KR20190040024A - Uv led 어레이용 후막을 포함하는 히트싱크 및 uv led 어레이 형성 방법 - Google Patents

Uv led 어레이용 후막을 포함하는 히트싱크 및 uv led 어레이 형성 방법 Download PDF

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KR20190040024A
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thick film
ultraviolet led
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led array
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KR1020197007653A
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윌리엄 이. 3세 존슨
다린 레온하르트
마흐무드 가라고즈루
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헤라우스 노블라이트 아메리카 엘엘씨
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Abstract

자외선 LED 어레이가 제공된다. 자외선 LED 어레이는 히트싱크를 포함한다. 히트싱크는 (i) 베이스 히트싱크 요소 및 (ii) 베이스 히트싱크 요소에 도포된 후막 층을 포함한다. 자외선 LED 어레이는 또한 히트싱크의 후막 층에 직접 결합된 복수의 자외선 LED 요소를 포함한다.

Description

UV LED 어레이용 후막을 포함하는 히트싱크 및 UV LED 어레이 형성 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2016 년 9월 16일자로 제출된 미국특허가출원 제62/395,690호의 이익을 주장하며, 그 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.
기술분야
본 발명은 자외선 발광 다이오드(UV LED) 어레이용 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 UV LED 어레이용 후막 층을 포함하는 히트싱크에 관한 것이다.
자외선 방사 LED(UV LED 또는 자외선 LED로도 알려짐)는 예를 들어 자외선 경화 응용예(예를 들어, 잉크의 자외선 경화, 접착제, 코팅 등과 같은 결합제 등)와 같이 많은 응용예와 관련하여 사용된다. UV LED 다이(예를 들어, 베어 UV LED 다이, 패키징된 UV LED 다이 등)로 지칭될 수 있는 UV LED는 기판에 부착되어 자외선 LED 어레이(UV LED 어레이라고도 함)를 형성한다.
자외선 LED 어레이 응용예에서의 하나의 과제는 어레이로부터 열을 제거하는 것이다. 히트싱크는 일반적으로 열 제거와 관련하여 사용된다. 종래의 히트싱크 구성을 포함하는 자외선 LED 어레이(100)가 도 1에 도시되어있다.
도 1의 구성에서, 복수의 자외선 LED 다이(112)(그룹으로 도시됨)가 기판(110)(예를 들어, FR4 기판, 알루미늄 나이트라이드 기판)에 부착된다. 솔더 페이스트 층(108)(예를 들어, 인듐 층)이 기판(110)과 금도금 구리판(106) 사이에 제공된다. 열 패드(104)가 금도금 구리판(106)과 히트싱크(102) 사이에 제공된다. 히트싱크(102)는 예를 들어, 공기 냉각을 위한 핀을 포함하는 알루미늄 히트싱크일 수 있다.
도 1의 자외선 LED 어레이(100)에 포함된 다양한 층들 때문에, 상대적으로 높은 열 저항이 존재하여, 자외선 LED 다이(112)로부터 히트싱크(102)로의 열 제거가 바람직하지 않게 비효율적이게 된다.
따라서, 자외선 LED 어레이를 위한 개선된 히트싱크를 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 자외선 LED 어레이가 제공된다. 자외선 LED 어레이는 히트싱크를 포함한다. 히트싱크는(i) 베이스 히트싱크 요소 및 (ii) 베이스 히트싱크 요소에 도포된 후막 층을 포함한다. 자외선 LED 어레이는 또한 히트싱크의 후막 층에 직접 결합된 복수의 자외선 LED 요소를 포함한다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따르면, 자외선 LED 어레이를 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법은 (a)베이스 히트싱크 요소의 표면에 후막 층을 선택적으로 도포하는 단계; (b) 상기 베이스 히트싱크 요소 및 상기 베이스 히트싱크 요소에 도포된 상기 후막 층을 소성하여 히트싱크를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 히트싱크의 후막 층에 직접 복수의 자외선 LED 요소를 부착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따르면, 자외선 LED 어레이를 형성하는 다른 방법이 제공된다. 이 방법은 (a) 베이스 히트싱크 요소의 표면에 후막 유전체 층을 선택적으로 도포하는 단계; (b) 단계(a)에서 상기 베이스 히트싱크 요소의 표면에 도포된 상기 후막 유전체 층에 후막 전도 층을 선택적으로 도포하는 단계; (c) 상기 단계(b)에서 상기 후막 유전체 층의 표면에 도포된 상기 후막 전도 층에 솔더 마스크 층을 선택적으로 도포하는 단계; 및 (d) 상기 솔더 마스크 층에 복수의 UV LED 요소를 부착하는 단계를 포함한다.
