KR20190033452A - 계산 방법, 노광 방법, 기억 매체, 노광 장치 및 물품 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판의 노광 동안의 열에 의해 변화하는 투영 광학계의 광학 특성을 계산하는 계산 방법이 제공되며, 상기 계산 방법은 투영 광학계의 물체면 상의 복수의 계측점에 대해 상이한 계측 시간에서 화상점 위치를 계측하는 단계; 및 상기 복수의 계측점 각각에 대한 계측 단계에서 계측된 화상점 위치 및 상기 복수의 계측점 각각에 대한 계측 시간에 기반하여 광학 특성을 계산하는 단계를 포함한다.

Description

계산 방법, 노광 방법, 기억 매체, 노광 장치 및 물품 제조 방법{CALCULATION METHOD, EXPOSURE METHOD, STORAGE MEDIUM, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은, 투영 광학계의 광학 특성을 계산하는 계산 방법, 노광 방법, 기억 매체, 노광 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조 단계(리소그래피 단계)에서 사용되는 장치 중 하나는 투영 광학계를 통해 기판을 노광하고, 원판의 패턴을 기판상의 샷 영역에 전사하는 노광 장치이다. 이러한 노광 장치에서, 기판의 노광 동안, 노광광의 일부가 투영 광학계에 흡수되어서, 흡수에 의해 발생된 열의 영향하에서 투영 광학계의 광학 특성이 변화한다. 그 결과, 원판의 패턴을 샷 영역에 정확하게 전사하는 것이 어려워질 수 있다.
일본 특허 공개 제2001-160533호는 노광량이나 노광 시간 등을 변수로서 갖는 예측식을 사용하여 투영 광학계의 광학 특성을 예측하고, 그 예측값에 기반하여 투영 광학계의 광학 특성을 제어하는 방법을 제안한다. 일본 특허 공개 제63-58349호는 예측값에 발생하는 오차를 감소시키기 위해, 투영 광학계의 광학 특성을 실측한 결과에 기반하여 예측식을 최적화(보정)하는 방법을 제안한다.
예측식을 최적화하기 위한 투영 광학계의 광학 특성의 실측은, 예를 들어 기판의 노광 종료 후, 해당 광학 특성이 변화하는 기간에서, 투영 광학계의 물체면 상의 복수의 계측점(물점)의 각각에 대해서 화상점 위치를 순차적으로 계측함으로써 수행될 수 있다. 그러나, 이 경우, 각 계측점에서의 계측은, 투영 광학계의 광학 특성이 서로 상이한 타이밍에서 수행된다. 따라서, 각각의 계측점에서의 계측 타이밍에 따라서 서로 상이한 투영 광학계의 광학 특성을 고려하지 않으면, 예측식의 최적화가 불충분해져, 투영 광학계의 광학 특성을 정확하게 예측하는 것이 어려워질 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 투영 광학계의 광학 성능을 정확하게 예측하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 하나의 양태에 따라서, 기판의 노광 동안의 열에 의해 변화하는 투영 광학계의 광학 특성을 계산하는 계산 방법이 제공되며, 상기 계산 방법은: 상기 투영 광학계의 물체면 상의 복수의 계측점에 대해 상이한 계측 시간에서의 화상점 위치를 계측하는 단계; 및 상기 복수의 계측점 각각에 대한 계측 단계에서 계측된 화상점 위치 및 상기 복수의 계측점 각각에 대한 계측 시간에 기반하여 광학 특성을 계산하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은, 첨부 도면을 참조하여 이하의 예시적인 실시예의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1a는 제1 실시예에 따른 노광 장치를 도시하는 개략도다.
도 1b는 계측 패턴의 배열의 예를 도시하는 도면이다.
도 2는 노광 시간과 광학 특성의 변화량 사이의 관계의 그래프 및 노광광의 강도와 노광 시간 사이의 관계의 그래프를 도시한다.
도 3a는 제1 계측점의 계측 타이밍에서의 투영 영역을 도시하는 도면이다.
도 3b는 제2 계측점의 계측 타이밍에서의 투영 영역을 도시하는 도면이다.
도 3c는 제3 계측점의 계측 타이밍에서의 투영 영역을 도시하는 도면이다.
도 3d는 제4 계측점의 계측 타이밍에서의 투영 영역을 도시하는 도면이다.
도 4는 각 계측점에서의 화상점 위치의 계측을 상이한 계측 타이밍에서 수행했을 경우의 계측 결과를 도시하는 도면이다.
도 5는 예측식의 결정 방법을 도시하는 흐름도다.
도 6은 복수의 계측점의 배열의 예를 도시하는 도면이다.
도 7a는 제1 그룹에 분배된 계측점의 예를 도시하는 도면이다.
도 7b는 제2 그룹에 분배된 계측점의 예를 도시하는 도면이다.
도 7c는 제3 그룹에 분배된 계측점의 예를 도시하는 도면이다.
도 8은 계측 단계가 노광 단계 사이의 각 그룹에 대해서 수행되는 경우에 투영 광학계의 광학 특성의 변화량을 도시하는 그래프이다.
도 9는 노광 단계 후에 모든 계측점에서 계측을 수행하는 경우에 투영 광학계의 광학 특성의 변화량을 도시하는 그래프이다.
본 발명의 예시적인 실시예는 첨부 도면을 참조로 하여 이하에 설명될 것이다. 동일한 참조 번호는 도면에 걸쳐 동일한 부재를 지시하고, 그 반복 설명은 주어지지 않는 점에 유의한다.
<제1 실시예>
본 발명의 제1 실시예에 따른 노광 장치(100)가 도 1a를 참조하여 설명될 것이다. 도 1a는 제1 실시예에 따른 노광 장치(100)를 도시하는 개략도다. 노광 장치(100)는, 예를 들어 원판(1)(마스크)을 유지하는 원판 스테이지(2), 투영 광학계(3), 기판(4)을 유지하는 동안 이동 가능한 기판 스테이지(5), 조명 광학계(6) 및 제어부(7)를 포함할 수 있다. 제어부(7)는, 예를 들어 CPU 및 메모리 등을 포함하고, 원판(1)의 패턴을 기판(4)의 샷 영역에 전사하는 노광 처리를 제어한다[노광 장치(100)의 각각의 유닛을 제어한다].
