JP6945923B2 - Chip manufacturing method - Google Patents

Chip manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP6945923B2
JP6945923B2 JP2017158785A JP2017158785A JP6945923B2 JP 6945923 B2 JP6945923 B2 JP 6945923B2 JP 2017158785 A JP2017158785 A JP 2017158785A JP 2017158785 A JP2017158785 A JP 2017158785A JP 6945923 B2 JP6945923 B2 JP 6945923B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
holding
work piece
chip
modified layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017158785A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019036680A5 (en
JP2019036680A (en
Inventor
良彰 淀
良彰 淀
金艶 趙
金艶 趙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2017158785A priority Critical patent/JP6945923B2/en
Publication of JP2019036680A publication Critical patent/JP2019036680A/en
Publication of JP2019036680A5 publication Critical patent/JP2019036680A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6945923B2 publication Critical patent/JP6945923B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、板状の被加工物を分割して複数のチップを製造するチップの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a chip, which manufactures a plurality of chips by dividing a plate-shaped workpiece.

ウェーハに代表される板状の被加工物(ワーク)を複数のチップへと分割するために、透過性のあるレーザビームを被加工物の内部に集光させて、多光子吸収により改質された改質層(改質領域)を形成する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。改質層は、他の領域に比べて脆いので、分割予定ライン(ストリート)に沿って改質層を形成してから被加工物に力を加えることで、この改質層を起点に被加工物を複数のチップへと分割できる。 In order to divide a plate-shaped workpiece (work) represented by a wafer into a plurality of chips, a transmissive laser beam is focused inside the workpiece and modified by multiphoton absorption. A method of forming a modified layer (modified region) is known (see, for example, Patent Document 1). Since the modified layer is more brittle than other regions, the modified layer is formed along the planned division line (street) and then a force is applied to the workpiece to be processed starting from this modified layer. You can divide things into multiple chips.

改質層が形成された被加工物に力を加える際には、例えば、伸張性のあるエキスパンドシート(エキスパンドテープ)を被加工物に貼って拡張する方法が採用される(例えば、特許文献2参照)。この方法では、通常、レーザビームを照射して被加工物に改質層を形成する前に、エキスパンドシートを被加工物に貼り、その後、改質層を形成してからエキスパンドシートを拡張して被加工物を複数のチップへと分割する。 When applying force to the work piece on which the modified layer is formed, for example, a method of attaching an stretchable expanding sheet (expanding tape) to the work piece to expand it is adopted (for example, Patent Document 2). reference). In this method, usually, before irradiating a laser beam to form a modified layer on a work piece, an expand sheet is attached to the work piece, and then a modified layer is formed and then the expanded sheet is expanded. The work piece is divided into a plurality of chips.

特開2002−192370号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-192370 特開2010−206136号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-206136

ところが、上述のようなエキスパンドシートを拡張する方法では、使用後のエキスパンドシートを再び使用することができないので、チップの製造に要する費用も高くなり易い。特に、粘着材がチップに残留し難い高性能なエキスパンドシートは、価格も高いので、そのようなエキスパンドシートを用いると、チップの製造に要する費用も高くなる。 However, in the method of expanding the expanded sheet as described above, since the expanded sheet after use cannot be used again, the cost required for manufacturing the chip tends to be high. In particular, a high-performance expanded sheet in which the adhesive material does not easily remain on the chip is expensive, and therefore, using such an expanded sheet also increases the cost required for manufacturing the chip.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、エキスパンドシートを用いることなく板状の被加工物を分割して複数のチップを製造できるチップの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a chip capable of dividing a plate-shaped workpiece and manufacturing a plurality of chips without using an expand sheet. It is to be.

本発明の一態様によれば、交差する複数の分割予定ラインによってチップとなる複数の領域に区画されたチップ領域と、該チップ領域を囲む外周余剰領域と、を有する板状の被加工物から複数の該チップを製造するチップの製造方法であって、被加工物を保持テーブルで直に保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後に、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該保持テーブルに保持された被加工物の内部に位置づけるように該分割予定ラインに沿って被加工物の該チップ領域にのみ該レーザビームを照射し、該チップ領域の該分割予定ラインに沿って改質層を形成するとともに、該外周余剰領域を改質層が形成されていない補強部とするレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施した後に、該保持テーブルから被加工物を搬出する搬出ステップと、該搬出ステップを実施した後に、被加工物に力を付与して被加工物を個々の該チップへと分割する分割ステップと、を備え、該分割ステップでは、複数の該分割予定ラインにより分けられる被加工物の複数の部分をそれぞれ複数の保持部で直に保持し、該複数の保持部に対して互いに離れる方向に相対的に移動させる力を付与して被加工物を複数の該分割予定ラインに沿って一度に分割する方法で、被加工物を個々の該チップへと分割するチップの製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, from a plate-shaped workpiece having a chip region divided into a plurality of regions to be chips by a plurality of intersecting scheduled division lines and an outer peripheral surplus region surrounding the chip region. A method for manufacturing a plurality of chips, in which a holding step of directly holding the workpiece directly on a holding table and a wavelength having a wavelength that is transparent to the workpiece after the holding step is performed. The laser beam is irradiated only to the chip region of the workpiece along the planned division line so that the focusing point of the laser beam is positioned inside the workpiece held on the holding table, and the chip region of the chip region is irradiated with the laser beam. From the holding table after performing the laser processing step in which the modified layer is formed along the planned division line and the outer peripheral surplus region is a reinforcing portion in which the modified layer is not formed, and the laser processing step is performed. The division step includes a carry-out step for carrying out the work piece and a division step for dividing the work piece into individual chips by applying a force to the work piece after performing the carry-out step. , a plurality of portions of the workpiece divided by the multiple of the division lines respectively directly held by a plurality of retaining portions, impart a force to relatively move away from each other with respect to the holding portion of the plurality of A method of manufacturing a chip for dividing a work piece into individual chips is provided by a method of dividing the work piece at once along a plurality of scheduled division lines.

本発明の一態様において、該レーザ加工ステップを実施した後、該分割ステップを実施する前に、該補強部を除去する補強部除去ステップを更に備えても良い。また、本発明の一態様において、該保持テーブルの上面は、柔軟な材料によって構成されており、該保持ステップでは、該柔軟な材料で被加工物の表面側を保持しても良い。 In one aspect of the present invention, a reinforcing portion removing step for removing the reinforcing portion may be further provided after performing the laser machining step and before performing the dividing step. Further, in one aspect of the present invention, the upper surface of the holding table is made of a flexible material, and in the holding step, the surface side of the work piece may be held by the flexible material.

本発明の一態様に係るチップの製造方法では、被加工物を保持テーブルで直に保持した状態で、被加工物のチップ領域にのみレーザビームを照射して分割予定ラインに沿う改質層を形成し、その後、分割予定ラインにより分けられる被加工物の複数の部分をそれぞれ複数の保持部で保持し、複数の保持部に対して互いに離れる方向に相対的に移動させる力を付与して被加工物を複数の分割予定ラインに沿って分割する方法で、被加工物を個々のチップへと分割するので、被加工物に力を加えて個々のチップへと分割するためにエキスパンドシートを用いる必要がない。このように、本発明の一態様に係るチップの製造方法によれば、エキスパンドシートを用いることなく板状の被加工物を分割して複数のチップを製造できる。 The chip manufacturing method according to an embodiment of the present invention, while directly held by the holding table a workpiece, a modified layer along the dividing lines by irradiating a laser beam only in the chip region of the workpiece formed, then, a plurality of portions of the workpiece divided by the dividing lines respectively held by a plurality of holding portions, the imparted force for relatively moving away from each other for a plurality of holding portions Since the work piece is divided into individual chips by a method of dividing the work piece along a plurality of planned division lines, an expand sheet is used to apply force to the work piece and divide it into individual chips. No need. As described above, according to the method for producing chips according to one aspect of the present invention, a plurality of chips can be produced by dividing a plate-shaped workpiece without using an expanding sheet.

また、本発明の一態様に係るチップの製造方法では、被加工物のチップ領域にのみレーザビームを照射して分割予定ラインに沿う改質層を形成するとともに、外周余剰領域を改質層が形成されていない補強部とするので、この補強部によってチップ領域は補強される。よって、搬送等の際に加わる力によって被加工物が個々のチップへと分割されてしまい、被加工物を適切に搬送できなくなることもない。 Further, in the chip manufacturing method according to one aspect of the present invention, the modified layer is formed by irradiating only the chip region of the workpiece with a laser beam along the planned division line, and the modified layer forms the outer peripheral surplus region. Since the reinforcing portion is not formed, the chip region is reinforced by this reinforcing portion. Therefore, the work piece is not divided into individual chips due to the force applied during transportation or the like, and the work piece cannot be properly conveyed.

被加工物の構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural example of the workpiece schematically. レーザ加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural example of the laser processing apparatus schematically. 図3(A)は、保持ステップについて説明するための断面図であり、図3(B)は、レーザ加工ステップについて説明するための断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view for explaining the holding step, and FIG. 3B is a cross-sectional view for explaining the laser machining step. 図4(A)は、レーザ加工ステップの後の被加工物の状態を模式的に示す平面図であり、図4(B)は、レーザ加工ステップの後の被加工物の状態を模式的に示す断面図である。FIG. 4A is a plan view schematically showing the state of the workpiece after the laser machining step, and FIG. 4B schematically shows the state of the workpiece after the laser machining step. It is sectional drawing which shows. 図5(A)及び図5(B)は、補強部除去ステップについて説明するための断面図である。5 (A) and 5 (B) are cross-sectional views for explaining the reinforcing portion removing step. 分割装置等の構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural example of the division apparatus and the like schematically. 図7(A)は、分割装置の一部を模式的に示す断面図であり、図7(B)は、図7(A)の一部を拡大して示す断面図である。FIG. 7A is a cross-sectional view schematically showing a part of the dividing device, and FIG. 7B is an enlarged cross-sectional view showing a part of FIG. 7A. 分割ステップで被加工物が吸着、保持される様子について説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating how the workpiece is adsorbed and held in a division step. 図9(A)は、分割ステップで被加工物が吸着、保持される様子について説明するための断面図であり、図9(B)は、分割ステップで被加工物が分割される様子について説明するための断面図である。FIG. 9 (A) is a cross-sectional view for explaining how the workpiece is adsorbed and held in the dividing step, and FIG. 9 (B) describes how the workpiece is divided in the dividing step. It is a cross-sectional view for this. 変形例に係る保持ステップについて説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the holding step which concerns on a modification. 図11(A)は、変形例に係る分割ステップについて説明するための断面図であり、図11(B)は、変形例に係る分割ステップでチップ領域を分割する前の被加工物の状態を模式的に示す平面図である。FIG. 11 (A) is a cross-sectional view for explaining the division step according to the modified example, and FIG. 11 (B) shows the state of the workpiece before dividing the chip region in the divided step according to the modified example. It is a top view schematically shown.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るチップの製造方法は、保持ステップ(図3(A)参照)、レーザ加工ステップ(図3(B)、図4(A)及び図4(B)参照)、搬出ステップ、補強部除去ステップ(図5(A)及び図5(B)参照)、及び分割ステップ(図6、図7(A)、図7(B)、図8、図9(A)及び図9(B)参照)を含む。 An embodiment according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The chip manufacturing method according to the present embodiment includes a holding step (see FIG. 3 (A)), a laser machining step (see FIGS. 3 (B), 4 (A) and 4 (B)), an unloading step, and reinforcement. Part removal step (see FIGS. 5 (A) and 5 (B)) and division step (FIG. 6, FIG. 7 (A), FIG. 7 (B), FIG. 8, FIG. 9 (A) and FIG. 9 (B). ) Includes).

