KR20190025276A - 차단성 수지 조성물, 광경화 차단막의 제조방법 및 전자소자 - Google Patents

차단성 수지 조성물, 광경화 차단막의 제조방법 및 전자소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 차단성 수지 조성물, 광경화 차단막의 제조방법 및 전자소자에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 아크릴레이트 디커플링 대체 소재로서 자체 수분과 산소의 투과율이 낮고, 플렉서블 디스플레이에도 적용 가능한 유연성과 고인성을 갖는 디커플링 수지를 포함하는 디커플링 수지, 상기 차단성 수지 조성물을 사용하여 투명성, 유연성, 고인성, 산소 차단성 및 수분 차단성, 투명성 등이 뛰어난 광경화 차단막을 제조하는 방법 및 이러한 광경화 차단막을 갖는 전자소자를 제공하는 효과가 있다.

Description

차단성 수지 조성물, 광경화 차단막의 제조방법 및 전자소자 {BARRIER RESIN COMPOSITION, METHOD FOR UV CURABLE BARRIER LAYER AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 차단성 수지 조성물, 광경화 차단막의 제조방법 및 전자소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아크릴레이트 디커플링 대체 소재로서 자체 수분과 산소의 투과율이 낮고, 플렉서블 디스플레이에도 적용 가능한 유연성과 고인성을 갖는 차단성 수지 조성물과 이에 포함되는 디커플링 수지, 상기 차단성 수지 조성물을 사용하여 투명성, 유연성, 고인성, 산소 차단성 및 수분 차단성 등이 뛰어난 광경화 차단막을 제조하는 방법 및 이러한 광경화 차단막을 갖는 전자소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기전자 소자는 양극과 음극 사이에 제공된 유기층에 전하를 주입하면 발광 또는 전기의 흐름 등과 같은 현상이 일어나는 것을 특징으로 하는 소자로서, 선택된 유기물에 따라서 다양한 기능을 하는 소자를 제작할 수 있다.
대표적인 예로, 유기전계발광소자(OLED)는 얇고 가벼우며 색감이 우수하여 차세대 평판 디스플레이로 주목받고 있으며, 기존의 유리기판, 실리콘을 포함한 무기물기판, 금속기판에 제작 가능할 뿐 아니라 플라스틱 기판, 필름 또는 금속 호일 등과 같은 유연한 기판 위에도 제작 가능하여 플렉서블 디스플레이로서 제작 가능하다. 하지만, 이러한 유기전자 소자는 수분 및 산소에 매우 취약하기 때문에 대기 중에 노출되었을 때 또는 외부로부터 수분이 패널 내부로 유입되었을 때 발광효율 및 수명이 현저하게 저감되는 단점을 가지고 있다.
따라서 이러한 유기 발광 소자를 외부의 습기 및 산소 등으로부터 보호하기 위해 유기 재료 및 금속 재료의 배리어층을 유기 발광 소자의 상층에 배치시켜 소자가 외기에 직접 노출되지 않도록 한다.
이때 배리어층은 단일 층으로는 수분과 산소의 유입을 방지하는데 충분하지가 않다. 따라서 유기층(디커플링층)과 무기층(배리어층)의 적층구조로 하나 이상의 배리어층을 형성하여(배리어 스택 공정) 소자 위에 배치함으로써 수분과 산소의 침투를 효과적으로 방지할 수 있다. 여기서 유기층(디커플링층)은 증착 및 중합반응의 방법에 의해 형성될 수 있고, 디커플링층을 위한 적합한 재료의 일예로 유기 중합체, 무기 중합체, 유기금속성 중합체, 혼성 유기/무기 중합체 시스템 및 실리케이트를 포함할 수 있다.
이상의 다층 배리어 재료와 디커플링 수지가 교번하는 층을 갖는 박막 배리어 복합체가 공지되어 있으나, 상기 디커플링 수지로 주로 공지된 아크릴레이트계 중합체는 자체 수분과 산소의 투과율이 높은 단점이 있고, 아크릴레이트계 중합체의 자체 특성상 플렉서블 디스플레이로서 요구되는 적합한 유연성 및 고인성을 만족하지 못하는 단점이 있다. 이뿐 아니라 높은 수분과 산소의 투과율로 인해 배리어 재료와 디커플링 수지의 교번 횟수가 많아질 수밖에 없어 공정 횟수가 많아지며, 유연성과 고인성이 나쁜 디커플링 수지를 다층 적층하여 사용함으로써 유연성과 고인성을 만족할 수 없고 디스플레이 제작 비용이 상승하는 단점이 있다.
이러한 이유로 디커플링 수지의 교번 횟수를 줄일 수 있도록, 자체 수분과 산소의 투과율이 낮고, 플렉서블 디스플레이에 적용 가능한 유연성과 고인성을 갖는 디커플링 재료가 여전히 요구된다.
선행문헌 정보: 한국특허공개 제2013-0108911호
본 발명은 아크릴레이트 디커플링 수지의 대체 재료로서 자체 수분과 산소의 투과율이 낮고, 플렉서블 디스플레이에도 적용 가능한 유연성과 고인성을 갖는 디커플링 수지를 포함하는 차단성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 차단성 수지 조성물을 재료를 사용하여 투명성, 유연성, 고인성, 산소 차단성 및 수분 차단성 등이 뛰어난 광경화 차단막을 제조하는 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은 종래 아크릴레이트 디커플링 봉지막 대체재로서 고차단성 봉지막을 갖는 전자소자를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A), 광경화형 다이머(B) 및 광 개시제(C)를 포함하되, 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)와 상기 광경화형 다이머(B)는 각각의 말단기로서 (메트)아크릴기, 비닐기 및 머캅토기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 작용기를 2종 이상 포함하는 것인 차단성 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 광경화형 실세스퀴옥산 수지로서, 상기 실세스퀴옥산 수지의 반복단위 말단에 (메트)아크릴기, 비닐기 및 머캅토기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 작용기를 2 내지 6종 포함하는 래더형 디커플링 수지를 제공한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A), 광경화형 다이머(B) 및 광 개시제(C)를 용융 및 혼합하고, 기판상에 도포 및 건조하고, 광 조사하여 차단성 라멜라 분자 구조를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 차단성 라멜라 분자 구조는 상기 광경화형 다이머(B)를 차단층으로 하고, 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)가 상기 차단층에 연속 적층된 구조를 형성하는 것인 광경화 차단막의 제조방법을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, R은 수소 또는 메틸기이고, R1은 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬렌기이고, R2는 치환 또는 비치환된 C1-C12 알킬기이거나 치환 또는 비치환된 C3-C18 탄화수소 고리기이고, R3는 치환 또는 비치환된 C3-C10 시클릭 에테르 함유 탄화수소기이며, 중량평균 분자량 1,000 내지 500,000 g/mol 범위 내에서 n, m 및 x는 각각 0 내지 100,000의 정수이되, n, m 및 x의 적어도 하나는 0이 아니고, y와 z는 각각 0 내지 100,00이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상술한 차단성 수지 조성물로부터 제조된 광경화 차단막을 포함하는 전자소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 아크릴레이트 디커플링 대체 소재로서 자체 수분과 산소의 투과율이 낮고, 플렉서블 디스플레이에도 적용 가능한 유연성과 고인성을 갖는 디커플링 수지를 포함하는 차단성 수지 조성물을 제공하는 효과가 있다.
본 발명에 따르면, 상기 차단성 수지 조성물을 사용하여 투명성, 유연성, 고인성, 산소 차단성 및 수분 차단성 등이 뛰어난 광경화 차단막의 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
