KR20190033562A - 전기 부품용 소켓 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 간단한 구조로, 압압 부재(40)의 압압부(42)의 압하 상태가 해제될 때, 압압부(42)를 상승시키고, 소켓 본체(10a)에 수용된 전기 부품(11)에 접촉하지 않게 할 수 있는 전기 부품용 소켓(10)을 제공하는 것을 과제로 한다. 전기 부품용 소켓(10)의 조작부에, 조작 부재 본체(45)를 일방향으로 회동시키는 것에 의해 상기 조작 부재 본체(45)를 통하여 회동되어져, 상기 압압부(42)에 형성된 피압하부(42a)를 하방으로 압압하여 상기 압압부(42)를 눌러 내리고, 이에 의해 수용부에 수용된 상기 전기 부품(11)에 압압시키는 압하 캠(47e)과, 상기 조작 부재 본체(45)를 역방향으로 회동시키는 것에 의해 상기 조작 부재 본체(45)를 통하여 회동되어져, 상기 압압부(42)에 형성된 피 압상부 (42b)를 상방으로 압압하고, 이에 의해 상기 압압부(42)를 밀어 올려 상기 수용부에 수용된 상기 전기 부품(11)으로부터 이간시키는 압상 캠(47f)을 설치한다.

Description

전기 부품용 소켓

본 발명은, 배선 기판 상에 설치되어, 반도체 장치(이하 「IC 패키지」라고 함) 등의 전기 부품의 시험 등을 행하기 위해 이 전기 부품을 수용하는, 전기 부품용 소켓에 관한 것이다.

종래, IC 패키지를 착탈(着脫) 가능하게 수용하여, 그 IC 패키지의 동작 시험을 행하기 위한 IC 소켓이 있다.

그와 같은 IC 소켓 중에는, IC 패키지를 수용하는 소켓 본체의 상방에 배치되어 IC 패키지를 압압(押壓)하는 압압 부재를 가지고 있는 것이 있다. 또한, 이와 같은 압압 부재로서는, IC 패키지와 맞닿는 압압부가, 압압 부재의 프레임 형상의 본체에 대하여 상하 이동 가능하게 형성되어 있는 것이 있다.

이와 같은 압압부는, 시험 시에는 소정의 조작에 의해 하방으로 눌러 내릴 수 있어서 IC 패키지를 압압하는 상태로 되고, 시험을 행하고 있지 않을 때는 하방으로의 누름 상태가 해제되어 IC 패키지를 압압하지 않는 상태로 된다.

여기에서, 종래의 IC 소켓에는, 누름 상태를 해제되어 있을 때에도, 압압부가 그 중량에 의해, 압압 상태와 같은 정도의 위치까지 내려간 상태로 유지되는 것이 있다. 이와 같은 IC 소켓에서는, 소켓 본체에 IC 소켓을 수용한 채의 상태에서, 압압부를 상승시키려고 했을 때, 그 압압부가 IC 패키지에 충돌되어 버릴 우려가 있었다.

이에 대하여, 압압부를 가압 부재로 상방으로 가압하는 것에 의해, 압하(押下) 상태가 해제되어 있을 때에 상기 압압부가 하강하는 것을 방지한 IC 소켓이 제안되고 있다(특허문헌 1 참조).

일본공개특허 제2015-125984호 공보

그러나, 압압 해제 상태의 압압부를 상방으로 가압하기 위해 가압 부재를 설치하는 것은, IC 소켓의 구성의 복잡화나 부품수의 증가를 초래한다.

본 발명은, 압압의 압하 상태가 해제되어 있을 때에 상기 압압부가 하강하지 않는 전기 부품용 소켓을, 간단한 구조이면서 적은 부품수로 제공하는 것을 과제로 하고 있다.

이러한 과제를 달성하기 위해, 본 발명에 관한 전기 부품용 소켓은, 전기 부품이 착탈 가능하게 수용되는 수용부를 가지는 소켓 본체와, 상기 소켓 본체의 상기 수용부에 수용된 상기 전기 부품을 압압하는 압압 부재를 포함하는 전기 부품용 소켓으로서, 상기 압압 부재는 압압 부재 본체와, 이 압압 부재 본체에 대하여 상하 이동 가능한 압압부와, 상기 압압 부재 본체에 대한 상기 압압부의 상하 이동을 조작하는 조작 부재를 가지고 있고, 이 조작 부재는, 축을 중심으로 회동(回動)시켜 조작하는 조작 부재 본체를 가지고 있고, 또한 이 조작 부재에는, 상기 조작 부재 본체를 일방향으로 회동시키는 것에 의해 이 조작 부재 본체를 통하여 회동되어져, 상기 압압부에 설치된 피(被)압하부를 하방으로 압압하여 상기 압압부를 눌러 내리고, 이에 의해 상기 수용부에 수용된 상기 전기 부품에 압압시키는 압하 캠과, 상기 조작 부재 본체를 역방향으로 회동시키는 것에 의해 이 조작 부재 본체를 통하여 회동되어져, 상기 압압부에 설치된 피압상부(被押上部)를 상방으로 압압하여 상기 압압부를 밀어 올리고, 이에 의해 상기 수용부에 수용된 상기 전기 부품으로부터 이간시키는 압상 캠을 갖는다.

