TWI801636B - 背面研磨帶 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種於切割之後進行之背面研磨步驟中使用之背面研磨帶，且於防止背面研磨時可能產生之晶片缺損之同時對凹凸面之追隨性優異之背面研磨帶。本發明之背面研磨帶依次具備黏著劑層、中間層及第1基材，構成該中間層之材料為具有羧基且未交聯之丙烯酸系樹脂，該中間層之於23℃下之儲存彈性模數E'為200 MPa以下，將該黏著劑層黏貼於Si鏡面晶圓上時之初始黏著力為1 N/20 mm～30 N/20 mm。

Description

背面研磨帶
本發明係關於一種背面研磨帶。更詳細而言，係關於一種較佳用於切割步驟後進行之背面研磨步驟中之背面研磨帶。
作為電子零件之集合體之工件(例如半導體晶圓)以大直徑製造，切斷分離(切割)成元件小片，進而轉至安裝步驟。該切割步驟將工件切斷，進行小片化。為了固定切割後之工件，通常於工件上黏貼黏著帶(切割帶)之後再進行切割(例如專利文獻1)。作為切割之方法之一，已知有利用雷射光來切割工件之方法。作為此種切割方法，較多採用使雷射光於工件之表面聚光並於該工件之表面形成凹槽之後再將工件切斷之方法。另一方面，近年來，亦提出使雷射光於工件之內部聚光並於該處對工件進行改質之後將工件切斷之隱形切割。
此外，通常，半導體晶圓之加工中，進行背面研削直至達到特定之厚度(例如100 μm～600 μm)(背面研磨步驟)。先前，於半導體晶圓之表面形成圖案後，將表面固定於背面研磨帶進行背面研削(backgrind)，然後進行切割步驟。背面研磨帶要求具有半導體晶圓之固定性，此外，半導體晶圓之表面有時會形成有凸塊，要求具有適宜地掩埋由該凸點導致之凹凸之優異之固定性以及能夠防止研磨水之浸入。
另一方面，近年來，為了提高上述隱形切割之有用性，正在研究於進行隱形切割後將表面固定於背面研磨帶來進行背面研磨步驟之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-007646號公報
[發明所欲解決之問題]
若如上所述於背面研磨步驟前進行切割，則可能產生於背面研磨時經小片化之晶片相互干擾而發生晶片缺損之新的問題。
本發明之問題在於提供一種於切割之後進行之背面研磨步驟中使用之背面研磨帶，且於防止背面研磨時可能產生之晶片缺損之同時對凹凸面之追隨性優異之背面研磨帶。 [解決問題之技術手段]
本發明之背面研磨帶依次具備黏著劑層、中間層及第1基材，構成該中間層之材料為具有羧基且未交聯之丙烯酸系樹脂，該中間層之於23℃下之儲存彈性模數E'為200 MPa以下，將該黏著劑層黏貼於Si鏡面晶圓上時之初始黏著力為1 N/20 mm～30 N/20 mm。 於1個實施形態中，上述第1基材包含聚對苯二甲酸乙二酯。 於1個實施形態中，上述第1基材之厚度為35μm～200 μm。 於1個實施形態中，上述黏著劑層之厚度為1 μm～50 μm。 於1個實施形態中，上述中間層之厚度為20 μm～300 μm。 於1個實施形態中，上述背面研磨帶於對經隱形切割之半導體晶圓進行背面研削時使用。 於1個實施形態中，上述半導體晶圓具有凸點面。 [發明之效果]
根據本發明，能夠提供一種防止背面研磨時可能產生之晶片缺損之背面研磨帶。本發明之背面研磨帶作為於切割(較佳為隱形切割)之後進行之背面研磨步驟中使用之背面研磨帶較為有用。此外，本發明之背面研磨帶之響應追隨性優異，特別作為具有凸點面之半導體晶圓之背面研磨帶較為有用。
A. 背面研磨帶之概要 圖1係本發明之1個實施形態之背面研磨帶之示意剖視圖。該實施形態之背面研磨帶100具備黏著劑層10、中間層20及第1基材31。雖未圖示，本發明之背面研磨帶可以直至供於使用為止之期間保護黏著面之目的而於黏著劑層之外側設置剝離襯墊(未圖示)。此外，背面研磨帶只要能獲得本發明之效果，則可進而包括任意合適之其他層。較佳為中間層直接配置於第1基材。此外，較佳為黏著劑層直接配置於中間層。
本發明之背面研磨帶可於對經切割之半導體晶圓進行背面研削(back grind)時適宜地用於固定該半導體晶圓，於採用隱形切割作為上述切割之情形時，可特別適宜地使用。隱形切割係指藉由雷射光之照射於半導體晶圓之內部形成改質層。半導體晶圓可以該改質層作為起點被割斷。
