JP2016051836A - Electrostatic support plate and method of manufacturing electrostatic support plate - Google Patents
Electrostatic support plate and method of manufacturing electrostatic support plate Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016051836A JP2016051836A JP2014176773A JP2014176773A JP2016051836A JP 2016051836 A JP2016051836 A JP 2016051836A JP 2014176773 A JP2014176773 A JP 2014176773A JP 2014176773 A JP2014176773 A JP 2014176773A JP 2016051836 A JP2016051836 A JP 2016051836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- support plate
- insulating layer
- electrostatic support
- cutting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 47
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ウェーハを静電気で吸着して支持する静電支持プレート、及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an electrostatic support plate for adsorbing and supporting a wafer with static electricity, and a method for manufacturing the same.
ストリートと呼ばれる分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域に、それぞれＩＣ等のデバイスが形成されたウェーハは、例えば、裏面側を研削された後に、各デバイスに対応する複数のデバイスチップに分割され、電子機器等に組み込まれる。ウェーハの裏面側を研削する際には、表面側に保護テープを貼着してデバイスを保護するとともに、ウェーハを保護テープで支持するようにしている。 A wafer on which devices such as ICs are formed in a plurality of areas on the front side divided by dividing lines called streets, for example, after the back side is ground, and then, on a plurality of device chips corresponding to each device Divided and incorporated into electronic devices. When grinding the back side of the wafer, a protective tape is attached to the front side to protect the device, and the wafer is supported by the protective tape.
ところで、例えば、直径が３００ｍｍ、４５０ｍｍ等の大口径のウェーハを５０μｍ以下の厚みに研削すると、従来から使用されている保護テープでは研削後のウェーハを十分に支持できない。そのため、大口径のウェーハをデバイスチップの製造に用いる場合には、研削後のハンドリング等の際にウェーハを破損してしまう可能性が高くなっていた。 By the way, for example, when a large-diameter wafer having a diameter of 300 mm, 450 mm or the like is ground to a thickness of 50 μm or less, the conventionally used protective tape cannot sufficiently support the ground wafer. For this reason, when a large-diameter wafer is used for manufacturing a device chip, there is a high possibility that the wafer will be damaged during handling after grinding.
この問題に対し、例えば、ガラス、セラミックス、シリコン等の材料でなる剛性の高い支持プレートにウェーハを貼着して研削する研削方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、この研削方法では、ウェーハが接着剤で支持プレートに貼着されるので、研削後の薄くなったウェーハを支持プレートから容易に剥離できない。 In order to solve this problem, for example, a grinding method has been proposed in which a wafer is adhered to a highly rigid support plate made of a material such as glass, ceramics, or silicon, and then ground (see, for example, Patent Document 1). However, in this grinding method, since the wafer is adhered to the support plate with an adhesive, the thinned wafer after grinding cannot be easily peeled off from the support plate.
近年では、接着剤を用いることなくウェーハを支持できる支持プレートも提案されている（例えば、特許文献２参照）。この支持プレートは、ウェーハとの間に作用する静電気の引力でウェーハを吸着して支持するので、静電気を除去すればウェーハを支持プレートから容易に剥離できる。 In recent years, a support plate that can support a wafer without using an adhesive has also been proposed (see, for example, Patent Document 2). Since the support plate attracts and supports the wafer by electrostatic attraction acting between the wafer and the wafer, the wafer can be easily peeled from the support plate if the static electricity is removed.
しかしながら、上述した静電型の支持プレートでウェーハを支持すると、研削等の際にウェーハが支持プレートから剥離して破損することがあった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハを適切に支持できる静電支持プレート及び静電支持プレートの製造方法を提供することである。 However, when the wafer is supported by the electrostatic support plate described above, the wafer may be peeled off from the support plate and damaged during grinding or the like. The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an electrostatic support plate capable of appropriately supporting a wafer and a method for manufacturing the electrostatic support plate.
本発明によれば、ウェーハを静電吸着して支持する静電支持プレートであって、電極部が埋設された平坦な電気絶縁層を表面に備えるプレート本体と、吸着するウェーハの周縁部と対面する該電気絶縁層の領域に環状に配設された弾性部材と、を備え、該弾性部材は、該電気絶縁層の表面より突出し、ウェーハの吸着時にウェーハによって押圧され該電気絶縁層と面一となることを特徴とする静電支持プレートが提供される。 According to the present invention, there is an electrostatic support plate for electrostatically adsorbing and supporting a wafer, the plate body having a flat electrical insulating layer with an electrode portion embedded therein, and the peripheral portion of the wafer to be adsorbed An elastic member disposed in a ring shape in the region of the electrical insulating layer, and the elastic member protrudes from the surface of the electrical insulating layer and is pressed by the wafer when the wafer is attracted to be flush with the electrical insulating layer. An electrostatic support plate is provided.
また、本発明によれば、上記静電支持プレートの製造方法であって、内部に電極部が埋設された電気絶縁層を表面に備えるプレート部材を準備するプレート部材準備ステップと、該電気絶縁層側が露出するように該プレート部材をバイト切削装置のチャックテーブルで保持し、該電気絶縁層をバイト工具で切削して表面を平坦化し、該プレート本体を形成する平坦化ステップと、該平坦化ステップを実施した後に、該電気絶縁層側が露出するように該プレート本体を切削装置のチャックテーブルで保持し、吸着するウェーハの周縁部と対面する該電気絶縁層の領域に切削ブレードを切り込ませつつ該プレート本体を回転させ、該プレート本体の表面に環状の切削溝を形成する環状溝形成ステップと、該環状溝形成ステップを実施した後に、該環状の切削溝に該弾性部材を配設する弾性部材配設ステップと、を備えることを特徴とする静電支持プレートの製造方法が提供される。 According to the present invention, there is also provided a plate member preparation step for preparing a plate member including a surface on which an electric insulating layer having an electrode portion embedded therein is provided, and the electric insulating layer. A flattening step in which the plate member is held by a chuck table of a cutting tool so that the side is exposed, the surface is flattened by cutting the electrical insulating layer with a cutting tool, and the flattening step is formed. Then, the plate body is held by the chuck table of the cutting device so that the electric insulating layer side is exposed, and the cutting blade is cut into the region of the electric insulating layer facing the peripheral edge of the wafer to be adsorbed. An annular groove forming step for rotating the plate body to form an annular cutting groove on the surface of the plate body, and after performing the annular groove forming step, An elastic member disposed step of disposing the elastic member Jo cutting grooves, the manufacturing method of the electrostatic support plate, characterized in that it comprises a are provided.
