KR102432586B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시 예의 발광 소자 패키지는, 발광 소자와, 발광 소자 위에 배치된 렌즈와, 렌즈의 탑면에 배치되어 발광 소자로부터 방출되어 렌즈를 경유한 광을 반사시키는 반사층을 포함한다.The light emitting device package of the embodiment includes a light emitting device, a lens disposed on the light emitting device, and a reflective layer disposed on the top surface of the lens to reflect light emitted from the light emitting device and passing through the lens.

Description

발광 소자 패키지{Light emitting device package}Light emitting device package

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.A light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) is a type of semiconductor device that converts electricity into infrared or light by using the characteristics of a compound semiconductor to send and receive signals or used as a light source.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.A group III-V nitride semiconductor is attracting attention as a core material for a light emitting device such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD) due to its physical and chemical properties.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다. 전술한 발광 소자 및 그 위에 배치된 렌즈를 포함하는 기존의 발광 소자 패키지를 이용한 현재 조명 장치의 가격 경쟁이 심화되고 있다. 따라서, 조명 장치의 가격 절감을 위해서, 발광 소자 패키지의 크기가 작아질 필요성이 있다.Since these light emitting diodes do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in conventional lighting fixtures such as incandescent and fluorescent lamps, they have excellent eco-friendliness, and have advantages such as long lifespan and low power consumption characteristics. are replacing them Currently, price competition in lighting devices using the conventional light emitting device package including the above-described light emitting device and a lens disposed thereon is intensifying. Therefore, in order to reduce the cost of the lighting device, it is necessary to reduce the size of the light emitting device package.

실시 예는 작은 크기의 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a small size.

실시 예에 의한 발광 소자 패키지는, 발광 소자; 상기 발광 소자 위에 배치된 렌즈; 및 상기 렌즈의 탑면에 배치되어, 상기 발광 소자로부터 방출되어 상기 렌즈를 경유한 광을 반사시키는 반사층을 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a light emitting device; a lens disposed over the light emitting element; and a reflective layer disposed on the top surface of the lens to reflect light emitted from the light emitting device and passing through the lens.

예를 들어, 상기 발광 소자로부터 방출된 광은 상기 발광 소자의 상부와 측부를 통해 출사되고, 상기 렌즈는 상기 발광 소자의 상기 상부 및 상기 측부를 감싸면서 상기 발광 소자와 일체로 형성될 수 있다.For example, the light emitted from the light emitting device may be emitted through an upper portion and a side portion of the light emitting device, and the lens may be integrally formed with the light emitting device while enclosing the upper portion and the side portion of the light emitting device.

예를 들어, 상기 렌즈의 상기 탑면은 곡면 또는 평평한 면 중 적어도 하나를 포함하는 리세스부를 포함할 수 있다.For example, the top surface of the lens may include a recess including at least one of a curved surface or a flat surface.

예를 들어, 상기 리세스부는 곡면을 갖고, 상기 리세스부의 곡률 반경과 상기 반사층의 곡률 반경은 서로 동일할 수 있다. 또는, 상기 리세스부는 평평한 면을 갖고, 상기 발광 소자의 광축을 기준으로 상기 리세스부가 경사진 각도와 상기 반사층이 경사진 각도는 서로 동일할 수 있다.For example, the recess may have a curved surface, and a radius of curvature of the recess may be equal to a radius of curvature of the reflective layer. Alternatively, the recess may have a flat surface, and an angle at which the recess is inclined with respect to an optical axis of the light emitting device and an angle at which the reflective layer is inclined may be the same.

예를 들어, 상기 리세스부의 중심은 상기 발광 소자의 광축 상에 위치할 수 있다.For example, the center of the recess may be located on an optical axis of the light emitting device.

예를 들어, 상기 반사층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, 또는 TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 이루어지거나 DBR을 포함할 수 있다.For example, the reflective layer may be made of a metal or alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, or TiO 2 or include DBR. can

예를 들어, 상기 반사층의 반사율은 30% 내지 80%일 수 있다.For example, the reflectance of the reflective layer may be 30% to 80%.

예를 들어, 상기 반사층은 상기 렌즈의 탑면에 코팅된 형태로 배치될 수 있다.For example, the reflective layer may be disposed in the form of a coating on the top surface of the lens.

예를 들어, 상기 리세스부의 최저 정점의 높이는 상기 발광 소자의 높이보다 0.5㎜ 이상 더 클 수 있다. 상기 리세스부의 최저 정점의 높이는 0.35㎜ 내지 0.8㎜일 수 있다.For example, the height of the lowest apex of the recess may be 0.5 mm or more greater than the height of the light emitting device. The height of the lowest apex of the recess may be 0.35 mm to 0.8 mm.

예를 들어, 상기 렌즈의 최대 높이는 상기 리세스부의 최저 정점의 높이보다 0.2㎜ 이상 더 클 수 있다. 상기 렌즈의 최대 높이는 0.55 ㎜ 내지 1㎜일 수 있다.For example, the maximum height of the lens may be greater than the height of the lowest apex of the recess by 0.2 mm or more. The maximum height of the lens may be 0.55 mm to 1 mm.

예를 들어, 상기 렌즈의 직경은 상기 발광 소자의 길이 이상일 수 있다. 상기 렌즈의 직경은 1.4㎜일 수 있다.For example, the diameter of the lens may be greater than or equal to the length of the light emitting device. The diameter of the lens may be 1.4 mm.

예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 반사층의 위에 배치되며 상기 렌즈의 상기 탑면과 접촉하는 보호층을 더 포함할 수 있다. 상기 보호층은 상기 반사층의 상부와 측부를 감싸도록 배치될 수 있다.For example, the light emitting device package may further include a protective layer disposed on the reflective layer and in contact with the top surface of the lens. The passivation layer may be disposed to surround an upper portion and a side portion of the reflective layer.

예를 들어, 상기 반사층은 상기 렌즈의 탑면의 가장 자리를 제외한 중앙에 배치되고, 상기 보호층은 상기 렌즈의 탑면의 가장 자리와, 상기 반사층의 측부, 및 상기 반사층의상부 가장 자리에 배치될 수 있다.For example, the reflective layer may be disposed in the center except for the edge of the top surface of the lens, and the protective layer may be disposed at the edge of the top surface of the lens, the side of the reflective layer, and the upper edge of the reflective layer. have.

다른 실시 예에 의한 조명 장치는, 상기 발광 소자 패키지; 및 상기 발광 소자 패키지의 상부에 배치된 광학 부재를 포함할 수 있다.A lighting device according to another embodiment includes the light emitting device package; and an optical member disposed on the light emitting device package.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치는 렌즈의 중앙에 암부를 발생시키지 않으며 넓은 광 조도 분포 영역을 가지며 지향각이 높고, 제조 원가를 절감시키며, 광속을 개선시키며 체적이 감소하여 제조 원가를 더욱 절감시킬 수 있고, 제조 공정을 단순화시키며, 제조 공정에 소요되는 시간을 단축시키며 슬림화되어 디자인을 개선시킬 수 있다.The light emitting device package and the lighting device including the same according to the embodiment do not generate a dark part in the center of the lens, have a wide illuminance distribution area, have a high directivity angle, reduce manufacturing cost, improve luminous flux, and reduce volume The cost can be further reduced, the manufacturing process can be simplified, the time required for the manufacturing process can be shortened, and the design can be improved by being slimmed down.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 상부 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 I-I' 선을 따라 절개한 발광 소자 패키지의 일 실시 예의 단면도를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자의 실시 예에 의한 단면도를 나타낸다.
도 4는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 5는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 6은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 7은 일 실시 예에 의한 조명 장치의 단면도를 나타낸다.
도 8a 및 도 8b는 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면 이미지 및 지향각 분포를 각각 나타낸다.1 is a top perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device package cut along line II′ shown in FIG. 1 .
3A to 3C are cross-sectional views illustrating the light emitting device shown in FIGS. 1 and 2 according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
5 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
7 is a cross-sectional view of a lighting device according to an embodiment.
8A and 8B show a planar image and a beam angle distribution of a light emitting device package according to an embodiment, respectively.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings to help the understanding of the present invention, examples will be described in detail. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided in order to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

본 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of this embodiment, in the case where it is described as being formed on "on or under" of each element, above (above) or below (below) ( on or under includes both elements in which two elements are in direct contact with each other or in which one or more other elements are disposed between the two elements indirectly.

또한 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when expressed as "up (up)" or "down (on or under)", a meaning of not only an upward direction but also a downward direction may be included based on one element.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.Also, as used hereinafter, relational terms such as “first” and “second,” “top/top/top” and “bottom/bottom/bottom” refer to any physical or logical relationship between such entities or elements or It may be used only to distinguish one entity or element from another, without requiring or implying an order.

실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D) 및 조명 장치(200)는 데카르트 좌표계를 이용하여 설명되지만, 다른 좌표계를 이용하여 설명될 수 있음은 물론이다. 데카르트 좌표계에서, 각 도면에 도시된 x축과, y축과, z축은 서로 직교할 수도 있고 교차할 수도 있다.Although the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment and the lighting device 200 are described using a Cartesian coordinate system, of course, they may be described using other coordinate systems. In the Cartesian coordinate system, the x-axis, y-axis, and z-axis shown in each figure may be orthogonal to each other or may intersect.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)의 상부 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 I-I' 선을 따라 절개한 발광 소자 패키지의 일 실시 예(100A)의 단면도를 나타낸다. 이해를 돕기 위해, 도 1에서 렌즈(120)의 내부에 배치된 발광 소자(110)를 점선으로 표기한다. 또한, 도 1에서 I-I'선은 광축 방향인 z축 방향과 수직인 y축 방향으로의 렌즈(120)의 폭의 중심을 지나간다.FIG. 1 is a top perspective view of a light emitting device package 100A according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of an embodiment 100A of the light emitting device package cut along the line I-I' shown in FIG. 1 . For better understanding, in FIG. 1 , the light emitting device 110 disposed inside the lens 120 is indicated by a dotted line. Also, in FIG. 1, the line I-I' passes through the center of the width of the lens 120 in the y-axis direction perpendicular to the z-axis direction, which is the optical axis direction.

