JP2019021919A - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

To provide a semiconductor device package improving the light extraction efficiency and electrical characteristics and improving the process efficiency.SOLUTION: An embodiment includes: a body 110 including first and second openings TH1, TH2 passing through upper and lower surfaces of the body; a light emitting device 120 disposed on the body and including first and second bonding parts; and first and second conductive layers 321, 322 disposed under the body and electrically connected to the first and second bonding parts, respectively. The first and second bonding parts may include respective protrusion portions protruding and extending downward within the first and second openings.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

実施例は、半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置に関するものである。   Embodiments relate to a semiconductor element package, a method for manufacturing the semiconductor element package, and a light source device.

GaN、AlGaN等の化合物を含む半導体素子は、広くて調整が容易なバンドギャップエネルギーを有する等の多様な長所を有することから、発光素子、受光素子及び各種ダイオード等に多様に用いられている。   Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have various advantages such as wide and easily adjustable band gap energy, and thus are widely used in light emitting devices, light receiving devices, various diodes, and the like.

特に、III族‐V族またはII族‐VI族化合物半導体物質を利用した発光ダイオード(Light Emitting Diode)やレーザダイオード(Laser Diode)のような発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発により赤色、緑色、青色及び紫外線等多様な波長帯域の光を具現できる長所がある。また、III族‐V族またはII族‐VI族化合物半導体物質を利用した発光ダイオードやレーザダイオードのような発光素子は、蛍光物質を利用したり色を組合わせることで、効率のよい白色光源も具現可能である。このような発光素子は、蛍光灯、白熱灯等既存の光源に比べて、低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の長所を有する。   In particular, light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using III-V or II-VI compound semiconductor materials are red due to the development of thin film growth technology and device materials. There is an advantage that light of various wavelength bands such as green, blue and ultraviolet can be realized. In addition, light-emitting elements such as light-emitting diodes and laser diodes that use Group III-V or Group II-VI group compound semiconductor materials use fluorescent materials or combine colors to create an efficient white light source. It can be implemented. Such a light emitting element has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness as compared with existing light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

さらに、光検出器や太陽電池のような受光素子も、III族‐V族またはII族‐VI族化合物半導体物質を利用して製作する場合、素子材料の開発により多様な波長領域の光を吸収して光電流を生成することで、ガンマ線からラジオ波長領域まで多様な波長領域の光を利用することができる。また、このような受光素子は、速い応答速度、安全性、環境親和性及び素子材料の容易な調節といった長所を有することで、電力制御または超高周波回路や通信用モジュールにも容易に利用することができる。   Furthermore, when light-receiving elements such as photodetectors and solar cells are manufactured using Group III-V or Group II-VI compound semiconductor materials, light in various wavelength regions is absorbed by the development of element materials. By generating photocurrent, light in various wavelength regions from gamma rays to radio wavelength regions can be used. Also, such light receiving elements have advantages such as fast response speed, safety, environmental compatibility and easy adjustment of element materials, so that they can be easily used for power control or ultra high frequency circuits and communication modules. Can do.

従って、半導体素子は、光通信手段の送信モジュール、LCD(Liquid Crystal Display)表示装置のバックライトを構成する冷陰極管(CCFL:Cold Cathode Fluorescence Lamp)を代替できる発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を代替できる白色発光ダイオード照明装置、自動車ヘッドライト及び信号灯及びガスや火災を感知するセンサ等にまで応用が拡散している。また、半導体素子は、高周波応用回路やその他電力制御装置、通信用モジュールにまで応用が拡大されつつある。   Therefore, the semiconductor element is a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp or an incandescent lamp that can replace the CCFL (Cold Cathode Fluorescence Lamp) constituting the transmission module of the optical communication means, the backlight of the LCD (Liquid Crystal Display) display device. Applications are spreading to white light-emitting diode illuminators that can replace light bulbs, automobile headlights and signal lights, and sensors that detect gas and fire. In addition, applications of semiconductor elements are being expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

発光素子(Light Emitting Device)は、例えば周期律表上のIII族‐V族元素またはII族‐VI族元素を利用して電気エネルギーが光エネルギーに変換される特性のp‐n接合ダイオードとして提供され、化合物半導体の組成比を調節することで、多様な波長を具現することができる。   Light Emitting Device is provided as a pn junction diode with the characteristic that electrical energy is converted into light energy using Group III-V element or Group II-VI element on the periodic table, for example In addition, various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio of the compound semiconductor.

例えば、窒化物半導体は、高い熱的安定性と幅広いバンドギャップエネルギーによって、光素子及び高出力電子素子の開発分野で大きな注目を浴びている。特に、窒化物半導体を利用した青色(Blue)発光素子、緑色(Green)発光素子、紫外線(UV)発光素子、赤色(RED)発光素子等は、商用化されて広く用いられている。   For example, nitride semiconductors have attracted a great deal of attention in the field of development of optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide band gap energy. In particular, a blue light emitting element, a green light emitting element, an ultraviolet (UV) light emitting element, a red (RED) light emitting element and the like using a nitride semiconductor are commercially used and widely used.

例えば、紫外線発光素子の場合、200nm〜400nmの波長帯に分布している光を発生する発光ダイオードとして、前記波長帯域において、短波長の場合、殺菌、浄化等に用いられ、長波長の場合、露光装置または硬化装置等に用いられる。   For example, in the case of an ultraviolet light emitting element, as a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength band of 200 nm to 400 nm, in the wavelength band, in the case of a short wavelength, it is used for sterilization, purification, etc. Used in an exposure apparatus or a curing apparatus.

紫外線は、波長が長い順にUV‐A(315nm〜400nm)、UV‐B(280nm〜315nm)、UV‐C(200nm〜280nm)の3種類に分けられる。UV‐A(315nm〜400nm)領域は産業用UV硬化、印刷インク硬化、露光装置、偽札鑑別、光触媒殺菌、特殊照明(水族館/農業用等)等の多様な分野に応用されており、UV‐B(280nm〜315nm)領域は医療用として用いられ、UV‐C(200nm〜280nm)領域は空気浄化、浄水、殺菌製品等に適用されている。   Ultraviolet rays are classified into three types, UV-A (315 nm to 400 nm), UV-B (280 nm to 315 nm), and UV-C (200 nm to 280 nm) in order of increasing wavelength. The UV-A (315 nm to 400 nm) region is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure equipment, counterfeit identification, photocatalytic sterilization, special lighting (aquarium / agricultural use, etc.). The B (280 nm to 315 nm) region is used for medical purposes, and the UV-C (200 nm to 280 nm) region is applied to air purification, water purification, sterilization products, and the like.

一方、高出力を提供できる半導体素子が求められており、高電源を印加して出力を高めることができる半導体素子に対する研究が行われている。   On the other hand, there is a demand for semiconductor elements that can provide high output, and research is being conducted on semiconductor elements that can increase output by applying a high power source.

また、半導体素子パッケージにおいて、半導体素子の光抽出効率を向上させ、パッケージ端における光度を向上させることができる方案に対する研究が行われている。また、半導体素子パッケージにおいて、パッケージ電極と半導体素子の間のボンディング結合力を向上させることができる方案に対する研究が行われている。   In addition, in a semiconductor device package, research has been conducted on a method capable of improving the light extraction efficiency of the semiconductor device and improving the luminous intensity at the package end. In addition, in a semiconductor device package, research has been conducted on a method capable of improving the bonding force between the package electrode and the semiconductor device.

また、半導体素子パッケージにおいて、工程効率の向上及び構造変更により、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる方案に対する研究が行われている。   In semiconductor device packages, research has been conducted on methods that can reduce manufacturing costs and improve manufacturing yields by improving process efficiency and changing the structure.

実施例は、光抽出効率及び電気的特性を向上させることができる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置を提供することを目的とする。   An object of the embodiment is to provide a semiconductor device package, a method of manufacturing the semiconductor device package, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.

また、実施例は、工程効率を向上させ新たなパッケージ構造を提示して、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置を提供することを目的とする。   Embodiments also provide a semiconductor device package, a manufacturing method of the semiconductor device package, and a light source device that can improve the process efficiency, present a new package structure, reduce the manufacturing cost, and improve the manufacturing yield. With the goal.

また、実施例は、半導体素子パッケージが基板等に再ボンディングされる過程で、半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生することを防止できる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法を提供することを目的とする。   In addition, the embodiment provides a semiconductor device package and a semiconductor device package that can prevent a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of the semiconductor device package during the process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like. An object is to provide a manufacturing method.

実施例に係る発光素子パッケージは、上面と下面を貫通する第1及び第2開口部を含む本体と、前記本体の上に配置され、第1及び第2ボンディング部を含む発光素子と、前記本体の下に配置され、前記第1及び第2ボンディング部とそれぞれ電気的に連結された第1及び第2導電層とを含み、前記第1及び第2ボンディング部は、前記第1及び第2開口部内から下部方向に延長されて突出した突出部をそれぞれ含むことができる。   A light emitting device package according to an embodiment includes a main body including first and second openings penetrating an upper surface and a lower surface, a light emitting device disposed on the main body and including first and second bonding portions, and the main body. And first and second conductive layers electrically connected to the first and second bonding parts, respectively, and the first and second bonding parts include the first and second openings. Each of the protrusions may extend in a lower direction from the inside of the portion and protrude.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記本体と前記発光素子との間に配置された樹脂をさらに含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may further include a resin disposed between the main body and the light emitting device.

実施例によれば、前記第1及び第2ボンディング部の前記突出部は、前記第1及び第2開口部内にそれぞれ配置される。   According to an embodiment, the protrusions of the first and second bonding portions are disposed in the first and second openings, respectively.

実施例によれば、前記第1ボンディング部の前記突出部の下面は、前記第1開口部の上面より低く配置される。   According to an embodiment, the lower surface of the protruding portion of the first bonding portion is disposed lower than the upper surface of the first opening.

実施例によれば、前記第1ボンディング部の前記突出部は、円柱形状または多角柱形状に提供される。   According to an embodiment, the protrusion of the first bonding part is provided in a columnar shape or a polygonal column shape.

実施例によれば、前記第1及び第2ボンディング部の形状は、前記第1及び第2開口部の上部領域の形状に対応して提供される。   According to an embodiment, the shapes of the first and second bonding portions are provided corresponding to the shapes of the upper regions of the first and second openings.

実施例によれば、前記第1導電層と前記第2導電層は、前記本体の下面で相互離隔して配置される。   According to an embodiment, the first conductive layer and the second conductive layer are spaced apart from each other on the lower surface of the main body.

実施例によれば、前記第1及び第2ボンディング部の前記突出部の幅は、前記第1及び第2開口部の上部領域の幅より小さく提供される。   According to an embodiment, the width of the protrusion of the first and second bonding portions is provided smaller than the width of the upper region of the first and second openings.

実施例によれば、前記第1導電層の上面の第1領域は、前記第1開口部の下に配置され、前記第1導電層の前記上面の第2領域は、前記本体の下面の下に配置される。   According to an embodiment, the first region on the top surface of the first conductive layer is disposed under the first opening, and the second region on the top surface of the first conductive layer is below the bottom surface of the body. Placed in.

実施例によれば、前記第1導電層の前記上面の前記第1領域は、前記第1開口部と垂直方向に重なって配置される。   According to an embodiment, the first region of the upper surface of the first conductive layer is disposed so as to overlap with the first opening.

実施例によれば、前記第1導電層の前記上面の前記第2領域は、前記本体の前記下面と垂直方向に重なって配置される。   According to an embodiment, the second region of the upper surface of the first conductive layer is disposed so as to overlap with the lower surface of the main body in the vertical direction.

実施例によれば、前記第1導電層の一部領域は、前記第1ボンディング部の前記突出部の周りに配置される。   According to an embodiment, a partial region of the first conductive layer is disposed around the protruding portion of the first bonding portion.

実施例によれば、前記第1及び第2ボンディング部は、Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITOを含む群から選択される少なくとも1つの物質またはその合金を含むことができる。   According to an embodiment, the first and second bonding parts include Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf. , Pt, Ru, Rh, Sn, Cu, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Au / ITO, or an alloy thereof Can be included.

実施例によれば、前記第1及び第2導電層は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)を含む群から選択される少なくとも1つの物質またはその合金を含むことができる。   According to an embodiment, the first and second conductive layers include at least one substance selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and SAC (Sn—Ag—Cu) or an alloy thereof. be able to.

実施例によれば、前記樹脂は、ホワイトシリコーンを含むことができる。   According to an embodiment, the resin may include white silicone.

実施例によれば、前記樹脂は、前記本体の前記上面と前記発光素子の下面に直接接触して提供される。   According to an embodiment, the resin is provided in direct contact with the upper surface of the main body and the lower surface of the light emitting device.

実施例によれば、前記樹脂は、前記第1及び第2ボンディング部の周りに提供される。   According to an embodiment, the resin is provided around the first and second bonding parts.

実施例によれば、前記本体は、前記本体の前記上面から前記下面方向に凹むように提供されるリセスをさらに含み、前記樹脂は、前記リセスに提供される。   According to an embodiment, the main body further includes a recess provided to be recessed from the upper surface of the main body toward the lower surface, and the resin is provided to the recess.

実施例によれば、前記本体の側面と前記第1導電層の側面は、同一平面に提供される。   According to an embodiment, the side surface of the main body and the side surface of the first conductive layer are provided on the same plane.

実施例によれば、前記本体の前記上面は、全体領域で平坦な形状に提供される。   According to an embodiment, the upper surface of the body is provided in a flat shape in the entire area.

実施例に係る発光素子パッケージは、上面と下面を貫通する第1及び第2開口部を含む本体と、前記本体の上に配置された発光素子と、反射物質を含む接着剤とを含み、前記本体は、前記第1開口部と前記第2開口部との間に配置される第1リセスを含み、前記接着剤は、前記第1リセスに配置され、前記発光素子は、前記第1開口部の上に配置された第1電極と、前記第2開口部の上に配置された第2電極と、前記第1電極と電気的に連結される第1半導体層、前記第2電極と電気的に連結される第2半導体層、及び前記第1及び第2半導体層の間に配置された活性層を含む半導体構造物と、前記半導体構造物の上に配置された基板とを含み、前記第1電極は、第1方向に前記第1開口部と重なる第1ボンディング部及び前記第1ボンディング部から延長される第1分岐電極を含み、前記第2電極は、前記第1方向に前記第2開口部と重なる第2ボンディング部を含み、前記第1方向は、前記本体の下面から前記本体の上面に向かう方向であり、前記第1及び前記第2ボンディング部の面積の和は、前記基板の上面面積を基準に10%以下に提供される。   A light emitting device package according to an embodiment includes a main body including first and second openings penetrating an upper surface and a lower surface, a light emitting device disposed on the main body, and an adhesive including a reflective material, The main body includes a first recess disposed between the first opening and the second opening, the adhesive is disposed in the first recess, and the light emitting element includes the first opening. A first electrode disposed on the second opening, a second electrode disposed on the second opening, a first semiconductor layer electrically connected to the first electrode, and the second electrode electrically A semiconductor structure including a second semiconductor layer coupled to the semiconductor layer, an active layer disposed between the first and second semiconductor layers, and a substrate disposed on the semiconductor structure, One electrode includes a first bonding portion that overlaps the first opening in the first direction and the first bond Including a first branch electrode extending from the first portion, the second electrode including a second bonding portion overlapping the second opening in the first direction, and the first direction extending from the lower surface of the body. The sum of the areas of the first and second bonding portions is 10% or less based on the upper surface area of the substrate.

実施例によれば、前記接着剤が前記発光素子と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部と前記第1及び第2ボンディング部が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to an embodiment, the area where the adhesive overlaps with the light emitting device based on the first direction is larger than the area where the first and second openings overlap with the first and second bonding portions. Is done.

実施例によれば、前記接着剤は、前記本体の上面及び前記発光素子の下面と直接接触して配置される。   According to an embodiment, the adhesive is disposed in direct contact with the upper surface of the main body and the lower surface of the light emitting device.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1開口部に提供され、前記第1ボンディング部の下面と直接接触して配置された第1導電層と、前記第2開口部に提供され、前記第2ボンディング部の下面と直接接触して配置された第2導電層とを含むことができる。   A light emitting device package according to an embodiment is provided in the first opening, and is provided in the second opening, the first conductive layer disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion, and the first opening. And a second conductive layer disposed in direct contact with the lower surface of the bonding part.

実施例によれば、前記第1導電層は、前記第1開口部の上部領域に提供される第1上部導電層と前記第1開口部の下部領域に提供される第1下部導電層を含み、前記第1上部導電層と前記第1下部導電層は、相互異なる物質を含むことができる。   The first conductive layer may include a first upper conductive layer provided in an upper region of the first opening and a first lower conductive layer provided in a lower region of the first opening. The first upper conductive layer and the first lower conductive layer may include different materials.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記本体の上面に提供され、前記第1開口部から離隔して配置された第1上部リセスと、前記本体の上面に提供され、前記第2開口部から離隔して配置された第2上部リセスとを含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment is provided on the upper surface of the main body, and is provided on the upper surface of the main body and spaced apart from the second opening. And a second upper recess arranged in the same manner.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1上部リセスに提供される第1樹脂部と前記第2上部リセスに提供される第2樹脂部を含み、前記第1樹脂部と前記第2樹脂部は、ホワイトシリコーンを含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment includes a first resin portion provided to the first upper recess and a second resin portion provided to the second upper recess, and the first resin portion and the second resin portion. Can include white silicone.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記本体の下面に提供され、前記第1開口部から離隔して配置された第1下部リセスと、前記本体の下面に提供され、前記第2開口部から離隔して配置された第2下部リセスとを含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment is provided on a lower surface of the main body, and is provided on a lower surface of the main body and spaced apart from the second opening. And a second lower recess disposed in the same manner.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1下部リセスに提供される第1樹脂部と前記第2下部リセスに提供される第2樹脂部を含み、前記第1樹脂部と前記第2樹脂部は、前記本体と同じ物質を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment includes a first resin portion provided to the first lower recess and a second resin portion provided to the second lower recess, and the first resin portion and the second resin portion. May include the same material as the body.

実施例に係る発光素子パッケージは、上面と下面を貫通する第1、第2開口部、及び前記第1及び第2開口部の間に配置された第1リセスを含む本体と、前記第1リセスの上に配置された接着剤と、前記接着剤の上に配置された発光素子と、前記本体と前記発光素子との間に配置された第1及び第2導電体とを含み、前記発光素子は、前記第1開口部の上に配置された第1電極と、前記第2開口部の上に配置された第2電極と、前記第1電極と電気的に連結される第1導電型半導体層、前記第2電極と電気的に連結される第2導電型半導体層、及び前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に配置された活性層を含む半導体構造物と、前記半導体構造物の上に配置された基板とを含み、前記第1導電体は、前記第1電極から前記第1開口部の内部まで配置され、前記第2導電体は、前記第2電極から前記第2開口部の内部まで配置される。   A light emitting device package according to an embodiment includes a main body including first and second openings penetrating an upper surface and a lower surface, and a first recess disposed between the first and second openings, and the first recess. An adhesive disposed on the adhesive, a light emitting element disposed on the adhesive, and first and second conductors disposed between the main body and the light emitting element, the light emitting element The first conductive semiconductor electrically connected to the first electrode disposed on the first opening, the second electrode disposed on the second opening, and the first electrode. A semiconductor structure including a layer, a second conductive semiconductor layer electrically connected to the second electrode, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer And a substrate disposed on the semiconductor structure, wherein the first conductor is in front of the first electrode. Is disposed to the inside of the first opening, the second conductor is disposed from the second electrode to the inside of the second opening.

実施例によれば、前記第1電極は、第1方向に前記第1開口部と重なる第1ボンディング部及び前記第1ボンディング部から延長される第1分岐電極を含み、前記第2電極は、前記第1方向に前記第2開口部と重なる第2ボンディング部を含み、前記第1方向は、前記本体の下面から前記本体の上面に向かう方向であり、前記第1及び前記第2ボンディング部の面積の和は、前記基板の上面面積を基準に10%以下に提供される。   According to an embodiment, the first electrode includes a first bonding portion that overlaps the first opening in a first direction and a first branch electrode that extends from the first bonding portion, and the second electrode includes: A second bonding portion that overlaps the second opening in the first direction, wherein the first direction is a direction from a lower surface of the main body toward an upper surface of the main body, and the first and second bonding portions The sum of the areas is provided to 10% or less based on the upper surface area of the substrate.

実施例に係る発光素子パッケージは、上面と下面を貫通する第1及び第2開口部を含む本体と、前記本体の上に配置され、第1電極と第2電極を含む発光素子と、前記本体と前記発光素子との間に配置され、反射物質を含む接着剤と、前記本体の前記第1開口部に配置され、前記発光素子の第1電極と電気的に連結された第1導電体と、前記本体の前記第2開口部に配置され、前記発光素子の第2電極と電気的に連結された第2導電体と、前記第1開口部に配置され、前記第1導電体と電気的に連結された第1導電層と、前記第2開口部に配置され、前記第2導電体と電気的に連結された第2導電層とを含み、前記発光素子は、基板と、前記基板の上に配置された第1半導体層、第2半導体層、及び前記第1及び第2半導体層の間に配置された活性層と、前記第1半導体層の上に配置され、第1パッド電極及び前記第1パッド電極から延長される第1分岐電極を含む前記第1電極と、前記第2半導体層の上に配置され、第2パッド電極を含む前記第2電極とを含み、前記本体は、前記第1開口部と前記第2開口部との間に配置される第1リセスを含み、前記接着剤は、前記第1リセスに配置され、前記第1開口部は、前記本体の下面から前記本体の上面に向かう第1方向を基準に前記第1パッド電極と重なり、前記第2開口部は、前記第1方向を基準に前記第2パッド電極と重なり、前記第1導電層は、前記第1導電体の下面及び側面に直接接触して配置され、前記第2導電層は、前記第2導電体の下面及び側面に直接接触して配置される。   A light emitting device package according to an embodiment includes a main body including first and second openings penetrating an upper surface and a lower surface, a light emitting device disposed on the main body and including a first electrode and a second electrode, and the main body. And an adhesive including a reflective material, a first conductor disposed in the first opening of the main body and electrically connected to the first electrode of the light emitting element; A second conductor disposed in the second opening of the main body and electrically connected to the second electrode of the light emitting element; and disposed in the first opening and electrically connected to the first conductor. A first conductive layer connected to the second opening, and a second conductive layer disposed in the second opening and electrically connected to the second conductor. The light emitting device includes: a substrate; The first semiconductor layer, the second semiconductor layer, and the first and second semiconductor layers disposed on the upper surface. An active layer, disposed on the first semiconductor layer, the first electrode including a first pad electrode and a first branch electrode extending from the first pad electrode, and disposed on the second semiconductor layer And the second electrode including a second pad electrode, the body includes a first recess disposed between the first opening and the second opening, and the adhesive includes the The first opening is disposed in a first recess, and the first opening overlaps the first pad electrode with respect to a first direction from the lower surface of the main body toward the upper surface of the main body, and the second opening is in the first direction. The first conductive layer is disposed in direct contact with the lower surface and the side surface of the first conductor, and the second conductive layer includes the lower surface of the second conductor and the second pad electrode. It is placed in direct contact with the side.

実施例によれば、前記第1及び前記第2パッド電極の面積の和は、前記基板の上面面積を基準に10%以下に提供される。   According to an embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes is provided to 10% or less based on the upper surface area of the substrate.

実施例によれば、前記接着剤が前記発光素子と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部と前記第1及び第2パッド電極が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to an embodiment, the area where the adhesive overlaps with the light emitting element based on the first direction is larger than the area of the area where the first and second openings and the first and second pad electrodes overlap. Is done.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1開口部に提供され、前記第1ボンディング部の側面及び下面と直接接触して配置された第1導電層と、前記第2開口部に提供され、前記第2ボンディング部の側面及び下面と直接接触して配置された第2導電層とを含むことができる。   A light emitting device package according to an embodiment is provided in the first opening, provided in a first conductive layer disposed in direct contact with a side surface and a lower surface of the first bonding unit, and provided in the second opening. And a second conductive layer disposed in direct contact with a side surface and a lower surface of the second bonding part.

実施例によれば、前記第1導電層は、前記第1開口部の上部領域に提供される第1上部導電層と前記第1開口部の下部領域に提供される第1下部導電層を含み、前記第1上部導電層と前記第1下部導電層は、相互異なる物質を含むことができる。   The first conductive layer may include a first upper conductive layer provided in an upper region of the first opening and a first lower conductive layer provided in a lower region of the first opening. The first upper conductive layer and the first lower conductive layer may include different materials.

実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法によれば、光抽出効率及び電気的特性と信頼性を向上させることができる利点がある。   According to the semiconductor device package and the manufacturing method of the semiconductor device package according to the embodiment, there is an advantage that the light extraction efficiency, the electrical characteristics, and the reliability can be improved.

実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法によれば、工程効率を向上させ新たなパッケージ構造を提示して、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる利点がある。   According to the semiconductor device package and the method for manufacturing the semiconductor device package according to the embodiment, there is an advantage that the process efficiency is improved and a new package structure is presented to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.

実施例に係る半導体素子パッケージは反射率が高い本体を提供することで、反射体が変色しないように防止することができ、半導体素子パッケージの信頼性を改善できる利点がある。   The semiconductor device package according to the embodiment provides a main body having a high reflectivity, so that the reflector can be prevented from being discolored, and there is an advantage that the reliability of the semiconductor device package can be improved.

実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子の製造方法によれば、半導体素子パッケージが基板等に再ボンディングされる過程で、半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生することを防止できる利点がある。   According to the semiconductor device package and the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region of the semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to the substrate or the like. There is an advantage that can be prevented.

本発明の実施例に係る発光素子パッケージの平面図である。1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 図1に示された発光素子パッケージの底面図である。FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 1. 図1に示された発光素子パッケージのD‐D線断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package shown in FIG. 1 taken along the line DD. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。3 is a view illustrating a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。3 is a view illustrating a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。3 is a view illustrating a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。3 is a view illustrating a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。3 is a view illustrating a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体の変形例を説明する図面である。4 is a diagram illustrating a modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体の変形例を説明する図面である。4 is a diagram illustrating a modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体の変形例を説明する図面である。4 is a diagram illustrating a modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体の別の変形例を説明する図面である。4 is a diagram illustrating another modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体の別の変形例を説明する図面である。4 is a diagram illustrating another modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体の別の変形例を説明する図面である。4 is a diagram illustrating another modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体のさらに別の変形例を説明する図面である。6 is a view for explaining still another modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体のさらに別の変形例を説明する図面である。6 is a view for explaining still another modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 図3に示された発光素子パッケージに適用された本体のさらに別の変形例を説明する図面である。6 is a view for explaining still another modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例を示した図面である。6 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 図18に示された発光素子パッケージに適用された第1フレーム、第2フレーム、本体の配置関係を説明する図面である。FIG. 19 is a diagram illustrating a positional relationship between a first frame, a second frame, and a main body applied to the light emitting device package shown in FIG. 18. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された開口部の変形例を説明する図面である。6 is a diagram illustrating a modification of an opening applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された開口部の変形例を説明する図面である。6 is a diagram illustrating a modification of an opening applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された開口部の変形例を説明する図面である。6 is a diagram illustrating a modification of an opening applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された発光素子の電極配置を説明する平面図である。It is a top view explaining the electrode arrangement | positioning of the light emitting element applied to the light emitting element package based on the Example of this invention. 図33に示された発光素子のF‐F線断面図である。FIG. 34 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 33 taken along the line FF. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。6 is a view showing still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

以下、添付された図面を参照して実施例を説明する。実施例の説明において、各層(膜)、領域、パターンまたは構造物が基板、各層(膜)、領域、パッドまたはパターンの「上」または「下」に形成されると記載される場合、「上」と「下」は「直接」または「他の層を介して」形成されるものも含む。また、各階の上または下に対する基準は、図面を基準に説明するが、実施例がこれに限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, when it is described that each layer (film), region, pattern, or structure is formed “above” or “below” the substrate, each layer (film), region, pad, or pattern, "And" under "also include those formed" directly "or" via other layers ". Moreover, although the reference | standard with respect to the upper or lower of each floor is demonstrated on the basis of drawing, an Example is not limited to this.

以下、添付された図面を参照して、本発明の実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法に対して詳しく説明する。以下では、半導体素子の例として、発光素子が適用された場合を基に説明する。   Hereinafter, a semiconductor device package and a method for manufacturing the semiconductor device package according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, as an example of the semiconductor element, a case where a light-emitting element is applied will be described.

まず、図1〜図3を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージを説明することにする。   First, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は本発明の実施例に係る発光素子パッケージの平面図であり、図2は本発明の実施例に係る発光素子パッケージの底面図であり、図3は図1に示された発光素子パッケージのD‐D線断面図である。   1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a light emitting device package shown in FIG. It is the DD sectional view taken on the line.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、図1〜図3に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIGS.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。前記本体113は、絶縁部材と称することもできる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line. The main body 113 can also be referred to as an insulating member.

前記本体113は、前記第1フレーム111の上に配置される。また、前記本体113は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The main body 113 is disposed on the first frame 111. The main body 113 is disposed on the second frame 112.

前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置された傾斜面を提供することができる。前記本体113の傾斜面によって、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上にキャビティCが提供される。   The main body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C is provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the main body 113.

実施例によれば、前記パッケージ本体110は、キャビティCがある構造で提供されてもよく、キャビティCなしに上面が平坦な構造で提供されてもよい。   According to an embodiment, the package body 110 may be provided with a structure having a cavity C, or may be provided with a structure having a flat upper surface without the cavity C.

例えば、前記本体113は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(AlO)等を含む群から選択される少なくとも1つから形成される。また、前記本体113は、TiOとSiOのような高屈折フィラーを含むことができる。 For example, the main body 113 is made of PPA (Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide 9T), silicone, EMC (Epoxy Molding Compound), SMC (Silicone Molding Compound), ceramic, PSG. (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3 ), or the like. The main body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、絶縁性フレームから提供される。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができる。   The first frame 111 and the second frame 112 are provided from an insulating frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110.

また、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子120に電気的に連結される。   In addition, the first frame 111 and the second frame 112 may be provided from a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and are electrically connected to the light emitting device 120.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112が、絶縁性フレームから形成される場合と導電性フレームから形成される場合の差異点に対しては、後でさらに説明することにする。   The difference between the case where the first frame 111 and the second frame 112 are formed from an insulating frame and the case where they are formed from a conductive frame will be further described later.

実施例によれば、前記発光素子120は、第1パッド電極121、第2パッド電極122、半導体構造物123、基板124を含むことができる。   According to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first pad electrode 121, a second pad electrode 122, a semiconductor structure 123, and a substrate 124.

前記発光素子120は、図3に示されたように、前記基板124の下に配置された前記半導体構造物123を含むことができる。前記半導体構造物123と前記本体113との間に前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が配置される。   As shown in FIG. 3, the light emitting device 120 may include the semiconductor structure 123 disposed under the substrate 124. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are disposed between the semiconductor structure 123 and the main body 113.

前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、ボンディング部と称することもできる。例えば、前記第1パッド電極121は第1ボンディング部と称し、前記第2パッド電極122は第2ボンディング部と称することもできる。   The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 may be referred to as a bonding part. For example, the first pad electrode 121 may be referred to as a first bonding portion, and the second pad electrode 122 may be referred to as a second bonding portion.

前記半導体構造物123は、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、第1導電型半導体層と第2導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第1パッド電極121は、前記第1導電型半導体層と電気的に連結される。また、前記第2パッド電極122は、前記第2導電型半導体層と電気的に連結される。   The semiconductor structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. The first pad electrode 121 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer. The second pad electrode 122 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer.

前記発光素子120は、前記パッケージ本体110の上に配置される。前記発光素子120は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記発光素子120は、前記パッケージ本体110によって提供される前記キャビティC内に配置される。   The light emitting device 120 is disposed on the package body 110. The light emitting device 120 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 is disposed in the cavity C provided by the package body 110.

前記第1パッド電極121は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面で相互離隔して配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second pad electrode 122 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

前記第1パッド電極121は、前記第1フレーム111の上に配置される。前記第2パッド電極122は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed on the second frame 112.

前記第1パッド電極121は、前記半導体構造物123と前記第1フレーム111との間に配置される。前記第2パッド電極122は、前記半導体構造物123と前記第2フレーム112との間に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed between the semiconductor structure 123 and the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed between the semiconductor structure 123 and the second frame 112.

前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITOを含む群から選択される1つ以上の物質または合金を利用して単層または多層に形成される。   The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, One or more substances or alloys selected from the group comprising Pt, Ru, Rh, Sn, Cu, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Au / ITO It is formed into a single layer or multiple layers using it.