조명 광학계(6)는 시스템에 포함되는 마스킹 블레이드 등의 차광 부재에 의해, 광원(미도시)으로부터 방출된 광을 형성하고, 형성된 광에서 원판(1)의 패턴 영역(회로 패턴을 포함하는 영역)을 조명한다. 원판(1) 및 기판(4)은, 원판 스테이지(2) 및 기판 스테이지(5)에 의해 각각 유지되고, 투영 광학계(3)를 통해 광학적으로 거의 공액 위치[투영 광학계(3)의 물체면 및 화상면]에 위치될 수 있다. 투영 광학계(3)는 원판(1)의 패턴을 기판(4)(샷 영역) 상에 투영한다.
이렇게 구성된 노광 장치(100)에서, 노광광의 일부가 투영 광학계(3)에 흡수되어서, 투영 광학계(3)의 광학 특성(예를 들어, 왜곡 등의 광학 수차)이 상기 흡수에 의해 발생한 열의 영향하에서 노광 시간에 따라 변화할 수 있다. 예를 들어, 도 2b에 도시된 바와 같이 사전 결정된 강도를 갖는 노광광에서 노광 처리가 수행되면, 도 2a에 도시된 바와 같이 투영 광학계(3)의 광학 특성은 노광 시간에 대하여 지수함수적으로 변화할 수 있다. 그 때문에, 노광 장치(100)에서, 이러한 투영 광학계(3)의 광학 특성의 변화량을 고려하지 않으면, 원판(1)의 패턴을 샷 영역에 정확하게 전사하는 것이 어려워질 수 있다.
노광 장치(100)에서, 기판(4)의 노광 동안의 열에 의해 변화하는 투영 광학계(3)의 광학 특성이 예측되고, 그 예측값에 기반하여 투영 광학계(3)의 광학 특성을 변화(보정)하는 동시에 노광 처리가 수행된다. 변경 유닛(보정 유닛)은 투영 광학계(3)의 광학 특성을 변경할 수 있다. 변경 유닛은, 예를 들어 투영 광학계(3)의 광학 소자(3a)를 구동하는 구동 유닛(3b) 및 기판 스테이지(5) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 실시예에서, 구동 유닛(3b)이 변경 유닛으로서 사용되고, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 예측값에 기반하여 제어부(7)에 의해 제어되는 예가 설명될 것이다. 도 1a에 보여지는 구동 유닛(3b)은 하나의 광학 소자(3a)를 구동하도록 구성된다. 그러나 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 구동 유닛(3b)은 복수의 광학 소자를 구동하도록 구성될 수 있다.
투영 광학계(3)의 광학 특성을 예측하는 예측 방법이 종래의 예측 방법과 비교하면서 이하의 본 실시예에서 설명될 것이다. 제어부(7)가 투영 광학계(3)의 광학 특성을 예측하는 처리(예측식을 결정하는 처리)를 수행하는 예가 이하에 설명될 것이다. 그러나, 상기 처리를 수행하는 처리기는 제어부(7)와는 독립적으로 제공될 수 있다.
[종래의 예측 방법]
먼저, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 종래의 예측 방법이 설명될 것이다. 종래에, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 예측 값(Φk)은 예를 들어, 주어진 예측식에 의해 획득될 수 있다:
Φk = Ic·Ek - (Ic·Ek -Φk-1)exp(-tk/K) ...(1)
Ek는 노광량을 나타내며, tk는 노광 시간(투영 광학계를 통해 투과된 광량)을 나타내며, tk는 노광 시간을 나타내며, Ic는 예측값을 실측값에 근접하게 만드는 계수(예측값의 오차를 보정하는 계수)를 나타내고, K는 투영 광학계(3)의 열전도에 관한 시상수를 나타낸다.
예측식으로 획득되는 예측값(Φk)에서 실측값에 대한 오차가 발생할 수 있다. 이러한 오차가 예측값(Φk)에서 발생되면, 변경 유닛[구동 유닛(3b)]이 예측값(Φk)에 따라 구동되더라도, 원판(1)의 패턴을 기판(4)의 샷 영역에 정확하게 전사하는 것이 어려워질 수 있다. 따라서, 노광 장치에서, 예를 들어 노광 단계 후에, 노광 단계(도 2의 기간A)에서 발생한 투영 광학계의 광학 특성의 변화량이 감소하는 기간(도 2의 기간B)에서, 투영 광학계(3)의 광학 특성이 실측되고, 그 실측 결과에 기반하여 예측식의 최적화가 수행된다.
식(1)에서, 계수(Ic) 및 시상수(K)는 예측식을 최적화하기 위해 결정되는 파라미터이다(이하, 때때로 보정 파라미터로 지칭된다). 이러한 보정 파라미터는, 투영 광학계(3)의 광학 특성 각각의 유형(예를 들어, 투영 배율, 초점, 왜곡 등)마다 결정될 수 있다. 또한, 노광 장치에서, 투영 광학계(3)의 광학 특성에서의 변동은, 조명(NA), 조명(σ), 노광화각, 레티클(reticle) 투과율, 기판에서의 광의 반사율 등의 노광 조건에 의존해서 변화한다. 따라서, 보정 파라미터가 각 노광 조건에 대해 결정(최적화)되고 메모리 등에 저장되는 것이 바람직하다.
