KR20190021989A - Light emitting device package - Google Patents

Light emitting device package Download PDF

Info

Publication number
KR20190021989A
KR20190021989A KR1020170107566A KR20170107566A KR20190021989A KR 20190021989 A KR20190021989 A KR 20190021989A KR 1020170107566 A KR1020170107566 A KR 1020170107566A KR 20170107566 A KR20170107566 A KR 20170107566A KR 20190021989 A KR20190021989 A KR 20190021989A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
opening
recess
disposed
Prior art date
Application number
KR1020170107566A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102379834B1 (en
Inventor
김원중
이태성
송준오
임창만
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020170107566A priority Critical patent/KR102379834B1/en
Priority to EP18185956.2A priority patent/EP3439050B1/en
Priority to TW107126543A priority patent/TWI775911B/en
Priority to US16/052,247 priority patent/US10749089B2/en
Priority to JP2018144644A priority patent/JP7228871B2/en
Priority to CN201810869572.1A priority patent/CN109390449B/en
Publication of KR20190021989A publication Critical patent/KR20190021989A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102379834B1 publication Critical patent/KR102379834B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

The present invention provides a semiconductor device package which can increase light extraction efficiency and electrical properties, a manufacturing method thereof and a light source apparatus. According to an embodiment of the present invention, a light emitting device package comprises: a package body; a light emitting device arranged on the package body; and an adhesive arranged between the package body and the light emitting device. The package body includes first and second opening units passing through the package body on an upper surface of the package body and a recess which is recessed from the upper surface of the package body to a lower surface of the package body, and the light emitting device includes a first bonding unit arranged on the first opening unit and a second bonding unit arranged on the second opening unit. Moreover, the adhesive is supplied to the recess and the recess is provided in a closed loop shape around the first and second opening units.

Description

발광소자 패키지 {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiments relate to a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.

특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group II-VI compound semiconductor material can be used for a variety of applications such as red, Blue and ultraviolet rays can be realized. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconductor material can realize a white light source having high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconducting material, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. Further, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of element materials, and can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diode (LED) lighting devices, automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device can be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electric energy is converted into light energy by using a group III-V element or a group II-VI element in the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors have received great interest in the development of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. Particularly, a blue light emitting element, a green light emitting element, an ultraviolet (UV) light emitting element, and a red (RED) light emitting element using a nitride semiconductor are commercially available and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. It is used for sterilizing and purifying in the wavelength band, short wavelength, Can be used.

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm) and UV-C (200nm ~ 280nm) in the long wavelength order. UV-A (315nm ~ 400nm) is applied in various fields such as UV curing for industrial use, curing of printing ink, exposure machine, discrimination of counterfeit, photocatalytic disinfection and special illumination (aquarium / ) Area is used for medical use, and UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products and the like.

한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. On the other hand, a semiconductor device capable of providing a high output has been requested, and a semiconductor device capable of increasing a power by applying a high power source has been studied.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies are being made on a method for improving the light extraction efficiency of a semiconductor device and improving the light intensity at a package end in a semiconductor device package. In addition, studies have been made on a method for improving the bonding strength between a package electrode and a semiconductor device in a semiconductor device package.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies have been made on a method for reducing the manufacturing cost and improving the manufacturing yield by improving the process efficiency and changing the structure in the semiconductor device package.

실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.

실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device, which can improve the process efficiency and provide a new package structure to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.

실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package that can prevent a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of a semiconductor device package in a process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like have.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 배치된 발광소자; 및 상기 패키지 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 접착제; 를 포함하고, 상기 패키지 몸체는 상기 패키지 몸체의 상면에서 상기 패키지 몸체를 관통하는 제1 및 제2 개구부와, 상기 패키지 몸체의 상면에서 상기 패키지 몸체의 하면으로 오목한 리세스를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제1 개구부 위에 배치된 제1 본딩부와 상기 제2 개구부 위에 배치된 제2 본딩부를 포함하고, 상기 리세스에 상기 접착제가 제공되고, 상기 리세스는 상기 제1 및 제2 개구부 둘레에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a package body; A light emitting element disposed on the package body; And an adhesive disposed between the package body and the light emitting device; Wherein the package body includes first and second openings passing through the package body at an upper surface of the package body and a recess recessed from the upper surface of the package body toward the lower surface of the package body, Wherein the recess comprises a first bonding portion disposed over the first opening and a second bonding portion disposed over the second opening, wherein the recess is provided with the adhesive, and the recess is formed around the first and second openings It can be provided in a closed loop shape.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자의 크기가 상기 리세스에 의하여 제공된 폐루프 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, when seen from the upper direction of the light emitting element, the size of the light emitting element can be provided larger than the closed loop area provided by the recess.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자의 네 측면을 연결하는 외곽선 내에 상기 리세스에 의하여 제공된 폐루프가 제공될 수 있다.According to the embodiment, a closed loop provided by the recess can be provided in an outline connecting four sides of the light emitting element when viewed from the upper direction of the light emitting element.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자의 네 측면을 연결하는 외곽선이 상기 리세스 위에 중첩되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, when viewed from the upper direction of the light emitting device, an outline connecting the four sides of the light emitting device may be provided over the recess.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 패키지 몸체는 제1 프레임, 제2 프레임, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 몸체를 포함하고, 상기 제1 개구부는 상기 제1 프레임에 제공되고, 상기 제2 개구부는 상기 제2 프레임에 제공되고, 상기 리세스는 상기 제1 프레임, 상기 몸체, 상기 제2 프레임의 상면에 연결되어 제공될 수 있다.The light emitting device package may include a first frame, a second frame, a body disposed between the first frame and the second frame, and the first opening may be provided in the first frame And the second opening is provided in the second frame, and the recess may be provided in connection with the upper surface of the first frame, the body, and the second frame.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 패키지 몸체의 상면에서 하면 방향으로 오목한 상부 리세스를 더 포함하고, 상기 상부 리세스는 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 제공될 수 있다.The light emitting device package according to an embodiment may further include an upper recess recessed in a downward direction from an upper surface of the package body, and the upper recess may be provided between the first opening and the second opening.

실시 예에 의하면, 상기 접착제는 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 둘레에 배치될 수 있다According to an embodiment, the adhesive may be disposed around the first bonding portion and the second bonding portion

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 개구부에 배치되어 상기 제1 본딩부와 전기적으로 연결된 제1 도전층과, 상기 제2 개구부에 배치되어 상기 제2 본딩부와 전기적으로 연결된 제2 도전층을 포함할 수 있다.The light emitting device package may include a first conductive layer disposed in the first opening and electrically connected to the first bonding portion, a second conductive layer disposed in the second opening and electrically connected to the second bonding portion, Layer.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 본딩부와 상기 제1 도전층 사이에 배치된 제1 도전체와, 상기 제2 본딩부와 상기 제2 도전층 사이에 배치된 제2 도전체를 포함할 수 있다.The light emitting device package may include a first conductor disposed between the first bonding portion and the first conductive layer and a second conductor disposed between the second bonding portion and the second conductive layer, .

실시 예에 의하면, 상기 접착제는 상기 패키지 몸체의 상면 및 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되어 제공되고, 상기 제1 및 제2 본딩부 둘레를 둘러 싸고 밀봉시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the adhesive is provided in direct contact with the upper surface of the package body and the lower surface of the light emitting device, and may be enclosed and sealed around the first and second bonding portions.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for fabricating a semiconductor device package according to the embodiments, the light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability can be improved.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device package according to the embodiments, the process efficiency is improved and a new package structure is presented, which is advantageous in that the manufacturing cost can be reduced and the manufacturing yield can be improved.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The semiconductor device package according to the embodiment has an advantage that the reflector can be prevented from being discolored by providing the body with high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되거나 열 처리 되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiments, it is possible to prevent the re-melting phenomenon from occurring in the bonding region of the semiconductor device package in the process of re-bonding or heat- There are advantages to be able to.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 패키지 몸체, 리세스, 개구부의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 발광소자 패키지의 패키지 몸체, 리세스, 개구부, 상부 리세스의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 15는 도 14에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 16은 도 15에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 17은 도 14에 도시된 발광소자 패키지의 패키지 몸체, 리세스, 개구부의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 도 18에 도시된 발광소자 패키지의 패키지 몸체, 리세스, 개구부, 상부 리세스의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 23은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 24는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자를 설명하는 평면도이다.
도 25는 도 24에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.
도 26은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 다른 예를 설명하는 평면도이다.
도 27은 도 26에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.1 is a view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining the arrangement of the package body, the recess, and the openings of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
4 to 7 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
9 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
10 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
11 is a view for explaining the arrangement of the package body, the recess, the opening, and the upper recess of the light emitting device package shown in FIG.
12 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
13 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
14 is a plan view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
15 is a bottom view of the light emitting device package shown in Fig.
16 is a cross-sectional view along the DD line of the light emitting device package shown in Fig.
17 is a view for explaining the arrangement of the package body, the recess, and the openings of the light emitting device package shown in Fig.
18 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
19 is a view for explaining the arrangement relationship of the package body, the recess, the opening, and the upper recess of the light emitting device package shown in Fig.
20 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
21 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
22 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
23 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
24 is a plan view illustrating a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
25 is a cross-sectional view taken along the line AA of the light emitting device shown in Fig.
26 is a plan view illustrating another example of the light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
27 is a cross-sectional view along the FF line of the light emitting element shown in Fig.

이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to drawings, but the embodiment is not limited thereto.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a method for fabricating a semiconductor device package and a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a case where a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described.

먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 패키지 몸체, 리세스, 개구부의 배치 관계를 설명하는 도면이다.First, referring to FIGS. 1 to 3, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. The recesses, and the openings of the package.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIGS.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)와 반사부(117)를 포함할 수 있다. 상기 반사부(117)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 반사부(117)는 상기 몸체(113)의 상부 면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 반사부(117)는 상기 몸체(113)의 상부 면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The package body 110 may include a body 113 and a reflective portion 117. The reflector 117 may be disposed on the body 113. The reflector 117 may be disposed around the upper surface of the body 113. The reflector 117 may provide a cavity C on the upper surface of the body 113.

다른 표현으로서, 상기 몸체(113)는 하부 몸체, 상기 반사부(117)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. 또한, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티를 제공하는 반사부(117)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 상기 몸체(113)만을 포함할 수도 있다.In other words, the body 113 may be referred to as a lower body, and the reflection portion 117 may be referred to as an upper body. Also, according to the embodiment, the package body 110 may not include the reflection portion 117 providing the cavity, but may include only the body 113 providing the flat upper surface.

상기 반사부(117)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 반사부(117)는 상기 몸체(113)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.The reflective portion 117 may reflect light emitted from the light emitting device 120 in an upward direction. The reflector 117 may be inclined with respect to the upper surface of the body 113.

상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티는 바닥면과, 상기 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 상면으로 경사진 측면을 포함할 수 있다.The package body 110 may include the cavity C. The cavity may include a bottom surface and a side surface inclined to the top surface of the package body 110 from the bottom surface.

실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the package body 110 may be provided with a cavity C, or may be provided with a flat upper surface without a cavity C.

예로서, 상기 패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the package body 110 may be formed of a material selected from the group consisting of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, silicone, epoxy molding compound (EMC) , Silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. In addition, the package body 110 may include a high refractive index filler such as TiO 2 and SiO 2 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124. [

상기 발광소자(120)는, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124. The light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. The first bonding portion 121 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer. In addition, the second bonding portion 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 반사부(117)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the body 113. The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the reflective portion 117.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113.

상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 may be formed of any one selected from the group consisting of Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, At least one material or alloy selected from the group consisting of Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Or may be formed as a single layer or multiple layers.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIGS.

상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The package body 110 may include the first opening TH1 passing through a bottom surface of the package body 110 on the bottom surface of the cavity C. [ The package body 110 may include the second opening TH2 through the lower surface of the package body 110 on the bottom surface of the cavity C. [

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the body 113. [ The first opening TH1 may be provided through the body 113. [ The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the body 113 in a first direction.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the body 113. [

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the body 113 in a first direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided in a superimposed manner with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the body 113. [

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120. [

실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width of the first bonding portion 121. [ In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be less than or equal to the width of the second bonding portion 122.

또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. The width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.

상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. The second opening portion TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.

다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. The inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes and the inclined surfaces may be arranged with a curvature . The width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the bottom area of the body 113 may be several hundred micrometers. The width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the body 113 may be in a range of 100 micrometers to 150 micrometers.

상기 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 본딩부 간의 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface area of the body 113 may be larger than the width of the light emitting device package 100 when the light emitting device package 100 according to the embodiment is later mounted on a circuit board, May be selected to be provided over a certain distance in order to prevent a short between the bonding portions.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 하면으로 오목하게 제공될 수 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a recess R, as shown in FIGS. The recess R may be recessed from the bottom surface of the cavity C to the lower surface of the package body 110.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 제2 개구부(TH2)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be provided between the first opening TH1 and the reflective portion 117. [ The recess R may be provided between the second opening TH2 and the reflective portion 117. [ The recess (R) may be recessed in a downward direction from an upper surface of the body (113). The recess R may be disposed below the light emitting device 120. For example, the recess R may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 리세스(R)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 개구부(TH1)에 인접하게 배치된 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 리세스(R)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 개구부(TH2)에 인접하게 배치된 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. The recess R is disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117 disposed adjacent to the first opening TH1 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. [ . The recess R may be formed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117 disposed adjacent to the second opening portion TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [ As shown in FIG.

