KR102533799B1 - Method of manufacturing electrostatic chuck plate - Google Patents

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Abstract

[과제] 종래에 비하여 낮은 비용으로 전극을 형성할 수 있는 정전 척 플레이트의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단] 피가공물을 정전기의 힘으로 흡착시켜 유지하는 정전 척 플레이트의 제조 방법으로서, 베이스 기판의 절연체로 이루어지는 절연면측에, 금속 산화물을 함유하는 도전체막을 형성하는 도전체막 형성 스텝과, 도전체막 형성 스텝 후, 베이스 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 도전체막을 어블레이션 가공하고, 베이스 기판의 절연면측에 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝을 포함한다.[PROBLEMS] To provide a manufacturing method of an electrostatic chuck plate capable of forming electrodes at a lower cost than in the prior art.
[Solution Means] A method of manufacturing an electrostatic chuck plate for adsorbing and holding a workpiece with electrostatic force, comprising: forming a conductor film containing a metal oxide on the side of an insulating surface made of an insulator of a base substrate; After the body film forming step, an electrode forming step of performing an ablation process on the conductive film with a laser beam having a wavelength transmissive to the base substrate and forming a positive electrode on the insulating surface side of the base substrate.

Description

정전 척 플레이트의 제조 방법 {METHOD OF MANUFACTURING ELECTROSTATIC CHUCK PLATE}Manufacturing method of electrostatic chuck plate {METHOD OF MANUFACTURING ELECTROSTATIC CHUCK PLATE}

본 발명은, 판상의 피가공물 등을 유지할 때에 사용되는 정전 척 플레이트의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an electrostatic chuck plate used when holding a plate-shaped workpiece or the like.

반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼, 패키지 기판 등을, 절삭 장치나 연삭 장치, 레이저 가공 장치 등으로 가공할 때에는, 이들 판상의 피가공물에 대해, 점착 테이프나 경질 기판 등의 보호 부재를 첩부하는 것이 일반적이다. 이로써, 가공이나 반송 등을 할 때에 가해지는 충격으로부터 피가공물을 보호할 수 있다.When processing semiconductor wafers, optical device wafers, package substrates, etc. with cutting devices, grinding devices, laser processing devices, etc., it is common to attach protective members such as adhesive tapes or rigid substrates to these plate-shaped workpieces. . In this way, it is possible to protect the workpiece from an impact applied during processing, transportation, or the like.

상기 서술한 보호 부재는, 통상적으로, 어느 정도의 접착력을 갖는 접착제에 의해 피가공물에 첩부된다. 그 때문에, 예를 들어, 가공 후의 피가공물로부터 보호 부재를 용이하게 박리할 수 없는 경우가 있었다. 또, 재사용할 수 없는 일회용 점착 테이프 등을 사용하는 경우에는, 피가공물의 가공에 필요로 하는 비용도 높아지기 쉽다.The protective member described above is usually attached to the workpiece with an adhesive having a certain degree of adhesive strength. Therefore, there was a case where, for example, the protection member could not be easily peeled off from the workpiece after processing. In addition, in the case of using a disposable adhesive tape or the like that cannot be reused, the cost required for processing of the workpiece tends to be high.

그래서, 최근에는, 정전기를 이용하여 피가공물을 흡착, 유지하는 정전 척 플레이트의 개발이 진행되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 정전 척 플레이트에서는, 예를 들어, 정전기에 의한 흡착력을 발생시키기 위한 전극을 빗살상으로 형성함으로써, 전극으로의 급전을 정지시킨 후에도 강한 흡착력이 유지된다.Therefore, in recent years, development of an electrostatic chuck plate that adsorbs and holds a workpiece using static electricity has been progressing (see Patent Document 1, for example). In this electrostatic chuck plate, for example, by forming an electrode for generating an attraction force by static electricity in a comb-tooth shape, a strong attraction force is maintained even after power supply to the electrode is stopped.

일본 공개특허공보 2016-51836호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-51836

상기 서술한 빗살상의 전극으로 대표되는 정전 척 플레이트의 전극은, 웨트 에칭에 의해 형성되는 경우가 많다. 그러나, 이 웨트 에칭에는, 전극의 패턴에 맞춘 마스크가 필요하기 때문에, 비용이 들기 쉽다는 문제가 있었다. 그 때문에, 보다 낮은 비용으로 전극을 형성할 수 있는 정전 척 플레이트의 제조 방법이 요구되고 있었다.The electrode of the electrostatic chuck plate typified by the comb-shaped electrode described above is formed by wet etching in many cases. However, since this wet etching requires a mask matched to the pattern of the electrode, there has been a problem that cost is likely to be incurred. Therefore, there has been a demand for a manufacturing method of an electrostatic chuck plate capable of forming an electrode at a lower cost.

본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 종래에 비하여 낮은 비용으로 전극을 형성할 수 있는 정전 척 플레이트의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of these problems, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method of an electrostatic chuck plate capable of forming an electrode at a lower cost than in the prior art.

본 발명의 일 양태에 의하면, 피가공물을 정전기의 힘으로 흡착시켜 유지하는 정전 척 플레이트의 제조 방법으로서, 베이스 기판의 절연체로 이루어지는 절연면측에, 금속 산화물을 함유하는 도전체막을 형성하는 도전체막 형성 스텝과, 그 도전체막 형성 스텝 후, 그 베이스 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 그 도전체막을 어블레이션 가공하고, 그 베이스 기판의 그 절연면측에 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝을 구비하는 정전 척 플레이트의 제조 방법이 제공된다.According to one aspect of the present invention, a method for manufacturing an electrostatic chuck plate that adsorbs and holds a workpiece with electrostatic force, wherein a conductor film containing a metal oxide is formed on the side of an insulating surface made of an insulator of a base substrate. and, after the conductor film formation step, an electrode formation step of subjecting the conductor film to an ablation process with a laser beam having a wavelength that is transparent to the base substrate, and forming a positive electrode on the insulating surface side of the base substrate. A method of manufacturing an electrostatic chuck plate having the same is provided.

상기 서술한 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 베이스 기판은, 유리로 형성되어 있고, 그 레이저 빔의 파장은, 500 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.In one aspect of the present invention described above, the base substrate is formed of glass, and the wavelength of the laser beam is preferably 500 nm or more.

본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 피가공물을 정전기의 힘으로 흡착시켜 유지하는 정전 척 플레이트의 제조 방법으로서, 제 1 면측에 금속 산화물을 함유하는 도전체막이 형성된 수지 시트를 준비하는 수지 시트 준비 스텝과, 그 수지 시트 준비 스텝 후, 그 수지 시트에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 그 도전체막을 어블레이션 가공하고, 그 수지 시트의 제 1 면측에 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝과, 그 전극 형성 스텝 후, 그 전극을 베이스 기판의 절연체로 이루어지는 절연면측에 첩부하고, 그 전극으로부터 그 수지 시트를 박리함으로써, 그 베이스 기판의 그 절연면측에 정부의 전극을 이설하는 전극 이설 스텝을 구비하는 정전 척 플레이트의 제조 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, a method for manufacturing an electrostatic chuck plate that adsorbs and holds a workpiece with electrostatic force, comprising: a resin sheet preparation step for preparing a resin sheet having a conductive film containing a metal oxide formed on a first surface side; and, after the resin sheet preparation step, an electrode formation step of subjecting the conductive film to an ablation process with a laser beam having a wavelength that is transparent to the resin sheet, and forming positive and negative electrodes on the first surface side of the resin sheet; After the electrode forming step, the electrode is attached to the insulating surface side of the base substrate made of an insulator, and the resin sheet is peeled off from the electrode to transfer the positive electrode to the insulating surface side of the base substrate. A method for manufacturing an electrostatic chuck plate is provided.

