KR20190006889A - Light emitting device package - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiments relate to a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group II-VI compound semiconductor material can be used for a variety of applications such as red, Blue and ultraviolet rays can be realized. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconductor material can realize a white light source having high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconducting material, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. Further, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of element materials, and can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diode (LED) lighting devices, automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device can be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electric energy is converted into light energy by using a group III-V element or a group II-VI element in the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors have received great interest in the development of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. Particularly, a blue light emitting element, a green light emitting element, an ultraviolet (UV) light emitting element, and a red (RED) light emitting element using a nitride semiconductor are commercially available and widely used.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. It is used for sterilizing and purifying in the wavelength band, short wavelength, Can be used.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm) and UV-C (200nm ~ 280nm) in the long wavelength order. UV-A (315nm ~ 400nm) is applied in various fields such as UV curing for industrial use, curing of printing ink, exposure machine, discrimination of counterfeit, photocatalytic disinfection and special illumination (aquarium / ) Area is used for medical use, and UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products and the like.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. On the other hand, a semiconductor device capable of providing a high output has been requested, and a semiconductor device capable of increasing a power by applying a high power source has been studied.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies are being made on a method for improving the light extraction efficiency of a semiconductor device and improving the light intensity at a package end in a semiconductor device package. In addition, studies have been made on a method for improving the bonding strength between a package electrode and a semiconductor device in a semiconductor device package.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies have been made on a method for reducing the manufacturing cost and improving the manufacturing yield by improving the process efficiency and changing the structure in the semiconductor device package.
실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.
실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device, which can improve the process efficiency and provide a new package structure to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.
실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package that can prevent a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of a semiconductor device package in a process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like have.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하는 몸체; 상기 몸체 상에 배치된 발광소자; 및 반사물질을 포함하는 접착제; 를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 배치되는 제1 리세스를 포함하고, 상기 접착제는 상기 제1 리세스에 배치되고, 상기 발광소자는, 상기 제1 개구부 상에 배치된 제1 전극; 상기 제2 개구부 상에 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 반도체층, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 반도체층, 및 상기 제1 및 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 및 상기 반도체 구조물 상에 배치된 기판; 을 포함하고 상기 제1 전극은 제1 방향으로 상기 제1 개구부와 중첩되는 제1 본딩부 및 상기 제1 본딩부에서 연장되는 제1 가지전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 방향으로 상기 제2 개구부와 중첩되는 제2 본딩부를 포함하고, 상기 제1 방향은 상기 몸체의 하면에서 상기 몸체의 상면으로 향하는 방향이고, 상기 제1 및 상기 제2 본딩부의 면적의 합은 상기 기판의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body including first and second openings penetrating a top surface and a bottom surface; A light emitting element disposed on the body; And an adhesive comprising a reflective material; Wherein the body includes a first recess disposed between the first opening and the second opening, the adhesive is disposed in the first recess, and the light emitting element is disposed on the first opening portion A first electrode disposed on the first electrode; A second electrode disposed on the second opening; A semiconductor structure including a first semiconductor layer electrically connected to the first electrode, a second semiconductor layer electrically connected to the second electrode, and an active layer disposed between the first and second semiconductor layers; And a substrate disposed on the semiconductor structure; Wherein the first electrode includes a first bonding portion overlapping the first opening in a first direction and a first branched electrode extending from the first bonding portion, Wherein the first direction is a direction from the lower surface of the body to the upper surface of the body and the sum of the areas of the first and second bonding portions is the upper surface of the substrate, And can be provided at 10% or less based on the area.
실시 에에 의하면, 상기 접착제가 상기 발광소자와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부와 상기 제1 및 제2 본딩부가 중첩되는 영역의 면적보다 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the area where the adhesive overlaps the light emitting element with respect to the first direction can be provided to be larger than the area of the area where the first and second openings overlap with the first and second bonding parts.
실시 예에 의하면, 상기 접착제는 상기 몸체의 상면 및 상기 발광소자의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the adhesive may be disposed in direct contact with the upper surface of the body and the lower surface of the light emitting device.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 개구부에 제공되며 상기 제1 본딩부의 하면과 직접 접촉되어 배치된 제1 도전층; 상기 제2 개구부에 제공되며 상기 제2 본딩부의 하면과 직접 접촉되어 배치된 제2 도전층; 을 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a first conductive layer provided in the first opening and disposed in direct contact with a lower surface of the first bonding portion; A second conductive layer provided in the second opening and disposed in direct contact with a lower surface of the second bonding portion; . ≪ / RTI >
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층은 상기 제1 개구부의 상부 영역에 제공된 제1 상부 도전층과 상기 제1 개구부의 하부 영역에 제공된 제1 하부 도전층을 포함하고, 상기 제1 상부 도전층과 상기 제1 하부 도전층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer includes a first upper conductive layer provided in an upper region of the first opening and a first lower conductive layer provided in a lower region of the first opening, And the first lower conductive layer may include different materials.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체의 상면에 제공되며 상기 제1 개구부로부터 이격되어 배치된 제1 상부 리세스; 상기 몸체의 상면에 제공되며 상기 제2 개구부로부터 이격되어 배치된 제2 상부 리세스; 를 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a first upper recess provided on an upper surface of the body and spaced apart from the first opening; A second upper recess provided on an upper surface of the body and spaced apart from the second opening; . ≪ / RTI >
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 상부 리세스에 제공된 제1 수지부와 상기 제2 상부 리세스에 제공된 제2 수지부를 포함하고, 상기 제1 수지부와 상기 제2 수지부는 화이트 실리콘을 포함할 수 있다.The light emitting device package may include a first resin part provided in the first upper recess and a second resin part provided in the second upper recess, wherein the first resin part and the second resin part White silicon.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체의 하면에 제공되며 상기 제1 개구부로부터 이격되어 배치된 제1 하부 리세스; 상기 몸체의 하면에 제공되며 상기 제2 개구부로부터 이격되어 배치된 제2 하부 리세스; 를 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a first lower recess provided on a lower surface of the body and spaced apart from the first opening; A second lower recess provided on a lower surface of the body and spaced apart from the second opening; . ≪ / RTI >
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 하부 리세스에 제공된 제1 수지부와 상기 제2 하부 리세스에 제공된 제2 수지부를 포함하고, 상기 제1 수지부와 상기 제2 수지부는 상기 몸체와 같은 물질을 포함할 수 있다.The light emitting device package may include a first resin part provided in the first lower recess and a second resin part provided in the second lower recess, wherein the first resin part and the second resin part And may include materials such as the body.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 관통하는 제1, 제2 개구부, 및 상기 제1 및 제2 개구부 사이에 배치된 제1 리세스를 포함하는 몸체; 상기 제1 리세스 상에 배치된 접착제; 상기 접착제 상에 배치된 발광소자; 및 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 및 제2 도전체; 를 포함하고, 상기 발광소자는, 상기 제1 개구부 상에 배치된 제1 전극; 상기 제2 개구부 상에 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 및 상기 반도체 구조물 상에 배치된 기판; 을 포함하고, 상기 제1 도전체는 상기 제1 전극에서 상기 제1 개구부 내부까지 배치되고, 상기 제2 도전체는 상기 제2 전극에서 상기 제2 개구부 내부까지 배치될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body including first and second openings penetrating an upper surface and a lower surface, and a first recess disposed between the first and second openings; An adhesive disposed on the first recess; A light emitting element disposed on the adhesive; And first and second conductors disposed between the body and the light emitting device; The light emitting device comprising: a first electrode disposed on the first opening; A second electrode disposed on the second opening; A first conductive semiconductor layer electrically connected to the first electrode, a second conductive semiconductor layer electrically connected to the second electrode, and a second conductive semiconductor layer electrically connected to the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer A semiconductor structure including an active layer disposed therein; And a substrate disposed on the semiconductor structure; Wherein the first conductor is disposed from the first electrode to the inside of the first opening, and the second conductor is disposed from the second electrode to the inside of the second opening.
실시 예에 의하면, 상기 제1 전극은 제1 방향으로 상기 제1 개구부와 중첩되는 제1 본딩부 및 상기 제1 본딩부에서 연장되는 제1 가지전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 방향으로 상기 제2 개구부와 중첩되는 제2 본딩부를 포함하고, 상기 제1 방향은 상기 몸체의 하면에서 상기 몸체의 상면으로 향하는 방향이고, 상기 제1 및 상기 제2 본딩부의 면적의 합은 상기 기판의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first electrode includes a first bonding portion overlapping the first opening in a first direction and a first branched electrode extending from the first bonding portion, Wherein the first direction is a direction from the lower surface of the body to the upper surface of the body, and the sum of the areas of the first and second bonding portions is larger than the sum of the areas of the first and second bonding portions, Or less, based on the top surface area of the substrate.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하는 몸체; 상기 몸체 상에 배치되며 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 발광소자; 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치되며 반사물질을 포함하는 접착제; 상기 몸체의 상기 제1 개구부에 배치되어 상기 발광소자의 제1 전극과 전기적으로 연결된 제1 도전체; 상기 몸체의 상기 제2 개구부에 배치되어 상기 발광소자의 제2 전극과 전기적으로 연결된 제2 도전체; 상기 제1 개구부에 배치되어 상기 제1 도전체와 전기적으로 연결된 제1 도전층; 및 상기 제2 개구부에 배치되어 상기 제2 도전체와 전기적으로 연결된 제2 도전층; 을 포함하고, 상기 발광소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 및 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층; 상기 제1 반도체층 상에 배치되며, 제1 패드전극 및 상기 제1 패드전극에서 연장되는 제1 가지전극을 포함하는 상기 제1 전극; 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되며, 제2 패드전극을 포함하는 상기 제2 전극; 을 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 배치되는 제1 리세스를 포함하고, 상기 접착제는 상기 제1 리세스에 배치되고, 상기 제1 개구부는 상기 몸체의 하면에서 상기 몸체의 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 패드전극과 중첩되고, 상기 제2 개구부는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 제2 패드전극과 중첩되고, 상기 제1 도전층은 상기 제1 도전체의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치되고, 상기 제2 도전층은 상기 제2 도전체의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body including first and second openings penetrating a top surface and a bottom surface; A light emitting element disposed on the body and including a first electrode and a second electrode; An adhesive disposed between the body and the light emitting device and including a reflective material; A first conductor disposed in the first opening of the body and electrically connected to the first electrode of the light emitting device; A second conductor disposed in the second opening of the body and electrically connected to the second electrode of the light emitting device; A first conductive layer disposed in the first opening and electrically connected to the first conductor; And a second conductive layer disposed in the second opening and electrically connected to the second conductor; The light emitting device comprising: a substrate; A first semiconductor layer disposed on the substrate, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first and second semiconductor layers; The first electrode comprising a first pad electrode and a first branch electrode extending from the first pad electrode, the first electrode being disposed on the first semiconductor layer; And a second electrode disposed on the second semiconductor layer, the second electrode including a second pad electrode; Wherein the body includes a first recess disposed between the first opening and the second opening, the adhesive is disposed in the first recess, and the first opening is located on a lower surface of the body The second pad electrode overlaps the second pad electrode with respect to the first direction, and the first conductive layer is overlapped with the first pad electrode with respect to the first direction, 1 conductor and the second conductive layer may be disposed in direct contact with the lower surface and the side surface of the second conductor.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 상기 제2 패드전극의 면적의 합은 상기 기판의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes may be 10% or less based on the area of the top surface of the substrate.