一方、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図1〜図3に示されたように、第1開口部TH1と第2開口部TH2を含むことができる。前記第1フレーム111は、前記第1開口部TH1を含むことができる。前記第2フレーム112は、前記第2開口部TH2を含むことができる。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2, as illustrated in FIGS. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111に提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   The first opening TH1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first frame 111.

前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112に提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the second frame 112.

前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、相互離隔して配置される。前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の下部面の下で相互離隔して配置される。   The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例によれば、前記第1パッド電極121の下部領域が、前記第1開口部TH1の上部領域内に配置される。前記第1パッド電極121の底面が前記第1フレーム111の上面より低く配置される。   According to the embodiment, the lower region of the first pad electrode 121 is disposed in the upper region of the first opening TH1. The bottom surface of the first pad electrode 121 is disposed lower than the top surface of the first frame 111.

また、前記第2パッド電極122の下部領域が、前記第2開口部TH2の上部領域内に配置される。前記第2パッド電極122の底面が、前記第2フレーム112の上面より低く配置される。   The lower region of the second pad electrode 122 is disposed in the upper region of the second opening TH2. The bottom surface of the second pad electrode 122 is disposed lower than the top surface of the second frame 112.

また、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1開口部TH1の下部領域の幅W2より小さくまたは同一に提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2開口部TH2の下部領域の幅より小さくまたは同一に提供される。   In addition, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is smaller than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. Further, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided smaller than or the same as the width of the lower region of the second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、下部領域から上部領域に行くほど幅が漸減する傾斜形態に提供される。前記第2開口部TH2は、下部領域から上部領域に行くほど幅が漸減する傾斜形態に提供される。   The first opening TH1 is provided in an inclined form in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. The second opening TH2 is provided in an inclined form in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.

ただし、これに限定されるものではなく、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域と下部領域の間の傾斜面は、傾きが相互異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は曲率を持って配置される。   However, the present invention is not limited to this, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, The inclined surface is arranged with a curvature.

前記第1フレーム111及び前記第2フレーム112の下面領域で、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間の幅W3は、数百μmに提供される。前記第1フレーム111及び前記第2フレーム112の下面領域で、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間の幅W3は、例えば100μm〜150μmに提供される。   In the lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112, a width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 is provided to several hundred μm. In a lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112, a width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 is provided, for example, to 100 μm to 150 μm.

前記第1フレーム111及び前記第2フレーム112の下面領域で、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間の幅W3は、実施例に係る発光素子パッケージ100が今後回路基板、サブマウント等に実装される場合に、パッド間の電気的な短絡(short)が発生することを防止するために、一定距離以上に提供されるように選択される。   The width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112 is determined so that the light emitting device package 100 according to the embodiment is a circuit board in the future. In order to prevent the occurrence of an electrical short between pads when mounted on a submount or the like, it is selected to be provided over a certain distance.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、接着剤130を含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include an adhesive 130.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図1〜図3に示されたように、リセスRを含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a recess R as illustrated in FIGS.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、例えば、前記接着剤130が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, when the adhesive 130 includes a reflective function, the adhesive may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ100の光抽出効率を改善することができる。また、前記接着剤130は、前記発光素子120から放出する光を反射することができる。前記接着剤130が反射機能を含む場合、前記接着剤130は、TiO、シリコーン等を含む物質から構成される。 The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusing function, so that the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved. Further, the adhesive 130 can reflect light emitted from the light emitting device 120. When the adhesive 130 includes a reflective function, the adhesive 130 is made of a material including TiO 2 , silicone, and the like.

実施例によれば、前記リセスRの深さT1は、前記第1開口部TH1の深さT2または前記第2開口部TH2の深さT2より小さく提供される。   According to an embodiment, the depth T1 of the recess R is provided smaller than the depth T2 of the first opening TH1 or the depth T2 of the second opening TH2.

前記リセスRの深さT1は、前記接着剤130の接着力を考慮して決定される。また、前記リセスRが深さT1は、前記本体113の安定した強度を考慮したり、及び/又は、前記発光素子120から放出される熱によって前記発光素子パッケージ100にクラック(crack)が発生しないように決定される。   The depth T1 of the recess R is determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. In addition, the depth T1 of the recess R is determined in consideration of a stable strength of the main body 113 and / or a crack is not generated in the light emitting device package 100 due to heat released from the light emitting device 120. To be determined.

前記リセスRは、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。ここで、前記アンダーフィル(under fill)工程は、発光素子120をパッケージ本体110に実装した後前記接着剤130を前記発光素子120の下部に配置する工程であるか、前記発光素子120をパッケージ本体110に実装する工程で、前記接着剤130を介して実装するために前記接着剤130を前記リセスRに配置した後前記発光素子120を配置する工程である。前記リセスRは、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記リセスRは、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The recess R may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed. Here, the underfill process is a process of disposing the adhesive 130 under the light emitting device 120 after the light emitting device 120 is mounted on the package body 110, or the light emitting device 120 is disposed in the package body. 110 is a step of disposing the light emitting device 120 after disposing the adhesive 130 in the recess R for mounting via the adhesive 130. The recess R is provided at a first depth or more so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. In addition, the recess R is provided at a second depth or less in order to provide a stable strength of the main body 113.

前記リセスRの深さT1と幅W4は、前記接着剤130の形成位置及び固定力に影響を及ぼすことがある。前記リセスRの深さT1と幅W4は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される前記接着剤130によって充分な固定力が提供されるように決定される。   The depth T1 and the width W4 of the recess R may affect the formation position and fixing force of the adhesive 130. The depth T1 and the width W4 of the recess R are determined so that a sufficient fixing force is provided by the adhesive 130 disposed between the main body 113 and the light emitting device 120.

例えば、前記リセスRの深さT1は、数十μmに提供される。前記リセスRの深さT1は、40μm〜60μmに提供される。   For example, the depth T1 of the recess R is provided to several tens of μm. The depth T1 of the recess R is provided to 40 μm to 60 μm.

また、前記リセスRの幅W4は、数十μm〜数百μmに提供される。ここで、前記リセスRの幅W4は、前記発光素子120の長軸方向に提供される。   The width R4 of the recess R is provided from several tens of μm to several hundreds of μm. Here, the width R 4 of the recess R is provided in the long axis direction of the light emitting device 120.

前記リセスRの幅W4は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間の間隔より狭く提供される。前記リセスRの幅W4は、140μm〜160μmに提供される。例えば、前記リセスRの幅W4は、150μmに提供される。   A width W4 of the recess R is provided to be narrower than an interval between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. A width W4 of the recess R is provided in a range of 140 μm to 160 μm. For example, the width R4 of the recess R is provided to 150 μm.

前記第1開口部TH1の深さT2は、前記第1フレーム111の厚さに対応して提供される。前記第1開口部TH1の深さT2は、前記第1フレーム111の安定した強度を維持できる厚さで提供される。   The depth T2 of the first opening TH1 is provided corresponding to the thickness of the first frame 111. The depth T2 of the first opening TH1 is provided to a thickness that can maintain a stable strength of the first frame 111.

前記第2開口部TH2の深さT2は、前記第2フレーム112の厚さに対応して提供される。前記第2開口部TH2の深さT2は、前記第2フレーム112の安定した強度を維持できる厚さで提供される。   The depth T2 of the second opening TH2 is provided corresponding to the thickness of the second frame 112. The depth T2 of the second opening TH2 is provided to a thickness that can maintain a stable strength of the second frame 112.

前記第1開口部TH1の深さT2及び前記第2開口部TH2の深さT2は、前記本体113の厚さに対応して提供される。前記第1開口部TH1の深さT2及び前記第2開口部TH2の深さT2は、前記本体113の安定した強度を維持できる厚さで提供される。   The depth T2 of the first opening TH1 and the depth T2 of the second opening TH2 are provided corresponding to the thickness of the main body 113. The depth T2 of the first opening TH1 and the depth T2 of the second opening TH2 are provided with thicknesses that can maintain a stable strength of the main body 113.

例えば、前記第1開口部TH1の深さT2は、数百μmに提供される。前記第1開口部TH1の深さT2は180μm〜220μmに提供される。例えば、前記第1開口部TH1の深さT2は200μmに提供される。   For example, the depth T2 of the first opening TH1 is provided to several hundred μm. The first opening TH1 has a depth T2 of 180 μm to 220 μm. For example, the depth T2 of the first opening TH1 is provided to 200 μm.

例えば、前記T2‐T1の厚さは、少なくとも100μm以上に選択される。これは、前記本体113のクラックフリー(crack free)を提供できる射出工程の厚さが考慮されたものである。   For example, the thickness of T2-T1 is selected to be at least 100 μm. This is because the thickness of the injection process that can provide crack free of the main body 113 is taken into consideration.

実施例によれば、T1厚さとT2厚さの比(T2/T1)は、2〜10に提供される。例えば、T2の厚さが200μmに提供される場合、T1の厚さは20μm〜100μmに提供される。   According to an embodiment, the ratio of T1 thickness to T2 thickness (T2 / T1) is provided between 2-10. For example, when the thickness of T2 is provided to 200 μm, the thickness of T1 is provided to 20 μm to 100 μm.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図1〜図3に示されたように、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a molding unit 140 as illustrated in FIGS.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110.

前記モールディング部140は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部140は、前記発光素子120から放出される光が入射され、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例えば、前記モールディング部140は、蛍光体、量子ドット等を含む群から選択される少なくとも1つを含むことができる。   The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include wavelength conversion means that receives light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図1〜図3に示されたように、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 as illustrated in FIGS. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。   The first conductive layer 321 is provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121.

前記第1パッド電極121は、前記第1開口部TH1が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第1パッド電極121の幅は、前記第1開口部TH1の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The first pad electrode 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening TH1 is formed. The width of the first pad electrode 121 is smaller than the width of the first opening TH1 in the second direction.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1フレーム111によって取り囲まれるように配置される。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed so as to be surrounded by the first frame 111.

前記第1開口部TH1の上部領域で、前記第1導電層321の上部部分は、前記第1パッド電極121の下部部分の周りに配置される。前記第1導電層321の上面は、前記第1パッド電極121の下面より高く配置される。   The upper portion of the first conductive layer 321 is disposed around the lower portion of the first pad electrode 121 in the upper region of the first opening TH1. The upper surface of the first conductive layer 321 is disposed higher than the lower surface of the first pad electrode 121.

前記第2導電層322は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   The second conductive layer 322 is provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122.

前記第2パッド電極122は、前記第2開口部TH2が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第2パッド電極122の幅は、前記第2開口部TH2の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The second pad electrode 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening TH2 is formed. The width of the second pad electrode 122 is smaller than the width of the second opening TH2 in the second direction.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2フレーム112によって取り囲まれるように配置される。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

前記第2開口部TH2の上部領域で、前記第2導電層322の上部部分は、前記第2パッド電極122の下部部分の周りに配置される。前記第2導電層322の上面は、前記第2パッド電極122の下面より高く配置される。   The upper portion of the second conductive layer 322 is disposed around the lower portion of the second pad electrode 122 in the upper region of the second opening TH2. The upper surface of the second conductive layer 322 is disposed higher than the lower surface of the second pad electrode 122.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図1〜図3に示されたように、第1下部リセスR10と第2下部リセスR20を含むことができる。前記第1下部リセスR10と前記第2下部リセスR20は、相互離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first lower recess R10 and a second lower recess R20 as illustrated in FIGS. The first lower recess R10 and the second lower recess R20 are spaced apart from each other.

前記第1下部リセスR10は、前記第1フレーム111の下面に提供される。前記第1下部リセスR10は、前記第1フレーム111の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第1下部リセスR10は、前記第1開口部TH1から離隔して配置される。   The first lower recess R <b> 10 is provided on the lower surface of the first frame 111. The first lower recess R10 is provided so as to be recessed from the lower surface of the first frame 111 in the upper surface direction. The first lower recess R10 is spaced apart from the first opening TH1.

前記第1下部リセスR10は、数μm〜数十μmの幅で提供される。前記第1下部リセスR10に樹脂部が提供される。前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、例えば前記本体113と同一物質から提供される。   The first lower recess R10 is provided with a width of several μm to several tens of μm. A resin part is provided in the first lower recess R10. The resin portion filled in the first lower recess R10 is provided from the same material as the main body 113, for example.

ただし、これに限定されるものではなく、前記樹脂部は、前記第1及び第2導電層321、322と接着力、濡れ性がよくない物質から選択されて提供される。または、前記樹脂部は、前記第1及び第2導電層321、322との表面張力が低い物質から選択されて提供される。   However, the present invention is not limited to this, and the resin portion is provided by being selected from materials having poor adhesion and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion is provided by being selected from materials having a low surface tension with the first and second conductive layers 321 and 322.

例えば、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113が射出工程等によって形成される過程で提供される。   For example, the resin portion filled in the first lower recess R10 is provided in a process in which the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 are formed by an injection process or the like.

前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域の周囲に配置される。前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第1フレーム111をなす下面から分離して配置される。   The resin portion filled in the first lower recess R10 is disposed around the lower surface region of the first frame 111 that provides the first opening TH1. The lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1 is disposed in a kind of island shape separately from the lower surface forming the surrounding first frame 111.

例えば、図2に示されたように、前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域は、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部と前記本体113によって、周辺の前記第1フレーム111からアイソレーション(isolation)される。   For example, as shown in FIG. 2, the lower surface region of the first frame 111 that provides the first opening TH <b> 1 is surrounded by the resin portion filled in the first lower recess R <b> 10 and the main body 113. Isolation is performed from the first frame 111.

よって、前記樹脂部が前記第1及び第2導電層321、322と接着力、濡れ性がよくない物質または前記樹脂部と前記第1及び第2導電層321、322との間の表面張力が低い物質で配置される場合、前記第1開口部TH1に提供される前記第1導電層321が前記第1開口部TH1から外れ、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部または前記本体113を越えて拡散することが防止される。   Therefore, the resin part has a poor adhesion or wettability with the first and second conductive layers 321 and 322 or a surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322. When the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 is removed from the first opening TH1, the resin portion or the main body 113 filled in the first lower recess R10 is disposed when the material is disposed with a low material. It is prevented from spreading beyond.

これは、前記第1導電層321と前記樹脂部及び前記本体113の接着関係または前記樹脂部と前記第1及び第2導電層321、322の間の濡れ性、表面張力等がよくない点を利用したものである。即ち、前記第1導電層321をなす物質が前記第1フレーム111とよい接着特性を有するように選択される。そして、前記第1導電層321をなす物質が前記樹脂部及び前記本体113とよくない接着特性を有するように選択される。   This is because the adhesive relationship between the first conductive layer 321 and the resin portion and the main body 113 or wettability between the resin portion and the first and second conductive layers 321 and 322, surface tension, etc. are not good. It is used. That is, the material forming the first conductive layer 321 is selected to have good adhesive properties with the first frame 111. The material forming the first conductive layer 321 is selected so as to have poor adhesive properties with the resin portion and the main body 113.

これによって、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1から前記樹脂部または前記本体113が提供される領域方向に溢れて、前記樹脂部または前記本体113が提供される領域外部に溢れたり拡散することが防止され、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1が提供される領域に安定的に配置される。よって、前記第1開口部TH1に配置される第1導電層321が溢れる場合、前記樹脂部または前記本体113が提供される第1下部リセスR10の外側領域に前記第1導電層321が拡張することを防止することができる。また、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1内で前記第1パッド電極121の下面に安定的に連結される。   Accordingly, the first conductive layer 321 overflows from the first opening TH1 toward the region where the resin portion or the main body 113 is provided, and overflows outside the region where the resin portion or the main body 113 is provided. Diffusion is prevented, and the first conductive layer 321 is stably disposed in a region where the first opening TH1 is provided. Therefore, when the first conductive layer 321 disposed in the first opening TH1 overflows, the first conductive layer 321 extends to an outer region of the first lower recess R10 where the resin portion or the main body 113 is provided. This can be prevented. In addition, the first conductive layer 321 is stably connected to the lower surface of the first pad electrode 121 in the first opening TH1.

よって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第1導電層321と第2導電層322が相互接触して短絡する問題を防止することができ、前記第1及び第2導電層321、322を配置する工程において、前記第1及び第2導電層321、322の量を制御し易くなる。   Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other and short-circuited, and the first and second conductive layers 321 can be prevented. In the step of disposing 322, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be easily controlled.

また、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1から前記第1下部リセスR10に延長されて配置される。よって、前記第1下部リセスR10内には、前記第1導電層321及び/または前記樹脂部が配置される。   In addition, the first conductive layer 321 is disposed to extend from the first opening TH1 to the first lower recess R10. Accordingly, the first conductive layer 321 and / or the resin portion is disposed in the first lower recess R10.

また、前記第2下部リセスR20は、前記第2フレーム112の下面に提供される。前記第2下部リセスR20は、前記第2フレーム112の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第2下部リセスR20は、前記第2開口部TH2から離隔して配置される。   In addition, the second lower recess R <b> 20 is provided on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R20 is provided so as to be recessed from the lower surface of the second frame 112 in the upper surface direction. The second lower recess R20 is spaced apart from the second opening TH2.

前記第2下部リセスR20は、数μm〜数十μmの幅で提供される。前記第2下部リセスR20に樹脂部が提供される。前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、例えば前記本体113と同一物質から提供される。   The second lower recess R20 is provided with a width of several μm to several tens of μm. A resin part is provided in the second lower recess R20. The resin part filled in the second lower recess R20 is provided from the same material as the main body 113, for example.

ただし、これに限定されるものではなく、前記樹脂部は、前記第1及び第2導電層321、322と接着力、濡れ性がよくない物質から選択されて提供される。または、前記樹脂部は、前記第1及び第2導電層321、322との表面張力が低い物質から選択されて提供される。   However, the present invention is not limited to this, and the resin portion is provided by being selected from materials having poor adhesion and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion is provided by being selected from materials having a low surface tension with the first and second conductive layers 321 and 322.

例えば、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113が射出工程等によって形成される過程で提供される。   For example, the resin portion filled in the second lower recess R20 is provided in a process in which the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 are formed by an injection process or the like.

前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域の周囲に配置される。前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第2フレーム112をなす下面から分離して配置される。   The resin portion filled in the second lower recess R20 is disposed around the lower surface region of the second frame 112 that provides the second opening TH2. The lower surface region of the second frame 112 providing the second opening TH2 is disposed in a kind of island shape separately from the lower surface forming the surrounding second frame 112.

例えば、図2に示されたように、前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域は、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部と前記本体113によって、周辺の前記第2フレーム112からアイソレーション(isolation)される。   For example, as shown in FIG. 2, the lower surface region of the second frame 112 that provides the second opening TH <b> 2 is surrounded by the resin portion filled in the second lower recess R <b> 20 and the main body 113. Isolation is performed from the second frame 112.

よって、前記樹脂部が前記第1及び第2導電層321、322と接着力、濡れ性がよくない物質または前記樹脂部と前記第1及び第2導電層321、322との間の表面張力が低い物質で配置される場合、前記第2開口部TH2に提供される前記第2導電層322が前記第2開口部TH2から外れ、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部または前記本体113を越えて拡散することが防止される。   Therefore, the resin part has a poor adhesion or wettability with the first and second conductive layers 321 and 322 or a surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322. When the second conductive layer 322 provided to the second opening TH2 is removed from the second opening TH2, the resin portion or the main body 113 filled in the second lower recess R20 is disposed when the low-substance material is disposed. It is prevented from spreading beyond.

これは、前記第2導電層322と前記樹脂部及び前記本体113の接着関係または前記樹脂部と前記第1及び第2導電層321、322の間の濡れ性、表面張力等がよくない点を利用したものである。即ち、前記第2導電層322をなす物質が前記第2フレーム112とよい接着特性を有するように選択される。そして、前記第2導電層322をなす物質が前記樹脂部及び前記本体113とよくない接着特性を有するように選択される。   This is because the adhesion between the second conductive layer 322 and the resin part and the main body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, surface tension, etc. are not good. It is used. That is, the material forming the second conductive layer 322 is selected to have good adhesive properties with the second frame 112. The material forming the second conductive layer 322 is selected so as to have poor adhesive properties with the resin portion and the main body 113.

これによって、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2から前記樹脂部または前記本体113が提供される領域方向に溢れて、前記樹脂部または前記本体113が提供される領域外部に溢れたり拡散することが防止され、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2が提供される領域に安定的に配置される。よって、前記第2開口部TH2に配置される第2導電層322が溢れる場合、前記樹脂部または前記本体113が提供される第2下部リセスR20の外側領域に前記第2導電層322が拡張することを防止することができる。また、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2内で前記第2パッド電極122の下面に安定的に連結される。   Accordingly, the second conductive layer 322 overflows from the second opening TH2 toward the region where the resin portion or the main body 113 is provided, and overflows outside the region where the resin portion or the main body 113 is provided. The diffusion is prevented, and the second conductive layer 322 is stably disposed in the region where the second opening TH2 is provided. Therefore, when the second conductive layer 322 disposed in the second opening TH2 overflows, the second conductive layer 322 extends to an outer region of the second lower recess R20 provided with the resin portion or the main body 113. This can be prevented. In addition, the second conductive layer 322 is stably connected to the lower surface of the second pad electrode 122 in the second opening TH2.

よって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第1導電層321と第2導電層322が相互接触して短絡する問題を防止することができ、前記第1及び第2導電層321、322を配置する工程において、前記第1及び第2導電層321、322の量を制御し易くなる。   Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other and short-circuited, and the first and second conductive layers 321 can be prevented. In the step of disposing 322, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be easily controlled.

また、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2から前記第2下部リセスR20に延長されて配置される。よって、前記第2下部リセスR20内には、前記第2導電層321及び/または前記樹脂部が配置される。   In addition, the second conductive layer 322 is disposed to extend from the second opening TH2 to the second lower recess R20. Therefore, the second conductive layer 321 and / or the resin portion is disposed in the second lower recess R20.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図3に示されたように樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

参考的に、図1の図示において、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113の配置関係が明確となるように、前記樹脂部135と前記モールディング部140は図示を省略した。   For reference, in the illustration of FIG. 1, the resin portion 135 and the molding portion 140 are not shown so that the arrangement relationship of the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 is clear.

前記樹脂部135は、前記第1フレーム111と前記発光素子120との間に配置される。前記樹脂部135は、前記第2フレーム112と前記発光素子120との間に配置される。前記樹脂部135は、前記パッケージ本体110に提供されるキャビティCの底面に提供される。   The resin part 135 is disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The resin part 135 is disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120. The resin part 135 is provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO等の反射物質を含む樹脂からなることができ、またはホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . The resin part 135 may be a reflective part that reflects light emitted from the light emitting device 120, and may be made of a resin containing a reflective material such as TiO 2 or white silicone. ).

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1開口部TH1領域と前記第2開口部TH2領域を外れて前記発光素子120の外側面方向に拡散して移動することを防止することができる。前記第1及び第2導電層321、322が前記発光素子120の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第1及び第2導電層321、322が前記発光素子120の活性層と接して短絡による不良を誘発することがある。よって、前記樹脂部135が配置される場合、前記第1及び第2導電層321、322と活性層による短絡を防止することができ、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. In the resin part 135, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 diffuse out of the first opening TH1 region and the second opening TH2 region toward the outer surface of the light emitting device 120. It can be prevented from moving. When the first and second conductive layers 321 and 322 are diffused and moved in the outer surface direction of the light emitting device 120, the first and second conductive layers 321 and 322 are in contact with the active layer of the light emitting device 120. May cause failure due to short circuit. Therefore, when the resin part 135 is disposed, a short circuit due to the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer can be prevented, and the reliability of the light emitting device package according to the embodiment can be improved. it can.

また、実施例によれば、前記発光素子120の下面と周りに保護層が提供されてもよい。このような場合、前記活性層の表面に絶縁性の保護層が提供されるので、前記第1及び第2導電層321、322が前記発光素子120の外側面方向に拡散して移動する場合にも、前記発光素子120の活性層に前記第1及び第2導電層321、322が電気的に連結されることを防止することができる。   In addition, according to the embodiment, a protective layer may be provided on and around the lower surface of the light emitting device 120. In such a case, since an insulating protective layer is provided on the surface of the active layer, the first and second conductive layers 321 and 322 are diffused and moved in the direction of the outer surface of the light emitting device 120. In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from being electrically connected to the active layer of the light emitting device 120.

一方、前記発光素子120の下面及び周りに絶縁性の保護層が配置される場合にも、前記発光素子120の前記基板124の周りには、絶縁性保護層が配置されない場合もある。このとき、前記基板124が伝導性物質から提供される場合、前記第1及び第2導電層321、322が前記基板124に接することになると、短絡による不良が発生することがある。よって、前記樹脂部135が配置される場合、前記第1及び第2導電層321、322と前記基板124による短絡を防止することができ、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。   Meanwhile, even when an insulating protective layer is disposed around and around the light emitting device 120, an insulating protective layer may not be disposed around the substrate 124 of the light emitting device 120. At this time, if the substrate 124 is provided from a conductive material, a defect due to a short circuit may occur when the first and second conductive layers 321 and 322 are in contact with the substrate 124. Therefore, when the resin part 135 is disposed, a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the substrate 124 can be prevented, and the reliability of the light emitting device package according to the embodiment can be improved. Can do.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

一方、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記モールディング部140が前記第1フレーム111と前記第2フレーム112に直接接触するように配置されてもよい。   Meanwhile, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the molding part 140 is in direct contact with the first frame 111 and the second frame 112. It may be arranged to do.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

一方、前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子120が前記パッケージ本体110の上に提供される過程で、前記接着剤130の一部が前記第1及び第2開口部TH1、TH2領域に移動することがある。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2パッド電極121、122の側面領域に配置される。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2導電層321、322の上に配置されてもよい。   Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. In the process in which the light emitting device 120 is provided on the package body 110, a part of the adhesive 130 may move to the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 is disposed in a side region of the first and second pad electrodes 121 and 122 inside the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 may be disposed on the first and second conductive layers 321 and 322 inside the first and second openings TH1 and TH2.

前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域を密封することができ、前記第1及び第2開口部TH1、TH2を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子120が配置された領域に流入することを防止することができる。   The adhesive 130 can seal the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2, and moisture or foreign substances can be emitted from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the element 120 from flowing into a region where the element 120 is disposed.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

また、実施例によれば、前記半導体構造物123は化合物半導体から提供される。前記半導体構造物123は、例えばII族‐VI族またはIII族‐V族化合物半導体から提供される。例えば、前記半導体構造物123は、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、リン(P)、ヒ素(As)、窒素(N)から選択された少なくとも2以上の元素を含んで提供される。   In addition, according to the embodiment, the semiconductor structure 123 is provided from a compound semiconductor. The semiconductor structure 123 is provided from, for example, a Group II-VI or Group III-V compound semiconductor. For example, the semiconductor structure 123 includes at least two elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As), and nitrogen (N). Provided.

前記半導体構造物123は、第1導電型半導体層、活性層、第2導電型半導体層を含むことができる。   The semiconductor structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer.

前記第1及び第2導電型半導体層は、III族‐V族またはII族‐VI族の化合物半導体の少なくとも1つから具現することができる。前記第1及び第2導電型半導体層は、例えばInxAlyGa1‐x‐yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体材料から形成される。例えば、前記第1及び第2導電型半導体層は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等を含む群から選択される少なくとも1つを含むことができる。前記第1導電型半導体層は、Si、Ge、Sn、Se、Te等のn型ドーパントがドーピングされたn型半導体層からなることができる。前記第2導電型半導体層は、Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等のp型ドーパントがドーピングされたp型半導体層からなることができる。 The first and second conductivity type semiconductor layers may be implemented by at least one of a group III-V or group II-VI compound semiconductor. Said first and second conductivity type semiconductor layer has, for example, In x Al y Ga 1-x -y composition formula N (0 ≦ x ≦ 1,0 ≦ y ≦ 1,0 ≦ x + y ≦ 1) It is formed from a semiconductor material. For example, the first and second conductive semiconductor layers include at least one selected from the group including GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. be able to. The first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. The second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

前記活性層は、化合物半導体から具現することができる。前記活性層は、例えばIII族‐V族またはII族‐VI族の化合物半導体の少なくとも1つから具現することができる。前記活性層が多重井戸構造で具現された場合、前記活性層は交互に配置された複数の井戸層と複数の障壁層を含むことができ、InxAlyGa1‐x‐yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体材料で配置される。例えば、前記活性層はInGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP、InP/GaAsを含む群から選択される少なくとも1つを含むことができる。 The active layer may be realized from a compound semiconductor. The active layer may be implemented, for example, from at least one of Group III-V or Group II-VI compound semiconductors. When the active layer is implemented with a multi-well structure, the active layer may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers arranged alternately, and In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). For example, the active layer is selected from the group comprising InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InP / GaAs. Can be included.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Are concatenated.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ100は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed in the opening. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ100は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and the physical bonding force can be achieved. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

次に、図4〜図8を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明することにする。   Next, a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図4〜図8を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明することにおいて、図1〜図3を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   With reference to FIGS. 4 to 8, a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with respect to items that overlap the contents described with reference to FIGS. 1 to 3. May be omitted.

まず、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図4に示されたように、パッケージ本体110が提供される。   First, according to the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, a package body 110 is provided as shown in FIG.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112.

前記本体113は、前記第1フレーム111の上に配置される。また、前記本体113は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The main body 113 is disposed on the first frame 111. The main body 113 is disposed on the second frame 112.

前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置された傾斜面を提供することができる。前記本体113の傾斜面によって、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上にキャビティCが提供される。   The main body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C is provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the main body 113.

また、前記第1フレーム111は、第1開口部TH1を含むことができる。前記第2フレーム112は、第2開口部TH2を含むことができる。   In addition, the first frame 111 may include a first opening TH1. The second frame 112 may include a second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111に提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112に提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in the first direction.

前記パッケージ本体110は、前記本体113に提供されるリセスRを含むことができる。   The package body 110 may include a recess R provided to the body 113.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface.

実施例によれば、前記リセスRの長さL2が前記第1開口部TH1の長さL1または前記第2開口部TH2の長さL1より大きく提供される。   According to the embodiment, the length L2 of the recess R is provided larger than the length L1 of the first opening TH1 or the length L1 of the second opening TH2.

次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図4に示されたように、前記リセスRに接着剤130が提供される。   Next, according to the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the adhesive 130 is provided to the recess R as shown in FIG.

前記接着剤130は、前記リセスR領域にDOTTING方式等により提供される。例えば、前記接着剤130は、前記リセスRが形成された領域に一定量提供され、前記リセスRを溢れるように提供される。   The adhesive 130 is provided in the recess R region by a DOTTING method or the like. For example, the adhesive 130 is provided in a certain amount in the region where the recess R is formed, and is provided so as to overflow the recess R.

また、実施例によれば、図4に示されたように、前記リセスRの長さL2は、前記第2開口部TH2の長さL1より大きく提供される。前記第2開口部TH2の長さL1は、前記発光素子120の短軸方向の長さより小さく提供される。また、前記リセスRの長さL2は、前記発光素子120の短軸方向の長さより大きく提供される。   In addition, according to the embodiment, as shown in FIG. 4, the length L2 of the recess R is provided larger than the length L1 of the second opening TH2. The length L1 of the second opening TH2 is provided to be smaller than the length of the light emitting device 120 in the minor axis direction. In addition, the length L2 of the recess R is provided to be greater than the length of the light emitting device 120 in the minor axis direction.

実施例に係る発光素子パッケージ製造工程で、前記発光素子120の下部に提供される前記接着剤130の量が多い場合、前記リセスRに提供される前記接着剤130が前記発光素子120の下部に接着しながら溢れる部分は、前記リセスRの長さL2方向に移動する。これによって、前記接着剤130の量が設計よりも多く塗布される場合にも、前記発光素子120が前記本体113から浮き上がることなく安定的に固定される。   In the light emitting device package manufacturing process according to the embodiment, when the amount of the adhesive 130 provided below the light emitting device 120 is large, the adhesive 130 provided to the recess R is disposed below the light emitting device 120. The portion overflowing while bonding moves in the direction of the length L2 of the recess R. Accordingly, even when the amount of the adhesive 130 is applied more than designed, the light emitting device 120 is stably fixed without being lifted from the main body 113.

そして、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図5に示されたように、前記パッケージ本体110の上に発光素子120が提供される。   In addition, according to the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the light emitting device 120 is provided on the package body 110 as shown in FIG.

実施例によれば、前記発光素子120が前記パッケージ本体110の上に配置される過程で前記リセスRは一種のアラインキー(align key)の役割をすることもできる。   According to the embodiment, the recess R may serve as a kind of align key in the process in which the light emitting device 120 is disposed on the package body 110.

前記発光素子120は、前記接着剤130によって前記本体113に固定される。前記リセスRに提供される前記接着剤130の一部は、前記発光素子120の第1パッド電極121及び第2パッド電極122方向に移動して硬化する。   The light emitting device 120 is fixed to the main body 113 by the adhesive 130. A part of the adhesive 130 provided in the recess R moves toward the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 and is cured.

