JP6935132B2 - Manufacturing method of electrostatic chuck plate - Google Patents

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Description

本発明は、板状の被加工物等を保持する際に用いられる静電チャックプレートの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an electrostatic chuck plate used for holding a plate-shaped workpiece or the like.

半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、パッケージ基板等を、切削装置や研削装置、レーザー加工装置等で加工する際には、これら板状の被加工物に対して、粘着テープや硬質基板等の保護部材を貼付するのが一般的である。これにより、加工や搬送等の際に加わる衝撃から被加工物を保護できる。 When processing semiconductor wafers, optical device wafers, package substrates, etc. with cutting equipment, grinding equipment, laser processing equipment, etc., protective members such as adhesive tapes and hard substrates are applied to these plate-shaped workpieces. It is common to paste it. As a result, the workpiece can be protected from the impact applied during processing, transportation, and the like.

上述した保護部材は、通常、ある程度の接着力を持つ接着剤によって被加工物に貼付される。そのため、例えば、加工後の被加工物から保護部材を容易に剥離できないことがあった。また、再使用できない使い捨ての粘着テープ等を用いる場合には、被加工物の加工に要するコストも高くなり易い。 The above-mentioned protective member is usually attached to a work piece by an adhesive having a certain degree of adhesive strength. Therefore, for example, the protective member may not be easily peeled off from the work piece after processing. Further, when a disposable adhesive tape or the like that cannot be reused is used, the cost required for processing the workpiece tends to be high.

そこで、近年では、静電気を利用して被加工物を吸着、保持する静電チャックプレートの開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。この静電チャックプレートでは、例えば、静電気による吸着力を発生させるための電極を櫛歯状に形成することで、電極への給電を停止した後にも強い吸着力が維持される。 Therefore, in recent years, the development of an electrostatic chuck plate that attracts and holds a work piece by using static electricity has been promoted (see, for example, Patent Document 1). In this electrostatic chuck plate, for example, by forming an electrode for generating an attractive force due to static electricity in a comb-teeth shape, a strong attractive force is maintained even after the power supply to the electrode is stopped.

特開２０１６−５１８３６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-51836

上述した櫛歯状の電極に代表される静電チャックプレートの電極は、ウェットエッチングによって形成されることが多い。しかしながら、このウェットエッチングには、電極のパターンに合わせたマスクが必要なので、コストが掛かり易いという問題があった。そのため、より低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法が求められていた。 The electrodes of the electrostatic chuck plate represented by the above-mentioned comb-shaped electrodes are often formed by wet etching. However, this wet etching requires a mask that matches the pattern of the electrodes, so there is a problem that it is easy to increase the cost. Therefore, there has been a demand for a method for manufacturing an electrostatic chuck plate capable of forming an electrode at a lower cost.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、従来に比べて低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electrostatic chuck plate capable of forming an electrode at a lower cost than before.

本発明の一態様によれば、被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、第１面側に金属酸化物を含む導電体膜が設けられた樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、該樹脂シート準備ステップの後、該樹脂シートに対して透過性を有する波長のレーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該樹脂シートの第１面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、該電極形成ステップの後、該電極をベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に貼付し、該電極から該樹脂シートを剥離することで、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を移設する電極移設ステップと、を備える静電チャックプレートの製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, it is a method of manufacturing an electrostatic chuck plate that attracts and holds an workpiece by an electrostatic force, and a conductor film containing a metal oxide is provided on the first surface side. After the resin sheet preparation step for preparing the resin sheet and the resin sheet preparation step, the conductor film is ablated with a laser beam having a wavelength that is transparent to the resin sheet, and the first surface of the resin sheet is processed. After the electrode forming step of forming positive and negative electrodes on the side and the electrode forming step, the electrode is attached to the insulating surface side made of an insulator of the base substrate, and the resin sheet is peeled off from the electrode. Provided is a method for manufacturing an electrostatic chuck plate comprising an electrode transfer step of transferring positive and negative electrodes to the insulating surface side of the base substrate.

上述した本発明の一態様において、該樹脂シートは、可視域で透明な樹脂シートであり、該レーザービームの波長は、１０００ｎｍ以上であることが好ましい。 In one aspect of the present invention described above, the resin sheet is a resin sheet that is transparent in the visible region, and the wavelength of the laser beam is preferably 1000 nm or more.

本発明の一態様に係る静電チャックプレートの製造方法では、レーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、正負の電極を形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正負の電極を形成できる。 In the production how the electrostatic chuck plate according to one embodiment of the present invention, a conductive film with a laser beam ablation, because it forms a positive and negative electrode, when using a method such as easily wet etching costly In comparison, positive and negative electrodes can be formed at low cost.

図１（Ａ）は、ベース基板に導電体膜が形成された状態を模式的に示す断面図であり、図１（Ｂ）は、導電体膜がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図であり、図１（Ｃ）は、完成した静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view schematically showing a state in which a conductor film is formed on a base substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view schematically showing a state in which the conductor film is ablated. FIG. 1 (C) is a cross-sectional view schematically showing the structure of the completed electrostatic chuck plate. 完成した静電チャックプレートの構造を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the completed electrostatic chuck plate. 静電チャックプレートが使用されたフレームユニットの構造を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the structure of the frame unit which used the electrostatic chuck plate. 静電チャックプレートが使用されたフレームユニットの構造を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the frame unit which used the electrostatic chuck plate. フレームユニットに被加工物を吸着させる様子を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically how the work piece is adsorbed on the frame unit. 図６（Ａ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で導電体膜がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図であり、図６（Ｂ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でベース基板に貼付された電極から樹脂シートが剥離される様子を模式的に示す断面図であり、図６（Ｃ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で製造された静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing how the conductor film is ablated by the method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to a modified example, and FIG. 6B is a static electricity according to the modified example. FIG. 6C is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet is peeled off from the electrodes attached to the base substrate in the method for manufacturing an electric chuck plate, and FIG. 6C is a method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to a modified example. It is sectional drawing which shows typically the structure of the electrostatic chuck plate manufactured in.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法は、導電体膜形成ステップ（図１（Ａ）参照）、及び電極形成ステップ（図１（Ｂ）、図１（Ｃ）及び図２参照）を含む。 An embodiment according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The method for manufacturing the electrostatic chuck plate according to the present embodiment includes a conductor film forming step (see FIG. 1 (A)) and an electrode forming step (see FIGS. 1 (B), 1 (C) and 2). include.