실시 예에 의하면, 상기 접착제가 상기 발광소자와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부와 상기 제1 및 제2 패드전극이 중첩되는 영역의 면적보다 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the area where the adhesive overlaps the light emitting element with respect to the first direction can be provided to be larger than the area of the area where the first and second openings overlap with the first and second pad electrodes have.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 개구부에 제공되며, 상기 제1 본딩부의 측면 및 하면과 직접 접촉되어 배치된 제1 도전층; 상기 제2 개구부에 제공되며, 상기 제2 본딩부의 측면 및 하면과 직접 접촉되어 배치된 제2 도전층; 을 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a first conductive layer provided in the first opening and disposed in direct contact with a side surface and a bottom surface of the first bonding portion; A second conductive layer provided in the second opening and disposed in direct contact with a side surface and a bottom surface of the second bonding portion; . ≪ / RTI >
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층은 상기 제1 개구부의 상부 영역에 제공된 제1 상부 도전층과 상기 제1 개구부의 하부 영역에 제공된 제1 하부 도전층을 포함하고, 상기 제1 상부 도전층과 상기 제1 하부 도전층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer includes a first upper conductive layer provided in an upper region of the first opening and a first lower conductive layer provided in a lower region of the first opening, And the first lower conductive layer may include different materials.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for fabricating a semiconductor device package according to the embodiments, the light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability can be improved.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device package according to the embodiments, the process efficiency is improved and a new package structure is presented, which is advantageous in that the manufacturing cost can be reduced and the manufacturing yield can be improved.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The semiconductor device package according to the embodiment has an advantage that the reflector can be prevented from being discolored by providing the body with high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiments, it is possible to prevent the re-melting phenomenon from occurring in the bonding area of the semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to the substrate .
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 9 내지 도 11은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 12 내지 도 14는 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 15 내지 도 17은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 또 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 도 18에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 23은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 24는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 25 내지 도 27은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 개구부의 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 28은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 29는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 30은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 31은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 32는 본 발명의 실시 에에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 33은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이다.
도 34는 도 33에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
도 35는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 36은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 37은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line DD of the light emitting device package shown in FIG.
4 to 8 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
9 to 11 are views for explaining a modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
12 to 14 are views for explaining another modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
15 to 17 are views for explaining another modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
18 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package shown in FIG. 18;
20 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
21 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
22 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
23 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
24 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
25 to 27 are views for explaining a modified example of the opening portion applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
28 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
29 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
30 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
31 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
32 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
33 is a plan view illustrating electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
34 is a cross-sectional view along the FF line of the light emitting element shown in Fig.
35 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
36 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
37 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to drawings, but the embodiment is not limited thereto.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a method for fabricating a semiconductor device package and a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a case where a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. First, referring to FIGS. 1 to 3, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. Fig.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 절연성 프레임으로 형성되는 경우와 도전성 프레임으로 형성되는 경우의 차이점에 대해서는 뒤에서 더 설명하기로 한다.The difference between the case where the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 패드전극(121), 제2 패드전극(122), 반도체 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 본딩부로 지칭될 수도 있다. 예로서 상기 제1 패드전극(121)은 제1 본딩부로 지칭되고 상기 제2 패드전극(122)은 제2 본딩부로 지칭될 수도 있다.The
상기 반도체 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, Sn, Cu, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be disposed below the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 패드전극(121)의 하부 영역이 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 바닥면이 상기 제1 프레임(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to the embodiment, the lower region of the
또한, 상기 제2 패드전극(122)의 하부 영역이 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 바닥면이 상기 제2 프레임(112)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.In addition, a lower region of the
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. The width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.
상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. The second opening portion TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. The inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes and the inclined surfaces may be arranged with a curvature .
상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 예로서 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. The width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the
상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The width W3 between the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 in the lower surface region of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 접착제(130)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . Also, as an example, if the adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)에 비해 작게 제공될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be smaller than the depth T2 of the first opening TH1 or the depth T2 of the second opening TH2.
상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. The depth T1 of the recess R may be determined by taking into consideration the stable strength of the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 접착제(130)를 통해 실장하기 위해 상기 접착제(130)를 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth (T1) and the width (W4) of the recess (R) can affect the forming position and fixing force of the adhesive (130). The depth T1 and the width W4 of the recess R may be determined so that a sufficient fixing force can be provided by the adhesive 130 disposed between the
예로서, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth (T1) of the recess (R) may be provided by several tens of micrometers. The depth (T1) of the recess (R) may be provided from 40 micrometers to 60 micrometers.
또한, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 발광소자(120)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.In addition, the width W4 of the recess R may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. Here, the width W4 of the recess R may be provided in the major axis direction of the
상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The width W4 of the recess R may be narrower than the gap between the
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. The depth T2 of the first opening TH1 may be provided corresponding to the thickness of the
상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.The depth T2 of the second opening portion TH2 may be provided corresponding to the thickness of the
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.The depth T2 of the first opening TH1 and the depth T2 of the second opening TH2 may be provided corresponding to the thickness of the
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be several hundred micrometers. The depth T2 of the first opening TH1 may be 180 to 220 micrometers. For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be 200 micrometers.
예로서, 상기 (T2-T1)의 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. By way of example, the thickness of (T2-T1) may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the
실시 예에 의하면, T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)는 2 내지 10으로 제공될 수 있다. 예로서, T2의 두께가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, T1의 두께는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the ratio of the T1 thickness to the T2 thickness (T2 / T1) may be 2 to 10. As an example, if the thickness of T2 is provided at 200 micrometers, the thickness of T1 may be provided from 20 micrometers to 100 micrometers.
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The
상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.1 to 3, the light emitting
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The first
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에서, 상기 제1 도전층(321)의 상부 부분은 상기 제1 패드전극(121)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.An upper portion of the first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The second
상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에서, 상기 제2 도전층(322)의 상부 부분은 상기 제2 패드전극(122)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.In an upper region of the second opening TH2, an upper portion of the second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R10)와 제2 하부 리세스(R20)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)와 상기 제2 하부 리세스(R20)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.1 to 3, the light emitting
상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess (R10) may be provided on the lower surface of the first frame (111). The first lower recess R10 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the
상기 제1 하부 리세스(R10)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The first lower recess R10 may be provided in a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R10. The resin portion filled in the first lower recess R10 may be provided with the same material as the
다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second
예로서, 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the first lower recess R10 may be provided in the process of forming the
상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin part filled in the first lower recess R10 may be disposed around the lower surface area of the
예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제1 프레임(111)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.2, the lower surface of the
따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second
이는 상기 제1 도전층(321)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 제1 프레임(111)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the first
이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 배치되는 제1 도전층(321)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제1 하부 리세스(R10)의 바깥 영역으로 상기 제1 도전층(321)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. The first
따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first
또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 제1 하부 리세스(R10)로 연장되어 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 하부 리세스(R10) 내에는 상기 제1 도전층(321) 및/또는 상기 수지부가 배치될 수 있다.Also, the first
또한, 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R20 may be provided on a lower surface of the
상기 제2 하부 리세스(R20)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R20 may be provided with a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R20. The resin portion filled in the second lower recess R20 may be provided with the same material as the
다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second
예로서, 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the second lower recess R20 may be provided in the process of forming the
상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin portion filled in the second lower recess R20 may be disposed around the lower surface area of the
예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제2 프레임(112)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.2, the lower surface of the
따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second
이는 상기 제2 도전층(322)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 제2 프레임(112)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the second
이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 배치되는 제2 도전층(322)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제2 하부 리세스(R20)의 바깥 영역으로 상기 제2 도전층(322)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. The second
따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first
또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 제2 하부 리세스(R20)로 연장되어 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 하부 리세스(R20) 내에는 상기 제2 도전층(321) 및/또는 상기 수지부가 배치될 수 있다.Also, the second
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이 수지부(135)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting
참고로, 도 1을 도시함에 있어, 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)의 배치관계가 잘 나타날 수 있도록, 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)는 도시하지 아니하였다.1, the
상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 하면과 둘레에 보호층이 제공될 수도 있다. 이와 같은 경우, 상기 활성층의 표면에 절연성의 보호층이 제공되므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 경우에도 상기 발광소자(120)의 활성층에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다.Also, according to the embodiment, a protective layer may be provided around the lower surface of the
한편, 상기 발광소자(120)의 하면 및 둘레에 절연성의 보호층이 배치되는 경우에도, 상기 발광소자(120)의 상기 기판(124) 둘레에는 절연성 보호층이 배치되지 않는 경우도 있을 수 있다. 이때, 상기 기판(124)이 전도성 물질로 제공되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 기판(124)에 접하게 되면 단락에 의한 불량이 발생될 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 상기 기판(124)에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, even when an insulating protective layer is disposed on the lower surface and the periphery of the
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다.According to another embodiment of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
한편, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 배치될 수도 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 제공되는 과정에서 상기 접착제(130)의 일부가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로 이동될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 측면 영역에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 위에 배치될 수도 있다.Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. A portion of the adhesive 130 may be moved to the first and second openings TH1 and TH2 during the process of providing the
상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있으며, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 습기 또는 이물질이 외부로부터 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.The adhesive 130 may seal the upper region of the first and second openings TH1 and TH2 and moisture or foreign matter may be introduced from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다. When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
또한, 실시 예에 의하면, 상기 반도체 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반도체 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.Further, according to the embodiment, the
상기 반도체 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of at least one of Group III-V-Vs or Group V-VIs compound semiconductors. The first and second conductivity type semiconductor layers are formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? . For example, the first and second conductive semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, . The first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se or Te. The second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr or Ba.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be formed of a compound semiconductor. The active layer may be implemented, for example, in at least one of Group 3-Group-5 or Group-6-Group compound semiconductors. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of alternately arranged well layers and a plurality of barrier layers, and may be In x Al y Ga 1 -x- y N , 0? Y? 1, 0? X + y? 1). For example, the active layer may be selected from the group consisting of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, And may include at least one.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment may be supplied with driving power through the conductive layer disposed in the opening portion . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
그러면, 도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기로 한다.4 to 8, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.
도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 4 to 8, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110)가 제공될 수 있다.Referring to FIG. 4, a method of fabricating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may include providing a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)은 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.In addition, the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 패키지 몸체(110)는 상기 몸체(113)에 제공된 리세스(R)를 포함할 수 있다.The
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 길이(L2)가 상기 제1 개구부(TH1)의 길이(L1) 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 길이(L1)에 비해 더 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the length L2 of the recess R may be greater than the length L1 of the first opening TH1 or the length L1 of the second opening TH2 .
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)에 접착제(130)가 제공될 수 있다.Next, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, an adhesive 130 may be provided to the recess R as shown in FIG.
상기 접착제(130)는 상기 리세스(R) 영역에 도팅(dotting) 방식 등을 통하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)가 형성된 영역에 일정량 제공될 수 있으며, 상기 리세스(R)를 넘치도록 제공될 수 있다.The adhesive 130 may be provided in the recess region through a dotting method or the like. For example, the adhesive 130 may be provided in a region where the recess R is formed, and may be provided to overflow the recess R.
