KR20190086300A - 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 - Google Patents

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Abstract

실시 예에 개시된 조명 모듈은, 금속층 및 상기 금속층 상에 보호층을 갖는 회로 기판; 상기 회로 기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 발광 다이오드; 상기 회로 기판 상에 제1방향으로 긴 길이를 갖는 복수의 금속성 돌기; 및 상기 회로 기판 상에 상기 발광 다이오드 및 상기 금속성 돌기를 덮는 수지층을 포함하며, 상기 금속층은 상기 발광 다이오드 아래에 배치된 제1금속층; 및 상기 제1금속층으로부터 분리되며 상기 금속성 돌기 아래에 배치된 제2금속층을 포함하며, 상기 보호층과 상기 금속성 돌기는 상기 제2금속층 상에서 상기 제1방향과 직교되는 제2방향으로 교대로 배치될 수 있다.

Description

조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치{LIGHTING MODULE AND LIGHTING APPARATUS}
실시 예는 발광 다이오드를 갖는 조명 모듈에 관한 것이다.
실시 예는 발광 다이오드 및 수지층을 갖는 조명 모듈에 관한 것이다.
실시 예는 면 광원을 제공하는 조명 모듈에 관한 것이다.
실시 예는 조명 모듈을 갖는 백라이트 유닛, 액정표시장치, 또는 차량용 램프에 관한 것이다.
통상적인 조명 응용은 차량용 조명(light)뿐만 아니라 디스플레이 및 간판용 백라이트를 포함한다.
발광 다이오드 예컨대, 발광 다이오드(LED)는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 이러한 발광 다이오드는 각종 표시 장치, 실내등 또는 실외등과 같은 각종 조명장치에 적용되고 있다.
최근에는 차량용 광원으로서, 발광 다이오드를 채용하는 램프가 제안되고 있다. 백열등과 비교하면, 발광 다이오드는 소비 전력이 작다는 점에서 유리하다. 그러나, 발광 다이오드로부터 출사되는 광의 출사각이 작기 때문에, 발광 다이오드를 차량용 램프로 사용할 경우에는, 발광 다이오드를 이용한 램프의 발광 면적을 증가시켜 주기 위한 요구가 있다.
발광 다이오드는 사이즈가 작기 때문에 램프의 디자인 자유도를 높여줄 수 있고 반 영구적인 수명으로 인해 경제성도 있다.
실시 예는 면 광원을 제공하는 조명 모듈을 제공한다.
실시 예는 회로기판 상에 금속성 재질의 돌기 패턴을 갖는 조명 모듈을 제공한다.
실시 예는 발광 다이오드의 출사 방향에 금속성 재질의 돌기 패턴을 갖는 조명 모듈을 제공한다.
실시 예는 회로기판의 금속층 상에 보호층의 개구부를 통해 배치된 금속성 돌기를 배열한 조명 모듈을 제공한다.
실시 예는 회로기판 상의 금속성 돌기는 일방향으로 긴 길이를 갖고 상기 발광 다이오드의 출사면과 평행한 방향으로 배열되는 조명 모듈을 제공한다.
실시 예는 발광 다이오드 및 금속성 돌기를 덮는 수지층을 갖는 조명 모듈을 제공한다.
실시 예는 면 광원을 조사하는 조명 모듈 및 이를 갖는 조명 장치를 제공한다.
실시 예는 조명 모듈을 갖는 백라이트 유닛, 액정표시장치, 또는 차량용 램프를 제공할 수 있다.
실시 예에 따른 조명 모듈은, 금속층 및 상기 금속층 상에 보호층을 갖는 회로 기판; 상기 회로 기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 발광 다이오드; 상기 회로 기판 상에 제1방향으로 긴 길이를 갖는 복수의 금속성 돌기; 및 상기 회로 기판 상에 상기 발광 다이오드 및 상기 금속성 돌기를 덮는 수지층을 포함하며, 상기 금속층은 상기 발광 다이오드 아래에 배치된 제1금속층; 및 상기 제1금속층으로부터 분리되며 상기 금속성 돌기 아래에 배치된 제2금속층을 포함하며, 상기 보호층과 상기 금속성 돌기는 상기 제2금속층 상에서 상기 제1방향과 직교되는 제2방향으로 교대로 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 보호층은 상기 복수의 금속성 돌기 사이에 배치된 복수의 반사부를 포함하며, 상기 복수의 금속성 돌기는 서로 이격될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 복수의 반사부는 상기 수지층 아래에서 상기 금속성 돌기의 상면보다 낮게 배치되며, 상기 수지층의 일부는 상기 복수의 금속성 돌기 사이에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 다이오드는 상기 수지층의 제1측면에 인접하게 배치되며, 상기 발광 다이오드는 내부에 발광 칩과, 상기 수지층의 제1측면의 반대측 제2측면과 대면하게 배치된 출사면을 포함하며, 상기 금속성 돌기의 상면은 상기 보호층의 상면으로부터 상기 보호층과 상기 발광 칩 사이의 간격보다 낮을 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 금속성 돌기는 상면이 볼록한 곡면을 포함하며, 상기 금속성 돌기는 상기 회로 기판의 제1방향의 길이의 70% 이상의 길이를 갖고 제2방향으로 복수개가 배열될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제2금속층은 상기 복수의 금속성 돌기와 상기 복수의 반사부 아래에 단일 플레이트로 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제2금속층은 상기 금속성 돌기와 각각 대응되는 복수의 지지부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 보호층은 상기 제1방향으로 긴 길이를 갖는 금속성 돌기를 서로 분리하며 제1방향으로 긴 길이를 갖는 분리부를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 조명 모듈에서 면 광원의 광도를 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예에 의하면, 조명 모듈에서 금속성 돌기를 이용한 패턴의 접착력이 개선될 수 있다.
실시 예에 의하면, 반사 필름의 제거를 통해 모듈의 두께를 줄일 수 있다.
실시 예에 의하면, 반사 필름의 제거를 통해 모듈의 제조 공정이 단순화될 수 있다.
실시 예에 의하면, 회로기판의 보호층의 개구부에 반사성 돌기를 배치함으로써, 다양한 패턴 형상의 구현이 용이할 수 있다.
실시 예에 의하면, 회로기판의 보호층의 개구부에 반사성 돌기를 배치함으로써, 반사 영역을 증가시켜 줄 수 있다.
실시 예에 따른 조명 모듈 및 이를 갖는 조명 장치의 광학적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 차량용 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 조명 모듈을 갖는 백라이트 유닛, 각종 표시장치, 면 광원 조명 장치, 또는 차량용 램프에 적용될 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 조명모듈의 A-A측 단면도이다.
도 3은 도 2의 조명 모듈의 부분 확대도이다.
도 4는 도 2의 조명 모듈 상에 확산층을 배치한 예이다.
도 5는 도 4의 조명 모듈의 제1변형 예이다.
도 6은 도 4의 조명 모듈의 제2변형 예이다.
도 7은 도 4의 조명 모듈의 제3변형 예이다.
도 8은 도 1의 조명 모듈의 양측에 발광 다이오드를 배치한 예이다.
도 9는 도 1의 조명 모듈의 금속성 돌기들이 매트릭스 형태로 배열된 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 조명 모듈에서 회로기판 상의 발광 다이오드를 정면에서 바라본 도면이다.
도 11은 도 10의 회로기판 상의 발광 다이오드를 측면에서 바라본 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
본 발명에 따른 조명장치는 조명이 필요로 하는 다양한 램프장치, 이를테면 차량용 램프, 가정용 조명장치, 산업용 조명장치에 적용이 가능하다. 예컨대 차량용 램프에 적용되는 경우, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 제동등, 주간 주행등, 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scar), 리어 콤비네이션 램프, 백업 램프 등에 적용 가능하다. 본 발명의 조명장치는 실내, 실외의 광고장치, 표시 장치, 및 각 종 전동차 분야에도 적용 가능하며, 이외에도 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 조명관련 분야나 광고관련 분야 등에 적용 가능하다고 할 것이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
<조명 모듈>
도 1은 실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 평면도이며, 도 2는 도 1의 조명모듈의 A-A측 단면도이고, 도 3은 도 2의 조명 모듈의 부분 확대도이며, 도 4는 도 2의 조명 모듈 상에 확산층을 배치한 예이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 조명 모듈(400)은, 회로기판(401), 상기 회로기판(401) 상에 배치된 발광 다이오드(100), 상기 회로기판(401) 상에 배열된 복수의 돌기(P1), 및 상기 회로기판(401) 상에서 상기 발광 다이오드(100)를 덮는 수지층(450)을 포함한다.