本発明に係る静電支持プレートは、電極部が埋設された平坦な電気絶縁層を表面に備えるプレート本体を有するので、ウェーハを平坦な電気絶縁層に接触させて強い吸着力を得ることができる。また、ウェーハと接触する電気絶縁層が平坦に形成されているので、外力による歪みでウェーハが破損してしまうこともない。 The electrostatic support plate according to the present invention has a plate body having a flat electrical insulating layer with an electrode portion embedded on the surface thereof, so that a strong adsorption force can be obtained by bringing the wafer into contact with the flat electrical insulating layer. . In addition, since the electrical insulating layer in contact with the wafer is formed flat, the wafer is not damaged by distortion due to external force.
さらに、本発明に係る静電支持プレートは、ウェーハの周縁部に対応して配設された弾性部材を有するので、ウェーハと静電支持プレートとの隙間に水等の異物が侵入し難くなり、また、ウェーハと静電支持プレートとの間の衝撃を緩和できる。これにより、ウェーハは静電支持プレートから剥離し難くなる。 Furthermore, since the electrostatic support plate according to the present invention has an elastic member arranged corresponding to the peripheral portion of the wafer, it becomes difficult for foreign matters such as water to enter the gap between the wafer and the electrostatic support plate, Moreover, the impact between the wafer and the electrostatic support plate can be reduced. This makes it difficult for the wafer to peel from the electrostatic support plate.
よって、本発明によれば、ウェーハを適切に支持できる静電支持プレート及び静電支持プレートの製造方法を提供できる。 Therefore, according to this invention, the manufacturing method of the electrostatic support plate which can support a wafer appropriately, and an electrostatic support plate can be provided.
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本実施形態に係る静電支持プレートを模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、静電支持プレートを模式的に示す断面図である。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1A is a perspective view schematically showing the electrostatic support plate according to the present embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view schematically showing the electrostatic support plate.
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、本実施形態の静電支持プレート１は、円盤状のプレート本体３を備えている。プレート本体３は、対象のウェーハ２１（図４（Ａ）等参照）の全体を支持できるように、ウェーハ２１と同程度の径（又は、ウェーハ２１以上の径）に形成されている。 As shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B), the electrostatic support plate 1 of this embodiment includes a disk-shaped plate body 3. The plate body 3 is formed to have the same diameter as the wafer 21 (or a diameter larger than that of the wafer 21) so that the entire target wafer 21 (see FIG. 4A) can be supported.
プレート本体３は、シリコン等の導電性材料でなる円盤状の基材５を含んでいる。この基材５の上面には、上方に突出した接続部５ａが設けられている。また、平面視で接続部５ａと重ならない位置には、基材５を上下に貫通する開口５ｂが形成されている。 The plate body 3 includes a disk-shaped substrate 5 made of a conductive material such as silicon. On the upper surface of the base material 5, a connecting portion 5a protruding upward is provided. Moreover, the opening 5b which penetrates the base material 5 up and down is formed in the position which does not overlap with the connection part 5a by planar view.
プレート本体３の上面（表面）側には、ポリイミド等の絶縁性材料でなる絶縁層（電気絶縁層）７が配置されている。絶縁層７の上面（表面）７ａは、略平坦に形成されており、接続部５ａの上端面と面一になっている。具体的には、絶縁層７の上面７ａは、算術平均粗さ（Ｒａ）が５（μｍ）以下、好ましくは１（μｍ）以下となるように形成されている。 An insulating layer (electrical insulating layer) 7 made of an insulating material such as polyimide is disposed on the upper surface (front surface) side of the plate body 3. The upper surface (surface) 7a of the insulating layer 7 is formed to be substantially flat, and is flush with the upper end surface of the connection portion 5a. Specifically, the upper surface 7a of the insulating layer 7 is formed so that the arithmetic average roughness (Ra) is 5 (μm) or less, preferably 1 (μm) or less.
基材５の接続部５ａは、絶縁層７の開口７ｂにおいて上面側に露出している。そのため、絶縁層７の上面７ａにウェーハ２１を載置すると、接続部５ａはウェーハ２１と電気的に接続する。また、絶縁層７は、基材５を上下に貫通する開口５ｂの内部にも形成されており、開口５ｂの内面を覆っている。 The connection portion 5 a of the base material 5 is exposed on the upper surface side in the opening 7 b of the insulating layer 7. Therefore, when the wafer 21 is placed on the upper surface 7 a of the insulating layer 7, the connection portion 5 a is electrically connected to the wafer 21. The insulating layer 7 is also formed inside the opening 5b penetrating the base material 5 up and down, and covers the inner surface of the opening 5b.
