KR101983778B1 - A light emitting device package - Google Patents

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KR101983778B1 KR1020130001593A KR20130001593A KR101983778B1 KR 101983778 B1 KR101983778 B1 KR 101983778B1 KR 1020130001593 A KR1020130001593 A KR 1020130001593A KR 20130001593 A KR20130001593 A KR 20130001593A KR 101983778 B1 KR101983778 B1 KR 101983778B1
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Abstract

실시 예는 제1 및 제2 리드 프레임들, 상기 제1 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자의 주위의 제1 및 제2 리드 프레임 상에 배치되는 접착 활성부, 상기 접착 활성부 상에 배치되는 투광성 지지부, 상기 발광 소자를 포위하도록 상기 투광성 지지부 내측에 배치되며, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛의 파장을 변환하는 파장 변환층, 및 상기 파장 변환층 상에 배치되는 차광층을 포함한다.An embodiment of the present invention provides a light emitting device including first and second lead frames, a light emitting element disposed on the first lead frame, an adhesive active portion disposed on the first and second lead frames around the light emitting element, And a light-shielding layer disposed on the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layer being disposed inside the light-transmissive support to surround the light-emitting element, the wavelength conversion layer converting the wavelength of light emitted from the light-emitting element .

Description

발광 소자 패키지{A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LD) using semiconducting Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials have been developed with thin film growth technology and device materials, Green, blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or combining colors, it is possible to realize white light rays with high efficiency. Also, compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, low power consumption, It has the advantages of response speed, safety, and environmental friendliness.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.A light emitting device package is widely used for a lighting device and a display device. The light emitting device package may generally include a body, a lead frame positioned within the body, and a light emitting device (e.g., LED) located in one of the lead frames.

실시 예는 광 지향각 및 기밀성을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving a light directing angle and airtightness.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 제1 및 제2 리드 프레임들, 상기 제1 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자의 주위의 제1 및 제2 리드 프레임 상에 배치되는 접착 활성부, 상기 접착 활성부 상에 배치되는 투광성 지지부, 상기 발광 소자를 포위하도록 상기 투광성 지지부 내측에 배치되며, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛의 파장을 변환하는 파장 변환층, 및 상기 파장 변환층 상에 배치되는 차광층을 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes first and second lead frames, a light emitting element disposed on the first lead frame, an adhesive active portion disposed on the first and second lead frames around the light emitting element, A light-transmissive support portion disposed on the adhesive active portion, a wavelength conversion layer disposed inside the light-transmissive support portion to surround the light-emitting element, the wavelength conversion layer converting the wavelength of light emitted from the light-emitting element, Shielding layer.

상기 접착 활성부는 반사 물질의 몰딩 부재이고, 상기 투광성 지지부는 투광성 몰딩 부재일 수 있다.The adhesive active portion may be a molding member of a reflective material, and the light transmitting supporting portion may be a light transmitting molding member.

상기 접착 활성부는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), 및 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같은 수지로 이루어지고, 상기 투광성 지지부는 실리콘으로 이루어질 수 있다.The adhesive active part may be made of resin such as polyphthalamide (PPA) and epoxy molding compound (EMC), and the light transmitting supporting part may be made of silicon.

상기 접착 활성부는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들의 상부면을 기준으로 기울어진 경사면을 가질 수 있다.The adhesive active portion may have an inclined surface inclined with respect to the upper surface of the first and second lead frames.

상기 투광성 지지부는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들의 상부면을 기준으로 기울어진 내측면 가질 수 있다.The light-transmissive support portion may have an inclined inner surface with respect to an upper surface of the first and second lead frames.

상기 투광성 지지부는 상부면과 단차를 갖는 테두리부를 가질 수 있다.The light-transmissive support portion may have a rim portion having a step with the upper surface.

상기 차광층의 가장 자리는 상기 테두리부 상에 배치될 수 있다.The edge of the light shielding layer may be disposed on the rim portion.

상기 차광층의 가장 자리는 상기 투광성 지지부의 상부면 상에 배치될 수 있다.The edge of the light-shielding layer may be disposed on the upper surface of the light-transmitting support portion.

상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각은 상부면에 적어도 하나의 홈을 가지며, 상기 접착 활성부의 하면은 상기 적어도 하나의 홈에 삽입되는 적어도 하나의 돌출부를 가질 수 있다.Each of the first and second lead frames has at least one groove on the upper surface and the lower surface of the adhesive active portion may have at least one protrusion inserted into the at least one groove.

상기 투광성 지지부의 상부면은 상기 차광층으로부터 노출될 수 있다.The upper surface of the light-transmitting supporting portion may be exposed from the light-shielding layer.

상기 접착 활성부는 상기 발광 소자의 주위의 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 상에 배치되는 측벽부; 및 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임을 전기적으로 분리하도록 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 사이에 배치되는 바닥부를 포함할 수 있다.The adhesive active portion may include a side wall portion disposed on the first and second lead frames around the light emitting element; And a bottom portion disposed between the first lead frame and the second lead frame to electrically separate the first lead frame and the second lead frame.

실시 예는 광 지향각 및 기밀성을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve the light directing angle and the airtightness.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 3에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 변형 예의 단면도를 나타낸다
도 6은 도 3에 도시된 발광 소자 패키지의 지향각을 나타낸다.
도 7은 도 5에 도시된 발광 소자 패키지의 지향각을 나타낸다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 10은 도 8에 도시된 발광 소자 패키지의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 11은 도 9에 도시된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임을 나타낸다.
도 12는 도 9에 도시된 측벽부를 나타낸다.
도 13은 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다
도 14는 도 1에 도시된 발광 소자의 다른 실시 예를 나타낸다
도 15는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 16은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of the light emitting device package shown in Fig.
3 is a sectional view of the light emitting device package shown in Fig. 2 in the AB direction.
4 is a cross-sectional view of the light emitting device package shown in Fig. 2 in the CD direction.
5 shows a cross-sectional view of a modification of the light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 3
6 shows the orientation angle of the light emitting device package shown in Fig.
7 shows the directivity angle of the light emitting device package shown in Fig.
8 is a plan view of a light emitting device package according to another embodiment.
9 is a sectional view of the light emitting device package in the AB direction shown in Fig.
10 shows a cross-sectional view in the CD direction of the light emitting device package shown in Fig.
11 shows the first lead frame and the second lead frame shown in Fig.
12 shows the side wall portion shown in Fig.
13 shows one embodiment of the light emitting device shown in Fig. 1
14 shows another embodiment of the light emitting device shown in Fig. 1
15 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
16 shows a display device including the light emitting device package according to the embodiment.
17 shows a head lamp including the light emitting device package according to the embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on " and " under " include both " directly " or " indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-1)를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 평면도를 나타내고, 도 3은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 4는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 CD 방향의 단면도를 나타낸다. 여기서 AB 방향은 발광 소자 패키지의 단방향일 수 있고, CD 방향은 발광 소자 패키지의 장방향일 수 있다.2 is a plan view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. Sectional view of the light emitting device package 100-1 in the AB direction and FIG. 4 is a sectional view in the CD direction of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. Here, the AB direction may be the unidirectional direction of the light emitting device package, and the CD direction may be the long direction of the light emitting device package.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지(100-1)는 접착 활성부(10), 발광 소자(20), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 제1 와이어(28), 제2 와이어(29), 투광성 지지부(40), 파장 변환부(50), 및 차광부(60)를 포함한다. 1 to 4, a light emitting device package 100-1 includes a bonding active part 10, a light emitting device 20, a first lead frame 31, a second lead frame 32, A first wire 28, a second wire 29, a translucent support portion 40, a wavelength conversion portion 50, and a light shielding portion 60.