상기 조명 모듈(400)은 상기 발광 다이오드(100)로부터 방출된 광을 면 광원으로 방출할 수 있다. 상기 회로기판(401)의 상면은 X축-Y축 평면을 가지며, 상기 회로기판(401)의 두께는 X축과 Y축에 직교하는 Z축 방향의 높이일 수 있다. 여기서, 상기 Y축 방향은 광이 출사되는 방향 또는 제2방향이며, X축 방향은 Y축과 직교하는 제1방향이며, 상기 Z축 방향은 X축과 Y축에 직교하는 제3방향일 수 있다.
상기 조명 모듈(400)은 회로기판(401) 상에 반사 영역(A1)을 구비하며, 상기 반사 영역(A1)은 상기 회로기판(401)의 상면 면적의 80% 이상의 면적으로 배치될 수 있다. 상기 반사 영역(A1)에는 돌기(P1)들이 제1방향(X)으로 긴 길이를 갖고 제2방향으로 복수개가 배열되어, 입사된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 반사 영역(A1)은 상기 회로기판(401) 상에 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광 다이오드(100)의 열과 상기 반사 영역(A1)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있다.
상기 조명 모듈(400)은 하나 또는 복수개로 제공되어, 조명이 필요로 하는 다양한 램프장치, 이를테면 차량용 램프, 가정용 조명장치, 산업용 조명장치에 적용이 가능하다. 예컨대 차량용 램프에 적용되는 조명 모듈의 경우, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 방향 지시등(turn signal lamp), 후진등(back up lamp), 제동등(stop lamp), 주간 주행등(Daytime running right), 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scarf), 리어 콤비네이션 램프 등에 적용 가능하다.
이하, 실시 예에 따른 조명 모듈의 각 구성 요소 및 동작에 대해 설명하기로 한다.
<회로기판(401)>
도 1 내지 도 4와 같이, 상기 회로기판(401)은, 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)을 포함하며, 예를 들어, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 비 연성 PCB, 세라믹 PCB, 또는 FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 회로기판(401)은 회로 패턴을 갖는 층이 1개 또는 2개 이상일 수 있으며, 단면 PCB 또는 양면 PCB를 포함할 수 있다.
상기 회로기판(401)의 X 방향의 길이와 Y 방향의 길이는 서로 같거나 다를 수 있다. 상기 회로기판(401)의 두께는 1mm 이하 예컨대, 0.3mm 내지 1mm의 범위일 수 있다. 상기 조명 모듈(400)의 두께는 상기 회로기판(401)의 하면에서 5.5mm 이하 예컨대, 4.5mm 내지 5.5mm의 범위 또는 4.5mm 내지 5mm의 범위일 수 있다. 상기 조명 모듈(400)의 두께는 상기 수지층(450)의 두께의 220% 이하 예컨대, 180% 내지 220% 범위일 수 있다. 상기 조명 모듈(400)의 두께가 상기 범위보다 얇을 경우 광 확산 공간이 줄어들어 핫 스팟이 발생될 수 있고 상기 두께의 범위보다 클 경우 모듈 두께로 인해 공간적인 설치 제약과 디자인 자유도가 저하될 수 있다.
상기 회로기판(401)은 절연층(410), 상기 절연층(410) 상에 금속층(420), 상기 금속층(420) 상에 보호층(430)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(410)은 에폭시 수지, 유리 섬유, 난연제, 프리 프레그 물질(Preimpregnated Materials), 페놀 수지, 불포화 폴리에스터 수지 중 적어도 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 상기 금속층(420)은 절연층(410) 상에 배치될 수 있으며, Cu, Au, Al, Ag 중 적어도 하나를 포함하며, 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다. 상기 금속층(420)은 예컨대 Cu 또는 Au/Cu를 포함할 수 있다. 상기 금속층(420)은 제1금속층(421)과 제2금속층(423)을 포함할 수 있으며, 상기 제1금속층(421)과 상기 제2금속층(423)은 서로 전기적으로 오픈될 수 있다. 상기 제1금속층(421)과 상기 제2금속층(423)은 물리적으로 분리될 수 있다. 상기 제1금속층(421)은 상기 발광 다이오드(100)와 인접하거나 상기 발광 다이오드(100)의 하부 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1금속층(421)은 회로 패턴을 갖는 배선층으로 기능하며, 상기 발광 다이오드(100)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1금속층(421)은 상기 복수의 발광 다이오드를 직렬, 병렬, 또는 직-병렬로 연결할 수 있다. 상기 제2금속층(423)은 도 1에서 반사 영역 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2금속층(423)은 상기 제1금속층(421)과 동일한 금속으로 형성될 수 있다. 상기 제2금속층(423)의 상면 면적은 상기 회로기판(401)의 상면 면적의 50% 이상 또는 70% 이상일 수 있다. 상기 제2금속층(423)은 상기 발광 다이오드와 전기적으로 오픈될 수 있다. 상기 제2금속층(423)은 상기 반사 영역(A1) 아래에 단일 플레이트로 제공될 수 있다. 상기 제2금속층(423)의 탑뷰 형상이 다각형 형상일 수 있다. 상기 제2금속층(423)의 상면은 상기 제1금속층(421)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제2금속층(423)의 하면은 상기 제1금속층(421)의 하면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 금속층(420)의 두께는 35 마이크로 미터 이상 예컨대, 35 내지 70 마이크로 미터 또는 35 내지 100 마이크로 미터의 범위일 수 있다.
상기 제1 및 제2금속층(421,423) 사이의 오픈 영역(431)에는 보호층(430)의 일부가 연장되어 배치될 수 있어, 두 금속층(421,423) 간의 접촉이나 간섭을 차단할 수 있다.
상기 보호층(430)은 솔더 레지스트 재질을 갖는 부재를 포함할 수 있으며, 상기 솔더 레지스트 재질은 백색 재질로서, 입사되는 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 보호층(430)은 상기 제1금속층(421)과 상기 제2금속층(423)의 상면을 보호하여, 습기 침투를 방지하고 표면을 보호할 수 있다. 상기 보호층(430)은 다른 예로서, 흑색 또는 녹색 레지스트 재질을 포함할 수 있다. 상기 보호층(430)은 백색 재질인 경우, 광 반사 효율이 개선될 수 있으며, 흑색 재질인 경우 광의 시인성 또는 선명도가 개선될 수 있다. 도 3과 같이, 상기 보호층(430)의 두께(T2)은 상기 금속층(420)의 두께보다 얇을 수 있으며, 30 마이크로 미터 이하 예컨대, 15 내지 30 마이크로 미터의 범위일 수 있다.
상기 제1금속층(421)과 상기 제2금속층(423)은 상기 절연층(410)과 상기 보호층(430) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1금속층(421)은 상기 보호층(430)의 오픈 영역을 통해 노출되고 상기 발광 다이오드(100)와 접합 부재로 연결될 수 있다. 상기 제2금속층(423)은 상기 보호층(430)이 부분적으로 오픈된 개구부(Ra)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(Ra)는 복수개가 서로 이격될 수 있다. 상기 개구부(Ra)는 제1방향(X)으로 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 개구부(Ra)의 길이 방향(X)은 상기 복수의 발광 다이오드(100)가 배열되는 방향일 수 있다.
상기 개구부(Ra)의 제2방향 폭은 300 마이크로 미터 이하일 수 있으며, 예컨대 100 내지 150 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 개구부(Ra)는 제2방향으로 복수개가 배열되며, 제1방향으로 상기 회로기판(401)의 길이의 50% 이상 예컨대, 70% 이상의 길이를 갖고 배치될 수 있다. 상기 개구부(Ra)는 제2방향으로 복수개가 일정한 간격을 갖거나, 상기 발광 다이오드(100)를 기준으로 멀어질수록 점차 좁아지는 간격을 가질 수 있다.
