, 보다 바람직하게는 53㎛ 내지 200㎛이고, 더욱 바람직하게는 70㎛ 내지 160㎛이다.

기재의 전광선 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 기재의 전광선 투과율의 상한은, 예를 들어 98％(바람직하게는 99％)이다.

상기 기재의 22℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50㎫ 내지 120㎫이고, 보다 바람직하게는 70㎫ 내지 90㎫이다. 이러한 범위이면, 익스팬드성이 우수한 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 기재의 인장 탄성률의 측정은, 인장 시험기(SHIMADZU사 제조, 「AG-IS」)를 사용하여, 척간 거리: 50㎜, 인장 속도: 300㎜/min, 기재 폭: 10㎜의 조건에서 행해진다.

C. 점착제층

C-1. 단층 구성의 점착제층

하나의 실시 형태에 있어서는, 점착제층은 단층으로 구성된다. 점착제층은, 임의의 적절한 점착제에 의해 구성될 수 있다. 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 들 수 있다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 점착제층은, 활성 에너지선 경화형 점착제로 구성된다. 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 점착제층을 구성하면, 다이싱 후의 활성 에너지선(대표적으로는, 자외선) 조사에 의해 점착력이 저하되어, 소편화된 워크(예를 들어, 반도체 칩)의 픽업을 용이하게 할 수 있는 다이싱 테이프를 얻을 수 있다.

활성 에너지선 경화형 점착제는, 점착성을 나타내는 베이스 폴리머를 포함할 수 있다. 베이스 폴리머를 구성하는 모노머로서는, 예를 들어 친수성 모노머를 들 수 있다. 친수성 모노머로서는, 극성기를 갖는 임의의 적절한 모노머를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, 아크릴로일모르폴린 등의 (N-치환)아미드계 모노머; (메트)아크릴산아미노에틸, (메트)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산메톡시에틸, (메트)아크릴산에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산알콕시알킬계 모노머; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 모노머; 아세트산비닐, 프로피온산비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산아미드류, 스티렌, α-메틸스티렌, N-비닐카프로락탐 등의 비닐계 모노머; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트모노머; (메트)아크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르모노머; (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 불소(메트)아크릴레이트, 실리콘(메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산에스테르계 모노머; 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 등의 다관능 모노머를 들 수 있다. 친수성 모노머로서는, 히드록실기 함유 모노머 및/또는 (N-치환)아미드계 모노머를 적합하게 사용할 수 있다. 친수성 모노머는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

상기 친수성 모노머와 소수성 모노머를 조합해도 된다. 소수성 모노머로서는, 소수성을 갖는 모노머이면 되고, 임의의 적절한 모노머를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 2-에틸헥산산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐, 스테아릴비닐에테르 등의 탄소수 9 내지 30의 알킬기를 갖는 비닐알킬 또한 아릴에테르; (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, 아크릴산이소옥틸, 아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산라우릴, (메트)아크릴산올레일, (메트)아크릴산팔미틸 및 (메트)아크릴산스테아릴, (메트)아크릴산의 탄소수 6 내지 30의 알킬에스테르; 지방산 및 지방 알코올로부터 유도되는 (메트)아크릴산의 불포화 비닐에스테르; 콜레스테롤로부터 유도되는 모노머; 1-부텐, 2-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 이소부틸렌, 이소프렌 등의 올레핀 모노머를 들 수 있다. 소수성 모노머는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또한, 본 발명에서 사용하는 소수성 모노머는, 물 100g에 대한 용해도가 0.02g 이하인 모노머를 말한다.

상기 베이스 폴리머는, 상기 친수성 모노머 및 소수성 모노머 이외의 모노머 성분을 더 포함하고 있어도 된다. 다른 모노머 성분으로서는, 부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트 등의 알킬아크릴레이트 등을 들 수 있다. 다른 모노머 성분은 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

상기 베이스 폴리머는, 분자 내에 경화성의 관능기를 갖는 이소시아네이트계 화합물 유래의 구성 단위를 더 포함하고 있어도 된다. 이소시아네이트계 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 베이스 폴리머는, 예를 들어 상기 친수성 모노머 유래의 구성 단위가 갖는 치환기(예를 들어, OH기)와 이소시아네이트계 화합물의 NCO기를 반응시켜 얻을 수 있다. 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다.