導電体膜形成ステップでは、少なくとも第１面が絶縁体からなるベース基板の第１面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける。電極形成ステップでは、このベース基板に対して透過性を有する波長のレーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、ベース基板の第１面側に正負の電極を形成する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。 In the conductor film forming step, a conductor film containing a metal oxide is provided at least on the first surface side of the base substrate whose first surface is an insulator. In the electrode forming step, the conductor film is ablated with a laser beam having a wavelength that is transparent to the base substrate, and positive and negative electrodes are formed on the first surface side of the base substrate. Hereinafter, the wafer processing method according to the present embodiment will be described in detail.

本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法では、まず、金属酸化物を含む導電体膜をベース基板に設ける導電体膜形成ステップを行う。図１（Ａ）は、ベース基板１の第１面（絶縁面）１ａ側に導電体膜３が形成された状態を模式的に示す断面図である。 In the method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to the present embodiment, first, a conductor film forming step of providing a conductor film containing a metal oxide on a base substrate is performed. FIG. 1A is a cross-sectional view schematically showing a state in which the conductor film 3 is formed on the first surface (insulating surface) 1a side of the base substrate 1.

図１（Ａ）に示すように、ベース基板１は、例えば、可視域の光（波長：３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）に対して透明なソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス材を用いて円盤状に形成されており、概ね平坦な第１面１ａ及び第２面１ｂを有している。すなわち、このベース基板１の第１面１ａ及び第２面１ｂは、絶縁体で構成されている。 As shown in FIG. 1 (A), the base substrate 1 is made of a glass material such as soda glass, borosilicate glass, or quartz glass that is transparent to light in the visible region (wavelength: 360 nm to 830 nm). It is formed in a shape and has a generally flat first surface 1a and a second surface 1b. That is, the first surface 1a and the second surface 1b of the base substrate 1 are made of an insulator.

ベース基板１の直径は、例えば、吸着の対象である被加工物１１（図５等参照）の直径と同程度、又はそれ以上であることが望ましい。また、ベース基板１の厚みは、代表的には、１ｍｍ〜３０ｍｍ程度である。ただし、ベース基板１の材質、形状、構造、大きさ、厚み等に制限はない。 It is desirable that the diameter of the base substrate 1 is, for example, about the same as or larger than the diameter of the workpiece 11 (see FIG. 5 and the like) to be adsorbed. The thickness of the base substrate 1 is typically about 1 mm to 30 mm. However, there are no restrictions on the material, shape, structure, size, thickness, etc. of the base substrate 1.

例えば、樹脂やセラミックス等の材料でなるベース基板１を用いることもできる。また、ベース基板１は、少なくとも第１面１ａが絶縁体で構成されていれば良い。よって、例えば、半導体や導体等でなる基板を絶縁体で被覆し、ベース基板１として用いることもできる。 For example, a base substrate 1 made of a material such as resin or ceramics can also be used. Further, the base substrate 1 may have at least the first surface 1a made of an insulator. Therefore, for example, a substrate made of a semiconductor, a conductor, or the like can be coated with an insulator and used as the base substrate 1.

本実施形態の導電体膜形成ステップでは、このベース基板１の第１面１ａ側全体に、スパッタリング等の方法で金属酸化物を含む導電体膜３を形成する。金属酸化物としては、例えば、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の可視域の光に対して透明な材料を用いることが望ましい。これにより、可視域で導電体膜３が透明になるので、例えば、可視域のレーザービームを用いるレーザー加工等の際に本実施形態の静電チャックプレートを使用できるようになる。導電体膜３の厚みは、代表的には、１μｍ〜１００μｍ程度である。 In the conductor film forming step of the present embodiment, the conductor film 3 containing the metal oxide is formed on the entire first surface 1a side of the base substrate 1 by a method such as sputtering. As the metal oxide, it is desirable to use a material that is transparent to light in the visible region, such as indium tin oxide (ITO). As a result, the conductor film 3 becomes transparent in the visible region, so that the electrostatic chuck plate of the present embodiment can be used, for example, during laser processing using a laser beam in the visible region. The thickness of the conductor film 3 is typically about 1 μm to 100 μm.

ただし、導電体膜３の材質、形状、大きさ、厚み、形成方法等に特段の制限はない、例えば、ＣＶＤ、真空蒸着、塗布等の方法で導電体膜３を形成しても良い。また、樹脂シート上に設けられた導電体膜をベース基板１の第１面１ａ側に貼付する方法で導電体膜３を形成することもできる。この場合には、例えば、日東電工株式会社製の透明導電性フィルムＥＬＥＣＲＹＳＴＡ／エレクリスタ（登録商標）等を用いると良い。 However, there are no particular restrictions on the material, shape, size, thickness, forming method, etc. of the conductor film 3, and the conductor film 3 may be formed by, for example, CVD, vacuum deposition, coating, or the like. Further, the conductor film 3 can also be formed by a method of attaching the conductor film provided on the resin sheet to the first surface 1a side of the base substrate 1. In this case, for example, a transparent conductive film ELECRYSTA (registered trademark) manufactured by Nitto Denko KK may be used.

