KR102647059B1 - 백그라인드 테이프 - Google Patents

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KR102647059B1
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Abstract

다이싱 후에 행해지는 백그라인드 공정에 사용되는 백그라인드 테이프이며, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지하면서, 요철면에 대한 추종성이 우수한 백그라인드 테이프를 제공한다.
본 발명의 백그라인드 테이프는, 점착제층과, 중간층과, 제1 기재를 이 순서로 구비하고, 당해 중간층을 구성하는 재료가, 카르복실기를 갖고, 또한 가교되어 있지 않은 아크릴계 수지이며, 당해 중간층의 23℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이, 200㎫ 이하이고, 당해 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착시켰을 때의 초기 점착력이, 1N/20㎜∼30N/20㎜이다.

Description

백그라인드 테이프{BACKGRIND TAPE}
본 발명은, 백그라인드 테이프에 관한 것이다. 더 상세하게는, 다이싱 공정 후에 행해지는 백그라인드 공정에서, 적합하게 사용되는 백그라인드 테이프에 관한 것이다.
전자 부품의 집합체인 워크(예를 들어, 반도체 웨이퍼)는, 대직경으로 제조되고, 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되어, 다시 마운트 공정으로 이행된다. 이 다이싱 공정에서는 워크를 절단하여, 소편화한다. 다이싱 후의 워크를 고정하기 위해, 통상, 워크에 점착 테이프(다이싱 테이프)를 접합한 후, 다이싱을 행한다(예를 들어, 특허문헌 1). 다이싱의 방법 중 하나로서, 레이저광에 의해 워크를 다이싱하는 방법이 알려져 있다. 이러한 다이싱 방법으로서는, 레이저광을 워크의 표면에 집광시켜, 당해 워크의 표면에 홈을 형성한 후, 워크를 절단하는 방법이 다용되고 있다. 한편, 근년, 레이저광을 워크의 내부에 집광시키고, 당해 개소에서 워크를 개질시킨 후에, 워크를 절단하는 스텔스 다이싱도 제안되어 있다.
또한, 통상, 반도체 웨이퍼의 가공에서는, 소정의 두께(예를 들어, 100㎛∼600㎛)까지 이면을 연삭하는 것이 행해진다(백그라인드 공정). 종래, 반도체 웨이퍼의 표면에 패턴을 형성한 후에, 표면을 백그라인드 테이프에 고정하여 이면 연삭(백그라인드)을 행하고, 그 후, 다이싱 공정이 행해지고 있다. 백그라인드 테이프는 반도체 웨이퍼의 고정성이 요구되고, 또한 반도체 웨이퍼의 표면은 범프가 형성되어 있는 경우가 있고, 이 범프에 의한 요철을 적절하게 매립하여, 우수한 고정성 및 연삭수의 침입을 방지할 수 있는 것이 요구된다.
한편, 근년, 상기 스텔스 다이싱의 유용성을 높이기 위해, 스텔스 다이싱을 행한 후에, 표면을 백그라인드 테이프에 고정하여 백그라인드 공정을 행하는 기술이 검토되고 있다.
일본 특허 공개 제2003-007646호 공보
상기한 바와 같이 백그라인드 공정 전에 다이싱을 행하면, 백그라인드 시에, 소편화된 칩끼리가 간섭하여 칩 떨어짐이 발생한다고 하는 새로운 과제가 발생한다.
본 발명의 과제는, 다이싱 후에 행해지는 백그라인드 공정에 사용되는 백그라인드 테이프이며, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지하면서, 요철면에 대한 추종성이 우수한 백그라인드 테이프를 제공하는 데 있다.
본 발명의 백그라인드 테이프는, 점착제층과, 중간층과, 제1 기재를 이 순서로 구비하고, 당해 중간층을 구성하는 재료가, 카르복실기를 갖고, 또한 가교되어 있지 않은 아크릴계 수지이며, 당해 중간층의 23℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이, 200㎫ 이하이고, 당해 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착시켰을 때의 초기 점착력이, 1N/20㎜∼30N/20㎜이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 기재가, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성된다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 기재의 두께가, 35㎛∼200㎛이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층의 두께가, 1㎛∼50㎛이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 중간층의 두께가, 20㎛∼300㎛이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 백그라인드 테이프는, 스텔스 다이싱된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭할 때에 사용된다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 반도체 웨이퍼가, 범프면을 갖는다.