본 발명에 따르면, 종래 아크릴레이트 디커플링 대체재로서 고차단성 봉지막을 갖는 전자소자를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 라멜라 구조를 보이는 모식도로서, 래더 타입의 실세스퀴옥산 수지(중앙의 동그라미 표기부분에 해당)를 광경화성 다이머(가운데 직선 표기부분에 해당)가 연결하면서 라멜라 적층구조를 형성하는 구조에 해당한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명자들은 상기의 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 관련 연구를 계속한 결과, 광경화형 다이머가 브릿지화 되어 라멜라 형태의 분자 구조를 형성할 수 있는 폴리실세스퀴옥산 수지를 포함하는 차단성 수지 조성물을 이용하는 경우, 종래 사용되던 아크릴레이트 디커플링 수지를 대체할 수 있는 투명성, 유연성, 고인성, 산소 차단성 및 수분 차단성 등이 우수한 광경화 차단막을 다수회 교번하지 않으면서 제조할 수 있음을 확인하고 이를 토대로 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명에 의한 차단성 수지 조성물용 디커플링 수지는 광경화형 실세스퀴옥산 수지로서, (메트)아크릴기, 비닐기 및 머캅토기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 작용기를 상기 실세스퀴옥산 수지의 반복단위 말단에 2 내지 6종을 포함하는 래더형 수지를 사용하는 것이 차단성 수지 조성물을 제조할 경우 매트릭스 수지로서 충분한 유연성과 고인성을 제공할 수 있어 바람직하다.
상기 (메트)아크릴기, 비닐기, 머캅토기는 광개시제 하에서 노광에 의해 경화 반응을 일으킬 수 있는 감광성 작용기로서, 구체적으로는 3-메타크릴, 3-아크릴, 비닐 또는 머캅토기를 말단으로 함유하는 탄화수소기일 수 있으며, 구체적인 예를 들면, 3-메타크릴옥시프로필, 3-아크릴옥시프로필, 3-메타크릴, 3-아크릴, 비닐 또는 머캅토기일 수 있다.
일 예로, 상기 작용기로서 (메트)아크릴기를 실세스퀴옥산 수지를 구성하는 어느 반복단위의 양 말단에 포함하는 것일 수 있다.
또한, 상기 작용기로서 비닐기를 실세스퀴옥산 수지를 구성하는 어느 반복단위의 양 말단에 포함하는 것일 수 있다.
또한, 상기 작용기로서 머캅토기를 실세스퀴옥산 수지를 구성하는 어느 반복단위의 양 말단에 포함하는 것일 수 있다.
구체적인 예로, 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지는 하기 [화학식 1]로 표시되는 구조를 포함할 수 있다:
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서, R은 수소 또는 메틸기이고, R1은 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬렌기이고, R2는 치환 또는 비치환된 C1-C12 알킬기이거나 치환 또는 비치환된 C3-C18 탄화수소 고리기이고, R3는 치환 또는 비치환된 C3-C10 시클릭 에테르 함유 탄화수소기이며, n, m 및 x는 0 내지 100,000의 정수이되, n, m 및 x의 적어도 하나는 0이 아니고, y와 z는 각각 0 내지 100,000의 정수이다.
일례로, R은 메틸기일 수 있다.
일례로, R1은 프로필기 또는
Figure pat00003
일 수 있다.
일례로, R2는 메틸기,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
또는
Figure pat00006
일 수 있다.
일례로, R3는
Figure pat00007
일 수 있다.
상기 광경화 실세스퀴옥산 수지에서 상기 첫째 반복단위와 둘째 반복단위와 셋째 반복단위 중에서 선택된 1종 이상(혹은 어느 1종)의 반복단위가 20 내지 100몰%, 25 내지 90몰%, 혹은 30 내지 80몰%이고, 넷째 반복단위는 0 내지 40몰%, 1 내지 30몰%, 혹은 10 내지 30몰%이고, 다섯째 반복단위는 0 내지 40몰%, 1 내지 30몰%, 혹은 10 내지 30몰%를 차지할 수 있고, 이 범위에서 상기 광경화 실세스퀴옥산 수지가 차단막을 형성하는데 적용될 경우 우수한 유연성과 고인성 등의 기계적 물성을 제공할 수 있다.
일례로, n, m 및 x는 각각 0 내지 100,000의 정수이되, n, m 및 x의 적어도 하나는 0이 아니고, y와 z는 각각 0 내지 100,00이다. 여기서 n,m,x가 모두 0인 경우에는, 후술하는 비교예 3에서 보듯이 우수한 산소 및 수분 차단성을 확보할 수 없으며, 높은 경화도로 인한 유연성 및 유연내구성이 좋지 않은 단점을 확인할 수 있다.
또한, 상기 y와 z는 본 발명의 실세스퀴옥산 수지(A) 중 10 내지 30몰%의 범위로는 필요한 것으로, 이는 차단막의 내화학성, 내열성, 유연성등과 같은 물리적 특성을 제공하기 위함이다.
본 명세서에서 용어 "알킬"은 직쇄, 분지쇄 또는 고리형의 탄화수소 라디칼을 포함하며, 용어 "알킬렌"은 알킬로부터 유도되는 2가(divalent) 라디칼을 말한다. 예를 들어 알킬렌은 메틸렌, 에틸렌, 이소부틸렌, 시클로헥실렌, 시클로펜틸에틸렌, 2-프로페닐렌, 3-부티닐렌 등을 포함한다.
본 명세서에 기재된 "치환 또는 비치환된"이라는 표현에서 "치환"은 탄화수소 내의 수소 원자 하나 이상이 각각, 서로 독립적으로, 동일하거나 상이한 치환기로 대체되는 것을 의미한다. 유용한 치환기는 다음을 포함하지만 이에 제한되지 않는다: -Ra, -할로, -O-, =O, -ORb, -SRb, -S-, =S, -NRcRc, =NRb, =N-ORb, 트리할로메틸, -CF3, -CN, -OCN, -SCN, -NO, -NO2, =N2, -N3, -S(O)2Rb, -S(O)2NRb, -S(O)2O-, -S(O)2ORb, -OS(O)2Rb, -OS(O)2O-, -OS(O)2ORb, -P(O)(O-)2, -P(O)(ORb)(O-), -P(O)(ORb)(ORb), -C(O)Rb, -C(S)Rb,-C(NRb)Rb, -C(O)O-, -C(O)ORb, -C(S)ORb, -C(O)NRcRc, -C(NRb)NRcRc, -OC(O)Rb, -OC(S)Rb, -OC(O)O-, -OC(O)ORb,-OC(S)ORb, -NRbC(O)Rb, -NRbC(S)Rb, -NRbC(O)O-, -NRbC(O)ORb, -NRbC(S)ORb, -NRbC(O)NRcRc, -NRbC(NRb)Rb 및 -NRbC(NRb)NRcRc, 여기서 Ra는 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 시클로헤테로알킬, 아릴, 아릴알킬, 헤테로아릴 및 헤테로아릴알킬로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 각Rb는 독립적으로 수소 또는 Ra이고; 및 각 Rc는 독립적으로 Rb이거나, 대안적으로 두 Rc는 이들이 결합된 질소 원자와 함께 4-, 5-, 6- 또는 7-원 시클로헤테로알킬을 형성하며 이는 임의로 O, N 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 동일하거나 상이한 추가적인 헤테로원자 1 내지 4개를 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, -NRcRc는 -NH2, -NH-알킬, N-피롤리디닐 및 N-모폴리닐을 포함하는 것을 의미한다. 또 다른 예로서, 치환된 알킬은 -알킬렌-O-알킬, -알킬렌-헤테로아릴, -알킬렌-시클로헤테로알킬, -알킬렌-C(O)ORb, -알킬렌-C(O)NRbRb, 및 -CH2-CH2-C(O)-CH3을 포함하는 것을 의미한다. 상기 하나 이상의 치환기는 이들이 결합된 원자와 함께 선택되어 시클로알킬 및 시클로헤테로알킬을 포함하는 시클릭 고리를 형성할 수 있다.
상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지는 일례로, 중량평균 분자량이 1,000 내지 500,000 g/mol일 수 있고, 일례로, 11,000 내지 16,000 g/mol일 수 있다. 이들 범위 내에서 광경화형 실세스퀴옥산 수지의 점도가 적당하여 작업성이 우수하다.