この絶縁層７には、金属等の導電性材料でなり、電極として機能する導電層（電極部）９が埋設されている。導電層９は、例えば、絶縁層７の上面７ａと略平行な平板状に形成されている。導電層９の下面には、開口５ｂに対応した接続部９ａが設けられており、接続部９ａの下端面は、基材５の開口５ｂにおいて下面側に露出している。なお、基材５と導電層９（接続部９ａ）とは、絶縁層７で絶縁されている。 A conductive layer (electrode portion) 9 made of a conductive material such as metal and functioning as an electrode is embedded in the insulating layer 7. For example, the conductive layer 9 is formed in a flat plate shape substantially parallel to the upper surface 7 a of the insulating layer 7. A connection portion 9 a corresponding to the opening 5 b is provided on the lower surface of the conductive layer 9, and the lower end surface of the connection portion 9 a is exposed on the lower surface side in the opening 5 b of the base material 5. The base material 5 and the conductive layer 9 (connecting portion 9a) are insulated by the insulating layer 7.
絶縁層７の上面７ａには、ウェーハ２１の周縁部と対面する位置に環状の溝（切削溝）７ｃが形成されている。この溝７ｃには、シリコーン樹脂等の弾性材料でなる環状の弾性部材１１が配設されている。弾性部材１１は、絶縁層７の上面７ａから上方に突出しており、ウェーハ２１の吸着時には、例えば、ウェーハ２１の自重で上面７ａと略面一になるように弾性変形する。 An annular groove (cutting groove) 7 c is formed on the upper surface 7 a of the insulating layer 7 at a position facing the peripheral edge of the wafer 21. An annular elastic member 11 made of an elastic material such as silicone resin is disposed in the groove 7c. The elastic member 11 protrudes upward from the upper surface 7 a of the insulating layer 7, and is elastically deformed so as to be substantially flush with the upper surface 7 a by the weight of the wafer 21 when the wafer 21 is attracted.
このような弾性部材１１を用いることで、支持したウェーハ２１と静電支持プレート１との隙間に水等の異物が侵入し難くなり、また、ウェーハ２１と静電支持プレート１との間の衝撃を緩和できる。これにより、ウェーハ２１は静電支持プレート１から剥離し難くなる。 By using such an elastic member 11, it becomes difficult for foreign substances such as water to enter the gap between the supported wafer 21 and the electrostatic support plate 1, and the impact between the wafer 21 and the electrostatic support plate 1. Can be relaxed. This makes it difficult for the wafer 21 to be separated from the electrostatic support plate 1.
次に、上述した静電支持プレート１の製造方法を説明する。まず、静電支持プレート１の製造に用いるプレート部材を準備するプレート部材準備ステップを実施する。図２（Ａ）は、プレート部材準備ステップを模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、プレート部材準備ステップを模式的に示す断面図である。 Next, the manufacturing method of the electrostatic support plate 1 described above will be described. First, a plate member preparation step of preparing a plate member used for manufacturing the electrostatic support plate 1 is performed. FIG. 2A is a perspective view schematically showing the plate member preparation step, and FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing the plate member preparation step.
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、プレート部材１３は、多くの部分でプレート本体３と共通している。すなわち、プレート部材１３は、円盤状の基材５、基材５に形成された絶縁層（電気絶縁層）７、及び絶縁層７に埋設された導電層（電極部）９を含む。各部の詳細は上述の通りである。 As shown in FIGS. 2A and 2B, the plate member 13 is common to the plate body 3 in many parts. That is, the plate member 13 includes a disk-shaped base material 5, an insulating layer (electrical insulating layer) 7 formed on the base material 5, and a conductive layer (electrode part) 9 embedded in the insulating layer 7. Details of each part are as described above.
ただし、絶縁層７の上面７ａの平坦性は、上述したプレート本体３の条件を満たしていない。すなわち、プレート部材１３では、絶縁層７の上面７ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が５（μｍ）より大きくなっている。 However, the flatness of the upper surface 7a of the insulating layer 7 does not satisfy the conditions of the plate body 3 described above. That is, in the plate member 13, the arithmetic average roughness (Ra) of the upper surface 7a of the insulating layer 7 is larger than 5 (μm).
そのため、このプレート部材１３をそのまま用いると、ウェーハ２１（特に、薄いウェーハ）を適切に吸着支持できず、研削等の際にウェーハ２１がプレート部材１３から剥離して破損する可能性が高い。 For this reason, if the plate member 13 is used as it is, the wafer 21 (particularly a thin wafer) cannot be adequately sucked and supported, and there is a high possibility that the wafer 21 is peeled off from the plate member 13 during grinding or the like.
そこで、プレート部材準備ステップの後には、プレート部材１３の絶縁層７をバイト工具で切削して上面７ａを平坦化する平坦化ステップを実施する。図３（Ａ）は、平坦化ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 Therefore, after the plate member preparation step, a flattening step is performed in which the insulating layer 7 of the plate member 13 is cut with a bite tool to flatten the upper surface 7a. FIG. 3A is a partial cross-sectional side view schematically showing the planarization step.
図３（Ａ）に示すように、平坦化ステップは、バイト切削装置２で実施される。バイト切削装置２は、プレート部材１３の基材５側を吸引保持するチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構で水平方向に移動する。 As shown in FIG. 3A, the flattening step is performed by the cutting tool 2. The cutting tool 2 includes a chuck table 4 that sucks and holds the base member 5 side of the plate member 13. A moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 4, and the chuck table 4 moves in the horizontal direction by this moving mechanism.
チャックテーブル４の上面（表面）は、プレート部材１３を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、プレート部材１３を吸引する吸引力が発生する。チャックテーブル４の上方には、バイト切削ユニット６が配置されている。 The upper surface (front surface) of the chuck table 4 is a holding surface for sucking and holding the plate member 13. A negative pressure of a suction source (not shown) acts on the holding surface through a flow path (not shown) formed inside the chuck table 4 to generate a suction force for sucking the plate member 13. A cutting tool unit 6 is disposed above the chuck table 4.