본 발명에 따르면, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지하는 백그라인드 테이프를 제공할 수 있다. 본 발명의 백그라인드 테이프는, 다이싱(바람직하게는, 스텔스 다이싱) 후에 행해지는 백그라인드 공정에 사용되는 백그라인드 테이프로서 유용하다. 또한, 본 발명의 백그라인드 테이프는, 응답 추종성이 우수하고, 범프면을 갖는 반도체 웨이퍼의 백그라인드 테이프로서 특히 유용하다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프의 개략 단면도이다.
A. 백그라인드 테이프의 개요
도 1은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프의 개략 단면도이다. 이 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프(100)는, 점착제층(10)과, 중간층(20)과, 제1 기재(31)를 구비한다. 도시하지 않았지만, 본 발명의 백그라인드 테이프는, 사용에 제공할 때까지의 동안, 점착면을 보호할 목적으로, 점착제층의 외측에 박리 라이너가 마련되어 있어도 된다(도시하지 않음). 또한, 백그라인드 테이프는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 그 밖의 층을 더 포함하고 있어도 된다. 바람직하게는, 중간층은, 제1 기재에 직접 배치된다. 또한, 바람직하게 점착제층은 중간층에 직접 배치된다.
본 발명의 백그라인드 테이프는, 다이싱된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭(백그라인드)할 때, 당해 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 적합하게 사용될 수 있고, 상기 다이싱으로서 스텔스 다이싱을 채용하는 경우에 특히 적합하게 사용될 수 있다. 스텔스 다이싱이라 함은, 레이저광의 조사에 의해, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 것을 의미한다. 반도체 웨이퍼는 당해 개질층을 기점으로 하여, 할단될 수 있다.
본 발명에 있어서는, 점착제층과 중간층을 조합하여 형성하고, 중간층을 구성하는 재료로서, 카르복실기를 갖고, 가교되어 있지 않은 아크릴계 수지를 사용함으로써, 다이싱 후에 행해지는 백그라인드 공정에 사용되는 백그라인드 테이프이며, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지하는 백그라인드 테이프를 제공할 수 있다. 상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 백그라인드 테이프는, 면 방향의 외력에 대해, 변형되기 어렵고, 또한 변형되어도 그 후에 원래의 형상으로 돌아가기 어렵다고 하는 특징을 갖는다. 이러한 백그라인드 테이프를 사용하면, 다이싱 후에 소편화된 칩이 과도하게 서로 간섭하는 것을 방지하고, 당해 칩이 떨어지는 등의 문제를 방지하여 백그라인드를 행할 수 있다. 본 발명의 백그라인드 테이프는, 스텔스 다이싱을 포함하는 반도체 웨이퍼 가공에 특히 유용하다.
또한, 상기 중간층은 특정 저장 탄성률 E'(0.02㎬ 이하)을 갖고 있고, 이러한 중간층을 구비하는 백그라인드 테이프는, 요철 추종성이 우수하다. 본 발명의 백그라인드 테이프는, 범프면을 갖는 반도체 웨이퍼의 백그라인드 테이프로서 유용하고, 백그라인드 시의 불필요한 위치 어긋남, 연삭수의 범프면에 대한 침입을 방지할 수 있다.
도 2는, 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프의 개략 단면도이다. 이 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프(200)는, 기재가 2층 구성이며, 제2 기재(32)를 더 구비한다. 제2 기재(32)는, 제1 기재(31)의 중간층(20)과는 반대측에 배치된다. 즉, 백그라인드 테이프(200)는, 점착제층(10)과, 중간층(20)과, 제1 기재(31)와, 제2 기재(32)를 이 순서로 구비한다. 바람직하게는, 제2 기재로서, 제1 기재보다 유연한(예를 들어, 탄성률이 낮은) 기재가 사용된다. 본 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프는, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다. 스텔스 다이싱을 포함하는 반도체 웨이퍼 가공은 레이저광에 의해 형성된 변질층으로부터 웨이퍼 표면으로 연장되는 균열(이른바 BHC)을 발생시켜, 반도체 웨이퍼를 소편화시키는 것이지만, 백그라인드 전에 당해 균열을 발생시키는 실시 형태는 물론, 가공이 더 곤란해지는 실시 형태, 즉, 당해 균열을 백그라인드 시에 발생시키는 실시 형태에 있어서도, 칩 떨어짐 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 기재는 3층 이상의 구성이어도 된다.