상기 서술한 본 발명의 다른 일 양태에 있어서, 그 수지 시트는, 가시역에서 투명한 수지 시트이고, 그 레이저 빔의 파장은, 1000 ㎚ 이상인 것이 바람직하다.In another aspect of the present invention described above, the resin sheet is a transparent resin sheet in a visible region, and the wavelength of the laser beam is preferably 1000 nm or more.

본 발명의 일 양태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법, 및 본 발명의 다른 일 양태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서는, 레이저 빔으로 도전체막을 어블레이션 가공하고, 정부의 전극을 형성하므로, 비용이 들기 쉬운 웨트 에칭 등의 방법을 사용하는 경우에 비하여, 낮은 비용으로 정부의 전극을 형성할 수 있다.In the method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to one aspect of the present invention and the method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to another aspect of the present invention, a conductive film is subjected to ablation processing with a laser beam to form positive and negative electrodes. The positive and negative electrodes can be formed at a low cost compared to the case of using a method such as wet etching, which is easy to do.

도 1(A) 는, 베이스 기판에 도전체막이 형성된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 1(B) 는, 도전체막이 어블레이션 가공되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 1(C) 는, 완성된 정전 척 플레이트의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는 완성된 정전 척 플레이트의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3 은 정전 척 플레이트가 사용된 프레임 유닛의 구조를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 4 는 정전 척 플레이트가 사용된 프레임 유닛의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5 는 프레임 유닛에 피가공물을 흡착시키는 모습을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 6(A) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 도전체막이 어블레이션 가공되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 6(B) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 베이스 기판에 첩부된 전극으로부터 수지 시트가 박리되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 6(C) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 제조된 정전 척 플레이트의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1(A) is a cross-sectional view schematically showing a state in which a conductor film is formed on a base substrate, FIG. 1(B) is a cross-sectional view schematically showing a state in which the conductor film is subjected to ablation processing, ) is a cross-sectional view schematically showing the structure of the completed electrostatic chuck plate.
2 is a plan view schematically showing the structure of a completed electrostatic chuck plate.
Fig. 3 is a perspective view schematically showing the structure of a frame unit in which an electrostatic chuck plate is used.
4 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a frame unit in which an electrostatic chuck plate is used.
Fig. 5 is a perspective view schematically showing a state in which a workpiece is adsorbed to a frame unit.
Fig. 6(A) is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which a conductive film is ablated in a manufacturing method of an electrostatic chuck plate according to a modification, and Fig. 6(B) is a manufacturing method of an electrostatic chuck plate according to a modification A cross-sectional view schematically showing how the resin sheet is peeled off from the electrode attached to the base substrate by the method, and FIG. 6(C) schematically shows the structure of an electrostatic chuck plate manufactured by the manufacturing method of an electrostatic chuck plate according to a modified example. It is a cross section that represents the enemy.

첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법은, 도전체막 형성 스텝 (도 1(A) 참조), 및 전극 형성 스텝 (도 1(B), 도 1(C) 및 도 2 참조) 을 포함한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION With reference to an accompanying drawing, embodiment concerning one aspect of this invention is described. The manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the present embodiment includes a conductor film forming step (see Fig. 1(A)) and an electrode forming step (see Figs. 1(B), 1(C) and 2). .

도전체막 형성 스텝에서는, 적어도 제 1 면이 절연체로 이루어지는 베이스 기판의 제 1 면측에, 금속 산화물을 함유하는 도전체막을 형성한다. 전극 형성 스텝에서는, 이 베이스 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 도전체막을 어블레이션 가공하고, 베이스 기판의 제 1 면측에 정부의 전극을 형성한다. 이하, 본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 대해 상세히 서술한다.In the conductor film formation step, a conductor film containing a metal oxide is formed on the first face side of a base substrate at least the first face of which is made of an insulator. In the electrode formation step, the conductive film is subjected to ablation processing with a laser beam having a wavelength that is transparent to the base substrate, and positive and negative electrodes are formed on the first surface side of the base substrate. Hereinafter, the wafer processing method according to the present embodiment will be described in detail.

본 실시형태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서는, 먼저, 금속 산화물을 함유하는 도전체막을 베이스 기판에 형성하는 도전체막 형성 스텝을 실시한다. 도 1(A) 는, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (절연면) (1a) 측에 도전체막 (3) 이 형성된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.In the manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the present embodiment, first, a conductor film formation step of forming a conductor film containing a metal oxide on a base substrate is performed. 1(A) is a cross-sectional view schematically showing a state in which a conductive film 3 is formed on the first surface (insulation surface) 1a side of the base substrate 1 .

도 1(A) 에 나타내는 바와 같이, 베이스 기판 (1) 은, 예를 들어, 가시역의 광 (파장 : 360 ㎚ ∼ 830 ㎚) 에 대해 투명한 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 유리재를 사용하여 원반상으로 형성되어 있고, 대체로 평탄한 제 1 면 (1a) 및 제 2 면 (1b) 을 갖고 있다. 즉, 이 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 및 제 2 면 (1b) 은 절연체로 구성되어 있다.As shown in FIG. 1(A), the base substrate 1 is made of, for example, a glass material such as soda glass, borosilicate glass, or quartz glass that is transparent to visible light (wavelength: 360 nm to 830 nm). It is formed in a disk shape using a material, and has a substantially flat first surface 1a and a second surface 1b. That is, the first surface 1a and the second surface 1b of this base substrate 1 are made of an insulator.

베이스 기판 (1) 의 직경은, 예를 들어, 흡착의 대상인 피가공물 (11) (도 5 등 참조) 의 직경과 동일한 정도, 또는 그 이상인 것이 바람직하다. 또, 베이스 기판 (1) 의 두께는, 대표적으로는 1 ㎜ ∼ 30 ㎜ 정도이다. 단, 베이스 기판 (1) 의 재질, 형상, 구조, 크기, 두께 등에 제한은 없다.The diameter of the base substrate 1 is preferably about the same as, or larger than, the diameter of the workpiece 11 (refer to Fig. 5 and the like) to be adsorbed, for example. Moreover, the thickness of the base substrate 1 is typically about 1 mm to 30 mm. However, the material, shape, structure, size, thickness, etc. of the base substrate 1 are not limited.