バイト切削ユニット６は、鉛直方向に伸びる回転軸を構成するスピンドル８を備えている。スピンドル８の下端部には、円盤状の工具マウント１０が固定されており、この工具マウント１０には、バイト工具１２が装着されている。バイト工具１２は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成された基台１２ａを含む。基台１２ａの下面には、ダイヤモンド等でなる切り刃（バイト）１２ｂが固定されている。 The cutting tool unit 6 includes a spindle 8 that constitutes a rotating shaft extending in the vertical direction. A disk-shaped tool mount 10 is fixed to the lower end portion of the spindle 8, and a tool tool 12 is attached to the tool mount 10. The bite tool 12 includes a base 12a formed of a metal material such as aluminum or stainless steel. A cutting blade (bite) 12b made of diamond or the like is fixed to the lower surface of the base 12a.
スピンドル８の上端側には、モータ等の回転機構（不図示）が連結されており、バイト工具１２は、回転機構から伝達される回転力で回転する。また、このバイト工具１２は、スピンドル８を支持する昇降機構（不図示）で任意の高さに位置付けられる。 A rotation mechanism (not shown) such as a motor is connected to the upper end side of the spindle 8, and the bite tool 12 rotates with the rotational force transmitted from the rotation mechanism. The bite tool 12 is positioned at an arbitrary height by an elevating mechanism (not shown) that supports the spindle 8.
平坦化ステップでは、まず、絶縁層７の上面７ａ側が露出するように、プレート部材１３（基材５側）をチャックテーブル４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、プレート部材１３はチャックテーブル４に吸引保持される。 In the planarization step, first, the plate member 13 (base material 5 side) is brought into contact with the holding surface of the chuck table 4 so that the upper surface 7a side of the insulating layer 7 is exposed, and negative pressure of the suction source is applied. As a result, the plate member 13 is sucked and held by the chuck table 4.
次に、チャックテーブル４で吸引保持したプレート部材１３の絶縁層７と接触する高さに切り刃１２ｂを位置付け、バイト工具１２を回転させながらチャックテーブル４を水平方向に移動させる。これにより、図３（Ａ）に示すように、絶縁層７の上面７ａを切削して平坦化できる。 Next, the cutting blade 12b is positioned at a height in contact with the insulating layer 7 of the plate member 13 sucked and held by the chuck table 4, and the chuck table 4 is moved in the horizontal direction while rotating the cutting tool 12. As a result, as shown in FIG. 3A, the upper surface 7a of the insulating layer 7 can be cut and flattened.
なお、ここでは、絶縁層７の上面７ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が５（μｍ）以下、好ましくは１（μｍ）以下となるように絶縁層７を切削する。この平坦化ステップにより、絶縁層７の上面７ａを平坦化したプレート本体３が形成される。 Here, the insulating layer 7 is cut so that the arithmetic average roughness (Ra) of the upper surface 7a of the insulating layer 7 is 5 (μm) or less, preferably 1 (μm) or less. By this planarization step, the plate body 3 in which the upper surface 7a of the insulating layer 7 is planarized is formed.
平坦化ステップの後には、絶縁層７の上面７ａに環状の溝７ｃを形成する環状溝形成ステップを実施する。図３（Ｂ）は、環状溝形成ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 After the planarization step, an annular groove forming step for forming an annular groove 7c on the upper surface 7a of the insulating layer 7 is performed. FIG. 3B is a partial cross-sectional side view schematically showing the annular groove forming step.
図３（Ｂ）に示すように、環状溝形成ステップは、切削装置１４で実施される。切削装置１４は、プレート本体３を吸引保持するチャックテーブル１６を備えている。チャックテーブル１６は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１６の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル１６は、この移動機構で水平方向に移動する。 As shown in FIG. 3B, the annular groove forming step is performed by the cutting device 14. The cutting device 14 includes a chuck table 16 that sucks and holds the plate body 3. The chuck table 16 is connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis extending in the vertical direction. A moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 16, and the chuck table 16 is moved in the horizontal direction by the moving mechanism.
チャックテーブル１６の上面（表面）は、プレート本体３を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブル１６の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、プレート本体３を吸引する吸引力が発生する。 The upper surface (front surface) of the chuck table 16 is a holding surface for sucking and holding the plate body 3. A negative pressure of a suction source (not shown) acts on the holding surface through a flow path (not shown) formed inside the chuck table 16 to generate a suction force for sucking the plate body 3.
チャックテーブル１６の上方には、切削ユニット１８が配置されている。この切削ユニット１８は、水平方向に伸びる回転軸を構成するスピンドル２０と、スピンドル２０の一端側に装着された切削ブレード２２とを含んでいる。スピンドル２０の他端側には、モータ等の回転機構（不図示）が連結されており、切削ブレード２２は回転機構の回転力で回転する。また、切削ブレード２２は、スピンドル２０を支持する昇降機構（不図示）で任意の高さに位置付けられる。 A cutting unit 18 is disposed above the chuck table 16. The cutting unit 18 includes a spindle 20 constituting a rotating shaft extending in the horizontal direction, and a cutting blade 22 attached to one end side of the spindle 20. A rotation mechanism (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 20, and the cutting blade 22 is rotated by the rotation force of the rotation mechanism. The cutting blade 22 is positioned at an arbitrary height by an elevating mechanism (not shown) that supports the spindle 20.
環状溝形成ステップでは、まず、絶縁層７の上面７ａ側が露出するように、プレート本体３（基材５側）をチャックテーブル１６の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、プレート本体３はチャックテーブル１６に吸引保持される。 In the annular groove forming step, first, the plate body 3 (base material 5 side) is brought into contact with the holding surface of the chuck table 16 so that the upper surface 7a side of the insulating layer 7 is exposed, and the negative pressure of the suction source is applied. As a result, the plate body 3 is sucked and held by the chuck table 16.
