KR102059032B1 - A light emitting device package - Google Patents

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KR102059032B1 KR1020130001591A KR20130001591A KR102059032B1 KR 102059032 B1 KR102059032 B1 KR 102059032B1 KR 1020130001591 A KR1020130001591 A KR 1020130001591A KR 20130001591 A KR20130001591 A KR 20130001591A KR 102059032 B1 KR102059032 B1 KR 102059032B1
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Abstract

실시 예는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자를 포위하도록 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛의 파장을 변환하는 파장 변환층, 상기 파장 변환층을 포위하도록 상기 리드 프레임 상에 배치되는 몰딩부, 및 상기 몰딩부 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛이 상기 몰딩부의 상부 방향으로 투과되는 것을 차단하는 차광층을 포함하며, 상기 파장 변환층은 적어도 일 부분이 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소한다.Embodiments include a lead frame, a light emitting element disposed on the lead frame, a wavelength conversion layer disposed on the lead frame to surround the light emitting element, and converting a wavelength of light emitted from the light emitting element, and the wavelength conversion layer. And a light shielding layer disposed on the lead frame to surround the light shielding layer, and a light shielding layer disposed on the molding unit and blocking light emitted from the light emitting element from being transmitted upwardly of the molding unit. The layer decreases in diameter as at least one portion thereof goes upwards.

Description

발광 소자 패키지{A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) using semiconductors of Group 3-5 or 2-6 compounds of semiconductors have been developed using thin film growth technology and device materials. Various colors such as green, blue, and ultraviolet light can be realized, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or color combinations. It has the advantages of response speed, safety and environmental friendliness.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a white light emitting diode which can replace a LED backlight, a fluorescent lamp or an incandescent bulb which replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means and a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights.

조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.Light emitting device packages are widely used in lighting devices and display devices. The light emitting device package may generally include a body, lead frames located in the body, and a light emitting device (eg, an LED) positioned in any one of the lead frames.

실시 예는 광 지향각을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving the light directing angle.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 리드 프레임; 상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자를 포위하도록 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛의 파장을 변환하는 파장 변환층; 상기 파장 변환층을 포위하도록 상기 리드 프레임 상에 배치되는 몰딩부; 및 상기 몰딩부 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛이 상기 몰딩부의 상부 방향으로 투과되는 것을 차단하는 차광층을 포함하며, 상기 파장 변환층은 적어도 일 부분이 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소한다.The light emitting device package according to the embodiment may include a lead frame; A light emitting element disposed on the lead frame; A wavelength conversion layer disposed on the lead frame to surround the light emitting element, and converting a wavelength of light irradiated from the light emitting element; A molding part disposed on the lead frame to surround the wavelength conversion layer; And a light blocking layer disposed on the molding part and blocking the light emitted from the light emitting device from being transmitted upward in the molding part, wherein the wavelength conversion layer has a diameter decreasing as at least one portion thereof is directed upward. do.

상기 몰딩부의 굴절률은 상기 파장 변환부의 굴절률과 서로 다를 수 있다.The refractive index of the molding part may be different from the refractive index of the wavelength converter.

상기 파장 변환층과 상기 몰딩부 사이의 경계면의 직경은 상부 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.The diameter of the interface between the wavelength conversion layer and the molding part may decrease toward the upper direction.

상기 파장 변환층과 상기 몰딩부 사이의 경계면의 직경은 비선형적으로 감소하고, 상기 경계면은 곡면일 수 있다.The diameter of the interface between the wavelength conversion layer and the molding part may decrease nonlinearly, and the interface may be curved.

상기 파장 변환층은 하부에서 상부 방향으로 순차적으로 배치되는 제1 내지 제n 부분들(n>1인 자연수)을 포함할 수 있고, 상기 제1 내지 제n 부분들(n>1인 자연수) 중 적어도 하나의 직경은 상부 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.The wavelength conversion layer may include first to nth portions (a natural number of n> 1) sequentially disposed from a bottom to an upper direction, and among the first to nth portions (a natural number of n> 1). The at least one diameter may decrease in the upward direction.

상기 파장 변환층은 하단 부분; 및 상기 하단 부분 상에 위치하는 상단 부분을 포함할 수 있고, 상기 하단 부분 및 상기 상단 부분 중 적어도 하나는 직경이 감소할 수 있다.The wavelength conversion layer is a lower portion; And an upper portion positioned on the lower portion, and at least one of the lower portion and the upper portion may have a reduced diameter.

상부 방향으로 갈수록 상기 하단 부분의 직경은 일정하고, 상기 상단 부분의 직경은 상부 방향을 갈수록 감소할 수 있다.The diameter of the lower portion is constant toward the upper direction, the diameter of the upper portion may decrease toward the upper direction.

상기 상단 부분 및 상기 하단 부분은 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소하고, 상기 하단 부분의 직경의 감소율은 상기 상단 부분의 직경의 감소율과 서로 다를 수 있다.The upper portion and the lower portion may decrease in diameter toward the upper direction, and the reduction rate of the diameter of the lower portion may be different from the decrease rate of the diameter of the upper portion.

상부 방향으로 갈수록 상기 하단 부분의 직경은 증가하고, 상기 상단 부분의 직경은 감소할 수 있다.As the upper direction increases, the diameter of the lower portion may increase, and the diameter of the upper portion may decrease.

상기 파장 변환층은 하단 부분; 및 상기 하단 부분 상에 위치하는 상단 부분을 포함하고, 상기 하단 부분과 상기 몰딩부 사이의 제1 경계면 및 상기 상단 부분과 상기 몰딩부 사이의 제2 경계면 중 적어도 하나는 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소할 수 있다.The wavelength conversion layer is a lower portion; And an upper portion positioned on the lower portion, wherein at least one of the first boundary surface between the lower portion and the molding portion and the second boundary surface between the upper portion and the molding portion decreases in diameter in an upward direction. can do.

실시 예는 광 지향각을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve the light directing angle.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 파장 변환층의 직경을 나타낸다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 4에 도시된 파장 변환층의 직경을 나타낸다.
도 6은 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 7은 도 6에 도시된 파장 변환층의 직경을 나타낸다.
도 8은 제4 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 파장 변환층의 직경을 나타낸다.
도 10은 제5 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 11은 도 10에 도시된 파장 변환층의 직경을 나타낸다.
도 12는 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다.
도 13은 도 1에 도시된 발광 소자의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 15는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 16은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.1 is a perspective view from above of a light emitting device package according to an embodiment;
FIG. 2 is a sectional view taken along the AB direction of the light emitting device package illustrated in FIG. 1.
FIG. 3 shows the diameter of the wavelength conversion layer shown in FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment.
FIG. 5 shows the diameter of the wavelength conversion layer shown in FIG. 4.
6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third embodiment.
FIG. 7 shows the diameter of the wavelength conversion layer shown in FIG. 6.
8 is a sectional view of a light emitting device package according to a fourth embodiment.
9 illustrates the diameter of the wavelength conversion layer illustrated in FIG. 8.
10 is a sectional view of a light emitting device package according to a fifth embodiment.
FIG. 11 shows the diameter of the wavelength conversion layer shown in FIG. 10.
12 illustrates an embodiment of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
13 illustrates another embodiment of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
14 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
15 illustrates a display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.
16 illustrates a head lamp including a light emitting device package according to an embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, the embodiments will be apparent from the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the description of an embodiment, each layer, region, pattern, or structure may be “under” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. In the case where it is described as being formed at, "up" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 위에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment as viewed from above, and FIG. 2 is a cross-sectional view of an AB direction of the light emitting device package illustrated in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110), 제1 리드 프레임(112), 제2 리드 프레임(114), 발광 소자(120), 제1 와이어(132), 제2 와이어(134), 파장 변환층(140), 몰딩부(150), 및 차광층(160)을 포함한다.1 and 2, the light emitting device package 100 includes a package body 110, a first lead frame 112, a second lead frame 114, a light emitting device 120, and a first wire 132. , A second wire 134, a wavelength conversion layer 140, a molding part 150, and a light blocking layer 160.