본 발명은 첨부된 도면과 관련하여 이하의 상세한 설명을 읽으면 가장 잘 이해될 것이다. 통상적인 실시에 따르면, 도면의 다양한 특징부들이 축적을 따르지 않음을 강조한다. 반대로, 다양한 특징부의 치수들이 명료성을 위해 임의로 확장되거나 축소된다. 도면에는 다음의 도가 포함된다.
도 1은 종래의 자외선 LED 어레이의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 자외선 LED 어레이의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 다른 자외선 LED 어레이의 분해 사시도이다.
도 4a 내지 도 4e는 도 2의 자외선 LED 어레이의 조립을 도시하는 일련의 블록도이다.
도 5 내지 도 6은 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 자외선 LED 어레이를 조립하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "자외선 LED 요소" 및 "UV LED 요소"는 기판에 연결될 자외선 LED 다이(예를 들어, 베어 다이(bare die), 패키징된 다이(die) 등)를 포함하는 임의의 자외선 LED광 생성 요소를 지칭하는 것으로 폭넓게 간주된다. 본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 히트싱크가 기판으로서 작용하도록 자외선 LED 요소가 히트싱크(예를 들어, 솔더 페이스트를 사용하여)에 직접 부착된다. 히트싱크는 공기 냉각된 자외선 LED 램프 헤드의 일부일 수 있다.
즉, 본 발명의 특정 예시적인 실시예에 따르면, 전도성 및 절연성 페이스트는 공기 냉각된 자외선 LED 램프 헤드에 대한 열적, 절연적 및 전기적 특성을 제공한다. 후막 기술은 도 1에 도시된 것과 같은 종래의 구성과 비교하여 자외선 LED 어레이의 구성을 단순화시키는데 사용될 수 있다. 후막 증착 기술을 사용하여, 자외선 LED 요소가 부착된 기판과 히트싱크를 결합하는 단일체(monolithic) 구조가 생성될 수 있다. 이러한 단일체 구조는 낮은 열 저항을 제공하여, 히트싱크(예를 들어, 공기 냉각된 히트싱크)를 사용한 효율적 열 제거를 가능하게 한다.
개선된 히트싱크/기판은 도 1에 도시된 것과 같은 종래의 구조와 비교하여 향상된 기계적, 열적 및 전기적 경로를 제공한다. 본 발명의 기술을 사용하여, 더 적은 부품 및 개선된 열 경로를 가진, 자외선 LED 어레이를 조립하는 보다 효율적인 방법이 제공된다. 베이스 히트싱크 요소(예를 들어, 베이스 히트싱크 요소가 알루미늄 또는 다른 히트싱크 물질로 형성될 수 있음)에 도포된 후막 페이스트는 바람직하게는 베이스 히트싱크의 열팽창 계수와 매우 가까운(또는 실질적으로 동등한) 열팽창 계수를 가질 수 있다 요소. 베이스 히트싱크 요소와 유사한 후막 층(베이스 히트싱크 요소에 일련의 층으로 도포될 수 있음)의 열팽창 계수로 인해, 장치의 장애 위험(장치의 솔더 조인트 포함)이 감소한다.