예를 들어, 수지나 세라믹스 등의 재료로 이루어지는 베이스 기판 (1) 을 사용할 수도 있다. 또, 베이스 기판 (1) 은, 적어도 제 1 면 (1a) 이 절연체로 구성되어 있으면 된다. 따라서, 예를 들어, 반도체나 도체 등으로 이루어지는 기판을 절연체로 피복하고, 베이스 기판 (1) 으로서 사용할 수도 있다.For example, a base substrate 1 made of a material such as resin or ceramics can also be used. In addition, the base substrate 1 should just consist of at least the 1st surface 1a of an insulator. Therefore, for example, a substrate made of a semiconductor or conductor may be coated with an insulator and used as the base substrate 1 .

본 실시형태의 도전체막 형성 스텝에서는, 이 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측 전체에, 스퍼터링 등의 방법으로 금속 산화물을 함유하는 도전체막 (3) 을 형성한다. 금속 산화물로는, 예를 들어, 산화인듐주석 (Indium Tin Oxide : ITO) 등의 가시역의 광에 대해 투명한 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, 가시역에서 도전체막 (3) 이 투명해지므로, 예를 들어, 가시역의 레이저 빔을 사용하는 레이저 가공 등을 할 때에 본 실시형태의 정전 척 플레이트를 사용할 수 있게 된다. 도전체막 (3) 의 두께는, 대표적으로는, 1 ㎛ ∼ 100 ㎛ 정도이다.In the conductor film formation step of the present embodiment, the conductor film 3 containing a metal oxide is formed on the entire first surface 1a side of the base substrate 1 by a method such as sputtering. As the metal oxide, it is preferable to use a material that is transparent to visible light such as, for example, indium tin oxide (ITO). This makes the conductor film 3 transparent in the visible range, so that the electrostatic chuck plate of the present embodiment can be used, for example, in laser processing using a laser beam in the visible range. The thickness of the conductor film 3 is typically about 1 μm to 100 μm.

단, 도전체막 (3) 의 재질, 형상, 크기, 두께, 형성 방법 등에 특단의 제한은 없고, 예를 들어, CVD, 진공 증착, 도포 등의 방법으로 도전체막 (3) 을 형성해도 된다. 또, 수지 시트 상에 형성된 도전체막을 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 첩부하는 방법으로 도전체막 (3) 을 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 예를 들어, 닛토 전공 주식회사 제조의 투명 도전성 필름 ELECRYSTA/일렉크리스타 (등록상표) 등을 사용하면 된다.However, the material, shape, size, thickness, and formation method of the conductive film 3 are not particularly limited, and the conductive film 3 may be formed by, for example, CVD, vacuum deposition, coating, or the like. Moreover, the conductor film 3 can also be formed by the method of sticking the conductor film formed on the resin sheet to the 1st surface 1a side of the base substrate 1. In this case, for example, the transparent conductive film ELECRYSTA / ELECRYSTA (registered trademark) manufactured by Nitto Electric Co., Ltd. may be used.

도전체막 형성 스텝 후에는, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 형성된 도전체막 (3) 을 레이저 빔으로 어블레이션 가공하고, 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝을 실시한다. 도 1(B) 는, 도전체막 (3) 이 어블레이션 가공되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 전극 형성 스텝은, 예를 들어, 도 1(B) 에 나타내는 바와 같은 레이저 가공 장치 (2) 를 사용하여 실시된다.After the conductor film formation step, an electrode formation step is performed in which the conductor film 3 formed on the first surface 1a side of the base substrate 1 is ablated with a laser beam to form positive and negative electrodes. 1(B) is a cross-sectional view schematically showing how the conductor film 3 is subjected to ablation processing. The electrode formation step is performed using the laser processing apparatus 2 as shown in FIG. 1(B), for example.

레이저 가공 장치 (2) 는, 베이스 기판 (1) 을 흡인, 유지하기 위한 척 테이블 (4) 을 구비하고 있다. 척 테이블 (4) 은, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 연직 방향에 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 또, 척 테이블 (4) 의 하방에는, 이동 기구 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 척 테이블 (4) 은, 이 이동 기구에 의해 가공 이송 방향 (제 1 수평 방향) 및 산출 이송 방향 (제 2 수평 방향) 으로 이동한다.The laser processing device 2 includes a chuck table 4 for sucking and holding the base substrate 1 . The chuck table 4 is connected to a rotational drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis generally parallel to the vertical direction. Further, a moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 4, and the chuck table 4 moves in the machining feed direction (first horizontal direction) and in the calculated feed direction (second horizontal direction) by this moving mechanism. horizontal direction).

척 테이블 (4) 의 상면의 일부는, 베이스 기판 (1) 을 흡인, 유지하기 위한 유지면 (4a) 이 되어 있다. 유지면 (4a) 은, 척 테이블 (4) 의 내부에 형성된 흡인로 (도시 생략) 등을 통하여 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 흡인원의 부압을 유지면 (4a) 에 작용시킴으로써, 베이스 기판 (1) 은, 척 테이블 (4) 에 흡인, 유지된다.A part of the upper surface of the chuck table 4 serves as a holding surface 4a for sucking and holding the base substrate 1 . The holding surface 4a is connected to a suction source (not shown) via a suction passage (not shown) formed inside the chuck table 4 or the like. By applying the negative pressure of the suction source to the holding surface 4a, the base substrate 1 is sucked and held by the chuck table 4.

척 테이블 (4) 의 상방에는, 레이저 조사 유닛 (6) 이 배치되어 있다. 레이저 조사 유닛 (6) 은, 레이저 발진기 (도시 생략) 에서 펄스 발진된 레이저 빔 (6a) 을 소정의 위치에 조사, 집광한다. 레이저 발진기는, 베이스 기판 (1) 에 대해 투과성을 갖고, 도전체막 (3) 을 어블레이션 가공할 수 있는 파장의 레이저 빔 (6a) 을 펄스 발진하도록 구성되어 있다.Above the chuck table 4, a laser irradiation unit 6 is disposed. The laser irradiation unit 6 irradiates and condenses a laser beam 6a pulse-oscillated by a laser oscillator (not shown) to a predetermined position. The laser oscillator is configured to pulse oscillate a laser beam 6a having a wavelength that is transparent to the base substrate 1 and capable of ablating the conductor film 3 .

전극 형성 스텝에서는, 먼저, 레이저 빔 (6a) 이 조사되는 조사 예정 라인 (도시 생략) 을 도전체막 (3) 에 설정한다. 이 조사 예정 라인은, 도전체막 (3) 을 2 이상으로 분리하는 형상으로 설정될 필요가 있다. 단, 조사 예정 라인을 설정하는 타이밍은 임의여도 된다. 적어도, 도전체막 (3) 에 대해 레이저 빔 (6a) 을 조사하기 전에 조사 예정 라인이 설정되면 된다.In the electrode formation step, first, a line to be irradiated (not shown) to be irradiated with the laser beam 6a is set in the conductor film 3 . This line to be irradiated needs to be set in a shape that separates the conductor film 3 into two or more. However, the timing for setting the irradiation schedule line may be arbitrary. At least, before irradiating the laser beam 6a to the conductive film 3, the irradiation target line may be set.