또한, 실시 예에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)의 길이(L2)는 상기 제2 개구부(TH2)의 길이(L1)에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 길이(L1)는 상기 발광소자(120)의 단축 방향 길이에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)의 길이(L2)는 상기 발광소자(120)의 단축 방향 길이에 비해 더 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, the length L2 of the recess R may be larger than the length L1 of the second opening TH2 as shown in FIG. The length L1 of the second opening TH2 may be smaller than the length of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조공정에서, 상기 발광소자(120) 하부에 제공되는 상기 접착제(130)의 양이 많을 경우, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)의 하부에 접착되면서 넘치는 부분은 상기 리세스(R)의 길이(L2) 방향으로 이동될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 접착제(130)의 양이 설계에 비해 많게 도포되는 경우에도, 상기 발광소자(120)가 상기 몸체(113) 로부터 들뜨지 않고 안정적으로 고정될 수 있게 된다. When the amount of the adhesive 130 provided under the
그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110) 위에 발광소자(120)가 제공될 수 있다. 5, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치되는 과정에서 상기 리세스(R)는 일종의 정렬키(align key) 역할을 하도록 활용될 수도 있다.The recess R may be used as an align key in the process of disposing the
상기 발광소자(120)는 상기 접착제(130)에 의하여 상기 몸체(113)에 고정될 수 있다. 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)의 일부는 상기 발광소자(120)의 제1 패드전극(121) 및 제2 패드전극(122) 방향으로 이동되어 경화될 수 있다. The
이에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이의 넓은 영역에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있으며, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 고정력이 향상될 수 있게 된다.Accordingly, the adhesive 130 may be provided over a wide area between the lower surface of the
실시 예에 의하면, 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다.3, the first opening TH1 may be disposed below the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 형성될 수 있다.6, a first
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 3 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 통하여 상기 제1 패드전극(121)의 하면이 노출될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)를 통하여 상기 제2 패드전극(122)의 하면이 노출될 수 있다.In the light emitting
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)에 상기 제1 도전층(321)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)에 상기 제2 도전층(322)이 형성될 수 있다.According to the embodiment, the first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에서, 상기 제1 도전층(321)의 상부 부분은 상기 제1 패드전극(121)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.3, in an upper region of the first opening TH1, an upper portion of the first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에서, 상기 제2 도전층(322)의 상부 부분은 상기 제2 패드전극(122)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.3, in the upper region of the second opening TH2, the upper portion of the second
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수도 있다. 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 솔더 페이스트(solder paste) 또는 실버 페이스트(silver paste) 등을 통하여 형성될 수도 있다.For example, the first
그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 수지부(135)가 형성될 수 있다.According to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 7, a
상기 수지부(135)는, 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있다. 상기 수지부(135)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 위에 몰딩부(140)가 제공될 수 있다.Next, in the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The
한편, 이상의 설명에서는, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 먼저 형성되고, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)가 형성되는 경우를 기준으로 설명되었다.In the above description, the first
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)가 먼저 형성되고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 뒤에 형성될 수도 있다.However, according to another embodiment of the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 또 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 형성되지 않고, 상기 패키지 몸체(110)의 캐비티 내에 상기 몰딩부(140)만 형성될 수도 있다.According to another embodiment of the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, only the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened, And the optical and electrical characteristics and reliability of the light emitting device package may be deteriorated.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 전극과 제2 전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first electrode and the second electrode of the light emitting device according to the embodiment can receive driving power through the conductive layer disposed in the opening. And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 다양한 변형 예를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may include various modifications.
먼저, 도 9 내지 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 변형 예들에 대해 살펴 보기로 한다. 도 9 내지 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.9 to 17, modifications of the body applied to the light emitting device package according to the embodiment will be described. 9 to 17, a description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 8 may be omitted in the following description of the light emitting device package according to the embodiment.
도 9 내지 도 11은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 변형 예를 설명하는 도면이다. 9 to 11 are views for explaining a modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 9에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 2 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 리세스(R11)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 끝단에 접하여 제공될 수 있다.For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제2 리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 끝단에 접하여 제공될 수 있다.In addition, the
상기 제1 리세스(R11)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 제1 프레임(111)의 상면으로부터 아래 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 제2 프레임(112)의 상면으로부터 아래 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The first recess R11 may be concave downward from the upper surface of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 접착제(130)가 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first recess R11 and the second recess R12 may provide a proper space in which an underfill process may be performed under the
상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first recess R11 and the second recess R12 may be formed between the lower surface of the
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
또한, 상기 제1 리세스(R11) 및 상기 접착제(130)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R12) 및 상기 접착제(130)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 도전층(321)의 이동 또는 상기 제2 도전층(322)의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.The first recess R11 and the adhesive 130 may prevent the first
한편, 도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 10 및 도 11은 도 9에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.9 is a cross-sectional view of a
예로서, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 평행하게 배치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 10, the first recess R11 and the second recess R12 may be spaced apart from each other with a central region of the
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다.11, the first recess R11 and the second recess R12 may be spaced apart from each other with a central region of the
한편, 도 12 내지 도 14는 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 다른 변형 예를 설명하는 도면이다. 12 to 14 are views for explaining another modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 12에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 3 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 리세스(R21)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스(R21)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제3 리세스(R23)를 포함할 수 있다. 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.In addition, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역에 배치된 제2 리세스(R22)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(R22)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R22)는 상기 제1 리세스(R21)와 상기 제3 리세스(R23) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 접착제(130)가 상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체에 부착하기 위해 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first recess R21, the second recess R22 and the third recess R23 may be formed on the lower surface of the
상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first recess R21, the second recess R22 and the third recess R23 are formed between the lower surface of the
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
또한, 상기 제1 리세스(R21) 및 상기 접착제(130)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제3 리세스(R23) 및 상기 접착제(130)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 도전층(321)의 이동 또는 상기 제2 도전층(322)의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.The first recess R21 and the adhesive 130 may prevent the first
한편, 도 12는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 13 및 도 14는 도 12에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.12 is a cross-sectional view of a
예로서, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면에서 서로 이격되어 일 방향으로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면에서 일 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.13, the first recess R21, the second recess R22, and the third recess R23 are spaced apart from each other on the upper surface of the
또한, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R21)와 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 리세스(R21)와 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R22)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 리세스(R22)는 상기 제1 리세스(R21)와 상기 제3 리세스(R23)에 의하여 둘러 쌓여진 공간 내에 배치될 수도 있다.14, the first recess R21 and the third recess R23 may be spaced apart from each other with a central region of the
한편, 도 15 내지 도 17은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 또 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.15 to 17 are views for explaining another modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 15에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 2 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 리세스(R31)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스(R31)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R31)는 상기 제1 프레임(111)의 끝단으로부터 이격되어 배치될 수 있다. For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제2 리세스(R32)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R32)는 상기 제2 프레임(112)의 끝단으로부터 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 접착제(130)가 상기 제1 리세스(R31), 상기 제2 리세스(R32)에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first recess R31 and the second recess R32 may provide a proper space in which an underfill process may be performed under the
상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first recess R31 and the second recess R32 may be formed between the lower surface of the
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
또한, 상기 제1 리세스(R31) 및 상기 접착제(130)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R32) 및 상기 접착제(130)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 도전층(321)의 이동 또는 상기 제2 도전층(322)의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.The first recess R31 and the adhesive 130 may prevent the first
한편, 도 15는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 16 및 도 17은 도 15에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.15 is a cross-sectional view of a
예로서, 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면에서 서로 이격되어 일 방향으로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면에서 일 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 16, the first recess R31 and the second recess R32 may be spaced apart from each other on the upper surface of the
또한, 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다. 17, the first recess R31 and the second recess R32 may be spaced apart from each other with a central region of the
다음으로, 도 18 및 도 19를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 18 and 19. FIG.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 19는 도 18에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.18 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, FIG. 19 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package shown in FIG. to be.
도 18 및 도 19를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 17을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 18 and 19, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 17. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 절연성 프레임으로 형성되는 경우와 도전성 프레임으로 형성되는 경우의 차이점에 대해서는 뒤에서 더 설명하기로 한다.The difference between the case where the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 패드전극(121), 제2 패드전극(122), 반도체 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)는, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 배치될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIGS. 18 and 19. The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 패드전극(121)의 하부 영역이 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 바닥면이 상기 제1 프레임(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to the embodiment, the lower region of the
또한, 상기 제2 패드전극(122)의 하부 영역이 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 바닥면이 상기 제2 프레임(112)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.In addition, a lower region of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R) as shown in FIGS. 18 and 19.
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . As an example, the adhesive 130 may comprise white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The first
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에서, 상기 제1 도전층(321)의 상부 부분은 상기 제1 패드전극(121)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.An upper portion of the first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The second
상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에서, 상기 제2 도전층(322)의 상부 부분은 상기 제2 패드전극(122)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.In an upper region of the second opening TH2, an upper portion of the second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R10)와 제2 하부 리세스(R20)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)와 상기 제2 하부 리세스(R20)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first lower recess R10 and a second lower recess R20, as shown in Figs. 18 and 19. The first lower recess R10 and the second lower recess R20 may be spaced apart from each other.
상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess (R10) may be provided on the lower surface of the first frame (111). The first lower recess R10 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the
상기 제1 하부 리세스(R10)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다.The first lower recess R10 may be provided in a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R10. The resin portion filled in the first lower recess R10 may be provided with the same material as the
예로서, 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the first lower recess R10 may be provided in the process of forming the
상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는, 도 2를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin part filled in the first lower recess R10 may be disposed around the lower surface area of the
예로서, 도 2를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제1 프레임(111)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.2, the lower surface of the
따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다.The first
이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역으로 흘러 넘치는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다.The first
또한, 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R20 may be provided on a lower surface of the
상기 제2 하부 리세스(R20)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R20 may be provided with a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R20. The resin portion filled in the second lower recess R20 may be provided with the same material as the
예로서, 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the second lower recess R20 may be provided in the process of forming the
상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는, 도 2를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin part filled in the second lower recess R20 can be disposed around the lower area of the
예로서, 도 2를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제2 프레임(112)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.2, the lower surface region of the
따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다.The second
이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역으로 흘러 넘치는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다.The second
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R3)와 제2 상부 리세스(R4)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4, as shown in Figs. 18 and 19.