상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지는 일례로, 다분산도(PDI)가 1 내지 5일 수 있고, 일례로 1.9 내지 2.5일 수 있다. 이들 범위 내에서 형성되는 차단막의 평탄도가 우수할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 차단성 수지 조성물은, 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A), 광경화형 다이머(B) 및 광 개시제(C)를 포함하되, 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)와 상기 광경화형 다이머(B)는 각각의 말단기로서 (메트)아크릴기, 비닐기 및 머캅토기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 작용기를 2종 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)는 전술한 바와 같이, [화학식 1]로 표시되는 구조를 포함하는 래더형 매트릭스 수지로서, 중량평균 분자량이 1,000 내지 500,000 g/mol인 것일 수 있다.
상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)는 종래 사용하던 아크릴레이트 수지가 제공할 수 없었던 수분 및 산소 차단 효과를 일층, 많아야 이층 교번으로 제공할 수 있다.
구체적인 예로, 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)는 하기 [화학식 2]로 표시되는 반복단위를 갖는 래더형 디커플링 수지, 하기 [화학식 3]으로 표시되는 반복단위를 갖는 래더형 디커플링 수지, 하기 [화학식 4]로 표시되는 반복단위를 갖는 래더형 디커플링 수지 및 하기 [화학식 5]로 표시되는 반복단위를 갖는 래더형 디커플링 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다:
[화학식 2]
Figure pat00008
상기 화학식 2의 좌측으로부터 반복단위 변수를 z,y,n이라 할 때, z는 0 내지 40몰%, 바람직하게는 5 내지 35몰%이고, y는 0 내지 40몰%, 바람직하게는 5 내지 25몰%이고, n은 20 내지 100몰%, 바람직하게는 30 내지 90몰%일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00009
상기 화학식 3의 좌측으로부터 반복단위 변수를 1y,2y,m이라 할 때, 1y는 0 내지 40몰%, 바람직하게는 5 내지 35몰%이고, 2y는 0 내지 40몰%, 바람직하게는 5 내지 25몰%이고, m은 20 내지 100몰%, 바람직하게는 30 내지 90몰%일 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00010
상기 화학식 4의 좌측으로부터 반복단위 변수를 1y,3y,x라 할 때, 1y는 0 내지 40몰%, 바람직하게는 5 내지 35몰%이고, 3y는 0 내지 40몰%, 바람직하게는 5 내지 25몰%이고, x는 20 내지 100몰%, 바람직하게는 30 내지 90몰%일 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00011
상기 화학식 5의 좌측으로부터 반복단위 변수를 1y,4y,n이라 할 때, 1y는 0 내지 40몰%, 바람직하게는 5 내지 35몰%이고, 4y는 0 내지 40몰%, 바람직하게는 5 내지 25몰%이고, n은 20 내지 100몰%, 바람직하게는 30 내지 90몰%일 수 있다.
상기 식 2,3,4,5에서 n, m, x, y, z는 화학식 1 관련하여 설명한 것과 같다. 상기 [화학식 2]로 표시되는 래더형 디커플링 수지, 상기 [화학식 3]으로 표시되는 래더형 디커플링 수지, 상기 [화학식 4]로 표시되는 래더형 디커플링 수지, 상기 [화학식 5]로 표시되는 래더형 디커플링 수지는, 브릿지 겸 차단층을 형성하도록 배합하는 하기 광경화형 다이머(B)의 종류에 따라 산소투과도, 수분투과도, 곡률반경, 유연내구성 측면에서 각기 상이한 개선 효과를 제공할 수 있는 것으로, 필요한 경우 이들을 배합하여 산소투과도, 수분투과도, 곡률반경, 유연내구성의 최적화 효과를 도모할 수 있다.
상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)는 일례로 전체 조성물 중 10 내지 90 중량%, 30 내지 60 중량%, 혹은 30 내지 50 중량%일 수 있고, 이 범위 내에서 차단성 라멜라 구조로서 후술하는 광경화형 다이머(B)를 차단층으로 하여 연속 적층된 구조를 제공할 수 있어 바람직하다.
상기 광경화형 다이머(B)는 하기 [화학식 6]으로 표시되는 화합물, 하기 [화학식 7]로 표시되는 화합물, 및 하기 [화학식 8]로 표시되는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것이 상술한 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)에 대한 차단층 구조를 제공할 수 있어 바람직하며, 특히 자체적인 하이드로포빅 특성에 따라 차단효과를 극대화할 수 있다:
[화학식 6]
Figure pat00012
[화학식 7]
Figure pat00013
[화학식 8]
Figure pat00014
상기 화학식 6,7,8에서, R은 수소 또는 메틸기이고, R4, R5는 서로 독립적으로 비치환 또는 불소 치환된 C1-C50 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌기, 에테르기 혹은 알킬렌 옥사이드기이다.
상기 광경화형 다이머(B)는 구체적인 예로, 하기 [화학식 10]로 표시되는 화합물, 하기 [화학식 11]으로 표시되는 화합물, 하기 [화학식 12]로 표시되는 화합물, 하기 [화학식 13]로 표시되는 화합물, 하기 [화학식 14]으로 표시되는 화합물 및 하기 [화학식 15]로 표시되는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상을 사용하는 것이 상술한 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)에 대한 차단층 구조를 효과적으로 제공할 수 있어 바람직하다
[화학식 10]
Figure pat00015
[화학식 11]
Figure pat00016
[화학식 12]
Figure pat00017
[화학식 13]
Figure pat00018
[화학식 14]
Figure pat00019
[화학식 15]
Figure pat00020
상기 광경화형 다이머(B)는 일례로 전체 조성물 중 10 내지 60 중량%, 10 내지 30 중량%, 혹은 15 내지 30 중량%일 수 있고, 이 범위 내에서 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)와 알리파틱 소수성 단량체들이 광 경화도중 결합하여 광경화형 다이머가 브릿지된 라멜라 형태의 분자 구조를 충분히 형성하고 수분과 산소의 투과를 효과적으로 차단할 수 있다.