본 발명의 백그라인드 테이프의 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착시켰을 때의 초기 점착력은, 바람직하게는 1N/20㎜∼30N/20㎜이고, 보다 바람직하게는 5N/20㎜∼25N/20㎜이고, 더욱 바람직하게는 8N/20㎜∼22N/20㎜이고, 특히 바람직하게는 14N/20㎜∼22N/20㎜이다. 이러한 범위이면, 백그라인드 시에 반도체 웨이퍼를 양호하게 고정하고, 또한 칩 떨어짐을 방지할 수 있는 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 백그라인드 테이프는, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선)의 조사에 의해 점착력이 저하될 수 있는 테이프로 할 수 있지만, 상기 「초기 점착력」이라 함은, 활성 에너지선을 조사하기 전의 점착력을 의미한다. 본 발명에 있어서, 점착력은, JIS Z 0237: 2000에 준하여 측정된다. 구체적으로는, 점착력은, 인장 시험기(텐실론, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조)를 사용하여 23℃, 박리 속도 300㎜/min, 박리 각도: 180°의 조건에서 측정된다.
백그라인드 테이프의 두께는, 바람직하게는 35㎛∼500㎛이고, 보다 바람직하게는 60㎛∼300㎛이고, 더욱 바람직하게는 80㎛∼200㎛이다.
B. 기재
B-1. 제1 기재
상기 제1 기재로서는, 수지 필름이 바람직하게 사용된다. 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술피드(PPS), 폴리술폰(PSF), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리아릴레이트(PAR) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 폴리에스테르계 수지이고, 특히 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트이다. 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성되는 제1 기재를 사용하면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있는 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.
상기 제1 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50㎫∼10000㎫이고, 더 바람직하게는 100㎫∼5000㎫이다. 제1 기재(및 백그라인드 테이프를 구성하는 각 층(후술))의 인장 탄성률의 측정은, 인장 시험기(SHIMADZU사 제조, 「AG-IS」)를 사용하여, 척간 거리: 50㎜, 인장 속도: 300㎜/min, 샘플 폭: 10㎜의 조건에서 행해진다.
상기 제1 기재의 두께는, 바람직하게는 35㎛∼200㎛이고, 보다 바람직하게는 38㎛∼150㎛이고, 더욱 바람직하게는 50㎛∼120㎛이다. 이러한 범위이면, 요철 추종성이 우수한 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.
상기 제1 기재는, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 가공 보조제, 충전제, 대전 방지제, 안정제, 항균제, 난연제, 착색제 등을 들 수 있다.
B-2. 제2 기재
상기 제2 기재로서는, 수지 필름이 바람직하게 사용된다. 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술피드(PPS), 폴리술폰(PSF), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리아릴레이트(PAR) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 폴리올레핀계 수지이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제2 기재는, 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리프로필렌계 수지를 포함한다. 폴리에틸렌계 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌 등을 들 수 있다. 폴리에틸렌계 수지 중, 에틸렌 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 바람직하게는 80몰％ 이상이고, 보다 바람직하게는 90몰％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 95몰％ 이상이다. 에틸렌 유래의 구성 단위 이외의 구성 단위로서는, 에틸렌과 공중합체와 공중합 가능한 단량체 유래의 구성 단위를 들 수 있고, 예를 들어 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-펜텐, 2-메틸-1-부텐, 3-메틸-1-부텐, 1-헥센, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1- 테트라데센, 1- 헥사데센, 1-옥타데센, 1-이코센 등을 들 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 제1 기재로서 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성되는 기재를 사용하고, 또한 제2 기재로서 폴리올레핀계 수지(바람직하게는, 상기 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리프로필렌계 수지)로 구성되는 기재를 사용한다. 이들 기재를 사용하면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다.
상기 제2 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50㎫∼2000㎫이고, 더 바람직하게는 100㎫∼1000㎫이다.
상기 제2 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 상기 제1 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률보다 작은 것이 바람직하다. 제2 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 상기 제1 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률에 대해, 바람직하게는 0.5％∼100％이고, 보다 바람직하게는 0.5％ 이상 100％ 미만이고, 더욱 바람직하게는 1％∼50％이다.
상기 제2 기재의 두께는, 바람직하게는 25㎛∼200㎛이고, 보다 바람직하게는 30㎛∼150㎛이고, 더욱 바람직하게는 40㎛∼100㎛이고, 특히 바람직하게는 40㎛∼80㎛이다.