상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The first upper recess R3 may be provided on the upper surface of the
상기 제1 상부 리세스(R3)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 패드전극(121)의 주변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 패드전극(121)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다. The first upper recess R3 may be provided adjacent to the periphery of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 하부 리세스(R10)와 수직 방향에서 서로 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제1 하부 리세스(R10)가 수직 방향에서 서로 중첩되면, 그 사이에 배치된 상기 제1 프레임(111)의 두께가 너무 얇게 제공되는 경우에 상기 제1 프레임(111)의 강도가 약화될 수 있는 점을 고려한 것이다.According to the embodiment, the first upper recess R 3 may be provided so as not to overlap with the first lower recess R 10 in a direction perpendicular to the first lower recess R 10. When the first upper recesses R3 and the first lower recesses R10 are overlapped with each other in the vertical direction and the thickness of the
다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임(111)의 두께가 충분하게 제공되는 경우, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제1 하부 리세스(R10)가 수직 방향에서 서로 중첩되게 제공될 수도 있다.According to another embodiment, when the thickness of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The second upper recess R4 may be provided on the upper surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 하부 리세스(R20)와 수직 방향에서 서로 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)와 상기 제2 하부 리세스(R20)가 수직 방향에서 서로 중첩되면, 그 사이에 배치된 상기 제2 프레임(112)의 두께가 너무 얇게 제공되는 경우에 상기 제2 프레임(112)의 강도가 약화될 수 있는 점을 고려한 것이다.According to the embodiment, the second upper recess R4 may be provided so as not to overlap with the second lower recess R20 in a direction perpendicular to the second lower recess R20. When the second upper recess R4 and the second lower recess R20 are overlapped with each other in the vertical direction and the thickness of the
다른 실시 예에 의하면, 상기 제2 프레임(112)의 두께가 충분하게 제공되는 경우, 상기 제2 상부 리세스(R4)와 상기 제2 하부 리세스(R20)가 수직 방향에서 서로 중첩되게 제공될 수도 있다.According to another embodiment, when the thickness of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 패드전극(122)의 주변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 패드전극(122)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다.The second upper recess R4 may be provided adjacent to the periphery of the
예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may be provided with a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18에 도시된 바와 같이, 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 패드전극(121)이 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단으로부터 상기 발광소자(120)의 인접한 끝단까지의 거리(L11)는 수백 마이크로 미터 이하로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단으로부터 상기 발광소자(120)의 인접한 끝단까지의 거리(L11)는 200 마이크로 미터에 비해 같거나 더 작게 제공될 수 있다.The distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the
상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단으로부터 상기 발광소자(120)의 인접한 끝단까지의 거리(L11)는, 상기 제1 상부 리세스(R3)에 채워지는 상기 수지부(135)의 점성 등에 의하여 결정될 수 있다.The distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the
상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단으로부터 상기 발광소자(120)의 인접한 끝단까지의 거리(L11)는, 상기 제1 상부 리세스(R3)에 도포된 상기 수지부(135)가 상기 제1 패드전극(121)이 배치된 영역까지 연장되어 형성될 수 있는 거리로 선택될 수 있다.The distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the
또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 패드전극(122)이 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 측면에도 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)가 상기 반도체 구조물(123)의 측면에 배치됨으로써 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 반도체 구조물(123)의 측면으로 이동하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)가 상기 반도체 구조물(123)의 측면에 배치될 때, 상기 반도체 구조물(123)의 활성층 아래에 배치되도록 할 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. The
상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. The first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide sufficient space for the
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 TiO2 및/또는 Silicone을 포함하는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
한편, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 배치될 수도 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 제공되는 과정에서 상기 접착제(130)의 일부가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로 이동될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 측면 영역에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 위에 배치될 수도 있다.Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. A portion of the adhesive 130 may be moved to the first and second openings TH1 and TH2 during the process of providing the
상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있으며, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 습기 또는 이물질이 외부로부터 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.The adhesive 130 may seal the upper region of the first and second openings TH1 and TH2 and moisture or foreign matter may be introduced from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment may be supplied with driving power through the conductive layer disposed in the opening portion . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 20을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 20을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 19를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 20, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 19. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 절연성 프레임으로 형성되는 경우와 도전성 프레임으로 형성되는 경우의 차이점에 대해서는 뒤에서 더 설명하기로 한다.The difference between the case where the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 패드전극(121), 제2 패드전극(122), 반도체 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 배치될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIG. The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 패드전극(121)의 하부 영역이 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 바닥면이 상기 제1 프레임(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to the embodiment, the lower region of the
또한, 상기 제2 패드전극(122)의 하부 영역이 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 바닥면이 상기 제2 프레임(112)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.In addition, a lower region of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R) as shown in FIG.
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . As an example, the adhesive 130 may comprise white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The first
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에서, 상기 제1 도전층(321)의 상부 부분은 상기 제1 패드전극(121)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.An upper portion of the first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The second
상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에서, 상기 제2 도전층(322)의 상부 부분은 상기 제2 패드전극(122)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.In an upper region of the second opening TH2, an upper portion of the second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R3)와 제2 상부 리세스(R4)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4 as shown in FIG.
상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The first upper recess R3 may be provided on the upper surface of the
상기 제1 상부 리세스(R3)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 패드전극(121)의 주변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 패드전극(121)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다. The first upper recess R3 may be provided adjacent to the periphery of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The second upper recess R4 may be provided on the upper surface of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 패드전극(122)의 주변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 패드전극(122)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다.The second upper recess R4 may be provided adjacent to the periphery of the
예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may be provided with a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 패드전극(121)이 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단으로부터 상기 발광소자(120)의 인접한 끝단까지의 거리(L11)는 수백 마이크로 미터 이하로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단으로부터 상기 발광소자(120)의 인접한 끝단까지의 거리(L11)는 200 마이크로 미터에 비해 같거나 더 작게 제공될 수 있다.The distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the
상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단으로부터 상기 발광소자(120)의 인접한 끝단까지의 거리(L11)는, 상기 제1 상부 리세스(R3)에 채워지는 상기 수지부(135)의 점성 등에 의하여 결정될 수 있다.The distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the
상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단으로부터 상기 발광소자(120)의 인접한 끝단까지의 거리(L11)는, 상기 제1 상부 리세스(R3)에 도포된 상기 수지부(135)가 상기 제1 패드전극(121)이 배치된 영역까지 연장되어 형성될 수 있는 거리로 선택될 수 있다.The distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the
또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 패드전극(122)이 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 측면에도 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)가 상기 반도체 구조물(123)의 측면에 배치됨으로써 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 반도체 구조물(123)의 측면으로 이동하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)가 상기 반도체 구조물(123)의 측면에 배치될 때, 상기 반도체 구조물(123)의 활성층 아래에 배치되도록 할 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. The
상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. The first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide sufficient space for the
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 TiO2 및/또는 Silicone을 포함하는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
한편, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 배치될 수도 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 제공되는 과정에서 상기 접착제(130)의 일부가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로 이동될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 측면 영역에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 위에 배치될 수도 있다.Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. A portion of the adhesive 130 may be moved to the first and second openings TH1 and TH2 during the process of providing the
상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있으며, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 습기 또는 이물질이 외부로부터 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.The adhesive 130 may seal the upper region of the first and second openings TH1 and TH2 and moisture or foreign matter may be introduced from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment may be supplied with driving power through the conductive layer disposed in the opening portion . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 21을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 21을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 20을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 21, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 20. FIG.
도 21에 도시된 발광소자 패키지는, 도 18 내지 도 20을 참조하여 설명된 발광소자 패키지에 비하여 제1 상부 리세스(R3)와 제2 상부 리세스(R4)의 형성 위치에 차이가 있다.The light emitting device package shown in FIG. 21 differs from the light emitting device package described with reference to FIGS. 18 to 20 in the formation positions of the first upper recess R3 and the second upper recess R4.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 21에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 일부 영역이 반도체 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 패드전극(121)에 인접한 상기 제1 상부 리세스(R3)의 측면 영역이 상기 반도체 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.21, a portion of the first upper recess R3 may be provided so as to be overlapped with the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 21에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 일부 영역이 상기 반도체 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 패드전극(122)에 인접한 상기 제2 상부 리세스(R4)의 측면 영역이 상기 반도체 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.21, a part of the second upper recess R4 is overlapped with the
이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 채워진 상기 수지부(135)가 상기 제1 패드전극(321)과 상기 제2 패드전극(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다. The
또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)가 상기 발광소자(120) 아래에 상기 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다.The first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide sufficient space under which the
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있다. 상기 수지부(135)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment may be supplied with driving power through the conductive layer disposed in the opening portion . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 22를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 22를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 21을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 22, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 21. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 22에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 절연성 프레임으로 형성되는 경우와 도전성 프레임으로 형성되는 경우의 차이점에 대해서는 뒤에서 더 설명하기로 한다.The difference between the case where the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 패드전극(121), 제2 패드전극(122), 반도체 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 패드전극(121)의 하부 영역이 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 바닥면이 상기 제1 프레임(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to the embodiment, the lower region of the
또한, 상기 제2 패드전극(122)의 하부 영역이 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 바닥면이 상기 제2 프레임(112)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.In addition, a lower region of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . As an example, the adhesive 130 may comprise white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The first
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에서, 상기 제1 도전층(321)의 상부 부분은 상기 제1 패드전극(121)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.An upper portion of the first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The second
상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에서, 상기 제2 도전층(322)의 상부 부분은 상기 제2 패드전극(122)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.In an upper region of the second opening TH2, an upper portion of the second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있다.For example, the first
한편, 실시 예에 따른 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은, 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 층으로 제공될 수도 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.22, the first
예로서, 상기 제1 도전층(321)은 제1 상부 도전층(321a)과 제1 하부 도전층(321b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 상부 도전층(321a)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 도전층(321b)은 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역에 제공될 수 있다.For example, the first
또한, 상기 제2 도전층(322)은 제2 상부 도전층(322a)과 제2 하부 도전층(322b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 상부 도전층(322a)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 도전층(322b)은 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역에 제공될 수 있다.In addition, the second
실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 도전층(321a)과 상기 제1 하부 도전층(321b)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 상부 도전층(321a)과 상기 제1 하부 도전층(321b)은 서로 다른 용융점을 가질 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 도전층(321a)의 용융점이 상기 제1 하부 도전층(321b)의 용융점에 비해 더 높게 선택될 수 있다.According to the embodiment, the first upper
예컨대, 상기 제1 상부 도전층(321a)을 형성하는 도전성 페이스트와 상기 제1 하부 도전층(321b)을 형성하는 도전성 페이스트가 서로 다르게 제공될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 도전층(321a)은 예로서 실버 페이스트를 이용하여 형성하고, 상기 제1 하부 도전층(321b)은 예로서 솔더 페이스트를 이용하여 형성할 수 있다.For example, the conductive paste for forming the first upper
실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 도전층(321a)이 실버 페이스트로 형성되는 경우에, 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 실버 페이스트가 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제1 프레임(111) 사이로 확산되어 침투되는 정도가 약하거나 없는 것으로 검출되었다. The silver paste provided to the first opening TH1 is electrically connected to the
따라서, 상기 제1 상부 도전층(321a)이 실버 페이스트로 형성되는 경우, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되거나 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. Accordingly, when the first upper
또한, 상기 제1 상부 도전층(321a)은 실버 페이스트로 형성하고, 상기 제1 하부 도전층(321b)은 솔더 페이스트로 형성하게 되면, 전체 제1 도전층(321)을 실버 페이스트로 형성하는 경우에 비해 제조비용이 절감될 수 있는 장점도 있다.In addition, when the first upper
유사하게, 상기 제2 상부 도전층(322a)을 형성하는 도전성 페이스트와 상기 제2 하부 도전층(322b)을 형성하는 도전성 페이스트가 서로 다르게 제공될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 도전층(322a)은 예로서 실버 페이스트를 이용하여 형성하고, 상기 제2 하부 도전층(322b)은 예로서 솔더 페이스트를 이용하여 형성할 수 있다.Similarly, the conductive paste forming the second upper
실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 도전층(322a)이 실버 페이스트로 형성되는 경우에, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 실버 페이스트가 상기 제2 패드전극(122)과 상기 제2 프레임(112) 사이로 확산되어 침투되는 정도가 약하거나 없는 것으로 검출되었다. The silver paste provided to the second opening portion TH2 is electrically connected to the
따라서, 상기 제2 상부 도전층(322a)이 실버 페이스트로 형성되는 경우, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되거나 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. Accordingly, when the second upper
또한, 상기 제2 상부 도전층(322a)은 실버 페이스트로 형성하고, 상기 제2 하부 도전층(321b)은 솔더 페이스트로 형성하게 되면, 전체 제2 도전층(322)을 실버 페이스트로 형성하는 경우에 비해 제조비용이 절감될 수 있는 장점도 있다.When the second upper
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R10)와 제2 하부 리세스(R20)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)와 상기 제2 하부 리세스(R20)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess (R10) may be provided on the lower surface of the first frame (111). The first lower recess R10 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the
상기 제1 하부 리세스(R10)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The first lower recess R10 may be provided in a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R10. The resin portion filled in the first lower recess R10 may be provided with the same material as the
예로서, 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the first lower recess R10 may be provided in the process of forming the
상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin part filled in the first lower recess R10 may be disposed around the lower surface area of the
예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제1 프레임(111)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.2, the lower surface of the
따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다.The first
이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역으로 흘러 넘치는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다.The first
또한, 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R20 may be provided on a lower surface of the
상기 제2 하부 리세스(R20)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R20 may be provided with a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R20. The resin portion filled in the second lower recess R20 may be provided with the same material as the
예로서, 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the second lower recess R20 may be provided in the process of forming the
상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin portion filled in the second lower recess R20 may be disposed around the lower surface area of the
예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제2 프레임(112)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.2, the lower surface of the
따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다.The second
이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역으로 흘러 넘치는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다.The second
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 22에 도시된 바와 같이 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있다. 상기 수지부(135)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
한편, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 배치될 수도 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 제공되는 과정에서 상기 접착제(130)의 일부가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로 이동될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 측면 영역에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 위에 배치될 수도 있다.Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. A portion of the adhesive 130 may be moved to the first and second openings TH1 and TH2 during the process of providing the
상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있으며, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 습기 또는 이물질이 외부로부터 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.The adhesive 130 may seal the upper region of the first and second openings TH1 and TH2 and moisture or foreign matter may be introduced from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 프레임(111)은 하면에 제공된 하부 리세스와 상면에 제공된 상부 리세스를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 프레임(111)은 하면에 제공된 적어도 하나의 하부 리세스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 프레임(111)은 상면에 제공된 적어도 하나의 상부 리세스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 프레임(111)은 상면에서 제공된 적어도 하나의 상부 리세스와 하면에 제공된 적어도 하나의 하부 리세스를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 프레임(111)은 상면과 하면에 모두 리세스가 형성되지 않은 구조로 제공될 수도 있다.Meanwhile, according to the light emitting
이와 유사하게, 상기 제2 프레임(112)은 하면에 제공된 적어도 하나의 하부 리세스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 프레임(112)은 상면에 제공된 적어도 하나의 상부 리세스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 프레임(112)은 상면에서 제공된 적어도 하나의 상부 리세스와 하면에 제공된 적어도 하나의 하부 리세스를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 프레임(112)은 상면과 하면에 모두 리세스가 형성되지 않은 구조로 제공될 수도 있다.Similarly, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment may be supplied with driving power through the conductive layer disposed in the opening portion . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 도 1 내지 도 22를 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그러면, 도 23을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 23에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 도 1 내지 도 22를 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. 23 shows an example in which the light emitting
도 23을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 22를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 23, in the description of the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 23에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The
상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 패드전극(121)이 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 패드전극(122)이 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the
상기 패키지 몸체(110)는 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통하는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 패드전극(121)의 하부 영역이 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 바닥면이 상기 제1 프레임(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to the embodiment, the lower region of the
또한, 상기 제2 패드전극(122)의 하부 영역이 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 바닥면이 상기 제2 프레임(112)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.In addition, a lower region of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 23에 도시된 바와 같이, 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 23에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . As an example, the adhesive 130 may comprise white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(300)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 23에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에서, 상기 제1 도전층(321)의 상부 부분은 상기 제1 패드전극(121)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.An upper portion of the first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The second
상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에서, 상기 제2 도전층(322)의 상부 부분은 상기 제2 패드전극(122)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.In an upper region of the second opening TH2, an upper portion of the second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
실시 예에 의하면, 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다.Meanwhile, according to the embodiment, a separate bonding layer may be further provided between the
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 유테틱 본딩에 의하여 상기 회로기판(310)에 실장될 수도 있다.According to another embodiment, the first
도 23을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 회로기판(310)으로부터 공급되는 전원이 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)을 통하여 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)에 각각 전달된다. 이때, 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321)이 직접 접촉되고 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322)이 직접 접촉된다.The light emitting
따라서, 도 23에 도시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)에 의하면, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 절연성 프레임으로 형성될 수도 있다. 또한, 도 23에 도시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)에 의하면, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 전도성 프레임으로 형성될 수도 있다.Accordingly, in the light emitting
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are electrically connected to the driving power . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 도 24에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 도 1 내지 도 22를 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(410)에 실장되어 공급되는 다른 예를 나타낸 것이다. The light emitting
도 24를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 23을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 24, a description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 23 may be omitted in describing the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 24에 도시된 바와 같이, 회로기판(410), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 회로기판(410)은 제1 패드(411), 제2 패드(412), 기판(413)을 포함할 수 있다. 상기 기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The
상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(410) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(411)와 상기 제1 패드전극(121)이 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(412)와 상기 제2 패드전극(122)이 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제1 패드(411)와 상기 제2 패드(412)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(411)와 상기 제2 패드(412)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(411)와 상기 제2 패드(412)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통하는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 패드전극(121)의 하부 영역이 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 바닥면이 상기 제1 프레임(111)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to the embodiment, the lower region of the
또한, 상기 제2 패드전극(122)의 하부 영역이 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 바닥면이 상기 제2 프레임(112)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.In addition, a lower region of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 24에 도시된 바와 같이, 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 24에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . As an example, the adhesive 130 may comprise white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(300)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 24에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에서, 상기 제1 도전층(321)의 상부 부분은 상기 제1 패드전극(121)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.An upper portion of the first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The second
상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에서, 상기 제2 도전층(322)의 상부 부분은 상기 제2 패드전극(122)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.In an upper region of the second opening TH2, an upper portion of the second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
실시 예에 의하면, 상기 회로기판(410)의 상기 제1 패드(411)와 상기 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(410)의 상기 제2 패드(412)와 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the
상기 제1 패드(411)가 상기 제1 프레임(111)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 패드(412)가 상기 제2 프레임(112)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패드(411)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제2 패드(412)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다.Meanwhile, according to the embodiment, a separate bonding layer may be further provided between the
도 24를 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 상기 회로기판(410)으로부터 공급되는 전원이 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)을 통하여 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)에 각각 전달된다. 이때, 상기 회로기판(410)의 상기 제1 패드(411)와 상기 제1 프레임(111)이 직접 접촉되고 상기 회로기판(410)의 상기 제2 패드(412)와 상기 제2 프레임(112)이 직접 접촉될 수 있다.The light emitting
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are electrically connected to the driving power . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 경우, 각 패드전극 아래에 하나의 개구부가 제공된 경우를 기준으로 설명되었다. In the case of the light emitting device package according to the embodiment described above, one opening is provided below each pad electrode.
그러나, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 각 패드전극 아래에 복수의 개구부가 제공될 수도 있다. 또한, 복수의 개구부는 서로 다른 폭을 갖는 개구부로 제공될 수도 있다.However, according to the light emitting device package according to another embodiment, a plurality of openings may be provided under each pad electrode. Further, the plurality of openings may be provided as openings having different widths.
또한, 실시 예에 따른 개구부의 형상은 도 25 내지 도 27에 도시된 바와 같이 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.Further, the shape of the opening according to the embodiment may be provided in various shapes as shown in Figs. 25 to 27. Fig.
예를 들어, 도 25에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 개구부(TH3)는 상부 영역으로부터 하부 영역까지 동일한 폭으로 제공될 수도 있다.For example, as shown in Fig. 25, the opening TH3 according to the embodiment may be provided with the same width from the upper region to the lower region.
또한, 도 26에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 개구부(TH4)는 다단 구조의 형상으로 제공될 수도 있다. 예로서, 개구부(TH4)는 2단 구조의 서로 다른 경사각을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다. 또한, 개구부(TH4)는 3단 이상의 서로 다른 경사각을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다.Further, as shown in Fig. 26, the opening TH4 according to the embodiment may be provided in the form of a multi-stage structure. For example, the opening TH4 may be provided in a shape having a different inclination angle of the two-stage structure. Further, the opening portion TH4 may be provided in a shape having three or more different inclination angles.
또한, 도 27에 도시된 바와 같이, 개구부(TH5)는 상부 영역에서 하부 영역으로 가면서 폭이 변하는 형상으로 제공될 수도 있다. 예로서, 개구부(TH5)는 상부 영역에서 하부 영역으로 가면서 곡률을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다.Further, as shown in Fig. 27, the opening portion TH5 may be provided in a shape in which the width changes from the upper region to the lower region. As an example, the opening TH5 may be provided in a shape having a curvature from the upper region to the lower region.
또한, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 패키지 몸체(110)는 상면이 평탄한 지지부재(113)만을 포함하고, 경사지게 배치된 반사부를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다. In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment described above, the
다른 표현으로서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)를 제공하는 구조로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)의 제공 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.In other words, according to the light emitting device package according to the embodiment, the
또한, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)의 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공되는 경우를 기반으로 설명되었으나, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 패키지 몸체(110)의 몸체(113)에 제공될 수도 있다. The first and second openings TH1 and TH2 may be formed on the first and
이와 같이 상기 패키지 몸체(110)의 몸체(113)에 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공되는 경우에, 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 상기 몸체(113)의 상면 길이는 상기 발광소자(120)의 제1 패드전극(121)과 제2 패드전극(122) 사이의 길이에 비해 더 크게 제공될 수 있다.When the first and second openings TH1 and TH2 are provided on the
또한, 상기 패키지 몸체(110)의 몸체(113)에 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공되는 경우에, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 포함하지 않을 수도 있다.When the first and second openings TH1 and TH2 are provided on the
다음으로, 도 28을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 28을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어 도 1 내지 도 27을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 28, a description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 27 may be omitted in describing the light emitting device package according to the embodiment.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 28에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 패드전극(121), 제2 패드전극(122), 반도체 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)는, 도 28에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 배치될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 28에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a recess R as shown in FIG.
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . As an example, the adhesive 130 may comprise white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. The first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제1 프레임(111)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다.The second
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 상기 제2 프레임(112)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 28에 도시된 바와 같이, 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 TiO2 및/또는 Silicone을 포함하는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 패드전극(121)의 아래 영역과 상기 제2 패드전극(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 프레임 위에 제공된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 프레임 위에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment can receive driving power through the conductive layer provided on the frame. And, the melting point of the conductive layer disposed on the frame can be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 29를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 29를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어 도 1 내지 도 28을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 29, a description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 28 in describing a light emitting device package according to an embodiment may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 29에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 패드전극(121), 제2 패드전극(122), 반도체 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)는, 도 29에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 배치될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 29에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R) as shown in FIG.
상기 리세스(R)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the
상기 리세스(R)는 상기 제1 프레임(111)의 상면, 상기 몸체(113)의 상면, 상기 제2 프레임(112)의 상면에 의하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 몸체(113)의 상면은 평탄한 형상으로 제공되고, 상기 제1 프레임(111)의 상면은 높이의 차이가 있는 단차진 계단 형상으로 제공되고, 상기 제2 프레임(112)의 상면은 높이의 차이가 있는 단차진 계단 형상으로 제공될 수 있다.The recess R may be provided by the upper surface of the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 프레임(111)의 단차진 계단 향성의 영역과 상기 제2 프레임(112)의 단차진 계단 형상의 영역 사이에 제공될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)가 상기 제1 프레임(111)의 상면의 일부 영역으로부터 상기 제2 프레임(112)의 상면의 일부 영역까지 연장되어 폭 넓게 제공될 수 있다.As described above, according to the embodiment, the recess R may be provided to extend from a part of the upper surface of the
따라서, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다.Accordingly, the adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . As an example, the adhesive 130 may comprise white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 폭 넓게 또한 두껍게 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. The first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제1 프레임(111)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. The second
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 상기 제2 프레임(112)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 29에 도시된 바와 같이, 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 TiO2 및/또는 Silicone을 포함하는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 패드전극(121)의 아래 영역과 상기 제2 패드전극(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 프레임 위에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 프레임 위에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment can receive driving power through the conductive layer disposed on the frame . And, the melting point of the conductive layer disposed on the frame can be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 30을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 30을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어 도 1 내지 도 29를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 30, a description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 29 may be omitted in describing the light emitting device package according to the embodiment.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 30에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
도 30에 도시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 28을 참조하여 설명된 발광소자 패키지에 대비하여, 제1 리세스(R1)와 제2 리세스(R2)를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 30 may further include a first recess R 1 and a second recess R 2 in contrast to the light emitting device package described with reference to FIG. 28.
상기 제1 리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The first recess R1 may be provided on the upper surface of the
상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The second recess R2 may be provided on the upper surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 리세스(R1)에 상기 제1 도전층(321)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 리세스(R1) 영역에 상기 제1 패드전극(121)이 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R2)에 상기 제2 도전층(322)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제2 리세스(R2) 영역에 상기 제2 패드전극(122)이 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리세스(R1, R2)는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다.According to the embodiment, the first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 30에 도시된 바와 같이, 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 TiO2 및/또는 Silicone을 포함하는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 리세스(R1) 영역과 상기 제2 리세스(R2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment may be supplied with driving power through the conductive layer disposed in the opening portion . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 31을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 31을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어 도 1 내지 도 30을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 31, a description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 30 may be omitted in describing the light emitting device package according to the embodiment.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 31에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
도 31에 도시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 29를 참조하여 설명된 발광소자 패키지에 대비하여, 제1 리세스(R1)와 제2 리세스(R2)를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 31 may further include a first recess R 1 and a second recess R 2 in contrast to the light emitting device package described with reference to FIG. 29.
상기 제1 리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first recess R1 may be provided on the upper surface of the
상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The second recess R2 may be provided on the upper surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 리세스(R1)에 상기 제1 도전층(321)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 리세스(R1) 영역에 상기 제1 패드전극(121)이 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R2)에 상기 제2 도전층(322)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제2 리세스(R2) 영역에 상기 제2 패드전극(122)이 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리세스(R1, R2)는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다.According to the embodiment, the first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 31에 도시된 바와 같이, 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 TiO2 및/또는 Silicone을 포함하는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 리세스(R1) 영역과 상기 제2 리세스(R2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 프레임 위에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 프레임 위에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment can receive driving power through the conductive layer disposed on the frame . And, the melting point of the conductive layer disposed on the frame can be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
다음으로, 도 32를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 32를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어 도 1 내지 도 31을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 32, a description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 31 may be omitted in describing the light emitting device package according to the embodiment.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이, 몸체(113), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)에 리세스(R), 제1 개구부(TH1), 제2 개구부(TH2)가 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 몸체(113)는, 도 32에 도시된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. According to the embodiment, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 패드전극(121), 제2 패드전극(122), 반도체 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)는, 도 32에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 배치될 수 있다. The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, the width of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 패드전극(121)의 하부 영역이 상기 제1 개구부(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 바닥면이 상기 몸체(113)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to the embodiment, a lower region of the
또한, 상기 제2 패드전극(122)의 하부 영역이 상기 제2 개구부(TH2) 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 바닥면이 상기 몸체(113)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.In addition, a lower region of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include the recess R as shown in FIG.
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . As an example, the adhesive 130 may comprise white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first
상기 제1 도전층(321)은 상기 몸체(113)의 하면에 제공된 제1 하부 리세스(R5)에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 몸체(113) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The first
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 하부 리세스(R5) 내에서 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제2 도전층(322)은 상기 몸체(113)의 하면에 제공된 제2 하부 리세스(R6)에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 몸체(113) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The second
상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 하부 리세스(R6) 내에서 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제1 도전층(321)의 상면의 제1 영역은 상기 제1 개구부(TH1) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면의 상기 제1 영역은 상기 제1 개구부(TH1)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.A first region of the upper surface of the first
또한, 상기 제1 도전층(321)의 상면의 제2 영역은 상기 몸체(113)의 하면의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면의 상기 제2 영역은 상기 몸체(113)의 하면과 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.A second region of the upper surface of the first
상기 제2 도전층(322)의 상면의 제1 영역은 상기 제2 개구부(TH2) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면의 상기 제1 영역은 상기 제2 개구부(TH2)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.A first region of the upper surface of the second
또한, 상기 제2 도전층(322)의 상면의 제2 영역은 상기 몸체(113)의 하면의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면의 상기 제2 영역은 상기 몸체(113)의 하면과 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.A second region of the upper surface of the second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 방열 특성이 좋은 금속 물질 또는 그 합금으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322) 열 방출 특성이 좋은 물질로 형성됨에 따라, 상기 발광소자(120)에서 발생된 열이 외부로 효과적으로 방출될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있게 된다.The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이, 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 TiO2 및/또는 Silicone을 포함하는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
한편, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 배치될 수도 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 제공되는 과정에서 상기 접착제(130)의 일부가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로 이동될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 측면 영역에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 위에 배치될 수도 있다.Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. A portion of the adhesive 130 may be moved to the first and second openings TH1 and TH2 during the process of providing the
상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있으며, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 습기 또는 이물질이 외부로부터 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.The adhesive 130 may seal the upper region of the first and second openings TH1 and TH2 and moisture or foreign matter may be introduced from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 측벽 끝단까지 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 접착성 수지 등을 통하여 상기 몸체(113)의 하면에 접착되어 배치될 수도 있다. 상기 제1 도전층(321)의 측면과 상기 몸체(113)이 제1 측면이 동일 평면에 제공될 수 있다. 또한 상기 제2 도전층(322)의 측면과 상기 몸체(113)의 제2 측면이 동일 평면에 제공될 수 있다.In addition, according to another embodiment, the first and second
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130), 상기 수지부(135), 상기 몸체(113)가 동일 물질을 포함할 수도 있다.According to another embodiment, the adhesive 130, the
그리고, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113), 상기 접착제(130), 상기 수지부(135), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansin) 매칭을 고려하여 상기 접착제(130)와 상기 수지부(135)의 물성을 선택함으로써, 열 충격에 의한 크랙(crack) 이나 박리 문제가 발생되는 것을 개선할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부 아래에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부 아래에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are provided with the driving power through the conductive layer disposed under the opening. have. And, the melting point of the conductive layer disposed under the opening can be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(113)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(113)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상에서 설명된 발광소자 패키지에는 예로서 플립칩 발광소자가 제공될 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package described above may be provided with a flip chip light emitting device as an example.
예로서, 플립칩 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있으며, 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자로 제공될 수도 있다. For example, the flip chip light emitting device may be provided as a transmissive flip chip light emitting device that emits light in six plane directions, or may be provided as a reflective flip chip light emitting device that emits light in five plane directions.
상기 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자는 상기 패키지 패키지 몸체(110)에 가까운 방향으로 반사층이 배치된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사형 플립칩 발광소자는 제1 및 제2 전극 패드와 반도체 구조물 사이에 절연성 반사층(예를 들어 Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector 등) 및/또는 전도성 반사층(예를 들어 Ag, Al, Ni, Au 등)을 포함할 수 있다. The reflection type flip chip light emitting device in which light is emitted in the five-sided direction may have a structure in which a reflection layer is disposed in a direction close to the
또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 가지며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 빛이 방출되는 일반적인 수평형 발광소자로 제공될 수 있다. The flip chip light emitting device may include a first electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer, And may be provided as a general horizontal type light emitting device in which light is emitted between one electrode and the second electrode.
또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는, 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에 반사층이 배치된 반사 영역과 빛이 방출되는 투과 영역을 모두 포함하는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있다.The flip-chip light emitting device in which the light is emitted in the six-sided direction includes a reflective region in which a reflective layer is disposed between the first and second electrode pads, and a transmissive flip chip light emitting device Can be provided.
여기서, 투과형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면, 하부면의 6면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다. 또한, 반사형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면의 5면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다.Here, the transmissive flip chip light emitting device refers to a device that emits light to the top surface, four side surfaces, and six surfaces of the bottom surface. In addition, the reflection type flip chip light emitting device means an element that emits light to the upper surface and the four side surfaces.
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다.Hereinafter, an example of a flip chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 33 및 도 34를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 설명하기로 한다. 도 33은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 34는 도 33에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.First, referring to FIGS. 33 and 34, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 33 is a plan view illustrating the electrode arrangement of the light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, and FIG. 34 is a cross-sectional view taken along the line F-F of the light emitting device shown in FIG.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 33을 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(127)은 제1 패드전극(121)과 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 제2 패드전극(122)과 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.33, only the relative arrangement of the
실시 예에 따른 발광소자는, 도 33 및 도 34에 도시된 바와 같이, 기판(124) 위에 배치된 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a
상기 기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The
상기 반도체 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123aa), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(123b)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)과 상기 제2 도전형 반도체층(123c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(123a) 위에 상기 활성층(123b)이 배치되고, 상기 활성층(123b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. The first
실시 예에 따른 발광소자는, 도 33 및 도 34에 도시된 바와 같이, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a
상기 제1 전극(127)은 제1 패드전극(121)과 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 패드전극(121)으로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 패드전극(121)으로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제2 전극(128)은 제2 패드전극(122)과 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 패드전극(122)으로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 패드전극(122)으로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 전원이 상기 반도체 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first
상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The
한편, 상기 반도체 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 반도체 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 반도체 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.The
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.By way of example, the protective layer may be provided as an insulating material. For example, the protective layer can be made of Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y And at least one material selected from the group consisting of:
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, light generated in the
상기 발광소자의 상면으로 방출되는 빛은, 도 1 내지 도 32를 참조하여 설명된 리세스(R) 영역으로 입사될 수 있다. The light emitted to the upper surface of the light emitting device may be incident on the recessed region described with reference to FIGS.
참고로, 도 1 내지 도 32를 참조하여 설명된 발광소자의 배치 방향과 도 33 및 도 34에 도시된 발광소자의 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다.For reference, the arrangement directions of the light emitting elements described with reference to Figs. 1 to 32 and the arrangement directions of the light emitting elements shown in Figs. 33 and 34 are shown opposite to each other.
도 1 내지 도 32를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이로 방출되는 빛이 상기 리세스(R) 영역에 배치된 상기 접착제(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 접착제(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.1 to 32, light emitted between the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
예로서, 상기 제1 패드전극(121)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 패드전극(121)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the width of the
또한, 상기 제2 패드전극(122)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 패드전극(122)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width of the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 직접 접촉되는 경우를 기반으로 설명되었다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above is based on the case where the first and
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 사이에 별도의 도전성 구성요소가 더 배치될 수도 있다.However, according to another embodiment of the light emitting device package according to the embodiment, the first and
다음으로, 도 35를 참조하여, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.
도 35를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 34를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 35, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 34.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 35에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 패드전극(121), 제2 패드전극(122), 반도체 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는, 도 35에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 반도체 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)이 배치될 수 있다.The
상기 반도체 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드전극(121)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)은 상기 반도체 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 35에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIG. The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 패드전극(121)과 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 패드전극(122)과 중첩되어 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be disposed below the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 35에 도시된 바와 같이, 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.The light emitting device package 200 according to the embodiment may include a
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 패드전극(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 패드전극(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. The
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 패드전극(121)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제1 도전층(321)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 도전층(321)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. The lower surface of the
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 패드전극(121)에서 상기 제1 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 패드전극(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 패드전극(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. In addition, the
상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 패드전극(122)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 패드전극(122) 및 상기 제2 도전층(322)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 도전층(322)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.The lower surface of the
상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 패드전극(122)에서 상기 제2 개구부(TH2) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전층(321)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 패드전극(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제1 도전체(221)에 의하여 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 패드전극(121) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다. According to the light emitting device package 200 of this embodiment, the electrical connection between the first
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전층(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 패드전극(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제2 도전체(222)에 의하여 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 패드전극(122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다.According to the light emitting device package 200 of this embodiment, the electrical connection between the second
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.For example, the first and
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.For example, the first
또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 접착제(130)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 35에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면과 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.By way of example, the adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)는 다른 표현으로서 제1 수지로 지칭될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . Also, as an example, if the adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable clamping force between the
실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)에 비해 작게 제공될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be smaller than the depth T2 of the first opening TH1 or the depth T2 of the second opening TH2.