상기 광 개시제(C)는 가시광선, 자외선, 원자외선 등의 파장에 의해 상기 가교성 단위체의 중합을 개시하는 작용을 한다. 상기 광 개시제는 일례로 1-하이드록시-사이클로헥실페닐케톤, 벤조페논, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-(4-(4-모폴리닐)페닐)-1-부타논, 2-메틸-1-(4-메틸티오)페닐-2-(4-모폴리닐)-1-프로파논, 디페닐-(2,4,6-트리메틸벤조일) 포스핀 옥사이드, 페닐 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 포스핀 옥사이드, 벤질-디메틸케탈, 이소프로필티오크산톤, 에틸 (2,4,6-트리메틸 벤조일) 페닐 포스피네이트 및 페닐 (2,4,6-트리메틸 벤조일) 페닐 포스피네이트, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 벤조일퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, p-디메틸아미노아세토페논, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모포리닐)페닐]-1-부탄온, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤질디메틸케탈, 벤조페논, 벤조인프로필에테르, 디에틸티옥산톤, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-p-메톡시페닐-s-트리아진, 2-트리클로로메틸-5-스티릴-1,3,4-옥소디아졸, 9-페닐아크리딘, 3-메틸-5-아미노-((s-트리아진-2-일)아미노)-3-페닐쿠마린, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 이량체, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-[4-(페닐티오)페닐]-옥탄-1,2-디온-2-(O-벤조일옥심), o-벤조일-4'-(벤즈머캅토)벤조일-헥실-케톡심, 2,4,6-트리메틸페닐카르보닐-디페닐포스포닐옥사이드, 헥사플루오로포스포로-트리알킬페닐술포늄염, 2-머캅토벤즈이미다졸, 2,2'-벤조티아조릴디설파이드 및 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 광 개시제로는 필요한 경우 당업계에서 공지된 키토옥심에스터 화합물과 알파키토옥심에스터 화합물 등도 병용하거나 혹은 단독으로 사용할 수 있다.
상기 광 개시제는 전체 조성물 중 0.1 내지 30 중량%, 0.1 내지 20 중량% 혹은 0.5 내지 10 중량%일 수 있고, 이 범위 내에서 충분한 경화를 일으키며 경화 후 용해도 감소로 인한 석출 등의 문제도 예방할 수 있다.
본 발명의 차단성 수지 조성물은 적어도 2 이상의 에틸렌계 이중 결합을 갖는 가교성 단위체(D)를 포함할 수 있다. 상기 에틸렌계 이중 결합을 갖는 가교성 단위체는 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 부틸렌글리콜디메타크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리아크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리메타크릴레이트, 테트라메틸롤프로판테트라아크릴레이트, 테트라메틸롤프로판테트라메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 카르도에폭시디아크릴레이트를 비롯한 다작용성 (메타)아크릴계 모노머, 올리고머류; 다가 알코올류와 1염기산 또는 다염기산을 축합하여 얻어지는 폴리에스테르 프리폴리머에 (메타)아크릴산을 반응하여 얻어지는 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 폴리올기와 2개의 이소시아네이트기를 가지는 화합물간 반응물에 (메타)아크릴산을 반응하여 얻어지는 폴리우레탄(메타)아크릴레이트; 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 또는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 레졸형 에폭시수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 폴리카르복시산 폴리글리시딜에스테르, 폴리올폴리글리시딜에스테르, 지방족 또는 지환식 에폭시 수지, 아민에폭시 수지, 디히드록시벤젠형 에폭시 수지를 비롯한 에폭시 수지와 (메타)아크릴산을 반응하여 얻어지는 에폭시(메타)아크릴레이트 수지에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 필요에 따라서는 티올 분자를 포함할 수 있다.
상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 가교성 단위체는 전체 조성물 중 0.01 내지 20 중량%, 0.1 내지 10 중량%, 혹은 1 내지 10 중량%인 것이 노광 감도 및 가교 효율을 고려할 때 바람직하다.
상기 차단성 수지 조성물은 점도 조절용 단량체(E) 혹은 유기용매를 더 포함할 수 있다. 해당 단량체로는 C1-C20의 (메트)아크릴레이트, C2-C20의 디올의 디(메트)아크릴레이트, C3-C20의 트리올의 트리(메트)아크릴레이트, C4-C20의 테트라올의 테트라(메틸)아크릴레이트, 폴리알킬렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, C1-C30의 비닐 단량체, 우레탄결합을 포함하는 1관능 (메트)아크릴레이트, 우레탄결합을 포함하는 2관능 (메트)아크릴레이트, 우레탄결합을 포함하는 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 실란 단량체, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하고 인을 포함하는 단량체, 에틸렌성 불포화결합을 포함하는 불소포함 단량체가 사용될 수 있다. 해당 유기용매로는 통상 광중합조성물에 사용하는 아세테이트계, 에테르계, 글리콜계, 케톤계, 알콜계 및 카보네이트계를 비롯한 유기용매 중에서 본 발명의 해당 고분자를 용해시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨 아세테이트, 부틸카비톨 아세테이트, 에틸렌글리콜, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 3-에톡시프로피온산, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, N-메틸카프로락탐등으로 이루어진 용매들 중 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 점도조절용 단량체 또는 유기용매는 전체 조성물 중 0.1 내지 40 중량%, 5 내지 30 중량%, 혹은 10 내지 25 중량% 범위 내일 수 있고, 이 범위 내에서 점도를 조절하기에 충분하다.
본 발명의 차단성 수지 조성물은 계면활성제, 접착보조제, 광안정제 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 전체 감광성 수지 조성물이 요구하는 물성을 변화시키지 않는 범위에서 사용자의 선택에 따라 종류와 함량을 조절 가능하다. 일례로, 계면활성제, 접착보조제, 광안정제 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 전체 조성물 중 0.01 내지 20 중량% 범위 내로 포함할 수 있다.
상기 접착보조제는 일례로 카르복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기 또는 에폭시기를 비롯한 반응성 관능기를 갖는 실란 커플링제일 수 있다. 구체적인 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 중에서 선택된 1종 이상인 것으로, 상기 접착보조제는 전체 조성물 중 0.01 내지 10 중량%, 0.1 내지 5 중량%, 혹은 1 내지 5 중량%일 수 있고, 이 범위에서 기판과의 접착력을 충분히 향상시킬 수 있다.
상기 계면활성제는 불소계, 실리콘계 및 비이온계로 이루어진 그룹 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 상기 계면활성제는 전체 조성물 중 0.01 내지 10 중량%, 0.1 내지 5 중량%, 혹은 1 내지 5 중량%일 수 있고, 이 범위에서 기판에 대한 코팅성과 도포성, 균일성 및 얼룩 제거능을 향상시킬 수 있다.
상기 광안정제로는 Tinuvin 292, Tinuvin 144, Tinuvin 622LD(시바가이기사, 일본), sanol LS-770, sanol LS-765, sanol LS-292, sanol LS-744(산쿄, 일본) 등을 들 수 있다. 상기 광안정제는 전체 조성물 중 0.01 내지 10 중량%, 0.1 내지 5 중량%, 혹은 1 내지 5 중량% 범위로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 차단성 수지 조성물을 이용하여 광경화 차단막을 형성할 수 있다. 광경화 차단막 형성의 방식은 특별히 제한되는 것은 아니고, 이 기술분야에서 알려진 방식을 이용할 수 있다. 예를 들면, 용융 및 혼련된 차단성 수지 조성물을 일례로 스핀코팅(Spin coating), 딥코팅(dip coating), 롤코팅(roll coating), 잉크젯코팅(Ink-jet coating) 스크린코팅(screen coating), 흐름코팅(flow coating), 스크린프린팅(screen printing), 드롭캐스팅(drop casting)등의 코팅법을 이용하여 코팅할 수 있다. 이후에 경화(건조) 단계에서 무용제일 경우 직접 광경화 공정을 진행할 수 있으며, 용제형일 경우 진공, 적외선 또는 열을 가하여 용매를 휘발시킨 후 다음의 경화 공정을 진행하여 광경화 차단막을 형성 할 수 있다.