これによって、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間の広い領域に前記接着剤130が提供され、前記発光素子120と前記本体113との間の固定力が向上する。   Accordingly, the adhesive 130 is provided in a wide area between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113, and the fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113 is improved.

実施例によれば、図3を参照して説明したように、前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   According to the embodiment, as described with reference to FIG. 3, the first opening TH <b> 1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first frame 111.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the second frame 112.

次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図6に示されたように、第1導電層321と第2導電層322が形成される。   Next, according to the method for manufacturing the light emitting device package according to the example, as illustrated in FIG. 6, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、図3及び図6に示されたように、前記第1開口部TH1を介して前記第1パッド電極121の下面が露出する。また、前記第2開口部TH2を介して前記第2パッド電極122の下面が露出する。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, as illustrated in FIGS. 3 and 6, the lower surface of the first pad electrode 121 is exposed through the first opening TH1. In addition, the lower surface of the second pad electrode 122 is exposed through the second opening TH2.

実施例によれば、前記第1開口部TH1に前記第1導電層321が形成される。また、前記第2開口部TH2に前記第2導電層322が形成される。   According to the embodiment, the first conductive layer 321 is formed in the first opening TH1. In addition, the second conductive layer 322 is formed in the second opening TH2.

前記第1導電層321は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1フレーム111によって取り囲まれるように配置される。   The first conductive layer 321 is provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed so as to be surrounded by the first frame 111.

図3に示されたように、前記第1開口部TH1の上部領域で、前記第1導電層321の上部部分は、前記第1パッド電極121の下部部分の周りに配置される。前記第1導電層321の上面は、前記第1パッド電極121の下面より高く配置される。   As shown in FIG. 3, the upper portion of the first conductive layer 321 is disposed around the lower portion of the first pad electrode 121 in the upper region of the first opening TH1. The upper surface of the first conductive layer 321 is disposed higher than the lower surface of the first pad electrode 121.

前記第2導電層322は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2フレーム112によって取り囲まれるように配置される。   The second conductive layer 322 is provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

図3に示されたように、前記第2開口部TH2の上部領域で、前記第2導電層322の上部部分は、前記第2パッド電極122の下部部分の周りに配置される。前記第2導電層322の上面は、前記第2パッド電極122の下面より高く配置される。   As shown in FIG. 3, the upper portion of the second conductive layer 322 is disposed around the lower portion of the second pad electrode 122 in the upper region of the second opening TH2. The upper surface of the second conductive layer 322 is disposed higher than the lower surface of the second pad electrode 122.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成してもよい。前記第1導電層321と前記第2導電層322は、ソルダペースト(solder paste)または銀ペースト(silver paste)等を利用して形成することもできる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a solder paste or a silver paste.

そして、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図7に示されたように、樹脂部135が形成される。   And according to the manufacturing method of the light emitting element package which concerns on an Example, as FIG. 7 showed, the resin part 135 is formed.

前記樹脂部135は、図3を参照して説明したように、前記第1フレーム111と前記発光素子120との間に配置される。前記樹脂部135は、前記第2フレーム112と前記発光素子120との間に配置される。   As described with reference to FIG. 3, the resin part 135 is disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The resin part 135 is disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記樹脂部135は、前記発光素子120から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO等の反射物質を含む樹脂からなることができる。前記樹脂部135は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。
前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。
For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . For example, the resin part 135 may be a reflective part that reflects light emitted from the light emitting device 120, and may be made of a resin containing a reflective material such as TiO 2 . The resin part 135 may include white silicone.
The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図8に示されたように、前記発光素子120の上にモールディング部140が提供される。   Next, according to the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the molding part 140 is provided on the light emitting device 120 as shown in FIG.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

前記モールディング部140は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部140は、前記発光素子120から放出される光が入射され、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例えば、前記モールディング部140は、蛍光体、量子ドット等を含む群から選択される少なくとも1つを含むことができる。   The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include wavelength conversion means that receives light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like.

一方、以上の説明では、図6に示されたように前記第1導電層321と前記第2導電層322が先に形成され、図7及び図8に示されたように前記樹脂部135と前記モールディング部140が形成される場合を基準に説明した。   On the other hand, in the above description, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed first as shown in FIG. 6, and the resin portion 135 and the first conductive layer 322 are formed as shown in FIGS. The case where the molding part 140 is formed has been described as a reference.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法の別の例によれば、前記樹脂部135と前記モールディング部140が先に形成され、前記第1導電層321と前記第2導電層322が後に形成されてもよい。   However, according to another example of the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the resin part 135 and the molding part 140 are formed first, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed later. It may be formed.

また、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法のさらに別の例によれば、前記樹脂部135が形成されず、前記パッケージ本体110のキャビティ内に前記モールディング部140のみが形成されてもよい。   Further, according to still another example of the method for manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the resin part 135 may not be formed, and only the molding part 140 may be formed in the cavity of the package body 110.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Are concatenated.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ100は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがあり、これによって前記発光素子の位置が変わり、前記発光素子パッケージの光学的、電気的特性及び信頼性が低下することがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in a bonding region between the frame provided to the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of electrical connection and physical coupling is weakened. In some cases, the position of the light emitting device is changed, and the optical, electrical characteristics, and reliability of the light emitting device package may be deteriorated.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1電極と第2電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first electrode and the second electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven by a driving power source through the conductive layer disposed in the opening. Provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ100は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and the physical bonding force can be achieved. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、多様な変形例を含むことができる。   Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may include various modifications.

まず、図9〜図17を参照して実施例に係る発光素子パッケージに適用された本体の変形例に対して説明することにする。図9〜図17を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図8を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   First, a modification of the main body applied to the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIGS. In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 9 to FIG. 17, the description overlapping with the content described with reference to FIG. 1 to FIG.

図9〜図11は、図3に示された発光素子パッケージに適用された本体の変形例を説明する図面である。   9 to 11 are views for explaining modifications of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG.

実施例に係る発光素子パッケージ100によれば、図9に示されたように、本体113は、上面に提供される少なくとも2つのリセスを含むことができる。   According to the light emitting device package 100 according to the embodiment, as illustrated in FIG. 9, the main body 113 may include at least two recesses provided on the upper surface.

例えば、前記本体113は、上面中央領域から前記第1フレーム111の側に配置された第1リセスR11を含むことができる。前記第1リセスR11は、前記第1フレーム111の終端に接して提供される。   For example, the main body 113 may include a first recess R11 disposed on the first frame 111 side from the upper surface central region. The first recess R11 is provided in contact with the end of the first frame 111.

また、前記本体113は、上面中央領域から前記第2フレーム112の側に配置された第2リセスR12を含むことができる。前記第2リセスR12は、前記第2フレーム112の終端に接して提供される。   Further, the main body 113 may include a second recess R12 disposed on the second frame 112 side from the upper surface central region. The second recess R12 is provided in contact with the end of the second frame 112.

前記第1リセスR11は、前記本体113の上面と前記第1フレーム111の上面から下向に凹むように提供される。前記第2リセスR12は、前記本体113の上面と前記第2フレーム112の上面から下向に凹むように提供される。   The first recess R11 is provided to be recessed downward from the upper surface of the main body 113 and the upper surface of the first frame 111. The second recess R12 is provided to be recessed downward from the upper surface of the main body 113 and the upper surface of the second frame 112.

実施例に係る発光素子パッケージ100によれば、接着剤130が前記第1リセスR11と前記第2リセスR12に提供される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   According to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the adhesive 130 is provided to the first recess R11 and the second recess R12. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記第1リセスR11と前記第2リセスR12は、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。   The first recess R <b> 11 and the second recess R <b> 12 may provide an appropriate space under the light emitting device 120 that can perform a kind of underfill process.

前記第1リセスR11と前記第2リセスR12は、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記第1リセスR11と前記第2リセスR12は、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The first recess R11 and the second recess R12 are provided at a depth greater than the first depth so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. . In addition, the first recess R11 and the second recess R12 are provided below a second depth in order to provide a stable strength of the main body 113.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

また、前記第1リセスR11及び前記接着剤130は、前記第1開口部TH1に提供される前記第1導電層321が前記発光素子120の下部領域に移動することを防止することができる。また、前記第2リセスR12及び前記接着剤130は、前記第2開口部TH2に提供される前記第2導電層322が前記発光素子120の下部領域に移動することを防止することができる。これによって、前記第1導電層321の移動または前記第2導電層322の移動によって前記発光素子120が電気的に短絡(short)したり劣化することを防止することができる。   In addition, the first recess R11 and the adhesive 130 may prevent the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 from moving to a lower region of the light emitting device 120. In addition, the second recess R12 and the adhesive 130 may prevent the second conductive layer 322 provided in the second opening TH2 from moving to a lower region of the light emitting device 120. Accordingly, it is possible to prevent the light emitting device 120 from being electrically short-circuited or deteriorated due to the movement of the first conductive layer 321 or the movement of the second conductive layer 322.

一方、図9は実施例に係る発光素子パッケージに適用された本体113の断面図を示し、図10及び図11は図9に示された前記本体113の平面図を示す。   On the other hand, FIG. 9 is a cross-sectional view of the main body 113 applied to the light emitting device package according to the embodiment, and FIGS. 10 and 11 are plan views of the main body 113 shown in FIG.

例えば、図10に示されたように、前記第1リセスR11と前記第2リセスR12は、前記本体113の中央領域を挟んで相互離隔して配置される。前記第1リセスR11と前記第2リセスR12は、前記本体113の中央領域を挟んで相互平行するように配置される。   For example, as shown in FIG. 10, the first recess R <b> 11 and the second recess R <b> 12 are spaced apart from each other across the central region of the main body 113. The first recess R11 and the second recess R12 are disposed so as to be parallel to each other across the central region of the main body 113.

また、図11に示されたように、前記第1リセスR11と前記第2リセスR12は、前記本体113の中央領域を挟んで相互離隔して配置される。一方、前記第1リセスR11と前記第2リセスR12は、前記本体113の中央領域を挟んで、その周りで閉ループ状に相互連結されて配置されてもよい。   In addition, as shown in FIG. 11, the first recess R11 and the second recess R12 are spaced apart from each other across the central region of the main body 113. On the other hand, the first recess R11 and the second recess R12 may be arranged to be connected in a closed loop around the central region of the main body 113.

一方、図12〜図14は図3に示された発光素子パッケージに適用された本体の別の変形例を説明する図面である。   On the other hand, FIGS. 12 to 14 are diagrams illustrating another modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG.

実施例に係る発光素子パッケージ100によれば、図12に示されたように、本体113は、上面に提供される少なくとも3つのリセスを含むことができる。   According to the light emitting device package 100 according to the embodiment, as illustrated in FIG. 12, the main body 113 may include at least three recesses provided on the upper surface.

例えば、前記本体113は、上面中央領域から前記第1フレーム111の側に配置された第1リセスR21を含むことができる。前記第1リセスR21は、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。   For example, the main body 113 may include a first recess R21 disposed on the first frame 111 side from the upper surface central region. The first recess R21 is provided to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface.

また、前記本体113は、上面中央領域から前記第2フレーム112の側に配置された第3リセスR23を含むことができる。前記第3リセスR23は、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。   In addition, the main body 113 may include a third recess R23 disposed on the second frame 112 side from the upper surface central region. The third recess R23 is provided to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface.

また、前記本体113は、上面中央領域に配置された第2リセスR22を含むことができる。前記第2リセスR22は、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第2リセスR22は、前記第1リセスR21と前記第3リセスR23との間に配置される。   In addition, the main body 113 may include a second recess R22 disposed in a central region on the upper surface. The second recess R22 is provided to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The second recess R22 is disposed between the first recess R21 and the third recess R23.

実施例に係る発光素子パッケージ100によれば、接着剤130が前記第1リセスR21、前記第2リセスR22、前記第3リセスR23に提供される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   According to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the adhesive 130 is provided to the first recess R21, the second recess R22, and the third recess R23. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記第1リセスR21、前記第2リセスR22、前記第3リセスR23は、前記発光素子120を前記パッケージ本体に付着するために、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。   The first recess R21, the second recess R22, and the third recess R23 perform a kind of underfill process under the light emitting device 120 in order to attach the light emitting device 120 to the package body. Proper space that can be executed can be provided.

前記第1リセスR21、前記第2リセスR22、前記第3リセスR23は、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記第1リセスR21、前記第2リセスR22、前記第3リセスR23は、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The first recess R21, the second recess R22, and the third recess R23 have a first depth so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. More than just offered. In addition, the first recess R21, the second recess R22, and the third recess R23 are provided below a second depth in order to provide a stable strength of the main body 113.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

また、前記第1リセスR21及び前記接着剤130は、前記第1開口部TH1に提供される前記第1導電層321が前記発光素子120の下部領域に移動することを防止することができる。また、前記第3リセスR23及び前記接着剤130は、前記第2開口部TH2に提供される前記第2導電層322が前記発光素子120の下部領域に移動することを防止することができる。これによって、前記第1導電層321の移動または前記第2導電層322の移動によって前記発光素子120が電気的に短絡(short)したり劣化することを防止することができる。   In addition, the first recess R21 and the adhesive 130 may prevent the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 from moving to a lower region of the light emitting device 120. In addition, the third recess R23 and the adhesive 130 may prevent the second conductive layer 322 provided in the second opening TH2 from moving to a lower region of the light emitting device 120. Accordingly, it is possible to prevent the light emitting device 120 from being electrically short-circuited or deteriorated due to the movement of the first conductive layer 321 or the movement of the second conductive layer 322.

一方、図12は実施例に係る発光素子パッケージに適用された本体113の断面図を示し、図13及び図14は図12に示された前記本体113の平面図を示す。   On the other hand, FIG. 12 is a cross-sectional view of the main body 113 applied to the light emitting device package according to the embodiment, and FIGS. 13 and 14 are plan views of the main body 113 shown in FIG.

例えば、図13に示されたように、前記第1リセスR21、前記第2リセスR22、前記第3リセスR23は、前記本体113の上面で相互離隔して一方向に平行するように配置される。前記第1リセスR21、前記第2リセスR22、前記第3リセスR23は、前記本体113の上面から一方向に延長されて配置される。   For example, as shown in FIG. 13, the first recess R21, the second recess R22, and the third recess R23 are spaced apart from each other on the upper surface of the main body 113 so as to be parallel to one direction. . The first recess R21, the second recess R22, and the third recess R23 are extended from the upper surface of the main body 113 in one direction.

また、図14に示されたように、前記第1リセスR21と前記第3リセスR23は、前記本体113の中央領域を挟んで相互離隔して配置される。一方、前記第1リセスR21と前記第3リセスR23は、前記本体113の中央領域を挟んで、その周りで閉ループ状に相互連結されて配置されてもよい。また、前記第2リセスR22は、前記本体113の中央領域に配置される。前記第2リセスR22は、前記第1リセスR21と前記第3リセスR23によって取り囲まれた空間内に配置されてもよい。   As shown in FIG. 14, the first recess R21 and the third recess R23 are spaced apart from each other with a central region of the main body 113 interposed therebetween. On the other hand, the first recess R21 and the third recess R23 may be arranged to be connected in a closed loop around the central region of the main body 113. The second recess R22 is disposed in the central region of the main body 113. The second recess R22 may be disposed in a space surrounded by the first recess R21 and the third recess R23.

一方、図15〜図17は図3に示された発光素子パッケージに適用された本体のさらに別の変形例を説明する図面である。   15 to 17 are views for explaining still another modification of the main body applied to the light emitting device package shown in FIG.

実施例に係る発光素子パッケージ100によれば、図15に示されたように、本体113は、上面に提供される少なくとも2つのリセスを含むことができる。   According to the light emitting device package 100 according to the embodiment, as illustrated in FIG. 15, the main body 113 may include at least two recesses provided on the upper surface.

例えば、前記本体113は、上面中央領域から前記第1フレーム111の側に配置された第1リセスR31を含むことができる。前記第1リセスR31は、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第1リセスR31は、前記第1フレーム111の終端から離隔して配置される。   For example, the main body 113 may include a first recess R31 disposed on the first frame 111 side from the upper surface central region. The first recess R31 is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The first recess R31 is spaced apart from the end of the first frame 111.

また、前記本体113は、上面中央領域から前記第2フレーム112の側に配置された第2リセスR32を含むことができる。前記第2リセスR32は、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第2リセスR32は、前記第2フレーム112の終端から離隔して配置される。   In addition, the main body 113 may include a second recess R32 disposed on the second frame 112 side from an upper surface central region. The second recess R32 is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The second recess R32 is spaced apart from the end of the second frame 112.

実施例に係る発光素子パッケージ100によれば、接着剤130が前記第1リセスR31、前記第2リセスR32に提供される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   According to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the adhesive 130 is provided to the first recess R31 and the second recess R32. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記第1リセスR31と前記第2リセスR32は、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。   The first recess R31 and the second recess R32 may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed.

前記第1リセスR31と前記第2リセスR32は、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記第1リセスR31と前記第2リセスR32は、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The first recess R31 and the second recess R32 are provided to a depth greater than the first depth so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. . In addition, the first recess R31 and the second recess R32 are provided below a second depth in order to provide a stable strength of the main body 113.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

また、前記第1リセスR31及び前記接着剤130は、前記第1開口部TH1に提供される前記第1導電層321が前記発光素子120の下部領域に移動することを防止することができる。また、前記第2リセスR32及び前記接着剤130は、前記第2開口部TH2に提供される前記第2導電層322が前記発光素子120の下部領域に移動することを防止することができる。これによって、前記第1導電層321の移動または前記第2導電層322の移動によって前記発光素子120が電気的に短絡(short)したり劣化することを防止することができる。   In addition, the first recess R31 and the adhesive 130 may prevent the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 from moving to a lower region of the light emitting device 120. In addition, the second recess R32 and the adhesive 130 may prevent the second conductive layer 322 provided in the second opening TH2 from moving to a lower region of the light emitting device 120. Accordingly, it is possible to prevent the light emitting device 120 from being electrically short-circuited or deteriorated due to the movement of the first conductive layer 321 or the movement of the second conductive layer 322.

一方、図15は実施例に係る発光素子パッケージに適用された本体113の断面図を示し、図16及び図17は図15に示された前記本体113の平面図を示す。   15 is a cross-sectional view of the main body 113 applied to the light emitting device package according to the embodiment, and FIGS. 16 and 17 are plan views of the main body 113 shown in FIG.

例えば、図16に示されたように、前記第1リセスR31と前記第2リセスR32は、前記本体113の上面で相互離隔して一方向に平行するように配置される。前記第1リセスR31と前記第2リセスR32は、前記本体113の上面から一方向に延長されて配置される。   For example, as shown in FIG. 16, the first recess R31 and the second recess R32 are disposed on the upper surface of the main body 113 so as to be separated from each other and parallel to one direction. The first recess R31 and the second recess R32 are arranged extending in one direction from the upper surface of the main body 113.

また、図17に示されたように、前記第1リセスR31と前記第2リセスR32は、前記本体113の中央領域を挟んで相互離隔して配置される。一方、前記第1リセスR31と前記第2リセスR32は、前記本体113の中央領域を挟んで、その周りで閉ループ状に相互連結されて配置されてもよい。   In addition, as shown in FIG. 17, the first recess R31 and the second recess R32 are spaced apart from each other across the central region of the main body 113. Meanwhile, the first recess R31 and the second recess R32 may be arranged in a closed loop around the central region of the main body 113.

次に、図18及び図19を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例を説明することにする。   Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図18は本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例を示した図面であり、図19は図18に示された発光素子パッケージに適用された第1フレーム、第2フレーム、本体の配置関係を説明する図面である。   18 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a view of the first frame, the second frame, and the main body applied to the light emitting device package shown in FIG. It is drawing explaining arrangement | positioning relationship.

図18及び図19を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図17を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 18 and FIG. 19, the description overlapping with the content described with reference to FIG.

実施例に係る発光素子パッケージは、図18及び図19に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIGS.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、絶縁性フレームから提供される。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができる。   The first frame 111 and the second frame 112 are provided from an insulating frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110.

また、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子120に電気的に連結される。   In addition, the first frame 111 and the second frame 112 may be provided from a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and are electrically connected to the light emitting device 120.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112が、絶縁性フレームから形成される場合と導電性フレームから形成される場合の差異点に対しては、後でさらに説明することにする。   The difference between the case where the first frame 111 and the second frame 112 are formed from an insulating frame and the case where they are formed from a conductive frame will be further described later.

例えば、前記本体113は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(AlO)等を含む群から選択される少なくとも1つから形成される。また、前記本体113は、TiOとSiOのような高屈折フィラーを含むことができる。 For example, the main body 113 is made of PPA (Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide 9T), silicone, EMC (Epoxy Molding Compound), SMC (Silicone Molding Compound), ceramic, PSG. (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3 ), or the like. The main body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

実施例によれば、前記発光素子120は、第1パッド電極121、第2パッド電極122、半導体構造物123、基板124を含むことができる。   According to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first pad electrode 121, a second pad electrode 122, a semiconductor structure 123, and a substrate 124.

前記発光素子120は、図18に示されたように、前記基板124の下に配置された前記半導体構造物123を含むことができる。前記半導体構造物123と前記本体113との間に前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が配置される。   The light emitting device 120 may include the semiconductor structure 123 disposed under the substrate 124 as shown in FIG. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are disposed between the semiconductor structure 123 and the main body 113.

前記発光素子120は、前記パッケージ本体110の上に配置される。前記発光素子120は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記発光素子120は、前記パッケージ本体110によって提供される前記キャビティC内に配置される。   The light emitting device 120 is disposed on the package body 110. The light emitting device 120 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 is disposed in the cavity C provided by the package body 110.

前記第1パッド電極121は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面で相互離隔して配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second pad electrode 122 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

前記第1パッド電極121は、前記第1フレーム111の上に配置される。前記第2パッド電極122は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed on the second frame 112.

前記第1パッド電極121は、前記半導体構造物123と前記第1フレーム111との間に配置される。前記第2パッド電極122は、前記半導体構造物123と前記第2フレーム112との間に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed between the semiconductor structure 123 and the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed between the semiconductor structure 123 and the second frame 112.

一方、実施例に係る発光素子パッケージは、図18及び図19に示されたように、第1開口部TH1と第2開口部TH2を含むことができる。前記第1フレーム111は、前記第1開口部TH1を含むことができる。前記第2フレーム112は、前記第2開口部TH2を含むことができる。   Meanwhile, as illustrated in FIGS. 18 and 19, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111に提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   The first opening TH1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first frame 111.

前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112に提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the second frame 112.

前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、相互離隔して配置される。前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の下部面の下で相互離隔して配置される。   The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例によれば、前記第1パッド電極121の下部領域が、前記第1開口部TH1の上部領域内に配置される。前記第1パッド電極121の底面が前記第1フレーム111の上面より低く配置される。   According to the embodiment, the lower region of the first pad electrode 121 is disposed in the upper region of the first opening TH1. The bottom surface of the first pad electrode 121 is disposed lower than the top surface of the first frame 111.

また、前記第2パッド電極122の下部領域が、前記第2開口部TH2の上部領域内に配置される。前記第2パッド電極122の底面が、前記第2フレーム112の上面より低く配置される。   The lower region of the second pad electrode 122 is disposed in the upper region of the second opening TH2. The bottom surface of the second pad electrode 122 is disposed lower than the top surface of the second frame 112.

実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤130を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

実施例に係る発光素子パッケージは、図18及び図19に示されたように、リセスRを含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a recess R as illustrated in FIGS. 18 and 19.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記接着剤130は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ100の光抽出効率を改善することができる。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusing function, so that the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

前記リセスRは、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスRは、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記リセスRは、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The recess R may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed. The recess R is provided at a first depth or more so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. In addition, the recess R is provided at a second depth or less in order to provide a stable strength of the main body 113.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。   The first conductive layer 321 is provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121.

前記第1パッド電極121は、前記第1開口部TH1が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第1パッド電極121の幅は、前記第1開口部TH1の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The first pad electrode 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening TH1 is formed. The width of the first pad electrode 121 is smaller than the width of the first opening TH1 in the second direction.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1フレーム111によって取り囲まれるように配置される。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed so as to be surrounded by the first frame 111.

前記第1開口部TH1の上部領域で、前記第1導電層321の上部部分は、前記第1パッド電極121の下部部分の周りに配置される。前記第1導電層321の上面は、前記第1パッド電極121の下面より高く配置される。   The upper portion of the first conductive layer 321 is disposed around the lower portion of the first pad electrode 121 in the upper region of the first opening TH1. The upper surface of the first conductive layer 321 is disposed higher than the lower surface of the first pad electrode 121.

前記第2導電層322は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   The second conductive layer 322 is provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122.

前記第2パッド電極122は、前記第2開口部TH2が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第2パッド電極122の幅は、前記第2開口部TH2の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The second pad electrode 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening TH2 is formed. The width of the second pad electrode 122 is smaller than the width of the second opening TH2 in the second direction.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2フレーム112によって取り囲まれるように配置される。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

前記第2開口部TH2の上部領域で、前記第2導電層322の上部部分は、前記第2パッド電極122の下部部分の周りに配置される。前記第2導電層322の上面は、前記第2パッド電極122の下面より高く配置される。   The upper portion of the second conductive layer 322 is disposed around the lower portion of the second pad electrode 122 in the upper region of the second opening TH2. The upper surface of the second conductive layer 322 is disposed higher than the lower surface of the second pad electrode 122.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図18及び図19に示されたように、第1下部リセスR10と第2下部リセスR20を含むことができる。前記第1下部リセスR10と前記第2下部リセスR20は、相互離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first lower recess R10 and a second lower recess R20 as shown in FIGS. The first lower recess R10 and the second lower recess R20 are spaced apart from each other.

前記第1下部リセスR10は、前記第1フレーム111の下面に提供される。前記第1下部リセスR10は、前記第1フレーム111の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第1下部リセスR10は、前記第1開口部TH1から離隔して配置される。   The first lower recess R <b> 10 is provided on the lower surface of the first frame 111. The first lower recess R10 is provided so as to be recessed from the lower surface of the first frame 111 in the upper surface direction. The first lower recess R10 is spaced apart from the first opening TH1.

前記第1下部リセスR10は、数μm〜数十μmの幅で提供される。前記第1下部リセスR10に樹脂部が提供される。前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、例えば前記本体113と同一物質から提供される。   The first lower recess R10 is provided with a width of several μm to several tens of μm. A resin part is provided in the first lower recess R10. The resin portion filled in the first lower recess R10 is provided from the same material as the main body 113, for example.

例えば、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113が射出工程等によって形成される過程で提供される。   For example, the resin portion filled in the first lower recess R10 is provided in a process in which the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 are formed by an injection process or the like.

前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、図2を参照して説明したように、前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域の周囲に配置される。前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第1フレーム111をなす下面から分離して配置される。   As described with reference to FIG. 2, the resin portion filled in the first lower recess R10 is disposed around the lower surface region of the first frame 111 that provides the first opening TH1. The lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1 is disposed in a kind of island shape separately from the lower surface forming the surrounding first frame 111.

例えば、図2を参照して説明したように、前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域は、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部と前記本体113によって、周辺の前記第1フレーム111からアイソレーション(isolation)される。   For example, as described with reference to FIG. 2, the lower surface region of the first frame 111 that provides the first opening TH <b> 1 is surrounded by the resin portion filled in the first lower recess R <b> 10 and the main body 113. The first frame 111 is isolated.

よって、前記第1開口部TH1に提供される前記第1導電層321が前記第1開口部TH1から外れ、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部または前記本体113を越えて拡散することが防止される。   Accordingly, the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 may be detached from the first opening TH1 and diffused beyond the resin portion or the main body 113 filled in the first lower recess R10. Is prevented.

これによって、前記第1導電層321が前記樹脂部または前記本体113が提供される領域から溢れることが防止され、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1が提供される領域に安定的に配置される。また、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1内で前記第1パッド電極121の下面に安定的に連結される。   Accordingly, the first conductive layer 321 is prevented from overflowing from the region where the resin portion or the main body 113 is provided, and the first conductive layer 321 is stable in the region where the first opening TH1 is provided. Placed in. In addition, the first conductive layer 321 is stably connected to the lower surface of the first pad electrode 121 in the first opening TH1.

また、前記第2下部リセスR20は、前記第2フレーム112の下面に提供される。前記第2下部リセスR20は、前記第2フレーム112の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第2下部リセスR20は、前記第2開口部TH2から離隔して配置される。   In addition, the second lower recess R <b> 20 is provided on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R20 is provided so as to be recessed from the lower surface of the second frame 112 in the upper surface direction. The second lower recess R20 is spaced apart from the second opening TH2.

前記第2下部リセスR20は、数μm〜数十μmの幅で提供される。前記第2下部リセスR20に樹脂部が提供される。前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、例えば前記本体113と同一物質から提供される。   The second lower recess R20 is provided with a width of several μm to several tens of μm. A resin part is provided in the second lower recess R20. The resin part filled in the second lower recess R20 is provided from the same material as the main body 113, for example.

例えば、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113が射出工程等によって形成される過程で提供される。   For example, the resin portion filled in the second lower recess R20 is provided in a process in which the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 are formed by an injection process or the like.

前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、図2を参照して説明したように、前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域の周囲に配置される。前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第2フレーム112をなす下面から分離して配置される。   As described with reference to FIG. 2, the resin portion filled in the second lower recess R20 is disposed around the lower surface region of the second frame 112 that provides the second opening TH2. The lower surface region of the second frame 112 providing the second opening TH2 is disposed in a kind of island shape separately from the lower surface forming the surrounding second frame 112.

例えば、図2を参照して説明したように、前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域は、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部と前記本体113によって、周辺の前記第2フレーム112からアイソレーション(isolation)される。   For example, as described with reference to FIG. 2, the lower surface region of the second frame 112 that provides the second opening TH <b> 2 is surrounded by the resin portion filled in the second lower recess R <b> 20 and the main body 113. The second frame 112 is isolated.

よって、前記第2開口部TH2に提供される前記第2導電層322が前記第2開口部TH2から外れ、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部または前記本体113を越えて拡散することが防止される。   Therefore, the second conductive layer 322 provided to the second opening TH2 is detached from the second opening TH2, and diffuses beyond the resin portion or the main body 113 filled in the second lower recess R20. Is prevented.

これによって、前記第2導電層322が前記樹脂部または前記本体113が提供される領域から溢れることが防止され、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2が提供される領域に安定的に配置される。また、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2内で前記第2パッド電極122の下面に安定的に連結される。   Accordingly, the second conductive layer 322 is prevented from overflowing from the region where the resin portion or the main body 113 is provided, and the second conductive layer 322 is stable in the region where the second opening TH2 is provided. Placed in. In addition, the second conductive layer 322 is stably connected to the lower surface of the second pad electrode 122 in the second opening TH2.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図18及び図19に示されたように、第1上部リセスR3と第2上部リセスR4を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4 as illustrated in FIGS.

前記第1上部リセスR3は、前記第1フレーム111の上面に提供される。前記第1上部リセスR3は、前記第1フレーム111の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第1上部リセスR3は、前記第1開口部TH1から離隔して配置される。   The first upper recess R <b> 3 is provided on the upper surface of the first frame 111. The first upper recess R3 is provided so as to be recessed from the upper surface of the first frame 111 toward the lower surface. The first upper recess R3 is spaced apart from the first opening TH1.

前記第1上部リセスR3は、図19に示されたように、上部方向から見たとき、前記第1パッド電極121の周辺に隣接するように提供される。例えば、前記第1上部リセスR3は、前記第1パッド電極121の周辺に「[」状に提供される。   As shown in FIG. 19, the first upper recess R3 is provided adjacent to the periphery of the first pad electrode 121 when viewed from above. For example, the first upper recess R <b> 3 is provided in a “[” shape around the first pad electrode 121.

実施例によれば、前記第1上部リセスR3は、前記第1下部リセスR10と垂直方向に重ならないように提供される。前記第1上部リセスR3と前記第1下部リセスR10が垂直方向に重なると、その間に配置された前記第1フレーム111の厚さが薄く提供される場合に、前記第1フレーム111の強度が弱まる点を考慮したものである。   According to an embodiment, the first upper recess R3 is provided so as not to overlap the first lower recess R10 in the vertical direction. When the first upper recess R3 and the first lower recess R10 overlap in the vertical direction, the strength of the first frame 111 is weakened when the thickness of the first frame 111 disposed therebetween is provided thin. This is a consideration of the point.

別の実施例によれば、前記第1フレーム111の厚さが充分に提供される場合、前記第1上部リセスR3と前記第1下部リセスR10が垂直方向に重なるように提供されてもよい。   According to another embodiment, when the thickness of the first frame 111 is sufficiently provided, the first upper recess R3 and the first lower recess R10 may be provided to overlap each other in the vertical direction.