예측식(보정 파라미터)을 최적화하는 방법이 이어서 설명될 것이다. 예측식을 최적화하기 위해서, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 계측(실측)이 수행될 수 있다. 광학 특성의 계측 방법으로서, 예를 들어, 테스트 프린트(베이킹)를 사용하는 방법 및 공중화상을 사용하는 방법이 있다. 전자의 테스트 프린트를 사용하는 방법은, 원판(1)의 패턴을 테스트 기판에 전사하고, 테스트 기판이 현상된 후에, 테스트 기판에 전사된 패턴의 위치나 선폭(CD)을 계측함으로써, 광학 특성을 획득하는 방법이다. 한편, 후자의 공중화상을 사용하는 방법은, 투영 광학계(3)에 의해 형성된 공중화상을 검출(관찰)하고, 그 검출 결과로부터 광학 특성을 계측하는 방법이다. 테스트 프린트를 사용하는 방법과 비교하여, 후자의 공중화상을 사용하는 방법은, 기판을 현상하는 단계를 포함하지 않기 때문에, 투영 광학계(3)의 광학 특성을 계측하기 위해서 요구되는 시간을 크게 줄일 수 있다. 공중화상을 사용하여 계측된 투영 광학계(3)의 광학 특성(예를 들어, 왜곡)의 상세한 예가 이하에 설명될 것이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 노광 장치(100)는 투영 광학계(3)의 물체면측(원판측) 및 화상면측(기판측) 상에 각각 계측 패턴(10)을 포함한다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 원판측 상의 계측 패턴(10a) 및 기판측 상의 계측 패턴(10b)은 동일한 배열을 갖고 H 패턴(11) 및 V 패턴(12)을 각각 포함할 수 있다. H 패턴(11)은, X 방향으로 연장하는 선 요소의 역할을 하는 복수의 광투과부(13)가 Y 방향으로 배열된 선 및 공간 패턴을 포함하고, Y 방향에서 투영 광학계(3)의 화상점 위치를 검출하기 위해서 사용될 수 있다. 한편, V 패턴(12)은, Y 방향으로 연장하는 선 요소의 역할을 하는 복수의 광투과부(13)가 X 방향으로 배열된 선 및 공간 패턴을 포함하고, X 방향에서 투영 광학계(3)의 화상점 위치를 검출하기 위해서 사용된다.
원판측 상의 계측 패턴(10a) 및 기판측 상의 계측 패턴(10b)은, 원판 스테이지(2) 및 기판 스테이지(5) 상에 각각 제공되고, 투영 광학계(3)의 광축 방향(Z 방향) 및 해당 광축에 대해 수직인 면내 방향(X 방향 또는 Y 방향)으로 이동 가능하다. 또한, 기판 스테이지(5)는 기판측 상의 계측 패턴(10b) 밑에, 계측 패턴(10b)의 광투과부(13)를 통해 투과된 광량(강도)을 검출하고, 원판측의 계측 패턴(10a)의 화상점 위치를 계측하는 광량 센서(14)(계측 유닛)를 포함할 수 있다.
조명 광학계(6)로부터 방출된 광이, 원판측 상의 계측 패턴(10a)의 광투과부(13) 및 기판측 상의 계측 패턴(10b)의 광투과부(13)를 통해 투과되고, 광량 센서(14)에 의해 검출된 광량이 최대가 되도록, 노광 장치(100)는 기판 스테이지(5)를 이동(스캔)시킨다. 예를 들어, H 패턴(11)에 대해서는, 선 요소[광투과부 (13)]의 길이 방향에 대해 수직인 방향(Y 방향)에 기판 스테이지(5)를 이동시키면서, 광량 센서(14)가 광량을 검출하도록 야기된다. 그리고, 광량 센서(14)에 의해 검출된 광량이 최대가 되는 위치(좌표), 즉, 원판측 상의 계측 패턴(10a)의 화상 및 기판측 상의 계측 패턴(10b)의 화상이 Y 방향에서 가장 많이 중첩되는 위치를, Y 방향에서 화상점 위치(결상 위치)로서 결정한다. V 패턴(12)에도 동일하게 적용된다. 광량 센서(14)는 기판 스테이지(5)를 X 방향으로 이동시키면서 광량을 검출하게 되고, 검출된 광량이 최대가 되는 위치는 X 방향에서의 화상점 위치(결상 위치)로서 결정된다.
이러한 화상점 위치의 계측은, 원판 스테이지(2)가 원판측 상의 계측 패턴(10a)을 투영 광학계(3)의 물체면(투영 영역 및 화각) 상에 미리 설정된 복수의 계측점(물점)의 각각에 순차적으로 배열하도록 야기하면서 수행된다. 따라서, 각 계측점에 대해서, 광량 센서(14)에 의해 계측된 원판측 상의 계측 패턴(10a)의 화상점 위치와, 원판측 상의 계측 패턴(10a)의 화상점이 계측되어야 할 목표 위치(이상적인 위치 또는 설계 위치) 사이에서 X 및 Y 방향의 차이가 획득된다. 상기 차이는 이하에서 때때로 "화상점 위치에서의 편차량"으로서 지칭될 것이다.
종래에는, 화상점 위치에서의 편차량(dx, dy)은 이하의 식(2)으로 주어지고,
dxi = IcMag ·xi
dyi = IcMag ·yi ...(2)
"xi" 및 "yi"는 X 및 Y 방향으로 목표 위치에서의 좌표를 나타내고, "i"는 계측점의 번호를 나타내고, "IcMag"는 투영 광학계의 왜곡에서 공간 변화 성분(배율 변화)에 관한 계수 Ic를 나타낸다. 최소 제곱법 등을 사용하여 화상점 위치에서 편차량(dx, dy)이 최소가 되도록 계수(IcMag)를 획득함으로써, 예측식(보정 파라미터)을 최적화할 수 있다. 복수의 계측점은, 예를 들어 노광화각의 네 코너를 포함하도록 설정될 수 있다는것에 유의한다.
[본 실시예의 예측 방법]
각 계측점에서의 화상점 위치의 계측은, 노광 처리의 종료 후, 조명 광학계(6)(차광 부재)에 의해 적어도 원판측 상의 계측 패턴(10a)을 조명하고, 투영 광학계(3)를 통해 투과된 광량이 기판의 노광 동안의 광량보다 매우 작은 상태에서 수행된다. 즉, 화상점 위치의 계측은, 노광량(Ek)이 "0" 에 가까운 상태에서 수행된다. 따라서, 계측이 수행되는 기간에서는, 투영 광학계(3)에서 열이 거의 발생하지 않고, 노광 처리에 의해 야기된 투영 광학계의 광학 특성의 변화량이 지수함수적으로 감소한다.