導電体膜形成ステップの後には、ベース基板１の第１面１ａ側に設けられた導電体膜３をレーザービームでアブレーション加工し、正負の電極を形成する電極形成ステップを行う。図１（Ｂ）は、導電体膜３がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図である。電極形成ステップは、例えば、図１（Ｂ）に示すようなレーザー加工装置２を用いて行われる。 After the conductor film forming step, the conductor film 3 provided on the first surface 1a side of the base substrate 1 is ablated with a laser beam to perform an electrode forming step of forming positive and negative electrodes. FIG. 1B is a cross-sectional view schematically showing how the conductor film 3 is ablated. The electrode forming step is performed using, for example, a laser processing apparatus 2 as shown in FIG. 1 (B).

レーザー加工装置２は、ベース基板１を吸引、保持するためのチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構によって加工送り方向（第１水平方向）及び割り出し送り方向（第２水平方向）に移動する。 The laser processing apparatus 2 includes a chuck table 4 for sucking and holding the base substrate 1. The chuck table 4 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction. Further, a moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 4, and the chuck table 4 is provided with a machining feed direction (first horizontal direction) and an indexing feed direction (second horizontal direction) by the moving mechanism. Move to.

チャックテーブル４の上面の一部は、ベース基板１を吸引、保持するための保持面４ａになっている。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、ベース基板１は、チャックテーブル４に吸引、保持される。 A part of the upper surface of the chuck table 4 is a holding surface 4a for sucking and holding the base substrate 1. The holding surface 4a is connected to a suction source (not shown) via a suction path (not shown) formed inside the chuck table 4. By applying the negative pressure of the suction source to the holding surface 4a, the base substrate 1 is sucked and held by the chuck table 4.

チャックテーブル４の上方には、レーザー照射ユニット６が配置されている。レーザー照射ユニット６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービーム６ａを所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、ベース基板１に対して透過性を有し、導電体膜３をアブレーション加工できる波長のレーザービーム６ａをパルス発振するように構成されている。 A laser irradiation unit 6 is arranged above the chuck table 4. The laser irradiation unit 6 irradiates and condenses a laser beam 6a pulse-oscillated by a laser oscillator (not shown) at a predetermined position. The laser oscillator is configured to pulse-oscillate a laser beam 6a having a wavelength that is transparent to the base substrate 1 and can ablate the conductor film 3.

電極形成ステップでは、まず、レーザービーム６ａが照射される照射予定ライン（不図示）を導電体膜３に設定する。この照射予定ラインは、導電体膜３を２以上に分離する形状に設定される必要がある。ただし、照射予定ラインを設定するタイミングは任意で良い。少なくとも、導電体膜３に対してレーザービーム６ａを照射する前に照射予定ラインが設定されれば良い。 In the electrode forming step, first, an irradiation scheduled line (not shown) on which the laser beam 6a is irradiated is set on the conductor film 3. This irradiation schedule line needs to be set in a shape that separates the conductor film 3 into two or more. However, the timing of setting the scheduled irradiation line may be arbitrary. At least, the irradiation schedule line may be set before irradiating the conductor film 3 with the laser beam 6a.

次に、ベース基板１の第２面１ｂ側をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ベース基板１は、第１面１ａ側に設けられている導電体膜３が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。その後、チャックテーブル４を回転、移動させて、ベース基板１とレーザー照射ユニット６との位置関係を調整する。 Next, the second surface 1b side of the base substrate 1 is brought into contact with the holding surface 4a of the chuck table 4, and the negative pressure of the suction source is applied. As a result, the base substrate 1 is held by the chuck table 4 in a state where the conductor film 3 provided on the first surface 1a side is exposed upward. After that, the chuck table 4 is rotated and moved to adjust the positional relationship between the base substrate 1 and the laser irradiation unit 6.

そして、照射予定ライン（不図示）に沿ってレーザービーム６ａが照射されるように、レーザー照射ユニット６から導電体膜３に向けてレーザービーム６ａを照射しながらチャックテーブル４を移動させる。これにより、アブレーション加工によって導電体膜３の一部を除去し、照射予定ラインに沿う絶縁領域３ａを形成できる。 Then, the chuck table 4 is moved while irradiating the laser beam 6a from the laser irradiation unit 6 toward the conductor film 3 so that the laser beam 6a is irradiated along the scheduled irradiation line (not shown). As a result, a part of the conductor film 3 can be removed by ablation processing, and an insulating region 3a along the scheduled irradiation line can be formed.

なお、本実施形態では、ベース基板１に対して透過性を有する波長のレーザービーム６ａを導電体膜３に照射する。より具体的には、例えば、波長が５００ｎｍ以上のレーザービーム６ａを、０．４４Ｊ/ｃｍ２以上の条件で導電体膜３に照射することが望ましい。これにより、ベース基板１の変質を抑制しながら、導電体膜３の一部を除去して絶縁領域３ａを形成できる。 In the present embodiment, the conductor film 3 is irradiated with a laser beam 6a having a wavelength that is transparent to the base substrate 1. More specifically, for example, it is desirable to irradiate the conductor film 3 with a laser beam 6a having a wavelength of 500 nm or more under the condition of 0.44 J / cm 2 or more. Thereby, a part of the conductor film 3 can be removed to form the insulating region 3a while suppressing the deterioration of the base substrate 1.

照射予定ラインの全てに絶縁領域３ａが形成されると、導電体膜３は、この絶縁領域３ａによって正の電極パターン（正の電極）３ｂ（図１（Ｃ）等参照）と負の電極パターン（負の電極）３ｃ（図１（Ｃ）等参照）とに分離される。すなわち、ベース基板１の第１面１ａ側には、正の電極パターン３ｂと負の電極パターン３ｃとが形成される。これにより、ベース基板１の第１面１ａ側に正の電極パターン３ｂと負の電極パターン３ｃとを有する静電チャックプレート５（図１（Ｃ）等参照）が完成する。 When the insulating region 3a is formed in all of the scheduled irradiation lines, the conductor film 3 has a positive electrode pattern (positive electrode) 3b (see FIG. 1C, etc.) and a negative electrode pattern due to the insulating region 3a. It is separated into (negative electrode) 3c (see FIG. 1C and the like). That is, a positive electrode pattern 3b and a negative electrode pattern 3c are formed on the first surface 1a side of the base substrate 1. As a result, an electrostatic chuck plate 5 (see FIG. 1C and the like) having a positive electrode pattern 3b and a negative electrode pattern 3c on the first surface 1a side of the base substrate 1 is completed.