前記第2上部リセスR4は、前記第2フレーム112の上面に提供される。前記第2上部リセスR4は、前記第2フレーム112の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第2上部リセスR4は、前記第2開口部TH2から離隔して配置される。   The second upper recess R <b> 4 is provided on the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R4 is provided to be recessed from the upper surface of the second frame 112 toward the lower surface. The second upper recess R4 is spaced apart from the second opening TH2.

実施例によれば、前記第2上部リセスR4は、前記第2下部リセスR20と垂直方向に重ならないように提供される。前記第2上部リセスR4と前記第2下部リセスR20が垂直方向に重なると、その間に配置された前記第2フレーム112の厚さが薄く提供される場合に、前記第2フレーム112の強度が弱まる点を考慮したものである。   According to an embodiment, the second upper recess R4 is provided so as not to overlap the second lower recess R20 in the vertical direction. When the second upper recess R4 and the second lower recess R20 overlap in the vertical direction, the strength of the second frame 112 is weakened when the thickness of the second frame 112 disposed therebetween is provided thin. This is a consideration of the point.

別の実施例によれば、前記第2フレーム112の厚さが充分に提供される場合、前記第2上部リセスR4と前記第2下部リセスR20が垂直方向に重なるように提供されてもよい。   According to another embodiment, when the thickness of the second frame 112 is sufficiently provided, the second upper recess R4 and the second lower recess R20 may be provided to overlap each other in the vertical direction.

前記第2上部リセスR4は、図19に示されたように、上部方向から見たとき、前記第2パッド電極122の周辺に隣接するように提供される。例えば、前記第2上部リセスR4は、前記第2パッド電極122の周辺に「]」状に提供される。   As shown in FIG. 19, the second upper recess R4 is provided adjacent to the periphery of the second pad electrode 122 when viewed from above. For example, the second upper recess R4 is provided in the form of “]” around the second pad electrode 122.

例えば、前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4は、数十μm〜数百μmの幅で提供される。   For example, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 are provided with a width of several tens of μm to several hundreds of μm.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図18に示されたように、樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4に提供される。   The resin part 135 is provided to the first upper recess R3 and the second upper recess R4.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記第1上部リセスR3に提供され、前記第1パッド電極121が配置された領域まで延長されて提供される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is provided to the first upper recess R3 and extended to a region where the first pad electrode 121 is disposed. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

前記第1上部リセスR3の終端から前記発光素子120の隣接した終端までの距離L11は、数百μm以下に提供される。例えば、前記第1上部リセスR3の終端から前記発光素子120の隣接した終端までの距離L11は200μmと同一またはより小さく提供される。   A distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the light emitting device 120 is provided to be several hundred μm or less. For example, the distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the light emitting device 120 is equal to or smaller than 200 μm.

前記第1上部リセスR3の終端から前記発光素子120の隣接した終端までの距離L11は、前記第1上部リセスR3に満たされる前記樹脂部135の粘性等によって決定される。   A distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the light emitting device 120 is determined by the viscosity of the resin part 135 filled in the first upper recess R3.

前記第1上部リセスR3の終端から前記発光素子120の隣接した終端までの距離L11は、前記第1上部リセスR3に塗布された前記樹脂部135が前記第1パッド電極121が配置された領域まで延長されて形成され得る距離に選択される。   The distance L11 from the terminal end of the first upper recess R3 to the adjacent terminal of the light emitting device 120 is the region where the resin part 135 applied to the first upper recess R3 is disposed on the first pad electrode 121. A distance that can be formed in an extended manner is selected.

また、前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記第2上部リセスR4に提供され、前記第2パッド電極122が配置された領域まで延長されて提供される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is provided to the second upper recess R4 and extended to a region where the second pad electrode 122 is disposed. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

また、前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の側面にも提供される。前記樹脂部135が前記半導体構造物123の側面に配置されることで、前記第1及び第2導電層321、322が前記半導体構造物123の側面に移動することを効果的に防止することができる。また、前記樹脂部135が前記半導体構造物123の側面に配置されるとき、前記半導体構造物123の活性層の下に配置されるようにすることができ、これによって前記発光素子120の光抽出効率を向上させることができる。   The resin part 135 is also provided on the side surface of the semiconductor structure 123. By arranging the resin part 135 on the side surface of the semiconductor structure 123, it is possible to effectively prevent the first and second conductive layers 321 and 322 from moving to the side surface of the semiconductor structure 123. it can. In addition, when the resin part 135 is disposed on the side surface of the semiconductor structure 123, the resin part 135 may be disposed under the active layer of the semiconductor structure 123, thereby extracting light from the light emitting device 120. Efficiency can be improved.

前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4は、前記樹脂部135が提供される充分な空間を提供することができる。   The first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide a sufficient space in which the resin part 135 is provided.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は反射性物質を含むことができ、例えばTiO及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . In addition, the resin part 135 may include a reflective material, for example, white silicone including TiO 2 and / or silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1開口部TH1領域と前記第2開口部TH2領域を外れて前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin part 135 moves by diffusing the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 in the direction of the light emitting element 120 outside the first opening TH1 region and the second opening TH2 region. Can be prevented.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding unit 140.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

一方、前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子120が前記パッケージ本体110の上に提供される過程で、前記接着剤130の一部が前記第1及び第2開口部TH1、TH2領域に移動することがある。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2パッド電極121、122の側面領域に配置される。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2導電層321、322の上に配置されてもよい。   Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. In the process in which the light emitting device 120 is provided on the package body 110, a part of the adhesive 130 may move to the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 is disposed in a side region of the first and second pad electrodes 121 and 122 inside the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 may be disposed on the first and second conductive layers 321 and 322 inside the first and second openings TH1 and TH2.

前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域を密封することができ、前記第1及び第2開口部TH1、TH2を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子120が配置された領域に流入することを防止することができる。   The adhesive 130 can seal the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2, and moisture or foreign substances can be emitted from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the element 120 from flowing into a region where the element 120 is disposed.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Are concatenated.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ100は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed in the opening. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ100は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and the physical bonding force can be achieved. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

次に、図20を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図20を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図19を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 20, the description overlapping with the content described with reference to FIGS.

実施例に係る発光素子パッケージは、図20に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIG.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、絶縁性フレームから提供される。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができる。   The first frame 111 and the second frame 112 are provided from an insulating frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110.

また、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子120に電気的に連結される。   In addition, the first frame 111 and the second frame 112 may be provided from a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and are electrically connected to the light emitting device 120.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112が、絶縁性フレームから形成される場合と導電性フレームから形成される場合の差異点に対しては、後でさらに説明することにする。   The difference between the case where the first frame 111 and the second frame 112 are formed from an insulating frame and the case where they are formed from a conductive frame will be further described later.

例えば、前記本体113は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(AlO)等を含む群から選択される少なくとも1つから形成される。また、前記本体113は、TiOとSiOのような高屈折フィラーを含むことができる。 For example, the main body 113 is made of PPA (Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide 9T), silicone, EMC (Epoxy Molding Compound), SMC (Silicone Molding Compound), ceramic, PSG. (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3 ), or the like. The main body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

実施例によれば、前記発光素子120は、第1パッド電極121、第2パッド電極122、半導体構造物123、基板124を含むことができる。   According to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first pad electrode 121, a second pad electrode 122, a semiconductor structure 123, and a substrate 124.

前記発光素子120は、図20に示されたように、前記基板124の下に配置された前記半導体構造物123を含むことができる。前記半導体構造物123と前記本体113との間に前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が配置される。   The light emitting device 120 may include the semiconductor structure 123 disposed under the substrate 124, as shown in FIG. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are disposed between the semiconductor structure 123 and the main body 113.

前記発光素子120は、前記パッケージ本体110の上に配置される。前記発光素子120は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記発光素子120は、前記パッケージ本体110によって提供される前記キャビティC内に配置される。   The light emitting device 120 is disposed on the package body 110. The light emitting device 120 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 is disposed in the cavity C provided by the package body 110.

前記第1パッド電極121は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面で相互離隔して配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second pad electrode 122 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

前記第1パッド電極121は、前記第1フレーム111の上に配置される。前記第2パッド電極122は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed on the second frame 112.

前記第1パッド電極121は、前記半導体構造物123と前記第1フレーム111との間に配置される。前記第2パッド電極122は、前記半導体構造物123と前記第2フレーム112との間に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed between the semiconductor structure 123 and the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed between the semiconductor structure 123 and the second frame 112.

一方、実施例に係る発光素子パッケージは、図20に示されたように、第1開口部TH1と第2開口部TH2を含むことができる。前記第1フレーム111は、前記第1開口部TH1を含むことができる。前記第2フレーム112は、前記第2開口部TH2を含むことができる。   Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2, as shown in FIG. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111に提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   The first opening TH1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first frame 111.

前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112に提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the second frame 112.

前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、相互離隔して配置される。前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の下部面の下で相互離隔して配置される。   The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例によれば、前記第1パッド電極121の下部領域が、前記第1開口部TH1の上部領域内に配置される。前記第1パッド電極121の底面が前記第1フレーム111の上面より低く配置される。   According to the embodiment, the lower region of the first pad electrode 121 is disposed in the upper region of the first opening TH1. The bottom surface of the first pad electrode 121 is disposed lower than the top surface of the first frame 111.

また、前記第2パッド電極122の下部領域が、前記第2開口部TH2の上部領域内に配置される。前記第2パッド電極122の底面が、前記第2フレーム112の上面より低く配置される。   The lower region of the second pad electrode 122 is disposed in the upper region of the second opening TH2. The bottom surface of the second pad electrode 122 is disposed lower than the top surface of the second frame 112.

実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤130を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

実施例に係る発光素子パッケージは、図20に示されたように、リセスRを含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a recess R as shown in FIG.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記接着剤130は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ100の光抽出効率を改善することができる。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusing function, so that the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

前記リセスRは、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスRは、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記リセスRは、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The recess R may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed. The recess R is provided at a first depth or more so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. In addition, the recess R is provided at a second depth or less in order to provide a stable strength of the main body 113.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。   The first conductive layer 321 is provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121.

前記第1パッド電極121は、前記第1開口部TH1が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第1パッド電極121の幅は、前記第1開口部TH1の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The first pad electrode 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening TH1 is formed. The width of the first pad electrode 121 is smaller than the width of the first opening TH1 in the second direction.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1フレーム111によって取り囲まれるように配置される。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed so as to be surrounded by the first frame 111.

前記第1開口部TH1の上部領域で、前記第1導電層321の上部部分は、前記第1パッド電極121の下部部分の周りに配置される。前記第1導電層321の上面は、前記第1パッド電極121の下面より高く配置される。   The upper portion of the first conductive layer 321 is disposed around the lower portion of the first pad electrode 121 in the upper region of the first opening TH1. The upper surface of the first conductive layer 321 is disposed higher than the lower surface of the first pad electrode 121.

前記第2導電層322は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   The second conductive layer 322 is provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122.

前記第2パッド電極122は、前記第2開口部TH2が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第2パッド電極122の幅は、前記第2開口部TH2の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The second pad electrode 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening TH2 is formed. The width of the second pad electrode 122 is smaller than the width of the second opening TH2 in the second direction.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2フレーム112によって取り囲まれるように配置される。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

前記第2開口部TH2の上部領域で、前記第2導電層322の上部部分は、前記第2パッド電極122の下部部分の周りに配置される。前記第2導電層322の上面は、前記第2パッド電極122の下面より高く配置される。   The upper portion of the second conductive layer 322 is disposed around the lower portion of the second pad electrode 122 in the upper region of the second opening TH2. The upper surface of the second conductive layer 322 is disposed higher than the lower surface of the second pad electrode 122.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図20に示されたように、第1上部リセスR3と第2上部リセスR4を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4 as illustrated in FIG.

前記第1上部リセスR3は、前記第1フレーム111の上面に提供される。前記第1上部リセスR3は、前記第1フレーム111の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第1上部リセスR3は、前記第1開口部TH1から離隔して配置される。   The first upper recess R <b> 3 is provided on the upper surface of the first frame 111. The first upper recess R3 is provided so as to be recessed from the upper surface of the first frame 111 toward the lower surface. The first upper recess R3 is spaced apart from the first opening TH1.

前記第1上部リセスR3は、図19に示されたように、上部方向から見たとき、前記第1パッド電極121の周辺に隣接するように提供される。例えば、前記第1上部リセスR3は、前記第1パッド電極121の周辺に「[」状に提供される。   As shown in FIG. 19, the first upper recess R3 is provided adjacent to the periphery of the first pad electrode 121 when viewed from above. For example, the first upper recess R <b> 3 is provided in a “[” shape around the first pad electrode 121.

前記第2上部リセスR4は、前記第2フレーム112の上面に提供される。前記第2上部リセスR4は、前記第2フレーム112の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第2上部リセスR4は、前記第2開口部TH2から離隔して配置される。   The second upper recess R <b> 4 is provided on the upper surface of the second frame 112. The second upper recess R4 is provided to be recessed from the upper surface of the second frame 112 toward the lower surface. The second upper recess R4 is spaced apart from the second opening TH2.

前記第2上部リセスR4は、図19に示されたように、上部方向から見たとき、前記第2パッド電極122の周辺に隣接するように提供される。例えば、前記第2上部リセスR4は、前記第2パッド電極122の周辺に「]」状に提供される。   As shown in FIG. 19, the second upper recess R4 is provided adjacent to the periphery of the second pad electrode 122 when viewed from above. For example, the second upper recess R4 is provided in the form of “]” around the second pad electrode 122.

例えば、前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4は、数十μm〜数百μmの幅で提供される。   For example, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 are provided with a width of several tens of μm to several hundreds of μm.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図20に示されたように、樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4に提供される。   The resin part 135 is provided to the first upper recess R3 and the second upper recess R4.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記第1上部リセスR3に提供され、前記第1パッド電極121が配置された領域まで延長されて提供される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is provided to the first upper recess R3 and extended to a region where the first pad electrode 121 is disposed. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

前記第1上部リセスR3の終端から前記発光素子120の隣接した終端までの距離L11は、数百μm以下に提供される。例えば、前記第1上部リセスR3の終端から前記発光素子120の隣接した終端までの距離L11は200μmと同一またはより小さく提供される。   A distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the light emitting device 120 is provided to be several hundred μm or less. For example, the distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the light emitting device 120 is equal to or smaller than 200 μm.

前記第1上部リセスR3の終端から前記発光素子120の隣接した終端までの距離L11は、前記第1上部リセスR3に満たされる前記樹脂部135の粘性等によって決定される。   A distance L11 from the end of the first upper recess R3 to the adjacent end of the light emitting device 120 is determined by the viscosity of the resin part 135 filled in the first upper recess R3.

前記第1上部リセスR3の終端から前記発光素子120の隣接した終端までの距離L11は、前記第1上部リセスR3に塗布された前記樹脂部135が前記第1パッド電極121が配置された領域まで延長されて形成され得る距離に選択される。   The distance L11 from the terminal end of the first upper recess R3 to the adjacent terminal of the light emitting device 120 is the region where the resin part 135 applied to the first upper recess R3 is disposed on the first pad electrode 121. A distance that can be formed in an extended manner is selected.

また、前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記第2上部リセスR4に提供され、前記第2パッド電極122が配置された領域まで延長されて提供される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is provided to the second upper recess R4 and extended to a region where the second pad electrode 122 is disposed. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

また、前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の側面にも提供される。前記樹脂部135が前記半導体構造物123の側面に配置されることで、前記第1及び第2導電層321、322が前記半導体構造物123の側面に移動することを効果的に防止することができる。また、前記樹脂部135が前記半導体構造物123の側面に配置されるとき、前記半導体構造物123の活性層の下に配置されるようにすることができ、これによって前記発光素子120の光抽出効率を向上させることができる。   The resin part 135 is also provided on the side surface of the semiconductor structure 123. By arranging the resin part 135 on the side surface of the semiconductor structure 123, it is possible to effectively prevent the first and second conductive layers 321 and 322 from moving to the side surface of the semiconductor structure 123. it can. In addition, when the resin part 135 is disposed on the side surface of the semiconductor structure 123, the resin part 135 may be disposed under the active layer of the semiconductor structure 123, thereby extracting light from the light emitting device 120. Efficiency can be improved.

前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4は、前記樹脂部135が提供される充分な空間を提供することができる。   The first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide a sufficient space in which the resin part 135 is provided.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は反射性物質を含むことができ、例えばTiO及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . In addition, the resin part 135 may include a reflective material, for example, white silicone including TiO 2 and / or silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1開口部TH1領域と前記第2開口部TH2領域を外れて前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin part 135 moves by diffusing the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 in the direction of the light emitting element 120 outside the first opening TH1 region and the second opening TH2 region. Can be prevented.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding unit 140.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

一方、前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子120が前記パッケージ本体110の上に提供される過程で、前記接着剤130の一部が前記第1及び第2開口部TH1、TH2領域に移動することがある。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2パッド電極121、122の側面領域に配置される。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2導電層321、322の上に配置されてもよい。   Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. In the process in which the light emitting device 120 is provided on the package body 110, a part of the adhesive 130 may move to the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 is disposed in a side region of the first and second pad electrodes 121 and 122 inside the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 may be disposed on the first and second conductive layers 321 and 322 inside the first and second openings TH1 and TH2.

前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域を密封することができ、前記第1及び第2開口部TH1、TH2を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子120が配置された領域に流入することを防止することができる。   The adhesive 130 can seal the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2, and moisture or foreign substances can be emitted from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the element 120 from flowing into a region where the element 120 is disposed.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Are concatenated.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ100は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed in the opening. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ100は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and the physical bonding force can be achieved. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

次に、図21を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図21を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図20を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 21, the description overlapping with the content described with reference to FIGS.

図21に示された発光素子パッケージは、図18〜図20を参照して説明した発光素子パッケージと比べて、第1上部リセスR3と第2上部リセスR4の形成位置に差がある。   The light emitting device package shown in FIG. 21 differs from the light emitting device package described with reference to FIGS. 18 to 20 in the formation positions of the first upper recess R3 and the second upper recess R4.

実施例に係る発光素子パッケージは、図21に示されたように、上部方向から見たとき、前記第1上部リセスR3の一部領域が半導体構造物123と垂直方向に重なるように提供される。例えば、前記第1パッド電極121に隣接した前記第1上部リセスR3の側面領域が前記半導体構造物123の下に延長されて提供される。   As shown in FIG. 21, the light emitting device package according to the embodiment is provided such that a partial region of the first upper recess R <b> 3 overlaps the semiconductor structure 123 in the vertical direction when viewed from above. . For example, a side region of the first upper recess R 3 adjacent to the first pad electrode 121 may be extended under the semiconductor structure 123.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図21に示されたように、上部方向から見たとき、前記第2上部リセスR4の一部領域が前記半導体構造物123と垂直方向に重なるように提供される。例えば、前記第2パッド電極122に隣接した前記第2上部リセスR4の側面領域が前記半導体構造物123の下に延長されて提供される。   In addition, as shown in FIG. 21, the light emitting device package according to the embodiment has a part of the second upper recess R4 overlapped with the semiconductor structure 123 in the vertical direction when viewed from the upper direction. Provided. For example, a side region of the second upper recess R 4 adjacent to the second pad electrode 122 may be extended under the semiconductor structure 123.

これによって、前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4に満たされる前記樹脂部135が、前記第1パッド電極321と前記第2パッド電極122周辺を効果的に密封することができる。   Accordingly, the resin portion 135 filled in the first upper recess R3 and the second upper recess R4 can effectively seal the periphery of the first pad electrode 321 and the second pad electrode 122.

また、前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4が前記発光素子120の下に前記樹脂部135が提供される充分な空間を提供することができる。前記第1上部リセスR3と前記第2上部リセスR4は、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。   In addition, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide a sufficient space in which the resin part 135 is provided under the light emitting device 120. The first upper recess R <b> 3 and the second upper recess R <b> 4 may provide an appropriate space under the light emitting device 120 for performing a kind of underfill process.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記樹脂部135は、前記発光素子120から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO等の反射物質を含む樹脂からなることができる。前記樹脂部135は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . For example, the resin part 135 may be a reflective part that reflects light emitted from the light emitting device 120, and may be made of a resin containing a reflective material such as TiO 2 . The resin part 135 may include white silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1開口部TH1領域と前記第2開口部TH2領域を外れて前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin part 135 moves by diffusing the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 in the direction of the light emitting element 120 outside the first opening TH1 region and the second opening TH2 region. Can be prevented.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Are concatenated.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ100は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed in the opening. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ100は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and the physical bonding force can be achieved. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

次に、図22を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図22を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図21を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 22, the description overlapping with the content described with reference to FIGS. 1 to 21 may be omitted.

実施例に係る発光素子パッケージは、図22に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIG.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、絶縁性フレームから提供される。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができる。   The first frame 111 and the second frame 112 are provided from an insulating frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110.

また、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子120に電気的に連結される。   In addition, the first frame 111 and the second frame 112 may be provided from a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and are electrically connected to the light emitting device 120.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112が、絶縁性フレームから形成される場合と導電性フレームから形成される場合の差異点に対しては、後でさらに説明することにする。   The difference between the case where the first frame 111 and the second frame 112 are formed from an insulating frame and the case where they are formed from a conductive frame will be further described later.

実施例によれば、前記発光素子120は、第1パッド電極121、第2パッド電極122、半導体構造物123、基板124を含むことができる。   According to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first pad electrode 121, a second pad electrode 122, a semiconductor structure 123, and a substrate 124.

前記発光素子120は、図22に示されたように、前記基板124の下に配置された前記半導体構造物123を含むことができる。前記半導体構造物123と前記本体113との間に前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が配置される。   The light emitting device 120 may include the semiconductor structure 123 disposed under the substrate 124, as shown in FIG. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are disposed between the semiconductor structure 123 and the main body 113.

前記第1パッド電極121は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面で相互離隔して配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second pad electrode 122 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

前記第1パッド電極121は、前記第1フレーム111の上に配置される。前記第2パッド電極122は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed on the second frame 112.

一方、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図22に示されたように、第1開口部TH1と第2開口部TH2を含むことができる。前記第1フレーム111は、前記第1開口部TH1を含むことができる。前記第2フレーム112は、前記第2開口部TH2を含むことができる。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2, as illustrated in FIG. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111に提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   The first opening TH1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first frame 111.

前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112に提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the second frame 112.

前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、相互離隔して配置される。前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の下部面の下で相互離隔して配置される。   The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例によれば、前記第1パッド電極121の下部領域が、前記第1開口部TH1の上部領域内に配置される。前記第1パッド電極121の底面が前記第1フレーム111の上面より低く配置される。   According to the embodiment, the lower region of the first pad electrode 121 is disposed in the upper region of the first opening TH1. The bottom surface of the first pad electrode 121 is disposed lower than the top surface of the first frame 111.

また、前記第2パッド電極122の下部領域が、前記第2開口部TH2の上部領域内に配置される。前記第2パッド電極122の底面が、前記第2フレーム112の上面より低く配置される。   The lower region of the second pad electrode 122 is disposed in the upper region of the second opening TH2. The bottom surface of the second pad electrode 122 is disposed lower than the top surface of the second frame 112.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、図22に示されたように、接着剤130を含むことができる。   The light emitting device package 100 according to the embodiment may include an adhesive 130 as illustrated in FIG.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図22に示されたように、リセスRを含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a recess R as illustrated in FIG.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記接着剤130は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ100の光抽出効率を改善することができる。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusing function, so that the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

前記リセスRは、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスRは、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記リセスRは、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The recess R may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed. The recess R is provided at a first depth or more so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. In addition, the recess R is provided at a second depth or less in order to provide a stable strength of the main body 113.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図22に示されたように、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 as illustrated in FIG. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。   The first conductive layer 321 is provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121.

前記第1パッド電極121は、前記第1開口部TH1が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第1パッド電極121の幅は、前記第1開口部TH1の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The first pad electrode 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening TH1 is formed. The width of the first pad electrode 121 is smaller than the width of the first opening TH1 in the second direction.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1フレーム111によって取り囲まれるように配置される。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed so as to be surrounded by the first frame 111.

前記第1開口部TH1の上部領域で、前記第1導電層321の上部部分は、前記第1パッド電極121の下部部分の周りに配置される。前記第1導電層321の上面は、前記第1パッド電極121の下面より高く配置される。   The upper portion of the first conductive layer 321 is disposed around the lower portion of the first pad electrode 121 in the upper region of the first opening TH1. The upper surface of the first conductive layer 321 is disposed higher than the lower surface of the first pad electrode 121.

前記第2導電層322は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   The second conductive layer 322 is provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122.

前記第2パッド電極122は、前記第2開口部TH2が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第2パッド電極122の幅は、前記第2開口部TH2の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The second pad electrode 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening TH2 is formed. The width of the second pad electrode 122 is smaller than the width of the second opening TH2 in the second direction.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2フレーム112によって取り囲まれるように配置される。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

前記第2開口部TH2の上部領域で、前記第2導電層322の上部部分は、前記第2パッド電極122の下部部分の周りに配置される。前記第2導電層322の上面は、前記第2パッド電極122の下面より高く配置される。   The upper portion of the second conductive layer 322 is disposed around the lower portion of the second pad electrode 122 in the upper region of the second opening TH2. The upper surface of the second conductive layer 322 is disposed higher than the lower surface of the second pad electrode 122.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like.

一方、実施例に係る前記第1導電層321と前記第2導電層322は、図22に示されたように、複数の層で提供されてもよく、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   Meanwhile, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 according to the embodiment may be provided as a plurality of layers as shown in FIG. It may be composed of a multilayer or a single layer composed of For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

例えば、前記第1導電層321は第1上部導電層321aと第1下部導電層321bを含むことができる。前記第1上部導電層321aは、前記第1開口部TH1の上部領域に提供される。前記第1下部導電層321bは、前記第1開口部TH1の下部領域に提供される。   For example, the first conductive layer 321 may include a first upper conductive layer 321a and a first lower conductive layer 321b. The first upper conductive layer 321a is provided in an upper region of the first opening TH1. The first lower conductive layer 321b is provided in a lower region of the first opening TH1.

また、前記第2導電層322は第2上部導電層322aと第2下部導電層322bを含むことができる。前記第2上部導電層322aは、前記第2開口部TH2の上部領域に提供される。前記第2下部導電層322bは、前記第2開口部TH2の下部領域に提供される。   The second conductive layer 322 may include a second upper conductive layer 322a and a second lower conductive layer 322b. The second upper conductive layer 322a is provided in an upper region of the second opening TH2. The second lower conductive layer 322b is provided in a lower region of the second opening TH2.

実施例によれば、前記第1上部導電層321aと前記第1下部導電層321bは、相互異なる物質を含むことができる。前記第1上部導電層321aと前記第1下部導電層321bは、相互異なる溶融点を有することができる。例えば、前記第1上部導電層321aの溶融点が前記第1下部導電層321bの溶融点より高く選択される。   According to the embodiment, the first upper conductive layer 321a and the first lower conductive layer 321b may include different materials. The first upper conductive layer 321a and the first lower conductive layer 321b may have different melting points. For example, the melting point of the first upper conductive layer 321a is selected to be higher than the melting point of the first lower conductive layer 321b.

例えば、前記第1上部導電層321aを形成する導電性ペーストと前記第1下部導電層321bを形成する導電性ペーストが相互異なるように提供される。実施例によれば、前記第1上部導電層321aは、例えば銀ペーストを利用して形成し、前記第1下部導電層321bは、例えばソルダペーストを利用して形成することができる。   For example, the conductive paste for forming the first upper conductive layer 321a and the conductive paste for forming the first lower conductive layer 321b are provided to be different from each other. According to an embodiment, the first upper conductive layer 321a may be formed using, for example, silver paste, and the first lower conductive layer 321b may be formed using, for example, solder paste.

実施例によれば、前記第1上部導電層321aが銀ペーストから形成される場合に、前記第1開口部TH1に提供される銀ペーストが前記第1パッド電極121と前記第1フレーム111の間に拡散して浸透する程度が弱いか無いと検出された。   According to the embodiment, when the first upper conductive layer 321a is formed of silver paste, the silver paste provided to the first opening TH1 is between the first pad electrode 121 and the first frame 111. It was detected that the extent of diffusing and penetrating was weak or not.

よって、前記第1上部導電層321aが銀ペーストから形成される場合、前記発光素子120が電気的に短絡または劣化することを防止することができる。   Therefore, when the first upper conductive layer 321a is formed of silver paste, the light emitting device 120 can be prevented from being electrically short-circuited or deteriorated.

また、前記第1上部導電層321aは銀ペーストから形成し、前記第1下部導電層321bはソルダペーストから形成する場合、全体第1導電層321を銀ペーストから形成する場合より製造コスト節減できる利点もある。   Further, when the first upper conductive layer 321a is formed from a silver paste and the first lower conductive layer 321b is formed from a solder paste, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the entire first conductive layer 321 is formed from a silver paste. There is also.

同様に、前記第2上部導電層322aを形成する導電性ペーストと前記第2下部導電層322bを形成する導電性ペーストが相互異なるように提供される。実施例によれば、前記第2上部導電層322aは、例えば銀ペーストを利用して形成し、前記第2下部導電層322bは、例えばソルダペーストを利用して形成することができる。   Similarly, the conductive paste for forming the second upper conductive layer 322a and the conductive paste for forming the second lower conductive layer 322b are provided to be different from each other. According to the embodiment, the second upper conductive layer 322a may be formed using, for example, silver paste, and the second lower conductive layer 322b may be formed using, for example, solder paste.

実施例によれば、前記第2上部導電層322aが銀ペーストから形成される場合に、前記第2開口部TH2に提供される銀ペーストが前記第2パッド電極122と前記第2フレーム112の間に拡散して浸透する程度が弱いか無いと検出された。   According to the embodiment, when the second upper conductive layer 322a is formed of a silver paste, the silver paste provided to the second opening TH2 is between the second pad electrode 122 and the second frame 112. It was detected that the extent of diffusing and penetrating was weak or not.

よって、前記第2上部導電層322aが銀ペーストから形成される場合、前記発光素子120が電気的に短絡または劣化することを防止することができる。   Therefore, when the second upper conductive layer 322a is formed from a silver paste, the light emitting device 120 can be prevented from being electrically short-circuited or deteriorated.

また、前記第2上部導電層322aは銀ペーストから形成し、前記第2下部導電層321bはソルダペーストから形成する場合、全体第2導電層322を銀ペーストから形成する場合より製造コスト節減できる利点もある。   Further, when the second upper conductive layer 322a is formed from a silver paste and the second lower conductive layer 321b is formed from a solder paste, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the entire second conductive layer 322 is formed from a silver paste. There is also.

一方、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図22に示されたように、第1下部リセスR10と第2下部リセスR20を含むことができる。前記第1下部リセスR10と前記第2下部リセスR20は、相互離隔して配置される。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first lower recess R10 and a second lower recess R20 as illustrated in FIG. The first lower recess R10 and the second lower recess R20 are spaced apart from each other.

前記第1下部リセスR10は、前記第1フレーム111の下面に提供される。前記第1下部リセスR10は、前記第1フレーム111の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第1下部リセスR10は、前記第1開口部TH1から離隔して配置される。   The first lower recess R <b> 10 is provided on the lower surface of the first frame 111. The first lower recess R10 is provided so as to be recessed from the lower surface of the first frame 111 in the upper surface direction. The first lower recess R10 is spaced apart from the first opening TH1.

前記第1下部リセスR10は、数μm〜数十μmの幅で提供される。前記第1下部リセスR10に樹脂部が提供される。前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、例えば前記本体113と同一物質から提供される。   The first lower recess R10 is provided with a width of several μm to several tens of μm. A resin part is provided in the first lower recess R10. The resin portion filled in the first lower recess R10 is provided from the same material as the main body 113, for example.

例えば、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113が射出工程等によって形成される過程で提供される。   For example, the resin portion filled in the first lower recess R10 is provided in a process in which the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 are formed by an injection process or the like.

前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域の周囲に配置される。前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第1フレーム111をなす下面から分離して配置される。   The resin portion filled in the first lower recess R10 is disposed around the lower surface region of the first frame 111 that provides the first opening TH1. The lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1 is disposed in a kind of island shape separately from the lower surface forming the surrounding first frame 111.

例えば、図2に示されたように、前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域は、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部と前記本体113によって、周辺の前記第1フレーム111からアイソレーション(isolation)される。   For example, as shown in FIG. 2, the lower surface region of the first frame 111 that provides the first opening TH <b> 1 is surrounded by the resin portion filled in the first lower recess R <b> 10 and the main body 113. Isolation is performed from the first frame 111.

よって、前記第1開口部TH1に提供される前記第1導電層321が前記第1開口部TH1から外れ、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部または前記本体113を越えて拡散することが防止される。   Accordingly, the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 may be detached from the first opening TH1 and diffused beyond the resin portion or the main body 113 filled in the first lower recess R10. Is prevented.