상기 점착제를 구성하는 베이스 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 내지 200만이고, 보다 바람직하게는 50만 내지 150만이다. 중량 평균 분자량은, GPC(용매: THF)에 의해 측정될 수 있다.

상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 광 중합 개시제를 포함할 수 있다.

광 중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 사용할 수 있다. 광 중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제의 사용량은, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다.

상기 광 중합 개시제로서, 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, BASF사 제조의 상품명 「이르가큐어 651」, 「이르가큐어 184」, 「이르가큐어 369」, 「이르가큐어 819」, 「이르가큐어 2959」 등을 들 수 있다.

바람직하게는, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 가교제를 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다.

점착제층이 단층 구성인 경우, 상기 가교제의 함유 비율은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대해, 바람직하게는 0.5중량부 내지 10중량부이고, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 8중량부이다. 이러한 범위이면, 탄성률이 적절하게 조정된 점착제층을 형성할 수 있다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하게 사용된다. 이소시아네이트계 가교제는, 다종의 관능기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류; 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 L」), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 이소시아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 사용된다.

활성 에너지선 경화형 점착제는, 필요에 따라서, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활성 에너지선 중합 촉진제, 라디칼 포착제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트리멜리트산에스테르계 가소제, 피로멜리트산에스테르계 가소제 등), 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.

점착제층이 단층 구성인 경우, 상기 점착제층의 22℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.05㎫ 내지 1㎫이고, 보다 바람직하게는 0.1㎫ 내지 0.8㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.15㎫ 내지 0.6㎫이다. 이러한 범위이면, 충분한 강도를 갖는 점착제층을 형성할 수 있고, 또한 점착제층과 기재가 양호하게 밀착되어, 기재와 점착제층의 계면 근방에 있어서의 공극의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 특히, 점착제층측의 면에 엠보싱 처리가 실시된 기재를 사용하는 경우, 통상이라면 공극이 발생하기 쉬워지지만, 점착제층의 인장 탄성률을 상기 범위로 함으로써, 공극의 발생을 억제할 수 있다. 바꾸어 말하면, 당해 인장 탄성률이 1㎫를 초과하면, 기재의 엠보싱면에 점착제층을 적층할 때, 점착제층이 기재의 요철에 추종하지 않을 우려가 있다. 또한, 당해 인장 탄성률이 0.5㎫보다 작은 경우, 점착제층이 정형을 유지하지 않고, 또한 충분한 특성을 갖지 않게 될 우려가 있다. 또한, 상기한 바와 같이, 점착제층이 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 구성되는 경우, 활성 에너지선 조사 전의 22℃에 있어서의 인장 탄성률이 당해 범위인 것이 바람직하다. 점착제층의 인장 탄성률의 측정 방법은, 후술한다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 점착제층이 단층 구성인 경우, 상기 점착제층의 자외선(460mJ/㎠) 조사 후의 22℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50㎫ 내지 3000㎫이고, 보다 바람직하게는 100㎫ 내지 1500㎫이고, 더욱 바람직하게는 200㎫ 내지 1000㎫이다. 이러한 범위이면, 픽업성이 우수한 다이싱 테이프를 얻을 수 있다.

점착제층이 단층 구성인 경우, 점착제층의 두께는, 바람직하게는 5㎛ 내지 470㎛이고, 보다 바람직하게는 7㎛ 내지 247㎛이고, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 130㎛이다. 이러한 범위이면, 엠보싱 처리면에 점착제층을 형성하는 경우에, 당해 점착제층이 엠보싱을 양호하게 매립하여, 불필요한 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다.

점착제층의 전광선 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 점착제층의 전광선 투과율의 상한은, 예를 들어 98％(바람직하게는 99％)이다.

점착제층의 헤이즈값은, 바람직하게는 20％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5％ 이하이다. 점착제층의 헤이즈값의 하한은, 예를 들어 1％이다.

C-2. 2층 구성의 점착제층

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층은, 2층으로 구성된다. 이하, 편의상, 기재측의 점착제층을 제1 점착제층이라고 하고, 기재와 반대측의 점착제층을 제2 점착제층이라고 한다. 제1 점착제층과 제2 점착제층은, 인장 탄성률의 상위에 의해 구별될 수 있다. 제1 점착제층은, 제2 점착제층보다 저탄성인 것이 바람직하다. 저탄성인 제1 점착제층을 기재측으로 함으로써, 점착제층과 기재가 양호하게 밀착되어, 기재와 점착제층의 계면 근방에 있어서의 공극의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 고탄성인 제2 점착제층을 구비함으로써, 고정밀도인 다이싱에 기여할 수 있는 다이싱 테이프를 얻을 수 있다.