본 발명에 있어서, 상기 조작 부재는, 상기 축을 중심으로 회동하는 상기 조작 부재 본체에 더하여, 이 조작 부재 본체와 함께 상기 축을 중심으로 회동 가능하게 설치된 캠 부재를 가지고 있고, 이 캠 부재는, 캠 부재 본체와, 이 캠 부재 본체로부터 축 방향으로 돌출된 돌출부를 가지고 있고, 상기 캠 부재 본체의 외주면이 상기 축에 대하여 편심 형상으로 형성된 상기 압하 캠을 구성하고, 상기 돌출부의 외주면이 상기 축에 대하여 편심 형상으로 형성된 상기 압상 캠을 구성하고 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서는, 상기 압압부가 히트 싱크를 구성하고 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서는, 상기 압압 부재가 상기 소켓 본체에 대하여 착탈식으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 의하면, 조작 부재의 회동 조작에 의해 압압부를 눌러 내리는 압하 캠과 압압부를 밀어 올리는 압상 캠을 가지고 있으므로, 탄성 부재에 의한 가압 구조를 형성하지 않고, 간단한 구성으로, 압압 부재의 압압부의 압하 상태가 해제되었을 때 압압부를 상승시켜, 소켓 본체에 수용된 전기 부품에 접촉되지 않도록 할 수 있다.

본 발명에 의하면, 압하 캠이 설치된 캠 부재 본체에 대하여 압상 캠이 설치된 돌출부가 일체로 형성되어 있으므로, 캠 구조를 단순하게 할 수 있고, 따라서 부품수를 적게 할 수 있다.

본 발명에 의하면, 히트 싱크를 설치함으로써, 전기 부품의 방열성을 높일 수 있다.

본 발명에 의하면, 압압 부재가 소켓 본체로부터 착탈할 수 있도록 구성되어 있는 경우라도, 압압 부재를 소켓 본체에 장착할 때 힘이 붙어서 그 소켓 본체에 수용된 전기 부품에 충돌되는 일이 없다.

[도 1] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 사시도이다.
[도 2] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 분해 사시도이다.
[도 3] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 평면도이다.
[도 4] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 3의 A-A선을 따른 단면도로서, 우측은 잠금 전의 상태도, 좌측은 잠금 시의 상태도이다.
[도 5] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 3의 B-B선을 따른 단면도이다.
[도 6] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버를 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 7] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 어퍼(upper) 모듈에 있어서의 컨택트 핀 설치 부분의 단면도로서, (a)는 잠금 전의 상태도, (b)는 잠금 시의 상태도이다.
[도 8] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 6의 C-C선을 따른 단면도이다.
[도 9] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 6의 D-D선을 따른 단면도이다.
[도 10] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버와 어퍼 모듈을 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 11] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 바텀(bottom) 모듈에 있어서의 컨택트 핀 설치 부분의 단면도로서, (a)는 잠금 전의 상태도, (b)는 잠금 시의 상태도이다.
[도 12] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 어퍼 모듈과 바텀 모듈의 컨택트 핀 설치 부분을 나타내는 단면도이다.
[도 13] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버에 있어서의 캠 부재를 나타내는 사시도이다.
[도 14] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버에 있어서의 캠 부재를 나타내는 정면도이다.
[도 15] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버에 있어서의 히트 싱크를 나타내는 사시도이다.
[도 16] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버에 있어서의 시험 시의 압하 캠의 상태(a)와 비시험 시의 압하 캠의 상태(b)를 나타내는 정면도이다.
[도 17] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버에 있어서의 시험 시의 압상 캠의 상태(a)와 비시험 시의 압상 캠의 상태(b)를 나타내는 정면도이다.
[도 18a] 본 발명의 실시형태에 관한 메모리 패키지를 나타내는 정면도이다.
[도 18b] 본 발명의 실시형태에 관한 메모리 패키지를 나타내는 평면도이다.
[도 19a]본 발명의 실시형태에 관한 프로세서 패키지를 나타내는 정면도이다.
[도 19b]본 발명의 실시형태에 관한 프로세서 패키지를 나타내는 평면도이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.

도 1∼도 19에는, 본 발명의 실시형태를 나타낸다.

먼저 구성을 설명한다.

본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)은, 본 발명의 「전기 부품용 소켓」에 상당하고, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 어퍼 모듈(20) 및 바텀 모듈(30)을 가지는 소켓 본체(10a)를 포함하고 있다. 어퍼 모듈(20) 및 바텀 모듈(30)은, 각각 본 발명의 「수용부」에 상당한다.

어퍼 모듈(20)에는, 본 발명의 「전기 부품」로서의 메모리 패키지(11)가 수용된다. 또한, 바텀 모듈(30)에도, 본 발명의 「전기 부품」으로서의 프로세서 패키지(12)가 수용된다.

평면에서 볼 때 대략 사각형의 커버(40)는, 본 발명의 「압압 부재」에 상당한다. 상기 커버(40)의 하측에는, 어퍼 모듈(20)을 협지하여 바텀 모듈(30)이 조립된다.

그리고, 도 4에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(19) 상에 바텀 모듈(30)을 설치하는 것에 의해, 2종류의 전기 부품[즉, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)]을, 동시에 시험할 수 있다.

