KR102050058B1 - A light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시 예는 제1 리드 프레임, 제1 리드 프레임 상에 위치하고 제1 리드 프레임의 앞면의 일부를 노출하는 반사 측벽을 포함하는 몸체, 노출되는 제1 리드 프레임의 앞면 상에 배치되는 발광 소자, 및 발광 소자와 제1 리드 프레임을 연결하는 적어도 하나의 제1 와이어를 포함하며, 반사 측벽은 제1 리드 프레임의 앞면의 다른 일부를 노출하는 적어도 하나의 홈부를 가지며, 적어도 하나의 제1 와이어의 일단은 적어도 하나의 홈부를 통과하여 제1 리드 프레임의 앞면의 다른 일부에 본딩된다.The embodiment includes a first lead frame, a body including a reflective sidewall positioned on the first lead frame and exposing a portion of the front surface of the first lead frame, a light emitting device disposed on the front surface of the exposed first lead frame, and light emission. At least one first wire connecting the device and the first lead frame, wherein the reflective sidewall has at least one groove portion that exposes another portion of the front side of the first lead frame, and one end of the at least one first wire It is bonded to another part of the front surface of the first lead frame through at least one groove.

Description

발광 소자 패키지{A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) using semiconductors of Group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors have been developed through the development of thin film growth technology and device materials. Various colors such as green, blue, and ultraviolet light can be realized, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or color combinations. It has the advantages of response speed, safety and environmental friendliness.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, white light emitting diodes, which can replace LED backlights, fluorescent lamps, or incandescent bulbs, which replace cold cathode tubes (CCFLs), which form the backlight of LCDs and liquid crystal display (LCD) displays. Applications are expanding to diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights.

조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.Light emitting device packages are widely used in lighting devices and display devices. The light emitting device package may generally include a body, lead frames located in the body, and a light emitting device (eg, an LED) positioned in any one of the lead frames.

실시 예는 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving light efficiency.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 제1 리드 프레임, 상기 제1 리드 프레임 상에 위치하고, 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 일부를 노출하는 반사 측벽을 포함하는 몸체, 상기 노출되는 제1 리드 프레임의 앞면 상에 배치되는 발광 소자, 및 상기 발광 소자와 상기 제1 리드 프레임을 연결하는 적어도 하나의 제1 와이어를 포함하며, 상기 반사 측벽은 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 다른 일부를 노출하는 적어도 하나의 홈부를 가지며, 상기 적어도 하나의 제1 와이어의 일단은 상기 적어도 하나의 홈부를 통과하여 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 다른 일부에 본딩된다.A light emitting device package according to an embodiment may include a body including a first lead frame, a reflection sidewall positioned on the first lead frame, and exposing a portion of a front surface of the first lead frame, and a front surface of the exposed first lead frame. A light emitting element disposed thereon, and at least one first wire connecting the light emitting element and the first lead frame, wherein the reflective sidewall is at least one exposing another portion of the front surface of the first lead frame. One end of the at least one first wire passes through the at least one groove and is bonded to another part of the front surface of the first lead frame.

상기 제1 홈부는 상기 노출되는 제1 리드 프레임의 앞면의 일부와의 경계선에 인접하여 위치할 수 있다. 상기 제1 홈부는 상기 노출되는 제1 리드 프레임의 앞면의 일부와 상기 반사 측벽 사이의 경계선에서 상기 반사 측벽 방향으로 움푹 들어간 형태일 수 있다.The first groove portion may be positioned adjacent to a boundary line with a portion of the front surface of the exposed first lead frame. The first groove may have a recessed shape in the direction of the reflective sidewall at a boundary between a portion of the front surface of the exposed first lead frame and the reflective sidewall.

상기 캐비티에 의하여 노출되는 상기 제1 리드 프레임의 앞면은 상기 발광 소자가 배치되는 제1 영역, 및 상기 제1 홈부에 의하여 노출되는 제2 영역을 포함하며, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 돌출될 수 있다.The front surface of the first lead frame exposed by the cavity includes a first region in which the light emitting element is disposed, and a second region exposed by the first groove, wherein the second region is from the first region. It may protrude.

상기 제1 영역과 상기 반사 측벽 사이의 경계선과 상기 발광 소자 사이의 이격 거리는 130um ~ 140um이고, 상기 발광 소자와 상기 제1 홈부까지의 이격 거리는 500um ~ 600um일 수 있다.The separation distance between the boundary line between the first region and the reflective sidewall and the light emitting device may be 130 μm to 140 μm, and the separation distance between the light emitting device and the first groove may be 500 μm to 600 μm.

상기 반사 측벽의 광 반사도는 상기 제1 리드 프레임의 광 반사도보다 높을 수 있다. 상기 제2 영역의 직경은 300um ~ 400um일 수 있다.The light reflectivity of the reflective sidewall may be higher than the light reflectivity of the first lead frame. The diameter of the second region may be 300um to 400um.

상기 반사 측벽은 복수의 측벽들을 포함하며, 상기 반사 측벽은 상기 복수의 측벽들 각각에 위치하는 복수의 홈부들을 가지며, 상기 복수의 홈부들은 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 서로 다른 영역들을 노출할 수 있다.The reflective sidewall includes a plurality of sidewalls, the reflective sidewall having a plurality of grooves positioned in each of the plurality of sidewalls, the plurality of grooves exposing different regions of the front surface of the first lead frame. can do.

상기 적어도 하나의 제1 와이어는 복수 개이며, 상기 복수의 제1 와이어들 각각의 일단은 상기 제1 리드 프레임의 앞면의 서로 다른 영역들 중 대응하는 어느 하나에 본딩될 수 있다.The at least one first wire may be plural, and one end of each of the plurality of first wires may be bonded to a corresponding one of different regions of the front surface of the first lead frame.

상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 리드 프레임과 이격하여 상기 몸체 내에 위치하고, 상기 캐비티에 의하여 앞면의 일부가 노출되는 제2 리드 프레임을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 리드 프레임의 앞면의 노출 영역의 직경은 300um ~ 400um일 수 있다. The light emitting device package may further include a second lead frame positioned in the body spaced apart from the first lead frame and exposing a portion of the front surface by the cavity. The diameter of the exposed area of the front surface of the second lead frame may be 300um to 400um.

상기 발광 소자 패키지는 일단은 상기 발광 소자에 본딩되고, 나머지 다른 일단은 상기 노출되는 상기 제2 리드 프레임의 앞면의 일부에 본딩되는 제2 와이어를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include a second wire bonded to a portion of the front surface of the exposed second lead frame, one end of which is bonded to the light emitting element.

실시 예는 광 효율을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve the light efficiency.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 일 측면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 다른 일 측면도를 나타낸다.
도 6은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB방향의 단면도를 나타낸다.
도 7은 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 9는 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 10은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 11은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 12는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 일 측면도를 나타낸다.
도 13은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 다른 일 측면도를 나타낸다.
도 14는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 AB방향의 단면도를 나타낸다.
도 15는 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다.
도 16은 도 1에 도시된 발광 소자의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment as seen from above.
FIG. 2 is a top view of the light emitting device package shown in FIG. 1.
3 is a bottom view of the light emitting device package illustrated in FIG. 1.
4 is a side view of the light emitting device package illustrated in FIG. 1.
FIG. 5 illustrates another side view of the light emitting device package illustrated in FIG. 1.
6 is a sectional view taken along the AB direction of the light emitting device package illustrated in FIG. 1.
7 is a perspective view of the light emitting device package according to the second embodiment as viewed from above.
FIG. 8 is a top view of the light emitting device package shown in FIG. 7.
9 is a perspective view of the light emitting device package according to the third embodiment as viewed from above.
FIG. 10 is a top view of the light emitting device package shown in FIG. 9.
FIG. 11 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 9.
FIG. 12 is a side view of the light emitting device package illustrated in FIG. 9.
FIG. 13 illustrates another side view of the light emitting device package illustrated in FIG. 9.
FIG. 14 is a sectional view taken along the AB direction of the light emitting device package shown in FIG. 9.
FIG. 15 illustrates an embodiment of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
16 illustrates another embodiment of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
17 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
18 illustrates a display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.
19 illustrates a head lamp including a light emitting device package according to an embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, the embodiments will be apparent from the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the description of an embodiment, each layer (region), region, pattern, or structure is "on" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. In the case where it is described as being formed at, "up" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-1)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 상면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 저면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 일 측면도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 다른 일 측면도를 나타내고, 도 6은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 AB방향의 단면도를 나타낸다.1 is a perspective view of the light emitting device package 100-1 according to the first embodiment as viewed from above, FIG. 2 is a top view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 1, and FIG. 1 is a bottom view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 1, FIG. 4 is a side view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a light emitting device shown in FIG. 1. Another side view of the package 100-1 is shown, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 1 in the AB direction.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지(100-1)는 몸체(20), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 제3 리드 프레임(33), 발광 소자(10), 제1 와이어(12), 제2 와이어(14), 제너 다이오드(11), 및 수지층(210)을 포함한다.1 to 6, the light emitting device package 100-1 includes a body 20, a first lead frame 31, a second lead frame 32, a third lead frame 33, and a light emitting device ( 10), first wire 12, second wire 14, zener diode 11, and resin layer 210.

몸체(20)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성되거나, 반사도가 높은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 또한 몸체(20)는 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다.The body 20 is formed of a highly insulating or thermally conductive substrate such as a silicon-based wafer level package, a silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), or the like, or has a high reflectivity. It may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide). In addition, the body 20 may have a structure in which a plurality of substrates are stacked.

몸체(20)의 앞면 형상은 발광 소자 패키지(100-1)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상일 수 있다. 그러나 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되는 것은 아니다.The front surface of the body 20 may have various shapes such as triangle, square, polygon, and round shape according to the use and design of the light emitting device package 100-1. However, the embodiment is not limited to the material, structure, and shape of the body described above.

몸체(20)의 앞면에는 반사 측벽(101)과 바닥(102)을 포함하는 캐비티(cavity, 105)가 형성될 수 있다. 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형, 컵 형상, 또는 오목한 용기 형상 등일 수 있으며, 캐비티(105)의 반사 측벽(101)은 리드 프레임들(31,32,33) 또는 바닥(102)에 대하여 수직이거나 경사질 수 있다.A cavity 105 including a reflective sidewall 101 and a bottom 102 may be formed on the front surface of the body 20. The shape of the cavity 105 viewed from above may be circular, square, polygonal, elliptical, cup-shaped, or concave container shape, and the like, and the reflective sidewall 101 of the cavity 105 may include the lead frames 31, 32, 33 or It may be perpendicular or inclined with respect to the floor 102.

제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 몸체(20) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 사이에는 몸체(20)의 일부, 예컨대, 캐비티(105)의 바닥(102)이 개재될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 캐비티(105)의 바닥(102)은 절곡된 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 평면일 수도 있다. 다른 실시 예에서는 제2 리드 프레임(32)과 제3 리드 프레임(33)이 전기적으로 서로 연결될 수 있다.The first to third lead frames 31, 32, and 33 may be spaced apart from each other to be electrically separated from each other and disposed in the body 20. For example, a portion of the body 20, for example, the bottom 102 of the cavity 105 may be interposed between the first to third lead frames 31, 32, and 33. As shown in FIG. 1, the bottom 102 of the cavity 105 may be bent, but is not limited thereto. In another embodiment, the bottom 102 of the cavity 105 may be a flat surface. In another embodiment, the second lead frame 32 and the third lead frame 33 may be electrically connected to each other.

도 1에서는 제2 리드 프레임(32)과 제3 리드 프레임(33) 각각의 앞면(143,144)은 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)과 단차를 갖도록 위치하지만, 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 앞면(142,143,144)은 캐비티(101) 내에서 동일 평면 상에 위치할 수 있다.In FIG. 1, the front surfaces 143 and 144 of each of the second lead frame 32 and the third lead frame 33 are positioned to have a step with the front surface 142 of the first lead frame 31, but embodiments are limited thereto. The front surfaces 142, 143, and 144 of the first to third lead frames 31, 32, and 33 may be located on the same plane in the cavity 101.

제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.The first to third lead frames 31, 32, and 33 may be formed of a conductive material such as metal, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), or tantalum. It may be formed of one of aluminum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an alloy thereof, and may have a single layer or a multilayer structure.

캐비티(105)는 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 각각의 앞면(142,143,144)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142), 제2 리드 프레임(32)의 앞면(143), 및 제3 리드 프레임(33)의 앞면(144)의 적어도 일부는 캐비티(105)로부터 노출될 수 있다.The cavity 105 may expose at least a portion of the front surfaces 142, 143, and 144 of each of the first to third lead frames 31, 32, and 33. For example, at least a portion of the front surface 142 of the first lead frame 31, the front surface 143 of the second lead frame 32, and the front surface 144 of the third lead frame 33 may be separated from the cavity 105. May be exposed.

캐비티(105)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)은 발광 소자(10)가 배치되기 위한 제1 영역(142-1)과, 와이어 본딩(wire bonding)을 위하여 제1 영역(142-1)으로부터 일부가 돌출된 제2 영역(142-2)을 포함할 수 있다.The front surface 142 of the first lead frame 31 exposed by the cavity 105 may include a first region 142-1 for arranging the light emitting device 10 and a first region for wire bonding. The second region 142-2 may protrude from the region 142-1.

도 2에 도시된 바와 같이, 제2 영역(142-2)은 제1 영역(142-1)과 캐비티(105)가 만나는 경계선(148)으로부터 몸체(20) 쪽으로 돌출된 형태일 수 있다.As illustrated in FIG. 2, the second region 142-2 may protrude toward the body 20 from a boundary line 148 where the first region 142-1 and the cavity 105 meet.

예컨대, 제1 영역(142-1)의 형상은 캐비티(105)의 디자인 형태에 따라 타원형, 원형, 또는 다각형(예컨대, 사각형)과 같이 다양한 형태일 수 있다. 또한 제2 영역(142-2)의 형상은 와이어 본딩을 고려하여 반구 형상, 원형, 타원형, 또는 다각형 등과 같이 다양한 형상으로 구현될 수 있다.For example, the shape of the first region 142-1 may be various shapes such as an ellipse, a circle, or a polygon (eg, a rectangle) according to the design shape of the cavity 105. In addition, the shape of the second region 142-2 may be implemented in various shapes such as a hemispherical shape, a circle, an ellipse, or a polygon in consideration of wire bonding.

제1 영역(142-1)은 발광 소자(10)가 배치되기 위하여 노출되는 제1 리드 프레임(31) 영역이기 때문에 발광 소자(10)의 사이즈(size)에 의하여 그 면적이 결정될 수 있다. 또한 제2 영역(142-2)은 단지 와이어(14) 본딩을 위한 영역이기 때문에 와이어 본딩을 위하여 필요한 최소 면적보다 큰 면적을 가져야 한다. 제2 영역(142-2)의 면적은 제1 영역(142-1)의 면적보다 작을 수 있다.Since the first region 142-1 is an area of the first lead frame 31 exposed to arrange the light emitting device 10, an area thereof may be determined by the size of the light emitting device 10. In addition, since the second region 142-2 is only an area for bonding the wire 14, the second region 142-2 should have an area larger than the minimum area required for wire bonding. The area of the second region 142-2 may be smaller than the area of the first region 142-1.

예컨대, 제1 영역(142-1)의 가로의 길이(L1)는 1.95mm ~ 2.05mm일 수 있고, 세로의 길이(L2)는 1.35mm ~ 1.45mm일 수 있다. 또한 와이어 본딩을 위하여 제2 영역(142-2)의 직경은 300um이상이고, 제1 상한치보다 작을 수 있다. 이때 제1 상한치는 제1 영역(142-1)의 세로 길이(L2)일 수 있다.For example, the horizontal length L1 of the first region 142-1 may be 1.95 mm to 2.05 mm, and the vertical length L2 may be 1.35 mm to 1.45 mm. In addition, the diameter of the second region 142-2 may be 300 μm or more and smaller than the first upper limit for wire bonding. In this case, the first upper limit may be a length L2 of the first region 142-1.

발광 소자(10)는 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142) 상에 배치될 수 있다. 반사 측벽(101)은 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33) 앞면(142,143,144)의 가장 자리 영역 상에 위치할 수 있다. 반사 측벽(101)은 발광 소자(10)의 둘레에 배치될 수 있고, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 외주의 적어도 일부를 감쌀 수 있다.The light emitting device 10 may be disposed on the front surface 142 of the first lead frame 31. The reflective sidewall 101 may be positioned on an edge region of the front surfaces 142, 143, and 144 of the first to third lead frames 31, 32, and 33. The reflective sidewall 101 may be disposed around the light emitting device 10, and may surround at least a portion of the outer circumference of the first to third lead frames 31, 32, and 33.

또한 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 앞면의 적어도 일부는 반사 측벽(101)에 의하여 노출될 수 있다. 반사 측벽(101)은 발광 소자(10)로부터 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 반사 측벽(101)은 리드 프레임들(31,32,33)보다 반사도가 높은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다.In addition, at least a portion of the front surface of the first to third lead frames 31, 32, and 33 may be exposed by the reflective sidewall 101. The reflective sidewall 101 may reflect light incident from the light emitting device 10. The reflective sidewall 101 may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA) having higher reflectivity than the lead frames 31, 32, and 33.

반사 측벽(101)은 발광 소자(10)가 배치되는 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)의 제1 영역(142-1)을 노출할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)의 제2 영역(142-2)을 노출하는 제1 홈부(101-1)를 가질 수 있다.The reflective sidewall 101 may expose the first region 142-1 of the front surface 142 of the first lead frame 31 on which the light emitting device 10 is disposed, and the front surface of the first lead frame 31. The first recess 101-1 exposing the second region 142-2 of 142 may be provided.

제1 홈부(101-1)는 반사 측벽(101) 내측으로 들어간 형태일 수 있다. 즉 홈부(101-1)는 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)과 반사 측벽(101) 사이의 경계선(148)에서 반사 측벽(101) 방향으로 움푹 들어간 형태일 수 있다.The first groove 101-1 may have a shape that enters into the reflective sidewall 101. That is, the groove 101-1 may have a recessed shape in the direction of the reflective sidewall 101 at a boundary line 148 between the first region 142-1 of the first lead frame 31 and the reflective sidewall 101. .

몸체(20)는 복수의 측면들(21 내지 24)을 가질 수 있으며, 제1 리드 프레임(31)은 몸체(20)의 제1 측면(21)으로 노출되는 일단(31-1)을 가질 수 있으며, 제2 리드 프레임(32)은 몸체(20)의 제2 측면(22)으로 노출되는 일단(32-1)을 가질 수 있으며, 제3 리드 프레임(33)은 몸체(20)의 제2 측면(22)으로 노출되는 일단(33-1)을 가질 수 있다. 이때 몸체(20)의 제1 측면(21)과 제2 측면(22)은 서로 마주보는 측면일 수 있다.The body 20 may have a plurality of side surfaces 21 to 24, and the first lead frame 31 may have one end 31-1 exposed to the first side 21 of the body 20. The second lead frame 32 may have one end 32-1 exposed to the second side surface 22 of the body 20, and the third lead frame 33 may have a second portion of the body 20. It may have one end 33-1 exposed to the side 22. In this case, the first side 21 and the second side 22 of the body 20 may be sides facing each other.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)은 몸체(20)의 뒷면(25)으로 노출될 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(31)의 뒷면(31-2)은 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출되고, 제2 리드 프레임(32)의 뒷면(32-2)은 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출되고, 제3 리드 프레임(33)의 뒷면(33-2)은 몸체(20)의 뒷면(25)으로부터 노출될 수 있다.As shown in FIG. 3, the first to third lead frames 31, 32, and 33 may be exposed to the rear surface 25 of the body 20. For example, the rear surface 31-2 of the first lead frame 31 is exposed from the rear surface 25 of the body 20, and the rear surface 32-2 of the second lead frame 32 is formed of the body 20. The rear surface 25 may be exposed, and the rear surface 33-2 of the third lead frame 33 may be exposed from the rear surface 25 of the body 20.

제1 리드 프레임(31) 상에 배치되는 발광 소자(10)는 수직형 또는 수평형 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 발광 소자(10)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등의 빛을 방출하는 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device 10 disposed on the first lead frame 31 may be a vertical or horizontal light emitting diode, but is not limited thereto. For example, the light emitting device 10 may be a light emitting diode emitting light of red, green, blue, or white light, or an ultraviolet (Ultra Violet) light emitting diode emitting ultraviolet light, but is not limited thereto.

도 15는 도 1에 도시된 발광 소자(10)의 일 실시 예(300-1)를 나타낸다. 도 15를 참조하면, 발광 소자(300-1)는 기판(310), 발광 구조물(320), 전도층(330), 제1 전극(342), 및 제2 전극(344)을 포함한다.FIG. 15 illustrates an embodiment 300-1 of the light emitting device 10 illustrated in FIG. 1. Referring to FIG. 15, the light emitting device 300-1 includes a substrate 310, a light emitting structure 320, a conductive layer 330, a first electrode 342, and a second electrode 344.

기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(310)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어 기판(310)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에는 요철 패턴이 형성될 수 있다.The substrate 310 may be formed of a material suitable for growth of a semiconductor material, a carrier wafer. In addition, the substrate 310 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 310 may be a material including at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 O 3 , and GaAs. An uneven pattern may be formed on the upper surface of the substrate 310.

또한 기판(310) 위에는 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체를 이용한 층 또는 패턴, 예컨대, ZnO층(미도시), 버퍼층(미도시), 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 한 층이 형성될 수 있다. 버퍼층 또는 언도프드 반도체층은 3족-5족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층은 기판과의 격자 상수의 차이를 줄여주게 되며, 언도프드 반도체층은 도핑하지 않는 GaN계 반도체로 형성될 수 있다.In addition, a layer or a pattern using a compound semiconductor of Group 2 to 6 elements, for example, a ZnO layer (not shown), a buffer layer (not shown), and an undoped semiconductor layer (not shown) are formed on the substrate 310. Can be. The buffer layer or undoped semiconductor layer may be formed using a compound semiconductor of group III-V group elements, and the buffer layer may reduce the difference in lattice constant from the substrate, and the undoped semiconductor layer may be a undoped GaN semiconductor. Can be formed.

발광 구조물(320)은 빛을 발생하는 반도체층일 수 있으며, 제1 반도체층(322), 활성층(324), 및 제2 반도체층(326)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 320 may be a semiconductor layer that generates light, and may include a first semiconductor layer 322, an active layer 324, and a second semiconductor layer 326.

제1 반도체층(322)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(322)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 322 may be implemented with compound semiconductors such as Groups 3-5 and 2-6, and may be doped with the first conductivity type dopant. For example, the first semiconductor layer 322 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and n Type dopants (eg, Si, Ge, Sn, etc.) may be doped.

활성층(324)은 제1 반도체층(322) 및 제2 반도체층(326)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.The active layer 324 may generate light by energy generated during the recombination of electrons and holes provided from the first semiconductor layer 322 and the second semiconductor layer 326. .

활성층(324)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(324)이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.The active layer 324 may be a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor of Groups 3-5 and 2-6, and may be a single well structure, a multi well structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot. Dot) structure or the like. In the case where the active layer 324 has a quantum well structure, the well layer having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1) and In a It may have a single or quantum well structure having a barrier layer having a composition formula of Al b Ga 1-ab N (0 ≦ a ≦ 1, 0 ≦ b ≦ 1 , 0 ≦ a + b ≦ 1). The well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.

제2 반도체층(326)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(326)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 326 may be implemented with compound semiconductors such as Groups III-5, II-6, and the like, and may be doped with the second conductivity type dopant. For example, the second semiconductor layer 326 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and p Type dopants (eg, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba) may be doped.

발광 구조물(320)는 제2 반도체층(326), 활성층(324) 및 제1 반도체층(322)의 일부가 제거되어 제1 반도체층(322)의 일부를 노출할 수 있다.A portion of the second semiconductor layer 326, the active layer 324, and the first semiconductor layer 322 may be removed from the light emitting structure 320 to expose a portion of the first semiconductor layer 322.

전도층(330)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라, 투광성이 좋기 때문에 활성층(324)으로부터 제2 반도체층(326)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.The conductive layer 330 not only reduces total reflection but also has good light transmittance, thereby increasing extraction efficiency of light emitted from the active layer 324 to the second semiconductor layer 326.

전도층(330)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The conductive layer 330 may be formed of a transparent conductive oxide, for example, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), indium aluminum zinc oxide (IZAZO), or IGZO (IGZO). Indium Gallium Zinc Oxide (IGTO), Indium Gallium Tin Oxide (IGTO), Aluminum Zinc Oxide (AZO), Antimony Tin Oxide (ATO), Gallium Zinc Oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni, Ag, Ni / IrOx / Au, or Ni / IrOx / Au / ITO can be used to form a single layer or multiple layers.

제1 전극(342)은 노출되는 제1 반도체층(322) 상에 배치되며, 제2 전극(344)은 전도층(330) 상에 배치된다.The first electrode 342 is disposed on the exposed first semiconductor layer 322, and the second electrode 344 is disposed on the conductive layer 330.

도 16은 도 1에 도시된 발광 소자(10)의 다른 실시 예(300-2)를 나타낸다.FIG. 16 shows another embodiment 300-2 of the light emitting device 10 shown in FIG. 1.

도 16를 참조하면, 발광 소자(300-2)는 제2 전극부(405), 보호층(440), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 445), 발광 구조물(450), 패시베이션층(465), 및 제1 전극부(470)를 포함한다.Referring to FIG. 16, the light emitting device 300-2 may include a second electrode part 405, a protective layer 440, a current blocking layer 445, a light emitting structure 450, and a passivation layer 465. , And a first electrode part 470.

제2 전극부(405)는 제1 전극부(470)와 함께 발광 구조물(450)에 전원을 제공한다. 제2 전극부(405)는 지지층(support, 410), 접합층(bonding layer, 415), 배리어층(barrier layer, 420), 반사층(reflective layer, 425), 및 오믹층(ohmic layer, 430)을 포함할 수 있다.The second electrode part 405 together with the first electrode part 470 provides power to the light emitting structure 450. The second electrode part 405 includes a support layer 410, a bonding layer 415, a barrier layer 420, a reflective layer 425, and an ohmic layer 430. It may include.

지지층(410)는 발광 구조물(450)을 지지한다. 지지층(210)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(410)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(410)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.The support layer 410 supports the light emitting structure 450. The support layer 210 may be formed of a metal or a semiconductor material. In addition, the support layer 410 may be formed of a material having high electrical conductivity and thermal conductivity. For example, the support layer 410 may include at least one of copper (Cu), copper alloy (Cu alloy), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper-tungsten (Cu-W). It may be a material or a semiconductor including at least one of Si, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

접합층(415)은 지지층(410)와 배리어층(420) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(410)과 배리어층(420)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(415)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(415)은 지지층(410)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(410)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(215)은 생략될 수 있다.The bonding layer 415 may be disposed between the support layer 410 and the barrier layer 420, and may serve as a bonding layer for bonding the support layer 410 and the barrier layer 420. The bonding layer 415 may include at least one of a metal material, for example, In, Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, and Cu. Since the bonding layer 415 is formed to bond the support layer 410 by a bonding method, the bonding layer 215 may be omitted when the support layer 410 is formed by plating or deposition.

배리어층(420)은 반사층(425), 오믹층(430), 및 보호층(440)의 아래에 배치되며, 접합층(415) 및 지지층(410)의 금속 이온이 반사층(425), 및 오믹층(430)을 통과하여 발광 구조물(450)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(420)은 Ni, Pt, Ti,W,V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The barrier layer 420 is disposed below the reflective layer 425, the ohmic layer 430, and the protective layer 440, and the metal ions of the bonding layer 415 and the support layer 410 are reflected on the reflective layer 425, and ohmic. It may be prevented from passing through the mixed layer 430 to the light emitting structure 450. For example, the barrier layer 420 may include at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, and Mo, and may include a single layer or multiple layers.

반사층(425)은 배리어층(420) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(450)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(425)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The reflective layer 425 may be disposed on the barrier layer 420, and may reflect light incident from the light emitting structure 450, thereby improving light extraction efficiency. The reflective layer 425 may be formed of a metal or an alloy including at least one of a light reflective material such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf.

반사층(425)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.The reflective layer 425 may be formed in a multilayer using a metal or an alloy and a light-transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. For example, IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni and the like.

오믹층(430)은 반사층(425)과 제2 반도체층(452) 사이에 배치될 수 있으며,제2 반도체층(452)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(450)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다. The ohmic layer 430 may be disposed between the reflective layer 425 and the second semiconductor layer 452. The ohmic layer 430 may be ohmic contacted to the second semiconductor layer 452 to smoothly supply power to the light emitting structure 450. You can do that.

투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(430)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(430)은 제2 반도체층(452)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ohmic layer 430 may be formed using a light transmissive conductive layer and a metal. For example, the ohmic layer 430 includes at least one of a metal material in ohmic contact with the second semiconductor layer 452, for example, Ag, Ni, Cr, Ti, Pd, Ir, Sn, Ru, Pt, Au, or Hf. can do.

보호층(440)은 제2 전극층(405)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(440)은 오믹층(430)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(425)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(420)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(410)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.The protective layer 440 may be disposed on an edge region of the second electrode layer 405. For example, the protective layer 440 is on an edge region of the ohmic layer 430, an edge region of the reflective layer 425, or an edge region of the barrier layer 420, or an edge region of the support layer 410. Can be arranged.

보호층(440)은 발광 구조물(450)과 제2 전극층(405) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(300-2)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(440)은 전기 절연성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The protective layer 440 may prevent the interface between the light emitting structure 450 and the second electrode layer 405 from being peeled off, thereby reducing the reliability of the light emitting device 300-2. The protective layer 440 may be formed of an electrically insulating material, for example, ZnO, SiO 2 , Si 3 N 4 , TiOx (x is a positive real number), Al 2 O 3 , or the like.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 발광 구조물(450) 사이에 배치될 수 있다. 전류 차단층(445)의 상면은 제2 반도체층(452)과 접촉하고, 전류 차단층(445)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(430)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(445)은 수직 방향으로 제1 전극부(470)와 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.The current blocking layer 445 may be disposed between the ohmic layer 430 and the light emitting structure 450. An upper surface of the current blocking layer 445 may contact the second semiconductor layer 452, and a lower surface, or a lower surface and a side surface of the current blocking layer 445 may contact the ohmic layer 430. The current blocking layer 445 may be disposed to overlap at least a portion of the first electrode portion 470 in the vertical direction.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 제2 반도체층(452) 사이에 형성되거나, 반사층(425)과 오믹층(430) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The current blocking layer 445 may be formed between the ohmic layer 430 and the second semiconductor layer 452, or may be formed between the reflective layer 425 and the ohmic layer 430, but is not limited thereto.

발광 구조물(450)은 오믹층(430) 및 보호층(440) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(450)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다.The light emitting structure 450 may be disposed on the ohmic layer 430 and the protective layer 440. The side surface of the light emitting structure 450 may be an inclined surface in an isolation etching process divided into unit chips.

발광 구조물(450)은 제2 반도체층(452), 활성층(454), 및 제1 반도체층(456)을 포함할 수 있으며, 도 15에서 설명한 바와 동일할 수 있으며, 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다.The light emitting structure 450 may include a second semiconductor layer 452, an active layer 454, and a first semiconductor layer 456, and may be the same as described with reference to FIG. 15, and description thereof is omitted to avoid duplication. do.

패시베이션층(465)은 발광 구조물(450)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(450)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 제1 반도체층(456)의 상면 일부 또는 보호층(440)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.The passivation layer 465 may be disposed on the side of the light emitting structure 450 to electrically protect the light emitting structure 450. The passivation layer 465 may be disposed on a portion of the top surface of the first semiconductor layer 456 or the top surface of the protective layer 440. The passivation layer 465 may be formed of an insulating material such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 to be formed Can be.

제1 전극부(470)는 제1 반도체층(456) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(470)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 반도체층(456)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(470)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The first electrode part 470 may be disposed on the first semiconductor layer 456. The first electrode part 470 may have a predetermined pattern shape. A roughness pattern (not shown) may be formed on the top surface of the first semiconductor layer 456 to increase light extraction efficiency. In addition, a roughness pattern (not shown) may be formed on the top surface of the first electrode 470 to increase light extraction efficiency.

발광 소자(10)는 도 1에 도시된 것과 같이 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)과 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 1, the light emitting device 10 may be electrically connected to the first lead frame 31 and the second lead frame 32 by a wire bonding method.

제1 와이어(12)는 발광 소자(10)와 제1 리드 프레임(31)을 전기적으로 연결할 수 있다. 예컨대, 제1 와이어(12)의 일단은 발광 소자(10)(예컨대, 도 15에 도시된 제1 전극(342) 또는 제2 전극(344))에 본딩(bonding)될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제1 홈부(101-1)를 통과하여 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역(142-2)에 본딩될 수 있다.The first wire 12 may electrically connect the light emitting element 10 and the first lead frame 31. For example, one end of the first wire 12 may be bonded to the light emitting element 10 (eg, the first electrode 342 or the second electrode 344 shown in FIG. 15), and the other end of the first wire 12 may be bonded. May be bonded to the second region 142-2 of the first lead frame 31 through the first groove 101-1.

제2 와이어(14)는 발광 소자(10)와 제2 리드 프레임(32)을 전기적으로 연결할 수 있다. 예컨대, 제2 와이어(14)의 일단은 발광 소자(10)(예컨대, 도 15에 도시된 발광 소자(300-1)의 제2 전극(344) 또는 제1 전극(342))에 연결될 수 있고, 제2 와이어(14)의 나머지 다른 일단은 제2 리드 프레임(32)의 앞면(143)에 연결될 수 있다.The second wire 14 may electrically connect the light emitting element 10 and the second lead frame 32 to each other. For example, one end of the second wire 14 may be connected to the light emitting device 10 (eg, the second electrode 344 or the first electrode 342 of the light emitting device 300-1 shown in FIG. 15). The other end of the second wire 14 may be connected to the front surface 143 of the second lead frame 32.

제너 다이오드(zener, 11)는 발광 소자 패키지(100-1)의 내전압을 향상시키기 위하여 제2 리드 프레임(32)의 앞면(143) 상에 배치될 수 있다. 제3 와이어(16)는 제너 다이오드(11)와 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142), 예컨대, 제1 영역(142-1)을 전기적으로 연결할 수 있다.The Zener diode 11 may be disposed on the front surface 143 of the second lead frame 32 to improve the withstand voltage of the light emitting device package 100-1. The third wire 16 may electrically connect the zener diode 11 and the front surface 142 of the first lead frame 31, for example, the first region 142-1.

도 6에 도시된 수지층(210)은 발광 소자(10)를 밀봉하여 보호하도록 몸체(20)의 캐비티(105) 내에 충진될 수 있다. 수지층(210)은 에폭시(epoxy) 또는 실리콘과 같은 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있다.The resin layer 210 shown in FIG. 6 may be filled in the cavity 105 of the body 20 to seal and protect the light emitting device 10. The resin layer 210 may be made of a transparent polymer resin such as epoxy or silicon.

수지층(210)은 발광 소자(10)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체(212)를 포함할 수 있다. 예컨대, 수지층(210)은 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The resin layer 210 may include a phosphor 212 to change the wavelength of light emitted from the light emitting element 10. For example, the resin layer 210 may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, a yellow phosphor, and the like.

발광 소자 패키지(100-1)는 수지층(210) 상에 배치되는 렌즈(미도시)를 더 포함할 수 있다. 렌즈(미도시)는 발광 소자 패키지(100-1)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다.The light emitting device package 100-1 may further include a lens (not shown) disposed on the resin layer 210. The lens (not shown) may control light distribution of light emitted from the light emitting device package 100-1.

발광 소자(10)로부터 발생하는 빛을 반사시키기 위하여 제1 내지 제3 리드 프레임들(31,32,33)의 앞면(142,143,144)은 발광 소자(10)로부터 발생하는 빛을 반사시키기 위하여 반사 물질, 예컨대, 은(Ag)으로 이루어질 수 있고, 반사 측벽(101)은 PPA 수지 재질로 이루어질 수 있다.The front surfaces 142, 143, and 144 of the first to third lead frames 31, 32, and 33 to reflect light generated from the light emitting device 10 may be formed of a reflective material to reflect light generated from the light emitting device 10. For example, it may be made of silver (Ag), and the reflective sidewall 101 may be made of a PPA resin material.

반사 측벽(101)을 이루는 PPA는 리드 프레임들(31,32,33)을 이루는 은(Ag)에 비하여 반사율이 높다. 따라서 캐비티(105) 내의 리드 프레임(31,32,33)의 노출 면적을 줄이고, 반사 측벽(101)의 면적을 증가시킬 경우, 발광 소자 패키지(100-1)의 광 효율은 향상될 수 있다.The PPA forming the reflective sidewall 101 has a higher reflectance than the silver Ag forming the lead frames 31, 32, and 33. Therefore, when the exposure area of the lead frames 31, 32, 33 in the cavity 105 is reduced and the area of the reflective sidewall 101 is increased, the light efficiency of the light emitting device package 100-1 may be improved.

제1 실시 예는 와이어 본딩을 위하여 필요한 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)의 일부만을 노출하도록 반사 측벽(101)에 홈부(101-1)를 마련함으로써, 캐비티(105)에 의하여 제1 리드 프레임(31)의 노출되는 앞면(142)의 면적을 줄이고, 상대적으로 반사 측벽(101)이 차지하는 면적을 증가시킴으로써 반사율을 향상시킬 수 있다. 이로 인하여 제1 실시 예는 발광 소자 패키지(100-1)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.In the first embodiment, the cavity 105-1 is provided on the reflective sidewall 101 to expose only a part of the front surface 142 of the first lead frame 31 required for wire bonding. The reflectance may be improved by reducing the area of the exposed front surface 142 of the one lead frame 31 and relatively increasing the area occupied by the reflective sidewall 101. For this reason, the first embodiment may improve light efficiency of the light emitting device package 100-1.

도 7은 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-2)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 8은 도 7에 도시된 발광 소자 패키지(100-2)의 상면도를 나타낸다. 도 1 및 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.FIG. 7 is a perspective view of the light emitting device package 100-2 according to the second embodiment, and FIG. 8 is a top view of the light emitting device package 100-2 shown in FIG. 7. The same reference numerals as those of FIGS. 1 and 2 denote the same configuration, and the descriptions overlapping with the foregoing description will be omitted or briefly described.

도 7 및 도 8을 참조하면, 제2 실시 예의 반사 측벽(101')은 와이어 본딩을 위하여 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)의 일부들을 노출하는 복수의 홈부들(예컨대, 101-1, 101-2,101-3)을 가질 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the reflective sidewall 101 ′ of the second embodiment includes a plurality of grooves (eg, 101-101) that expose portions of the front surface 142 of the first lead frame 31 for wire bonding. 1, 101-2, 101-3).

복수의 홈부들(예컨대, 101-1, 101-2,101-3)은 발광 소자(10)를 실장하기 위하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)을 제외한 다른 영역들(예컨대, 142-2,142-3,142-4)을 노출할 수 있다.The plurality of grooves (eg, 101-1, 101-2, and 101-3) are regions other than the first region 142-1 of the first lead frame 31 that is exposed to mount the light emitting device 10. (Eg, 142-2, 142-3, 142-4).

복수의 홈부들(예컨대, 101-1, 101-2,101-3) 각각은 서로 이격하여 위치하며, 반사 측벽(101') 내측으로 들어간 형태일 수 있다. 복수의 홈부들(예컨대, 101-1, 101-2,101-3) 각각은 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)과 반사 측벽(101') 사이의 경계선(148)에서 반사 측벽(101') 방향으로 움푹 들어간 형태일 수 있다.Each of the plurality of grooves (eg, 101-1, 101-2, and 101-3) may be spaced apart from each other, and may be formed into the reflective sidewall 101 '. Each of the plurality of grooves (eg, 101-1, 101-2, and 101-3) is reflected at the boundary line 148 between the first region 142-1 and the reflective sidewall 101 'of the first lead frame 31. It may have a recessed shape in the sidewall 101 'direction.

반사 측벽(101')은 복수의 측벽들(201,202,203,204)로 이루어질 수 있다. 복수의 홈부들(예컨대, 101-1,101-2,101-3)은 복수의 측벽들(201,202,203,204) 중 다른 측벽들 각각에 위치할 수 있다.The reflective sidewall 101 ′ may be composed of a plurality of sidewalls 201, 202, 203, and 204. The plurality of grooves (eg, 101-1, 101-2, 101-3) may be located on each of the other sidewalls of the plurality of sidewalls 201,202,203,204.

예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 홈부(101-1)는 제1 측벽(201) 내에 위치할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역(142-2)을 노출할 수 있다.For example, as shown in FIG. 8, the first groove 101-1 may be located in the first sidewall 201 and may expose the second region 142-2 of the first lead frame 31. Can be.

제2 홈부(101-2)은 제2 측벽(202) 내에 위치할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 제3 영역(142-3)을 노출할 수 있다. 제3 홈부(101-3)는 제4 측벽(204) 내에 위치할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 제4 영역(152-4)을 노출할 수 있다. 제3 측벽(203)은 제2 및 제3 리드 프레임(32,33)과 인접하기 때문에 발광 소자(10)와 와이어 본딩을 하기에는 거리가 멀다. 이로 인하여 제3 측벽(203)에는 와이어 본딩을 위한 홈부가 형성되지 않을 수 있으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.The second groove 101-2 may be located in the second sidewall 202 and may expose the third region 142-3 of the first lead frame 31. The third groove 101-3 may be located in the fourth sidewall 204 and may expose the fourth region 152-4 of the first lead frame 31. Since the third sidewall 203 is adjacent to the second and third lead frames 32 and 33, the third sidewall 203 is far from wire-bonded with the light emitting device 10. For this reason, the groove portion for wire bonding may not be formed in the third sidewall 203, but the embodiment is not limited thereto.

복수의 와이어들(12, 13, 15) 각각은 발광 소자(10)와 제2 영역 내지 제4 영역들(142-2,142-3,142-4) 중 대응하는 어느 하나의 영역을 전기적으로 연결할 수 있다. 즉 복수의 와이어들(12,13,15) 각각의 일단은 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역 내지 제4 영역들(142-2,142-3,142-4) 중 대응하는 어느 하나에 본딩될 수 있다.Each of the wires 12, 13, and 15 may electrically connect the light emitting device 10 and any one of the second to fourth regions 142-2, 142-3, and 142-4. That is, one end of each of the wires 12, 13, and 15 may be bonded to a corresponding one of the second to fourth regions 142-2, 142-3, and 142-4 of the first lead frame 31. have.

예컨대, 제1 와이어(12)의 일단은 발광 소자(10)에 본딩될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제1 홈부(101-1)를 통과하여 제1 리드 프레임(31)의 제2 영역(142-2)에 본딩될 수 있다.For example, one end of the first wire 12 may be bonded to the light emitting device 10, and the other end of the first wire 12 may pass through the first groove portion 101-1 to form the second region 142 of the first lead frame 31. -2) may be bonded.

또한 제4 와이어(13)의 일단은 발광 소자(10)에 본딩될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제2 홈부(101-2)를 통과하여 제3 영역(142-3)에 본딩될 수 있다.In addition, one end of the fourth wire 13 may be bonded to the light emitting device 10, and the other end of the fourth wire 13 may be bonded to the third region 142-3 through the second groove 101-2.

또한 제5 와이어(15)의 일단은 발광 소자(10)에 본딩될 수 있고, 나머지 다른 일단은 제3 홈부(101-3)를 통과하여 제4 영역(142-4)에 본딩될 수 있다.In addition, one end of the fifth wire 15 may be bonded to the light emitting device 10, and the other end of the fifth wire 15 may be bonded to the fourth region 142-4 through the third groove portion 101-3.

제2 실시 예는 3개의 홈부들(101-1,101-2,101-3)을 갖는 반사 측벽(101')을 도시하였지만, 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예는 2개 이상의 홈부들을 갖는 반사 측벽을 포함할 수 있다.Although the second embodiment shows a reflective sidewall 101 'having three grooves 101-1, 101-2, and 101-3, the embodiment is not limited thereto, and another embodiment has two or more grooves. And reflective sidewalls.

도 9는 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-3)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 10은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 상면도를 나타내고, 도 11은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 저면도를 나타내고, 도 12는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 일 측면도를 나타내고, 도 13은 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 다른 일 측면도를 나타내고, 도 14는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 AB방향의 단면도를 나타낸다.9 is a perspective view of the light emitting device package 100-3 according to the third embodiment as viewed from above, FIG. 10 is a top view of the light emitting device package 100-3 shown in FIG. 9, and FIG. 9 is a bottom view of the light emitting device package 100-3 shown in FIG. 9, FIG. 12 is a side view of the light emitting device package 100-3 shown in FIG. 9, and FIG. 13 is a light emitting device shown in FIG. 9. Another side view of the package 100-3 is shown, and FIG. 14 is a cross-sectional view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 9 in the AB direction.

도 1 내지 도 6과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.The same reference numerals as those in FIGS. 1 to 6 denote the same components, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.

도 9 내지 도 14를 참조하면, 발광 소자 패키지(100-3)는 몸체(20'), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32'), 발광 소자(10), 제1 와이어(12), 제2 와이어(14), 및 수지층(210)을 포함한다.9 to 14, the light emitting device package 100-3 may include a body 20 ′, a first lead frame 31, a second lead frame 32 ′, a light emitting device 10, and a first wire. 12, the second wire 14, and the resin layer 210.

제1 실시 예(100-1)와 비교할 때, 제3 실시 예(100-3)는 캐비티(105')에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 노출 면적 및 제2 리드 프레임(32')의 형상및 노출 면적이 다를 수 있다.Compared to the first embodiment 100-1, the third embodiment 100-3 shows the exposed area of the first lead frame 31 and the second lead frame 32 ′ exposed by the cavity 105 ′. ) Shape and exposure area may vary.

또한 제1 실시 예(100-1)는 3개의 리드 프레임들(31,32,33)을 가지는 반면에, 제3 실시 예(100-3)는 2개의 리드 프레임들(31,32')을 가질 수 있다. 또한 제1 실시 예(100-1)는 몸체(20)의 측면으로 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 말단(31-1)의 개수가 2개인데 반하여, 제3 실시 예(100-3)는 몸체(20)의 측면으로 노출되는 제1 리드 프레임(31')의 말단(31-1')의 개수가 1개일 수 있다.In addition, the first embodiment 100-1 has three lead frames 31, 32, and 33, while the third embodiment 100-3 has two lead frames 31, 32 ′. Can have In addition, in the first embodiment 100-1, the number of the ends 31-1 of the first lead frame 31 exposed to the side surface of the body 20 is two, whereas in the third embodiment (100-3) ) May be one of the ends 31-1 ′ of the first lead frame 31 ′ exposed to the side of the body 20.

제2 리드 프레임(32')의 앞면(143)은 제1 리드 프레임(31)의 앞면(142)과 동일 평면 상에 위치할 수 있고, 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)은 발광 소자(10)를 실장하기 위하여 필요한 최소 영역일 수 있다. 물론 제1 영역(142-1)의 면적은 발광 소자(10)의 크기(M1 × M2)에 따라 결정될 수 있다.The front surface 143 of the second lead frame 32 ′ may be coplanar with the front surface 142 of the first lead frame 31, and the first area 142-of the first lead frame 31 may be disposed on the same plane. 1) may be a minimum area necessary for mounting the light emitting device 10. Of course, the area of the first region 142-1 may be determined according to the size M1 × M2 of the light emitting device 10.

도 10에 도시된 바와 같이, 제1 영역(142-1)과 반사 측벽(101') 사이의 경계선(148)과 발광 소자(10) 사이의 이격 거리(D1)는 130um 이상일 수 있다. 그러나 상기 이격 거리(D1)가 너무 클 경우에는 발광 소자 패키지의 광 반사율이 감소될 수 있다. 따라서 발광 소자(10)의 실장을 위한 최소 면적 및 발광 소자 패키지(100-1)의 광 반사율을 고려할 때, 상기 이격 거리(D1)는 예컨대, 130um ~ 140um일 수 있다.As illustrated in FIG. 10, the separation distance D1 between the boundary line 148 between the first region 142-1 and the reflective sidewall 101 ′ and the light emitting device 10 may be 130 μm or more. However, when the separation distance D1 is too large, the light reflectance of the light emitting device package may be reduced. Therefore, in consideration of the minimum area for mounting the light emitting device 10 and the light reflectance of the light emitting device package 100-1, the separation distance D1 may be, for example, 130 μm to 140 μm.

또한 제1 와이어(12)의 본딩을 위하여 발광 소자(10)와 제2 영역(142-2)까지의 이격 거리(D2)는 500um 이상일 수 있다. 여기서 D2는 발광 소자(10)와 제1 홈(101-1) 사이의 이격 거리일 수 있다. 예컨대, 와이어 본딩을 위하여 필요한 최소 이격 거리 및 발광 소자 패키지(100-1)의 광 반사율을 고려할 때, 상기 이격 거리(D2)는 500um ~ 600um일 수 있다.In addition, a distance D2 between the light emitting device 10 and the second region 142-2 may be 500 μm or more for bonding the first wire 12. Here, D2 may be a separation distance between the light emitting device 10 and the first groove 101-1. For example, when considering the minimum distance required for wire bonding and the light reflectance of the light emitting device package 100-1, the separation distance D2 may be 500 μm to 600 μm.

그리고 제1 와이어(12)의 본딩을 위하여 필요한 제2 영역(142-2)의 직경(L3)은 300um 이상이고, 제2 상한치보다 작을 수 있다. 이때 제2 상한치는 발광 소자(10)의 세로 길이(M2)에 260um를 더한 값일 수 있다. 예컨대, 와이어 본딩과 발광 소자 패키지의 광 반사율를 고려할 때, 제2 영역(142-2)의 직경(L3)은 300um ~ 400um일 수 있다. 이때 L3는 제2 영역(142-2)의 최소 직경일 수 있다.The diameter L3 of the second region 142-2 required for bonding the first wire 12 may be 300 μm or more and smaller than the second upper limit. In this case, the second upper limit may be a value obtained by adding 260 μm to the vertical length M2 of the light emitting device 10. For example, in consideration of the wire bonding and the light reflectance of the light emitting device package, the diameter L3 of the second region 142-2 may be about 300 μm to about 400 μm. In this case, L3 may be the minimum diameter of the second region 142-2.

제2 리드 프레임(32')의 앞면(143')은 제2 와이어(14)의 본딩을 위하여 필요한 영역만이 노출될 수 있다. 이때 제2 리드 프레임(32')의 노출 영역(143')의 형상은 반구 형상, 원형, 타원형, 또는 다각형 등과 같이 다양한 형상으로 구현될 수 있다.The front surface 143 ′ of the second lead frame 32 ′ may expose only an area necessary for bonding the second wire 14. In this case, the shape of the exposed area 143 ′ of the second lead frame 32 ′ may be implemented in various shapes such as a hemispherical shape, a circle, an ellipse, or a polygon.

이때 캐비티(105)에 의하여 노출되는 제2 리드 프레임(32')의 노출 영역(143')의 직경(L4)은 300um 이상일 수 있다. 예컨대, 와이어 본딩과 발광 소자 패키지의 광 반사율를 고려할 때, 제2 리드 프레임(32')의 노출 영역(143')의 직경(L4)은 300um ~ 400um일 수 있다. 이때 L4는 제2 리드 프레임(32')의 노출 영역(143')의 최소 직경일 수 있다.In this case, the diameter L4 of the exposed region 143 'of the second lead frame 32' exposed by the cavity 105 may be 300 μm or more. For example, in consideration of wire bonding and light reflectance of the light emitting device package, the diameter L4 of the exposed region 143 'of the second lead frame 32' may be 300 μm to 400 μm. In this case, L4 may be the minimum diameter of the exposed area 143 'of the second lead frame 32'.

즉 캐비티(105')에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 제1 영역(142-1)은 발광 소자(10)를 실장하기 위하여 필요한 최소한의 면적을 가질 수 있으며, 반사 측벽(101')은 와이어 본딩을 위하여 필요한 최소한의 면적을 갖는 제2 영역(142-2)을 노출하는 제1 홈부(101-1)를 가질 수 있다.That is, the first region 142-1 of the first lead frame 31 exposed by the cavity 105 ′ may have a minimum area necessary for mounting the light emitting device 10, and may reflect the sidewall 101 ′. ) May have a first groove 101-1 exposing a second area 142-2 having a minimum area necessary for wire bonding.

따라서 제3 실시 예는 제1 실시 예와 비교할 때, 발광 소자(10)를 실장하기 위하여 노출되는 제1 리드 프레임(31)의 면적 및 제2 와이어(14)의 본딩을 위하여 노출되는 제2 리드 프레임(32)의 노출 면적이 상대적으로 작기 때문에 리드 프레임들(31,32)의 노출 면적 대비 반사 측벽(101')이 차지하는 면적이 상대적으로 증가하여 반사율이 향상될 수 있다. 이로 인하여 제3 실시 예는 제2 실시 예보다 광 효율이 더욱 향상될 수 있다.Therefore, in comparison with the first embodiment, the third embodiment has a second lead exposed for bonding the second wire 14 and the area of the first lead frame 31 exposed for mounting the light emitting device 10. Since the exposed area of the frame 32 is relatively small, the area occupied by the reflective sidewall 101 'relative to the exposed areas of the lead frames 31 and 32 may be relatively increased, thereby improving the reflectance. As a result, the third embodiment may further improve light efficiency than the second embodiment.

도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 17을 참조하면, 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과, 광원의 열을 방출하는 방열부(740)와, 광원(750)과 방열부(740)를 수납하는 하우징(700)과, 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.17 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment. Referring to FIG. 17, the lighting apparatus includes a light source 750 for projecting light, a heat dissipation unit 740 for emitting heat of the light source, a housing 700 for accommodating the light source 750 and the heat dissipation unit 740, and The holder 760 couples the light source 750 and the heat dissipation part 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함할 수 있다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 may include a socket coupling portion 710 coupled to an electrical socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 embedded therein. One air flow port 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비될 수 있으며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.A plurality of air flow holes 720 may be provided on the body portion 730 of the housing 700, and one or more air flow holes 720 may be provided. The air flow port 720 may be disposed radially or in various forms in the body portion 730.

광원(750)은 기판(754) 상에 실장되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함할 수 있다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.The light source 750 may include a plurality of light emitting device packages 752 mounted on the substrate 754. The substrate 754 may be shaped to be inserted into the opening of the housing 700, and may be made of a material having high thermal conductivity to transfer heat to the heat dissipation unit 740, as described below.

복수 개의 발광 소자 패키지(752)는 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다. 광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.The plurality of light emitting device packages 752 may be any one of the above-described embodiments 100-1 to 100-3. A holder 760 is provided below the light source 750, and the holder 760 may include a frame and other air flow ports. In addition, although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge the light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750.

도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다. 도 18을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.18 illustrates a display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment. Referring to FIG. 18, the display device 800 includes a bottom cover 810, a reflector 820 disposed on the bottom cover 810, light emitting modules 830 and 835 that emit light, and a reflector 820. ) An optical sheet including a light guide plate 840 which is disposed in front of the light guide plate and guides light emitted from the light emitting modules 830 and 835 to the front of the display device, and prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840. And a display panel 870 disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit 872 connected to the display panel 870 and supplying an image signal to the display panel 870, and in front of the display panel 870. It may include a color filter 880 disposed. The bottom cover 810, the reflector 820, the light emitting modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module may include light emitting device packages 835 mounted on the substrate 830. Here, the PCB 830 may be used. The light emitting device package 835 may be any one of the embodiments 100-1 to 100-3.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may receive components in the display device 800. In addition, the reflective plate 820 may be provided as a separate component as shown in the drawing, or may be provided in the form of a high reflective material on the rear surface of the light guide plate 840 or the front surface of the bottom cover 810. .

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflective plate 820 may use a material having a high reflectance and being extremely thin, and may use polyethylene terephthalate (PET).

그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyethylene (PE), or the like.

그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 may be formed of a translucent and elastic polymer material on one surface of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be provided in the stripe type and the valley repeatedly as shown.

그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In addition, the direction of the floor and the valley of one surface of the support film in the second prism sheet 860 may be perpendicular to the direction of the floor and the valley of one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to evenly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet to the front surface of the display panel 1870.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of a polyester and polycarbonate-based material, and may maximize the light projection angle through refraction and scattering of light incident from the backlight unit. The diffusion sheet includes a support layer including a light diffusing agent, a first layer and a second layer formed on the light exit surface (the first prism sheet direction) and the light incident surface (the reflection sheet direction) and do not include the light diffusing agent. It may include.

실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850, and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which optical sheet is made of another combination, for example, a micro lens array or a diffusion sheet and a micro lens array. Or a combination of one prism sheet and a micro lens array.

디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display panel may be disposed in the display panel 870. In addition to the liquid crystal display panel 860, another type of display device that requires a light source may be provided.

도 19는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 19를 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.19 illustrates a head lamp 900 including a light emitting device package according to an embodiment. Referring to FIG. 19, the head lamp 900 includes a light emitting module 901, a reflector 902, a shade 903, and a lens 904.

발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module 901 may include a plurality of light emitting device packages (not shown) disposed on a substrate (not shown). In this case, the light emitting device package may be any one of the above-described embodiments 100-1 to 100-3.

리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.The reflector 902 reflects light 911 emitted from the light emitting module 901 in a predetermined direction, for example, the front 912.

쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.The shade 903 is disposed between the reflector 902 and the lens 904, and a member that blocks or reflects a part of the light reflected by the reflector 902 toward the lens 904 to achieve a light distribution pattern desired by the designer. As one side, the one side portion 903-1 and the other side portion 903-2 of the shade 903 may have different heights.

발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.Light irradiated from the light emitting module 901 may be reflected by the reflector 902 and the shade 903 and then transmitted through the lens 904 to face the front of the vehicle body. The lens 904 may deflect forward light reflected by the reflector 902.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to such a combination and modification are included in the scope of the present invention.

Claims (19)

대응하는 앞면 및 뒷면, 및 대응하는 제1 측면 및 제2 측면을 포함하는 몸체;
상기 몸체의 앞면에 형성되고, 복수의 반사 측벽과 바닥을 포함하는 캐비티;
상기 캐비티에 의해 앞면의 일부가 각각 노출되는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자와 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부를 전기적으로 연결하는 제1 와이어; 및
상기 발광 소자와 상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어를 포함하고,
상기 제1 리드 프레임은 상기 제1 측면으로 노출되는 일단을 포함하며,
상기 제2 리드 프레임은 상기 제2 측면으로 노출되는 일단을 포함하고,
상기 복수의 반사 측벽 중 하나는 상기 제1 측면을 향하여 내측으로 들어간 홈부를 포함하며,
상기 홈부는 상기 발광 소자와 상기 제1 측면 사이에 배치되고,
상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부와 상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부는 동일 평면 상에 위치하고,
상기 몸체의 일부는 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부와 상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부 사이에 배치되고,
상기 몸체의 상기 일부의 상면의 높이는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 상기 앞면의 상기 노출된 일부의 높이보다 높고,
상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부는 상기 발광 소자가 배치되는 제1 영역 및 상기 제1 와이어의 일단이 본딩되는 제2 영역을 포함하고,
상기 제2 영역은 상기 홈부에 의해 노출되는 영역인 발광 소자 패키지.A body including corresponding front and back sides and corresponding first and second sides;
A cavity formed on the front surface of the body and including a plurality of reflective sidewalls and a bottom;
A first lead frame and a second lead frame each of which a part of the front surface is exposed by the cavity;
A light emitting element disposed on the exposed portion of the front surface of the first lead frame;
A first wire electrically connecting the light emitting element and the exposed portion of the front surface of the first lead frame; And
A second wire electrically connecting the light emitting element and the exposed portion of the front surface of the second lead frame;
The first lead frame includes one end exposed to the first side surface,
The second lead frame includes one end exposed to the second side surface,
One of the plurality of reflective sidewalls includes a groove portion inwardly directed toward the first side surface,
The groove portion is disposed between the light emitting element and the first side surface,
The exposed portion of the front face of the first lead frame and the exposed portion of the front face of the second lead frame are located on the same plane,
A portion of the body is disposed between the exposed portion of the front side of the first lead frame and the exposed portion of the front side of the second lead frame,
A height of an upper surface of the portion of the body is higher than a height of the exposed portion of the front surface of each of the first and second lead frames,
The exposed portion of the front surface of the first lead frame includes a first region in which the light emitting element is disposed and a second region in which one end of the first wire is bonded,
The second region is a light emitting device package is an area exposed by the groove. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 제3 리드 프레임을 포함하고,
상기 제3 리드 프레임은 상기 제2 측면으로 노출되는 일단을 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
A third lead frame electrically connected to the second lead frame,
The third lead frame includes a light emitting end of which is exposed to the second side. 제1항에 있어서,
상기 몸체의 상기 일부는 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부와 평행한 평면부와 상기 평면부로부터 절곡되는 절곡부를 포함하고,
상기 평면부와 상기 절곡부는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 상기 앞면의 상기 노출된 일부보다 높게 위치하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The portion of the body includes a flat portion parallel to the exposed portion of the front surface of the first lead frame and a bend portion bent from the flat portion,
And the planar portion and the bent portion are positioned higher than the exposed portion of the front surface of each of the first and second lead frames. 제1항, 제4항, 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부에 배치되는 제너 다이오드; 및
상기 제너 다이오드와 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부를 전기적으로 연결하는 제3 와이어를 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to any one of claims 1, 4, and 5,
A zener diode disposed in the exposed portion of the front surface of the second lead frame; And
And a third wire electrically connecting the zener diode and the exposed portion of the front surface of the first lead frame. 제6항에 있어서,
상기 몸체는 상기 제1 측면에서 상기 제2 측면으로 연장되고, 서로 대응하는 제3 측면 및 제4 측면을 포함하고,
상기 제너 다이오드와 상기 제3 와이어는 상기 발광 소자와 상기 제2 와이어보다 상기 제3 측면에 더 가깝게 배치된 발광 소자 패키지.The method of claim 6,
The body extends from the first side to the second side and includes a third side and a fourth side corresponding to each other,
The zener diode and the third wire are disposed closer to the third side than the light emitting element and the second wire. 제7항에 있어서,
상기 제3 와이어가 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부에 본딩된 영역은 상기 발광 소자와 상기 제3 측면 사이에 배치된 발광 소자 패키지.The method of claim 7, wherein
And a region in which the third wire is bonded to the exposed portion of the front surface of the first lead frame is disposed between the light emitting element and the third side surface. 제8항에 있어서,
상기 제2 와이어가 상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부에 본딩된 영역은 상기 제너 다이오드와 상기 제4 측면 사이에 배치된 발광 소자 패키지.The method of claim 8,
And a region where the second wire is bonded to the exposed portion of the front surface of the second lead frame is disposed between the zener diode and the fourth side surface. 제9항에 있어서,
상기 홈부의 직경은 상기 발광 소자와 상기 제2 영역 사이의 최단 거리보다 작은 발광 소자 패키지.The method of claim 9,
The diameter of the groove portion is a light emitting device package less than the shortest distance between the light emitting device and the second region. 제10항에 있어서,
상기 홈부의 직경은 300um ~ 400um인 발광 소자 패키지.The method of claim 10,
The groove portion has a diameter of 300um ~ 400um light emitting device package. 제9항에 있어서,
상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부의 직경은 300um ~ 400um인 발광 소자 패키지.The method of claim 9,
The diameter of the exposed portion of the front surface of the second lead frame is 300um ~ 400um light emitting device package. 대응하는 앞면 및 뒷면, 및 대응하는 제1 측면과 제2 측면을 포함하는 몸체;
상기 몸체의 앞면에 형성되고, 복수의 반사 측벽과 바닥을 포함하는 캐비티;
상기 캐비티에 의해 앞면의 일부가 각각 노출되는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부에 배치되는 발광 소자;
상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부에 배치되는 제너 다이오드;
상기 발광 소자와 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부를 전기적으로 연결하는 제1 와이어;
상기 발광 소자와 상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어; 및
상기 제너 다이오드와 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부를 전기적으로 연결하는 제3 와이어를 포함하고
상기 제1 리드 프레임은 상기 제1 측면으로 노출되는 일단을 포함하며,
상기 제2 리드 프레임은 상기 제2 측면으로 노출되는 일단을 포함하고,
상기 복수의 반사 측벽 중 하나는 상기 제1 측면을 향하여 내측으로 들어간 홈부를 포함하며,
상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부와 상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부는 동일 평면 상에 위치하고,
상기 몸체는 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 사이에 배치되는 간극부를 포함하고,
상기 간극부는 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부와 평행한 상면, 및 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부 대비 경사진 경사면을 포함하고,
상기 간극부의 상기 상면의 높이는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 상기 노출된 일부의 높이보다 높고,
상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부는 상기 발광 소자가 배치되는 제1 영역 및 상기 제1 와이어의 일단이 본딩되는 제2 영역을 포함하고,
상기 제2 영역은 상기 홈부에 의해 노출되는 영역인 발광 소자 패키지.A body including corresponding front and back sides and corresponding first and second sides;
A cavity formed on the front surface of the body and including a plurality of reflective sidewalls and a bottom;
A first lead frame and a second lead frame each of which a part of the front surface is exposed by the cavity;
A light emitting element disposed on the exposed portion of the front surface of the first lead frame;
A zener diode disposed in the exposed portion of the front surface of the second lead frame;
A first wire electrically connecting the light emitting element and the exposed portion of the front surface of the first lead frame;
A second wire electrically connecting the light emitting element and the exposed portion of the front surface of the second lead frame; And
A third wire electrically connecting the zener diode and the exposed portion of the front surface of the first lead frame;
The first lead frame includes one end exposed to the first side surface,
The second lead frame includes one end exposed to the second side surface,
One of the plurality of reflective sidewalls includes a groove portion inwardly directed toward the first side surface,
The exposed portion of the front face of the first lead frame and the exposed portion of the front face of the second lead frame are located on the same plane,
The body includes a gap portion disposed between the first lead frame and the second lead frame,
The gap portion includes an upper surface parallel to the exposed portion of the front surface of the first lead frame, and an inclined surface inclined relative to the exposed portion of the front surface of the first lead frame,
The height of the upper surface of the gap portion is higher than the height of the exposed portion of each of the first and second lead frames,
The exposed portion of the front surface of the first lead frame includes a first region in which the light emitting element is disposed and a second region in which one end of the first wire is bonded,
The second region is a light emitting device package is an area exposed by the groove. 제13항에 있어서,
상기 홈부는 상기 발광 소자와 상기 제1 측면 사이에 배치된 발광 소자 패키지.The method of claim 13,
The groove is a light emitting device package disposed between the light emitting device and the first side. 제14항에 있어서,
상기 경사면은 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부와 연결되고,
상기 경사면의 높이는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 상기 앞면의 상기 노출된 일부의 높이보다 높은 발광 소자 패키지.The method of claim 14,
The inclined surface is connected to the exposed portion of the front surface of the first lead frame,
The height of the inclined surface is a light emitting device package higher than the height of the exposed portion of the front of each of the first and second lead frames. 제15항에 있어서,
상기 몸체는 상기 제1 측면에서 상기 제2 측면으로 연장되고 서로 대응하는 제3 측면 및 제4 측면을 포함하고,
상기 제너 다이오드와 상기 제3 와이어는 상기 발광 소자와 상기 제2 와이어보다 상기 제3 측면에 더 가깝게 배치된 발광 소자 패키지.The method of claim 15,
The body includes a third side and a fourth side extending from the first side to the second side and corresponding to each other;
The zener diode and the third wire are disposed closer to the third side than the light emitting element and the second wire. 제16항에 있어서,
상기 제3 와이어가 상기 제1 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부에 본딩된 영역은 상기 발광 소자와 상기 제3 측면 사이에 배치된 발광 소자 패키지.The method of claim 16,
And a region in which the third wire is bonded to the exposed portion of the front surface of the first lead frame is disposed between the light emitting element and the third side surface. 제17항에 있어서,
상기 제2 와이어가 상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부에 본딩된 영역은 상기 제너 다이오드와 상기 제4 측면 사이에 배치된 발광 소자 패키지.The method of claim 17,
And a region where the second wire is bonded to the exposed portion of the front surface of the second lead frame is disposed between the zener diode and the fourth side surface. 제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 리드 프레임의 상기 앞면의 상기 노출된 일부의 직경은 300um ~ 400um인 발광 소자 패키지.The method according to any one of claims 13 to 18,
The diameter of the exposed portion of the front surface of the second lead frame is 300um ~ 400um light emitting device package.
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