保持ステップでは、分割予定ラインによって複数の領域に区画されたチップ領域と、チップ領域を囲む外周余剰領域と、を有する被加工物(ワーク)をチャックテーブル(保持テーブル)で直に保持する。レーザ加工ステップでは、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射し、分割予定ラインに沿う改質層(改質領域)をチップ領域に形成するとともに、外周余剰領域を改質層が形成されていない補強部とする。 In the holding step, the workpiece (work) having the chip region divided into a plurality of regions by the planned division line and the outer peripheral surplus region surrounding the chip region is directly held by the chuck table (holding table). In the laser machining step, the workpiece is irradiated with a laser beam having a wavelength having transparency to form a modified layer (modified region) along the planned division line in the chip region, and the outer peripheral surplus region is modified. Reinforcement part where no layer is formed.

搬出ステップでは、保持テーブルから被加工物を搬出する。補強部除去ステップでは、被加工物から補強部を除去する。分割ステップでは、分割予定ラインにより分けられる被加工物の複数の部分をそれぞれ複数の保持部で保持し、複数の保持部に対して互いに離れる方向に相対的に移動させる力を付与して被加工物を複数の分割予定ラインに沿って分割する方法で、この被加工物を複数のチップへと分割する。以下、本実施形態に係るチップの製造方法について詳述する。 In the carry-out step, the work piece is carried out from the holding table. In the reinforcing portion removing step, the reinforcing portion is removed from the workpiece. In the dividing step, a plurality of parts of the workpiece to be divided by the planned division line are held by a plurality of holding portions, and a force is applied to the plurality of holding portions to move them relatively away from each other to be processed. This work piece is divided into a plurality of chips by a method of dividing an object along a plurality of scheduled division lines. Hereinafter, the method for manufacturing the chip according to the present embodiment will be described in detail.

図1は、本実施形態で使用される被加工物(ワーク)11の構成例を模式的に示す斜視図である。図1に示すように、被加工物11は、例えば、シリコン(Si)、ヒ化ガリウム(GaAs)、リン化インジウム(InP)、窒化ガリウム(GaN)、シリコンカーバイド(SiC)等の半導体、サファイア(Al)、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の誘電体(絶縁体)、又は、タンタル酸リチウム(LiTa)、ニオブ酸リチウム(LiNb)等の強誘電体(強誘電体結晶)でなる円盤状のウェーハ(基板)である。 FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration example of a work piece (work) 11 used in the present embodiment. As shown in FIG. 1, the workpiece 11 is, for example, a semiconductor such as silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), or sapphire. Dielectrics (insulators) such as (Al 2 O 3 ), soda glass, borosilicate glass, and quartz glass, or ferroelectrics (ferroelectrics) such as lithium tantalate (LiTa 3 ) and lithium niobate (LiNb 3). It is a disk-shaped wafer (substrate) made of (body crystal).

被加工物11の表面11a側は、交差する複数の分割予定ライン(ストリート)13でチップとなる複数の領域15に区画されている。なお、以下では、チップとなる複数の領域15の全てを含む概ね円形の領域をチップ領域11cと呼び、チップ領域11cを囲む環状の領域を外周余剰領域11dと呼ぶ。 The surface 11a side of the workpiece 11 is divided into a plurality of regions 15 serving as chips by a plurality of intersecting planned division lines (streets) 13. In the following, a substantially circular region including all of the plurality of regions 15 serving as chips is referred to as a chip region 11c, and an annular region surrounding the chip region 11c is referred to as an outer peripheral surplus region 11d.

チップ領域11c内の各領域15には、必要に応じて、IC(Integrated Circuit)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、LED(Light Emitting Diode)、LD(Laser Diode)、フォトダイオード(Photodiode)、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタ、BAW(Bulk Acoustic Wave)フィルタ等のデバイスが形成されている。 In each region 15 in the chip region 11c, if necessary, IC (Integrated Circuit), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), LED (Light Emitting Diode), LD (Laser Diode), photodiode (Photodiode), SAW Devices such as (Surface Acoustic Wave) filters and BAW (Bulk Acoustic Wave) filters are formed.

この被加工物11を分割予定ライン13に沿って分割することで、複数のチップが得られる。具体的には、被加工物11がシリコンウェーハの場合には、例えば、メモリやセンサ等として機能するチップが得られる。被加工物11がヒ化ガリウム基板やリン化インジウム基板、窒化ガリウム基板の場合には、例えば、発光素子や受光素子等として機能するチップが得られる。 By dividing the workpiece 11 along the scheduled division line 13, a plurality of chips can be obtained. Specifically, when the workpiece 11 is a silicon wafer, for example, a chip that functions as a memory, a sensor, or the like can be obtained. When the workpiece 11 is a gallium arsenide substrate, an indium phosphide substrate, or a gallium nitride substrate, for example, a chip that functions as a light emitting element, a light receiving element, or the like can be obtained.

被加工物11がシリコンカーバイド基板の場合には、例えば、パワーデバイス等として機能するチップが得られる。被加工物11がサファイア基板の場合には、例えば、発光素子等として機能するチップが得られる。被加工物11がソーダガラスやホウケイ酸ガラス、石英ガラス等でなるガラス基板の場合には、例えば、光学部品やカバー部材(カバーガラス)として機能するチップが得られる。 When the workpiece 11 is a silicon carbide substrate, for example, a chip that functions as a power device or the like can be obtained. When the workpiece 11 is a sapphire substrate, for example, a chip that functions as a light emitting element or the like can be obtained. When the workpiece 11 is a glass substrate made of soda glass, borosilicate glass, quartz glass, or the like, for example, a chip that functions as an optical component or a cover member (cover glass) can be obtained.

被加工物11がタンタル酸リチウムや、ニオブ酸リチウム等の強誘電体でなる強誘電体基板(強誘電体結晶基板)の場合には、例えば、フィルタやアクチュエータ等として機能するチップが得られる。なお、被加工物11の材質、形状、構造、大きさ、厚み等に制限はない。同様に、チップとなる領域15に形成されるデバイスの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。チップとなる領域15には、デバイスが形成されていなくても良い。 When the workpiece 11 is a ferroelectric substrate (ferroelectric crystal substrate) made of a ferroelectric substance such as lithium tantalate or lithium niobate, for example, a chip that functions as a filter, an actuator, or the like can be obtained. There are no restrictions on the material, shape, structure, size, thickness, etc. of the workpiece 11. Similarly, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the device formed in the region 15 to be the chip. The device may not be formed in the region 15 to be the chip.

本実施形態に係るチップの製造方法では、被加工物11として円盤状のシリコンウェーハを用い、複数のチップを製造する。具体的には、まず、この被加工物11をチャックテーブルで直に保持する保持ステップを行う。図2は、本実施形態で使用されるレーザ加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 In the chip manufacturing method according to the present embodiment, a disk-shaped silicon wafer is used as the workpiece 11, and a plurality of chips are manufactured. Specifically, first, a holding step of directly holding the workpiece 11 on the chuck table is performed. FIG. 2 is a perspective view schematically showing a configuration example of the laser processing apparatus used in the present embodiment.

図2に示すように、レーザ加工装置2は、各構成要素が搭載される基台4を備えている。基台4の上面には、被加工物11を吸引、保持するためのチャックテーブル(保持テーブル)6をX軸方向(加工送り方向)及びY軸方向(割り出し送り方向)に移動させる水平移動機構8が設けられている。水平移動機構8は、基台4の上面に固定されX軸方向に概ね平行な一対のX軸ガイドレール10を備えている。 As shown in FIG. 2, the laser processing apparatus 2 includes a base 4 on which each component is mounted. On the upper surface of the base 4, a horizontal movement mechanism for moving a chuck table (holding table) 6 for sucking and holding the workpiece 11 in the X-axis direction (machining feed direction) and the Y-axis direction (indexing feed direction). 8 is provided. The horizontal movement mechanism 8 includes a pair of X-axis guide rails 10 fixed to the upper surface of the base 4 and substantially parallel to the X-axis direction.

X軸ガイドレール10には、X軸移動テーブル12がスライド可能に取り付けられている。X軸移動テーブル12の裏面側(下面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレール10に概ね平行なX軸ボールネジ14が螺合されている。 An X-axis moving table 12 is slidably attached to the X-axis guide rail 10. A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (lower surface side) of the X-axis moving table 12, and an X-axis ball screw 14 substantially parallel to the X-axis guide rail 10 is screwed into the nut portion. ing.

X軸ボールネジ14の一端部には、X軸パルスモータ16が連結されている。X軸パルスモータ16でX軸ボールネジ14を回転させることにより、X軸移動テーブル12はX軸ガイドレール10に沿ってX軸方向に移動する。X軸ガイドレール10に隣接する位置には、X軸方向においてX軸移動テーブル12の位置を検出するためのX軸スケール18が設置されている。 An X-axis pulse motor 16 is connected to one end of the X-axis ball screw 14. By rotating the X-axis ball screw 14 with the X-axis pulse motor 16, the X-axis moving table 12 moves in the X-axis direction along the X-axis guide rail 10. At a position adjacent to the X-axis guide rail 10, an X-axis scale 18 for detecting the position of the X-axis moving table 12 in the X-axis direction is installed.

X軸移動テーブル12の表面(上面)には、Y軸方向に概ね平行な一対のY軸ガイドレール20が固定されている。Y軸ガイドレール20には、Y軸移動テーブル22がスライド可能に取り付けられている。Y軸移動テーブル22の裏面側(下面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Y軸ガイドレール20に概ね平行なY軸ボールネジ24が螺合されている。 A pair of Y-axis guide rails 20 substantially parallel to the Y-axis direction are fixed to the surface (upper surface) of the X-axis moving table 12. A Y-axis moving table 22 is slidably attached to the Y-axis guide rail 20. A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (lower surface side) of the Y-axis moving table 22, and a Y-axis ball screw 24 substantially parallel to the Y-axis guide rail 20 is screwed into the nut portion. ing.

Y軸ボールネジ24の一端部には、Y軸パルスモータ26が連結されている。Y軸パルスモータ26でY軸ボールネジ24を回転させることにより、Y軸移動テーブル22はY軸ガイドレール20に沿ってY軸方向に移動する。Y軸ガイドレール20に隣接する位置には、Y軸方向においてY軸移動テーブル22の位置を検出するためのY軸スケール28が設置されている。 A Y-axis pulse motor 26 is connected to one end of the Y-axis ball screw 24. By rotating the Y-axis ball screw 24 with the Y-axis pulse motor 26, the Y-axis moving table 22 moves in the Y-axis direction along the Y-axis guide rail 20. At a position adjacent to the Y-axis guide rail 20, a Y-axis scale 28 for detecting the position of the Y-axis moving table 22 in the Y-axis direction is installed.

Y軸移動テーブル22の表面側(上面側)には、支持台30が設けられており、この支持台30の上部には、チャックテーブル6が配置されている。チャックテーブル6の表面(上面)は、上述した被加工物11の裏面11b側(又は表面11a側)を吸引、保持する保持面6aになっている。保持面6aは、例えば、酸化アルミニウム等の硬度が高い多孔質材で構成されている。ただし、保持面6aは、ポリエチレンやエポキシ等の樹脂に代表される柔軟な材料で構成されていても良い。 A support base 30 is provided on the front surface side (upper surface side) of the Y-axis moving table 22, and a chuck table 6 is arranged on the upper portion of the support base 30. The front surface (upper surface) of the chuck table 6 is a holding surface 6a that sucks and holds the back surface 11b side (or the front surface 11a side) of the work piece 11 described above. The holding surface 6a is made of a porous material having high hardness such as aluminum oxide. However, the holding surface 6a may be made of a flexible material typified by a resin such as polyethylene or epoxy.

