KR20190010445A - Method of manufacturing electrostatic chuck plate - Google Patents

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Abstract

Provided is a method of manufacturing an electrostatic chuck plate which is able to form an electrode at a lower cost than a conventional price. The method of manufacturing the electrostatic chuck, which absorbs and holds a workpiece by a force of a static electricity, includes: a conductor membrane forming step of forming the conductor membrane containing a metallic oxide on an insulation surface side comprised of an insulator of a base substrate; and an electrode forming step of processing ablation of the conductor membrane by a laser beam of a wavelength having penetrability about the base substrate and forming a standard electrode on the insulation surface side of the base substrate after the conductor layer forming step.

Description

정전 척 플레이트의 제조 방법 {METHOD OF MANUFACTURING ELECTROSTATIC CHUCK PLATE}[0001] METHOD OF MANUFACTURING ELECTROSTATIC CHUCK PLATE [0002]

본 발명은, 판상의 피가공물 등을 유지할 때에 사용되는 정전 척 플레이트의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an electrostatic chuck plate used for holding a plate-like workpiece or the like.

반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼, 패키지 기판 등을, 절삭 장치나 연삭 장치, 레이저 가공 장치 등으로 가공할 때에는, 이들 판상의 피가공물에 대해, 점착 테이프나 경질 기판 등의 보호 부재를 첩부하는 것이 일반적이다. 이로써, 가공이나 반송 등을 할 때에 가해지는 충격으로부터 피가공물을 보호할 수 있다.When a semiconductor wafer, an optical device wafer, a package substrate, or the like is processed by a cutting device, a grinding device, a laser processing device or the like, it is common to affix a protective member such as an adhesive tape or a hard substrate to these plate- . Thereby, the workpiece can be protected from the impact applied when machining or carrying.

상기 서술한 보호 부재는, 통상적으로, 어느 정도의 접착력을 갖는 접착제에 의해 피가공물에 첩부된다. 그 때문에, 예를 들어, 가공 후의 피가공물로부터 보호 부재를 용이하게 박리할 수 없는 경우가 있었다. 또, 재사용할 수 없는 일회용 점착 테이프 등을 사용하는 경우에는, 피가공물의 가공에 필요로 하는 비용도 높아지기 쉽다.The protective member described above is usually pasted to the workpiece with an adhesive having a certain degree of adhesive force. For this reason, for example, the protective member can not be easily peeled off from the workpiece after processing. In addition, when a disposable adhesive tape or the like which can not be reused is used, the cost required for processing the workpiece tends to increase.

그래서, 최근에는, 정전기를 이용하여 피가공물을 흡착, 유지하는 정전 척 플레이트의 개발이 진행되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 정전 척 플레이트에서는, 예를 들어, 정전기에 의한 흡착력을 발생시키기 위한 전극을 빗살상으로 형성함으로써, 전극으로의 급전을 정지시킨 후에도 강한 흡착력이 유지된다.In recent years, development of an electrostatic chuck plate for adsorbing and holding a workpiece by using static electricity is underway (see, for example, Patent Document 1). In this electrostatic chuck plate, for example, by forming an electrode for generating an attraction force by static electricity in a comb shape, a strong attraction force is maintained even after stopping the feeding to the electrode.

일본 공개특허공보 2016-51836호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2016-51836

상기 서술한 빗살상의 전극으로 대표되는 정전 척 플레이트의 전극은, 웨트 에칭에 의해 형성되는 경우가 많다. 그러나, 이 웨트 에칭에는, 전극의 패턴에 맞춘 마스크가 필요하기 때문에, 비용이 들기 쉽다는 문제가 있었다. 그 때문에, 보다 낮은 비용으로 전극을 형성할 수 있는 정전 척 플레이트의 제조 방법이 요구되고 있었다.The electrode of the electrostatic chuck plate typified by the above-described comb-like electrode is often formed by wet etching. However, since this wet etching requires a mask that matches the electrode pattern, there is a problem that it is costly. Therefore, a method of manufacturing an electrostatic chuck plate capable of forming an electrode at a lower cost has been demanded.

본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 종래에 비하여 낮은 비용으로 전극을 형성할 수 있는 정전 척 플레이트의 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck plate manufacturing method capable of forming an electrode at a lower cost than in the prior art.

본 발명의 일 양태에 의하면, 피가공물을 정전기의 힘으로 흡착시켜 유지하는 정전 척 플레이트의 제조 방법으로서, 베이스 기판의 절연체로 이루어지는 절연면측에, 금속 산화물을 함유하는 도전체막을 형성하는 도전체막 형성 스텝과, 그 도전체막 형성 스텝 후, 그 베이스 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 그 도전체막을 어블레이션 가공하고, 그 베이스 기판의 그 절연면측에 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝을 구비하는 정전 척 플레이트의 제조 방법이 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrostatic chuck plate for holding and holding a workpiece by a static force, comprising the steps of: forming a conductor film for forming a conductor film containing a metal oxide on an insulating surface side of the base substrate, And an electrode forming step of forming an electrode at the side of the insulating surface of the base substrate by abrading the conductor film with a laser beam having a transmittance to the base substrate after the conductor film forming step A method for manufacturing an electrostatic chuck plate is provided.

상기 서술한 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 베이스 기판은, 유리로 형성되어 있고, 그 레이저 빔의 파장은, 500 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.In one embodiment of the present invention described above, the base substrate is formed of glass, and the wavelength of the laser beam is preferably 500 nm or more.

본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 피가공물을 정전기의 힘으로 흡착시켜 유지하는 정전 척 플레이트의 제조 방법으로서, 제 1 면측에 금속 산화물을 함유하는 도전체막이 형성된 수지 시트를 준비하는 수지 시트 준비 스텝과, 그 수지 시트 준비 스텝 후, 그 수지 시트에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 그 도전체막을 어블레이션 가공하고, 그 수지 시트의 제 1 면측에 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝과, 그 전극 형성 스텝 후, 그 전극을 베이스 기판의 절연체로 이루어지는 절연면측에 첩부하고, 그 전극으로부터 그 수지 시트를 박리함으로써, 그 베이스 기판의 그 절연면측에 정부의 전극을 이설하는 전극 이설 스텝을 구비하는 정전 척 플레이트의 제조 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrostatic chuck plate for holding and holding a workpiece by a static force, comprising the steps of: preparing a resin sheet on which a conductor film containing a metal oxide is formed on a first surface side; An electrode forming step of abrading the conductor film with a laser beam having a transmittance to the resin sheet after the resin sheet preparing step and forming a regular electrode on the first surface side of the resin sheet; After the electrode forming step, the electrode is attached to the insulating surface side of the base substrate and the resin sheet is peeled off from the electrode, and an electrode detaching step is provided to lay the electrode at the side of the insulating surface of the base substrate A method of manufacturing an electrostatic chuck plate is provided.