상기 보호층(430)은 상기 개구부(Ra)와 상기 개구부(Ra) 사이에 배치된 복수의 반사부(R1)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 반사부(R1)는 상기 개구부(Ra)와 상기 개구부(Ra) 사이에 각각 배치되며, 제1방향으로 긴 길이를 갖고 배치될 수 있다. 상기 복수의 반사부(R1)는 상기 보호층(430)으로부터 연결되며, 상기 보호층(430)과 같은 재질일 수 있다. 상기 반사부(R1)는 상면이 수평한 면일 수 있다. 상기 반사부(R1)는 돌기(P1)의 상면보다 낮은 상면을 갖고 상기 수지층(450)과 접촉될 수 있다.
상기 회로기판(401) 상에는 발광 다이오드(100) 및 수지층(450)이 배치될 수 있다. 상기 회로기판(401)은 상기 발광 다이오드(100) 및 수지층(450)의 베이스에 위치한 베이스 부재 또는 지지 부재로 기능할 수 있다.
<발광 다이오드(100)>
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 발광 다이오드(100)는 상기 회로기판(401) 상에 배치되며, 상기 수지층(450)에 의해 밀봉될 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 상기 수지층(450)의 측면들 중 적어도 한 측면(S1)에 인접하게 배치되며 반대측 방향으로 광을 방출하게 된다. 상기 발광 다이오드(100)는 제1측면(S1)으로부터 이격될 수 있어, 습기 유입 경로를 길게 제공할 수 있다.
도 8과 같이, 상기 회로기판(401)의 제1측면에 인접한 제1발광 다이오드(100)와, 상기 제1측면의 반대측 제2측면에 인접한 제2발광 다이오드(100A)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 다이오드(100,100A)는 서로 대면하지 않는 영역에 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 제2발광 다이오드(100A)는 상기 복수의 제2발광 다이오드(100) 사이의 영역과 대면하게 배치될 수 있다. 상기 제1발광 다이오드(100) 간의 간격은 상기 제2발광 다이오드(100A) 간의 간격과 동일할 수 있다. 이러한 제1 및 제2발광 다이오드(100,100A)를 회로기판(401) 상에 지그 재그 형태로 배치하여, 전 영역의 광도를 개선시켜 줄 수 있다. 도 8에 개시된 제1발광 다이오드(100)는 도 1 내지 도 7의 발광 다이오드와 동일할 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 상기 발광 다이오드(100)는 광이 출사되는 출사면(101)을 가질 수 있으며, 상기 출사면(101)은 예컨대, 상기 회로기판(401)에 수평한 평면에 대해 Z축 방향으로 수직할 수 있다. 상기 출사면(101)은 상기 수지 부재(450)의 제1측면(S1)의 반대측 방향으로 배치될 수 있다. 상기 출사면(101)은 상기 회로기판(401)의 상면에 대해 수직한 평면이거나 상기 제1측면(S1) 방향으로 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 출사면(101)은 상기 발광 다이오드(100)의 출사측 표면으로서, 수지 재질이거나 유리 재질을 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드(100)의 출사면(101)은 발광 다이오드(100)의 적어도 한 측면에 배치될 수 있다. 상기 출사면(101)은 상기 발광 다이오드(100)의 측면 중에서 상기 수지 부재(450)의 제2측면(S2)과 적어도 일부가 대면하거나 대응되는 면일 수 있다. 상기 출사면(101)은 상기 발광 다이오드(100)의 바닥 면과 상면 사이에서 상기 수지층(450)의 제2측면(S2)과 대응되며, 상기 돌기(P1)와 인접한 측면이거나, 상기 보호층(430)의 상면에 대해 수직한 면일 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)의 출사면(101)을 통해 출사된 광은 상기 수지층(450)을 통해 출사될 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)의 광 축은 상기 출사면(101)의 중심으로 연장된 축 방향일 수 있으며, 상기 발광 다이오드(100)로부터 방출되는 광은 광축을 기준으로 소정의 지향각 특성을 갖고 방출될 수 있다.
도 3과 같이, 상기 발광 다이오드(100)의 두께(T1)는 예컨대, 2mm 이하 예컨대, 1mm이하일 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)의 X축 방향의 길이는 상기 발광 다이오드(100)의 두께(T1)의 1.5배 이상일 수 있으며, Y축 방향의 너비는 X축 방향의 길이보다 작을 수 있다. 이러한 발광 다이오드(100)의 지향각 분포를 보면, 수평한 직선(Y0)을 기준으로 ±Z축 방향의 광 지향각보다 ±X축 방향의 광 지향각이 넓을 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)의 ±X축 방향의 광 지향각은 110도 이상 예컨대, 120도 내지 160도 또는 140도 이상의 범위를 가질 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)의 ±Z축 방향의 광 지향각은 110도 이상 예컨대, 110도 내지 160도의 범위를 가질 수 있다.
상기 발광 다이오드(100)는 상기 회로기판(401) 상에서 1열 또는 2열 이상으로 배열될 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 X축 방향으로 배열될 수 있다.
상기 발광 다이오드(100)는 발광 칩(71) 예컨대, 발광 다이오드(LED) 칩(이하, 발광 칩이라 함)을 갖는 소자로서, 발광 칩이 패키징된 패키지를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 청색, 적색, 녹색, 자외선(UV), 적외선 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 백색, 청색, 적색, 녹색, 적외선 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 상기 회로기판(401)과 전기적으로 연결되는 사이드 뷰 타입일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 발광 다이오드(100)는 발광 칩이 예컨대, COB(chip on board) 형태로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
<돌기(P1)>
상기 금속층(420)의 개구부(Ra) 상에는 돌기(P1)가 배치될 수 있다. 상기 돌기(P1)는 금속성 돌기를 포함할 수 있다. 상기 돌기(P1)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu, Zn, In, Bi, 접촉, Ti 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 둘 이상의 합금을 포함할 수 있다. 상기 돌기(P1)는 금속, 합금 또는 금속성 재질일 수 있다. 상기 돌기(P1)는 솔더 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 파우더 입자 또는 파티클 입자와 플럭스의 혼합으로 형성될 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 Ag-Sn계, Cu-Sn계, Au-Sn계, Sn-Ag-Cu계 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 각 금속의 중량%는 달라질 수 있다. 상기 돌기(P1)가 솔더 페이스트 재질인 경우, 회로기판(401) 상에서 상기 개구부(Ra)를 통해 제2금속층(423) 상에 형성할 때, 인쇄성과 젖음성이 좋고 보이드(void)가 발생되는 것을 줄일 수 있다. 상기 돌기(P1)는 상기 보호층(430)의 개구부(Ra) 상에 액상의 재료로 형성되고 경화될 수 있고 경화된 후 표면 장력이 의해 표면이 곡면 형상으로 형성될 수 있다.
발명의 실시 예는 회로기판(401) 상에 별도의 반사 필름을 사용하지 않더라도, 상기 돌기(P1)들의 이용한 반사 패턴을 통해 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 또한 반사 필름을 제거하므로, 상기 반사 필름을 접착제로 부착하는 공정을 줄일 수 있고, 접착제로 인한 각종 문제를 줄여줄 수 있다. 또한 조명 모듈(400)에서 반사 필름과 접착제의 제거로 인해 두께를 감소시켜 줄 수 있고, 상기 보호층(430)의 에칭에 의한 개구부(Ra)의 형상을 다양하게 제공할 수 있다.
상기 돌기(P1)는 상기 제2금속층(423) 상에 배치될 수 있다. 상기 돌기(P1)는 제1방향으로 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 돌기(P1)는 제2방향으로 복수개가 배열되며, 제1방향으로 상기 회로기판(401)의 길이의 50% 이상 예컨대, 70% 이상의 길이로 배치될 수 있다. 상기 각 돌기(P1)는 스트라이프 형상으로 제공되거나, 직선 또는 곡선 형상의 바를 포함할 수 있다. 상기 돌기(P1)는 상기 발광 다이오드(100)로부터 방출된 광을 반사하게 된다. 상기 돌기(P1)와 상기 반사부(R1)는 제2방향으로 교대로 배치될 수 있다. 상기 돌기(P1)의 상면은 상기 반사부(R1)의 상면보다 더 높게 배치될 수 있다. 상기 돌기(P1)의 재질은 상기 반사부(R1)의 재질보다 반사 특성이 더 높을 수 있다. 상기 돌기(P1)는 복수의 발광 다이오드(100)과 상기 수지층(450)의 제2측면(S2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 돌기(P1)는 복수의 발광 다이오드(100)의 출사면(101)과 상기 수지층(450)의 제2측면(S2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 복수의 돌기(P1)는 복수의 발광 다이오드(100)가 배열되는 방향과 평행한 방향으로 배열될 수 있다. 상기 돌기(P1)는 복수의 발광 다이오드(100)의 광 출사 방향에 배치될 수 있다. 도 8과 같이, 상기 복수의 돌기(P1)는 서로 반대측 발광 다이오드(100,100A) 사이에 배치될 수 있다.