도 2는 자외선 LED 어레이(200)를 분해한 도면이다. 자외선 LED 어레이(200)는 베이스 히트싱크 요소(202)(가령, 공기 냉각을 위한 냉각 리지 또는 핀(202a), 등을 포함하는 알루미늄 요소)와, 다이 부착 LED(206)에 가장 가까운 베이스 히트싱크 요소(202)(즉, 배어 자외선 LED 다이 요소 또는 패키징된 자외선 LED 다이 요소와 같이 히트싱크에 도포될 복수의 자외선 LED 요소)의 표면에 도포될 후막 층(204)을 포함하는 히트싱크를 포함한다. 후막층(204)은 예를 들어, 인쇄(가령, 스크린 인쇄, 실크 스크린 인쇄, 등) 기술, 등을 이용하여, 선택적으로 도포될 수 있다. 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 후막층(204)은 다수의 인쇄 단계 및/또는 공정 단계들을 통해 일련의 층으로 도포될 수 있다.
도 2에서, 복수의 자외선 LED 요소(206)가 그룹으로 도시된다; 그러나, 다수의 자외선 LED 요소(206)가 임의의 바람직한 방식으로(예를 들어, "갱" 결합 또는 부착 프로세스, 등으로 한번에 다수의 요소씩, 한 번에 한 요소씩) 도포될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 도 2는 복수의 자외선 LED 요소(206)와 베이스 히트싱크 요소(202) 사이에 도포되는 후막 층(204)을 도시한다.
도 3은 본 발명의 자외선 LED 어레이(300)의 다른 예시적인 구성을 도시한다. 자외선 LED 어레이(300)는 알루미늄, 또는 히트싱크에 적합한 다른 재료로 형성될 수 있는 베이스 히트싱크 요소(302)를 포함한다. 도 3이 단순화된 베이스 히트싱크 요소를 도시하지만, 베이스 히트싱크 요소는 공기 냉각된 리지/핀 등을 포함하는 임의의 원하는 구성을 가질 수 있다. 후막 층(304)은 예를 들어 스크린 인쇄 기술을 사용하여 베이스 히트싱크 요소에 선택적으로 도포될 것이다. 후막 층(304)은, 예를 들어 인쇄된 도전 경로/트레이스가 히트싱크에 부착되는 복수의 자외선 LED 요소와 정렬되도록, 원하는 도전 경로를 갖도록 인쇄될 수 있다.
후막 층(304)이 베이스 히트싱크 요소(302)에 도포된 후(예를 들어, 오븐에서) 경화/소성되면, 히트싱크가 제공된다. 히트싱크는 복수의 자외선 LED 요소(306)를 수용하도록 구성된 기판으로서 작용하도록 구성된다. 자외선 LED 요소(306)는 솔더 페이스트(306b)를 사용하여 히트싱크(즉, 히트싱크의 후막 부분)에 부착된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 솔더 페이스트(306b)는 히트싱크에 부착되기 전에 각각의 자외선 LED 요소의 후면에 도포될 수 있다.
도 4a-4e는 본 발명의 실시형태들에 따라 자외선 LED 어레이(200)(가령, 도 2의 분해도에 도시된 어레이(200))를 조립하기 위한 예시적인 접근법을 예시하는 일련의 블록도이다. 도 4a에서, 베이스 히트싱크 요소(202)가 제공된다. 유전체 층(204a)이, 예를 들어 스크린 프로세스(예를 들어, 실크 스크린 프로세스, 등)를 이용하여 베이스 히트싱크 요소(202)의 표면에 도포된다. 도 4a의 유전체 층(204a)의 도포 후에, 전도 층(204b)이 도 4b에 도시된 바와 같이 도포된다. 예를 들어, 전도성 층(204b)은 스크리닝 프로세스(예를 들어, 실크 스크리닝 프로세스 등)를 사용하여 (베이스 히트싱크 요소(202)에 도포된) 유전체 층(204a) 상에 도포될 수 있다. 도 4b의 전도 층(204b)의 도포 후, 솔더 마스크 층(204c)이 도 4c에 도시된 바와 같이 도포된다. 예를 들어, 스크리닝 프로세스(예를 들어, 실크 스크리닝 프로세스 등)를 사용하여 솔더 마스크 층(204c)이 (베이스 히트싱크 요소(202)에 도포된 유전체 층(204a)에 도포된) 전도 층(204b)에 도포될 수 있다.
