TWI837315B

TWI837315B - 切割帶

Info

Publication number: TWI837315B
Application number: TW109106736A
Authority: TW
Inventors: 加藤友二
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2019-03-22
Filing date: 2020-03-02
Publication date: 2024-04-01

Abstract

本發明提供一種即便於用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造之情形時，亦可適當地保持晶圓，防止黏著劑之晶圓污染所導致之良率降低之切割帶。本發明之切割帶具備基材、及配置於該基材之單側之黏著劑層，用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造方法。該黏著劑層之異丙醇溶出物為5 mg以下。

Description

切割帶

本發明係關於一種切割帶。

對於作為電子零件之集合體之工件(例如，半導體晶圓)，以大直徑製造，於表面形成圖案後，通常對背面進行研削以使晶圓之厚度成為100 μm～600 μm左右，繼而切斷分離(切割)為元件小片，進而移至安裝步驟。該切割步驟中，將工件切斷而進行小片化。半導體之製造過程中，為了將半導體晶圓或切割步驟中所使用之切割框(例如，SUS環)固定，使用黏著片(例如，專利文獻1)。

半導體晶圓有時藉由背面研磨步驟被加工成薄型，由此其強度降低，於晶圓產生裂紋及/或翹曲。進而，強度降低之晶圓其處理亦困難。因此，有時預先將作為支撐材之玻璃或硬質塑膠等貼附於晶圓而進行背面研磨步驟，確保晶圓之強度。該支撐材例如使用接著劑組合物或接著帶等而貼合於晶圓。該支撐材在供於背面研磨步驟以及背面配線及凸塊之形成步驟之期間可支持晶圓。其後，將晶圓貼合於黏著片(例如，切割帶)，剝離該支撐材後，供於切割步驟。因此，作為用於將支撐材接著之接著劑，提出有於背面研磨步驟後可容易地剝離之接著劑(例如，專利文獻1)。通常，於使用接著劑貼附支撐材之情形時，藉由使用溶劑使接著劑溶解來剝離支撐材。但是，利用該溶劑之洗淨(使接著劑溶解)步驟中存在黏著帶(切割帶)之黏著力降低而無法充分保持晶圓之問題。又，亦存在因以溶劑溶解之黏著劑而產生晶圓之污染，良率降低之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2003-007646號公報 [專利文獻2]日本專利特開2014-37458號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明係為了解決上述先前之問題而完成者，其提供一種即便於用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造之情形時，亦可適當地保持晶圓，防止黏著劑之晶圓污染所導致之良率降低之切割帶。 [解決問題之技術手段]

本發明之切割帶具備基材、及配置於該基材之單側之黏著劑層，用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造方法。該黏著劑層之異丙醇溶出物為5 mg以下。 1個實施形態中，形成上述黏著劑層之組合物包含重量平均分子量5000以上之添加劑。 1個實施形態中，上述添加劑之含量相對於黏著劑之基礎聚合物100重量份為5重量份～100重量份。 1個實施形態中，本發明之切割帶係貼合於具有凹凸面之被黏著體而使用。 1個實施形態中，上述具有凹凸面之被黏著體為TSV(Through Silicon Via，矽穿孔)晶圓。 [發明之效果]

本發明之切割帶具備基材、及配置於該基材之單側之黏著劑層，該黏著劑層之異丙醇溶出物為5 mg以下。藉由使用此種切割帶，可提供即便於用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造之情形時，亦可適當地保持晶圓，防止黏著劑之晶圓污染所導致之良率降低之切割帶。

A.切割帶之概要圖1係本發明之1個實施形態之切割帶之概略剖視圖。圖示例之切割帶100具備：基材10、及配置於基材10之一面之黏著劑層20。黏著劑層代表性地由活性能量線硬化型黏著劑組合物形成。實用中，為了在直至使用之前適當地保護黏著劑層20，於黏著劑層20以可剝離之方式暫時黏著隔離膜。又，切割帶100亦可進而包含任意適當之其他層。較佳為黏著劑層直接配置於基材。