상기 리세스(R)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 둘레에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the form of a closed loop around the first and second openings TH1 and TH2.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 크기가 상기 리세스(R)에 의하여 제공된 폐루프 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The size of the light emitting device 120 may be larger than the closed loop area provided by the recess R when seen from the upper direction of the light emitting device 120. [

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 네 측면을 연결하는 외곽선 내에 상기 리세스(R)에 의하여 형성된 폐루프가 제공될 수 있다.A closed loop formed by the recess R may be provided in an outline connecting the four sides of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment may include an adhesive 130, as shown in FIG.

상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117. The adhesive 130 may be disposed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117. For example, the adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed, for example, in direct contact with the upper surface of the body 113. In addition, the adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 예로서 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120. If the adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone. When the adhesive 130 includes a reflection function, the adhesive 130 may be formed of a material including, for example, TiO 2 , Silicone, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이에 비해 작게 제공될 수 있다. According to the embodiment, the depth of the recess R may be smaller than the depth of the first opening TH1 or the depth of the second opening TH2.

상기 리세스(R)의 깊이는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. A depth T1 of the recess R may be determined by considering a stable strength of the body 113 and / or by a heat emitted from the light emitting device 120, a crack may be generated in the light emitting device package 100 Can be determined.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which a kind of underfill process may be performed under the light emitting device 120. The recess R may be provided at a depth greater than the first depth so that the adhesive 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113. In addition, the recesses R may be provided at a second depth or less to provide stable strength of the body 113.

상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth and width W3 of the recess R may affect the forming position and fixing force of the adhesive 130. [ The depth and width W3 of the recess R may be determined so that a sufficient fixing force can be provided by the adhesive 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 120. [

예로서, 상기 리세스(R)의 깊이는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth of the recess R may be provided by a few tens of micrometers. The depth of the recess (R) may be from 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width W3 of the recess R may be provided to several hundred micrometers. The width W3 of the recess R may be provided in the range of 140 micrometers to 160 micrometers. By way of example, the width W3 of the recess R may be provided at 150 micrometers.

상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 외부로부터 밀봉될 수 있게 된다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)의 형상을 따라 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 사각 형상의 폐루프로 제공될 수도 있으며, 원형 또는 타원 형상의 폐루프로 제공될 수도 있다.The first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 can be sealed from the outside by the adhesive 130 provided in the recess R. [ The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in a closed loop shape along the shape of the recess R, as shown in FIGS. The recess R may be provided in a rectangular closed loop, or may be provided in a circular or elliptical closed loop.

상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. The depth of the first opening TH1 may be provided corresponding to the thickness of the body 113. The depth of the first opening TH1 may be a thickness that can maintain the strength of the body 113 in a stable manner.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth of the first opening TH1 may be several hundred micrometers. The depth of the first opening TH1 may be 180 to 220 micrometers. For example, the depth of the first opening TH1 may be 200 micrometers.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이에서 상기 리세스(R)의 깊이를 뺀 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. For example, the thickness of the first opening TH1 minus the depth of the recess R may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the body 113.

실시 예에 의하면, 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 리세스(R)의 깊이에 대해 2 배 내지 10 배로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, 상기 리세스(R)의 깊이는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the depth of the first opening TH1 may be provided by 2 to 10 times the depth of the recess R. [ For example, when the depth of the first opening TH1 is 200 micrometers, the depth of the recess R may be 20 micrometers to 100 micrometers.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a molding part 140, as shown in FIG.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 반사부(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120. The molding part 140 may be disposed on the body 113. The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the reflection part 117.

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. The molding unit 140 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the molding part 140 may include a phosphor, a quantum dot, and the like.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.Further, according to the embodiment, the light emitting structure 123 may be provided as a compound semiconductor. The light emitting structure 123 may be formed of, for example, a Group 2-VI-VI or Group III-V compound semiconductor. For example, the light emitting structure 123 may include at least two elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As) .

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer.

상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of at least one of Group III-V-Vs or Group V-VIs compound semiconductors. The first and second conductivity type semiconductor layers are formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? . For example, the first and second conductive semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, . The first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se or Te. The second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr or Ba.

상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be formed of a compound semiconductor. The active layer may be implemented, for example, in at least one of Group 3-Group-5 or Group-6-Group compound semiconductors. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of alternately arranged well layers and a plurality of barrier layers, and may be In x Al y Ga 1 -x- y N , 0? Y? 1, 0? X + y? 1). For example, the active layer may be selected from the group consisting of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, And may include at least one.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322, as shown in FIG. The first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121. The width of the first conductive layer 321 may be smaller than the width of the first bonding portion 121.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed. The width of the first bonding portion 121 may be greater than the width of the first opening TH1 in the second direction.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be surrounded by the body 113.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be smaller than the width of the second bonding portion 122.

상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed. The width of the second bonding portion 122 may be greater than the width of the second opening TH2 in the second direction.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be surrounded by the body 113.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있다.The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 . For example, external power may be supplied to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322, so that the light emitting device 120 may be driven.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)가, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 패키지 몸체(110)의 상부면 사이에 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다.1 to 3, the adhesive 130 provided on the recess R may be formed on the lower surface of the light emitting device 120. In the light emitting device package 100 according to the embodiment, And the upper surface of the package body 110. [0035] The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second bonding portions 121 and 122 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second openings TH1 and TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.The adhesive 130 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110. The adhesive 130 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The adhesive 130 may be arranged such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the molding part 140. In other words,

상기 접착제(130)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TRH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)의 폐루프를 벗어나 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.The first and second conductive layers 321 and 322 provided in the first and second openings TRH1 and TH2 are separated from the closed loop of the recess R by the adhesive 130, It can be prevented that it flows outwardly of the base 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)에 의하여 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 기준으로, 내부와 외부가 격리될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.However, according to the embodiment, since the inside and the outside can be isolated based on the region where the recess R is provided by the adhesive 130, the first and second conductive layers 321 and 322 It is possible to prevent the recess R from moving outward beyond the provided region.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Therefore, according to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, 120 can be prevented from being electrically short-circuited and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부면을 따라 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 제1 영역(A1)으로 이동되어 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 4개의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 접착제(130)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may move along a lower surface of the light emitting device 120 to a first region A1 located below the light emitting device 120. In this case, And may be disposed in contact with the four side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The first and second bonding portions 121 and 122 may be disposed so as to be surrounded by the adhesive 130 and the first and second openings TH1 and TH2 may be formed by the adhesive 130, As shown in Fig.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면 위로 이동되는 것이 방지될 수 있다.Since the first and second openings TH1 and TH2 can be sealed by the adhesive 130 as described above, the first and second openings TH1 and TH2 provided in the first and second openings TH1 and TH2, (321, 322) can be prevented from moving over the upper surface of the body (113).

한편, 상기 접착제(130)의 양이 충분하게 제공되지 못하는 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.If the amount of the adhesive 130 is not sufficiently provided, the first region A1 positioned below the light emitting device 120 is not filled with the adhesive 130, ≪ / RTI > Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

그러면, 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기로 한다.4 to 7, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.

도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 4 to 7, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110)가 제공될 수 있다.Referring to FIG. 4, a method of fabricating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may include providing a package body 110.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)와 반사부(117)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 리세스(R)를 포함할 수 있다.The package body 110 may include a body 113 and a reflective portion 117. The package body 110 may include a first opening TH1 and a second opening TH2. In addition, the package body 110 may include a recess (R).

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be provided in the body 113. [ The first opening TH1 may be provided through the body 113. [ The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the body 113 in a first direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be provided in the body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the body 113 in a first direction.

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 제2 개구부(TH2)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be provided between the first opening TH1 and the reflective portion 117. [ The recess R may be provided between the second opening TH2 and the reflective portion 117. [ The recess (R) may be recessed in a downward direction from an upper surface of the body (113). The recess R may be disposed below the light emitting device 120. For example, the recess R may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120.

상기 리세스(R)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. The recess R may be disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117. The recess R may be disposed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117.

다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)에 접착제(130)가 제공될 수 있다.Next, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, an adhesive 130 may be provided to the recess R as shown in FIG.

상기 접착제(130)는 상기 리세스(R) 영역에 도팅(doting) 방식 등을 통하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)가 형성된 영역에 일정량 제공될 수 있으며, 상기 리세스(R)를 넘치도록 제공될 수 있다.The adhesive 130 may be provided to the recess region through a dotting method or the like. For example, the adhesive 130 may be provided in a region where the recess R is formed, and may be provided to overflow the recess R.

그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(113) 위에 발광소자(120)가 제공될 수 있다. 6, the light emitting device 120 may be provided on the body 113. In addition, as shown in FIG.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)가 상기 몸체(113) 위에 배치되는 과정에서 상기 리세스(R)는 일종의 정렬키(align key) 역할을 하도록 활용될 수도 있다.The recess R may be used as an align key in the process of disposing the light emitting device 120 on the body 113. [

상기 발광소자(120)는 상기 접착제(130)에 의하여 상기 몸체(113)에 고정될 수 있다. 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)의 일부는 상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 방향으로 이동되어 경화될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이의 넓은 영역에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있으며, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 고정력이 향상될 수 있게 된다.The light emitting device 120 may be fixed to the body 113 by the adhesive 130. A part of the adhesive 130 provided in the recess R may be moved in the direction of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 to be cured. Accordingly, the adhesive 130 may be provided over a wide area between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113, and the fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first opening TH1 may be disposed under the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the body 113. [

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided in a superimposed manner with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the body 113. [

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.The adhesive 130 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110. The adhesive 130 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The adhesive 130 may be arranged such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the molding part 140. In other words,

다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 위에 몰딩부(140)가 제공되고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공될 수 있다.7, the molding unit 140 is provided on the light emitting device 120, and the first and second openings TH1 and TH2 The first and second conductive layers 321 and 322 may be provided.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121. The width of the first conductive layer 321 may be smaller than the width of the first bonding portion 121.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed. The width of the first bonding portion 121 may be greater than the width of the first opening TH1 in the second direction.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be surrounded by the body 113.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be smaller than the width of the second bonding portion 122.

상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed. The width of the second bonding portion 122 may be greater than the width of the second opening TH2 in the second direction.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be surrounded by the body 113.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

상기 접착제(130)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TRH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)의 폐루프를 벗어나 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.The first and second conductive layers 321 and 322 provided in the first and second openings TRH1 and TH2 are separated from the closed loop of the recess R by the adhesive 130, It can be prevented that it flows outwardly of the base 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)에 의하여 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 기준으로, 내부와 외부가 격리될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.However, according to the embodiment, since the inside and the outside can be isolated based on the region where the recess R is provided by the adhesive 130, the first and second conductive layers 321 and 322 It is possible to prevent the recess R from moving outward beyond the provided region.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Therefore, according to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, 120 can be prevented from being electrically short-circuited and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부면을 따라 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 제1 영역(A1)으로 이동되어 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 4개의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 접착제(130)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may move along a lower surface of the light emitting device 120 to a first region A1 located below the light emitting device 120. In this case, And may be disposed in contact with the four side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The first and second bonding portions 121 and 122 may be disposed so as to be surrounded by the adhesive 130 and the first and second openings TH1 and TH2 may be formed by the adhesive 130, As shown in Fig.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면 위로 이동되는 것이 방지될 수 있다.Since the first and second openings TH1 and TH2 can be sealed by the adhesive 130 as described above, the first and second openings TH1 and TH2 provided in the first and second openings TH1 and TH2, (321, 322) can be prevented from moving over the upper surface of the body (113).

한편, 상기 접착제(130)의 양이 충분하게 제공되지 못하는 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.If the amount of the adhesive 130 is not sufficiently provided, the first region A1 positioned below the light emitting device 120 is not filled with the adhesive 130, ≪ / RTI > Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

한편, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)가 형성된 후에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 형성된 후에 상기 몰딩부(140)가 형성될 수도 있다.Meanwhile, according to the embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 may be formed after the molding part 140 is formed. Also, the molding part 140 may be formed after the first and second conductive layers 321 and 322 are formed.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110)가 형성됨에 있어, 종래 리드 프레임이 적용되지 않는다. In the light emitting device package 100 according to the embodiment, as described with reference to FIGS. 1 to 7, the conventional lead frame is not applied to the package body 110.

종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임을 형성하는 공정이 추가로 필요하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 리드 프레임을 형성하는 공정을 필요로 하지 않는다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 공정 시간이 단축될 뿐만 아니라 재료도 절감될 수 있는 장점이 있다.In the case of a light emitting device package to which a conventional lead frame is applied, a process of forming a lead frame is further required. However, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, a process of forming a lead frame is not required. Thus, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment of the present invention, not only the process time is shortened but also the material is also reduced.

또한, 종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임의 열화 방지를 위해 은 등의 도금 공정이 추가되어야 하지만, 본 발명의 실시 예에 다른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 리드 프레임이 필요하지 않으므로, 은 도금 등의 추가 공정이 없어도 된다. 이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 제조 원가를 절감하고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, in the case of the light emitting device package to which the conventional lead frame is applied, a plating process such as silver should be added to prevent deterioration of the lead frame. However, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment of the present invention, Therefore, additional processes such as silver plating may be omitted. As described above, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment of the present invention, manufacturing costs can be reduced and manufacturing yield can be improved.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package 100 according to the embodiment, power is connected to the first bonding portion 121 through the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1, and power is supplied to the second opening portion TH2 The second bonding portion 122 may be connected to the power supply via the second conductive layer 322.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding part 121 and the second bonding part 122. The light emitted from the light emitting device 120 may be provided in an upward direction of the package body 110.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.