예시적인 후막을 포함하는 3개의 층(즉, 유전체 층(204a), 전도 층(204b) 및 솔더 마스크 층(204c))의 도포 후에, (베이스 히트싱크 요소(202) 및 3 개의 도포 층(204a, 204b 및 204c)을 포함하는) 히트싱크는, 3 개의 층(204a, 204b 및 204c)이 이제 후막 층(204)(예를 들어, 도 4d 참조)을 형성하도록 경화/소성될 수 있다(예를 들어, 오븐, 등에서). 다음으로, 도 4d에 도시된 바와 같이, 복수의 자외선 LED 요소(206)가 현재 경화된 후막 층(204) 상에 도포된다. 자외선 LED 요소(206)(간단히하기 위해 도시되지 않은 솔더 페이스트를 포함할 수 있음)는 임의의 바람직한 방식으로(가령, 갱 본딩/부착 프로세스, 등으로, 한번에 한 요소씩, 픽 앤드 플레이스 처리로) 도포될 수 있다. 도 4e는 (i) 히트싱크(베이스 히트싱크 요소(202) 및 베이스 히트싱크 요소에 도포된 후막 층(204)을 포함) 및 (ii) 복수의 자외선 LED 요소(206)를 포함하는 완전 조립된 자외선 LED 어레이(200)를 도시한다.
도 5-6은 본 발명의 소정의 예시적인 실시예에 따른 흐름도이다. 당업자에게 이해되는 바와 같이, 흐름도에 포함된 특정 단계는 생략될 수 있다. 특정 추가 단계가 추가될 수 있다. 단계들의 순서는 예시된 순서로부터 변경될 수 있다.
도 5는 자외선 LED 어레이를 형성하는 방법을 도시한다. 단계(500)에서, 후막 층이 베이스 히트싱크 요소(예를 들어, 공기 냉각을 위한 냉각 리지/핀을 포함하는 알루미늄 히트싱크 요소)의 표면에 선택적으로 (예를 들어 스크린 인쇄 등을 사용하여) 도포된다. 예를 들어, 후막 층은 도 4a-4d와 관련하여 전술한 기술을 이용하여 도포될 수 있다. 단계(502)에서, 베이스 히트싱크 요소 및 베이스 히트싱크 요소에 도포된 후막 층을 소성하여 히트싱크를 형성한다. 따라서, (복수의 자외선 LED 요소를 수용하기 위한) 기판 및 (복수의 자외선 LED에 의해 생성된 열을 제거하기 위한) 히트싱크로서 작용할 단일체 구조(가령, 베이스 히트싱크 요소(202) 및 후막 층(204)을 포함하는 도 4d에 도시된 히트싱크)가 제공된다. 단계(504)에서, 예를 들어 솔더 페이스트(예를 들어, 인듐 솔더 페이스트)를 사용하여 복수의 자외선 LED 요소(가령, 도 4d에 도시된 자외선 LED 요소(206))가 히트싱크의 후막 층에 직접 부착된다. .
도 6은 자외선 LED 어레이를 형성하는 또 다른 방법을 도시한다. 단계(600)에서, 후막 유전체 층이 베이스 히트싱크 요소의 표면에 선택적으로 도포된다(예를 들어, 도 4a의 베이스 히트싱크 요소(202)의 표면에 부착되는 층(204a) 참조). 단계(602)에서, 후막 유전체 층이 도포된 베이스 히트싱크 요소가 소성된다(예를 들어, 오븐, 등의 내에서 경화됨). 단계(604)에서, 후막 전도 층은 단계(600)에서 베이스 히트싱크 요소의 표면에 도포된 후막 유전체 층에 선택적으로 도포된다(예를 들어, 도 4b의 층(204a)에 도포된 층(204b) 참조). 단계(606)에서, 후막 유전체 층 및 거기에 도포된 후막 전도성 층을 갖는 베이스 히트싱크 요소가 소성된다(예를 들어, 오븐 내에서 경화 됨). 단계(608)에서, 솔더 마스크 층은 단계(604)에서 후막 유전체 층에 도포된 후막 전도 층에 선택적으로 도포된다(예컨대, 도 4c의 층(204b)에 도포된 층(204c) 참조). 단계(610)에서, 후막 유전체 층, 후막 전도성 층 및 솔더 마스크 층이 도포된, 베이스 히트싱크 요소가 소성된다(예를 들어, 오븐 내에서 경화 됨). 단계(610)가 완료된 후에, 베이스 히트싱크 요소(예를 들어, 도 4a에 도시된 요소(202)) 및 그에 도포된 후막 층(예를 들어, 도 4a-4c에서 층(204a, 204b 및 204c)을 포함하는 후막 층(204))을 포함하는 히트싱크가 형성되었다. 단계(612)에서, 복수의 UV LED 요소가 히트싱크의 후막에 부착된다(예를 들어, 도 4e의 후막 층(204)에 도포된다). 특히, 복수의 UV LED 요소는 솔더 마스크 층에(또는 후막 층의 솔더 마스크 층을 통한 후막 층에) 직접 부착되는 것으로 간주될 수 있다.