本發明之另一實施形態中，黏著劑層為2層構成，切割帶依序具備基材、第1黏著劑層及第2黏著劑層(未圖示)。

本發明之切割帶用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造方法。溶劑洗淨步驟中，進行基於用於將支撐材之貼附中所使用之接著劑去除之疏水性有機溶劑(例如，d-檸檬烯)之洗淨、及基於用於將該有機溶劑去除之親水性溶劑(例如，異丙醇)之洗淨。黏著劑層20之異丙醇溶出物為5 mg以下，較佳為4 mg以下，進而較佳為3 mg以下。藉由黏著劑層之異丙醇溶出物為5 mg以下，即便於用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造之情形時，亦可適當地保持晶圓，防止黏著劑之晶圓污染所導致之良率降低。黏著劑層之異丙醇溶出物越少越佳，例如可為0 mg。本說明書中，黏著劑層之異丙醇溶出物係指藉由以下之方法測定之值。將內徑75 mm之SUS環(內徑：44.2 cm² )貼合於切割帶之黏著劑層，向SUS環之內側添加異丙醇4 ml，靜置30分鐘。其後，將異丙醇回收至預先測定了重量之玻璃瓶中。繼而，將該玻璃瓶於130℃下進行3小時加熱後，於180℃下乾燥1小時，測定玻璃瓶之重量。將自加熱前(異丙醇回收前)之玻璃瓶之重量減去加熱後之玻璃瓶之重量所得之值作為溶出物之重量(mg)。

將本發明之切割帶黏貼於不鏽鋼板時之23℃下之初始黏著力較佳為0.2 N/20 mm～10 N/20 mm，更佳為0.5 N/20 mm～6 N/20 mm。本說明書中，黏著力係指依據JIS Z 0237：2000測定之值。具體而言，係指如下之值：藉由使2 kg之輥往返1次而將切割帶黏貼於不鏽鋼板(算術平均表面粗糙度Ra：50±25 nm)，於23℃下放置30分鐘後，於剝離角度180°、剝離速度(拉伸速度)300 mm/分鐘之條件下，將切割帶剝離而測定之值。本說明書中，「初始黏著力」係指活性能量線照射前之黏著力。

1個實施形態中，將切割帶黏貼於矽製鏡面晶圓，並照射460 mJ/cm² 之紫外線後之23℃下之黏著力較佳為0.01 N/20 mm～0.3 N/20 mm，更佳為0.02 N/20 mm～0.2 N/20 mm。若為此種範圍，則可獲得黏著力因切割後之紫外線照射而降低，從而經小片化之工件(例如，半導體晶片)之拾取變得容易之切割帶。上述紫外線照射例如使用紫外線照射裝置(日東精機公司製造，商品名「UM-810」)，對黏著劑層照射高壓水銀燈之紫外線(特性波長：365 nm、累計光量：460 mJ/cm² 、照射能量：70 W/cm² )6.6秒鐘來進行。

切割帶之厚度較佳為35 μm～500 μm，更佳為60 μm～300 μm，進而較佳為80 μm～200 μm。

切割帶之全光線透過率較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為95%以上。藉由使用此種切割帶，亦可較佳地用於包括隱形切割步驟之半導體晶圓之製造步驟。切割帶之全光線透過率例如為98%以下，較佳為99%以下。

切割帶之波長1064 nm之光之透過率較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為95%以上。若為此種範圍，則亦可較佳地用於包括隱形切割步驟之半導體晶圓之製造步驟。切割帶之波長1064 nm之光之透過率例如為98%以下，較佳為99%以下。

切割帶之霧度值較佳為20%以下，更佳為10%以下，進而較佳為5%以下。若為此種範圍，則亦可較佳地用於包括隱形切割步驟之半導體晶圓之製造步驟。切割帶之霧度值例如為1%以上。

B.基材上述基材10可由任意適當之樹脂構成。作為該樹脂，例如可列舉聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、聚丁烯系樹脂、聚甲基戊烯系樹脂等聚烯烴系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚酮系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、氟系樹脂、矽系樹脂、纖維素系樹脂、離子聚合物樹脂等。較佳為聚烯烴系樹脂。

1個實施形態中，上述基材包含聚乙烯系樹脂。作為聚乙烯系樹脂，例如可列舉低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯等。