제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 배치될 수 있다. 제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.The first lead frame 31 and the second lead frame 32 may be spaced apart from each other to be electrically separated from each other. The first lead frame 31 and the second lead frame 32 may be formed of a conductive material such as a metal such as Ti, Cu, Ni, Au, Cr, And may be formed of one of tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an alloy thereof and may be a single layer or a multilayer structure.

발광 소자(20)는 제1 리드 프레임(31) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 발광 소자(20)는 제1 리드 프레임(31)의 상부면 상에 본딩(bonding)될 수 있다. 다른 실시 예에서는 내전압 향상을 위해 제2 리드 프레임(32) 상에 배치되는 제너 다이오드(zener diode, 미도시)를 더 포함할 수 있다.The light emitting element 20 may be disposed on the first lead frame 31. [ For example, the light emitting device 20 may be bonded on the upper surface of the first lead frame 31. In another embodiment, a zener diode (not shown) may be further disposed on the second lead frame 32 to improve the withstand voltage.

도 13은 도 1에 도시된 발광 소자(20)의 일 실시 예(300-1)를 나타낸다. 도 13을 참조하면, 발광 소자(300-1)는 기판(310), 발광 구조물(320), 전도층(330), 제1 전극(342), 및 제2 전극(344)을 포함한다.Fig. 13 shows an embodiment 300-1 of the light emitting device 20 shown in Fig. Referring to FIG. 13, the light emitting device 300-1 includes a substrate 310, a light emitting structure 320, a conductive layer 330, a first electrode 342, and a second electrode 344.

기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(310)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어 기판(310)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에는 요철 패턴이 형성될 수 있다.The substrate 310 may be formed of a carrier wafer, a material suitable for semiconductor material growth. Further, the substrate 310 may be formed of a material having high thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 310 may be a material comprising at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 O 3 , GaAs. An irregular pattern may be formed on the upper surface of the substrate 310.

또한 기판(310) 위에는 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체를 이용한 층 또는 패턴, 예컨대, ZnO층(미도시), 버퍼층(미도시), 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 한 층이 형성될 수 있다. 버퍼층 또는 언도프드 반도체층은 3족-5족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층은 기판과의 격자 상수의 차이를 줄여주게 되며, 언도프드 반도체층은 도핑하지 않는 GaN계 반도체로 형성될 수 있다.On the substrate 310, a layer or a pattern using a compound semiconductor of Group 2 or Group 6 elements such as a ZnO layer (not shown), a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) . The buffer layer or the undoped semiconductor layer may be formed using a compound semiconductor of a group III-V element, and the buffer layer may reduce the difference in lattice constant with respect to the substrate. The undoped semiconductor layer may be a GaN- .

발광 구조물(320)은 빛을 발생하는 반도체층일 수 있으며, 제1 반도체층(322), 활성층(324), 및 제2 반도체층(326)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 320 may be a semiconductor layer that generates light and may include a first semiconductor layer 322, an active layer 324, and a second semiconductor layer 326.

제1 반도체층(322)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(322)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 322 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V, a group II-VI, or the like, and may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first semiconductor layer 322 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? Type dopants (e.g., Si, Ge, Sn, etc.) may be doped.

활성층(324)은 제1 반도체층(322) 및 제2 반도체층(326)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.The active layer 324 can generate light by energy generated in the recombination process of electrons and holes provided from the first semiconductor layer 322 and the second semiconductor layer 326 .

활성층(324)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(324)이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.The active layer 324 may be a compound semiconductor of a semiconductor compound, such as a Group 3-V-5 or a Group 2-VI-6 compound semiconductor, and may be a single well structure, a multi-well structure, a quantum- Dot) structure or the like. When the active layer 324 is a quantum well structure, a well layer having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) And a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1-ab N (0? A? 1, 0? B? 1, 0? A + b? 1). The well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.

제2 반도체층(326)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(326)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 326 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V element, a group II-VI element, or the like, and the second conductivity type dopant may be doped. For example, the second semiconductor layer 326 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? Type dopant (e.g., Mg, Zn, Ca, Sr, Ba) can be doped.

발광 구조물(320)는 제2 반도체층(326), 활성층(324) 및 제1 반도체층(322)의 일부가 제거되어 제1 반도체층(322)의 일부를 노출할 수 있다.The light emitting structure 320 may expose a part of the first semiconductor layer 322 by removing a portion of the second semiconductor layer 326, the active layer 324 and the first semiconductor layer 322.

전도층(330)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라, 투광성이 좋기 때문에 활성층(324)으로부터 제2 반도체층(326)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.The conductive layer 330 not only reduces the total reflection but also increases the extraction efficiency of the light emitted from the active layer 324 to the second semiconductor layer 326 because of its good light transmittance.

전도층(330)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The conductive layer 330 may include a transparent conductive oxide such as ITO (indium tin oxide), TO (tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ITZO (indium tin zinc oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide) Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni, / Au, or Ni / IrOx / Au / ITO.

제1 전극(342)은 노출되는 제1 반도체층(322) 상에 배치되며, 제2 전극(344)은 전도층(330) 상에 배치된다.The first electrode 342 is disposed on the exposed first semiconductor layer 322 and the second electrode 344 is disposed on the conductive layer 330.

도 14는 도 1에 도시된 발광 소자(20)의 다른 실시 예(300-2)를 나타낸다.Fig. 14 shows another embodiment 300-2 of the light emitting device 20 shown in Fig.

도 14를 참조하면, 발광 소자(300-2)는 제2 전극부(405), 보호층(440), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 445), 발광 구조물(450), 패시베이션층(465), 및 제1 전극부(470)를 포함한다.14, the light emitting device 300-2 includes a second electrode unit 405, a passivation layer 440, a current blocking layer 445, a light emitting structure 450, a passivation layer 465, And a first electrode unit 470.

제2 전극부(405)는 제1 전극부(470)와 함께 발광 구조물(450)에 전원을 제공한다. 제2 전극부(405)는 지지층(support, 410), 접합층(bonding layer, 415), 배리어층(barrier layer, 420), 반사층(reflective layer, 425), 및 오믹층(ohmic layer, 430)을 포함할 수 있다.The second electrode unit 405 supplies power to the light emitting structure 450 together with the first electrode unit 470. The second electrode unit 405 includes a support 410, a bonding layer 415, a barrier layer 420, a reflective layer 425, and an ohmic layer 430, . ≪ / RTI >

지지층(410)는 발광 구조물(450)을 지지한다. 지지층(210)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(410)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(410)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.The support layer 410 supports the light emitting structure 450. The support layer 210 may be formed of a metal or a semiconductor material. The support layer 410 may also be formed of a material having high electrical conductivity and high thermal conductivity. For example, the support layer 410 may be formed of a metal including at least one of copper (Cu), a copper alloy, gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper- Material, or a semiconductor including at least one of Si, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

접합층(415)은 지지층(410)와 배리어층(420) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(410)과 배리어층(420)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(415)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(415)은 지지층(410)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(410)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(215)은 생략될 수 있다.The bonding layer 415 may be disposed between the supporting layer 410 and the barrier layer 420 and may serve as a bonding layer for bonding the supporting layer 410 to the barrier layer 420. The bonding layer 415 may include at least one of a metal material, for example, In, Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au and Cu. The bonding layer 415 is formed to bond the supporting layer 410 by bonding. Therefore, when the supporting layer 410 is formed by plating or vapor deposition, the bonding layer 215 may be omitted.