패키지 몸체(110)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성되거나, 반사도가 높은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide) 및 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 또한 몸체(20)는 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다.The package body 110 may be formed of a substrate having good insulating or thermal conductivity, such as a silicon-based wafer level package, a silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), or the like, It may be formed of a resin material such as high polyphthalamide (PPA) and epoxy molding compound (EMC). In addition, the body 20 may have a structure in which a plurality of substrates are stacked.

패키지 몸체(110)의 상부면 형상은 발광 소자 패키지(100-1)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상일 수 있다. 그러나 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되는 것은 아니다.The top surface of the package body 110 may have various shapes such as triangle, square, polygon, and round shape according to the use and design of the light emitting device package 100-1. However, the embodiment is not limited to the material, structure, and shape of the body described above.

제1 리드 프레임(112)과 제2 리드 프레임(114)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 패키지 몸체(110) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(112)과 제2 리드 프레임(114) 사이에는 전기적 분리를 위하여 패키지 몸체(110)의 일부가 개재될 수 있다. 제1 리드 프레임(112)과 제2 리드 프레임(114) 각각의 상부면은 패키지 몸체(110)로부터 노출될 수 있다.The first lead frame 112 and the second lead frame 114 may be spaced apart from each other to be electrically separated from each other and disposed in the package body 110. For example, a portion of the package body 110 may be interposed between the first lead frame 112 and the second lead frame 114 for electrical separation. Top surfaces of each of the first lead frame 112 and the second lead frame 114 may be exposed from the package body 110.

발광 소자(120)는 제1 리드 프레임(112)의 노출되는 상부면 상에 배치될 수 있으며, 제1 및 제2 와이어들(132, 134)에 의하여 제1 리드 프레임(112) 및 제2 리드 프레임(32-1과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on an exposed upper surface of the first lead frame 112, and the first lead frame 112 and the second lead by the first and second wires 132 and 134. It may be electrically connected to the frame 32-1.

발광 소자(120)는 도 1에 도시된 것과 같이 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 제1 및 제2 리드 프레임들(112,114)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 120 may be electrically connected to the first and second lead frames 112 and 114 by a wire bonding method as illustrated in FIG. 1.

예컨대, 제1 와이어(132)는 발광 소자(120)와 제1 리드 프레임(112)을 전기적으로 연결할 수 있고, 제2 와이어(134)는 발광 소자(120)와 제2 리드 프레임(114)을 전기적으로 연결할 수 있다. For example, the first wire 132 may electrically connect the light emitting device 120 and the first lead frame 112, and the second wire 134 may connect the light emitting device 120 and the second lead frame 114 to each other. Can be electrically connected

다른 실시 예에서는 플립 칩(flip chip), 다이 본딩(die bonding) 방식 등으로 발광 소자(120)가 제1 리드 프레임(112) 및 제2 리드 프레임(114)과 전기적으로 연결될 수도 있다.In another embodiment, the light emitting device 120 may be electrically connected to the first lead frame 112 and the second lead frame 114 by a flip chip, a die bonding method, or the like.

제1 리드 프레임(112), 및 제2 리드 프레임(114)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.The first lead frame 112 and the second lead frame 114 may be formed of a conductive material such as metal, such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), It may be formed of one of tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an alloy thereof, and may have a single layer or a multilayer structure.

파장 변환층(140)은 발광 소자(120)를 포위하고, 밀봉하도록 제1 및 제2 리드 프레임(112,114) 상에 배치될 수 있다. 파장 변환층(140)은 발광 소자(120)로부터 조사되는 빛의 파장을 변환할 수 있다.The wavelength conversion layer 140 may be disposed on the first and second lead frames 112 and 114 to surround and seal the light emitting device 120. The wavelength conversion layer 140 may convert the wavelength of light emitted from the light emitting device 120.

파장 변환층(140)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 및 형광체를 포함할 수 있다. 파장 변화층(140)은 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 140 may include a colorless transparent polymer resin such as epoxy or silicon and a phosphor. The wavelength change layer 140 may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, and a yellow phosphor.

몰딩부(150)는 파장 변환층(140)을 포위하도록 제1 및 제2 리드 프레임(112,114) 상에 배치될 수 있다. 몰딩부(150)의 외주면은 곡면일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다 The molding part 150 may be disposed on the first and second lead frames 112 and 114 to surround the wavelength conversion layer 140. The outer circumferential surface of the molding unit 150 may be a curved surface, but is not limited thereto.

몰딩부(150)는 발광 소자(120)로부터 발생하는 열에 강한 수지, 예컨대, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 글래스(glass), 글래스 세라믹(glass ceramic), 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 나일론 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 염화비닐 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 테프론 수지, 폴리스틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리올레핀 수지 등으로 이루어질 수 있다.The molding part 150 may be a resin resistant to heat generated from the light emitting device 120, for example, a silicone resin, an epoxy resin, glass, glass ceramic, polyester resin, acrylic resin, urethane resin, and nylon resin. , Polyamide resin, polyimide resin, vinyl chloride resin, polycarbonate resin, polyethylene resin, Teflon resin, polystyrene resin, polypropylene resin, polyolefin resin and the like.

파장 변환층(140)은 적어도 일 부분이 상부 방향으로 갈수록 직경 또는 단면적이 감소할 수 있다. 이때 단면적은 파장 변환층(140)의 수평 방향의 단면적일 수 있다. 또한 파장 변환층(140)과 몰딩부(150) 사이의 경계면은 적어도 일 부분이 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소할 수 있다.The wavelength conversion layer 140 may have a diameter or a cross-sectional area that decreases as at least one portion thereof moves upward. In this case, the cross-sectional area may be a cross-sectional area in the horizontal direction of the wavelength conversion layer 140. In addition, the diameter of the interface between the wavelength conversion layer 140 and the molding part 150 may decrease as at least one portion thereof moves upward.

도 3은 도 2에 도시된 파장 변환층(140)의 직경(R1)을 나타낸다.3 illustrates a diameter R1 of the wavelength conversion layer 140 illustrated in FIG. 2.

도 3을 참조하면, 파장변환층(140)은 상부 방향으로 갈수록 직경(R1) 또는 단면적이 감소할 수 있다. 예컨대, 파장변환층(140)의 직경(R1)은 상부 방향으로 갈수록 직경(R1)이 선형적으로 감소할 수 있다.Referring to FIG. 3, the wavelength conversion layer 140 may decrease in diameter R1 or cross-sectional area toward the upper direction. For example, the diameter R1 of the wavelength conversion layer 140 may linearly decrease in diameter toward the upper direction.