상기 서술한 본 발명의 다른 일 양태에 있어서, 그 수지 시트는, 가시역에서 투명한 수지 시트이고, 그 레이저 빔의 파장은, 1000 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.In another embodiment of the present invention described above, the resin sheet is a transparent resin sheet in the visible region, and the wavelength of the laser beam is preferably 1000 nm or more.

본 발명의 일 양태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법, 및 본 발명의 다른 일 양태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서는, 레이저 빔으로 도전체막을 어블레이션 가공하고, 정부의 전극을 형성하므로, 비용이 들기 쉬운 웨트 에칭 등의 방법을 사용하는 경우에 비하여, 낮은 비용으로 정부의 전극을 형성할 수 있다.In the method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to an embodiment of the present invention and the method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to another aspect of the present invention, the conductor film is subjected to ablation processing with a laser beam to form the electrode of the unit, The electrode can be formed at a lower cost than in the case of using a method such as wet etching which is liable to occur.

도 1(A) 는, 베이스 기판에 도전체막이 형성된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 1(B) 는, 도전체막이 어블레이션 가공되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 1(C) 는, 완성된 정전 척 플레이트의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는 완성된 정전 척 플레이트의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3 은 정전 척 플레이트가 사용된 프레임 유닛의 구조를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 4 는 정전 척 플레이트가 사용된 프레임 유닛의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5 는 프레임 유닛에 피가공물을 흡착시키는 모습을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 6(A) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 도전체막이 어블레이션 가공되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 6(B) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 베이스 기판에 첩부된 전극으로부터 수지 시트가 박리되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 6(C) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 제조된 정전 척 플레이트의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 (A) is a cross-sectional view that schematically shows a state in which a conductive film is formed on a base substrate. Fig. 1 (B) is a cross-sectional view that schematically shows a state in which a conductive film is subjected to ablation processing. Is a cross-sectional view schematically showing the structure of the completed electrostatic chuck plate.
2 is a plan view schematically showing the structure of the completed electrostatic chuck plate.
3 is a perspective view schematically showing a structure of a frame unit using an electrostatic chuck plate.
4 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a frame unit using an electrostatic chuck plate.
Fig. 5 is a perspective view schematically showing a state in which a workpiece is attracted to a frame unit. Fig.
6A is a cross-sectional view schematically showing a state in which a conductive film is subjected to ablation processing by a manufacturing method of an electrostatic chuck plate according to a modified example, and Fig. 6B is a cross- FIG. 6C is a cross-sectional view schematically showing a state in which a resin sheet is peeled off from an electrode attached to a base substrate in a method of manufacturing the electrostatic chuck plate according to a modified example, Fig.

첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법은, 도전체막 형성 스텝 (도 1(A) 참조), 및 전극 형성 스텝 (도 1(B), 도 1(C) 및 도 2 참조) 을 포함한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to the attached drawings, embodiments related to one aspect of the present invention will be described. The manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the present embodiment includes a conductive film forming step (see FIG. 1A) and an electrode forming step (see FIG. 1B, FIG. 1C and FIG. 2) .

도전체막 형성 스텝에서는, 적어도 제 1 면이 절연체로 이루어지는 베이스 기판의 제 1 면측에, 금속 산화물을 함유하는 도전체막을 형성한다. 전극 형성 스텝에서는, 이 베이스 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 도전체막을 어블레이션 가공하고, 베이스 기판의 제 1 면측에 정부의 전극을 형성한다. 이하, 본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 대해 상세히 서술한다.In the conductive film forming step, a conductive film containing a metal oxide is formed on the first surface side of the base substrate, at least the first surface of which is made of an insulator. In the electrode forming step, the conductor film is subjected to ablation processing with a laser beam having a transmittance with respect to the base substrate, thereby forming a first electrode on the first surface side of the base substrate. Hereinafter, a method of processing a wafer according to the present embodiment will be described in detail.

본 실시형태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서는, 먼저, 금속 산화물을 함유하는 도전체막을 베이스 기판에 형성하는 도전체막 형성 스텝을 실시한다. 도 1(A) 는, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (절연면) (1a) 측에 도전체막 (3) 이 형성된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.In the method of manufacturing an electrostatic chuck plate according to the present embodiment, first, a conductive film forming step of forming a conductive film containing a metal oxide on a base substrate is performed. 1A is a cross-sectional view schematically showing a state in which a conductive film 3 is formed on a first surface (insulating surface) 1a side of a base substrate 1. FIG.

도 1(A) 에 나타내는 바와 같이, 베이스 기판 (1) 은, 예를 들어, 가시역의 광 (파장 : 360 ㎚ ∼ 830 ㎚) 에 대해 투명한 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 유리재를 사용하여 원반상으로 형성되어 있고, 대체로 평탄한 제 1 면 (1a) 및 제 2 면 (1b) 을 갖고 있다. 즉, 이 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 및 제 2 면 (1b) 은 절연체로 구성되어 있다.As shown in Fig. 1 (A), the base substrate 1 is made of a glass material such as soda glass, borosilicate glass or quartz glass which is transparent to visible light (wavelength: 360 nm to 830 nm) And has a generally planar first surface 1a and a second surface 1b. That is, the first surface 1a and the second surface 1b of the base substrate 1 are made of an insulator.

베이스 기판 (1) 의 직경은, 예를 들어, 흡착의 대상인 피가공물 (11) (도 5 등 참조) 의 직경과 동일한 정도, 또는 그 이상인 것이 바람직하다. 또, 베이스 기판 (1) 의 두께는, 대표적으로는 1 ㎜ ∼ 30 ㎜ 정도이다. 단, 베이스 기판 (1) 의 재질, 형상, 구조, 크기, 두께 등에 제한은 없다.The diameter of the base substrate 1 is preferably equal to or larger than, for example, the diameter of the workpiece 11 (see FIG. 5 and the like) which is an object of adsorption. The thickness of the base substrate 1 is typically about 1 mm to 30 mm. However, the material, shape, structure, size, and thickness of the base substrate 1 are not limited.

예를 들어, 수지나 세라믹스 등의 재료로 이루어지는 베이스 기판 (1) 을 사용할 수도 있다. 또, 베이스 기판 (1) 은, 적어도 제 1 면 (1a) 이 절연체로 구성되어 있으면 된다. 따라서, 예를 들어, 반도체나 도체 등으로 이루어지는 기판을 절연체로 피복하고, 베이스 기판 (1) 으로서 사용할 수도 있다.For example, a base substrate 1 made of a material such as resin or ceramics may be used. In the base substrate 1, at least the first surface 1a may be formed of an insulator. Therefore, for example, a substrate made of a semiconductor or a conductor can be coated with an insulator and used as the base substrate 1. [

본 실시형태의 도전체막 형성 스텝에서는, 이 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측 전체에, 스퍼터링 등의 방법으로 금속 산화물을 함유하는 도전체막 (3) 을 형성한다. 금속 산화물로는, 예를 들어, 산화인듐주석 (Indium Tin Oxide : ITO) 등의 가시역의 광에 대해 투명한 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, 가시역에서 도전체막 (3) 이 투명해지므로, 예를 들어, 가시역의 레이저 빔을 사용하는 레이저 가공 등을 할 때에 본 실시형태의 정전 척 플레이트를 사용할 수 있게 된다. 도전체막 (3) 의 두께는, 대표적으로는, 1 ㎛ ∼ 100 ㎛ 정도이다.In the conductive film forming step of the present embodiment, a conductive film 3 containing a metal oxide is formed on the entire first side 1a side of the base substrate 1 by a method such as sputtering. As the metal oxide, it is preferable to use a material transparent to visible light such as indium tin oxide (ITO), for example. As a result, the conductive film 3 becomes transparent in the visible region, so that the electrostatic chuck plate of the present embodiment can be used, for example, when laser processing using a visible laser beam is performed. Typically, the thickness of the conductive film 3 is about 1 m to 100 m.