도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)는 발광 소자(110), 렌즈(120) 및 반사층(130)을 포함할 수 있다.The light emitting device package 100A illustrated in FIGS. 1 and 2 may include a light emitting device 110 , a lens 120 , and a reflective layer 130 .

발광 소자(110)는 광을 방출하는 광원이며, 실시 예는 발광 소자(110)로부터 방출되는 광의 파장 대역에 국한되지 않는다. 또한, 발광 소자(110)는 측부와 상부를 통해 광을 방출할 수 있다. 만일, 발광 소자(110)가 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 육면체일 경우, 발광 소자(110)는 하나의 상부면과 네 개의 측부면을 통해 광을 방출하는 5면 발광형 소자일 수 있다.The light emitting device 110 is a light source emitting light, and embodiments are not limited to a wavelength band of light emitted from the light emitting device 110 . In addition, the light emitting device 110 may emit light through the side and the top. If the light emitting device 110 is a hexahedron as shown in FIGS. 1 and 2, the light emitting device 110 may be a five-sided light emitting device that emits light through one upper surface and four side surfaces. have.

또한, 발광 소자(110)는 수직형 본딩 구조, 수평형 본딩 구조 또는 플립칩형 본딩 구조 중 어느 하나일 수 있으나, 실시 예는 발광 소자(110)의 본딩 구조에 국한되지 않는다.In addition, the light emitting device 110 may have any one of a vertical bonding structure, a horizontal bonding structure, and a flip chip bonding structure, but the embodiment is not limited to the bonding structure of the light emitting device 110 .

발광 소자(110)가 어떠한 본딩 구조를 갖는가에 관계없이 발광 소자(110)는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.Regardless of the bonding structure of the light emitting device 110 , the light emitting device 110 may include a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer.

또한, 발광 소자(110)는 발광 다이오드로 구현될 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device 110 may be implemented as a light emitting diode, and at least one of a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light or a UV light emitting diode that emits ultraviolet rays (UV, UltraViolet), respectively. may include

도 3a 내지 도 3c는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자(110)의 실시 예(110A, 110B, 110C)에 의한 단면도를 나타낸다.3A to 3C are cross-sectional views illustrating embodiments 110A, 110B, and 110C of the light emitting device 110 shown in FIGS. 1 and 2 .

도 3a에 도시된 발광 소자(110A)는 수평형 본딩 구조의 일 례를 나타낸다. 도 3a에 도시된 발광 소자(110A)는 기판(112A), 발광 구조물(114A), 제1 및 제2 전극(116A, 116B)을 포함할 수 있다.The light emitting device 110A illustrated in FIG. 3A shows an example of a horizontal bonding structure. The light emitting device 110A illustrated in FIG. 3A may include a substrate 112A, a light emitting structure 114A, and first and second electrodes 116A and 116B.

기판(112A)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한, 기판(112A)은 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있으나, 실시 예는 기판(112A)의 특정한 물질에 국한되지 않는다. 또한, 이러한 기판(112A)의 상면에는 요철 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The substrate 112A may be formed of a carrier wafer, a material suitable for semiconductor material growth. In addition, the substrate 112A may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and includes at least one of sapphire (Al 2 0 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 0 3 , and GaAs. material, but the embodiment is not limited to a specific material of the substrate 112A. In addition, a concave-convex pattern (not shown) may be formed on the upper surface of the substrate 112A.

기판(112A)과 발광 구조물(114A) 간의 열 팽창 계수(CTE:Coefficient of Thermal Expansion)의 차이 및 격자 부정합을 개선하기 위해, 이들(112A, 114A) 사이에 버퍼층(또는, 전이층)(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 버퍼층은 예를 들어 Al, In, N 및 Ga로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다. 또한, 버퍼층은 단층 또는 다층 구조를 가질 수도 있다.In order to improve a difference in coefficient of thermal expansion (CTE) and lattice mismatch between the substrate 112A and the light emitting structure 114A, a buffer layer (or a transition layer) (not shown) between the substrate 112A and 114A. ) may be further arranged. The buffer layer may include, for example, at least one material selected from the group consisting of Al, In, N, and Ga, but is not limited thereto. In addition, the buffer layer may have a single-layer or multi-layer structure.

발광 구조물(114A)은 기판(112A) 위에 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광 구조물(114A)은 기판(112A) 위에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층(114A-1), 활성층(114A-2) 및 제2 도전형 반도체층(114A-3)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 114A may be disposed on the substrate 112A. For example, the light emitting structure 114A may include a first conductivity type semiconductor layer 114A-1, an active layer 114A-2, and a second conductivity type semiconductor layer 114A-3 sequentially disposed on a substrate 112A. may include

제1 도전형 반도체층(114A-1)은 기판(112A) 위에 배치된다. 제1 도전형 반도체층(114A-1)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(114A-1)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity type semiconductor layer 114A-1 is disposed on the substrate 112A. The first conductivity-type semiconductor layer 114A-1 may be implemented with a compound semiconductor of group III-V or group II-VI doped with a first conductivity-type dopant. When the first conductivity-type semiconductor layer 114A-1 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant is an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, and Te, but is not limited thereto.

예를 들어, 제1 도전형 반도체층(114A-1)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(114A-1)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 114A-1 has a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may include a semiconductor material having The first conductivity type semiconductor layer 114A-1 may include any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, and InP. .

활성층(114A-2)은 제1 도전형 반도체층(114A-1)과 제2 도전형 반도체층(114A-3) 사이에 배치될 수 있다. 활성층(114A-2)은 제1 도전형 반도체층(114A-1)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(114A-3)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(114A-2)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(114A-2)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW:Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 114A-2 may be disposed between the first conductivity-type semiconductor layer 114A-1 and the second conductivity-type semiconductor layer 114A-3. The active layer 114A-2 includes electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 114A-1 and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 114A-3. It is a layer that meets each other and emits light having an energy determined by an inherent energy band of a material constituting the active layer 114A-2. The active layer 114A-2 may have a single well structure, a multi-well structure, a single quantum well structure, a multi-quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. At least one may be formed.

활성층(114A-2)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer/barrier layer of the active layer 114A-2 is formed in a pair structure of at least one of InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs (InGaAs)/AlGaAs, and GaP (InGaP)/AlGaP. may be, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a bandgap energy lower than the bandgap energy of the barrier layer.

활성층(114A-2)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(114A-2)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다. 또한, 실시 예는 활성층(114A-2)에서 방출되는 광의 파장 대역에 국한되지 않는다.A conductive cladding layer (not shown) may be formed on and/or under the active layer 114A-2. The conductive cladding layer may be formed of a semiconductor having a bandgap energy higher than that of the barrier layer of the active layer 114A-2. For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, or a superlattice structure. In addition, the conductivity-type cladding layer may be doped with n-type or p-type. Also, the embodiment is not limited to a wavelength band of light emitted from the active layer 114A-2.

제2 도전형 반도체층(114A-3)은 활성층(114A-2) 위에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114A-3)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(114A-3)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114A-3)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114A-3)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 114A-3 may be disposed on the active layer 114A-2. The second conductivity type semiconductor layer 114A-3 may be formed of a semiconductor compound, and may be implemented with a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI. For example, the second conductivity type semiconductor layer 114A-3 has a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may include a semiconductor material. The second conductivity type semiconductor layer 114A - 3 may be doped with a second conductivity type dopant. When the second conductivity-type semiconductor layer 114A-3 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like.

제1 도전형 반도체층(114A-1)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(114A-3)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(114A-1)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(114A-3)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 114A-1 may be implemented as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 114A-3 may be implemented as a p-type semiconductor layer. Alternatively, the first conductivity-type semiconductor layer 114A-1 may be implemented as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 114A-3 may be implemented as an n-type semiconductor layer.

발광 구조물(114A)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.The light emitting structure 114A may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

제1 전극(116A)은 메사 식각(mesa etching)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(114A-1) 위에 배치될 수 있다. 이를 위해, 제2 도전형 반도체층(114A-3), 활성층(114A-2) 및 제1 도전형 반도체층(114A-1)의 일부를 메사 식각하여 제1 도전형 반도체층(114A-1)을 노출시킬 수 있다.The first electrode 116A may be disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 114A-1 exposed by mesa etching. To this end, a portion of the second conductivity type semiconductor layer 114A-3, the active layer 114A-2, and the first conductivity type semiconductor layer 114A-1 is mesa-etched to form the first conductivity type semiconductor layer 114A-1. can be exposed.

제1 전극(116A)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행함으로써 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 전극(116A) 위 또는 아래에 배치될 수도 있다.Since the first electrode 116A includes a material in ohmic contact to perform an ohmic role, a separate ohmic layer (not shown) may not need to be disposed, and a separate ohmic layer may be disposed above or below the first electrode 116A. may be placed in

제2 전극(116B)은 제2 도전형 반도체층(114A-3) 위에 배치되어, 제2 도전형 반도체층(114A-3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(116B)은 투명 전극층(미도시)을 포함할 수 있다. 투명 전극층은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수 있다. 예를 들어, 투명 전극층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.The second electrode 116B may be disposed on the second conductivity-type semiconductor layer 114A-3 to be electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 114A-3. The second electrode 116B may include a transparent electrode layer (not shown). The transparent electrode layer may be a transparent conductive oxide (TCO). For example, the transparent electrode layer includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin (IGTO). oxide), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO. may include, but is not limited to these materials.