これによって、前記第1導電層321が前記樹脂部または前記本体113が提供される領域から溢れることが防止され、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1が提供される領域に安定的に配置される。また、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1内で前記第1パッド電極121の下面に安定的に連結される。   Accordingly, the first conductive layer 321 is prevented from overflowing from the region where the resin portion or the main body 113 is provided, and the first conductive layer 321 is stable in the region where the first opening TH1 is provided. Placed in. In addition, the first conductive layer 321 is stably connected to the lower surface of the first pad electrode 121 in the first opening TH1.

また、前記第2下部リセスR20は、前記第2フレーム112の下面に提供される。前記第2下部リセスR20は、前記第2フレーム112の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第2下部リセスR20は、前記第2開口部TH2から離隔して配置される。   In addition, the second lower recess R <b> 20 is provided on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R20 is provided so as to be recessed from the lower surface of the second frame 112 in the upper surface direction. The second lower recess R20 is spaced apart from the second opening TH2.

前記第2下部リセスR20は、数μm〜数十μmの幅で提供される。前記第2下部リセスR20に樹脂部が提供される。前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、例えば前記本体113と同一物質から提供される。   The second lower recess R20 is provided with a width of several μm to several tens of μm. A resin part is provided in the second lower recess R20. The resin part filled in the second lower recess R20 is provided from the same material as the main body 113, for example.

例えば、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113が射出工程等によって形成される過程で提供される。   For example, the resin portion filled in the second lower recess R20 is provided in a process in which the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 are formed by an injection process or the like.

前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域の周囲に配置される。前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第2フレーム112をなす下面から分離して配置される。   The resin portion filled in the second lower recess R20 is disposed around the lower surface region of the second frame 112 that provides the second opening TH2. The lower surface region of the second frame 112 providing the second opening TH2 is disposed in a kind of island shape separately from the lower surface forming the surrounding second frame 112.

例えば、図2に示されたように、前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域は、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部と前記本体113によって、周辺の前記第2フレーム112からアイソレーション(isolation)される。   For example, as shown in FIG. 2, the lower surface region of the second frame 112 that provides the second opening TH <b> 2 is surrounded by the resin portion filled in the second lower recess R <b> 20 and the main body 113. Isolation is performed from the second frame 112.

よって、前記第2開口部TH2に提供される前記第2導電層322が前記第2開口部TH2から外れ、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部または前記本体113を越えて拡散することが防止される。   Therefore, the second conductive layer 322 provided to the second opening TH2 is detached from the second opening TH2, and diffuses beyond the resin portion or the main body 113 filled in the second lower recess R20. Is prevented.

これによって、前記第2導電層322が前記樹脂部または前記本体113が提供される領域から溢れることが防止され、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2が提供される領域に安定的に配置される。また、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2内で前記第2パッド電極122の下面に安定的に連結される。   Accordingly, the second conductive layer 322 is prevented from overflowing from the region where the resin portion or the main body 113 is provided, and the second conductive layer 322 is stable in the region where the second opening TH2 is provided. Placed in. In addition, the second conductive layer 322 is stably connected to the lower surface of the second pad electrode 122 in the second opening TH2.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図22に示されたように樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1フレーム111と前記発光素子120との間に配置される。前記樹脂部135は、前記第2フレーム112と前記発光素子120との間に配置される。前記樹脂部135は、前記パッケージ本体110に提供されるキャビティCの底面に提供される。   The resin part 135 is disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The resin part 135 is disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120. The resin part 135 is provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記樹脂部135は、前記発光素子120から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO2等の反射物質を含む樹脂からなることができる。前記樹脂部135は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。   For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . For example, the resin part 135 may be a reflection part that reflects light emitted from the light emitting device 120, and may be made of a resin containing a reflective material such as TiO 2. The resin part 135 may include white silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1開口部TH1領域と前記第2開口部TH2領域を外れて前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin part 135 moves by diffusing the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 in the direction of the light emitting element 120 outside the first opening TH1 region and the second opening TH2 region. Can be prevented.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図22に示されたように、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a molding unit 140 as illustrated in FIG.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

一方、前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子120が前記パッケージ本体110の上に提供される過程で、前記接着剤130の一部が前記第1及び第2開口部TH1、TH2領域に移動することがある。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2パッド電極121、122の側面領域に配置される。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2導電層321、322の上に配置されてもよい。   Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. In the process in which the light emitting device 120 is provided on the package body 110, a part of the adhesive 130 may move to the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 is disposed in a side region of the first and second pad electrodes 121 and 122 inside the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 may be disposed on the first and second conductive layers 321 and 322 inside the first and second openings TH1 and TH2.

前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域を密封することができ、前記第1及び第2開口部TH1、TH2を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子120が配置された領域に流入することを防止することができる。   The adhesive 130 can seal the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2, and moisture or foreign substances can be emitted from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the element 120 from flowing into a region where the element 120 is disposed.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ100によれば、前記第1フレーム111は、下面に提供される下部リセスと上面に提供される上部リセスを含むことができる。例えば、前記第1フレーム111は、下面に提供される少なくとも1つの下部リセスを含むことができる。また、前記第1フレーム111は、上面に提供される少なくとも1つの上部リセスを含むことができる。また、前記第1フレーム111は、上面に提供される少なくとも1つの上部リセスと下面に提供される少なくとも1つの下部リセスを含むこともできる。また、前記第1フレーム111は、上面と下面のいずれにもリセスが形成されていない構造で提供されてもよい。   Meanwhile, according to the light emitting device package 100 according to the embodiment described above, the first frame 111 may include a lower recess provided on the lower surface and an upper recess provided on the upper surface. For example, the first frame 111 may include at least one lower recess provided on a lower surface. In addition, the first frame 111 may include at least one upper recess provided on an upper surface. In addition, the first frame 111 may include at least one upper recess provided on the upper surface and at least one lower recess provided on the lower surface. The first frame 111 may be provided with a structure in which no recess is formed on either the upper surface or the lower surface.

同様に、前記第2フレーム112は、下面に提供される少なくとも1つの下部リセスを含むことができる。また、前記第2フレーム112は、上面に提供される少なくとも1つの上部リセスを含むことができる。また、前記第2フレーム112は、上面に提供される少なくとも1つの上部リセスと下面に提供される少なくとも1つの下部リセスを含むこともできる。また、前記第2フレーム112は、上面と下面のいずれにもリセスが形成されていない構造で提供されてもよい。   Similarly, the second frame 112 may include at least one lower recess provided on a lower surface. In addition, the second frame 112 may include at least one upper recess provided on an upper surface. The second frame 112 may include at least one upper recess provided on the upper surface and at least one lower recess provided on the lower surface. In addition, the second frame 112 may be provided with a structure in which no recess is formed on either the upper surface or the lower surface.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Are concatenated.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ100は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed in the opening. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ100は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and the physical bonding force can be achieved. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

一方、図1〜図22を参照して説明した実施例に係る発光素子パッケージ100は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 22 may be supplied mounted on a submount or a circuit board.

次に、図23を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図23に示された本発明の実施例に係る発光素子パッケージ300は、図1〜図22を参照して説明した発光素子パッケージ100が回路基板310に実装されて供給される例を示す。   A light emitting device package 300 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 23 shows an example in which the light emitting device package 100 described with reference to FIGS. 1 to 22 is mounted on a circuit board 310 and supplied.

図23を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージ300を説明することにおいて、図1〜図22を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package 300 according to the embodiment of the present invention with reference to FIG. 23, the description overlapping with the content described with reference to FIGS. is there.

実施例に係る発光素子パッケージ300は、図23に示されたように、回路基板310、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package 300 according to the embodiment may include a circuit board 310, a package body 110, and a light emitting device 120, as shown in FIG.

前記回路基板310は、第1パッド311、第2パッド312、基板313を含むことができる。前記基板313に前記発光素子120の駆動を制御する電源供給回路が提供される。   The circuit board 310 may include a first pad 311, a second pad 312, and a board 313. A power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 is provided on the substrate 313.

前記パッケージ本体110は、前記回路基板310の上に配置される。前記第1パッド311と前記第1パッド電極121が電気的に連結される。前記第2パッド312と前記第2パッド電極122が電気的に連結される。   The package body 110 is disposed on the circuit board 310. The first pad 311 and the first pad electrode 121 are electrically connected. The second pad 312 and the second pad electrode 122 are electrically connected.

前記第1パッド311と前記第2パッド312は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第1パッド311と前記第2パッド312は、Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn、Alを含む群から選択される少なくとも1つの物質またはその合金を含むことができる。前記第1パッド311と前記第2パッド312は、単層または多層で提供される。   The first pad 311 and the second pad 312 may include a conductive material. For example, the first pad 311 and the second pad 312 are at least selected from the group including Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, and Al. One substance or an alloy thereof can be included. The first pad 311 and the second pad 312 may be provided as a single layer or multiple layers.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、絶縁性フレームから提供される。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができる。   The first frame 111 and the second frame 112 are provided from an insulating frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110.

また、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、導電性フレームから提供されてもよい。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子120に電気的に連結される。   In addition, the first frame 111 and the second frame 112 may be provided from a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and are electrically connected to the light emitting device 120.

前記パッケージ本体110は、上面から下面まで第1方向に貫通する第1開口部TH1と第2開口部TH2を含むことができる。前記第1フレーム111は、前記第1開口部TH1を含むことができる。前記第2フレーム112は、前記第2開口部TH2を含むことができる。   The package body 110 may include a first opening TH1 and a second opening TH2 penetrating in a first direction from the upper surface to the lower surface. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111に提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   The first opening TH1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first frame 111.

前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112に提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the second frame 112.

前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、相互離隔して配置される。前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の下部面の下で相互離隔して配置される。   The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例によれば、前記第1パッド電極121の下部領域が、前記第1開口部TH1の上部領域内に配置される。前記第1パッド電極121の底面が前記第1フレーム111の上面より低く配置される。   According to the embodiment, the lower region of the first pad electrode 121 is disposed in the upper region of the first opening TH1. The bottom surface of the first pad electrode 121 is disposed lower than the top surface of the first frame 111.

また、前記第2パッド電極122の下部領域が、前記第2開口部TH2の上部領域内に配置される。前記第2パッド電極122の底面が、前記第2フレーム112の上面より低く配置される。   The lower region of the second pad electrode 122 is disposed in the upper region of the second opening TH2. The bottom surface of the second pad electrode 122 is disposed lower than the top surface of the second frame 112.

実施例に係る発光素子パッケージ300は、図23に示されたように、接着剤130を含むことができる。   The light emitting device package 300 according to the embodiment may include an adhesive 130 as illustrated in FIG.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

また、実施例に係る発光素子パッケージ300は、図23に示されたように、リセスRを含むことができる。   In addition, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include a recess R as illustrated in FIG.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記接着剤130は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ300の光抽出効率を改善することができる。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusion function, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device package 300.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージ300は、図23に示されたように、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 as illustrated in FIG. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。   The first conductive layer 321 is provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121.

前記第1パッド電極121は、前記第1開口部TH1が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第1パッド電極121の幅は、前記第1開口部TH1の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The first pad electrode 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening TH1 is formed. The width of the first pad electrode 121 is smaller than the width of the first opening TH1 in the second direction.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1フレーム111によって取り囲まれるように配置される。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed so as to be surrounded by the first frame 111.

前記第1開口部TH1の上部領域で、前記第1導電層321の上部部分は、前記第1パッド電極121の下部部分の周りに配置される。前記第1導電層321の上面は、前記第1パッド電極121の下面より高く配置される。   The upper portion of the first conductive layer 321 is disposed around the lower portion of the first pad electrode 121 in the upper region of the first opening TH1. The upper surface of the first conductive layer 321 is disposed higher than the lower surface of the first pad electrode 121.

前記第2導電層322は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   The second conductive layer 322 is provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122.

前記第2パッド電極122は、前記第2開口部TH2が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第2パッド電極122の幅は、前記第2開口部TH2の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The second pad electrode 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening TH2 is formed. The width of the second pad electrode 122 is smaller than the width of the second opening TH2 in the second direction.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2フレーム112によって取り囲まれるように配置される。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

前記第2開口部TH2の上部領域で、前記第2導電層322の上部部分は、前記第2パッド電極122の下部部分の周りに配置される。前記第2導電層322の上面は、前記第2パッド電極122の下面より高く配置される。   The upper portion of the second conductive layer 322 is disposed around the lower portion of the second pad electrode 122 in the upper region of the second opening TH2. The upper surface of the second conductive layer 322 is disposed higher than the lower surface of the second pad electrode 122.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

実施例によれば、前記回路基板310の前記第1パッド311と前記第1導電層321が電気的に連結される。また、前記回路基板310の前記第2パッド312と前記第2導電層322が電気的に連結される。   According to the embodiment, the first pad 311 of the circuit board 310 and the first conductive layer 321 are electrically connected. In addition, the second pad 312 of the circuit board 310 and the second conductive layer 322 are electrically connected.

一方、実施例によれば、前記第1パッド311と前記第1導電層321との間に別途のボンディング層がさらに提供されてもよい。また、前記第2パッド312と前記第2導電層322との間に別途のボンディング層がさらに提供されてもよい。   Meanwhile, according to an embodiment, a separate bonding layer may be further provided between the first pad 311 and the first conductive layer 321. In addition, a separate bonding layer may be further provided between the second pad 312 and the second conductive layer 322.

また、別の実施例によれば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、共晶接合によって前記回路基板310に実装される。   According to another embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are mounted on the circuit board 310 by eutectic bonding.

図23を参照して説明した実施例に係る発光素子パッケージ300は、前記回路基板310から供給される電源が前記第1導電層321と前記第2導電層322を介して前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122にそれぞれ伝達される。このとき、前記回路基板310の前記第1パッド311と前記第1導電層321が直接接触して前記回路基板310の前記第2パッド312と前記第2導電層322が直接接触する。   In the light emitting device package 300 according to the embodiment described with reference to FIG. 23, the power supplied from the circuit board 310 receives the first pad electrode 121 via the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322. And transmitted to the second pad electrode 122, respectively. At this time, the first pad 311 of the circuit board 310 and the first conductive layer 321 are in direct contact, and the second pad 312 of the circuit board 310 and the second conductive layer 322 are in direct contact.

よって、図23に示された実施例に係る発光素子パッケージ300によれば、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112が絶縁性フレームから形成されてもよい。また、図23に示された実施例に係る発光素子パッケージ300によれば、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112が伝導性フレームから形成されてもよい。   Therefore, according to the light emitting device package 300 according to the embodiment shown in FIG. 23, the first frame 111 and the second frame 112 may be formed of an insulating frame. In addition, according to the light emitting device package 300 according to the embodiment shown in FIG. 23, the first frame 111 and the second frame 112 may be formed of a conductive frame.

以上で説明したように、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   As described above, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are electrically conductive disposed in the opening. Drive power is provided through the layers. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Accordingly, even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur. There is an advantage not to deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

一方、図24に示された本発明の実施例に係る発光素子パッケージ400は、図1〜図22を参照して説明した発光素子パッケージ100が回路基板410に実装されて供給される別の例を示す。   Meanwhile, the light emitting device package 400 according to the embodiment of the present invention illustrated in FIG. 24 is another example in which the light emitting device package 100 described with reference to FIGS. Indicates.

図24を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージ400を説明することにおいて、図1〜図23を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   Referring to FIG. 24, in the description of the light emitting device package 400 according to the embodiment of the present invention, the description overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 23 may be omitted. is there.

実施例に係る発光素子パッケージ400は、図24に示されたように、回路基板410、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package 400 according to the embodiment may include a circuit board 410, a package body 110, and a light emitting device 120, as shown in FIG.

前記回路基板410は、第1パッド411、第2パッド412、基板413を含むことができる。前記基板313に前記発光素子120の駆動を制御する電源供給回路が提供される。   The circuit board 410 may include a first pad 411, a second pad 412, and a board 413. A power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 is provided on the substrate 313.

前記パッケージ本体110は、前記回路基板410の上に配置される。前記第1パッド411と前記第1パッド電極121が電気的に連結される。前記第2パッド412と前記第2パッド電極122が電気的に連結される。   The package body 110 is disposed on the circuit board 410. The first pad 411 and the first pad electrode 121 are electrically connected. The second pad 412 and the second pad electrode 122 are electrically connected.

前記第1パッド411と前記第2パッド412は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第1パッド411と前記第2パッド412は、Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn、Alを含む群から選択される少なくとも1つの物質またはその合金を含むことができる。前記第1パッド411と前記第2パッド412は、単層または多層で提供される。   The first pad 411 and the second pad 412 may include a conductive material. For example, the first pad 411 and the second pad 412 are at least selected from the group including Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, and Al. One substance or an alloy thereof can be included. The first pad 411 and the second pad 412 may be provided as a single layer or multiple layers.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line.

前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、導電性フレームから提供される。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、前記パッケージ本体110の構造的な強度を安定的に提供することができ、前記発光素子120に電気的に連結される。   The first frame 111 and the second frame 112 are provided from conductive frames. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and are electrically connected to the light emitting device 120.

前記パッケージ本体110は、上面から下面まで第1方向に貫通する第1開口部TH1と第2開口部TH2を含むことができる。前記第1フレーム111は、前記第1開口部TH1を含むことができる。前記第2フレーム112は、前記第2開口部TH2を含むことができる。   The package body 110 may include a first opening TH1 and a second opening TH2 penetrating in a first direction from the upper surface to the lower surface. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111に提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   The first opening TH1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first frame 111.

前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112に提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the second frame 112.

前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、相互離隔して配置される。前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の下部面の下で相互離隔して配置される。   The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例によれば、前記第1パッド電極121の下部領域が、前記第1開口部TH1の上部領域内に配置される。前記第1パッド電極121の底面が前記第1フレーム111の上面より低く配置される。   According to the embodiment, the lower region of the first pad electrode 121 is disposed in the upper region of the first opening TH1. The bottom surface of the first pad electrode 121 is disposed lower than the top surface of the first frame 111.

また、前記第2パッド電極122の下部領域が、前記第2開口部TH2の上部領域内に配置される。前記第2パッド電極122の底面が、前記第2フレーム112の上面より低く配置される。   The lower region of the second pad electrode 122 is disposed in the upper region of the second opening TH2. The bottom surface of the second pad electrode 122 is disposed lower than the top surface of the second frame 112.

実施例に係る発光素子パッケージ400は、図24に示されたように、接着剤130を含むことができる。   The light emitting device package 400 according to the embodiment may include an adhesive 130 as illustrated in FIG.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

また、実施例に係る発光素子パッケージ400は、図24に示されたように、リセスRを含むことができる。   In addition, the light emitting device package 400 according to the embodiment may include a recess R as illustrated in FIG.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記接着剤130は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ300の光抽出効率を改善することができる。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusion function, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device package 300.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージ400は、図24に示されたように、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package 400 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 as illustrated in FIG. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。   The first conductive layer 321 is provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121.

前記第1パッド電極121は、前記第1開口部TH1が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第1パッド電極121の幅は、前記第1開口部TH1の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The first pad electrode 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening TH1 is formed. The width of the first pad electrode 121 is smaller than the width of the first opening TH1 in the second direction.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1フレーム111によって取り囲まれるように配置される。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed so as to be surrounded by the first frame 111.

前記第1開口部TH1の上部領域で、前記第1導電層321の上部部分は、前記第1パッド電極121の下部部分の周りに配置される。前記第1導電層321の上面は、前記第1パッド電極121の下面より高く配置される。   The upper portion of the first conductive layer 321 is disposed around the lower portion of the first pad electrode 121 in the upper region of the first opening TH1. The upper surface of the first conductive layer 321 is disposed higher than the lower surface of the first pad electrode 121.

前記第2導電層322は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   The second conductive layer 322 is provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122.

前記第2パッド電極122は、前記第2開口部TH2が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第2パッド電極122の幅は、前記第2開口部TH2の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The second pad electrode 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening TH2 is formed. The width of the second pad electrode 122 is smaller than the width of the second opening TH2 in the second direction.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2フレーム112によって取り囲まれるように配置される。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

前記第2開口部TH2の上部領域で、前記第2導電層322の上部部分は、前記第2パッド電極122の下部部分の周りに配置される。前記第2導電層322の上面は、前記第2パッド電極122の下面より高く配置される。   The upper portion of the second conductive layer 322 is disposed around the lower portion of the second pad electrode 122 in the upper region of the second opening TH2. The upper surface of the second conductive layer 322 is disposed higher than the lower surface of the second pad electrode 122.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

実施例によれば、前記回路基板410の前記第1パッド411と前記第1導電層321が電気的に連結される。また、前記回路基板410の前記第2パッド412と前記第2導電層322が電気的に連結される。   According to the embodiment, the first pad 411 of the circuit board 410 and the first conductive layer 321 are electrically connected. In addition, the second pad 412 of the circuit board 410 and the second conductive layer 322 are electrically connected.

前記第1パッド411が前記第1フレーム111に電気的に連結される。また、前記第2パッド412が前記第2フレーム112に電気的に連結される。   The first pad 411 is electrically connected to the first frame 111. In addition, the second pad 412 is electrically connected to the second frame 112.

一方、実施例によれば、前記第1パッド411と前記第1フレーム111との間に別途のボンディング層がさらに提供されてもよい。また、前記第2パッド412と前記第2フレーム112との間に別途のボンディング層がさらに提供されてもよい。   Meanwhile, according to an embodiment, a separate bonding layer may be further provided between the first pad 411 and the first frame 111. In addition, a separate bonding layer may be further provided between the second pad 412 and the second frame 112.

図24を参照して説明した実施例に係る発光素子パッケージ400は、前記回路基板410から供給される電源が前記第1導電層321と前記第2導電層322を介して前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122にそれぞれ伝達される。このとき、前記回路基板410の前記第1パッド411と前記第1フレーム111が直接接触して前記回路基板410の前記第2パッド412と前記第2フレーム112が直接接触する。   In the light emitting device package 400 according to the embodiment described with reference to FIG. 24, the power supplied from the circuit board 410 receives the first pad electrode 121 via the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322. And transmitted to the second pad electrode 122, respectively. At this time, the first pad 411 of the circuit board 410 and the first frame 111 are in direct contact with each other, and the second pad 412 of the circuit board 410 and the second frame 112 are in direct contact with each other.

以上で説明したように、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   As described above, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are electrically conductive disposed in the opening. Drive power is provided through the layers. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Accordingly, even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur. There is an advantage not to deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージの場合、各パッド電極の下に1つの開口部が提供される場合を基準に説明した。   On the other hand, in the case of the light emitting device package according to the embodiment described above, the description is based on the case where one opening is provided under each pad electrode.

しかし、別の実施例に係る発光素子パッケージによれば、各パッド電極の下に複数の開口部が提供されてもよい。また、複数の開口部は、相互異なる幅を有する開口部として提供されてもよい。   However, according to the light emitting device package according to another embodiment, a plurality of openings may be provided under each pad electrode. The plurality of openings may be provided as openings having different widths.

また、実施例に係る開口部の形状は、図25〜図27に示されたように多様な形状で提供されてもよい。   In addition, the shape of the opening according to the embodiment may be provided in various shapes as illustrated in FIGS.

例えば、図25に示されたように、実施例に係る開口部TH3は、上部領域から下部領域まで同じ幅で提供されてもよい。   For example, as shown in FIG. 25, the opening TH3 according to the embodiment may be provided with the same width from the upper region to the lower region.

また、図26に示されたように、実施例に係る開口部TH4は、多段構造の形状で提供されてもよい。例えば、開口部TH4は、2段構造の相互異なる傾斜角を有する形状で提供されてもよい。また、開口部TH4は、3段以上の相互異なる傾斜角を有する形状で提供されてもよい。   In addition, as illustrated in FIG. 26, the opening TH4 according to the embodiment may be provided in the shape of a multistage structure. For example, the opening TH4 may be provided in a shape having different inclination angles of a two-stage structure. Further, the opening TH4 may be provided in a shape having three or more steps of different inclination angles.

また、図27に示されたように、開口部TH5は、上部領域から下部領域に行きながら幅が変わる形状で提供されてもよい。例えば、開口部TH5は、上部領域から下部領域に行きながら曲率を有する形状で提供されてもよい。   Further, as shown in FIG. 27, the opening TH5 may be provided in a shape in which the width changes while going from the upper region to the lower region. For example, the opening TH5 may be provided in a shape having a curvature while going from the upper region to the lower region.

また、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージによれば、パッケージ本体110は、上面が平坦な部材113のみを含み、傾斜するように配置された反射部を含まないように提供されてもよい。   In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment described above, the package body 110 may be provided so as to include only the member 113 having a flat upper surface and not include the reflective portion arranged to be inclined. Good.

他の表現として、実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記パッケージ本体110は、キャビティCを提供する構造で提供されてもよい。また、前記パッケージ本体110は、キャビティCなしに上面が平坦な構造で提供されてもよい。   As another expression, according to the light emitting device package according to the embodiment, the package body 110 may be provided with a structure providing the cavity C. Also, the package body 110 may be provided with a flat upper surface without the cavity C.

また、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記パッケージ本体110の第1及び第2フレーム111、112に第1及び第2開口部TH1、TH2が提供される場合を基に説明したが、前記第1及び第2開口部TH1、TH2が前記パッケージ本体110の本体113に提供されてもよい。   The light emitting device package according to the embodiment described above is based on the case where the first and second openings TH1 and TH2 are provided in the first and second frames 111 and 112 of the package body 110. As described above, the first and second openings TH1 and TH2 may be provided in the main body 113 of the package main body 110.

このように前記パッケージ本体110の本体113に、前記第1及び第2開口部TH1、TH2が提供される場合に、前記発光素子120の長軸方向の前記本体113の上面長さは、前記発光素子120の第1パッド電極121と第2パッド電極122の間の長さより大きく提供される。   As described above, when the first and second openings TH1 and TH2 are provided in the main body 113 of the package main body 110, the upper surface length of the main body 113 in the long axis direction of the light emitting element 120 is the light emission. The element 120 is provided to be larger than the length between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122.

また、前記パッケージ本体110の本体113に前記第1及び第2開口部TH1、TH2が提供される場合に、実施例に係る発光素子パッケージは第1及び第2フレーム111、112を含まなくてもよい。   In addition, when the first and second openings TH1 and TH2 are provided in the main body 113 of the package main body 110, the light emitting device package according to the embodiment does not include the first and second frames 111 and 112. Good.

次に、図28を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図28を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図27を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 28, the description overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 27 may be omitted.

実施例に係る発光素子パッケージは、図28に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIG.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line.

例えば、前記本体113は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(AlO等を含む群から選択される少なくとも1つから形成される。また、前記本体113は、TiOとSiOのような高屈折フィラーを含むことができる。 For example, the main body 113 is made of PPA (Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide 9T), silicone, EMC (Epoxy Molding Compound), SMC (Silicone Molding Compound), ceramic, PSG. (photo sensitive glass), sapphire (formed from at least one selected from the group including Al 2 O 3 etc. The main body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2. it can.

実施例によれば、前記発光素子120は、第1パッド電極121、第2パッド電極122、半導体構造物123、基板124を含むことができる。   According to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first pad electrode 121, a second pad electrode 122, a semiconductor structure 123, and a substrate 124.

前記発光素子120は、図28に示されたように、前記基板124の下に配置された前記半導体構造物123を含むことができる。前記半導体構造物123と前記本体113との間に前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が配置される。   The light emitting device 120 may include the semiconductor structure 123 disposed under the substrate 124 as shown in FIG. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are disposed between the semiconductor structure 123 and the main body 113.

前記発光素子120は、前記パッケージ本体110の上に配置される。前記発光素子120は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記発光素子120は、前記パッケージ本体110によって提供される前記キャビティC内に配置される。   The light emitting device 120 is disposed on the package body 110. The light emitting device 120 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 is disposed in the cavity C provided by the package body 110.

前記第1パッド電極121は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面で相互離隔して配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second pad electrode 122 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

前記第1パッド電極121は、前記第1フレーム111の上に配置される。前記第2パッド電極122は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed on the second frame 112.

前記第1パッド電極121は、前記半導体構造物123と前記第1フレーム111との間に配置される。前記第2パッド電極122は、前記半導体構造物123と前記第2フレーム112との間に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed between the semiconductor structure 123 and the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed between the semiconductor structure 123 and the second frame 112.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤130を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

実施例に係る発光素子パッケージは、図28に示されたように、リセスRを含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a recess R as shown in FIG.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記接着剤130は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ100の光抽出効率を改善することができる。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusing function, so that the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

前記リセスRは、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスRは、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記リセスRは、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The recess R may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed. The recess R is provided at a first depth or more so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. In addition, the recess R is provided at a second depth or less in order to provide a stable strength of the main body 113.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記第1フレーム111の上に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。   The first conductive layer 321 is provided on the first frame 111. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と前記第1フレーム111を固定させる機能を提供することができる。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 may provide a function of fixing the first pad electrode 121 and the first frame 111.

前記第2導電層322は、前記第2フレーム112の上に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。   The second conductive layer 322 is provided on the second frame 112. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と前記第2フレーム112を固定させる機能を提供することができる。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 may provide a function of fixing the second pad electrode 122 and the second frame 112.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図28に示されたように、樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。また、前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は反射性物質を含むことができ、例えばTiO及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . In addition, the resin part 135 may include a reflective material, for example, white silicone including TiO 2 and / or silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1パッド電極121の下の領域と前記第2パッド電極122の下の領域を外れて、前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin part 135 is formed in the light emitting device 120 direction by separating the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 from the region under the first pad electrode 121 and the region under the second pad electrode 122. Can be prevented from diffusing and moving.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding unit 140.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、前記第1導電層321を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2導電層322を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first conductive layer 321, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second conductive layer 322. Is done.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ100は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、フレームの上に提供される導電層を介して駆動電源が提供される。そして、フレームの上に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are disposed via the conductive layer provided on the frame. A drive power supply is provided. The melting point of the conductive layer disposed on the frame is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ100は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and the physical bonding force can be achieved. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

次に、図29を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図29を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図28を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 29, the description overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 28 may be omitted.

実施例に係る発光素子パッケージは、図29に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIG.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line.

例えば、前記本体113は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(AlO)等を含む群から選択される少なくとも1つから形成される。また、前記本体113は、TiOとSiOのような高屈折フィラーを含むことができる。 For example, the main body 113 is made of PPA (Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide 9T), silicone, EMC (Epoxy Molding Compound), SMC (Silicone Molding Compound), ceramic, PSG. (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3 ), or the like. The main body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

実施例によれば、前記発光素子120は、第1パッド電極121、第2パッド電極122、半導体構造物123、基板124を含むことができる。   According to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first pad electrode 121, a second pad electrode 122, a semiconductor structure 123, and a substrate 124.

前記発光素子120は、図29に示されたように、前記基板124の下に配置された前記半導体構造物123を含むことができる。前記半導体構造物123と前記本体113との間に前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が配置される。   The light emitting device 120 may include the semiconductor structure 123 disposed under the substrate 124 as shown in FIG. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are disposed between the semiconductor structure 123 and the main body 113.

前記発光素子120は、前記パッケージ本体110の上に配置される。前記発光素子120は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記発光素子120は、前記パッケージ本体110によって提供される前記キャビティC内に配置される。   The light emitting device 120 is disposed on the package body 110. The light emitting device 120 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 is disposed in the cavity C provided by the package body 110.

前記第1パッド電極121は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面で相互離隔して配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second pad electrode 122 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

前記第1パッド電極121は、前記第1フレーム111の上に配置される。前記第2パッド電極122は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed on the second frame 112.

前記第1パッド電極121は、前記半導体構造物123と前記第1フレーム111との間に配置される。前記第2パッド電極122は、前記半導体構造物123と前記第2フレーム112との間に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed between the semiconductor structure 123 and the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed between the semiconductor structure 123 and the second frame 112.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤130を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

実施例に係る発光素子パッケージは、図29に示されたように、リセスRを含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a recess R as shown in FIG.

前記リセスRは、前記パッケージ本体110に提供される。前記リセスRは、前記パッケージ本体110の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the package body 110. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the package body 110 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

前記リセスRは、前記第1フレーム111の上面、前記本体113の上面、前記第2フレーム112の上面によって提供される。例えば、前記本体113の上面は平坦な形状に提供され、前記第1フレーム111の上面は段付階段状に提供され、前記第2フレーム112の上面は段付階段状に提供される。   The recess R is provided by the upper surface of the first frame 111, the upper surface of the main body 113, and the upper surface of the second frame 112. For example, the upper surface of the main body 113 is provided in a flat shape, the upper surface of the first frame 111 is provided in a stepped step shape, and the upper surface of the second frame 112 is provided in a stepped step shape.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。前記接着剤130は、前記第1フレーム111の段付階段状の領域と前記第2フレーム112の段付階段状の領域の間に提供される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122. The adhesive 130 is provided between the stepped stepped region of the first frame 111 and the stepped stepped region of the second frame 112.