제1 점착제층의 22℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.05㎫ 내지 1㎫이고, 보다 바람직하게는 0.06㎫ 내지 0.8㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.07㎫ 내지 0.5㎫이다. 이러한 범위이면, 점착제층과 기재가 양호하게 밀착되어, 기재와 점착제층의 계면 근방에 있어서의 공극의 발생을 현저하게 억제할 수 있다. 그 결과, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 특히, 점착제층측의 면에 엠보싱 처리가 실시된 기재를 사용하는 경우, 통상이라면 공극이 발생하기 쉬워지지만, 점착제층의 인장 탄성률을 상기 범위로 함으로써, 공극의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 제1 점착제층이 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 구성되는 경우, 활성 에너지선 조사 전의 22℃에 있어서의 인장 탄성률이 당해 범위인 것이 바람직하다.

하나의 실시 형태에 있어서는, 제1 점착제층의 자외선(460mJ/㎠) 조사 후의 22℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50㎫ 내지 300㎫이고, 보다 바람직하게는 100㎫ 내지 1500㎫이고, 더욱 바람직하게는 200㎫ 내지 1000㎫이다. 이러한 범위이면, 픽업성이 우수한 다이싱 테이프를 얻을 수 있다.

제2 점착제층의 22℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.1㎫ 내지 2㎫이고, 보다 바람직하게는 0.15㎫ 내지 1.5㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.2㎫ 내지 1㎫이다. 이러한 범위이면, 점착제층 전체적으로 적당한 강성을 갖고, 고정밀도인 다이싱에 기여할 수 있는 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 제2 점착제층이 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 구성되는 경우, 활성 에너지선 조사 전의 22℃에 있어서의 인장 탄성률이 당해 범위인 것이 바람직하다.

제1 점착제층의 두께는, 바람직하게는 5㎛ 내지 468㎛이고, 보다 바람직하게는 7㎛ 내지 244㎛이다. 제1 점착제층의 두께가 5㎛ 이상이면, 엠보싱 처리면에 제1 점착제층을 형성하는 경우에, 당해 제1 점착제층이 엠보싱을 양호하게 매립하여, 불필요한 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 상기 2치화 화상의 백색 면적이 큰 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 제1 점착제층이 468㎛ 이하이면, 소편화된 워크(예를 들어, 반도체 칩)의 픽업이 용이해지는 다이싱 테이프를 얻을 수 있다.

제2 점착제층의 두께는, 바람직하게는 2㎛ 내지 465㎛이고, 보다 바람직하게는 3㎛ 내지 240㎛이다.

점착제층이 2층 구성인 경우, 점착제층의 총 두께는, 바람직하게는 7㎛ 내지 470㎛이고, 보다 바람직하게는 10㎛ 내지 247㎛이고, 더욱 바람직하게는 15㎛ 내지 130㎛이다.

점착제층이 2층 구성인 경우, 점착제층의 전광선 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 점착제층의 전광선 투과율의 상한은, 예를 들어 98％(바람직하게는 99％)이다.

점착제층이 2층 구성인 경우, 점착제층의 헤이즈값은, 바람직하게는 20％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5％ 이하이다. 점착제층의 헤이즈값의 하한은, 예를 들어 1％이다.

제1 점착제층 및 제2 점착제층을 구성하는 점착제로서는, 상기 C-1항에서 설명한 점착제가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 활성 에너지선 경화형 점착제가 사용된다.

제1 점착제층을 구성하는 활성 에너지선 경화형 점착제의 가교제 함유량은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대해, 바람직하게는 0.005중량부 내지 5중량부이고, 보다 바람직하게는 0.02중량부 내지 3중량부이다. 이러한 범위이면, 탄성률이 적절하게 조정되고, 기재의 엠보싱면을 양호하게 매립하고, 또한 정형을 유지할 수 있는 점착제층을 형성할 수 있다.