그러면, 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하도록 한다. 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. 예로서, 상기 회로 기판(310)에 실장되는 발광소자 패키지(100)는 조명 장치에 사용될 수 있다.8 shows an example in which the light emitting device package 100 described with reference to FIGS. 1 to 7 is mounted on the circuit board 310 and supplied. For example, the light emitting device package 100 mounted on the circuit board 310 may be used in a lighting apparatus.

도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 8, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may be omitted from description of the same elements as those described with reference to FIGS. 1 to 7. FIG.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 8에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a circuit board 310, a package body 110, and a light emitting device 120, as shown in FIG.

상기 회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 지지기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 지지기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The circuit board 310 may include a first pad 311, a second pad 312, and a support substrate 313. A power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 may be provided on the support substrate 313. [

상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 본딩부(121)가 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 본딩부(122)가 전기적으로 연결될 수 있다.The package body 110 may be disposed on the circuit board 310. The first pad 311 and the first bonding portion 121 may be electrically connected to each other. The second pad 312 and the second bonding portion 122 may be electrically connected to each other.

상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The first pad 311 and the second pad 312 may include a conductive material. For example, the first pad 311 and the second pad 312 may be formed of a material selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, At least one selected material or alloy thereof. The first pad 311 and the second pad 312 may be provided as a single layer or a multilayer.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)와 반사부(117)를 포함할 수 있다.The package body 110 may include a body 113 and a reflective portion 117.

상기 패키지 몸체(110)는 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통하는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통되어 제공될 수 있다. The package body 110 may include a first opening TH1 and a second opening TH2 extending from the upper surface to the lower surface in a first direction. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be provided through the body 113 in a first direction from an upper surface to a lower surface.

상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.The light emitting device 120 may include a first bonding part 121, a second bonding part 122, and a light emitting structure 123.

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 반사부(117)에 의해 제공되는 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the body 113. The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the reflective portion 117.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the body 113. [

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패드(311)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 패드(311)는 수직 방향에서 서로 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be provided so as to overlap with the first pad 311. [ The first bonding part 121 and the first pad 311 may be provided to overlap each other in a vertical direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided in a superimposed manner with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the body 113. [

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 패드(312)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 패드(312)는 수직 방향에서 서로 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second pad 312. [ The second bonding portion 122 and the second pad 312 may be provided in a superimposed manner in a vertical direction.

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120. [

실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 as shown in FIG.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 서로 중첩되어 제공될 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be provided so as to overlap with the first bonding portion 121 in the vertical direction.

상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 몸체(113)의 상면과 동일 평면에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 하면은 상기 몸체(113)의 하면과 동일 평면에 제공될 수 있다.The upper surface of the first conductive layer 321 may be disposed on the same plane as the upper surface of the body 113. The lower surface of the first conductive layer 321 may be provided on the same plane as the lower surface of the body 113.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 서로 중첩되어 제공될 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 in the vertical direction.

상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 몸체(113)의 상면과 동일 평면에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 하면은 상기 몸체(113)의 하면과 동일 평면에 제공될 수 있다.The upper surface of the second conductive layer 322 may be disposed on the same plane as the upper surface of the body 113. The lower surface of the second conductive layer 322 may be provided on the same plane as the lower surface of the body 113.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material or an alloy thereof selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 본딩층(421)과 제2 본딩층(422)을 포함할 수 있다.The light emitting device package 400 according to the embodiment may include a first bonding layer 421 and a second bonding layer 422, as shown in FIG.

상기 제1 본딩층(421)은 상기 패키지 몸체(110)가 상기 회로기판(310)에 실장되는 공정에서 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩층(422)은 상기 패키지 몸체(110)가 상기 회로기판(310)에 실장되는 공정에서 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first bonding layer 421 may be electrically connected to the first bonding portion 121 in the process of mounting the package body 110 on the circuit board 310. The second bonding layer 422 may be electrically connected to the second bonding portion 122 in the process of mounting the package body 110 on the circuit board 310.

상기 제1 본딩층(421)과 상기 제2 본딩층(422)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 선택적 합금으로 형성될 수 있다.The first bonding layer 421 and the second bonding layer 422 may be formed of one selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, At least one material selected from the group consisting of platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorous (P), or a selective alloy.

실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩층(421)에 의하여 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩층(422)에 의하여 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322)가 전기적으로 연결될 수 있다.The first pad 311 of the circuit board 310 and the first conductive layer 321 may be electrically connected to each other by the first bonding layer 421. [ The second pad 312 of the circuit board 310 and the second conductive layer 322 may be electrically connected by the second bonding layer 422.

한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 유테틱 본딩에 의하여 상기 회로기판(310)에 실장될 수도 있다. 또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩층(421, 422)이 제공되지 않고, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 패드(311, 312)에 각각 전기적으로 연결될 수도 있다.According to the embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be mounted on the circuit board 310 by eutectic bonding. The first and second conductive layers 321 and 322 may be formed on the first and second pads 311 and 312, respectively, Respectively.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 8에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R) as shown in FIG.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 제2 개구부(TH2)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be provided between the first opening TH1 and the reflective portion 117. [ The recess R may be provided between the second opening TH2 and the reflective portion 117. [ The recess (R) may be recessed in a downward direction from an upper surface of the body (113). The recess R may be disposed below the light emitting device 120. For example, the recess R may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120.

상기 리세스(R)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. The recess R may be disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117. The recess R may be disposed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 8에 도시된 바와 같이, 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130, as shown in FIG.

상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117. The adhesive 130 may be disposed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117. For example, the adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed, for example, in direct contact with the upper surface of the body 113. In addition, the adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 예로서 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120. If the adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone. When the adhesive 130 includes a reflection function, the adhesive 130 may be formed of a material including, for example, TiO 2 , Silicone, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이에 비해 작게 제공될 수 있다. According to the embodiment, the depth of the recess R may be smaller than the depth of the first opening TH1 or the depth of the second opening TH2.

상기 리세스(R)의 깊이는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. A depth T1 of the recess R may be determined by considering a stable strength of the body 113 and / or by a heat emitted from the light emitting device 120, a crack may be generated in the light emitting device package 100 Can be determined.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which a kind of underfill process may be performed under the light emitting device 120. The recess R may be provided at a depth greater than the first depth so that the adhesive 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113. In addition, the recesses R may be provided at a second depth or less to provide stable strength of the body 113.

상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth and width W3 of the recess R may affect the forming position and fixing force of the adhesive 130. [ The depth and width W3 of the recess R may be determined so that a sufficient fixing force can be provided by the adhesive 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 120. [

예로서, 상기 리세스(R)의 깊이는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth of the recess R may be provided by a few tens of micrometers. The depth of the recess (R) may be from 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width W3 of the recess R may be provided to several hundred micrometers. The width W3 of the recess R may be provided in the range of 140 micrometers to 160 micrometers. By way of example, the width W3 of the recess R may be provided at 150 micrometers.

상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 외부로부터 밀봉될 수 있게 된다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)의 형상을 따라 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 사각 형상의 폐루프로 제공될 수도 있으며, 원형 또는 타원 형상의 폐루프로 제공될 수도 있다.The first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 can be sealed from the outside by the adhesive 130 provided in the recess R. [ The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in a closed loop shape along the shape of the recess R, as shown in FIGS. The recess R may be provided in a rectangular closed loop, or may be provided in a circular or elliptical closed loop.

상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. The depth of the first opening TH1 may be provided corresponding to the thickness of the body 113. The depth of the first opening TH1 may be a thickness that can maintain the strength of the body 113 in a stable manner.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth of the first opening TH1 may be several hundred micrometers. The depth of the first opening TH1 may be 180 to 220 micrometers. For example, the depth of the first opening TH1 may be 200 micrometers.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이에서 상기 리세스(R)의 깊이를 뺀 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. For example, the thickness of the first opening TH1 minus the depth of the recess R may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the body 113.

실시 예에 의하면, 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 리세스(R)의 깊이에 대해의 비는 2 배 내지 10 배로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, 상기 리세스(R)의 깊이는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the depth of the first opening TH1 may be provided in a ratio of 2 to 10 times with respect to the depth of the recess R. For example, when the depth of the first opening TH1 is 200 micrometers, the depth of the recess R may be 20 micrometers to 100 micrometers.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 8에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding part 140, as shown in FIG.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 반사부(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120. The molding part 140 may be disposed on the body 113. The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the reflection part 117.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110)가 형성됨에 있어, 종래 리드 프레임이 적용되지 않는다. In the light emitting device package 400 according to the embodiment, as described with reference to FIG. 8, the conventional lead frame is not applied in forming the package body 110.

종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임을 형성하는 공정이 추가로 필요하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면 리드 프레임을 형성하는 공정을 필요로 하지 않는다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 공정 시간이 단축될 뿐만 아니라 재료도 절감될 수 있는 장점이 있다.In the case of the light emitting device package to which the conventional lead frame is applied, a process of forming a lead frame is further required. However, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention does not require a process of forming a lead frame. Thus, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment of the present invention, not only the process time is shortened but also the material is also reduced.

또한, 종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임의 열화 방지를 위해 은 등의 도금 공정이 추가되어야 하지만, 본 발명의 실시 예에 다른 발광소자 패키지에 의하면 리드 프레임이 필요하지 않으므로, 은 도금 등의 추가 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 상기 발광소자 패키지의 실시 예들은 은 도금 등의 물질이 변색되는 문제점을 해결할 수 있고, 공정을 생략할 수 있다는 장점으로 제조 원가를 절감할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 제조 원가를 절감하고 제조 수율 및 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, in the case of the light emitting device package to which the conventional lead frame is applied, a plating process such as silver should be added to prevent deterioration of the lead frame. However, according to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, Silver plating and the like can be omitted. Accordingly, the embodiments of the light emitting device package can solve the problem of discoloration of materials such as silver plating, and the manufacturing cost can be reduced by omitting the process. Therefore, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment of the present invention, it is possible to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield and the reliability of the product.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)가, 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 패키지 몸체(110)의 상부면 사이에 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may be provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the package body 110 . The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second bonding portions 121 and 122 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second openings TH1 and TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.The adhesive 130 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110. The adhesive 130 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The adhesive 130 may be arranged such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the molding part 140. In other words,

상기 접착제(130)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TRH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)의 폐루프를 벗어나 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.The first and second conductive layers 321 and 322 provided in the first and second openings TRH1 and TH2 are separated from the closed loop of the recess R by the adhesive 130, It can be prevented that it flows outwardly of the base 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)에 의하여 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 기준으로, 내부와 외부가 격리될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.However, according to the embodiment, since the inside and the outside can be isolated based on the region where the recess R is provided by the adhesive 130, the first and second conductive layers 321 and 322 It is possible to prevent the recess R from moving outward beyond the provided region.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Therefore, according to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, 120 can be prevented from being electrically short-circuited and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부면을 따라 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 제1 영역(A1)으로 이동되어 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 4개의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 접착제(130)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may move along a lower surface of the light emitting device 120 to a first region A1 located below the light emitting device 120. In this case, And may be disposed in contact with the four side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The first and second bonding portions 121 and 122 may be disposed so as to be surrounded by the adhesive 130 and the first and second openings TH1 and TH2 may be formed by the adhesive 130, As shown in Fig.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면 위로 이동되는 것이 방지될 수 있다.Since the first and second openings TH1 and TH2 can be sealed by the adhesive 130 as described above, the first and second openings TH1 and TH2 provided in the first and second openings TH1 and TH2, (321, 322) can be prevented from moving over the upper surface of the body (113).

한편, 상기 접착제(130)의 양이 충분하게 제공되지 못하는 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.If the amount of the adhesive 130 is not sufficiently provided, the first region A1 positioned below the light emitting device 120 is not filled with the adhesive 130, ≪ / RTI > Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

한편, 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 발광소자 패키지에 대비하여 금속층(430)을 더 포함할 수 있다. 9 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, the light emitting device package according to the embodiment may further include a metal layer 430 in contrast to the light emitting device package described with reference to FIGS. 1 to 8.

상기 금속층(430)은 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 금속층(430)은 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 패키지 몸체(110)의 측벽과 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 패키지 몸체(110)의 측벽에 제공될 수 있다. The metal layer 430 may be provided in the first opening TH1 and the second opening TH2. The metal layer 430 may be provided on a side wall of the package body 110 providing the first opening TH1 and a side wall of the package body 110 providing the second opening TH2.

상기 금속층(430)은 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 금속층(430)은 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다.The metal layer 430 may be disposed between the package body 110 and the first conductive layer 321 providing the first opening TH1. In addition, the metal layer 430 may be disposed between the package body 110 and the second conductive layer 322 that provides the second opening TH2.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 금속층(430)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)과 인접한 상기 패키지 몸체(110)의 하면에도 제공될 수 있다.Also, according to the embodiment, the metal layer 430 may be provided on the lower surface of the package body 110 adjacent to the first and second openings TH1 and TH2.