このように、実施例によれば、前記リセスRが、前記第1フレーム111の上面の一部領域から前記第2フレーム112の上面の一部領域まで延長されて幅広く提供される。   As described above, according to the embodiment, the recess R is extended from a partial region of the upper surface of the first frame 111 to a partial region of the upper surface of the second frame 112 to be provided widely.

よって、前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の安定した固定力を提供することができる。   Accordingly, the adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記接着剤130は、前記本体113の上面に直接接触して配置される。前記接着剤130は、前記第1フレーム111の上面に直接接触して配置される。前記接着剤130は、前記第2フレーム112の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the first frame 111. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the second frame 112. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記接着剤130は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ100の光抽出効率を改善することができる。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusing function, so that the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

前記リセスRは、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスRは、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記リセスRは、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The recess R may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed. The recess R is provided at a first depth or more so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. In addition, the recess R is provided at a second depth or less in order to provide a stable strength of the main body 113.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が幅が広く且つ厚く提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120 in a wide and thick manner. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記第1フレーム111の上に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。   The first conductive layer 321 is provided on the first frame 111. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と前記第1フレーム111を固定させる機能を提供することができる。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 may provide a function of fixing the first pad electrode 121 and the first frame 111.

前記第2導電層322は、前記第2フレーム112の上に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。   The second conductive layer 322 is provided on the second frame 112. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と前記第2フレーム112を固定させる機能を提供することができる。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 may provide a function of fixing the second pad electrode 122 and the second frame 112.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図29に示されたように、樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。また、前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は反射性物質を含むことができ、例えばTiO及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . In addition, the resin part 135 may include a reflective material, for example, white silicone including TiO 2 and / or silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1パッド電極121の下の領域と前記第2パッド電極122の下の領域を外れて、前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin part 135 is formed in the light emitting device 120 direction by separating the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 from the region under the first pad electrode 121 and the region under the second pad electrode 122. Can be prevented from diffusing and moving.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding unit 140.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1導電層321を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2導電層322を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first conductive layer 321, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second conductive layer 322. The

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極はフレームの上に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、フレームの上に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed on the frame. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed on the frame is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Accordingly, even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur. There is an advantage not to deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

次に、図30を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図30を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図29を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 30, the description overlapping with the content described with reference to FIGS. 1 to 29 may be omitted.

実施例に係る発光素子パッケージは、図30に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIG.

図30に示された実施例に係る発光素子パッケージは、図28を参照して説明した発光素子パッケージに比べて、第1リセスR1と第2リセスR2をさらに含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 30 may further include a first recess R1 and a second recess R2 as compared with the light emitting device package described with reference to FIG.

前記第1リセスR1は、前記第1フレーム111の上面に提供される。前記第1リセスR1は、前記第1フレーム111の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第1リセスR1は、前記リセスRから離隔して配置される。   The first recess R <b> 1 is provided on the upper surface of the first frame 111. The first recess R1 is provided to be recessed from the upper surface of the first frame 111 toward the lower surface. The first recess R1 is spaced apart from the recess R.

前記第2リセスR2は、前記第2フレーム112の上面に提供される。前記第2リセスR2は、前記第2フレーム112の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第2上部リセスR4は、前記リセスRから離隔して配置される。   The second recess R <b> 2 is provided on the upper surface of the second frame 112. The second recess R2 is provided so as to be recessed from the upper surface of the second frame 112 toward the lower surface. The second upper recess R4 is spaced apart from the recess R.

実施例によれば、前記第1リセスR1に前記第1導電層321が提供される。そして、前記第1リセスR1領域に前記第1パッド電極121が提供される。また、前記第2リセスR2に前記第2導電層322が提供される。そして、前記第2リセスR2領域に前記第2パッド電極122が提供される。前記第1及び第2リセスR1、R2は、前記第1及び第2導電層321、322が提供される充分な空間を提供することができる。   According to an embodiment, the first conductive layer 321 is provided in the first recess R1. The first pad electrode 121 is provided in the first recess R1 region. In addition, the second conductive layer 322 is provided in the second recess R2. The second pad electrode 122 is provided in the second recess R2 region. The first and second recesses R1 and R2 may provide a sufficient space in which the first and second conductive layers 321 and 322 are provided.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図30に示されたように、樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。また、前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は反射性物質を含むことができ、例えばTiO及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . In addition, the resin part 135 may include a reflective material, for example, white silicone including TiO 2 and / or silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1リセスR1領域と前記第2リセスR2領域を外れて前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin portion 135 prevents the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 from diffusing and moving in the direction of the light emitting element 120 outside the first recess R1 region and the second recess R2 region. can do.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding unit 140.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1導電層321を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2導電層322を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first conductive layer 321, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second conductive layer 322. The

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed in the opening. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ100は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and the physical bonding force can be achieved. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

次に、図31を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図31を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図30を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 31, the description overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 30 may be omitted.

実施例に係る発光素子パッケージは、図31に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIG.

図31に示された実施例に係る発光素子パッケージは、図29を参照して説明した発光素子パッケージに比べて、第1リセスR1と第2リセスR2をさらに含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 31 may further include a first recess R1 and a second recess R2 as compared with the light emitting device package described with reference to FIG.

前記第1リセスR1は、前記第1フレーム111の上面に提供される。前記第1リセスR1は、前記第1フレーム111の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第1リセスR1は、前記リセスRから離隔して配置される。   The first recess R <b> 1 is provided on the upper surface of the first frame 111. The first recess R1 is provided to be recessed from the upper surface of the first frame 111 toward the lower surface. The first recess R1 is spaced apart from the recess R.

前記第2リセスR2は、前記第2フレーム112の上面に提供される。前記第2リセスR2は、前記第2フレーム112の上面から下面方向に凹むように提供される。前記第2上部リセスR4は、前記リセスRから離隔して配置される。   The second recess R <b> 2 is provided on the upper surface of the second frame 112. The second recess R2 is provided so as to be recessed from the upper surface of the second frame 112 toward the lower surface. The second upper recess R4 is spaced apart from the recess R.

実施例によれば、前記第1リセスR1に前記第1導電層321が提供される。そして、前記第1リセスR1領域に前記第1パッド電極121が提供される。また、前記第2リセスR2に前記第2導電層322が提供される。そして、前記第2リセスR2領域に前記第2パッド電極122が提供される。前記第1及び第2リセスR1、R2は、前記第1及び第2導電層321、322が提供される充分な空間を提供することができる。   According to an embodiment, the first conductive layer 321 is provided in the first recess R1. The first pad electrode 121 is provided in the first recess R1 region. In addition, the second conductive layer 322 is provided in the second recess R2. The second pad electrode 122 is provided in the second recess R2 region. The first and second recesses R1 and R2 may provide a sufficient space in which the first and second conductive layers 321 and 322 are provided.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図31に示されたように、樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。また、前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は反射性物質を含むことができ、例えばTiO及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . In addition, the resin part 135 may include a reflective material, for example, white silicone including TiO 2 and / or silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1リセスR1領域と前記第2リセスR2領域を外れて前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin portion 135 prevents the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 from diffusing and moving in the direction of the light emitting element 120 outside the first recess R1 region and the second recess R2 region. can do.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding unit 140.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1導電層321を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2導電層322を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first conductive layer 321, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second conductive layer 322. The

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極はフレームの上に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、フレームの上に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed on the frame. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed on the frame is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Accordingly, even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur. There is an advantage not to deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

次に、図32を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図32を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図31を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 32, the description overlapping with the content described with reference to FIGS. 1 to 31 may be omitted.

実施例に係る発光素子パッケージは、図32に示されたように、本体113、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a main body 113 and a light emitting device 120, as shown in FIG.

実施例によれば、前記本体113にリセスR、第1開口部TH1、第2開口部TH2が提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面に提供される。前記本体113は、図32に示されたように、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2を含むことができる。   According to the embodiment, the main body 113 is provided with a recess R, a first opening TH1, and a second opening TH2. The recess R is provided on the upper surface of the main body 113. As shown in FIG. 32, the main body 113 may include the first opening TH1 and the second opening TH2.

また、実施例によれば、前記発光素子120は、第1パッド電極121、第2パッド電極122、半導体構造物123、基板124を含むことができる。   In addition, according to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first pad electrode 121, a second pad electrode 122, a semiconductor structure 123, and a substrate 124.

前記発光素子120は、図32に示されたように、前記基板124の下に配置された前記半導体構造物123を含むことができる。前記半導体構造物123と前記本体113との間に前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が配置される。   The light emitting device 120 may include the semiconductor structure 123 disposed under the substrate 124 as shown in FIG. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are disposed between the semiconductor structure 123 and the main body 113.

前記発光素子120は、前記本体113の上に配置される。前記発光素子120は、前記本体113によって提供される前記キャビティC内に配置される。   The light emitting device 120 is disposed on the main body 113. The light emitting device 120 is disposed in the cavity C provided by the main body 113.

前記第1パッド電極121は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面で相互離隔して配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second pad electrode 122 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

前記第1開口部TH1は、前記本体113に提供される。前記第1開口部TH1は、前記本体113を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記本体113の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the main body 113. The first opening TH1 is provided through the main body 113. The first opening TH1 is provided through the upper surface and the lower surface of the main body 113 in the first direction.

前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記本体113の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   The first opening TH1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the main body 113.

前記第2開口部TH2は、前記本体113に提供される。前記第2開口部TH2は、前記本体113を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記本体113の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the main body 113. The second opening TH2 is provided through the main body 113. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the main body 113 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記本体113の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the main body 113.

前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、相互離隔して配置される。前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の下部面の下で相互離隔して配置される。   The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例によれば、前記第1パッド電極121の下部領域が、前記第1開口部TH1内に配置される。前記第1パッド電極121の底面が前記本体113の上面より低く配置される。   According to an embodiment, a lower region of the first pad electrode 121 is disposed in the first opening TH1. The bottom surface of the first pad electrode 121 is disposed lower than the top surface of the main body 113.

また、前記第2パッド電極122の下部領域が、前記第2開口部TH2内に配置される。前記第2パッド電極122の底面が前記本体113の上面より低く配置される。   A lower region of the second pad electrode 122 is disposed in the second opening TH2. The bottom surface of the second pad electrode 122 is disposed lower than the top surface of the main body 113.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤130を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

実施例に係る発光素子パッケージは、図32に示されたように、前記リセスRを含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include the recess R as shown in FIG.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。例えば、前記接着剤130は、ホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ100の光抽出効率を改善することができる。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusing function, so that the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved.

前記リセスRは、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスRは、前記発光素子120の下面と前記本体113の上面との間に前記接着剤130が充分に提供されるように第1深さ以上に提供される。また、前記リセスRは、前記本体113の安定した強度を提供するために第2深さ以下に提供される。   The recess R may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed. The recess R is provided at a first depth or more so that the adhesive 130 is sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the main body 113. In addition, the recess R is provided at a second depth or less in order to provide a stable strength of the main body 113.

例えば、前記本体113は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(AlO)等を含む群から選択される少なくとも1つから形成される。また、前記本体113は、TiOとSiOのような高屈折フィラーを含むことができる。 For example, the main body 113 is made of PPA (Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide 9T), silicone, EMC (Epoxy Molding Compound), SMC (Silicone Molding Compound), ceramic, PSG. (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3 ), or the like. The main body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package, thereby improving light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電層321は、前記本体113の下面に提供される第1下部リセスR5に配置される。前記第1導電層321は、前記本体113の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。   The first conductive layer 321 is disposed in a first lower recess R <b> 5 provided on the lower surface of the main body 113. The first conductive layer 321 is disposed under the main body 113. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121.

前記第1パッド電極121は、前記第1開口部TH1が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第1パッド電極121の幅は、前記第1開口部TH1の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The first pad electrode 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening TH1 is formed. The width of the first pad electrode 121 is smaller than the width of the first opening TH1 in the second direction.

前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下面と直接接触して配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121と電気的に連結される。前記第1導電層321は、前記第1下部リセスR5内で前記本体113によって取り囲まれるように配置される。   The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower surface of the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed so as to be surrounded by the main body 113 in the first lower recess R5.

前記第2導電層322は、前記本体113の下面に提供される第2下部リセスR6に配置される。前記第2導電層322は、前記本体113の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   The second conductive layer 322 is disposed in a second lower recess R <b> 6 provided on the lower surface of the main body 113. The second conductive layer 322 is disposed under the main body 113. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122.

前記第2パッド電極122は、前記第2開口部TH2が形成された第1方向と垂直な第2方向の幅を有することができる。前記第2パッド電極122の幅は、前記第2開口部TH2の前記第2方向の幅より小さく提供される。   The second pad electrode 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening TH2 is formed. The width of the second pad electrode 122 is smaller than the width of the second opening TH2 in the second direction.

前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下面と直接接触して配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122と電気的に連結される。前記第2導電層322は、前記第2下部リセスR6内で前記本体113によって取り囲まれるように配置される。   The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower surface of the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed so as to be surrounded by the main body 113 in the second lower recess R6.

前記第1導電層321の上面の第1領域は、前記第1開口部TH1の下に配置される。前記第1導電層321の上面の前記第1領域は、前記第1開口部TH1と垂直方向に重なって配置される。   The first region on the upper surface of the first conductive layer 321 is disposed under the first opening TH1. The first region on the upper surface of the first conductive layer 321 is disposed to overlap the first opening TH1 in the vertical direction.

また、前記第1導電層321の上面の第2領域は、前記本体113の下面の下に配置される。前記第1導電層321の上面の前記第2領域は、前記本体113の下面と垂直方向に重なって配置される。   The second region on the upper surface of the first conductive layer 321 is disposed under the lower surface of the main body 113. The second region on the upper surface of the first conductive layer 321 is disposed to overlap the lower surface of the main body 113 in the vertical direction.

前記第2導電層322の上面の第1領域は、前記第2開口部TH2の下に配置される。前記第2導電層322の上面の前記第1領域は、前記第2開口部TH2と垂直方向に重なって配置される。   The first region on the upper surface of the second conductive layer 322 is disposed under the second opening TH2. The first region on the upper surface of the second conductive layer 322 is disposed so as to overlap with the second opening TH2.

また、前記第2導電層322の上面の第2領域は、前記本体113の下面の下に配置される。前記第2導電層322の上面の前記第2領域は、前記本体113の下面と垂直方向に重なって配置される。   The second region on the upper surface of the second conductive layer 322 is disposed below the lower surface of the main body 113. The second region on the upper surface of the second conductive layer 322 is disposed so as to overlap the lower surface of the main body 113 in the vertical direction.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、放熱特性がよい金属物質またはその合金で形成される。前記第1導電層321と前記第2導電層322が放熱特性がよい物質で形成されることで、前記発光素子120から発生した熱が外部に効果的に放出される。これによって、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性が向上する。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed of a metal material having good heat dissipation characteristics or an alloy thereof. Since the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed of a material having good heat dissipation characteristics, heat generated from the light emitting device 120 is effectively released to the outside. Thereby, the reliability of the light emitting device package according to the embodiment is improved.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1及び第2導電層321、322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first and second conductive layers 321 and 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、図32に示されたように、樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。また、前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は反射性物質を含むことができ、例えばTiO及び/またはシリコーンを含むホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . In addition, the resin part 135 may include a reflective material, for example, white silicone including TiO 2 and / or silicone.

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記本体113との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting element 120 and the main body 113.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1開口部TH1領域と前記第2開口部TH2領域を外れて前記発光素子120方向に拡散して移動することを防止することができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The resin part 135 moves by diffusing the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 in the direction of the light emitting element 120 outside the first opening TH1 region and the second opening TH2 region. Can be prevented.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

また、実施例に係る発光素子パッケージは、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding unit 140.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記本体113の上に配置される。前記モールディング部140は、前記本体113によって提供されるキャビティCに配置される。前記モールディング部140は、前記樹脂部135の上に配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding part 140 is disposed on the main body 113. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the main body 113. The molding part 140 is disposed on the resin part 135.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

一方、前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子120が前記パッケージ本体110の上に提供される過程で、前記接着剤130の一部が前記第1及び第2開口部TH1、TH2領域に移動することがある。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2パッド電極121、122の側面領域に配置される。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2導電層321、322の上に配置されてもよい。   Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. In the process in which the light emitting device 120 is provided on the package body 110, a part of the adhesive 130 may move to the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 is disposed in a side region of the first and second pad electrodes 121 and 122 inside the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 may be disposed on the first and second conductive layers 321 and 322 inside the first and second openings TH1 and TH2.

前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域を密封することができ、前記第1及び第2開口部TH1、TH2を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子120が配置された領域に流入することを防止することができる。   The adhesive 130 can seal the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2, and moisture or foreign substances can be emitted from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the element 120 from flowing into a region where the element 120 is disposed.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

また、別の実施例によれば、前記第1及び第2導電層321、322が前記本体113の側壁の終端まで延長されて配置される。また、前記第1及び第2導電層321、322は、接着性樹脂等を介して前記本体113の下面に接着されて配置されてもよい。前記第1導電層321の側面と前記本体113が第1側面は、同一平面に提供される。また、前記第2導電層322の側面と前記本体113の第2側面は、同一平面に提供される。   According to another embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 are extended to the end of the side wall of the main body 113. In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 may be disposed on the lower surface of the main body 113 via an adhesive resin or the like. The side surface of the first conductive layer 321 and the first side surface of the main body 113 are provided on the same plane. In addition, the side surface of the second conductive layer 322 and the second side surface of the main body 113 are provided on the same plane.

実施例に係る発光素子パッケージ100は、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 100 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Are concatenated.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

また、別の実施例によれば、前記接着剤130、前記樹脂部135、前記本体113が同一物質を含むこともできる。   According to another embodiment, the adhesive 130, the resin part 135, and the main body 113 may include the same material.

そして、実施例によれば、前記本体113、前記接着剤130、前記樹脂部135、前記発光素子120の間のCTE(Coefficient of Thermal Expansion)マッチングを考慮して前記接着剤130と前記樹脂部135の物性を選択することで、熱衝撃によるクラック(crack)や剥離問題が発生することを改善することができる。   According to the embodiment, the adhesive 130 and the resin portion 135 are considered in consideration of CTE (Coefficient of Thermal Expansion) matching among the main body 113, the adhesive 130, the resin portion 135, and the light emitting device 120. By selecting the physical properties, it is possible to improve the occurrence of cracks and peeling problems due to thermal shock.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部の下に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部の下に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are interposed through the conductive layer disposed under the opening. Drive power is provided. The melting point of the conductive layer disposed under the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Accordingly, even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur. There is an advantage not to deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程で本体113が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、本体113が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, it is not necessary to expose the main body 113 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the main body 113 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

一方、以上で説明した発光素子パッケージには、例えばフリップチップ発光素子が提供される。   On the other hand, for example, a flip chip light emitting device is provided in the light emitting device package described above.

例えば、フリップチップ発光素子は、6面方向に光が放出される透過型フリップチップ発光素子として提供されてもよく、5面方向に光が放出される反射型フリップチップ発光素子として提供されてもよい。   For example, the flip chip light emitting device may be provided as a transmissive flip chip light emitting device that emits light in the six-plane direction, or may be provided as a reflective flip chip light emitting device that emits light in the five surface direction. Good.

前記5面方向に光が放出される反射型フリップチップ発光素子は、前記パッケージ本体110に近い方向に反射層が配置された構造を有することができる。例えば、前記反射型フリップチップ発光素子は、第1及び第2電極パッドと半導体構造物の間に絶縁性反射層(例えば、Distributed Bragg Reflector、Omni Directional Reflector等)及び/または伝導性反射層(例えば、Ag、Al、Ni、Au等)を含むことができる。   The reflective flip-chip light emitting device that emits light in the five-plane direction may have a structure in which a reflective layer is disposed in a direction close to the package body 110. For example, the reflective flip-chip light emitting device includes an insulating reflective layer (for example, Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector, etc.) and / or a conductive reflective layer (for example, the first and second electrode pads) and the semiconductor structure. , Ag, Al, Ni, Au, etc.).

また、前記6面方向に光が放出されるフリップチップ発光素子は、第1導電型半導体層と電気的に連結される第1電極、第2導電型半導体層と電気的に連結される第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極の間から光が放出される一般的な水平型発光素子として提供されてもよい。   In addition, the flip chip light emitting device that emits light in the six-plane direction includes a first electrode that is electrically connected to the first conductive semiconductor layer and a second electrode that is electrically connected to the second conductive semiconductor layer. It may be provided as a general horizontal light emitting device having electrodes and emitting light from between the first electrode and the second electrode.

また、前記6面方向に光が放出されるフリップチップ発光素子は、前記第1及び第2電極パッドの間に反射層が配置された反射領域と光が放出される透過領域を両方とも含む透過型フリップチップ発光素子として提供されてもよい。   The flip chip light emitting device that emits light in the six-plane direction includes both a reflective region in which a reflective layer is disposed between the first and second electrode pads and a transmissive region from which light is emitted. It may be provided as a mold flip chip light emitting device.

ここで、透過型フリップチップ発光素子は、上部面、4つの側面、下部面の6面から光が放出される素子を意味する。また、反射型フリップチップ発光素子は、上部面、4つの側面の5面から光が放出される素子を意味する。   Here, the transmissive flip-chip light emitting element means an element from which light is emitted from six surfaces including an upper surface, four side surfaces, and a lower surface. The reflective flip-chip light emitting element means an element that emits light from five surfaces of the upper surface and the four side surfaces.

次に、添付された図面を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用されたフリップチップ発光素子の例を説明することにする。   Next, an example of a flip chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

まず、図33及び図34を参照して、本発明の実施例に係る発光素子を説明することにする。図33は本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された発光素子の電極配置を説明する平面図であり、図34は図33に示された発光素子のF‐F線断面図である。   First, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 33 is a plan view for explaining the electrode arrangement of the light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, and FIG. 34 is a cross-sectional view taken along line FF of the light emitting device shown in FIG. .

一方、理解し易いように、図33の図示において、第1電極127と第2電極128の相対的な配置関係のみを概念的に図示した。前記第1電極127は、第1パッド電極121と第1分岐電極125を含むことができる。前記第2電極128は、第2パッド電極122と第2分岐電極126を含むことができる。   On the other hand, for easy understanding, only the relative positional relationship between the first electrode 127 and the second electrode 128 is conceptually illustrated in FIG. The first electrode 127 may include a first pad electrode 121 and a first branch electrode 125. The second electrode 128 may include a second pad electrode 122 and a second branch electrode 126.

実施例に係る発光素子は、図33及び図34に示されたように、基板124の上に配置された半導体構造物123を含むことができる。   The light emitting device according to the embodiment may include a semiconductor structure 123 disposed on a substrate 124 as illustrated in FIGS. 33 and 34.

前記基板124は、サファイア基板(AlO)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geを含む群から選択される。例えば、前記基板124は、上部面に凹凸パターンが形成されたPSS(Patterned Sapphire Substrate)として提供される。 The substrate 124 is selected from the group including sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. For example, the substrate 124 is provided as a PSS (Patterned Sapphire Substrate) having an uneven pattern formed on the upper surface.

前記半導体構造物123は、第1導電型半導体層123a、活性層123b、第2導電型半導体層123cを含むことができる。前記活性層123bは、前記第1導電型半導体層123aと前記第2導電型半導体層123cの間に配置される。例えば、前記第1導電型半導体層123aの上に前記活性層123bが配置され、前記活性層123bの上に前記第2導電型半導体層123cが配置される。   The semiconductor structure 123 may include a first conductive semiconductor layer 123a, an active layer 123b, and a second conductive semiconductor layer 123c. The active layer 123b is disposed between the first conductive semiconductor layer 123a and the second conductive semiconductor layer 123c. For example, the active layer 123b is disposed on the first conductive semiconductor layer 123a, and the second conductive semiconductor layer 123c is disposed on the active layer 123b.

実施例によれば、前記第1導電型半導体層123aはn型半導体層として提供され、前記第2導電型半導体層123cはp型半導体層として提供される。勿論、別の実施例によれば、前記第1導電型半導体層123aがp型半導体層として提供され、前記第2導電型半導体層123cがn型半導体層として提供されてもよい。   According to an embodiment, the first conductive semiconductor layer 123a is provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 123c is provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductive semiconductor layer 123a may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 123c may be provided as an n-type semiconductor layer.

実施例に係る発光素子は、図33及び図34に示されたように、第1電極127と第2電極128を含むことができる。   The light emitting device according to the embodiment may include a first electrode 127 and a second electrode 128 as illustrated in FIGS. 33 and 34.

前記第1電極127は、第1パッド電極121と第1分岐電極125を含むことができる。前記第1電極127は、前記第2導電型半導体層123cに電気的に連結される。前記第1分岐電極125は、前記第1パッド電極121から分岐して配置される。前記第1分岐電極125は、前記第1パッド電極121から分岐した複数の分岐電極を含むことができる。   The first electrode 127 may include a first pad electrode 121 and a first branch electrode 125. The first electrode 127 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 123c. The first branch electrode 125 is branched from the first pad electrode 121. The first branch electrode 125 may include a plurality of branch electrodes branched from the first pad electrode 121.

前記第2電極128は、第2パッド電極122と第2分岐電極126を含むことができる。前記第2電極128は、前記第1導電型半導体層123aに電気的に連結される。前記第2分岐電極126は、前記第2パッド電極122から分岐して配置される。前記第2分岐電極126は、前記第2パッド電極122から分岐した複数の分岐電極を含むことができる。   The second electrode 128 may include a second pad electrode 122 and a second branch electrode 126. The second electrode 128 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 123a. The second branch electrode 126 is branched from the second pad electrode 122. The second branch electrode 126 may include a plurality of branch electrodes branched from the second pad electrode 122.

前記第1分岐電極125と前記第2分岐電極126は、フィンガー(finger)状に交互に配置されてもよい。前記第1分岐電極125と前記第2分岐電極126によって、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122を介して供給される電源が前記半導体構造物123全体に拡散して提供される。   The first branch electrode 125 and the second branch electrode 126 may be alternately arranged in a finger shape. The first branch electrode 125 and the second branch electrode 126 provide power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 by being diffused throughout the semiconductor structure 123.

前記第1電極127と前記第2電極128は、単層または多層構造に形成されてもよい。例えば、前記第1電極127と前記第2電極128は、オーミック電極からなることができる。例えば、前記第1電極127と前記第2電極128は、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうちの少なくとも1つまたはこれらのうち2つ以上の物質の合金からなることができる。   The first electrode 127 and the second electrode 128 may be formed in a single layer or a multilayer structure. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 may be ohmic electrodes. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 include ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, It can be made of at least one of Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf, or an alloy of two or more of these substances.

一方、前記半導体構造物123に保護層がさらに提供されてもよい。前記保護層は、前記半導体構造物123の上面に提供される。また、前記保護層は、前記半導体構造物123の側面に提供されてもよい。前記保護層は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が露出するように提供される。また、前記保護層は、前記基板124の周り及び下面にも選択的に提供される。   Meanwhile, a protective layer may be further provided on the semiconductor structure 123. The protective layer is provided on the upper surface of the semiconductor structure 123. In addition, the protective layer may be provided on a side surface of the semiconductor structure 123. The protective layer is provided such that the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are exposed. In addition, the protective layer is selectively provided around and on the lower surface of the substrate 124.

例えば、前記保護層は、絶縁物質から提供される。例えば、前記保護層は、SixOy、SiOxNy、SixNy、AlxOyを含む群から選択される少なくとも1つの物質から形成される。 For example, the protective layer is provided from an insulating material. For example, the protective layer is formed of at least one material selected from the group including Si x O y , SiO x N y , Si x N y , and Al x O y .

実施例に係る発光素子は、前記活性層123bから生成した光が発光素子の6面方向に発光することができる。前記活性層123bから生成した光が発光素子の上面、下面、4つの側面を介して6面方向に放出される。   In the light emitting device according to the embodiment, the light generated from the active layer 123b can emit light in the six plane directions of the light emitting device. Light generated from the active layer 123b is emitted in six directions through the top, bottom, and four side surfaces of the light emitting device.

前記発光素子の上面に放出される光は、図1〜図32を参照して説明したリセスR領域に入射する。   The light emitted to the upper surface of the light emitting element enters the recess R region described with reference to FIGS.

参考的に、図1〜図32を参照して説明した発光素子の配置方向と、図33及び図34に示された発光素子の配置方向は、相互反対に図示されている。   For reference, the arrangement direction of the light emitting elements described with reference to FIGS. 1 to 32 and the arrangement direction of the light emitting elements shown in FIGS. 33 and 34 are shown opposite to each other.

図1〜図32を参照して説明したように、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に放出される光が、前記リセスR領域に配置された前記接着剤130に入射する。前記発光素子の下部方向に放出された光が前記接着剤130によって拡散し、光抽出効率が向上する。   1 to 32, the light emitted between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 is applied to the adhesive 130 disposed in the recess R region. Incident. The light emitted in the lower direction of the light emitting device is diffused by the adhesive 130, and the light extraction efficiency is improved.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

例えば、前記第1パッド電極121の前記発光素子の長軸方向の幅は、数十μmに提供される。前記第1パッド電極121の幅は、例えば70μm〜90μmに提供される。また、前記第1パッド電極121の面積は、数千μmに提供される。 For example, the width of the first pad electrode 121 in the long axis direction of the light emitting element is provided to several tens of μm. The width of the first pad electrode 121 may be 70 μm to 90 μm, for example. In addition, the area of the first pad electrode 121 may be several thousand μm 2 .

また、前記第2パッド電極122の前記発光素子の長軸方向の幅は、数十μmに提供される。前記第2パッド電極122の幅は、例えば70μm〜90μmに提供される。また、前記第2パッド電極122の面積は、数千μmに提供される。 Further, the width of the second pad electrode 122 in the major axis direction of the light emitting element is provided to several tens of μm. For example, the width of the second pad electrode 122 is 70 μm to 90 μm. Further, the area of the second pad electrode 122 is provided to several thousand μm 2 .

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package, thereby improving light extraction efficiency.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1及び第2パッド電極121、122が前記第1及び第2導電層321、322と直接接触する場合を基に説明した。   Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above has been described based on the case where the first and second pad electrodes 121 and 122 are in direct contact with the first and second conductive layers 321 and 322.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122と前記第1及び第2導電層321、322の間に、別途の導電性構成要素がさらに配置されてもよい。   However, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment, a separate conductive structure is provided between the first and second pad electrodes 121 and 122 and the first and second conductive layers 321 and 322. Elements may be further arranged.

次に、図35を参照して、実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明することにする。   Next, still another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.

図35を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図1〜図34を参照して説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 35, the description overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 34 may be omitted.

実施例に係る発光素子パッケージ200は、図35に示されたように、パッケージ本体110、発光素子120を含むことができる。   The light emitting device package 200 according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIG.

前記パッケージ本体110は、第1フレーム111と第2フレーム112を含むことができる。前記第1フレーム111と前記第2フレーム112は、相互離隔して配置される。   The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 are spaced apart from each other.

前記パッケージ本体110は、本体113を含むことができる。前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112との間に配置される。前記本体113は、一種の電極分離線の機能をすることができる。前記本体113は、絶縁部材と称することもできる。   The package body 110 may include a body 113. The main body 113 is disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The main body 113 can function as a kind of electrode separation line. The main body 113 can also be referred to as an insulating member.

前記本体113は、前記第1フレーム111の上に配置される。また、前記本体113は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The main body 113 is disposed on the first frame 111. The main body 113 is disposed on the second frame 112.

前記本体113は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置された傾斜面を提供することができる。前記本体113の傾斜面によって、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上にキャビティCが提供される。   The main body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C is provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the main body 113.

実施例によれば、前記パッケージ本体110は、キャビティCがある構造で提供されてもよく、キャビティCなしに上面が平坦な構造で提供されてもよい。   According to an embodiment, the package body 110 may be provided with a structure having a cavity C, or may be provided with a structure having a flat upper surface without the cavity C.

例えば、前記本体113は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコーン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(AlO)等を含む群から選択される少なくとも1つから形成される。また、前記本体113は、TiOとSiOのような高屈折フィラーを含むことができる。 For example, the main body 113 is made of PPA (Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide 9T), silicone, EMC (Epoxy Molding Compound), SMC (Silicone Molding Compound), ceramic, PSG. (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3 ), or the like. The main body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

実施例によれば、前記発光素子120は、第1パッド電極121、第2パッド電極122、半導体構造物123、基板124を含むことができる。   According to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first pad electrode 121, a second pad electrode 122, a semiconductor structure 123, and a substrate 124.

前記発光素子120は、図35に示されたように、前記基板124の下に配置された前記半導体構造物123を含むことができる。前記半導体構造物123と前記本体113との間に前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122が配置される。   The light emitting device 120 may include the semiconductor structure 123 disposed under the substrate 124, as shown in FIG. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are disposed between the semiconductor structure 123 and the main body 113.