제2 점착제층을 구성하는 활성 에너지선 경화형 점착제의 가교제 함유량은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대해, 바람직하게는 1중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 2중량부 내지 10중량부이다. 이러한 범위이면, 탄성률 및 점착력(다이싱 시의 웨이퍼의 유지와, 다이싱 후의 칩 픽업을 양립할 수 있는 점착력)이 적절하게 조정된 점착제층을 형성할 수 있다.

D. 다이싱 테이프의 제조 방법

상기 다이싱 테이프는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 다이싱 테이프는, 예를 들어 기재 상에, 상기 점착제를 도공하여 얻어질 수 있다. 도공 방법으로서는, 바 코터 도공, 에어 나이프 도공, 그라비아 도공, 그라비아 리버스 도공, 리버스 롤 도공, 립 도공, 다이 도공, 딥 도공, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 다양한 방법을 채용할 수 있다. 또한, 별도로, 박리 라이너에 점착제층을 형성한 후, 그것을 기재에 접합하는 방법 등을 채용해도 된다.

[실시예]

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 시험 및 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「％」는 중량 기준이다.

(1) 점착제층의 탄성률

실시예 및 비교예에서 조제한 점착제를, 한 쌍의 PET 세퍼레이터 사이에 도포하여, 점착제층(두께 20㎛)을 형성하고, 당해 점착제층을 건조기 내, 50℃의 환경하에서, 48시간 에이징하였다. 그 후, 점착제층을 50㎜×30㎜의 사이즈로 커트하고, 세퍼레이터를 박리한 후, 기포가 들어가지 않도록 하여 둥글게 하여, 길이 30㎜/직경 1.13㎜의 봉상 시료를 제작하였다.

상기 봉상 시료의 인장 탄성률을, 인장 시험기(ORIENTEC사 제조, 상품명 「RTC-1150A」)를 사용하여, 측정 온도 22℃, 척간 거리 10㎜, 속도 10㎜/min의 조건에서 SS 커브를 측정하였다. 당해 SS 커브의 개시로부터 초기 탄성률을 구하여, 이것을 점착제층의 인장 탄성률로 하였다.

(2) 기재의 습윤성

기재의 양면의 습윤성을, JIS K6768에 준하여 측정하였다.

(3) 기재의 산술 평균 표면 조도 Ra

기재의 점착제층과는 반대측의 면의 산술 평균 표면 조도(선 조도) Ra를, 케이엘에이 텐코사 제조의 P-15를 사용하여, JIS B 0601-2001에 준하여 측정하였다.

(4) 전광선 투과율

다이싱 테이프의 전광선 투과율을, 가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠사 제조의 헤이즈미터 상품명「HM-150」을 사용하여, JIS K 7361에 준하여 측정하였다.

(5) 헤이즈값

다이싱 테이프의 헤이즈값을, 가부시키가이샤 무라카미 시키사이 기쥬츠 겐큐죠사 제조의 헤이즈미터 상품명「HM-150」을 사용하여, JIS K 7136에 준하여 측정하였다.

(6) 파장 1064㎚의 광 투과율

다이싱 테이프의 파장 1064㎚의 광 투과율을, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조의 SolidSpec-3700을 사용하여 측정하였다.

(7) 2치화 백색 면적의 측정

Si 웨이퍼 미러면에 다이싱 테이프를 압착하였다. 밝기 80으로 설정한 레이저 현미경 VK-X150(keyence사 제조)으로 당해 다이싱 테이프를, 기재측으로부터 관찰하여, 관찰 화상(범위: 5.8㎜×4.4㎜, 휘도 256계조)을 PC에 도입하였다. Image J(무료 소프트웨어)를 사용하여, 휘도 140, 즉, 휘도 256계조의 저휘도측으로부터 140계조를 경계로(최대 휘도의 55％를 역치로 하여) 관찰 화상을 2치화 화상으로 변환하고, 소정의 매크로 처리에 의해, 백색 면적(고휘도 부분)의 비율을 구하였다.

(8) 스텔스 다이싱 전 장치 시인성 평가

다이싱 테이프에 실리콘 웨이퍼 및 링 프레임을 부착하고, 하기 장치에 의한 카메라 시인성을 확인하여, 하기의 기준으로 평가하였다.

사용 장치: Disco사 제조 DAL7360(SDE05)

SD 카메라: 높이 조정용 카메라. 다이싱 테이프 너머로 웨이퍼 이면에 카메라로 초점을 맞추고, 초점이 맞는 높이를 웨이퍼 이면의 위치로 하여 장치 제어계 내에서 좌표 인식시킨다. 웨이퍼 이면 높이를 기준으로 웨이퍼 내부의 레이저 조사 위치를 정한다. 이 레이저 조사 위치 결정 조작은, 다이싱 중에, 계속적으로 반복된다.