상기 금속층(430)은 상기 패키지 몸체(110)와 접착력이 좋은 물성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속층(430)은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력이 좋은 물성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The metal layer 430 may be formed of a material having good adhesion to the package body 110. In addition, the metal layer 430 may be formed of a material having good adhesive properties to the first and second conductive layers 321 and 322.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 제공될 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 패키지 몸체(110)와의 접착력이 좋지 않은 경우에도, 상기 금속층(430)에 의하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 can be stably provided in the first and second openings TH1 and TH2. The first and second conductive layers 321 and 322 may be formed by the metal layer 430 even when the adhesion between the first and second conductive layers 321 and 322 and the package body 110 is poor, And 322 can be stably provided in the first and second openings TH1 and TH2.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 경우, 각 본딩부 아래에 하나의 개구부가 제공된 경우를 기준으로 설명되었다. In the meantime, in the case of the light emitting device package according to the embodiment described above, one opening is provided below each bonding portion.

그러나, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 각 개구부 아래에 복수의 개구부가 제공될 수도 있다. 또한, 복수의 개구부는 서로 다른 폭을 갖는 개구부로 제공될 수도 있다.However, according to the light emitting device package according to another embodiment, a plurality of openings may be provided under each opening. Further, the plurality of openings may be provided as openings having different widths.

또한, 실시 예에 따른 개구부의 형상은 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.Also, the shape of the opening according to the embodiment may be provided in various shapes.

예를 들어, 실시 예에 따른 개구부는 상부 영역으로부터 하부 영역까지 동일한 폭으로 제공될 수도 있다.For example, the opening according to the embodiment may be provided with the same width from the upper region to the lower region.

또한, 실시 예에 따른 개구부는 다단 구조의 형상으로 제공될 수도 있다. 예로서, 개구부는 2단 구조의 서로 다른 경사각을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다. 또한, 개구부는 3단 이상의 서로 다른 경사각을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다.Also, the opening according to the embodiment may be provided in a multi-step structure. For example, the openings may be provided in a shape having a different inclination angle of the two-stage structure. Further, the openings may be provided in a shape having three or more different inclination angles.

또한, 개구부는 상부 영역에서 하부 영역으로 가면서 폭이 변하는 형상으로 제공될 수도 있다. 예로서, 개구부는 상부 영역에서 하부 영역으로 가면서 곡률을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다.Further, the opening may be provided in a shape in which the width changes from the upper region to the lower region. As an example, the opening may be provided in a shape having a curvature from the upper region to the lower region.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 패키지 몸체(110)는 상면이 평탄한 몸체(113)만을 포함하고, 몸체(113) 위에 배치된 반사부(117)를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the package body 110 may include only the flat body 113 and may not include the reflective portion 117 disposed on the body 113.

다음으로, 도 10 및 도 11을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11. FIG.

도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 11은 도 10에 도시된 발광소자 패키지에 제공된 패키지 몸체, 리세스, 개구부, 상부 리세스의 배치 관계를 설명하는 도면이다. 10 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. FIG. 11 is a cross-sectional view of the package body, recess, opening, and upper recess provided in the light emitting device package shown in FIG. Fig.

도 10 및 도 11을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 10 and 11, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9. FIG.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 반도체 소자 패키지에 비하여 상부 리세스(R10)를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device package according to the embodiment may further include an upper recess R10 as compared to the semiconductor device package described with reference to Figs. 1 to 9, as shown in Figs. 10 and 11. Fig.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상부면에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)의 하부면 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided on the upper surface of the body 113. [ The upper recess R10 may be provided in the first region A1 positioned below the lower surface of the light emitting device 120. [ The upper recess R10 may be recessed in a first direction from the upper surface to the lower surface of the body 113.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있으며 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)에 아래에 상기 발광소자(120)의 단축 방향으로 연장되어 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided under the light emitting device 120 and may be provided between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. [ The upper recess R10 may be provided below the light emitting device 120 in a direction of a minor axis of the light emitting device 120. [

도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 리세스(R)에 제공되는 상기 접착제(130)의 양이 충분하지 못할 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.1 to 9, when the amount of the adhesive 130 provided to the recess R is not sufficient, the first region (for example, A1 may not be filled with the adhesive 130, and some areas may be provided as empty spaces. Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지가 상기 상부 리세스(R10)를 포함하는 경우, 상기 상부 리세스(R10)는 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 확산되어 이동되는 것을 더 제한하는 기능을 제공할 수 있다.In addition, when the light emitting device package according to the embodiment includes the upper recess R10, the upper recess R10 may be formed in the first region A1 by the first and second conductive layers 321 and 322 Can be provided.

상기 상부 리세스(R10)가 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 일부가 상기 몸체(113)의 상부로 확산되는 경우에도 상기 상부 리세스(R10)에서 일종의 트랩(trap) 효과가 발생되어 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한된다. 상기 제1 개구부(TH1)를 통하여 확산되는 상기 제1 도전층(321)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)를 통하여 확산되는 상기 제2 도전층(322)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 이는 표면 장력 등의 영향으로 인하여 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한되는 것으로 해석된다.Even when a portion of the first and second conductive layers 321 and 322 is diffused to the upper portion of the body 113 as the upper recess R10 is provided, a trap effect is generated and the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited. The first conductive layer 321 diffused through the first opening TH1 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . The second conductive layer 322 diffused through the second opening portion TH2 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . It is interpreted that the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited at the concave region boundary of the upper recess R10 due to the influence of surface tension and the like.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 안정적이고 확실하게 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.Accordingly, since the distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be stably and reliably controlled, The electrically conductive layer 321 and the second electrically conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

다음으로, 도 12를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.

도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 12를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.12 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 12, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 11. FIG.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12에 도시된 바와 같이, 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 반도체 소자 패키지에 비하여 발광소자(120)의 크기가 작게 제공될 수 있다.As shown in FIG. 12, the light emitting device package according to the embodiment may be provided with a smaller size of the light emitting device 120 than the semiconductor device package described with reference to FIGS.

도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 몸체(113)의 상부면이 연결되고 밀봉될 수 있게 된다. As described with reference to FIGS. 1 to 11, the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113 can be connected and sealed by the adhesive 130.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 발광소자 패키지에서는 상기 발광소자(120)가 상기 리세스(R)의 외측 경계면에 의해 형성되는 면적에 비해 더 크게 제공된 경우를 기준으로 설명되었다.In the light emitting device package described with reference to FIGS. 1 to 11 as viewed from above the light emitting device 120, the area of the light emitting device 120 formed by the outer boundary surface of the recess R And the case where a larger size is provided.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 외측면이 상기 리세스(R)와 중첩되게 제공될 수 있다.12, the outer surface of the light emitting device 120 overlaps with the recess R when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. However, in the light emitting device package according to the embodiment, . ≪ / RTI >

이와 같이, 상기 발광소자(120)의 외측면이 상기 리세스(R) 영역 위에 배치되도록 함으로써, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 몸체(113)의 상면이 고정되고 밀봉될 수 있게 된다.Since the outer surface of the light emitting device 120 is disposed on the recess R as described above, the adhesive 130 provided on the recess R allows the lower surface of the light emitting device 120, The upper surface of the body 113 can be fixed and sealed.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322, as shown in FIG. The first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121. The width of the first conductive layer 321 may be smaller than the width of the first bonding portion 121.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed. The width of the first bonding portion 121 may be greater than the width of the first opening TH1 in the second direction.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be surrounded by the body 113.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be smaller than the width of the second bonding portion 122.

상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed. The width of the second bonding portion 122 may be greater than the width of the second opening TH2 in the second direction.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be surrounded by the body 113.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있다.The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 . For example, external power may be supplied to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322, so that the light emitting device 120 may be driven.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)가, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 패키지 몸체(110)의 상부면 사이에 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 네 측면을 연결하는 외곽선이 상기 리세스(R) 위에 중첩되어 제공될 수 있다.12, the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the package body 110 (refer to FIG. 12) As shown in FIG. The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second bonding portions 121 and 122 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second openings TH1 and TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [ An outline connecting the four sides of the light emitting device 120 may be provided over the recess R when viewed from above the light emitting device 120. [

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.The adhesive 130 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110. The adhesive 130 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The adhesive 130 may be arranged such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the molding part 140. In other words,

상기 접착제(130)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TRH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)의 폐루프를 벗어나 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.The first and second conductive layers 321 and 322 provided in the first and second openings TRH1 and TH2 are separated from the closed loop of the recess R by the adhesive 130, It can be prevented that it flows outwardly of the base 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)에 의하여 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 기준으로, 내부와 외부가 격리될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.However, according to the embodiment, since the inside and the outside can be isolated based on the region where the recess R is provided by the adhesive 130, the first and second conductive layers 321 and 322 It is possible to prevent the recess R from moving outward beyond the provided region.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Therefore, according to the light emitting device package according to the embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, Electrical shorting can be prevented and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부면을 따라 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 제1 영역(A1)으로 이동되어 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 4개의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 접착제(130)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may move along a lower surface of the light emitting device 120 to a first region A1 located below the light emitting device 120. In this case, And may be disposed in contact with the four side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The first and second bonding portions 121 and 122 may be disposed so as to be surrounded by the adhesive 130 and the first and second openings TH1 and TH2 may be formed by the adhesive 130, As shown in Fig.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면 위로 이동되는 것이 방지될 수 있다.Since the first and second openings TH1 and TH2 can be sealed by the adhesive 130 as described above, the first and second openings TH1 and TH2 provided in the first and second openings TH1 and TH2, (321, 322) can be prevented from moving over the upper surface of the body (113).

한편, 상기 접착제(130)의 양이 충분하게 제공되지 못하는 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.If the amount of the adhesive 130 is not sufficiently provided, the first region A1 positioned below the light emitting device 120 is not filled with the adhesive 130, ≪ / RTI > Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

다음으로, 도 13을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.

도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 13을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 12를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.13 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 13, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 12. FIG.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 도 13에 도시된 바와 같이, 도 12를 참조하여 설명된 반도체 소자 패키지에 비하여 상부 리세스(R10)를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device package according to the embodiment may further include an upper recess R10 as compared to the semiconductor device package described with reference to FIG. 12, as shown in FIG.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상부면에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)의 하부면 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided on the upper surface of the body 113. [ The upper recess R10 may be provided in the first region A1 positioned below the lower surface of the light emitting device 120. [ The upper recess R10 may be recessed in a first direction from the upper surface to the lower surface of the body 113.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있으며 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)에 아래에 상기 발광소자(120)의 단축 방향으로 연장되어 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided under the light emitting device 120 and may be provided between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. [ The upper recess R10 may be provided below the light emitting device 120 in a direction of a minor axis of the light emitting device 120. [

도 1 내지 도 9, 도 12를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 리세스(R)에 제공되는 상기 접착제(130)의 양이 충분하지 못할 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.When the amount of the adhesive 130 provided to the recess R is not sufficient as described with reference to FIGS. 1 to 9 and 12, 1 region A1 may not be filled with the adhesive 130, and a portion of the region A1 may be provided as an empty space. Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지가 상기 상부 리세스(R10)를 포함하는 경우, 상기 상부 리세스(R10)는 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 확산되어 이동되는 것을 더 제한하는 기능을 제공할 수 있다.In addition, when the light emitting device package according to the embodiment includes the upper recess R10, the upper recess R10 may be formed in the first region A1 by the first and second conductive layers 321 and 322 Can be provided.

상기 상부 리세스(R10)가 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 일부가 상기 몸체(113)의 상부로 확산되는 경우에도 상기 상부 리세스(R10)에서 일종의 트랩(trap) 효과가 발생되어 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한된다. 상기 제1 개구부(TH1)를 통하여 확산되는 상기 제1 도전층(321)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)를 통하여 확산되는 상기 제2 도전층(322)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 이는 표면 장력 등의 영향으로 인하여 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한되는 것으로 해석된다.Even when a portion of the first and second conductive layers 321 and 322 is diffused to the upper portion of the body 113 as the upper recess R10 is provided, a trap effect is generated and the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited. The first conductive layer 321 diffused through the first opening TH1 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . The second conductive layer 322 diffused through the second opening portion TH2 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . It is interpreted that the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited at the concave region boundary of the upper recess R10 due to the influence of surface tension and the like.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 확실하게 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.As a result, the distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be reliably controlled. Therefore, in the first region A1, The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

다음으로, 도 14 내지 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 14 to 17. FIG.

도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타내는 평면도이고, 도 15는 도 14에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 16은 도 15에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이고, 도 17은 도 14에 도시된 발광소자 패키지의 패키지 몸체, 리세스, 개구부의 배치 관계를 설명하는 도면이다.15 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 14, and FIG. 16 is a cross-sectional view of the light emitting device package shown in FIG. 15, DD line, and Fig. 17 is a view for explaining the arrangement relationship of the package body, the recess, and the openings of the light emitting device package shown in Fig.

도 14 내지 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 13을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 14 to 17, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may be omitted from description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 13.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 14 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIGS.

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 may be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113. The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The body 113 may function as an electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111. In addition, the body 113 may be disposed on the second frame 112.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by an inclined surface of the body 113. [

실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the package body 110 may be provided with a cavity C, or may be provided with a flat upper surface without a cavity C.

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may be formed of a material selected from the group consisting of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, silicone, epoxy molding compound, And may be formed of at least one selected from the group including silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. In addition, the body 113 may include a high refractive index filler such as TiO 2 and SiO 2 .

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The first frame 111 and the second frame 112 may be provided as an insulating frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110.