상기 돌기(P1)는 상기 보호층(430)의 상면보다 돌출될 수 있다. 상기 돌기(P1)와 상기 반사부(R1)는 상기 제2금속층(423)의 상면에 접촉될 수 있다. 상기 돌기(P1)는 상기 반사부(R1)보다 높게 배치되어, 입사되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 상기 돌기(P1)의 상면은 볼록한 곡면 형상으로 제공될 수 있다. 상기 볼록한 곡면 형상은 상기 반사부(R1)의 상면 또는 상기 개구부(Ra)의 상면보다 높게 돌출될 수 있다. 상기 볼록한 곡면은 입사된 광을 확산시켜 줄 수 있다.
상기 반사 영역(A1)에서 상기 돌기(P1)의 전체 상면 면적은 상기 반사부(R1)의 상면 면적 영역보다 클 수 있다. 상기 반사 영역(A1)은 상기 제2금속층(423)의 상면 영역이거나, 돌기(P1) 중에서 최 외곽 지점을 서로 연결한 영역의 내부 영역일 수 있다.
도 3과 같이, 상기 돌기(P1)의 상면은 상기 보호층(430)의 상면보다 높고 상기 발광 다이오드(100) 내부의 발광 칩(71)의 위치보다는 낮게 배치될 수 있다. 상기 돌기(P1)의 상면이 상기 발광 칩(71)의 위치 이상으로 돌출된 경우, 광의 확산 효율이 저하될 수 있고, 상기 보호층(430)의 상면보다 낮은 경우 광의 반사 효율이 저하될 수 있다. 상기 발광 칩(71)과 상기 보호층(430) 사이의 간격(e)은 상기 보호층(430)의 상면을 기준으로 460 마이크로 미터 이하일 수 있다.
상기 돌기(P1)의 두께 또는 높이(T3)는 상기 보호층(430)의 두께(T2)보다 두껍고 상기 발광 칩(71)과 보호층(430) 사이의 간격(e)보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 돌기(P1)와 상기 보호층(430) 사이의 높이 차이(g)는 상기 보호층(430)과 상기 발광 칩(71) 사이의 간격(e)보다 작을 수 있다. 상기 차이(g)는 상기 돌기(P1)가 보호층(430)을 기준으로 돌출된 높이로서, 10 내지 400 마이크로 미터의 범위일 수 있다.
상기 돌기(P1)의 폭(b)은 상기 반사부(R1)의 폭(c, b>c)보다 넓을 수 있다. 상기 돌기(P1)의 폭(b) 예컨대, 하면 폭은 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 300 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 150 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 돌기(P1) 간의 간격(a)은 일정할 수 있으며, 예컨대 110 마이크로 미터 이상일 수 있다. 상기 반사부(R1)의 폭(c)과 상기 돌기(P1)의 폭(b)의 비율(c:b)은 1: 1.5 내지 1: 10의 범위 또는 1: 1.5 내지 1: 5의 범위일 수 있다. 상기 돌기(P1)의 폭(b)이 상기 반사부(R1)의 폭(c)보다 적어도 1.5배 이상인 경우, 광의 반사 효율의 개선 효과가 있을 수 있다. 상기 반사부(R1)의 폭(c)은 8 마이크로 미터 이상 예컨대, 8 내지 30 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 반사부(R1)의 폭(c)이 8 마이크로 미터 미만인 경우, 접착력이 저하될 수 있어, 돌기(P1)의 형상 유지가 어려울 수 있으며, 상기 폭보다 큰 경우 광의 반사 면적이 줄어들 수 있다.
<수지층(450)>
상기 수지층(450)는 상기 회로기판(401) 상에 배치될 수 있다. 상기 수지층(450)는 상기 회로기판(401)의 상면 전체 또는 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 수지층(450)의 하면 면적은 상기 회로기판(401)의 상면 면적과 동일하거나 작을 수 있다. 상기 수지층(450)의 각 측면은 상기 회로기판(401)의 각 측면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 수지층(450)은 상기 금속성 돌기(P1)와 상기 회로기판(401)의 보호층(430)에 접촉될 수 있다. 상기 수지층(450)은 상기 발광 다이오드(100)를 덮고 상기 출사면(101)에 접촉될 수 있다. 상기 수지층(450)의 상면은 평탄한 면이거나 요철 형상을 갖는 러프한 면일 수 있다. 상기 수지층(450)은 상기 돌기(P1)들 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지층(450)은 상기 돌기(P1) 사이의 반사부(R1)에 접촉될 수 있다. 상기 수지층(450)은 상기 돌기(P1)의 볼록한 곡면과 반사부(R1)의 평탄한 상면에 접촉될 수 있다.
상기 수지층(450)는 투명한 재질로 형성될 수 있다. 상기 수지층(450)는 실리콘, 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 수지층(450)는 열 경화성 수지 재료를 포함할 수 있으며, 예컨대 PC, OPS, PMMA, PVC 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 수지층(450)는 유리로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예컨대, 상기 수지층(450)의 주재료는 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 주원료로 하는 수지 재료를 이용할 수 있다. 이를테면, 합성올리고머인 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 폴리아크릴인 폴리머 타입과 혼합된 것을 사용할 수 있다. 물론, 여기에 저비점 희석형 반응성 모노머인 IBOA(isobornyl acrylate), HPA(Hydroxylpropyl acrylate, 2-HEA(2-hydroxyethyl acrylate) 등이 혼합된 모노머를 더 포함할 수 있으며, 첨가제로서 광개시제(이를 테면, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone 등) 또는 산화방지제 등을 혼합할 수 있다.
상기 수지층(450) 내에는 비드(bead, 미도시)를 포함할 수 있으며, 상기 비드는 입사되는 광을 확산 및 반사시켜 주어, 광량을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 비드는 수지층(450)의 중량 대비 0.01 내지 0.3%의 범위로 배치될 수 있다.
상기 수지층(450)는 상기 발광 다이오드(100) 상에 배치되므로, 상기 발광 다이오드(100)를 보호할 수 있고, 상기 발광 다이오드(100)로부터 방출된 광의 손실을 줄일 수 있다. 상기 수지층(450)는 상기 발광 다이오드(100)의 표면을 밀봉함으로써, 습기 침투를 방지할 수 있다. 상기 수지층(450)의 하부는 상기 돌기(P1)들 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지층(450)의 하부는 상기 돌기(P1)들 사이를 통해 상기 반사부(R1)의 상면에 접촉될 수 있다. 이에 따라 상기 수지층(450)의 하부가 상기 회로기판(401)과 접촉됨으로써, 상기 돌기(P1)를 상기 수지층(450)과 상기 회로기판(401) 사이에 고정시켜 줄 수 있다.
상기 수지층(450)은 서로 반대측 제1,2측면(S1,S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1측면(S1)은 상기 발광 다이오드(100)에 인접하며, 상기 발광 다이오드(100)의 배면과 대면할 수 있다. 상기 제1측면(S1)은 상기 발광 다이오드(100)의 출사면(101)의 반대측 면일 수 있다. 상기 제2측면(S2)은 상기 제1측면(S11)과 대면하는 면이며, 상기 발광 다이오드(100)의 출사면(101)과 대면할 수 있다. 상기 수지층(450)의 제1 및 제2측면(S1,S2)에 직교하는 측면들은 서로 반대측 면으로서, 상기 돌기(P1)의 길이 방향의 양측에 배치될 수 있다.
상기 수지층(450)은 영역에 따라 동일한 두께로 제공될 수 있다. 상기 수지층(450)에서 Z축 방향의 두께는 상기 발광 다이오드(100)의 두께(T1)보다 두꺼울 수 있다. 다른 예로서, 상기 수지층(450)은 영역에 따라 다른 두께를 가질 수 있으며, 예컨대, 상기 수지층(450)에서 제1측면(S1)에 인접한 영역의 두께가 제2측면(S2)에 인접한 영역의 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 수지층(450)의 두께는 상기 발광 다이오드(100)의 두께 이상이고 5mm이하일 수 있다. 상기 수지층(450)의 두께는 1.7mm 내지 5mm의 범위일 수 있다. 상기 수지층(450)의 두께가 상기 범위보다 크면 광 효율이 저하되거나 모듈 두께가 커질 수 있고, 상기 범위보다 작으면 광 균일도가 저하될 수 있다.
상기 수지층(450)의 크기는 광 균일도를 고려한 크기로 제공될 수 있고, 어플리케이션에 따라 달라질 수 있다. 상기 수지층(450)의 탑뷰 형상은 다각형 형상 예컨대, 사각형 형상이거나, 곡선을 갖는 형상이거나, 절곡된 형상일 수 있다.
상기 수지층(450)의 각 측면에는 금속 물질 예컨대, 알루미늄, 크롬, 황산 바륨과 같은 물질이 코팅될 수 있으며, 광 반사 특성이 개선될 수 있다.
실시 예에 따른 수지층(450)의 상면은 출사면일 수 있다. 상기 수지층(450)의 출사면은 평판한 면이거나, 일부 영역에 광 추출 구조(또는 광학 패턴 또는 요철 패턴)을 포함할 수 있다. 상기 광 추출 구조는 요철 패턴을 포함할 수 있으며, 입사되는 광을 반사 또는 투과시키거나 임계각을 변화시켜 줄 수 있다. 상기 광 추출 구조는 수지층(450)의 출사면에 일체로 형성될 수 있다. 상기 수지층(450)와 상기 광 추출 구조는 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 광 추출 구조는 일정한 간격 또는 불규칙한 간격의 패턴을 가질 수 있다.
발명의 실시 예에 있어서, 조명 모듈(400)은 발광 다이오드(100)의 광을 수지층(450)을 통해 가이드하여, Z 방향으로 균일한 면 광원을 제공할 수 있다. 발명의 실시 예는 수지층(450)과 회로기판(401) 사이에 복수의 돌기(P1)를 배치하여, 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 돌기(P1)의 재질이 금속성 또는 반사성 재질로 형성되므로, 차량과 같은 대상물에 적용된 각 종 램프에 맞는 광 효율 및 배광 특성을 제공할 수 있다. 상기 조명 모듈(400)은 돌기(P1)을 갖는 반사 영역을 이용하여 면 광원을 제공하므로, 주간 주행등(Daytime running right), 후진등(back up lamp), 방향 지시등(turn signal lamp) 등에 적용할 수 있다.
발명의 실시 예의 조명 모듈(400)은 수지 부재(450)의 출사면에 광 추출 구조의 패턴을 제공하여, 광 효율의 개선, 중심 광도를 증가시키고, 면 광원을 제공할 수 있다. 상기 광 추출 구조의 패턴에 의해 광의 집광성 및 확산성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예는 회로기판(401) 상에 복수의 돌기(P1)를 배열한 반사 패턴을 제공하여, 반사 필름을 제거할 수 있다. 발명의 실시 예는 회로기판(401) 상에 복수의 금속성 돌기(P1)를 보호층(430)의 개구부(Ra)에 배치하여, 돌기(P1)를 갖는 부재의 두께나 상면 높이를 낮추어 줄 수 있다. 발명의 실시 예는 복수의 금속성 돌기(P1)를 회로기판(401)의 제2금속층(423) 상에 접합시켜 줌으로써, 돌기(P1)를 갖는 부재의 접착력이 개선될 수 있다. 발명의 실시 예는 금속성 돌기(P1)를 액상으로 형성한 후 경화시켜 줌으로써, 돌기(P1)의 표면에 별도의 곡면 처리 공정을 진행하지 않을 수 있다.
도 4는 도 2 및 도 4의 조명 모듈의 제1변형 예이다. 도 4를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성은 선택적으로 적용될 수 있으며, 상기의 설명과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 조명 모듈(400)은 확산층(460)을 포함할 수 있다. 상기 확산층(460)은 수지층(450) 상에 배치될 수 있다. 상기 확산층(460)은 상기 수지층(450)의 상면에 접촉되거나 접착될 수 있다. 상기 확산층(460)은 상기 수지층(450)의 상면 전체에 배치될 있다. 상기 확산층(460)은 상기 수지층(450)이 경화된 후 확산제를 갖는 수지 재질로 형성된 후 경화될 수 있다. 여기서, 상기 확산제는 공정 상에서 상기 확산층(460)의 양을 기준으로 1.5wt% 내지 2.5wt%의 범위로 첨가될 수 있다. 상기 확산층(460)은 투명한 수지 재질 예컨대, UV(Ultra violet) 레진(Resin), 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질일 수 있다. 상기 확산층(460)의 굴절률은 1.8이하 예컨대, 1.1 내지 1.8 범위 또는 1.4 내지 1.6 범위일 수 있으며, 상기 확산제의 굴절률보다는 낮을 수 있다.
상기 UV 레진은 예컨대, 주재료로서 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 주원료로 하는 레진(올리고머타입)을 이용할 수 있다. 이를테면, 합성올리고머인 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 이용할 수 있다. 상기 주 재료에 저비점 희석형 반응성 모노머인 IBOA(isobornyl acrylate), HBA(Hydroxybutyl Acrylate), HEMA(Hydroxy Metaethyl Acrylate) 등이 혼합된 모노머를 더 포함할 수 있으며, 첨가제로서 광개시제(이를 테면, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone,Diphenyl), Diphwnyl(2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide) 등 또는 산화방지제 등을 혼합할 수 있다. 상기 UV 레진은 올리고머 10~21%, 모노머 30~63%, 첨가제 1.5~6% 를 포함하여 구성되는 조성물로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 모노머는 IBOA(isobornyl Acrylate) 10~21%, HBA(Hydroxybutyl Acrylate) 10~21%, HEMA (Hydroxy Metaethyl Acrylate) 10~21%의 혼합물로 구성될 수 있다. 상기 첨가제는, 광개시제 1~5%를 첨가하여 광반응성을 개시하는 기능을 수행하게 할 수 있으며, 산화방지제 0.5~1%를 첨가하여 황변 현상을 개선할 수 있는 혼합물로 형성될 수 있다. 상술한 조성물을 이용한 상기 수지층(450)의 형성은 도광판 대신 UV 레진 등의 레진으로 층을 형성하여, 굴절율, 두께 조절이 가능하도록 함과 동시에, 상술한 조성물을 이용하여 점착특성과 신뢰성 및 양산속도를 모두 충족할 수 있도록 할 수 있다.
상기 수지층(450)과 상기 확산층(460)은 동일한 수지 재질일 수 있다. 상기 수지층(450)과 확산층(460)이 동일한 수지 재질로 서로 밀착됨으로써, 상기 수지층(450)과 확산층(460) 사이의 계면에서의 광 손실을 줄일 수 있다. 상기 수지층(450)과 확산층(460)의 수지 재질의 굴절률은 발광 파장에서의 1.4 이상일 때 광의 균일도가 90% 이상임을 알 수 있다. 이러한 수지 재질의 굴절률은 1.8이하 예컨대, 1.1 내지 1.8 범위 또는 1.4 내지 1.6 범위일 수 있으며, 상기 확산제의 굴절률보다는 낮을 수 있다. 상기 수지층(450)과 확산층(460)의 수지 재질의 굴절률이 1.1 내지 1.8 범위일 때 광 효율이 95% 이상임을 알 수 있다.
상기 확산층(460)은 상기 수지층(450)의 두께보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 상기 확산층(460)의 두께는 상기 수지층(450)의 두께의 80% 이하 예컨대, 40% 내지 80%의 범위일 수 있다. 상기 확산층(460)이 얇은 두께로 제공되므로, 조명 모듈의 연성 특성이 확보할 수 있다. 상기 확산층(460)은 단층 또는 다층 구조로 제공될 수 있다.
상기 확산층(460)은 내부에 확산제(beads or dispersing agent)를 포함할 수 있다. 상기 확산제는 발광 파장에서 굴절률이 1.4 내지 2 범위이며, 그 사이즈는 4 ㎛ 내지 6 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 확산제는 구형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 확산제는 굴절률(index)이 1.4 이상 예컨대, 1.4 내지 2인 경우 광의 균일도(uniformity)가 90% 이상일 수 있으며, 상기 확산제의 사이즈가 4 ㎛ 내지 6 ㎛의 범위일 때 광의 균일도는 90% 이상일 수 있다.