제2 전극(116B)은 오믹 특성을 가질 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(114A-3)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 만일, 제2 전극(116B)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.The second electrode 116B may have an ohmic characteristic and may include a material in ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layer 114A-3. If the second electrode 116B performs an ohmic role, a separate ohmic layer (not shown) may not be formed.

제1 및 제2 전극(116A, 116B) 각각은 활성층(114A-2)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 투과시킬 수 있고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(114A-1, 114A-3) 상에 각각 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(116A, 116B) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.Each of the first and second electrodes 116A and 116B may transmit light emitted from the active layer 114A-2 without absorbing it, and the first and second conductivity-type semiconductor layers 114A-1 and 114A-3 may each be transmitted. It can be formed of any material that can each be grown in good quality on each phase. For example, each of the first and second electrodes 116A and 116B may be formed of a metal, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and their It can be done in optional combinations.

이때, 제1 및 제2 와이어(118A, 118B)는 제1 및 제2 전극(116A, 116B)을 후술되는 도 7에 도시된 회로 기판(152)에 전기적으로 연결하는 역할을 한다.In this case, the first and second wires 118A and 118B serve to electrically connect the first and second electrodes 116A and 116B to the circuit board 152 shown in FIG. 7 to be described later.

도 3b에 도시된 발광 소자(110B)는 수직형 본딩 구조의 일 례를 나타낸다. 도 3a에 도시된 발광 소자(110B)는 지지 기판(112B), 반사부(113), 발광 구조물(114B), 제1 전극(116A)을 포함할 수 있다.The light emitting device 110B shown in FIG. 3B shows an example of a vertical bonding structure. The light emitting device 110B illustrated in FIG. 3A may include a supporting substrate 112B, a reflective part 113 , a light emitting structure 114B, and a first electrode 116A.

지지 기판(112B)은 발광 구조물(114B)을 지지한다. 지지 기판(112B)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한, 지지 기판(112B)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지 기판(112B)은 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.The support substrate 112B supports the light emitting structure 114B. The support substrate 112B may be formed of a metal or a semiconductor material. In addition, the support substrate 112B may be formed of a material having high electrical conductivity and thermal conductivity. For example, the support substrate 112B may include at least one of copper (Cu), a copper alloy (Cu alloy), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper-tungsten (Cu-W). It may be a metal material or a semiconductor including at least one of Si, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

지지 기판(112B) 위에 반사부(113)가 더 배치될 수 있다. 지지 기판(112B)은 도 3a에 도시된 제2 전극(116B)의 역할을 수행할 수 있다.A reflective part 113 may be further disposed on the support substrate 112B. The support substrate 112B may serve as the second electrode 116B illustrated in FIG. 3A .

반사부(113)는 발광 구조물(114B)의 활성층(114B-2)으로부터 방출되어 상부로(즉, +z축 방향으로) 출사되지 않고 지지 기판(112B)으로 향하는(즉, -z축 방향으로 향하는) 광을 반사시키는 역할을 한다. 즉, 반사부(113)는 발광 구조물(114B)로부터 입사되는 광을 반사시킴으로서, 발광 소자(110B)의 광 추출 효율을 개선시킬 수 있다.The reflector 113 is emitted from the active layer 114B-2 of the light emitting structure 114B and is directed toward the support substrate 112B (ie, in the -z-axis direction) without being emitted upward (ie, in the +z-axis direction). It serves to reflect light. That is, the reflector 113 reflects the light incident from the light emitting structure 114B, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device 110B.

반사부(113)는 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 또한, 반사부(113)는 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.The reflective part 113 may be formed of a light reflective material, for example, a metal or alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf, Examples are not limited thereto. In addition, the reflective part 113 may be formed in a multi-layer using a metal or alloy and a light-transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO, for example, IZO/Ni, AZO/ It can be formed of Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, or the like.

비록 도시되지는 않았지만, 오믹층(미도시)이 반사부(113)과 제2 도전형 반도체층(114B-3) 사이에 더 배치될 수 있다. 이 경우, 오믹층은 제2 도전형 반도체층(114B-3)에 오믹 접촉되어, 발광 구조물(114B)에 전원이 원활히 공급되도록 하는 역할을 수행할 수 있다.Although not shown, an ohmic layer (not shown) may be further disposed between the reflective part 113 and the second conductivity type semiconductor layer 114B-3. In this case, the ohmic layer may be in ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layer 114B-3 to serve to smoothly supply power to the light emitting structure 114B.

도 3b의 경우 발광 소자(110B)가 반사부(113)을 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 경우에 따라 반사부(113)는 생략될 수도 있다.In the case of FIG. 3B , the light emitting device 110B is illustrated as including the reflective part 113 , but the embodiment is not limited thereto. That is, in some cases, the reflection unit 113 may be omitted.

발광 구조물(114B)은 반사부(113) 위에 배치될 수 있다. 발광 구조물(114B)은 반사부(113) 위에 순차적으로 배치된 제2 도전형 반도체층(114B-3), 활성층(114B-2) 및 제1 도전형 반도체층(114B-1)을 포함할 수 있다. 여기서, 도 3b에 도시된 제1 도전형 반도체층(114B-1), 활성층(114B-2) 및 제2 도전형 반도체층(114B-3)은 도 3a에 도시된 제1 도전형 반도체층(114A-1), 활성층(114A-2) 및 제2 도전형 반도체층(114A-3)과 각각 동일한 기능을 수행하므로, 중복되는 설명을 생략한다.The light emitting structure 114B may be disposed on the reflective part 113 . The light emitting structure 114B may include a second conductivity type semiconductor layer 114B-3, an active layer 114B-2, and a first conductivity type semiconductor layer 114B-1 sequentially disposed on the reflection unit 113 . have. Here, the first conductivity type semiconductor layer 114B-1, the active layer 114B-2, and the second conductivity type semiconductor layer 114B-3 shown in FIG. 3B are the first conductivity type semiconductor layer ( 114A-1), the active layer 114A-2, and the second conductivity type semiconductor layer 114A-3 each perform the same function, and thus overlapping descriptions will be omitted.

제1 전극(118A)은 발광 구조물(114B)의 제1 도전형 반도체층(114B-1) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(118A)은 도 3a에 도시된 제1 전극(118A)의 역할을 수행할 수 있다. 비록 도시되지는 않았지만 제1 전극(118B)은 소정의 패턴 형상을 가질 수도 있다. 또한 제1 도전형 반도체층(114B-1)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)을 가질 수 있다. 또한, 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(118A)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The first electrode 118A may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 114B-1 of the light emitting structure 114B. The first electrode 118A may serve as the first electrode 118A illustrated in FIG. 3A . Although not shown, the first electrode 118B may have a predetermined pattern shape. In addition, the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 114B-1 may have a roughness pattern (not shown) to increase light extraction efficiency. Also, a roughness pattern (not shown) may be formed on the upper surface of the first electrode 118A in order to increase light extraction efficiency.

도 3c를 참조하면, 플립 칩 본딩 구조의 발광 소자(110C)는 기판(112C), 발광 구조물(114C), 제1 및 제2 전극(116A, 116B)를 포함할 수 있다. 여기서, 기판(112C), 발광 구조물(114C), 제1 및 제2 전극(116A, 116B)은 도 3a에 도시된 기판(112A), 발광 구조물(114A), 제1 및 제2 전극(116A, 116B)과 각각 동일한 역할을 수행하므로, 여기서 중복되는 설명을 생략한다. 즉, 도 3c에 도시된 제1 도전형 반도체층(114C-1), 활성층(114C-2) 및 제2 도전형 반도체층(114C-3)은 도 3a에 도시된 제1 도전형 반도체층(114A-1), 활성층(114A-2) 및 제2 도전형 반도체층(114A-3)과 각각 동일한 역할을 수행한다.Referring to FIG. 3C , the light emitting device 110C having a flip chip bonding structure may include a substrate 112C, a light emitting structure 114C, and first and second electrodes 116A and 116B. Here, the substrate 112C, the light emitting structure 114C, the first and second electrodes 116A and 116B are the substrate 112A, the light emitting structure 114A, the first and second electrodes 116A, 116B), respectively, and thus redundant descriptions are omitted here. That is, the first conductivity type semiconductor layer 114C-1, the active layer 114C-2, and the second conductivity type semiconductor layer 114C-3 shown in FIG. 3C are the first conductivity type semiconductor layer ( 114A-1), the active layer 114A-2, and the second conductivity type semiconductor layer 114A-3 each perform the same role.

다만, 도 3c에 예시된 발광 소자(100C)는 플립 칩 본딩 구조이기 때문에, 활성층(114C-2)에서 방출된 광이 제1 전극(116A), 제1 도전형 반도체층(114C-1) 및 기판(112C)을 통해 출사될 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(116A), 제1 도전형 반도체층(114C-1) 및 기판(112C)은 광 투과성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 도전형 반도체층(114C-3)과 제2 전극(116B)은 광 투과성이나 비투과성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으나, 실시 예는 이의 특정한 물질에 국한되지 않을 수 있다.However, since the light emitting device 100C illustrated in FIG. 3C has a flip-chip bonding structure, light emitted from the active layer 114C-2 is emitted from the first electrode 116A, the first conductivity-type semiconductor layer 114C-1 and It may be emitted through the substrate 112C. To this end, the first electrode 116A, the first conductivity-type semiconductor layer 114C-1, and the substrate 112C may be formed of a material having light transmittance. In this case, the second conductivity-type semiconductor layer 114C-3 and the second electrode 116B may be formed of a material having light transmission or non-transmission properties or a material having reflection, but the embodiment is not limited to a specific material. have.