この保持面6aは、チャックテーブル6の内部に形成された吸引路6b(図3(A)等参照)やバルブ32(図3(A)等参照)等を介して吸引源34(図3(A)等参照)に接続されている。チャックテーブル6の下方には、回転駆動源(不図示)が設けられており、チャックテーブル6は、この回転駆動源によってZ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。 The holding surface 6a is provided with a suction source 34 (FIG. 3 (A), etc.) via a suction path 6b (see FIG. 3 (A), etc.) and a valve 32 (see FIG. 3 (A), etc.) formed inside the chuck table 6. It is connected to A) etc.). A rotation drive source (not shown) is provided below the chuck table 6, and the rotation drive source rotates the chuck table 6 around a rotation axis substantially parallel to the Z-axis direction.

水平移動機構8の後方には、柱状の支持構造36が設けられている。支持構造36の上部には、Y軸方向に伸びる支持アーム38が固定されており、この支持アーム38の先端部には、被加工物11に対して透過性を有する波長(吸収され難い波長)のレーザビーム17(図3(B)参照)をパルス発振して、チャックテーブル6上の被加工物11に照射するレーザ照射ユニット40が設けられている。 A columnar support structure 36 is provided behind the horizontal movement mechanism 8. A support arm 38 extending in the Y-axis direction is fixed to the upper part of the support structure 36, and a wavelength (wavelength that is difficult to be absorbed) that is transparent to the workpiece 11 is attached to the tip of the support arm 38. A laser irradiation unit 40 is provided that pulsates the laser beam 17 (see FIG. 3B) of the above and irradiates the workpiece 11 on the chuck table 6.

レーザ照射ユニット40に隣接する位置には、被加工物11の表面11a側又は裏面11b側を撮像するカメラ42が設けられている。カメラ42で被加工物11等を撮像して形成された画像は、例えば、被加工物11とレーザ照射ユニット40との位置等を調整する際に使用される。 At a position adjacent to the laser irradiation unit 40, a camera 42 that captures an image of the front surface 11a side or the back surface 11b side of the workpiece 11 is provided. The image formed by imaging the work piece 11 or the like with the camera 42 is used, for example, when adjusting the positions of the work piece 11 and the laser irradiation unit 40.

チャックテーブル6、水平移動機構8、レーザ照射ユニット40、カメラ42等の構成要素は、制御ユニット(不図示)に接続されている。制御ユニットは、被加工物11が適切に加工されるように各構成要素を制御する。 Components such as the chuck table 6, the horizontal movement mechanism 8, the laser irradiation unit 40, and the camera 42 are connected to a control unit (not shown). The control unit controls each component so that the workpiece 11 is appropriately machined.

図3(A)は、保持ステップについて説明するための断面図である。なお、図3(A)では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。保持ステップでは、図3(A)に示すように、例えば、被加工物11の裏面11bをチャックテーブル6の保持面6aに接触させる。そして、バルブ32を開いて吸引源34の負圧を保持面6aに作用させる。 FIG. 3A is a cross-sectional view for explaining the holding step. In addition, in FIG. 3A, some components are shown by functional blocks. In the holding step, as shown in FIG. 3A, for example, the back surface 11b of the workpiece 11 is brought into contact with the holding surface 6a of the chuck table 6. Then, the valve 32 is opened to apply the negative pressure of the suction source 34 to the holding surface 6a.

これにより、被加工物11は、表面11a側が上方に露出した状態で保持テーブル6に吸引、保持される。なお、本実施形態では、図3(A)に示すように、被加工物11の裏面11b側をチャックテーブル6で直に保持する。つまり、本実施形態では、被加工物11に対してエキスパンドシートを貼る必要がない。 As a result, the workpiece 11 is sucked and held by the holding table 6 with the surface 11a side exposed upward. In this embodiment, as shown in FIG. 3A, the back surface 11b side of the workpiece 11 is directly held by the chuck table 6. That is, in the present embodiment, it is not necessary to attach the expanding sheet to the workpiece 11.

保持ステップの後には、被加工物11に対して透過性を有する波長のレーザビーム17を照射し、分割予定ライン13に沿う改質層を形成するレーザ加工ステップを行う。図3(B)は、レーザ加工ステップについて説明するための断面図であり、図4(A)は、レーザ加工ステップの後の被加工物11の状態を模式的に示す平面図であり、図4(B)は、レーザ加工ステップの後の被加工物11の状態を模式的に示す断面図である。なお、図3(B)では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。 After the holding step, a laser processing step is performed in which the workpiece 11 is irradiated with a laser beam 17 having a wavelength having transparency to form a modified layer along the scheduled division line 13. FIG. 3B is a cross-sectional view for explaining the laser machining step, and FIG. 4A is a plan view schematically showing the state of the workpiece 11 after the laser machining step. 4 (B) is a cross-sectional view schematically showing the state of the workpiece 11 after the laser machining step. In FIG. 3B, some components are shown by functional blocks.

レーザ加工ステップでは、まず、チャックテーブル6を回転させて、例えば、対象となる分割予定ライン13の延びる方向をX軸方向に対して平行にする。次に、チャックテーブル6を移動させて、対象となる分割予定ライン13の延長線上にレーザ照射ユニット40の位置を合わせる。そして、図3(B)に示すように、X軸方向(すなわち、対象の分割予定ライン13の延びる方向)にチャックテーブル6を移動させる。 In the laser machining step, first, the chuck table 6 is rotated so that, for example, the extending direction of the target division scheduled line 13 is parallel to the X-axis direction. Next, the chuck table 6 is moved to align the laser irradiation unit 40 on the extension line of the target division scheduled line 13. Then, as shown in FIG. 3B, the chuck table 6 is moved in the X-axis direction (that is, the direction in which the target division scheduled line 13 extends).

その後、対象となる分割予定ライン13上の2箇所に存在するチップ領域11cと外周余剰領域11dとの境界の一方の直上にレーザ照射ユニット40が到達したタイミングで、このレーザ照射ユニット40からレーザビーム17の照射を開始する。本実施形態では、図3(B)に示すように、被加工物11の上方に配置されたレーザ照射ユニット40から、被加工物11の表面11aに向けてレーザビーム17が照射される。 After that, when the laser irradiation unit 40 reaches just above one of the boundaries between the chip region 11c and the outer peripheral surplus region 11d existing at two locations on the target division scheduled line 13, the laser beam from the laser irradiation unit 40 Irradiation of 17 is started. In the present embodiment, as shown in FIG. 3B, the laser irradiation unit 40 arranged above the workpiece 11 irradiates the laser beam 17 toward the surface 11a of the workpiece 11.

このレーザビーム17の照射は、レーザ照射ユニット40が、対象となる分割予定ライン13上の2箇所に存在するチップ領域11cと外周余剰領域11dとの境界の他方の直上に到達するまで続けられる。つまり、ここでは、対象の分割予定ライン13に沿ってチップ領域11c内にのみレーザビーム17を照射する。 The irradiation of the laser beam 17 is continued until the laser irradiation unit 40 reaches directly above the other boundary between the chip region 11c and the outer peripheral surplus region 11d existing at two locations on the target division scheduled line 13. That is, here, the laser beam 17 is irradiated only in the chip region 11c along the target division scheduled line 13.

また、このレーザビーム17は、被加工物11の内部の表面11a(又は裏面11b)から所定の深さの位置に集光点を位置付けるように照射される。このように、被加工物11に対して透過性を有する波長のレーザビーム17を、被加工物11の内部に集光させることで、集光点及びその近傍で被加工物11の一部を多光子吸収により改質し、分割の起点となる改質層(改質領域)19を形成できる。本実施形態では、対象の分割予定ライン13に沿ってチップ領域11c内にのみレーザビーム17を照射するので、対象の分割予定ライン13に沿ってチップ領域11c内にのみ改質層19が形成される。 Further, the laser beam 17 is irradiated so as to position a focusing point at a position at a predetermined depth from the front surface 11a (or the back surface 11b) inside the workpiece 11. In this way, by condensing the laser beam 17 having a wavelength that is transparent to the workpiece 11 inside the workpiece 11, a part of the workpiece 11 is focused at the condensing point and its vicinity. It can be modified by multiphoton absorption to form a modified layer (modified region) 19 which is a starting point of division. In the present embodiment, since the laser beam 17 is irradiated only in the chip region 11c along the target division scheduled line 13, the modified layer 19 is formed only in the chip region 11c along the target division schedule line 13. NS.

対象の分割予定ライン13に沿って所定の深さの位置に改質層19を形成した後には、同様の手順で、対象の分割予定ライン13に沿って別の深さの位置に改質層19を形成する。具体的には、例えば、図4(B)に示すように、被加工物11の表面11a(又は裏面11b)からの深さが異なる3つの位置に改質層19(第1改質層19a、第2改質層19b、第3改質層19c)を形成する。 After forming the modified layer 19 at a predetermined depth along the target split line 13, the modified layer 19 is formed at a different depth along the target split line 13 in the same procedure. 19 is formed. Specifically, for example, as shown in FIG. 4B, the modified layer 19 (first modified layer 19a) is located at three positions where the depths of the workpiece 11 from the front surface 11a (or the back surface 11b) are different. , Second modified layer 19b, third modified layer 19c).

ただし、1つの分割予定ライン13に沿って形成される改質層19の数や位置に特段の制限はない。例えば、1つの分割予定ライン13に沿って形成される改質層19の数を1つにしても良い。また、改質層19は、表面11a(又は裏面11b)にクラックが到達する条件で形成されることが望ましい。もちろん、表面11a及び裏面11bの両方にクラックが到達する条件で改質層19を形成しても良い。これにより、被加工物11をより適切に分割できるようになる。 However, there is no particular limitation on the number and positions of the modified layers 19 formed along one scheduled division line 13. For example, the number of modified layers 19 formed along one scheduled division line 13 may be one. Further, it is desirable that the modified layer 19 is formed under the condition that the crack reaches the front surface 11a (or the back surface 11b). Of course, the modified layer 19 may be formed under the condition that cracks reach both the front surface 11a and the back surface 11b. This makes it possible to divide the workpiece 11 more appropriately.

