KR20190025868A - A light emitting device package - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a light emitting element package capable of increasing light efficiency. According to an embodiment of the present invention, the light emitting element package comprises: a first lead frame; a body including a reflective side wall located on the first lead frame and exposing a part of a front surface of the first lead frame; a light emitting element arranged on the front surface of the exposed first lead frame; and at least one first wire connecting the light emitting element and the first lead frame. The reflective side wall has at least one groove unit which exposes the other part of the front surface of the first lead frame, and one end of the at least one first wire passes through the at least one groove unit and is bonded to the other part of the front surface of the first lead frame.

Description

발광 소자 패키지{A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LD) using semiconducting Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials have been developed with thin film growth technology and device materials, Green, blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or combining colors, it is possible to realize white light rays with high efficiency. Also, compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, low power consumption, It has the advantages of response speed, safety, and environmental friendliness.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.A light emitting device package is widely used for a lighting device and a display device. The light emitting device package may generally include a body, a lead frame positioned within the body, and a light emitting device (e.g., LED) located in one of the lead frames.

실시 예는 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of improving light efficiency.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 제1 리드 프레임, 상기 제1 리드 프레임 상에 위치하고, 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 일부를 노출하는 반사 측벽을 포함하는 몸체, 상기 노출되는 제1 리드 프레임의 앞면 상에 배치되는 발광 소자, 및 상기 발광 소자와 상기 제1 리드 프레임을 연결하는 적어도 하나의 제1 와이어를 포함하며, 상기 반사 측벽은 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 다른 일부를 노출하는 적어도 하나의 홈부를 가지며, 상기 적어도 하나의 제1 와이어의 일단은 상기 적어도 하나의 홈부를 통과하여 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 다른 일부에 본딩된다.A light emitting device package according to an embodiment includes a first lead frame, a body disposed on the first lead frame and including a reflective sidewall that exposes a part of a front surface of the first lead frame, And at least one first wire connecting the light emitting element and the first lead frame, the reflective sidewall including at least one light emitting element that exposes another portion of the front surface of the first lead frame Wherein one end of the at least one first wire passes through the at least one groove and is bonded to another portion of the front surface of the first lead frame.

상기 제1 홈부는 상기 노출되는 제1 리드 프레임의 앞면의 일부와의 경계선에 인접하여 위치할 수 있다. 상기 제1 홈부는 상기 노출되는 제1 리드 프레임의 앞면의 일부와 상기 반사 측벽 사이의 경계선에서 상기 반사 측벽 방향으로 움푹 들어간 형태일 수 있다.The first groove portion may be positioned adjacent to a boundary line between the exposed portion of the first lead frame and a portion of the front surface of the first lead frame. The first groove may be recessed toward the reflective sidewall at a boundary between a part of the front surface of the exposed first lead frame and the reflective sidewall.

상기 캐비티에 의하여 노출되는 상기 제1 리드 프레임의 앞면은 상기 발광 소자가 배치되는 제1 영역, 및 상기 제1 홈부에 의하여 노출되는 제2 영역을 포함하며, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 돌출될 수 있다.Wherein the front surface of the first lead frame exposed by the cavity includes a first region in which the light emitting device is disposed and a second region exposed by the first groove portion, Can be protruded.

상기 제1 영역과 상기 반사 측벽 사이의 경계선과 상기 발광 소자 사이의 이격 거리는 130um ~ 140um이고, 상기 발광 소자와 상기 제1 홈부까지의 이격 거리는 500um ~ 600um일 수 있다.The distance between the boundary between the first region and the reflective sidewall and the light emitting device may be 130um to 140um and the distance from the light emitting device to the first groove may be 500um to 600um.

상기 반사 측벽의 광 반사도는 상기 제1 리드 프레임의 광 반사도보다 높을 수 있다. 상기 제2 영역의 직경은 300um ~ 400um일 수 있다.The light reflectivity of the reflective sidewall may be higher than the light reflectivity of the first lead frame. The diameter of the second region may be 300 [mu] m to 400 [mu] m.

상기 반사 측벽은 복수의 측벽들을 포함하며, 상기 반사 측벽은 상기 복수의 측벽들 각각에 위치하는 복수의 홈부들을 가지며, 상기 복수의 홈부들은 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 서로 다른 영역들을 노출할 수 있다.The reflective sidewall includes a plurality of sidewalls, the sidewall having a plurality of trenches located in each of the plurality of sidewalls, the plurality of trenches exposing different regions of the front surface of the first leadframe, can do.

상기 적어도 하나의 제1 와이어는 복수 개이며, 상기 복수의 제1 와이어들 각각의 일단은 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 서로 다른 영역들 중 대응하는 어느 하나에 본딩될 수 있다.The at least one first wire may be a plurality and one end of each of the plurality of first wires may be bonded to a corresponding one of the different regions of the front surface of the first lead frame.

상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 리드 프레임과 이격하여 상기 몸체 내에 위치하고, 상기 캐비티에 의하여 앞면의 일부가 노출되는 제2 리드 프레임을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 리드 프레임의 앞면의 노출 영역의 직경은 300um ~ 400um일 수 있다. The light emitting device package may further include a second lead frame, which is located within the body, spaced apart from the first lead frame, and a part of the front surface is exposed by the cavity. The diameter of the exposed region of the front surface of the second lead frame may be 300 [mu] m to 400 [mu] m.

상기 발광 소자 패키지는 일단은 상기 발광 소자에 본딩되고, 나머지 다른 일단은 상기 노출되는 상기 제2 리드 프레임의 앞면의 일부에 본딩되는 제2 와이어를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include a second wire having one end bonded to the light emitting device and the other end bonded to a portion of a front surface of the exposed second lead frame.

실시 예는 광 효율을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve the light efficiency.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 일 측면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 다른 일 측면도를 나타낸다.
도 6은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB방향의 단면도를 나타낸다.
도 7은 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 9는 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 10은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 11은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 12는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 일 측면도를 나타낸다.
도 13은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 다른 일 측면도를 나타낸다.
도 14는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 AB방향의 단면도를 나타낸다.
도 15는 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다.
도 16은 도 1에 도시된 발광 소자의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.1 is a perspective view of the light emitting device package according to the first embodiment viewed from above.
2 is a top view of the light emitting device package shown in Fig.
3 is a bottom view of the light emitting device package shown in Fig.
Fig. 4 shows a side view of the light emitting device package shown in Fig.
5 is another side view of the light emitting device package shown in Fig.
6 is a cross-sectional view along the AB direction of the light emitting device package shown in Fig.
7 is a perspective view of the light emitting device package according to the second embodiment viewed from above.
8 is a top view of the light emitting device package shown in Fig.
9 is a perspective view of the light emitting device package according to the third embodiment viewed from above.
10 shows a top view of the light emitting device package shown in Fig.
11 is a bottom view of the light emitting device package shown in Fig.
12 shows one side view of the light emitting device package shown in Fig.
13 shows another side view of the light emitting device package shown in Fig.
Fig. 14 shows a sectional view in the AB direction of the light emitting device package shown in Fig.
Fig. 15 shows an embodiment of the light emitting device shown in Fig.
Fig. 16 shows another embodiment of the light emitting device shown in Fig.
17 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
18 shows a display device including the light emitting device package according to the embodiment.
19 shows a head lamp including the light emitting device package according to the embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on " and " under " include both " directly " or " indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-1)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 상면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 저면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 일 측면도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 다른 일 측면도를 나타내고, 도 6은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 AB방향의 단면도를 나타낸다.FIG. 1 is a perspective view of the light emitting device package 100-1 according to the first embodiment viewed from above, FIG. 2 is a top view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 1, 1 is a bottom view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 1, FIG. 4 is a side view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 1, FIG. 6 is another cross-sectional view of the package 100-1, and FIG. 6 is a cross-sectional view in the AB direction of the light emitting device package 100-1 shown in FIG.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지(100-1)는 몸체(20), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 제3 리드 프레임(33), 발광 소자(10), 제1 와이어(12), 제2 와이어(14), 제너 다이오드(11), 및 수지층(210)을 포함한다.1 to 6, a light emitting device package 100-1 includes a body 20, a first lead frame 31, a second lead frame 32, a third lead frame 33, 10, a first wire 12, a second wire 14, a zener diode 11, and a resin layer 210.