상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. The depth T1 of the recess R may be determined by taking into consideration the stable strength of the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 접착제(130)를 통해 실장하기 위해 상기 접착제(130)를 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다. The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth (T1) and the width (W4) of the recess (R) can affect the forming position and fixing force of the adhesive (130). The depth T1 and the width W4 of the recess R may be determined so that a sufficient fixing force can be provided by the adhesive 130 disposed between the
예로서, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth (T1) of the recess (R) may be provided by several tens of micrometers. The depth (T1) of the recess (R) may be provided from 40 micrometers to 60 micrometers.
또한, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 발광소자(120)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.In addition, the width W4 of the recess R may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. Here, the width W4 of the recess R may be provided in the major axis direction of the
상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 폭 또는 직경에 비해 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 300 마이크로 미터 내지 400 마이크로 미터로 제공될 수 있다. The width W4 of the recess R may be narrower than the gap between the
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. The depth T2 of the first opening TH1 may be provided corresponding to the thickness of the
상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.The depth T2 of the second opening portion TH2 may be provided corresponding to the thickness of the
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.The depth T2 of the first opening TH1 and the depth T2 of the second opening TH2 may be provided corresponding to the thickness of the
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be several hundred micrometers. The depth T2 of the first opening TH1 may be 180 to 220 micrometers. For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be 200 micrometers.
예로서, 상기 (T2-T1)의 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. By way of example, the thickness of (T2-T1) may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the
실시 예에 의하면, T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)는 2 내지 10으로 제공될 수 있다. 예로서, T2의 두께가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, T1의 두께는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the ratio of the T1 thickness to the T2 thickness (T2 / T1) may be 2 to 10. As an example, if the thickness of T2 is provided at 200 micrometers, the thickness of T1 may be provided from 20 micrometers to 100 micrometers.
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, in the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 35에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The
상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 35에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R10)와 제2 하부 리세스(R20)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)와 상기 제2 하부 리세스(R20)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a first lower recess R10 and a second lower recess R20, as shown in FIG. The first lower recess R10 and the second lower recess R20 may be spaced apart from each other.
상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess (R10) may be provided on the lower surface of the first frame (111). The first lower recess R10 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the
상기 제1 하부 리세스(R10)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The first lower recess R10 may be provided in a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R10. The resin portion filled in the first lower recess R10 may be provided with the same material as the
다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second
예로서, 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the first lower recess R10 may be provided in the process of forming the
상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부는 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin part filled in the first lower recess R10 may be disposed around the lower surface area of the
따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R10)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second
이는 상기 제1 도전층(321)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 제1 프레임(111)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the first
이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 배치되는 제1 도전층(321)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제1 하부 리세스(R10)의 바깥 영역으로 상기 제1 도전층(321)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 패드전극(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. The first
따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first
또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 제1 하부 리세스(R10)로 연장되어 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 하부 리세스(R10) 내에는 상기 제1 도전층(321) 및/또는 상기 수지부가 배치될 수 있다.Also, the first
또한, 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R20 may be provided on a lower surface of the
상기 제2 하부 리세스(R20)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R20 may be provided with a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R20. The resin portion filled in the second lower recess R20 may be provided with the same material as the
다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second
예로서, 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the second lower recess R20 may be provided in the process of forming the
상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부는 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin portion filled in the second lower recess R20 may be disposed around the lower surface area of the
따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R20)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second
이는 상기 제2 도전층(322)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 제2 프레임(112)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the second
이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 배치되는 제2 도전층(322)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제2 하부 리세스(R20)의 바깥 영역으로 상기 제2 도전층(322)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 패드전극(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. The second
따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first
또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 제2 하부 리세스(R20)로 연장되어 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 하부 리세스(R20) 내에는 상기 제2 도전층(321) 및/또는 상기 수지부가 배치될 수 있다.Also, the second
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 35에 도시된 바와 같이 수지부(135)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include the
상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 패드전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 반도체 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 수지부(135)는 상기 제1 패드전극(121)과 상기 제2 패드전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 하면과 둘레에 보호층이 제공될 수도 있다. 이와 같은 경우, 상기 활성층의 표면에 절연성의 보호층이 제공되므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 경우에도 상기 발광소자(120)의 활성층에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다.Also, according to the embodiment, a protective layer may be provided around the lower surface of the
한편, 상기 발광소자(120)의 하면 및 둘레에 절연성의 보호층이 배치되는 경우에도, 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124) 둘레에는 절연성 보호층이 배치되지 않는 경우도 있을 수 있다. 이때, 상기 기판(124)이 전도성 물질로 제공되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124)에 접하게 되면 단락에 의한 불량이 발생될 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124)에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, even when an insulating protective layer is disposed on the lower surface and the periphery of the
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다.According to another embodiment of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122) 둘레에 배치될 수도 있다.According to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
이때, 상기 접착제(130)는 제1 수지로 지칭될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 제1 및 제2 본딩부로 각각 지칭될 수도 있다.In this case, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and
한편, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 배치될 수도 있다. 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 제공되는 과정에서 상기 접착제(130)의 일부가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로 이동될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 측면 영역에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 위에 배치될 수도 있다. 또한, 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부에서 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222) 측면에 배치될 수도 있다.Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. A portion of the adhesive 130 may be moved to the first and second openings TH1 and TH2 during the process of providing the
상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있으며, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 습기 또는 이물질이 외부로부터 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.The adhesive 130 may seal the upper region of the first and second openings TH1 and TH2 and moisture or foreign matter may be introduced from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되지 않을 수도 있다.When the space for providing the adhesive 130 between the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package 200 according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment may be supplied with driving power through the conductive layer disposed in the opening portion . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(200)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 200 according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process, re-melting phenomenon does not occur and electrical connection and physical bonding force are not deteriorated There is no advantage.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package 200 and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, in the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The area where the adhesive 130 overlaps the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above can be applied to the light source device.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Further, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like depending on an industrial field.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.An example of the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, a light emitting module disposed in front of the reflector, An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, And may include a color filter disposed in front thereof. Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. The display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are disposed, respectively, without including a color filter.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, A lens that refracts light forward, and a shade that reflects off a portion of the light that is reflected by the reflector and that is directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder. The light source module may include the light emitting device package according to the embodiment.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 다양한 변형 예를 포함할 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may include various modifications.
이하에서는 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 변형 예를 설명하며, 각 변형 예는 이상에서 설명된 발광소자 패키지의 실시 예에 각각 적용될 수 있다. 또한, 이하에서 설명되는 각 변형 예는 서로 충돌되지 않는 범위 내에서 복수의 변형 예가 조합되어 적용될 수 있다.Hereinafter, modifications of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to the drawings, and each modified example may be applied to the light emitting device package embodiment described above. In addition, each of the modifications described below can be applied in combination with a plurality of modified examples within a range where they do not collide with each other.
먼저, 도 36을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 36을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.First, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Referring to FIG. 36, in the description of the light emitting device package according to the embodiment, descriptions overlapping with those described above may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(113)와 발광소자(120)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1 및 제2 패드전극(121, 122)을 포함할 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2 반도체층에 각각 전기적으로 연결될 수 있으며, 각각 제1 및 제2 본딩부로 지칭될 수도 있다.The first and
상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 각각 돌출부를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에서 하부 방향으로 연장되어 돌출된 돌출부를 각각 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 돌출부는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. The first and
상기 제1 패드전극(121)의 돌출부의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 패드전극(122)의 돌출부의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.The lower surface of the protrusion of the
상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 돌출부는 예로서 원 기둥 형상 또는 다각 기둥 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 형상은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역 형상에 대응되어 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 돌출부의 폭 또는 직경은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭 또는 직경에 비해 작게 제공될 수 있다.The protrusions of the first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 몸체(113) 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include first and second
상기 제1 도전층(321)의 상면의 제1 영역은 상기 제1 개구부(TH1) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면의 상기 제1 영역은 상기 제1 개구부(TH1)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패드전극(121)의 돌출부 둘레에 배치될 수 있다.A first region of the upper surface of the first
또한, 상기 제1 도전층(321)의 상면의 제2 영역은 상기 몸체(113)의 하면의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면의 제2 영역은 상기 몸체(113)의 하면과 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 몸체(113)의 하면에 접착성 수지를 통하여 결합될 수도 있다.A second region of the upper surface of the first
상기 제2 도전층(322)의 상면의 제1 영역은 상기 제2 개구부(TH2) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면의 상기 제1 영역은 상기 제2 개구부(TH2)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 패드전극(122)의 돌출부 둘레에 배치될 수 있다.A first region of the upper surface of the second
또한, 상기 제2 도전층(322)의 상면의 제2 영역은 상기 몸체(113)의 하면의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면의 제2 영역은 상기 몸체(113)의 하면과 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 몸체(113)의 하면에 접착성 수지를 통하여 결합될 수도 있다.A second region of the upper surface of the second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first
또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 몸체(113)의 측벽 끝단까지 연장되어 배치될 수 있다.The first and second
상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 일종의 리드 프레임의 기능을 제공할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second
그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다. 상기 접착제는 위에서 설명된 바와 같이 제1 수지로 지칭될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130. The adhesive may be referred to as a first resin as described above.
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 둘레 및 상기 발광소자(120)의 하부로 이동되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내부로 이동되어 배치될 수도 있다. For example, the adhesive 130 may be disposed around the first and
상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있으며, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 습기 또는 이물질이 외부로부터 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이의 고정력을 향상시킬 수 있다.The adhesive 130 may seal the upper region of the first and second openings TH1 and TH2 and moisture or foreign matter may be introduced from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the
또한, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있는 공간이 충분하게 확보되는 경우, 상기 몸체(113)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수도 있다.In addition, when a sufficient space for providing the adhesive 130 between the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 서브 마운트 또는 회로기판 등에 제공된 제1 및 제2 패드부와 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may be mounted on a submount, a circuit board, or the like. At this time, the first and second
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 패드전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 패드전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The power supply is connected to the
이에 따라, 상기 제1 패드전극(121) 및 상기 제2 패드전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(113)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 패드전극과 제2 패드전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment may be supplied with driving power through the conductive layer disposed in the opening portion . And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(113)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(113)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상의 설명에서는, 상기 몸체(113)가 캐비티(C)를 포함하는 경우를 기준으로 설명되었다. 상기 캐비티(C)에 상기 발광소자(120)가 배치될 수 있다. 그러나, 다른 실시 예에 의하면, 도 37에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(113)는 캐비티를 포함하지 않는 형태로 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 몸체(113)는 캐비티를 포함하지 않고, 상면이 평탄한 형상으로 제공될 수도 있다.In the above description, the case where the
상기 몸체(113)의 측면과 상기 제1 도전층(321)의 측면이 동일 평면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)의 다른 측면과 상기 제2 도전층(322)의 측면이 동일 평면에 제공될 수 있다.The side surface of the
또한, 이상의 설명에서는, 상기 몸체(113)의 하면에 배치된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 측면까지 연장되어 배치되는 경우를 기준으로 설명되었다. 그러나, 상기 몸체(113)의 하면에 배치된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 몸체(113)의 측면까지 연장되지 않고, 상기 몸체(113)의 하면 일부 영역에만 배치될 수 있으며, 상기 캐비티(C)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수도 있다.In the above description, the case where the first and second
한편, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 측면에도 배치될 수 있다. 이는 상기 발광소자(120)에 표면에 제공된 OH- 로 인하여 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라갈 수 있기 때문이다. 이때, 상기 발광소자(120)의 측면에 제공된 상기 접착제(130)의 두께가 너무 두꺼우면 광도(Po)가 낮아질 수 있으므로, 적절한 두께의 제어가 필요하다. 또한, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)의 측면에 배치될 수 있으므로, 이중 보호막 구조로 제공될 수 있고, 내습성이 향상되고 기타 오염물질로부터 상기 발광소자(120)가 보호될 수 있는 장점이 있다.Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed on the side surface of the
또한, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)의 하부 및 둘레에 제공됨에 있어, 예로서 상기 접착제(130)가 원심분리 공법 등을 통하여 제공될 수도 있다. 상기 접착제(130)가 상기 몸체(113)에 도포되고, 원심분리 공법을 통하여 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)의 하부 및 둘레 영역으로 확산되어 제공될 수 있다. 이와 같이, 원심분리 공법 등이 적용되는 경우, 상기 접착제(130)에 포함된 반사 물질이 하부 영역으로 침강될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)의 활성층 측면에는 일종의 클리어 몰딩부만 배치되고, 반사물질은 상기 발광소자(120)의 활성층에 비해 더 낮은 영역에 배치될 수 있으므로, 광도(Po)를 더욱 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in a case where the adhesive 130 is provided under and around the
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)와 상기 상기 몸체(113)가 동일 물질을 포함할 수도 있다.According to another embodiment, the adhesive 130 and the
그리고, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113), 상기 접착제(130), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 접착제(130)의 물성을 선택함으로써, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.According to the embodiment, by selecting the physical properties of the adhesive 130 considering the CTE (Coefficient of Thermal Expansion) matching between the
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention.