또한, 제1 및 제2 전극(116A, 116B) 각각은 활성층(114C-2)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(114C-1, 114C-3) 상에 각각 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(116A, 116B) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.In addition, each of the first and second electrodes 116A and 116B may reflect or transmit light emitted from the active layer 114C-2 without absorbing it, and the first and second conductivity-type semiconductor layers 114C-1 may be disposed. , 114C-3) may be formed of any material that can be grown in good quality, respectively. For example, each of the first and second electrodes 116A and 116B may be formed of a metal, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and their It can be done in optional combinations.

다시, 도 3c를 참조하면, 발광 소자(110C)는 제1 및 제2 솔더부(119A, 119B)를 더 포함할 수 있다. 편의상, 제1 및 제2 솔더부(119A, 119B)는 발광 소자(110C)의 구성 요소인 것으로 설명하지만, 발광 소자 패키지(100A)의 구성 요소일 수도 있으며, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Again, referring to FIG. 3C , the light emitting device 110C may further include first and second solder portions 119A and 119B. For convenience, although the first and second solder portions 119A and 119B are described as being components of the light emitting device 110C, they may also be components of the light emitting device package 100A, and the embodiment is not limited thereto.

제1 솔더부(119A)는 발광 소자(110C)의 제1 전극(116A)과 후술되는 도 7에 도시된 회로 기판(152) 사이에 배치되어, 제1 전극(116A)과 회로 기판(152)을 전기적으로 연결할 수 있다. 따라서, 발광 소자(110C)의 제1 도전형 반도체층(114C-1)은 제1 전극(116A)과 제1 솔더부(119A)를 통해 회로 기판(152)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first solder portion 119A is disposed between the first electrode 116A of the light emitting device 110C and the circuit board 152 shown in FIG. 7 to be described later, and the first electrode 116A and the circuit board 152 are provided. can be electrically connected. Accordingly, the first conductivity type semiconductor layer 114C - 1 of the light emitting device 110C may be electrically connected to the circuit board 152 through the first electrode 116A and the first solder portion 119A.

또한, 제2 솔더부(119B)는 발광 소자(110C)의 제2 전극(116B)과 도 7에 도시된 회로 기판(152) 사이에 배치되어, 제2 전극(116B)과 회로 기판(152)을 전기적으로 연결할 수 있다. 따라서, 발광 소자(110C)의 제2 도전형 반도체층(114C-3)은 제2 전극(116B)과 제2 솔더부(119B)를 통해 도 7에 도시된 회로 기판(152)과 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second solder part 119B is disposed between the second electrode 116B of the light emitting device 110C and the circuit board 152 shown in FIG. 7 , and the second electrode 116B and the circuit board 152 . can be electrically connected. Accordingly, the second conductivity type semiconductor layer 114C-3 of the light emitting device 110C may be electrically connected to the circuit board 152 shown in FIG. 7 through the second electrode 116B and the second solder portion 119B. can

제1 솔더부(119A) 및 제2 솔더부(119B) 각각은 솔더 페이스트(solder paste) 또는 솔더 볼(solder ball)일 수 있다.Each of the first solder part 119A and the second solder part 119B may be a solder paste or a solder ball.

다시, 도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자(110)의 제1 길이(L1)와 폭(W)은 서로 다를 수도 있고, 서로 동일할 수도 있다. 발광 소자(110)의 제1 길이(L1)는 광축(LX) 방향(예를 들어, z축 방향)과 수직한 x축 방향의 길이를 의미하고, 폭(W)은 광축(LX) 방향과 수직한 y축 방향의 폭을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 길이(L1) 및 폭(W) 각각은 1.3 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Again, referring to FIGS. 1 and 2 , the first length L1 and the width W of the light emitting device 110 may be different from or the same as each other. The first length L1 of the light emitting device 110 means a length in the x-axis direction perpendicular to the optical axis LX direction (eg, the z-axis direction), and the width W is the optical axis LX direction and It may mean a width in a vertical y-axis direction. For example, each of the first length L1 and the width W may be 1.3 mm, but the embodiment is not limited thereto.

한편, 렌즈(120)는 발광 소자(110) 위에 배치되어, 발광 소자(110)로부터 방출된 광을 굴절, 반사 및/또는 산란시켜 외부로 출사할 수 있다. 또한, 렌즈(120)는 발광 소자(110)의 상부와 측부를 감싸며 발광 소자(110)와 일체로 형성될 수 있다. 즉, 렌즈(120)와 발광 소자(110) 사이에 공기 등의 보이드(void)가 존재하지 않도록, 렌즈(120)와 발광 소자(110)는 긴밀하게 접할 수 있다.Meanwhile, the lens 120 may be disposed on the light emitting device 110 to refract, reflect, and/or scatter the light emitted from the light emitting device 110 to be emitted to the outside. In addition, the lens 120 may surround the upper and side portions of the light emitting device 110 and may be integrally formed with the light emitting device 110 . That is, the lens 120 and the light emitting device 110 may be in close contact so that a void such as air does not exist between the lens 120 and the light emitting device 110 .

예를 들어, 렌즈(120)는 투명한 재질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 실리콘, PC(Polycarbonate), PMMA(Polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, 유리 등을 포함할 수 있으나, 실시 예는 렌즈(120)의 재질에 국한되지 않는다.For example, the lens 120 may include a transparent material, for example, silicone, polycarbonate (PC), an acrylic resin series such as PMMA (polymethylmethacrylate), glass, etc. (120) is not limited to the material.

렌즈(120)는 탑면 및 측부면(S)을 포함할 수 있다.The lens 120 may include a top surface and a side surface S.

탑면은 곡면 또는 평평한 면 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 탑면은 리세스(RE:REcess)부(RE1)를 포함할 수 있다. 리세스부(RE1)는 렌즈(120)의 탑면의 전체 또는 전체 중 중앙에 배치될 수 있으며, 곡면 또는 평평한 면 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The top surface may include at least one of a curved surface or a flat surface. The top surface may include a recess (RE) part RE1. The recessed portion RE1 may be disposed at the center of all or all of the top surface of the lens 120 , and may include at least one of a curved surface or a flat surface.

만일, 리세스부(RE1)가 곡면을 포함할 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 리세스부(RE1)는 발광 소자(110)를 향하여 즉, -z축 방향으로 그의 중앙이 움푹 패인 형상일 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.If the recessed portion RE1 includes a curved surface, as shown in FIG. 2 , the recessed portion RE1 has a concave center toward the light emitting device 110 , that is, in the -z-axis direction. may be, but the embodiment is not limited thereto.

또는, 비록 도시되지는 않았지만, 렌즈(120)의 탑면은 발광 소자(110)로부터 멀어지는 방향으로 즉, +z축 방향으로 볼록한 돌출 단면 형상을 가질 수도 있다.Alternatively, although not shown, the top surface of the lens 120 may have a convex protruding cross-sectional shape in a direction away from the light emitting device 110 , that is, in the +z-axis direction.

이하, 렌즈(120)의 탑면이 리세스부를 갖는 것으로 설명하지만, 렌즈(120)의 탑면이 볼록한 돌출 형상을 가질 경우에도 본 실시 예는 적용될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, it will be described that the top surface of the lens 120 has a recessed portion, but this embodiment may be applied even when the top surface of the lens 120 has a convex protrusion shape.

도 2를 참조하면, 리세스부(RE1)의 중심은 발광 소자(110)의 광축(LX) 상에 위치할 수 있다. 이때, 리세스부(RE1)의 중심에 해당하는 최저 정점(AP)은 광축(LX) 상에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the center of the recess RE1 may be located on the optical axis LX of the light emitting device 110 . In this case, the lowest apex AP corresponding to the center of the recess RE1 may be located on the optical axis LX.

또한, 리세스부(RE1)는 광축(LX)을 중심으로 광축 방향(예를 들어, z축 방향)과 수직한 방향 즉, x축 방향 또는 y축 방향 중 적어도 한 방향으로 대칭인 단면 형상을 가질 수 있다. 즉, 리세스부(RE1)의 평면 형상은 광축(LX)을 중심으로 서로 대칭일 수 있다.In addition, the recessed portion RE1 has a cross-sectional shape that is symmetrical in a direction perpendicular to the optical axis direction (eg, z-axis direction) about the optical axis LX, that is, in at least one of the x-axis direction and the y-axis direction. can have That is, the planar shape of the recessed portion RE1 may be symmetrical with respect to the optical axis LX.

도 4는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)의 단면도를 나타낸다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device package 100B according to another embodiment.

도 2에 도시된 리세스부(RE1)는 곡면을 포함한다. 이 경우, 리세스부(RE1)의 제1 곡률 반경과 반사층(130)의 제2 곡률 반경은 서로 동일할 수 있고, 서로 다를 수도 있다.The recessed portion RE1 illustrated in FIG. 2 includes a curved surface. In this case, the first radius of curvature of the recess RE1 and the second radius of curvature of the reflective layer 130 may be the same as or different from each other.

반면에, 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100B)에서 리세스부(RE2)는 평평한 면을 포함한다. 이 경우, 광축(LX)을 기준으로 리세스부(RE2)가 경사진 제1 각도(θ1)와 광축(LX)을 기준으로 반사층(130)이 경사진 제2 각도(θ2)는 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다.On the other hand, in the light emitting device package 100B shown in FIG. 4 , the recess RE2 includes a flat surface. In this case, the first angle θ1 at which the recess portion RE2 is inclined with respect to the optical axis LX and the second angle θ2 at which the reflective layer 130 is inclined with respect to the optical axis LX are equal to each other. may or may be different.

이와 같이, 리세스부(RE1, RE2)와 반사층(130)이 동일한 곡률 반경 또는 경사 각도를 갖기 위해, 반사층(130)은 리세스부(RE1, RE2) 위에 균일한 두께로 형성될 수 있다.As such, in order for the recesses RE1 and RE2 and the reflective layer 130 to have the same radius of curvature or inclination angle, the reflective layer 130 may be formed on the recesses RE1 and RE2 to have a uniform thickness.