다음, 노광 공정은 150 내지 600nm 범위의 전자기 방사선을 사용하여 조사한다. 상기 전자기 방사선의 비제한적인 예로는 마이크로파, 적외선, 가시광선, 자외선, X선, γ선, 전자선, 양자선, 중성자선, 이온선 등이 포함된다. 상기 전자기 방사선의 공급원은 일례로 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈할라이드 램프, 아르곤 가스 레이저, LED 램프 등을 사용할 수 있다. 또한, 방사선에는 방사선 조사량은 조성물의 조성이나 형성하고자 하는 광경화 차단막의 막 두께 등에 따라서도 상이한데, 예를 들어 LED 램프를 사용하는 경우 30 내지 1000 mJ/㎠, 바람직하게는 100 내지 1000 mJ/㎠일 수 있다. 일례로 엑시머 레이저, 원자외선, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 또는 g-선(파장 436nm), i-선(파장 365nm), h-선(파장 405nm) 또는 이들의 혼합 광선을 사용하여 조사한다. 노광은 접촉식, 근접식, 투영식 등의 노광법을 사용할 수 있다. 노광에 의한 광중합 반응에 의해 상기 광경화형 다이머(B)를 차단층으로 하고, 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)가 상기 차단층에 연속 적층 구조를 형성하는 차단성이 있는 라멜라 분자 구조를 형성하게 된다.
일 구현예에 따르면 상술한 차단성 수지 조성물로부터 형성된 광경화 차단막의 두께는 용도에 따라 1㎛ 내지 1,000㎛ 범위에서 선택될 수 있다. 다른 구현예에 따르면 상기 광경화 차단막이 적용된 전자소자가 제공된다. 여기서 광경화 차단막은 봉지 재료이거나 또는 오버코터 재료일 수 있다. 상기 광경화 차단막은 상술한 라멜라 구조일 수 있다.
상기 광경화 차단막은 일례로 인쇄 잉크, 인쇄 플레이트, 봉지재, 전자소자용 포토레지스트, 전기도금 레지스트, 에칭 레지스트, 액체 및 건조 필름, 솔더 레지스트, 다양한 디스플레이 적용을 위한 컬러 필터를 제조하기 위한 레지스트, 플라즈마-디스플레이 패널, 전계발광 디스플레이 및 LCD의 제조 공정에서의 구조체를 생성하기 위한 레지스트, LCD용 스페이서 제조를 위한 조성물, 홀로그래피 데이터 저장 (HDS)을 위한 조성물, 전기 및 전자 부품을 캡슐화하기 위한 조성물로서의, 자기 기록 물질, 미세기계 부품, 도파관, 광학 스위치, 도금 마스크, 에칭 마스크, 색교정 시스템, 유리 섬유 케이블 코팅, 스크린 인쇄 스텐실을 제조하기 위한, 스테레오리소그래피에 의해 3차원 물체를 제조하기 위한, 화상 기록 물질로서의, 홀로그래피 기록, 미세전자 회로, 탈색 물질, 화상 기록 물질용 탈색 물질을 위한, 마이크로캡슐을 사용한 화상 기록 물질을 위한, UV 및 가시광 레이저 유도 화상형성 시스템용 포토레지스트 물질로서, 인쇄회로기판의 순차적 빌드-업 층에서 유전체 층을 형성하기 위해 사용되는 포토레지스트 물질로서의 용도에 적용될 수 있다.
상기 광경화 차단막의 기재의 비제한적인 예로는 전자 부품용 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 상기 기판으로는, 실리콘, 질화실리콘, 산화실리콘, 티탄, 탄탈, 팔라듐, 티탄텅스텐, 구리, 크롬, 알루미늄, AlNd, ITO, IGZO 등이 도포된 유리 또는 플라스틱 기판이나 유리 또는 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. 상기 기재의 종류는 반도체 소자용 기판, 액정디스플레이(LCD) 기판, 유기전계발광소자(OLED) 기판, 태양전지 기판, 플렉서블 디스플레이 기판, 터치스크린 제조용 기판 등일 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명을 이에 한정하는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1: 광경화 실세스퀴옥산 수지 합성
하기 화학식 1로 표시되는 광경화 실세스퀴옥산 수지를 다음 표에 합성예 별로 제시된 치환기를 갖도록 제조하였다:
[화학식 1]
Figure pat00021
Figure pat00022
합성예 1-광경화 실세스퀴옥산 수지 합성
Figure pat00023
[화학식 2]
상기 화학식 2로 표시되는 광경화 실세스퀴옥산 수지를 다음과 같이 제조하였다:
교반기, 온도계를 구비한 플라스크에 용매로서 테트라하이드로퓨란 80g과 초순수 40g을 투입하고 촉매로서 탄산칼륨 0.3g을 투입한 다음 20분간 상온에서 교반하여 용해시켰다.
그런 다음 페닐 트리메톡시실란 0.2mol을 넣고 2시간 반응시켰다. 이 반응액에 트리메톡시(3-(옥시란-2-일메톡시)프로필)실란 0.2mol과 3-(트리에톡시실릴)프로필메타크릴레이트 0.6mol의 혼합액을 30분에 걸쳐 천천히 적가하였다. 적가 완료후 8시간 동안 반응시킨 다음 수지를 메틸렌 클로라이드로 추출하고 감압 증류하여 목표로 하는 상기 [화학식 2]의 광경화 실세스퀴옥산 수지(화학식 2의 좌측 블록으로부터 차례로 z,y,n라 할 때 z:y:n=1:1:3의 몰 비)를 얻었다. 생성물을 polystyrene기준으로 한 GPC 분석을 통하여 분자량 및 다분산도(polydispersity)를 확인한 결과, 중량평균 분자량은 13,000 내지 14,000 g/mol이고, 다분산도는 2.1 내지 2.2이었다.
합성예 2-광경화 실세스퀴옥산 수지 합성
Figure pat00024
[화학식 3]
상기 화학식 3으로 표시되는 광경화 실세스퀴옥산 수지를 다음과 같이 제조하였다:
교반기, 온도계를 구비한 플라스크에 용매로서 테트라하이드로퓨란 80g과 초순수 40g을 투입하고 촉매로서 탄산칼륨 0.3g을 투입한 다음 20분간 상온에서 교반하여 용해시켰다.
그런 다음 메틸 트리메톡시실란 0.2mol을 넣고 2시간 반응시켰다. 이 반응액에 페닐 트리에톡시실란 0.2mol과 스티릴에틸 트리메톡시실란 0.6mol의 혼합액을 30분에 걸쳐 천천히 적가하였다. 적가 완료후 8시간 동안 반응시킨 다음 수지를 메틸렌 클로라이드로 추출하고 감압 증류하여 목표로 하는 상기 [화학식 3]의 광경화 실세스퀴옥산 수지(화학식 3의 좌측 블록으로부터 차례로 1y,2y,m이라 할 때 1y:2y:m=1:1:3의 몰비)를 얻었다. 생성물을 polystyrene기준으로 한 GPC 분석을 통하여 분자량 및 다분산도(polydispersity)를 확인한 결과, 중량평균 분자량은 12,000 내지 14,000 g/mol이고, 다분산도는 2.2 내지 2.4이었다.
합성예 3-광경화 실세스퀴옥산 수지 합성
Figure pat00025
[화학식 4]
상기 화학식 4로 표시되는 광경화 실세스퀴옥산 수지를 다음과 같이 제조하였다:
교반기, 온도계를 구비한 플라스크에 용매로서 테트라하이드로퓨란 80g과 초순수 40g을 투입하고 촉매로서 탄산칼륨 0.3g을 투입한 다음 20분간 상온에서 교반하여 용해시켰다.
그런 다음 메틸 트리메톡시실란 0.2mol을 넣고 2시간 반응시켰다. 이 반응액에 페닐 트리메톡시실란 0.2mol과 3-머캅토프로필 트리메톡시실란 0.6mol의 혼합액을 30분에 걸쳐 천천히 적가하였다. 적가 완료후 8시간 동안 반응시킨 다음 수지를 메틸렌 클로라이드로 추출하고 감압 증류하여 목표로 하는 상기 [화학식 4]의 광경화 실세스퀴옥산 수지(화학식 4의 좌측 블록으로부터 1y,3y,x라 할 때 1y:3y:x=1:1:3의 몰비)를 얻었다. 생성물을 polystyrene기준으로 한 GPC 분석을 통하여 분자량 및 다분산도(polydispersity)를 확인한 결과, 중량평균 분자량은 15,000 내지 16,000 g/mol이고, 다분산도는 2.4 내지 2.5이었다.