투영 광학계(3)의 광학 특성이 변화하는 속도는, 식(1)의 시상수(K)에 의존한다. 이 시상수(K)가, 복수의 계측점의 각각에서 화상점 위치를 계측하기 위해 요구되는 시간보다 충분히 긴 경우, 각 계측점에 대한 계측 타이밍에서의 투영 광학계(3)의 광학 특성을 일정한 것으로 간주할 수 있다. 이 경우, 상기 설명된 종래의 방법을 사용함으로써, 예측식(보정 파라미터)을 충분히 최적화할 수 있다.
그러나, 시상수(K)는, 예를 들어 투영 광학계(3)의 배열에 의해 결정되는 고유 값이다. 시상수(K)에 따라서, 복수의 계측점의 각각에서 화상점 위치가 계측되는 동안, 투영 광학계(3)의 광학 특성이 무시할 수 없는 정도로 변화할 수 있다. 예를 들어, 1개의 계측점에서의 화상점 위치를 계측하기 위해 몇초 내지 십몇초의 시간이 요구되는 경우, 10개의 계측점에서 화상점 위치를 계측함으로써 총 시간은 몇십초가 된다. 반대로, 투영 광학계(3)의 시상수(K)는, 일반적으로 몇십초 내지 몇천초의 범위 내에 속하고, 시상수(K)가 몇십초 정도인 투영 광학계(3)에서 화상점 위치를 계측하기 위해 요구되는 총 시간과 거의 동일해진다. 투영 광학계(3)의 광학 특성의 변화 속도를 무시하는 것은 바람직하지 않다. 즉, 각 계측점에서의 화상점 위치의 계측 타이밍에서의 투영 광학계(3)의 광학 특성을 고려하지 않으면, 예측식(보정 파라미터)의 최적화가 불충분해질 수 있다.
상세한 예가 도 3a 내지 도 3d 및 도 4를 참조하여 설명될 것이다. 도 3a 내지 도 3d에 도시된 바와 같이, 시간(Δt)은, 노광 단계 후에 4개의 계측점(화각의 각 정점)에서 순차적으로 화상점 위치의 계측이 수행되는 경우를 가정하고, 1개의 계측점에서의 화상점 위치를 계측하기 위해 요구된다. 도 3a 내지 도 3d 각각은, 투영 광학계(3)의 광학 특성(왜곡)의 변화를 도시하는 개념도이다. 각 점선은, 투영 광학계(3)의 광학 특성이 변화하기 전(도 2에서 시간 t=0)의 투영 영역(20a)을 가리키고, 각 실선은, 각 계측점에서의 계측 타이밍에서의 투영 영역(20b)을 가리킨다.
제1 계측점(21a)에서의 화상점 위치의 계측은, 도 3a에 도시된 바와 같이 투영 영역(20b)이 비교적 클 때 시간(t1)에서 수행된다. 이 경우, 제2 계측점(21b)에서의 화상점 위치의 계측은, 도 3b에 도시된 바와 같이 투영 영역(20b)이 시간(t1)에서보다 더 작아질 때 시간[t2(=t1 + Δt)]에서 수행된다. 또한, 제3 계측점(21c)에서의 화상점 위치의 계측은, 도 3c에 도시된 바와 같이 투영 영역(20b)이 시간(t2)에서보다 더 작을 때 시간[t3(= t1 + 2Δt)]에서 수행된다. 유사하게, 제4의 계측점(21d)에서의 화상점 위치의 계측은, 도 3d에 도시된 바와 같이 투영 영역(20b)이 시간(t3)에서보다 더 작을 때 시간[t4(= t1 + 3Δt)]에서 수행된다. 따라서, 이렇게 각각의 계측점에서의 화상점 위치의 계측이 서로 상이한 계측 타이밍에서 수행되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 각각의 계측 타이밍에서의 투영 영역의 변화량(변화 벡터의 절대값)이 상이할 수 있다. 따라서, 종래의 방법에서와 같이 각 계측 타이밍에서의 투영 광학계(3)의 광학 특성을 고려하지 않고, 화상점 위치의 계측 결과를 직접 사용함으로써 예측식의 최적화가 수행되면, 최적화가 불충분해질 수 있다.
이를 방지하기 위해, 본 실시예의 노광 장치(100)는, 복수의 계측점의 각각에 대해서 계측된 화상점 위치에 기반하여 예측식{보정 파라미터[계수(Ic)]}을 결정할 때 각 계측점에 대한 계측 타이밍에서 광학 특성의 변화량을 고려한다. 본 실시예에 따른 예측식의 결정 방법은 도 5를 참조하여 이하에 설명될 것이다. 도 5는 본 실시예에 따른 예측식의 결정 방법을 도시하는 흐름도이다. 흐름도의 각 단계는 제어부(7)에 의해 수행될 수 있다. 본 실시예에서, 투영 광학계(3)의 광학 특성으로서, 투영 광학계(3)에서 왜곡의 1차 성분의 역할을 하는 배율 성분을 예측하는 예측식의 결정 방법이 설명될 것이다.
단계 S11에서, 제어부(7)는, 투영 광학계(3)의 물체면 상에 설정된 복수의 계측점에 관한 정보를 취득한다. 본 실시예에서, 외부 컴퓨터 등에 의해 미리 설정된 복수의 계측점에 관한 정보를 제어부(7)가 취득하는 예가 설명될 것이다. 하지만, 예를 들어 제어부(7) 자체가 복수의 계측점을 설정할 수 있다.