IR 카메라: 실리콘 웨이퍼의 패턴 인식용 카메라. 다이싱 테이프를 개재하여 웨이퍼 표면의 패턴을 인식하고, 장치 내에서의 레이저 조사 개시 위치를 정하는(XY 좌표 설정) 것을 실시하기 위해 사용되는 카메라.

<평가 기준>

○·····문제없이, SD 카메라 및 IR 카메라에 의한 위치 인식이 가능.

×·····높이 인식 및/또는 패턴 인식의 정밀도가 나빠, 오토매틱 모드의 장치 구동이 불가능해짐.

(9) 분할 적성 평가

다이싱 테이프에 실리콘 웨이퍼 및 링 프레임을 부착하고, 하기의 분할 조건에서, 다이싱 테이프를 개재하여 레이저를 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질부를 형성하였다.

(분할 조건)

사용 장치: Disco사 제조 DAL7360(SDE05)

Power: 0.25W

디포커스양: -2.5um

이송 속도: 350㎜/sec

주파수: 80㎑

Pass수: 2개(매핑 패스 1pass＋가공 1pass)

실리콘 웨이퍼: 직경 200㎜φ, 두께 50㎛, 칩 사이즈: 5㎜×5㎜

그 후, 익스팬드 장치(Disco사 제조, 상품명 「DDS-2300」)를 사용하여, 익스팬드양 10㎜, 익스팬드 속도 20㎜/sec, 익스팬드 온도 22℃에서 다이싱 테이프의 주연부의 익스팬드를 행하여, 실리콘 웨이퍼를 개편화하였다.

개편화한 칩의 단면을 디지털 현미경(KEYENCE사 제조, 상품명 「VHX-1000」)으로 관찰하고, 일정 간격으로 직선 형상으로 레이저에 의한 개질부가 형성되어 있는 경우에는 ○, 개질부의 간격이 불균일하고(개질층 누락), 및/또는 개질부를 연결한 선이 직선으로 되지 않은 경우(사행)를 ×로 평가하였다.

[제조예 1] 활성 에너지선 경화형 점착제 (1)의 제작

아크릴산2-메톡시에틸 100중량부, 아크로일모르폴린 27중량부, 아크릴산2-히드록시에틸 22중량부를 혼합하여, 모노머 조성물을 조제하였다.

이어서, 질소 도입관, 온도계, 교반기를 구비한 반응 용기에 질소를 도입하고, 질소 분위기하에서, 아세트산에틸 500중량부, 상기 모노머 조성물 149중량부, 및 아조이소부틸니트릴(AIBN) 0.2중량부를 투입하고, 60℃에서 24시간 교반하였다. 그 후, 실온까지 냉각하여, 아크릴계 공중합체 a1(중량 평균 분자량: 60만)을 함유하는 아크릴계 공중합체 용액 A1을 얻었다. 얻어진 아크릴계 공중합체 용액 a에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 24중량부를 첨가하여 반응시켜, 공중합체 중의 아크릴산2-히드록시에틸의 측쇄 말단 OH기에 NCO기를 부가하고, 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴계 공중합체 a2를 함유하는 아크릴계 공중합체 용액 A2를 얻었다.

아크릴계 공중합체 a2를 100중량부 포함하는 아크릴계 공중합체 용액 A2에, 가교제(닛본 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤, 상품명 「코로네이트 L」) 3중량부, 광 중합 개시제(지바 재팬사 제조, 상품명 「이르가큐어 184」) 7중량부, UV 효과 보조제(신나카무라 가가쿠 고교사 제조, 상품명 「NK올리고U-6LPA」) 30중량부를 첨가하여, 활성 에너지선 경화형 점착제 (1)을 얻었다.

[제조예 2] 활성 에너지선 경화형 점착제 (2)의 제작

가교제(닛본 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤, 상품명 「코로네이트 L」)의 배합량을 0.6중량부로 한 것 이외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여, 활성 에너지선 경화형 점착제 (2)를 얻었다.