이와 같이, 본 실시형태의 IC 소켓(10)에서는, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)가, 프로세서 패키지(12)의 상측에 메모리 패키지(11)가 적층된 상태로 수용된다. 즉, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 동작 시험을, 소위 패키지 온 패키지(PoP) 구조를 이루도록 실장된 상태에 가까운 환경 하에서 실행할 수 있다.

본 실시형태의 메모리 패키지(11)는, 도 18a 및 도 18b에 나타낸 바와 같이, 소위 BGA(Ball Grid Array)다. 즉, 상기 메모리 패키지(11)는, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 본체부(11a)를 가지고, 또한, 이 본체부(11a)의 하면에는, 사각프레임 형상의 주위 에지부로부터 하향으로 돌출하는, 복수의 반구형의 단자(11b)가 설치되어 있다.

또한, 본 실시형태의 프로세서 패키지(12)도, 도 19a 및 도 19b에 나타낸 바와 같이, 소위 BGA다. 상기 프로세서 패키지(12)는, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의, 메모리 패키지(11)의 본체부(11a)와 동일한 크기의 본체부(12a)를 갖는다. 그리고, 상기 본체부(12a)의 하면에는, 배선 기판(19)에 접촉시키기 위한 복수의 반구형 하측 단자(12b)가 하향으로 돌출되어 형성되어 있다. 또한, 본체부(12a)의 상면에는, 사각프레임 형상의 주위 에지부에 메모리 패키지(11)의 단자(11b)를 접촉시켜 도통시키기 위한, 반구형의 상측 단자(12c)가 형성되어 있다(도 12 참조). 그리고, 상기한 각 단자의 형상은 반구형에 한정되지 않고, 대략 평판형 등의 다른 형상이어도 된다.

한편, IC 소켓(10)의 바텀 모듈(30)은 도 2나 도 10에 나타낸 바와 같이, 모듈 본체(30a)를 가지고 있다. 이 모듈 본체(30a)는 프레임형부(31)를 가지고 있고, 그 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형으로 판형의 컨택트 유닛(32)이 끼워맞춤되어 있다. 이 컨택트 유닛(32)은 도 11, 도 12에 나타낸 바와 같이, 하판 부재(33)와 상판 부재(34)와 플로팅 부재(35)를 가지고 있다. 플로팅 부재(35)는 스프링(도시하지 않음)에 의해, 하판 부재(33) 및 상판 부재(34)로부터 멀어지는 방향으로 가압되고 있다. 하판 부재(33)는 상측의 제1 하판 부재(33a)와 하측의 제2 하판 부재(33b)로 구성되어 있다. 이들 제1 하판 부재, 제2 하판 부재(33a, 33b)가 도시하지 않은 유지 부재에 의해 유지되어 있다. 플로팅 부재(35)는, 그 상면에 형성된 하측 배치부(38)에 프로세서 패키지(12)를 배치한 상태에서, 전술한 스프링의 가압력에 거슬러 눌러 내림으로써, 상판 부재(34)와 하판 부재(33)에 가깝게 할 수 있도록, 상하 이동 가능하게 지지되어 있다.

또한, 상기 컨택트 유닛(32)에는 도 10∼도 12에 나타낸 바와 같이, 다수의 컨택트 핀(70)이 상하 방향을 향한 상태로 설치되어 있다.

이들 컨택트 핀(70)은, 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)와 맞닿게 하는 제1 플런저(71)와, 배선 기판(19)과 맞닿게 하는 제2 플런저(72)와, 제1 플런저(71)와 제2 플런저(72) 사이에 설치되어 양쪽을 이격되는 방향으로 가압하는, 코일 스프링 등의 가압 부재(73)를 가지고 있다.

이들 컨택트 핀(70)은, 바텀 모듈(30) 및 어퍼 모듈(20)이 커버(40)에 조립되어 배선 기판(19) 상에 설치된 상태(도 4 참조)에서는, 도 11의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제1 플런저(71)의 상단부가 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38)에 탑재된 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)에 접촉하고, 또한 제2 플런저(72)의 하단부가 배선 기판(19)의 전극(도시하지 않음)에 접촉한다.

또한, 모듈 본체(30a)의 외측에는 도 4에 나타낸 바와 같이, 후술하는 커버(40)의 한 쌍의 래치(51)와 걸어맞추기 위한, 한 쌍의 피걸어맞춤편(30b)이 설치되어 있다. 각 피걸어맞춤편(30b)은 각각, 상측 피걸어맞춤부(30c) 및 하측 피걸어맞춤부(30d)를 가지고 있다. 이들 상측 피걸어맞춤부(30c), 하측 피걸어맞춤부(30d)는 모두, 커버(40)의 각 래치(51)에 설치된 클로우부(claw portion)(51a)에 대향하도록 외향으로 형성되어 있다.

여기에서, 상측 피걸어맞춤부(30c)와 하측 피걸어맞춤부(30d)의, 상하 방향의 위치 차이[상측 피걸어맞춤부(30c)의 높이로부터 하측 피걸어맞춤부(30d)의 높이를 뺀 것]는, 도 4에 나타낸 바와 같이 어퍼 모듈(20)의 조립 높이[즉, 커버(40)와 바텀 모듈(30) 사이에 어퍼 모듈(20)을 개재시켰을 때의 바텀 모듈(30)의 위치와, 커버(40)와 바텀 모듈(30) 사이에 어퍼 모듈(20)을 개재시키지 않았을 때의 바텀 모듈(30)의 위치와의 차]에 대략 동등하게 되어 있다.