몸체(20)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성되거나, 반사도가 높은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 또한 몸체(20)는 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다.The body 20 may be formed of a substrate having good insulating or thermal conductivity, such as a silicon-based wafer level package, a silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN) And may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA). Also, the body 20 may have a structure in which a plurality of substrates are stacked.

몸체(20)의 앞면 형상은 발광 소자 패키지(100-1)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상일 수 있다. 그러나 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되는 것은 아니다.The shape of the front surface of the body 20 may be various shapes such as a triangle, a rectangle, a polygon, and a circle depending on the use and design of the light emitting device package 100-1. However, the embodiment is not limited to the material, structure, and shape of the body.

몸체(20)의 앞면에는 반사 측벽(101)과 바닥(102)을 포함하는 캐비티(cavity, 105)가 형성될 수 있다. 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형, 컵 형상, 또는 오목한 용기 형상 등일 수 있으며, 캐비티(105)의 반사 측벽(101)은 리드 프레임들(31,32,33) 또는 바닥(102)에 대하여 수직이거나 경사질 수 있다.A cavity 105 including a reflective sidewall 101 and a bottom 102 may be formed on the front surface of the body 20. [ The shape of the cavity 105 as viewed from above may be circular, square, polygonal, elliptical, cup-shaped, or concave container shape and the reflective sidewall 101 of the cavity 105 may be formed of lead frames 31, May be perpendicular or inclined relative to the bottom 102.

제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 몸체(20) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 사이에는 몸체(20)의 일부, 예컨대, 캐비티(105)의 바닥(102)이 개재될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 캐비티(105)의 바닥(102)은 절곡된 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 평면일 수도 있다. 다른 실시 예에서는 제2 리드 프레임(32)과 제3 리드 프레임(33)이 전기적으로 서로 연결될 수 있다.The first to third lead frames 31, 32, and 33 may be disposed in the body 20 so as to be electrically separated from each other. For example, a part of the body 20, for example, the bottom 102 of the cavity 105 may be interposed between the first to third lead frames 31, 32, 33. As shown in FIG. 1, the bottom 102 of the cavity 105 may be in the form of a curved shape, but is not limited thereto, and may be planar in other embodiments. In another embodiment, the second lead frame 32 and the third lead frame 33 may be electrically connected to each other.

도 1에서는 제2 리드 프레임(32)과 제3 리드 프레임(33) 각각의 앞면(143,144)은 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)과 단차를 갖도록 위치하지만, 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 앞면(142,143,144)은 캐비티(101) 내에서 동일 평면 상에 위치할 수 있다.The front surfaces 143 and 144 of the second lead frame 32 and the third lead frame 33 are positioned to have a step with the front surface 142 of the first lead frame 31, And the front surfaces 142, 143, 144 of the first to third lead frames 31, 32, 33 may be coplanar within the cavity 101. [

제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.The first to third lead frames 31, 32 and 33 may be formed of a conductive material such as a metal such as Ti, Cu, Ni, Au, Cr, (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an alloy thereof and may be a single layer or a multilayer structure.

캐비티(105)는 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 각각의 앞면(142,143,144)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142), 제2 리드 프레임(32)의 앞면(143), 및 제3 리드 프레임(33)의 앞면(144)의 적어도 일부는 캐비티(105)로부터 노출될 수 있다.The cavity 105 may expose at least a portion of the front surface 142, 143, 144 of each of the first through third lead frames 31, 32, 33. For example, at least a portion of the front surface 142 of the first lead frame 31, the front surface 143 of the second lead frame 32, and the front surface 144 of the third lead frame 33, Can be exposed.

캐비티(105)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)은 발광 소자(10)가 배치되기 위한 제1 영역(142-1)과, 와이어 본딩(wire bonding)을 위하여 제1 영역(142-1)으로부터 일부가 돌출된 제2 영역(142-2)을 포함할 수 있다.The front surface 142 of the first lead frame 31 exposed by the cavity 105 is divided into a first region 142-1 in which the light emitting device 10 is disposed and a first region 142-1 in which the light emitting device 10 is disposed. And a second region 142-2 in which a part protrudes from the region 142-1.

도 2에 도시된 바와 같이, 제2 영역(142-2)은 제1 영역(142-1)과 캐비티(105)가 만나는 경계선(148)으로부터 몸체(20) 쪽으로 돌출된 형태일 수 있다.2, the second region 142-2 may be protruded toward the body 20 from a boundary line 148 where the first region 142-1 and the cavity 105 meet.

예컨대, 제1 영역(142-1)의 형상은 캐비티(105)의 디자인 형태에 따라 타원형, 원형, 또는 다각형(예컨대, 사각형)과 같이 다양한 형태일 수 있다. 또한 제2 영역(142-2)의 형상은 와이어 본딩을 고려하여 반구 형상, 원형, 타원형, 또는 다각형 등과 같이 다양한 형상으로 구현될 수 있다.For example, the shape of the first region 142-1 may be various shapes such as elliptical, circular, or polygonal (e.g., square) depending on the design of the cavity 105. [ In addition, the shape of the second region 142-2 may be embodied in various shapes such as a hemisphere shape, a circle shape, an ellipse shape, or a polygonal shape in consideration of wire bonding.

제1 영역(142-1)은 발광 소자(10)가 배치되기 위하여 노출되는 제1 리드 프레임(31) 영역이기 때문에 발광 소자(10)의 사이즈(size)에 의하여 그 면적이 결정될 수 있다. 또한 제2 영역(142-2)은 단지 와이어(14) 본딩을 위한 영역이기 때문에 와이어 본딩을 위하여 필요한 최소 면적보다 큰 면적을 가져야 한다. 제2 영역(142-2)의 면적은 제1 영역(142-1)의 면적보다 작을 수 있다.Since the first region 142-1 is a region of the first lead frame 31 exposed for disposing the light emitting device 10, the area of the first region 142-1 may be determined by the size of the light emitting device 10. [ Also, since the second region 142-2 is an area for bonding the wire 14 only, it must have an area larger than the minimum area required for wire bonding. The area of the second area 142-2 may be smaller than the area of the first area 142-1.