110 패키지 몸체
111 제1 프레임
112 제2 프레임
113 몸체
120 발광소자
121 제1 패드전극
122 제2 패드전극
123 반도체 구조물
125 제1 가지전극
126 제2 가지전극
127 제1 전극
128 제2 전극
130 접착제
135 수지부
140 몰딩부
221 제1 도전체
222 제2 도전체
310 회로기판
311 제1 패드
312 제2 패드
313 기판
321 제1 도전층
321a 제1 상부 도전층
321b 제1 하부 도전층
322 제2 도전층
322a 제2 상부 도전층
322b 제2 하부 도전층
R 리세스
TH1 제1 개구부
TH2 제2 개구부110
112
120
122
125
127
130 adhesive 135 resin part
140
222
311
313
321a First upper
322 Second
322b Second lower conductive layer R recess
TH1 first opening TH2 second opening
Claims (14)
상기 몸체 상에 배치된 발광소자; 및
반사물질을 포함하는 접착제;
를 포함하고,
상기 몸체는 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 배치되는 제1 리세스를 포함하고,
상기 접착제는 상기 제1 리세스에 배치되고,
상기 발광소자는,
상기 제1 개구부 상에 배치된 제1 전극;
상기 제2 개구부 상에 배치된 제2 전극;
상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 반도체층, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 반도체층, 및 상기 제1 및 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 및
상기 반도체 구조물 상에 배치된 기판;
을 포함하고,
상기 제1 전극은 제1 방향으로 상기 제1 개구부와 중첩되는 제1 본딩부 및 상기 제1 본딩부에서 연장되는 제1 가지전극을 포함하고,
상기 제2 전극은 상기 제1 방향으로 상기 제2 개구부와 중첩되는 제2 본딩부를 포함하고,
상기 제1 방향은 상기 몸체의 하면에서 상기 몸체의 상면으로 향하는 방향이고,
상기 제1 및 상기 제2 본딩부의 면적의 합은 상기 기판의 상면 면적을 기준으로 10% 이하인 발광소자 패키지.A body including first and second openings penetrating an upper surface and a lower surface;
A light emitting element disposed on the body; And
An adhesive comprising a reflective material;
Lt; / RTI >
The body including a first recess disposed between the first opening and the second opening,
Wherein the adhesive is disposed in the first recess,
The light-
A first electrode disposed on the first opening;
A second electrode disposed on the second opening;
A semiconductor structure including a first semiconductor layer electrically connected to the first electrode, a second semiconductor layer electrically connected to the second electrode, and an active layer disposed between the first and second semiconductor layers; And
A substrate disposed on the semiconductor structure;
/ RTI >
Wherein the first electrode includes a first bonding portion overlapping the first opening in a first direction and a first branched electrode extending from the first bonding portion,
And the second electrode includes a second bonding portion overlapping the second opening in the first direction,
The first direction is a direction from the lower surface of the body toward the upper surface of the body,
Wherein the sum of the areas of the first and second bonding portions is 10% or less based on the area of the top surface of the substrate.
상기 접착제가 상기 발광소자와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부와 상기 제1 및 제2 본딩부가 중첩되는 영역의 면적보다 큰 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein an area where the adhesive overlaps the light emitting element with respect to the first direction is larger than an area of the area where the first and second openings overlap with the first and second bonding parts.
상기 접착제는 상기 몸체의 상면 및 상기 발광소자의 하면과 직접 접촉되어 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive is disposed in direct contact with an upper surface of the body and a lower surface of the light emitting device.
상기 제1 개구부에 제공되며 상기 제1 본딩부의 하면과 직접 접촉되어 배치된 제1 도전층;
상기 제2 개구부에 제공되며 상기 제2 본딩부의 하면과 직접 접촉되어 배치된 제2 도전층;
을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
A first conductive layer provided in the first opening and disposed in direct contact with a lower surface of the first bonding portion;
A second conductive layer provided in the second opening and disposed in direct contact with a lower surface of the second bonding portion;
Emitting device package.
상기 제1 도전층은 상기 제1 개구부의 상부 영역에 제공된 제1 상부 도전층과 상기 제1 개구부의 하부 영역에 제공된 제1 하부 도전층을 포함하고,
상기 제1 상부 도전층과 상기 제1 하부 도전층은 서로 다른 물질을 포함하는 발광소자 패키지.5. The method of claim 4,
Wherein the first conductive layer includes a first upper conductive layer provided in an upper region of the first opening and a first lower conductive layer provided in a lower region of the first opening,
Wherein the first upper conductive layer and the first lower conductive layer comprise different materials.
상기 몸체의 상면에 제공되며 상기 제1 개구부로부터 이격되어 배치된 제1 상부 리세스;
상기 몸체의 상면에 제공되며 상기 제2 개구부로부터 이격되어 배치된 제2 상부 리세스;
를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
A first upper recess provided on an upper surface of the body and spaced apart from the first opening;
A second upper recess provided on an upper surface of the body and spaced apart from the second opening;
Emitting device package.
상기 제1 상부 리세스에 제공된 제1 수지부와 상기 제2 상부 리세스에 제공된 제2 수지부를 포함하고,
상기 제1 수지부와 상기 제2 수지부는 화이트 실리콘을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 6,
A first resin part provided on the first upper recess and a second resin part provided on the second upper recess,
Wherein the first resin part and the second resin part comprise white silicon.
상기 몸체의 하면에 제공되며 상기 제1 개구부로부터 이격되어 배치된 제1 하부 리세스;
상기 몸체의 하면에 제공되며 상기 제2 개구부로부터 이격되어 배치된 제2 하부 리세스;
를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
A first lower recess provided on a lower surface of the body and spaced apart from the first opening;
A second lower recess provided on a lower surface of the body and spaced apart from the second opening;
Emitting device package.
상기 제1 하부 리세스에 제공된 제1 수지부와 상기 제2 하부 리세스에 제공된 제2 수지부를 포함하고,
상기 제1 수지부와 상기 제2 수지부는 상기 몸체와 같은 물질을 포함하는 발광소자 패키지.9. The method of claim 8,
A first resin part provided on the first lower recess and a second resin part provided on the second lower recess,
Wherein the first resin part and the second resin part include the same material as the body.
상기 제1 리세스 상에 배치된 접착제;
상기 접착제 상에 배치된 발광소자; 및
상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 및 제2 도전체; 를 포함하고,
상기 발광소자는,
상기 제1 개구부 상에 배치된 제1 전극;
상기 제2 개구부 상에 배치된 제2 전극;
상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 및
상기 반도체 구조물 상에 배치된 기판; 을 포함하고,
상기 제1 도전체는 상기 제1 전극에서 상기 제1 개구부 내부까지 배치되고,
상기 제2 도전체는 상기 제2 전극에서 상기 제2 개구부 내부까지 배치된 발광소자 패키지.A body including first and second openings passing through upper and lower surfaces, and a first recess disposed between the first and second openings;
An adhesive disposed on the first recess;
A light emitting element disposed on the adhesive; And
First and second conductors disposed between the body and the light emitting device; Lt; / RTI >
The light-
A first electrode disposed on the first opening;
A second electrode disposed on the second opening;
A first conductive semiconductor layer electrically connected to the first electrode, a second conductive semiconductor layer electrically connected to the second electrode, and a second conductive semiconductor layer electrically connected to the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer A semiconductor structure including an active layer disposed therein; And
A substrate disposed on the semiconductor structure; / RTI >
The first conductor is disposed from the first electrode to the inside of the first opening,
And the second conductor is disposed from the second electrode to the inside of the second opening.
상기 제1 전극은 제1 방향으로 상기 제1 개구부와 중첩되는 제1 본딩부 및 상기 제1 본딩부에서 연장되는 제1 가지전극을 포함하고,
상기 제2 전극은 상기 제1 방향으로 상기 제2 개구부와 중첩되는 제2 본딩부를 포함하고,
상기 제1 방향은 상기 몸체의 하면에서 상기 몸체의 상면으로 향하는 방향이고,
상기 제1 및 상기 제2 본딩부의 면적의 합은 상기 기판의 상면 면적을 기준으로 10% 이하인 발광소자 패키지.11. The method of claim 10,
Wherein the first electrode includes a first bonding portion overlapping the first opening in a first direction and a first branched electrode extending from the first bonding portion,
And the second electrode includes a second bonding portion overlapping the second opening in the first direction,
The first direction is a direction from the lower surface of the body toward the upper surface of the body,
Wherein the sum of the areas of the first and second bonding portions is 10% or less based on the area of the top surface of the substrate.
상기 접착제가 상기 발광소자와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부와 상기 제1 및 제2 본딩부가 중첩되는 영역의 면적보다 큰 발광소자 패키지.12. The method of claim 11,
Wherein an area where the adhesive overlaps the light emitting element with respect to the first direction is larger than an area of the area where the first and second openings overlap with the first and second bonding parts.
상기 제1 개구부에 제공되며, 상기 제1 본딩부의 측면 및 하면과 직접 접촉되어 배치된 제1 도전층;
상기 제2 개구부에 제공되며, 상기 제2 본딩부의 측면 및 하면과 직접 접촉되어 배치된 제2 도전층;
을 포함하는 발광소자 패키지.12. The method of claim 11,
A first conductive layer provided in the first opening and disposed in direct contact with a side surface and a bottom surface of the first bonding portion;
A second conductive layer provided in the second opening and disposed in direct contact with a side surface and a bottom surface of the second bonding portion;
Emitting device package.
상기 제1 도전층은 상기 제1 개구부의 상부 영역에 제공된 제1 상부 도전층과 상기 제1 개구부의 하부 영역에 제공된 제1 하부 도전층을 포함하고,
상기 제1 상부 도전층과 상기 제1 하부 도전층은 서로 다른 물질을 포함하는 발광소자 패키지.14. The method of claim 13,
Wherein the first conductive layer includes a first upper conductive layer provided in an upper region of the first opening and a first lower conductive layer provided in a lower region of the first opening,
Wherein the first upper conductive layer and the first lower conductive layer comprise different materials.
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