또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.Also, the first frame 111 and the second frame 112 may be provided as a conductive frame. The first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and can be electrically connected to the light emitting device 120.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124. [

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed on the second frame 112.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 14 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIGS. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first frame 111 in a first direction.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first frame 111. [

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in a first direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided in a manner overlapping with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the second frame 112. [

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120. [

실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width of the first bonding portion 121. [ In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be less than or equal to the width of the second bonding portion 122.

따라서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111)이 더 견고하게 부착될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(112)이 더 견고하게 부착될 수 있다.Accordingly, the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 and the first frame 111 can be more firmly attached. In addition, the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 and the second frame 112 can be more firmly attached.

또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. The width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.

상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. The second opening portion TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.

다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. The inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes and the inclined surfaces may be arranged with a curvature .

상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 예로서 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. The width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112 may be several hundred micrometers. The width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112 may be, for example, 100 to 150 micrometers .

상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The width between the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame portion 112 is set to be larger than that of the light emitting device package 100 according to the embodiment When the pad is mounted on a circuit board, a submount or the like in the future, it may be selected to be provided over a certain distance to prevent an electrical short between the pads.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 접착제(130)를 포함할 수 있다. The light emitting device package 100 according to the embodiment may include an adhesive 130.

상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 14 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a recess R as shown in FIGS.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 제2 개구부(TH2)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be provided between the first opening TH1 and the reflective portion 117. [ The recess R may be provided between the second opening TH2 and the reflective portion 117. [ The recess (R) may be recessed in a downward direction from an upper surface of the body (113). The recess R may be disposed below the light emitting device 120. For example, the recess R may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 리세스(R)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 개구부(TH1)에 인접하게 배치된 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 리세스(R)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 개구부(TH2)에 인접하게 배치된 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. The recess R is disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117 disposed adjacent to the first opening TH1 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. [ . The recess R may be formed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117 disposed adjacent to the second opening portion TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [ As shown in FIG.

상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117. The adhesive 130 may be disposed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117. For example, the adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed, for example, in direct contact with the upper surface of the body 113. In addition, the adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 예로서 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120. If the adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone. When the adhesive 130 includes a reflection function, the adhesive 130 may be formed of a material including, for example, TiO 2 , Silicone, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이에 비해 작게 제공될 수 있다. According to the embodiment, the depth of the recess R may be smaller than the depth of the first opening TH1 or the depth of the second opening TH2.

상기 리세스(R)의 깊이는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. A depth T1 of the recess R may be determined by considering a stable strength of the body 113 and / or by a heat emitted from the light emitting device 120, a crack may be generated in the light emitting device package 100 Can be determined.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which a kind of underfill process may be performed under the light emitting device 120. The recess R may be provided at a depth greater than the first depth so that the adhesive 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113. In addition, the recesses R may be provided at a second depth or less to provide stable strength of the body 113.

상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth and width W3 of the recess R may affect the forming position and fixing force of the adhesive 130. [ The depth and width W3 of the recess R may be determined so that a sufficient fixing force can be provided by the adhesive 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 120. [

예로서, 상기 리세스(R)의 깊이는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth of the recess R may be provided by a few tens of micrometers. The depth of the recess (R) may be from 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width W3 of the recess R may be provided to several hundred micrometers. The width W3 of the recess R may be provided in the range of 140 micrometers to 160 micrometers. By way of example, the width W3 of the recess R may be provided at 150 micrometers.

상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 외부로부터 밀봉될 수 있게 된다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)의 형상을 따라 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 사각 형상의 폐루프로 제공될 수도 있으며, 원형 또는 타원 형상의 폐루프로 제공될 수도 있다.The first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 can be sealed from the outside by the adhesive 130 provided in the recess R. [ The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in a closed loop shape along the shape of the recess R as shown in FIGS. The recess R may be provided in a rectangular closed loop, or may be provided in a circular or elliptical closed loop.

상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 제1 프레임(111)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 제1 프레임(111)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. The depth of the first opening TH1 may be provided corresponding to the thickness of the first frame 111. [ The depth of the first opening TH1 may be a thickness that can maintain a stable strength of the first frame 111. [

상기 제2 개구부(TH2)의 깊이는 상기 제2 프레임(112)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이는 상기 제2 프레임(112)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.The depth of the second opening TH2 may be provided corresponding to the thickness of the second frame 112. [ The depth of the second opening portion TH2 may be provided to a thickness that can maintain a stable strength of the second frame 112. [

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth of the first opening TH1 may be several hundred micrometers. The depth of the first opening TH1 may be 180 to 220 micrometers. For example, the depth of the first opening TH1 may be 200 micrometers.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이에서 상기 리세스(R)의 깊이를 뺀 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. For example, the thickness of the first opening TH1 minus the depth of the recess R may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the body 113.

실시 예에 의하면, 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 리세스(R)의 깊이에 대해 2 배 내지 10 배로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, 상기 리세스(R)의 깊이는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the depth of the first opening TH1 may be provided by 2 to 10 times the depth of the recess R. [ For example, when the depth of the first opening TH1 is 200 micrometers, the depth of the recess R may be 20 micrometers to 100 micrometers.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 14 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a molding part 140, as shown in FIGS.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120. The molding part 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112. The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110.

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. The molding unit 140 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group including phosphors, quantum dots, and the like.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 14 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322, as shown in FIGS. The first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121. The width of the first conductive layer 321 may be smaller than the width of the first bonding portion 121.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed. The width of the first bonding portion 121 may be greater than the width of the first opening TH1 in the second direction.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be surrounded by the first frame 111.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be smaller than the width of the second bonding portion 122.

상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed. The width of the second bonding portion 122 may be greater than the width of the second opening TH2 in the second direction.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be disposed so as to be surrounded by the second frame 112.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 14 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R11)와 제2 하부 리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)와 상기 제2 하부 리세스(R12)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first lower recess R11 and a second lower recess R12, as shown in FIGS. 14 to 17. The first lower recess R11 and the second lower recess R12 may be spaced apart from each other.

상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess R11 may be provided on a lower surface of the first frame 111. [ The first lower recess R11 may be concave in the upper surface direction of the lower surface of the first frame 111. [ The first lower recess R11 may be spaced apart from the first opening TH1.

상기 제1 하부 리세스(R11)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The first lower recess R11 may be provided with a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R11. The resin part filled in the first lower recess R11 may be provided with the same material as the body 113, for example.

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.

예로서, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, the resin part filled in the first lower recess R11 may be provided in the process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the body 113 through an injection process or the like .

상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin portion filled in the first lower recess R11 may be disposed around the lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1. The lower surface of the first frame 111 providing the first opening TH1 may be disposed in a form of an island in a shape separated from a lower surface of the first frame 111 surrounding the first frame 111. [

예로서, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제1 프레임(111)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.15, the lower surface of the first frame 111 providing the first opening TH1 is divided into a resin portion filled in the first lower recess R11 and a lower portion of the body 113 The second frame 111 may be isolated from the surrounding first frame 111. [

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 The first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 is displaced from the first opening TH1 and the resin portion filled in the first lower recess R11 or the body 113, Can be prevented from spreading beyond.

이는 상기 제1 도전층(321)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 제1 프레임(111)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the first conductive layer 321 and the resin part and the body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, . That is, the material of the first conductive layer 321 may be selected to have a good adhesion property with the first frame 111. The material of the first conductive layer 321 may be selected to have poor adhesion properties with the resin and the body 113.

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. The first conductive layer 321 may flow over the first opening TH1 in the direction of the region where the resin or the body 113 is provided so that the resin or the body 113 And the first conductive layer 321 can be stably disposed in the region provided with the first opening TH1.

따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 배치되는 제1 도전층(321)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제1 하부 리세스(R11)의 바깥 영역으로 상기 제1 도전층(321)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. When the first conductive layer 321 disposed in the first opening TH1 overflows, the first conductive layer 321 is electrically connected to the outer region of the first lower recess R11 provided with the resin or the body 113, The conductive layer 321 can be prevented from expanding.

또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. 따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Also, the first conductive layer 321 can be stably connected to the lower surface of the first bonding portion 121 in the first opening TH1. Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other to be short-circuited, and the first and second conductive layers 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.

또한, 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R12 may be provided on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R12 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R12 may be spaced apart from the second opening TH2.

상기 제2 하부 리세스(R12)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R12 may be provided with a width of several micrometers to tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R12. The resin part filled in the second lower recess R12 may be provided with the same material as the body 113, for example.

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.

예로서, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the second lower recess R12 may be provided in the process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the body 113 through an injection process or the like .

상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.A resin portion filled in the second lower recess R12 may be disposed around a lower surface region of the second frame 112 providing the second opening TH2. The lower surface of the second frame 112 providing the second opening TH2 may be disposed in a form of an island in a shape separated from the lower surface of the second frame 112 surrounding the second frame 112. [

예로서, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제2 프레임(112)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.15, the lower surface region of the second frame 112 providing the second opening portion TH2 includes a resin portion filled in the second lower recess R12 and a lower portion of the body 113 May be isolated from the second frame 112 in the vicinity.

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 The second conductive layer 322 provided in the second opening TH2 may be displaced from the second opening TH2 so that the resin portion or the body 113 filled in the second lower recess R12 may be removed, Can be prevented from spreading beyond.

이는 상기 제2 도전층(322)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 제2 프레임(112)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the second conductive layer 322 and the resin part and the body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, . That is, the material of the second conductive layer 322 may be selected to have good adhesion properties with the second frame 112. The material constituting the second conductive layer 322 may be selected to have poor adhesion properties with the resin part and the body 113.

이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. The second conductive layer 322 overflows from the second opening TH2 in the direction of the region where the resin or the body 113 is provided so that the resin or the body 113 And the second conductive layer 322 can be stably disposed in the region where the second opening portion TH2 is provided.

따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 배치되는 제2 도전층(322)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제2 하부 리세스(R12)의 바깥 영역으로 상기 제2 도전층(322)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. When the second conductive layer 322 disposed in the second opening TH2 overflows, the second conductive layer 322 is electrically connected to an outer region of the second lower recess R12 provided with the resin portion or the body 113, The conductive layer 322 can be prevented from expanding. In addition, the second conductive layer 322 can be stably connected to the lower surface of the second bonding portion 122 in the second opening portion TH2.

따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other to be short-circuited, and the first and second conductive layers 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있다.The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 . For example, external power may be supplied to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322, so that the light emitting device 120 may be driven.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)가, 도 14 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 패키지 몸체(110)의 상부면 사이에 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다.14 to 17, the adhesive 130 provided on the recess R may be formed on the lower surface of the light emitting device 120. In this case, And the upper surface of the package body 110. [0035] The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second bonding portions 121 and 122 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second openings TH1 and TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.The adhesive 130 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110. The adhesive 130 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The adhesive 130 may be arranged such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the molding part 140. In other words,

상기 접착제(130)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TRH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)의 폐루프를 벗어나 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.The first and second conductive layers 321 and 322 provided in the first and second openings TRH1 and TH2 are separated from the closed loop of the recess R by the adhesive 130, It can be prevented that it flows outwardly of the base 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)에 의하여 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 기준으로, 내부와 외부가 격리될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.However, according to the embodiment, since the inside and the outside can be isolated based on the region where the recess R is provided by the adhesive 130, the first and second conductive layers 321 and 322 It is possible to prevent the recess R from moving outward beyond the provided region.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Therefore, according to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, 120 can be prevented from being electrically short-circuited and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부면을 따라 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 제1 영역(A1)으로 이동되어 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 4개의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 접착제(130)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may move along a lower surface of the light emitting device 120 to a first region A1 located below the light emitting device 120. In this case, And may be disposed in contact with the four side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The first and second bonding portions 121 and 122 may be disposed so as to be surrounded by the adhesive 130 and the first and second openings TH1 and TH2 may be formed by the adhesive 130, As shown in Fig.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면 위로 이동되는 것이 방지될 수 있다.Since the first and second openings TH1 and TH2 can be sealed by the adhesive 130 as described above, the first and second openings TH1 and TH2 provided in the first and second openings TH1 and TH2, (321, 322) can be prevented from moving over the upper surface of the body (113).

한편, 상기 접착제(130)의 양이 충분하게 제공되지 못하는 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.If the amount of the adhesive 130 is not sufficiently provided, the first region A1 positioned below the light emitting device 120 is not filled with the adhesive 130, ≪ / RTI > Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 또는 열처리 공정 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 또는 열처리 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process or a heat treatment process can be applied. At this time, in the reflow process or the heat treatment process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 전극부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the electrode portion of the light emitting device according to the embodiment can receive driving power through the conductive layer disposed in the opening portion. And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process, re-melting phenomenon does not occur, so that electrical connection and physical bonding force are not deteriorated There is no advantage.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperatures to be damaged or discolored.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

다음으로, 도 18 및 도 19를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 18 and 19. FIG.

도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 19는 도 18에 도시된 발광소자 패키지의 패키지 몸체, 리세스, 개구부, 상부 리세스의 배치 관계를 설명하는 도면이다.FIG. 18 is a view showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, FIG. 19 is a view explaining the arrangement relationship of the package body, the recess, the opening and the upper recess of the light emitting device package shown in FIG. FIG.