上述のように、本実施形態では、導電体膜３の照射予定ラインに沿ってレーザービーム６ａを照射するだけで良いので、マスクが必要なウェットエッチング等の方法に比べて加工に要する時間を短縮し易い。また、ウェットエッチング等のようにマスクを形成しなくて良いので、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃの形成にかかるコストを低く抑えられる。 As described above, in the present embodiment, since it is only necessary to irradiate the laser beam 6a along the scheduled irradiation line of the conductor film 3, the time required for processing is shortened as compared with a method such as wet etching which requires a mask. Easy to do. Further, since it is not necessary to form a mask as in wet etching, the cost for forming the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be suppressed low.

図１（Ｃ）は、静電チャックプレート５の構造を模式的に示す断面図であり、図２は、静電チャックプレート５の構造を模式的に示す平面図である。図１（Ｃ）及び図２に示すように、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃの形状は、例えば、正の電極と負の電極とを互い違いに整列させてなる一対の櫛歯状にすると良い。 FIG. 1C is a cross-sectional view schematically showing the structure of the electrostatic chuck plate 5, and FIG. 2 is a plan view schematically showing the structure of the electrostatic chuck plate 5. As shown in FIGS. 1C and 2, the shapes of the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are, for example, a pair of comb teeth formed by alternately arranging the positive electrode and the negative electrode. It is good to set it to.

このような櫛歯状の電極では、正の電極と負の電極とが高い密度で配置されるので、例えば、電極と被加工物１１との間に作用するグラジエント力等と呼ばれる静電気の力も強くなる。つまり、被加工物１１を強い力で吸着、保持できるようになる。また、正の電極及び負の電極への給電を停止した後にも、強い吸着力を維持できるようになる。 In such a comb-shaped electrode, since the positive electrode and the negative electrode are arranged at a high density, for example, a strong electrostatic force called a gradient force acting between the electrode and the workpiece 11 is also strong. Become. That is, the workpiece 11 can be attracted and held with a strong force. Further, even after the power supply to the positive electrode and the negative electrode is stopped, the strong adsorption force can be maintained.

ただし、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃの形状、大きさ等に特段の制限はない。例えば、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを曲線や円等で構成することもできる。なお、図２に示すように、絶縁領域３ａが形成される照射予定ラインを一筆書きできる形状に設定することで、加工に要する時間を更に短縮できる。 However, there are no particular restrictions on the shape, size, etc. of the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c. For example, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be formed of a curve, a circle, or the like. As shown in FIG. 2, by setting the irradiation schedule line on which the insulating region 3a is formed into a shape that allows one stroke, the time required for processing can be further shortened.

このように、本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法では、レーザービーム６ａで導電体膜３をアブレーション加工し、正の電極パターン（正の電極）３ｂ及び負の電極パターン（負の電極）３ｃを形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを形成できる。 As described above, in the method for manufacturing the electrostatic chuck plate according to the present embodiment, the conductor film 3 is ablated with the laser beam 6a, and the positive electrode pattern (positive electrode) 3b and the negative electrode pattern (negative electrode) are processed. ) 3c is formed, so that the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be formed at a lower cost as compared with the case of using a method such as wet etching, which tends to cost more.

このようにして製造された静電チャックプレート５は、被加工物１１を吸着、保持するための各種の装置に組み込んで使用される。図３は、静電チャックプレート５が使用されたフレームユニット１２の構造を模式的に示す斜視図であり、図４は、静電チャックプレート５が使用されたフレームユニット１２の構造を模式的に示す断面図である。 The electrostatic chuck plate 5 manufactured in this way is used by being incorporated into various devices for sucking and holding the workpiece 11. FIG. 3 is a perspective view schematically showing the structure of the frame unit 12 in which the electrostatic chuck plate 5 is used, and FIG. 4 is a schematic view of the structure of the frame unit 12 in which the electrostatic chuck plate 5 is used. It is sectional drawing which shows.

図３及び図４に示すように、フレームユニット１２は、アルミニウム等の材料でなる環状のフレーム１４を備えている。フレーム１４の中央部分には、このフレーム１４を第１面１４ａから第２面１４ｂに貫通する開口１４ｃが形成されている。開口１４ｃの形状は、例えば、第１面１４ａ側（又は第２面１４ｂ側）から見て概ね円形である。なお、フレーム１４の材質、形状、大きさ等に特段の制限はない。 As shown in FIGS. 3 and 4, the frame unit 12 includes an annular frame 14 made of a material such as aluminum. An opening 14c is formed in the central portion of the frame 14 so as to penetrate the frame 14 from the first surface 14a to the second surface 14b. The shape of the opening 14c is, for example, substantially circular when viewed from the first surface 14a side (or the second surface 14b side). There are no particular restrictions on the material, shape, size, etc. of the frame 14.

フレーム１４の第２面１４ｂには、ポリエチレン（ＰＥ）やポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等の材料でなるフィルム状のベースシート１６が、開口１４ｃを覆うように固定されている。具体的には、円形のベースシート１６の第１面１６ａ側の外周部分が、フレーム１４の第２面１４ｂに貼付されている。 A film-like base sheet 16 made of a material such as polyethylene (PE) or polyethylene terephthalate (PET) is fixed to the second surface 14b of the frame 14 so as to cover the opening 14c. Specifically, the outer peripheral portion of the circular base sheet 16 on the first surface 16a side is attached to the second surface 14b of the frame 14.