파장 변환층(140)은 원뿔, 정사면체, 다각뿔 등과 같은 형상일 수 있다. 상부 방향은 제1 및 제2 리드 프레임(112,114)에 대한 수직 상방향일 수 있다. 또한 상부 방향으로 갈수록 파장 변환층(140)과 몰딩부(150) 사이의 경계면(301)의 직경(R1)은 선형적으로 감소할 수 있다.The wavelength conversion layer 140 may have a shape such as a cone, a tetrahedron, a polygonal pyramid, or the like. The upper direction may be vertically upward relative to the first and second lead frames 112 and 114. In addition, the diameter R1 of the interface 301 between the wavelength conversion layer 140 and the molding part 150 may decrease linearly toward the upper direction.

몰딩부(150)의 굴절률은 파장 변환부(140)의 굴절률과 다를 수 있다. 예컨대, 몰딩부(150)의 굴절률은 파장 변환부(140)의 굴절률보다 작을 수 있다. The refractive index of the molding unit 150 may be different from the refractive index of the wavelength converter 140. For example, the refractive index of the molding unit 150 may be smaller than the refractive index of the wavelength converter 140.

파장 변환부(140)은 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소하고, 몰딩부(150)의 굴절률이 파장 변환부(140)의 굴절률보다 작기 때문에, 발광 소자(120)로부터 조사되는 빛(303)은 파장 변환부(140)와 몰딩부(150) 사이의 경계면(301)에서 굴절되고, 굴절된 빛(304)은 몰딩부(150)의 측면으로 방출될 수 있다. 경계면(301)의 직경(R1)이 감소 및 굴절률의 차이에 의하여 실시 예는 지향각을 향상시킬 수 있다.Since the wavelength converter 140 decreases in diameter toward the upper direction, and the refractive index of the molding unit 150 is smaller than the refractive index of the wavelength converter 140, the light 303 irradiated from the light emitting device 120 has a wavelength. The light refracted at the interface 301 between the converter 140 and the molding part 150 may be emitted to the side of the molding part 150. As the diameter R1 of the interface 301 decreases and the difference in the refractive index, the embodiment may improve the orientation angle.

차광층(160)은 몰딩부(150) 상에 배치되며, 발광 소자(120)로부터 조사되는 빛이 몰딩부(150)의 상부 방향으로 투과되는 것을 차단한다. 발광 소자(120)로부터 조사되는 빛은 차광층(160)을 통과하지 못하기 때문에, 빛이 측면으로 분산되어 지향각을 향상시킬 수 있다. 차광층(160)은 차광 물질, 예컨대, TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3, 및 Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The light blocking layer 160 is disposed on the molding part 150, and blocks light emitted from the light emitting device 120 from being transmitted upward in the molding part 150. Since the light irradiated from the light emitting device 120 does not pass through the light blocking layer 160, the light may be dispersed to the side to improve the directivity angle. The light blocking layer 160 may include at least one material selected from light blocking materials such as TiO 2 , CaCO 3 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , and Al.

도 12는 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다.12 illustrates an embodiment of the light emitting device illustrated in FIG. 1.

도 12를 참조하면, 발광 소자(300-1)는 기판(310), 발광 구조물(320), 전도층(330), 제1 전극(342), 및 제2 전극(344)을 포함한다.Referring to FIG. 12, the light emitting device 300-1 includes a substrate 310, a light emitting structure 320, a conductive layer 330, a first electrode 342, and a second electrode 344.

기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(310)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어 기판(310)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에는 요철 패턴이 형성될 수 있다.The substrate 310 may be formed of a material suitable for growth of a semiconductor material, a carrier wafer. In addition, the substrate 310 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 310 may be a material including at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 O 3 , and GaAs. An uneven pattern may be formed on the upper surface of the substrate 310.

또한 기판(310) 위에는 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체를 이용한 층 또는 패턴, 예컨대, ZnO층(미도시), 버퍼층(미도시), 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 한 층이 형성될 수 있다. 버퍼층 또는 언도프드 반도체층은 3족-5족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층은 기판과의 격자 상수의 차이를 줄여주게 되며, 언도프드 반도체층은 도핑하지 않는 GaN계 반도체로 형성될 수 있다.In addition, a layer or a pattern using a compound semiconductor of Group 2 to 6 elements, for example, a ZnO layer (not shown), a buffer layer (not shown), and an undoped semiconductor layer (not shown) are formed on the substrate 310. Can be. The buffer layer or the undoped semiconductor layer may be formed using a compound semiconductor of Group III-V group elements, and the buffer layer may reduce the difference in lattice constant from the substrate, and the undoped semiconductor layer may be a undoped GaN semiconductor. Can be formed.

발광 구조물(320)은 빛을 발생하는 반도체층일 수 있으며, 제1 반도체층(322), 활성층(324), 및 제2 반도체층(326)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 320 may be a semiconductor layer that generates light, and may include a first semiconductor layer 322, an active layer 324, and a second semiconductor layer 326.

제1 반도체층(322)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(322)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 322 may be implemented with compound semiconductors such as Groups III-5, II-6, and the like, and may be doped with the first conductivity type dopant. For example, the first semiconductor layer 322 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) , and , an n-type dopant (eg, Si, Ge, Sn, etc.) may be doped.

활성층(324)은 제1 반도체층(322) 및 제2 반도체층(326)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.The active layer 324 may generate light by energy generated in the recombination process of electrons and holes provided from the first semiconductor layer 322 and the second semiconductor layer 326. .

활성층(324)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(324)이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.The active layer 324 may be a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor of Groups 3-5 and 2-6, and may be a single well structure, a multiple well structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot. Dot) structure or the like. The active layer 324. In this case, the quantum well structure has a well layer having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) and It may have a single or quantum well structure having a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1-ab N (0 ≦ a ≦ 1, 0 ≦ b ≦ 1 , 0 ≦ a + b ≦ 1). The well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.

제2 반도체층(326)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(326)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 326 may be implemented with compound semiconductors such as Groups III-5, II-6, and the like, and may be doped with the second conductivity type dopant. For example, the second semiconductor layer 326 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) , and , p-type dopants (eg, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba) may be doped.

발광 구조물(320)는 제2 반도체층(326), 활성층(324) 및 제1 반도체층(322)의 일부가 제거되어 제1 반도체층(322)의 일부를 노출할 수 있다.A portion of the second semiconductor layer 326, the active layer 324, and the first semiconductor layer 322 may be removed from the light emitting structure 320 to expose a portion of the first semiconductor layer 322.

전도층(330)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라, 투광성이 좋기 때문에 활성층(324)으로부터 제2 반도체층(326)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.The conductive layer 330 not only reduces total reflection but also has good light transmittance, thereby increasing extraction efficiency of light emitted from the active layer 324 to the second semiconductor layer 326.