그러므로, IC 소켓(10)에서는 도 4에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 래치(51)에 형성한 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 형성한 상측 피걸어맞춤부(30c)에 걸어맞추는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)을 개재시킨 상태로 바텀 모듈(30)을 커버(40)에 조립할 수 있다. 한편, 커버(40)의 래치(51)에 형성한 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 형성한 하측 피걸어맞춤부(30d)에 걸어맞추는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)을 개재시키고 있지 않은 상태에서 바텀 모듈(30)을 커버(40)에 조립할 수도 있다.

어퍼 모듈(20)은 도 2 및 도 4∼도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 「수용 본체」로서의 모듈 본체(20a)를 가지고 있다. 이 모듈 본체(20a)는 프레임형부(21)를 가지고 있고, 그 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형이고 판형인 컨택트 유닛(22)이 끼워맞추어져 있다. 이 컨택트 유닛(22)은 도 8, 도 9, 도 12에 나타낸 바와 같이, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)와 플로팅 부재(25)를 가지고 있다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 플로팅 부재(25)는 스프링(26)에 의해, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)로부터 멀어지는 방향으로 가압되고 있다.

또한, 어퍼 모듈(20)은, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)와 플로팅 부재(25)를 관통하는 스토퍼 부재(27)를 가지고 있다. 이 스토퍼 부재(27)는 하방의 나사부(27a)와, 그 상측에 형성된, 그 나사부(27a)보다 폭이 넓은 소(小)플랜지부(27b)에 의해, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)를 고정한다. 또한, 소플랜지부(27b)의 상측에 형성된, 그 소플랜지부(27b)보다 폭이 넓은 대(大)플랜지부(27c)에 의해, 플로팅 부재(25)의 최상승 위치를 규제하고 있다.

그리고, 상기 플로팅 부재(25)의 상면에는, 메모리 패키지(11)를 배치하기 위한, 상측 배치부(28)가 형성되어 있다. 상기 플로팅 부재(25)는, 상판 부재(24)와 스토퍼 부재(27)의 대플랜지부(27c) 사이에서 상승/하강할 수 있으므로, 상기 상측 배치부(28)도 최상승 위치와 최하강 위치 사이에 상하 이동 가능하다. 또한, 상기 상측 배치부(28)의 네 코너에는, 메모리 패키지(11)의 배치 위치를 규정하는 가이드(28a)가 설치되어 있다.

또한, 상기 상측 배치부(28)의 주위 에지부의 하방에는, 도 6, 도 7, 도 12에 나타낸 바와 같이, 다수의 컨택트 핀(60)이 상하 방향을 향한 상태로 설치되어 있다. 이들 컨택트 핀(60)은, 메모리 패키지(11)의 단자(11b)와 맞닿는 플런저(61)와, 이 플런저(61)의 하부에 삽입되어 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)와 맞닿는 코일 스프링 등의 가압 부재(62)를 가지고 있다.

그리고, 바텀 모듈(30) 및 어퍼 모듈(20)이 커버(40)에 조립된 상태(도 1 참조)에서는, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 플런저(61)의 상단부가 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28) 상에 배치된 메모리 패키지(11)의 단자(11b)에 접촉하고, 또한 가압 부재(62)의 하단부가 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38) 상에 배치된 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)에 소정의 접촉압으로 접촉한다.

전술한 바와 같이, 어퍼 모듈(20)의 컨택트 유닛(22)은 하판 부재(23), 상판 부재(24) 및 플로팅 부재(25)를 구비하고 있다(도 8, 도 9, 도 12 등 참조). 이들 부재(23, 24, 25)의 대략 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 개구부(23b, 24b, 25b)가 형성되어 있다. 그리고, 이들 개구부(23b, 24b, 25b)에 의해, 컨택트 유닛(22)의 개구부(20b)(도 2, 도 6 참조)가 구성되어 있다.

상기 개구부(20b)에는 도 6에 나타낸 바와 같이, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 열전도성 부재(29)가 설치되어 있다. 이 열전도성 부재(29)는 열을 전도하기 쉽고, 또한 절연성을 가지도록 형성된다. 본 실시형태에서는, 알루미늄 부재의 표면에 알루마이트 가공 처리로 절연막을 형성한 것을, 상기 열전도성 부재(29)로서 사용한다.

또한, 상기 열전도성 부재(29)는, 그 상면과 메모리 패키지(11)의 접촉 면적이나, 그 하면과 프로세서 패키지(12)의 접촉 면적이 충분히 커지도록, 그 상면 및 하면이 대략 평면형으로 형성되어 있다.