예컨대, 제1 영역(142-1)의 가로의 길이(L1)는 1.95mm ~ 2.05mm일 수 있고, 세로의 길이(L2)는 1.35mm ~ 1.45mm일 수 있다. 또한 와이어 본딩을 위하여 제2 영역(142-2)의 직경은 300um이상이고, 제1 상한치보다 작을 수 있다. 이때 제1 상한치는 제1 영역(142-1)의 세로 길이(L2)일 수 있다.For example, the length L1 of the first area 142-1 may be 1.95 mm to 2.05 mm, and the length L2 may be 1.35 mm to 1.45 mm. Also, the diameter of the second region 142-2 for wire bonding may be at least 300 microns and may be less than the first upper limit. In this case, the first upper limit value may be the vertical length L2 of the first area 142-1.

발광 소자(10)는 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142) 상에 배치될 수 있다. 반사 측벽(101)은 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 앞면(142,143,144)의 가장 자리 영역 상에 위치할 수 있다. 반사 측벽(101)은 발광 소자(10)의 둘레에 배치될 수 있고, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 외주의 적어도 일부를 감쌀 수 있다.The light emitting element 10 may be disposed on the front surface 142 of the first lead frame 31. [ The reflective sidewalls 101 may be located on the edge regions of the front surfaces 142, 143, 144 of the first to third lead frames 31, 32, 33. The reflective sidewall 101 may be disposed around the light emitting element 10 and may cover at least a portion of the outer periphery of the first to third lead frames 31, 32,

또한 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 앞면의 적어도 일부는 반사 측벽(101)에 의하여 노출될 수 있다. 반사 측벽(101)은 발광 소자(10)로부터 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 반사 측벽(101)은 리드 프레임들(31,32,33)보다 반사도가 높은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다.Also, at least a part of the front surface of the first to third lead frames 31, 32, 33 may be exposed by the reflective sidewalls 101. The reflective sidewall 101 may reflect light incident from the light emitting element 10. The reflective sidewall 101 may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA) having a higher reflectivity than the lead frames 31, 32, and 33.

반사 측벽(101)은 발광 소자(10)가 배치되는 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)의 제1 영역(142-1)을 노출할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)의 제2 영역(142-2)을 노출하는 제1 홈부(101-1)를 가질 수 있다.The reflective sidewall 101 may expose the first region 142-1 of the front surface 142 of the first lead frame 31 where the light emitting element 10 is disposed, And a first groove portion 101-1 that exposes the second region 142-2 of the first region 142. [

제1 홈부(101-1)는 반사 측벽(101) 내측으로 들어간 형태일 수 있다. 즉 홈부(101-1)는 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)과 반사 측벽(101) 사이의 경계선(148)에서 반사 측벽(101) 방향으로 움푹 들어간 형태일 수 있다.The first groove portion 101-1 may be formed into the inside of the reflection sidewall 101. [ The groove portion 101-1 may be recessed toward the reflective sidewall 101 at the boundary line 148 between the first region 142-1 and the reflective sidewall 101 of the first lead frame 31 .

몸체(20)는 복수의 측면들(21 내지 24)을 가질 수 있으며, 제1 리드 프레임(31)은 몸체(20)의 제1 측면(21)으로 노출되는 일단(31-1)을 가질 수 있으며, 제2 리드 프레임(32)은 몸체(20)의 제2 측면(22)으로 노출되는 일단(32-1)을 가질 수 있으며, 제3 리드 프레임(33)은 몸체(20)의 제2 측면(22)으로 노출되는 일단(33-1)을 가질 수 있다. 이때 몸체(20)의 제1 측면(21)과 제2 측면(22)은 서로 마주보는 측면일 수 있다.The body 20 may have a plurality of sides 21 to 24 and the first lead frame 31 may have one end 31-1 exposed to the first side 21 of the body 20. [ And the second lead frame 32 may have one end 32-1 exposed to the second side 22 of the body 20 and the third lead frame 33 may have a second end exposed to the second side 22 of the body 20. [ (33-1) exposed to the side surface (22). At this time, the first side surface 21 and the second side surface 22 of the body 20 may be faced to each other.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 몸체(20)의 뒷면(25)으로 노출될 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(31)의 뒷면(31-2)은 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출되고, 제2 리드 프레임(32)의 뒷면(32-2)은 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출되고, 제3 리드 프레임(33)의 뒷면(33-2)은 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출될 수 있다.As shown in FIG. 3, the first to third lead frames 31, 32, and 33 may be exposed to the rear surface 25 of the body 20. For example, the rear surface 31-2 of the first lead frame 31 is exposed from the rear surface 25 of the body 20, and the rear surface 32-2 of the second lead frame 32 is exposed from the front surface of the body 20 And the rear surface 33-2 of the third lead frame 33 can be exposed from the rear surface 25 of the body 20. [

제1 리드 프레임(31) 상에 배치되는 발광 소자(10)는 수직형 또는 수평형 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 발광 소자(10)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등의 빛을 방출하는 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device 10 disposed on the first lead frame 31 may be a vertical or horizontal light emitting diode, but is not limited thereto. For example, the light emitting device 10 may be a light emitting diode that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) light emitting diode that emits ultraviolet light.

도 15는 도 1에 도시된 발광 소자(10)의 일 실시 예(300-1)를 나타낸다. 도 15를 참조하면, 발광 소자(300-1)는 기판(310), 발광 구조물(320), 전도층(330), 제1 전극(342), 및 제2 전극(344)을 포함한다.Fig. 15 shows an embodiment 300-1 of the light emitting device 10 shown in Fig. Referring to FIG. 15, the light emitting device 300-1 includes a substrate 310, a light emitting structure 320, a conductive layer 330, a first electrode 342, and a second electrode 344.

기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(310)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어 기판(310)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에는 요철 패턴이 형성될 수 있다.The substrate 310 may be formed of a carrier wafer, a material suitable for semiconductor material growth. Further, the substrate 310 may be formed of a material having high thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 310 may be a material comprising at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 O 3 , GaAs. An irregular pattern may be formed on the upper surface of the substrate 310.

또한 기판(310) 위에는 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체를 이용한 층 또는 패턴, 예컨대, ZnO층(미도시), 버퍼층(미도시), 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 한 층이 형성될 수 있다. 버퍼층 또는 언도프드 반도체층은 3족-5족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층은 기판과의 격자 상수의 차이를 줄여주게 되며, 언도프드 반도체층은 도핑하지 않는 GaN계 반도체로 형성될 수 있다.On the substrate 310, a layer or a pattern using a compound semiconductor of Group 2 or Group 6 elements such as a ZnO layer (not shown), a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) . The buffer layer or the undoped semiconductor layer may be formed using a compound semiconductor of a group III-V element, and the buffer layer may reduce the difference in lattice constant with respect to the substrate. The undoped semiconductor layer may be a GaN- .

발광 구조물(320)은 빛을 발생하는 반도체층일 수 있으며, 제1 반도체층(322), 활성층(324), 및 제2 반도체층(326)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 320 may be a semiconductor layer that generates light and may include a first semiconductor layer 322, an active layer 324, and a second semiconductor layer 326.

제1 반도체층(322)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(322)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 322 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V, a group II-VI, or the like, and may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first semiconductor layer 322 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? Type dopants (e.g., Si, Ge, Sn, etc.) may be doped.