합성예 4-광경화 실세스퀴옥산 수지 합성
Figure pat00026
[화학식 5]
상기 화학식 5로 표시되는 광경화 실세스퀴옥산 수지를 다음과 같이 제조하였다:
교반기, 온도계를 구비한 플라스크에 용매로서 테트라하이드로퓨란 80g과 초순수 40g을 투입하고 촉매로서 탄산칼륨 0.3g을 투입한 다음 20분간 상온에서 교반하여 용해시켰다.
그런 다음 메틸 트리메톡시실란 0.2mol을 넣고 2시간 반응시켰다. 이 반응액에 노나플루오로헥실 트리메톡시실란 0.2mol과 3-(트리에톡시실릴) 프로필메타크릴레이트 0.6mol의 혼합액을 30분에 걸쳐 천천히 적가하였다. 적가 완료후 8시간 동안 반응시킨 다음 수지를 메틸렌 클로라이드로 추출하고 감압 증류하여 목표로 하는 상기 [화학식 5]의 광경화 실세스퀴옥산 수지(화학식 5의 좌측 블록으로부터 1y:4y:n=1:1:3의 몰비)를 얻었다. 생성물을 polystyrene기준으로 한 GPC 분석을 통하여 분자량 및 다분산도(polydispersity)를 확인한 결과, 중량평균 분자량은 11,000 내지 12,000 g/mol이고, 다분산도는 1.9 내지 2.1이었다.
<실시예 1-23, 비교예 1-3: 차단성 수지 조성물>
상기 합성예 1 내지 합성예 4에서 제조된 수지와 후술하는 화학식 7 또는 화학식 8로 표시되는 수지를 이용하여 실시예 1 내지 23의 수지 조성물과 비교예 1 내지 3의 차단성 수지 조성물을 각각 제조하였다.
구체적으로는, 상기 합성예 1 내지 4의 수지, 혹은 비교예 1 내지 2의 수지 40중량부, 광경화형 다이머(B) 25중량부, 에틸렌성 불포화결합 화합물(D)로서 트리메티롤프로판 트리아크릴레이트(TMPTA) 5중량부, 광개시제(C)로서 Irgacure TPO(BASF사) 7중량부, 유기용매로서 3-에톡시프로피온산 에틸 20 중량부, 접착력증진제 KBM 403(신네츠) 3부를 상온에서 혼합하여 6시간 동안 교반시키고 5.0 마이크로 포어사이즈 필터로 여과시킨 후 수지조성물을 제조하였다. 여기서 상기 광경화형 다이머(B)로는 하기 표 2에서 제시한 화합물을 각각 사용하였다.
본 발명의 실시예에 따르면, 도 1에 모식도로서 나타낸 바와 같이, 중앙의 동그라미 표기부분에 해당하는 래더 타입의 실세스퀴옥산 수지들을 가운데 직선 표기부분에 해당하는 광경화성 다이머가 연결하면서 라멜라 적층구조를 형성하게 된다.
Figure pat00027
참고로, 상기 표 내 화학식 7 내지 14는 다음 식으로 표시되는 화합물이다:
[화학식 10]
Figure pat00028
[화학식 11]
Figure pat00029
[화학식 12]
Figure pat00030
[화학식 13]
Figure pat00031
[화학식 14]
Figure pat00032
[화학식 15]
Figure pat00033
[화학식 7]
Figure pat00034
상기 [화학식 7]로 표시되는 화합물은 중량평균 분자량이 12,000 g/mol이고 다분산도가 1.8인 것이며, 좌측으로부터 블록의 변수가 각각 20/35/15/30인 것이다.
[화학식 8]
Figure pat00035
상기 [화학식 8]로 표시되는 화합물은 중량평균 분자량이 9000g/mol이고 다분산도가 1.85인 것이며, 좌측으로부터 블록의 변수가 각각 20/40/40인 것이다.
한편, 비교 실험을 위하여 다음과 같이 광경화기를 포함하지 않는 실세스퀴옥산 수지를 합성하였다:
Figure pat00036
[화학식 9]
교반기, 온도계를 구비한 플라스크에 용매로서 테트라하이드로퓨란 80g과 초순수 40g을 투입하고 촉매로서 탄산칼륨 0.3g을 투입한 다음 20분간 상온에서 교반하여 용해시켰다.
그런 다음 메틸 트리메톡시실란 0.2mol을 넣고 2시간 반응시켰다. 이 반응액에 페닐 트리메톡시실란 0.2mol을 30분에 걸쳐 천천히 적가하였다. 적가 완료후 8시간 동안 반응시킨 다음 수지를 메틸렌 클로라이드로 추출하고 감압 증류하여 목표로 하는 상기 [화학식 6]의 광경화기가 없는 실세스퀴옥산 수지(화학식 6의 좌측 블록으로부터 1y,3y라 할 때 1y:3y=1:1의 몰비)를 얻었다. 생성물을 polystyrene기준으로 한 GPC 분석을 통하여 분자량 및 다분산도(polydispersity)를 확인한 결과, 중량평균 분자량은 16,000 내지 17,000 g/mol이고, 다분산도는 2.2 내지 2.3이었다.
수득된 실시예 1 내지 23, 비교예 1 내지 3의 차단성 수지 조성물을 사용하여 광경화 차단막을 다음과 같이 제조하였다.
즉, 제조된 차단성 수지 조성물을 각각 폴리이미드필름(두께 75㎛)에 기판에 잉크젯 장비를 사용하여 잉크젯팅하고 90℃ 오븐에서 5분간 건조한 후 LED Lamp 1000mJ/㎠ (365nm파장)로 노광하여 100mm X 100mm X 10㎛ (가로 X 세로 X 두께)의 광경화 차단막을 형성하였다. 제조된 광경화 차단막에 대하여 다음과 같은 시험 항목을 수행하였다.
<측정 방법>
산소투과도: 온도 23℃, 습도 0％ RH의 조건으로, 미국 모콘(MOCON)사 제조의 산소 투과율 측정 장치(OXTRAN 2/20))를 사용하여 JIS K7126(2000년판)에 기재된 B법(등압법)에 기초하여 측정하였다. 1개의 샘플로부터 2장의 시험편을 잘라내어 각각의 시험편에 대하여 측정을 1회씩 행하고, 2개의 측정치의 평균치를 그 샘플의 산소투과율 값으로 하였다.
수분투과도 : 온도 40℃, 습도 90％ RH의 조건으로, 미국 모콘(MOCON)사 제조의 수증기 투과율 측정 장치(Permatran W3/31)를 사용하여 JIS K7129(2000년판)에 기재된 B법(적외선 센서법)에 기초하여 측정하였다. 1개의 샘플로부터 2장의 시험편을 잘라내어 각각의 시험편에 대하여 측정을 1회씩 시행하고, 2개의 측정치의 평균치를 그 샘플의 수분투과율 값으로 하였다.
곡률반경: 곡률반경은 내절도시험기를 사용하여 곡률반경을 1R부터 20R까지 측정하여 경화막의 크랙여부를 확인하여 곡류반경을 측정하였다.
유연내구성 : 유연내구성은 내절도시험기를 사용하여 곡률 반경 5R과 10R에서 10만회 접힘 테스트를 진행한 후 접힘면의 크랙 여부를 확인하였다.
투명성: 투명성은 UV spectrum을 사용하여 두께 10um, 파장 380nm ~ 800nm까지의 평균 투과도를 측정하였다.
상기 산소투과도, 수분투과도, 곡률반경, 유연내구성, 투명성에 대한 실험결과를 하기 표 3에 나타내었다.
Figure pat00037
상기 표 3에서 보듯이, 본 발명에 따른 수지 조성물은 일반적인 경화막 대비 낮은 산소, 수분 투과율을 보일 뿐 아니라 우수한 곡률반경과 유연 내구성, 투명성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
추가로 다음과 같은 추가 실시예 1, 추가 실시예 2, 추가 비교예 1에 대한 실험을 수행하였다.
<추가 실시예 1>
상기 본건 실시예 1의 광경화형 실세스 퀴옥산 수지(A)에서 경화기가 없는 블록(y,z)의 함량이 5mol%이하인 경우 필름의 내화학성 또는 내열성등의 특성 확보가 용이하지 않으며, 과량의 경화도로 인해 필름이 깨지기(Brittle) 쉬운 것을 확인할 수 있었다.
<추가 실시예 2>
상기 본건 실시예의 합성예 1 내지 4의 광경화형 실세스 퀴옥산 수지(A)를 혼합 사용하여 곡률반경, 유연내구성등의 물리적 특성을 조절 가능하다. 예를 들어 실시예 10의 조성에 사용된 합성예 2의 수지를 합성예 1의 수지를 50% 대체할 경우 유연내구성은 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
<추가 비교예 1>
상기 비교예 1의 아크릴 수지를 사용한 결과 산소, 수분투과도가 현저히 떨어지는 결과를 보이는 것으로, 이를 극복하기 위하여 비교예 1의 조성을 3번, 5번 교번하여 다층을 형성시킨 결과 산소 및 수분투과율의 효율적인 성능확보가 이루어지지 않았다. 이로부터, 비교예 1의 아크릴 수지는 여러번(다층) 교번하여도 라멜라형태의 입체 구조를 형성할 수 없기 때문에 산소, 수분 차단 효과가 없는 결과를 확인할 수 있었다.