次に、チャックテーブル１６と切削ユニット１８とを相対移動させて、プレート本体３において溝７ｃを形成すべき位置（ウェーハ２１の周縁部と対面する位置）の上方に切削ブレード２２を位置付ける。この状態で、切削ブレード２２を回転させてプレート本体３（絶縁層７）に切り込ませ、チャックテーブル１６を回転させることで、環状の溝７ｃを形成できる。 Next, the chuck table 16 and the cutting unit 18 are moved relative to each other, and the cutting blade 22 is positioned above the position where the groove 7 c is to be formed in the plate body 3 (the position facing the peripheral edge of the wafer 21). In this state, the cutting blade 22 is rotated and cut into the plate body 3 (insulating layer 7), and the chuck table 16 is rotated, whereby the annular groove 7c can be formed.
環状溝形成ステップの後には、環状の溝７ｃに弾性部材１１を配設する弾性部材配設ステップを実施する。図３（Ｃ）は、弾性部材配設ステップを模式的に示す断面図である。図３（Ｃ）に示すように、弾性部材１１は、絶縁層７の上面７ａから上方に突出する高さで形成されている。溝７ｃに弾性部材１１が配設されると、静電支持プレート１は完成する。 After the annular groove forming step, an elastic member disposing step of disposing the elastic member 11 in the annular groove 7c is performed. FIG. 3C is a cross-sectional view schematically showing the elastic member disposing step. As shown in FIG. 3C, the elastic member 11 is formed with a height that protrudes upward from the upper surface 7 a of the insulating layer 7. When the elastic member 11 is disposed in the groove 7c, the electrostatic support plate 1 is completed.
次に、上述した静電支持プレート１を用いてウェーハ２１を研削する方法について説明する。図４（Ａ）は、静電支持プレート１にウェーハ２１が載置される様子を模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、静電支持プレート１でウェーハ２１を吸着支持した様子を模式的に示す断面図であり、図４（Ｃ）は、静電支持プレート１で吸着支持したウェーハ２１が研削される様子を模式的に示す一部断面側面図である。 Next, a method for grinding the wafer 21 using the above-described electrostatic support plate 1 will be described. FIG. 4A is a cross-sectional view schematically showing how the wafer 21 is placed on the electrostatic support plate 1, and FIG. 4B shows that the wafer 21 is sucked and supported by the electrostatic support plate 1. FIG. 4C is a partial cross-sectional side view schematically showing how the wafer 21 attracted and supported by the electrostatic support plate 1 is ground.
図４（Ａ）に示すように、まず、弾性部材１１にウェーハ２１の周縁部を重ねるように、静電支持プレート１の上面側にウェーハ２１を載置する。その結果、ウェーハ１１の自重で弾性部材１１が撓み、静電支持プレート１の上面にウェーハ２１の下面２１ｂが接触する。すなわち、静電支持プレート１の接続部５ａとウェーハ２１とが電気的に接続される。 As shown in FIG. 4A, first, the wafer 21 is placed on the upper surface side of the electrostatic support plate 1 so that the peripheral edge of the wafer 21 is overlapped with the elastic member 11. As a result, the elastic member 11 is bent by its own weight, and the lower surface 21 b of the wafer 21 is in contact with the upper surface of the electrostatic support plate 1. That is, the connection portion 5a of the electrostatic support plate 1 and the wafer 21 are electrically connected.
この状態で、静電支持プレート１の基材５に第１の電荷（例えば、正電荷）を与えると、接続部５ａを介してウェーハ２１に第１の電荷が流れ込む。その結果、ウェーハ２１には、第１の電荷が蓄積される。また、第１の電荷とは極性の異なる第２の電荷（例えば、負電荷）を接続部９ａに与えると、導電層９に第２の電荷が流れ込む。その結果、導電層９には、第２の電荷が蓄積される。 In this state, when a first charge (for example, positive charge) is applied to the base material 5 of the electrostatic support plate 1, the first charge flows into the wafer 21 through the connection portion 5a. As a result, the first charge is accumulated on the wafer 21. Further, when a second charge (for example, a negative charge) having a polarity different from that of the first charge is applied to the connection portion 9a, the second charge flows into the conductive layer 9. As a result, the second charge is accumulated in the conductive layer 9.
これにより、導電層９とウェーハ２１との間には静電気による吸着力が作用し、図４（Ｂ）に示すように、ウェーハ２１は静電支持プレート１に吸着支持される。なお、静電支持プレート１とウェーハ２１との間に作用する吸着力は、基材５と導電層９との電荷が失われない限りにおいて維持される。 As a result, an electrostatic attraction force acts between the conductive layer 9 and the wafer 21, and the wafer 21 is adsorbed and supported by the electrostatic support plate 1 as shown in FIG. The adsorption force acting between the electrostatic support plate 1 and the wafer 21 is maintained as long as the charges between the base material 5 and the conductive layer 9 are not lost.
その後、静電支持プレート１に吸着支持されたウェーハ２１を、図４（Ｃ）に示す研削装置２４で研削する。研削装置２４は、静電支持プレート１を介してウェーハ２１を吸引保持するチャックテーブル２６を備えている。 Thereafter, the wafer 21 adsorbed and supported by the electrostatic support plate 1 is ground by a grinding device 24 shown in FIG. The grinding device 24 includes a chuck table 26 that sucks and holds the wafer 21 via the electrostatic support plate 1.
チャックテーブル２６は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、鉛直方向に伸びる回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル２６の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル２６は、この移動機構で水平方向に移動する。 The chuck table 26 is connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation shaft extending in the vertical direction. A moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 26, and the chuck table 26 is moved in the horizontal direction by the moving mechanism.