배리어층(420)은 반사층(425), 오믹층(430), 및 보호층(440)의 아래에 배치되며, 접합층(415) 및 지지층(410)의 금속 이온이 반사층(425), 및 오믹층(430)을 통과하여 발광 구조물(450)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(420)은 Ni, Pt, Ti,W,V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The barrier layer 420 is disposed under the reflective layer 425, the ohmic layer 430 and the protective layer 440 and the metal ions of the bonding layer 415 and the support layer 410 are disposed on the reflective layer 425, The light can be prevented from diffusing to the light emitting structure 450 through the first and second light emitting layers 430 and 430. For example, the barrier layer 420 may include at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, and Mo, and may be a single layer or a multilayer.

반사층(425)은 배리어층(420) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(450)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(425)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The reflective layer 425 may be disposed on the barrier layer 420 and may reflect light incident from the light emitting structure 450 to improve light extraction efficiency. The reflective layer 425 may be formed of a metal or an alloy containing at least one of a reflective material such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf.

반사층(425)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.The reflective layer 425 may be formed of a multilayer of a metal or an alloy and a light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. For example, IZO / Ni, AZO / / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like.

오믹층(430)은 반사층(425)과 제2 반도체층(452) 사이에 배치될 수 있으며,제2 반도체층(452)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(450)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다.The ohmic layer 430 may be disposed between the reflective layer 425 and the second semiconductor layer 452 and may be ohmic contacted with the second semiconductor layer 452 to smoothly supply power to the light emitting structure 450. [ .

투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(430)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(430)은 제2 반도체층(452)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ohmic layer 430 can be formed by selectively using the light-transmitting conductive layer and the metal. For example, the ohmic layer 430 may include at least one of a metal material that makes an ohmic contact with the second semiconductor layer 452, for example, Ag, Ni, Cr, Ti, Pd, Ir, Sn, Ru, Pt, Au, can do.

보호층(440)은 제2 전극층(405)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(440)은 오믹층(430)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(425)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(420)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(410)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.The protective layer 440 may be disposed on the edge region of the second electrode layer 405. For example, the protective layer 440 may be disposed on the edge region of the ohmic layer 430, or the edge region of the reflective layer 425, or the edge region of the barrier layer 420, .

보호층(440)은 발광 구조물(450)과 제2 전극층(405) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(300-2)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(440)은 전기 절연성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The protective layer 440 can prevent the interface between the light emitting structure 450 and the second electrode layer 405 from being peeled off so that the reliability of the light emitting device 300-2 is lowered. The protective layer 440 is an electrically insulating material, e.g., ZnO, SiO 2, Si 3 N 4, TiOx (x is a positive real number), or Al 2 O 3 Or the like.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 발광 구조물(450) 사이에 배치될 수 있다. 전류 차단층(445)의 상면은 제2 반도체층(452)과 접촉하고, 전류 차단층(445)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(430)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(445)은 수직 방향으로 제1 전극부(470)와 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.The current blocking layer 445 may be disposed between the ohmic layer 430 and the light emitting structure 450. The upper surface of the current blocking layer 445 is in contact with the second semiconductor layer 452 and the lower surface or the lower surface and the side surface of the current blocking layer 445 can be in contact with the ohmic layer 430. The current blocking layer 445 may be arranged so that at least a part of the current blocking layer 445 overlaps with the first electrode portion 470 in the vertical direction.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 제2 반도체층(452) 사이에 형성되거나, 반사층(425)과 오믹층(430) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The current blocking layer 445 may be formed between the ohmic layer 430 and the second semiconductor layer 452 or may be formed between the reflective layer 425 and the ohmic layer 430. However,

발광 구조물(450)은 오믹층(430) 및 보호층(440) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(450)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다.The light emitting structure 450 may be disposed on the ohmic layer 430 and the protective layer 440. The side surface of the light emitting structure 450 may be an inclined surface in an isolation etching process that is divided into unit chips.

발광 구조물(450)은 제2 반도체층(452), 활성층(454), 및 제1 반도체층(456)을 포함할 수 있으며, 도 13에서 설명한 바와 동일할 수 있으며, 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다.The light emitting structure 450 may include a second semiconductor layer 452, an active layer 454, and a first semiconductor layer 456, which may be the same as those described with reference to FIG. 13, do.

패시베이션층(465)은 발광 구조물(450)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(450)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 제1 반도체층(456)의 상면 일부 또는 보호층(440)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.The passivation layer 465 may be disposed on the side of the light emitting structure 450 to electrically protect the light emitting structure 450. The passivation layer 465 may be disposed on the top surface of the first semiconductor layer 456 or on the top surface of the protective layer 440. The passivation layer 465 is an insulating material, e.g., SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 .

제1 전극부(470)는 제1 반도체층(456) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(470)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 반도체층(456)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(470)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The first electrode portion 470 may be disposed on the first semiconductor layer 456. The first electrode part 470 may have a predetermined pattern shape. A roughness pattern (not shown) may be formed on the upper surface of the first semiconductor layer 456 to increase light extraction efficiency. A roughness pattern (not shown) may also be formed on the top surface of the first electrode 470 to increase the light extraction efficiency.

발광 소자(20)는 와이어들(28, 29)를 통하여 제1 및 제2 리드 프레임들(31, 32)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting element 20 can be electrically connected to the first and second lead frames 31 and 32 through the wires 28 and 29. [

예컨대, 발광 소자(20)가 도 13에 도시된 수평형 발광 소자일 경우에는, 제1 와이어(28)에 의하여 발광 소자(20)의 제1 전극(342)과 제1 리드 프레임(31)이 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 와이어(29)에 의하여 발광 소자(20)의 제2 전극(344)과 제2 리드 프레임(32)이 전기적으로 연결될 수 있다.13, the first electrode 342 of the light emitting element 20 and the first lead frame 31 of the light emitting element 20 are electrically connected to each other by the first wire 28, And the second electrode 344 of the light emitting device 20 and the second lead frame 32 can be electrically connected by the second wire 29. [

예컨대, 발광 소자(20)가 도 14에 도시된 수직형 발광 소자일 경우에는, 도 2에 도시된 제1 와이어(28)는 제거될 수 있고, 제2 와이어(29)에 의하여 발광 소자(20)의 제1 전극부(470)와 제2 리드 프레임(32)이 전기적으로 연결될 수 있고, 발광 소자(20)의 제2 전극부(405)는 제1 리드 프레임(31)의 상부면에 본딩될 수 있다. For example, when the light emitting element 20 is the vertical light emitting element shown in FIG. 14, the first wire 28 shown in FIG. 2 can be removed, And the second electrode portion 405 of the light emitting device 20 may be electrically connected to the upper surface of the first lead frame 31. In this case, the first electrode portion 470 of the first lead frame 31 may be electrically connected to the second lead frame 32, .

접착 활성부(10)는 발광 소자(20)의 주위의 제1 및 제2 리드 프레임(31,32) 상에 배치되고, 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32) 사이에 배치될 수 있다.The adhesive active portion 10 is disposed on the first and second lead frames 31 and 32 around the light emitting element 20 and disposed between the first lead frame 31 and the second lead frame 32 .

접착 활성부(10)는 발광 소자(20)의 주위의 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 상에 배치되는 측벽부(12), 및 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)을 전기적으로 분리하도록 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32) 사이에 배치되는 바닥부(14)를 포함할 수 있다.The bonding active portion 10 includes a side wall portion 12 disposed on the first and second lead frames 31 and 32 around the light emitting element 20 and a first lead frame 31, And a bottom portion 14 disposed between the first lead frame 31 and the second lead frame 32 to electrically isolate the frame 32. As shown in FIG.