활성층(324)은 제1 반도체층(322) 및 제2 반도체층(326)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.The active layer 324 can generate light by energy generated in the recombination process of electrons and holes provided from the first semiconductor layer 322 and the second semiconductor layer 326 .

활성층(324)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(324)이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.The active layer 324 may be a compound semiconductor of a semiconductor compound, such as a Group 3-V-5 or a Group 2-VI-6 compound semiconductor, and may be a single well structure, a multi-well structure, a quantum- Dot) structure or the like. An active layer 324, a quantum well structure which has In x Al y Ga 1-xy N well layer having a composition formula of (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1 ) and In a case A single or a quantum well structure having a barrier layer having a composition formula of Al b Ga 1-ab N (0? A? 1, 0? B? 1, 0? A + b? 1) The well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.

제2 반도체층(326)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(326)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 326 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V element, a group II-VI element, or the like, and the second conductivity type dopant may be doped. For example, the second semiconductor layer 326 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? Type dopant (e.g., Mg, Zn, Ca, Sr, Ba) can be doped.

발광 구조물(320)는 제2 반도체층(326), 활성층(324) 및 제1 반도체층(322)의 일부가 제거되어 제1 반도체층(322)의 일부를 노출할 수 있다.The light emitting structure 320 may expose a part of the first semiconductor layer 322 by removing a portion of the second semiconductor layer 326, the active layer 324 and the first semiconductor layer 322.

전도층(330)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라, 투광성이 좋기 때문에 활성층(324)으로부터 제2 반도체층(326)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.The conductive layer 330 not only reduces the total reflection but also increases the extraction efficiency of the light emitted from the active layer 324 to the second semiconductor layer 326 because of its good light transmittance.

전도층(330)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The conductive layer 330 may include a transparent conductive oxide such as ITO (indium tin oxide), TO (tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ITZO (indium tin zinc oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide) Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni, / Au, or Ni / IrOx / Au / ITO.

제1 전극(342)은 노출되는 제1 반도체층(322) 상에 배치되며, 제2 전극(344)은 전도층(330) 상에 배치된다.The first electrode 342 is disposed on the exposed first semiconductor layer 322 and the second electrode 344 is disposed on the conductive layer 330.

도 16은 도 1에 도시된 발광 소자(10)의 다른 실시 예(300-2)를 나타낸다.16 shows another embodiment 300-2 of the light emitting element 10 shown in Fig.

도 16를 참조하면, 발광 소자(300-2)는 제2 전극부(405), 보호층(440), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 445), 발광 구조물(450), 패시베이션층(465), 및 제1 전극부(470)를 포함한다.16, the light emitting device 300-2 includes a second electrode unit 405, a passivation layer 440, a current blocking layer 445, a light emitting structure 450, a passivation layer 465, And a first electrode unit 470.

제2 전극부(405)는 제1 전극부(470)와 함께 발광 구조물(450)에 전원을 제공한다. 제2 전극부(405)는 지지층(support, 410), 접합층(bonding layer, 415), 배리어층(barrier layer, 420), 반사층(reflective layer, 425), 및 오믹층(ohmic layer, 430)을 포함할 수 있다.The second electrode unit 405 supplies power to the light emitting structure 450 together with the first electrode unit 470. The second electrode unit 405 includes a support 410, a bonding layer 415, a barrier layer 420, a reflective layer 425, and an ohmic layer 430, . ≪ / RTI >

지지층(410)는 발광 구조물(450)을 지지한다. 지지층(210)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(410)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(410)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.The support layer 410 supports the light emitting structure 450. The support layer 210 may be formed of a metal or a semiconductor material. The support layer 410 may also be formed of a material having high electrical conductivity and high thermal conductivity. For example, the support layer 410 may be formed of a metal including at least one of copper (Cu), a copper alloy, gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper- Material, or a semiconductor including at least one of Si, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

접합층(415)은 지지층(410)와 배리어층(420) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(410)과 배리어층(420)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(415)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(415)은 지지층(410)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(410)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(215)은 생략될 수 있다.The bonding layer 415 may be disposed between the supporting layer 410 and the barrier layer 420 and may serve as a bonding layer for bonding the supporting layer 410 to the barrier layer 420. The bonding layer 415 may include at least one of a metal material, for example, In, Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au and Cu. The bonding layer 415 is formed to bond the supporting layer 410 by bonding. Therefore, when the supporting layer 410 is formed by plating or vapor deposition, the bonding layer 215 may be omitted.

배리어층(420)은 반사층(425), 오믹층(430), 및 보호층(440)의 아래에 배치되며, 접합층(415) 및 지지층(410)의 금속 이온이 반사층(425), 및 오믹층(430)을 통과하여 발광 구조물(450)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(420)은 Ni, Pt, Ti,W,V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The barrier layer 420 is disposed under the reflective layer 425, the ohmic layer 430 and the protective layer 440 and the metal ions of the bonding layer 415 and the support layer 410 are disposed on the reflective layer 425, The light can be prevented from diffusing to the light emitting structure 450 through the first and second light emitting layers 430 and 430. For example, the barrier layer 420 may include at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, and Mo, and may be a single layer or a multilayer.

반사층(425)은 배리어층(420) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(450)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(425)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The reflective layer 425 may be disposed on the barrier layer 420 and may reflect light incident from the light emitting structure 450 to improve light extraction efficiency. The reflective layer 425 may be formed of a metal or an alloy containing at least one of a reflective material such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf.

반사층(425)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.The reflective layer 425 may be formed of a multilayer structure using a metal or an alloy and a light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. For example, IZO / Ni, AZO / / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like.

오믹층(430)은 반사층(425)과 제2 반도체층(452) 사이에 배치될 수 있으며,제2 반도체층(452)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(450)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다. The ohmic layer 430 may be disposed between the reflective layer 425 and the second semiconductor layer 452 and may be ohmic contacted with the second semiconductor layer 452 to smoothly supply power to the light emitting structure 450. [ .

투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(430)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(430)은 제2 반도체층(452)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ohmic layer 430 can be formed by selectively using the light-transmitting conductive layer and the metal. For example, the ohmic layer 430 may include at least one of a metal material that makes an ohmic contact with the second semiconductor layer 452, for example, Ag, Ni, Cr, Ti, Pd, Ir, Sn, Ru, Pt, Au, can do.

보호층(440)은 제2 전극층(405)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(440)은 오믹층(430)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(425)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(420)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(410)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.The protective layer 440 may be disposed on the edge region of the second electrode layer 405. For example, the protective layer 440 may be disposed on the edge region of the ohmic layer 430, or the edge region of the reflective layer 425, or the edge region of the barrier layer 420, .