다음으로, 베이스 기판 (1) 의 제 2 면 (1b) 측을 척 테이블 (4) 의 유지면 (4a) 에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이로써, 베이스 기판 (1) 은, 제 1 면 (1a) 측에 형성되어 있는 도전체막 (3) 이 상방에 노출된 상태에서 척 테이블 (4) 에 유지된다. 그 후, 척 테이블 (4) 을 회전, 이동시켜, 베이스 기판 (1) 과 레이저 조사 유닛 (6) 의 위치 관계를 조정한다.Next, the side of the second surface 1b of the base substrate 1 is brought into contact with the holding surface 4a of the chuck table 4, and the negative pressure of the suction source is applied. In this way, the base substrate 1 is held on the chuck table 4 in a state where the conductive film 3 formed on the first surface 1a side is exposed upward. After that, the chuck table 4 is rotated and moved to adjust the positional relationship between the base substrate 1 and the laser irradiation unit 6 .

그리고, 조사 예정 라인 (도시 생략) 을 따라 레이저 빔 (6a) 이 조사되도록, 레이저 조사 유닛 (6) 으로부터 도전체막 (3) 을 향하여 레이저 빔 (6a) 을 조사하면서 척 테이블 (4) 을 이동시킨다. 이로써, 어블레이션 가공에 의해 도전체막 (3) 의 일부를 제거하고, 조사 예정 라인을 따른 절연 영역 (3a) 을 형성할 수 있다.Then, the chuck table 4 is moved while irradiating the laser beam 6a from the laser irradiation unit 6 toward the conductive film 3 so that the laser beam 6a is irradiated along a line to be irradiated (not shown). . Thereby, a part of the conductor film 3 can be removed by ablation processing, and the insulating region 3a along the line to be irradiated can be formed.

또한, 본 실시형태에서는, 베이스 기판 (1) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (6a) 을 도전체막 (3) 에 조사한다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 파장이 500 ㎚ 이상인 레이저 빔 (6a) 을, 0.44 J/㎠ 이상의 조건으로 도전체막 (3) 에 조사하는 것이 바람직하다. 이로써, 베이스 기판 (1) 의 변질을 억제하면서, 도전체막 (3) 의 일부를 제거하여 절연 영역 (3a) 을 형성할 수 있다.Further, in this embodiment, the conductive film 3 is irradiated with a laser beam 6a having a wavelength that is transparent to the base substrate 1 . More specifically, for example, it is preferable to irradiate the conductor film 3 with a laser beam 6a having a wavelength of 500 nm or more under conditions of 0.44 J/cm 2 or more. In this way, the insulating region 3a can be formed by removing a part of the conductive film 3 while suppressing deterioration of the base substrate 1 .

조사 예정 라인의 전부에 절연 영역 (3a) 이 형성되면, 도전체막 (3) 은, 이 절연 영역 (3a) 에 의해 정 (正) 의 전극 패턴 (정의 전극) (3b) (도 1(C) 등 참조) 과 부 (負) 의 전극 패턴 (부의 전극) (3c) (도 1(C) 등 참조) 으로 분리된다. 즉, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에는, 정의 전극 패턴 (3b) 과 부의 전극 패턴 (3c) 이 형성된다. 이로써, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 정의 전극 패턴 (3b) 과 부의 전극 패턴 (3c) 을 갖는 정전 척 플레이트 (5) (도 1(C) 등 참조) 가 완성된다.When the insulating region 3a is formed in all of the lines to be irradiated, the conductor film 3 forms a positive electrode pattern (positive electrode) 3b by the insulating region 3a (FIG. 1(C) etc.) and a negative electrode pattern (negative electrode) 3c (see Fig. 1(C), etc.). That is, on the side of the first surface 1a of the base substrate 1, a positive electrode pattern 3b and a negative electrode pattern 3c are formed. This completes the electrostatic chuck plate 5 having the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c on the first surface 1a side of the base substrate 1 (see FIG. 1(C) and the like).

상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 도전체막 (3) 의 조사 예정 라인을 따라 레이저 빔 (6a) 을 조사하기만 해도 되기 때문에, 마스크가 필요한 웨트 에칭 등의 방법에 비하여 가공에 필요로 하는 시간을 단축시키기 쉽다. 또, 웨트 에칭 등과 같이 마스크를 형성하지 않아도 되기 때문에, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 의 형성에 드는 비용이 낮게 억제된다.As described above, in the present embodiment, since the laser beam 6a only needs to be irradiated along the line to be irradiated of the conductor film 3, compared to methods such as wet etching that require a mask, the amount required for processing is reduced. It is easy to shorten the time. Moreover, since it is not necessary to form a mask like wet etching or the like, the cost required for formation of the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c is suppressed low.

도 1(C) 는, 정전 척 플레이트 (5) 의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 2 는, 정전 척 플레이트 (5) 의 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 1(C) 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 의 형상은, 예를 들어, 정의 전극과 부의 전극을 번갈아 정렬시켜 이루어지는 1 쌍의 빗살상으로 하면 된다.FIG. 1(C) is a cross-sectional view schematically showing the structure of the electrostatic chuck plate 5, and FIG. 2 is a plan view schematically showing the structure of the electrostatic chuck plate 5. As shown in FIG. As shown in FIG. 1(C) and FIG. 2, the shape of the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c is, for example, a pair of comb teeth formed by aligning the positive electrode and the negative electrode alternately. You can do it.

이와 같은 빗살상의 전극에서는, 정의 전극과 부의 전극이 높은 밀도로 배치되기 때문에, 예를 들어, 전극과 피가공물 (11) 사이에 작용하는 그레이디언트력 등으로 불리는 정전기의 힘도 강해진다. 요컨대, 피가공물 (11) 을 강한 힘으로 흡착, 유지할 수 있게 된다. 또, 정의 전극 및 부의 전극으로의 급전을 정지시킨 후에도, 강한 흡착력을 유지할 수 있게 된다.In such a comb-shaped electrode, since positive electrodes and negative electrodes are arranged at high density, the force of static electricity called gradient force acting between the electrode and the workpiece 11, for example, is also strong. In short, it becomes possible to adsorb and hold the workpiece 11 with strong force. Further, even after power supply to the positive electrode and the negative electrode is stopped, a strong adsorption force can be maintained.

단, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 의 형상, 크기 등에 특단의 제한은 없다. 예를 들어, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 곡선이나 원 등으로 구성할 수도 있다. 또한, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 절연 영역 (3a) 이 형성되는 조사 예정 라인을 한번에 그을 수 있는 형상으로 설정함으로써, 가공에 필요로 하는 시간을 더욱 단축시킬 수 있다.However, there are no particular restrictions on the shape, size, etc. of the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c. For example, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c may be constituted by curves or circles. Further, as shown in FIG. 2 , the time required for processing can be further shortened by setting the planned irradiation line in which the insulating region 3a is formed to a shape that can be drawn at once.