접착 활성부(10)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31, 32)과 접착력이 강한 절연성의 몰딩 부재일 수 있으며, 빛을 반사하는 반사 부재일 수 있다.The bonding active part 10 may be an insulating molding member having strong adhesive force with the first and second lead frames 31 and 32 and may be a reflective member reflecting light.

예컨대, 접착 활성부(10)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), 및 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. For example, the adhesive active portion 10 may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA) and epoxy molding compound (EMC).

다른 실시 예에서 접착 활성부(10)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31, 32)과 접착력이 강한 투광성의 몰딩 부재일 수 있다.In another embodiment, the adhesive active portion 10 may be a light-transmissive molding member having a strong adhesive force with the first and second lead frames 31 and 32.

측벽부(12)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31, 32)을 기준으로 기설정된 각도로 기울어진 경사면을 가질 수 있다. 측벽부(12)의 경사면의 기울어진 각도(θ)는 10° ~ 30°일 수 있다. 측벽부(12)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31, 32)과 접착력이 강한 절연성의 몰딩 부재이기 때문에, 투광성 지지부(40)와 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있으며, 이로 인하여 발광 소자 패키지(100-1)의 기밀성을 향상시킬 수 있다.The side wall portion 12 may have an inclined surface inclined at a predetermined angle with respect to the first and second lead frames 31 and 32. The inclined angle? Of the inclined surface of the side wall portion 12 may be 10 ° to 30 °. Since the side wall part 12 is an insulating molding member having a strong adhesive force with the first and second lead frames 31 and 32, the side wall part 12 is provided between the light-transmitting supporting part 40 and the first and second lead frames 31 and 32 The sealing performance of the light emitting device package 100-1 can be improved.

측벽부(12)의 폭(W1)은 투광성 지지부(40)를 지지하기 위하여 투광성 지지부(40)의 폭보다 크거나 같을 수 있다. 따라서 측벽부(12)의 폭이 너무 작으면, 투광성 지지부(40)를 지지할 수 없고, 폭이 너무 크면, 발광 소자(20)를 실장할 공간이 줄어줄게 되고, 발광 소자(20)와의 거리가 가까워져서 열에 의한 변형이 발생할 수 있다. 예컨대, 측벽부(12)의 폭(W1)은 0.35mm ~ 0.45mm일 수 있다. The width W1 of the side wall portion 12 may be greater than or equal to the width of the light transmitting support portion 40 to support the light transmitting support portion 40. [ Therefore, if the width of the side wall portion 12 is too small, the light-transmitting supporting portion 40 can not be supported. If the width is too large, the space for mounting the light emitting element 20 is reduced, May be deformed due to heat. For example, the width W1 of the side wall portion 12 may be 0.35 mm to 0.45 mm.

측벽부(12)의 높이(H1)는 발광 소자(20)의 높이보다 낮거나, 동일할 수 있다. 측벽부(12)의 높이(H1)를 발광 소자(20)보다 낮게 함으로써 지향각을 향상시킬 수 있다. 예컨대, 측벽부(12)의 높이(H1)는 0.1mm ~ 0.2mm일 수 있다.The height H1 of the side wall portion 12 may be lower than or equal to the height of the light emitting element 20. [ By making the height H1 of the side wall portion 12 lower than that of the light emitting element 20, the directing angle can be improved. For example, the height H1 of the side wall portion 12 may be 0.1 mm to 0.2 mm.

발광 소자(20)로부터 조사되는 빛은 측벽부(12)의 경사면에 의하여 상부 방향으로 반사될 수 있기 때문에, 측벽부(12)는 발광 소자(20)로부터 조사되는 빛이 하부 측방향으로 빠져나가는 빛을 방지하여 광량의 손실을 방지할 수 있다.The light emitted from the light emitting element 20 can be reflected upward by the inclined surface of the side wall part 12 and therefore the side wall part 12 can prevent the light emitted from the light emitting element 20 from escaping in the downward direction It is possible to prevent the loss of light quantity by preventing light.

투광성 지지부(40)는 발광 소자(20)의 주위의 제1 및 제2 리드 프레임(31,32) 상에 배치된 접착 활성부(10) 상에 배치된다. 투광성 지지부(40)는 측벽부(12) 상에 배치될 수 있으며, 차광층(60)을 지지할 수 있다.The light-transmissive support portion 40 is disposed on the adhesive active portion 10 disposed on the first and second lead frames 31 and 32 around the light emitting element 20. The light-transmissive support portion 40 may be disposed on the side wall portion 12 and may support the light-shielding layer 60.

투광성 지지부(40)는 금형으로 성형 가능한 투광성 몰딩 부재, 예컨대, 투광성 실리콘으로 형성될 수 있다. 측벽부(12) 상에 실리콘을 몰딩(molding)하여 투광성 지지부(40)를 형성하거나, 투광성 실리콘을 측벽부(12)에 부착하여 투광성 지지부(40)를 형성할 수 있다.The light-transmissive support portion 40 may be formed of a light-transmissive molding member that can be formed into a metal, for example, light-transmissive silicon. The translucent support 40 may be formed by molding silicone on the side wall 12 or by attaching the translucent silicone to the side wall 12 to form the translucent support 40. [

실리콘 몰딩으로 형성되는 투광성 지지부(40)와 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이의 접착력 또는 결합력은 약하기 때문에, 투광성 지지부(40)를 제1 및 제2 리드 프레임들(31, 32) 상에 바로 형성할 경우 투광성 지지부(40)가 제1 및 제2 리드 프레임들(31, 32)로부터 쉽게 떨어질 수 있다.Since the adhesive force or bonding force between the light-transmissive support portion 40 formed by silicon molding and the first and second lead frames 31 and 32 is weak, the light-transmissive support portion 40 may be formed between the first and second lead frames 31, 32, the light-transmissive support portion 40 can be easily detached from the first and second lead frames 31, 32.

실시 예는 투광성 지지부(40)와 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이에 측벽부(12)을 배치시킴으로써, 투광성 지지부(40)와 제1 및 제2 리드 프레임들(31, 32) 사이의 접착력 또는 결합력을 향상시킬 수 있으며, 이로 인하여 기밀성을 향상시킬 수 있다. 이는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), 및 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같은 수지 재질이 실리콘보다 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)과의 접착력이 강하기 때문이다. The embodiment is characterized in that the side wall portion 12 is disposed between the light transmissive support portion 40 and the first and second lead frames 31 and 32 so that the light transmissive support portion 40 and the first and second lead frames 31, 32 or the bonding force between them can be improved, whereby the airtightness can be improved. This is because resin materials such as polyphthalamide (PPA) and epoxy molding compound (EMC) are more adhesive than silicon to the first and second lead frames 31 and 32.

투광성 지지부(40)의 단방향의 폭(W3)과 장방향의 폭(W4)은 서로 다를 수 있다. 예컨대, 단방향의 폭(W3)이 장방향의 폭(W4)보다 좁을 수 있다(W3<W4).The unidirectional width W3 of the translucent support portion 40 and the width W4 of the longitudinal direction may be different from each other. For example, the unidirectional width W3 may be narrower than the longitudinal width W4 (W3 < W4).

투광성 지지부(40)의 단방향의 폭(W3)은 측벽부(12)의 폭(W1)보다 작을 수 있고, 투광성 지지부(40)의 장방향의 폭(W4)은 측벽부(12)의 폭(W1)과 동일할 수 있다. 투광성 지지부(40)의 높이(H2)는 0.5mm ~ 0.6mm일 수 있다.The unidirectional width W3 of the translucent support portion 40 may be smaller than the width W1 of the side wall portion 12 and the width W4 of the translucent support portion 40 in the longitudinal direction may be smaller than the width W1 of the side wall portion 12 W1). The height H2 of the light-transmitting supporting portion 40 may be 0.5 mm to 0.6 mm.