단계 S12에서, 제어부(7)는, 복수의 계측점 중 1개의 계측점(이하, 목표 계측점으로 지칭됨)에 화상점 위치를 계측한다(계측 단계). 상기 설명된 바와 같이, 화상점 위치의 계측은, 원판 스테이지(2)에 의해 목표 계측점에서 원판측 상의 계측 패턴(10a)을 배열하고, 기판 스테이지(5)로 광량 센서(14)를 스캔하면서, 목표 계측점에서의 화상점 위치를 탐색함으로써 수행된다. 목표 계측 위치에서 계측된 화상점 위치는, 목표 계측점에서의 계측 타이밍과 함께 메모리 등에 저장된다. 단계 S13에서, 제어부(7)는, 모든 복수의 계측점에 대해서 화상점 위치를 계측한 것인지를 결정한다. 화상점 위치의 계측이 수행되지 않는 계측점이 1개라도 있으면, 처리는 목표 계측점을 변경함으로써 화상점 위치의 계측을 수행하기 위해 단계 S12로 복귀한다. 한편, 모든 복수의 계측점에 대해서 화상점 위치가 계측된 경우에, 처리는 단계 S14로 진행한다.
단계 S14에서, 제어부(7)는, 단계 S12에서 각 계측 위치에서 계측된 화상점 위치 및 각 계측점에 대한 계측 타이밍에서의 투영 광학계(3)의 광학 특성(변화량)의 추정값에 기반하여 예측식(계수 IcMag)을 결정한다(결정 단계). 즉, 단계 S14에서의 계측 단계에서, 각 계측점에서 계측된 화상점 위치에 대해 각 계측점에 대한 계측 타이밍에서의 투영 광학계(3)의 광학 특성을 고려하여 예측식이 결정된다.
여기서, 단계 S14에서의 결정 단계가 상세하게 설명될 것이다. 예를 들어, 제어부(7)는 목표 위치와 단계 S14에서의 목표 계측점(화상점 위치의 편차량)에서 계측된 화상점 위치 사이에서 X 및 Y 방향으로의 차이를 획득한다. 이어서, 시간 ti에서 X 및 Y 방향으로 계측된 목표 계측점의 목표 계측 위치를 (xi, yi)로 하면, X 방향에서 화상점 위치의 편차량 dx(xi, yi, ti) 및 Y 방향에서의 편차량 dy(xi, yi, ti)은, 각각 다음과 같이 주어진다:
dx(xi, yi, ti) = IcMag ·xiφMag(ti)
dy(xi, yi, ti) = IcMag ·yiφMag(ti) ...(3)
상기 설명된 종래의 식(2)과 비교하면, 함수 φMag(ti)가 이 식(3)에 곱해져 있다. 함수 φMag(ti)는 다음과 같이 주어진다:
Figure pat00001
...(4)
E는 노광량이고, K는 투영 광학계의 시상수이다. 함수 φMag(ti)는, 기판의 시간 및 노광량[투영 광학계(3)를 통해 투과된 광량)에 기반하여 투영 광학계의 광학 특성을 추정(계산)하기 위한 함수이고, 미지의 파라미터로서의 역할을 하는 계수(IcMag)를 포함하지 않고 표준화된다. 즉, 식(3)은, 각 계측점에 대한 계측 타이밍에서의 투영 광학계의 광학 특성의 추정값과, 화상점의 목표 위치를 파라미터로서 사용함으로써 화상점 위치의 편차량을 계산한다.
최소 제곱법 등을 사용하여, 제어부(7)는, 실측된 화상점 위치의 편차량과 식(3)에 의해 표현되는 각 계측점에 대한 화상점 위치의 편차량 dx(xi, yi, ti) 및 dy(xi, yi, ti) 사이의 차이의 제곱 합이 최소화 되도록, 계수(IcMax)를 획득한다. 이는 투영 광학계(3)의 광학 특성의 변화를 예측하기 위한 예측식을 정확하게 결정할 수 있게 한다. 예를 들어, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 역할을 하는 배율 성분(왜곡의 1차 성분)의 변화를 예측하기 위한 예측식은, 시간(t)에 대한 투영 광학계(3)의 투영 배율을 나타내는 "Mag(t)"로서 주어진다:
Figure pat00002
...(5)
상기에 설명된 바와 같이, 본 실시예에서, 복수의 계측점의 각각에 대해서 계측된 화상점 위치 및 계측 타이밍에서의 투영 광학계(3)의 광학 특성의 추정값에 기반하여, 예측식이 결정된다. 이에 따라 결정된 예측식을 사용함으로써, 기판의 노광 동안 투영 광학계(3)의 광학 특성을 정확하게 예측할 수 있다. 본 실시예에서, 노광 장치(100)의 제어부(7)가 예측식을 결정하는 예가 설명되었다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 노광 장치(100)의 외부에 제공된 외부 컴퓨터등의 처리기에 의해 예측식을 결정할 수 있다.
<제2 실시예>
제1 실시예에서, 투영 광학계(3)의 광학 특성으로서, 왜곡의 1차 성분(배율 성분)을 예측하는 예측식에 대한 결정 방법이 설명되었다. 제2 실시예에서, 제1 실시예보다 더 고차의 왜곡 성분을 예측하는 예측식의 결정 방법이 설명될 것이다. 제2 실시예에서, 1차 왜곡 대칭 성분, 3차 왜곡 대칭 성분 및 1차 왜곡의 XY 차이 성분을 예측하는 예측식의 결정 방법이, 도 5에 도시된 흐름도에 기반하여 설명될 것이다.
단계 S11에서, 제어부(7)는, 투영 광학계(3)의 물체면 상에 설정된 복수의 계측점(물점)에 관한 정보를 취득한다. 본 실시예에서, 또한 제1 실시예에 비해서 더 고차의 왜곡 성분이 계측되기 때문에, 설정된 계측점의 수는, 제1 실시예(예를 들어 도 3a 내지 도 3d 참조)보다 더 많아진다. 도 6은, 본 실시예에 따른 물체면 상에 설정된 복수의 계측점의 배열의 예를 도시하는 도면이다. 도 6에 도시된 예에서, 투영 광학계(3)의 투영 영역(20)(화각) 상에 12개의 계측점(21)이 설정된다.