전도층(330)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The conductive layer 330 may be formed of a transparent conductive oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), indium aluminum zinc oxide (IZAZO), and IGZO (IGZO). Indium Gallium Zinc Oxide, IGTO, Aluminum Zinc Oxide, AZO, Antimony Tin Oxide, ATO, Gallium Zinc Oxide / Au, or Ni / IrOx / Au / ITO can be used to form a single layer or multiple layers.

제1 전극(342)은 노출되는 제1 반도체층(322) 상에 배치되며, 제2 전극(344)은 전도층(330) 상에 배치된다.The first electrode 342 is disposed on the exposed first semiconductor layer 322, and the second electrode 344 is disposed on the conductive layer 330.

도 13은 도 1에 도시된 발광 소자(120)의 다른 실시 예(300-2)를 나타낸다.FIG. 13 illustrates another embodiment 300-2 of the light emitting device 120 of FIG. 1.

도 13을 참조하면, 발광 소자(300-2)는 제2 전극부(405), 보호층(440), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 445), 발광 구조물(450), 패시베이션층(465), 및 제1 전극부(470)를 포함한다.Referring to FIG. 13, the light emitting device 300-2 includes a second electrode portion 405, a protective layer 440, a current blocking layer 445, a light emitting structure 450, and a passivation layer 465. , And a first electrode part 470.

제2 전극부(405)는 제1 전극부(470)와 함께 발광 구조물(450)에 전원을 제공한다. 제2 전극부(405)는 지지층(support, 410), 접합층(bonding layer, 415), 배리어층(barrier layer, 420), 반사층(reflective layer, 425), 및 오믹층(ohmic layer, 430)을 포함할 수 있다.The second electrode part 405 together with the first electrode part 470 provides power to the light emitting structure 450. The second electrode part 405 includes a support layer 410, a bonding layer 415, a barrier layer 420, a reflective layer 425, and an ohmic layer 430. It may include.

지지층(410)는 발광 구조물(450)을 지지한다. 지지층(210)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(410)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(410)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.The support layer 410 supports the light emitting structure 450. The support layer 210 may be formed of a metal or a semiconductor material. In addition, the support layer 410 may be formed of a material having high electrical conductivity and thermal conductivity. For example, the support layer 410 may include at least one of copper (Cu), copper alloy (Cu alloy), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper-tungsten (Cu-W). It may be a material or a semiconductor including at least one of Si, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

접합층(415)은 지지층(410)와 배리어층(420) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(410)과 배리어층(420)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(415)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(415)은 지지층(410)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(410)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(215)은 생략될 수 있다.The bonding layer 415 may be disposed between the support layer 410 and the barrier layer 420, and may serve as a bonding layer for bonding the support layer 410 and the barrier layer 420. The bonding layer 415 may include at least one of a metal material, for example, In, Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, and Cu. Since the bonding layer 415 is formed to bond the support layer 410 by a bonding method, the bonding layer 215 may be omitted when the support layer 410 is formed by a plating or deposition method.

배리어층(420)은 반사층(425), 오믹층(430), 및 보호층(440)의 아래에 배치되며, 접합층(415) 및 지지층(410)의 금속 이온이 반사층(425), 및 오믹층(430)을 통과하여 발광 구조물(450)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(420)은 Ni, Pt, Ti,W,V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The barrier layer 420 is disposed under the reflective layer 425, the ohmic layer 430, and the protective layer 440, and the metal ions of the bonding layer 415 and the supporting layer 410 are reflected on the reflective layer 425, and ohmic. It may be prevented from passing through the mixed layer 430 to the light emitting structure 450. For example, the barrier layer 420 may include at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, and Mo, and may include a single layer or multiple layers.

반사층(425)은 배리어층(420) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(450)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(425)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The reflective layer 425 may be disposed on the barrier layer 420 and may reflect light incident from the light emitting structure 450, thereby improving light extraction efficiency. The reflective layer 425 may be formed of a metal or an alloy including at least one of a light reflective material such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf.

반사층(425)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.The reflective layer 425 may be formed in a multilayer using a metal or an alloy and a light-transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. For example, IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni and the like.

오믹층(430)은 반사층(425)과 제2 반도체층(452) 사이에 배치될 수 있으며,제2 반도체층(452)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(450)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다.The ohmic layer 430 may be disposed between the reflective layer 425 and the second semiconductor layer 452. The ohmic layer 430 may be ohmic contacted to the second semiconductor layer 452 to smoothly supply power to the light emitting structure 450. You can do that.

투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(430)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(430)은 제2 반도체층(452)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ohmic layer 430 may be formed using a light transmissive conductive layer and a metal. For example, the ohmic layer 430 includes at least one of a metal material in ohmic contact with the second semiconductor layer 452, for example, Ag, Ni, Cr, Ti, Pd, Ir, Sn, Ru, Pt, Au, or Hf. can do.

보호층(440)은 제2 전극층(405)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(440)은 오믹층(430)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(425)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(420)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(410)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.The protective layer 440 may be disposed on an edge region of the second electrode layer 405. For example, the protective layer 440 is on an edge region of the ohmic layer 430, an edge region of the reflective layer 425, or an edge region of the barrier layer 420, or an edge region of the support layer 410. Can be arranged.

보호층(440)은 발광 구조물(450)과 제2 전극층(405) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(300-2)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(440)은 전기 절연성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The protective layer 440 may prevent the interface between the light emitting structure 450 and the second electrode layer 405 from being peeled off, thereby reducing the reliability of the light emitting device 300-2. Protective layer 440 may be an electrically insulating material, such as ZnO, SiO 2 , Si 3 N 4 , TiOx (x is a positive real number), or Al 2 O 3 Or the like.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 발광 구조물(450) 사이에 배치될 수 있다. 전류 차단층(445)의 상면은 제2 반도체층(452)과 접촉하고, 전류 차단층(445)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(430)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(445)은 수직 방향으로 제1 전극부(470)와 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.The current blocking layer 445 may be disposed between the ohmic layer 430 and the light emitting structure 450. An upper surface of the current blocking layer 445 may contact the second semiconductor layer 452, and a lower surface, or a lower surface and a side surface of the current blocking layer 445 may contact the ohmic layer 430. The current blocking layer 445 may be disposed to overlap at least a portion of the first electrode portion 470 in the vertical direction.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 제2 반도체층(452) 사이에 형성되거나, 반사층(425)과 오믹층(430) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The current blocking layer 445 may be formed between the ohmic layer 430 and the second semiconductor layer 452, or may be formed between the reflective layer 425 and the ohmic layer 430, but is not limited thereto.

발광 구조물(450)은 오믹층(430) 및 보호층(440) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(450)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다.The light emitting structure 450 may be disposed on the ohmic layer 430 and the protective layer 440. The side surface of the light emitting structure 450 may be an inclined surface in an isolation etching process divided into unit chips.

발광 구조물(450)은 제2 반도체층(452), 활성층(454), 및 제1 반도체층(456)을 포함할 수 있으며, 도 12에서 설명한 바와 동일할 수 있으며, 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다.The light emitting structure 450 may include a second semiconductor layer 452, an active layer 454, and a first semiconductor layer 456, and may be the same as described with reference to FIG. 12, and description thereof is omitted to avoid duplication. do.