단, 도전체막 (3) 의 재질, 형상, 크기, 두께, 형성 방법 등에 특단의 제한은 없고, 예를 들어, CVD, 진공 증착, 도포 등의 방법으로 도전체막 (3) 을 형성해도 된다. 또, 수지 시트 상에 형성된 도전체막을 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 첩부하는 방법으로 도전체막 (3) 을 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 예를 들어, 닛토 전공 주식회사 제조의 투명 도전성 필름 ELECRYSTA/일렉크리스타 (등록상표) 등을 사용하면 된다.However, there is no particular limitation on the material, shape, size, thickness, forming method, etc. of the conductive film 3, and the conductive film 3 may be formed by, for example, CVD, vacuum deposition or coating. It is also possible to form the conductor film 3 by a method in which the conductor film formed on the resin sheet is attached to the first surface 1a side of the base substrate 1. [ In this case, for example, a transparent conductive film ELECRYSTA / ELEKTRA (registered trademark) manufactured by Nitto Corporation may be used.

도전체막 형성 스텝 후에는, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 형성된 도전체막 (3) 을 레이저 빔으로 어블레이션 가공하고, 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝을 실시한다. 도 1(B) 는, 도전체막 (3) 이 어블레이션 가공되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 전극 형성 스텝은, 예를 들어, 도 1(B) 에 나타내는 바와 같은 레이저 가공 장치 (2) 를 사용하여 실시된다.After the conductive film forming step, the conductive film 3 formed on the side of the first surface 1a of the base substrate 1 is subjected to an ablation process with a laser beam, and an electrode forming step for forming the electrodes of the front side is performed. 1 (B) is a cross-sectional view schematically showing a state in which the conductor film 3 is subjected to ablation processing. The electrode forming step is carried out, for example, by using a laser machining apparatus 2 as shown in Fig. 1 (B).

레이저 가공 장치 (2) 는, 베이스 기판 (1) 을 흡인, 유지하기 위한 척 테이블 (4) 을 구비하고 있다. 척 테이블 (4) 은, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 연직 방향에 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 또, 척 테이블 (4) 의 하방에는, 이동 기구 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 척 테이블 (4) 은, 이 이동 기구에 의해 가공 이송 방향 (제 1 수평 방향) 및 산출 이송 방향 (제 2 수평 방향) 으로 이동한다.The laser processing apparatus 2 is provided with a chuck table 4 for sucking and holding the base substrate 1. The chuck table 4 is connected to a rotation driving source (not shown) such as a motor and rotates about a rotation axis which is substantially parallel to the vertical direction. A moving mechanism (not shown) is formed below the chuck table 4 and the chuck table 4 is moved in the processing feed direction (first horizontal direction) and the calculated feeding direction Horizontal direction).

척 테이블 (4) 의 상면의 일부는, 베이스 기판 (1) 을 흡인, 유지하기 위한 유지면 (4a) 이 되어 있다. 유지면 (4a) 은, 척 테이블 (4) 의 내부에 형성된 흡인로 (도시 생략) 등을 통하여 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 흡인원의 부압을 유지면 (4a) 에 작용시킴으로써, 베이스 기판 (1) 은, 척 테이블 (4) 에 흡인, 유지된다.A part of the upper surface of the chuck table 4 is a holding surface 4a for sucking and holding the base substrate 1. [ The holding surface 4a is connected to a suction source (not shown) through a suction path (not shown) or the like formed inside the chuck table 4. The base substrate 1 is sucked and held on the chuck table 4 by applying a negative pressure of the suction source to the holding surface 4a.

척 테이블 (4) 의 상방에는, 레이저 조사 유닛 (6) 이 배치되어 있다. 레이저 조사 유닛 (6) 은, 레이저 발진기 (도시 생략) 에서 펄스 발진된 레이저 빔 (6a) 을 소정의 위치에 조사, 집광한다. 레이저 발진기는, 베이스 기판 (1) 에 대해 투과성을 갖고, 도전체막 (3) 을 어블레이션 가공할 수 있는 파장의 레이저 빔 (6a) 을 펄스 발진하도록 구성되어 있다.Above the chuck table 4, a laser irradiation unit 6 is arranged. The laser irradiation unit 6 irradiates and condenses the laser beam 6a pulsed by the laser oscillator (not shown) at a predetermined position. The laser oscillator is constituted to emit a laser beam 6a having a transmittance with respect to the base substrate 1 and having a wavelength capable of ablation of the conductor film 3.

전극 형성 스텝에서는, 먼저, 레이저 빔 (6a) 이 조사되는 조사 예정 라인 (도시 생략) 을 도전체막 (3) 에 설정한다. 이 조사 예정 라인은, 도전체막 (3) 을 2 이상으로 분리하는 형상으로 설정될 필요가 있다. 단, 조사 예정 라인을 설정하는 타이밍은 임의여도 된다. 적어도, 도전체막 (3) 에 대해 레이저 빔 (6a) 을 조사하기 전에 조사 예정 라인이 설정되면 된다.In the electrode forming step, first, a line to be irradiated (not shown) to which the laser beam 6a is irradiated is set in the conductor film 3. This line to be irradiated needs to be set to a shape separating the conductive film 3 into two or more. However, the timing of setting the lines to be surveyed may be arbitrary. At least, a line to be irradiated may be set before irradiating the conductor film 3 with the laser beam 6a.

다음으로, 베이스 기판 (1) 의 제 2 면 (1b) 측을 척 테이블 (4) 의 유지면 (4a) 에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이로써, 베이스 기판 (1) 은, 제 1 면 (1a) 측에 형성되어 있는 도전체막 (3) 이 상방에 노출된 상태에서 척 테이블 (4) 에 유지된다. 그 후, 척 테이블 (4) 을 회전, 이동시켜, 베이스 기판 (1) 과 레이저 조사 유닛 (6) 의 위치 관계를 조정한다.Next, the second surface 1b side of the base substrate 1 is brought into contact with the holding surface 4a of the chuck table 4 to apply a negative pressure of the suction source. Thereby, the base substrate 1 is held on the chuck table 4 in a state in which the conductive film 3 formed on the first surface 1a side is exposed upward. Thereafter, the chuck table 4 is rotated and moved to adjust the positional relationship between the base substrate 1 and the laser irradiation unit 6.