도 18 및 도 19를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 17을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 18 and 19, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 17. FIG.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 도 14 내지 도 17을 참조하여 설명된 반도체 소자 패키지에 비하여 상부 리세스(R10)를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device package according to the embodiment may further include an upper recess R10 as compared to the semiconductor device package described with reference to FIGS. 14 to 17, as shown in FIGS. 18 and 19. FIG.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상부면에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)의 하부면 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided on the upper surface of the body 113. [ The upper recess R10 may be provided in the first region A1 positioned below the lower surface of the light emitting device 120. [ The upper recess R10 may be recessed in a first direction from the upper surface to the lower surface of the body 113.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있으며 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)에 아래에 상기 발광소자(120)의 단축 방향으로 연장되어 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided under the light emitting device 120 and may be provided between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. [ The upper recess R10 may be provided below the light emitting device 120 in a direction of a minor axis of the light emitting device 120. [

도 14 내지 도 17을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 리세스(R)에 제공되는 상기 접착제(130)의 양이 충분하지 못할 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.14 to 17, when the amount of the adhesive 130 provided to the recess R is not sufficient, the first region (for example, A1 may not be filled with the adhesive 130, and some areas may be provided as empty spaces. Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지가 상기 상부 리세스(R10)를 포함하는 경우, 상기 상부 리세스(R10)는 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 확산되어 이동되는 것을 더 제한하는 기능을 제공할 수 있다.In addition, when the light emitting device package according to the embodiment includes the upper recess R10, the upper recess R10 may be formed in the first region A1 by the first and second conductive layers 321 and 322 Can be provided.

상기 상부 리세스(R10)가 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 일부가 상기 몸체(113)의 상부로 확산되는 경우에도 상기 상부 리세스(R10)에서 일종의 트랩(trap) 효과가 발생되어 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한된다. 상기 제1 개구부(TH1)를 통하여 확산되는 상기 제1 도전층(321)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)를 통하여 확산되는 상기 제2 도전층(322)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 이는 표면 장력 등의 영향으로 인하여 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한되는 것으로 해석된다.Even when a portion of the first and second conductive layers 321 and 322 is diffused to the upper portion of the body 113 as the upper recess R10 is provided, a trap effect is generated and the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited. The first conductive layer 321 diffused through the first opening TH1 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . The second conductive layer 322 diffused through the second opening portion TH2 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . It is interpreted that the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited at the concave region boundary of the upper recess R10 due to the influence of surface tension and the like.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 안정적이고 확실하게 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.Accordingly, since the distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be stably and reliably controlled, The electrically conductive layer 321 and the second electrically conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

한편, 도 14 내지 도 19를 참조하여 설명된 발광소자 패키지에서는, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)가 상기 리세스(R)의 외측 경계면에 의해 형성되는 면적에 비해 더 크게 제공된 경우를 기준으로 설명되었다.14 to 19, the light emitting device 120 is formed by the outer boundary surface of the recess R as seen from the upper direction of the light emitting device 120 And the case where the area is provided larger than the area.

그러나, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12를 참조하여 설명된 발광소자 패키지와 유사하게, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 외측면이 상기 리세스(R)와 중첩되게 제공될 수 있다.However, in the light emitting device package according to another embodiment, when the upper side of the light emitting device 120 is viewed from the upper side of the light emitting device 120, Can be provided to overlap with the recess (R).

이와 같이, 상기 발광소자(120)의 외측면이 상기 리세스(R) 영역 위에 배치되도록 함으로써, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 몸체(113)의 상면이 고정되고 밀봉될 수 있게 된다.Since the outer surface of the light emitting device 120 is disposed on the recess R as described above, the adhesive 130 provided on the recess R allows the lower surface of the light emitting device 120, The upper surface of the body 113 can be fixed and sealed.

다음으로, 도 20을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.

도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 20을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 19를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.20 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 20, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 19. FIG.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIG.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)와 반사부(117)를 포함할 수 있다. 상기 반사부(117)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 반사부(117)는 상기 몸체(113)의 상부 면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 반사부(117)는 상기 몸체(113)의 상부 면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The package body 110 may include a body 113 and a reflective portion 117. The reflector 117 may be disposed on the body 113. The reflector 117 may be disposed around the upper surface of the body 113. The reflector 117 may provide a cavity C on the upper surface of the body 113.

실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the package body 110 may be provided with a cavity C, or may be provided with a flat upper surface without a cavity C.

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may be formed of a material selected from the group consisting of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, silicone, epoxy molding compound, And may be formed of at least one selected from the group including silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. In addition, the body 113 may include a high refractive index filler such as TiO 2 and SiO 2 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124. [

상기 발광소자(120)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124, as shown in FIG. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113.

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 반사부(117)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110. The light emitting device 120 may be disposed on the body 113. The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the reflective portion 117.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIG.

상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The package body 110 may include the first opening TH1 passing through a bottom surface of the package body 110 on the bottom surface of the cavity C. [ The package body 110 may include the second opening TH2 through the lower surface of the package body 110 on the bottom surface of the cavity C. [

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first body 113. [

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the body 113 in a first direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided in a superimposed manner with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the body 113. [

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120. [

실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the first bonding portion 121. In this case, In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be larger than the width of the second bonding portion 122.

실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(121)의 하부 영역이 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 바닥면이 상기 몸체(113)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.According to the embodiment, the lower region of the first bonding portion 121 may be disposed in the upper region of the first opening TH1. The bottom surface of the first bonding portion 121 may be disposed lower than the top surface of the body 113.

또한, 상기 제2 본딩부(122)의 하부 영역이 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 바닥면이 상기 몸체(113)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.In addition, a lower region of the second bonding portion 122 may be disposed in an upper region of the second opening portion TH2. The bottom surface of the second bonding portion 122 may be disposed lower than the top surface of the body 113.

또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. The width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.

상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. The second opening portion TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.

다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. The inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes and the inclined surfaces may be arranged with a curvature .

상기 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 예로서 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. The width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the bottom area of the body 113 may be several hundred micrometers. The width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the body 113 may be, for example, 100 micrometers to 150 micrometers.

상기 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.When the light emitting device package according to the embodiment is later mounted on a circuit board, a submount, or the like, the width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface area of the body 113, May be selected to be provided over a certain distance in order to prevent an electrical short between the electrodes.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130.

상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the body 113 and the light emitting device 120. The adhesive 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R).

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 제2 개구부(TH2)와 상기 반사부(117) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. The recesses R may be provided in the body 113. The recess R may be provided between the first opening TH1 and the reflective portion 117. [ The recess R may be provided between the second opening TH2 and the reflective portion 117. [ The recess (R) may be recessed in a downward direction from an upper surface of the body (113). The recess R may be disposed below the light emitting device 120. For example, the recess R may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 리세스(R)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 개구부(TH1)에 인접하게 배치된 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 리세스(R)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 개구부(TH2)에 인접하게 배치된 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. The recess R is disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117 disposed adjacent to the first opening TH1 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. [ . The recess R may be formed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117 disposed adjacent to the second opening portion TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [ As shown in FIG.

상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117. The adhesive 130 may be disposed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117. For example, the adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed, for example, in direct contact with the upper surface of the body 113. In addition, the adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 예로서 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120. If the adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone. When the adhesive 130 includes a reflection function, the adhesive 130 may be formed of a material including, for example, TiO 2 , Silicone, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이에 비해 작게 제공될 수 있다. According to the embodiment, the depth of the recess R may be smaller than the depth of the first opening TH1 or the depth of the second opening TH2.

상기 리세스(R)의 깊이는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. A depth T1 of the recess R may be determined by considering a stable strength of the body 113 and / or by a heat emitted from the light emitting device 120, a crack may be generated in the light emitting device package 100 Can be determined.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which a kind of underfill process may be performed under the light emitting device 120. The recess R may be provided at a depth greater than the first depth so that the adhesive 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113. In addition, the recesses R may be provided at a second depth or less to provide stable strength of the body 113.

상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth and width W3 of the recess R may affect the forming position and fixing force of the adhesive 130. [ The depth and width W3 of the recess R may be determined so that a sufficient fixing force can be provided by the adhesive 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 120. [

예로서, 상기 리세스(R)의 깊이는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth of the recess R may be provided by a few tens of micrometers. The depth of the recess (R) may be from 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width W3 of the recess R may be provided to several hundred micrometers. The width W3 of the recess R may be provided in the range of 140 micrometers to 160 micrometers. By way of example, the width W3 of the recess R may be provided at 150 micrometers.

상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 외부로부터 밀봉될 수 있게 된다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. The first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 can be sealed from the outside by the adhesive 130 provided in the recess R. [ The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120.

예로서, 상기 접착제(130)는 도 2 및 도 3를 참조하여 설명된 바와 유사하게, 상기 리세스(R)의 형상을 따라 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 사각 형상의 폐루프로 제공될 수도 있으며, 원형 또는 타원 형상의 폐루프로 제공될 수도 있다.As an example, the adhesive 130 may be provided in a closed loop shape along the shape of the recess R, similar to that described with reference to Figs. The recess R may be provided in a rectangular closed loop, or may be provided in a circular or elliptical closed loop.

상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. The depth of the first opening TH1 may be provided corresponding to the thickness of the body 113. The depth of the first opening TH1 may be a thickness that can maintain the strength of the body 113 in a stable manner.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth of the first opening TH1 may be several hundred micrometers. The depth of the first opening TH1 may be 180 to 220 micrometers. For example, the depth of the first opening TH1 may be 200 micrometers.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이에서 상기 리세스(R)의 깊이를 뺀 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. For example, the thickness of the first opening TH1 minus the depth of the recess R may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the body 113.

실시 예에 의하면, 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 리세스(R)의 깊이에 대해 2 배 내지 10 배로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, 상기 리세스(R)의 깊이는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the depth of the first opening TH1 may be provided by 2 to 10 times the depth of the recess R. [ For example, when the depth of the first opening TH1 is 200 micrometers, the depth of the recess R may be 20 micrometers to 100 micrometers.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 10% or less based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be greater than the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122. In order to increase the light extraction efficiency of the light emitting device, May be set to 10% or less based on the top surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is set to be larger than the area of the top surface of the substrate 124 To 0.7% or more.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is reduced, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 can be increased. Further, under the light emitting device 120, the adhesive 130 having a good reflection characteristic may be provided. Accordingly, the light emitted downward of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130, and is efficiently emitted toward the upper side of the light emitting device package, and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding part 140, as shown in FIG.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 반사부(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120. The molding part 140 may be disposed on the body 113. The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the reflection part 117.

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. The molding unit 140 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the molding part 140 may include a phosphor, a quantum dot, and the like.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a first conductor 221 and a second conductor 222, as shown in FIG. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. The first conductor 221 may be disposed under the first bonding portion 121. The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductor 221 may be overlapped with the first bonding portion 121 in the first direction.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전층(321)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first conductor 221 may be provided in the first opening TH1. The first conductor 221 may be disposed between the first bonding portion 121 and the first conductive layer 321. The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the first conductive layer 321.

상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 도전층(321)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. The lower surface of the first conductor 221 may be disposed lower than the upper surface of the first opening TH1. The lower surface of the first conductor 221 may be disposed lower than the upper surface of the first conductive layer 321.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에서 상기 제1 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The first conductor 221 may be disposed on the first opening TH1. In addition, the first conductor 221 may extend from the first bonding portion 121 to the inside of the first opening TH1.

또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. In addition, the second conductor 222 may be disposed under the second bonding portion 122. The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductor 222 may be disposed to overlap with the second bonding portion 122 in the first direction.

상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전층(322)과 전기적으로 연결될 수 있다.The second conductor 222 may be provided in the second opening TH2. The second conductive material 222 may be disposed between the second bonding portion 122 and the second conductive layer 322. The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding portion 122 and the second conductive layer 322.

상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 도전층(322)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.The lower surface of the second conductor 222 may be disposed lower than the upper surface of the second opening TH2. The lower surface of the second conductor 222 may be disposed lower than the upper surface of the second conductive layer 322.

상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에서 상기 제2 개구부(TH2) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The second conductor 222 may be disposed on the second opening TH2. The second conductor 222 may extend from the second bonding portion 122 to the inside of the second opening TH2.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전층(321)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the first conductive layer 321 may be disposed on the lower surface and the side surface of the first conductor 221. The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface and the side surface of the first conductor 221.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121. The width of the first conductive layer 321 may be greater than the width of the first bonding portion 121.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221)에 의하여 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 본딩부(121) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다. According to the light emitting device package of this embodiment, the electrical connection between the first conductive layer 321 and the first bonding portion 121 can be more stably provided by the first conductor 221 .

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전층(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second conductive layer 322 may be disposed on a lower surface and a side surface of the second conductor 222. The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface and the side surface of the second conductive body 222.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be greater than the width of the second bonding portion 122.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제2 도전체(222)에 의하여 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 본딩부(122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다.According to the light emitting device package 200 of this embodiment, the electrical connection between the second conductive layer 322 and the second bonding portion 122 can be stably provided by the second conductor 222 .

예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.For example, the first and second conductors 221 and 222 may be stably bonded to the first and second bonding portions 121 and 122 through separate bonding materials, respectively. The side surfaces and the bottom surfaces of the first and second conductors 221 and 222 may be in contact with the first and second conductive layers 321 and 322, respectively. Compared to the case where the first and second conductive layers 321 and 322 directly contact the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122, the first and second conductive layers 321 and 322 And 322 may be greater in contact with the first and second conductors 221 and 222, respectively. Accordingly, power is supplied from the first and second conductive layers 321 and 322 to the first and second bonding portions 121 and 122 through the first and second conductors 221 and 222, As shown in FIG.