상기 제2 기재는, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 가공 보조제, 충전제, 대전 방지제, 안정제, 항균제, 난연제, 착색제 등을 들 수 있다.
제1 기재와 제2 기재는, 임의의 적절한 접착제층을 통해 적층될 수 있다. 이들 기재 사이의 접착제층의 두께는, 예를 들어 2㎛∼10㎛이다.
C. 중간층
상기 중간층은, 카르복실기를 갖고, 가교되어 있지 않은(예를 들어, 에폭시 가교) 아크릴계 수지로 구성된다. 이러한 중간층은, 측쇄에 카르복실기를 갖는 아크릴계 수지를 포함하고, 가교제 등의 가교성 화합물을 포함하지 않는 중간층 형성용 조성물에 의해 형성될 수 있다. 중간층을 구성하는 아크릴계 수지는, (메트)아크릴산알킬에스테르 및 카르복실기 함유 모노머를 포함하는 모노머 성분을 중합하여 얻어지고, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 및 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위(측쇄에 카르복실기를 갖는 구성 단위)를 포함한다. 아크릴계 수지의 가교의 유무는, 열분해 GC/MS 분석에 의해 확인할 수 있다.
상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산이소펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실 등의 알킬기의 탄소수가 4∼20인 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 피착체에 대한 접착성이나 접합 작업성의 관점에서, 알킬기의 탄소수가 5∼12인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 바람직하고, 더 바람직하게는, 아크릴산n-부틸 또는 아크릴산2-에틸헥실(2EHA)이다. (메트)아크릴산알킬에스테르는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 아크릴계 수지 중, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 수지 100중량부에 대해, 바람직하게는 70중량부∼98중량부이고, 더 바람직하게는 85중량부∼96중량부이다.
상기 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산(AA), 메타크릴산(MAA), 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산; 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 등을 들 수 있다. 상기 아크릴계 수지는 측쇄에 카르복실기를 갖고, 이러한 아크릴계 수지로 구성된 중간층을 구비하는 백그라인드 테이프는, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지한다. 카르복시기 함유 모노머는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 아크릴계 수지 중, 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 수지 100중량부에 대해, 바람직하게는 2중량부∼30중량부이고, 보다 바람직하게는 4중량부∼15중량부이고, 특히 바람직하게는 4중량부∼8중량부이다. 또한, 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 100중량부에 대해, 바람직하게는 2중량부∼30중량부이고, 보다 바람직하게는 5중량부∼20중량부이고, 더욱 바람직하게는 5중량부∼10중량부이다.
상기 아크릴계 수지는, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 그 밖의 모노머 유래의 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 모노머로서는, 하기의 모노머를 들 수 있다. 이들 모노머는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
수산기 함유 모노머: 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올류; 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물;
아미노기 함유 모노머: 예를 들어 아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, t-부틸아미노에틸(메트)아크릴레이트;
시아노기 함유 모노머: 예를 들어 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴;
케토기 함유 모노머: 예를 들어 디아세톤(메트)아크릴아미드, 디아세톤(메트)아크릴레이트, 비닐메틸케톤, 비닐에틸케톤, 알릴아세토아세테이트, 비닐아세토아세테이트;
질소 원자 함유 환을 갖는 모노머: 예를 들어 N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르폴린, N-비닐카프로락탐, N-(메트)아크릴로일모르폴린;
알콕시실릴기 함유 모노머: 예를 들어 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필메틸디에톡시실란.
상기 아크릴계 수지 중, 그 밖의 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 수지 100중량부에 대해, 바람직하게는 40중량부 이하이고, 더 바람직하게는 20중량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 10 중량부 이하이다.
상기 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 20만∼300만이고, 보다 바람직하게는 25만∼150만이다. 중량 평균 분자량은, GPC(용매: THF)에 의해 측정될 수 있다.
상기 중간층 형성용 조성물은, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함하고 있어도 된다. 상기 첨가제로서는, 예를 들어 가소제, 점착성 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 대전 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다. 상기 첨가제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 2종 이상의 첨가제를 사용하는 경우, 1종씩 첨가해도 되고, 2종 이상의 첨가제를 동시에 첨가해도 된다. 상기 첨가제의 배합량은, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다.
상기 중간층의 두께는, 바람직하게는 20㎛∼300㎛이고, 보다 바람직하게는 40㎛∼200㎛이고, 더욱 바람직하게는 60㎛∼150㎛이다. 이러한 범위이면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 보다 바람직하게 방지할 수 있고, 또한 요철면에 대한 추종성이 특히 우수한 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.