도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 열전도성 부재(29)는 그 측면에, 그 전체 둘레에 걸쳐 외측으로 돌출하도록 형성된, 플랜지형의 돌출부(29a)를 가지고 있다. 한편, 상판 부재(24)에는, 상판 개구부(24b)의 내주면(內周面)의 하부로부터 하면에 걸쳐서, 절결부(24a)가 형성되어 있다. 이 절결부(24a)에 열전도성 부재(29)의 돌출부(29a)를 삽입한 상태에서, 상판 부재(24)의 하면에 하판 부재(23)의 상면을 맞닿게 하는 것에 의해, 상기 돌출부(29a)가 하판 부재(23)와 상판 부재(24)에 의해 끼워 넣어진 상태가 된다. 그리고, 이들 하판 부재(23)와 상판 부재(24)를 스토퍼 부재(27)로 고정하는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)의 개구부(20b)에 열전도성 부재(29)를 수용하여 유지할 수 있다.

또한, IC 소켓(10)의 커버(40)는 도 2∼도 5에 나타낸 바와 같이, 대략 직육면체 프레임 형상의 커버 본체(41)를 가지고 있다. 이 커버 본체(41)의 내측에는, 히트 싱크(42)가 스프링(도시하지 않음)에 의해 상방으로 가압된 상태에서, 위치결정 핀(43)을 따라 상하 이동 가능하게 장착되어 있다. 상기 히트 싱크(42)는 본 발명의 「압압부」에 상당한다.

또한, 커버 본체(41)에는, 이 커버 본체(41)에 대하여 히트 싱크를 상하 이동시키는 조작을 행하기 위한 조작 부재(40a)가 설치되어 있다. 이 조작 부재(40a)는 캠 부재(47)를 가지고 있다. 이 캠 부재(47)는, 커버 본체(41)와 히트 싱크(42)에 관통시킨 축(46)에 회동 가능하게 지지되어 있다. 또한, 상기 조작 부재(40a)에는 상기 축(46)을 회동시키기 위한, 대략 ㄷ자형의 베일(조작 레버)(45)이 설치되어 있다. 이 베일(45)을 회전시키는 것에 의해, 캠 부재(47)가 축(46)을 중심으로 하여 회전한다.

베일(45)은 도 4에 나타낸 바와 같이, 축(46)을 중심으로 하여, 화살표 M, N 방향으로 약 180° 회전한다. 즉, 상기 베일(45)은 대기 위치 P1(도 4의 우측)과 시험 위치 P2(도 4의 좌측) 사이에서 회전 이동할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 베일(45)이 대기 위치 P1에 위치할 때(도 4의 좌측), 도 5에 나타낸 바와 같이, 캠 부재(47)가 히트 싱크(42)를 밀어 올린다. 한편, 베일(45)을 시험 위치 P2까지 회전 이동시켰을 때(도 4의 우측), 캠 부재(47)의 압하 캠(47e)이 히트 싱크(42)를 눌러 내린다.

이하, 캠 부재(47)에 대하여 상술한다. 본 실시형태의 캠 부재(47)는 도 13 및 도 14에 나타낸 바와 같이, 캠 부재 본체(47a)와, 이 캠 부재 본체(47a)로부터 축(46)의 축방향 Q로 돌출된 돌출부(47b)를 가지고 있다.

도 13에 나타낸 바와 같이, 캠 부재 본체(47a)의 외주면(47c)은, 만곡된 하나의 곡면(47g)과, 이 곡면(47g)의 양단으로부터 서로 평행하게 연장되는 한 쌍의 평면(47h, 47i)을 포함한다. 그리고, 이들 면(47g, 47h, 47i)이 압하 캠(47e)을 구성하고 있다.

상기 압하 캠(47e)은 축(46)에 대하여 편심되는 형상으로 되어 있다. 즉, 도 14에 있어서, 축(46)의 중심으로부터 압하 캠(47e) 하측의 평면(47i)까지의 길이 S1가 짧고, 축(46)의 중심으로부터 압하 캠(47e) 상측의 평면(47h)까지의 길이 S2가 길어지도록 형성되어 있다.

돌출부(47b)는 대략 원판형을 띠고, 캠 부재 본체(47a)로부터 커버 본체(41)의 내측으로 돌출되어 형성되어 있다. 상기 돌출부(47b)의 외주면(47d)의 일부는 압상 캠(47f)을 구성하고 있다. 이 압상 캠(47f)은 축(46)에 대하여 편심되어 있다. 여기서는, 축(46)으로부터 압상 캠(47f)의 위치 47k[평면(47i)에 가장 가까운 위치]까지의 길이 T1이 가장 짧고, 축(46)으로부터 압상 캠(47f)의 위치 47j[평면(47h)에 가장 가까운 위치]까지의 길이 T2가 가장 길게 되도록 형성되어 있다.

도 15에 나타낸 바와 같이, 히트 싱크(42)의 측면 하측에는, 축(46)의 축방향 Q를 따라 돌출되도록, 대략 판형의 피압하부(42a)가 형성되어 있다. 그리고, 캠 부재(47)의 압하 캠(47e)(도 13 및 도 14 참조)에 의해, 상기 피압하부(42a)의 상면(42c)을 눌러 내림으로써, 히트 싱크(42)가 커버 본체(41)에 대하여 하강하게 되어 있다.