聚乙烯系樹脂中，源自乙烯之結構單元之含有比率較佳為80莫耳%以上，更佳為90莫耳%以上，進而較佳為95莫耳%以上。作為源自乙烯之結構單元以外之結構單元，可列舉源自可與乙烯共聚之單體之結構單元，例如可列舉丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-戊烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烯等。

聚乙烯系樹脂之含量為形成基材之樹脂之較佳為80重量%以上，更佳為85重量%～100重量%，進而較佳為95重量%～100重量%。

上述基材可進而包含任意適當之添加劑。作為添加劑，例如可列舉潤滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、加工助劑、填充劑、抗靜電劑、穩定劑、抗菌劑、阻燃劑、著色劑等。

1個實施形態中，較佳為上述基材之一面實施了壓紋處理。較佳為僅對基材之一面實施壓紋處理，並將壓紋處理面作為黏著劑層側之面。藉由對黏著劑層側之面實施壓紋處理，可提高黏著劑層與基材之密接性。基材之未壓紋處理面之算術平均表面粗糙度Ra(JIS B 0601)較佳為未達1.0 μm，更佳為0.8 μm以下，進而較佳為0.5 μm以下，尤佳為0.01 μm～0.5 μm。又，基材之壓紋處理面之算術平均表面粗糙度Ra(JIS B 0601)較佳為1.0 μm～3 μm，更佳為1.4 μm～2 μm。若基材之壓紋處理面之算術平均表面粗糙度Ra超過3 μm，則有變得容易在黏著劑層與基材之間產生空隙之虞。又，若該Ra小於1 μm，則有於基材保管時產生黏連之虞。

上述基材之厚度較佳為30 μm～300 μm，更佳為53 μm～200 μm，進而較佳為70 μm～160 μm。

基材之全光線透過率較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為95%以上。基材之全光線透過率較佳為98%以下，更佳為99%以下。

上述基材之22℃下之拉伸彈性模數較佳為50 MPa～120 MPa，更佳為70 MPa～90 MPa。若為此種範圍，則可獲得擴展性優異之切割帶。基材之拉伸彈性模數之測定係使用拉伸試驗機(SHIMADZU公司製造，「AG-IS」)，於夾頭間距離：50 mm、拉伸速度：300 mm/分鐘、基材寬度：10 mm之條件下進行。

C.黏著劑層黏著劑層20係使用形成黏著劑層之組合物(黏著劑組合物)而形成。如上所述，黏著劑層之異丙醇溶出物為5 mg以下。藉由黏著劑層之異丙醇溶出物為5 mg以下，可提供即便於用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造步驟之情形時，亦可適當地保持晶圓，防止黏著劑之晶圓污染所導致之良率降低之切割帶。

C-1.黏著劑組合物作為黏著劑組合物(黏著劑)，可使用任意適當之黏著劑。例如可列舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚乙烯基醚系黏著劑等。

1個實施形態中，黏著劑組合物較佳為活性能量線硬化型黏著劑組合物。藉由使用活性能量線硬化型黏著劑，可獲得黏著力因切割後之活性能量線(代表性的是紫外線)照射而降低，從而可使經小片化之工件(例如，半導體晶片)之拾取容易之切割帶。

C-1-1.基礎聚合物黏著劑組合物可包含顯示黏著性之基礎聚合物。作為構成基礎聚合物之單體，例如可列舉親水性單體。作為親水性單體，可使用具有極性基之任意適當之單體。具體而言，可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、丙烯醯基嗎啉等(N-取代)醯胺系單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等馬來醯亞胺系單體；N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺等衣康醯亞胺系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧八亞甲基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌𠯤、乙烯基吡𠯤、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基㗁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸醯胺類、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內醯胺等乙烯基系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基丙烯酸系單體；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、矽(甲基)丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、矽原子等之丙烯酸酯系單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯等多官能單體。作為親水性單體，可適當地使用含羥基單體及/或(N-取代)醯胺系單體。親水性單體可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。