그리고, 조사 예정 라인 (도시 생략) 을 따라 레이저 빔 (6a) 이 조사되도록, 레이저 조사 유닛 (6) 으로부터 도전체막 (3) 을 향하여 레이저 빔 (6a) 을 조사하면서 척 테이블 (4) 을 이동시킨다. 이로써, 어블레이션 가공에 의해 도전체막 (3) 의 일부를 제거하고, 조사 예정 라인을 따른 절연 영역 (3a) 을 형성할 수 있다.The chuck table 4 is moved while irradiating the laser beam 6a from the laser irradiation unit 6 toward the conductor film 3 so that the laser beam 6a is irradiated along the line to be irradiated (not shown) . Thereby, a part of the conductive film 3 can be removed by ablation processing, and the insulating region 3a along the line to be irradiated can be formed.

또한, 본 실시형태에서는, 베이스 기판 (1) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (6a) 을 도전체막 (3) 에 조사한다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 파장이 500 ㎚ 이상인 레이저 빔 (6a) 을, 0.44 J/㎠ 이상의 조건으로 도전체막 (3) 에 조사하는 것이 바람직하다. 이로써, 베이스 기판 (1) 의 변질을 억제하면서, 도전체막 (3) 의 일부를 제거하여 절연 영역 (3a) 을 형성할 수 있다.Further, in this embodiment, the laser beam 6a having a transmittance to the base substrate 1 is applied to the conductor film 3. More specifically, for example, it is preferable to irradiate the conductor film 3 with a laser beam 6a having a wavelength of 500 nm or more under the condition of 0.44 J / cm 2 or more. Thereby, a part of the conductive film 3 can be removed while suppressing the deterioration of the base substrate 1, and the insulating region 3a can be formed.

조사 예정 라인의 전부에 절연 영역 (3a) 이 형성되면, 도전체막 (3) 은, 이 절연 영역 (3a) 에 의해 정 (正) 의 전극 패턴 (정의 전극) (3b) (도 1(C) 등 참조) 과 부 (負) 의 전극 패턴 (부의 전극) (3c) (도 1(C) 등 참조) 으로 분리된다. 즉, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에는, 정의 전극 패턴 (3b) 과 부의 전극 패턴 (3c) 이 형성된다. 이로써, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 정의 전극 패턴 (3b) 과 부의 전극 패턴 (3c) 을 갖는 정전 척 플레이트 (5) (도 1(C) 등 참조) 가 완성된다.When the insulating region 3a is formed all over the line to be irradiated, the conductive film 3 is electrically connected to the positive electrode pattern 3b (Fig. 1 (C)) by the insulating region 3a, (Negative electrode) 3c (see Fig. 1 (C) and the like). That is, on the first surface 1a side of the base substrate 1, a positive electrode pattern 3b and a negative electrode pattern 3c are formed. This completes the electrostatic chuck plate 5 (see FIG. 1 (C), etc.) having the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c on the first surface 1a side of the base substrate 1.

상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 도전체막 (3) 의 조사 예정 라인을 따라 레이저 빔 (6a) 을 조사하기만 해도 되기 때문에, 마스크가 필요한 웨트 에칭 등의 방법에 비하여 가공에 필요로 하는 시간을 단축시키기 쉽다. 또, 웨트 에칭 등과 같이 마스크를 형성하지 않아도 되기 때문에, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 의 형성에 드는 비용이 낮게 억제된다.As described above, in the present embodiment, since only the laser beam 6a is irradiated along the line to be irradiated on the conductor film 3, it is necessary to irradiate the laser beam 6a with the laser beam 6a It is easy to shorten the time. In addition, it is not necessary to form a mask such as wet etching or the like, so that the cost for forming the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be suppressed to be low.

도 1(C) 는, 정전 척 플레이트 (5) 의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 2 는, 정전 척 플레이트 (5) 의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 1(C) 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 의 형상은, 예를 들어, 정의 전극과 부의 전극을 번갈아 정렬시켜 이루어지는 1 쌍의 빗살상으로 하면 된다.Fig. 1 (C) is a cross-sectional view schematically showing the structure of the electrostatic chuck plate 5, and Fig. 2 is a plan view schematically showing the structure of the electrostatic chuck plate 5. As shown in Fig. As shown in Fig. 1 (C) and Fig. 2, the shape of the positive electrode pattern 3b and the shape of the negative electrode pattern 3c may be, for example, a pair of comb teeth formed by alternately arranging a positive electrode and a negative electrode .

이와 같은 빗살상의 전극에서는, 정의 전극과 부의 전극이 높은 밀도로 배치되기 때문에, 예를 들어, 전극과 피가공물 (11) 사이에 작용하는 그레이디언트력 등으로 불리는 정전기의 힘도 강해진다. 요컨대, 피가공물 (11) 을 강한 힘으로 흡착, 유지할 수 있게 된다. 또, 정의 전극 및 부의 전극으로의 급전을 정지시킨 후에도, 강한 흡착력을 유지할 수 있게 된다.In such an electrode on the comb teeth, since the positive electrode and the negative electrode are arranged at a high density, the force of the static electricity, for example, a gradient force acting between the electrode and the work 11 is also strong. In other words, the work 11 can be attracted and held with a strong force. Further, strong adsorption force can be maintained even after the power supply to the positive electrode and the negative electrode is stopped.

단, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 의 형상, 크기 등에 특단의 제한은 없다. 예를 들어, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 곡선이나 원 등으로 구성할 수도 있다. 또한, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 절연 영역 (3a) 이 형성되는 조사 예정 라인을 한번에 그을 수 있는 형상으로 설정함으로써, 가공에 필요로 하는 시간을 더욱 단축시킬 수 있다.However, there is no particular limitation on the shape and size of the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c. For example, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c may be constituted by curves or circles. Further, as shown in Fig. 2, the time required for machining can be further shortened by setting the line to be irradiated where the insulating region 3a is to be formed to a shape that can be drawn at one time.

이와 같이, 본 실시형태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서는, 레이저 빔 (6a) 으로 도전체막 (3) 을 어블레이션 가공하고, 정의 전극 패턴 (정의 전극) (3b) 및 부의 전극 패턴 (부의 전극) (3c) 을 형성하므로, 비용이 들기 쉬운 웨트 에칭 등의 방법을 사용하는 경우에 비하여, 낮은 비용으로 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 형성할 수 있다.As described above, in the method of manufacturing the electrostatic chuck plate according to the present embodiment, the conductor film 3 is subjected to ablation processing with the laser beam 6a to form a positive electrode pattern (positive electrode) 3b and a negative electrode pattern The positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be formed at a low cost as compared with the case of using a method such as costly wet etching.