被加工物11がシリコンウェーハの場合には、例えば、次のような条件で改質層19が形成される。
被加工物:シリコンウェーハ
レーザビームの波長:1340nm
レーザビームの繰り返し周波数:90kHz
レーザビームの出力:0.1W〜2W
チャックテーブルの移動速度(加工送り速度):180mm/s〜1000mm/s、代表的には、500mm/s
When the workpiece 11 is a silicon wafer, for example, the modified layer 19 is formed under the following conditions.
Work piece: Silicon wafer Laser beam wavelength: 1340 nm
Laser beam repetition frequency: 90 kHz
Laser beam output: 0.1W to 2W
Chuck table moving speed (machining feed rate): 180 mm / s to 1000 mm / s, typically 500 mm / s

被加工物11がヒ化ガリウム基板やリン化インジウム基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層19が形成される。
被加工物:ヒ化ガリウム基板、リン化インジウム基板
レーザビームの波長:1064nm
レーザビームの繰り返し周波数:20kHz
レーザビームの出力:0.1W〜2W
チャックテーブルの移動速度(加工送り速度):100mm/s〜400mm/s、代表的には、200mm/s
When the workpiece 11 is a gallium arsenide substrate or an indium phosphide substrate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: Gallium arsenide substrate, Indium phosphide substrate Laser beam wavelength: 1064 nm
Laser beam repetition frequency: 20 kHz
Laser beam output: 0.1W to 2W
Chuck table moving speed (machining feed rate): 100 mm / s to 400 mm / s, typically 200 mm / s

被加工物11がサファイア基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層19が形成される。
被加工物:サファイア基板
レーザビームの波長:1045nm
レーザビームの繰り返し周波数:100kHz
レーザビームの出力:0.1W〜2W
チャックテーブルの移動速度(加工送り速度):400mm/s〜800mm/s、代表的には、500mm/s
When the workpiece 11 is a sapphire substrate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Work piece: Sapphire substrate Laser beam wavelength: 1045 nm
Laser beam repetition frequency: 100 kHz
Laser beam output: 0.1W to 2W
Chuck table moving speed (machining feed rate): 400 mm / s to 800 mm / s, typically 500 mm / s

被加工物11がタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の強誘電体でなる強誘電体基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層19が形成される。
被加工物:タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板
レーザビームの波長:532nm
レーザビームの繰り返し周波数:15kHz
レーザビームの出力:0.02W〜0.2W
チャックテーブルの移動速度(加工送り速度):270mm/s〜420mm/s、代表的には、300mm/s
When the workpiece 11 is a ferroelectric substrate made of a ferroelectric substance such as lithium tantalate or lithium niobate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: Lithium tantalate substrate, Lithium niobate substrate Laser beam wavelength: 532 nm
Laser beam repetition frequency: 15 kHz
Laser beam output: 0.02W to 0.2W
Chuck table moving speed (machining feed rate): 270 mm / s to 420 mm / s, typically 300 mm / s

被加工物11がソーダガラスやホウケイ酸ガラス、石英ガラス等でなるガラス基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層19が形成される。
被加工物:ソーダガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板、石英ガラス基板
レーザビームの波長:532nm
レーザビームの繰り返し周波数:50kHz
レーザビームの出力:0.1W〜2W
チャックテーブルの移動速度(加工送り速度):300mm/s〜600mm/s、代表的には、400mm/s
When the workpiece 11 is a glass substrate made of soda glass, borosilicate glass, quartz glass, or the like, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Workpiece: Soda glass substrate, borosilicate glass substrate, quartz glass substrate Laser beam wavelength: 532 nm
Laser beam repetition frequency: 50 kHz
Laser beam output: 0.1W to 2W
Chuck table moving speed (machining feed rate): 300 mm / s to 600 mm / s, typically 400 mm / s

被加工物11が窒化ガリウム基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層19が形成される。
被加工物:窒化ガリウム基板
レーザビームの波長:532nm
レーザビームの繰り返し周波数:25kHz
レーザビームの出力:0.02W〜0.2W
チャックテーブルの移動速度(加工送り速度):90mm/s〜600mm/s、代表的には、150mm/s
When the workpiece 11 is a gallium nitride substrate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Work piece: Gallium nitride substrate Laser beam wavelength: 532 nm
Laser beam repetition frequency: 25 kHz
Laser beam output: 0.02W to 0.2W
Chuck table moving speed (machining feed rate): 90 mm / s to 600 mm / s, typically 150 mm / s

被加工物11がシリコンカーバイド基板の場合には、例えば、次のような条件で改質層19が形成される。
被加工物:シリコンカーバイド基板
レーザビームの波長:532nm
レーザビームの繰り返し周波数:25kHz
レーザビームの出力:0.02W〜0.2W、代表的には、0.1W
チャックテーブルの移動速度(加工送り速度):90mm/s〜600mm/s、代表的には、シリコンカーバイド基板の劈開方向で90mm/s、非劈開方向で400mm/s
When the workpiece 11 is a silicon carbide substrate, the modified layer 19 is formed under the following conditions, for example.
Work piece: Silicon carbide substrate Laser beam wavelength: 532 nm
Laser beam repetition frequency: 25 kHz
Laser beam output: 0.02W to 0.2W, typically 0.1W
Chuck table moving speed (machining feed rate): 90 mm / s to 600 mm / s, typically 90 mm / s in the cleavage direction of the silicon carbide substrate, 400 mm / s in the non-cleavage direction.

対象の分割予定ライン13に沿って必要な数の改質層19を形成した後には、上述の動作を繰り返し、他の全ての分割予定ライン13に沿って改質層19を形成する。図4(A)に示すように、全ての分割予定ライン13に沿って改質層19が形成されると、レーザ加工ステップは終了する。 After forming the required number of modified layers 19 along the target planned division line 13, the above operation is repeated to form the modified layer 19 along all the other planned division lines 13. As shown in FIG. 4A, the laser machining step ends when the modified layer 19 is formed along all the scheduled division lines 13.

本実施形態では、分割予定ライン13に沿ってチップ領域11c内にのみ改質層19を形成し、外周余剰領域11dには改質層19を形成しないので、この外周余剰領域11dによって被加工物11の強度が保たれる。これにより、搬送等の際に加わる力によって被加工物11が個々のチップへと分割されてしまうことはない。このように、レーザ加工ステップの後の外周余剰領域11dは、改質層19が形成されたチップ領域11cを補強するための補強部として機能する。 In the present embodiment, the modified layer 19 is formed only in the chip region 11c along the planned division line 13, and the modified layer 19 is not formed in the outer peripheral surplus region 11d. The strength of 11 is maintained. As a result, the workpiece 11 is not divided into individual chips due to the force applied during transportation or the like. As described above, the outer peripheral surplus region 11d after the laser machining step functions as a reinforcing portion for reinforcing the chip region 11c on which the modified layer 19 is formed.

また、本実施形態では、外周余剰領域11dに改質層19を形成しないので、例えば、改質層19から伸長するクラックが表面11a及び裏面11bの両方に到達し、被加工物11が完全に分割された状況でも、各チップが脱落、離散することはない。一般に、被加工物11に改質層19が形成されると、この改質層19の近傍で被加工物11は膨張する。本実施形態では、改質層19の形成によって発生する膨張の力を、補強部として機能するリング状の外周余剰領域11dで内向きに作用させることで、各チップを押さえつけ、脱落、離散を防止している。 Further, in the present embodiment, since the modified layer 19 is not formed in the outer peripheral surplus region 11d, for example, cracks extending from the modified layer 19 reach both the front surface 11a and the back surface 11b, and the workpiece 11 is completely formed. Even in the divided situation, each chip does not fall off or disperse. Generally, when the modified layer 19 is formed on the workpiece 11, the workpiece 11 expands in the vicinity of the modified layer 19. In the present embodiment, the expansion force generated by the formation of the modified layer 19 is applied inward in the ring-shaped outer peripheral surplus region 11d that functions as a reinforcing portion to hold down each chip and prevent it from falling off or scattering. doing.

レーザ加工ステップの後には、チャックテーブル6から被加工物11を搬出する搬出ステップを行う。具体的には、例えば、被加工物11の表面11a(又は、裏面11b)の全体を吸着、保持できる搬送ユニット(不図示)で被加工物11の表面11aの全体を吸着してから、バルブ32を閉じて吸引源34の負圧を遮断し、被加工物11を搬出する。なお、本実施形態では、上述のように、外周余剰領域11dが補強部として機能するので、搬送等の際に加わる力によって被加工物11が個々のチップへと分割されてしまい、被加工物11を適切に搬送できなくなることはない。 After the laser machining step, a unloading step of unloading the workpiece 11 from the chuck table 6 is performed. Specifically, for example, a transfer unit (not shown) capable of sucking and holding the entire front surface 11a (or back surface 11b) of the workpiece 11 sucks the entire surface 11a of the workpiece 11 and then valves. 32 is closed to shut off the negative pressure of the suction source 34, and the workpiece 11 is carried out. In the present embodiment, as described above, since the outer peripheral surplus region 11d functions as a reinforcing portion, the workpiece 11 is divided into individual chips by the force applied during transportation or the like, and the workpiece 11 is divided into individual chips. It does not prevent the 11 from being properly transported.

搬出ステップの後には、被加工物11から補強部を除去する補強部除去ステップを行う。図5(A)及び図5(B)は、補強部除去ステップについて説明するための断面図である。なお、図5(A)及び図5(B)では、一部の構成要素を機能ブロックで示している。補強部除去ステップは、例えば、図5(A)及び図5(B)に示す切削装置52を用いて行われる。 After the carry-out step, a reinforcing portion removing step of removing the reinforcing portion from the workpiece 11 is performed. 5 (A) and 5 (B) are cross-sectional views for explaining the reinforcing portion removing step. In addition, in FIG. 5A and FIG. 5B, some components are shown by functional blocks. The reinforcing portion removing step is performed using, for example, the cutting device 52 shown in FIGS. 5 (A) and 5 (B).

切削装置52は、被加工物11を吸引、保持するためのチャックテーブル54を備えている。このチャックテーブル54の上面の一部は、被加工物11のチップ領域11cを吸引、保持する保持面54aになっている。保持面54aは、チャックテーブル54の内部に形成された吸引路54bやバルブ56等を介して吸引源58に接続されている。 The cutting device 52 includes a chuck table 54 for sucking and holding the workpiece 11. A part of the upper surface of the chuck table 54 is a holding surface 54a that sucks and holds the chip region 11c of the workpiece 11. The holding surface 54a is connected to the suction source 58 via a suction path 54b formed inside the chuck table 54, a valve 56, and the like.

チャックテーブル54の上面の別の一部には、被加工物11の外周余剰領域11d(すなわち、補強部)を吸引、保持するための吸引路54cの一端が開口している。吸引路54cの他端側は、バルブ60等を介して吸引源58に接続されている。このチャックテーブル54は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。 One end of a suction path 54c for sucking and holding the outer peripheral excess region 11d (that is, the reinforcing portion) of the workpiece 11 is opened in another part of the upper surface of the chuck table 54. The other end of the suction path 54c is connected to the suction source 58 via a valve 60 or the like. The chuck table 54 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction.

チャックテーブル54の上方には、切削ユニット62が配置されている。切削ユニット62は、保持面54aに対して概ね平行な回転軸となるスピンドル64を備えている。スピンドル64の一端側には、結合材に砥粒が分散されてなる環状の切削ブレード66が装着されている。 A cutting unit 62 is arranged above the chuck table 54. The cutting unit 62 includes a spindle 64 that is a rotation axis substantially parallel to the holding surface 54a. An annular cutting blade 66 in which abrasive grains are dispersed in a binder is mounted on one end side of the spindle 64.

スピンドル64の他端側には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、スピンドル64の一端側に装着された切削ブレード66は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。切削ユニット62は、例えば、昇降機構(不図示)に支持されており、切削ブレード66は、この昇降機構によって鉛直方向に移動する。 A rotary drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 64, and the cutting blade 66 mounted on one end side of the spindle 64 rotates by the force transmitted from the rotary drive source. The cutting unit 62 is supported by, for example, an elevating mechanism (not shown), and the cutting blade 66 moves in the vertical direction by the elevating mechanism.

なお、チャックテーブル54の上面には、被加工物11のチップ領域11cと外周余剰領域11dとの境界に対応する位置に、切削ブレード66との接触を防ぐための切削ブレード用逃げ溝(不図示)が形成されている。 A relief groove for a cutting blade (not shown) is provided on the upper surface of the chuck table 54 at a position corresponding to the boundary between the chip region 11c of the workpiece 11 and the outer peripheral surplus region 11d to prevent contact with the cutting blade 66. ) Is formed.

補強部除去ステップでは、まず、被加工物11の裏面11bをチャックテーブル54の保持面54aに接触させる。そして、バルブ56,60を開き、吸引源58の負圧を保持面54a等に作用させる。これにより、被加工物11は、表面11a側が上方に露出した状態でチャックテーブル54に吸引、保持される。なお、本実施形態では、図5(A)に示すように、被加工物11の裏面11b側をチャックテーブル54で直に保持する。つまり、ここでも、被加工物11に対してエキスパンドシートを貼る必要がない。 In the reinforcing portion removing step, first, the back surface 11b of the workpiece 11 is brought into contact with the holding surface 54a of the chuck table 54. Then, the valves 56 and 60 are opened, and the negative pressure of the suction source 58 is applied to the holding surface 54a and the like. As a result, the workpiece 11 is sucked and held by the chuck table 54 with the surface 11a side exposed upward. In this embodiment, as shown in FIG. 5A, the back surface 11b side of the workpiece 11 is directly held by the chuck table 54. That is, again, it is not necessary to attach the expand sheet to the workpiece 11.