이와 같이, 본 실시형태에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서는, 레이저 빔 (6a) 으로 도전체막 (3) 을 어블레이션 가공하고, 정의 전극 패턴 (정의 전극) (3b) 및 부의 전극 패턴 (부의 전극) (3c) 을 형성하므로, 비용이 들기 쉬운 웨트 에칭 등의 방법을 사용하는 경우에 비하여, 낮은 비용으로 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 형성할 수 있다.In this way, in the manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the present embodiment, the conductive film 3 is subjected to ablation processing with the laser beam 6a, and the positive electrode pattern (positive electrode) 3b and the negative electrode pattern (negative electrode ) (3c), the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be formed at a low cost compared to the case of using a method such as wet etching, which tends to be expensive.

이와 같이 하여 제조된 정전 척 플레이트 (5) 는, 피가공물 (11) 을 흡착, 유지하기 위한 각종의 장치에 삽입하여 사용된다. 도 3 은, 정전 척 플레이트 (5) 가 사용된 프레임 유닛 (12) 의 구조를 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 4 는, 정전 척 플레이트 (5) 가 사용된 프레임 유닛 (12) 의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.The electrostatic chuck plate 5 manufactured in this way is used by being inserted into various devices for adsorbing and holding the workpiece 11 . 3 is a perspective view schematically showing the structure of the frame unit 12 using the electrostatic chuck plate 5, and FIG. 4 schematically shows the structure of the frame unit 12 using the electrostatic chuck plate 5 It is a cross section that represents the enemy.

도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 프레임 유닛 (12) 은, 알루미늄 등의 재료로 이루어지는 고리형의 프레임 (14) 을 구비하고 있다. 프레임 (14) 의 중앙 부분에는, 이 프레임 (14) 을 제 1 면 (14a) 으로부터 제 2 면 (14b) 으로 관통하는 개구 (14c) 가 형성되어 있다. 개구 (14c) 의 형상은, 예를 들어, 제 1 면 (14a) 측 (또는 제 2 면 (14b) 측) 에서 보아 대체로 원형이다. 또한, 프레임 (14) 의 재질, 형상, 크기 등에 특단의 제한은 없다.As shown in FIGS. 3 and 4 , the frame unit 12 includes an annular frame 14 made of a material such as aluminum. An opening 14c passing through the frame 14 from the first surface 14a to the second surface 14b is formed in the central portion of the frame 14 . The shape of the opening 14c is substantially circular when viewed from the first surface 14a side (or the second surface 14b side), for example. In addition, the material, shape, size, etc. of the frame 14 are not particularly limited.

프레임 (14) 의 제 2 면 (14b) 에는, 폴리에틸렌 (PE) 이나 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 재료로 이루어지는 필름상의 베이스 시트 (16) 가, 개구 (14c) 를 덮도록 고정되어 있다. 구체적으로는, 원형의 베이스 시트 (16) 의 제 1 면 (16a) 측의 외주 부분이, 프레임 (14) 의 제 2 면 (14b) 에 첩부되어 있다.A film-like base sheet 16 made of a material such as polyethylene (PE) or polyethylene terephthalate (PET) is fixed to the second surface 14b of the frame 14 so as to cover the opening 14c. Specifically, the outer peripheral portion of the circular base sheet 16 on the side of the first surface 16a is attached to the second surface 14b of the frame 14 .

베이스 시트 (16) 는, 예를 들어, 피가공물 (11) 을 보호할 수 있을 정도의 유연성과, 후술하는 정전기의 힘을 저해하지 않을 정도의 절연성을 갖고 있다. 단, 베이스 시트 (16) 의 재질, 형상, 두께, 크기 등에 특단의 제한은 없다. 피가공물 (11) 은, 이 베이스 시트 (16) 의 제 1 면 (16a) 측에서 유지된다. 한편, 베이스 시트 (16) 의 제 2 면 (16b) 측의 중앙 부분에는, 상기 서술한 정전 척 플레이트 (5) 가 형성되어 있다.The base sheet 16 has, for example, flexibility enough to protect the workpiece 11 and insulation enough not to impede the force of static electricity described later. However, the material, shape, thickness, size, etc. of the base sheet 16 are not particularly limited. The workpiece 11 is held on the first surface 16a side of the base sheet 16 . On the other hand, the above-described electrostatic chuck plate 5 is formed in the central portion of the base sheet 16 on the side of the second surface 16b.

정전 척 플레이트 (5) 는, 예를 들어, 접착력이 있는 커버 시트 (18) 에 의해, 도전체막 (3) (정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c)) 측이 베이스 시트 (16) 의 제 2 면 (16b) 측에 밀착되는 양태로 고정된다. 이 경우에는, 베이스 기판 (1) 의 제 2 면 (1b) 측을 베이스 시트 (16) 의 제 2 면 (16b) 측에 밀착시키는 경우에 비하여, 도전체막 (3) 으로부터 발생하는 전계를 제 1 면 (16a) 측의 피가공물 (11) 에 효율적으로 작용시킬 수 있다.The electrostatic chuck plate 5 is formed so that the conductive film 3 (positive electrode pattern 3b and negative electrode pattern 3c) side is connected to the base sheet 16 by, for example, an adhesive cover sheet 18. It is fixed in a manner in close contact with the second surface (16b) side of the. In this case, compared to the case where the second surface 1b side of the base substrate 1 is brought into close contact with the second surface 16b side of the base sheet 16, the electric field generated from the conductive film 3 is applied to the first It can be made to act efficiently on the workpiece 11 on the side of the surface 16a.

커버 시트 (18) 는, 예를 들어, 베이스 시트 (16) 와 동일한 재료로 형성되는 원형의 기재 시트와, 기재 시트의 일방의 면에 형성되는 접착제층 (풀층) 을 포함한다. 여기서, 커버 시트 (18) (기재 시트) 의 직경은, 정전 척 플레이트 (5) (베이스 기판 (1)) 의 직경보다 크다. 단, 커버 시트 (18) 의 재질, 형상, 두께, 크기, 구조 등에 특단의 제한은 없다.The cover sheet 18 includes, for example, a circular base sheet formed of the same material as the base sheet 16 and an adhesive layer (glue layer) formed on one surface of the base sheet. Here, the diameter of the cover sheet 18 (substrate sheet) is larger than the diameter of the electrostatic chuck plate 5 (base substrate 1). However, the material, shape, thickness, size, structure, etc. of the cover sheet 18 are not particularly limited.

베이스 시트 (16) 의 제 2 면 (16b) 측에는, 정의 전극 패턴 (3b) 에 접속되는 제 1 배선 (20a) 과, 부의 전극 패턴 (3c) 에 접속되는 제 2 배선 (20b) 이 배치되어 있다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 프레임 (14) 의 제 1 면 (14a) 측에는, 급전 유닛 (22) 이 형성되어 있고 제 1 배선 (20a) 및 제 2 배선 (20b) 은, 예를 들어, 프레임 (4) 을 돌아들어가도록 하여 급전 유닛 (22) 에 접속된다.On the side of the second surface 16b of the base sheet 16, a first wiring 20a connected to the positive electrode pattern 3b and a second wiring 20b connected to the negative electrode pattern 3c are disposed. . As shown in FIG. 3 , the power supply unit 22 is formed on the side of the first surface 14a of the frame 14, and the first wiring 20a and the second wiring 20b are, for example, frame ( 4) to be connected to the power supply unit 22.