다수의 이점이 본 발명의 다양한 예시적인 실시예를 통해 달성된다. 종래의 자외선 LED 어레이 조립체에 이용된 조립체 일부가 생략될 수 있다는 초기 이점이 제공된다. 단일체 구조는 히트싱크 기능뿐만 아니라 기판 기능이 단일 히트싱크 요소에 결합되어, 향상된 기계적, 열적 및 전기적 경로를 가능하게 한다. 특히, 예를 들어, 본 발명의 인터페이스가 실질적으로 감소된 두께(예를 들어, 마이크로인치(mils) 대 마이크로미터 정도)를 가질 수 있기 때문에, 종래의 히트싱크 인터페이스와 비교하여 개선된 열 성능이 제공된다.
후막 층을 형성하는데 사용되는 페이스트는 바람직하게는 (예를 들어, 알루미늄의 열팽창 계수에 가까운) 베이스 히트싱크 요소의 열팽창 계수에 매우 근접한 열팽창 계수를 가질 수 있다. 후막 기술은 예를 들어 PCB 제조를 위한 산업 표준 기술을 사용하여 도포될 수 있으며, 따라서 대량 생산되고 자동화될 수 있다. 이러한 단순화된 제조 방법은 레이어를 함께 결합하기 위해 상당한 수작업 단계가 필요한 기존 디자인의 "다층 스택"과는 뚜렷한 대조를 이룬다.
본 발명의 자외선 LED 어레이(도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같음)와 비교하여 (도 1에 도시된 바와 같은) 종래의 자외선 LED 어레이의 테스트는 본 발명의 자외선 LED 어레이의 소정의 개선된 특성을 도시한다. 예를 들어, 동일한 전류 및 전압이 도 1의 어레이 대 도 2-4의 어레이에 인가될 때, 발명의 어레이의 피크 온도가 종래의 어레이보다 훨씬 낮다(예를 들어, 약 20 ℃ 낮다). 이러한 보다 낮은 온도는 본 발명의 자외선 LED 어레이가 보다 높은 전력 출력(및 결과적으로 자외선 LED 어레이로부터의 보다 높은 자외선 출력)에서 작동되도록한다.
자외선 LED 어레이에 관한 특정 세부 사항은 간략화를 위해 본 출원에서 생략된다는 것이 당업자에 의해 인식될 것이다. 예를 들어, 자외선 LED 어레이는 히트싱크 상의 자외선 LED 요소 각각에 대한 전기 접촉 영역(예를 들어, 트레이스, 패드 등)을 포함할 것이다.
비록 본 발명이 주로 자외선 LED 어레이 조립체를 참조하여 설명되고 설명되었지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명의 교시는 또한 열 관리를 이용하는 고전류 드라이버 조립체에 적용될 수 있다.
본 발명은 특정 실시예를 참조하여 설명되고 설명되었지만, 본 발명은 도시된 세부 사항들로 제한되도록 의도되지 않는다. 오히려, 청구 범위와 균등한 범위 및 범위 내에서, 본 발명으로부터 벗어남이 없이, 다양한 변형이 세부적으로 이루어질 수 있다.