보호층(440)은 발광 구조물(450)과 제2 전극층(405) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(300-2)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(440)은 전기 절연성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The protective layer 440 can prevent the interface between the light emitting structure 450 and the second electrode layer 405 from being peeled off so that the reliability of the light emitting device 300-2 is lowered. The protective layer 440 may be formed of a electrically insulating material, e.g., ZnO, SiO 2, such as Si 3 N 4, TiOx (x is a positive real number), or Al 2 O 3.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 발광 구조물(450) 사이에 배치될 수 있다. 전류 차단층(445)의 상면은 제2 반도체층(452)과 접촉하고, 전류 차단층(445)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(430)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(445)은 수직 방향으로 제1 전극부(470)와 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.The current blocking layer 445 may be disposed between the ohmic layer 430 and the light emitting structure 450. The upper surface of the current blocking layer 445 is in contact with the second semiconductor layer 452 and the lower surface or the lower surface and the side surface of the current blocking layer 445 can be in contact with the ohmic layer 430. The current blocking layer 445 may be arranged so that at least a part of the current blocking layer 445 overlaps with the first electrode portion 470 in the vertical direction.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 제2 반도체층(452) 사이에 형성되거나, 반사층(425)과 오믹층(430) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The current blocking layer 445 may be formed between the ohmic layer 430 and the second semiconductor layer 452 or may be formed between the reflective layer 425 and the ohmic layer 430. However,

발광 구조물(450)은 오믹층(430) 및 보호층(440) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(450)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다.The light emitting structure 450 may be disposed on the ohmic layer 430 and the protective layer 440. The side surface of the light emitting structure 450 may be an inclined surface in an isolation etching process that is divided into unit chips.

발광 구조물(450)은 제2 반도체층(452), 활성층(454), 및 제1 반도체층(456)을 포함할 수 있으며, 도 15에서 설명한 바와 동일할 수 있으며, 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다.The light emitting structure 450 may include a second semiconductor layer 452, an active layer 454, and a first semiconductor layer 456, which may be the same as those described with reference to FIG. 15, do.

패시베이션층(465)은 발광 구조물(450)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(450)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 제1 반도체층(456)의 상면 일부 또는 보호층(440)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.The passivation layer 465 may be disposed on the side of the light emitting structure 450 to electrically protect the light emitting structure 450. The passivation layer 465 may be disposed on the top surface of the first semiconductor layer 456 or on the top surface of the protective layer 440. The passivation layer 465 is an insulating material, e.g., SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 .

제1 전극부(470)는 제1 반도체층(456) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(470)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 반도체층(456)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(470)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The first electrode portion 470 may be disposed on the first semiconductor layer 456. The first electrode part 470 may have a predetermined pattern shape. A roughness pattern (not shown) may be formed on the upper surface of the first semiconductor layer 456 to increase light extraction efficiency. A roughness pattern (not shown) may also be formed on the top surface of the first electrode 470 to increase the light extraction efficiency.

발광 소자(10)는 도 1에 도시된 것과 같이 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 10 may be electrically connected to the first lead frame 31 and the second lead frame 32 by wire bonding as shown in FIG.

제1 와이어(12)는 발광 소자(10)와 제1 리드 프레임(31)을 전기적으로 연결할 수 있다. 예컨대, 제1 와이어(12)의 일단은 발광 소자(10)(예컨대, 도 15에 도시된 제1 전극(342) 또는 제2 전극(344))에 본딩(bonding)될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제1 홈부(101-1)를 통과하여 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역(142-2)에 본딩될 수 있다.The first wire 12 may electrically connect the light emitting element 10 and the first lead frame 31. For example, one end of the first wire 12 may be bonded to the light emitting element 10 (e.g., the first electrode 342 or the second electrode 344 shown in Fig. 15) May be bonded to the second region 142-2 of the first lead frame 31 through the first trench 101-1.

제2 와이어(14)는 발광 소자(10)와 제2 리드 프레임(32)을 전기적으로 연결할 수 있다. 예컨대, 제2 와이어(14)의 일단은 발광 소자(10)(예컨대, 도 15에 도시된 발광 소자(300-1)의 제2 전극(344) 또는 제1 전극(342))에 연결될 수 있고, 제2 와이어(14)의 나머지 다른 일단은 제2 리드 프레임(32)의 앞면(143)에 연결될 수 있다.The second wire 14 can electrically connect the light emitting element 10 and the second lead frame 32. For example, one end of the second wire 14 may be connected to the light emitting element 10 (e.g., the second electrode 344 or the first electrode 342 of the light emitting element 300-1 shown in Fig. 15) And the other end of the second wire 14 may be connected to the front surface 143 of the second lead frame 32. [

제너 다이오드(zener, 11)는 발광 소자 패키지(100-1)의 내전압을 향상시키기 위하여 제2 리드 프레임(32)의 앞면(143) 상에 배치될 수 있다. 제3 와이어(16)는 제너 다이오드(11)와 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142), 예컨대, 제1 영역(142-1)을 전기적으로 연결할 수 있다.A zener diode 11 may be disposed on the front surface 143 of the second lead frame 32 to improve the withstand voltage of the light emitting device package 100-1. The third wire 16 may electrically connect the zener diode 11 and the front surface 142 of the first lead frame 31, for example, the first area 142-1.

도 6에 도시된 수지층(210)은 발광 소자(10)를 밀봉하여 보호하도록 몸체(20)의 캐비티(105) 내에 충진될 수 있다. 수지층(210)은 에폭시(epoxy) 또는 실리콘과 같은 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있다.The resin layer 210 shown in Fig. 6 can be filled in the cavity 105 of the body 20 to seal and protect the light emitting element 10. The resin layer 210 may be made of a transparent polymer resin such as epoxy or silicone.

수지층(210)은 발광 소자(10)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체(212)를 포함할 수 있다. 예컨대, 수지층(210)은 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The resin layer 210 may include a phosphor 212 to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 10. For example, the resin layer 210 may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, and a yellow phosphor.

발광 소자 패키지(100-1)는 수지층(210) 상에 배치되는 렌즈(미도시)를 더 포함할 수 있다. 렌즈(미도시)는 발광 소자 패키지(100-1)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다.The light emitting device package 100-1 may further include a lens (not shown) disposed on the resin layer 210. The lens (not shown) can control the light distribution of the light emitted by the light emitting device package 100-1.

발광 소자(10)로부터 발생하는 빛을 반사시키기 위하여 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 앞면(142,143,144)은 발광 소자(10)로부터 발생하는 빛을 반사시키기 위하여 반사 물질, 예컨대, 은(Ag)으로 이루어질 수 있고, 반사 측벽(101)은 PPA 수지 재질로 이루어질 수 있다.The front surfaces 142, 143 and 144 of the first through third lead frames 31, 32 and 33 reflect the light generated from the light emitting element 10 to reflect the light generated from the light emitting element 10, For example, silver (Ag), and the reflective sidewall 101 may be made of a PPA resin material.

반사 측벽(101)을 이루는 PPA는 리드 프레임들(31,32,33)을 이루는 은(Ag)에 비하여 반사율이 높다. 따라서 캐비티(105) 내의 리드 프레임(31,32,33)의 노출 면적을 줄이고, 반사 측벽(101)의 면적을 증가시킬 경우, 발광 소자 패키지(100-1)의 광 효율은 향상될 수 있다.PPA constituting the reflective sidewall 101 has a higher reflectance than silver (Ag) constituting the lead frames 31, 32 and 33. Therefore, when the exposed area of the lead frames 31, 32, 33 in the cavity 105 is reduced and the area of the reflective sidewalls 101 is increased, the light efficiency of the light emitting device package 100-1 can be improved.