단계 S12 내지 단계 S13에서, 제어부(7)는, 복수의 계측점의 각각 에 대해서 화상점 위치를 계측한다. 이어서, 단계 S14에서, 제어부(7)는, 각 계측점에서 계측된 화상점 위치에 대해 각 계측점에 대한 계측 타이밍에서의 투영 광학계(3)의 광학 특성을 고려하여, 예측식을 결정한다.
본 실시예에서, 시간 ti에서 X 및 Y 방향으로 계측된 목표 계측점의 목표 계측 위치를 (xi, yi)로 하면, X 방향에서 화상점 위치의 편차량dx(xi, yi, ti) 및 Y 방향에서의 편차량 dy(xi, yi, ti)은, 각각 다음과 같이 주어진다:
dx(xi, yi, ti) = Ic1st ·xiφ1st(ti) + Ic3rd ·xiri 2φ3rd(ti) + Ic1stXY ·xiφ1stXY(ti)
dy(xi, yi, ti) = Ic1st ·yiφ1st(ti) + Ic3rd ·yiri 2φ3rd(ti) + Ic1stXY ·yiφ1stXY(ti)
ri 2 = xi 2 + yi 2 ...(6)
φ1st(ti), φ3rd(ti) 및 φ1stXY(ti)은 각각, 기판의 시간 및 노광량에 기반하여 투영 광학계의 광학 특성을 추정(계산)하기 위한 함수다. 즉, φ1st(ti)은, 시간(ti)에서의 1차 왜곡 대칭 성분의 발생량의 추정값을 나타내고, φ3rd(ti)은, 시간(ti)에서의 3차 왜곡 대칭 성분의 발생량의 추정값을 나타낸다. 또한, φ1stXY(ti)은, 시간(ti)에서의 1차 왜곡의 XY 차이 성분의 발생량의 추정값을 나타낸다. φ1st(ti), φ3rd(ti) 및 φ1stXY(ti)는 다음과 같이 주어진다:
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
...(7)
"t"는 시간을 나타내고, "K1st", "K3rd" 및 "K1stXY"는 각각의 왜곡 성분의 시상수를 나타낸다.
최소 제곱법 등을 사용하여, 제어부(7)는, 실측된 화상점 위치의 편차량과 식(6)에 의해 표현되는 화상점 위치의 편차량 dx(xi, yi, ti) 및 dy(xi, yi, ti) 사이의 차이의 제곱 합이 최소화 되도록, 계수(Ic1st), 계수(Ic3rd) 및, 계수(Ic1stXY)를 획득한다. 이와 같이, 화상점 위치에서의 편차량을 식(6)과 같이 나타냄으로써, 임의의 시간 및 임의의 계측 좌표에서 화상점 위치의 계측을 수행하는 것이 가능해진다. 따라서, 공간/시간의 관점에서 자유롭게 계측점을 샘플링하고 화상점 위치의 계측을 수행할 수 있다.
[계측점의 그룹화]
화상점 위치의 계측은, 노광 단계의 종료 후, 노광 단계에서 발생된 투영 광학계의 광학 특성의 변화량이 감소하는 기간 내에서 수행된다. 이 경우, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 변화량은, 노광 단계의 종료 직후에서 가장 크고, 노광 단계가 종료로부터 시간이 경과함에 따라서 감소하고, 최종적으로는 도 2에 도시된 바와 같이 거의 사라지는 경향을 나타낸다. 따라서, 투영 광학계(3)의 광학 특성을 예측하기 위한 예측식을 충분히 최적화하기 위해서, 투영 광학계의 광학 특성의 변화량이 가능한 한 큰 상태에서 화상점 위치의 계측이 수행되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 화상점 위치의 계측은, 투영 광학계의 광학 특성의 변화량이, 포화 상태에서의 변화량에 대하여 50% 이상(더욱 바람직하게는, 70% 이상)이 되는 목표 기간 내에 수행되는 것이 바람직하다.
그러나, 예를 들어 본 실시예에서와 같이 더 고차의 왜곡 성분의 예측식이 결정되는 경우 등에서, 화상점 위치에서 계측되어야 할 계측점의 수가 많으면, 복수의 계측점에서의 화상점 위치의 계측을 목표 기간 내에 수행하는 것이 어려워질 수 있다. 이에 대처하기 위해, 제어부(7)는, 단계 S11에서 취득된 정보에서 복수의 계측점을, 적어도 하나의 계측점을 각각 포함하는 복수의 그룹에 분배한다. 이어서, 제어부(7)는 계측 단계와 노광 단계가 교대로 수행되도록 복수의 시간에 걸친 노광 단계 사이의 한 그룹에서 각 계측점에서의 화상점 위치의 계측을 수행한다(계측 단계).
도 7a 내지 도 7c는, 도 6에 도시된 복수(12개)의 계측점(21)이 3개의 그룹에 분배된 예를 도시하는 도면이다. 투영 영역(20)의 각각의 정점에 배열된 4개의 계측점(21)이 도 7a에 도시된 제1 그룹에 분배된다. 투영 영역(20)의 각각의 측부에 배열된 4개의 계측점(21)이 도 7b에 도시된 제2 그룹에 분배된다. 또한, 투영 영역(20)의 내측에 배열된 4개의 계측점(21)이 도 7c에 도시된 제3 그룹에 분배된다. 한 그룹 내의 화상점 위치의 계측이 목표 기간 내에 수행되도록, 계측점(21)은 바람직하게는 투영 광학계(3)의 시상수(K)(즉, 광학 특성의 변화 속도)에 따라서 복수의 그룹에 분배되며, 하나의 계측점에서 화상점 위치를 계측하기 위해 시간 등이 요구된다.