패시베이션층(465)은 발광 구조물(450)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(450)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 제1 반도체층(456)의 상면 일부 또는 보호층(440)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.The passivation layer 465 may be disposed on the side surface of the light emitting structure 450 to electrically protect the light emitting structure 450. The passivation layer 465 may also be disposed on a portion of the top surface of the first semiconductor layer 456 or the top surface of the protective layer 440. The passivation layer 465 may be formed of an insulating material such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 to be formed Can be.

제1 전극부(470)는 제1 반도체층(456) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(470)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 반도체층(456)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(470)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The first electrode part 470 may be disposed on the first semiconductor layer 456. The first electrode part 470 may have a predetermined pattern shape. A roughness pattern (not shown) may be formed on the top surface of the first semiconductor layer 456 to increase light extraction efficiency. In addition, a roughness pattern (not shown) may be formed on the top surface of the first electrode 470 to increase light extraction efficiency.

도 13에 도시된 발광 소자(300-2)는 빛이 주로 상부 방향으로만 조사되는 수직형 발광 소자이므로, 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)에 적용할 경우 지향각이 크게 개선될 수 있다. Since the light emitting device 300-2 illustrated in FIG. 13 is a vertical light emitting device in which light is mainly irradiated only in an upward direction, the directivity angle may be greatly improved when applied to the light emitting device package 100 illustrated in FIG. 1. have.

도 4는 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-1)의 단면도를 나타내고, 도 5는 도 4에 도시된 파장 변환층(140-1)의 직경을 나타낸다. 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략하게 설명한다.4 illustrates a cross-sectional view of the light emitting device package 100-1 according to the second embodiment, and FIG. 5 illustrates a diameter of the wavelength conversion layer 140-1 shown in FIG. 4. The same reference numerals as in FIG. 2 denote the same components, and the description of the same components will be omitted or briefly described.

도 4 및 도 5를 참조하면, 파장 변환층(140-1)의 직경은 상부 방향으로 갈수록 비선형적으로 감소할 수 있다. 상부 방향으로 갈수록 파장 변환층(140-1)과 몰딩부(150) 사이의 경계면(302)의 직경(R2)은 비선형적으로 감소할 수 있으며, 경계면(302)은 곡면일 수 있다.4 and 5, the diameter of the wavelength conversion layer 140-1 may decrease nonlinearly toward the upper direction. As the upper direction increases, the diameter R2 of the interface 302 between the wavelength conversion layer 140-1 and the molding unit 150 may decrease nonlinearly, and the interface 302 may be curved.

파장 변환층(140-1)과 몰딩부(150) 사이의 굴절률의 차이는 도 3에서 설명한 바와 동일할 수 있다. 경계면(302)의 직경(R2)의 감소 및 파장 변환층(140-1)과 몰딩부(150) 사이의 굴절률의 차이에 의하여 실시 예는 지향각을 향상시킬 수 있다. The difference in refractive index between the wavelength conversion layer 140-1 and the molding unit 150 may be the same as described with reference to FIG. 3. Embodiments may improve the orientation angle due to the reduction of the diameter R2 of the interface 302 and the difference in refractive index between the wavelength conversion layer 140-1 and the molding unit 150.

도 1에 도시된 파장 변환층(140)은 하부에서 상부 방향으로 순차적으로 배치되는 제1 내지 제n 부분들(n>1인 자연수)을 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 140 illustrated in FIG. 1 may include first to nth portions (a natural number of n> 1) sequentially disposed from the bottom to the top direction.

제1 내지 제n 부분들 중 적어도 하나의 직경은 상부 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 또한 제1 내지 제n 부분들 중 적어도 하나와 몰딩부(150) 사이의 경계면의 직경은 상부 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.The diameter of at least one of the first to nth parts may decrease in an upward direction. In addition, the diameter of the interface between the at least one of the first to nth parts and the molding part 150 may decrease toward the upper direction.

도 6 내지 도 11에 도시된 실시 예에 따른 파장 변환층들(140-2 내지 140-4) 각각은 하단 부분과 상단 부분을 포함하나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다. 파장 변환층들(140-2 내지 140-4) 각각은 하단 부분(a1, b1,c1), 및 하단 부분(a1,b1,c1) 상에 위치하는 상단 부분(a2,b2,c2)을 포함할 수 있고, 하단 부분(a1, b1,c1) 및 상기 상단 부분(a2,b2,c2) 중 적어도 하나는 직경이 감소할 수 있다. 또한 하단 부분(a1, b1,c1)과 몰딩부(150) 사이의 제1 경계면(303-1,304-1,305-1), 및 상단 부분(a2,b2,c2)과 몰딩부(150) 사이의 제2 경계면(303-2,304-2,305-2) 중 적어도 하나는 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소할 수 있다. Each of the wavelength conversion layers 140-2 to 140-4 according to the exemplary embodiment illustrated in FIGS. 6 to 11 includes a lower portion and an upper portion, but embodiments are not limited thereto. Each of the wavelength conversion layers 140-2 to 140-4 includes a lower portion a1, b1, c1, and an upper portion a2, b2, c2 positioned on the lower portion a1, b1, c1. In addition, at least one of the lower portions a1, b1, c1 and the upper portions a2, b2, c2 may have a reduced diameter. Also, the first interface 303-1, 304-1, 305-1 between the lower parts a1, b1, c1 and the molding part 150, and the first part between the upper parts a2, b2, c2 and the molding part 150. At least one of the two interfaces 303-2, 304-2, and 305-2 may decrease in diameter in an upward direction.

도 6은 제3 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-2)의 단면도를 나타내고, 도 7은 도 6에 도시된 파장 변환층(140-2)의 직경을 나타낸다.6 is a cross-sectional view of the light emitting device package 100-2 according to the third embodiment, and FIG. 7 is a diameter of the wavelength conversion layer 140-2 shown in FIG. 6.

도 6 및 도 7을 참조하면, 파장 변환층(140-2)은 하단 부분(a1) 및 상단 부분(a21)을 포함할 수 있으며, 상부 방향으로 갈수록 하단 부분(a1)의 직경(R3) 또는 단면적은 일정하고, 상단 부분(a2)의 직경(R4) 또는 단면적은 상부 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.6 and 7, the wavelength conversion layer 140-2 may include a lower portion a1 and an upper portion a21, and a diameter R3 of the lower portion a1 toward the upper direction or The cross-sectional area is constant, and the diameter R4 or cross-sectional area of the upper portion a2 may decrease toward the upper direction.

상부 방향으로 갈수록 하단 부분(a1)과 몰딩부(150) 사이의 제1 경계면(303-1)의 직경(R3)은 일정하고, 상단 부분(a2)과 몰딩부(150) 사이의 제2 경계면(303-2)의 직경(R4)은 선형적 또는 비선형적으로 감소할 수 있다. 파장 변환층(140-2)과 몰딩부(150) 사이의 굴절률의 차이는 도 3에서 설명한 바와 동일할 수 있다. The diameter R3 of the first boundary surface 303-1 between the lower portion a1 and the molding portion 150 is constant toward the upper direction, and the second boundary surface between the upper portion a2 and the molding portion 150 is constant. The diameter R4 of 303-2 may decrease linearly or nonlinearly. The difference in refractive index between the wavelength conversion layer 140-2 and the molding unit 150 may be the same as described with reference to FIG. 3.