투광성 지지부(40)는 상단에 상부면(101)과 단차(G1)를 갖는 테두리부(103)를 가질 수 있다. 테두리부(103)는 상부면(101)과 평행할 수 있으며, 차광층(60)의 가장 자리를 지지할 수 있도록 기설정된 폭(W2)을 가질 수 있다. 투광성 지지부(40)의 상부면(101)과 테두리부(103) 사이의 단차(G1)는 0.1mm ~ 2.0mm일 수 있고, 테두리부(103)의 폭(W2)은 0.15mm ~ 0.35mm일 수 있다. 테두리부(103)는 차광층(60)을 지지하는 역할을 할 수 있으며, 침투 경로를 길게 함으로써 가스(gas)가 외부로부터 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 하여 발광 소자 패키지(100-1)의 기밀성을 향상시킬 수 있다.The light-transmissive support portion 40 may have a frame portion 103 having an upper surface 101 and a step G1 at the upper end. The rim portion 103 may be parallel to the top surface 101 and may have a predetermined width W2 to support the edge of the light shielding layer 60. [ The step G1 between the upper surface 101 and the edge portion 103 of the light transmitting supporting portion 40 may be 0.1 mm to 2.0 mm and the width W2 of the rim portion 103 may be 0.15 mm to 0.35 mm . The edge portion 103 can serve to support the light shielding layer 60 and can prevent the gas from penetrating from the outside to the inside by lengthening the penetration path so that the light emitting device package 100-1, It is possible to improve the airtightness.

파장 변환층(50)은 발광 소자(20) 및 와이어(28,29)를 포위하고, 밀봉하도록 투광성 지지부(40) 내측에 배치될 수 있으며, 발광 소자(20)로부터 조사되는 빛의 파장을 변환할 수 있다. 파장 변환층(50)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 및 형광체를 포함하는 혼합물일 수 있다. 이때 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 파장 변환층(50)은 투광성 지지부(40)의 내측면과 접할 수 있다.The wavelength conversion layer 50 may be disposed inside the light transmissive support portion 40 to encapsulate and encapsulate the light emitting element 20 and the wires 28 and 29 to change the wavelength of light emitted from the light emitting element 20 can do. The wavelength conversion layer 50 may be a mixture including a colorless transparent polymer resin such as epoxy or silicon and a phosphor. In this case, the phosphor may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, and a yellow phosphor. The wavelength conversion layer 50 can be in contact with the inner surface of the light-transmitting support portion 40.

차광층(60)은 파장 변환층(50) 상에 배치되며, 발광 소자(20)로부터 조사되는 빛이 파장 변환층(50)의 상부로 출사되는 것을 차단한다. The light shielding layer 60 is disposed on the wavelength conversion layer 50 and blocks light emitted from the light emitting device 20 from being emitted to the upper portion of the wavelength conversion layer 50.

차광층(60)은 파장 변환층(50)의 상부면과 접할 수 있고, 차광층(60)의 가장 자리는 투광성 지지부(40)의 상단에 접할 수 있고, 테두리부(103)는 차광층(60)의 가장 자리를 지지할 수 있다. 차광층(60)의 두께는 투광성 지지부(40)의 상부면(101)과 테두리부(103) 사이의 단차(G1)와 동일할 수 있고, 차광층(60)의 상부면은 평평할 수 있다. 차광층(60)의 두께는 0.15mm ~ 0.35mm일 수 있다.The light shielding layer 60 can be in contact with the upper surface of the wavelength conversion layer 50 and the edge of the light shielding layer 60 can be in contact with the upper end of the light transmitting support portion 40. The edge portion 103 can be in contact with the light shielding layer 60, respectively. The thickness of the light shielding layer 60 may be equal to the step G1 between the upper surface 101 and the frame portion 103 of the light transmitting support portion 40 and the upper surface of the light shielding layer 60 may be flat . The thickness of the light shielding layer 60 may be 0.15 mm to 0.35 mm.

투광성 지지부(40)의 상부면(101) 상에는 차광층(101)이 존재하지 않을 수 있다. 차광층(160)은 차광 물질, 예컨대, TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3, 및 Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The light-shielding layer 101 may not be present on the upper surface 101 of the light- The light shielding layer 160 may include any one or more materials selected from a light shielding material such as TiO 2 , CaCO 3 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , and Al.

투광성 지지부(40)의 상부면(101)은 차광층(60)의 상부면과 평행하고, 동일 평면상에 위치할 수 있다.The upper surface 101 of the light-transmissive support portion 40 is parallel to the upper surface of the light-shielding layer 60 and can be located on the same plane.

투과성 지지부(40)는 발광 소자(20)로부터 조사되는 빛을 투과시키고, 차광층(160)은 발광 소자(20)로부터 조사되는 빛을 파장 변환층(50)의 상부로 투과시키지 않기 때문에, 실시 예는 빛의 지향각을 향상시킬 수 있다.The transmissive support 40 transmits the light emitted from the light emitting element 20 and the light shielding layer 160 does not transmit the light emitted from the light emitting element 20 to the upper portion of the wavelength conversion layer 50, Examples can improve the direction of light.

또한 투광성 지지부(40)와 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이에 접착 활성부(10)가 개재됨으로써, 실시 예는 투광성 지지부(40)와 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. In addition, since the bonding active portion 10 is interposed between the light-transmissive supporting portion 40 and the first and second lead frames 31 and 32, the embodiment can be realized by using the light-transmitting supporting portion 40 and the first and second lead frames 31 and 32 can be improved.

도 5는 도 3에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-2)의 변형 예의 단면도를 나타낸다. 도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나, 간략하게 설명한다.5 is a cross-sectional view of a modification of the light emitting device package 100-2 according to the embodiment shown in FIG. The same reference numerals as in FIG. 3 denote the same components, and the same components are not described or briefly described.

도 5를 참조하면, 도 3에 도시된 투광성 지지부(40)와 달리, 투광성 지지부(40-1)는 상단에 테두리부가 형성되지 않으며, 차광층(60-1)은 파장 변환층(50) 및 투광성 지지부(40)의 상부면 상에 배치될 수 있고, 투광성 지지부(40)의 상부면은 차광층(60-1)으로부터 노출되지 않을 수 있다.5, the light-transmitting support portion 40-1 is not provided with a rim portion at its upper end, and the light-shielding layer 60-1 includes the wavelength conversion layer 50 and the light- The upper surface of the light-transmitting support portion 40 may not be exposed from the light-shielding layer 60-1.

차광층(60-1)이 투광성 지지부(40-1)의 상부면을 덮기 때문에, 도 5에 도시된 실시 예(100-2)는 도 3에 도시된 실시 예(100-1)보다 지향각이 향상될 수 있다.Since the light-shielding layer 60-1 covers the upper surface of the light-transmissive support portion 40-1, the embodiment 100-2 shown in Fig. 5 differs from the embodiment 100-1 shown in Fig. Can be improved.

도 6은 도 3에 도시된 발광 소자 패키지(100-1)의 지향각을 나타내고, 도 7은 도 5에 도시된 발광 소자 패키지(100-2)의 지향각을 나타낸다. REF는 렌즈(lens) 형상의 차광층을 갖는 발광 소자 패키지의 지향각을 나타낸다.FIG. 6 shows the directivity angle of the light emitting device package 100-1 shown in FIG. 3, and FIG. 7 shows the directivity angle of the light emitting device package 100-2 shown in FIG. REF denotes a directivity angle of the light emitting device package having a lens-shaped light shielding layer.