제1 실시 예는 와이어 본딩을 위하여 필요한 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)의 일부만을 노출하도록 반사 측벽(101)에 홈부(101-1)를 마련함으로써, 캐비티(105)에 의하여 제1 리드 프레임(31)의 노출되는 앞면(142)의 면적을 줄이고, 상대적으로 반사 측벽(101)이 차지하는 면적을 증가시킴으로써 반사율을 향상시킬 수 있다. 이로 인하여 제1 실시 예는 발광 소자 패키지(100-1)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The first embodiment is characterized in that the groove portion 101-1 is provided in the reflective sidewall 101 so as to expose only a part of the front surface 142 of the first lead frame 31 necessary for wire bonding, The reflectance can be improved by reducing the area of the exposed front surface 142 of the one lead frame 31 and increasing the area occupied by the reflective sidewall 101 relatively. Accordingly, the first embodiment can improve the light efficiency of the light emitting device package 100-1.

도 7은 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-2)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 8은 도 7에 도시된 발광 소자 패키지(100-2)의 상면도를 나타낸다. 도 1 및 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.FIG. 7 is a perspective view of the light emitting device package 100-2 according to the second embodiment viewed from above, and FIG. 8 is a top view of the light emitting device package 100-2 shown in FIG. The same reference numerals as those in Figs. 1 and 2 denote the same constituent elements, and duplicate contents thereof will be omitted or briefly explained.

도 7 및 도 8을 참조하면, 제2 실시 예의 반사 측벽(101')은 와이어 본딩을 위하여 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)의 일부들을 노출하는 복수의 홈부들(예컨대, 101-1, 101-2,101-3)을 가질 수 있다.7 and 8, the reflective sidewall 101 'of the second embodiment includes a plurality of grooves (e.g., 101-s) that expose portions of the front surface 142 of the first lead frame 31 for wire bonding, 1, 101-2, 101-3).

복수의 홈부들(예컨대, 101-1, 101-2,101-3)은 발광 소자(10)를 실장하기 위하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)을 제외한 다른 영역들(예컨대, 142-2,142-3,142-4)을 노출할 수 있다.The plurality of grooves (for example, 101-1, 101-2, and 101-3) are formed in regions other than the first region 142-1 of the first lead frame 31 exposed for mounting the light emitting element 10 (E.g., 142-2, 142-3, and 142-4).

복수의 홈부들(예컨대, 101-1, 101-2,101-3) 각각은 서로 이격하여 위치하며, 반사 측벽(101') 내측으로 들어간 형태일 수 있다. 복수의 홈부들(예컨대, 101-1, 101-2,101-3) 각각은 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)과 반사 측벽(101') 사이의 경계선(148)에서 반사 측벽(101') 방향으로 움푹 들어간 형태일 수 있다.Each of the plurality of grooves (for example, 101-1, 101-2, and 101-3) may be spaced apart from each other, and may be formed into the inside of the reflective sidewall 101 '. Each of the plurality of grooves (for example, 101-1, 101-2, and 101-3) is reflected at a boundary line 148 between the first region 142-1 of the first lead frame 31 and the reflective sidewall 101 ' May be recessed toward the side wall 101 '.

반사 측벽(101')은 복수의 측벽들(201,202,203,204)로 이루어질 수 있다. 복수의 홈부들(예컨대, 101-1,101-2,101-3)은 복수의 측벽들(201,202,203,204) 중 다른 측벽들 각각에 위치할 수 있다.The reflective sidewall 101 'may comprise a plurality of sidewalls 201, 202, 203, 204. A plurality of grooves (e.g., 101-1, 101-2, 101-3) may be located in each of the other of the plurality of sidewalls 201, 202, 203, 204.

예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 홈부(101-1)는 제1 측벽(201) 내에 위치할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역(142-2)을 노출할 수 있다.8, the first trench portion 101-1 may be located in the first sidewall 201 and may expose the second region 142-2 of the first lead frame 31 .

제2 홈부(101-2)은 제2 측벽(202) 내에 위치할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 제3 영역(142-3)을 노출할 수 있다. 제3 홈부(101-3)는 제4 측벽(204) 내에 위치할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 제4 영역(152-4)을 노출할 수 있다. 제3 측벽(203)은 제2 및 제3 리드 프레임(32,33)과 인접하기 때문에 발광 소자(10)와 와이어 본딩을 하기에는 거리가 멀다. 이로 인하여 제3 측벽(203)에는 와이어 본딩을 위한 홈부가 형성되지 않을 수 있으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.The second trench 101-2 may be located in the second sidewall 202 and may expose the third region 142-3 of the first lead frame 31. [ The third trench 101-3 may be located in the fourth sidewall 204 and may expose the fourth region 152-4 of the first lead frame 31. [ Since the third side wall 203 is adjacent to the second and third lead frames 32 and 33, wire bonding is far from the light emitting device 10. Therefore, a groove for wire bonding may not be formed on the third sidewall 203, but the embodiment is not limited thereto.

복수의 와이어들(12, 13, 15) 각각은 발광 소자(10)와 제2 영역 내지 제4 영역들(142-2,142-3,142-4) 중 대응하는 어느 하나의 영역을 전기적으로 연결할 수 있다. 즉 복수의 와이어들(12,13,15) 각각의 일단은 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역 내지 제4 영역들(142-2,142-3,142-4) 중 대응하는 어느 하나에 본딩될 수 있다.Each of the plurality of wires 12, 13, and 15 may electrically connect any one of the second to fourth regions 142-2, 142-3, and 142-4 to the corresponding one of the light emitting device 10. That is, one end of each of the plurality of wires 12, 13, and 15 may be bonded to any one of the second to fourth regions 142-2, 142-3, and 142-4 of the first lead frame 31 have.

예컨대, 제1 와이어(12)의 일단은 발광 소자(10)에 본딩될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제1 홈부(101-1)를 통과하여 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역(142-2)에 본딩될 수 있다.One end of the first wire 12 may be bonded to the light emitting element 10 and the other end of the first wire 12 may be bonded to the second region 142 of the first lead frame 31 -2). ≪ / RTI >

또한 제4 와이어(13)의 일단은 발광 소자(10)에 본딩될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제2 홈부(101-2)를 통과하여 제3 영역(142-3)에 본딩될 수 있다.One end of the fourth wire 13 may be bonded to the light emitting element 10 and the other end of the fourth wire 13 may be bonded to the third region 142-3 through the second trench 101-2.

또한 제5 와이어(15)의 일단은 발광 소자(10)에 본딩될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제3 홈부(101-3)를 통과하여 제4 영역(142-4)에 본딩될 수 있다.One end of the fifth wire 15 may be bonded to the light emitting element 10 and the other end of the fifth wire 15 may be bonded to the fourth region 142-4 through the third trench 101-3.

제2 실시 예는 3개의 홈부들(101-1,101-2,101-3)을 갖는 반사 측벽(101')을 도시하였지만, 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예는 2개 이상의 홈부들을 갖는 반사 측벽을 포함할 수 있다.Although the second embodiment shows a reflective sidewall 101 'having three grooves 101-1, 101-2, 101-3, the embodiment is not so limited, and other embodiments may have two or more grooves Reflective sidewalls.