이와 같이 하여 제조된 정전 척 플레이트 (5) 는, 피가공물 (11) 을 흡착, 유지하기 위한 각종의 장치에 삽입하여 사용된다. 도 3 은, 정전 척 플레이트 (5) 가 사용된 프레임 유닛 (12) 의 구조를 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 4 는, 정전 척 플레이트 (5) 가 사용된 프레임 유닛 (12) 의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.The electrostatic chuck plate 5 thus manufactured is inserted into various devices for adsorbing and holding the work 11, and used. 3 is a perspective view schematically showing the structure of the frame unit 12 in which the electrostatic chuck plate 5 is used and Fig. 4 is a sectional view showing the structure of the frame unit 12 in which the electrostatic chuck plate 5 is used. Fig.

도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 프레임 유닛 (12) 은, 알루미늄 등의 재료로 이루어지는 고리형의 프레임 (14) 을 구비하고 있다. 프레임 (14) 의 중앙 부분에는, 이 프레임 (14) 을 제 1 면 (14a) 으로부터 제 2 면 (14b) 으로 관통하는 개구 (14c) 가 형성되어 있다. 개구 (14c) 의 형상은, 예를 들어, 제 1 면 (14a) 측 (또는 제 2 면 (14b) 측) 에서 보아 대체로 원형이다. 또한, 프레임 (14) 의 재질, 형상, 크기 등에 특단의 제한은 없다.As shown in Figs. 3 and 4, the frame unit 12 has an annular frame 14 made of a material such as aluminum. An opening 14c penetrating the frame 14 from the first surface 14a to the second surface 14b is formed in the central portion of the frame 14. The shape of the opening 14c is generally circular when viewed from the first surface 14a side (or the second surface 14b side), for example. There is no particular limitation on the material, shape, size, etc. of the frame 14.

프레임 (14) 의 제 2 면 (14b) 에는, 폴리에틸렌 (PE) 이나 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 재료로 이루어지는 필름상의 베이스 시트 (16) 가, 개구 (14c) 를 덮도록 고정되어 있다. 구체적으로는, 원형의 베이스 시트 (16) 의 제 1 면 (16a) 측의 외주 부분이, 프레임 (14) 의 제 2 면 (14b) 에 첩부되어 있다.A film-like base sheet 16 made of a material such as polyethylene (PE) or polyethylene terephthalate (PET) is fixed on the second surface 14b of the frame 14 so as to cover the opening 14c. Concretely, the outer peripheral portion of the circular base sheet 16 on the side of the first surface 16a is attached to the second surface 14b of the frame 14.

베이스 시트 (16) 는, 예를 들어, 피가공물 (11) 을 보호할 수 있을 정도의 유연성과, 후술하는 정전기의 힘을 저해하지 않을 정도의 절연성을 갖고 있다. 단, 베이스 시트 (16) 의 재질, 형상, 두께, 크기 등에 특단의 제한은 없다. 피가공물 (11) 은, 이 베이스 시트 (16) 의 제 1 면 (16a) 측에서 유지된다. 한편, 베이스 시트 (16) 의 제 2 면 (16b) 측의 중앙 부분에는, 상기 서술한 정전 척 플레이트 (5) 가 형성되어 있다.The base sheet 16 has flexibility to such an extent that it can protect the work 11, and insulation that does not hinder the static electricity, which will be described later. However, there is no particular limitation on the material, shape, thickness, size, etc. of the base sheet 16. The workpiece 11 is held on the first surface 16a side of the base sheet 16. On the other hand, the above-described electrostatic chuck plate 5 is formed at the central portion of the base sheet 16 on the second surface 16b side.

정전 척 플레이트 (5) 는, 예를 들어, 접착력이 있는 커버 시트 (18) 에 의해, 도전체막 (3) (정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c)) 측이 베이스 시트 (16) 의 제 2 면 (16b) 측에 밀착되는 양태로 고정된다. 이 경우에는, 베이스 기판 (1) 의 제 2 면 (1b) 측을 베이스 시트 (16) 의 제 2 면 (16b) 측에 밀착시키는 경우에 비하여, 도전체막 (3) 으로부터 발생하는 전계를 제 1 면 (16a) 측의 피가공물 (11) 에 효율적으로 작용시킬 수 있다.The electrostatic chuck plate 5 is formed by the cover sheet 18 having an adhesive strength so that the conductor film 3 (the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c) And is fixed to the second surface 16b side. In this case, the electric field generated from the conductive film 3 is set to be higher than that in the case where the second surface 1b side of the base substrate 1 is brought into close contact with the second surface 16b side of the base sheet 16, So that it can be efficiently applied to the work 11 on the side 16a.

커버 시트 (18) 는, 예를 들어, 베이스 시트 (16) 와 동일한 재료로 형성되는 원형의 기재 시트와, 기재 시트의 일방의 면에 형성되는 접착제층 (풀층) 을 포함한다. 여기서, 커버 시트 (18) (기재 시트) 의 직경은, 정전 척 플레이트 (5) (베이스 기판 (1)) 의 직경보다 크다. 단, 커버 시트 (18) 의 재질, 형상, 두께, 크기, 구조 등에 특단의 제한은 없다.The cover sheet 18 includes, for example, a circular base sheet formed of the same material as the base sheet 16 and an adhesive layer (full layer) formed on one surface of the base sheet. Here, the diameter of the cover sheet 18 (base sheet) is larger than the diameter of the electrostatic chuck plate 5 (base substrate 1). However, the material, shape, thickness, size, structure and the like of the cover sheet 18 are not particularly limited.

베이스 시트 (16) 의 제 2 면 (16b) 측에는, 정의 전극 패턴 (3b) 에 접속되는 제 1 배선 (20a) 과, 부의 전극 패턴 (3c) 에 접속되는 제 2 배선 (20b) 이 배치되어 있다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 프레임 (14) 의 제 1 면 (14a) 측에는, 급전 유닛 (22) 이 형성되어 있고 제 1 배선 (20a) 및 제 2 배선 (20b) 은, 예를 들어, 프레임 (4) 을 돌아들어가도록 하여 급전 유닛 (22) 에 접속된다.A first wiring 20a connected to the positive electrode pattern 3b and a second wiring 20b connected to the negative electrode pattern 3c are disposed on the second surface 16b side of the base sheet 16 . 3, a power supply unit 22 is formed on the side of the first surface 14a of the frame 14, and the first wiring 20a and the second wiring 20b are formed by, for example, 4 are turned back and connected to the power supply unit 22.

급전 유닛 (22) 은, 상기 서술한 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로의 급전에 사용되는 전지 (24) 를 수용하기 위한 전지 홀더 (22a) 를 구비하고 있다. 또, 전지 홀더 (22a) 에 인접하는 위치에는, 정의 전극 패턴 (3a) 및 부의 전극 패턴 (3b) 으로의 급전과 비급전을 전환하기 위한 스위치 (22b) 가 형성되어 있다.The power supply unit 22 is provided with a battery holder 22a for receiving the positive electrode pattern 3b and the battery 24 used for power supply to the negative electrode pattern 3c. A switch 22b is provided at a position adjacent to the battery holder 22a for switching between supply and non-supply to the positive electrode pattern 3a and the negative electrode pattern 3b.