410S은 발광 소자 패키지(100-1)의 단방향의 지향각을 나타내고, 410L은 발광 소자 패키지(100-1)의 장방향의 지향각을 나타내고, 420S은 발광 소자 패키지(100-2)의 단방향의 지향각을 나타내고, 420L은 발광 소자 패키지(100-2)의 장 방향의 지향각을 나타낸다. 여기서 단방향은 도 2에 도시된 방향(201)일 수 있고, 장방향은 도 2에 도시된 제2 방향(202)일 수 있다.410S denotes a unidirectional directivity angle of the light emitting device package 100-1, 410L denotes a directivity angle in the longitudinal direction of the light emitting device package 100-1, and 420S denotes a directivity direction of the light emitting device package 100-1 And 420L represents the directivity angle of the light emitting device package 100-2 in the longitudinal direction. Here, the unidirectional direction may be the direction 201 shown in Fig. 2, and the longitudinal direction may be the second direction 202 shown in Fig.

도 6 및 도 7을 참조하면, 렌즈 형상의 차광층을 갖는 발광 소자 패키지보다 편평한 형태의 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-1, 100-2)가 지향각이 넓은 것을 알 수 있다. 또한 차광층(60-1)이 투광성 지지부(40-1)의 상부면을 덮기 때문에, 발광 소자 패키지(100-2)가 발광 소자 패키지(100-1)보다 지향각이 더 넓은 것을 알 수 있다.6 and 7, it can be seen that the light emitting device packages 100-1 and 100-2 according to the embodiment having a flat shape are wider than the light emitting device package having the lens-shaped light shielding layer. It can also be seen that the light emitting device package 100-2 has a wider steering angle than the light emitting device package 100-1 because the light shielding layer 60-1 covers the upper surface of the light transmitting supporting portion 40-1 .

도 8은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-3)의 평면도를 나타내고, 도 9는 도 8에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 10은 도 8에 도시된 발광 소자 패키지(100-3)의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.8 is a plan view of a light emitting device package 100-3 according to another embodiment, FIG. 9 is a sectional view in the AB direction of the light emitting device package 100-3 shown in FIG. 8, Sectional view of the light emitting device package 100-3 in the CD direction.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 발광 소자 패키지(100-3)는 접착 활성부(510), 발광 소자(520), 제1 리드 프레임(531), 제2 리드 프레임(532), 투광성 지지부(540), 파장 변환부(550), 및 차광부(560)를 포함한다. 8 to 10, the light emitting device package 100-3 includes an adhesive active part 510, a light emitting device 520, a first lead frame 531, a second lead frame 532, 540, a wavelength converting unit 550, and a light shielding unit 560.

제1 리드 프레임(531)과 제2 리드 프레임(532)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 배치될 수 있다.The first lead frame 531 and the second lead frame 532 may be spaced apart from each other to be electrically separated from each other.

발광 소자(520)는 제1 리드 프레임(531) 및 제2 리드 프레임(532) 상에 배치되며, 제1 리드 프레임(531) 및 제2 리드 프레임(532)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 발광 소자(520)는 제1 리드 프레임(531)과 제2 리드 프레임(532)에 유테틱(Eutectic bonding), 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 또는 다이 본딩(die bonding)될 수 있다. The light emitting device 520 is disposed on the first lead frame 531 and the second lead frame 532 and may be electrically connected to the first lead frame 531 and the second lead frame 532. For example, the light emitting device 520 may be subjected to eutectic bonding, flip chip bonding, or die bonding to the first lead frame 531 and the second lead frame 532.

예컨대, 발광 소자(520)는 도 13에 도시된 수평형 발광 소자일 수 있고, 발광 소자(300-1)의 제1 전극(342)은 제1 리드 프레임(531)에 플립 칩 본딩될 수 있고, 제2 전극(344)은 제2 리드 프레임(532)에 플립 칩 본딩될 수 있다.For example, the light emitting device 520 may be a horizontal light emitting device shown in FIG. 13, the first electrode 342 of the light emitting device 300-1 may be flip-chip bonded to the first lead frame 531 And the second electrode 344 may be flip-chip bonded to the second lead frame 532.

제1 리드 프레임(531) 및 제2 리드 프레임(532) 각각은 상부면(501, 502)에 적어도 하나의 홈을 가질 수 있다.Each of the first lead frame 531 and the second lead frame 532 may have at least one groove on the upper surface 501, 502.

도 11은 도 9에 도시된 제1 리드 프레임(531) 및 제2 리드 프레임(532)을 나타낸다. 도 11을 참조하면, 제1 리드 프레임(531)은 상부면(501)에 서로 이격하는 복수의 홈들(예컨대, 601, 602)을 가질 수 있다. 제2 리드 프레임(532)은 상부면(502)에 서로 이격하는 복수의 홈들(예컨대, 603,604)을 가질 수 있다.Fig. 11 shows the first lead frame 531 and the second lead frame 532 shown in Fig. Referring to FIG. 11, the first lead frame 531 may have a plurality of grooves (e.g., 601 and 602) spaced from each other on the upper surface 501. The second lead frame 532 may have a plurality of grooves (e.g., 603, 604) spaced from one another on the top surface 502.

접착 활성부(510)는 발광 소자(520)의 주위의 제1 및 제2 리드 프레임(531,532) 상에 배치되고, 제1 리드 프레임(531)과 제2 리드 프레임(532) 사이에 배치될 수 있다. 접착 활성부(510)는 발광 소자(520)의 주위의 제1 및 제2 리드 프레임들(531,532) 상에 배치되는 측벽부(512), 및 제1 리드 프레임(531)과 제2 리드 프레임(532)을 전기적으로 분리하도록 제1 리드 프레임(531)과 제2 리드 프레임(532) 사이에 배치되는 바닥부(514)를 포함할 수 있다.The adhesive active portion 510 may be disposed on the first and second lead frames 531 and 532 around the light emitting element 520 and may be disposed between the first lead frame 531 and the second lead frame 532 have. The adhesive active portion 510 includes a side wall portion 512 disposed on the first and second lead frames 531 and 532 around the light emitting element 520 and a first lead frame 531 and a second lead frame And a bottom portion 514 disposed between the first lead frame 531 and the second lead frame 532 to electrically isolate the first and second lead frames 532 and 532 from each other.

측벽부(512)는 제1 및 제2 리드 프레임들(531, 532)을 기준으로 기설정된 각도로 기울어진 경사면을 가질 수 있다. 측벽부(512)의 경사면의 각도는 10°~15°일 수 있다.The side wall portion 512 may have an inclined surface inclined at a predetermined angle with respect to the first and second lead frames 531 and 532. The angle of the inclined surface of the side wall portion 512 may be 10 [deg.] To 15 [deg.].

제1 및 제2 리드 프레임(531,532) 상에 배치된 접착 활성부(510)의 하면은 제1 및 제2 리드 프레임들(531, 532) 각각의 상부면(501,502)에 마련되는 적어도 하나의 홈(610, 620) 내에 삽입되는 적어도 하나의 돌출부를 가질 수 있다. 측벽부(512)의 폭과 높이는 도 3에서 설명한 바와 동일할 수 있다.The lower surface of the adhesive active portion 510 disposed on the first and second lead frames 531 and 532 is formed by at least one groove (not shown) provided on the upper surfaces 501 and 502 of the first and second lead frames 531 and 532, May have at least one protrusion that is inserted into the recesses 610, 620. The width and height of the side wall portion 512 may be the same as those described in Fig.

도 12는 도 9에 도시된 측벽부(512)를 나타낸다.Fig. 12 shows the side wall portion 512 shown in Fig.