Claims (16)

  1. 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A), 광경화형 다이머(B) 및 광 개시제(C)를 포함하되, 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)와 상기 광경화형 다이머(B)는 각각의 말단기로서 (메트)아크릴기, 비닐기 및 머캅토기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 작용기를 2종 이상 포함하는 것인 차단성 수지 조성물.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)는 하기 [화학식 1]로 표시되는 구조를 포함하는 래더형 수지인 것인 차단성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00038

    상기 화학식 1에서, R은 수소 또는 메틸기이고, R1은 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬렌기이고, R2는 치환 또는 비치환된 C1-C12 알킬기이거나 치환 또는 비치환된 C3-C18 탄화수소 고리기이고, R3는 치환 또는 비치환된 C3-C10 시클릭 에테르 함유 탄화수소기이며, 중량평균 분자량 1,000 내지 500,000 g/mol 범위 내에서 n, m 및 x는 각각 0 내지 100,000의 정수이되, n, m 및 x의 적어도 하나는 0이 아니고, y와 z는 각각 0 내지 100,00이다.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)는 하기 [화학식 2]로 표시되는 반복단위를 갖는 래더형 수지, 하기 [화학식 3]으로 표시되는 반복단위를 갖는 래더형 수지, 하기 [화학식 4]로 표시되는 반복단위를 갖는 래더형 수지 및 하기 [화학식 5]로 표시되는 반복단위를 갖는 래더형 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 차단성 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure pat00039

    상기 화학식 2의 좌측으로부터 반복단위 변수를 z,y,n이라 할 때, z는 0 내지 40몰%이고, y는 0 내지 40몰%이고, n은 20 내지 100몰%이다.
    [화학식 3]
    Figure pat00040

    상기 화학식 3의 좌측으로부터 반복 단위별 변수를 1y,2y,m이라 할 때, 1y는 0 내지 40몰%이고, 2y는 0 내지 40몰%이고, m은 20 내지 100몰%이다.
    [화학식 4]
    Figure pat00041

    상기 화학식 4의 좌측으로부터 반복 단위별 변수를 1y,3y,x라 할 때, 1y는 0 내지 40몰%이고, 3y는 0 내지 40몰%이고, x는 20 내지 100몰%이다.
    [화학식 5]
    Figure pat00042