예를 들어, 스위치 (22b) 를 도통 상태 (온 상태) 로 하면, 전지 홀더 (22a) 에 수용되어 있는 전지 (24) 의 전력이, 제 1 배선 (20a) 및 제 2 배선 (20b) 을 통하여 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로 공급된다. 한편, 스위치 (22b) 를 비도통 상태 (오프 상태) 로 하면, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로의 급전은 정지된다.For example, when the switch 22b is turned on (turned on), the electric power of the battery 24 stored in the battery holder 22a flows through the first wiring 20a and the second wiring 20b The positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c. On the other hand, when the switch 22b is in the non-conducting state (off state), the feeding to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c is stopped.

또한, 도 3 및 도 4 에서는, 급전 유닛 (22) 을 프레임 (14) 의 제 1 면 (14a) 측에 배치하고 있지만, 급전 유닛 (22) 의 배치 등에 특단의 제한은 없다. 적어도, 이 급전 유닛 (22) 은, 프레임 유닛 (12) 을 사용 (즉, 피가공물 (11) 을 흡착, 유지) 할 때에 방해가 되지 않는 위치에 배치되어 있으면 된다. 예를 들어, 프레임 (14) 의 개구 (14c) 내에 급전 유닛 (22) 을 배치할 수도 있다. 또, 전지 (24) 는, 버튼형 전지 (코인형 전지) 와 같은 일차 전지여도 되고, 충전에 의해 반복 사용 가능한 이차 전지여도 된다.3 and 4, the power supply unit 22 is disposed on the first surface 14a side of the frame 14, but there is no particular restriction on the arrangement of the power supply unit 22 or the like. At least the power feeding unit 22 may be disposed at a position that does not disturb the use of the frame unit 12 (that is, the suction and the holding of the work 11). For example, the power supply unit 22 may be disposed in the opening 14c of the frame 14. [ The battery 24 may be a primary battery such as a button-type battery (coin type battery) or a secondary battery which can be used repeatedly by charging.

도 5 는, 프레임 유닛 (12) 에 피가공물 (11) 을 흡착시키는 모습을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 피가공물 (11) 은, 예를 들어, 실리콘 (Si) 등의 재료로 이루어지는 원반상의 웨이퍼이다. 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측은, 격자상으로 설정된 분할 예정 라인 (스트리트) (13) 으로 복수의 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는, IC (Integrated Circuit), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 등의 디바이스 (15) 가 형성되어 있다.Fig. 5 is a perspective view schematically showing a state in which the workpiece 11 is attracted to the frame unit 12. Fig. The work 11 is a disk-shaped wafer made of, for example, silicon (Si) or the like. The side of the surface 11a of the work 11 is divided into a plurality of regions by a line 13 to be divided which is set in a lattice pattern and each region is provided with an integrated circuit (IC), a microelectromechanical Systems < / RTI >

단, 피가공물 (11) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 다른 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어지는 피가공물 (11) 을 프레임 유닛 (12) 으로 흡착, 유지할 수도 있다. 동일하게, 디바이스 (15) 의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다.However, the material, shape, structure and size of the work 11 are not limited. The work 11 made of a material such as another semiconductor, ceramics, resin, metal or the like may be adsorbed and held by the frame unit 12. Likewise, the type, quantity, shape, structure, size, arrangement and the like of the device 15 are not limited.

프레임 유닛 (12) 에 피가공물 (11) 을 흡착시킬 때에는, 먼저, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측과 베이스 시트 (16) 의 제 1 면 (16a) 측이 접촉하도록, 피가공물 (11) 을 베이스 시트 (16) 에 올린다. 보다 구체적으로는, 피가공물 (11) 을 베이스 시트 (16) 의 정전 척 플레이트 (5) 에 대응하는 영역 (중앙 부분) 에 올린다. 다음으로, 급전 유닛 (22) 의 스위치 (22b) 를 도통 상태로 하여, 전지 (24) 의 전력을 정의 전극 패턴 (3b) 과 부의 전극 패턴 (3c) 에 공급한다.When the work 11 is attracted to the frame unit 12, the work 11 is first brought into contact with the back 11b of the work 11 and the first 16a side of the base sheet 16, 11) to the base sheet (16). More specifically, the work 11 is placed in a region (central portion) corresponding to the electrostatic chuck plate 5 of the base sheet 16. Next, the switch 22b of the power supply unit 22 is turned on, and the power of the battery 24 is supplied to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c.

이로써, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 의 둘레로 전계가 발생하고, 그 효과로서, 피가공물 (11) 과 도전체막 (3) 사이에 정전기의 힘이 작용한다. 이 정전기의 힘에 의해, 피가공물 (11) 은, 프레임 유닛 (12) 에 흡착, 유지된다. 또한, 피가공물 (11) 과 도전체막 (3) 사이에 작용하는 정전기의 힘에는, 쿨롱력, 존슨·라벡력, 그레이디언트력 등이 있다.As a result, an electric field is generated around the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c. As a result, a static force acts between the work 11 and the conductor film 3. By the force of the static electricity, the work 11 is attracted to and held by the frame unit 12. The electrostatic force acting between the work 11 and the conductor film 3 includes a Coulomb force, a Johnson-Rabe force, a gradient force, and the like.

또한, 본 발명은, 상기 실시형태 등의 기재에 제한되지 않고 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 예를 들어, 상기 실시형태에서는, 금속 산화물을 함유하는 도전체막 (3) 을 베이스 기판 (1) 에 형성한 후에, 이 도전체막 (3) 을 레이저 빔 (6a) 으로 어블레이션 가공하고 있지만, 다른 순서로 정전 척 플레이트 (5) 를 제조할 수도 있다.The present invention is not limited to the description of the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made. For example, in the above embodiment, after the conductor film 3 containing the metal oxide is formed on the base substrate 1, the conductor film 3 is subjected to the ablation processing with the laser beam 6a, The electrostatic chuck plate 5 may be manufactured in this order.

도 6(A) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 도전체막 (3) 이 어블레이션 가공되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서는, 먼저, 금속 산화물을 함유하는 도전체막 (3) 이 형성된 수지 시트 (7) 를 준비하는 수지 시트 준비 스텝을 실시한다.6A is a cross-sectional view schematically showing a state in which the conductive film 3 is subjected to ablation processing by the method of manufacturing the electrostatic chuck plate according to the modified example. In the manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the modified example, first, a resin sheet preparing step for preparing the resin sheet 7 on which the conductor film 3 containing the metal oxide is formed is performed.