도 8은, 노광 단계 및 계측 단계가 교대로 수행되는 경우(노광 단계 사이의 계측 단계가 각 그룹에 대해 수행되는 경우)에서의 투영 광학계(3)의 광학 특성의 변화량(Ic·Ek)을 도시하는 그래프이다. 도 7a 내지 도 7c에 도시된 예에서, 노광 단계(A1)의 종료 후에 제1 그룹에 대한 계측 단계(B1)가 수행되고, 제1 그룹에 대한 계측 단계(B1)의 종료 후에 노광 단계(A2)가 수행된다. 또한, 노광 단계(A2)의 종료 후에 제2 그룹에 대한 계측 단계(B2)가 수행되고, 제2 그룹에 대한 계측 단계(B2)의 종료 후에 노광 단계(A3)가 수행되고, 노광 단계(A3)의 종료 후에 제3 그룹에 대한 계측 단계(B3)가 수행된다. 즉, 도 8에 도시된 예에서, 노광 단계 및 계측 단계가 교대로 수행될 수 있고, 제1 그룹에 대한 계측 단계(B1)와 제2 그룹에 대한 계측 단계(B2)의 사이 및, 제2 그룹에 대한 계측 단계(B2)와 제3 그룹에 대한 계측 단계(B3) 사이에서 노광 단계가 수행될 수 있다.
이와 같이, 복수의 계측점을 복수의 그룹에 분배하고, 한 그룹의 계측 단계와 노광 단계를 교대로 수행함으로써, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 변화량이 비교적 큰 상태에서, 각 계측점에서의 화상점 위치의 계측을 수행할 수 있다. 한편, 도 9에 도시된 바와 같이, 노광 단계 후의 기간에서, 화상점 위치의 계측이 모든(12개) 계측점에서 연속적으로 수행되면, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 변화량이 0에 가까운 상태에서도 계측을 수행하는 것이 필요할 수 있다. 이는 예측식을 정확하게 최적화하는 것을 어려워지게 할 수 있다.
[효과]
여기서, 상기에 설명된 바와 같이, 복수의 계측점을 그룹화하여 계측하는 효과에 대해서 정량적으로 설명될 것이다. 이하의 설명에서, 1차 왜곡, 3차 왜곡 및 1차 왜곡의 XY 차이 성분 각각에 대한 투영 광학계의 시상수(K)를 80초로 가정하고, 한 계측점에서의 화상점 위치의 계측에 요구되는 시간을 10초로 가정한다.
예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 노광 단계(A)의 종료 직후에, 투영 광학계(3)의 광학 특성이 포화된 상태에서 계측 단계(B)가 개시되고, 12개 모든 계측점에 대해서 화상점 위치의 계측이 연속적으로 수행되는 경우를 가정한다. 이 경우, 모든 계측점을 계측하기 위해 요구되는 총 시간은 120초이다. 상기 설명된 바와 같이, 화상점 위치의 계측중에 노광량(Ek)은 "0"에 가까운 상태이기 때문에, 투영 광학계(3)의 광학 특성의 변화량이 시간의 경과에 따라 지수함수적으로 감소한다. 따라서, 모든 계측점에서의 계측이 종료때을 때의 광학 특성은, 계측의 개시에서의 광학 특성에 비교하여, exp(-t/K) = exp(-120/80) ≒ 22% 까지 감소한다. 또한, 계측 단계의 중간 시점(60초)에서의 광학 특성은, exp(-60/80) = 47%까지 감소한다.
계측의 개시(노광의 종료 직후)에서의 노광 수차의 발생량(투영 광학계 3의 광학 특성), 즉 포화 값(Ic·Ek)의 계측 정확도를 고려한다. 투영 광학계의 광학 특성이 변화하고 있지 않은 경우의 계측 정확도는 1.0ppm이라고 가정하면, 광학 특성이 47%까지 감소한 계측 단계 중간 시점에서 계측이 수행되는 경우의 계측 정확도는 2.1ppm이라고 추정된다.
한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 12개의 계측점을 3개의 그룹에 분배하고, 계측 단계 및 노광 단계가 교대로 수행되는 경우, 한 그룹 내의 각각의 계측점을 계측하기 위해 요구되는 총 시간은 40초이다. 즉, 한 그룹 내의 각각의 계측점에서의 계측이 종료됐을 때 광학 특성은 단지 exp(-40/80) = 61% 그리고 중간 시점(20초)에서 exp(-20/80) = 78%만 감소한다. 그리고, 계측 단계의 중간 시점에서 계측이 수행되는 경우에 계측 정확도는 1.3ppm으로 추정되고, 도 9에 도시된 바와 같이 모든 계측점에서 연속해서 계측이 수행되는 경우에 비교하여 계측 정확도가 향상된 것을 알 수 있다.
상기에 설명된 바와 같이, 본 실시예에서, 복수의 계측점은 복수의 그룹에 분배되고, 각 그룹에 대한 계측 단계가 노광 단계의 사이에서 수행된다. 이는 각각의 계측점에서의 화상점 위치의 계측을 목표 기간 내에 수행할 수 있게 한다. 따라서, 이 계측 결과에 기반하여 결정된 예측식을 사용함으로써, 기판의 노광 동안 투영 광학계(3)의 광학 특성을 정확하게 예측할 수 있다.
<물품의 제조 방법의 실시예>
본 발명의 실시예에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스와 같은 마이크로디바이스나 미세 구조를 갖는 소자(element) 등의 물품의 제조에 적합하다. 본 실시예에 따른 물품의 제조 방법은, 상기에 설명된 노광 장치를 사용하여 기판에 적용된 포토레지스트 상의 잠상 패턴을 형성하는 단계(기판을 노광하는 단계) 및 상기 단계에서 형성된 잠상 패턴을 갖는 기판을 현상하는 단계를 포함하고, 물품은 현상된 기판으로부터 제조된다. 또한, 제조 방법은, 다른 알려진 단계(예를 들어, 산화, 퇴적, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩 및 패키징)을 포함한다. 본 실시예에 따른 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
<다른 실시예>
본 발명의 실시예(들)는, 상기 설명된 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하기 위해 기억 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터가 판독 가능한 기억 매체'라 지칭될 수 있음)에 기록된 컴퓨터가 실행 가능한 지시(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 수행하고 그리고/또는 상기 설명된 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하는 하나 이상의 회로[예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC)]를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 상기 설명된 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 기억 매체로부터 컴퓨터가 실행 가능한 지시를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 상기 설명된 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 처리기[예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU)]를 포함할 수 있고 컴퓨터가 실행 가능한 지시를 판독하고 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 처리기의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터가 실행 가능한 지시는 예를 들어, 네트워크 또는 기억 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 기억 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤-액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템들의 저장소, 광디스크[콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD), 또는 블루레이 디스크(BD)TM 등], 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행 가능하다.