제2 경계면(303-2)의 직경(R4)의 감소 및 파장 변환층(140-2)과 몰딩부(150) 사이의 굴절률의 차이에 의하여 실시 예는 지향각을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment, the orientation angle may be improved by reducing the diameter R4 of the second interface 303-2 and a difference in refractive index between the wavelength conversion layer 140-2 and the molding unit 150.

도 8은 제4 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-3)의 단면도를 나타내고, 도 9는 도 8에 도시된 파장 변환층(140-3)의 직경을 나타낸다.8 illustrates a cross-sectional view of the light emitting device package 100-3 according to the fourth embodiment, and FIG. 9 illustrates a diameter of the wavelength conversion layer 140-3 shown in FIG. 8.

도 8 및 도 9를 참조하면, 파장 변환층(140-3)은 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소하는 하단 부분(b1) 및 상단 부분(b2)을 포함할 수 있으며, 하단 부분(b1)의 직경(R5) 또는 단면적의 감소율은 상단 부분(b2)의 직경(R6) 또는 단면적의 감소율과 다를 수 있다. 예컨대, 하단 부분(b1)의 직경(R5) 또는 단면적의 감소율은 상단 부분(b2)의 직경(R6) 또는 단면적의 감소율보다 클 수 있다.8 and 9, the wavelength conversion layer 140-3 may include a lower portion b1 and an upper portion b2, the diameter of which decreases toward the upper direction, and the diameter of the lower portion b1. (R5) or the reduction rate of the cross-sectional area may be different from the reduction ratio of the diameter R6 or the cross-sectional area of the upper portion b2. For example, the reduction rate of the diameter R5 or the cross-sectional area of the lower portion b1 may be greater than the reduction rate of the diameter R6 or the cross-sectional area of the upper portion b2.

하단 부분(b1)과 몰딩부(150) 사이의 제1 경계면(304-1)의 기울기(θ1)는 상단 부분(b2)과 몰딩부(150) 사이의 제2 경계면(304-2)의 기울기(θ2)와 다를 수 있다. 예컨대, 제1 경계면(304-1)의 기울기(θ1)는 제2 경계면(304-2)의 기울기(θ2)보다 클 수 있다. 여기서 기울기는 리드 프레임(112,114)으로부터의 경사각일 수 있다. 파장 변환층(140-3)과 몰딩부(150) 사이의 굴절률의 차이는 도 3에서 설명한 바와 동일할 수 있다. The slope θ1 of the first boundary surface 304-1 between the lower portion b1 and the molding portion 150 is the slope of the second boundary surface 304-2 between the upper portion b2 and the molding portion 150. may be different from (θ 2). For example, the slope θ1 of the first boundary surface 304-1 may be greater than the slope θ2 of the second boundary surface 304-2. The inclination may be an inclination angle from the lead frames 112 and 114. The difference in refractive index between the wavelength conversion layer 140-3 and the molding unit 150 may be the same as described with reference to FIG. 3.

제1 및 제2 경계면들(304-1, 304-2) 각각의 직경(R5, R6)의 감소 및 파장 변환층(140-3)과 몰딩부(150) 사이의 굴절률의 차이에 의하여 실시 예는 지향각을 향상시킬 수 있다.The embodiment is caused by the reduction of the diameters R5 and R6 of the first and second boundary surfaces 304-1 and 304-2 and the difference in refractive index between the wavelength conversion layer 140-3 and the molding part 150. Can improve the orientation angle.

도 10은 제5 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100-4)의 단면도를 나타내고, 도 11은 도 10에 도시된 파장 변환층(140-4)의 직경을 나타낸다.10 is a sectional view of the light emitting device package 100-4 according to the fifth embodiment, and FIG. 11 is a diameter of the wavelength conversion layer 140-4 shown in FIG. 10.

도 10 및 도 11을 참조하면, 파장 변환층(140-4)은 하단 부분(c1) 및 상단 부분(c2)을 포함할 수 있으며, 상부 방향으로 갈수록 하단 부분(c1)의 직경(R7) 또는 단면적은 증가할 수 있고, 상단 부분(c2)의 직경(R8) 또는 단면적은 감소할 수 있다.10 and 11, the wavelength conversion layer 140-4 may include a lower portion c1 and an upper portion c2, and the diameter R7 of the lower portion c1 toward the upper direction or The cross sectional area may increase and the diameter R8 or cross sectional area of the upper portion c2 may decrease.

상부 방향으로 갈수록 하단 부분(c1)과 몰딩부(150) 사이의 제1 경계면(305-1)의 직경(R7)은 증가할 수 있고, 상단 부분(c2)과 몰딩부(150) 사이의 제2 경계면(305-2)의 직경(R8)은 감소할 수 있다. 파장 변환층(140-4)과 몰딩부(150) 사이의 굴절률의 차이는 도 3에서 설명한 바와 동일할 수 있다. The diameter R7 of the first boundary surface 305-1 between the lower portion c1 and the molding portion 150 may increase in an upward direction, and the diameter between the upper portion c2 and the molding portion 150 may increase. The diameter R8 of the two interface 305-2 may decrease. The difference in refractive index between the wavelength conversion layer 140-4 and the molding unit 150 may be the same as described with reference to FIG. 3.

제1 및 제2 경계면(305-1, 305-2) 각각의 직경(R7, R8)의 감소 및 파장 변환층(140-4)과 몰딩부(150) 사이의 굴절률의 차이에 의하여 실시 예는 지향각을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the diameters R7 and R8 of the first and second boundary surfaces 305-1 and 305-2 are reduced and the refractive index difference between the wavelength conversion layer 140-4 and the molding part 150 is different. It is possible to improve the orientation angle.

도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 14를 참조하면, 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과, 광원의 열을 방출하는 방열부(740)와, 광원(750)과 방열부(740)를 수납하는 하우징(700)과, 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.14 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment. Referring to FIG. 14, the lighting apparatus includes a light source 750 for projecting light, a heat dissipation unit 740 for dissipating heat of the light source, a housing 700 for accommodating the light source 750 and the heat dissipation unit 740, and The holder 760 couples the light source 750 and the heat dissipation part 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함할 수 있다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 may include a socket coupling portion 710 coupled to an electrical socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 built therein. One air flow port 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비될 수 있으며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.A plurality of air flow holes 720 may be provided on the body portion 730 of the housing 700, and one or more air flow holes 720 may be provided. The air flow port 720 may be disposed radially or in various forms in the body portion 730.

광원(750)은 기판(754) 상에 실장되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함할 수 있다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 발광 소자 패키지(752)는 실시 예들(100, 및 100-1 내지 100-4) 중 어느 하나일 수 있다.The light source 750 may include a plurality of light emitting device packages 752 mounted on the substrate 754. The substrate 754 may be shaped to be inserted into the opening of the housing 700, and may be made of a material having high thermal conductivity to transfer heat to the heat dissipation unit 740 as described below. For example, the light emitting device package 752 may be any one of the embodiments 100 and 100-1 to 100-4.

광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.A holder 760 is provided below the light source 750, and the holder 760 may include a frame and other air flow ports. In addition, although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge the light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750.

도 15는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치(800)를 나타낸다.15 illustrates a display device 800 including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.

도 15를 참조하면, 표시 장치(800)는 액정 표시 패널(810) 및 백라이트 유닛(820, 830)을 포함한다.Referring to FIG. 15, the display device 800 includes a liquid crystal display panel 810 and backlight units 820 and 830.

백라이트 유닛(820,830)은 바텀 커버(822), 확산판(824), 광학 시트(826), 및 발광 모듈(830)을 포함한다.The backlight units 820 and 830 include a bottom cover 822, a diffusion plate 824, an optical sheet 826, and a light emitting module 830.

확산판(824)은 바텀 커버(822)의 전면(또는 상면)에 배치될 수 있다.The diffusion plate 824 may be disposed on the front surface (or top surface) of the bottom cover 822.

광학 시트(826)는 확산판(824) 전면(또는 상면)에 배치될 수 있다. 광학 시트(826) 아래에 확산판(824)이 배치될 수 있고, 확산판(824) 아래에 바텀 커버(822)가 배치될 수 있다.The optical sheet 826 may be disposed on the front surface (or top surface) of the diffusion plate 824. A diffuser plate 824 may be disposed under the optical sheet 826, and a bottom cover 822 may be disposed under the diffuser plate 824.

발광 모듈(830)은 바텀 커버(822) 및 확산판(824) 사이에 배치될 수 있으며, 확산판(824)를 향하여 광을 조사할 수 있다. 도 8에 도시된 백라이트 유닛(820,830)은 액정 표시 패널(810)로 광을 직접 조사하도록 발광 모듈(830)이 배치되는 직하형(direct type)일 수 있다.The light emitting module 830 may be disposed between the bottom cover 822 and the diffusion plate 824, and may radiate light toward the diffusion plate 824. The backlight units 820 and 830 illustrated in FIG. 8 may be a direct type in which the light emitting module 830 is disposed to directly irradiate light to the liquid crystal display panel 810.

바텀 커버(822)는 발광 모듈(830), 확산판(824), 및 광학 시트(826)를 수납할 수 있으며, 열전도도가 좋은 금속 재료, 예컨대, 알루미늄, 아연, 구리, 철, 스테인레스 스틸 및 이들의 합금 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.The bottom cover 822 may accommodate the light emitting module 830, the diffuser plate 824, and the optical sheet 826, and have a high thermal conductivity metal material such as aluminum, zinc, copper, iron, stainless steel, and the like. It may be made of a metal such as alloys thereof.

바텀 커버(822)는 확산판(824)에 대향하는 적어도 하나의 오목부(846)를 가질 수 있으며, 발광 모듈(830)은 적어도 하나의 오목부(846)에 배치될 수 있다. 이때 적어도 하나의 오목부(846)는 바텀 커버(822)의 일측 방향으로 진행하는 라인 형태, 또는 트랜치(trench) 형태의 홈일 수 있다.The bottom cover 822 may have at least one recess 846 facing the diffuser plate 824, and the light emitting module 830 may be disposed in the at least one recess 846. In this case, the at least one concave portion 846 may be a groove in the form of a line or a trench that runs in one direction of the bottom cover 822.

바텀 커버(822)는 지지부(842), 바닥부(844), 및 오목부(846)로 구분될 수 있다. 지지부(842)는 바텀 커버(822)의 가장 자리 부분일 수 있으며, 확산판(824)의 가장 자리 부분을 지지할 수 있다. 바닥부(844)는 확산판(824)과 대향하는 부분으로 적어도 하나의 오목부(846)를 가질 수 있다.The bottom cover 822 may be divided into a support 842, a bottom 844, and a recess 846. The support 842 may be an edge portion of the bottom cover 822 and may support an edge portion of the diffusion plate 824. The bottom portion 844 may have at least one recess 846 as a portion facing the diffuser plate 824.

지지부(842)는 오목부(846)에 배치되는 발광 모듈(830)과 확산판(824) 사이에 일정한 에어 갭(air gap)을 갖도록 하기 위하여 바닥부(844)와 단차를 가질 수 있다. 예컨대, 지지부(842)는 확산판(824)의 하면 가장 자리와 접촉할 수 있고, 바닥부(844)는 확산판(824)의 하면과 이격하 수 있으며, 발광 모듈(830)이 배치되는 오목부(846)의 바닥은 바닥부(844)보다 확산판(824)의 하면으로부터 더 이격될 수 있다.The support 842 may have a step with the bottom 844 so as to have a constant air gap between the light emitting module 830 and the diffusion plate 824 disposed in the recess 846. For example, the support part 842 may contact the bottom edge of the diffusion plate 824, the bottom part 844 may be spaced apart from the bottom surface of the diffusion plate 824, and the concave in which the light emitting module 830 is disposed. The bottom of the portion 846 may be further spaced from the bottom surface of the diffuser plate 824 than the bottom portion 844.

발광 모듈(830)은 회로 기판(834), 광원(832), 및 적어도 하나의 전극 단자(836-1, 836-2)를 포함할 수 있다. 광원(832)은 발광 소자 패키지일 수 있으며, 실시 예들(100, 100-1 내지 100-4) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module 830 may include a circuit board 834, a light source 832, and at least one electrode terminal 836-1 and 836-2. The light source 832 may be a light emitting device package, and may be any one of the embodiments 100, 100-1 to 100-4.

회로 기판(834)은 오목부(846)의 바닥과 접하도록 배치될 수 있다. 적어도 하나의 전극 단자, 예컨대, 제1 전극 단자(836-1) 및 제2 전극 단자(836-2)는 회로 기판(834)에 양(+)의 전원 및 음(-)의 전원을 공급하기 위하여 일단이 회로 기판(834)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 다른 일단은 오목부(846)의 바닥을 관통하여 바텀 커버(822) 밖으로 개방될 수 있다. 그리고 바텀 커버(822) 밖으로 개방되는 제1 전원 단자(836-1)에는 양(+)의 전원이 공급되고, 제2 전원 단자(836-2)에는 음(-)의 전원이 공급될 수 있다.The circuit board 834 may be disposed to contact the bottom of the recess 846. The at least one electrode terminal, for example, the first electrode terminal 836-1 and the second electrode terminal 836-2, supplies a positive power and a negative power to the circuit board 834. One end may be electrically connected to the circuit board 834, and the other end may be opened out of the bottom cover 822 through the bottom of the recess 846. In addition, positive power may be supplied to the first power terminal 836-1 that is opened outside the bottom cover 822, and negative power may be supplied to the second power terminal 836-2. .

예컨대, 바텀 커버(822)의 오목부(846)는 관통 홀들(미도시)을 가지며, 제1 전극 단자(836-1) 및 제2 전극 단자(836-2)는 오목부(826)의 관통홀들을 통하여 바텀 커버(822) 밖으로 개방될 수 있다.For example, the recess 846 of the bottom cover 822 has through holes (not shown), and the first electrode terminal 836-1 and the second electrode terminal 836-2 pass through the recess 826. It may be opened out of the bottom cover 822 through the holes.