次に、切削ブレード66を回転させて、被加工物11のチップ領域11cと外周余剰領域11dとの境界に切り込ませる。併せて、図5(A)に示すように、チャックテーブル54を、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転させる。これにより、チップ領域11cと外周余剰領域11dとの境界に沿って被加工物11を切断できる。 Next, the cutting blade 66 is rotated to cut into the boundary between the chip region 11c of the workpiece 11 and the outer peripheral surplus region 11d. At the same time, as shown in FIG. 5A, the chuck table 54 is rotated around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction. As a result, the workpiece 11 can be cut along the boundary between the chip region 11c and the outer peripheral surplus region 11d.

その後、バルブ60を閉じて、被加工物11の外周余剰領域11dに対する吸引源58の負圧を遮断する。そして、図5(B)に示すように、チャックテーブル54から外周余剰領域11dを除去する。これにより、チャックテーブル54上には、被加工物11のチップ領域11cのみが残る。 After that, the valve 60 is closed to shut off the negative pressure of the suction source 58 with respect to the outer peripheral excess region 11d of the workpiece 11. Then, as shown in FIG. 5B, the outer peripheral surplus region 11d is removed from the chuck table 54. As a result, only the chip region 11c of the workpiece 11 remains on the chuck table 54.

補強部除去ステップの後には、被加工物11を個々のチップへと分割する分割ステップを行う。具体的には、分割予定ライン13により分けられる被加工物11の複数の部分をそれぞれ複数の保持部で保持し、複数の保持部に対して互いに離れる方向に相対的に移動させる力を付与して被加工物11を複数の分割予定ライン13に沿って分割する方法で、この被加工物11を分割する。 After the reinforcing portion removing step, a division step of dividing the workpiece 11 into individual chips is performed. Specifically, a plurality of portions of the workpiece 11 to be divided by the scheduled division line 13 are held by a plurality of holding portions, and a force is applied to the plurality of holding portions so as to move relative to each other in a direction away from each other. The work piece 11 is divided by a method of dividing the work piece 11 along a plurality of scheduled division lines 13.

図6は、本実施形態の分割ステップで使用される分割装置等の構成例を模式的に示す斜視図であり、図7(A)は、分割装置の一部を模式的に示す断面図であり、図7(B)は、図7(A)の一部を拡大して示す断面図である。図6、図7(A)及び図7(B)に示すように、分割装置72は、概ね等間隔に配置された複数の静電吸着部材(保持部)74を含む。各静電吸着部材74は、所定の方向に長い直方体状(平板状又は棒状)に形成されており、その上面(吸着面)74a側で被加工物11の下面側(例えば、裏面11b側)を吸着、保持する。 FIG. 6 is a perspective view schematically showing a configuration example of a dividing device or the like used in the dividing step of the present embodiment, and FIG. 7A is a cross-sectional view schematically showing a part of the dividing device. Yes, FIG. 7 (B) is an enlarged cross-sectional view showing a part of FIG. 7 (A). As shown in FIGS. 6, 7 (A) and 7 (B), the dividing device 72 includes a plurality of electrostatic adsorption members (holding portions) 74 arranged at substantially equal intervals. Each electrostatic adsorption member 74 is formed in a rectangular parallelepiped shape (flat plate shape or rod shape) long in a predetermined direction, and the upper surface (adsorption surface) 74a side thereof is the lower surface side (for example, the back surface 11b side) of the workpiece 11. Adsorbs and holds.

静電吸着部材74の上面74aの長さ(上述した所定の方向に沿った長さ)は、例えば、分割の対象となる被加工物11(本実施形態では、チップ領域11c)の直径よりも長い。一方で、静電吸着部材74の上面74aの幅(上述した所定の方向に対して垂直な方向の長さ)は、被加工物11において隣接する2本の分割予定ライン13の間隔よりも狭い。よって、被加工物11の隣接する2本の分割予定ライン13の間の部分(分割後の小片に相当する部分)を、この静電吸着部材74で吸着、保持できる。 The length of the upper surface 74a of the electrostatic adsorption member 74 (the length along the predetermined direction described above) is, for example, larger than the diameter of the workpiece 11 to be divided (in the present embodiment, the chip region 11c). long. On the other hand, the width of the upper surface 74a of the electrostatic adsorption member 74 (the length in the direction perpendicular to the predetermined direction described above) is narrower than the distance between the two adjacent lines to be divided in the workpiece 11. .. Therefore, the portion between the two adjacent division scheduled lines 13 of the workpiece 11 (the portion corresponding to the small piece after division) can be attracted and held by the electrostatic adsorption member 74.

各静電吸着部材74の下面74bには、上述した所定の方向(すなわち、各静電吸着部材74の長手方向)に対して垂直な方向に延びる帯状の2本(2枚)の弾性シート(付与機構)76a,76bが接着剤78(図7(B))によって固定されている。具体的には、各静電吸着部材74の長手方向の一端側に、一方の弾性シート76aが固定されている。 On the lower surface 74b of each electrostatic adsorption member 74, two strip-shaped elastic sheets (two sheets) extending in a direction perpendicular to the predetermined direction (that is, the longitudinal direction of each electrostatic adsorption member 74) described above (that is, the longitudinal direction of each electrostatic adsorption member 74). The applying mechanism) 76a and 76b are fixed by the adhesive 78 (FIG. 7 (B)). Specifically, one elastic sheet 76a is fixed to one end side in the longitudinal direction of each electrostatic adsorption member 74.

また、各静電吸着部材74の長手方向の他端側に、他方の弾性シート76bが固定されている。各弾性シート76a,76bは、例えば、ゴム等の高弾性材料でなり、所定の伸縮性を有している。2本の弾性シート76a,76bによって、各静電吸着部材74は、その長手方向に対して垂直な方向に配列された状態で連結される。 Further, the other elastic sheet 76b is fixed to the other end side of each electrostatic adsorption member 74 in the longitudinal direction. Each elastic sheet 76a, 76b is made of a highly elastic material such as rubber and has a predetermined elasticity. The two elastic sheets 76a and 76b connect the electrostatic adsorption members 74 in a state of being arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction thereof.

ただし、弾性シート76a,76bの材質、構造、数量、配置等に特段の制限はない。例えば、伸縮性又は非伸縮性の繊維で構成される織物や編物等を弾性シート76a,76bとして用いても良い。また、本実施形態では、2本の弾性シート76a,76bによって複数の静電吸着部材74を連結しているが、1本(1枚)、又は3本(3枚)以上の弾性シートを用いて複数の静電吸着部材74を連結することもできる。 However, there are no particular restrictions on the material, structure, quantity, arrangement, etc. of the elastic sheets 76a and 76b. For example, woven fabrics, knitted fabrics, and the like made of elastic or non-stretchable fibers may be used as the elastic sheets 76a and 76b. Further, in the present embodiment, a plurality of electrostatic adsorption members 74 are connected by two elastic sheets 76a and 76b, but one (one) or three (three) or more elastic sheets are used. It is also possible to connect a plurality of electrostatic adsorption members 74.

各弾性シート76a,76bの一端側は、静電吸着部材74の長手方向に概ね平行な回転軸を持つ円筒状(円柱状)のローラー(付与機構)80aに固定されている。このローラー80aは、モータ等の回転駆動源(付与機構)82aに連結されており、回転駆動源82aで発生する力によって回転軸の周りに回転する。 One end side of each of the elastic sheets 76a and 76b is fixed to a cylindrical (cylindrical) roller (giving mechanism) 80a having a rotation axis substantially parallel to the longitudinal direction of the electrostatic suction member 74. The roller 80a is connected to a rotation drive source (giving mechanism) 82a such as a motor, and rotates around a rotation shaft by a force generated by the rotation drive source 82a.

同様に、各弾性シート76a,76bの他端側は、各静電吸着部材74の長手方向に概ね平行な回転軸を持つ円筒状(円柱状)のローラー(付与機構)80bに固定されている。このローラー80bは、モータ等の回転駆動源(付与機構)82bに連結されており、回転駆動源82bで発生する力によって回転軸の周りに回転する。 Similarly, the other end side of each of the elastic sheets 76a and 76b is fixed to a cylindrical (cylindrical) roller (giving mechanism) 80b having a rotation axis substantially parallel to the longitudinal direction of each electrostatic adsorption member 74. .. The roller 80b is connected to a rotation drive source (giving mechanism) 82b such as a motor, and rotates around a rotation shaft by a force generated by the rotation drive source 82b.

回転駆動源82a,82bでローラー80a,80bを回転させることにより、弾性シート76a,76bをローラー80a,80bで巻き取ったり、弾性シート76a,76bをローラー80a,80bから繰り出したりして、この弾性シート76a,76bに掛かる張力を調整できる。 By rotating the rollers 80a and 80b with the rotation drive sources 82a and 82b, the elastic sheets 76a and 76b can be wound up by the rollers 80a and 80b, and the elastic sheets 76a and 76b can be unwound from the rollers 80a and 80b to have this elasticity. The tension applied to the sheets 76a and 76b can be adjusted.

なお、本実施形態の分割装置72では、2組のローラー80a,80bと2組の回転駆動源82a,82bとを用いているが、例えば、1組のローラーと1組の回転駆動源とを用いて同等の機能を実現することもできる。この場合には、例えば、各弾性シート76a,76bの一端側(又は他端側)を固定し、他端側(又は一端側)に1組のローラーと1組の回転駆動源とを接続すれば良い。 In the partitioning device 72 of the present embodiment, two sets of rollers 80a and 80b and two sets of rotary drive sources 82a and 82b are used. For example, one set of rollers and one set of rotary drive sources are used. It can also be used to achieve equivalent functionality. In this case, for example, one end side (or the other end side) of each elastic sheet 76a, 76b is fixed, and one set of rollers and one set of rotational drive sources are connected to the other end side (or one end side). It's fine.

図7(A)及び図7(B)に示すように、静電吸着部材74は、その長手方向に延びる柱状(棒状)の心材84aと、心材84aの周りを被覆する導電部材86aとを含んでいる。導電部材86aは、例えば、銅等の金属で構成され、静電吸着部材74の一方の電極として機能する。心材84aの材質、形状等に特段の制限はないが、本実施形態では、シリコンでなる角柱状の心材84aを用いる。 As shown in FIGS. 7A and 7B, the electrostatic adsorption member 74 includes a columnar (rod-shaped) core member 84a extending in the longitudinal direction thereof and a conductive member 86a that covers the circumference of the core member 84a. I'm out. The conductive member 86a is made of, for example, a metal such as copper, and functions as one electrode of the electrostatic adsorption member 74. The material, shape, and the like of the core material 84a are not particularly limited, but in the present embodiment, a prismatic core material 84a made of silicon is used.

また、静電吸着部材74は、その長手方向に延びる柱状(棒状)の心材84bと、心材84bの周りを被覆する導電部材86bとを含んでいる。心材84bや導電部材86bの材質、形状等は、心材84aや導電部材86aの材質、形状等と同じで良い。なお、この導電部材86bは、静電吸着部材74の他方の電極として機能する。 Further, the electrostatic adsorption member 74 includes a columnar (rod-shaped) core member 84b extending in the longitudinal direction thereof and a conductive member 86b that covers the periphery of the core member 84b. The material, shape, etc. of the core material 84b and the conductive member 86b may be the same as the material, shape, etc. of the core material 84a and the conductive member 86a. The conductive member 86b functions as the other electrode of the electrostatic adsorption member 74.