도 9는 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-3)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 10은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 상면도를 나타내고, 도 11은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 저면도를 나타내고, 도 12는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 일 측면도를 나타내고, 도 13은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 다른 일 측면도를 나타내고, 도 14는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 AB방향의 단면도를 나타낸다.FIG. 9 is a perspective view of the light emitting device package 100-3 according to the third embodiment viewed from above, FIG. 10 is a top view of the light emitting device package 100-3 shown in FIG. 9, 9 shows a bottom view of the light emitting device package 100-3 shown in FIG. 9, FIG. 12 shows a side view of the light emitting device package 100-3 shown in FIG. 9, FIG. 14 is another cross-sectional view of the package 100-3, and FIG. 14 is a cross-sectional view along the AB direction of the light emitting device package 100-1 shown in FIG.

도 1 내지 도 6과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.The same reference numerals as those in Figs. 1 to 6 denote the same constituent elements, and duplicate contents thereof will be omitted or briefly explained.

도 9 내지 도 14를 참조하면, 발광 소자 패키지(100-3)는 몸체(20'), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32'), 발광 소자(10), 제1 와이어(12), 제2 와이어(14), 및 수지층(210)을 포함한다.9 to 14, the light emitting device package 100-3 includes a body 20 ', a first lead frame 31, a second lead frame 32', a light emitting element 10, A first wire 12, a second wire 14, and a resin layer 210.

제1 실시 예(100-1)와 비교할 때, 제3 실시 예(100-3)는 캐비티(105')에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 노출 면적 및 제2 리드 프레임(32')의 형상및 노출 면적이 다를 수 있다.The third embodiment 100-3 is different from the first embodiment 100-1 in that the exposed area of the first lead frame 31 exposed by the cavity 105'and the exposed area of the second lead frame 32 ' ) And the exposed area may be different.

또한 제1 실시 예(100-1)는 3개의 리드 프레임들(31,32,33)을 가지는 반면에, 제3 실시 예(100-3)는 2개의 리드 프레임들(31,32')을 가질 수 있다. 또한 제1 실시 예(100-1)는 몸체(20)의 측면으로 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 말단(31-1)의 개수가 2개인데 반하여, 제3 실시 예(100-3)는 몸체(20)의 측면으로 노출되는 제1 리드 프레임(31')의 말단(31-1')의 개수가 1개일 수 있다.The first embodiment 100-1 has three lead frames 31,32 and 33 while the third embodiment 100-3 has two lead frames 31,32 ' Lt; / RTI > In the first embodiment 100-1, the number of the ends 31-1 of the first lead frame 31 exposed to the side surface of the body 20 is two, while the number of the ends 31-1 of the third embodiment 100-3 The number of the ends 31-1 'of the first lead frame 31' exposed to the side of the body 20 may be one.

제2 리드 프레임(32')의 앞면(143)은 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)과 동일 평면 상에 위치할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)은 발광 소자(10)를 실장하기 위하여 필요한 최소 영역일 수 있다. 물론 제1 영역(142-1)의 면적은 발광 소자(10)의 크기(M1 × M2)에 따라 결정될 수 있다.The front surface 143 of the second lead frame 32 'may be coplanar with the front surface 142 of the first lead frame 31 and the first surface 142- 1 may be a minimum region necessary for mounting the light emitting element 10. Of course, the area of the first region 142-1 may be determined according to the size (M1 x M2) of the light emitting element 10.

도 10에 도시된 바와 같이, 제1 영역(142-1)과 반사 측벽(101') 사이의 경계선(148)과 발광 소자(10) 사이의 이격 거리(D1)는 130um 이상일 수 있다. 그러나 상기 이격 거리(D1)가 너무 클 경우에는 발광 소자 패키지의 광 반사율이 감소될 수 있다. 따라서 발광 소자(10)의 실장을 위한 최소 면적 및 발광 소자 패키지(100-1)의 광 반사율을 고려할 때, 상기 이격 거리(D1)는 예컨대, 130um ~ 140um일 수 있다.10, the distance D1 between the boundary line 148 between the first region 142-1 and the reflective sidewall 101 'and the light emitting device 10 may be 130um or more. However, if the spacing distance D1 is too large, the light reflectance of the light emitting device package may be reduced. Therefore, when the minimum area for mounting the light emitting element 10 and the light reflectance of the light emitting device package 100-1 are taken into consideration, the spacing distance D1 may be, for example, 130um to 140um.

또한 제1 와이어(12)의 본딩을 위하여 발광 소자(10)와 제2 영역(142-2)까지의 이격 거리(D2)는 500um 이상일 수 있다. 여기서 D2는 발광 소자(10)와 제1 홈(101-1) 사이의 이격 거리일 수 있다. 예컨대, 와이어 본딩을 위하여 필요한 최소 이격 거리 및 발광 소자 패키지(100-1)의 광 반사율을 고려할 때, 상기 이격 거리(D2)는 500um ~ 600um일 수 있다.Also, the distance D2 between the light emitting element 10 and the second region 142-2 for bonding the first wire 12 may be 500 m or more. Here, D2 may be a distance between the light emitting device 10 and the first groove 101-1. For example, considering the minimum spacing distance required for wire bonding and the light reflectance of the light emitting device package 100-1, the spacing distance D2 may be 500 um to 600 um.

그리고 제1 와이어(12)의 본딩을 위하여 필요한 제2 영역(142-2)의 직경(L3)은 300um 이상이고, 제2 상한치보다 작을 수 있다. 이때 제2 상한치는 발광 소자(10)의 세로 길이(M2)에 260um를 더한 값일 수 있다. 예컨대, 와이어 본딩과 발광 소자 패키지의 광 반사율를 고려할 때, 제2 영역(142-2)의 직경(L3)은 300um ~ 400um일 수 있다. 이때 L3는 제2 영역(142-2)의 최소 직경일 수 있다.And the diameter L3 of the second region 142-2 required for bonding the first wire 12 is 300 mu m or more and smaller than the second upper limit value. At this time, the second upper limit value may be a value obtained by adding 260 mu to the vertical length M2 of the light emitting element 10. For example, in consideration of the light reflectance of the wire bonding and the light emitting device package, the diameter L3 of the second region 142-2 may be 300um to 400um. Here, L3 may be the minimum diameter of the second region 142-2.

제2 리드 프레임(32')의 앞면(143')은 제2 와이어(14)의 본딩을 위하여 필요한 영역만이 노출될 수 있다. 이때 제2 리드 프레임(32')의 노출 영역(143')의 형상은 반구 형상, 원형, 타원형, 또는 다각형 등과 같이 다양한 형상으로 구현될 수 있다.The front surface 143 'of the second lead frame 32' may be exposed only in an area necessary for bonding of the second wire 14. At this time, the shape of the exposed region 143 'of the second lead frame 32' may be various shapes such as hemispherical shape, circular shape, elliptical shape, or polygonal shape.

이때 캐비티(105)에 의하여 노출되는 제2 리드 프레임(32')의 노출 영역(143')의 직경(L4)은 300um 이상일 수 있다. 예컨대, 와이어 본딩과 발광 소자 패키지의 광 반사율를 고려할 때, 제2 리드 프레임(32')의 노출 영역(143')의 직경(L4)은 300um ~ 400um일 수 있다. 이때 L4는 제2 리드 프레임(32')의 노출 영역(143')의 최소 직경일 수 있다.At this time, the diameter L4 of the exposed region 143 'of the second lead frame 32' exposed by the cavity 105 may be 300 m or more. For example, in consideration of the light reflectance of the wire bonding and the light emitting device package, the diameter L4 of the exposed region 143 'of the second lead frame 32' may be 300 μm to 400 μm. Here, L4 may be the minimum diameter of the exposed region 143 'of the second lead frame 32'.

즉 캐비티(105')에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)은 발광 소자(10)를 실장하기 위하여 필요한 최소한의 면적을 가질 수 있으며, 반사 측벽(101')은 와이어 본딩을 위하여 필요한 최소한의 면적을 갖는 제2 영역(142-2)을 노출하는 제1 홈부(101-1)를 가질 수 있다.That is, the first region 142-1 of the first lead frame 31 exposed by the cavity 105 'may have a minimum area required for mounting the light emitting device 10, and the reflective sidewalls 101' May have a first groove portion 101-1 exposing a second region 142-2 having a minimum area required for wire bonding.

따라서 제3 실시 예는 제1 실시 예와 비교할 때, 발광 소자(10)를 실장하기 위하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 면적 및 제2 와이어(14)의 본딩을 위하여 노출되는 제2 리드 프레임(32)의 노출 면적이 상대적으로 작기 때문에 리드 프레임들(31,32)의 노출 면적 대비 반사 측벽(101')이 차지하는 면적이 상대적으로 증가하여 반사율이 향상될 수 있다. 이로 인하여 제3 실시 예는 제2 실시 예보다 광 효율이 더욱 향상될 수 있다.Therefore, the third embodiment differs from the first embodiment in the area of the first lead frame 31 exposed for mounting the light emitting element 10 and the area of the second lead 14 exposed for bonding of the second wire 14, Since the exposed area of the frame 32 is relatively small, the area occupied by the reflective sidewalls 101 'relative to the exposed areas of the lead frames 31 and 32 relatively increases, and the reflectance can be improved. Thus, the third embodiment can further improve the light efficiency than the second embodiment.

도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 17을 참조하면, 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과, 광원의 열을 방출하는 방열부(740)와, 광원(750)과 방열부(740)를 수납하는 하우징(700)과, 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.17 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment. 17, the illumination device includes a light source 750 for emitting light, a heat dissipating unit 740 for emitting heat of the light source, a housing 700 for housing the light source 750 and the heat dissipating unit 740, And a holder 760 coupling the light source 750 and the heat dissipating unit 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함할 수 있다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 may include a socket coupling portion 710 coupled to an electric socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 embedded therein. One air flow hole 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비될 수 있으며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.A plurality of air flow holes 720 may be provided on the body portion 730 of the housing 700 and one or more air flow holes 720 may be provided. The air flow port 720 may be disposed radially or in various forms on the body portion 730.

광원(750)은 기판(754) 상에 실장되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함할 수 있다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.The light source 750 may include a plurality of light emitting device packages 752 mounted on the substrate 754. [ The substrate 754 may have a shape that can be inserted into the opening of the housing 700 and may be made of a material having a high thermal conductivity to transmit heat to the heat dissipating unit 740 as described later.

복수 개의 발광 소자 패키지(752)는 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다. 광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.The plurality of light emitting device packages 752 may be any one of the embodiments 100-1 to 100-3 described above. A holder 760 is provided below the light source 750, and the holder 760 may include a frame and other air flow holes. Although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750.

도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다. 도 18을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.18 shows a display device including the light emitting device package according to the embodiment. 18, the display device 800 includes a bottom cover 810, a reflection plate 820 disposed on the bottom cover 810, light emitting modules 830 and 835 for emitting light, a reflection plate 820 A light guide plate 840 disposed in front of the light emitting module 830 and guiding the light emitted from the light emitting modules 830 and 835 to the front of the display device and prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840, An image signal output circuit 872 connected to the display panel 870 and supplying an image signal to the display panel 870 and a display panel 870 disposed in front of the display panel 870, And a color filter 880 disposed therein. Here, the bottom cover 810, the reflection plate 820, the light emitting modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module may include light emitting device packages 835 mounted on the substrate 830. The substrate 830 may be a PCB or the like. The light emitting device package 835 may be any of the embodiments 100-1 to 100-3.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 can house components within the display device 800. [ Also, the reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 in a state of being coated with a highly reflective material .

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE).

그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 may be formed of a light-transmissive and elastic polymeric material on one side of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, as shown in the drawings, the plurality of patterns may be provided with a floor and a valley repeatedly as stripes.

그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film may be perpendicular to the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film in the first prism sheet 850. This is for evenly distributing the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet to the front surface of the display panel 1870.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of polyester and polycarbonate-based materials, and the light incidence angle can be maximized by refracting and scattering light incident from the backlight unit. The diffusion sheet includes a support layer including a light diffusing agent, a first layer formed on the light exit surface (first prism sheet direction) and a light incidence surface (in the direction of the reflection sheet) . ≪ / RTI >

실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850, and the second prism sheet 860 make up an optical sheet, which may be made of other combinations, for example a microlens array, A combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.The display panel 870 may include a liquid crystal display (LCD) panel, and may include other types of display devices that require a light source in addition to the liquid crystal display panel 860.

도 19는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 19를 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.FIG. 19 shows a head lamp 900 including the light emitting device package according to the embodiment. 19, the head lamp 900 includes a light emitting module 901, a reflector 902, a shade 903, and a lens 904.

발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module 901 may include a plurality of light emitting device packages (not shown) disposed on a substrate (not shown). At this time, the light emitting device package may be any of the above-described embodiments 100-1 to 100-3.

리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.The reflector 902 reflects the light 911 emitted from the light emitting module 901 in a predetermined direction, for example, toward the front 912.

쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.The shade 903 is disposed between the reflector 902 and the lens 904 and reflects off or reflects a part of the light reflected by the reflector 902 toward the lens 904 to form a light distribution pattern desired by the designer. The one side portion 903-1 and the other side portion 903-2 of the shade 903 may have different heights from each other.

발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.The light emitted from the light emitting module 901 can be reflected by the reflector 902 and the shade 903 and then transmitted through the lens 904 and directed toward the front of the vehicle body. The lens 904 can refract the light reflected by the reflector 902 forward.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

Claims (1)

제1 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임 상에 위치하고, 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 일부를 노출하는 반사 측벽을 포함하는 몸체;
상기 노출되는 제1 리드 프레임의 앞면 상에 배치되는 발광 소자; 및
상기 발광 소자와 상기 제1 리드 프레임을 연결하는 적어도 하나의 제1 와이어를 포함하며,
상기 반사 측벽은,
상기 제1 리드 프레임의 앞면의 다른 일부를 노출하는 적어도 하나의 홈부를 가지며,
상기 적어도 하나의 제1 와이어의 일단은 상기 적어도 하나의 홈부를 통과하여 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 다른 일부에 본딩되는 발광 소자 패키지.A first lead frame;
A body positioned on the first lead frame and including reflective sidewalls exposing a portion of the front surface of the first lead frame;
A light emitting element disposed on a front surface of the exposed first lead frame; And
And at least one first wire connecting the light emitting element and the first lead frame,
The reflective sidewall,
And at least one groove portion exposing another portion of the front surface of the first lead frame,
Wherein one end of the at least one first wire passes through the at least one groove and is bonded to another part of the front surface of the first lead frame.
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