Claims (20)

  1. (i) 베이스 히트싱크 요소 및 (ii) 상기 베이스 히트싱크 요소에 도포된 후막 층을 포함하는 히트싱크와,
    상기 히트싱크의 후막 층에 직접 결합된 복수의 자외선 LED 요소를 포함하는,
    자외선 LED 어레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 LED 요소는 솔더 페이스트를 사용하여 상기 히트싱크의 후막 층에 직접 결합되는, 자외선 LED 어레이.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 솔더 페이스트는 인듐을 포함하는, 자외선 LED 어레이.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 자외선 LED 요소는 전도성 에폭시를 사용하여 상기 히트싱크의 후막 층에 직접 결합되는, 자외선 LED 어레이.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 히트싱크 요소가 알루미늄인 자외선 LED 어레이.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 히트싱크 요소 및 상기 후막 층의 열팽창 계수가 실질적으로 동일한, 자외선 LED 어레이.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 후막 층은 스크리닝 프로세스를 사용하여 상기 베이스 히트싱크 요소에 도포되는, 자외선 LED 어레이.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 베이스 히트싱크 요소 및 상기 후막 층을 포함하는 상기 히트싱크는 상기 베이스 히트싱크 요소에 상기 후막 층을 도포한 후에 소성되는, 자외선 LED 어레이.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 자외선 LED 어레이는 공기 냉각된 UV LED 램프 헤드 인, 자외선 LED 어레이.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 자외선 LED 요소는 노출된(bare) 반도체 다이 LED 요소인, 자외선 LED 어레이.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 자외선 LED 요소는 패키징된 반도체 다이 LED 요소인, 자외선 LED 어레이.
  12. (a) 베이스 히트싱크 요소의 표면에 후막 층을 선택적으로 도포하는 단계;
    (b) 상기 베이스 히트싱크 요소 및 상기 베이스 히트싱크 요소에 도포된 상기 후막 층을 소성하여 히트싱크를 형성하는 단계; 및
    (c) 복수의 UV LED 요소를 히트싱크의 후막 층에 직접 부착하는 단계를 포함하는
    자외선 LED 어레이 형성 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 단계 (c)는 솔더 페이스트를 사용하여 상기 복수의 UV LED 요소를 상기 히트싱크의 후막 층에 직접 부착하는 단계를 포함하는, 방법.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 단계 (c)는 인듐을 포함하는 솔더 페이스트를 사용하여 상기 복수의 UV LED 요소를 상기 히트싱크의 후막 층에 직접 부착하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 단계 (c)는 전도성 에폭시를 사용하여 상기 복수의 UV LED 요소를 상기 히트싱크의 후막 층에 직접 부착하는 단계를 포함하는, 방법.
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 단계 (a)는 스크리닝 공정을 이용하여 상기 베이스 히트싱크 요소의 표면에 상기 후막 층을 선택적으로 도포하는 단계를 포함하는, 방법.
  17. 제 12 항에 있어서, 상기 형성된 자외선 LED 어레이는 공기 냉각된 UV LED 램프 헤드인, 방법.
  18. 제 12 항에 있어서, 상기 단계 (a)는
    (a1) 상기 베이스 히트싱크 요소의 표면에 유전체 층을 도포하는 단계와,
    (a2) 상기 유전체 층에 전도 층을 도포하는 단계와,
    (a3) 상기 전도 층에 솔더 마스크를 도포하는 단계
    를 포함하는 일련의 단계들을 통해 베이스 히트싱크 요소의 표면에 후막층을 도포하는 단계를 포함하는, 방법.
  19. 제 12 항에 있어서, 상기 단계 (c)에서 부착된 상기 복수의 자외선 LED 요소는 노출된 반도체 다이 LED 요소인, 방법.
  20. (a) 베이스 히트싱크 요소의 표면에 후막 유전체 층을 선택적으로 도포하는 단계;
    (b) 단계 (a)에서 상기 베이스 히트싱크 요소의 표면에 도포된 상기 후막 유전체 층에 후막 전도 층을 선택적으로 도포하는 단계;
    (c) 상기 단계 (b)에서 상기 후막 유전체 층의 표면에 도포된 상기 후막 전도 층에 솔더 마스크 층을 선택적으로 도포하는 단계; 및
    (d) 상기 솔더 마스크 층에 복수의 UV LED 요소를 부착하는 단계를 포함하는,
    자외선 LED 어레이 형성 방법.
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