이러한 확산층(460)은 상기 수지층(450)을 통해 입사된 광을 확산제에 의해 확산시켜 줄 수 있다. 따라서, 상기 확산층(460)을 통해 출사된 광에 의한 핫 스팟의 발생은 줄어들 수 있다. 상기 확산제는 상기 발광 다이오드(100)로부터 방출된 광의 파장보다 작은 사이즈를 가질 수 있다. 이러한 확산제가 상기 파장보다 작은 사이즈를 갖고 배치되므로, 광 확산 효과를 개선시켜 줄 수 있다.
상기 확산제의 함량은 상기 확산층(460) 내에 5wt% 이하 예컨대, 2wt% 내지 5wt% 범위일 수 있다. 상기 확산제의 함량이 상기 범위보다 작은 경우 핫 스팟을 낮추는 데 한계가 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 광 투과율이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 확산제는 상기 확산층(460) 내에 상기의 함량으로 배치됨으로써, 광을 확산시켜 주어 광 투과율의 저하 없이 핫 스팟을 줄여줄 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 조명모듈은, 상기 수지층(450)과 상기 확산층(460) 중 적어도 하나에는 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 형광체는 예컨대, 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체, 또는 백색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 5는 도 2 및 도 4의 조명 모듈의 제2변형 예이다. 도 5를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성은 선택적으로 적용될 수 있으며, 상기의 설명과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 조명 모듈은 금속층(420)이 복수의 지지부(P3,P4)를 포함할 수 있다. 상기 금속층(420)은 발광 다이오드(100) 하부에 배치된 제1금속층(421)과, 상기 돌기(P1) 하부에 배치된 제2금속층(423)을 포함할 수 있다.
상기 제2금속층(423)은 복수의 지지부(P3,P4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 지지부(P3,P4)는 상기 제1금속층(421)으로부터 이격된 제1지지부(P3)와, 상기 제1지지부(P3)와 이격된 제2지지부(P4)를 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위해, 제1금속층(421)에 인접한 제1지지부(P3)는 다른 제2지지부(P4)의 크기 또는 폭과 같거나 클 수 있다. 상기 제2지지부(P4)는 복수개가 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1,2지지부(P3,P4)는 제1금속층(421)의 두께와 동일한 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2지지부(P3,P4) 사이 또는 상기 제2지지부(P4)들 사이의 개구부(Rb)에는 상기 보호층(430)의 일부가 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2지지부(P3,P4) 상에는 돌기(P1)들이 각각 배치될 수 있다. 상기 돌기(P1)는 상기 제1,2지지부(P3,P4) 상에 각각 배치되고 상기 보호층(430)의 상면보다 높게 돌출될 수 있다. 상기 돌기(P1)는 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 상기 제1지지부(P3)와 상기 제2지지부(P4)는 상기 돌기(P1)의 하면과 대면하거나 접촉될 수 있다. 상기 제1지지부(P3)와 상기 제2지지부(P4)의 폭은 도 1에서 제2방향으로서, 서로 동일하거나 제1지지부(P3)의 폭이 제2지지부(P4)의 폭보다 더 넓을 수 있다. 상기 제1지지부(P3)와 상기 제2지지부(P4)의 길이는 도 1에서 제1방향으로서, 서로 동일하거나 서로 다를 수 있다.
발명의 실시 예는 제2금속층(423)이 복수의 지지부(P3,P4)로 배치되므로, 조명 모듈 또는 회로기판(401)의 연성 특성을 개선시켜 줄 수 있다. 또한 상기 보호층(430)의 일부가 상기 제2금속층(423)의 지지부(P3,P4) 사이에 배치되므로, 상기 보호층(430)의 상면 높이를 상기 발광 다이오드(100)가 배치된 영역의 보호층(430) 상면 높이보다 낮게 배치될 수 있다. 이에 따라 돌기(P1)의 높이를 높게 하지 않더라도, 돌기(P1)의 상면과 보호층(430)의 상면 간의 높이 차이를 확보할 수 있는 효과가 있다.
도 6은 도 2 및 도 4의 조명 모듈의 제3변형 예이다. 도 6를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성은 선택적으로 적용될 수 있으며, 상기의 설명과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 조명 모듈은 금속층(420)에 복수의 개구부(Rb) 및 복수의 지지부(P3,P4)를 구비할 수 있다. 상기 금속층(420)은 발광 다이오드(100) 하부에 배치된 제1금속층(421)과, 상기 돌기(P1) 하부에 배치된 제2금속층(423)을 포함할 수 있다. 상기 제2금속층(423)은 복수의 지지부(P3,P4)와 복수의 개구부(Rb)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 지지부(P3,P4)는 도 5의 설명을 참조하기로 한다.
상기 복수의 개구부(Rb)는 상기 복수의 지지부(P3,P4) 사이에 각각 배치될 수 있다. 상기 복수의 개구부(Rb)는 상기 보호층(430) 및 상기 제2금속층(423)이 제거된 영역일 수 있다. 상기 개구부(Rb)의 높이는 상기 보호층(430)의 상면부터 상기 절연층(410)의 상면 사이의 간격일 수 있다. 상기 개구부(Rb)에는 상기 수지층(450)의 돌출부(R3)가 배치될 수 있다. 상기 수지층(450)의 돌출부(R3)는 상기 개구부(Rb)에 배치되어, 상기 지지부(P3,P4)의 측면과 상기 돌기(P1)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 수지층(450)의 최 하단은 상기 돌기(P1)의 하면보다 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 수지층(450)의 최 하단은 상기 제2금속층(423)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 돌출부(R3)의 높이는 상기 금속층(420)의 두께와 보호층(430)의 두께의 합보다 클 수 있다. 이러한 수지층(450)의 돌출부(R3)가 상기 제2금속층(423) 내에 연장되므로, 상기 조명모듈의 연성 특성을 강화할 수 있다. 상기 수지층(450)의 돌출부(R3)를 통해 광 누설을 방지하기 위해, 상기 절연층(410)의 표면에는 반사 층 또는 흡수층이 배치되거나, 상기 절연층(410)이 반사 재질의 층일 수 있다. 다른 예로서, 상기 제2금속층(423)이 부분 에칭으로 제거되어, 상기 제2금속층(423)의 에칭된 영역 상에 상기 수지층(450)의 일부가 배치될 수 있다. 즉, 상기 에칭된 영역은 상기 지지부(P3,P4) 사이의 영역으로서, 상기 지지부의 두께의 40% 내지 60%의 범위일 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 확산층(460)은 수지층(450) 상에 단층 또는 다층 구조일 수 있다. 이러한 확산층에 의해 면광원 광 분포가 균일하게 제공될 수 있다.
도 7은 도 2 및 도 4의 조명 모듈의 제4변형 예이다. 도 6을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성은 선택적으로 적용될 수 있으며, 상기의 설명과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 7를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 조명 모듈은, 수지층(450) 상에 차광부(465) 및 확산층(460)을 포함할 수 있다.
상기 차광부(465)는 상기 확산층(460)의 하면에서 상기 발광 다이오드(100)와 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 차광부(465)는 도 1의 발광 다이오드(100) 상에 각각 배치되거나, 도 8의 발광 다이오드(100,100A) 상에 각각 배치될 수 있다.
상기 차광부(465)는 상기 발광 다이오드(100) 상에서 상기 발광 다이오드(100)의 상면 면적의 50% 이상 예컨대, 50% 내지 120%의 범우일 수 있다. 상기 차광부(465)는 백색 재질로 인쇄된 영역을 통해 형성될 수 있다. 상기 차광부(465)는 예컨대, TiO2, Al2O3 CaCO3, BaSO4, Silicon 중 어느 하나를 포함하는 반사잉크를 이용하여 인쇄할 수 있다. 상기 차광부(465)는 상기 발광 다이오드(100)의 광 출사면을 통해 출사되는 광을 반사시켜 주어, 상기 발광 다이오드(100) 상에서 광의 광도로 인한 핫 스팟 발생을 줄여줄 수 있다. 상기 차광부(465)는 차광잉크를 이용하여 차광 패턴을 인쇄할 수 있다. 상기 차광부(465)는 상기 확산층(465)의 하면에 인쇄되는 방식으로 형성될 수 있다. 상기 차광부(465)는 입사되는 광을 100% 차단하지 않고 투과율이 반사율보다 낮을 수 있어, 광을 차광 및 확산의 기능으로 수행할 수 있다. 상기 차광부(465)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 동일한 패턴 형상 또는 서로 다른 패턴 형상일 수 있다.