또한, 피압하부(42a) 위에는 도 15에 나타낸 바와 같이, 외경이 대략 직사각형이고 프레임형인 피압상부(42b)가 세워 설치되어 있다. 이 피압상부(42b)를 관통하도록 축(46)이 배치된다. 그리고, 캠 부재(47)의 압상 캠(47f)(도 13 및 도 14 참조)으로 상기 피압상부(42b)의 상부 내측면(42d)을 밀어 올리는 것에 의해, 히트 싱크(42)가 커버 본체(41)에 대하여 상승하도록 되어 있다.

또한, 커버 본체(41)의 외주면에는 도 4에 나타낸 바와 같이, 대향하는 2변에 각각 래치(51)가 장착되어 있다. 이들 래치(51)는 각각 샤프트(52)를 중심으로 하여, 화살표 K, L 방향으로 회전함으로써 개폐하도록 구성되어 있다. 각 래치(51)에는 각각, 상단부에 조작부(51b)가 형성되어 있고, 또한 하단부에 테이퍼형의 클로우부(51a)가 내향으로 형성되어 있다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 각 래치(51) 상단부의 조작부(51b)와 커버 본체(41) 사이에는 각각, 2개씩 코일 스프링(53)이 설치되어 있다. 래치(51)의 조작부(51b)는 이들 코일 스프링(53)에 의해, 항상 커버 본체(41)의 외측으로 가압되고 있다. 이에 의해, 래치(51)에는 항상, 화살표 L 방향(도 4 참조)으로 회전하는 가압력, 즉 닫히는 방향의 가압력이 부여된다.

또한, 커버 본체(41)에는 도 4에 나타낸 바와 같이, 한 쌍의 대략 원기둥형의 잠금 핀(49)이 수평 방향 외향[즉, 대응하는 래치(51)에 대향하는 방향]으로 돌출된 상태로 매설되어 있다. 이들 잠금 핀(49)에 의해, 히트 싱크(42)가 눌러 내려진 상태에서, 각 래치(51)를 닫은 상태로 잠금할 수 있다.

전술한 히트 싱크(42)의 내부에는 도 3에 나타낸 바와 같이, 히터(44)가 설치되어 있다. 시험 시에는, 히트 싱크(42)를 메모리 패키지(11)에 댄 상태에서, 상기 히터(44)로 상기 히트 싱크(42)를 가열한다. 그 결과, 상기 히트 싱크(42)의 열로, 어퍼 모듈(20)에 수용된 메모리 패키지(11)가 가열된다. 또한, 히트 싱크(42)에서 발생한 열은, 상기 메모리 패키지(11)로부터 열전도성 부재(29)를 통하여, 바텀 모듈(30)에 수용된 프로세서 패키지(12)로 전도된다.

히트 싱크(42)에는 히터(44)의 온도를 관리하기 위한 열전대(44a)가 설치되어 있다.

그리고, 통상의 번인(burn-in) 장치에서는, 장치 내부의 온도를 소정의 시험 온도(예를 들면, 120℃)까지 상승시키는 것은 용이하지 않다. 그러므로, 본 실시형태에서는, 번인 장치 내의 온도를 소정의 고온(예를 들면, 80℃)까지 상승시키고, 또한 히터(44)로 시트 싱크의 온도를 시험 온도(예를 들면, 120℃)까지 상승시킨다.

다음에, 이러한 IC 소켓(10)을 이용하여, 2종류의 전기 부품[본 실시형태에서는 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)]의 시험(본 실시형태에서는 번인 시험)을 행하는 순서를 설명한다.

먼저, 시험의 개시에 앞서, 도 4의 우측에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 베일(45)의 위치를 대기 위치 P1로 설정한다. 베일(45)의 위치가 대기 위치 P1로 설정되면, 도 17의 (b)에 나타낸 바와 같이, 캠 부재(47)에 설치한 압상 캠(47f)의 위치 47j가, 히트 싱크(42)에 형성한 피압상부(42b)의 상부 내측면(42d)에 접하고, 이 피압상부(42b)를 밀어 올린다. 한편, 도 16의 (b)에 나타낸 바와 같이, 캠 부재 본체(47a)에 설치한 압하 캠(47e)의 평면(47i)이 피압하부(42a)의 상면(42c)에 대향하는 상태로 되므로, 상기 피압하부(42a)로의 압압은 행해지지 않는다. 그에 수반하여, 히트 싱크(42)가 높이 h분만큼 상승한다.

다음에, 도 2에 나타낸 바와 같이, 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38) 상에 프로세서 패키지(12)를 수용하고, 또한 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28) 상에 메모리 패키지(11)를 수용한다.

계속해서, 도 4의 우측에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 베일(45)이 대기 위치 P1에 위치하고 있는 대로의 상태에서, 래치(51)의 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 걸어맞추는 것에 의해, 커버(40)의 하측에 어퍼 모듈(20) 및 바텀 모듈(30)을 설치한다. 즉, 바텀 모듈(30)은 어퍼 모듈(20)을 통하여, 커버(40)에 조립한다.

이 때, 커버(40)의 히트 싱크(42)가 압상 캠(47f)에 의해 밀어 올려진 상태로 되어 있으므로, 히트 싱크(42)가 메모리 패키지(11)에 대하여 이격된 상태로 되고, 히트 싱크(42)는 메모리 패키지(11)에 접촉하지 않는다.

또한, 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 IC 소켓(10)을 배선 기판(19) 상에 설치한다.