예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 Al, Au, Ag, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.For example, the first and second conductors 221 and 222 may be formed of one material selected from the group consisting of Al, Au, Ag, Pt, or the like, or an alloy thereof. In addition, the first and second conductors 221 and 222 may be provided as a single layer or a multilayer.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed. The width of the first bonding portion 121 may be smaller than the width of the first opening TH1 in the second direction.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductive layer 321 may be surrounded by the body 113.

상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에서, 상기 제1 도전층(321)의 상부 부분은 상기 제1 본딩부(121)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.The upper portion of the first conductive layer 321 may be disposed around the lower portion of the first bonding portion 121 in the upper region of the first opening TH1. The upper surface of the first conductive layer 321 may be disposed higher than the lower surface of the first bonding portion 121.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be greater than the width of the second bonding portion 122.

상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 작게 제공될 수 있다.The second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed. The width of the second bonding portion 122 may be smaller than the width of the second opening TH2 in the second direction.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductive layer 322 may be surrounded by the body 113.

상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에서, 상기 제2 도전층(322)의 상부 부분은 상기 제2 본딩부(122)의 하부 부분의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.In the upper region of the second opening TH2, an upper portion of the second conductive layer 322 may be disposed around the lower portion of the second bonding portion 122. [ The upper surface of the second conductive layer 322 may be disposed higher than the lower surface of the second bonding portion 122.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있다.The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 . For example, external power may be supplied to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322, so that the light emitting device 120 may be driven.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)가, 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 패키지 몸체(110)의 상부면 사이에 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may be provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the package body 110 . The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second bonding portions 121 and 122 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second openings TH1 and TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.The adhesive 130 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110. The adhesive 130 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The adhesive 130 may be arranged such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the molding part 140. In other words,

상기 접착제(130)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TRH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)의 폐루프를 벗어나 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.The first and second conductive layers 321 and 322 provided in the first and second openings TRH1 and TH2 are separated from the closed loop of the recess R by the adhesive 130, It can be prevented that it flows outwardly of the base 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)에 의하여 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 기준으로, 내부와 외부가 격리될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.However, according to the embodiment, since the inside and the outside can be isolated based on the region where the recess R is provided by the adhesive 130, the first and second conductive layers 321 and 322 It is possible to prevent the recess R from moving outward beyond the provided region.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Therefore, according to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, 120 can be prevented from being electrically short-circuited and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부면을 따라 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 제1 영역(A1)으로 이동되어 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 4개의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 접착제(130)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may move along a lower surface of the light emitting device 120 to a first region A1 located below the light emitting device 120. In this case, And may be disposed in contact with the four side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The first and second bonding portions 121 and 122 may be disposed so as to be surrounded by the adhesive 130 and the first and second openings TH1 and TH2 may be formed by the adhesive 130, As shown in Fig.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면 위로 이동되는 것이 방지될 수 있다.Since the first and second openings TH1 and TH2 can be sealed by the adhesive 130 as described above, the first and second openings TH1 and TH2 provided in the first and second openings TH1 and TH2, (321, 322) can be prevented from moving over the upper surface of the body (113).

한편, 상기 접착제(130)의 양이 충분하게 제공되지 못하는 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.If the amount of the adhesive 130 is not sufficiently provided, the first region A1 positioned below the light emitting device 120 is not filled with the adhesive 130, ≪ / RTI > Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 또는 열처리 공정 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 또는 열처리 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process or a heat treatment process can be applied. At this time, in the reflow process or the heat treatment process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 전극부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the electrode portion of the light emitting device according to the embodiment can receive driving power through the conductive layer disposed in the opening portion. And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperatures to be damaged or discolored.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

다음으로, 도 21을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.

도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 21을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 20을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.21 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 21, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 20. FIG.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 도 21에 도시된 바와 같이, 도 20을 참조하여 설명된 반도체 소자 패키지에 비하여 상부 리세스(R10)를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device package according to the embodiment may further include an upper recess R10 as compared with the semiconductor device package described with reference to Fig. 20, as shown in Fig.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상부면에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)의 하부면 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided on the upper surface of the body 113. [ The upper recess R10 may be provided in the first region A1 positioned below the lower surface of the light emitting device 120. [ The upper recess R10 may be recessed in a first direction from the upper surface to the lower surface of the body 113.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있으며 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)에 아래에 상기 발광소자(120)의 단축 방향으로 연장되어 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided under the light emitting device 120 and may be provided between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. [ The upper recess R10 may be provided below the light emitting device 120 in a direction of a minor axis of the light emitting device 120. [

도 20을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 리세스(R)에 제공되는 상기 접착제(130)의 양이 충분하지 못할 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.20, when the amount of the adhesive 130 provided to the recess R is not sufficient, the first region A1 positioned under the light emitting device 120 is formed of The adhesive 130 may not be filled with the adhesive 130, and some areas may be provided as empty spaces. Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지가 상기 상부 리세스(R10)를 포함하는 경우, 상기 상부 리세스(R10)는 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 확산되어 이동되는 것을 더 제한하는 기능을 제공할 수 있다.In addition, when the light emitting device package according to the embodiment includes the upper recess R10, the upper recess R10 may be formed in the first region A1 by the first and second conductive layers 321 and 322 Can be provided.

상기 상부 리세스(R10)가 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 일부가 상기 몸체(113)의 상부로 확산되는 경우에도 상기 상부 리세스(R10)에서 일종의 트랩(trap) 효과가 발생되어 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한된다. 상기 제1 개구부(TH1)를 통하여 확산되는 상기 제1 도전층(321)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)를 통하여 확산되는 상기 제2 도전층(322)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 이는 표면 장력 등의 영향으로 인하여 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한되는 것으로 해석된다.Even when a portion of the first and second conductive layers 321 and 322 is diffused to the upper portion of the body 113 as the upper recess R10 is provided, a trap effect is generated and the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited. The first conductive layer 321 diffused through the first opening TH1 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . The second conductive layer 322 diffused through the second opening portion TH2 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . It is interpreted that the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited at the concave region boundary of the upper recess R10 due to the influence of surface tension and the like.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 안정적이고 확실하게 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.Accordingly, since the distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be stably and reliably controlled, The electrically conductive layer 321 and the second electrically conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

한편, 도 20 및 도 21을 참조하여 설명된 발광소자 패키지에서는, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)가 상기 리세스(R)의 외측 경계면에 의해 형성되는 면적에 비해 더 크게 제공된 경우를 기준으로 설명되었다.20 and 21, when viewed from above the light emitting device 120, the light emitting device 120 is formed by the outer boundary surface of the recess R And the case where the area is provided larger than the area.

그러나, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12를 참조하여 설명된 발광소자 패키지와 유사하게, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 외측면이 상기 리세스(R)와 중첩되게 제공될 수 있다.However, in the light emitting device package according to another embodiment, when the upper side of the light emitting device 120 is viewed from the upper side of the light emitting device 120, Can be provided to overlap with the recess (R).

이와 같이, 상기 발광소자(120)의 외측면이 상기 리세스(R) 영역 위에 배치되도록 함으로써, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 몸체(113)의 상면이 고정되고 밀봉될 수 있게 된다.Since the outer surface of the light emitting device 120 is disposed on the recess R as described above, the adhesive 130 provided on the recess R allows the lower surface of the light emitting device 120, The upper surface of the body 113 can be fixed and sealed.

다음으로, 도 22를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.

도 22는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 22를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 21을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.22 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 22, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 21. FIG.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 22에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIG.

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112. The first frame 111 and the second frame 112 may be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113. The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112. The body 113 may function as an electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111. In addition, the body 113 may be disposed on the second frame 112.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112. A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by an inclined surface of the body 113. [

실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the package body 110 may be provided with a cavity C, or may be provided with a flat upper surface without a cavity C.

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may be formed of a material selected from the group consisting of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, silicone, epoxy molding compound, And may be formed of at least one selected from the group including silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. In addition, the body 113 may include a high refractive index filler such as TiO 2 and SiO 2 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. The light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124. [

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120. The first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed on the second frame 112.

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding portion 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111. The second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIG. The first frame 111 may include the first opening TH1. The second frame 112 may include the second opening TH2.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening (TH1) may be provided in the first frame (111). The first opening (TH1) may be provided through the first frame (111). The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first frame 111 in a first direction.

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first frame 111. [

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening (TH2) may be provided in the second frame (112). The second opening (TH2) may be provided through the second frame (112). The second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in a first direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120. [ The second opening portion TH2 may be provided in a manner overlapping with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the second frame 112. [

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120. [

실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다. The width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be greater than the width of the first bonding portion 121. In this case, In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be larger than the width of the second bonding portion 122.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a first conductor 221 and a second conductor 222, as shown in FIG. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322. The first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. The first conductor 221 may be disposed under the first bonding portion 121. The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding portion 121. The first conductor 221 may be overlapped with the first bonding portion 121 in the first direction.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전층(321)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first conductor 221 may be provided in the first opening TH1. The first conductor 221 may be disposed between the first bonding portion 121 and the first conductive layer 321. The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the first conductive layer 321.

상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 도전층(321)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. The lower surface of the first conductor 221 may be disposed lower than the upper surface of the first opening TH1. The lower surface of the first conductor 221 may be disposed lower than the upper surface of the first conductive layer 321.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에서 상기 제1 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The first conductor 221 may be disposed on the first opening TH1. In addition, the first conductor 221 may extend from the first bonding portion 121 to the inside of the first opening TH1.

또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. In addition, the second conductor 222 may be disposed under the second bonding portion 122. The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding portion 122. The second conductor 222 may be disposed to overlap with the second bonding portion 122 in the first direction.

상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전층(322)과 전기적으로 연결될 수 있다.The second conductor 222 may be provided in the second opening TH2. The second conductive material 222 may be disposed between the second bonding portion 122 and the second conductive layer 322. The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding portion 122 and the second conductive layer 322.

상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 도전층(322)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.The lower surface of the second conductor 222 may be disposed lower than the upper surface of the second opening TH2. The lower surface of the second conductor 222 may be disposed lower than the upper surface of the second conductive layer 322.

상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에서 상기 제2 개구부(TH2) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The second conductor 222 may be disposed on the second opening TH2. The second conductor 222 may extend from the second bonding portion 122 to the inside of the second opening TH2.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전층(321)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the first conductive layer 321 may be disposed on the lower surface and the side surface of the first conductor 221. The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface and the side surface of the first conductor 221.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121. The width of the first conductive layer 321 may be greater than the width of the first bonding portion 121.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221)에 의하여 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 본딩부(121) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다. According to the light emitting device package of this embodiment, the electrical connection between the first conductive layer 321 and the first bonding portion 121 can be more stably provided by the first conductor 221 .

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전층(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second conductive layer 322 may be disposed on a lower surface and a side surface of the second conductor 222. The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface and the side surface of the second conductive body 222.

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122. The width of the second conductive layer 322 may be greater than the width of the second bonding portion 122.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제2 도전체(222)에 의하여 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 본딩부(122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다.According to the light emitting device package 200 of this embodiment, the electrical connection between the second conductive layer 322 and the second bonding portion 122 can be stably provided by the second conductor 222 .

예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.For example, the first and second conductors 221 and 222 may be stably bonded to the first and second bonding portions 121 and 122 through separate bonding materials, respectively. The side surfaces and the bottom surfaces of the first and second conductors 221 and 222 may be in contact with the first and second conductive layers 321 and 322, respectively. Compared to the case where the first and second conductive layers 321 and 322 directly contact the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122, the first and second conductive layers 321 and 322 And 322 may be greater in contact with the first and second conductors 221 and 222, respectively. Accordingly, power is supplied from the first and second conductive layers 321 and 322 to the first and second bonding portions 121 and 122 through the first and second conductors 221 and 222, As shown in FIG.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer. For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 22에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R) as shown in FIG.

상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 반사부(117) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed in the recess R. The adhesive 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed between the first bonding portion 121 and the reflective portion 117. The adhesive 130 may be disposed between the second bonding portion 122 and the reflective portion 117. For example, the adhesive 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding portion 121 and a side surface of the second bonding portion 122.

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113. The adhesive 130 may be disposed, for example, in direct contact with the upper surface of the body 113. In addition, the adhesive 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.

예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 예로서 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material . In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120. If the adhesive 130 comprises a reflective function, the adhesive may comprise a white silicone. When the adhesive 130 includes a reflection function, the adhesive 130 may be formed of a material including, for example, TiO 2 , Silicone, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이에 비해 작게 제공될 수 있다. According to the embodiment, the depth of the recess R may be smaller than the depth of the first opening TH1 or the depth of the second opening TH2.

상기 리세스(R)의 깊이는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130. A depth T1 of the recess R may be determined by considering a stable strength of the body 113 and / or by a heat emitted from the light emitting device 120, a crack may be generated in the light emitting device package 100 Can be determined.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which a kind of underfill process may be performed under the light emitting device 120. The recess R may be provided at a depth greater than the first depth so that the adhesive 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113. In addition, the recesses R may be provided at a second depth or less to provide stable strength of the body 113.

상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이와 폭(W3)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth and width W3 of the recess R may affect the forming position and fixing force of the adhesive 130. [ The depth and width W3 of the recess R may be determined so that a sufficient fixing force can be provided by the adhesive 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 120. [

예로서, 상기 리세스(R)의 깊이는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth of the recess R may be provided by a few tens of micrometers. The depth of the recess (R) may be from 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W3)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width W3 of the recess R may be provided to several hundred micrometers. The width W3 of the recess R may be provided in the range of 140 micrometers to 160 micrometers. By way of example, the width W3 of the recess R may be provided at 150 micrometers.