상기 중간층의 두께는, 상기 점착제층의 두께에 대해, 5배∼30배인 것이 바람직하고, 8배∼25배인 것이 보다 바람직하고, 10배∼20배인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 두께의 관계로 중간층과 점착제층을 구성하면, 면 방향의 외력에 대해, 변형되기 어렵고, 또한 변형되어도 그 후에 원래의 형상으로 돌아가기 어려운 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 요철면에 대한 추종성이 특히 우수한 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.
상기 중간층의 23℃에 있어서의 저장 탄성률 E'은, 바람직하게는 200㎫ 이하이고, 보다 바람직하게는 30㎫∼180㎫이고, 더욱 바람직하게는 50㎫∼160㎫이다. 이러한 범위이면, 요철면에 대한 추종성이 특히 우수한 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다. 저장 탄성률 E'은, 나노 인덴테이션법에 의해 측정될 수 있다. 측정 조건은 이하와 같다.
(측정 장치 및 측정 조건)
장치: Hysitron Inc. 제조 Tribo Indenter
사용 압자: Berkovich(삼각뿔형)
측정 방법: 단일 압입 측정
측정 온도: 23℃
압입 깊이 설정: 약 300㎚
압입 속도: 약 10㎚/sec
주파수: 100㎐
측정 분위기: 공기 중
시료 사이즈: 약 1㎝×약 1㎝
상기 중간층의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.05㎫∼1㎫이고, 보다 바람직하게는 0.1㎫∼0.5㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.15㎫∼0.3㎫이다. 이러한 범위이면, 중간층을 구성하는 재료로서 특정 재료를 채용하는 것과 더불어, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다.
D. 점착제층
상기 점착제층은, 임의의 적절한 점착제에 의해 구성될 수 있다. 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 들 수 있다. 상기 점착제는, 열경화형 점착제, 활성 에너지선 경화형 점착제 등의 경화형 점착제여도 되고, 감압형 점착제여도 된다. 바람직하게는 경화형 점착제가 사용된다. 경화형 점착제를 사용하면, 백그라인드 시에는 반도체 웨이퍼를 양호하게 고정하고, 그 후, 박리가 필요한 때에는 점착제층을 경화시켜 용이하게 박리될 수 있는 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제로서, 아크릴계 점착제가 사용된다. 바람직하게는, 상기 아크릴계 점착제는, 경화형이다.
아크릴계 점착제는 베이스 폴리머로서, 아크릴계 폴리머를 포함한다. 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 가질 수 있다. 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산이소펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실 등의 알킬기의 탄소수가 4∼20인 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 피착체에 대한 접착성이나 접합 작업성의 관점에서, 알킬기의 탄소수가 5∼12인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 바람직하고, 더 바람직하게는, 아크릴산n-부틸 또는 아크릴산2-에틸헥실(2EHA)이다. (메트)아크릴산알킬에스테르는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 그 밖의 모노머 유래의 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 모노머로서는, 하기의 모노머를 들 수 있다. 이들 모노머는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
카르복시기 함유 모노머 및 그의 무수물: 예를 들어 아크릴산(AA), 메타크릴산(MAA), 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산; 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그의 무수물(무수 말레산, 무수 이타콘산 등);
수산기 함유 모노머: 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올류; 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물;
아미노기 함유 모노머: 예를 들어 아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, t-부틸아미노에틸(메트)아크릴레이트;
에폭시기 함유 모노머: 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르;
시아노기 함유 모노머: 예를 들어 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴;
케토기 함유 모노머: 예를 들어 디아세톤(메트)아크릴아미드, 디아세톤(메트)아크릴레이트, 비닐메틸케톤, 비닐에틸케톤, 알릴아세토아세테이트, 비닐아세토아세테이트;
질소 원자 함유 환을 갖는 모노머: 예를 들어 N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르폴린, N-비닐카프로락탐, N-(메트)아크릴로일모르폴린;
알콕시실릴기 함유 모노머: 예를 들어 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필메틸디에톡시실란;
이소시아네이트기 함유 모노머: (메트)아크릴로일이소시아네이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트.
상기 아크릴계 폴리머중, 상기 그 밖의 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 폴리머 100중량부에 대해, 50중량부 미만이고, 보다 바람직하게는 2중량부∼40중량부이고, 더욱 바람직하게는 5중량부∼30중량부이다.