수지 시트 (7) 는, 예를 들어, 가시역의 광에 대해 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 수지재로 형성되어 있고, 그 제 1 면 (7a) 측에는, 금속 산화물을 함유하는 도전체막 (3) 이 형성되어 있다. 이와 같은 도전체막 (3) 이 형성된 수지 시트 (7) 로는, 예를 들어, 닛토 전공 주식회사 제조의 투명 도전성 필름 ELECRYSTA/일렉크리스타 (등록상표) 등을 사용할 수 있다.The resin sheet 7 is formed of, for example, a resin material such as polyethylene terephthalate (PET) transparent to visible light, and on the first surface 7a side thereof, a conductive film 3 are formed. As the resin sheet 7 having the conductive film 3 formed thereon, for example, a transparent conductive film ELECRYSTA / ELEKTRA (registered trademark) manufactured by Nitto Corporation can be used.

수지 시트 준비 스텝 후에는, 수지 시트 (7) 의 제 1 면 (7a) 측에 형성된 도전체막 (3) 을 레이저 빔 (6a) 으로 어블레이션 가공하고, 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝을 실시한다. 전극 형성 스텝은, 예를 들어, 레이저 가공 장치 (2) 를 사용하여 실시된다. 이 변형예에서 사용되는 레이저 가공 장치 (2) 의 구성의 대부분은, 상기 실시형태에서 사용되는 레이저 가공 장치 (2) 와 동일하지만, 그 레이저 발진기는, 수지 시트 (7) 에 대해 투과성을 갖고, 도전체막 (3) 을 어블레이션 가공할 수 있는 파장의 레이저 빔 (6a) 을 펄스 발진하도록 구성된다.After the resin sheet preparing step, the conductor film 3 formed on the first surface 7a side of the resin sheet 7 is subjected to an ablation process with a laser beam 6a, do. The electrode forming step is performed, for example, by using the laser processing apparatus 2. Most of the configuration of the laser processing apparatus 2 used in this modified example is the same as that of the laser processing apparatus 2 used in the above embodiment. However, the laser oscillator has permeability to the resin sheet 7, So as to pulse-oscillate the laser beam 6a having the wavelength capable of performing ablation processing on the conductor film 3.

변형예에 관련된 전극 형성 스텝에서는, 먼저, 레이저 빔 (6a) 이 조사되는 조사 예정 라인 (도시 생략) 을 도전체막 (3) 에 설정한다. 이 조사 예정 라인은, 도전체막 (3) 을 2 이상으로 분리하는 형상으로 설정될 필요가 있다. 단, 조사 예정 라인을 설정하는 타이밍은 임의여도 된다. 적어도, 도전체막 (3) 에 대해 레이저 빔 (6a) 을 조사하기 전에 조사 예정 라인이 설정되면 된다.In the electrode forming step according to the modified example, first, a line to be irradiated (not shown) to which the laser beam 6a is irradiated is set in the conductor film 3. This line to be irradiated needs to be set to a shape separating the conductive film 3 into two or more. However, the timing of setting the lines to be surveyed may be arbitrary. At least, a line to be irradiated may be set before irradiating the conductor film 3 with the laser beam 6a.

다음으로, 수지 시트 (7) 의 제 2 면 (7b) 측을 척 테이블 (4) 의 유지면 (4a) 에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이로써, 수지 시트 (7) 는, 제 1 면 (7a) 측에 형성되어 있는 도전체막 (3) 이 상방에 노출된 상태에서 척 테이블 (4) 에 유지된다. 다음으로, 척 테이블 (4) 을 회전, 이동시켜, 수지 시트 (7) 와 레이저 조사 유닛 (6) 의 위치 관계를 조정한다.Next, the second surface 7b side of the resin sheet 7 is brought into contact with the holding surface 4a of the chuck table 4 to apply a negative pressure of the suction source. As a result, the resin sheet 7 is held on the chuck table 4 in a state in which the conductive film 3 formed on the first surface 7a side is exposed upward. Next, the chuck table 4 is rotated and moved so that the positional relationship between the resin sheet 7 and the laser irradiation unit 6 is adjusted.

그리고, 도전체막 (3) 에 설정되는 조사 예정 라인 (도시 생략) 을 따라 레이저 빔 (6a) 이 조사되도록, 레이저 조사 유닛 (6) 으로부터 도전체막 (3) 을 향하여 레이저 빔 (6a) 을 조사하면서 척 테이블 (4) 을 이동시킨다. 이로써, 어블레이션 가공에 의해 도전체막 (3) 의 일부를 제거하고, 조사 예정 라인을 따른 절연 영역 (3a) 을 형성할 수 있다.The laser beam 6a is irradiated from the laser irradiation unit 6 to the conductor film 3 so that the laser beam 6a is irradiated along a line to be irradiated (not shown) set in the conductor film 3 The chuck table 4 is moved. Thereby, a part of the conductive film 3 can be removed by ablation processing, and the insulating region 3a along the line to be irradiated can be formed.

또한, 이 변형예에서는, 수지 시트 (7) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (6a) 을 도전체막 (3) 에 조사한다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 파장이 1000 ㎚ 이상인 레이저 빔 (6a) 을, 0.44 J/㎠ 이상 8.84 J/㎠ 미만의 조건으로 도전체막 (3) 에 조사하는 것이 바람직하다. 이로써, 자외역 (파장 : 360 ㎚ 미만) 의 레이저 빔을 사용하는 경우와 같이 수지 시트 (7) 를 변질, 손상시키지 않고, 도전체막 (3) 의 일부를 제거하여 절연 영역 (3a) 을 형성할 수 있다.Further, in this modified example, the conductor film 3 is irradiated with the laser beam 6a having a wavelength which is permeable to the resin sheet 7. More specifically, for example, it is preferable to irradiate the laser beam 6a having a wavelength of 1000 nm or more to the conductor film 3 under the condition of 0.44 J / cm2 or more and less than 8.84 J / cm2. Thereby, a part of the conductor film 3 is removed without deteriorating or damaging the resin sheet 7 as in the case of using a laser beam of an ultraviolet region (wavelength: less than 360 nm) to form the insulating region 3a .

조사 예정 라인의 전체에 절연 영역 (3a) 이 형성되면, 도전체막 (3) 은, 이 절연 영역 (3a) 에 의해 정의 전극 패턴 (정의 전극) (3b) 과 부의 전극 패턴 (부의 전극) (3c) 으로 분리된다. 즉, 수지 시트 (7) 의 제 1 면 (7a) 측에, 정의 전극 패턴 (3b) 과 부의 전극 패턴 (3c) 이 형성된다.When the insulating region 3a is formed on the entire line to be irradiated, the conductive film 3 is electrically connected to the positive electrode pattern (positive electrode) 3b and the negative electrode pattern (negative electrode) 3c ). That is, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are formed on the first surface 7a side of the resin sheet 7. [

전극 형성 스텝 후에는, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (절연면) (1a) 측에 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 이설하는 전극 이설 스텝을 실시한다. 이 전극 이설 스텝에서는, 예를 들어, 수지 시트 (7) 상의 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 첩부하고 나서, 수지 시트 (7) 를 박리한다.After the electrode forming step, an electrode attaching step for attaching the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c to the first surface (insulating surface) 1a side of the base substrate 1 is performed. In this electrode attaching step, for example, after the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c on the resin sheet 7 are attached to the first surface 1a side of the base substrate 1, (7) is peeled off.