チャックテーブル２６の上面（表面）は、静電支持プレート１を吸引保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブル２６の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、静電支持プレート１を吸引する吸引力が発生する。 The upper surface (front surface) of the chuck table 26 is a holding surface that holds the electrostatic support plate 1 by suction. A negative pressure of a suction source (not shown) acts on the holding surface through a flow path (not shown) formed inside the chuck table 26, and a suction force for sucking the electrostatic support plate 1 is generated.
チャックテーブル２６の上方には、研削ユニット２８が配置されている。切削ユニット２８は、鉛直方向に伸びる回転軸を構成するスピンドル３０を備えている。スピンドル３０の下端部には、円盤状のホイールマウント３２が固定されており、このホイールマウント３２には、研削ホイール３４が装着されている。 A grinding unit 28 is disposed above the chuck table 26. The cutting unit 28 includes a spindle 30 that constitutes a rotating shaft extending in the vertical direction. A disc-shaped wheel mount 32 is fixed to the lower end portion of the spindle 30, and a grinding wheel 34 is attached to the wheel mount 32.
研削ホイール３４は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成されたホイール基台３４ａを含む。ホイール基台３４ａの環状の下面には、全周にわたって複数の研削砥石３４ｂが固定されている。 The grinding wheel 34 includes a wheel base 34a formed of a metal material such as aluminum or stainless steel. A plurality of grinding wheels 34b are fixed to the annular lower surface of the wheel base 34a over the entire circumference.
スピンドル３０の上端側には、モータ等の回転機構（不図示）が連結されており、研削ホイール３４は、回転機構から伝達される回転力で回転する。また、研削ホイール３４は、スピンドル３０を支持する昇降機構（不図示）で昇降する。 A rotation mechanism (not shown) such as a motor is connected to the upper end side of the spindle 30, and the grinding wheel 34 rotates with the rotational force transmitted from the rotation mechanism. The grinding wheel 34 is raised and lowered by an elevating mechanism (not shown) that supports the spindle 30.
まず、ウェーハ２１の上面２１ａ側が露出するように、静電支持プレート１の下面側をチャックテーブル２６の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ２１は静電支持プレート１を介してチャックテーブル２６に吸引保持される。次に、チャックテーブル２６を移動させて、ウェーハ２１を研削ユニット２８の下方に位置付ける。 First, the lower surface side of the electrostatic support plate 1 is brought into contact with the holding surface of the chuck table 26 so that the upper surface 21a side of the wafer 21 is exposed, and the negative pressure of the suction source is applied. As a result, the wafer 21 is sucked and held on the chuck table 26 via the electrostatic support plate 1. Next, the chuck table 26 is moved to position the wafer 21 below the grinding unit 28.
この状態で、チャックテーブル２６とスピンドル３０とを、それぞれ所定の回転方向に回転させつつ、スピンドル３０を下降させて、ウェーハ２１の上面２１ａ側に研削砥石３４ｂを接触させる。ここで、ウェーハ２１及び研削砥石３４ｂには、近傍に配置されたノズル（不図示）から研削水（純水等）を供給しておく。スピンドル３０を所定の送り速度で下降させることで、ウェーハ２１の上面２１ａ側を研削できる。 In this state, the spindle 30 is lowered while rotating the chuck table 26 and the spindle 30 in a predetermined rotation direction, and the grinding wheel 34 b is brought into contact with the upper surface 21 a side of the wafer 21. Here, grinding water (pure water or the like) is supplied to the wafer 21 and the grinding wheel 34b from a nozzle (not shown) arranged in the vicinity. The upper surface 21a side of the wafer 21 can be ground by lowering the spindle 30 at a predetermined feed rate.
以上のように、本実施形態に係る静電支持プレート１は、導電層（電極部）９が埋設された平坦な絶縁層（電気絶縁層）７を表面に備えるプレート本体３を有するので、ウェーハ２１を平坦な絶縁層７に接触させて強い吸着力を得ることができる。また、ウェーハ２１と接触する絶縁層７が平坦に形成されているので、外力による歪みでウェーハ２１が破損してしまうこともない。 As described above, the electrostatic support plate 1 according to the present embodiment includes the plate body 3 having the flat insulating layer (electrical insulating layer) 7 in which the conductive layer (electrode portion) 9 is embedded on the surface. 21 can be brought into contact with the flat insulating layer 7 to obtain a strong adsorption force. In addition, since the insulating layer 7 in contact with the wafer 21 is formed flat, the wafer 21 is not damaged by distortion due to external force.
さらに、本実施形態に係る静電支持プレート１は、ウェーハ２１の周縁部に対応して配設された弾性部材１１を有するので、ウェーハ２１と静電支持プレート１との隙間に水等の異物が侵入し難くなり、また、ウェーハ２１と静電支持プレート１との間の衝撃を緩和できる。これにより、ウェーハ２１は静電支持プレート１から剥離し難くなる。よって、本実施形態に係る静電支持プレート１でウェーハ２１を適切に支持できる。 Furthermore, since the electrostatic support plate 1 according to the present embodiment has the elastic member 11 disposed corresponding to the peripheral portion of the wafer 21, foreign matter such as water is present in the gap between the wafer 21 and the electrostatic support plate 1. Can hardly penetrate, and the impact between the wafer 21 and the electrostatic support plate 1 can be reduced. This makes it difficult for the wafer 21 to be separated from the electrostatic support plate 1. Therefore, the wafer 21 can be appropriately supported by the electrostatic support plate 1 according to the present embodiment.
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、研削時にウェーハ２１を支持する目的で静電支持プレート１を使用しているが、静電支持プレート１の用途は特に限定されない。 In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the above embodiment, the electrostatic support plate 1 is used for the purpose of supporting the wafer 21 during grinding, but the application of the electrostatic support plate 1 is not particularly limited.