그 후, 도 4의 좌측에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 베일(45)을 화살표 M 방향으로 회동하여, 시험 위치 P2까지 회전시킨다. 이 회전에 따라, 캠 부재(47)의 압하 캠(47e)(도 5, 도 13, 도 14등 참조)이, 히트 싱크(42)에 형성한 피압하부(42a)의 상면(42c)을 압압하여, 상기 히트 싱크(42)를 하강시킨다.

구체적으로는, 도 4의 좌측에 나타낸 바와 같이, 베일(45)이 시험 위치 P2로 설정되면, 도 17의 (a)에 나타낸 바와 같이, 캠 부재(47)에 설치한 압상 캠(47f)의 위치 47j가, 히트 싱크(42)에 형성한 피압상부(42b)의 상부 내측면(42d)에 대향하는 상태로 되므로, 상기 피압상부(42b)로의 압압이 해제된다. 한편, 도 16의 (a)에 나타낸 바와 같이, 캠 부재 본체(47a)에 설치한 압하 캠(47e)의 면(47h)이 피압하부(42a)의 상면(42c)에 접한 상태로 되므로, 이 피압하부(42a)가 눌러 내려진다. 그에 수반하여, 히트 싱크(42)가 높이 h분만큼 하강한다.

그 결과, 히트 싱크(42)가 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28)에 탑재된 메모리 패키지(11)를 모듈 본체(20a) 내에서 하강시킨다. 이에 의해, 컨택트 핀(60)이 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)와 메모리 패키지(11)의 단자(11b)에, 각각 소정의 접촉압으로 접촉하여, 이들 상측 단자(12c)와 단자(11b)가 전기적으로 접속된다(도 7 참조).

그와 함께, 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38)에 탑재된 프로세서 패키지(12)가 모듈 본체(30a) 내에서, 어퍼 모듈(20)에 눌러 내려진다. 이에 의해, 컨택트 핀(70)이 배선 기판(19)의 전극(도시하지 않음)과 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)에, 소정의 접촉압으로 각각 접촉한다. 이에 의해, 하측 단자(12b)와 배선 기판(19)의 전극이 전기적으로 접속된다.

또한, 히트 싱크(42)의 하강에 수반하여, 도 4의 좌측에 나타낸 바와 같이, 한 쌍의 잠금 핀(49)이 하강하여 한 쌍의 래치(51)의 단차부(51c)에 끼워맞추어진다. 그 결과, 래치(51)의 조작부(51b)의 회전이 각각 규제되어, 이들 래치(51)가 닫힌 상태로 잠금된다.

덧붙여, 히트 싱크(42)의 하강에 수반하여, 프로세서 패키지(12)가 본체부(12a)의 상면에서 열전도성 부재(29)의 하면에 접촉하고, 또한 메모리 패키지(11)가 본체부(11a)의 하면에서 상기 열전도성 부재(29)의 상면에 접촉한 상태가 된다.

그 후, 번인 장치(도시하지 않음) 내의 온도를, 설정 온도(예를 들면, 80℃)까지 상승시킨다. 또한, IC 소켓(10)의 커버(40)에 설치된 히터(44)를 온으로 하여 히트 싱크(42)를 가열한다. 그 결과, 상기 히트 싱크(42)의 열이 메모리 패키지(11)에 전도되어, 이 메모리 패키지(11)의 온도가 상승한다. 그리고, 메모리 패키지(11)의 본체부(11a)의 하면으로부터 열전도성 부재(29)의 상면에 열이 전도되어, 이 열전도성 부재(29)의 온도가 상승한다. 게다가, 상기 열전도성 부재(29)의 하면으로부터 프로세서 패키지(12)의 본체부(12a)의 상면에 열이 전도되어, 이 프로세서 패키지(12)의 온도가 상승한다. 이와 같이 하여, 본 실시형태에서는, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 표면 온도를, 소정 온도(예를 들면, 120℃)로 설정한다.

전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 메모리 패키지(11)와 어퍼 모듈(20) 사이에 열전도성 부재(29)를 배치하여, 메모리 패키지(11)의 하면과 열전도성 부재(29)의 상면이 접하고, 또한 이 열전도성 부재(29)의 하면과 프로세서 패키지(12)의 상면이 접하게 하였다.

그 결과, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12) 사이에서, 열을 전달되기 쉽게 할 수 있고, 따라서, 이들 패키지(11, 12)의 온도차를 작게 할 수 있다.

이 상태에서, 2종류의 전기 부품[메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)]에 전류를 흐르게 하여 시험을 행한다.

이와 같이, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 조작 부재(40a)를 시험 위치 P2로 회전 이동시켰을 때는 히트 싱크(42)를 압하 캠(47e)으로 눌러 내리고, 또한, 조작 부재(40a)를 대기 위치 P1로 회전 이동시켰을 때는 히트 싱크(42)를 압상 캠(47f)으로 밀어 올리도록 구성하였다. 그러므로, 본 실시형태에서는, 탄성 부재에 의한 가압 구조를 형성하지 않고, 커버(40)의 히트 싱크(42)의 압하 상태가 해제되었을 때 히트 싱크(42)를 상승시켜, 이 히트 싱크(42)가 소켓 본체(10a)에 수용된 메모리 패키지(11)에 접촉하지 않게 할 수 있다.