[제조예 3] 활성 에너지선 경화형 점착제 (3)의 제작

가교제(닛본 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤, 상품명 「코로네이트 L」)의 배합량을 0.025중량부로 한 것 이외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여, 활성 에너지선 경화형 점착제 (3)을 얻었다.

[제조예 4] 활성 에너지선 경화형 점착제 (4)의 제작

가교제(닛본 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤, 상품명 「코로네이트 L」)의 배합량을 4중량부로 한 것 이외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여, 활성 에너지선 경화형 점착제 (4)를 얻었다.

[제조예 5] 기재 (1)의 제작

기재 형성 재료로서, 고압 폴리에틸렌(PE)(스미토모 가가쿠사 제조, 상품명 「스미카센 F213-P」)을 사용하였다.

기재 형성 재료를 압출기에 투입하고, T 다이 용융 공압출(압출기: 지엠 엔지니어링사 제조, 상품명 「GM30-28」/T 다이: 피드 블록 방식; 압출 온도 240℃)을 행하고, 필름 편면에 엠보싱 처리(표면 조도 Ra: 1.42㎛)를 행하면서, 두께가 100㎛인 필름을 얻었다. 또한, 층의 두께는, T 다이 출구의 형상에 의해 제어하였다. 얻어진 필름의 양면에 대해 코로나 처리를 행하여, 기재 (1)을 얻었다. 또한, 엠보싱면의 Ra는 가부시키가이샤 키엔스사 제조 VK-X150으로 측정하여 얻어진 수치이다.

[제조예 6] 기재 (2)의 제작

필름의 엠보싱 처리면에만 코로나 처리를 실시한 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여, 기재 (2)를 얻었다.

[제조예 7] 기재 (3)의 제작

기재 형성 재료로서, 고압 폴리에틸렌(PE)(스미토모 가가쿠사 제조, 상품명 「스미카센 F213-P」) 100중량부와, 활제(미츠비시 케미컬사 제조, 상품명 「아미드 Ap-1」) 1중량부의 혼합물을 사용하였다.

기재 형성 재료를 압출기에 투입하고, T 다이 용융 공압출(압출기: 지엠 엔지니어링사 제조, 상품명 「GM30-28」/T 다이: 피드 블록 방식; 압출 온도 240℃)을 행하고, 필름 편면에 엠보싱 처리(표면 조도 Ra: 1.42㎛)를 행하면서, 두께가 100㎛인 필름을 얻었다. 또한, 층의 두께는, T 다이 출구의 형상에 의해 제어하였다. 얻어진 필름의 엠보싱 처리면에 대해 코로나 처리를 행하여, 기재 (3)을 얻었다.

[실시예 1]

PET 세퍼레이터(두께: 38㎛)의 실리콘 처리면에, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제 (1)을 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열하여, 두께 15㎛의 점착제층을 형성하였다.

핸드 롤러를 사용하여, 기재에 상기 점착제층을 전사하여, 다이싱 테이프를 얻었다. 또한, 기재는, 오오쿠라 고교사 제조의 「NSO 필름 100um 토메이」를 사용하였다. 당해 필름은, 한쪽 면에 코로나 처리가 실시되고, 엠보싱 처리는 실시되어 있지 않은 필름이다. 점착제층은, 코로나 처리면 상에 적층하였다.

얻어진 다이싱 테이프를 상기 평가 (1) 내지 (9)에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

[실시예 2]

활성 에너지선 경화형 점착제 (1) 대신에, 활성 에너지선 경화형 점착제 (2)를 사용하고, 기재로서, 제조예 6에서 제작한 기재 (2)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착제층은, 엠보싱 처리면 상에 적층하였다.

[실시예 3]

PET 세퍼레이터(두께: 38㎛)의 실리콘 처리면에, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제 (3)을 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열하여, 두께 7㎛의 점착제층 a를 형성하였다.

별도로, PET 세퍼레이터(두께: 38㎛)의 실리콘 처리면에, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제 (1)을 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열하여, 두께 8㎛의 점착제층 b를 형성하였다.

핸드 롤러를 사용하여, 기재 (2)에 점착제층 a를 전사하고, 또한 점착제층 a에 점착제층 b를 전사하여 다이싱 테이프(기재 (2)/제1 점착제층 a/제2 점착제층 b)를 얻었다. 점착제층은, 엠보싱 처리면 상에 적층하였다.