又，亦可將上述親水性單體與疏水性單體組合使用。作為疏水性單體，只要為具有疏水性之單體即可，可使用任意適當之單體。具體而言，可列舉2-乙基己酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、硬脂基乙烯基醚等具有碳數9～30之烷基之乙烯基烷基或芳基醚；(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸油酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、及(甲基)丙烯酸硬脂酯等(甲基)丙烯酸之碳數6～30之烷基酯；由脂肪酸及脂肪族醇衍生之(甲基)丙烯酸之不飽和乙烯基酯；由膽固醇衍生之單體；1-丁烯、2-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、異丁烯、異戊二烯等烯烴單體。疏水性單體可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。再者，本發明中使用之疏水性單體係指相對於水100 g之溶解度為0.02 g以下之單體。

上述基礎聚合物亦可進而包含除上述親水性單體及疏水性單體以外之單體成分。作為其他單體成分，可列舉丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯等丙烯酸烷基酯等。其他單體成分可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。

上述基礎聚合物亦可進而包含源自分子內具有硬化性之官能基之異氰酸酯系化合物之結構單元。包含源自異氰酸酯系化合物之結構單元之基礎聚合物例如可使源自上述親水性單體之結構單元所具有之取代基(例如，OH基)與異氰酸酯系化合物之NCO基反應而獲得。作為上述異氰酸酯系化合物，例如可列舉甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸2-丙烯醯氧基乙酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。

構成上述黏著劑之基礎聚合物之重量平均分子量較佳為30萬～200萬，更佳為50萬～150萬。重量平均分子量可藉由GPC(溶劑：THF(Tetrahydrofuran，四氫呋喃))而測定。

C-1-2.重量平均分子量5000以上之添加劑黏著劑組合物較佳為包含重量平均分子量為5000以上之添加劑。藉由包含此種添加劑，可減少黏著劑層之異丙醇溶出物之量。又，即便於被黏著體具有凹凸面之情形時(例如，TSV晶圓)，黏著劑層亦與凹部密接，可充分保持被黏著體。添加劑之重量平均分子量較佳為7000以上，更佳為8000以上，進而較佳為10000以上。又，添加劑之重量平均分子量較佳為70000以下，進而較佳為50000以下。添加劑之重量平均分子量例如可藉由GPC(溶劑：THF)而測定。

作為重量平均分子量為5000以上之添加劑，例如可使用任意適當之聚合物或低聚物。具體而言，可列舉活性能量線反應性低聚物、熱硬化性低聚物等。較佳為活性能量線反應性低聚物。此種添加劑可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。

作為活性能量線反應性低聚物，例如可列舉丙烯酸胺基甲酸酯系低聚物、環氧(甲基)丙烯酸酯系低聚物、丙烯酸(甲基)丙烯酸酯系低聚物等。較佳為使用丙烯酸胺基甲酸酯系低聚物、丙烯酸(甲基)丙烯酸酯系低聚物等。

作為上述活性能量線反應性低聚物，可使用市售品。例如可列舉日本合成化學工業公司製造之紫光(註冊商標)UV-3000B(重量平均分子量：18000)、東亞合成公司製造之商品名：ARONIX M321(重量平均分子量：10000)等。

作為熱硬化性低聚物，例如可使用具有至少1個縮水甘油基、羧基、羥基、胺基等熱硬化性官能基之任意適當之低聚物。

如上所述，本發明之1個實施形態中，黏著劑層具有2層結構。於製成具備此種2層結構之黏著劑層之切割帶之情形時，至少第2黏著劑層(與被黏著體接觸之黏著劑層)包含重量平均分子量為5000以上之添加劑即可。

C-1-3.聚合起始劑活性能量線硬化型黏著劑組合物代表性地包含聚合起始劑。作為聚合起始劑，可使用任意適當之起始劑，較佳為使用光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可使用任意適當之起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；9-氧硫𠮿、2-氯-9-氧硫𠮿、2-甲基-9-氧硫𠮿、2,4-二甲基-9-氧硫𠮿、異丙基-9-氧硫𠮿、2,4-二氯-9-氧硫𠮿、2,4-二乙基-9-氧硫𠮿、2,4-二異丙基-9-氧硫𠮿等9-氧硫𠮿系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合起始劑可僅使用1種，亦可組合使用2種以上。光聚合起始劑之使用量可設定為任意適當之量。光聚合起始劑之使用量相對於基礎聚合物100重量份較佳為1重量份～10重量份，更佳為3重量份～7重量份。

作為上述光聚合起始劑，可使用市售品。例如可列舉BASF公司製造之商品名「Irgacure 651」、「Irgacure 184」、「Irgacure 369」、「Irgacure 819」、「Irgacure 2959」等。

C-1-4.交聯劑活性能量線硬化型黏著劑組合物較佳為進而包含交聯劑。作為交聯劑，例如可列舉異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、胺系交聯劑等。

1個實施形態中，較佳為使用異氰酸酯系交聯劑。異氰酸酯系交聯劑於可與多種官能基反應之方面較佳。作為上述異氰酸酯系交聯劑之具體例，可列舉亞丁基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族多異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯類；三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(東曹公司製造，商品名「CORONATE L」)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名「CORONATE HL」)、六亞甲基二異氰酸酯之異氰尿酸酯體(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名「CORONATE HX」)等異氰酸酯加成物等。較佳為使用具有3個以上之異氰酸酯基之交聯劑。

活性能量線硬化型黏著劑組合物亦可進而包含任意適當之添加劑。作為添加劑，例如可列舉活性能量線聚合促進劑、自由基捕捉劑、黏著賦予劑、塑化劑(例如，偏苯三酸酯系塑化劑、均苯四甲酸酯系塑化劑)、顏料、染料、填充劑、防老化劑、導電材料、抗靜電劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、表面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑等。

交聯劑之含量可調整為任意適當之量。例如，相對於基礎聚合物100重量份為0.005重量份～20重量份，較佳為0.02重量份～10重量份。又，於黏著劑層為單層構成之情形時，上述交聯劑之含有比率相對於黏著劑之基礎聚合物100重量份較佳為0.1重量份～10重量份，更佳為0.5重量份～8重量份。若為此種範圍，則可形成適當地調整了彈性模數之黏著劑層。

C-2.單層構成之黏著劑層 1個實施形態中，黏著劑層由單層構成。於黏著劑層由單層構成之情形時，上述黏著劑層之22℃下之拉伸彈性模數較佳為0.05 MPa～1 MPa，更佳為0.1 MPa～0.8 MPa，進而較佳為0.15 MPa～0.6 MPa。若為此種範圍，則可形成具有充分強度之黏著劑層，並且黏著劑層與基材良好地密接，可抑制基材與黏著劑層之界面附近之空隙之產生。特別是於使用對黏著劑層側之面實施了壓紋處理之基材之情形時，通常容易產生空隙。藉由將黏著劑層之拉伸彈性模數設為上述範圍，可抑制空隙之產生。若拉伸彈性模數超過1 MPa，則有將黏著劑層積層於基材之壓紋面時，黏著劑層不追隨於基材之凹凸之虞。又，於拉伸彈性模數小於0.05 MPa之情形時，有黏著劑層不保持定形，且變得不具有充分之特性之虞。再者，如上所述，於黏著劑層由活性能量線硬化型黏著劑構成之情形時，較佳為活性能量線照射前之22℃下之拉伸彈性模數為該範圍。黏著劑層之拉伸彈性模數之測定方法於後文敍述。

於黏著劑層為單層構成之情形時，黏著劑層之紫外線(460 mJ/cm² )照射後之22℃下之拉伸彈性模數較佳為50 MPa～3000 MPa，更佳為100 MPa～1500 MPa，進而較佳為200 MPa～1000 MPa。若為此種範圍，則可獲得拾取性優異之切割帶。

於黏著劑層為單層構成之情形時，黏著劑層之厚度較佳為5 μm～470 μm，更佳為7 μm～247 μm，進而較佳為10 μm～130 μm。若為此種範圍，則於壓紋處理面形成黏著劑層之情形時，該黏著劑層良好地填埋壓紋，可防止產生無用之空隙。

黏著劑層之全光線透過率較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為95%以上。黏著劑層之全光線透過率例如為98%以下，較佳為99%以下。

黏著劑層之霧度值較佳為20%以下，更佳為10%以下，進而較佳為5%以下。黏著劑層之霧度值例如為1%以上。

C-3. 2層構成之黏著劑層另一實施形態中，上述黏著劑層由2層構成。以下，為方便起見，將基材側之黏著劑層設為第1黏著劑層，將與基材處於相反側之黏著劑層設為第2黏著劑層。第1黏著劑層與第2黏著劑層可藉由拉伸彈性模數之差異而區別。第1黏著劑層較佳為比第2黏著劑層彈性低。藉由將低彈性之第1黏著劑層設為基材側，黏著劑層與基材良好地密接，可抑制基材與黏著劑層之界面附近之空隙之產生。又，藉由具備高彈性之第2黏著劑層，可用作可有助於高精度切割之切割帶。

該實施形態中，第1黏著劑層之22℃下之拉伸彈性模數較佳為0.05 MPa～1 MPa，更佳為0.06 MPa～0.8 MPa，進而較佳為0.07 MPa～0.5 MPa。若為此種範圍，則黏著劑層與基材良好地密接，可顯著地抑制基材與黏著劑層之界面附近之空隙之產生。特別是使用對黏著劑層側之面實施了壓紋處理之基材之情形時，通常容易產生空隙。藉由將黏著劑層之拉伸彈性模數設為上述範圍，可抑制空隙之產生。再者，於第1黏著劑層由活性能量線硬化型黏著劑構成之情形時，較佳為活性能量線照射前之22℃下之拉伸彈性模數為該範圍。

1個實施形態中，第1黏著劑層之紫外線(460 mJ/cm² )照射後之22℃下之拉伸彈性模數較佳為50 MPa～300 MPa，更佳為100 MPa～1500 MPa，進而較佳為200 MPa～1000 MPa。若為此種範圍，則可較佳地用作拾取性優異之切割帶。

第2黏著劑層之22℃下之拉伸彈性模數較佳為0.1 MPa～2 MPa，更佳為0.15 MPa～1.5 MPa，進而較佳為0.2 MPa～1 MPa。若為此種範圍，則可獲得作為黏著劑層整體具有適度之剛性，可有助於高精度之切割之切割帶。再者，於第2黏著劑層由活性能量線硬化型黏著劑構成之情形時，較佳為活性能量線照射前之22℃下之拉伸彈性模數為該範圍。

第1黏著劑層之厚度較佳為5 μm～468 μm，更佳為7 μm～244 μm。若第1黏著劑層之厚度為5 μm以上，則於壓紋處理面形成第1黏著劑層之情形時，該第1黏著劑層良好地填埋壓紋，可防止產生無用之空隙。又，若第1黏著劑層為468 μm以下，則作為切割帶使用時經小片化之工件(例如，半導體晶片)之拾取可變得容易。

第2黏著劑層之厚度較佳為2 μm～465 μm，更佳為3 μm～240 μm。

於黏著劑層為2層構成之情形時，黏著劑層之總厚較佳為7 μm～470 μm，更佳為10 μm～247 μm，進而較佳為15 μm～130 μm。

於黏著劑層為2層構成之情形時，黏著劑層之全光線透過率較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為95%以上。黏著劑層之全光線透過率例如為98%以下，較佳為99%以下。

於黏著劑層為2層構成之情形時，黏著劑層之霧度值較佳為20%以下，更佳為10%以下，進而較佳為5%以下。黏著劑層之霧度值例如為1%以上。

作為構成第1黏著劑層及第2黏著劑層之黏著劑，可使用上述C-1項中說明之黏著劑。較佳為使用活性能量線硬化型黏著劑。

構成第1黏著劑層之活性能量線硬化型黏著劑之交聯劑含量相對於黏著劑之基礎聚合物100重量份較佳為0.005重量份～5重量份，更佳為0.02重量份～3重量份。若為此種範圍，則可形成適當地調整彈性模數，良好地填埋基材之壓紋面，並且可保持定形之黏著劑層。

構成第2黏著劑層之活性能量線硬化型黏著劑之交聯劑含量相對於黏著劑之基礎聚合物100重量份較佳為1重量份～20重量份，更佳為2重量份～10重量份。若為此種範圍，則可形成適當地調整了彈性模數及黏著力(可兼顧切割時之晶圓之保持及切割後之晶片拾取之黏著力)之黏著劑層。

D.切割帶之製造方法上述切割帶可藉由任意適當之方法而製造。切割帶例如可於基材上塗佈上述黏著劑而獲得。作為塗佈方法，可採用棒塗機塗佈、氣刀塗佈、凹版塗佈、凹版反向塗佈、逆輥塗佈、模唇塗佈、模嘴塗佈、浸漬塗佈、膠版印刷、軟版印刷、網版印刷等各種方法。又，亦可採用另行於隔離膜形成黏著劑層後，將其貼合於基材之方法等。 [實施例]

以下，藉由實施例具體地對本發明進行說明，但本發明不受這些實施例限定。實施例中之試驗及評價方法如下。又，只要無特別說明，則「份」及「%」為重量基準。

＜製造例1＞聚合物溶液之製備將丙烯酸2-甲氧基乙酯100重量份、丙烯醯基嗎啉27重量份、丙烯酸2-羥基乙酯22重量份混合，製備單體液1。繼而，向具備氮氣導入管、溫度計、攪拌機之反應容器中導入氮氣，於氮氣氛圍下添加乙酸乙酯500重量份、單體液1、及偶氮二異丁腈(AIBN)0.2重量份，於60℃下進行24小時攪拌。其後，冷卻至室溫，獲得含有丙烯酸系共聚物(重量平均分子量：60萬)之丙烯酸系共聚物溶液。於所得之丙烯酸系共聚物溶液中添加異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯24重量份使其反應，對共聚物中之丙烯酸2-羥基乙酯之側鏈末端OH加成NCO基，獲得末端具有碳-碳雙鍵之重量平均分子量80萬之丙烯酸系共聚物溶液1(聚合物)。

[實施例1～6] (第1黏著劑層形成組合物之製備) 於製造例1中獲得之丙烯酸系聚合物溶液100重量份中調配交聯劑(東曹公司製造，商品名：CORONATE L)0.025重量份、光聚合起始劑(BASF公司製造，商品名：Irgacure 184)7重量份、及稀釋溶劑(乙酸乙酯)並進行攪拌，獲得黏著劑組合物。 (第2黏著劑層形成組合物之製備) 於製造例1中獲得之丙烯酸系聚合物溶液100重量份中調配光聚合起始劑(Ciba Japan公司製造，商品名：Irgacure 184)7重量份、表1中記載之添加量之交聯劑(東曹公司製造，商品名：CORONATE L)及添加劑、以及稀釋溶劑(乙酸乙酯)並進行攪拌，獲得黏著劑組合物。 (基材之製作) 將高壓聚乙烯(PE)(住友化學股份有限公司製造，商品名：SUMIKATHENE F213-P)投入到擠出機中，進行T模熔融共擠出(擠出機：GM ENGINEERING公司製造，商品名：GM30-28/T模：進料塊方式；擠出溫度240℃)，繼而，對膜之單面進行表面粗糙度Ra：1.42 μm之壓紋處理，獲得厚度為100 μm之膜。再者，層之厚度藉由T模出口之形狀而控制。對所得膜之壓紋面進行電暈處理。再者，壓紋面之表面粗糙度Ra藉由KEYENCE股份有限公司製造之商品名：VK-X150而測定。 (隔離膜之製作) 使用對聚對苯二甲酸乙二酯系(PET)膜(三菱樹脂公司製造，商品名：MRF38，厚度：38 μm)之一面進行了聚矽氧處理而成者作為隔離膜。 (切割帶之製作) 於上述隔離膜之聚矽氧處理面塗佈第1黏著劑層形成組合物，其後，於120℃下進行2分鐘加熱，從而形成厚度10 μm之第1黏著劑層。另行於上述隔離膜之聚矽氧處理面塗佈第2黏著劑層形成組合物，其後，於120℃下進行2分鐘加熱，形成表1中記載之厚度之黏著劑層。使用手壓輥，將第1黏著劑層轉印於基材，進而將第2黏著劑層轉印於第1黏著劑層後，於50℃下進行48小時老化處理，獲得切割帶。黏著劑層積層於基材之壓紋處理面上。