또한, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 압하 캠(47e)이 설치된 캠 부재 본체(47a)에 대하여 압상 캠(47f)이 설치된 돌출부(47b)가 일체로 형성되어 있으므로, 캠 구조가 단순하고, 따라서, 부품수를 적게 할 수 있다.

또한, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은 히트 싱크(42)를 설치함으로써, IC 패키지(11, 12)의 방열성을 높일 수 있다.

종래의 IC 소켓은, 커버(40)가 소켓 본체(10a)로부터 착탈 가능하게 구성되어 있으므로, 커버(40)를 소켓 본체(10a)에 장착할 때 힘이 붙어, 소켓 본체(10a)에 수용된 메모리 패키지(11)에 충돌되어 버릴 우려가 있었다. 이에 대하여, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 히트 싱크(42)가 압상 캠(47f)에 의해 밀어 올려진 상태로 고정되므로, 히트 싱크(42)가 메모리 패키지(11)에 충돌되는 것을 방지할 수 있다.

그리고, 본 실시형태에서는, 「전기 부품용 소켓」으로서 IC 소켓(10)을 채용한 경우를 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 다른 종류의 전기 부품을 수용하는 소켓에도 적용할 수 있는 것은 물론이다.

전술한 바와 같이, 본 실시형태의 IC 소켓은, 패키지 온 패키지 구조의 실장 회로에 적용하는 IC 패키지의 시험에 적합하지만, 패키지 온 패키지 구조 이외의 실장 회로의 시험에도 사용할 수 있는 것은 물론이다.

또한, 본 실시형태에서는, 커버(40)가 소켓 본체(10a)에 대하여 착탈식으로 구성되어 있는 IC 소켓(10)에 대하여 설명하였으나, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 커버형 압압 부재가 소켓 본체에 대하여 개폐 가능한, 소위 클램쉘식인 것에 본 발명을 적용해도 된다.

10 : IC 소켓(전기 부품용 소켓)
10a : 소켓 본체
11 : 메모리 패키지(전기 부품)
12 : 프로세서 패키지(전기 부품)
19 : 배선 기판
20 : 어퍼 모듈(수용부)
20a : 모듈 본체
30 : 바텀 모듈(수용부)
40 : 커버(압압 부재)
40a : 조작 부재
41 : 커버 본체(압압 부재 본체)
42 : 히트 싱크(압압부)
45 : 베일(조작 부재 본체)
46 : 축
47 : 캠 부재
47a : 캠 부재 본체
47b : 돌출부
47c : 외주면
47d : 외주면
47e : 압하 캠
47f : 압상 캠

Claims (4)

1. 전기 부품이 착탈(着脫) 가능하게 수용되는 수용부를 가지는 소켓 본체; 및
   상기 소켓 본체의 상기 수용부에 수용된 상기 전기 부품을 압압(押壓)하는 압압 부재
   를 포함하는 전기 부품용 소켓으로서,
   상기 압압 부재는, 압압 부재 본체, 상기 압압 부재 본체에 대하여 상하 이동 가능한 압압부, 및 상기 압압 부재 본체에 대한 상기 압압부의 상하 이동을 조작하는 조작 부재를 가지고 있고,
   상기 조작 부재는, 축을 중심으로 회동(回動)시켜 조작하는 조작 부재 본체를 가지고 있고, 또한,
   상기 조작 부재는,
   상기 조작 부재 본체를 일방향으로 회동시키는 것에 의해 상기 조작 부재 본체를 통하여 회동되어져, 상기 압압부에 설치된 피압하부(被押下部)를 하방으로 압압하여 상기 압압부를 눌러 내리고, 이에 의해 상기 수용부에 수용된 상기 전기 부품에 압압시키는 압하 캠; 및
   상기 조작 부재 본체를 역방향으로 회동시키는 것에 의해 상기 조작 부재 본체를 통하여 회동되어져, 상기 압압부에 설치된 피압상부(被押上部)를 상방으로 압압하여 상기 압압부를 밀어 올리고, 이에 의해 상기 수용부에 수용된 상기 전기 부품으로부터 이간시키는 압상 캠을 가지는,
   전기 부품용 소켓.
2. 제1항에 있어서,
   상기 조작 부재는, 상기 축을 중심으로 회동하는 상기 조작 부재 본체에 더하여, 상기 조작 부재 본체와 함께 상기 축을 중심으로 회동 가능하게 설치된 캠 부재를 가지고 있고,
   상기 캠 부재는, 캠 부재 본체와, 상기 캠 부재 본체로부터 축 방향으로 돌출된 돌출부를 가지고 있고,
   상기 캠 부재 본체의 외주면이, 상기 축에 대하여 편심하도록 형성된 상기 압하 캠을 구성하고,
   상기 돌출부의 외주면이, 상기 축에 대하여 편심하도록 형성된 상기 압상 캠을 구성하고 있는, 전기 부품용 소켓.
3. 제1항에 있어서,
   상기 압압부가 히트 싱크를 구성하고 있는, 전기 부품용 소켓.
4. 제1항에 있어서,
   상기 압압 부재가 상기 소켓 본체에 대하여 착탈식으로 구성되어 있는, 전기 부품용 소켓.

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