例えば、ドライエッチング、切削（ハーフカット）、バイト切削等の際にウェーハを支持する目的で静電支持プレート１を使用できる。また、各種装置のチャックテーブル、搬送用の吸着パッド等の代わりに静電支持プレート１を用いることもできる。上述のように、静電支持プレート１は、電荷が失われない限りにおいて吸着力が維持されるので、この場合、各種装置の設計の自由度が高くなる。 For example, the electrostatic support plate 1 can be used for the purpose of supporting the wafer during dry etching, cutting (half-cutting), cutting tool cutting, and the like. Further, the electrostatic support plate 1 can be used in place of a chuck table, a suction pad for conveyance, and the like of various apparatuses. As described above, the electrostatic support plate 1 maintains the attractive force as long as the charge is not lost. In this case, the degree of freedom in designing various devices is increased.
その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.
１ 静電支持プレート
３ プレート本体
５ 基材
５ａ 接続部
５ｂ 開口
７ 絶縁層（電気絶縁層）
７ａ 上面（表面）
７ｂ 開口
７ｃ 溝（切削溝）
９ 導電層（電極部）
９ａ 接続部
１１ 弾性部材
１３ プレート部材
２１ ウェーハ
２１ａ 上面
２１ｂ 下面
２ バイト切削装置
４ チャックテーブル
６ バイト切削ユニット
８ スピンドル
１０ 工具マウント
１２ バイト工具
１２ａ 基台
１２ｂ 切り刃（バイト）
１４ 切削装置
１６ チャックテーブル
１８ 切削ユニット
２０ スピンドル
２２ 切削ブレード
２４ 研削装置
２６ チャックテーブル
２８ 研削ユニット
３０ スピンドル
３２ ホイールマウント
３４ 研削ホイール
３４ａ ホイール基台
３４ｂ 研削砥石
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electrostatic support plate 3 Plate main body 5 Base material 5a Connection part 5b Opening 7 Insulating layer (electrical insulating layer)
7a Top surface (surface)
7b Opening 7c Groove (Cutting groove)
9 Conductive layer (electrode part)
9a connection part 11 elastic member 13 plate member 21 wafer 21a upper surface 21b lower surface 2 cutting tool 4 chuck table 6 cutting tool unit 8 spindle 10 tool mount 12 cutting tool 12a base 12b cutting blade (cutting tool)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 Cutting device 16 Chuck table 18 Cutting unit 20 Spindle 22 Cutting blade 24 Grinding device 26 Chuck table 28 Grinding unit 30 Spindle 32 Wheel mount 34 Grinding wheel 34a Wheel base 34b Grinding wheel
Claims (2)
電極部が埋設された平坦な電気絶縁層を表面に備えるプレート本体と、
吸着するウェーハの周縁部と対面する該電気絶縁層の領域に環状に配設された弾性部材と、を備え、
該弾性部材は、該電気絶縁層の表面より突出し、ウェーハの吸着時にウェーハによって押圧され該電気絶縁層と面一となることを特徴とする静電支持プレート。 An electrostatic support plate for electrostatically adsorbing and supporting a wafer,
A plate body provided with a flat electrical insulating layer with an electrode portion embedded in the surface;
An elastic member disposed annularly in the region of the electrical insulating layer facing the peripheral edge of the wafer to be adsorbed,
The electrostatic support plate, wherein the elastic member protrudes from the surface of the electrical insulating layer and is pressed by the wafer when the wafer is attracted to be flush with the electrical insulating layer.
内部に電極部が埋設された電気絶縁層を表面に備えるプレート部材を準備するプレート部材準備ステップと、
該電気絶縁層側が露出するように該プレート部材をバイト切削装置のチャックテーブルで保持し、該電気絶縁層をバイト工具で切削して表面を平坦化し、該プレート本体を形成する平坦化ステップと、
該平坦化ステップを実施した後に、該電気絶縁層側が露出するように該プレート本体を切削装置のチャックテーブルで保持し、吸着するウェーハの周縁部と対面する該電気絶縁層の領域に切削ブレードを切り込ませつつ該プレート本体を回転させ、該プレート本体の表面に環状の切削溝を形成する環状溝形成ステップと、
該環状溝形成ステップを実施した後に、該環状の切削溝に該弾性部材を配設する弾性部材配設ステップと、を備えることを特徴とする静電支持プレートの製造方法。 A method for producing an electrostatic support plate according to claim 1,
A plate member preparation step of preparing a plate member provided with an electrical insulating layer with an electrode portion embedded therein on the surface;
A flattening step of holding the plate member with a chuck table of a cutting tool so that the electric insulating layer side is exposed, cutting the electric insulating layer with a cutting tool to flatten the surface, and forming the plate body;
After performing the planarization step, the plate body is held by a chuck table of a cutting device so that the electric insulating layer side is exposed, and a cutting blade is placed in the region of the electric insulating layer facing the peripheral edge of the wafer to be adsorbed. An annular groove forming step of rotating the plate body while cutting and forming an annular cutting groove on the surface of the plate body;
An elastic support plate manufacturing method comprising: an elastic member disposing step of disposing the elastic member in the annular cutting groove after performing the annular groove forming step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014176773A JP6433204B2 (en) | 2014-09-01 | 2014-09-01 | Electrostatic support plate and method for manufacturing electrostatic support plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014176773A JP6433204B2 (en) | 2014-09-01 | 2014-09-01 | Electrostatic support plate and method for manufacturing electrostatic support plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016051836A true JP2016051836A (en) | 2016-04-11 |
| JP6433204B2 JP6433204B2 (en) | 2018-12-05 |
Family
ID=55659116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014176773A Active JP6433204B2 (en) | 2014-09-01 | 2014-09-01 | Electrostatic support plate and method for manufacturing electrostatic support plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6433204B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180037589A (en) | 2016-10-04 | 2018-04-12 | 가부시기가이샤 디스코 | Power supply apparatus of electrostatic chuck plate |
| CN107919312A (en) * | 2016-10-05 | 2018-04-17 | 株式会社迪思科 | The manufacture method of electrostatic chuck plate and electrostatic chuck plate |
| KR20180076306A (en) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 가부시기가이샤 디스코 | Electrostatic chuck apparatus and electrostatic adsorption method |
| KR20180120601A (en) * | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼 | Electrostatic attachment chuck, method for manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method |
| KR20190010445A (en) | 2017-07-21 | 2019-01-30 | 가부시기가이샤 디스코 | Method of manufacturing electrostatic chuck plate |
| JP2019136849A (en) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 株式会社ディスコ | Processing method of workpiece |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135140U (en) * | 1989-04-12 | 1990-11-09 | ||