[실시예 4]

별도로, PET 세퍼레이터(두께: 38㎛)의 실리콘 처리면에, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제 (4)를 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열하여, 두께 8㎛의 점착제층 c를 형성하였다.

핸드 롤러를 사용하여, 기재 (2)에 점착제층 a를 전사하고, 또한 점착제층 a에 점착제층 c를 전사하여 다이싱 테이프(기재 (2)/제1 점착제층 a/제2 점착제층 c)를 얻었다. 점착제층은, 엠보싱 처리면 상에 적층하였다.

[실시예 5]

기재 (2) 대신에, 기재 (3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다.

[비교예 1]

기재로서, 제조예 5에서 제작한 기재 (1)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착제층은, 엠보싱 처리면 상에 적층하였다.

[비교예 2]

기재로서, 제조예 5에서 제작한 기재 (1)을 사용한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착제층은, 엠보싱 처리면 상에 적층하였다.

[비교예 3]

PET 세퍼레이터(두께: 38㎛)의 실리콘 처리면에, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제 (3)을 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열하여, 두께 5㎛의 점착제층 a'를 형성하였다.

별도로, PET 세퍼레이터(두께: 38㎛)의 실리콘 처리면에, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제 (4)를 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열하여, 두께 10㎛의 점착제층 c'를 형성하였다.

핸드 롤러를 사용하여, 기재 (2)에 점착제층 a'를 전사하고, 또한 점착제층 a에 점착제층 c'를 전사하여 다이싱 테이프(기재 (2)/제1 점착제층 a'/제2 점착제층 c')를 얻었다. 점착제층은, 엠보싱 처리면 상에 적층하였다.

표 1로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 다이싱 테이프를 사용하면, 2치화 백색 면적이 특정값 이상임으로써, 스텔스 다이싱 공정에 있어서, 당해 다이싱 테이프를 개재한 카메라 검출, 즉, 카메라(예를 들어, IR 카메라, SD 카메라)에 의한 반도체 웨이퍼의 표면 패턴 인식, 반도체 웨이퍼 높이 방향의 위치 검출 등을 고정밀도로 행할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 내부에 개질층을 양호하게 형성할 수 있다. 또한, 실시예에 있어서는, 기재의 블로킹을 방지하는 것; 및 기재 엠보싱의 배제, 점착제층 탄성률의 조정 등으로, 기재와 점착제층의 계면 근방에 있어서의 공극을 발생시키지 않도록 하여, 다이싱 테이프를 구성한 것;에 의해, 2치화 백색 면적을 크게 할 수 있다. 또한, 비교예 3에 있어서는, 기재의 표면 조도가 비교적 작지만, 2치화 백색 면적이 특정값 이하이기 때문에, 다이싱의 정밀도가 떨어지는 것이 나타나 있다.

10 : 기재
20 : 점착제층
100 : 다이싱 테이프

Claims

기재와, 당해 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비하고,
기재측으로부터 레이저 현미경에 의해 관찰하여 취득한 휘도 256계조의 그레이 스케일 화상을, 최대 휘도의 55％를 역치로 하여, 백색부와 흑색부로 2치화하였을 때, 백색부의 면적이, 화상 면적에 대해 80％ 이상인,
다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 기재의 한쪽 면의 습윤성이, 40mN/m 이하인, 다이싱 테이프.
제2항에 있어서,
습윤성이 40mN/m 이하인 면을 점착제층과는 반대측의 면이 되도록 하여, 상기 기재가 배치되어 있는, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 기재가, 폴리에틸렌계 수지를 포함하는, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 기재의 적어도 한쪽 면이, 코로나 처리면인, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 점착제층의 22℃에 있어서의 인장 탄성률이, 0.05㎫ 내지 1㎫인, 다이싱 테이프.
제1항에 있어서,
상기 점착제층이 2층 구성이고,
상기 기재와, 제1 점착제층과, 제2 점착제층을 이 순서로 구비하는, 다이싱 테이프.
제7항에 있어서,
상기 제1 점착제층에 22℃에 있어서의 인장 탄성률이, 0.05㎫ 내지 1㎫인, 다이싱 테이프.
제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 제2 점착제층에 22℃에 있어서의 인장 탄성률이, 0.1㎫ 내지 2㎫인, 다이싱 테이프.
제7항에 있어서,
상기 제1 점착제층의 두께가, 5㎛ 내지 468㎛인, 다이싱 테이프.