心材84a及び導電部材86aと、心材84b及び導電部材86bとは、所定の間隔をあけて配置され、絶縁部材88で被覆されている。これにより、互いに平行な一対の電極が実現されている。なお、この絶縁部材88の上面が静電吸着部材74の上面74aとなり、絶縁部材88の下面が静電吸着部材74の下面74bとなる。 The core material 84a and the conductive member 86a and the core material 84b and the conductive member 86b are arranged at a predetermined interval and are covered with the insulating member 88. As a result, a pair of electrodes parallel to each other is realized. The upper surface of the insulating member 88 is the upper surface 74a of the electrostatic adsorption member 74, and the lower surface of the insulating member 88 is the lower surface 74b of the electrostatic adsorption member 74.

図6に示すように、各静電吸着部材74の一方の電極(導電部材86a)は、配線90やスイッチ92等を介して、直流電源(電源ユニット)94の正極に接続されている。また、各静電吸着部材74の他方の電極(導電部材86b)は、配線90等を介して、直流電源94の負極に接続されている。 As shown in FIG. 6, one electrode (conductive member 86a) of each electrostatic attraction member 74 is connected to the positive electrode of the DC power supply (power supply unit) 94 via a wiring 90, a switch 92, or the like. Further, the other electrode (conductive member 86b) of each electrostatic adsorption member 74 is connected to the negative electrode of the DC power supply 94 via wiring 90 or the like.

よって、スイッチ92を導通(ON)状態にして、直流電源94の電圧を各静電吸着部材74の電極に加えることで、各静電吸着部材74の周りに電界を発生させることができる。複数の静電吸着部材74等の上方には、搬送ユニット96が配置されている。搬送ユニット96は、被加工物11の上面側(例えば、表面11a側)を吸着、保持して、この被加工物11を搬送する。 Therefore, by making the switch 92 conductive (ON) and applying the voltage of the DC power supply 94 to the electrodes of each electrostatic adsorption member 74, an electric field can be generated around each electrostatic adsorption member 74. The transport unit 96 is arranged above the plurality of electrostatic adsorption members 74 and the like. The transport unit 96 attracts and holds the upper surface side (for example, the surface 11a side) of the workpiece 11 to transport the workpiece 11.

分割ステップでは、図6に示すように、まず、被加工物11の上面側(本実施形態では、表面11a側)を搬送ユニット96で吸着、保持する。次に、搬送ユニット96を移動させて、被加工物11の下面側(本実施形態では、裏面11b側)を複数の静電吸着部材74の上面74aに接触させる。この時、被加工物11の第1方向に延びる分割予定ライン13を、隣接する2個の静電吸着部材74の隙間に合わせるように、複数の静電吸着部材74と被加工物11との相対的な位置及び向きを搬送ユニット96で調整する。 In the dividing step, as shown in FIG. 6, first, the upper surface side (in the present embodiment, the surface 11a side) of the workpiece 11 is attracted and held by the transport unit 96. Next, the transport unit 96 is moved so that the lower surface side of the workpiece 11 (in the present embodiment, the back surface 11b side) is brought into contact with the upper surfaces 74a of the plurality of electrostatic adsorption members 74. At this time, the plurality of electrostatic adsorption members 74 and the workpiece 11 are arranged so that the planned division line 13 extending in the first direction of the workpiece 11 is aligned with the gap between the two adjacent electrostatic adsorption members 74. The relative position and orientation are adjusted by the transfer unit 96.

その後、搬送ユニット96による被加工物11の吸着、保持を解除することで、被加工物11を複数の静電吸着部材74に載せることができる。なお、静電吸着部材74に被加工物11を載せる前には、スイッチ92を非導通(OFF)状態にしておく。また、回転駆動源82a,82bで弾性シート76a,76bに掛かる張力を調整し、静電吸着部材74の配列される周期(繰り返し周期)を第1方向に延びる分割予定ライン13の配列される周期(繰り返し周期)に合わせておく。 After that, the work piece 11 can be placed on the plurality of electrostatic suction members 74 by releasing the suction and holding of the work piece 11 by the transport unit 96. Before mounting the workpiece 11 on the electrostatic adsorption member 74, the switch 92 is in a non-conducting (OFF) state. Further, the tension applied to the elastic sheets 76a and 76b is adjusted by the rotation drive sources 82a and 82b, and the period (repetition period) in which the electrostatic adsorption member 74 is arranged is extended in the first direction. Set according to (repetition cycle).

被加工物11を複数の静電吸着部材74に載せた後には、複数の静電吸着部材74で被加工物11を吸着、保持する。図8は、被加工物11が吸着、保持される様子について説明するための斜視図であり、図9(A)は、被加工物が吸着、保持される様子について説明するための断面図である。図8に示すように、被加工物11を吸着、保持する際には、スイッチ92を非導通状態から導通状態に切り替えて、直流電源94の電圧を各静電吸着部材74の電極に印加する。 After the workpiece 11 is placed on the plurality of electrostatic adsorption members 74, the workpiece 11 is attracted and held by the plurality of electrostatic adsorption members 74. FIG. 8 is a perspective view for explaining how the workpiece 11 is attracted and held, and FIG. 9 (A) is a cross-sectional view for explaining how the workpiece 11 is attracted and held. be. As shown in FIG. 8, when the workpiece 11 is attracted and held, the switch 92 is switched from the non-conducting state to the conductive state, and the voltage of the DC power supply 94 is applied to the electrodes of the electrostatic adsorption members 74. ..

これにより、各静電吸着部材74の周りに電界が発生し、その効果として、被加工物11と各静電吸着部材74との間に静電気の力が作用する。この静電気の力によって、図8及び図9(A)に示すように、被加工物11は、各静電吸着部材74に吸着、保持される。なお、被加工物11と各静電吸着部材74との間に作用する静電気の力には、クーロン力、ジョンソン・ラーベック力、グラジエント力等がある。 As a result, an electric field is generated around each electrostatic adsorption member 74, and as an effect, an electrostatic force acts between the workpiece 11 and each electrostatic adsorption member 74. As shown in FIGS. 8 and 9 (A), the workpiece 11 is attracted and held by each electrostatic adsorption member 74 by the force of static electricity. The electrostatic force acting between the workpiece 11 and each electrostatic adsorption member 74 includes a Coulomb force, a Johnson-Labeck force, a gradient force, and the like.

本実施形態では、被加工物11を複数の静電吸着部材74に載せる際に、第1方向に延びる分割予定ライン13の位置を、隣接する2個の静電吸着部材74の隙間に相当する位置に合わせている。そのため、各静電吸着部材74の周りに電界を発生させると、第1方向に延びる複数の分割予定ライン13によって分けられる複数の部分(分割後の小片に相当する部分)が、それぞれ、静電吸着部材74によって吸着、保持される。 In the present embodiment, when the workpiece 11 is placed on the plurality of electrostatic suction members 74, the position of the planned division line 13 extending in the first direction corresponds to the gap between the two adjacent electrostatic suction members 74. It is aligned with the position. Therefore, when an electric field is generated around each electrostatic adsorption member 74, a plurality of parts (parts corresponding to small pieces after division) divided by a plurality of planned division lines 13 extending in the first direction are electrostatically charged. It is attracted and held by the suction member 74.

複数の静電吸着部材74で被加工物11を吸着、保持した後には、第1方向に延びる複数の分割予定ライン13に沿って被加工物11を複数の小片に分割する。図9(B)は、被加工物11が分割される様子について説明するための断面図である。具体的には、弾性シート76a,76bを巻き取る方向にローラー80a,80bを回転させて、弾性シート76a,76bに掛かる張力(所定の方向に対して垂直な方向の張力)を増大させる。 After the workpiece 11 is attracted and held by the plurality of electrostatic adsorption members 74, the workpiece 11 is divided into a plurality of small pieces along the plurality of scheduled division lines 13 extending in the first direction. FIG. 9B is a cross-sectional view for explaining how the workpiece 11 is divided. Specifically, the rollers 80a and 80b are rotated in the direction of winding the elastic sheets 76a and 76b to increase the tension applied to the elastic sheets 76a and 76b (tension in the direction perpendicular to a predetermined direction).

すなわち、所定の方向に対して垂直な方向(ここでは、第1方向に対して垂直な方向)に引っ張る力を弾性シート76a,76bに作用させる。これにより、各静電吸着部材74には、各静電吸着部材74を所定の方向に対して垂直、且つ互いに離れる方向に相対的に移動させるような力が付与される。 That is, a pulling force is applied to the elastic sheets 76a and 76b in a direction perpendicular to a predetermined direction (here, a direction perpendicular to the first direction). As a result, a force is applied to each electrostatic adsorption member 74 so as to move each electrostatic adsorption member 74 perpendicularly to a predetermined direction and relatively away from each other.

上述のように、第1方向に延びる複数の分割予定ライン13には、それぞれ、分割の起点となる改質層19が形成されている。この改質層19は、被加工物11の他の領域に比べて脆い。そのため、被加工物11は、各静電吸着部材74を介して伝わる力によって、図9(B)に示すように、第1方向に延びる複数の分割予定ライン13に沿って複数の小片21に分割される。 As described above, the modified layer 19 serving as the starting point of division is formed on each of the plurality of planned division lines 13 extending in the first direction. The modified layer 19 is more brittle than the other regions of the workpiece 11. Therefore, as shown in FIG. 9B, the workpiece 11 is formed into a plurality of small pieces 21 along the plurality of scheduled division lines 13 extending in the first direction by the force transmitted through each electrostatic adsorption member 74. It is divided.

第1方向に延びる全ての分割予定ライン13に沿って、被加工物11が複数の小片21に分割された後には、複数の静電吸着部材74に対して被加工物11を相対的に回転させる。具体的には、まず、複数の静電吸着部材74に保持されている被加工物11の上面側(本実施形態では、表面11a側)を搬送ユニット96で吸着、保持する。併せて、スイッチ92を非導通状態に切り替える。 After the workpiece 11 is divided into a plurality of small pieces 21 along all the scheduled division lines 13 extending in the first direction, the workpiece 11 is rotated relative to the plurality of electrostatic adsorption members 74. Let me. Specifically, first, the upper surface side (in this embodiment, the surface 11a side) of the workpiece 11 held by the plurality of electrostatic suction members 74 is sucked and held by the transport unit 96. At the same time, the switch 92 is switched to the non-conducting state.

次に、搬送ユニット96を上昇させて、各静電吸着部材74と被加工物11とを相対的に回転させる。具体的には、第1方向に交差する第2方向(本実施形態では、第1方向に対して垂直な方向)に延びる分割予定ライン13(第2分割予定ライン)を、隣接する2個の静電吸着部材74の隙間に合わせるように、複数の静電吸着部材74と被加工物11とを相対的に回転させる。そして、搬送ユニット96を下降させ、被加工物11の下面側(本実施形態では、裏面11b側)を再び複数の静電吸着部材74の上面74aに接触させる。 Next, the transport unit 96 is raised to relatively rotate each electrostatic adsorption member 74 and the workpiece 11. Specifically, two adjacent division scheduled lines 13 (second division scheduled lines) extending in a second direction (in the present embodiment, a direction perpendicular to the first direction) intersecting the first direction are provided. The plurality of electrostatic suction members 74 and the workpiece 11 are relatively rotated so as to match the gaps between the electrostatic suction members 74. Then, the transport unit 96 is lowered to bring the lower surface side (in the present embodiment, the back surface 11b side) of the workpiece 11 into contact with the upper surface 74a of the plurality of electrostatic suction members 74 again.