도 12를 참조하면, 측벽부(512)의 하면은 제1 및 제2 리드 프레임들(531,532)의 상부면에 마련되는 복수의 홈들(601,602,603,604)에 삽입될 수 있는 복수의 돌출부들(632,634,636,638)을 가질 수 있다.12, the lower surface of the side wall part 512 includes a plurality of protrusions 632, 634, 636, and 638 that can be inserted into a plurality of grooves 601, 602, 603, and 604 provided on the upper surfaces of the first and second lead frames 531 and 532 Lt; / RTI &gt;

제1 및 제2 리드 프레임들(531,532)에 마련되는 홈들(601,602,603,604)과 측벽부(512) 하면에 마련되는 돌출부들(632,634,636,638)은 결합 면적을 증가시킬 수 있고, 이로 인하여 제1 및 제2 리드 프레임들(531,532)과 측벽부(512) 사이의 결합력은 향상될 수 있다.The grooves 601, 602, 603 and 604 provided in the first and second lead frames 531 and 532 and the protrusions 632, 634, 636 and 638 provided on the lower surface of the side wall 512 can increase the coupling area, The bonding force between the frames 531 and 532 and the side wall portion 512 can be improved.

투광성 지지부(540)는 측벽부(512) 상에 배치될 수 있으며, 차광층(560)을 지지할 수 있다. 투광성 지지부(540)는 제1 및 제2 리드 프레임들(531,532)의 상부면(501,502)을 기준으로 기설정된 각도로 기울어진 내측면(541)을 가질 수 있다.The light-transmissive support portion 540 may be disposed on the side wall portion 512 and may support the light-shielding layer 560. The light-transmitting support portion 540 may have an inner surface 541 inclined at a predetermined angle with respect to the upper surfaces 501 and 502 of the first and second lead frames 531 and 532.

투광성 지지부(540)는 상단에 상부면(101)과 단차를 갖는 테두리부(543)를 가질 수 있다. 테두리부(543)는 표면이 굴곡진 구조일 수 있다. 예컨대, 테두리부(543)는 표면에 홈(549)을 가질 수 있다. 상부면(101)으로부터 홈(549)까지의 단차(G2)는 0.25mm ~ 0.3mm일 수 있다.The light-transmitting supporting portion 540 may have a rim portion 543 having a stepped portion with the upper surface 101 at the upper end. The rim portion 543 may have a curved surface. For example, the rim 543 may have grooves 549 on its surface. The step G2 from the upper surface 101 to the groove 549 may be 0.25 mm to 0.3 mm.

투광성 지지부(540)의 단방향의 폭과 장방향의 폭은 서로 다를 수 있다. 예컨대, 단방향의 폭이 장방향의 폭보다 좁을 수 있다. 투광성 지지부(540)의 단방향의 폭은 측벽부(512)의 폭보다 작을 수 있고, 투광성 지지부(540)의 장방향의 폭은 측벽부(512)의 폭과 동일할 수 있다. 투광성 지지부(540)의 높이는 0.8mm ~ 0.9mm일 수 있다.The unidirectional width and the longitudinal direction width of the light-transmitting supporting portion 540 may be different from each other. For example, the unidirectional width may be narrower than the longitudinal direction width. The unidirectional width of the translucent support portion 540 may be smaller than the width of the side wall portion 512 and the width of the translucent support portion 540 in the longitudinal direction may be equal to the width of the side wall portion 512. The height of the light-transmitting supporting portion 540 may be 0.8 mm to 0.9 mm.

파장 변환층(550)은 발광 소자(520)를 포위하고, 밀봉하도록 투광성 지지부(540) 내측에 배치될 수 있으며, 발광 소자(520)로부터 조사되는 빛의 파장을 변환할 수 있다. 파장 변환층(550)은 투광성 지지부(40)의 경사면(541)과 접할 수 있다. 파장 변환층(550)의 상부면은 테두리부(543)보다 아래에 위치할 수 있다.The wavelength conversion layer 550 may be disposed inside the light transmissive support portion 540 to encapsulate and seal the light emitting device 520 and may convert the wavelength of the light emitted from the light emitting device 520. The wavelength conversion layer 550 can be in contact with the inclined surface 541 of the light-transmitting support portion 40. The upper surface of the wavelength conversion layer 550 may be positioned below the rim portion 543. [

차광층(560)은 파장 변환층(550) 상에 배치되며, 발광 소자(520)로부터 조사되는 빛이 파장 변환층(550)의 상부로 출사되는 것을 차단한다. The light shielding layer 560 is disposed on the wavelength conversion layer 550 and blocks light emitted from the light emitting device 520 from being emitted to the upper portion of the wavelength conversion layer 550.

차광층(560)은 파장 변환층(550)의 상부면과 접할 수 있고, 차광층(560)의 가장 자리는 테두리부(543)와 접할 수 있으며, 테두리부(543)는 차광층(560)의 가장 자리를 지지할 수 있다. 예컨대, 차광층(560)의 가장 자리는 테두리부(543)의 홈(549) 내에 삽입될 수 있다. The light shielding layer 560 may be in contact with the upper surface of the wavelength conversion layer 550 and the edge of the light shielding layer 560 may be in contact with the edge portion 543 and the edge portion 543 may be in contact with the light shielding layer 560, Can be supported. For example, the edge of the light-shielding layer 560 may be inserted into the groove 549 of the rim portion 543.

도 9에서는 차광층(560)의 가장 자리가 테두리부(543)의 홈(549) 내만 삽입되고, 투광성 지지부(540)의 상부면(101) 상에는 존재하지 않고, 투광성 지지부(540)의 상부면이 차광층(560)으로부터 노출되는 구조이다. 그러나 다른 실시 예에서는 투광성 지지부(540)의 상단에는 테두리부가 형성되지 않고, 차광층(560)의 가장 자리는 투광성 지지부(540)의 상부면 상에 배치되고, 투광성 지지부(540)의 상부면이 차광층(560)으로부터 노출되지 않는 구조일 수 있다.9, the edge of the light-shielding layer 560 is inserted only in the groove 549 of the rim 543, not on the upper surface 101 of the light-transmitting support 540, Is exposed from the light-shielding layer (560). However, in another embodiment, the edge of the light-shielding layer 560 is disposed on the upper surface of the light-transmissive support portion 540, and the upper surface of the light-transmissive support portion 540 is not And may not be exposed from the light shielding layer 560.

차광층(560)의 두께는 투광성 지지부(540)의 상부면(101)과 테두리부(543) 사이의 단차와 동일할 수 있고, 차광층(60)의 상부면은 평평할 수 있다. 차광층(60)의 두께는 0.15mm ~ 0.35mm일 수 있다.The thickness of the light shielding layer 560 may be the same as the step between the upper surface 101 and the edge portion 543 of the light transmitting support portion 540 and the upper surface of the light shielding layer 60 may be flat. The thickness of the light shielding layer 60 may be 0.15 mm to 0.35 mm.

차광층(560)의 가장 자리는 테두리부(543)의 홈(549) 내에 삽입되기 때문에, 실시 예는 차광층(560)과 투광성 지지부(540)의 결합력을 향상시킬 수 있다.Since the edge of the light shielding layer 560 is inserted into the groove 549 of the rim 543, the embodiment can improve the bonding force between the light shielding layer 560 and the light transmitting support 540.

도 15는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 15를 참조하면, 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과, 광원의 열을 방출하는 방열부(740)와, 광원(750)과 방열부(740)를 수납하는 하우징(700)과, 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.15 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment. 15, the illumination device includes a light source 750 for projecting light, a heat dissipation unit 740 for emitting heat of the light source, a housing 700 for accommodating the light source 750 and the heat dissipation unit 740, And a holder 760 coupling the light source 750 and the heat dissipating unit 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함할 수 있다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 may include a socket coupling portion 710 coupled to an electric socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 embedded therein. One air flow hole 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비될 수 있으며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.A plurality of air flow holes 720 may be provided on the body portion 730 of the housing 700 and one or more air flow holes 720 may be provided. The air flow port 720 may be disposed radially or in various forms on the body portion 730.