前記半導体構造物123は、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、第1導電型半導体層と第2導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第1パッド電極121は、前記第1導電型半導体層と電気的に連結される。また、前記第2パッド電極122は、前記第2導電型半導体層と電気的に連結される。   The semiconductor structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. The first pad electrode 121 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer. The second pad electrode 122 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer.

前記発光素子120は、前記パッケージ本体110の上に配置される。前記発光素子120は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記発光素子120は、前記パッケージ本体110によって提供される前記キャビティC内に配置される。   The light emitting device 120 is disposed on the package body 110. The light emitting device 120 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 is disposed in the cavity C provided by the package body 110.

前記第1パッド電極121は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面に配置される。前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122は、前記発光素子120の下部面で相互離隔して配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second pad electrode 122 is disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first pad electrode 121 and the second pad electrode 122 are spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

前記第1パッド電極121は、前記第1フレーム111の上に配置される。前記第2パッド電極122は、前記第2フレーム112の上に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed on the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed on the second frame 112.

前記第1パッド電極121は、前記半導体構造物123と前記第1フレーム111との間に配置される。前記第2パッド電極122は、前記半導体構造物123と前記第2フレーム112との間に配置される。   The first pad electrode 121 is disposed between the semiconductor structure 123 and the first frame 111. The second pad electrode 122 is disposed between the semiconductor structure 123 and the second frame 112.

一方、実施例に係る発光素子パッケージ200は、図35に示されたように、第1開口部TH1と第2開口部TH2を含むことができる。前記第1フレーム111は、前記第1開口部TH1を含むことができる。前記第2フレーム112は、前記第2開口部TH2を含むことができる。   Meanwhile, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2, as shown in FIG. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111に提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111を貫通して提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The first opening TH1 is provided in the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the first frame 111. The first opening TH1 is provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1開口部TH1は、前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。前記第1開口部TH1は、前記第1フレーム111の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第1パッド電極121と重なって提供される。   The first opening TH1 is disposed under the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH <b> 1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120. The first opening TH1 is provided to overlap the first pad electrode 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first frame 111.

前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112に提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112を貫通して提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面と下面を第1方向に貫通して提供される。   The second opening TH2 is provided in the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the second frame 112. The second opening TH2 is provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in the first direction.

前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。前記第2開口部TH2は、前記第2フレーム112の上面から下面に向かう第1方向に前記発光素子120の前記第2パッド電極122と重なって提供される。   The second opening TH2 is disposed under the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH <b> 2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120. The second opening TH2 is provided to overlap the second pad electrode 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the second frame 112.

前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、相互離隔して配置される。前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2は、前記発光素子120の下部面の下で相互離隔して配置される。   The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 are spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120.

実施例によれば、前記第1開口部TH1の上部領域の幅W1が前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。また、前記第2開口部TH2の上部領域の幅が前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 is provided larger than the width of the first pad electrode 121. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 is provided larger than the width of the second pad electrode 122.

実施例に係る発光素子パッケージ200は、図35に示されたように、第1導電体221と第2導電体222を含むことができる。また、実施例に係る発光素子パッケージ200は、第1導電層321と第2導電層322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。   The light emitting device package 200 according to the embodiment may include a first conductor 221 and a second conductor 222 as illustrated in FIG. In addition, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322.

前記第1導電体221は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電体221は、前記第1パッド電極121に電気的に連結される。前記第1導電体221は、前記第1パッド電極121と前記第1方向に重なって配置される。   The first conductor 221 is disposed under the first pad electrode 121. The first conductor 221 is electrically connected to the first pad electrode 121. The first conductor 221 is disposed to overlap the first pad electrode 121 in the first direction.

前記第1導電体221は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電体221は、前記第1パッド電極121と前記第1導電層321との間に配置される。前記第1導電体221は、前記第1パッド電極121及び前記第1導電層321と電気的に連結される。   The first conductor 221 is provided in the first opening TH1. The first conductor 221 is disposed between the first pad electrode 121 and the first conductive layer 321. The first conductor 221 is electrically connected to the first pad electrode 121 and the first conductive layer 321.

前記第1導電体221の下面は、前記第1開口部TH1の上面より低く配置される。前記第1導電体221の下面は、前記第1導電層321の上面より低く配置される。   The lower surface of the first conductor 221 is disposed lower than the upper surface of the first opening TH1. The lower surface of the first conductor 221 is disposed lower than the upper surface of the first conductive layer 321.

前記第1導電体221は、前記第1開口部TH1の上に配置される。また、前記第1導電体221は、前記第1パッド電極121から前記第1開口部TH1の内部まで延長されて配置される。   The first conductor 221 is disposed on the first opening TH1. In addition, the first conductor 221 extends from the first pad electrode 121 to the inside of the first opening TH1.

また、前記第2導電体222は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電体222は、前記第2パッド電極122に電気的に連結される。前記第2導電体222は、前記第2パッド電極122と前記第1方向に重なって配置される。   The second conductor 222 is disposed under the second pad electrode 122. The second conductor 222 is electrically connected to the second pad electrode 122. The second conductor 222 is disposed to overlap the second pad electrode 122 in the first direction.

前記第2導電体222は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電体222は、前記第2パッド電極122と前記第2導電層322との間に配置される。前記第2導電体222は、前記第2パッド電極122及び前記第2導電層322と電気的に連結される。   The second conductor 222 is provided in the second opening TH2. The second conductor 222 is disposed between the second pad electrode 122 and the second conductive layer 322. The second conductor 222 is electrically connected to the second pad electrode 122 and the second conductive layer 322.

前記第2導電体222の下面は、前記第2開口部TH2の上面より低く配置される。前記第2導電体222の下面は、前記第2導電層322の上面より低く配置される。   The lower surface of the second conductor 222 is disposed lower than the upper surface of the second opening TH2. The lower surface of the second conductor 222 is disposed lower than the upper surface of the second conductive layer 322.

前記第2導電体222は、前記第2開口部TH2の上に配置される。また、前記第2導電体222は、前記第2パッド電極122から前記第2開口部TH2の内部まで延長されて配置される。   The second conductor 222 is disposed on the second opening TH2. The second conductor 222 is disposed to extend from the second pad electrode 122 to the inside of the second opening TH2.

実施例によれば、前記第1導電体221の下面及び側面に前記第1導電層321が配置される。前記第1導電層321は、前記第1導電体221の下面及び側面に直接接触して配置される。   According to the embodiment, the first conductive layer 321 is disposed on the lower surface and the side surface of the first conductor 221. The first conductive layer 321 is disposed in direct contact with the lower and side surfaces of the first conductor 221.

前記第1導電層321は、前記第1開口部TH1に提供される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321の幅は、前記第1パッド電極121の幅より大きく提供される。   The first conductive layer 321 is provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The width of the first conductive layer 321 may be larger than the width of the first pad electrode 121.

このように実施例に係る発光素子パッケージ200によれば、前記第1導電体221によって前記第1導電層321と前記第1パッド電極121間に電気的結合がさらに安定的に提供される。   As described above, according to the light emitting device package 200 according to the embodiment, the first conductor 221 provides more stable electrical coupling between the first conductive layer 321 and the first pad electrode 121.

また、実施例によれば、前記第2導電体222の下面及び側面に前記第2導電層322が配置される。前記第2導電層322は、前記第2導電体222の下面及び側面に直接接触して配置される。   In addition, according to the embodiment, the second conductive layer 322 is disposed on the lower surface and the side surface of the second conductor 222. The second conductive layer 322 is disposed in direct contact with the lower and side surfaces of the second conductor 222.

前記第2導電層322は、前記第2開口部TH2に提供される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322の幅は、前記第2パッド電極122の幅より大きく提供される。   The second conductive layer 322 is provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The width of the second conductive layer 322 may be larger than the width of the second pad electrode 122.

このように実施例に係る発光素子パッケージ200によれば、前記第2導電体222によって前記第2導電層322と前記第2パッド電極122の間に電気的結合がさらに安定的に提供される。   As described above, according to the light emitting device package 200 according to the embodiment, the second conductor 222 provides more stable electrical coupling between the second conductive layer 322 and the second pad electrode 122.

例えば、前記第1及び第2導電体221、222は、前記第1及び第2パッド電極121、122に、それぞれ別途のボンディング物質を介して安定的にボンディングされる。また、前記第1及び第2導電体221、222の側面及び下面が前記第1及び第2導電層321、322にそれぞれ接触する。よって、前記第1及び第2導電層321、322が前記第1及び第2パッド電極121、122の下面にそれぞれ直接接触する場合より、前記第1及び第2導電層321、322が前記第1及び第2導電体221、222とそれぞれ接触する面積が大きくなる。これによって、前記第1及び第2導電体221、222を介して前記第1及び第2導電層321、322から前記第1及び第2パッド電極121、122に電源がそれぞれ安定的に供給される。   For example, the first and second conductors 221 and 222 are stably bonded to the first and second pad electrodes 121 and 122 through separate bonding materials, respectively. The side surfaces and the lower surface of the first and second conductors 221 and 222 are in contact with the first and second conductive layers 321 and 322, respectively. Therefore, the first and second conductive layers 321 and 322 are in contact with the lower surfaces of the first and second pad electrodes 121 and 122, respectively, compared with the case where the first and second conductive layers 321 and 322 are in direct contact with the first and second pad electrodes 121 and 122, respectively. In addition, the area in contact with each of the second conductors 221 and 222 is increased. Accordingly, power is stably supplied from the first and second conductive layers 321 and 322 to the first and second pad electrodes 121 and 122 through the first and second conductors 221 and 222, respectively. .

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. .

また、前記第1及び第2導電体221、222は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1及び第2導電体221、222に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   In addition, the first and second conductors 221 and 222 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and the first and second conductors 221 and 222 may be made of a material that can ensure a conductive function.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、接着剤130を含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include an adhesive 130.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される。前記接着剤130は、前記本体113の上面と前記発光素子120の下面との間に配置される。   The adhesive 130 is disposed between the main body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 is disposed between the upper surface of the main body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

また、実施例に係る発光素子パッケージ100は、図35に示されたように、リセスRを含むことができる。   In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a recess R as illustrated in FIG.

前記リセスRは、前記本体113に提供される。前記リセスRは、前記第1開口部TH1と前記第2開口部TH2との間に提供される。前記リセスRは、前記本体113の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスRは、前記発光素子120の下に配置される。前記リセスRは、前記発光素子120と前記第1方向に重なって提供される。   The recess R is provided in the main body 113. The recess R is provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The recess R is provided so as to be recessed from the upper surface of the main body 113 toward the lower surface. The recess R is disposed under the light emitting device 120. The recess R is provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

例えば、前記接着剤130は、前記リセスRに配置される。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間に配置される。前記接着剤130は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間に配置される。例えば、前記接着剤130は、前記第1パッド電極121の側面と前記第2パッド電極122の側面に接触して配置される。   For example, the adhesive 130 is disposed in the recess R. The adhesive 130 is disposed between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. For example, the adhesive 130 is disposed in contact with the side surface of the first pad electrode 121 and the side surface of the second pad electrode 122.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110. The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、例えば、前記接着剤130が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。前記接着剤130は、別の表現として第1樹脂と称することもできる。   For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, when the adhesive 130 includes a reflective function, the adhesive may include white silicone. The adhesive 130 may be referred to as a first resin as another expression.

前記接着剤130は、前記本体113と前記発光素子120との間の安定した固定力を提供することができ、前記発光素子120の下面に光が放出される場合、前記発光素子120と前記本体113との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子120から前記発光素子120の下面に光が放出されるとき、前記接着剤130は光拡散機能を提供することで、前記発光素子パッケージ100の光抽出効率を改善することができる。また、前記接着剤130は、前記発光素子120から放出する光を反射することができる。前記接着剤130が反射機能を含む場合、前記接着剤130は、TiO、シリコーン等を含む物質から構成される。 The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the main body 113 and the light emitting device 120, and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 120, the light emitting device 120 and the main body. 113 can provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 provides a light diffusing function, so that the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be improved. Further, the adhesive 130 can reflect light emitted from the light emitting device 120. When the adhesive 130 includes a reflective function, the adhesive 130 is made of a material including TiO 2 , silicone, and the like.

実施例によれば、前記リセスRの深さT1は、前記第1開口部TH1の深さT2または前記第2開口部TH2の深さT2より小さく提供される。   According to an embodiment, the depth T1 of the recess R is provided smaller than the depth T2 of the first opening TH1 or the depth T2 of the second opening TH2.

前記リセスRの深さT1は、前記接着剤130の接着力を考慮して決定される。また、前記リセスRが深さT1は、前記本体113の安定した強度を考慮したり、及び/又は、前記発光素子120から放出される熱によって前記発光素子パッケージ100にクラック(crack)が発生しないように決定される。   The depth T1 of the recess R is determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. In addition, the depth T1 of the recess R is determined in consideration of a stable strength of the main body 113 and / or a crack is not generated in the light emitting device package 100 due to heat released from the light emitting device 120. To be determined.

前記リセスRは、前記発光素子120の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。ここで、前記アンダーフィル(under fill)工程は、発光素子120をパッケージ本体110に実装した後前記接着剤130を前記発光素子120の下部に配置する工程であるか、前記発光素子120をパッケージ本体110に実装する工程で、前記接着剤130を介して実装するために前記接着剤130を前記リセスRに配置した後前記発光素子120を配置する工程である。   The recess R may provide a proper space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process can be performed. Here, the underfill process is a process of disposing the adhesive 130 under the light emitting device 120 after the light emitting device 120 is mounted on the package body 110, or the light emitting device 120 is disposed in the package body. 110 is a step of disposing the light emitting device 120 after disposing the adhesive 130 in the recess R for mounting via the adhesive 130.

前記リセスRの深さT1と幅W4は、前記接着剤130の形成位置及び固定力に影響を及ぼすことがある。前記リセスRの深さT1と幅W4は、前記本体113と前記発光素子120との間に配置される前記接着剤130によって充分な固定力が提供されるように決定される。   The depth T1 and the width W4 of the recess R may affect the formation position and fixing force of the adhesive 130. The depth T1 and the width W4 of the recess R are determined so that a sufficient fixing force is provided by the adhesive 130 disposed between the main body 113 and the light emitting device 120.

例えば、前記リセスRの深さT1は、数十μmに提供される。前記リセスRの深さT1は、40μm〜60μmに提供される。   For example, the depth T1 of the recess R is provided to several tens of μm. The depth T1 of the recess R is provided to 40 μm to 60 μm.

また、前記リセスRの幅W4は、数十μm〜数百μmに提供される。ここで、前記リセスRの幅W4は、前記発光素子120の長軸方向に提供される。   The width R4 of the recess R is provided from several tens of μm to several hundreds of μm. Here, the width R 4 of the recess R is provided in the long axis direction of the light emitting device 120.

前記リセスRの幅W4は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122との間の間隔より狭く提供される。前記リセスRの幅W4は、前記第1及び第2パッド電極121、122の幅または直径より数百μm大きく提供されてもよい。例えば、前記リセスRの幅W4は300μm〜400μmに提供される。   A width W4 of the recess R is provided to be narrower than an interval between the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. A width W4 of the recess R may be provided several hundred μm larger than the width or diameter of the first and second pad electrodes 121 and 122. For example, the width R4 of the recess R is provided in the range of 300 μm to 400 μm.

前記第1開口部TH1の深さT2は、前記第1フレーム111の厚さに対応して提供される。前記第1開口部TH1の深さT2は、前記第1フレーム111の安定した強度を維持できる厚さで提供される。   The depth T2 of the first opening TH1 is provided corresponding to the thickness of the first frame 111. The depth T2 of the first opening TH1 is provided to a thickness that can maintain a stable strength of the first frame 111.

前記第2開口部TH2の深さT2は、前記第2フレーム112の厚さに対応して提供される。前記第2開口部TH2の深さT2は、前記第2フレーム112の安定した強度を維持できる厚さで提供される。   The depth T2 of the second opening TH2 is provided corresponding to the thickness of the second frame 112. The depth T2 of the second opening TH2 is provided to a thickness that can maintain a stable strength of the second frame 112.

前記第1開口部TH1の深さT2及び前記第2開口部TH2の深さT2は、前記本体113の厚さに対応して提供される。前記第1開口部TH1の深さT2及び前記第2開口部TH2の深さT2は、前記本体113の安定した強度を維持できる厚さで提供される。   The depth T2 of the first opening TH1 and the depth T2 of the second opening TH2 are provided corresponding to the thickness of the main body 113. The depth T2 of the first opening TH1 and the depth T2 of the second opening TH2 are provided with thicknesses that can maintain a stable strength of the main body 113.

例えば、前記第1開口部TH1の深さT2は、数百μmに提供される。前記第1開口部TH1の深さT2は180μm〜220μmに提供される。例えば、前記第1開口部TH1の深さT2は200μmに提供される。   For example, the depth T2 of the first opening TH1 is provided to several hundred μm. The first opening TH1 has a depth T2 of 180 μm to 220 μm. For example, the depth T2 of the first opening TH1 is provided to 200 μm.

例えば、前記T2‐T1の厚さは、少なくとも100μm以上に選択される。これは、前記本体113のクラックフリー(crack free)を提供できる射出工程の厚さが考慮されたものである。   For example, the thickness of T2-T1 is selected to be at least 100 μm. This is because the thickness of the injection process that can provide crack free of the main body 113 is taken into consideration.

実施例によれば、T1厚さとT2厚さの比(T2/T1)は、2〜10に提供される。例えば、T2の厚さが200μmに提供される場合、T1の厚さは20μm〜100μmに提供される。   According to an embodiment, the ratio of T1 thickness to T2 thickness (T2 / T1) is provided between 2-10. For example, when the thickness of T2 is provided to 200 μm, the thickness of T1 is provided to 20 μm to 100 μm.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

また、実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記第1導電体221及び第2導電体222が安定的に配置されるように前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is such that the first conductor 221 and the second conductor 222 are stably disposed. The upper surface area of the substrate 124 is set to 0.7% or more.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

また、実施例に係る発光素子パッケージ200は、図35に示されたように、モールディング部140を含むことができる。   In addition, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a molding unit 140 as illustrated in FIG.

前記モールディング部140は、前記発光素子120の上に提供される。前記モールディング部140は、前記第1フレーム111と前記第2フレーム112の上に配置される。前記モールディング部140は、前記パッケージ本体110によって提供されるキャビティCに配置される。   The molding part 140 is provided on the light emitting device 120. The molding unit 140 is disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 is disposed in a cavity C provided by the package body 110.

前記モールディング部140は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部140は、前記発光素子120から放出される光が入射され、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例えば、前記モールディング部140は、蛍光体、量子ドット等を含む群から選択される少なくとも1つを含むことができる。   The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include wavelength conversion means that receives light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like.

また、実施例に係る発光素子パッケージ200は、図35に示されたように、第1下部リセスR10と第2下部リセスR20を含むことができる。前記第1下部リセスR10と前記第2下部リセスR20は、相互離隔して配置される。   In addition, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a first lower recess R10 and a second lower recess R20, as shown in FIG. The first lower recess R10 and the second lower recess R20 are spaced apart from each other.

前記第1下部リセスR10は、前記第1フレーム111の下面に提供される。前記第1下部リセスR10は、前記第1フレーム111の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第1下部リセスR10は、前記第1開口部TH1から離隔して配置される。   The first lower recess R <b> 10 is provided on the lower surface of the first frame 111. The first lower recess R10 is provided so as to be recessed from the lower surface of the first frame 111 in the upper surface direction. The first lower recess R10 is spaced apart from the first opening TH1.

前記第1下部リセスR10は、数μm〜数十μmの幅で提供される。前記第1下部リセスR10に樹脂部が提供される。前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、例えば前記本体113と同一物質から提供される。   The first lower recess R10 is provided with a width of several μm to several tens of μm. A resin part is provided in the first lower recess R10. The resin portion filled in the first lower recess R10 is provided from the same material as the main body 113, for example.

ただし、これに限定されるものではなく、前記樹脂部は、前記第1及び第2導電層321、322と接着力、濡れ性がよくない物質から選択されて提供される。または、前記樹脂部は、前記第1及び第2導電層321、322との表面張力が低い物質から選択されて提供される。   However, the present invention is not limited to this, and the resin portion is provided by being selected from materials having poor adhesion and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion is provided by being selected from materials having a low surface tension with the first and second conductive layers 321 and 322.

例えば、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113が射出工程等によって形成される過程で提供される。   For example, the resin portion filled in the first lower recess R10 is provided in a process in which the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 are formed by an injection process or the like.

前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部は、前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域の周囲に配置される。前記第1開口部TH1を提供する前記第1フレーム111の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第1フレーム111をなす下面から分離して配置される。   The resin portion filled in the first lower recess R10 is disposed around the lower surface region of the first frame 111 that provides the first opening TH1. The lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1 is disposed in a kind of island shape separately from the lower surface forming the surrounding first frame 111.

よって、前記樹脂部が前記第1及び第2導電層321、322と接着力、濡れ性がよくない物質または前記樹脂部と前記第1及び第2導電層321、322との間の表面張力が低い物質で配置される場合、前記第1開口部TH1に提供される前記第1導電層321が前記第1開口部TH1から外れ、前記第1下部リセスR10に満たされる樹脂部または前記本体113を越えて拡散することが防止される。   Therefore, the resin part has a poor adhesion or wettability with the first and second conductive layers 321 and 322 or a surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322. When the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 is removed from the first opening TH1, the resin portion or the main body 113 filled in the first lower recess R10 is disposed when the material is disposed with a low material. It is prevented from spreading beyond.

これは、前記第1導電層321と前記樹脂部及び前記本体113の接着関係または前記樹脂部と前記第1及び第2導電層321、322の間の濡れ性、表面張力等がよくない点を利用したものである。即ち、前記第1導電層321をなす物質が前記第1フレーム111とよい接着特性を有するように選択される。そして、前記第1導電層321をなす物質が前記樹脂部及び前記本体113とよくない接着特性を有するように選択される。   This is because the adhesive relationship between the first conductive layer 321 and the resin portion and the main body 113 or wettability between the resin portion and the first and second conductive layers 321 and 322, surface tension, etc. are not good. It is used. That is, the material forming the first conductive layer 321 is selected to have good adhesive properties with the first frame 111. The material forming the first conductive layer 321 is selected so as to have poor adhesive properties with the resin portion and the main body 113.

これによって、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1から前記樹脂部または前記本体113が提供される領域方向に溢れて、前記樹脂部または前記本体113が提供される領域外部に溢れたり拡散することが防止され、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1が提供される領域に安定的に配置される。よって、前記第1開口部TH1に配置される第1導電層321が溢れる場合、前記樹脂部または前記本体113が提供される第1下部リセスR10の外側領域に前記第1導電層321が拡張することを防止することができる。また、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1内で前記第1パッド電極121の下面に安定的に連結される。   Accordingly, the first conductive layer 321 overflows from the first opening TH1 toward the region where the resin portion or the main body 113 is provided, and overflows outside the region where the resin portion or the main body 113 is provided. Diffusion is prevented, and the first conductive layer 321 is stably disposed in a region where the first opening TH1 is provided. Therefore, when the first conductive layer 321 disposed in the first opening TH1 overflows, the first conductive layer 321 extends to an outer region of the first lower recess R10 where the resin portion or the main body 113 is provided. This can be prevented. In addition, the first conductive layer 321 is stably connected to the lower surface of the first pad electrode 121 in the first opening TH1.

よって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第1導電層321と第2導電層322が相互接触して短絡する問題を防止することができ、前記第1及び第2導電層321、322を配置する工程において、前記第1及び第2導電層321、322の量を制御し易くなる。   Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other and short-circuited, and the first and second conductive layers 321 can be prevented. In the step of disposing 322, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be easily controlled.

また、前記第1導電層321が前記第1開口部TH1から前記第1下部リセスR10に延長されて配置される。よって、前記第1下部リセスR10内には、前記第1導電層321及び/または前記樹脂部が配置される。   In addition, the first conductive layer 321 is disposed to extend from the first opening TH1 to the first lower recess R10. Accordingly, the first conductive layer 321 and / or the resin portion is disposed in the first lower recess R10.

また、前記第2下部リセスR20は、前記第2フレーム112の下面に提供される。前記第2下部リセスR20は、前記第2フレーム112の下面から上面方向に凹むように提供される。前記第2下部リセスR20は、前記第2開口部TH2から離隔して配置される。   In addition, the second lower recess R <b> 20 is provided on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R20 is provided so as to be recessed from the lower surface of the second frame 112 in the upper surface direction. The second lower recess R20 is spaced apart from the second opening TH2.

前記第2下部リセスR20は、数μm〜数十μmの幅で提供される。前記第2下部リセスR20に樹脂部が提供される。前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、例えば前記本体113と同一物質から提供される。   The second lower recess R20 is provided with a width of several μm to several tens of μm. A resin part is provided in the second lower recess R20. The resin part filled in the second lower recess R20 is provided from the same material as the main body 113, for example.

ただし、これに限定されるものではなく、前記樹脂部は、前記第1及び第2導電層321、322と接着力、濡れ性がよくない物質から選択されて提供される。または、前記樹脂部は、前記第1及び第2導電層321、322との表面張力が低い物質から選択されて提供される。   However, the present invention is not limited to this, and the resin portion is provided by being selected from materials having poor adhesion and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion is provided by being selected from materials having a low surface tension with the first and second conductive layers 321 and 322.

例えば、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、前記第1フレーム111、前記第2フレーム112、前記本体113が射出工程等によって形成される過程で提供される。   For example, the resin portion filled in the second lower recess R20 is provided in a process in which the first frame 111, the second frame 112, and the main body 113 are formed by an injection process or the like.

前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部は、前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域の周囲に配置される。前記第2開口部TH2を提供する前記第2フレーム112の下面領域は一種の島(island)形状に周囲の前記第2フレーム112をなす下面から分離して配置される。   The resin portion filled in the second lower recess R20 is disposed around the lower surface region of the second frame 112 that provides the second opening TH2. The lower surface region of the second frame 112 providing the second opening TH2 is disposed in a kind of island shape separately from the lower surface forming the surrounding second frame 112.

よって、前記樹脂部が前記第1及び第2導電層321、322と接着力、濡れ性がよくない物質または前記樹脂部と前記第1及び第2導電層321、322との間の表面張力が低い物質で配置される場合、前記第2開口部TH2に提供される前記第2導電層322が前記第2開口部TH2から外れ、前記第2下部リセスR20に満たされる樹脂部または前記本体113を越えて拡散することが防止される。   Therefore, the resin part has a poor adhesion or wettability with the first and second conductive layers 321 and 322 or a surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322. When the second conductive layer 322 provided to the second opening TH2 is removed from the second opening TH2, the resin portion or the main body 113 filled in the second lower recess R20 is disposed when the low-substance material is disposed. It is prevented from spreading beyond.

これは、前記第2導電層322と前記樹脂部及び前記本体113の接着関係または前記樹脂部と前記第1及び第2導電層321、322の間の濡れ性、表面張力等がよくない点を利用したものである。即ち、前記第2導電層322をなす物質が前記第2フレーム112とよい接着特性を有するように選択される。そして、前記第2導電層322をなす物質が前記樹脂部及び前記本体113とよくない接着特性を有するように選択される。   This is because the adhesion between the second conductive layer 322 and the resin part and the main body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, surface tension, etc. are not good. It is used. That is, the material forming the second conductive layer 322 is selected to have good adhesive properties with the second frame 112. The material forming the second conductive layer 322 is selected so as to have poor adhesive properties with the resin portion and the main body 113.

これによって、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2から前記樹脂部または前記本体113が提供される領域方向に溢れて、前記樹脂部または前記本体113が提供される領域外部に溢れたり拡散することが防止され、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2が提供される領域に安定的に配置される。よって、前記第2開口部TH2に配置される第2導電層322が溢れる場合、前記樹脂部または前記本体113が提供される第2下部リセスR20の外側領域に前記第2導電層322が拡張することを防止することができる。また、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2内で前記第2パッド電極122の下面に安定的に連結される。   Accordingly, the second conductive layer 322 overflows from the second opening TH2 toward the region where the resin portion or the main body 113 is provided, and overflows outside the region where the resin portion or the main body 113 is provided. The diffusion is prevented, and the second conductive layer 322 is stably disposed in the region where the second opening TH2 is provided. Therefore, when the second conductive layer 322 disposed in the second opening TH2 overflows, the second conductive layer 322 extends to an outer region of the second lower recess R20 provided with the resin portion or the main body 113. This can be prevented. In addition, the second conductive layer 322 is stably connected to the lower surface of the second pad electrode 122 in the second opening TH2.

よって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第1導電層321と第2導電層322が相互接触して短絡する問題を防止することができ、前記第1及び第2導電層321、322を配置する工程において、前記第1及び第2導電層321、322の量を制御し易くなる。   Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other and short-circuited, and the first and second conductive layers 321 can be prevented. In the step of disposing 322, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be easily controlled.

また、前記第2導電層322が前記第2開口部TH2から前記第2下部リセスR20に延長されて配置される。よって、前記第2下部リセスR20内には、前記第2導電層321及び/または前記樹脂部が配置される。   In addition, the second conductive layer 322 is disposed to extend from the second opening TH2 to the second lower recess R20. Therefore, the second conductive layer 321 and / or the resin portion is disposed in the second lower recess R20.

また、実施例に係る発光素子パッケージ200は、図35に示されたように樹脂部135を含むことができる。   In addition, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a resin portion 135 as illustrated in FIG.

前記樹脂部135は、前記第1フレーム111と前記発光素子120との間に配置される。前記樹脂部135は、前記第2フレーム112と前記発光素子120との間に配置される。前記樹脂部135は、前記パッケージ本体110に提供されるキャビティCの底面に提供される。   The resin part 135 is disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120. The resin part 135 is disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120. The resin part 135 is provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記第2パッド電極122の側面に配置される。前記樹脂部135は、前記半導体構造物123の下に配置される。   The resin part 135 is disposed on a side surface of the first pad electrode 121. The resin part 135 is disposed on a side surface of the second pad electrode 122. The resin part 135 is disposed under the semiconductor structure 123.

例えば、前記樹脂部135は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコーン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも1つを含むことができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120から放出される光を反射する反射部となることができ、例えばTiO等の反射物質を含む樹脂からなることができ、またはホワイトシリコーン(white silicone)を含むことができる。 For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy material, a silicone material, and a hybrid material including an epoxy material and a silicone material. . The resin part 135 may be a reflective part that reflects light emitted from the light emitting device 120, and may be made of a resin containing a reflective material such as TiO 2 or white silicone. ).

前記樹脂部135は、前記発光素子120の下に配置され、シーリング(sealing)機能をすることができる。また、前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第1フレーム111との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部135は、前記発光素子120と前記第2フレーム112との間の接着力を向上させることができる。   The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin portion 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the first frame 111. The resin part 135 can improve the adhesive force between the light emitting device 120 and the second frame 112.

前記樹脂部135は、前記第1パッド電極121と前記第2パッド電極122の周囲を密封することができる。前記樹脂部135は、前記第1導電層321と前記第2導電層322が前記第1開口部TH1領域と前記第2開口部TH2領域を外れて前記発光素子120の外側面方向に拡散して移動することを防止することができる。前記第1及び第2導電層321、322が前記発光素子120の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第1及び第2導電層321、322が前記発光素子120の活性層と接して短絡による不良を誘発することがある。よって、前記樹脂部135が配置される場合、前記第1及び第2導電層321、322と活性層による短絡を防止することができ、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。   The resin part 135 may seal the periphery of the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. In the resin part 135, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 diffuse out of the first opening TH1 region and the second opening TH2 region toward the outer surface of the light emitting device 120. It can be prevented from moving. When the first and second conductive layers 321 and 322 are diffused and moved in the outer surface direction of the light emitting device 120, the first and second conductive layers 321 and 322 are in contact with the active layer of the light emitting device 120. May cause failure due to short circuit. Therefore, when the resin part 135 is disposed, a short circuit due to the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer can be prevented, and the reliability of the light emitting device package according to the embodiment can be improved. it can.

また、実施例によれば、前記発光素子120の下面と周りに保護層が提供されてもよい。このような場合、前記活性層の表面に絶縁性の保護層が提供されるので、前記第1及び第2導電層321、322が前記発光素子120の外側面方向に拡散して移動する場合にも、前記発光素子120の活性層に前記第1及び第2導電層321、322が電気的に連結されることを防止することができる。   In addition, according to the embodiment, a protective layer may be provided on and around the lower surface of the light emitting device 120. In such a case, since an insulating protective layer is provided on the surface of the active layer, the first and second conductive layers 321 and 322 are diffused and moved in the direction of the outer surface of the light emitting device 120. In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from being electrically connected to the active layer of the light emitting device 120.