その後、搬送ユニット96による被加工物11の吸着、保持を解除することで、被加工物11を複数の静電吸着部材74に再び載せることができる。なお、静電吸着部材74に被加工物11を再び載せる前には、回転駆動源82a,82bで弾性シート76a,76bに掛かる張力を調整し、静電吸着部材74の配列される周期(繰り返し周期)を第2方向に延びる分割予定ライン13の配列される周期(繰り返し周期)に合わせておく。 After that, the work piece 11 can be remounted on the plurality of electrostatic suction members 74 by releasing the suction and holding of the work piece 11 by the transport unit 96. Before the workpiece 11 is placed on the electrostatic suction member 74 again, the tension applied to the elastic sheets 76a and 76b is adjusted by the rotation drive sources 82a and 82b, and the period in which the electrostatic suction members 74 are arranged (repeatedly). The cycle) is set to match the cycle (repetition cycle) in which the scheduled division lines 13 extending in the second direction are arranged.

被加工物11を再び静電吸着部材74に載せた後には、複数の静電吸着部材74で被加工物11を吸着、保持する。具体的には、スイッチ92を非導通状態から導通状態に切り替えて、直流電源94の電圧を各静電吸着部材74の電極に印加する。これにより、各静電吸着部材74の周りに電界が発生し、その効果として、被加工物11と各静電吸着部材74との間に静電気の力が作用する。この静電気の力によって、被加工物11は、各静電吸着部材74に吸着、保持される。 After the workpiece 11 is placed on the electrostatic adsorption member 74 again, the workpiece 11 is attracted and held by the plurality of electrostatic adsorption members 74. Specifically, the switch 92 is switched from the non-conducting state to the conductive state, and the voltage of the DC power supply 94 is applied to the electrodes of each electrostatic adsorption member 74. As a result, an electric field is generated around each electrostatic adsorption member 74, and as an effect, an electrostatic force acts between the workpiece 11 and each electrostatic adsorption member 74. By the force of static electricity, the workpiece 11 is attracted and held by each electrostatic adsorption member 74.

本実施形態では、各静電吸着部材74と被加工物11とを相対的に回転させることによって、第2方向に延びる分割予定ライン13の位置を、隣接する2個の静電吸着部材74の隙間に相当する位置に合わせている。そのため、各静電吸着部材74の周りに電界を発生させると、第2方向に延びる複数の分割予定ライン13によって分けられる複数の部分(分割後の小片に対応する部分)が、それぞれ、静電吸着部材74によって吸着、保持される。 In the present embodiment, by rotating each electrostatic attraction member 74 and the workpiece 11 relative to each other, the position of the planned division line 13 extending in the second direction is set to the position of the two adjacent electrostatic adsorption members 74. It is adjusted to the position corresponding to the gap. Therefore, when an electric field is generated around each electrostatic adsorption member 74, the plurality of parts (parts corresponding to the small pieces after division) divided by the plurality of planned division lines 13 extending in the second direction are electrostatically charged. It is attracted and held by the suction member 74.

複数の静電吸着部材74で被加工物11を吸着、保持した後には、第2方向に延びる複数の分割予定ライン13に沿って被加工物11を複数の小片に分割する。具体的には、弾性シート76a,76bを巻き取る方向にローラー80a,80bを回転させて、弾性シート76a,76bに掛かる張力(所定の方向に対して垂直な方向の張力)を増大させる。 After the workpiece 11 is attracted and held by the plurality of electrostatic adsorption members 74, the workpiece 11 is divided into a plurality of small pieces along the plurality of scheduled division lines 13 extending in the second direction. Specifically, the rollers 80a and 80b are rotated in the direction of winding the elastic sheets 76a and 76b to increase the tension applied to the elastic sheets 76a and 76b (tension in the direction perpendicular to a predetermined direction).

すなわち、所定の方向に対して垂直な方向(ここでは、第2方向に対して垂直な方向)に引っ張る力を弾性シート76a,76bに作用させる。これにより、各静電吸着部材74には、各静電吸着部材74を所定の方向に対して垂直、且つ互いに離れる方向に相対的に移動させるような力が付与される。 That is, a pulling force is applied to the elastic sheets 76a and 76b in a direction perpendicular to a predetermined direction (here, a direction perpendicular to the second direction). As a result, a force is applied to each electrostatic adsorption member 74 so as to move each electrostatic adsorption member 74 perpendicularly to a predetermined direction and relatively away from each other.

上述のように、第2方向に延びる複数の分割予定ライン13には、それぞれ、分割の起点となる改質層19が形成されている。この改質層19は、被加工物11の他の領域に比べて脆い。そのため、被加工物11は、各静電吸着部材74を介して伝わる力によって、第2方向に延びる複数の分割予定ライン13に沿って複数の小片に分割される。全ての分割予定ライン13に沿って被加工物11が個々のチップへと分割されると、分割ステップは終了する。 As described above, the modified layer 19 serving as the starting point of division is formed on each of the plurality of planned division lines 13 extending in the second direction. The modified layer 19 is more brittle than the other regions of the workpiece 11. Therefore, the workpiece 11 is divided into a plurality of small pieces along the plurality of scheduled division lines 13 extending in the second direction by the force transmitted through each electrostatic adsorption member 74. When the workpiece 11 is divided into individual chips along all the scheduled division lines 13, the division step ends.

以上のように、本実施形態に係るチップの製造方法では、被加工物(ワーク)11をチャックテーブル(保持テーブル)6で直に保持した状態で、被加工物11のチップ領域11cにのみレーザビーム17を照射して分割予定ライン13に沿う改質層19を形成し、その後、分割予定ライン13により分けられる被加工物11の複数の部分をそれぞれ複数の静電吸着部材(保持部)74で保持し、複数の静電吸着部材74に対して互いに離れる方向に相対的に移動させる力を付与して被加工物11を複数の分割予定ライン13に沿って分割する方法で、被加工物11を個々のチップへと分割するので、被加工物11に力を加えて個々のチップへと分割するためにエキスパンドシートを用いる必要がない。このように、本実施形態に係るチップの製造方法によれば、エキスパンドシートを用いることなく板状の被加工物11であるシリコンウェーハを分割して複数のチップを製造できる。 As described above, in the chip manufacturing method according to the present embodiment, the workpiece 11 is directly held by the chuck table (holding table) 6, and the laser is applied only to the chip region 11c of the workpiece 11. A modified layer 19 is formed along the scheduled division line 13 by irradiating the beam 17, and then a plurality of electrostatic adsorption members (holding portions) 74 are formed on the plurality of portions of the workpiece 11 separated by the scheduled division line 13. A method of dividing the workpiece 11 along a plurality of scheduled division lines 13 by applying a force for relatively moving the plurality of electrostatic adsorption members 74 in a direction away from each other. Since 11 is divided into individual chips, it is not necessary to use an expanding sheet to apply force to the workpiece 11 to divide it into individual chips. As described above, according to the chip manufacturing method according to the present embodiment, a plurality of chips can be manufactured by dividing a silicon wafer which is a plate-shaped workpiece 11 without using an expand sheet.

また、本実施形態に係るチップの製造方法では、被加工物11のチップ領域11cにのみレーザビーム17を照射して分割予定ライン13に沿う改質層19を形成するとともに、外周余剰領域11dを改質層19が形成されていない補強部とするので、この補強部によってチップ領域11cは補強される。よって、搬送等の際に加わる力によって被加工物11が個々のチップへと分割されてしまい、被加工物11を適切に搬送できなくなることもない。 Further, in the chip manufacturing method according to the present embodiment, the laser beam 17 is irradiated only to the chip region 11c of the workpiece 11, to form the modified layer 19 along the planned division line 13, and the outer peripheral surplus region 11d is formed. Since the reinforcing portion in which the modified layer 19 is not formed is used, the chip region 11c is reinforced by this reinforcing portion. Therefore, the work piece 11 is not divided into individual chips due to the force applied during transportation or the like, and the work piece 11 cannot be properly transported.

なお、本発明は、上記実施形態等の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、被加工物11の裏面11b側をチャックテーブル6で直に保持して、表面11a側からレーザビーム17を照射しているが、被加工物11の表面11a側をチャックテーブル6で直に保持して、裏面11b側からレーザビーム17を照射しても良い。 The present invention is not limited to the description of the above embodiment and can be implemented with various modifications. For example, in the above embodiment, the back surface 11b side of the workpiece 11 is directly held by the chuck table 6 and the laser beam 17 is irradiated from the surface 11a side, but the surface 11a side of the workpiece 11 is chucked. It may be held directly on the table 6 and the laser beam 17 may be irradiated from the back surface 11b side.

図10は、変形例に係る保持ステップについて説明するための断面図である。この変形例に係る保持ステップでは、図10に示すように、例えば、ポリエチレンやエポキシ等の樹脂に代表される柔軟な材料でなる多孔質状のシート(ポーラスシート)44によって上面が構成されたチャックテーブル(保持テーブル)6を用いると良い。 FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a holding step according to a modified example. In the holding step according to this modification, as shown in FIG. 10, a chuck whose upper surface is formed of, for example, a porous sheet (porous sheet) 44 made of a flexible material typified by a resin such as polyethylene or epoxy. It is preferable to use the table (holding table) 6.

このチャックテーブル6では、シート44の上面44aで被加工物11の表面11a側を吸引、保持することになる。これにより、表面11a側に形成されているデバイス等の破損を防止できる。このシート44はチャックテーブル6の一部であり、チャックテーブル6の本体等とともに繰り返し使用される。 In the chuck table 6, the upper surface 44a of the sheet 44 sucks and holds the surface 11a side of the workpiece 11. This makes it possible to prevent damage to the device or the like formed on the surface 11a side. This sheet 44 is a part of the chuck table 6 and is repeatedly used together with the main body of the chuck table 6 and the like.

ただし、チャックテーブル6の上面は、上述した多孔質状のシート44によって構成されている必要はなく、少なくとも、被加工物11の表面11a側に形成されているデバイス等を傷つけない程度に柔軟な材料で構成されていれば良い。また、シート44は、チャックテーブル6の本体に対して着脱できるように構成され、破損した場合等に交換できることが望ましい。 However, the upper surface of the chuck table 6 does not have to be formed of the above-mentioned porous sheet 44, and is at least flexible enough not to damage the device or the like formed on the surface 11a side of the workpiece 11. It suffices if it is composed of materials. Further, it is desirable that the sheet 44 is configured so that it can be attached to and detached from the main body of the chuck table 6 and can be replaced when it is damaged.

また、上記実施形態では、搬出ステップの後、分割ステップの前に、補強部除去ステップを行っているが、例えば、レーザ加工ステップの後、搬出ステップの前に、補強部除去ステップを行っても良い。 Further, in the above embodiment, the reinforcing portion removing step is performed after the carrying-out step and before the dividing step. However, for example, the reinforcing portion removing step may be performed after the laser machining step and before the carrying-out step. good.

また、補強部除去ステップを省略することもできる。この場合には、例えば、補強部の幅が被加工物11の外周縁から2mm〜3mm程度になるように、レーザ加工ステップで改質層19を形成する範囲を調整すると良い。また、例えば、分割ステップでチップ領域11cを分割する前に、補強部に分割の起点となる溝を形成しても良い。図11(A)は、変形例に係る分割ステップについて説明するための断面図であり、図11(B)は、変形例に係る分割ステップでチップ領域11cを分割する前の被加工物11の状態を模式的に示す平面図である。 Further, the step of removing the reinforcing portion can be omitted. In this case, for example, the range in which the modified layer 19 is formed in the laser machining step may be adjusted so that the width of the reinforcing portion is about 2 mm to 3 mm from the outer peripheral edge of the workpiece 11. Further, for example, before dividing the chip region 11c in the division step, a groove serving as a starting point of division may be formed in the reinforcing portion. FIG. 11 (A) is a cross-sectional view for explaining the division step according to the modified example, and FIG. 11 (B) shows the workpiece 11 before dividing the chip region 11c in the divided step according to the modified example. It is a top view which shows the state schematically.