급전 유닛 (22) 은, 상기 서술한 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로의 급전에 사용되는 전지 (24) 를 수용하기 위한 전지 홀더 (22a) 를 구비하고 있다. 또, 전지 홀더 (22a) 에 인접하는 위치에는, 정의 전극 패턴 (3a) 및 부의 전극 패턴 (3b) 으로의 급전과 비급전을 전환하기 위한 스위치 (22b) 가 형성되어 있다.The power supply unit 22 is equipped with a battery holder 22a for accommodating a battery 24 used for power supply to the above-described positive electrode pattern 3b and negative electrode pattern 3c. Further, at a position adjacent to the battery holder 22a, a switch 22b for switching between power supply and non-power supply to the positive electrode pattern 3a and the negative electrode pattern 3b is formed.

예를 들어, 스위치 (22b) 를 도통 상태 (온 상태) 로 하면, 전지 홀더 (22a) 에 수용되어 있는 전지 (24) 의 전력이, 제 1 배선 (20a) 및 제 2 배선 (20b) 을 통하여 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로 공급된다. 한편, 스위치 (22b) 를 비도통 상태 (오프 상태) 로 하면, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로의 급전은 정지된다.For example, when the switch 22b is turned on (on), the electric power of the battery 24 accommodated in the battery holder 22a passes through the first wiring 20a and the second wiring 20b. It is supplied to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c. On the other hand, when the switch 22b is turned off (off state), power supply to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c is stopped.

또한, 도 3 및 도 4 에서는, 급전 유닛 (22) 을 프레임 (14) 의 제 1 면 (14a) 측에 배치하고 있지만, 급전 유닛 (22) 의 배치 등에 특단의 제한은 없다. 적어도, 이 급전 유닛 (22) 은, 프레임 유닛 (12) 을 사용 (즉, 피가공물 (11) 을 흡착, 유지) 할 때에 방해가 되지 않는 위치에 배치되어 있으면 된다. 예를 들어, 프레임 (14) 의 개구 (14c) 내에 급전 유닛 (22) 을 배치할 수도 있다. 또, 전지 (24) 는, 버튼형 전지 (코인형 전지) 와 같은 일차 전지여도 되고, 충전에 의해 반복 사용 가능한 이차 전지여도 된다.3 and 4, the power supply unit 22 is disposed on the side of the first surface 14a of the frame 14, but the arrangement of the power supply unit 22 is not particularly limited. At least, this power supply unit 22 should just be arranged in a position where it does not interfere when using the frame unit 12 (that is, adsorbing and holding the workpiece 11). For example, the power supply unit 22 may be disposed in the opening 14c of the frame 14 . In addition, the battery 24 may be a primary battery such as a button-type battery (coin-type battery) or a secondary battery that can be repeatedly used by charging.

도 5 는, 프레임 유닛 (12) 에 피가공물 (11) 을 흡착시키는 모습을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 피가공물 (11) 은, 예를 들어, 실리콘 (Si) 등의 재료로 이루어지는 원반상의 웨이퍼이다. 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측은, 격자상으로 설정된 분할 예정 라인 (스트리트) (13) 으로 복수의 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는, IC (Integrated Circuit), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 등의 디바이스 (15) 가 형성되어 있다.FIG. 5 is a perspective view schematically showing how the frame unit 12 adsorbs the workpiece 11. As shown in FIG. The workpiece 11 is, for example, a disk-shaped wafer made of a material such as silicon (Si). The surface 11a side of the workpiece 11 is partitioned into a plurality of areas by lines to be divided (streets) 13 set in a lattice shape, and in each area, IC (Integrated Circuit), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) and the like are formed.

단, 피가공물 (11) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 다른 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어지는 피가공물 (11) 을 프레임 유닛 (12) 으로 흡착, 유지할 수도 있다. 동일하게, 디바이스 (15) 의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다.However, the material, shape, structure, size, etc. of the workpiece 11 are not limited. The frame unit 12 can adsorb and hold the workpiece 11 made of materials such as other semiconductors, ceramics, resins and metals. Similarly, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, or the like of the devices 15 .

프레임 유닛 (12) 에 피가공물 (11) 을 흡착시킬 때에는, 먼저, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측과 베이스 시트 (16) 의 제 1 면 (16a) 측이 접촉하도록, 피가공물 (11) 을 베이스 시트 (16) 에 올린다. 보다 구체적으로는, 피가공물 (11) 을 베이스 시트 (16) 의 정전 척 플레이트 (5) 에 대응하는 영역 (중앙 부분) 에 올린다. 다음으로, 급전 유닛 (22) 의 스위치 (22b) 를 도통 상태로 하여, 전지 (24) 의 전력을 정의 전극 패턴 (3b) 과 부의 전극 패턴 (3c) 에 공급한다.When adsorbing the workpiece 11 to the frame unit 12, first, the workpiece 11 so that the back surface 11b side of the workpiece 11 and the first surface 16a side of the base sheet 16 come into contact with the workpiece ( 11) on the base sheet 16. More specifically, the workpiece 11 is placed on a region (central portion) of the base sheet 16 corresponding to the electrostatic chuck plate 5 . Next, the switch 22b of the power supply unit 22 is turned on, and the electric power of the battery 24 is supplied to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c.

이로써, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 의 둘레로 전계가 발생하고, 그 효과로서, 피가공물 (11) 과 도전체막 (3) 사이에 정전기의 힘이 작용한다. 이 정전기의 힘에 의해, 피가공물 (11) 은, 프레임 유닛 (12) 에 흡착, 유지된다. 또한, 피가공물 (11) 과 도전체막 (3) 사이에 작용하는 정전기의 힘에는, 쿨롱력, 존슨·라벡력, 그레이디언트력 등이 있다.Thereby, an electric field is generated around the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c, and as an effect thereof, a force of static electricity acts between the workpiece 11 and the conductor film 3. The workpiece 11 is adsorbed and held by the frame unit 12 by the force of this static electricity. In addition, the electrostatic force acting between the workpiece 11 and the conductive film 3 includes Coulomb force, Johnson-Rabeck force, gradient force, and the like.

또한, 본 발명은, 상기 실시형태 등의 기재에 제한되지 않고 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 예를 들어, 상기 실시형태에서는, 금속 산화물을 함유하는 도전체막 (3) 을 베이스 기판 (1) 에 형성한 후에, 이 도전체막 (3) 을 레이저 빔 (6a) 으로 어블레이션 가공하고 있지만, 다른 순서로 정전 척 플레이트 (5) 를 제조할 수도 있다.In addition, the present invention is not limited to the description of the above embodiments and the like, and can be implemented with various changes. For example, in the above embodiment, after forming the conductor film 3 containing metal oxide on the base substrate 1, the conductor film 3 is subjected to ablation processing with the laser beam 6a. It is also possible to manufacture the electrostatic chuck plate 5 in this order.

도 6(A) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 도전체막 (3) 이 어블레이션 가공되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서는, 먼저, 금속 산화물을 함유하는 도전체막 (3) 이 형성된 수지 시트 (7) 를 준비하는 수지 시트 준비 스텝을 실시한다.Fig. 6(A) is a cross-sectional view schematically showing how the conductive film 3 is subjected to ablation processing in a manufacturing method of an electrostatic chuck plate according to a modified example. In the manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the modified example, first, a resin sheet preparation step of preparing a resin sheet 7 on which a conductive film 3 containing a metal oxide is formed is performed.

수지 시트 (7) 는, 예를 들어, 가시역의 광에 대해 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 수지재로 형성되어 있고, 그 제 1 면 (7a) 측에는, 금속 산화물을 함유하는 도전체막 (3) 이 형성되어 있다. 이와 같은 도전체막 (3) 이 형성된 수지 시트 (7) 로는, 예를 들어, 닛토 전공 주식회사 제조의 투명 도전성 필름 ELECRYSTA/일렉크리스타 (등록상표) 등을 사용할 수 있다.The resin sheet 7 is formed of, for example, a resin material such as polyethylene terephthalate (PET) that is transparent to visible light, and on the first surface 7a side thereof, a conductive film containing a metal oxide ( 3) is formed. As the resin sheet 7 on which such a conductive film 3 is formed, for example, a transparent conductive film ELECRYSTA/Electricista (registered trademark) manufactured by Nitto Electric Co., Ltd. can be used.

수지 시트 준비 스텝 후에는, 수지 시트 (7) 의 제 1 면 (7a) 측에 형성된 도전체막 (3) 을 레이저 빔 (6a) 으로 어블레이션 가공하고, 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝을 실시한다. 전극 형성 스텝은, 예를 들어, 레이저 가공 장치 (2) 를 사용하여 실시된다. 이 변형예에서 사용되는 레이저 가공 장치 (2) 의 구성의 대부분은, 상기 실시형태에서 사용되는 레이저 가공 장치 (2) 와 동일하지만, 그 레이저 발진기는, 수지 시트 (7) 에 대해 투과성을 갖고, 도전체막 (3) 을 어블레이션 가공할 수 있는 파장의 레이저 빔 (6a) 을 펄스 발진하도록 구성된다.After the resin sheet preparation step, an electrode formation step is performed in which the conductive film 3 formed on the first surface 7a side of the resin sheet 7 is subjected to ablation processing with a laser beam 6a to form positive and negative electrodes. do. The electrode formation step is performed using the laser processing apparatus 2, for example. Most of the configuration of the laser processing device 2 used in this modified example is the same as that of the laser processing device 2 used in the above embodiment, but the laser oscillator has transparency to the resin sheet 7, It is configured to pulse oscillate a laser beam 6a having a wavelength capable of ablating the conductor film 3.

변형예에 관련된 전극 형성 스텝에서는, 먼저, 레이저 빔 (6a) 이 조사되는 조사 예정 라인 (도시 생략) 을 도전체막 (3) 에 설정한다. 이 조사 예정 라인은, 도전체막 (3) 을 2 이상으로 분리하는 형상으로 설정될 필요가 있다. 단, 조사 예정 라인을 설정하는 타이밍은 임의여도 된다. 적어도, 도전체막 (3) 에 대해 레이저 빔 (6a) 을 조사하기 전에 조사 예정 라인이 설정되면 된다.In the electrode formation step according to the modified example, first, a line to be irradiated (not shown) to be irradiated with the laser beam 6a is set in the conductive film 3 . This line to be irradiated needs to be set in a shape that separates the conductor film 3 into two or more. However, the timing for setting the irradiation schedule line may be arbitrary. At least, before irradiating the laser beam 6a to the conductive film 3, the irradiation target line may be set.

다음으로, 수지 시트 (7) 의 제 2 면 (7b) 측을 척 테이블 (4) 의 유지면 (4a) 에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이로써, 수지 시트 (7) 는, 제 1 면 (7a) 측에 형성되어 있는 도전체막 (3) 이 상방에 노출된 상태에서 척 테이블 (4) 에 유지된다. 다음으로, 척 테이블 (4) 을 회전, 이동시켜, 수지 시트 (7) 와 레이저 조사 유닛 (6) 의 위치 관계를 조정한다.Next, the side of the second surface 7b of the resin sheet 7 is brought into contact with the holding surface 4a of the chuck table 4, and the negative pressure of the suction source is applied. In this way, the resin sheet 7 is held on the chuck table 4 in a state where the conductive film 3 formed on the side of the first surface 7a is exposed upward. Next, the chuck table 4 is rotated and moved to adjust the positional relationship between the resin sheet 7 and the laser irradiation unit 6 .

그리고, 도전체막 (3) 에 설정되는 조사 예정 라인 (도시 생략) 을 따라 레이저 빔 (6a) 이 조사되도록, 레이저 조사 유닛 (6) 으로부터 도전체막 (3) 을 향하여 레이저 빔 (6a) 을 조사하면서 척 테이블 (4) 을 이동시킨다. 이로써, 어블레이션 가공에 의해 도전체막 (3) 의 일부를 제거하고, 조사 예정 라인을 따른 절연 영역 (3a) 을 형성할 수 있다.Then, while irradiating the laser beam 6a from the laser irradiation unit 6 toward the conductor film 3 so that the laser beam 6a is irradiated along a line to be irradiated (not shown) set in the conductor film 3. Move the chuck table (4). Thereby, a part of the conductor film 3 can be removed by ablation processing, and the insulating region 3a along the line to be irradiated can be formed.

또한, 이 변형예에서는, 수지 시트 (7) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔 (6a) 을 도전체막 (3) 에 조사한다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 파장이 1000 ㎚ 이상인 레이저 빔 (6a) 을, 0.44 J/㎠ 이상 8.84 J/㎠ 미만의 조건으로 도전체막 (3) 에 조사하는 것이 바람직하다. 이로써, 자외역 (파장 : 360 ㎚ 미만) 의 레이저 빔을 사용하는 경우와 같이 수지 시트 (7) 를 변질, 손상시키지 않고, 도전체막 (3) 의 일부를 제거하여 절연 영역 (3a) 을 형성할 수 있다.In addition, in this modified example, the conductive film 3 is irradiated with a laser beam 6a having a wavelength that is transparent to the resin sheet 7 . More specifically, for example, it is preferable to irradiate the conductor film 3 with a laser beam 6a having a wavelength of 1000 nm or more under conditions of 0.44 J/cm 2 or more and less than 8.84 J/cm 2 . Thereby, as in the case of using a laser beam in the ultraviolet region (wavelength: less than 360 nm), the insulating region 3a can be formed by removing a part of the conductive film 3 without deteriorating or damaging the resin sheet 7. can

조사 예정 라인의 전체에 절연 영역 (3a) 이 형성되면, 도전체막 (3) 은, 이 절연 영역 (3a) 에 의해 정의 전극 패턴 (정의 전극) (3b) 과 부의 전극 패턴 (부의 전극) (3c) 으로 분리된다. 즉, 수지 시트 (7) 의 제 1 면 (7a) 측에, 정의 전극 패턴 (3b) 과 부의 전극 패턴 (3c) 이 형성된다.When the insulation region 3a is formed over the entire line to be irradiated, the conductor film 3 forms a positive electrode pattern (positive electrode) 3b and a negative electrode pattern (negative electrode) 3c by the insulation region 3a. ) separated by That is, on the side of the first surface 7a of the resin sheet 7, a positive electrode pattern 3b and a negative electrode pattern 3c are formed.

전극 형성 스텝 후에는, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (절연면) (1a) 측에 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 이설하는 전극 이설 스텝을 실시한다. 이 전극 이설 스텝에서는, 예를 들어, 수지 시트 (7) 상의 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 첩부하고 나서, 수지 시트 (7) 를 박리한다.After the electrode formation step, an electrode transfer step of transferring the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c to the first surface (insulation surface) 1a side of the base substrate 1 is performed. In this electrode transfer step, for example, after attaching the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c on the resin sheet 7 to the first surface 1a side of the base substrate 1, the resin sheet (7) is peeled off.

도 6(B) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 베이스 기판 (1) 에 첩부된 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로부터 수지 시트 (7) 가 박리되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 은, 접착제 (9) 를 사용하여 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 첩부된다. 또한, 베이스 기판 (1) 은, 상기 실시형태에서 사용되는 베이스 기판 (1) 과 동일해도 된다.Fig. 6(B) shows a state in which the resin sheet 7 is peeled from the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c attached to the base substrate 1 in the manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the modified example. It is a schematic cross-sectional view. As shown in FIG. 6(B) , the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are attached to the first surface 1a side of the base substrate 1 using an adhesive 9 . In addition, the base substrate 1 may be the same as the base substrate 1 used in the above embodiment.

접착제 (9) 를 사용하여 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 첩부한 후에는, 이 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 으로부터 수지 시트 (7) 를 박리한다. 이로써, 베이스 기판 (1) 의 제 1 면 (1a) 측에 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 이 이설되고, 정전 척 플레이트 (5a) 가 완성된다. 도 6(C) 는, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법으로 제조된 정전 척 플레이트의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.After attaching the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c to the first surface 1a side of the base substrate 1 using the adhesive 9, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode The resin sheet 7 is peeled from the pattern 3c. In this way, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are transferred to the first surface 1a side of the base substrate 1, and the electrostatic chuck plate 5a is completed. 6(C) is a cross-sectional view schematically showing the structure of an electrostatic chuck plate manufactured by a manufacturing method of an electrostatic chuck plate according to a modified example.

이와 같이, 변형예에 관련된 정전 척 플레이트의 제조 방법에서도, 레이저 빔 (6a) 으로 도전체막 (3) 을 어블레이션 가공하고, 정의 전극 패턴 (정의 전극) (3b) 및 부의 전극 패턴 (부의 전극) (3c) 을 형성하므로, 비용이 들기 쉬운 웨트 에칭 등의 방법을 사용하는 경우에 비하여, 낮은 비용으로 정의 전극 패턴 (3b) 및 부의 전극 패턴 (3c) 을 형성할 수 있다.In this way, also in the manufacturing method of the electrostatic chuck plate according to the modified example, the conductive film 3 is subjected to ablation processing with the laser beam 6a, and the positive electrode pattern (positive electrode) 3b and the negative electrode pattern (negative electrode) are formed. Since (3c) is formed, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be formed at a low cost compared to the case of using a method such as wet etching, which tends to be expensive.

그 밖에, 상기 실시형태나 변형예 등에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the structure, method, etc. related to the above-described embodiment or modification can be appropriately changed and implemented without departing from the scope of the purpose of the present invention.

1 : 베이스 기판
1a : 제 1 면 (절연면)
1b : 제 2 면
3 : 도전체막
3a : 절연 영역
3b : 정의 전극 패턴 (정의 전극)
3c : 부의 전극 패턴 (부의 전극)
5, 5a : 정전 척 플레이트
7 : 수지 시트
7a : 제 1 면
7b : 제 2 면
9 : 접착제
2 : 레이저 가공 장치
4 : 척 테이블
4a : 유지면
6 : 레이저 조사 유닛
6a : 레이저 빔
12 : 프레임 유닛
14 : 프레임
14a : 제 1 면
14b : 제 2 면
14c : 개구
16 : 베이스 시트
16a : 제 1 면
16b : 제 2 면
18 : 커버 시트
20a : 제 1 배선
20b : 제 2 배선
22 : 급전 유닛
22a : 전지 홀더
22b : 스위치
24 : 전지1: base board
1a: first surface (insulating surface)
1b: 2nd side
3: conductive film
3a: Insulation area
3b: positive electrode pattern (positive electrode)
3c: negative electrode pattern (negative electrode)
5, 5a: electrostatic chuck plate
7: resin sheet
7a: first side
7b: 2nd side
9 : Glue
2: Laser processing device
4 : chuck table
4a: holding surface
6: laser irradiation unit
6a: laser beam
12: frame unit
14 : frame
14a: first side
14b: second side
14c: opening
16: base sheet
16a: first side
16b: second side
18: cover sheet
20a: 1st wiring
20b: 2nd wiring
22: power supply unit
22a: battery holder
22b: switch
24: Battery

Claims (4)

피가공물을 정전기의 힘으로 흡착시켜 유지하는 정전 척 플레이트의 제조 방법으로서,
제 1 면측에 금속 산화물을 함유하는 도전체막이 형성된 수지 시트를 준비하는 수지 시트 준비 스텝과,
그 수지 시트 준비 스텝 후, 그 수지 시트에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔으로 그 도전체막을 어블레이션 가공하고, 그 수지 시트의 제 1 면측에 정부의 전극을 형성하는 전극 형성 스텝과,
그 전극 형성 스텝 후, 그 전극을 베이스 기판의 절연체로 이루어지는 절연면측에 첩부하고, 그 전극으로부터 그 수지 시트를 박리함으로써, 그 베이스 기판의 그 절연면측에 정부의 전극을 이설하는 전극 이설 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전 척 플레이트의 제조 방법. A method of manufacturing an electrostatic chuck plate for adsorbing and holding a workpiece with electrostatic force, comprising:
A resin sheet preparation step of preparing a resin sheet on which a conductive film containing a metal oxide is formed on the first surface side;
After the resin sheet preparation step, an electrode formation step of subjecting the conductive film to an ablation process with a laser beam having a wavelength transmissive to the resin sheet and forming positive and negative electrodes on the first surface side of the resin sheet;
After the electrode forming step, the electrode is attached to the insulating surface side of the base substrate made of an insulator, and the resin sheet is peeled off from the electrode to transfer the positive electrode to the insulating surface side of the base substrate. A method of manufacturing an electrostatic chuck plate, characterized in that. 제 1 항에 있어서,
그 수지 시트는, 가시역에서 투명한 수지 시트이고,
그 레이저 빔의 파장은, 1000 ㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 정전 척 플레이트의 제조 방법.According to claim 1,
The resin sheet is a transparent resin sheet in the visible region,
A method for manufacturing an electrostatic chuck plate, wherein the laser beam has a wavelength of 1000 nm or more. 삭제delete 삭제delete
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