一方、前記発光素子120の下面及び周りに絶縁性の保護層が配置される場合にも、前記発光素子120の上部の側面または、前記基板124の周りには、絶縁性保護層が配置されない場合もある。このとき、前記基板124が伝導性物質から提供される場合、前記第1及び第2導電層321、322が前記発光素子120の上部の側面または、前記基板124に接することになると、短絡による不良が発生することがある。よって、前記樹脂部135が配置される場合、前記第1及び第2導電層321、322と前記発光素子120の上部の側面または、前記基板124による短絡を防止することができ、実施例に係る発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。   On the other hand, even when an insulating protective layer is disposed on and around the lower surface of the light emitting device 120, the insulating protective layer is not disposed on the upper side surface of the light emitting device 120 or around the substrate 124. There is also. At this time, when the substrate 124 is provided from a conductive material, if the first and second conductive layers 321 and 322 are in contact with the upper side surface of the light emitting device 120 or the substrate 124, a defect due to a short circuit occurs. May occur. Therefore, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit due to the first and second conductive layers 321 and 322 and the upper side surface of the light emitting element 120 or the substrate 124, which is related to the embodiment. The reliability of the light emitting device package can be improved.

また、前記樹脂部135がホワイトシリコーンのような反射特性のある物質を含む場合、前記樹脂部135は、前記発光素子120から提供される光を前記パッケージ本体110の上部方向に反射させて、発光素子パッケージ100の光抽出効率を向上させることができる。   In addition, when the resin part 135 includes a material having reflective properties such as white silicone, the resin part 135 reflects light provided from the light emitting element 120 toward the upper part of the package body 110 to emit light. The light extraction efficiency of the element package 100 can be improved.

一方、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記モールディング部140が前記第1フレーム111と前記第2フレーム112に直接接触するように配置されてもよい。   Meanwhile, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the molding part 140 is in direct contact with the first frame 111 and the second frame 112. It may be arranged to do.

また、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例によれば、前記樹脂部135が別途に提供されず、前記接着剤130が前記第1及び第2パッド電極121、122の周りに配置されてもよい。   In addition, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the adhesive 130 is disposed around the first and second pad electrodes 121 and 122. It may be arranged.

このとき、前記接着剤130は第1樹脂と称することもでき、前記第1及び第2パッド電極121、122は第1及び第2ボンディング部とそれぞれ称することもできる。   At this time, the adhesive 130 may be referred to as a first resin, and the first and second pad electrodes 121 and 122 may be referred to as first and second bonding portions, respectively.

一方、前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域に配置されてもよい。前記発光素子120が前記パッケージ本体110の上に提供される過程で、前記接着剤130の一部が前記第1及び第2開口部TH1、TH2領域に移動することがある。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2パッド電極121、122の側面領域に配置される。前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2導電層321、322の上に配置されてもよい。また、前記接着剤130の一部は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の内部で、前記第1及び第2導電体221、222側面に配置されてもよい。   Meanwhile, the adhesive 130 may be disposed in an upper region of the first and second openings TH1 and TH2. In the process in which the light emitting device 120 is provided on the package body 110, a part of the adhesive 130 may move to the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 is disposed in a side region of the first and second pad electrodes 121 and 122 inside the first and second openings TH1 and TH2. A part of the adhesive 130 may be disposed on the first and second conductive layers 321 and 322 inside the first and second openings TH1 and TH2. Further, a part of the adhesive 130 may be disposed on the side surfaces of the first and second conductors 221 and 222 inside the first and second openings TH1 and TH2.

前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域を密封することができ、前記第1及び第2開口部TH1、TH2を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子120が配置された領域に流入することを防止することができる。   The adhesive 130 can seal the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2, and moisture or foreign substances can be emitted from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the element 120 from flowing into a region where the element 120 is disposed.

また、前記発光素子120と前記パッケージ本体110との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記パッケージ本体110の上面に前記リセスRが提供されなくてもよい。   In addition, the recess R may not be provided on the upper surface of the package body 110 when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 can be secured.

実施例に係る発光素子パッケージ200は、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package 200 according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Are concatenated.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記パッケージ本体110の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the package body 110.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージ200は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。   Meanwhile, the light emitting device package 200 according to the embodiment described above may be supplied after being mounted on a submount or a circuit board.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed in the opening. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージ200は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Accordingly, even when the light emitting device package 200 according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur. There is an advantage that does not deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ200及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体110が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体110が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package 200 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, it is not necessary to expose the package body 110 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保し光抽出効率を高めるために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に10%以下に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to be 10% or less based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device and increase light extraction efficiency, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the substrate 124. The upper surface area is set to 10% or less.

また、実施例によれば、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is provided to 0.7% or more based on the upper surface area of the substrate 124. According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is the upper surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. Is set to 0.7% or more with reference to.

また、実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記第1導電体221及び第2導電体222が安定的に配置されるように前記第1及び第2パッド電極121、122の面積の和は、前記基板124の上面面積を基準に0.7%以上に設定される。   In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second pad electrodes 121 and 122 is such that the first conductor 221 and the second conductor 222 are stably disposed. The upper surface area of the substrate 124 is set to 0.7% or more.

実施例によれば、前記接着剤130が前記発光素子120と前記第1方向を基準に重なる面積は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2と前記第1及び第2パッド電極121、122が重なる領域の面積より大きく提供される。   According to the embodiment, the area where the adhesive 130 overlaps the light emitting device 120 with respect to the first direction is the first and second openings TH1 and TH2 and the first and second pad electrodes 121 and 122. Is provided larger than the area of the overlapping region.

このように、前記第1及び第2パッド電極121、122の面積が小さく提供されることで、前記発光素子120の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子120の下には反射特性が優れる前記接着剤130が提供される。よって、前記発光素子120の下部方向に放出された光は、前記接着剤130に反射されて発光素子パッケージ100の上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。   As described above, since the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided with a small area, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 is increased. Also, the adhesive 130 having excellent reflection characteristics is provided under the light emitting device 120. Therefore, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130 and is effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, thereby improving the light extraction efficiency.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、光源装置に適用することができる。   On the other hand, the light emitting device package according to the embodiment described above can be applied to a light source device.

また、光源装置は、産業分野によって、表示装置、照明装置、ヘッドランプ等を含むことができる。   The light source device can include a display device, a lighting device, a headlamp, and the like depending on the industrial field.

光源装置の例として、表示装置は、ボトムカバーと、ボトムカバーの上に配置される反射板と、光を放出し発光素子を含む発光モジュールと、反射板の前方に配置され、発光モジュールから発される光を前方に案内する導光板と、導光板の前方に配置されるプリズムシートを含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネルと、ディスプレイパネルと連結され、ディスプレイパネルに画像信号を供給する画像信号出力回路と、ディスプレイパネルの前方に配置されるカラーフィルターを含むことができる。ここで、ボトムカバー、反射板、発光モジュール、導光板及び光学シートは、バックライトユニット(Backlight Unit)を構成することができる。また、表示装置は、カラーフィルターを含まず、赤色(Red)、緑色(Gren)、青色(Blue)の光を放出する発光素子がそれぞれ配置される構造を有することもできる。   As an example of a light source device, a display device includes a bottom cover, a reflecting plate disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, and is disposed in front of the reflecting plate and emits light from the light emitting module. A light guide plate for guiding the light to be forwarded, an optical sheet including a prism sheet disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, and an image connected to the display panel. An image signal output circuit for supplying a signal and a color filter disposed in front of the display panel may be included. Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet can constitute a backlight unit. The display device may have a structure in which light emitting elements that do not include a color filter and emit red, green, and blue light are arranged.

光源装置の別の例として、ヘッドランプは、基板の上に配置される発光素子パッケージを含む発光モジュール、発光モジュールから照射される光を一定方向、例えば前方に反射させるリフレクター(reflector)、リフレクターによって反射される光を前方に屈折させるレンズ、及びリフレクターによって反射されてレンズに向かう光の一部分を遮断または反射して、設計者が所望する配光パターンをなすようにするシェード(shade)を含むことができる。   As another example of a light source device, a headlamp includes a light emitting module including a light emitting element package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a certain direction, for example, a front, and a reflector. Includes a lens that refracts the reflected light forward, and a shade that blocks or reflects a portion of the light reflected by the reflector toward the lens to produce the light distribution pattern desired by the designer Can do.

光源装置の別の例である照明装置は、カバー、光源モジュール、放熱体、電源提供部、内部ケース、ソケットを含むことができる。また、実施例に係る光源装置は、部材とホルダーのうちいずれか1つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュールは、実施例に係る発光素子パッケージを含むことができる。   An illumination device, which is another example of the light source device, can include a cover, a light source module, a radiator, a power supply unit, an inner case, and a socket. In addition, the light source device according to the embodiment may further include any one or more of a member and a holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment.

一方、以上で説明した実施例に係る発光素子パッケージは、多様な変形例を含むことができる。   Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may include various modifications.

以下、図面を参照して実施例に係る発光素子パッケージの変形例を説明する。各変形例は、以上で説明した発光素子パッケージの実施例にそれぞれ適用することができる。また、以下で説明される各変形例は、相互衝突しない範囲内で複数の変形例を組合せて適用してもよい。   Hereinafter, modifications of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to the drawings. Each modification can be applied to the embodiment of the light emitting device package described above. Moreover, you may apply each modification demonstrated below in combination with a some modification within the range which does not mutually collide.

まず、図36を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明する。図36を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、以上で説明した内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。   First, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 36, the description overlapping with the contents described above may be omitted.

実施例に係る発光素子パッケージは、本体113と発光素子120を含むことができる。前記本体113は、第1及び第2開口部TH1、TH2を含むことができる。前記発光素子120は、第1及び第2パッド電極121、122を含むことができる。   The light emitting device package according to the embodiment may include a main body 113 and a light emitting device 120. The main body 113 may include first and second openings TH1 and TH2. The light emitting device 120 may include first and second pad electrodes 121 and 122.

前記第1及び第2パッド電極121、122は、前記発光素子120の第1及び第2半導体層にそれぞれ電気的に連結され、それぞれ第1及び第2ボンディング部と称することもできる。   The first and second pad electrodes 121 and 122 are electrically connected to the first and second semiconductor layers of the light emitting device 120, respectively, and may be referred to as first and second bonding parts, respectively.

前記第1及び第2パッド電極121、122は、それぞれ突出部121a、122aを含むことができる。例えば、前記第1及び第2パッド電極121、122は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2内で下部方向に延長されて突出した突出部121a、122aをそれぞれ含むことができる。前記第1及び第2パッド電極121、122の突出部121a、122aは、前記第1及び第2開口部TH1、TH2内にそれぞれ配置される。   The first and second pad electrodes 121 and 122 may include protrusions 121a and 122a, respectively. For example, the first and second pad electrodes 121 and 122 may include protrusions 121a and 122a extending downward in the first and second openings TH1 and TH2, respectively. The protrusions 121a and 122a of the first and second pad electrodes 121 and 122 are disposed in the first and second openings TH1 and TH2, respectively.

前記第1パッド電極121の突出部121aの下面は、前記第1開口部TH1の上面より低く配置される。前記第2パッド電極122の突出部122aの下面は、前記第2開口部TH2の上面より低く配置される。   The lower surface of the protrusion 121a of the first pad electrode 121 is disposed lower than the upper surface of the first opening TH1. The lower surface of the protrusion 122a of the second pad electrode 122 is disposed lower than the upper surface of the second opening TH2.

前記第1及び第2パッド電極121、122の突出部121a、122aは、例えば円柱形状または多角柱形状に提供される。前記第1及び第2パッド電極121、122の形状は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域の形状に対応して選択される。前記第1及び第2パッド電極121、122の突出部121a、122aの幅または直径は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域の幅または直径より小さく提供される。   The protrusions 121a and 122a of the first and second pad electrodes 121 and 122 are provided in a columnar shape or a polygonal column shape, for example. The shapes of the first and second pad electrodes 121 and 122 are selected according to the shape of the upper region of the first and second openings TH1 and TH2. The protrusions 121a and 122a of the first and second pad electrodes 121 and 122 may have a width or diameter smaller than the width or diameter of the upper region of the first and second openings TH1 and TH2.

実施例に係る発光素子パッケージは、第1及び第2導電層321、322を含むことができる。前記第1導電層321は、前記第2導電層322と離隔して配置される。前記第1及び第2導電層321、322は、前記本体113の下面で相互離隔して配置される。   The light emitting device package according to the embodiment may include first and second conductive layers 321 and 322. The first conductive layer 321 is spaced apart from the second conductive layer 322. The first and second conductive layers 321 and 322 are spaced apart from each other on the lower surface of the main body 113.

前記第1導電層321の上面の第1領域は、前記第1開口部TH1の下に配置される。前記第1導電層321の上面の前記第1領域は、前記第1開口部TH1と垂直方向に重なって配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の下に配置される。前記第1導電層321は、前記第1パッド電極121の突出部121a周りに配置される。   The first region on the upper surface of the first conductive layer 321 is disposed under the first opening TH1. The first region on the upper surface of the first conductive layer 321 is disposed to overlap the first opening TH1 in the vertical direction. The first conductive layer 321 is disposed under the first pad electrode 121. The first conductive layer 321 is disposed around the protrusion 121 a of the first pad electrode 121.

また、前記第1導電層321の上面の第2領域は、前記本体113の下面の下に配置される。前記第1導電層321の上面の第2領域は、前記本体113の下面と垂直方向に重なって配置される。例えば、前記第1導電層321の上面は、前記本体113の下面に接着性樹脂を介して結合されてもよい。   The second region on the upper surface of the first conductive layer 321 is disposed under the lower surface of the main body 113. The second region on the upper surface of the first conductive layer 321 is disposed to overlap the lower surface of the main body 113 in the vertical direction. For example, the upper surface of the first conductive layer 321 may be coupled to the lower surface of the main body 113 via an adhesive resin.

前記第2導電層322の上面の第1領域は、前記第2開口部TH2の下に配置される。前記第2導電層322の上面の前記第1領域は、前記第2開口部TH2と垂直方向に重なって配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の下に配置される。前記第2導電層322は、前記第2パッド電極122の突出部122a周りに配置される。   The first region on the upper surface of the second conductive layer 322 is disposed under the second opening TH2. The first region on the upper surface of the second conductive layer 322 is disposed so as to overlap with the second opening TH2. The second conductive layer 322 is disposed under the second pad electrode 122. The second conductive layer 322 is disposed around the protrusion 122 a of the second pad electrode 122.

また、前記第2導電層322の上面の第2領域は、前記本体113の下面の下に配置される。前記第2導電層322の上面の第2領域は、前記本体113の下面と垂直方向に重なって配置される。例えば、前記第2導電層322の上面は、前記本体113の下面に接着性樹脂を介して結合されてもよい。   The second region on the upper surface of the second conductive layer 322 is disposed below the lower surface of the main body 113. The second region on the upper surface of the second conductive layer 322 is disposed to overlap the lower surface of the main body 113 in the vertical direction. For example, the upper surface of the second conductive layer 322 may be coupled to the lower surface of the main body 113 via an adhesive resin.

前記第1導電層321と前記第2導電層322は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択される1つの物質またはその合金を含むことができる。ただし、これに限定されるものではなく、前記第1導電層321と前記第2導電層322に伝導性機能を確保できる物質を用いることができる。   The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited to this, and a material that can ensure a conductive function can be used for the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322.

例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成されてもよい。例えば、前記第1導電層321と前記第2導電層322は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。   For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be configured as a multilayer or a single layer composed of a multilayer or an alloy composed of different materials. . For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn—Ag—Cu) material.

また、前記第1及び第2導電層321、322は、前記本体113の側壁の終端まで延長されて配置される。   The first and second conductive layers 321 and 322 are extended to the end of the side wall of the main body 113.

前記第1及び第2導電層321、322は一種のリードフレームの機能を提供することができる。前記第1及び第2導電層321、322は、前記第1及び第2パッド電極121、122とそれぞれ電気的に連結される。   The first and second conductive layers 321 and 322 may provide a kind of lead frame function. The first and second conductive layers 321 and 322 are electrically connected to the first and second pad electrodes 121 and 122, respectively.

そして、実施例に係る発光素子パッケージは、接着剤130を含むことができる。前記接着剤は、上述したように第1樹脂と称することができる。   In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130. The adhesive can be referred to as a first resin as described above.

前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤130は、例えば前記本体113の上面に直接接触して配置される。また、前記接着剤130は、前記発光素子120の下部面に直接接触して配置される。   The adhesive 130 can provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113. The adhesive 130 is disposed in direct contact with the upper surface of the main body 113, for example. In addition, the adhesive 130 is disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

例えば、前記接着剤130は、前記第1及び第2パッド電極121、122の周り及び前記発光素子120の下部に移動して配置される。また、前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2内部に移動して配置されてもよい。   For example, the adhesive 130 may be moved around the first and second pad electrodes 121 and 122 and below the light emitting device 120. In addition, the adhesive 130 may be disposed inside the first and second openings TH1 and TH2.

前記接着剤130は、前記第1及び第2開口部TH1、TH2の上部領域を密封することができ、前記第1及び第2開口部TH1、TH2を介して湿気または異物質が外部から前記発光素子120が配置された領域に流入することを防止することができる。また、前記接着剤130は、前記発光素子120と前記本体113との間の固定力を向上させることができる。   The adhesive 130 can seal the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2, and moisture or foreign substances can be emitted from the outside through the first and second openings TH1 and TH2. It is possible to prevent the element 120 from flowing into a region where the element 120 is disposed. Further, the adhesive 130 can improve the fixing force between the light emitting device 120 and the main body 113.

また、前記発光素子120と前記本体113との間に前記接着剤130が提供される空間を充分確保できる場合、前記本体113の上面にリセスが提供されなくてもよい。   In addition, when a sufficient space for the adhesive 130 to be provided between the light emitting device 120 and the main body 113 can be secured, a recess may not be provided on the upper surface of the main body 113.

実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。このとき、前記第1及び第2導電層321、322はサブマウントまたは回路基板等に提供される第1及び第2パッド部とそれぞれ電気的に連結される。   The light emitting device package according to the embodiment may be supplied mounted on a submount or a circuit board. At this time, the first and second conductive layers 321 and 322 are electrically connected to first and second pad portions provided on a submount or a circuit board, respectively.

実施例に係る発光素子パッケージは、前記第1開口部TH1領域を介して前記第1パッド電極121に電源が連結され、前記第2開口部TH2領域を介して前記第2パッド電極122に電源が連結される。   In the light emitting device package according to the embodiment, a power source is connected to the first pad electrode 121 through the first opening TH1 region, and a power source is connected to the second pad electrode 122 through the second opening TH2 region. Connected.

これによって、前記第1パッド電極121及び前記第2パッド電極122を介して供給される駆動電源によって、前記発光素子120が駆動される。そして、前記発光素子120から発光された光は、前記本体113の上部方向に提供される。   As a result, the light emitting device 120 is driven by the driving power supplied through the first pad electrode 121 and the second pad electrode 122. The light emitted from the light emitting device 120 is provided in the upper direction of the main body 113.

ところで、従来、発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用される場合がある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されるリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。   Conventionally, when a light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and the stability of the electrical connection and the physical connection is improved. May weaken.

しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子の第1パッド電極と第2パッド電極は、開口部に配置された導電層を介して駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。   However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first pad electrode and the second pad electrode of the light emitting device according to the embodiment are driven through the conductive layer disposed in the opening. Power is provided. The melting point of the conductive layer disposed in the opening is selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material.

よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程を通じてボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない利点がある。   Accordingly, even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate or the like through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur. There is an advantage not to deteriorate.

また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程で本体113が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、本体113が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。   Further, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, it is not necessary to expose the main body 113 to a high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the main body 113 from being exposed to high temperature and being damaged or discoloration.

これによって、本体113を構成する物質に対する選択幅が広くなる。実施例によれば、前記本体113は、セラミック等の高価な物質だけではなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。   As a result, the selection range for the substance constituting the main body 113 is increased. According to the embodiment, the main body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic but also a relatively inexpensive resin material.

例えば、前記本体113は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂を含む群から選択される少なくとも1つの物質を含むことができる。   For example, the main body 113 may include at least one substance selected from the group including PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. it can.

一方、以上の説明では、前記本体113がキャビティCを含む場合を基準に説明した。前記キャビティCに前記発光素子120が配置される。しかし、別の実施例によれば、図37に示されたように、前記本体113はキャビティを含まない形態で提供されてもよい。例えば、前記本体113はキャビティを含まず、上面が平坦な形状で提供されてもよい。   On the other hand, the above description is based on the case where the main body 113 includes the cavity C. The light emitting device 120 is disposed in the cavity C. However, according to another embodiment, as shown in FIG. 37, the body 113 may be provided without a cavity. For example, the main body 113 may not include a cavity and may be provided with a flat top surface.

前記本体113の側面と前記第1導電層321の側面は、同一平面に提供される。また、前記本体113の他側面と前記第2導電層322の側面は、同一平面に提供される。   The side surface of the main body 113 and the side surface of the first conductive layer 321 are provided on the same plane. In addition, the other side surface of the main body 113 and the side surface of the second conductive layer 322 are provided on the same plane.

また、以上の説明では、前記本体113の下面に配置された前記第1及び第2導電層321、322が前記本体113の側面まで延長されて配置される場合を基準に説明した。しかし、前記本体113の下面に配置された前記第1及び第2導電層321、322は、前記本体113の側面まで延長されず、前記本体113の下面一部領域にのみ配置されてもよく、前記キャビティCと垂直方向に重なって配置されてもよい。   In the above description, the case where the first and second conductive layers 321 and 322 arranged on the lower surface of the main body 113 are extended to the side surface of the main body 113 is described as a reference. However, the first and second conductive layers 321 and 322 disposed on the lower surface of the main body 113 may not be extended to the side surface of the main body 113 and may be disposed only in a partial region of the lower surface of the main body 113. It may be arranged so as to overlap the cavity C in the vertical direction.

一方、前記接着剤130は、前記発光素子120の側面にも配置される。これは、前記発光素子120の表面に提供されるOH-によって前記接着剤130が前記発光素子120の側面に沿ってのぼることがあるからである。このとき、前記発光素子120の側面に提供される前記接着剤130の厚さが厚過ぎると光度Poが低くなるので、適切な厚さの制御が必要である。また、前記接着剤130が前記発光素子120の側面に配置されるので、二重保護膜構造で提供されて耐湿性が向上し、その他汚染物質から前記発光素子120を保護できる利点がある。 Meanwhile, the adhesive 130 is also disposed on the side surface of the light emitting device 120. This is because the adhesive 130 may rise along the side surface of the light emitting device 120 due to OH provided on the surface of the light emitting device 120. At this time, if the thickness of the adhesive 130 provided on the side surface of the light emitting device 120 is too thick, the luminous intensity Po is lowered, and thus an appropriate thickness control is required. In addition, since the adhesive 130 is disposed on the side surface of the light emitting device 120, the adhesive 130 is provided with a double protective film structure to improve moisture resistance and to protect the light emitting device 120 from other contaminants.

また、前記接着剤130が前記発光素子120の下部及び周りに提供されることで、例えば前記接着剤130が遠心分離工法等によって提供されてもよい。前記接着剤130が前記本体113に塗布され、遠心分離工法によって前記接着剤130が前記発光素子120の下部及び周り領域に拡散して提供される。このように、遠心分離工法等が適用される場合、前記接着剤130に含まれた反射物質が下部領域に沈降する。これによって、前記発光素子120の活性層の側面には一種のクリアモールディング部のみが配置され、反射物質は前記発光素子120の活性層より低い領域に配置されるので、光度Poをより向上させることができる。   In addition, the adhesive 130 may be provided below and around the light emitting device 120 so that, for example, the adhesive 130 may be provided by a centrifugal separation method or the like. The adhesive 130 is applied to the main body 113, and the adhesive 130 is provided by diffusing to the lower and surrounding areas of the light emitting device 120 by a centrifugal separation method. As described above, when a centrifugal separation method or the like is applied, the reflective material included in the adhesive 130 settles in the lower region. Accordingly, only a kind of clear molding part is disposed on the side surface of the active layer of the light emitting device 120, and the reflective material is disposed in a region lower than the active layer of the light emitting device 120, thereby further improving the luminous intensity Po. Can do.

また、別の実施例によれば、前記接着剤130と前記前記本体113が同一物質を含むこともできる。   Further, according to another embodiment, the adhesive 130 and the main body 113 may include the same material.

そして、実施例によれば、前記本体113、前記接着剤130、前記発光素子120の間のCTE(Coefficient of Thermal Expansion)マッチングを考慮して前記接着剤130の物性を選択することで、熱衝撃によるクラック(crack)や剥離が発生する問題を改善することができる。   In addition, according to the embodiment, by selecting physical properties of the adhesive 130 in consideration of CTE (Coefficient of Thermal Expansion) matching among the main body 113, the adhesive 130, and the light emitting device 120, thermal shock It is possible to improve the problem of cracks and delamination caused by the above.

以上の実施例で説明された特徴、構造、効果等は少なくとも1つの実施例に含まれ、必ず1つの実施例のみに限定されるものではない。さらに、各実施例で例示された特徴、構造、効果等は、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって別の実施例に組合せまたは変形して実施可能である。従って、そのような組合せと変形に係る内容は、実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。   The features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like exemplified in each embodiment can be implemented by combining or modifying another embodiment by those who have ordinary knowledge in the field to which the embodiment belongs. Accordingly, the contents relating to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示にすぎず、実施例を限定するものではなく、実施例が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施可能であり、そしてそのような変形と応用に係る差異点は、添付された特許請求の範囲で設定する実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。   Although the embodiments have been described above, this is merely an example and is not intended to limit the embodiments. Anyone who has ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong can be used. Various modifications and applications not described above may be made without departing from the above characteristics. For example, each of the components specifically shown in the embodiments can be modified and implemented, and the difference between such modifications and applications is within the scope of the embodiments set in the appended claims. Should be construed as included.

110 パッケージ本体、111 第1フレーム、112 第2フレーム、113 本体、120 発光素子、121 第1パッド電極、122 第2パッド電極、123 半導体構造物、125 第1分岐電極、126 第2分岐電極、127 第1電極、128 第2電極、130 接着剤、135 樹脂部、140 モールディング部、221 第1導電体、222 第2導電体、310 回路基板、311 第1パッド、312 第2パッド、313 基板、321 第1導電層、321a 第1上部導電層、321b 第1下部導電層、322 第2導電層、322a 第2上部導電層、322b 第2下部導電層、R リセス、TH1 第1開口部、TH2 第2開口部。 110 package body, 111 first frame, 112 second frame, 113 body, 120 light emitting element, 121 first pad electrode, 122 second pad electrode, 123 semiconductor structure, 125 first branch electrode, 126 second branch electrode, 127 1st electrode, 128 2nd electrode, 130 Adhesive, 135 Resin part, 140 Molding part, 221 1st conductor, 222 2nd conductor, 310 Circuit board, 311 1st pad, 312 2nd pad, 313 board , 321a first conductive layer, 321a first upper conductive layer, 321b first lower conductive layer, 322 second conductive layer, 322a second upper conductive layer, 322b second lower conductive layer, R recess, TH1 first opening, TH2 Second opening.

Claims (20)

上面と下面を貫通する第1及び第2開口部を含む本体と、
前記本体の上に配置され、第1及び第2ボンディング部を含む発光素子と、
前記本体の下に配置され、前記第1及び第2ボンディング部とそれぞれ電気的に連結された第1及び第2導電層と、
を含み、
前記第1及び第2ボンディング部は、前記第1及び第2開口部内から下部方向に延長されて突出した突出部をそれぞれ含む、発光素子パッケージ。
A body including first and second openings penetrating the top and bottom surfaces;
A light emitting device disposed on the body and including first and second bonding portions;
First and second conductive layers disposed under the body and electrically connected to the first and second bonding parts, respectively;
Including
The light emitting device package according to claim 1, wherein the first and second bonding parts include protrusions extending downward from the first and second openings.
前記本体と前記発光素子との間に配置された樹脂をさらに含む、請求項1に記載の発光素子パッケージ。   The light emitting device package according to claim 1, further comprising a resin disposed between the main body and the light emitting device. 前記第1及び第2ボンディング部の前記突出部は、前記第1及び第2開口部内にそれぞれ配置される、請求項1または2に記載の発光素子パッケージ。   3. The light emitting device package according to claim 1, wherein the protrusions of the first and second bonding portions are disposed in the first and second openings, respectively. 前記第1ボンディング部の前記突出部の下面は、前記第1開口部の上面より低く配置される、請求項1から3のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   4. The light emitting device package according to claim 1, wherein a lower surface of the protruding portion of the first bonding portion is disposed lower than an upper surface of the first opening. 前記第1ボンディング部の前記突出部は、円柱形状または多角柱形状に提供される、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   5. The light emitting device package according to claim 1, wherein the protruding portion of the first bonding portion is provided in a columnar shape or a polygonal column shape. 前記第1及び第2ボンディング部の形状は、前記第1及び第2開口部の上部領域の形状に対応して提供される、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   6. The light emitting device package according to claim 1, wherein shapes of the first and second bonding portions are provided corresponding to shapes of upper regions of the first and second openings. 6. 前記第1導電層と前記第2導電層は、前記本体の前記下面で相互離隔して配置される、請求項1から6のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   The light emitting device package according to any one of claims 1 to 6, wherein the first conductive layer and the second conductive layer are spaced apart from each other on the lower surface of the main body. 前記第1及び第2ボンディング部の前記突出部の幅は、前記第1及び第2開口部の上部領域の幅より小さく提供される、請求項1から7のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   8. The light emitting device according to claim 1, wherein a width of the protruding portion of the first and second bonding portions is provided smaller than a width of an upper region of the first and second openings. package. 前記第1導電層の上面の第1領域は、前記第1開口部の下に配置され、
前記第1導電層の前記上面の第2領域は、前記本体の前記下面の下に配置される、請求項1から8のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
A first region on an upper surface of the first conductive layer is disposed under the first opening;
9. The light emitting device package according to claim 1, wherein the second region of the upper surface of the first conductive layer is disposed under the lower surface of the main body.
前記第1導電層の前記上面の前記第1領域は、前記第1開口部と垂直方向に重なって配置される、請求項9に記載の発光素子パッケージ。   10. The light emitting device package according to claim 9, wherein the first region on the upper surface of the first conductive layer is disposed so as to overlap with the first opening. 前記第1導電層の前記上面の前記第2領域は、前記本体の前記下面と垂直方向に重なって配置される、請求項9または10に記載の発光素子パッケージ。   11. The light emitting device package according to claim 9, wherein the second region of the upper surface of the first conductive layer is disposed so as to overlap with the lower surface of the main body in a vertical direction. 前記第1導電層の一部領域は、前記第1ボンディング部の前記突出部の周りに配置される、請求項1から11のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   The light emitting device package according to claim 1, wherein a partial region of the first conductive layer is disposed around the protruding portion of the first bonding portion. 前記第1及び第2ボンディング部は、Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITOを含む群から選択される少なくとも1つの物質またはその合金を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   The first and second bonding parts include Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh. And at least one substance selected from the group comprising Sn, Cu, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Au / ITO, or an alloy thereof. The light emitting device package according to any one of 1 to 12. 前記第1及び第2導電層は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu、SAC(Sn-Ag-Cu)を含む群から選択される少なくとも1つの物質またはその合金を含む、請求項1から13のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   The first and second conductive layers include at least one substance selected from the group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and SAC (Sn-Ag-Cu) or an alloy thereof. The light emitting device package according to any one of the above. 前記樹脂は、ホワイトシリコーンを含む、請求項2に記載の発光素子パッケージ。   The light emitting device package according to claim 2, wherein the resin includes white silicone. 前記樹脂は、前記本体の前記上面と前記発光素子の下面に直接接触して提供される、請求項2または15に記載の発光素子パッケージ。   The light emitting device package according to claim 2, wherein the resin is provided in direct contact with the upper surface of the main body and the lower surface of the light emitting device. 前記樹脂は、前記第1及び第2ボンディング部の周りに提供される、請求項2、15、16のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   The light emitting device package according to claim 2, 15 or 16, wherein the resin is provided around the first and second bonding portions. 前記本体は、前記本体の前記上面から前記下面方向に凹むように提供されるリセスをさらに含み、
前記樹脂は、前記リセスに提供される、請求項2、15から17のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
The main body further includes a recess provided to be recessed from the upper surface of the main body toward the lower surface,
The light emitting device package according to claim 2, wherein the resin is provided in the recess.
前記本体の側面と前記第1導電層の側面は、同一平面に提供される、請求項1から18のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   The light emitting device package according to claim 1, wherein a side surface of the main body and a side surface of the first conductive layer are provided on the same plane. 前記本体の前記上面は、全体領域で平坦な形状に提供される、請求項1から19のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。   The light emitting device package according to claim 1, wherein the upper surface of the main body is provided in a flat shape in an entire region.
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