変形例に係る分割ステップでは、分割装置72で被加工物11を個々のチップへと分割する前に、上述した切削装置52を用いて分割の起点となる溝を形成する。具体的には、図11(A)及び図11(B)に示すように、外周余剰領域11d(すなわち、補強部)に切削ブレード66を切り込ませて、分割の起点となる溝11eを形成する。この溝11eは、例えば、分割予定ライン13に沿って形成されることが望ましい。このような溝11eを形成することにより、上述した分割装置72で被加工物11を外周余剰領域11dごと分割できるようになる。なお、変形例に係る分割ステップでは、切削装置52が備えるチャックテーブル54の吸引路54cやバルブ60等を省略できる。 In the division step according to the modification, the groove serving as the starting point of division is formed by using the cutting device 52 described above before the work piece 11 is divided into individual chips by the division device 72. Specifically, as shown in FIGS. 11A and 11B, the cutting blade 66 is cut into the outer peripheral excess region 11d (that is, the reinforcing portion) to form the groove 11e which is the starting point of the division. do. It is desirable that the groove 11e is formed, for example, along the planned division line 13. By forming such a groove 11e, the work piece 11 can be divided together with the outer peripheral excess region 11d by the division device 72 described above. In the division step according to the modification, the suction path 54c and the valve 60 of the chuck table 54 provided in the cutting device 52 can be omitted.

また、上記実施形態の分割ステップでは、被加工物11の裏面11b側を下方に向けて、この裏面11b側を複数の静電吸着部材74で吸着、保持しているが、被加工物11の表面11a側を下方に向けて、この表面11a側を複数の静電吸着部材74で吸着、保持しても良い。 Further, in the division step of the above embodiment, the back surface 11b side of the workpiece 11 is directed downward, and the back surface 11b side is attracted and held by the plurality of electrostatic adsorption members 74. The surface 11a side may be directed downward, and the surface 11a side may be attracted and held by a plurality of electrostatic adsorption members 74.

また、上記実施形態の分割装置72では、弾性シート76a,76b、ローラー80a,80b、及び回転駆動源82a,82bを用いて、複数の静電吸着部材74に力を付与しているが、この力を付与する付与機構の構造等に特段の制限はない。同様に、上記実施形態の分割装置72では、静電気の力で被加工物11を吸着、保持する複数の静電吸着部材74を用いているが、この複数の静電吸着部材74に代えて、真空吸着等の方法で被加工物11を吸着、保持する複数の吸着部材(保持部)を用いることもできる。 Further, in the partitioning device 72 of the above embodiment, the elastic sheets 76a, 76b, the rollers 80a, 80b, and the rotation drive sources 82a, 82b are used to apply a force to the plurality of electrostatic suction members 74. There are no particular restrictions on the structure of the applying mechanism that applies force. Similarly, in the dividing device 72 of the above embodiment, a plurality of electrostatic adsorption members 74 that attract and hold the workpiece 11 by the force of static electricity are used, but instead of the plurality of electrostatic adsorption members 74, It is also possible to use a plurality of suction members (holding portions) that suck and hold the workpiece 11 by a method such as vacuum suction.

その他、上記実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, and the like according to the above-described embodiments and modifications can be appropriately modified and implemented as long as they do not deviate from the scope of the object of the present invention.

11 被加工物(ワーク)
11a 表面
11b 裏面
11c チップ領域
11d 外周余剰領域
13 分割予定ライン(ストリート)
15 領域
17 レーザビーム
19 改質層(改質領域)
19a 第1改質層
19b 第2改質層
19c 第3改質層
2 レーザ加工装置
4 基台
6 チャックテーブル(保持テーブル)
6a 保持面
6b 吸引路
8 水平移動機構
10 X軸ガイドレール
12 X軸移動テーブル
14 X軸ボールネジ
16 X軸パルスモータ
18 X軸スケール
20 Y軸ガイドレール
22 Y軸移動テーブル
24 Y軸ボールネジ
26 Y軸パルスモータ
28 Y軸スケール
30 支持台
32 バルブ
34 吸引源
36 支持構造
38 支持アーム
40 レーザ照射ユニット
42 カメラ
44 シート(ポーラスシート)
44a 上面
52 切削装置
54 チャックテーブル(保持テーブル)
54a 保持面
54b 吸引路
54c 吸引路
56 バルブ
58 吸引源
60 バルブ
62 切削ユニット
64 スピンドル
66 切削ブレード
72 分割装置
74 静電吸着部材(保持部)
74a 上面(吸着面)
74b 下面
76a,76b 弾性シート(付与機構)
78 接着剤
80a,80b ローラー(付与機構)
82a,82b 回転駆動源(付与機構)
84a,84b 心材
86a,86b 導電部材
88 絶縁部材
90 配線
92 スイッチ
94 直流電源(電源ユニット)
96 搬送ユニット
11 Work piece (work)
11a Front surface 11b Back surface 11c Chip area 11d Outer circumference surplus area 13 Scheduled division line (street)
15 regions 17 Laser beam 19 Modified layer (modified region)
19a 1st modified layer 19b 2nd modified layer 19c 3rd modified layer 2 Laser machining equipment 4 base 6 Chuck table (holding table)
6a Holding surface 6b Suction path 8 Horizontal movement mechanism 10 X-axis guide rail 12 X-axis movement table 14 X-axis ball screw 16 X-axis pulse motor 18 X-axis scale 20 Y-axis guide rail 22 Y-axis movement table 24 Y-axis ball screw 26 Y-axis Pulse motor 28 Y-axis scale 30 Support stand 32 Valve 34 Suction source 36 Support structure 38 Support arm 40 Laser irradiation unit 42 Camera 44 Seat (Porus seat)
44a Top surface 52 Cutting device 54 Chuck table (holding table)
54a Holding surface 54b Suction path 54c Suction path 56 Valve 58 Suction source 60 Valve 62 Cutting unit 64 Spindle 66 Cutting blade 72 Splitting device 74 Electrostatic suction member (holding part)
74a Top surface (adsorption surface)
74b Lower surface 76a, 76b Elastic sheet (giving mechanism)
78 Adhesive 80a, 80b Roller (Applying mechanism)
82a, 82b Rotational drive source (giving mechanism)
84a, 84b Core material 86a, 86b Conductive member 88 Insulation member 90 Wiring 92 Switch 94 DC power supply (power supply unit)
96 Transport unit

Claims (3)

交差する複数の分割予定ラインによってチップとなる複数の領域に区画されたチップ領域と、該チップ領域を囲む外周余剰領域と、を有する板状の被加工物から複数の該チップを製造するチップの製造方法であって、
被加工物を保持テーブルで直に保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後に、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該保持テーブルに保持された被加工物の内部に位置づけるように該分割予定ラインに沿って被加工物の該チップ領域にのみ該レーザビームを照射し、該チップ領域の該分割予定ラインに沿って改質層を形成するとともに、該外周余剰領域を改質層が形成されていない補強部とするレーザ加工ステップと、
該レーザ加工ステップを実施した後に、該保持テーブルから被加工物を搬出する搬出ステップと、
該搬出ステップを実施した後に、被加工物に力を付与して被加工物を個々の該チップへと分割する分割ステップと、を備え、
該分割ステップでは、複数の該分割予定ラインにより分けられる被加工物の複数の部分をそれぞれ複数の保持部で直に保持し、該複数の保持部に対して互いに離れる方向に相対的に移動させる力を付与して被加工物を複数の該分割予定ラインに沿って一度に分割する方法で、被加工物を個々の該チップへと分割することを特徴とするチップの製造方法。
A chip for producing a plurality of chips from a plate-shaped workpiece having a chip region divided into a plurality of regions to be chips by a plurality of intersecting scheduled division lines and an outer peripheral surplus region surrounding the chip region. It ’s a manufacturing method,
A holding step that holds the work piece directly on the holding table,
After performing the holding step, along the planned division line so as to position the focusing point of the laser beam having a wavelength that is transparent to the work piece inside the work piece held on the holding table. The laser beam is irradiated only to the chip region of the work piece to form a modified layer along the planned division line of the chip region, and a reinforcing portion in which the modified layer is not formed in the outer peripheral surplus region. Laser processing steps and
After performing the laser machining step, a unloading step of unloading the workpiece from the holding table and a unloading step.
After carrying out the carry-out step, a division step of applying a force to the work piece to divide the work piece into individual chips is provided.
In the dividing step, a plurality of portions of the workpiece divided by the multiple of the dividing line in direct holding in each of a plurality of holding portions, relative movement away from each other with respect to the holding portion of the plurality of A method for manufacturing a chip, which comprises dividing a work piece into individual chips by applying a force to cause the work piece to be divided at once along a plurality of planned division lines.
該レーザ加工ステップを実施した後、該分割ステップを実施する前に、該補強部を除去する補強部除去ステップを更に備えることを特徴とする請求項1に記載のチップの製造方法。 The method for manufacturing a chip according to claim 1, further comprising a reinforcing portion removing step for removing the reinforcing portion after performing the laser machining step and before performing the dividing step. 該保持テーブルの上面は、柔軟な材料によって構成されており、
該保持ステップでは、該柔軟な材料で被加工物の表面側を保持することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のチップの製造方法。
The upper surface of the holding table is made of a flexible material.
The method for producing a chip according to claim 1 or 2, wherein in the holding step, the surface side of the workpiece is held by the flexible material.
JP2017158785A 2017-08-21 2017-08-21 Chip manufacturing method Active JP6945923B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017158785A JP6945923B2 (en) 2017-08-21 2017-08-21 Chip manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017158785A JP6945923B2 (en) 2017-08-21 2017-08-21 Chip manufacturing method

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019036680A JP2019036680A (en) 2019-03-07
JP2019036680A5 JP2019036680A5 (en) 2020-03-05
JP6945923B2 true JP6945923B2 (en) 2021-10-06

Family

ID=65637925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017158785A Active JP6945923B2 (en) 2017-08-21 2017-08-21 Chip manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6945923B2 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4731224B2 (en) * 2005-07-06 2011-07-20 株式会社ディスコ Wafer divider
WO2007055010A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-18 Renesas Technology Corp. Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP2014199834A (en) * 2013-03-29 2014-10-23 株式会社ディスコ Holding means and processing method
JP2014236034A (en) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ Method for processing wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019036680A (en) 2019-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109698118B (en) Method for manufacturing chip
JP6945923B2 (en) Chip manufacturing method
JP2019218235A (en) Method for manufacturing chip
JP2019220581A (en) Chip manufacturing method
JP6945924B2 (en) Chip manufacturing method
JP6953076B2 (en) Chip manufacturing method
JP6973916B2 (en) How to make chips
JP6976647B2 (en) How to make chips
JP6987437B2 (en) How to make chips
JP6987436B2 (en) How to make chips
JP7013092B2 (en) How to make chips
JP2019186426A (en) Chip manufacturing method
KR102575795B1 (en) Method of manufacturing chip
JP7191459B2 (en) Chip manufacturing method
JP2019186425A (en) Chip manufacturing method
JP2019186423A (en) Chip manufacturing method
JP2019186424A (en) Chip manufacturing method
JP2020047902A (en) Chip manufacturing method
JP2020047903A (en) Chip manufacturing method
JP2019186422A (en) Chip manufacturing method
JP2020047905A (en) Chip manufacturing method
JP2020047904A (en) Chip manufacturing method
JP2020047906A (en) Chip manufacturing method
JP2019181531A (en) Chip manufacturing method
JP2020045270A (en) Manufacturing method of chip

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200122

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200602

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210422

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210914

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210914

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6945923

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250