도 6(B) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 베이스 기판 (1) 에 첩부된 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로부터 수지 시트 (7) 가 박리되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 은, 접착제 (9) 를 사용하여 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 첩부된다. 또한, 베이스 기판 (1) 은, 상기 실시형태에서 사용되는 베이스 기판 (1) 과 동일해도 된다.6B shows a state in which the resin sheet 7 is peeled off from the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c which are attached to the base substrate 1 by the manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the modified example Fig. The positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are attached to the first surface 1a side of the base substrate 1 by using the adhesive 9 as shown in Fig. The base substrate 1 may be the same as the base substrate 1 used in the above embodiment.

접착제 (9) 를 사용하여 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 첩부한 후에는, 이 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로부터 수지 시트 (7) 를 박리한다. 이로써, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 이 이설되고, 정전 척 플레이트 (5a) 가 완성된다. 도 6(C) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 제조된 정전 척 플레이트의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.After the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are attached to the first surface 1a side of the base substrate 1 using the adhesive 9, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode The resin sheet 7 is peeled off from the pattern 3c. As a result, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are formed on the first surface 1a side of the base substrate 1 and the electrostatic chuck plate 5a is completed. 6C is a cross-sectional view schematically showing the structure of an electrostatic chuck plate manufactured by a manufacturing method of an electrostatic chuck plate according to a modification.

이와 같이, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서도, 레이저 빔 (6a) 으로 도전체막 (3) 을 어블레이션 가공하고, 정의 전극 패턴 (정의 전극) (3b) 및 부의 전극 패턴 (부의 전극) (3c) 을 형성하므로, 비용이 들기 쉬운 웨트 에칭 등의 방법을 사용하는 경우에 비하여, 낮은 비용으로 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 형성할 수 있다.As described above, in the manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the modified example, the conductor film 3 is subjected to ablation processing with the laser beam 6a to form a positive electrode pattern (positive electrode) 3b and a negative electrode pattern (negative electrode) The positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be formed at a low cost as compared with the case of using a method such as costly wet etching.

그 밖에, 상기 실시형태나 변형예 등에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the structures, methods, and the like relating to the above-described embodiments and modifications and the like can be appropriately modified and carried out without departing from the scope of the present invention.

1 : 베이스 기판
1a : 제 1 면 (절연면)
1b : 제 2 면
3 : 도전체막
3a : 절연 영역
3b : 정의 전극 패턴 (정의 전극)
3c : 부의 전극 패턴 (부의 전극)
5, 5a : 정전 척 플레이트
7 : 수지 시트
7a : 제 1 면
7b : 제 2 면
9 : 접착제
2 : 레이저 가공 장치
4 : 척 테이블
4a : 유지면
6 : 레이저 조사 유닛
6a : 레이저 빔
12 : 프레임 유닛
14 : 프레임
14a : 제 1 면
14b : 제 2 면
14c : 개구
16 : 베이스 시트
16a : 제 1 면
16b : 제 2 면
18 : 커버 시트
20a : 제 1 배선
20b : 제 2 배선
22 : 급전 유닛
22a : 전지 홀더
22b : 스위치
24 : 전지1: Base substrate
1a: first side (insulating side)
1b: second side
3: conductive film
3a: insulated area
3b: Positive electrode pattern (positive electrode)
3c: Negative electrode pattern (negative electrode)
5, 5a: electrostatic chuck plate
7: Resin sheet
7a: first side
7b: second side
9: Adhesive
2: Laser processing device
4: chuck table
4a:
6: laser irradiation unit
6a: laser beam
12: Frame unit
14: frame
14a: first side
14b: second side
14c: opening
16: base sheet
16a: first side
16b: second side
18: Cover sheet
20a: first wiring
20b: second wiring
22: power supply unit
22a: Battery holder
22b: switch
24: Battery

Claims (4)

피가공물을 정전기의 힘으로 흡착시켜 유지하는 정전 척 플레이트의 제조 방법으로서,
베이스 기판의 절연체로 이루어지는 절연면측에, 금속 산화물을 함유하는 도전체막을 형성하는 도전체막 형성 스텝과,
그 도전체막 형성 스텝 후, 그 베이스 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 그 도전체막을 어블레이션 가공하고, 그 베이스 기판의 그 절연면측에 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전 척 플레이트의 제조 방법. A manufacturing method of an electrostatic chuck plate for holding and holding a workpiece by a force of an electrostatic force,
A conductive film forming step of forming a conductive film containing a metal oxide on an insulating surface side of an insulating material of the base substrate;
And an electrode forming step of abrading the conductor film with a laser beam having a transmittance to the base substrate after the conductor film forming step and forming a local electrode on the insulating surface side of the conductor film Wherein the electrostatic chuck plate is made of a metal. 제 1 항에 있어서,
그 베이스 기판은, 유리로 형성되어 있고,
그 레이저 빔의 파장은, 500 ㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 정전 척 플레이트의 제조 방법. The method according to claim 1,
The base substrate is formed of glass,
Wherein the wavelength of the laser beam is 500 nm or more. 피가공물을 정전기의 힘으로 흡착시켜 유지하는 정전 척 플레이트의 제조 방법으로서,
제 1 면측에 금속 산화물을 함유하는 도전체막이 형성된 수지 시트를 준비하는 수지 시트 준비 스텝과,
그 수지 시트 준비 스텝 후, 그 수지 시트에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 그 도전체막을 어블레이션 가공하고, 그 수지 시트의 제 1 면측에 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝과,
그 전극 형성 스텝 후, 그 전극을 베이스 기판의 절연체로 이루어지는 절연면측에 첩부하고, 그 전극으로부터 그 수지 시트를 박리함으로써, 그 베이스 기판의 그 절연면측에 정부의 전극을 이설하는 전극 이설 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전 척 플레이트의 제조 방법. A manufacturing method of an electrostatic chuck plate for holding and holding a workpiece by a force of an electrostatic force,
A resin sheet preparing step of preparing a resin sheet on which a conductor film containing a metal oxide is formed on a first surface side,
An electrode forming step of abrading the conductor film with a laser beam having a transmittance to the resin sheet after the resin sheet preparing step and forming a regular electrode on the first surface side of the resin sheet;
After the electrode forming step, the electrode is attached to the insulating surface side of the base substrate and the resin sheet is peeled off from the electrode, and an electrode detaching step is provided to lay the electrode at the side of the insulating surface of the base substrate Wherein the electrostatic chuck plate is made of a metal. 제 3 항에 있어서,
그 수지 시트는, 가시역에서 투명한 수지 시트이고,
그 레이저 빔의 파장은, 1000 ㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 정전 척 플레이트의 제조 방법.The method of claim 3,
The resin sheet is a transparent resin sheet in the visible region,
And the wavelength of the laser beam is 1000 nm or more.
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