    상기 화학식 5의 좌측으로부터 반복 단위별 변수를 1y,4y,n이라 할 때, 1y는 0 내지 40몰%이고, 4y는 0 내지 40몰%이고, n은 20 내지 100몰%이다.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 광경화형 다이머(B)는 하기 [화학식 6]으로 표시되는 화합물, 하기 [화학식 7]로 표시되는 화합물, 및 하기 [화학식 8]로 표시되는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 차단성 수지 조성물:
    [화학식 6]
    Figure pat00043

    [화학식 7]
    Figure pat00044

    [화학식 8]
    Figure pat00045

    상기 화학식 6,7,8에서, R은 수소 또는 메틸기이고, R4, R5는 서로 독립적으로 비치환 또는 불소 치환된 C1-C50 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌기, 에테르기 혹은 알킬렌 옥사이드기이다.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)는 전체 조성물 중 10 내지 90 중량%이고, 상기 광경화형 다이머(B)는 전체 조성물 중 10 내지 60 중량%이고, 상기 광 개시제(C)는 전체 조성물 중 0.1 내지 30 중량%인 차단성 수지 조성물.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 광 개시제(C)는 1-하이드록시-사이클로헥실페닐케톤, 벤조페논, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-(4-(4-모폴리닐)페닐)-1-부타논, 2-메틸-1-(4-메틸티오)페닐-2-(4-모폴리닐)-1-프로파논, 디페닐-(2,4,6-트리메틸벤조일) 포스핀 옥사이드, 페닐 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 포스핀 옥사이드, 벤질-디메틸케탈, 이소프로필티오크산톤, 에틸 (2,4,6-트리메틸 벤조일) 페닐 포스피네이트 및 페닐 (2,4,6-트리메틸 벤조일) 페닐 포스피네이트, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 벤조일퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, p-디메틸아미노아세토페논, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모포리닐)페닐]-1-부탄온, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤질디메틸케탈, 벤조페논, 벤조인프로필에테르, 디에틸티옥산톤, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-p-메톡시페닐-s-트리아진, 2-트리클로로메틸-5-스티릴-1,3,4-옥소디아졸, 9-페닐아크리딘, 3-메틸-5-아미노-((s-트리아진-2-일)아미노)-3-페닐쿠마린, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 이량체, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-[4-(페닐티오)페닐]-옥탄-1,2-디온-2-(O-벤조일옥심), o-벤조일-4'-(벤즈머캅토)벤조일-헥실-케톡심, 2,4,6-트리메틸페닐카르보닐-디페닐포스포닐옥사이드, 헥사플루오로포스포로-트리알킬페닐술포늄염, 2-머캅토벤즈이미다졸, 2,2'-벤조티아조릴디설파이드, 키토옥심에스터, 알파키토옥심에스터 및 이들의 혼합물인 차단성 수지 조성물.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 차단성 수지 조성물은 적어도 2 이상의 에틸렌계 불포화 결합을 갖는 가교성 단위체(D)를 포함하며, 여기서 상기 에틸렌계 이중 결합을 갖는 가교성 단위체는 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 부틸렌글리콜디메타크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리아크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리메타크릴레이트, 테트라메틸롤프로판테트라아크릴레이트, 테트라메틸롤프로판테트라메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 카르도에폭시디아크릴레이트를 비롯한 다작용성 (메타)아크릴계 모노머, 올리고머류; 다가 알코올류와 1염기산 또는 다염기산을 축합하여 얻어지는 폴리에스테르 프리폴리머에 (메타)아크릴산을 반응하여 얻어지는 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 폴리올기와 2개의 이소시아네이트기를 가지는 화합물간 반응물에 (메타)아크릴산을 반응하여 얻어지는 폴리우레탄(메타)아크릴레이트; 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 또는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 레졸형 에폭시수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 폴리카르복시산 폴리글리시딜에스테르, 폴리올폴리글리시딜에스테르, 지방족 또는 지환식 에폭시 수지, 아민에폭시 수지, 디히드록시벤젠형 에폭시 수지를 비롯한 에폭시 수지와 (메타)아크릴산을 반응하여 얻어지는 에폭시(메타)아크릴레이트 수지에서 선택된 1종 이상을 전체 조성물 중 0.01 내지 20 중량% 범위 내로 포함하는 것인 차단성 수지 조성물.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 차단성 수지 조성물은 계면활성제, 접착보조제, 광안정제 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 전체 조성물 중 0.01 내지 20 중량%범위 내로 포함하는 것인 차단성 수지 조성물.
  9. 광경화형 실세스퀴옥산 수지로서, 상기 실세스퀴옥산 수지의 반복단위 말단에 (메트)아크릴기, 비닐기 및 머캅토기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 작용기를 2 내지 6종 포함하는 것인 래더형 디커플링 수지.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지는 하기 [화학식 1]로 표시되는 구조를 포함하는 것인 래더형 디커플링 수지:
    [화학식 1]
    Figure pat00046

    상기 화학식 1에서, R은 수소 또는 메틸기이고, R1은 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬렌기이고, R2는 치환 또는 비치환된 C1-C12 알킬기이거나 치환 또는 비치환된 C3-C18 탄화수소 고리기이고, R3는 치환 또는 비치환된 C3-C10 시클릭 에테르 함유 탄화수소기이며, 중량평균 분자량 1,000 내지 500,000 g/mol 범위 내에서 n, m 및 x는 각각 0 내지 100,000의 정수이되, n, m 및 x의 적어도 하나는 0이 아니고, y와 z는 각각 0 내지 100,00이다.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지는 y와 z의 합량이 실세스퀴옥산 수지(A) 중 10 내지 30몰% 범위 내로 포함되는 것인 래더형 디커플링 수지.
  12. 하기 화학식 1로 표시되는 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A), 광경화형 다이머(B) 및 광 개시제(C)를 용융 및 혼합하고, 기판 상에 도포 및 건조하고, 광 조사하여 차단성 라멜라 분자 구조를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 차단성 라멜라 분자 구조는 상기 광경화형 다이머(B)를 차단층으로 하고, 상기 광경화형 실세스퀴옥산 수지(A)가 상기 차단층 표면에 연속 적층 구조를 형성하는 것인 광경화 차단막의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure pat00047

    상기 화학식 1에서, R은 수소 또는 메틸기이고, R1은 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬렌기이고, R2는 치환 또는 비치환된 C1-C12 알킬기이거나 치환 또는 비치환된 C3-C18 탄화수소 고리기이고, R3는 치환 또는 비치환된 C3-C10 시클릭 에테르 함유 탄화수소기이며, 중량평균 분자량 1,000 내지 500,000 g/mol 범위 내에서 n, m 및 x는 각각 0 내지 100,000의 정수이되, n, m 및 x의 적어도 하나는 0이 아니고, y와 z는 각각 0 내지 100,00이다.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 광 조사는 150~600 nm 범위의 전자기 방사선을 조사한 것인 광경화 차단막의 제조방법.
  14. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 따른 차단성 수지 조성물로부터 제조된 광경화 차단막을 포함하는 전자소자.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 광경화 차단막은 봉지막 재료 또는 오버코트 재료인 전자소자.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 전자소자는 반도체 소자, 액정디스플레이(LCD), 유기전계발광소자(OLED), 태양전지, 플렉서블 디스플레이, 또는 터치스크린 디스플레이인 전자소자.
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