상기 차광부(465)의 크기는 상기 발광 다이오드(100)의 상면 면적의 50% 이상 예컨대, 50% 내지 200%의 범위로 배치되어, 입사된 광을 차광시켜 줄 수 있다. 이에 따라 외부에서 발광 다이오드(100)의 영역 상에서의 핫 스팟을 줄일 수 있어, 전 영역에 균일한 광 분포를 제공할 수 있다.
도 8은 도 1의 조명 모듈의 다른 예로서, 회로기판(401)의 서로 반대측 측면에 제1발광 다이오드(100)와 제2발광 다이오드(100A)가 서로 지그 재그로 배치되어, 전 영역에 광 분포가 균일하게 제공되도록 할 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 다이오드(100,100A)는 서로 대면하지 않는 영역 상에 배치되어, 회로기판(401)의 반대측 영역에서의 광도 저하를 억제할 수 있다.
도 9는 도 1의 조명 모듈의 다른 예로서, 회로기판(401) 상에 배치된 복수의 돌기(P1)는 제1방향으로 긴 길이를 가질 수 있다. 이때 제1방향으로 긴 길이를 갖는 돌기(P1)는 복수개가 서로 이격될 수 있다. 상기 제1방향으로 배치된 각 돌기(P1)들 사이에는 분리부(435)가 배치될 수 있다. 상기 분리부(435)는 상기 제1방향으로 배치된 각 돌기(P1)들을 서로 분리시켜 줄 수 있다. 상기 분리부(435) 간의 간격은 상기 발광 다이오드(100) 간의 간격과 동일하거나 클 수 있다. 상기 분리부(435) 간의 간격은 10mm 이하일 수 있으며, 예컨대 5mm 내지 10mm의 범위일 수 있다. 상기 분리부(435)는 상기 보호층(430)의 재질과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 복수의 반사부(R1)와 연결될 수 있다. 상기 분리부(435)는 제1방향의 폭이 상기 반사부(R1)의 폭과 동일한 폭을 가질 수 있다. 상기 분리부(435)의 길이는 제2방향으로 상기 복수의 돌기(P1) 사이에 긴 길이로 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에서 조명 모듈의 돌기(P1)는 제1방향으로 배치된 복수개가 긴 길이로 배치되므로, 상기 제1방향의 돌기(P1)들 사이에 분리부(435)가 각각 배치될 수 있다. 또한 제2방향의 돌기(P1)들 사이에 반사부(R1)가 배치될 수 있다. 상기 분리부(435)와 상기 반사부(R1)은 보호층(430)의 일부일 수 있다. 이러한 보호층(430)을 이용하여 돌기(P1)의 제2 방향과 제1방향의 둘레에 배치되도록 하여, 상기 돌기(P1)를 지지 및 보호하고 광 반사 효율의 저하를 방지할 수 있다.
실시 예에 따른 조명 모듈은, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 정지등(Stop lamp), 차폭등, 주간 주행등과 같은 각 종 차량 조명 장치, 표시 장치, 신호등에 적용될 수 있다.
도 10은 발명의 실시 예에 따른 조명 모듈에서 발광 다이오드가 배치된 정면도이고, 도 11은 도 11의 조명 모듈의 다른 측 면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는 캐비티(20)를 갖는 몸체(10), 상기 캐비티(20) 내에 복수의 리드 프레임(30,40), 및 상기 복수의 리드 프레임(30,40) 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩(71)을 포함한다. 이러한 발광 다이오드(100)는 측면 발광형 패키지로 구현될 수 있다.
상기 발광 다이오드(100)는 X축 방향의 길이가 Y축 방향의 두께보다 3배 이상 예컨대, 4배 이상일 수 있다. 상기 X축 방향의 길이는 2.5mm 이상 예컨대, 2.7mm 내지 4.5mm 범위일 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 X축 방향의 길이를 길게 제공함으로써, X축 방향으로 상기 발광 다이오드들을 배열될 때, 발광 다이오드 패키지(100)의 개수를 줄여줄 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 두께를 상대적으로 얇게 제공할 수 있어, 상기 발광 다이오드(100)를 갖는 조명 모듈의 두께를 줄여줄 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)의 두께는 2mm 이하일 수 있다.
상기 발광 다이오드(100)의 몸체(10)는 바닥에 리드 프레임(30,40)이 노출된 캐비티(20)가 배치되며, 상기 몸체(10)에는 복수의 리드 프레임(30,40) 예컨대, 제1리드 프레임(30), 및 제2리드 프레임(40)이 결합된다.
상기 몸체(10)는 절연 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 발광 칩으로부터 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질 또는 반사 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(10)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 백색 계열의 수지를 포함한다. 상기 몸체(10) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(10)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(10)는 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 몸체(10)는 반사 물질 예컨대, 금속 산화물이 첨가된 수지 재질을 포함할 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 몸체(10)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(10)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다.
상기 몸체(10)의 측면들을 보면, 회로기판(401)과 대응되는 하면과, 상기 하면의 반대측 상면과, 광이 출사되는 출사면을 갖는 전면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(10)의 전면은 상기 회로기판(401)의 수평한 상면과 수직한 면으로 제공될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(30)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 배치된 제1리드부(31), 상기 몸체(10)의 하면의 제1외곽 영역에 배치된 제1본딩부(32), 상기 몸체(10)의 일측면 상에 배치된 제1방열부(33)를 포함한다. 상기 제1본딩부(32)는 상기 몸체(10) 내에서 상기 제1리드부(31)로부터 절곡되고 하면으로 돌출되며, 상기 제1방열부(33)는 상기 제1본딩부(32)로부터 절곡될 수 있다.
상기 제2리드 프레임(40)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 배치된 제2리드부(41), 상기 몸체(10)의 하면의 제2외곽 영역에 배치된 제2본딩부(42), 상기 몸체(10)의 다른 측면에 배치된 제2방열부(43)를 포함한다. 상기 제2본딩부(42)는 상기 몸체(10) 내에서 상기 제2리드부(41)로부터 절곡되며, 상기 제2방열부(43)는 상기 제2본딩부(42)로부터 절곡될 수 있다.
상기 제1,2리드부(31,41) 사이의 간극부는 상기 몸체(10)의 재질로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(20)의 바닥과 동일한 수평 면이거나 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 발광 칩(71)은 예컨대, 제1리드 프레임(30)의 제1리드부(31) 상에 배치될 수 있으며, 제1,2리드부(31,41)에 와이어로 연결되거나, 제1리드부(31)에 접착제로 연결되고 제2리드부(41)에 와이어로 연결될 수 있다. 이러한 발광 칩(71)은 수평형 칩, 수직형 칩, 비아 구조를 갖는 칩일 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 플립 칩 방식으로 탑재될 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 자외선 내지 가시광선의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대, 자외선 또는 청색 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 II-VI족 화합물 및 III-V족 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaP, AlN, GaAs, AlGaAs, InP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 다이오드(100)의 캐비티(20) 내에 배치된 발광 칩(71)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다.
상기 몸체(10)의 캐비티(20)에는 몰딩 부재(81)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(81)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지를 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81) 또는 상기 발광 칩(71) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(71)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 양자점, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(81)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 캐비티(20) 상에 형광체를 갖는 투광성 필름이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몸체(10)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 다이오드(100)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다. 상기 몸체(10) 또는 어느 하나의 리드 프레임 상에는 수광 소자, 보호 소자 등의 반도체 소자가 탑재될 수 있으며, 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.
상기 발광 다이오드(100)의 제1 및 제2리드부(33,43)는 상기 회로기판(401)의 전극 패턴(213,215)에 전도성 접착 부재(203,205)인 솔더 또는 전도성 테이프로 본딩된다.