ベースシート１６は、例えば、被加工物１１を保護できる程度の柔軟性と、後述する静電気の力を阻害しない程度の絶縁性とを有している。ただし、ベースシート１６の材質、形状、厚さ、大きさ等に特段の制限はない。被加工物１１は、このベースシート１６の第１面１６ａ側で保持される。一方で、ベースシート１６の第２面１６ｂ側の中央部分には、上述した静電チャックプレート５が設けられている。 The base sheet 16 has, for example, flexibility enough to protect the workpiece 11 and insulating property not hindering the force of static electricity described later. However, there are no particular restrictions on the material, shape, thickness, size, etc. of the base sheet 16. The workpiece 11 is held on the first surface 16a side of the base sheet 16. On the other hand, the above-mentioned electrostatic chuck plate 5 is provided at the central portion of the base sheet 16 on the second surface 16b side.

静電チャックプレート５は、例えば、接着力のあるカバーシート１８によって、導電体膜３（正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃ）側がベースシート１６の第２面１６ｂ側に密着する態様で固定される。この場合には、ベース基板１の第２面１ｂ側をベースシート１６の第２面１６ｂ側に密着させる場合に比べて、導電体膜３から発生する電界を第１面１６ａ側の被加工物１１に効率よく作用させることができる。 In the electrostatic chuck plate 5, for example, the conductive film 3 (positive electrode pattern 3b and negative electrode pattern 3c) side is brought into close contact with the second surface 16b side of the base sheet 16 by the adhesive cover sheet 18. It is fixed. In this case, the electric field generated from the conductor film 3 is applied to the workpiece on the first surface 16a side as compared with the case where the second surface 1b side of the base substrate 1 is brought into close contact with the second surface 16b side of the base sheet 16. 11 can be made to act efficiently.

カバーシート１８は、例えば、ベースシート１６と同様の材料で形成される円形の基材シートと、基材シートの一方の面に設けられる接着剤層（糊層）とを含む。ここで、カバーシート１８（基材シート）の直径は、静電チャックプレート５（ベース基板１）の直径よりも大きい。ただし、カバーシート１８の材質、形状、厚さ、大きさ、構造等に特段の制限はない。 The cover sheet 18 includes, for example, a circular base sheet formed of the same material as the base sheet 16 and an adhesive layer (glue layer) provided on one surface of the base sheet. Here, the diameter of the cover sheet 18 (base material sheet) is larger than the diameter of the electrostatic chuck plate 5 (base substrate 1). However, there are no particular restrictions on the material, shape, thickness, size, structure, etc. of the cover sheet 18.

ベースシート１６の第２面１６ｂ側には、正の電極パターン３ｂに接続される第１配線２０ａと、負の電極パターン３ｃに接続される第２配線２０ｂとが配置されている。図３に示すように、フレーム１４の第１面１４ａ側には、給電ユニット２２が設けられており、第１配線２０ａ及び第２配線２０ｂは、例えば、フレーム４を回り込むようにして給電ユニット２２に接続される。 On the second surface 16b side of the base sheet 16, a first wiring 20a connected to the positive electrode pattern 3b and a second wiring 20b connected to the negative electrode pattern 3c are arranged. As shown in FIG. 3, a power feeding unit 22 is provided on the first surface 14a side of the frame 14, and the first wiring 20a and the second wiring 20b, for example, wrap around the frame 4 so that the power feeding unit 22 is provided. Connected to.

給電ユニット２２は、上述した正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃへの給電に使用される電池２４を収容するための電池ホルダ２２ａを備えている。また、電池ホルダ２２ａに隣接する位置には、正の電極パターン３ａ及び負の電極パターン３ｂへの給電と非給電とを切り替えるためのスイッチ２２ｂが設けられている。 The power supply unit 22 includes a battery holder 22a for accommodating the battery 24 used for power supply to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c described above. Further, a switch 22b for switching between feeding and non-feeding to the positive electrode pattern 3a and the negative electrode pattern 3b is provided at a position adjacent to the battery holder 22a.

例えば、スイッチ２２ｂを導通状態（オン状態）にすると、電池ホルダ２２ａに収容されている電池２４の電力が、第１配線２０ａ及び第２配線２０ｂを介して正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃへと供給される。一方で、スイッチ２２ｂを非導通状態（オフ状態）にすると、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃへの給電は停止する。 For example, when the switch 22b is put into a conductive state (on state), the electric power of the battery 24 housed in the battery holder 22a is transferred to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern via the first wiring 20a and the second wiring 20b. It is supplied to 3c. On the other hand, when the switch 22b is set to the non-conducting state (off state), the power supply to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c is stopped.

なお、図３及び図４では、給電ユニット２２をフレーム１４の第１面１４ａ側に配置しているが、給電ユニット２２の配置等に特段の制限はない。少なくとも、この給電ユニット２２は、フレームユニット１２を使用（すなわち、被加工物１１を吸着、保持）する際に邪魔にならない位置に配置されていれば良い。例えば、フレーム１４の開口１４ｃ内に給電ユニット２２を配置することもできる。また、電池２４は、ボタン型電池（コイン型電池）のような一次電池でも良いし、充電により繰り返し使用可能な２次電池でも良い。 Although the power supply unit 22 is arranged on the first surface 14a side of the frame 14 in FIGS. 3 and 4, there is no particular limitation on the arrangement of the power supply unit 22 and the like. At least, the power feeding unit 22 may be arranged at a position that does not interfere with the use of the frame unit 12 (that is, sucking and holding the workpiece 11). For example, the power supply unit 22 can be arranged in the opening 14c of the frame 14. Further, the battery 24 may be a primary battery such as a button type battery (coin type battery) or a secondary battery that can be repeatedly used by charging.

図５は、フレームユニット１２に被加工物１１を吸着させる様子を模式的に示す斜視図である。被加工物１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の材料でなる円盤状のウェーハである。この被加工物１１の表面１１ａ側は、格子状に設定された分割予定ライン（ストリート）１３で複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のデバイス１５が形成されている。 FIG. 5 is a perspective view schematically showing how the workpiece 11 is adsorbed on the frame unit 12. The workpiece 11 is, for example, a disk-shaped wafer made of a material such as silicon (Si). The surface 11a side of the workpiece 11 is divided into a plurality of regions by scheduled division lines (streets) 13 set in a grid pattern, and each region includes an IC (Integrated Circuit) and a MEMS (Micro Electro Mechanical). A device 15 such as Systems) is formed.

ただし、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる被加工物１１をフレームユニット１２で吸着、保持することもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。 However, there are no restrictions on the material, shape, structure, size, etc. of the workpiece 11. The work piece 11 made of other materials such as semiconductors, ceramics, resins, and metals can be adsorbed and held by the frame unit 12. Similarly, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the device 15.

フレームユニット１２に被加工物１１を吸着させる際には、まず、被加工物１１の裏面１１ｂ側とベースシート１６の第１面１６ａ側とが接触するように、被加工物１１をベースシート１６に載せる。より具体的には、被加工物１１をベースシート１６の静電チャックプレート５に対応する領域（中央部分）に載せる。次に、給電ユニット２２のスイッチ２２ｂを導通状態にして、電池２４の電力を正の電極パターン３ｂと負の電極パターン３ｃとに供給する。 When adsorbing the work piece 11 to the frame unit 12, first, the work piece 11 is brought into contact with the base sheet 16 so that the back surface 11b side of the work piece 11 and the first surface 16a side of the base sheet 16 come into contact with each other. Put on. More specifically, the workpiece 11 is placed on the region (central portion) of the base sheet 16 corresponding to the electrostatic chuck plate 5. Next, the switch 22b of the power feeding unit 22 is brought into a conductive state, and the electric power of the battery 24 is supplied to the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c.

これにより、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃの周りに電界が発生し、その効果として、被加工物１１と導電体膜３との間に静電気の力が作用する。この静電気の力により、被加工物１１は、フレームユニット１２に吸着、保持される。なお、被加工物１１と導電体膜３との間に作用する静電気の力には、クーロン力、ジョンソン・ラーベック力、グラジエント力等がある。 As a result, an electric field is generated around the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c, and as an effect, an electrostatic force acts between the workpiece 11 and the conductor film 3. The workpiece 11 is attracted to and held by the frame unit 12 by the force of static electricity. The electrostatic force acting between the workpiece 11 and the conductor film 3 includes a Coulomb force, a Johnson-Labeck force, a gradient force, and the like.

なお、本発明は、上記実施形態等の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、金属酸化物を含む導電体膜３をベース基板１に設けた後に、この導電体膜３をレーザービーム６ａでアブレーション加工しているが、別の手順で静電チャックプレート５を製造することもできる。 The present invention is not limited to the description of the above embodiment and can be implemented with various modifications. For example, in the above embodiment, after the conductor film 3 containing the metal oxide is provided on the base substrate 1, the conductor film 3 is ablated with the laser beam 6a, but the electrostatic chuck plate is subjected to another procedure. 5 can also be manufactured.

図６（Ａ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で導電体膜３がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図である。変形例に係る静電チャックプレートの製造方法では、まず、金属酸化物を含む導電体膜３が設けられた樹脂シート７を準備する樹脂シート準備ステップを行う。 FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing how the conductor film 3 is ablated by the method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to a modified example. In the method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to a modified example, first, a resin sheet preparation step of preparing a resin sheet 7 provided with a conductor film 3 containing a metal oxide is performed.

樹脂シート７は、例えば、可視域の光に対して透明なポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等の樹脂材で形成されており、その第１面７ａ側には、金属酸化物を含む導電体膜３が設けられている。このような導電体膜３付きの樹脂シート７としては、例えば、日東電工株式会社製の透明導電性フィルムＥＬＥＣＲＹＳＴＡ／エレクリスタ（登録商標）等を用いることができる。 The resin sheet 7 is formed of, for example, a resin material such as polyethylene terephthalate (PET) that is transparent to light in the visible region, and a conductor film 3 containing a metal oxide is formed on the first surface 7a side thereof. Is provided. As the resin sheet 7 with such a conductor film 3, for example, a transparent conductive film ELECRYSTA (registered trademark) manufactured by Nitto Denko KK can be used.

樹脂シート準備ステップの後には、樹脂シート７の第１面７ａ側に設けられた導電体膜３をレーザービーム６ａでアブレーション加工し、正負の電極を形成する電極形成ステップを行う。電極形成ステップは、例えば、レーザー加工装置２を用いて行われる。この変形例で使用されるレーザー加工装置２の構成の大部分は、上記実施形態で使用されるレーザー加工装置２と同じだが、そのレーザー発振器は、樹脂シート７に対して透過性を有し、導電体膜３をアブレーション加工できる波長のレーザービーム６ａをパルス発振するように構成される。 After the resin sheet preparation step, the conductor film 3 provided on the first surface 7a side of the resin sheet 7 is ablated with a laser beam 6a to perform an electrode forming step of forming positive and negative electrodes. The electrode forming step is performed using, for example, the laser processing apparatus 2. Most of the configurations of the laser processing device 2 used in this modification are the same as those of the laser processing device 2 used in the above embodiment, but the laser oscillator has transparency to the resin sheet 7. It is configured to pulse-oscillate a laser beam 6a having a wavelength capable of ablating the conductor film 3.

変形例に係る電極形成ステップでは、まず、レーザービーム６ａが照射される照射予定ライン（不図示）を導電体膜３に設定する。この照射予定ラインは、導電体膜３を２以上に分離する形状に設定される必要がある。ただし、照射予定ラインを設定するタイミングは任意で良い。少なくとも、導電体膜３に対してレーザービーム６ａを照射する前に照射予定ラインが設定されれば良い。 In the electrode forming step according to the modified example, first, an irradiation scheduled line (not shown) on which the laser beam 6a is irradiated is set on the conductor film 3. This irradiation schedule line needs to be set in a shape that separates the conductor film 3 into two or more. However, the timing of setting the scheduled irradiation line may be arbitrary. At least, the irradiation schedule line may be set before irradiating the conductor film 3 with the laser beam 6a.

次に、樹脂シート７の第２面７ｂ側をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、樹脂シート７は、第１面７ａ側に設けられている導電体膜３が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。次に、チャックテーブル４を回転、移動させて、樹脂シート７とレーザー照射ユニット６との位置関係を調整する。 Next, the second surface 7b side of the resin sheet 7 is brought into contact with the holding surface 4a of the chuck table 4, and the negative pressure of the suction source is applied. As a result, the resin sheet 7 is held on the chuck table 4 in a state where the conductor film 3 provided on the first surface 7a side is exposed upward. Next, the chuck table 4 is rotated and moved to adjust the positional relationship between the resin sheet 7 and the laser irradiation unit 6.

そして、導電体膜３に設定される照射予定ライン（不図示）に沿ってレーザービーム６ａが照射されるように、レーザー照射ユニット６から導電体膜３に向けてレーザービーム６ａを照射しながらチャックテーブル４を移動させる。これにより、アブレーション加工によって導電体膜３の一部を除去し、照射予定ラインに沿う絶縁領域３ａを形成できる。 Then, the chuck is while irradiating the laser beam 6a from the laser irradiation unit 6 toward the conductor film 3 so that the laser beam 6a is irradiated along the scheduled irradiation line (not shown) set on the conductor film 3. Move the table 4. As a result, a part of the conductor film 3 can be removed by ablation processing, and an insulating region 3a along the scheduled irradiation line can be formed.

なお、この変形例では、樹脂シート７に対して透過性を有する波長のレーザービーム６ａを導電体膜３に照射する。より具体的には、例えば、波長が１０００ｎｍ以上のレーザービーム６ａを、０．４４Ｊ/ｃｍ２以上８．８４Ｊ/ｃｍ２未満の条件で導電体膜３に照射することが望ましい。これにより、紫外域（波長：３６０ｎｍ未満）のレーザービームを用いる場合のように樹脂シート７を変質、損傷させることなく、導電体膜３の一部を除去して絶縁領域３ａを形成できる。 In this modification, the conductor film 3 is irradiated with a laser beam 6a having a wavelength that is transparent to the resin sheet 7. More specifically, for example, it is desirable to irradiate the conductor film 3 with a laser beam 6a having a wavelength of 1000 nm or more under the condition of 0.44 J / cm 2 or more and less than 8.84 J / cm 2. As a result, a part of the conductor film 3 can be removed to form the insulating region 3a without deteriorating or damaging the resin sheet 7 as in the case of using a laser beam in the ultraviolet region (wavelength: less than 360 nm).

照射予定ラインの全体に絶縁領域３ａが形成されると、導電体膜３は、この絶縁領域３ａによって正の電極パターン（正の電極）３ｂと負の電極パターン（負の電極）３ｃとに分離される。すなわち、樹脂シート７の第１面７ａ側に、正の電極パターン３ｂと負の電極パターン３ｃとが形成される。 When the insulating region 3a is formed on the entire irradiation schedule line, the conductor film 3 is separated into a positive electrode pattern (positive electrode) 3b and a negative electrode pattern (negative electrode) 3c by the insulating region 3a. Will be done. That is, a positive electrode pattern 3b and a negative electrode pattern 3c are formed on the first surface 7a side of the resin sheet 7.

電極形成ステップの後には、ベース基板１の第１面（絶縁面）１ａ側に正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを移設する電極移設ステップを行う。この電極移設ステップでは、例えば、樹脂シート７上の正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃをベース基板１の第１面１ａ側に貼付してから、樹脂シート７を剥離する。 After the electrode forming step, an electrode relocation step of relocating the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c to the first surface (insulating surface) 1a side of the base substrate 1 is performed. In this electrode transfer step, for example, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c on the resin sheet 7 are attached to the first surface 1a side of the base substrate 1, and then the resin sheet 7 is peeled off.

図６（Ｂ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でベース基板１に貼付された正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃから樹脂シート７が剥離される様子を模式的に示す断面図である。図６（Ｂ）に示すように、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃは、接着剤９を用いてベース基板１の第１面１ａ側に貼付される。なお、ベース基板１は、上記実施形態で使用されるベース基板１と同じで良い。 FIG. 6B schematically shows how the resin sheet 7 is peeled off from the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c attached to the base substrate 1 in the method of manufacturing the electrostatic chuck plate according to the modified example. It is sectional drawing which shows. As shown in FIG. 6B, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are attached to the first surface 1a side of the base substrate 1 by using the adhesive 9. The base substrate 1 may be the same as the base substrate 1 used in the above embodiment.

接着剤９を用いてベース基板１の第１面１ａ側に正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを貼付した後には、この正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃから樹脂シート７を剥離する。これにより、ベース基板１の第１面１ａ側に正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃが移設され、静電チャックプレート５ａが完成する。図６（Ｃ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で製造された静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。 After the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are attached to the first surface 1a side of the base substrate 1 using the adhesive 9, the resin sheet 7 is applied from the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c. Peel off. As a result, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c are transferred to the first surface 1a side of the base substrate 1, and the electrostatic chuck plate 5a is completed. FIG. 6C is a cross-sectional view schematically showing the structure of the electrostatic chuck plate manufactured by the method for manufacturing the electrostatic chuck plate according to the modified example.

このように、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でも、レーザービーム６ａで導電体膜３をアブレーション加工し、正の電極パターン（正の電極）３ｂ及び負の電極パターン（負の電極）３ｃを形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを形成できる。 As described above, also in the method of manufacturing the electrostatic chuck plate according to the modified example, the conductor film 3 is ablated with the laser beam 6a to form a positive electrode pattern (positive electrode) 3b and a negative electrode pattern (negative electrode). Since 3c is formed, the positive electrode pattern 3b and the negative electrode pattern 3c can be formed at a lower cost than when a method such as wet etching, which tends to be costly, is used.

その他、上記実施形態や変形例等に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, and the like according to the above-described embodiments and modifications can be appropriately modified and implemented as long as they do not deviate from the scope of the object of the present invention.

１ ベース基板
１ａ 第１面（絶縁面）
１ｂ 第２面
３ 導電体膜
３ａ 絶縁領域
３ｂ 正の電極パターン（正の電極）
３ｃ 負の電極パターン（負の電極）
５，５ａ 静電チャックプレート
７ 樹脂シート
７ａ 第１面
７ｂ 第２面
９ 接着剤
２ レーザー加工装置
４ チャックテーブル
４ａ 保持面
６ レーザー照射ユニット
６ａ レーザービーム
１２ フレームユニット
１４ フレーム
１４ａ 第１面
１４ｂ 第２面
１４ｃ 開口
１６ ベースシート
１６ａ 第１面
１６ｂ 第２面
１８ カバーシート
２０ａ 第１配線
２０ｂ 第２配線
２２ 給電ユニット
２２ａ 電池ホルダ
２２ｂ スイッチ
２４ 電池 1 Base substrate 1a 1st surface (insulation surface)
1b 2nd surface 3 Conductor film 3a Insulation area 3b Positive electrode pattern (positive electrode)
3c Negative electrode pattern (negative electrode)
5,5a Electrostatic chuck plate 7 Resin sheet 7a 1st surface 7b 2nd surface 9 Adhesive 2 Laser processing device 4 Chuck table 4a Holding surface 6 Laser irradiation unit 6a Laser beam 12 frame unit 14 frame 14a 1st surface 14b 2nd Surface 14c Opening 16 Base sheet 16a First surface 16b Second surface 18 Cover sheet 20a First wiring 20b Second wiring 22 Power supply unit 22a Battery holder 22b Switch 24 Battery

Claims (2)

被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、
第１面側に金属酸化物を含む導電体膜が設けられた樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、
該樹脂シート準備ステップの後、該樹脂シートに対して透過性を有する波長のレーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該樹脂シートの第１面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、
該電極形成ステップの後、該電極をベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に貼付し、該電極から該樹脂シートを剥離することで、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を移設する電極移設ステップと、を備えることを特徴とする静電チャックプレートの製造方法。 A method for manufacturing an electrostatic chuck plate that attracts and holds an workpiece by the force of static electricity.
A resin sheet preparation step for preparing a resin sheet provided with a conductor film containing a metal oxide on the first surface side, and
After the resin sheet preparation step, an electrode forming step in which the conductor film is ablated with a laser beam having a wavelength transparent to the resin sheet to form positive and negative electrodes on the first surface side of the resin sheet. When,
After the electrode forming step, the electrodes are attached to the insulating surface side of the base substrate made of an insulator, and the resin sheet is peeled off from the electrodes to transfer the positive and negative electrodes to the insulating surface side of the base substrate. A method of manufacturing an electrostatic chuck plate, comprising: 該樹脂シートは、可視域で透明な樹脂シートであり、
該レーザービームの波長は、１０００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャックプレートの製造方法。 The resin sheet is a resin sheet that is transparent in the visible region.
The method for manufacturing an electrostatic chuck plate according to claim 1 , wherein the wavelength of the laser beam is 1000 nm or more.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7159942B2 (en) * 2019-03-28 2022-10-25 株式会社村田製作所 Appearance inspection device
JP7426833B2 (en) 2020-01-15 2024-02-02 日本特殊陶業株式会社 Manufacturing method of sheet body
JP2021111744A (en) * 2020-01-15 2021-08-02 日本特殊陶業株式会社 Manufacturing method for conductive layer, manufacturing method for wiring board and manufacturing method for heater device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297805A (en) * 1998-04-13 1999-10-29 Tomoegawa Paper Co Ltd Electrostatic chucking device, laminated sheet and bonding agent therefor
JP4465954B2 (en) * 2002-10-31 2010-05-26 ソニー株式会社 Method for manufacturing display device having transparent conductive film
JP2004235563A (en) * 2003-01-31 2004-08-19 Tomoegawa Paper Co Ltd Electrode sheet for electrostatic chuck device and electrostatic chuck device using it
JPWO2008108146A1 (en) * 2007-03-01 2010-06-10 株式会社クリエイティブ テクノロジー Electrostatic chuck
US7929269B2 (en) * 2008-09-04 2011-04-19 Momentive Performance Materials Inc. Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity
DE102011014162B4 (en) * 2011-03-16 2019-12-05 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co Method for producing a carrier of an electrostatic clamp
JP2013152514A (en) * 2012-01-24 2013-08-08 Toppan Printing Co Ltd Method of manufacturing touch panel sensor device, and touch panel sensor device
GB2509985A (en) * 2013-01-22 2014-07-23 M Solv Ltd Method of forming patterns on coatings on opposite sides of a transparent substrate
JP6576019B2 (en) * 2014-02-14 2019-09-18 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 Transparent electrode film manufacturing method and laser processing machine
JP6433204B2 (en) 2014-09-01 2018-12-05 株式会社ディスコ Electrostatic support plate and method for manufacturing electrostatic support plate
JP6463936B2 (en) * 2014-10-01 2019-02-06 日本特殊陶業株式会社 Manufacturing method of parts for semiconductor manufacturing equipment
JP6519277B2 (en) * 2015-03-31 2019-05-29 日本電気硝子株式会社 Substrate with transparent conductive film
JP2018518055A (en) * 2015-06-04 2018-07-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Transparent electrostatic carrier

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