(比較例1～7) 使用表1中記載之添加劑、及按照表1中記載之含量使用交聯劑及添加劑，除此以外，與實施例同樣地，獲得切割帶。

使用實施例及比較例中獲得之切割帶進行以下之評價。將結果示於表1。 (1)異丙醇溶出物之測定將內徑75 mm之SUS環(內徑：44.2 cm² )貼合於切割帶之黏著劑層，向SUS環之內側添加異丙醇4 ml，靜置30分鐘。其後，將異丙醇回收至預先測定了重量之玻璃瓶。繼而，將該玻璃瓶於130℃下進行3小時加熱後，於180℃下乾燥1小時，測定玻璃瓶之重量。將自加熱前(異丙醇回收前)之玻璃瓶之重量減去加熱後之玻璃瓶之重量所得之值作為溶出物之重量。

(2)階差追隨性(凸塊填埋性) 使用背面研磨帶貼合機(日東精機公司製造，製品名：R-3000III)，於切割帶之搬送速度10 mm/sec、黏貼時之加壓為0.20 MPa之條件下，將切割帶黏貼於半導體晶圓(形成有高度5 μm/間隔30 μm之凸塊之4英吋之矽鏡面晶圓)。黏貼後，將附切割帶之半導體晶圓置於22℃之環境下，利用光學顯微鏡(250倍)，藉由切割帶是否與凸塊-凸塊間之空間黏貼來評價階差追隨性。表1中，將切割帶與該空間黏貼之情況記為○，將未黏貼之情況記為×。

[表1]

	黏著劑層之厚度(μm)	份數(重量份)	溶出量 (mg)	埋入性
第1 黏著劑層	第2 黏著劑層	交聯劑	添加劑 1	添加劑 2	添加劑 3	添加劑 4	添加劑 5	添加劑 6	添加劑 7	添加劑 8
實施例1			6	10	-	-	-	-	-	-	-	1	〇
實施例2			6	30	-	-	-	-	-	-	-	1	〇
實施例3			3	10	-	-	-	-	-	-	-	1	〇
實施例4			3	30	-	-	-	-	-	-	-	1	〇
實施例5			3	-	30	-	-	-	-	-	-	4	〇
實施例6			3	-	10	-	-	-	-	-	-	1	〇
比較例1	10	5	6	5	-	-	-	-	-	-	-	1	×
比較例2			3	5	-	-	-	-	-	-	-	1	×
比較例3			3	-	-	30	-	-	-	-	-	8	〇
比較例4			3	-	-	-	30	-	-	-	-	8	〇
比較例5			3	-	-	-	-	30	-	-	-	6	〇
比較例6			3	-	-	-	-	-	30	-	-	10	〇
比較例7			3	-	-	-	-	-	-	30	-	8	〇
比較例8			3	-	-	-	-	-	-	-	30	20	〇
添加劑1：紫光UV-3000B(MW：18000，日本合成化學公司製造) 添加劑2：ARONIX M321(MW：10000，東亞合成公司製造) 添加劑3：KAYARAD UX-0937(MW：4000，日本化藥公司製造) 添加劑4：NK OLIGO U-15HA(MW：2300，新中村化學工業公司製造) 添加劑5：紫光UV-1700(MW：2000，日本合成化學公司製造) 添加劑6：ARONIX M-270(MW：800，東亞合成公司製造) 添加劑7：KAYARAD DPHA-40H(MW：2000，日本化藥公司製造) 添加劑8：NK OLIGO U-6LPA(MW：760，新中村化學工業公司製造)

根據表1可明確，實施例1～6之切割帶之異丙醇溶出物之量少，可防止晶圓之污染。又，埋入性亦優異，亦可較佳地用於具有凹凸面之被黏著體。

10:基材 20:黏著劑層 100:切割帶

圖1係本發明之1個實施形態之切割帶之概略剖視圖。

10:基材

20:黏著劑層

100:切割帶

Claims

一種切割帶，其具備基材、及配置於該基材之單側之黏著劑層，用於包括溶劑洗淨步驟之半導體晶圓之製造方法，其中黏著劑層由基材側之第1黏著劑層、及與基材處於相反側之第2黏著劑層之2層所構成，該第1黏著劑層之22℃下之拉伸彈性模數為0.05MPa~1MPa，且該黏著劑層之異丙醇溶出物為5mg以下。