상기 아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 20만∼300만이고, 보다 바람직하게는 25만∼150만이다.
상기 점착제는, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함하고 있어도 된다. 상기 첨가제로서는, 예를 들어 광 중합 개시제, 가교제, 가소제, 점착성 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 대전 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다. 상기 첨가제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 2종 이상의 첨가제를 사용하는 경우, 1종씩 첨가해도 되고, 2종 이상의 첨가제를 동시에 첨가해도 된다. 상기 첨가제의 배합량은, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제는, 광 중합 개시제를 더 포함한다. 광 중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 사용할 수 있다. 광 중합 개시제로서는, 예를 들어 에틸2,4,6-트리메틸벤질페닐포스피네이트, (2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드계 광 개시제; 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 아실포스핀옥시드계 광 개시제이다. 광 중합 개시제의 사용량은, 아크릴계 폴리머 100중량부에 대해, 바람직하게는 1중량부∼20중량부이고, 보다 바람직하게는 2중량부∼15중량부이고, 더욱 바람직하게는 3중량부∼10중량부이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제는, 가교제를 더 포함한다. 상기 가교제로서는, 임의의 적절한 가교제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 또한, 가교제의 사용량은, 사용 용도에 따라서 임의의 적절한 값으로 설정될 수 있다. 가교제의 사용량은, 아크릴계 폴리머 100중량부에 대해, 바람직하게는 0.1중량부∼10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부∼5중량부이고, 더욱 바람직하게는 1중량부∼3중량부이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하게 사용된다. 이소시아네이트계 가교제는, 다종의 관능기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류; 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 L」), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 이소시아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 사용된다.
상기 점착제층의 두께는, 바람직하게는 1㎛∼50㎛이고, 보다 바람직하게는 1㎛∼25㎛이고, 더욱 바람직하게는 1㎛∼5㎛이다. 이러한 범위라면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다.
상기 점착제층의 23℃에 있어서의 저장 탄성률 E'은, 바람직하게는 15㎫∼200㎫이고, 보다 바람직하게는 20㎫∼150㎫이고, 더욱 바람직하게는 30㎫∼120㎫이다. 이러한 범위이면, 요철면에 대한 추종성이 특히 우수한 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.
상기 점착제층의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.01㎫∼2㎫이고, 보다 바람직하게는 0.05㎫∼1㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.1㎫∼0.5㎫이다. 이러한 범위이면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다. 또한, 점착제층이 경화형인 경우, 경화 전의 점착제층 인장 탄성률이 상기 범위인 것이 바람직하다.
상기 점착제층의 23℃에 있어서의 택크값은, 바람직하게는 340gf 이하이고, 보다 바람직하게는 100gf∼340gf이다. 이러한 범위이면, 요철면에 대한 추종성이 특히 우수한 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다. 상기 택크값은, 프로브 택크법에 의해, (주) 레스타사 제조의 택킹 시험기를 사용하여, 측정된다.
E. 백그라인드 테이프의 제조 방법
상기 백그라인드 테이프는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 백그라인드 테이프는, 예를 들어 기재(제1 기재) 상에, 상기 중간층 형성용 조성물을 도공(도포, 건조)하여 중간층을 형성하고, 이어서 중간층 상에 상기 점착제를 도공(도포, 건조)하여 점착제층을 형성함으로써 얻어질 수 있다. 도공 방법으로서는, 바 코터 도공, 에어 나이프 도공, 그라비아 도공, 그라비아 리버스 도공, 리버스 롤 도공, 립 도공, 다이 도공, 딥 도공, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 다양한 방법을 채용할 수 있다. 또한, 점착제층 및 중간층 각각을, 별도로 박리 라이너 상에 형성한 후, 그것을 전사하여 접합하는 방법 등을 채용해도 된다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 시험 및 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「％」는 중량 기준이다.
(1) 점착력
백그라인드 테이프를 폭 20㎜의 직사각형으로 절단하여, 샘플을 제작하였다.
상기 샘플에 대해, JIS Z 0237에 준거하여, 하기의 조건에서 180° 박리 시험을 행하여 마스킹재의 점착력을 측정하였다.
<180° 박리 시험>
피착체: Si 미러 웨이퍼
반복 시험 수: 3회
온도: 23℃
박리 각도: 180도
박리 속도: 300㎜/min
초기 길이(척 간격): 150㎜
(2) 저장 탄성률
중간층 및 점착제층의 저장 탄성률 E'을, 나노 인덴테이션법에 의해 하기 조건에서 측정하였다.