광원(750)은 기판(754) 상에 실장되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함할 수 있다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 발광 소자 패키지(752)는 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다.The light source 750 may include a plurality of light emitting device packages 752 mounted on the substrate 754. [ The substrate 754 may have a shape that can be inserted into the opening of the housing 700 and may be made of a material having a high thermal conductivity to transmit heat to the heat dissipating unit 740 as described later. For example, the light emitting device package 752 may be any of the embodiments 100-1 to 100-3.

광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.A holder 760 is provided below the light source 750, and the holder 760 may include a frame and other air flow holes. Although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750.

도 16은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.16 shows a display device including the light emitting device package according to the embodiment.

도 16을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.16, the display device 800 includes a bottom cover 810, a reflection plate 820 disposed on the bottom cover 810, light emitting modules 830 and 835 for emitting light, a reflection plate 820 A light guide plate 840 disposed in front of the light emitting module 830 and guiding the light emitted from the light emitting modules 830 and 835 to the front of the display device and prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840, An image signal output circuit 872 connected to the display panel 870 and supplying an image signal to the display panel 870 and a display panel 870 disposed in front of the display panel 870, And a color filter 880 disposed therein. Here, the bottom cover 810, the reflection plate 820, the light emitting modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있으며, 발광 소자 패키지(835)는 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module may include light emitting device packages 835 mounted on the substrate 830. Here, the substrate 830 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 835 may be any of the embodiments 100-1 to 100-3.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 can house components within the display device 800. [ Also, the reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 in a state of being coated with a highly reflective material .

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE).

그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 may be formed of a light-transmissive and elastic polymeric material on one side of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, as shown in the drawings, the plurality of patterns may be provided with a floor and a valley repeatedly as stripes.

그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film may be perpendicular to the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film in the first prism sheet 850. This is for evenly distributing the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet to the front surface of the display panel 1870.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of polyester and polycarbonate-based materials, and the light incidence angle can be maximized by refracting and scattering light incident from the backlight unit. The diffusion sheet includes a support layer including a light diffusing agent, a first layer formed on the light exit surface (first prism sheet direction) and a light incidence surface (in the direction of the reflection sheet) . &Lt; / RTI &gt;

실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850, and the second prism sheet 860 make up an optical sheet, which may be made of other combinations, for example a microlens array, A combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.The display panel 870 may include a liquid crystal display (LCD) panel, and may include other types of display devices that require a light source in addition to the liquid crystal display panel 860.

도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 17을 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.17 shows a head lamp 900 including the light emitting device package according to the embodiment. Referring to Fig. 17, the head lamp 900 includes a light emitting module 901, a reflector 902, a shade 903, and a lens 904.

발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 이때 발광 모듈(901)에 포함되는 발광 소자 패키지는 실시 예들(100-1 내지 100-3) 중 어느 하나일 수 있다. The light emitting module 901 may include a light emitting device package disposed on a substrate (not shown). Here, the light emitting device package included in the light emitting module 901 may be any of the embodiments 100-1 to 100-3.

리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킬 수 있다.The reflector 902 can reflect the light 911 emitted from the light emitting module 901 in a predetermined direction, for example, toward the front 912.

쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.The shade 903 is disposed between the reflector 902 and the lens 904 and reflects off or reflects a part of the light reflected by the reflector 902 toward the lens 904 to form a light distribution pattern desired by the designer. The one side portion 903-1 and the other side portion 903-2 of the shade 903 may have different heights from each other.

발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.The light emitted from the light emitting module 901 can be reflected by the reflector 902 and the shade 903 and then transmitted through the lens 904 and directed toward the front of the vehicle body. The lens 904 can refract the light reflected by the reflector 902 forward.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

10: 접착 활성부 20: 발광 소자
28, 29: 와이어 31: 제1 리드 프레임
32: 제2 리드 프레임 40: 투광성 지지부
50: 파장 변환부 60: 차광부.10: Adhesive active part 20: Light emitting element
28, 29: wire 31: first lead frame
32: second lead frame 40: translucent support
50: wavelength conversion section 60: light shielding section.

Claims (11)

제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자의 주위의 상기 제1 및 제2 리드 프레임의 상면에 배치되는 측벽부와 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 사이에 배치되는 바닥부를 포함하는 접착 활성부;
상기 접착 활성부 상에 배치되는 투광성 지지부;
상기 발광 소자를 포위하도록 상기 투광성 지지부 내측에 배치되는 파장 변환층; 및
상기 파장 변환층 상에 배치되는 차광층을 포함하고,
상기 접착 활성부는 빛을 반사하는 반사 부재이고,
상기 측벽부는 상기 발광 소자에 대향하도록 상기 제1 및 제2 리드 프레임들의 상면들을 기준으로 기울어진 경사면을 포함하고,
상기 투광성 지지부는 상기 측벽부의 상기 경사면 상에 배치되고, 상기 측벽부의 상기 경사면을 덮고,
상기 차광층은 상기 파장 변환층의 상면과 접하고, 상기 투광성 지지부의 상단은 상기 차광층의 측면을 감싸고,
상기 투광성 지지부의 상면은 상기 차광층의 상면과 평행하고, 상기 차광층의 상면과 동일 평면 상에 위치하는 발광 소자 패키지.A first lead frame and a second lead frame;
A light emitting element disposed on the first lead frame;
An adhesive active portion including a sidewall portion disposed on an upper surface of the first and second lead frames around the light emitting element, and a bottom portion disposed between the first lead frame and the second lead frame;
A translucent support disposed on the adhesive active portion;
A wavelength conversion layer disposed inside the light-transmitting support to surround the light emitting element; And
And a light-shielding layer disposed on the wavelength conversion layer,
Wherein the adhesive active portion is a reflecting member that reflects light,
Wherein the side wall portion includes an inclined surface inclined with respect to upper surfaces of the first and second lead frames so as to face the light emitting element,
The light transmitting support portion is disposed on the inclined surface of the side wall portion, covers the inclined surface of the side wall portion,
Wherein the light-shielding layer is in contact with the upper surface of the wavelength conversion layer, the upper end of the light-transmitting support portion surrounds the side surface of the light-
Wherein the upper surface of the light-transmitting support portion is parallel to the upper surface of the light-shielding layer, and is located on the same plane as the upper surface of the light-shielding layer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 접착 활성부는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), 및 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같은 수지로 이루어지고, 상기 투광성 지지부는 실리콘으로 이루어지는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive active part is made of a resin such as polyphthalamide (PPA) and epoxy molding compound (EMC), and the light transmitting supporting part is made of silicon. 제1항에 있어서,
상기 투광성 지지부의 폭은 상기 측벽부의 폭보다 작고, 상기 측벽부의 높이는 상기 발광 소자보다 낮은 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a width of the light-transmitting support portion is smaller than a width of the side wall portion, and a height of the side wall portion is lower than that of the light-emitting element. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항, 제3항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각은 상부면에 적어도 하나의 홈을 가지며, 상기 측벽부의 하면은 상기 적어도 하나의 홈에 삽입되는 적어도 하나의 돌출부를 갖는 발광 소자 패키지.The method according to any one of claims 1, 3, and 4,
Wherein each of the first and second lead frames has at least one groove on an upper surface and a lower surface of the side wall portion has at least one protrusion inserted into the at least one groove. 삭제delete 삭제delete
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