실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 유닛은, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 방향 지시등(turn signal lamp), 후진등(back up lamp), 제동등(stop lamp), 주간 주행등(Daytime running right), 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scarf), 리어 콤비네이션 램프 등에 적용 가능하다. 예컨대, 도 34의 차량 상에서, 램프 유닛이 주간 주행등, 후진등, 방향 지시등과 같은 램프에 적용되어 중심 광도를 증가시켜 줄 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 발광 다이오드
400: 조명 모듈
401: 회로 기판
410: 절연층
420: 금속층
421: 제1금속층
423: 제2금속층
430: 보호층
460: 확산층
P1: 돌기
R1: 반사부

Claims (9)

  1. 금속층 및 상기 금속층 상에 보호층을 갖는 회로 기판;
    상기 회로 기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 발광 다이오드;
    상기 회로 기판 상에 제1방향으로 긴 길이를 갖는 복수의 금속성 돌기; 및
    상기 회로 기판 상에 상기 발광 다이오드 및 상기 금속성 돌기를 덮는 수지층을 포함하며,
    상기 금속층은 상기 발광 다이오드 아래에 배치된 제1금속층; 및 상기 제1금속층으로부터 분리되며 상기 금속성 돌기 아래에 배치된 제2금속층을 포함하며,
    상기 보호층과 상기 금속성 돌기는 상기 제2금속층 상에서 상기 제1방향과 직교되는 제2방향으로 교대로 배치되는 조명 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호층은 상기 복수의 금속성 돌기 사이에 배치된 복수의 반사부를 포함하며,
    상기 복수의 금속성 돌기는 서로 이격되는 조명 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 복수의 반사부는 상기 수지층 아래에서 상기 금속성 돌기의 상면보다 낮게 배치되며,
    상기 수지층의 일부는 상기 복수의 금속성 돌기 사이에 배치되는 조명 모듈.
  4. 제3항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 상기 수지층의 제1측면에 인접하게 배치되며,
    상기 발광 다이오드는 내부에 발광 칩과, 상기 수지층의 제1측면의 반대측 제2측면과 대면하게 배치된 출사면을 포함하며,
    상기 금속성 돌기의 상면은 상기 보호층의 상면으로부터 상기 보호층과 상기 발광 칩 사이의 간격보다 낮은 조명 모듈.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속성 돌기는 상면이 볼록한 곡면을 포함하며,
    상기 금속성 돌기는 상기 회로 기판의 제1방향의 길이의 70% 이상의 길이를 갖고 제2방향으로 복수개가 배열되는 조명 모듈.
  6. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2금속층은 상기 복수의 금속성 돌기와 상기 복수의 반사부 아래에 단일 플레이트로 배치되는 조명 모듈.
  7. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2금속층은 상기 금속성 돌기와 각각 대응되는 복수의 지지부를 포함하는 조명 모듈.
  8. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 제1방향으로 긴 길이를 갖는 금속성 돌기를 서로 분리하며 제1방향으로 긴 길이를 갖는 분리부를 포함하는 조명 모듈.
  9. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속성 돌기는 Ag-Sn계, Cu-Sn계, Au-Sn계, 또는 Sn-Ag-Cu계 중 적어도 하나를 포함하는 조명 모듈.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102561582B1 (ko) * 2022-04-01 2023-08-01 주식회사 금호에이치티 슬림 면광원 및 슬림 면광원 제조방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113900301A (zh) 2021-09-24 2022-01-07 佛山市国星光电股份有限公司 一种光源模组及背光显示模组

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08129174A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Kyocera Corp 液晶表示装置用照明装置
US5980054A (en) * 1996-05-09 1999-11-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Panel-form illuminating system
JPH10282343A (ja) 1996-11-25 1998-10-23 Konica Corp 導光板及び面光源装置
JP2000315414A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置のバックライト装置
JP4325207B2 (ja) 2003-02-06 2009-09-02 日亜化学工業株式会社 面発光装置
KR100601461B1 (ko) 2003-12-03 2006-07-14 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 솔더 레지스트 패턴 형성 방법
JP3976757B2 (ja) 2004-08-16 2007-09-19 Ｎｅｃディスプレイソリューションズ株式会社 照明装置及び投射型表示装置
US20060246233A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light diffusion film, anti-reflection film, polarizing plate and image display device
US7478930B2 (en) 2006-01-12 2009-01-20 Samsung Corning Precision Glass Co., Ltd. Backlight unit with an oxide compound-laminated optical layer
CN100543539C (zh) 2006-06-02 2009-09-23 群康科技(深圳)有限公司 半穿半反式液晶显示器制造方法
JP2008052940A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Citizen Electronics Co Ltd 導光板及びその製造方法とその導光板を用いたバックライトユニット
BRPI0718453A2 (pt) 2006-09-19 2013-11-26 Koninkl Philips Electronics Nv Sistema de iluminação, luminária, e, dispositivo de exibição
GB2443849A (en) 2006-11-20 2008-05-21 Sharp Kk Backlight and display
CN101191860A (zh) 2006-11-30 2008-06-04 林清彬 二合一导光板
KR100948397B1 (ko) * 2007-07-31 2010-03-19 주식회사 옵토필 발광다이오드를 이용한 면발광 조명장치
JP2009229877A (ja) 2008-03-24 2009-10-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 集光層付き光拡散板
JP5225744B2 (ja) * 2008-05-08 2013-07-03 林テレンプ株式会社 自動車用照明装置並びに導光体及びその製造方法
JP5210061B2 (ja) * 2008-07-10 2013-06-12 株式会社小糸製作所 灯具
TWI391752B (zh) * 2009-03-24 2013-04-01 Au Optronics Corp 具熱隔離層之背光模組及顯示裝置
EP2470952B1 (en) * 2009-08-27 2016-02-10 LG Electronics Inc. Backlight unit and display device
KR101693657B1 (ko) 2010-04-16 2017-01-06 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR101091304B1 (ko) 2010-01-20 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
TWI625555B (zh) * 2010-03-26 2018-06-01 友輝光電股份有限公司 具有光準直及擴散結構的光學基板
KR101130450B1 (ko) 2010-05-06 2012-03-27 주식회사 디에스 조명 시스템
CN102374493A (zh) 2010-08-16 2012-03-14 深圳帝光电子有限公司 一种导光板、背光源及照明装置
KR20120026369A (ko) 2010-09-09 2012-03-19 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 제조방법
JP5449274B2 (ja) 2011-03-25 2014-03-19 シャープ株式会社 照明装置、および表示装置
JP5747712B2 (ja) 2011-07-25 2015-07-15 セイコーエプソン株式会社 照明装置、液晶表示装置および電子機器
CN103133918B (zh) 2011-11-23 2015-11-11 财团法人工业技术研究院 面光源以及可挠性面光源
KR101943447B1 (ko) 2012-02-23 2019-01-29 엘지이노텍 주식회사 조명 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
CN102679243B (zh) 2012-05-15 2014-10-08 深圳市华星光电技术有限公司 背光模块及显示装置
JP2014032919A (ja) 2012-08-06 2014-02-20 Panasonic Corp 照明器具
CN104181697A (zh) 2013-05-28 2014-12-03 群创光电股份有限公司 显示装置及其发光模块
US10533850B2 (en) 2013-07-12 2020-01-14 Magic Leap, Inc. Method and system for inserting recognized object data into a virtual world
KR102224459B1 (ko) 2014-02-05 2021-03-08 엘지이노텍 주식회사 입체조명장치 및 이를 이용하는 차량조명장치
JP2016181394A (ja) 2015-03-24 2016-10-13 大日本印刷株式会社 面光源装置
KR101811005B1 (ko) * 2015-09-25 2017-12-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 패키지를 포함하는 조명 장치
US10069050B2 (en) 2015-09-25 2018-09-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package including the device, and lighting apparatus including the package
JP6468600B2 (ja) 2015-11-30 2019-02-13 大口マテリアル株式会社 Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
FR3051541B1 (fr) 2016-05-18 2020-04-17 Valeo Vision Projecteur a led a dioptre creant coupure pour vehicules
CN106154398A (zh) * 2016-07-27 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种侧入式背光模组及显示装置
JP6868388B2 (ja) * 2016-12-26 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102561582B1 (ko) * 2022-04-01 2023-08-01 주식회사 금호에이치티 슬림 면광원 및 슬림 면광원 제조방법
KR20230142304A (ko) * 2022-04-01 2023-10-11 주식회사 금호에이치티 슬림 면광원 및 슬림 면광원 제조방법

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