<저장 탄성률 E' 측정>
장치: Hysitron Inc. 제조 Tribo Indenter
사용 압자: Berkovich(삼각뿔형)
측정 방법: 단일 압입 측정
측정 온도: 23℃
압입 깊이 설정: 약 300㎚
압입 속도: 약 10㎚/sec
주파수: 100㎐
측정 분위기: 공기 중
시료 사이즈: 약 1㎝×약 1㎝
(3) 범프 매립성
범프 웨이퍼(60㎛ 높이 땜납 범프, φ＝0.1㎜, 0.25㎜ 피치)를 준비하고, 이 웨이퍼 상에 백그라인드 테이프를 첩부하여, 매립성을 광학 현미경(50∼200배)으로 확인을 실시하고, 백그라인드 테이프가 범프-범프 사이를 기포에 의한 연결이 없이 메우고 있는 경우를 합격(표 중, ○)으로 하고, 범프 사이가 기포로 연결되어 있거나, 또는 메워져 있지 않은 경우를 불합격으로 하였다. 또한, 백그라인드 테이프의 첩부 조건은 이와 같이 하였다.
<백그라인드 테이프 첩부 조건>
장치: 닛토 세이키 DR-3000III
압력: 0.3㎫
온도: 실온
속도: 10㎜/min
(4) 택크값
백그라인드 테이프의 점착제층 표면에 대해, 프로브 택크법에 의해, 택크값을 측정하였다. 또한, 택크값은, 태킹 시험기(레스카사 제조, 「TAC-2」)를 사용하여, 하기 조건하에서 측정하였다.
<측정 조건>
온도: 23℃
프로브 재질: SUS
프로브 형상: 원기둥상(5㎜φ)
가압(압축) 속도: 30㎜/min
측정(이탈) 속도: 30㎜/min, 프리로드: 100gf
가압(압축) 시간: 1초
(5) 크랙(칩 떨어짐) 평가
12인치 Si 미러 웨이퍼(두께: 775㎛)의 편면에, 하기의 조건에서 백그라인드 테이프를 접착하고, 이어서 백그라인드 테이프의 접착면과는 반대측의 면으로부터, 하기의 조건에서 스텔스 다이싱을 행하고, 10.5㎜×10.5㎜의 소편을 593개 얻을 것을 예정하여, 미러 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성시켰다.
이어서, 하기의 조건에서, 미러 웨이퍼의 두께가 25㎛가 되도록, 백그라인드를 행하였다.
이어서, 인라인 반송으로, 백그라인드 후의 미러 웨이퍼를, 다이싱 테이프(닛토덴코사 제조, 상품명 「NLS-516P」) 및 링 프레임에 마운트하였다.
그 후, 다이싱 테이프 너머로 미러 웨이퍼 표면을 광학 현미경(×200)으로 관찰하여, 크랙 발생 유무를 확인하고, 전체 소편 수(593개)에 대한 크랙 발생 수(크랙이 발생한 소편의 수)의 비율에 의해 크랙 평가를 행하였다.
<스텔스 다이싱 조건>
장치: 디스코사 제조, DFL7361 SDE06
처리 조건: BHC, Non BHC
<백그라인드 테이프 첩부 조건>
장치: 닛토 세이키 DR-3000III
압력: 0.3㎫
온도: 실온
속도: 10㎜/min
<백그라인드 조건>
장치: 디스코사 제조, DGP8761 DFM2800 인라인 그라인더
Z1(#360), Z2(#2000)로 박막 후, GDP(게터링 DP 처리)를 실시
[제조예 1] 중간층 형성용 조성물 M1의 조제
부틸아크릴레이트 50중량부와, 에틸아크릴레이트 50중량부와, 아크릴산 5중량부와, 아조비스이소부티로니트릴 0.1중량부와, 아세트산에틸 100중량부를 혼합하여 얻어진 혼합물을, 질소 분위기하, 60℃에서 6시간 중합하여, 중량 평균 분자량 65만의 아크릴계 수지 M1을 얻었다.
상기 조작에 의해 얻어진 중합액을 중간층 형성용 조성물 M1로 하였다.
[제조예 2] 중간층 형성용 조성물 M2의 조제
2에틸헥실아크릴레이트 30중량부와, 메틸아크릴레이트 70중량부와, 아크릴산 10중량부와, 아조비스이소부티로니트릴 0.1중량부와, 아세트산에틸 100중량부를 혼합하여 얻어진 혼합물을, 질소 분위기하, 60℃에서 6시간 중합하여, 중량 평균 분자량 50만의 아크릴계 수지 M2를 얻었다.
상기 조작에 의해 얻어진 중합액을 중간층 형성용 조성물 M2로 하였다.
[제조예 3] 점착제 A1의 조제
2에틸헥실아크릴레이트 100중량부와, 아크릴로일모르폴린 26중량부와, 히드록시에틸아크릴레이트 18중량부와, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 12중량부와, 아조비스이소부티로니트릴 0.2중량부와, 아세트산에틸 500중량부를 혼합하여 얻어진 혼합물을, 질소 분위기하, 60℃에서 24시간 중합하여, 중량 평균 분자량 90만의 아크릴계 폴리머 A를 얻었다.
상기 조작에 의해 얻어진 중합액(아크릴계 폴리머 A 함유량: 100중량부)에, 광 중합 개시제(IGM Resines사 제조, 상품명 「OmniradTPO」) 7중량부와, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 2중량부를 첨가하여, 점착제 A1을 얻었다.
[제조예 4] 점착제 A2의 조제
제조예 3과 마찬가지로 하여, 아크릴계 폴리머 A 100중량부를 포함하는 중합액을 조제하였다.
이 중합액에, 광 중합 개시제(IGM Resines사 제조, 상품명 「Omnirad651」) 7중량부와, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 5중량부를 첨가하여, 점착제 A2를 얻었다.
[제조예 5] 점착제 A3의 조제
제조예 3과 마찬가지로 하여, 아크릴계 폴리머 A 100중량부를 포함하는 중합액을 조제하였다.
이 중합액에, 광 중합 개시제(IGM Resines사 제조, 상품명 「Omnirad127」) 7중량부와, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 2중량부를 첨가하여, 점착제 A3을 얻었다.
[실시예 1]
제1 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(도레이사 제조, 상품명 「S105 #50」, 두께: 50㎛) 상에, 중간층 형성용 조성물 M1을 도공하여, 두께 95㎛의 중간층을 형성하였다. 그 후, 중간층 상에 점착제 A1을 도공하여, 두께 5㎛의 점착제층을 형성하였다.
상기한 바와 같이 하여, 백그라인드 테이프 A를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 A를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 2]
폴리에틸렌테레프탈레이트 기재의 두께를 75㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 백그라인드 테이프 B를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 B를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 3]
폴리에틸렌테레프탈레이트 기재의 두께를 100㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 백그라인드 테이프 C를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 C를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 4]
점착제 A1 대신에, 점착제 A2를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 백그라인드 테이프 D를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 D를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
점착제 A1 대신에 점착제 A3을 사용한 것, 및 중간층의 두께를 25㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 백그라인드 테이프 E를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 E를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 2]
점착제 A1 대신에, 점착제 A3을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 백그라인드 테이프 F를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 F를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112019079376545-pat00001
10 : 점착제층
20 : 중간층
31 : 제1 기재
32 : 제2 기재
100 : 백그라인드 테이프

Claims (8)

  1. 점착제층과, 중간층과, 제1 기재를 이 순서로 구비하고,
    상기 중간층은 상기 제1 기재에 직접 배치되고, 또한 상기 점착제층은 상기 중간층에 직접 배치되고,
    상기 중간층을 구성하는 재료가, 카르복실기를 갖고, 또한 가교되어 있지 않은 아크릴계 수지이며,
    상기 중간층의 23℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이, 0 초과 0.02GPa 이하이고,
    상기 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착시켰을 때의 초기 점착력이, 1N/20㎜∼30N/20㎜인, 백그라인드 테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기재가, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성되는, 백그라인드 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 기재의 두께가, 35㎛∼200㎛인, 백그라인드 테이프.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착제층의 두께가, 1㎛∼50㎛인, 백그라인드 테이프.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 중간층의 두께가, 20㎛∼300㎛인, 백그라인드 테이프.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 아크릴계 수지가, 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖고,
    상기 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율이, 당해 아크릴계 수지 100중량부에 대해, 2중량부∼30중량부인, 백그라인드 테이프.
  7. 제1항에 있어서,
    스텔스 다이싱된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭할 때에 사용되는, 백그라인드 테이프.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼가, 범프면을 갖는, 백그라인드 테이프.
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