於本發明中，藉由將黏著劑層與中間層組合形成，使用具有羧基且未交聯之丙烯酸系樹脂作為構成中間層之材料，從而能夠提供一種於切割之後進行之背面研磨步驟中使用之防止於背面研磨時可能產生之晶片缺損之背面研磨帶。如上所述構成之本發明之背面研磨帶具有如下特徵：相對於面方向之外力不易變形，此外發生變形之後亦不易恢復原狀。若使用此種背面研磨帶，則能夠防止切割後經小片化之晶片過度相互干擾，防止該晶片發生缺損等不利情況地進行背面研磨。本發明之背面研磨帶特別對於包括隱形切割之半導體晶圓加工較為有用。
進而，上述中間層具有特定之儲存彈性模數E'(0.02 GPa以下)，具備此種中間層之背面研磨帶之凹凸追隨性優異。本發明之背面研磨帶作為具有凸點面之半導體晶圓之背面研磨帶較為有用，能夠防止背面研磨時不希望發生之位置偏移，防止研磨水浸入凸點面。
圖2係本發明之另一個實施形態之背面研磨帶之示意剖視圖。該實施形態之背面研磨帶200之基材為2層構成，進而具備第2基材32。第2基材32配置於第1基材31之與中間層20相反之一側。即，背面研磨帶200依次具備黏著劑層10、中間層20、第1基材31及第2基材32。作為第2基材，較佳使用比第1基材柔軟(例如彈性模數較低)之基材。本實施形態之背面研磨帶可更好地防止背面研磨時之晶片缺損等不利情況。包括隱形切割之半導體晶圓加工係產生自利用雷射光形成之變質層向晶圓表面延伸之龜裂(所謂之BHC)來將半導體晶圓小片化，於背面研磨前產生該龜裂之實施形態自不必說，即便於加工被認為更困難之實施形態中，即便於背面研磨時產生該龜裂之實施形態中，亦能夠防止晶片缺損等不利情況。再者，基材可為3層以上之構成。
將本發明之背面研磨帶之黏著劑層黏貼於Si鏡面晶圓上時之初始黏著力較佳為1 N/20 mm～30 N/20 mm，更佳為5 N/20 mm～25 N/20 mm，進而較佳為8 N/20 mm～22 N/20 mm，特別較佳為14 N/20 mm～22 N/20 mm。若為此種範圍，則能夠獲得於背面研磨時可良好地固定半導體晶圓且防止晶片缺損之背面研磨帶。再者，本發明之背面研磨帶可採用黏著力會因活性能量射線(例如紫外線)之照射而降低之帶，上述「初始黏著力」係指照射活性能量射線前之黏著力。於本發明中，黏著力係根據JIS Z 0237：2000進行測定。具體而言，黏著力使用拉伸試驗機(TENSILON，島津製作所股份有限公司製造)於23℃、剝離速度300 mm/min、剝離角度：180°之條件下進行測定。
背面研磨帶之厚度較佳為35 μm～500 μm，更佳為60 μm～300 μm，進而較佳為80 μm～200 μm。
B. 基材 B-1.第1基材 作為上述第1基材，較佳使用樹脂膜。作為構成樹脂膜之樹脂，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂，聚丙烯(PP)等聚烯烴系樹脂，聚醯亞胺(PI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚苯硫醚(PPS)、聚碸(PSF)、聚醚醚酮(PEEK)、聚芳酯(PAR)等。其中，較佳為聚酯系樹脂，特別較佳為聚對苯二甲酸乙二酯。若使用包含聚對苯二甲酸乙二酯之第1基材，則能夠獲得可更好地防止背面研磨時之晶片缺損等不利情況之背面研磨帶。
上述第1基材之於23℃下之拉伸彈性模數較佳為50 MPa～10000 MPa，更佳為100 MPa～5000 MPa。第1基材(及構成背面研磨帶之各層(後述))之拉伸彈性模數之測定使用拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司製造，「AG-IS」)於卡盤間距：50 mm、拉伸速度：300 mm/min、樣品寬度：10 mm之條件下進行。
上述第1基材之厚度較佳為35 μm～200 μm，更佳為38 μm～150 μm，進而較佳為50 μm～120 μm。若為此種範圍，則能夠獲得凹凸追隨性優異之背面研磨帶。
上述第1基材可進而含有任意合適之添加劑。作為添加劑，例如可列舉：潤滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、加工助劑、填充劑、抗靜電劑、穩定劑、抗菌劑、阻燃劑、著色劑等。
B-2.第2基材 作為上述第2基材，較佳使用樹脂膜。作為構成樹脂膜之樹脂，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂，聚丙烯(PP)等聚烯烴系樹脂，聚醯亞胺(PI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚苯硫醚(PPS)、聚碸(PSF)、聚醚醚酮(PEEK)、聚芳酯(PAR)等。其中，較佳為聚烯烴系樹脂。
於1個實施形態中，上述第2基材含有聚乙烯系樹脂或聚丙烯系樹脂。作為聚乙烯系樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯等。聚乙烯系樹脂中，來源於乙烯之構成單元之含有比例較佳為80莫耳%以上，更佳為90莫耳%以上，進而較佳為95莫耳%以上。作為來源於乙烯之構成單元除外之構成單元，可列舉來源於可與乙烯共聚形成共聚物之單體之構成單元，例如可列舉：丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-戊烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯、1-二十碳烯等。
於1個實施形態中，使用包含聚對苯二甲酸乙二酯之基材作為第1基材，且使用包含聚烯烴系樹脂(較佳為上述聚乙烯系樹脂或聚丙烯系樹脂)之基材作為第2基材。若使用該等基材，則可更好地防止背面研磨時之晶片缺損等不利情況。
上述第2基材之於23℃下之拉伸彈性模數較佳為50 MPa～2000 MPa，更佳為100 MPa～1000 MPa。
上述第2基材之於23℃下之拉伸彈性模數較佳為小於上述第1基材之於23℃下之拉伸彈性模數。第2基材之於23℃下之拉伸彈性模數相對於上述第1基材之於23℃下之拉伸彈性模數，較佳為0.5%～100%，更佳為0.5%以上且未達100%，進而較佳為1%～50%。
上述第2基材之厚度較佳為25 μm～200 μm，更佳為30 μm～150 μm，進而較佳為40 μm～100 μm，特別較佳為40 μm～80 μm。
上述第2基材可進而含有任意合適之添加劑。作為添加劑，例如可列舉：潤滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、加工助劑、填充劑、抗靜電劑、穩定劑、抗菌劑、阻燃劑、著色劑等。
第1基材與第2基材可經由任意合適之接著劑層來積層。該等基材間之接著劑層之厚度例如為2 μm～10 μm。
C. 中間層 上述中間層可由具有羧基且未交聯(例如環氧交聯)之丙烯酸系樹脂構成。此種中間層可藉由含有於側鏈具有羧基之丙烯酸系樹脂且不含交聯劑等交聯性化合物之中間層形成用組合物來形成。構成中間層之丙烯酸系樹脂使含有(甲基)丙烯酸烷基酯及含羧基單體之單體成分聚合而獲得，含有來源於(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元及來源於含羧基單體之構成單元(於側鏈具有羧基之構成單元)。丙烯酸系樹脂有無交聯可藉由熱分解GC/MS分析來確認。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸異癸基酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等具有烷基之碳數為4～20之直鏈或支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等之中，就對被接著體之接著性、或貼合作業性之觀點而言，較佳為烷基之碳數為5～12之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為丙烯酸正丁酯或丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)。(甲基)丙烯酸烷基酯可僅單獨使用1種或將2種以上組合使用。
上述丙烯酸系樹脂中，來源於(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元之含有比例相對於丙烯酸系樹脂100重量份，較佳為70重量份～98重量份，更佳為85重量份～96重量份。
作為上述含羧基單體，例如可列舉：丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)、巴豆酸等乙烯性不飽和單羧酸；馬來酸、衣康酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸等。上述丙烯酸系樹脂於側鏈具有羧基，具備包含此種丙烯酸系樹脂之中間層之背面研磨帶可防止背面研磨時可能產生之晶片缺損。含羧基單體可僅單獨使用1種或將2種以上組合使用。
上述丙烯酸系樹脂中，來源於含羧基單體之構成單元之含有比例相對於丙烯酸系樹脂100重量份，較佳為2重量份～30重量份，更佳為4重量份～15重量份，特別較佳為4重量份～8重量份。此外，來源於含羧基單體之構成單元之含有比例相對於來源於(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元100重量份，較佳為2重量份～30重量份，更佳為5重量份～20重量份，進而較佳為5重量份～10重量份。
上述丙烯酸系樹脂可根據需要而含有來源於可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之其他單體之構成單元。作為其他單體，可列舉下述單體。該等單體可僅單獨使用1種或將2種以上組合使用。 含羥基單體：例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；乙烯醇、烯丙醇等不飽和醇類；2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚系化合物； 含胺基單體：例如(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯； 含氰基單體：例如丙烯腈、甲基丙烯腈； 含酮基單體：例如二丙酮(甲基)丙烯醯胺、二丙酮(甲基)丙烯酸酯、乙烯基甲基酮、乙烯基乙基酮、乙醯乙酸烯丙酯、乙醯乙酸乙烯酯； 具有含氮原子環之單體：例如N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯嗎啉； 含烷氧基甲矽烷基單體：例如3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。
上述丙烯酸系樹脂中，來源於其他單體之構成單元之含有比例相對於丙烯酸系樹脂100重量份，較佳為40重量份以下，更佳為20重量份以下，進而較佳為10重量份以下。
上述丙烯酸系樹脂之重量平均分子量較佳為20萬～300萬，更佳為25萬～150萬。重量平均分子量可藉由GPC(溶劑：THF)進行測定。
上述中間層形成用組合物可進而含有任意合適之添加劑。作為上述添加劑，例如可列舉：塑化劑、賦黏劑、防老劑、填充劑、著色劑、抗靜電劑、界面活性劑等。上述添加劑可單獨使用，亦可將2種以上組合使用。使用2種以上添加劑之情形時，可一次添加1種，亦可同時添加2種以上之添加劑。上述添加劑之調配量可設定為任意合適之量。
上述中間層之厚度較佳為20 μm～300 μm，更佳為40 μm～200 μm，進而較佳為60 μm～150 μm。若為此種範圍，則能夠獲得可更好地防止背面研磨時之晶片缺損等不利情況且對凹凸面之追隨性特別優異之背面研磨帶。
上述中間層之厚度相對於上述黏著劑層之厚度較佳為5倍～30倍，更佳為8倍～25倍，進而較佳為10倍～20倍。若以此種厚度關係構成中間層及黏著劑層，則能夠獲得相對於面方向之外力不易變形此外發生變形之後亦不易恢復原狀之背面研磨帶。此外，能夠獲得對凹凸面之追隨性特別優異之背面研磨帶。
上述中間層之於23℃下之儲存彈性模數E'較佳為200 MPa以下，更佳為30 MPa～180 Mpa，進而較佳為50 MPa～160 MPa。若為此種範圍，則能夠獲得對凹凸面之追隨性特別優異之背面研磨帶。儲存彈性模數E'可藉由奈米壓痕法進行測定。測定條件如下所示。 (測定裝置及測定條件) 裝置：Hysitron Inc.製造 Tribo Indenter 使用壓頭：Berkovich(三棱錐型) 測定方法：單一壓入測定 測定溫度：23℃ 壓入深度設定：約300 nm 壓入速度：約10 nm/sec 頻率：100 Hz 測定氣氛：空氣中 試樣尺寸：約1 cm×約1 cm
上述中間層之於23℃下之拉伸彈性模數較佳為0.05 MPa～1 MPa，更佳為0.1 MPa～0.5 MPa，進而較佳為0.15 MPa～0.3 MPa。若為此種範圍，則可與採用特定之材料作為構成中間層之材料相結合，更好地防止背面研磨時之晶片缺損等不利情況。
D. 黏著劑層 上述黏著劑層可包含任意合適之黏著劑。作為黏著劑，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、有機矽系黏著劑、聚乙烯基醚系黏著劑等。上述黏著劑可為熱硬化型黏著劑、活性能量射線硬化型黏著劑等硬化型黏著劑，亦可為感壓型黏著劑。較佳使用硬化型黏著劑。若使用硬化型黏著劑，則能夠獲得於背面研磨時良好地固定半導體晶圓且於之後需要剝離時可使黏著劑層硬化而容易地剝離之背面研磨帶。
於1個實施形態中，作為上述黏著劑，使用丙烯酸系黏著劑。較佳為上述丙烯酸系黏著劑為硬化型。
丙烯酸系黏著劑含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物。丙烯酸系聚合物可具有來源於(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸異癸基酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基等具有烷基之碳數為4～20之直鏈或支鏈狀之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等之中，就對被接著體之接著性、或貼合作業性之觀點而言，較佳為烷基之碳數為5～12之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為丙烯酸正丁酯或丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)。(甲基)丙烯酸烷基酯可僅單獨使用1種或將2種以上組合使用。
上述丙烯酸系聚合物可根據需要而含有來源於可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之其他單體之構成單元。作為其他單體，可列舉下述單體。該等單體可僅單獨使用1種或將2種以上組合使用。 含羧基單體及其酸酐：例如丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)、巴豆酸等乙烯性不飽和單羧酸；馬來酸、衣康酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸及其酸酐(馬來酸酐、衣康酸酐等)； 含羥基單體：例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；乙烯醇、烯丙醇等不飽和醇類；2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚系化合物； 含胺基單體：例如(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯； 含環氧基單體：例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚； 含氰基單體：例如丙烯腈、甲基丙烯腈； 含酮基單體：例如二丙酮(甲基)丙烯醯胺、二丙酮(甲基)丙烯酸酯、乙烯基甲基酮、乙烯基乙基酮、乙醯乙酸烯丙酯、乙醯乙酸乙烯酯； 具有含氮原子環之單體：例如N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯嗎啉； 含烷氧基甲矽烷基單體：例如3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷； 含異氰酸酯基單體：(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。
上述丙烯酸系聚合物中，來源於上述其他單體之構成單元之含有比例相對於丙烯酸系聚合物100重量份未達50重量份，更佳為2重量份～40重量份，進而較佳為5重量份～30重量份。
上述丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為20萬～300萬，更佳為25萬～150萬。
上述黏著劑可進而含有任意合適之添加劑。作為上述添加劑，例如可列舉：光聚合起始劑、交聯劑、塑化劑、賦黏劑、防老劑、填充劑、著色劑、抗靜電劑、界面活性劑等。上述添加劑可單獨使用，亦可將2種以上組合使用。使用2種以上之添加劑之情形時，可一次添加1種，亦可同時添加2種以上之添加劑。上述添加劑之調配量可設定為任意合適之量。
於1個實施形態中，上述黏著劑進而含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可使用任意合適之起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：2,4,6-三甲基苄基苯基次膦酸乙酯、(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦等醯基氧化膦系光起始劑；4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基膦酸酯等。其中，較佳為醯基氧化膦系光起始劑。光聚合起始劑之使用量相對於丙烯酸系聚合物100重量份較佳為1重量份～20重量份，更佳為2重量份～15重量份，進而較佳為3重量份～10重量份。
於1個實施形態中，上述黏著劑進而含有交聯劑。作為上述交聯劑，可使用任意合適之交聯劑。例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、尿素系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑、噁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。交聯劑可僅使用1種，亦可將2種以上組合使用。再者，交聯劑之使用量可根據使用用途而設定為任意合適之值。交聯劑之使用量相對於丙烯酸系聚合物100重量份較佳為0.1重量份～10重量份，更佳為0.5重量份～5重量份，進而較佳為1重量份～3重量份。
於1個實施形態中，較佳使用異氰酸酯系聯劑。異氰酸酯系交聯劑於可與多種官能基反應方面較佳。作為上述異氰酸酯系交聯劑之具體例，可列舉：伸丁基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族多異氰酸酯類；環伸戊基二異氰酸酯、環伸己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯類；三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加成物(日本聚胺酯工業股份有限公司製造，商品名「CORONATE L」)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加成物(日本聚胺酯工業股份有限公司製造，商品名「CORONATE HL」)、六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯體(日本聚胺酯工業股份有限公司製造，商品名「CORONATE HX」)等異氰酸酯加成物等。較佳使用具有3個以上異氰酸酯基之交聯劑。
上述黏著劑層之厚度較佳為1 μm～50 μm，更佳為1 μm～25 μm，進而較佳為1 μm～5 μm。若為此種範圍，則可更好地防止背面研磨時之晶片缺損等不利情況。
上述黏著劑層之於23℃下之儲存彈性模數E'較佳為15 MPa～200 MPa，更佳為20 MPa～150 Mpa，進而較佳為30 MPa～120 MPa。若為此種範圍，則能夠獲得對凹凸面之追隨性特別優異之背面研磨帶。
上述黏著劑層之於23℃下之拉伸彈性模數較佳為0.01 MPa～2 MPa，更佳為0.05 MPa～1 MPa，進而較佳為0.1 MPa～0.5 MPa。若為此種範圍，則可更好地防止背面研磨時之晶片缺損等不利情況。再者，黏著劑層為硬化型之情形時，硬化前之黏著劑層之拉伸彈性模數較佳為上述範圍。
上述黏著劑層之於23℃下之黏性值較佳為340 gf以下，更佳為100 gf～340 gf。若為此種範圍，則能夠獲得對凹凸面之追隨性特別優異之背面研磨帶。上述黏性值利用探針觸黏性法使用RHESCA Co., LTD.製造之黏性試驗機進行測定。
E. 背面研磨帶之製造方法 上述背面研磨帶可藉由任意合適之方法來製造。背面研磨帶例如可藉由於基材(第1基材)上塗覆(塗佈、乾燥)上述中間層形成用組合物而形成中間層，繼而，於中間層上塗覆(塗佈、乾燥)上述黏著劑而形成黏著劑層來獲得。作為塗覆方法，可採用棒塗佈機塗覆、氣刀塗覆、凹版塗覆、凹版逆轉塗覆、逆轉輥塗覆、唇口塗覆、狹縫塗覆、浸漬塗覆、膠版印刷、柔性印刷、網版印刷等各種方法。此外，可採用分別另行於剝離襯墊上形成黏著劑層及中間層後，將該等轉印並貼合之方法等。 實施例
以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。實施例中之試驗及評價方法如下所示。此外，於未特別註明之情況下，「份」及「%」為重量基準。
(1)黏著力 將背面研磨帶切斷成寬度20 mm之長條狀，製作樣品。 對於上述樣品，依據JIS Z 0237，於下述條件下進行180°剝離試驗來測定掩蔽材料之黏著力。 ＜180°剝離試驗＞ 被接著體：Si鏡面晶圓 重複試驗次數：3次 溫度：23℃ 剝離角度：180度 剝離速度：300 mm/min 初始長度(卡盤間隔)：150 mm (2)儲存彈性模數 利用奈米壓痕法於下述條件下測定中間層及黏著劑層之儲存彈性模數E'。 ＜儲存彈性模數E'測定＞ 裝置：Hysitron Inc.製造 Tribo Indenter 使用壓頭：Berkovich(三棱錐型) 測定方法：單一壓入測定 測定溫度：23℃ 壓入深度設定：約300 nm 壓入速度：約10 nm/sec 頻率：100 Hz 測定氣氛：空氣中 試樣尺寸：約1 cm×約1 cm (3)凸點掩埋性 準備凸點晶圓(60 μm高之焊料凸點，ϕ＝0.1 mm、0.25 mm間距)，於該晶圓上黏貼背面研磨帶，用光學顯微鏡(50～200倍)實施掩埋性之確認，將背面研磨帶將凸點-凸點間掩埋而未由氣泡進行之連接之情形記為合格(表中，〇)，將凸點間由氣泡連接、或者未掩埋之情形記為不合格。再者，背面研磨帶之黏貼條件如下所示。 ＜背面研磨帶黏貼條件＞ 裝置：日東精機股份有限公司 DR-3000III 壓力：0.3 MPa 溫度：室溫 速度：10 mm/min (4)黏性值 對於背面研磨帶之黏著劑層表面，利用探針觸黏性法測定黏性值。再者，黏性值係使用黏性試驗機(RHESCA Co., LTD.製造，「TAC-2」)於下述條件下進行測定。 ＜測定條件＞ 溫度：23℃ 探針材質：SUS 探針形狀：圓柱狀(5 mmϕ) 加壓(壓縮)速度：30 mm/min 測定(脫離)速度：30 mm/min、預負荷：100 gf 加壓(壓縮)時間：1秒 (5)裂紋(晶片缺損)評價 於下述條件下於12英吋Si鏡面晶圓(厚度：775 μm)之單面黏貼背面研磨帶，繼而，於下述條件下自背面研磨帶之與黏貼面相反一側之面進行隱形切割，於鏡面晶圓之內部形成改質層，以獲得10.5 mm×10.5 mm之小片593個。 繼而，於下述條件下，以鏡面晶圓之厚度為25 μm之方式進行背面研磨。 繼而，藉由並行傳送(inline transport)將背面研磨後之鏡面晶圓安裝於切割帶(日東電工股份有限公司製造，商品名「NLS-516P」)及環形框。 然後，隔著切割帶用光學顯微鏡(×200)觀察鏡面晶圓表面，確認有無裂紋產生，根據相對於全部小片數(593個)之裂紋產生數(產生裂紋之小片之數目)之比例，進行裂紋評價。 ＜隱形切割條件＞ 裝置：DISCO Corporation製造，DFL7361 SDE06 處理條件：BHC，Non BHC ＜背面研磨帶黏貼條件＞ 裝置：日東精機股份有限公司 DR-3000III 壓力：0.3 MPa 溫度：室溫 速度：10 mm/min ＜背面研磨條件＞ 裝置：DISCO Corporation製造，DGP8761 DFM2800 Inline Grinder 用Z1(#360)、Z2(#2000)薄膜化後，實施GDP(除氣DP處理)
[製造例1]中間層形成用組合物M1之製備 使混合丙烯酸丁酯50重量份、丙烯酸乙酯50重量份、丙烯酸5重量份、偶氮二異丁腈0.1重量份及乙酸乙酯100重量份而獲得之混合物於氮氣氣氛下、於60℃下聚合6小時，獲得重量平均分子量65萬之丙烯酸系樹脂M1。 將藉由上述操作獲得之聚合液記為中間層形成用組合物M1。
[製造例2]中間層形成用組合物M2之製備 使混合丙烯酸2-乙基己酯30重量份、丙烯酸甲酯70重量份、丙烯酸10重量份、偶氮二異丁腈0.1重量份及乙酸乙酯100重量份而獲得之混合物於氮氣氣氛下、於60℃下聚合6小時，獲得重量平均分子量50萬之丙烯酸系樹脂M2。 將藉由上述操作獲得之聚合液記為中間層形成用組合物M2。
[製造例3]黏著劑A1之製備 使混合丙烯酸2-乙基己酯100重量份、丙烯醯嗎啉26重量份、丙烯酸羥乙酯18重量份、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯12重量份、偶氮二異丁腈0.2重量份及乙酸乙酯500重量份而獲得之混合物於氮氣氣氛下、於60℃下聚合24小時，獲得重量平均分子量90萬之丙烯酸系聚合物A。 於藉由上述操作獲得之聚合液(丙烯酸系聚合物A含量：100重量份)中加入光聚合起始劑(IGM Resines公司製造，商品名「OmniradTPO」)7重量份、異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺酯工業股份有限公司製造，商品名「CORONATE C」)2重量份，獲得黏著劑A1。
[製造例4]黏著劑A2之製備 與製造例3同樣進行，製備含有丙烯酸系聚合物A100重量份之聚合液。 於該聚合液中加入光聚合起始劑(IGM Resines公司製造，商品名「Omnirad651」)7重量份、異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺酯工業股份有限公司製造，商品名「CORONATE C」)5重量份，獲得黏著劑A2。
[製造例5]黏著劑A3之製備 與製造例3同樣進行，製備含有丙烯酸系聚合物A 100重量份之聚合液。 於該聚合液中加入光聚合起始劑(IGM Resines公司製造，商品名「Omnirad127」)7重量份、異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺酯工業股份有限公司製造，商品名「CORONATE C」)2重量份，獲得黏著劑A3。
[實施例1] 於作為第1基材之聚對苯二甲酸乙二酯基材(東麗股份有限公司製造，商品名「S105 #50」，厚度：50 μm)上塗覆中間層形成用組合物M1，形成厚度95 μm之中間層。然後，於中間層上塗覆黏著劑A1，形成厚度5 μm之黏著劑層。 如上所述進行，獲得背面研磨帶A。將所獲得之背面研磨帶A供於上述評價。結果示於表1。
[實施例2] 聚對苯二甲酸乙二酯基材之厚度設為75 μm，除此之外與實施例1同樣進行，獲得背面研磨帶B。將所獲得之背面研磨帶B供於上述評價。結果示於表1。
[實施例3] 聚對苯二甲酸乙二酯基材之厚度設為100 μm，除此之外與實施例1同樣進行，獲得背面研磨帶C。將所獲得之背面研磨帶C供於上述評價。結果示於表1。
[實施例4] 代替黏著劑A1而使用黏著劑A2，除此之外與實施例1同樣進行，獲得背面研磨帶D。將所獲得之背面研磨帶D供於上述評價。結果示於表1。
[比較例1] 代替黏著劑A1而使用黏著劑A3，以及中間層之厚度設為25 μm，除此之外與實施例1同樣進行，獲得背面研磨帶E。將所獲得之背面研磨帶E供於上述評價。結果示於表1。
[比較例2] 代替黏著劑A1而使用黏著劑A3，除此之外與實施例1同樣進行，獲得背面研磨帶F。將所獲得之背面研磨帶F供於上述評價。結果示於表1。
[表1]
Figure 108126957-A0304-0001
10:黏著劑層 20:中間層 31:第1基材 32:第2基材 100:背面研磨帶
圖1係本發明之1個實施形態之背面研磨帶之示意剖視圖。 圖2係本發明之另一個實施形態之背面研磨帶之示意剖視圖。
10:黏著劑層
20:中間層
31:第1基材
100:背面研磨帶

Claims (8)

  1. 一種背面研磨帶，其依次具備黏著劑層、中間層及第1基材，構成該中間層之材料為具有羧基且未交聯之丙烯酸系樹脂，該中間層之於23℃下之儲存彈性模數E'為0.02GPa以下，將該黏著劑層黏貼於Si鏡面晶圓上時之初始黏著力為1N/20mm~30N/20mm。
  2. 如請求項1之背面研磨帶，其中上述第1基材包含聚對苯二甲酸乙二酯。
  3. 如請求項1或2之背面研磨帶，其中上述第1基材之厚度為35μm~200μm。
  4. 如請求項1或2之背面研磨帶，其中上述黏著劑層之厚度為1μm~50μm。
  5. 如請求項1或2之背面研磨帶，其中上述中間層之厚度為20μm~300μm。
  6. 如請求項1或2之背面研磨帶，其中上述丙烯酸系樹脂具有來源於含羧基單體之構成單元，該來源於含羧基單體之構成單元之含有比例相對於該丙烯酸系樹脂 100重量份為2重量份~30重量份。
  7. 如請求項1之背面研磨帶，其使用於對經隱形切割之半導體晶圓進行背面研削時。
  8. 如請求項7之背面研磨帶，其中上述半導體晶圓具有凸點面。
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