전술한 차이점을 제외하면, 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100B)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로, 중복되는 동일한 설명을 생략한다.Except for the above-described differences, the light emitting device package 100B shown in FIG. 4 is the same as the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 , and thus the same overlapping description will be omitted.

한편, 다시 도 2를 참조하면, 리세스부(RE1)의 측부면(S)은 광축(LX)과 나란한 수직선에 대하여 경사지게 형성될 수도 있고, 수직선(VL)에 대해 평행하게 형성될 수도 있다.Meanwhile, referring again to FIG. 2 , the side surface S of the recess RE1 may be formed to be inclined with respect to a vertical line parallel to the optical axis LX or may be formed to be parallel to the vertical line VL.

또한, 렌즈(120)의 두께는 광축(LX) 상에서 가장 얇을 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 여기서, 광축(LX) 상에서의 렌즈(120)의 두께란, 렌즈(120)의 바닥면(즉, 발광 소자(110)의 바닥면)으로부터 렌즈(120)의 리세스부(RE1)의 최저 정점(AP)까지 수직한 제2 높이(H2)를 의미할 수 있다. 또한, 도 1의 경우, 렌즈(120)의 가장 두꺼운 두께는 제1 높이(H1)로서, 렌즈(120)의 바닥면으로부터 렌즈(120)의 가장 자리의 탑면까지의 수직한 높이를 의미할 수 있다.In addition, the thickness of the lens 120 may be the thinnest on the optical axis LX, but the embodiment is not limited thereto. Here, the thickness of the lens 120 on the optical axis LX is the lowest apex of the recessed portion RE1 of the lens 120 from the bottom surface of the lens 120 (ie, the bottom surface of the light emitting element 110 ). It may mean a second height H2 perpendicular to (AP). In addition, in the case of FIG. 1 , the thickest thickness of the lens 120 is the first height H1 , which may mean a vertical height from the bottom surface of the lens 120 to the top surface of the edge of the lens 120 . have.

또한, 실시 예에 의하면, 반사층(130)이 렌즈(120)의 탑면(즉, 리세스부(RE1, RE2)) 위에 배치될 수 있다. 반사층(130)은 발광 소자(110)로부터 방출되어 렌즈(120)를 경유하여 리세스부(RE1, RE2)에 도달한 광을 반사시키는 역할을 한다. 여기서, 반사층(130)에 의해 반사된 광은 렌즈(120)의 측부면(S) 쪽으로 반사된 후, 측부면(S)에서 굴절 또는 투과되어 바깥으로 출사될 수 있다.Also, according to an embodiment, the reflective layer 130 may be disposed on the top surface (ie, the recesses RE1 and RE2 ) of the lens 120 . The reflective layer 130 serves to reflect light emitted from the light emitting device 110 and reaching the recesses RE1 and RE2 via the lens 120 . Here, the light reflected by the reflective layer 130 may be reflected toward the side surface S of the lens 120 , and then may be refracted or transmitted through the side surface S and emitted to the outside.

또한, 반사층(130)은 렌즈(120)의 리세스부(RE1, RE2) 위에 박막 형태로 코팅될 수도 있고, 접착제(미도시) 등에 의해 부착될 수도 있으나, 실시 예는 반사층(130)이 렌즈(120)의 탑부인 리세스부(RE1, RE2)에 배치되는 특정한 형태 및 방법에 국한되지 않는다.In addition, the reflective layer 130 may be coated in the form of a thin film on the recesses RE1 and RE2 of the lens 120 or may be attached by an adhesive (not shown), but in the embodiment, the reflective layer 130 is the lens. It is not limited to a specific shape and method disposed in the recesses RE1 and RE2, which are the top portions of 120 .

전술한 바와 같이, 반사층(130)은 발광 소자(110)로부터 렌즈(120)를 경유하여 탑면에 도달한 광을 반사시키기 위해, 광 반사 특성을 갖는 물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 반사층(130)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 구현될 수 있다. 또는 반사층(130)은 분산 브래그 반사층(DBR:Distributed Bragg Reflector)으로 구현될 수도 있으며, 실시 예는 반사층(130)의 특정한 재질에 국한되지 않는다.As described above, the reflective layer 130 may be made of a material having light reflection characteristics in order to reflect the light reaching the top surface from the light emitting device 110 via the lens 120 . For example, the reflective layer 130 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and TiO 2 . Alternatively, the reflective layer 130 may be implemented as a distributed Bragg reflector (DBR), and the embodiment is not limited to a specific material of the reflective layer 130 .

만일, 반사층(130)의 반사율이 30% 보다 작을 경우 광 조도 커버 영역의 개선이 미미할 수 있고, 반사층(130)의 반사율이 80%보다 클 경우 렌즈(120)의 중심에 암부가 발생할 수 있다. 따라서, 반사층(130)의 반사율은 30% 내지 80%일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.If the reflectance of the reflective layer 130 is less than 30%, the improvement of the illumination cover area may be insignificant. Accordingly, the reflectance of the reflective layer 130 may be 30% to 80%, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 반사층(130)의 반사율에 따라 광 조도 영역의 반치폭(FWHM:Full Width at Half maximum)은 다음 표 1과 같이 변할 수 있다.In addition, the full width at half maximum (FWHM) of the light illuminance region may vary according to the reflectivity of the reflective layer 130 as shown in Table 1 below.

반사율(%)reflectivity(%) 광 조도 영역의 FWHM (㎜)FWHM of light intensity area (mm) 00 21.621.6 3030 23.223.2 5050 25.325.3 7070 26.426.4 8080 27.627.6 9090 29.129.1

표 1을 참조하면, 반사층(130)의 반사율이 30% 내지 80%일 경우 FWHM은 23.2 ㎜ 내지 27.6 ㎜임을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that when the reflectivity of the reflective layer 130 is 30% to 80%, the FWHM is 23.2 mm to 27.6 mm.

또한, 다음 수학식 1과 같이, 리세스부(RE1, RE2)의 최저 정점(AP)의 제2 높이(H2)는 발광 소자(110)의 제3 높이(H3)보다 0.5㎜ 이상 더 클 수 있다. 예를 들어, 제3 높이(H3)는 0.3 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, as shown in Equation 1 below, the second height H2 of the lowest apex AP of the recesses RE1 and RE2 may be 0.5 mm or more greater than the third height H3 of the light emitting device 110 . have. For example, the third height H3 may be 0.3 mm, but the embodiment is not limited thereto.

Figure 112015086115630-pat00001
Figure 112015086115630-pat00001

여기서, 제2 및 제3 높이(H2, H3) 각각의 기준은 제1 높이(H1)와 마찬가지로 렌즈(120)의 바닥면(즉, 발광 소자(110)의 바닥면)에 해당한다. 예를 들어, 제2 높이(H2)는 0.35㎜ 내지 0.8㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. Here, each reference of the second and third heights H2 and H3 corresponds to the bottom surface of the lens 120 (ie, the bottom surface of the light emitting device 110 ), like the first height H1 . For example, the second height H2 may be 0.35 mm to 0.8 mm, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 다음 수학식 2와 같이, 렌즈(120)의 제1 높이(H1)의 최대값(H1max)은 리세스부(RE1, RE2)의 최저 정점(AP)의 제2 높이(H2)보다 0.2㎜ 이상 더 클 수 있다.In addition, as shown in Equation 2 below, the maximum value H1 max of the first height H1 of the lens 120 is higher than the second height H2 of the lowest apex AP of the recesses RE1 and RE2 . It may be larger than 0.2 mm.

Figure 112015086115630-pat00002
Figure 112015086115630-pat00002

예를 들어, 렌즈(120)의 제1 높이(H1)의 최대값(H1max)은 0.55 ㎜ 내지 1 ㎜ 예를 들어, 1 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.For example, the maximum value H1 max of the first height H1 of the lens 120 may be 0.55 mm to 1 mm, for example, 1 mm, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 렌즈(120)의 직경(L2)은 발광 소자(110)의 제1 길이(L1) 이상일 수 있다. 예를 들어, 렌즈(120)의 직경(L2)은 1.4㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Also, the diameter L2 of the lens 120 may be equal to or greater than the first length L1 of the light emitting device 110 . For example, the diameter L2 of the lens 120 may be 1.4 mm, but the embodiment is not limited thereto.

도 5는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100C)의 단면도를 나타낸다.5 is a cross-sectional view of a light emitting device package 100C according to another embodiment.

도 5에 도시된 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100C)는 발광 소자(110), 렌즈(120), 반사층(130) 및 보호층(140A)을 포함할 수 있다.The light emitting device package 100C according to another embodiment shown in FIG. 5 may include a light emitting device 110 , a lens 120 , a reflective layer 130 , and a protective layer 140A.

도 5에 도시된 발광 소자(110), 렌즈(120) 및 반사층(130)은 도 2에 도시된 발광 소자(110), 렌즈(120) 및 반사층(130)에 각각 해당한다. 다만, 도 2에 도시된 반사층(130)이 렌즈(120)의 탑면 전체를 덮도록 배치되는 반면, 도 5에 도시된 반사층(130)은 렌즈(120)의 가장 자리를 제외한 중앙에 배치된다. 또한, 도 5에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 달리 보호층(140A)을 더 포함한다.The light emitting device 110 , the lens 120 and the reflective layer 130 shown in FIG. 5 correspond to the light emitting device 110 , the lens 120 and the reflective layer 130 shown in FIG. 2 , respectively. However, while the reflective layer 130 shown in FIG. 2 is disposed to cover the entire top surface of the lens 120 , the reflective layer 130 shown in FIG. 5 is disposed in the center except for the edge of the lens 120 . In addition, the light emitting device package 100C shown in FIG. 5 further includes a protective layer 140A, unlike the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 .

전술한 차이점을 제외하면, 도 5에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로, 동일한 부분에 대한 중복되는 설명을 생략하고 다른 부분에 대해서만 살펴본다.Except for the above-mentioned differences, since the light emitting device package 100C shown in FIG. 5 is the same as the light emitting device package 100A shown in FIG. .

보호층(140A)은 반사층(130) 위에 배치되며, 렌즈(120)의 탑면과 접촉할 수있다. 이때, 보호층(140A)은 반사층(130)의 상부와 측부를 감싸도록 배치될 수 있다. 반사층(130)은 렌즈(120)의 탑면의 가장 자리를 제외한 중앙에 배치되고, 보호층(140A)은 렌즈(120)의 탑면의 가장 자리와, 반사층(130)의 측부, 및 반사층(130)의 상부 가장 자리에 배치될 수 있다. 즉, 보호층(140A)은 렌즈(120)의 탑면의 가장자리에서 렌즈(120)의 탑면과 접촉할 수 있다. 이를 위해, 반사층(130)이 렌즈(120)의 탑면의 가장 자리에 배치되지 않는다.The protective layer 140A is disposed on the reflective layer 130 and may contact the top surface of the lens 120 . In this case, the protective layer 140A may be disposed to surround the upper portion and the side portion of the reflective layer 130 . The reflective layer 130 is disposed in the center except for the edge of the top surface of the lens 120 , and the protective layer 140A is the edge of the top surface of the lens 120 , the side of the reflective layer 130 , and the reflective layer 130 . may be placed on the upper edge of the That is, the protective layer 140A may be in contact with the top surface of the lens 120 at the edge of the top surface of the lens 120 . To this end, the reflective layer 130 is not disposed on the edge of the top surface of the lens 120 .

일 실시 예에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이 보호층(140A)은 반사층(130)의 상부 전체와 측부를 감싸도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, as shown in FIG. 5 , the protective layer 140A may be disposed to cover the entire upper portion and the side portion of the reflective layer 130 .

도 6은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100D)의 단면도를 나타낸다.6 is a cross-sectional view of a light emitting device package 100D according to another embodiment.

도 6에 도시된 발광 소자 패키지(100D)는 발광 소자(110), 렌즈(120), 반사층(130) 및 보호층(140B)을 포함할 수 있다. 도 6에 도시된 보호층(140B)의 단면 형상이 도 5에 도시된 보호층(140A)의 단면 형상과 다름을 제외하면, 도 6에 도시된 발광 소자 패키지(100D)는 도 5에 도시된 발광 소자 패키지(100C)와 동일하므로, 동일한 부분에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.The light emitting device package 100D illustrated in FIG. 6 may include a light emitting device 110 , a lens 120 , a reflective layer 130 , and a protective layer 140B. Except that the cross-sectional shape of the protective layer 140B shown in FIG. 6 is different from the cross-sectional shape of the protective layer 140A shown in FIG. 5, the light emitting device package 100D shown in FIG. Since it is the same as that of the light emitting device package 100C, overlapping descriptions of the same parts will be omitted.

다른 실시 예에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이 보호층(140B)은 반사층(130)의 상부 전체가 아니라 상부의 가장 자리만을 덮고, 반사층(130)의 측부를 감싸며 렌즈(120)의 탑면의 가장 자리에 배치될 수 있다.According to another embodiment, as shown in FIG. 6 , the protective layer 140B covers only the upper edge, not the entire upper portion of the reflective layer 130 , surrounds the side of the reflective layer 130 , and covers the top surface of the lens 120 . It can be placed on the edge.

만일, 렌즈(120)가 투명한 재질인 실리콘, PC(Polycarbonate), PMMA(Polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, 유리 등으로 구현되고, 반사층(130)이 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 구현될 경우, 반사층(130)과 렌즈(120) 사이의 결합력이 약할 수 있다. 이를 보강하기 위해, 전술한 바와 같이, 보호층(140A, 140B)을 배치할 경우, 반사층(130)과 렌즈(120) 사이의 약한 결합력이 보호층(140A, 140B)에 의해 보강될 수 있다.If the lens 120 is made of a transparent material such as silicon, polycarbonate (PC), an acrylic resin series such as polymethylmethacrylate (PMMA), glass, etc., the reflective layer 130 is Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, When implemented as a metal or alloy including at least one of Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and TiO 2 , the bonding force between the reflective layer 130 and the lens 120 may be weak. To reinforce this, as described above, when the protective layers 140A and 140B are disposed, a weak bonding force between the reflective layer 130 and the lens 120 may be reinforced by the protective layers 140A and 140B.

예를 들어, 보호층(140A, 140B)은 실리콘 등으로 구현될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 렌즈(120)와 결합력이 강한 물질이면 보호층(140A, 140B)으로 이용될 수 있다.For example, the protective layers 140A and 140B may be implemented with silicon or the like, but the embodiment is not limited thereto. That is, a material having a strong bonding force with the lens 120 may be used as the protective layers 140A and 140B.

전술한 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)는 다양한 분야에 적용될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)는 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프 또는 가로등과 같은 조명 장치에 적용될 수 있다.The light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the above-described embodiments may be applied to various fields. For example, the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D may be applied to a lighting device such as a backlight unit, a lighting unit, an indicator device, a lamp, or a street lamp.

이하, 실시 예에 의한 조명 장치에 대해 첨부된 도 7을 참조하여 다음과 같이 살펴본다.Hereinafter, a lighting device according to an embodiment will be described with reference to FIG. 7 attached thereto.

도 7은 일 실시 예에 의한 조명 장치(200)의 단면도를 나타낸다. 여기서, 설명의 편의상 반사층(130)의 두께는 무시되어, 발광 소자 패키지(100A)의 전체 높이는 제1 높이(H1)로서 표기한다.7 is a cross-sectional view of a lighting device 200 according to an embodiment. Here, for convenience of description, the thickness of the reflective layer 130 is ignored, and the total height of the light emitting device package 100A is expressed as the first height H1 .

도 7에 도시된 조명 장치(200)는 복수의 발광 소자 패키지(100A), 기판(또는, 회로 기판)(152) 및 광학 부재(diffusion plate)(154)를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 소자 패키지(100A)는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로 동일한 참조부호를 사용하였으며 중복되는 설명을 생략한다. 다른 실시 예에 의하면, 도 7에 도시된 조명 장치(200)는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A) 대신에 도 4, 도 5 또는 도 6에 도시된 발광 소자 패키지(100B, 100C, 100D)를 포함할 수도 있다.The lighting device 200 illustrated in FIG. 7 may include a plurality of light emitting device packages 100A, a substrate (or circuit board) 152 , and an optical member (diffusion plate) 154 . Here, since the light emitting device package 100A is the same as the light emitting device package 100A shown in FIGS. 1 and 2 , the same reference numerals are used, and overlapping descriptions are omitted. According to another embodiment, the lighting device 200 shown in FIG. 7 is a light emitting device package 100B shown in FIGS. 4, 5 or 6 instead of the light emitting device package 100A shown in FIGS. 1 and 2 , 100C, 100D).

회로 기판(152) 위에 복수 개의 발광 소자 패키지(100A)가 실장될 수 있다. 회로 기판(152)은 발광 소자 패키지(100A)에 전원을 공급하는 어댑터(adapter)와 발광 소자 패키지(100A)를 연결하기 위한 전극 패턴이 형성되어 있을 수 있다.A plurality of light emitting device packages 100A may be mounted on the circuit board 152 . The circuit board 152 may have an electrode pattern for connecting an adapter for supplying power to the light emitting device package 100A and the light emitting device package 100A.

예를 들어, 회로 기판(152)의 상면에는 발광 소자 패키지(100A)와 어댑터를 연결하기 위한 탄소나노튜브 전극 패턴이 형성될 수 있다.For example, a carbon nanotube electrode pattern for connecting the light emitting device package 100A and the adapter may be formed on the upper surface of the circuit board 152 .

또한, 회로 기판(152)과 발광 소자(110) 사이에는 제1 및 제2 리드 프레임(미도시)이 더 배치될 수도 있다, 이 경우, 제1 및 제2 리드 프레임은 도 3a에 도시된 제1 및 제2 와이어(118A, 118B)와 각각 연결될 수 있다. 또는, 제1 및 제2 리드 프레임은 도 3b에 도시된 와이어(118A) 및 지지 기판(112B)과 각각 연결될 수 있다. 또는, 제1 및 제2 리드 프레임은 도 3c에 도시된 제1 및 제2 솔더부(119A, 119B)와 각각 연결될 수 있다.In addition, first and second lead frames (not shown) may be further disposed between the circuit board 152 and the light emitting device 110 . In this case, the first and second lead frames are the first and second lead frames shown in FIG. 3A . It may be connected to the first and second wires 118A and 118B, respectively. Alternatively, the first and second lead frames may be respectively connected to the wire 118A and the support substrate 112B shown in FIG. 3B . Alternatively, the first and second lead frames may be respectively connected to the first and second solder portions 119A and 119B illustrated in FIG. 3C .

이러한 회로 기판(152)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 유리, 폴리카보네이트(PC) 또는 실리콘(Si) 등으로 이루어져 복수의 발광 소자 패키지(100A)가 실장되는 PCB(Printed Circuit Board) 기판일 수 있으며, 필름 형태로 형성될 수 있다.The circuit board 152 is made of polyethylene terephthalate (PET), glass, polycarbonate (PC) or silicon (Si), and may be a printed circuit board (PCB) board on which a plurality of light emitting device packages 100A are mounted. , may be formed in the form of a film.

또한, 회로 기판(152)은 단층 PCB, 다층 PCB, 세라믹 기판, 메탈 코아 PCB 등을 선택적으로 사용할 수 있다.In addition, the circuit board 152 may selectively use a single-layer PCB, a multi-layer PCB, a ceramic substrate, a metal core PCB, or the like.

한편, 광학 부재(154)는 발광 소자 패키지(100A)의 상부에 배치될 수 있다. 광학 부재(154)는 발광 소자 패키지(100A)로부터 소정 거리(D)만큼 이격되어 배치될 수 있다. 여기서, 소정 거리(D)란, 광학 부재(154)의 저면(154-1)과 발광 소자 패키지(100A)의 상면까지의 거리로서 정의될 수 있다. 광학 부재(154)와 회로 기판(152) 사이의 공간은 공기로 채워지거나 도광판(미도시)으로 채워질 수 있다. 만일, 광학 부재(154)와 회로 기판(152) 사이의 공간이 공기로 채워질 경우, 소정 거리(D)를 에어 갭(air gap)이라 할 수 있다.Meanwhile, the optical member 154 may be disposed on the light emitting device package 100A. The optical member 154 may be disposed to be spaced apart by a predetermined distance D from the light emitting device package 100A. Here, the predetermined distance D may be defined as a distance between the bottom surface 154 - 1 of the optical member 154 and the top surface of the light emitting device package 100A. A space between the optical member 154 and the circuit board 152 may be filled with air or a light guide plate (not shown). If the space between the optical member 154 and the circuit board 152 is filled with air, the predetermined distance D may be referred to as an air gap.

광학 부재(154)는 단일 층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 요철 패턴이 최상층 또는 어느 한 층의 표면에 형성될 수 있다. 요철 패턴은 발광 소자 패키지(100A)에 따라 배치되는 스트라이프 형상을 가질 수도 있다.The optical member 154 may be formed as a single layer or a multilayer, and an uneven pattern may be formed on the uppermost layer or the surface of any one layer. The concave-convex pattern may have a stripe shape disposed along the light emitting device package 100A.

경우에 따라, 광학 부재(154)는 적어도 하나의 시트로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 광학 부재(154)는 확산 시트, 프리즘 시트, 휘도 강화 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 확산 시트는 발광 소자 패키지(100A)로부터 출사된 광을 확산시키는 역할을 하며 확산 효과를 증가시키기 위해 상부 표면에 요철 패턴을 형성할 수도 있다. 프리즘 시트는 확산된 광을 발광 영역으로 가이드하는 역할을 한다. 휘도 확산 시트는 휘도를 강화시키는 역할을 한다.In some cases, the optical member 154 may be formed of at least one sheet. For example, the optical member 154 may selectively include a diffusion sheet, a prism sheet, a brightness enhancing sheet, and the like. The diffusion sheet serves to diffuse the light emitted from the light emitting device package 100A, and a concave-convex pattern may be formed on the upper surface to increase the diffusion effect. The prism sheet serves to guide the diffused light to the light emitting area. The luminance diffusion sheet serves to enhance luminance.

또한, 도 7에 도시된 조명 장치(200)가 디스플레이 모듈일 경우, 도 7에 도시된 조명 장치(200)는 디스플레이 패널(160)을 더 포함할 수도 있다. 그러나, 도 7에 도시된 조명 장치(200)가 백 라이트 유닛일 경우, 디스플레이 패널(160)은 생략될 수 있다. 이 경우, 회로 기판(152)과, 발광 소자 패키지(100A)들과, 광학 부재(154)는 백 라이트 유닛(150)에 해당한다.In addition, when the lighting apparatus 200 illustrated in FIG. 7 is a display module, the lighting apparatus 200 illustrated in FIG. 7 may further include a display panel 160 . However, when the lighting device 200 illustrated in FIG. 7 is a backlight unit, the display panel 160 may be omitted. In this case, the circuit board 152 , the light emitting device packages 100A, and the optical member 154 correspond to the backlight unit 150 .

디스플레이 패널(160)은 서로 마주하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 컬러필터 기판(미도시)과 TFT(Thin Film Transistor) 기판(미도시)을 포함하며, 두 기판의 사이에 액정층(미도시)이 개재될 수 있다. 그리고, 디스플레이 패널(160)의 상측 및 하측에는 각각 상부 편광판(미도시) 및 하부 편광판(미도시)이 배치될 수 있으며, 보다 자세하게는 컬러필터 기판의 상면에 상부 편광판이 배치되고, TFT 기판의 하면에 하부 편광판이 배치될 수 있다. 또한, 도시하지 않았지만, 디스플레이 패널(160)의 측면에는 패널(160)을 구동시키기 위한 구동 신호를 생성하는 게이트 및 데이터 구동부가 구비될 수도 있다.The display panel 160 includes a color filter substrate (not shown) and a TFT (Thin Film Transistor) substrate (not shown) bonded to each other to face each other to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer (not shown) between the two substrates. city) may be included. In addition, an upper polarizing plate (not shown) and a lower polarizing plate (not shown) may be disposed on the upper and lower sides of the display panel 160 , and in more detail, the upper polarizing plate is disposed on the upper surface of the color filter substrate, the TFT substrate A lower polarizing plate may be disposed on the lower surface. Also, although not shown, a gate and a data driver for generating a driving signal for driving the panel 160 may be provided on a side surface of the display panel 160 .

이하, 비교 례에 의한 발광 소자 패키지와 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)를 다음과 같이 설명한다. 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)에서 반사층(130)과 보호층(140A, 140B)이 생략된 경우이다.Hereinafter, the light emitting device package according to the comparative example and the light emitting device package 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment will be described as follows. The light emitting device package according to the comparative example is a case in which the reflective layer 130 and the protective layers 140A and 140B are omitted from the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment.

먼저, 비교 례와 실시 예의 발광 소자 패키지 각각의 조도 분포에 대해 살펴보면 다음과 같다. 조도 분포는 반치폭(FWHM)과 지향각을 통해 알 수 있다.First, the illuminance distribution of each of the light emitting device packages of Comparative Examples and Examples will be described as follows. The illuminance distribution can be known through the full width at half maximum (FWHM) and the directivity angle.

비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우, 렌즈(120)의 직경(L2)은 4 ㎜이고, 도 7에 도시된 에어 갭(D)이 10 ㎜일 경우 조도 반치폭(FWHM)은 26 ㎜이다.In the case of the light emitting device package according to the comparative example, the diameter L2 of the lens 120 is 4 mm, and when the air gap D shown in FIG. 7 is 10 mm, the illuminance half maximum width (FWHM) is 26 mm.

도 8a 및 도 8b는 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)의 평면 이미지 및 지향각 분포를 각각 나타낸다.8A and 8B show a planar image and an orientation angle distribution of a light emitting device package 100A, 100B, 100C, and 100D according to an embodiment, respectively.

반면에, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)의 경우, 렌즈(120)의 직경(L2)은 1.4 ㎜로서 비교 례보다 훨씬 작고, 에어 갭(D)이 10 ㎜일 때 광 조도 영역의 FWHM은 30 ㎜까지 증가할 수 있다.On the other hand, in the case of the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment, the diameter L2 of the lens 120 is 1.4 mm, which is much smaller than that of the comparative example, and the air gap D is 10 mm. When the light intensity region FWHM can be increased up to 30 mm.

전술한 표 1을 참조하면, 반사층(130)이 배치되지 않을 때, 즉, 반사율이 0%인 경우와 비교할 때, 30% 내지 80%의 반사율을 갖는 반사층(130)이 렌즈(120)의 탑면에 배치될 경우 광 조도 분포 영역이 증가함을 알 수 있다. 이와 같이, 렌즈(120)의 탑면에 반사층(130)을 배치함으로써 렌즈(120)로부터 출사되는 광의 커버 영역이 증가할 수 있다. 이와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)는 도 8a에 도시된 바와 같이 렌즈(120)의 중앙에 암부가 발생되지 않으면서 조도 분포 영역이 넓어져서 도 8b에 도시된 바와 같이 높은 지향각을 가질 수 있다.Referring to Table 1 above, when the reflective layer 130 is not disposed, that is, compared with the case where the reflectance is 0%, the reflective layer 130 having a reflectivity of 30% to 80% is the top surface of the lens 120 . It can be seen that the light illuminance distribution area increases when it is disposed on the . As described above, by disposing the reflective layer 130 on the top surface of the lens 120 , the coverage area of the light emitted from the lens 120 may be increased. As such, in the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment, as shown in FIG. 8A , the illuminance distribution area is widened without generating a dark portion in the center of the lens 120 as shown in FIG. 8B . As shown, it can have a high directivity angle.

또한, 비교 례보다 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)는 더 넓은 광 조도 분포 영역을 갖기 때문에 7에 도시된 바와 같이 백 라이트 유닛(150)에 적용될 경우, 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)의 개수를 감소시킬 수 있어 제조 원가가 절감될 수 있다.In addition, since the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment rather than the comparative example have a wider illuminance distribution area, when applied to the backlight unit 150 as shown in 7, the light emitting device package Since the number of (100A, 100B, 100C, 100D) can be reduced, the manufacturing cost can be reduced.

또한, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)의 경우 렌즈(120)와 발광 소자(110)가 일체로 구현되기 때문에, 발광 소자(110)와 렌즈(120)가 일체로 구현되지 않을 때보다 광속이 10% 이상 향상될 수 있다.In addition, in the case of the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment, since the lens 120 and the light emitting device 110 are integrally implemented, the light emitting device 110 and the lens 120 are integrally formed. The luminous flux can be improved by more than 10% compared to when not implemented.

또한, 전술한 바와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)는 렌즈(120)의 상부에 반사층(130)을 배치함으로써, 기존의 발광 소자(110)의 크기와 유사한 크기로 렌즈(120)의 크기(또는, 체적)(H1, H2, L2)를 줄일 수 있다.In addition, as described above, in the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment, the reflective layer 130 is disposed on the lens 120 , so that the size of the light emitting device 110 is similar to that of the existing light emitting device 110 . The size (or volume) H1 , H2 , and L2 of the lens 120 may be reduced by the size.

즉, 비교 례의 경우 렌즈(120)의 최대 높이(H1max)가 낮을수록 광 조도 영역이 증가하지만 렌즈(120)의 최대 높이(H1max)가 1 ㎜ 이하로 낮아지면 렌즈(120)의 중심으로 투과되는 빛의 많아져 광 조도 분포가 줄어들 수 있다. 그러나, 실시 예에 의할 경우, 반사층(130)을 렌즈(120)의 상부에 배치함으로서, 렌즈(120)의 최대 높이(H1max)를 1 ㎜ 이하로 줄일 수 있다. 이와 같이, 실시 예에 의하면, 렌즈(120)의 두께에 해당하는 제1 높이(H1)를 줄여도 렌즈(120)의 중심을 통해 광이 투과하지 않는다.That is, in the case of the comparative example, the illuminance area increases as the maximum height H1 max of the lens 120 decreases, but when the maximum height H1 max of the lens 120 decreases to 1 mm or less, the center of the lens 120 As the amount of light transmitted through the However, according to an embodiment, by disposing the reflective layer 130 on the lens 120 , the maximum height H1 max of the lens 120 may be reduced to 1 mm or less. As such, according to the embodiment, even when the first height H1 corresponding to the thickness of the lens 120 is reduced, light does not transmit through the center of the lens 120 .

또한, 비교 례의 경우, 리세스부의 최저 정점(AP)의 제2 높이(H2)가 0.8 ㎜ 이하보다 낮을 경우 렌즈(120)의 중심으로 투과되는 빛이 증가하여 광 조도 분포 영역이 감소할 수 있다. 그러나, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)의 경우 렌즈(120)의 탑면에 반사층(130)을 배치함으로써 제2 높이(H2)를 0.8 ㎜이하로 줄일 수 있다.In addition, in the case of the comparative example, when the second height H2 of the lowest apex AP of the recess is lower than 0.8 mm, the light transmitted to the center of the lens 120 increases, so that the illuminance distribution area can be reduced. have. However, in the case of the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment, the second height H2 can be reduced to 0.8 mm or less by disposing the reflective layer 130 on the top surface of the lens 120 .

또한, 실시 예에 의할 경우 렌즈(120)의 직경(L2)을 기존의 발광 소자(110)의 크기인 1.3 ㎜와 유사한 1.4 ㎜으로 줄일 수 있다. 더우기, 실시 예의 경우 렌즈(120)의 직경을 1.4 ㎜로 줄이면서도 비교 례에 의한 발광 소자 패키지에서 렌즈(120)의 직경이 4 ㎜인 경우와 동일한 성능을 보여줄 수 있다.In addition, according to the embodiment, the diameter L2 of the lens 120 may be reduced to 1.4 mm similar to 1.3 mm, which is the size of the conventional light emitting device 110 . Moreover, in the case of the embodiment, the same performance as the case where the diameter of the lens 120 is 4 mm in the light emitting device package according to the comparative example can be exhibited while reducing the diameter of the lens 120 to 1.4 mm.

결국 전술한 바와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)의 경우 렌즈(120)의 체적이 줄어들기 때문에, 렌즈(120)를 구현하는 고가의 실리콘 재료를 절감시킴으로써 제조 원가를 줄일 수 있고, 제조 공정에서 렌즈(120)를 몰딩하기 위한 추가 프레임 설치 공정 및 추가 프레임에 발광 소자를 실장하는 공정이 생략될 수 있어, 제조 공정이 단순화될 수 있다.As a result, as described above, in the case of the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment, since the volume of the lens 120 is reduced, it is manufactured by reducing the expensive silicon material for implementing the lens 120 . Costs may be reduced, and an additional frame installation process for molding the lens 120 and a process of mounting the light emitting device on the additional frame may be omitted in the manufacturing process, thereby simplifying the manufacturing process.

또한, 렌즈(120)의 체적의 축소화로 인해, 비교 례보다 동일한 기판(152) 내에 실장될 수 있는 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)의 개수가 증가하여 제조 공정에 소요되는 시간이 단축될 수 있다.In addition, due to the reduction in the volume of the lens 120, the number of light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D that can be mounted on the same substrate 152 than in the comparative example increases, so that the time required for the manufacturing process is increased. can be shortened.

또한, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C, 100D)는 고지향각을 가지므로, 도 7에 도시된 소정 거리(D)를 줄일 수 있어 조명 장치(200)를 슬림(slim)화시킬 수 있어 조명 장치의 디자인을 향상시킬 수 있다.In addition, since the light emitting device packages 100A, 100B, 100C, and 100D according to the embodiment have a high orientation angle, the predetermined distance D shown in FIG. 7 can be reduced, thereby making the lighting device 200 slim. This can improve the design of the lighting device.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiment has been described above, it is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment may be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100A, 100B, 100C, 100D: 발광 소자 패키지
110, 110A, 110B, 110C: 발광 소자 120: 렌즈
130: 반사층 140A, 140B: 보호층
150: 백 라이트 유닛 152: 회로 기판
154: 광학 부재 160: 디스플레이 패널
200: 조명 장치100A, 100B, 100C, 100D: light emitting device package
110, 110A, 110B, 110C: light emitting element 120: lens
130: reflective layer 140A, 140B: protective layer
150: backlight unit 152: circuit board
154: optical member 160: display panel
200: lighting device

Claims (19)

발광 소자;
상기 발광 소자 위에 배치된 렌즈;
상기 렌즈의 탑면에 배치되어, 상기 발광 소자로부터 방출되어 상기 렌즈를 경유한 광을 반사시키는 반사층; 및
상기 반사층의 위에 배치되며 상기 렌즈의 상기 탑면과 접촉하는 보호층;을 포함하는 발광 소자 패키지.light emitting element;
a lens disposed over the light emitting element;
a reflective layer disposed on the top surface of the lens to reflect light emitted from the light emitting device and passing through the lens; and
A light emitting device package comprising a; a protective layer disposed on the reflective layer and in contact with the top surface of the lens. 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자로부터 방출된 광은 상기 발광 소자의 상부와 측부를 통해 출사되고,
상기 렌즈는 상기 발광 소자의 상기 상부 및 상기 측부를 감싸면서 상기 발광 소자와 일체로 형성된 발광 소자 패키지.According to claim 1, wherein the light emitted from the light emitting device is emitted through the top and side of the light emitting device,
The lens is a light emitting device package integrally formed with the light emitting device while enclosing the upper portion and the side of the light emitting device. 제1 항에 있어서, 상기 렌즈의 상기 탑면은
곡면 또는 평평한 면 중 적어도 하나를 포함하는 리세스부를 포함하고,
상기 리세스부의 중심은 상기 발광 소자의 광축 상에 위치하는 발광 소자 패키지.According to claim 1, wherein the top surface of the lens
It includes a recess including at least one of a curved surface or a flat surface,
The center of the recess is a light emitting device package located on the optical axis of the light emitting device. 제3 항에 있어서, 상기 리세스부가 곡면을 가질 때 상기 리세스부의 곡률 반경과 상기 반사층의 곡률 반경은 서로 동일하고,
상기 리세스부가 평평한 면을 가질 때, 상기 발광 소자의 광축을 기준으로 상기 리세스부가 경사진 각도와 상기 반사층이 경사진 각도는 서로 동일한 발광 소자 패키지.The method according to claim 3, wherein when the recess has a curved surface, a radius of curvature of the recess and a radius of curvature of the reflective layer are equal to each other;
When the recess has a flat surface, the angle at which the recess is inclined with respect to the optical axis of the light emitting device and the angle at which the reflective layer is inclined are the same as each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 반사층의 반사율은 30% 내지 80%이고,
상기 반사층은 상기 렌즈의 탑면에 코팅된 형태로 배치된 발광 소자 패키지.According to claim 1, wherein the reflectance of the reflective layer is 30% to 80%,
The reflective layer is a light emitting device package disposed in a coating form on the top surface of the lens. 삭제delete 제3 항에 있어서, 상기 리세스부의 최저 정점의 높이는 상기 발광 소자의 높이보다 0.5㎜ 이상 더 크고,
상기 리세스부의 최저 정점의 높이는 0.35㎜ 내지 0.8㎜이고,
상기 렌즈의 최대 높이는 상기 리세스부의 최저 정점의 높이보다 0.2㎜ 이상 더 크고,
상기 렌즈의 최대 높이는 0.55 ㎜ 내지 1㎜인 발광 소자 패키지.According to claim 3, wherein the height of the lowest apex of the recess is greater than 0.5 mm greater than the height of the light emitting device,
The height of the lowest apex of the recess is 0.35 mm to 0.8 mm,
The maximum height of the lens is 0.2 mm or more greater than the height of the lowest apex of the recess,
The maximum height of the lens is 0.55 mm to 1 mm light emitting device package. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 보호층은 상기 반사층의 상부와 측부를 감싸도록 배치되고,
상기 반사층은 상기 렌즈의 탑면의 가장 자리를 제외한 중앙에 배치되고,
상기 보호층은 상기 렌즈의 탑면의 가장 자리와, 상기 반사층의 측부, 및 상기 반사층의 상부 가장 자리에 배치되는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The protective layer is disposed to surround the upper portion and the side of the reflective layer,
The reflective layer is disposed in the center except for the edge of the top surface of the lens,
The protective layer is a light emitting device package disposed on an edge of a top surface of the lens, a side of the reflective layer, and an upper edge of the reflective layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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