광학 시트(826)는 프리즘 시트, 광확산 필름, 광 반사 필름, 편광 필름, 반사형 편광 필름, 위상차 필름, 및 전자파 차폐 필름 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 액정 표시 패널(810)은 광학 시트(826)의 전면(또는 상부)에 배치된다. 지향각이 넓은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 구비하는 백라이트 유닛(820, 830)은 도광판(824)에 균일하게 빛을 조사할 수 있다.The optical sheet 826 may include at least one of a prism sheet, a light diffusing film, a light reflecting film, a polarizing film, a reflective polarizing film, a retardation film, and an electromagnetic shielding film, but is not limited thereto. The liquid crystal display panel 810 is disposed on the front surface (or top) of the optical sheet 826. The backlight units 820 and 830 including the light emitting device packages according to the wide viewing angle may uniformly irradiate light onto the light guide plate 824.

도 16은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 16을 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.16 illustrates a head lamp 900 including a light emitting device package according to an embodiment. Referring to FIG. 16, the head lamp 900 includes a light emitting module 901, a reflector 902, a shade 903, and a lens 904.

발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 이때 발광 모듈(901)에 포함되는 발광 소자 패키지는 실시 예들(100, 100-1 내지 100-4) 중 어느 하나일 수 있다. The light emitting module 901 may include a light emitting device package disposed on a substrate (not shown). In this case, the light emitting device package included in the light emitting module 901 may be any one of the embodiments 100, 100-1 to 100-4.

리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킬 수 있다.The reflector 902 may reflect light 911 emitted from the light emitting module 901 in a predetermined direction, for example, the front 912.

쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.The shade 903 is disposed between the reflector 902 and the lens 904, and a member that blocks or reflects a portion of the light reflected by the reflector 902 toward the lens 904 to achieve a light distribution pattern desired by the designer. As one side, the one side portion 903-1 and the other side portion 903-2 of the shade 903 may have different heights.

발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.Light irradiated from the light emitting module 901 may be reflected by the reflector 902 and the shade 903 and then transmitted through the lens 904 toward the front of the vehicle body. The lens 904 may deflect forward light reflected by the reflector 902.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to such a combination and modification are included in the scope of the present invention.

110: 패키지 몸체 112: 제1 리드 프레임
114: 제2 리드 프레임 120: 발광 소자
132,134: 와이어 140: 파장 변환층
150: 몰딩부 160: 차광층.110: package body 112: first lead frame
114: second lead frame 120: light emitting element
132, 134: wire 140: wavelength conversion layer
150: molding portion 160: light shielding layer.

Claims (10)

리드 프레임;
상기 리드 프레임 상에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자를 포위하도록 상기 리드 프레임 상에 배치되고 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛의 파장을 변환하는 파장 변환층; 및
상기 파장 변환층을 포위하도록 상기 리드 프레임 상에 배치되는 몰딩부; 및
상기 몰딩부 상에 상기 파장 변환층과 이격되어 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛이 상기 몰딩부의 상부 방향으로 투과되는 것을 차단하는 차광층을 포함하며,
상기 파장 변환층은 적어도 일 부분이 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소하고, 상기 파장 변환층은 원뿔, 또는 다각뿔 형상을 가지며,
상기 몰딩부의 굴절률은 상기 파장 변환층의 굴절률과 다르고,
상기 파장 변환층과 상기 몰딩부 사이의 경계면의 직경은 상부 방향으로 갈수록 감소하고,
원뿔 또는 다각뿔 형상을 갖는 상기 파장 변환층의 꼭지점은 수직 방향으로 상기 차광층 및 상기 발광 소자와 중첩되는 발광 소자 패키지.Lead frame;
A light emitting element disposed on the lead frame;
A wavelength conversion layer disposed on the lead frame to surround the light emitting element and converting a wavelength of light irradiated from the light emitting element; And
A molding part disposed on the lead frame to surround the wavelength conversion layer; And
A light blocking layer disposed on the molding part and spaced apart from the wavelength conversion layer, and configured to block light emitted from the light emitting device from being transmitted upwardly of the molding part;
At least one portion of the wavelength conversion layer decreases in diameter toward the upper direction, and the wavelength conversion layer has a conical or polygonal shape.
The refractive index of the molding part is different from the refractive index of the wavelength conversion layer,
The diameter of the interface between the wavelength conversion layer and the molding portion decreases toward the upper direction,
A vertex of the wavelength conversion layer having a conical or polygonal pyramid shape overlaps the light blocking layer and the light emitting device in a vertical direction. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 파장 변환층은 형광체를 포함하고,
상기 파장 변환층의 수평 방향으로의 단면의 최대 길이는 상기 차광층의 상기 수평 방향으로의 단면의 최대 길이보다 크고,
상기 파장 변환층과 상기 몰딩부 사이의 경계면의 직경은 비선형적으로 감소하고, 상기 경계면은 곡면인 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The wavelength conversion layer includes a phosphor,
The maximum length of the cross section in the horizontal direction of the wavelength conversion layer is greater than the maximum length of the cross section in the horizontal direction of the light shielding layer,
The diameter of the interface between the wavelength conversion layer and the molding portion is non-linearly reduced, the interface is a curved light emitting device package. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환층은,
하부에서 상부 방향으로 순차적으로 배치되는 제1 내지 제n 부분들(n>1인 자연수)을 포함하고,
상기 제1 내지 제n 부분들(n>1인 자연수) 중 적어도 하나의 직경은 상부 방향으로 갈수록 감소하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1, wherein the wavelength conversion layer,
First to nth parts (n> 1 natural number) disposed sequentially from the bottom to the upper direction,
The light emitting device package of claim 1, wherein a diameter of at least one of the first to nth portions (n> 1 is a natural number) decreases in an upward direction. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환층은,
하단 부분; 및
상기 하단 부분 상에 위치하는 상단 부분을 포함하고,
상부 방향으로 갈수록 상기 하단 부분의 직경은 일정하고, 상기 상단 부분의 직경은 상부 방향으로 갈수록 감소하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1, wherein the wavelength conversion layer,
Bottom part; And
A top portion located on the bottom portion,
The diameter of the lower portion is constant toward the upper direction, the diameter of the upper portion decreases toward the upper direction. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 파장 변환층은,
하단 부분; 및
상기 하단 부분 상에 위치하는 상단 부분을 포함하고,
상기 상단 부분 및 상기 하단 부분은 상부 방향으로 갈수록 직경이 감소하고, 상기 하단 부분의 직경의 감소율은 상기 상단 부분의 직경의 감소율과 서로 다른 발광 소자 패키지.The method of claim 1, wherein the wavelength conversion layer,
Bottom part; And
A top portion located on the bottom portion,
The upper portion and the lower portion are reduced in diameter toward the upper direction, the reduction rate of the diameter of the lower portion is different from the reduction rate of the diameter of the upper portion of the light emitting device package. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환층은,
하단 부분; 및
상기 하단 부분 상에 위치하는 상단 부분을 포함하고,
상부 방향으로 갈수록 상기 하단 부분의 직경은 증가하고, 상기 상단 부분의 직경은 감소하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1, wherein the wavelength conversion layer,
Bottom part; And
A top portion located on the bottom portion,
The diameter of the lower portion increases, the diameter of the upper portion decreases toward the upper direction. 삭제delete
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