| JP2000150628A (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Ulvac Japan Ltd | Substrate placement device and vacuum process device |
| JP2007235175A (en) * | 2007-06-01 | 2007-09-13 | Canon Inc | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
| JP2008258418A (en) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method for forming through hole on support plate, holed support plate, and method for manufacturing holed support plate |
| JP2009099674A (en) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Tsukuba Seiko Co Ltd | Electrostatic type reinforcement apparatus |
| JP2009142992A (en) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Package substrate holding jig |
| JP2011519486A (en) * | 2008-04-30 | 2011-07-07 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | Gas bearing electrostatic chuck |
| JP2013229464A (en) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Electrostatic chuck |
-
2014
- 2014-09-01 JP JP2014176773A patent/JP6433204B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135140U (en) * | 1989-04-12 | 1990-11-09 | ||
| JP2000150628A (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Ulvac Japan Ltd | Substrate placement device and vacuum process device |
| JP2008258418A (en) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method for forming through hole on support plate, holed support plate, and method for manufacturing holed support plate |
| JP2007235175A (en) * | 2007-06-01 | 2007-09-13 | Canon Inc | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
| JP2009099674A (en) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Tsukuba Seiko Co Ltd | Electrostatic type reinforcement apparatus |
| JP2009142992A (en) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Package substrate holding jig |
| JP2011519486A (en) * | 2008-04-30 | 2011-07-07 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | Gas bearing electrostatic chuck |
| JP2013229464A (en) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Electrostatic chuck |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180037589A (en) | 2016-10-04 | 2018-04-12 | 가부시기가이샤 디스코 | Power supply apparatus of electrostatic chuck plate |
| CN107919312A (en) * | 2016-10-05 | 2018-04-17 | 株式会社迪思科 | The manufacture method of electrostatic chuck plate and electrostatic chuck plate |
| KR20180076306A (en) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 가부시기가이샤 디스코 | Electrostatic chuck apparatus and electrostatic adsorption method |
| KR20180120601A (en) * | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼 | Electrostatic attachment chuck, method for manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method |
| CN108807257A (en) * | 2017-04-27 | 2018-11-13 | 株式会社冈本工作机械制作所 | The manufacturing method of Electrostatic Absorption chuck and its manufacturing method and semiconductor device |
| JP2018186217A (en) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 株式会社岡本工作機械製作所 | Electrostatic attraction chuck and manufacturing method thereof and manufacturing method of semiconductor device |
| JP7012454B2 (en) | 2017-04-27 | 2022-01-28 | 株式会社岡本工作機械製作所 | Manufacturing method of electrostatic suction chuck and manufacturing method of semiconductor device |
| CN108807257B (en) * | 2017-04-27 | 2022-10-28 | 株式会社冈本工作机械制作所 | Electrostatic chuck, method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device |
| KR102541126B1 (en) * | 2017-04-27 | 2023-06-07 | 가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼 | Electrostatic attachment chuck, method for manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method |
| KR20190010445A (en) | 2017-07-21 | 2019-01-30 | 가부시기가이샤 디스코 | Method of manufacturing electrostatic chuck plate |
| JP2019136849A (en) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 株式会社ディスコ | Processing method of workpiece |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6433204B2 (en) | 2018-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6433204B2 (en) | Electrostatic support plate and method for manufacturing electrostatic support plate | |
| TWI724020B (en) | Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method | |
| JP6061590B2 (en) | Surface protection member and processing method | |
| TWI788342B (en) | Wafer processing method | |
| TWI759469B (en) | Wafer Processing Method | |
| TW200411755A (en) | Method of processing a semiconductor wafer | |
| JP2018060905A (en) | Electrostatic chuck plate and manufacturing method for electrostatic chuck | |
| WO2021111732A1 (en) | Attracting-and-holding device and object surface machining method | |
| JP2018182129A (en) | Processing method of wafer | |
| JP2012209480A (en) | Processing method of electrode-embedded wafer | |
| JP2010016146A (en) | Chuck table of processing apparatus | |
| JP2013012654A (en) | Method of grinding workpiece | |
| JP2009206475A (en) | Wafer processing method of processing wafer having bumps formed thereon and apparatus for processing wafer | |
| JP2016100346A (en) | Wafer processing method | |
| JP2011040631A (en) | Method of grinding rigid wafer | |
| JP5572241B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP2011258638A (en) | Method of peeling protective tape | |
| JP2016093875A (en) | Grinding method of workpiece | |
| TWI754737B (en) | Wafer processing method | |
| TWI813791B (en) | Wafer processing method | |
| JP6256227B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2013102080A (en) | Support substrate of wafer and processing method of wafer | |
| JP2011044473A (en) | Grinding device for wafer | |
| JP6195483B2 (en) | Laminated wafer processing method | |
| JP6061731B2 (en) | Surface protection member and wafer processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180313 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180509 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181106 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181106 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6433204 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |