KR20190047968A - Display Device - Google Patents

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KR20190047968A
KR20190047968A KR1020170142385A KR20170142385A KR20190047968A KR 20190047968 A KR20190047968 A KR 20190047968A KR 1020170142385 A KR1020170142385 A KR 1020170142385A KR 20170142385 A KR20170142385 A KR 20170142385A KR 20190047968 A KR20190047968 A KR 20190047968A
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display device
light blocking
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조흥주
권상현
이의준
정용범
서두원
박정권
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

According to an embodiment of the present specification, provided is a display device which comprises: a display panel including a display area; a cushion layer and a fingerprint sensor disposed in a lower part of the display panel; and a light blocking layer disposed between the cushion layer and the fingerprint sensor. The cushion layer includes a hole disposed in a lower part of the display area and the fingerprint sensor can be disposed in the hole to minimize a bezel area.

Description

표시장치 {Display Device}[0001]

본 명세서는 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표시영역에 배치되는 지문센서를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device including a fingerprint sensor disposed in a display area.

본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있다. 표시장치는 스마트폰(Smart Phone), 태블릿(Tablet), 랩탑컴퓨터(Laptop Computer), 모니터(Monitor), TV 등 다양한 전자장치에 적용되고 있다. As the era of information age approaches, there is a rapidly developing field of display devices that visually display electrical information signals. The display device is applied to various electronic devices such as a smart phone, a tablet, a laptop computer, a monitor, and a TV.

최근에는 이동통신 기술의 발달로 인해 스마트폰, 태블릿과 같은 휴대용 전자장치의 사용이 크게 늘어나고 있으며, 이와 같은 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. In recent years, the use of portable electronic devices such as smart phones and tablets has been greatly increased due to the development of mobile communication technology, and studies for developing performance such as thinning, light weight, and low power consumption for such display devices are continuing.

휴대용 표시장치에 사용되는 대표적인 표시장치 방식으로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device; FED), 전기습윤 표시장치(Electro-Wetting Display device; EWD) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device; OLED) 등을 들 수 있다. Representative display apparatuses used in a portable display device include a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (FED), an electro-wetting display device (EWD) And organic light emitting display devices (OLEDs).

유기발광 표시장치를 포함하는 전계발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하고, 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여 휴대용 표시장치에 광범위하게 활용되고 있다.An electroluminescent display device including an organic light emitting display device is a self-emissive display device, unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, so that the electroluminescent display device can be manufactured in a light and thin shape, But also has excellent color implementation, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), which are widely used in portable display devices.

전계발광 표시장치에는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)로 된 두 개의 전극 사이에 유기물을 사용한 발광층(Emissive Layer; EML)을 배치한다. 애노드에서의 정공(Hole)을 발광층으로 주입시키고, 캐소드에서의 전자(Electron)를 발광층으로 주입시키면, 주입된 전자와 정공이 서로 재결합하면서 발광층에서 여기자(Exciton)를 형성하며 발광한다. In the electroluminescence display device, an emissive layer (EML) using an organic material is disposed between two electrodes made of an anode and a cathode. When holes in the anode are injected into the light emitting layer and electrons in the cathode are injected into the light emitting layer, excited electrons and holes are recombined to form excitons in the light emitting layer.

최근 사용되는 휴대용 전자장치는 통신기능 이외에도 연락처, 통화내역, 메시지, 사진, 메모, 사용자의 웹 서핑 정보, 위치정보, 금융정보와 같은 개인정보를 함께 저장하게 되어 개인정보가 유출되는 것을 방지하기 위한 휴대용 전자장치 보안이 매우 중요하다. Recently used portable electronic device stores personal information such as a contact, a call history, a message, a photograph, a memo, a web surfing information of a user, location information, and financial information in addition to a communication function to prevent personal information from being leaked Portable electronic device security is very important.

휴대용 전자장치에 적용되는 다양한 보안기술 중에서 지문인증은 사용자의 생체 정보인 지문에 의해 휴대용 전자장치의 사용을 허가하여 높은 보안수준을 가지면서도 사용자 편의성을 만족시킬수 있다. Of various security technologies applied to portable electronic devices, fingerprint authentication permits the use of portable electronic devices by fingerprint, which is biometric information of a user, to satisfy user convenience while having high security level.

종래의 휴대용 전자장치에 적용되고 있는 지문센서는 홈버튼(Home Button)과 같은 휴대용 표시장치의 비표시영역인 베젤영역에 배치되고 있다. 하지만, 지문센서가 휴대용 전자장치의 비표시영역에 위치할 경우 휴대용 전자장치의 베젤사이즈가 증가되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 비표시영역이 아닌 표시장치의 표시영역에 지문센서를 배치하는 것이 바람직 하지만, 표시장치의 표시영역 배면에 지문센서를 배치할 경우 지문센서가 지문센서 상부의 사용자 지문을 인식하는데 문제가 발생될 수 있다.A fingerprint sensor applied to a conventional portable electronic device is disposed in a bezel area which is a non-display area of a portable display device such as a home button. However, if the fingerprint sensor is located in the non-display area of the portable electronic device, the bezel size of the portable electronic device may increase. Accordingly, it is preferable to arrange the fingerprint sensor in the display area of the display device other than the non-display area. However, when the fingerprint sensor is disposed on the backside of the display area of the display device, Lt; / RTI >

특히, 지문센서가 배치되는 영역 주위에 광이 노출되면 표시장치의 특성이 변화할 수 있고, 쉐도우 무라(Shadow Mura)라고 불리는 얼룩이 사용자에게 시인되는 문제가 발생될 수도 있어서 지문센서가 배치되는 영역 주위에 광이 노출되는 것을 방지하는 것이 중요하다. Particularly, when light is exposed around the area where the fingerprint sensor is disposed, the characteristics of the display device may change, and a problem that a smudge called a shadow mura is visible to the user may occur, It is important to prevent light from being exposed to light.

이에, 본 명세서의 발명자들은 휴대용 전자장지에 적용되는 지문센서를 표시장치의 표시영역에 배치하면서도 외부광에 의한 쉐도우 무라를 방지할 수 있는 새로운 구조의 표시장치를 발명하였다. Accordingly, the inventors of the present invention have invented a display device of a new structure capable of preventing shadow blur due to external light while arranging a fingerprint sensor applied to a portable electronic device in a display area of the display device.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 표시영역을 포함하는 표시패널, 표시패널 하부에 배치되는 쿠션층 및 지문센서와 쿠션층과 지문센서 사이에 배치되는 광차단층을 포함하며, 쿠션층은 표시영역 하부에 배치되는 홀을 포함한다.The display device according to the embodiment of the present invention includes a display panel including a display area, a cushion layer disposed under the display panel, and a light blocking layer disposed between the fingerprint sensor and the cushion layer and the fingerprint sensor, And a hole disposed at the lower portion.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 표시영역을 포함하는 표시패널을 형성하는 단계, 표시패널 하부에 홀을 포함하는 쿠션층을 배치하는 단계, 쿠션층의 홀 영역에 지문센서를 배치하는 단계, 쿠션층과 지문센서 사이에 광차단층을 형성하는 단계를 포함하여 제조한다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a display panel including a display area, a step of disposing a cushion layer including a hole under the display panel, a step of disposing a fingerprint sensor in a hole area of the cushion layer, And forming a light blocking layer between the cushion layer and the fingerprint sensor.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 지문센서를 표시영역에 배치하여 휴대용 전자장치의 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The display device according to the embodiment of the present invention has the effect of minimizing the bezel area of the portable electronic device by disposing the fingerprint sensor in the display area.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 지문센서가 배치되는 영역에서 외부광으로 발생될 수 있는 얼룩을 방지할 수 있는 효과가 있다.The display device according to the embodiment of the present invention has an effect of preventing stain that may be generated as external light in a region where the fingerprint sensor is disposed.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effect of the display device according to the embodiment of the present invention is not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.The scope of the claims is not limited by the matters described in the description of the specification, as the contents of the description in the problems, the solutions to the problems, and the effects described above do not specify the essential features of the claims.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.
도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.
도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 표시영역의 상세구조 단면도이다.
도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치가 포함되는 휴대용 전자장치의 평면도이다.
도 6은 본 명세서의 실시예에 따른 지문센서가 배치된 휴대용 전자장치의 의 단면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 명세서의 실시예에 따른 지문센서가 배치된 휴대용 전자장치의 제조공정 단면도이다.
1 is a block diagram of a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram of a pixel included in a display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a detailed sectional view of a display region of a display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view of a portable electronic device including a display device according to an embodiment of the present disclosure.
6 is a cross-sectional view of a portable electronic device in which a fingerprint sensor is disposed according to an embodiment of the present invention.
7A to 7D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a portable electronic device in which a fingerprint sensor is disposed according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 블록도이다. 1 is a block diagram of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 1에서 설명하는 표시장치는 전계발광 표시장치이지만, 이에 한정되지 않는다. The display device described in Fig. 1 is an electroluminescence display device, but is not limited thereto.

도 1을 참조하면, 전계발광 표시장치(100)는 영상처리부(110), 타이밍 컨트롤러(120), 데이터드라이버(130), 게이트드라이버(140) 및 표시패널(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an EL display device 100 includes an image processing unit 110, a timing controller 120, a data driver 130, a gate driver 140, and a display panel 150.

영상처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터인에이블신호(DE) 등을 출력한다. 영상처리부(110)는 데이터인에이블신호(DE) 외에도 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.The image processing unit 110 outputs a data enable signal DE together with a data signal DATA supplied from the outside. The image processing unit 110 may output at least one of a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal in addition to the data enable signal DE.

타이밍컨트롤러(120)는 영상처리부(110)로부터 데이터인에이블신호(DE) 또는 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍컨트롤러(120)는 구동신호에 기초하여 게이트드라이버(140)의 동작타이밍을 제어하기 위한 게이트타이밍 제어신호(GDC)와 데이터드라이버(130)의 동작타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍제어신호(DDC)를 출력한다. The timing controller 120 receives a data enable signal DE or a data signal DATA in addition to a drive signal including a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal from the image processing unit 110. The timing controller 120 generates a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driver 140 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 130 based on the drive signal. .

데이터드라이버(130)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터드라이버(130)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다.The data driver 130 samples and latches the data signal DATA supplied from the timing controller 120 in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 120 and converts the sampled data signal into a gamma reference voltage . The data driver 130 outputs the data signal DATA through the data lines DL1 to DLn.

게이트드라이버(140)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트드라이버(140)는 게이트라인들(GL1~GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. The gate driver 140 outputs a gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 120. The gate driver 140 outputs the gate signal through the gate lines GL1 to GLm.

표시패널(150)은 데이터드라이버(130) 및 게이트드라이버(140)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 화소(160)가 발광하면서 영상을 표시한다. 화소(160)의 상세구조는 도 2 및 도 3에서 설명한다.The display panel 150 displays an image while the pixel 160 emits light corresponding to the data signal DATA and the gate signal supplied from the data driver 130 and the gate driver 140. The detailed structure of the pixel 160 will be described in FIG. 2 and FIG.

도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a pixel included in a display device according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 설명하는 표시장치는 전계발광 표시장치이지만, 이에 한정되지 않는다. The display device described in Fig. 2 is an electroluminescence display device, but is not limited thereto.

도 2를 참조하면, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 보상회로(260) 및 발광소자(270)를 포함한다. 2, a pixel of the EL display device 200 includes a switching transistor 240, a driving transistor 250, a compensation circuit 260, and a light emitting element 270.

발광소자(270)는 구동 트랜지스터(250)에 의해 형성된 구동전류에 따라 발광하도록 동작한다.The light emitting element 270 operates to emit light in accordance with the driving current generated by the driving transistor 250.

스위칭 트랜지스터(240)는 게이트라인(220)을 통해 공급된 게이트신호에 대응하여 데이터라인(230)을 통해 공급되는 데이터신호가 커패시터(Capacitor)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. The switching transistor 240 performs a switching operation so that a data signal supplied through the data line 230 corresponding to the gate signal supplied through the gate line 220 is stored in the capacitor as a data voltage.

구동 트랜지스터(250)는 커패시터에 저장된 데이터전압에 대응하여 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동전류가 흐르도록 동작한다. The driving transistor 250 operates so that a constant driving current flows between the high potential power supply line VDD and the low potential power supply line GND in response to the data voltage stored in the capacitor.

보상회로(260)는 구동 트랜지스터(250)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상회로(260)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함한다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다. The compensation circuit 260 is a circuit for compensating the threshold voltage and the like of the driving transistor 250, and the compensation circuit 260 includes at least one thin film transistor and a capacitor. The configuration of the compensation circuit may vary widely depending on the compensation method.

그리고, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 커패시터 및 발광소자(270)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되며, 보상회로(260)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C 등으로 다양하게 형성할 수 있다.The pixel of the electroluminescence display device 200 is composed of a 2T (Transistor) 1C (capacitor) structure including a switching transistor 240, a driving transistor 250, a capacitor and a light emitting element 270, 260 can be additionally formed in the present invention, it can be formed into 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C and the like.

도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다. 3 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 3에서 설명하는 표시장치는 전계발광 표시장치이지만, 이에 한정되지 않는다. The display device described in Fig. 3 is an electroluminescence display device, but is not limited thereto.

도 3을 참조하면, 전계발광 표시장치(300)는 기판(310) 상에 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(Active Area; A/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(Non-active Area; N/A)을 포함한다.3, an electroluminescent (EL) display 300 includes a substrate 310, a thin film transistor (TFT), and a display area (A / A) A non-display area (N / A) that surrounds an edge of the edge of the display area A / A.

기판(310)의 비표시영역(N/A)에는 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 게이트구동부(390) 등과 같은 회로 및 스캔라인(Scan Line; S/L) 등과 같은 다양한 신호배선이 배치될 수 있다. 그리고, 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 회로는 기판(310) 상에 GIP(Gate in Panel)로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 기판(310)에 연결될 수도 있다. A circuit such as a gate driver 390 for driving the electroluminescence display device 300 and various signal wires such as a scan line (S / L) are formed in a non-display area N / A of the substrate 310 . The circuit for driving the electroluminescence display device 300 may be arranged in a GIP (Gate in Panel) on the substrate 310 or a substrate 310 in a TCP (Tape Carrier Package) or COF (Chip on Film) Lt; / RTI >

비표시영역(N/A)의 기판(310)의 일 측에 패드(395)가 배치된다. 패드(395)는 외부 모듈이 본딩되는(Bonded) 금속 패턴이다.A pad 395 is disposed on one side of the substrate 310 of the non-display area N / A. The pad 395 is a metal pattern to which the external module is bonded.

기판(310) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 기판(310)의 표시 영역(A/A)에 형성될 수도 있다. 또는, 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(370)은 구동회로 또는 게이트드라이버, 데이터드라이버 등을 연결하여 신호를 전달할 수 있다.   Various wirings are formed on the substrate 310. The wiring may be formed in the display area A / A of the substrate 310. [ Alternatively, the circuit wiring 370 formed in the non-display area N / A may transmit a signal by connecting a driving circuit, a gate driver, a data driver, or the like.

회로배선(370)은 도전성물질로 형성되며, 기판(310)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 회로배선(370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag) 과 마그네슘(Mg) 의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 회로배선(370)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄 (Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti) 3층구조로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The circuit wiring 370 is formed of a conductive material and may be formed of a conductive material having excellent ductility to reduce the occurrence of cracks when the substrate 310 is bent. For example, the circuit wiring 370 may be formed of a conductive material having excellent ductility such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), or the like and may be formed of various conductive materials And may be formed of any one of molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), and alloys of silver (Ag) . ≪ / RTI > The circuit wiring 370 may be formed of a multilayer structure including various conductive materials, for example, a three-layer structure of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium (Ti) But is not limited to.

도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 표시영역의 상세구조 단면도이다. 4 is a detailed sectional view of a display region of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 4에서 설명하는 표시장치는 전계발광 표시장치이지만, 이에 한정되지 않으며, 도 3에서 설명한 표시영역(A/A)의 상세구조에 대한 단면도이다. The display device shown in Fig. 4 is an electroluminescent display device, but is not limited thereto, and is a cross-sectional view of the detailed structure of the display area A / A described in Fig.

도 4를 참조하면, 기판(410)은 상부에 배치되는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 하며, 최근에는 플렉시블 특성을 가지는 연성의 물질로 이루어질 수 있으므로, 기판(410)은 플렉시블 기판일 수 있다. 예를 들면, 플렉시블 기판은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름형태일 수 있다. Referring to FIG. 4, the substrate 410 supports and protects the elements of the EL display device 400 disposed at the upper portion. In recent years, the substrate 410 may be made of a flexible material having a flexible characteristic, 410 may be a flexible substrate. For example, the flexible substrate may be in the form of a film comprising one of the group consisting of a polyester-based polymer, a silicon-based polymer, an acrylic polymer, a polyolefin-based polymer, and a copolymer thereof.

예를 들면, 기판(410)은 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT), 폴리실란 (polysilane), 폴리실록산 (polysiloxane), 폴리실라잔 (polysilazane), 폴리카르보실란 (polycarbosilane), 폴리아크릴레이트 (polyacrylate), 폴리메타크릴레이트 (polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트 (polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트 (polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트 (polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머 (COC), 사이클릭 올레핀 폴리머 (COP), 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리이미드 (PI), 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA), 폴리스타이렌 (PS), 폴리아세탈 (POM), 폴리에테르에테르케톤 (PEEK), 폴리에스테르설폰 (PES), 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE), 폴리비닐클로라이드 (PVC), 폴리카보네이트 (PC), 폴리비닐리덴플로라이드 (PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자 (PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머 (SAN) 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. For example, the substrate 410 may be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polysilane, polysiloxane, polysilazane, polycarbosilane, But are not limited to, polyacrylate, polymethacrylate, polymethylacrylate, polymethylmetacrylate, polyethylacrylate, polyethylmetacrylate, (CO), cyclic olefin polymer (COP), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyimide (PI), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polyacetal (POM), polyetheretherketone (PEEK), polyester sulfone (PES), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyvinyl chloride (PVC), polycarbonate (PVDF), perfluoroalkyl polymer (PFA), styrene acrylonitrile polymer (SAN), and combinations thereof.

기판(410) 상에 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 기판(410)을 통한 수분이나 다른 불순물의 침투를 방지하며, 기판(410)의 표면을 평탄화할 수 있다. 그리고, 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(410)의 종류나 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)의 종류에 따라 삭제될 수도 있다. A buffer layer may be further disposed on the substrate 410. The buffer layer prevents penetration of moisture or other impurities through the substrate 410 and can flatten the surface of the substrate 410. The buffer layer is not necessarily required, and may be removed depending on the type of the substrate 410 and the type of the thin film transistor 420 disposed on the substrate 410.

기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)는 게이트전극(422), 소스전극(424), 드레인전극(426) 및 반도체층(428)을 포함한다.The thin film transistor 420 disposed on the substrate 410 includes a gate electrode 422, a source electrode 424, a drain electrode 426, and a semiconductor layer 428.

반도체층(428)은 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 화소 내에서 구동 박막 트랜지스터에 적용할 수 있는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The semiconductor layer 428 has a higher mobility than amorphous silicon or amorphous silicon and thus has low energy consumption and excellent reliability and can be applied to polycrystalline silicon ), But is not limited thereto.

그리고, 반도체층은 산화물(Oxide) 반도체로 구성할 수 있다. 산화물 반도체는 이동도와 균일도가 우수한 특성을 갖고 있다. 산화물 반도체는 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물 (InSnGaZnO) 계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물 (InGaZnO) 계 재료, 인듐 주석 아연 산화물 (InSnZnO) 계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물 (InAlZnO) 계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물 (SnGaZnO) 계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물 (AlGaZnO) 계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물 (SnAlZnO) 계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물 (InZnO) 계 재료, 주석 아연 산화물 (SnZnO) 계 재료, 알루미늄 아연 산화물 (AlZnO) 계 재료, 아연 마그네슘 산화물 (ZnMgO) 계 재료, 주석 마그네슘 산화물 (SnMgO) 계 재료, 인듐 마그네슘 산화물 (InMgO) 계 재료, 인듐 갈륨 산화물 (InGaO) 계 재료, 인듐 산화물 (InO) 계 재료, 주석 산화물 (SnO) 계 재료, 아연 산화물 (ZnO) 계 재료 등으로 반도체층(428)을 구성할 수 있으며, 각각의 원소의 조성 비율은 제한되지 않는다.The semiconductor layer may be formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor has characteristics of excellent mobility and uniformity. The oxide semiconductors include indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO) based materials which are quaternary metal oxides, indium gallium zinc oxide (InGaZnO) based materials which are ternary metal oxides, indium tin zinc oxide (InSnZnO) based materials, indium aluminum zinc oxide ) Based material, tin-gallium zinc oxide (SnGaZnO) -based material, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO) -base material, tin aluminum zinc oxide (SnAlZnO) -based material, bimetallic metal oxide indium zinc oxide (InZnO) An InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an AlGaN-based material, an SnZnO 3 -based material, an AlZnO 3 -based material, a ZnMgO 3 -based tin magnesium oxide material, The semiconductor layer 428 can be constituted by a material, an indium oxide (InO) based material, a tin oxide (SnO) based material, a zinc oxide (ZnO) The composition ratio of each element is not limited.

반도체층(428)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스영역(Source Region), 드레인영역(Drain Region), 및 소스영역 및 드레인영역 사이에 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스영역 및 드레인영역 사이에는 저농도 도핑영역을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 428 may include a source region including a p-type or an n-type impurity, a drain region, and a channel between the source region and the drain region, And may include a lightly doped region between the adjacent source and drain regions.

소스영역 및 드레인영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로, 박막 트랜지스터(420)의 소스전극(424) 및 드레인전극(426)이 각각 접속되는 영역이다. 불순물 이온은 p형 불순물 또는 n형 불순물을 이용할 수 있는데, p형 불순물은 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)중 하나일 수 있고, n형 불순물은 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 등에서 하나일 수 있다. The source region and the drain region are regions where the impurity is highly doped, and the source electrode 424 and the drain electrode 426 of the thin film transistor 420 are connected, respectively. The p-type impurity may be one of boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In), and the n-type impurity may be phosphorus P), arsenic (As) and antimony (Sb).

반도체층(428)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터가 적용가능하다.The semiconductor layer 428 may be doped with an n-type impurity or a p-type impurity depending on the structure of the NMOS or PMOS thin film transistor, and the thin film transistor included in the electroluminescence display according to an embodiment of the present invention may include an NMOS Or a PMOS thin film transistor is applicable.

제1 절연층(431)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성된 절연층이며, 반도체층(428)에 흐르는 전류가 게이트전극(422)으로 흘러가지 않도록 배치한다. 그리고, 실리콘산화물은 금속보다는 연성이 떨어지지만, 실리콘질화물에 비해서는 연성이 우수하며 그 특성에 따라 단일층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. The first insulating layer 431 is an insulating layer composed of a single layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) or a multilayer thereof and a current flowing in the semiconductor layer 428 flows into the gate electrode 422 . The silicon oxide is less ductile than the metal, but is superior in ductility to silicon nitride and can be formed into a single layer or a plurality of layers depending on the characteristics.

게이트전극(422)은 게이트라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(420)를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등이나, 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The gate electrode 422 serves as a switch for turning on or turning off the thin film transistor 420 based on an electric signal transmitted from the outside through the gate line, (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd) Or multiple layers, but is not limited thereto.

소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 데이터라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기신호가 박막 트랜지스터(420)에서 발광소자(440)로 전달되도록 한다. 소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are connected to the data line and electric signals transmitted from the outside are transmitted from the thin film transistor 420 to the light emitting element 440. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are formed of a conductive metal such as Cu, Al, Mo, Cr, Au, Ti, Ni, And neodymium (Nd), or an alloy thereof, and may be composed of a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층이나 다중층으로 구성된 제2 절연층(433)을 게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426) 사이에 배치할 수 있다.A second insulating layer 433 composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed to cover the gate electrode 422, the source electrode 424, and the drain electrode 426, And between the electrode 422 and the source electrode 424 and the drain electrode 426.

박막 트랜지스터(420) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층을 더 배치할 수도 있다. 페시베이션층은, 패시베이션층 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A passivation layer composed of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the thin film transistor 420. [ The passivation layer can prevent unnecessary electrical connection between the passivation layer constituents and prevent contamination or damage from the outside. The passivation layer can be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting element 440 You may.

박막 트랜지스터(420)는 박막 트랜지스터(420)를 구성하는 구성요소들의 위치에 따라 인버티드 스태거드(Inverted Staggered) 구조와 코플래너(Coplanar) 구조로 분류될 수 있다. 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터는 반도체층을 기준으로 게이트전극이 소스전극 및 드레인전극의 반대편에 위치한다. 도 4에서와 같이, 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)는 반도체층(428)을 기준으로 게이트전극(422)이 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 같은편에 위치한다. The thin film transistor 420 may be classified into an inverted staggered structure and a coplanar structure depending on the positions of the constituent elements of the thin film transistor 420. In the thin film transistor of the inverted staggered structure, the gate electrode is located on the opposite side of the source electrode and the drain electrode with respect to the semiconductor layer. 4, the thin film transistor 420 of the coplanar structure has the gate electrode 422 located on the same side of the source electrode 424 and the drain electrode 426 as the semiconductor layer 428 as a reference.

도 4에서는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)가 도시되었으나, 전계발광 표시장치(400)는 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.Although the thin film transistor 420 of the coplanar structure is illustrated in FIG. 4, the electroluminescent display 400 may include a thin film transistor of an inverted staggered structure.

설명의 편의를 위해, 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였며, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트배선으로부터 신호가 인가되면, 데이터 배선으로부터의 신호를 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드(442)로 전달하며, 애노드(442)로 전달되는 전류에 의해 발광을 제어한다.For convenience of explanation, only the driving thin film transistor among various thin film transistors included in the electroluminescence display device 400 is shown, and a switching thin film transistor, a capacitor, and the like may be included in the electroluminescence display device 400 as well. When a signal is applied from the gate wiring, the switching thin film transistor transfers a signal from the data wiring to the gate electrode of the driving thin film transistor. The driving thin film transistor transmits a current, which is transmitted through the power supply wiring, to the anode 442 by a signal received from the switching thin film transistor, and controls the light emission by the current transmitted to the anode 442.

박막 트랜지스터(420)를 보호하고 박막 트랜지스터(420)로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터(420)와 게이트라인 및 데이터 라인, 발광소자(440) 들 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시키기 위해서 박막 트랜지스터(420) 상에 평탄화층(435, 437)을 배치한다.The parasitic capacitance generated between the thin film transistor 420 and the gate line and the data line and the light emitting elements 440 is reduced by protecting the thin film transistor 420 and alleviating a step generated by the thin film transistor 420. [ The planarization layers 435 and 437 are disposed on the thin film transistor 420 in order to reduce capacitance.