본 발명은 예시적인 실시예를 참조하여 설명되지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 제한되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구범위의 범주는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (11)

  1. 기판의 노광 동안 열에 의해 변화하는 투영 광학계의 광학 특성을 계산하는 계산 방법이며,
    상기 투영 광학계의 물체면 상의 복수의 계측점에 대해서 상이한 계측 시간에서의 화상점 위치를 계측하는 계측 단계; 및
    상기 복수의 계측점의 각각에 대해서 상기 계측 단계에서 계측된 상기 화상점 위치 및 상기 복수의 계측점의 각각에 대한 계측 시간에 기반하여 상기 광학 특성을 계산하는 계산 단계를 포함하는, 계산 방법.
  2. 제1항에서, 상기 계산 단계에서,
    상기 화상점 위치에서 시간 변화를 예측하기 위한 예측식의 계수는, 상기 계측 단계에서 계측된 각각의 화상점 위치 및 상기 복수의 계측점의 각각에 대한 상기 예측식 및 상기 계측 시간을 사용함으로써 예측되는 각각의 화상점 위치에 기반하여 결정되고,
    상기 광학 특성은 상기 예측식의 결정된 상기 계수를 사용함으로써 계산되는, 계산 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 예측식은, 상기 투영 광학계를 통해 투과한 광량 및 상기 투영 광학계의 시상수를 파라미터로서 포함하는 시간 함수에 의해 표현되는, 계산 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 계측 단계는, 상기 광학 특성이 변화하는 기간 내에서 수행되는, 계산 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 계측 단계는, 상기 투영 광학계를 통해 상기 기판을 노광한 후에, 상기 노광에서 발생된 상기 광학 특성의 변화량이 감소하는 기간 내에 수행되는, 계산 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 계측점은, 제1 그룹과 제2 그룹을 포함하는 복수의 그룹에 분배되고,
    상기 제1 그룹에 대한 상기 계측 단계와 상기 제2 그룹에 대한 상기 계측 단계 사이에서 상기 노광이 수행되는, 계산 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 계측 단계는, 상기 투영 광학계를 통해 투과된 광량이 상기 기판의 노광 동안의 광량보다 적은 상태에서 수행되는, 계산 방법.
  8. 기판을 노광하는 노광 방법이며,
    계산 방법을 사용함으로써 기판의 노광 동안 열에 의해 변화하는 투영 광학계의 광학 특성을 계산하는 단계, 및
    계산된 상기 광학 특성에 기반하여 상기 광학 특성이 변화하는 동안 상기 투영 광학계를 통해 상기 기판을 노광하는 단계를 포함하며,
    상기 계산 방법은,
    상기 투영 광학계의 물체면 상의 복수의 계측점에 대해서 상이한 계측 시간에서 화상점 위치를 계측하는 계측 단계; 및
    상기 복수의 계측점 각각에 대해서 상기 계측 단계에서 계측된 상기 화상점 위치 및 상기 복수의 계측점 각각에 대한 계측 시간에 기반하여 상기 광학 특성을 계산하는 계산 단계를 포함하는, 노광 방법.
  9. 기판의 노광 동안 열에 의해 변화하는 투영 광학계의 광학 특성을 계산하는 계산 방법의 각 단계를 컴퓨터가 실행하게 하는 프로그램을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 기억 매체이며, 상기 계산 방법은,
    상기 투영 광학계의 물체면 상의 복수의 계측점에 대해서 상이한 계측 시간에서 화상점 위치를 계측하는 계측 단계; 및
    상기 복수의 계측점의 각각에 대해서 상기 계측 단계에서 계측된 화상점 위치 및 상기 복수의 계측점의 각각에 대한 계측 시간에 기반하여 상기 광학 특성을 계산하는 계산 단계를 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 기억 매체.
  10. 투영 광학계를 통해 기판을 노광하는 노광 장치이며,
    상기 투영 광학계의 화상점 위치를 계측하도록 구성된 계측 유닛;
    상기 투영 광학계의 광학 특성을 변경하도록 구성된 변경 유닛; 및
    상기 변경 유닛을 제어하도록 구성된 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는,
    상기 투영 광학계의 물체면 상의 복수의 계측점에 대해, 상이한 계측 시간에서 화상점 위치를 상기 계측 유닛이 계측하게 하고,
    상기 복수의 계측점의 각각에 대해 계측된 상기 화상점 위치 및 상기 복수의 계측점의 각각에 대한 계측 시간에 기반하여 상기 광학 특성을 계산하고,
    계산된 상기 광학 특성에 기반하여 상기 변경 유닛을 제어하는, 노광 장치.
  11. 물품 제조 방법이며,
    노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 단계;
    노광된 상기 기판을 현상하는 단계; 및
    현상된 상기 기판을 처리하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하며,
    투영 광학계를 통해 상기 기판을 노광시키는 상기 노광 장치는,
    상기 투영 광학계의 화상점 위치를 계측하도록 구성된 계측 유닛;
    상기 투영 광학계의 광학 특성을 변경하도록 구성된 변경 유닛; 및
    상기 변경 유닛을 제어하도록 구성된 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는,
    상기 투영 광학계의 물체면 상의 복수의 계측점에 대해, 상이한 계측 시간에서 화상점 위치를 상기 계측 유닛이 계측하게 하고,
    상기 복수의 계측점의 각각에 대해 계측된 상기 화상점 위치 및 상기 복수의 계측점의 각각에 대한 계측 시간에 기반하여 상기 광학 특성을 계산하고,
    계산된 상기 광학 특성에 기반하여 변경 유닛을 제어하는, 물품 제조 방법.
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