평탄화층(435, 437)은 아크릴계 수지 (Acrylic Resin), 에폭시 수지 (Epoxy Resin), 페놀 수지 (Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지 (Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지 (Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지 (Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지 (Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지 (Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐 (Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The planarization layers 435 and 437 may be formed of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, an unsaturated polyester resin, But is not limited to, one or more of Unsaturated Polyesters Resin, Polyphenylene Resin, Polyphenylenesulfides Resin, and Benzocyclobutene.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)는 순차적으로 적층된 복수의 평탄화층(435, 437)인 제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)을 포함할 수도 있다. The electroluminescent display 400 according to the embodiment of the present invention may include a first planarization layer 435 and a second planarization layer 437 which are a plurality of planarization layers 435 and 437 sequentially stacked.

예를 들면, 박막 트랜지스터(420) 상에 제1 평탄화층(435)이 적층되어 배치되고, 제1 평탄화층(435) 상에 순차적으로 제2 평탄화층(437)이 적층되어 배치될 수 있다. For example, a first planarization layer 435 may be stacked on the thin film transistor 420, and a second planarization layer 437 may be sequentially stacked on the first planarization layer 435.

그리고, 제1 평탄화층(435) 상에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 제1 평탄화층(435) 상에 배치되는 구성요소를 보호하기 위해서 배치되며, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A buffer layer may be disposed on the first planarization layer 435. The buffer layer is disposed to protect the components disposed on the first planarization layer 435 and may be a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or a multiple layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide Layer, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting element 440. [

제1 평탄화층(435)에 형성되는 컨택홀(Contact Hole)을 통해서 중간전극(430)이 박막 트랜지스터(420)와 연결된다. 중간전극(430)은 박막 트랜지스터(420)와 연결되도록 적층되어 데이터라인도 복층 구조로 형성될 수 있다. The intermediate electrode 430 is connected to the thin film transistor 420 through a contact hole formed in the first planarization layer 435. The intermediate electrode 430 may be laminated to be connected to the thin film transistor 420, and the data line may be formed in a multi-layer structure.

그리고, 데이터라인은 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 동일한 물질로 이루어지는 하부층과 중간전극(430)과 동일한 물질로 이루어지는 층이 연결되는 구조로 형성될 수 있으므로, 두 개의 층이 서로 병렬 연결된 구조로 데이터라인이 구현될 수 있으므로, 데이터라인의 배선 저항이 감소될 수 있다.Since the data line can be formed in a structure in which the lower layer made of the same material as the source electrode 424 and the drain electrode 426 and the layer made of the same material as the intermediate electrode 430 are connected to each other, Since the data line can be implemented in a connected structure, the wiring resistance of the data line can be reduced.

제1 평탄화층(435) 및 중간전극(430) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층이 더 배치될 수도 있다. 패시베이션층은 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A passivation layer composed of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the first planarizing layer 435 and the intermediate electrode 430. [ The passivation layer may prevent unnecessary electrical connection between the components and prevent contamination or damage from the outside, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 발광소자(440)는 애노드(442), 발광부(444) 및 캐소드(446)를 포함한다.The light emitting element 440 disposed on the second planarization layer 437 includes an anode 442, a light emitting portion 444, and a cathode 446.

애노드(442)는 제2 평탄화층(437) 상에 배치될 수 있다. 애노드(442)는 발광부(444)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 제2 평탄화층(437)에 있는 컨택홀을 통해 중간전극(430)과 연결되며, 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The anode 442 may be disposed on the second planarization layer 437. The anode 442 is an electrode serving to supply holes to the light emitting portion 444 and is connected to the intermediate electrode 430 through a contact hole in the second planarization layer 437. The anode 442 is electrically connected to the thin film transistor 420, Lt; / RTI >

애노드(442)는 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The anode 442 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like, which is a transparent conductive material, but is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 캐소드(446)가 배치된 상부로 광을 발광하는 탑에미션(Top Emission)일 경우 발광된 광이 애노드(442)에서 반사되어 보다 원활하게 캐소드(446)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 반사층을 더 포함할 수 있다. When the electroluminescent display device 400 is in the top emission mode in which the cathode 446 is disposed, the emitted light is reflected by the anode 442 so that the cathode 446 is arranged more smoothly So that it can be emitted in the upward direction.

예를 들면, 애노드(442)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. For example, the anode 442 may be a two-layer structure in which a transparent conductive layer composed of a transparent conductive material and a reflective layer are sequentially stacked, or a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked, Silver (Ag) or an alloy containing silver.

애노드(442) 및 제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 뱅크(450)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 화소를 정의할 수 있다. 애노드(442) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진식각공정(Photolithography)에 의해 뱅크(450)를 형성한다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트(Positive Photoresist)와 네거티브형 포토레지스트(Negative photoresist)로 분류될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 증가되는 포토레지스트를 말하며, 포지티브형 포토레지스트를 현상하면 노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. 그리고, 네거티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되는 포토레지스트를 말하며, 네거티브형 포토레지스트를 현상하면 비노광부가 제거된 패턴이 얻어 진다. The bank 450 disposed on the anode 442 and the second planarization layer 437 can define a pixel by dividing a region that actually emits light. After the photoresist is formed on the anode 442, the bank 450 is formed by photolithography. A photoresist is a photosensitive resin whose solubility in a developer is changed by the action of light, and a specific pattern can be obtained by exposing and developing the photoresist. The photoresist can be classified into a positive photoresist and a negative photoresist. The positive type photoresist refers to a photoresist whose solubility in a developing solution of the exposed portion is increased by exposure. When the positive type photoresist is developed, a pattern in which the exposed portion is removed is obtained. The negative type photoresist is a photoresist which is greatly reduced in the solubility of the exposed portion in a developing solution upon exposure. When the negative type photoresist is developed, a pattern in which the non-exposed portion is removed is obtained.

발광소자(440)의 발광부(444)를 형성하기 위해서 증착마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용할 수 있다. 그리고, 뱅크(450) 상에 배치되는 증착마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 뱅크(450)와 증착마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 뱅크(450) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(Spacer; 452)를 배치할 수도 있다.A FMM (Fine Metal Mask) which is a deposition mask may be used to form the light emitting portion 444 of the light emitting element 440. In order to prevent damage that may occur in contact with the deposition masks disposed on the banks 450 and to maintain a certain distance between the banks 450 and the deposition masks, (Spacer) 452 made of one of a perovskite-mesoporous, a photoacid, a benzocyclobutene (BCB) may be disposed.

애노드(442)와 캐소드(446) 사이에는 발광부(444)가 배치된다. 발광부(444)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층, 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 전계발광 표시장치(400)의 구조나 특성에 따라 발광부(444)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. 여기서 발광층은 전계발광층 및 무기발광층을 적용하는 것도 가능하다.A light emitting portion 444 is disposed between the anode 442 and the cathode 446. The light emitting portion 444 emits light and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer, an electron transport layer (ETL) And an electron injection layer (EIL), and some components of the light emitting portion 444 may be omitted depending on the structure or characteristics of the electroluminescence display device 400. Here, the electroluminescent layer and the inorganic luminescent layer can be applied to the luminescent layer.

정공주입층은 애노드(442) 상에 배치하여 정공의 주입이 원활하게 하는 역할을 한다. 정공주입층은, 예를 들어, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine)중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. The hole injection layer is disposed on the anode 442, and serves to smoothly inject holes. The hole injection layer may be formed by, for example, HAT-CN (dipyrazino [2,3-f: 2 ', 3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -2,2'-dimethylbenzidine).

정공수송층은 정공주입층 상에 배치하여 발광층으로 원활하게 정공을 전달하는 역할을 한다. 정공수송층은, 예를 들어, NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2’,7,7’-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The hole transport layer is disposed on the hole injection layer and serves to smoothly transfer holes to the light emitting layer. The hole transporting layer may be formed of, for example, NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'- TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-dimethylamino) -9,9-spirofluorene) - (3-methylphenyl) -N, N'- , And MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) -triphenylamine).

발광층은 정공수송층 상에 배치되며 특정 색의 광을 발광할 수 있는 물질을 포함하여 특정 색의 광을 발광할 수 있다. 그리고, 발광물질은 인광물질 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. The light emitting layer is disposed on the hole transporting layer and can emit light of a specific color including a substance capable of emitting light of a specific color. The light emitting material may be formed using a phosphor or a fluorescent material.

발광층이 적색(Red)을 발광하는 경우, 발광하는 피크파장은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP(4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)중에서 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또는, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits red light, the peak wavelength of emitted light may be in the range of 600 nm to 650 nm, and CBP (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl) or mCP bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) (acetylacetonate) ) iridium, PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium), and PtOEP (octaethylporphyrin platinum). Or a fluorescent material containing PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or Perylene.

여기서, 피크파장(λmax)은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 발광층들이 고유의 광을 내는 파장을 PL(PhotoLuminescence)이라 하며, 발광층들을 구성하는 층들의 두께나 광학적 특성의 영향을 받아 나오는 광을 에미턴스(Emittance)라 한다. 이때, EL(ElectroLuminescence)은 전계발광 표시장치가 최종적으로 방출하는 광을 말하며, PL(PhotoLuminescence) 및 에미턴스(Emittance)의 곱으로 표현될 수 있다.Here, the peak wavelength? Max refers to the maximum wavelength of EL (Electroluminescence). The wavelength at which the light emitting layers forming the light emitting portion emit light intrinsically is referred to as PL (Photo Luminescence), and the light that is influenced by the thickness and optical characteristics of the layers constituting the light emitting layers is referred to as emittance. At this time, EL (Electroluminescence) refers to light finally emitted by the electroluminescence display device, and can be expressed by a product of PL (Photo Luminescence) and Emittance.

발광층이 녹색(Green)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 520nm 내지 540nm 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits green light, the peak emission wavelength may range from 520 nm to 540 nm, including a host material including CBP or mCP, and Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium Lt; RTI ID = 0.0 > Ir complex < / RTI > Further, it may be made of a fluorescent material containing Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum).

발광층이 청색(Blue)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium)를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits blue light, the peak emission wavelength may range from 440 nm to 480 nm, including a host material including CBP or mCP, and FIrPic (bis (3,5-difluoro-2 - (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium), and a phosphorescent material containing a dopant material such as spiro-DPVBi (4,4'-Bis -1-yl) biphenyl, DSA (1-4-di- [4- (N, N-di-phenyl) amino] styryl-benzene, PFO, polyphenylenevinylene Or a fluorescent material containing one of them.

발광층 상에 전자수송층을 배치하여 발광층으로 전자의 이동을 원활하게 한다. 전자수송층은, 예를 들어, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.An electron transporting layer is disposed on the light emitting layer to smooth the movement of electrons to the light emitting layer. The electron transport layer may be formed of, for example, Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD (2- (4-biphenyl) -5- (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) and BAlq (4-biphenyl) (bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum).

전자수송층 상에 전자주입층이 더 배치될 수 있다. 전자주입층은 캐소드(446)로부터 전자의 주입을 원활하게 하는 유기층으로, 전계발광 표시장치(400)의 구조와 특성에 따라서 생략될 수 있다. 전자주입층은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물일 수 있고, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상의 유기 화합물일 수 있다. An electron injection layer may further be disposed on the electron transporting layer. The electron injection layer is an organic layer that facilitates the injection of electrons from the cathode 446, and may be omitted depending on the structure and characteristics of the electroluminescence display device 400. The electron injection layer may be a metal inorganic compound such as BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O and BaO, and may be a dipyrazino [2,3-f: 2 ', 3'-h] quinoxaline- 6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine), and NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis May be one or more organic compounds.

발광층과 인접한 위치에 정공 또는 전자의 흐름을 저지하는 전자저지층(Electron Blocking Layer) 또는 정공저지층(Hole Blocking Layer)을 더 배치하여 전자가 발광층에 주입될때 발광층에서 이동하여 인접한 정공수송층으로 통과하거나 정공이 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 전자수송층으로 통과하는 현상을 방지하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.An electron blocking layer or a hole blocking layer blocking the flow of holes or electrons is disposed at a position adjacent to the light emitting layer so that when electrons are injected into the light emitting layer, they move from the light emitting layer to pass through the adjacent hole transporting layer It is possible to prevent the phenomenon that the holes migrate from the light emitting layer to the adjacent electron transporting layer when the holes are injected into the light emitting layer, thereby improving the light emitting efficiency.

캐소드(446)는 발광부(444) 상에 배치되어, 발광부(444)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 캐소드(446)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The cathode 446 is disposed on the light emitting portion 444 and serves to supply electrons to the light emitting portion 444. [ The cathode 446 may be formed of a metal material such as magnesium (Mg), silver-magnesium (Ag: Mg) or the like, which is a conductive material having a low work function, and is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 탑에미션 방식인 경우, 캐소드(446)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TiO) 계열의 투명 도전성 산화물일 수 있다.When the electroluminescent display device 400 is a top-mounted type, the cathode 446 is formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) Zinc oxide (ZnO), and tin oxide (TiO 2).

발광소자(440) 상에는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소인 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)가 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인해서 산화 또는 손상되는 것을 방지하기 위한 봉지부(460)를 배치할 수 있으며, 복수의 봉지층, 이물보상층 및 복수의 베리어필름(Barrier Film)이 적층되어 형성할 수 있다. The thin film transistor 420 and the light emitting element 440 which are components of the electroluminescence display device 400 are sealed on the light emitting element 440 with a bag for preventing oxidation or damage due to moisture, A plurality of sealing layers, a foreign material compensation layer, and a plurality of barrier films may be stacked.

봉지층은 박막 트렌지스터(420) 및 발광소자(440)의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The sealing layer is disposed on the upper surface of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440 and may be composed of one of silicon nitride (SiNx) or aluminum oxide (AlOz), which is an inorganic material.

봉지층 상에 배치되는 이물보상층 상에는 봉지층이 더 배치될 수 있다. An encapsulation layer may be further disposed on the foreign material compensation layer disposed on the encapsulation layer.

이물보상층은 봉지층 상에 배치되며, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)을 사용할 수 있으며, 이에 제한되지 않으며, 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량이 발생할 때 이물보상층에 의해서 굴곡 및 이물이 덮히면서 보상할 수 있다. The foreign material compensation layer is disposed on the sealing layer and may be an organic material such as silicon oxy carbon (SiOCz), acrylic or epoxy resin, but not limited thereto, When a defect occurs due to a foreign substance or a crack generated by a particle, the foreign substance compensating layer can compensate the foreign substance by covering the foreign object.

봉지층 및 이물보상층 상에 베리어필름을 배치하여 전계발광 표시장치(400)가 외부에서의 산소 및 수분의 침투를 지연시킬 수 있다. 베리어필름은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성되며, 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 구성될 수 있고, 또는 COP(Cyclolefin Polymer), COC(Cycloolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 구성된 베리어필름을 더 적층할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.A barrier film may be disposed on the sealing layer and the foreign material compensation layer so that the electroluminescent display device 400 can delay the penetration of oxygen and moisture from the outside. The barrier film may be formed of an insulating material selected from the group consisting of olefin series, acrylic series and silicon series, or COP (Cyclolefin A barrier film composed of any one of a polymer, a COC (Cycloolefin Copolymer), and a PC (Polycarbonate) may be further laminated, but the present invention is not limited thereto.

도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치가 포함되는 휴대용 전자장치의 평면도이다. 5 is a plan view of a portable electronic device including a display device according to an embodiment of the present disclosure.

도 5에서 설명하는 휴대용 전자장치는 스마트폰이지만, 이에 한정되지 않으며, 태블릿 또는 랩탑 컴퓨터 일 수도 있다.The portable electronic device described in FIG. 5 is a smartphone, but is not limited thereto, and may be a tablet or a laptop computer.

도 5를 참조하면, 휴대용 전자장치(500)는 외관을 이루는 케이스, 표시 장치, 음향출력 모듈, 이미지 센서, 조도 센서, 스피커, 마이크, 이어폰 포트, 및 충전 포트등 다양한 구성요소를 포함 할 수 있다.5, the portable electronic device 500 may include various components such as a case, a display device, an audio output module, an image sensor, an ambient light sensor, a speaker, a microphone, an earphone port, .

도 3에서 설명한 표시장치에서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역은 휴대용 전자장치(500)의 표시영역(A/A)에 배치되며, 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역은 휴대용 전자장치의 케이스 등이 위치하는 비표시영역(Non-active Area; N/A)으로 배치된다. A display area in which pixels actually emitting light are arranged in the display device described with reference to Fig. 3 is disposed in a display area A / A of the portable electronic device 500 and surrounds the periphery of the edge of the display area A / A The non-display area is disposed in a non-active area (N / A) where the case of the portable electronic device is located.

비표시영역(N/A)에 배치되는 케이스는 휴대용 전자장치의 전면, 측면, 및 배면을 커버하여 지지한다. 케이스는 플라스틱으로 형성될 수 있으며, 전면에는 표시장치, 음향출력 모듈, 카메라, 및 조도센서가 배치되고, 측면에는 마이크, 이어폰 포트 및 충전포트가 배치될 수 있다.The case disposed in the non-display area N / A covers and supports the front surface, the side surface, and the back surface of the portable electronic device. The case may be formed of plastic, and a display device, an audio output module, a camera, and an illuminance sensor may be disposed on the front surface, and a microphone, an earphone port, and a charging port may be disposed on the side surface.

그리고, 음향출력 모듈은 상대방과 통화시 상대방의 음성을 출력하는 수신 장치이며, 이미지 센서는 이미지를 촬영하기 위한 장치이다 조도센서는 입사되는 광의 양을 감지하여 표시장치의 휘도를 조정하며, 마이크는 상대방과 통화시 사용자의 음성의 음파를 전기신호로 변환하여 전송한다. 스피커는 휴대용 전자 장치에서 수행되는 기능 또는 어플리케이션과 관련된 음향 신호를 출력하며, 이어폰 포트는 이어폰을 꽂는 경우 이어폰으로 음향 신호를 출력한다. 충전 포트는 휴대용 전자장치의 배터리를 충전하기 위한 충전기가 연결되는 포트이다.The image sensor senses the amount of incident light and adjusts the luminance of the display device. The microphone outputs the sound signal to the microphone, Converts the sound wave of the user's voice into an electric signal and transmits it to the other party. The speaker outputs an acoustic signal related to a function or an application performed in the portable electronic device, and the earphone port outputs an acoustic signal to the earphone when the earphone is plugged in. The charging port is a port to which a charger for charging the battery of the portable electronic device is connected.

본 명세서의 실시예에 따른 휴대용 전자장치의 표시영역(A/A)의 일 영역에는 지문을 인식하기 위해서 지문센서가 배치되는 지문 센싱영역(S/A; Fingerprint Sensing Area)이 배치된다. 지문센싱영역의 구조에 대해서는 도 6 내지 도 7에서 상세히 설명한다.In one area of the display area A / A of the portable electronic device according to the embodiment of the present invention, a fingerprint sensing area (S / A) in which a fingerprint sensor is disposed is disposed to recognize a fingerprint. The structure of the fingerprint sensing area will be described in detail with reference to FIG. 6 to FIG.

도 6은 본 명세서의 실시예에 따른 지문센서가 배치된 휴대용 전자장치의 단면도이다. 6 is a cross-sectional view of a portable electronic device in which a fingerprint sensor is disposed according to an embodiment of the present invention.

도 6에서 설명하는 표시장치는 전계발광 표시장치이지만, 이에 한정되지 않으며, 도 5의 일부 구성요소는 도 1 내지 도 5에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하거나 유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The display device described with reference to FIG. 6 is an electroluminescence display device, but the present invention is not limited thereto. Some of the components in FIG. 5 are substantially the same as or similar to those described in FIGS. 1 to 5, and a detailed description thereof will be omitted.

도 6을 참조하면, 휴대용 전자장치(600)는 도 1 내지 도 5에서 설명한 표시장치(610)의 하부에는 쿠션층(620) 및 지문센서(650)를 배치하고, 표시장치(610)의 상부에는 커버글라스(Cover Glass, 670)를 배치한다. 6, the portable electronic device 600 includes a cushion layer 620 and a fingerprint sensor 650 disposed below the display device 610 described in FIGS. 1 to 5, A cover glass 670 is disposed.

휴대용 전자장치(600)를 사용할 때 표시장치(610)의 파손이나 스크래치(Scratch) 등을 방지하기 위해서 표시장치(610) 의 상부에 배치되는 커버글라스(670)는 강화 처리가 가능한 유리에 열 처리 또는 화학적 처리를 함으로써 압축응력과 내부의 인장능력을 향상시킨 강화유리 또는 강화 플라스틱 재질로 구성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 커버글라스(670)와 표시장치(610)는 투명한 접착레진(Optically Transparent Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Transparent Adhesive Film, OCA Film)으로 접착하여 고정할 수 있다. 그리고, 커버글라스(670)와 표시장치(610) 사이에 편광필름을 추가하여 외부광 반사로 인한 시인성저하를 방지할 수도 있다.The cover glass 670 disposed on the upper portion of the display device 610 in order to prevent breakage or scratch of the display device 610 when the portable electronic device 600 is used may be formed by heat treatment Or a reinforced glass or reinforced plastic material which is improved in compressive stress and tensile strength inside by chemical treatment, but is not limited thereto. The cover glass 670 and the display device 610 can be fixed by bonding with an optically transparent resin (OCR) or an optically transparent adhesive film (OCA film). Further, a polarizing film may be added between the cover glass 670 and the display device 610 to prevent a decrease in visibility due to external light reflection.

쿠션층(620)은 표시장치(610)의 하부에 배치되며, 외부로부터 충격이 표시 장치(610)에 가해지는 경우 충격을 완화시킨다. 그리고, 쿠션층(620)의 전면에 접착 물질을 도포하여 별도의 접착층 없이도 표시장치(610)의 하부에 고정될 수 있다.The cushion layer 620 is disposed under the display device 610 and alleviates an impact when an impact is applied to the display device 610 from the outside. An adhesive material may be applied to the entire surface of the cushion layer 620 to be fixed to the lower portion of the display device 610 without a separate adhesive layer.

쿠션층(620)의 상면 또는 하면에 방열층이 더 배치되어 표시장치(610) 으로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있다. 그리고, 쿠션층(610)은 열전도율이 높은 금속층, 예를 들어 그라파이트(Graphite)를 더 추가하여 구성할 수 있다. A heat dissipation layer may be disposed on the upper surface or the lower surface of the cushion layer 620 to effectively dissipate the heat generated from the display device 610. [ The cushion layer 610 can be formed by further adding a metal layer having a high thermal conductivity, for example, graphite.

도 5에서 설명한 것과 같이 표시장치(610)의 표시영역(A/A) 하부의 일부 영역에 지문센서(650)를 배치하기 위한 지문 센싱영역(S/A)이 배치되며, 지문 센싱영역(S/A)을 위한 홀이 쿠션층(620)에 형성된다. 그리고, 지문센싱영역(S/A)을 위한 홀은 사용자의 손가락 지문 크기보다 크며, 표시장치(610)의 하면이 노출되도록 형성된다. 5, a fingerprint sensing area S / A for disposing the fingerprint sensor 650 is disposed in a partial area below the display area A / A of the display device 610, and a fingerprint sensing area S / A is formed in the cushion layer 620. [ The hole for the fingerprint sensing area S / A is larger than the size of the fingerprint of the user, and is formed such that the lower surface of the display device 610 is exposed.

사용자의 지문을 인식하기 위한 지문센서(650)는 표시장치(610)의 하부의 지문센싱영역(S/A)에 배치한다. 그리고, 지문센서(650)는 광학식 또는 초음파식 지문센서를 배치할 수 있다.A fingerprint sensor 650 for recognizing the fingerprint of the user is disposed in the fingerprint sensing area S / A below the display device 610. The fingerprint sensor 650 may be an optical or ultrasonic fingerprint sensor.

광학식 지문센서는 소정의 광을 발광하는 광원을 사용자의 손가락으로 발광하여 손가락의 지문에서 반사된 광을 입력받아 전기적 신호로 변환하는 광학 센서를 통해서 사용자의 지문을 인식한다. 광원으로부터 발광된 광은 손가락의 지문의 마루와 골에서 반사 및 흡수되므로, 손가락의 지문패턴 정보가 지문센서 센싱된다. 초음파식 지문센서는 초음파를 사용자의 손가락으로 쏘게 되고, 손가락의 지문에서 반사되는 초음파의 크기를 통해 지문의 형상을 판단할 수 있다. The optical fingerprint sensor recognizes a fingerprint of a user through an optical sensor that emits a predetermined light and emits light with a finger of a user and converts the light reflected from the fingerprint of the finger into an electrical signal. Since the light emitted from the light source is reflected and absorbed by the floor and the valley of the fingerprint of the finger, the fingerprint sensor information of the fingerprint pattern information of the finger is sensed. The ultrasonic fingerprint sensor can shoot the ultrasonic waves with the user's finger and can determine the shape of the fingerprint through the size of the ultrasonic waves reflected from the fingerprint of the finger.

지문센서(650)는 상면에 투명한 접착 필름(OCA film) 또는 투명한 접착레진(OCR)로 구성되는 접착층(640)을 배치하여 표시장치(610)의 하면과 접착하여 고정할 수 있다.The fingerprint sensor 650 may be provided with an adhesive layer 640 composed of a transparent adhesive film (OCA film) or a transparent adhesive resin (OCR) on the upper surface thereof to be adhered and fixed to the lower surface of the display device 610.

지문센서(650) 가 배치되는 지문센싱영역(S/A)은 제조공정 마진을 위해서 지문센서(650)의 크기보다 더 크게 형성이 되며, 이에 따라 쿠션층(620)과 지문센서(650) 사이에는 광누설갭(G)이 생기게 된다. 지문센서(650)와 쿠션층(620) 사이의 광누설갭(G)으로 입사되는 광에 의해 표시장치(610)가 노출되면 표시장치(610)의 특성이 변화할 수 있고, 쉐도우 무라(Shadow Mura)라고 불리는 얼룩이 사용자에게 시인되는 문제가 발생될수 있다.A fingerprint sensing area S / A in which the fingerprint sensor 650 is disposed is formed to be larger than the size of the fingerprint sensor 650 for the manufacturing process margin so that the fingerprint sensor 650 is disposed between the cushion layer 620 and the fingerprint sensor 650 A light leakage gap G is generated. If the display device 610 is exposed by the light incident on the light leakage gap G between the fingerprint sensor 650 and the cushion layer 620, the characteristics of the display device 610 can be changed, Mura) may be recognized by the user.

이에 따라, 지문센서(650)와 쿠션층(620) 사이의 광누설갭(G) 영역에 수지(Resin) 재질로 구성된 광차단층(660)을 배치하여 광누설갭(G) 영역의 광 투과를 방지하면 표시장치(610)의 특성이 변화나, 쉐도우 무라(Shadow Mura)의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다. A light blocking layer 660 made of a resin material is disposed in the light leakage gap G between the fingerprint sensor 650 and the cushion layer 620 to transmit light in the light leakage gap G region It is possible to prevent the characteristics of the display device 610 from changing and the occurrence of shadow mura.

광차단층(660)은 광누설갭(G) 영역과 함께, 광누설갭(G)과 인접한 지문센서(650) 및 쿠션층(620)의 상부를 덮도록 배치하여 광의 투과를 방지할 수 있다. The light blocking layer 660 may be arranged to cover the upper portion of the fingerprint sensor 650 and the cushion layer 620 adjacent to the light leakage gap G together with the light leakage gap G region to prevent transmission of light.

광차단층은(660)은 광차단층 물질을 스프레이(Spray)로 분사하고 자외선의 경화에 의해 형성되며, 이에 따라 점도가 800cps 이하인 수지재질로 구성할 수 있다. 예를 들면, 수지재질은 아크릴 수지 또는 우레탄아크릴 수지일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 광차단층 물질에는 수지재질 외에 개시제(initiator) 및 알루미나수화물(hydrated alumina) 등이 더 포함될 수 있다. 그리고, 광투과율이 10% 이하가 되도록 검정염료 (Black Pigment)를 함께 첨가할 수 있다. 광차단층(660)의 두께는 10~100㎛일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The light blocking layer 660 may be formed of a resin material having a viscosity of 800 cps or less by spraying a light blocking layer material and curing the ultraviolet light. For example, the resin material may be an acrylic resin or a urethane acrylic resin, but is not limited thereto. The light blocking layer material may further include an initiator and a hydrated alumina in addition to the resin material. Black pigments may be added together so that the light transmittance is 10% or less. The thickness of the light blocking layer 660 may be 10 to 100 탆, but is not limited thereto.

광차단층(660)을 포함하는 휴대용 전자장치(600)의 제조공정은 도 7a 내지 도 7d에서 설명한다. The manufacturing process of the portable electronic device 600 including the light blocking layer 660 is described in Figs. 7A to 7D.

도 7a 내지 도 7d 는 본 명세서의 실시예에 따른 지문센서가 배치된 휴대용 전자장치의 제조공정 단면도이다.7A to 7D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a portable electronic device in which a fingerprint sensor is disposed according to an embodiment of the present invention.

도 7a 내지 도 7d의 일부 구성요소는 도 1 내지 도 6에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일하거나 유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 7A to 7D are substantially the same as or similar to those described in Figs. 1 to 6, and a detailed description thereof will be omitted.

도 7a를 참조하면, 표시장치(610)의 하부에 쿠션층(620)을 배치한다. 쿠션층(620)은 외부로부터 충격이 표시장치(610)에 가해지는 경우 충격을 완화시키며, 쿠션층(620)의 전면에 접착 물질을 도포하여 별도의 접착층 없이도 표시장치(610)의 하부에 고정될 수 있다.Referring to FIG. 7A, a cushion layer 620 is disposed under the display device 610. The cushion layer 620 is provided on the lower surface of the display device 610 without an additional adhesive layer by applying an adhesive material to the entire surface of the cushion layer 620 to relieve impact when an external impact is applied to the display device 610. [ .

쿠션층(620)은 표시장치(610)의 표시영역(A/A) 하부의 일부 영역에 지문센서(650)을 배치하기 위한 홀을 배치하며, 지문센싱영역(S/A)을 위한 홀은 표시장치(610)의 하면이 노출되도록 형성한다. The cushion layer 620 is provided with a hole for disposing the fingerprint sensor 650 in a partial area below the display area A / A of the display device 610 and the hole for the fingerprint sensing area S / And the lower surface of the display device 610 is exposed.

도 7b를 참조하면, 광학식 또는 초음파식 지문센서(650)를 지문센서(650)의 접착층(640)과 표시장치(610)의 하면과 접착하여 고정한다. 광학식 또는 초음파식 지문센서(650)는 표시장치(610)의 하부의 지문센싱영역(S/A)에 배치된다. 7B, the optical or ultrasonic fingerprint sensor 650 is adhered and fixed to the lower surface of the adhesive layer 640 of the fingerprint sensor 650 and the lower surface of the display device 610. The optical or ultrasonic fingerprint sensor 650 is disposed in the fingerprint sensing area S / A under the display device 610.

도 7c를 참조하면, 지문센서(650)와 쿠션층(620) 사이의 광누설갭(G) 영역과 일정하게 이격된 위치에 스프레이(Spray; S/P)를 배치하고, 스프레이(S/P)에서 수지(Resin) 재질의 물질을 분사하여 광차단층(660)을 형성한다. 이때, 광차단층(660)은 광누설갭(G) 영역과 함께, 광누설갭(G)과 인접한 지문센서(650) 및 쿠션층(620)의 상부를 덮는 영역에 스프레이(S/P)를 통해서 분사하여 도포된다. 광차단층(660)의 두께는 10~100㎛가 바람직하며, 스프레이(S/P)의 분사하는 속도나 압력에 따라서 달라질 수 있으므로, 광차단층(660)을 형성하기 위한 스프레이(S/P)의 분사 속도나 압력은 사전 실험을 통해 적절하게 결정될 수 있다. Referring to FIG. 7C, a spray (S / P) is disposed at a position spaced apart from the light leakage gap G region between the fingerprint sensor 650 and the cushion layer 620, A light blocking layer 660 is formed by spraying a material made of resin. At this time, the light blocking layer 660 includes a light leakage gap G and a spray (S / P) in a region covering the upper portion of the fingerprint sensor 650 and the cushion layer 620 adjacent to the light leakage gap G And then sprayed. The thickness of the light blocking layer 660 is preferably 10 to 100 μm and may vary depending on the spraying speed or pressure of the spray (S / P). Therefore, the thickness of the spray (S / P) for forming the light blocking layer 660 The injection rate or pressure can be determined appropriately through preliminary experiments.

도 7d를 참조하면, 형성된 광차단층(660)의 상부에 자외선(Ultral Violet; UV) 경화기를 통해서 방출되는 자외선(UV)을 통해서 수지(Resin) 재질의 광차단층(660)을 경화한다. 본 발명의 실시예에서는 광차단층(660)이 UV 경화성 수지인 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 예를 들어 열 경화성 수지일 수도 있다.7D, a light blocking layer 660 made of a resin material is cured through ultraviolet rays (UV) emitted through an ultraviolet (UV) curing unit on top of a formed light blocking layer 660. In the embodiment of the present invention, the light-blocking layer 660 is a UV-curable resin, but the present invention is not limited thereto. For example, it may be a thermosetting resin.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 표시영역을 포함하는 표시패널, 표시패널 하부에 배치되는 쿠션층 및 지문센서와 쿠션층과 지문센서 사이에 배치되는 광차단층을 포함하며, 쿠션층은 표시영역 하부에 배치되는 홀을 포함한다.The display device according to the embodiment of the present invention includes a display panel including a display area, a cushion layer disposed under the display panel, and a light blocking layer disposed between the fingerprint sensor and the cushion layer and the fingerprint sensor, And a hole disposed at the lower portion.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 표시영역 하면 및 벤딩영역 하면의 일측의 각각에 백플레이트가 더 배치되며, 각각의 백플레이트는 서로 대향한다.A back plate is further disposed on each of the display area bottom surface and the bending area lower surface of the display device according to the embodiment of the present invention, and the back plates oppose each other.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 표시패널과 지문센서 사이에는 접착층을 포함하며, 접착층에 의해 지문센서가 고정된다.Between the display panel of the display device and the fingerprint sensor according to the embodiment of the present invention, an adhesive layer is included, and the fingerprint sensor is fixed by the adhesive layer.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 접착층은 투명한 접착레진(Optically Transparent Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Transparent Adhesive Film, OCA Film) 중 하나로 구성된다.The adhesive layer of the display device according to the embodiment of the present invention is composed of one of an optically transparent resin (OCR) or an optically transparent adhesive film (OCA film).

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 쿠션층은 충격완화층 및 방열층으로 구성된다.The cushion layer of the display device according to the embodiment of the present invention is composed of a shock-absorbing layer and a heat-radiating layer.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층은 수지(Resin) 재질로 구성된다.The light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention is made of a resin material.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 수지(Resin) 재질은 자외선 경화 재질이다.The resin material of the display device according to the embodiment of the present invention is an ultraviolet curing material.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층은 검정염료 (Black Pigment)를 더 포함한다.The light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention further includes black pigment.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층의 광투과율은 10% 이하이다.The light transmittance of the light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention is 10% or less.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층은 쿠션층 및 지문센서의 상부를 덮도록 배치된다.The light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention is disposed so as to cover the upper portion of the cushion layer and the fingerprint sensor.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 표시영역을 포함하는 표시패널을 형성하는 단계, 표시패널 하부에 홀을 포함하는 쿠션층을 배치하는 단계, 쿠션층의 홀 영역에 지문센서를 배치하는 단계, 쿠션층과 지문센서 사이에 광차단층을 형성하는 단계를 포함하여 제조한다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a display panel including a display area, a step of disposing a cushion layer including a hole under the display panel, a step of disposing a fingerprint sensor in a hole area of the cushion layer, And forming a light blocking layer between the cushion layer and the fingerprint sensor.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 표시패널 상부에 커버글라스를 배치하는 단계를 더 포함하여 제조한다.The method further comprises disposing a cover glass on the display panel of the display device according to the embodiment of the present invention.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 지문센서를 배치하는 단계는 지문센서 상부 및 표시패널 하부에 배치되는 접착층에 의해 지문센서를 고정하는 단계를 포함하여 제조한다.The step of disposing the fingerprint sensor of the display device according to the embodiment of the present invention includes the step of securing the fingerprint sensor by the adhesive layer disposed above the fingerprint sensor and below the display panel.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 접착층은 투명한 접착레진(Optically Transparent Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Transparent Adhesive Film, OCA Film) 중 하나로 구성되도록 제조한다.The adhesive layer of the display device according to the embodiment of the present invention is fabricated to be composed of one of an optically transparent resin (OCR) or an optically transparent adhesive film (OCA film).

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층은 자외선 경화 재질로 구성되도록 제조한다.The light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention is fabricated to be made of a UV curing material.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층을 형성하는 단계는 지문센서 및 쿠션층 상부에서 스프레이로 분사하는 단계, 및 광차단층을 자외선에 의해 경화하는 단계를 포함하여 제조한다.The step of forming the light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention includes a step of spraying a fingerprint sensor and a cushion layer on top of the fingerprint sensor, and a step of curing the light blocking layer by ultraviolet rays.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층은 검정염료 (Black Pigment)를 더 포함하도록 제조한다.The light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention is manufactured to further include black pigment (Black Pigment).

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층의 광투과율은 10% 이하가 되도록 제조한다.The light transmittance of the light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention is made to be 10% or less.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 광차단층을 형성하는 단계는 쿠션층 및 지문센서의 상부를 덮도록 배치되는 단계를 포함하여 제조한다.The step of forming the light blocking layer of the display device according to the embodiment of the present invention includes a step of covering the upper portion of the cushion layer and the fingerprint sensor.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100, 200, 300, 400, 610: 표시장치
110: 영상처리부 120: 타이밍 컨트롤러
130: 데이터드라이버 140: 게이트드라이버
150: 표시패널 160: 화소
220: 게이트라인 230: 데이터라인
240: 스위칭트랜지스터 250: 구동트랜지스터
260: 보상회로
270, 440: 발광소자
310, 410: 기판
370: 회로배선 390: 게이트구동부
395: 패드
420: 박막트랜지스터 422: 게이트전극
424: 소스전극 426: 드레인전극
428: 반도체층
431: 제1 절연층 433: 제2 절연층
435: 제1 평탄화층 437: 제2 평탄화층
442: 애노드 444: 발광부
446: 캐소드 450: 뱅크
452: 스페이서 460: 봉지부
500, 600: 휴대용 전자장치
620: 쿠션층
650: 지문센서 640: 센서접착층
660: 광차단층
670: 커버글라스
A/A: 표시영역 N/A: 비표시영역
S/L: 스캔라인 S/A: 센싱영역
G: 광누설갭 S/P: 스프레이 장치
100, 200, 300, 400, 610: display device
110: image processor 120: timing controller
130: Data driver 140: Gate driver
150: display panel 160: pixel
220: gate line 230: data line
240: switching transistor 250: driving transistor
260: Compensation circuit
270, 440: Light emitting element
310, 410: substrate
370: circuit wiring 390: gate driver
395: Pad
420: thin film transistor 422: gate electrode
424: source electrode 426: drain electrode
428: Semiconductor layer
431: first insulation layer 433: second insulation layer
435: first planarization layer 437: second planarization layer
442: anode 444:
446: cathode 450: bank
452: spacer 460:
500, 600: Portable electronic device
620: Cushion layer
650: fingerprint sensor 640: sensor adhesive layer
660:
670: Cover Glass
A / A: display area N / A: non-display area
S / L: scan line S / A: sensing area
G: Light leakage gap S / P: Spray device

Claims (19)

표시영역을 포함하는 표시패널;
상기 표시패널 하부에 배치되는 쿠션층 및 지문센서; 및
상기 쿠션층과 상기 지문센서 사이에 배치되는 광차단층을 포함하며,
상기 쿠션층은 상기 표시영역 하부에 배치되는 홀을 포함하고, 상기 지문센서는 상기 홀에 배치되는, 표시장치
A display panel including a display area;
A cushion layer and a fingerprint sensor disposed under the display panel; And
And a light blocking layer disposed between the cushion layer and the fingerprint sensor,
Wherein the cushion layer includes a hole disposed below the display area, and the fingerprint sensor is disposed in the hole,
제1 항에 있어서,
상기 표시영역 하면 및 상기 벤딩영역 하면의 일측의 각각에 백플레이트가 더 배치되며, 상기 각각의 백플레이트는 서로 대향하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein a back plate is further disposed on each of the bottom surface of the display area and the bottom surface of the bending area, and the back plates are opposed to each other.
제1 항에 있어서,
상기 표시패널과 상기 지문센서 사이에는 접착층을 포함하며, 상기 접착층에 의해 상기 지문센서가 고정되는, 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the display panel includes an adhesive layer between the display panel and the fingerprint sensor, and the fingerprint sensor is fixed by the adhesive layer.
제3 항에 있어서,
상기 접착층은 투명한 접착레진(Optically Transparent Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Transparent Adhesive Film, OCA Film) 중 하나로 구성되는, 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the adhesive layer comprises one of an optically transparent resin (OCR) or an optically transparent adhesive film (OCA film).
제1 항에 있어서,
상기 쿠션층은 충격완화층 및 방열층으로 구성되는, 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the cushion layer is composed of a shock-absorbing layer and a heat-radiating layer.
제1 항에 있어서,
상기 광차단층은 수지(Resin) 재질로 구성되는, 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light blocking layer is made of a resin material.
제6 항에 있어서,
상기 수지(Resin) 재질은 자외선 경화 재질인, 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the resin material is an ultraviolet curing material.
제6 항에 있어서,
상기 광차단층은 검정염료 (Black Pigment)를 더 포함하는, 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the light blocking layer further comprises black pigment.
제8 항에 있어서,
상기 광차단층의 광투과율은 10% 이하인, 표시장치.
9. The method of claim 8,
And the light transmittance of the light blocking layer is 10% or less.
제1 항에 있어서,
상기 광차단층은 상기 쿠션층 및 상기 지문센서의 상부를 덮도록 배치되는, 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light blocking layer is disposed so as to cover the cushion layer and an upper portion of the fingerprint sensor.
표시영역을 포함하는 표시패널을 형성하는 단계;
상기 표시패널 하부에 홀을 포함하는 쿠션층을 배치하는 단계;
상기 쿠션층의 상기 홀 영역에 지문센서를 배치하는 단계;
상기 쿠션층과 상기 지문센서 사이에 광차단층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시장치 제조방법.
Forming a display panel including a display area;
Disposing a cushion layer including holes at the bottom of the display panel;
Disposing a fingerprint sensor in the hole area of the cushion layer;
And forming a light blocking layer between the cushion layer and the fingerprint sensor.
제11 항에 있어서,
상기 표시패널 상부에 커버글라스를 배치하는 단계를 더 포함하는, 표시장치 제조방법.
12. The method of claim 11,
Further comprising disposing a cover glass on the display panel.
제11 항에 있어서,
상기 지문센서를 배치하는 단계는 상기 지문센서 상부 및 상기 표시패널 하부에 배치되는 접착층에 의해 상기 지문센서를 고정하는 단계를 포함하는, 표시장치 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the step of disposing the fingerprint sensor includes fixing the fingerprint sensor by an adhesive layer disposed on the fingerprint sensor and the lower portion of the display panel.
제13 항에 있어서,
상기 접착층은 투명한 접착레진(Optically Transparent Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Transparent Adhesive Film, OCA Film) 중 하나로 구성되는, 표시장치 제조방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the adhesive layer is composed of one of an optically transparent resin (OCR) or an optically transparent adhesive film (OCA film).
제11 항에 있어서,
상기 광차단층은 자외선 경화 재질로 구성되는, 표시장치 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the light blocking layer is made of an ultraviolet curing material.
제11 항에 있어서,
상기 광차단층을 형성하는 단계는 상기 지문센서 및 상기 쿠션층 상부에서 스프레이로 분사하는 단계; 및 상기 광차단층을 자외선에 의해 경화하는 단계를 포함하는, 표시장치 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the step of forming the light blocking layer comprises the steps of: spraying the fingerprint sensor and the upper portion of the cushion layer with a spray; And curing the light blocking layer by ultraviolet light.
제15 항에 있어서,
상기 광차단층은 검정염료 (Black Pigment)를 더 포함하는, 표시장치 제조방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the light blocking layer further comprises black pigment.
제17 항에 있어서,
상기 광차단층의 광투과율은 10% 이하인, 표시장치 제조방법.
18. The method of claim 17,
Wherein the light transmittance of the light blocking layer is 10% or less.
제11 항에 있어서,
상기 광차단층을 형성하는 단계는 상기 쿠션층 및 상기 지문센서의 상부를 덮도록 배치되는 단계를 포함하는, 표시장치 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the forming of the light blocking layer includes disposing the cushion layer and the fingerprint sensor so as to cover the top of the fingerprint sensor.
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