상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 외부로부터 밀봉될 수 있게 된다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)의 형상을 따라 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 사각 형상의 폐루프로 제공될 수도 있으며, 원형 또는 타원 형상의 폐루프로 제공될 수도 있다.The first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 can be sealed from the outside by the adhesive 130 provided in the recess R. [ The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop below the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in a closed loop shape along the shape of the recess R, as shown in FIGS. The recess R may be provided in a rectangular closed loop, or may be provided in a circular or elliptical closed loop.

상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. The depth of the first opening TH1 may be provided corresponding to the thickness of the body 113. The depth of the first opening TH1 may be a thickness that can maintain the strength of the body 113 in a stable manner.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth of the first opening TH1 may be several hundred micrometers. The depth of the first opening TH1 may be 180 to 220 micrometers. For example, the depth of the first opening TH1 may be 200 micrometers.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이에서 상기 리세스(R)의 깊이를 뺀 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. For example, the thickness of the first opening TH1 minus the depth of the recess R may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the body 113.

실시 예에 의하면, 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 리세스(R)의 깊이에 대해 2 배 내지 10 배로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, 상기 리세스(R)의 깊이는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the depth of the first opening TH1 may be provided by 2 to 10 times the depth of the recess R. [ For example, when the depth of the first opening TH1 is 200 micrometers, the depth of the recess R may be 20 micrometers to 100 micrometers.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 22에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding part 140, as shown in FIG.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 반사부(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120. The molding part 140 may be disposed on the body 113. The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the reflection part 117.

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. The molding unit 140 may include wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the molding part 140 may include a phosphor, a quantum dot, and the like.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R11)와 제2 하부 리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)와 상기 제2 하부 리세스(R12)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first lower recess R11 and a second lower recess R12, as shown in FIG. The first lower recess R11 and the second lower recess R12 may be spaced apart from each other.

상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess R11 may be provided on a lower surface of the first frame 111. [ The first lower recess R11 may be concave in the upper surface direction of the lower surface of the first frame 111. [ The first lower recess R11 may be spaced apart from the first opening TH1.

상기 제1 하부 리세스(R11)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The first lower recess R11 may be provided with a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R11. The resin part filled in the first lower recess R11 may be provided with the same material as the body 113, for example.

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.

예로서, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, the resin part filled in the first lower recess R11 may be provided in the process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the body 113 through an injection process or the like .

상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin portion filled in the first lower recess R11 may be disposed around the lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1. The lower surface of the first frame 111 providing the first opening TH1 may be disposed in a form of an island in a shape separated from a lower surface of the first frame 111 surrounding the first frame 111. [

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 The first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 is displaced from the first opening TH1 and the resin portion filled in the first lower recess R11 or the body 113, Can be prevented from spreading beyond.

이는 상기 제1 도전층(321)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 제1 프레임(111)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the first conductive layer 321 and the resin part and the body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, . That is, the material of the first conductive layer 321 may be selected to have a good adhesion property with the first frame 111. The material of the first conductive layer 321 may be selected to have poor adhesion properties with the resin and the body 113.

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 배치되는 제1 도전층(321)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제1 하부 리세스(R11)의 바깥 영역으로 상기 제1 도전층(321)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. The first conductive layer 321 may flow over the first opening TH1 in the direction of the region where the resin or the body 113 is provided so that the resin or the body 113 And the first conductive layer 321 can be stably disposed in the region provided with the first opening TH1. When the first conductive layer 321 disposed in the first opening TH1 overflows, the first conductive layer 321 is electrically connected to the outer region of the first lower recess R11 provided with the resin or the body 113, The conductive layer 321 can be prevented from expanding. Also, the first conductive layer 321 can be stably connected to the lower surface of the first bonding portion 121 in the first opening TH1.

따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other to be short-circuited, and the first and second conductive layers 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.

또한, 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R12 may be provided on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R12 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the second frame 112. The second lower recess R12 may be spaced apart from the second opening TH2.

상기 제2 하부 리세스(R12)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R12 may be provided with a width of several micrometers to tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R12. The resin part filled in the second lower recess R12 may be provided with the same material as the body 113, for example.

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322. Alternatively, the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.

예로서, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, a resin part filled in the second lower recess R12 may be provided in the process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the body 113 through an injection process or the like .

상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.A resin portion filled in the second lower recess R12 may be disposed around a lower surface region of the second frame 112 providing the second opening TH2. The lower surface of the second frame 112 providing the second opening TH2 may be disposed in a form of an island in a shape separated from the lower surface of the second frame 112 surrounding the second frame 112. [

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Accordingly, the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 The second conductive layer 322 provided in the second opening TH2 may be displaced from the second opening TH2 so that the resin portion or the body 113 filled in the second lower recess R12 may be removed, Can be prevented from spreading beyond.

이는 상기 제2 도전층(322)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 제2 프레임(112)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This is because the adhesion between the second conductive layer 322 and the resin part and the body 113 or the wettability between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322, . That is, the material of the second conductive layer 322 may be selected to have good adhesion properties with the second frame 112. The material constituting the second conductive layer 322 may be selected to have poor adhesion properties with the resin part and the body 113.

이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. 따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 배치되는 제2 도전층(322)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제2 하부 리세스(R12)의 바깥 영역으로 상기 제2 도전층(322)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. The second conductive layer 322 overflows from the second opening TH2 in the direction of the region where the resin or the body 113 is provided so that the resin or the body 113 And the second conductive layer 322 can be stably disposed in the region where the second opening portion TH2 is provided. When the second conductive layer 322 disposed in the second opening TH2 overflows, the second conductive layer 322 is electrically connected to an outer region of the second lower recess R12 provided with the resin portion or the body 113, The conductive layer 322 can be prevented from expanding. In addition, the second conductive layer 322 can be stably connected to the lower surface of the second bonding portion 122 in the second opening portion TH2.

따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being in contact with each other to be short-circuited, and the first and second conductive layers 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.

한편, 도 22에 도시된 발광소자 패키지는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 형성하는 공정에서, 제1 및 제2 리드 프레임(111, 112)의 상면 방향과 하면 방향에서 식각이 각각 수행된 경우를 나타낸 것이다.In the light emitting device package shown in FIG. 22, in the process of forming the first and second openings TH1 and TH2, the etching is performed in the top and bottom directions of the first and second lead frames 111 and 112, respectively And FIG.

상기 제1 및 제2 리드 프레임(111, 112)의 상면 방향과 하면 방향에서 각각 식각이 진행됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 형상이 일종의 눈사람 형상으로 제공될 수 있다.The first and second openings TH1 and TH2 may be provided in the form of a snowman as the etching proceeds in the top and bottom directions of the first and second lead frames 111 and 112 .

상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 하부 영역에서 중간 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 증가되다가 다시 감소될 수 있다. 또한, 폭이 감소된 중간 영역에서 다시 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 증가되다가 다시 감소될 수 있다.The widths of the first and second openings TH1 and TH2 may gradually increase from the lower region to the middle region and then decrease again. In addition, the width may gradually increase from the reduced width intermediate region to the upper region, and then decrease again.

상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각의 상면에 배치된 제1 영역, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각의 하면에 배치된 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역의 상면의 폭은 상기 제2 영역의 하면의 폭 보다 작게 제공될 수 있다.The first and second openings TH1 and TH2 are formed in a first region disposed on the upper surface of each of the first and second frames 111 and 112 and a second region disposed on the lower surface of the first and second frames 111 and 112, And a second region disposed in the second region. The width of the upper surface of the first region may be smaller than the width of the lower surface of the second region.

또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되는 제1 영역과, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공되는 제2 영역을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 측면이 곡률을 갖는 원형 형상으로 구성될 수 있고, 상기 제1 영역 상면의 폭은 상기 제2 영역 하면의 폭보다 좁을 수 있다. 또한, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역이 접하는 부분은 절곡부를 가질 수 있다.Also, the width of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width of the upper region of the first opening TH1. The first opening TH1 may include a first region provided with a predetermined width by a predetermined depth in the upper region and a second region provided in a shape inclined with respect to the lower region. In addition, the first region and the second region may be formed in a circular shape having a curvature on a side surface, and the width of the upper surface of the first region may be narrower than the width of the second region. The portion where the first region and the second region are in contact with each other may have a bent portion.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 형성하는 식각 공정이 완료된 후, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 대한 도금 공정이 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 표면에 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)이 형성될 수 있다.According to the embodiment, after the etching process for forming the first and second openings TH1 and TH2 is completed, the plating process for the first and second frames 111 and 112 may be performed. Accordingly, first and second plating layers 111a and 112a may be formed on the surfaces of the first and second frames 111 and 112, respectively.

상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 상면 및 하면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 개부부(TH1, TH2)와 접하는 경계 영역에 제공될 수 있다.The first and second plating layers 111a and 112a may be provided on upper and lower surfaces of the first and second frames 111 and 112, respectively. The first and second plating layers 111a and 112a may be provided in a boundary region in contact with the first and second openings TH1 and TH2.

예로서, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)은 기본 지지부재로서 Cu층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)은 Ni층, Ag층 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.By way of example, the first and second frames 111 and 112 may be provided as a Cu layer as a basic supporting member. The first and second plating layers 111a and 112a may include at least one of a Ni layer, an Ag layer, and the like.

상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)이 Ni층을 포함하는 경우, Ni층은 열 팽창에 대한 변화가 작으므로, 패키지 몸체가 열 팽창에 의하여 그 크기 또는 배치 위치가 변화되는 경우에도, 상기 Ni층에 의하여 상부에 배치된 발광소자의 위치가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)이 Ag층을 포함하는 경우, Ag층은 상부에 배치된 발광소자에서 발광되는 빛을 효율적으로 반사시키고 광도를 향상시킬 수 있다.When the first and second plating layers 111a and 112a include a Ni layer, the Ni layer has a small change in thermal expansion, so that even when the size or placement of the package body is changed due to thermal expansion, The position of the light emitting element disposed on the upper portion can be stably fixed by the Ni layer. When the first and second plating layers 111a and 112a include an Ag layer, the Ag layer can efficiently reflect light emitted from the light emitting device disposed on the upper side and improve the brightness.

실시 예에 의하면, 상기 광 추출 효율을 개선하기 위해 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기를 작게 배치하는 경우, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크거나 같게 제공될 수 있다. When the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 are arranged to have a small size in order to improve the light extraction efficiency, The width of the first bonding portion 121 may be greater than or equal to the width of the first bonding portion 121. In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be greater than or equal to the width of the second bonding portion 122.

또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.The width of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width of the lower region of the first opening TH1. The width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.For example, the width of the upper region of the first opening TH1 may be from several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. The width of the lower region of the first opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers larger than the width of the upper region of the first opening TH1.

또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. The width of the lower region of the second opening TH2 may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers larger than the width of the upper region of the second opening TH2.

또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.Also, the width of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width of the upper region of the first opening TH1. The first opening TH1 may be provided at a predetermined width in the upper region by a predetermined depth and may be provided in a shape inclined to the lower region.

또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.Furthermore, the width of the lower region of the second opening portion TH2 may be wider than the width of the upper region of the second opening portion TH2. The second opening portion TH2 may be provided at a predetermined width in the upper region by a predetermined depth and may be provided in an inclined shape toward the lower region.

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다.For example, the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. In addition, the second opening portion TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.

다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다.The inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes and the inclined surfaces may be arranged with a curvature .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작을 경우, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치될 수 있다. 22, when the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 are small, the first and second bonding parts 121 and 122 may be formed to have the same shape as the first and second bonding parts 121 and 122, And may be disposed in the first and second openings TH1 and TH2.

이 때, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작기 때문에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 접착력이 확보되기 어려울 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 접촉 면적을 더 확보하기 위해서 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. Since the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is small at this time, the adhesion between the first and second conductive layers 321 and 322 and the first and second bonding portions 121 and 122 Can be difficult to secure. The light emitting device package according to the embodiment may include the first conductor 221 and the second conductor 221 to further secure the contact area between the first and second conductive layers 321 and 322 and the first and second bonding parts 121 and 122, And a second conductor 222. In this case,

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있다.The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 . For example, external power may be supplied to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322, so that the light emitting device 120 may be driven.

한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)가, 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 패키지 몸체(110)의 상부면 사이에 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 주변에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may be provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the package body 110 . The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second bonding portions 121 and 122 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120. The adhesive 130 may be provided in the form of a closed loop around the first and second openings TH1 and TH2 when viewed from above the light emitting device 120. [

상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.The adhesive 130 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110. The adhesive 130 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The adhesive 130 may be arranged such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the molding part 140. In other words,

상기 접착제(130)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TRH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)의 폐루프를 벗어나 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.The first and second conductive layers 321 and 322 provided in the first and second openings TRH1 and TH2 are separated from the closed loop of the recess R by the adhesive 130, It can be prevented that it flows outwardly of the base 120.

상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)에 의하여 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 기준으로, 내부와 외부가 격리될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 리세스(R)가 제공된 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.However, according to the embodiment, since the inside and the outside can be isolated based on the region where the recess R is provided by the adhesive 130, the first and second conductive layers 321 and 322 It is possible to prevent the recess R from moving outward beyond the provided region.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Therefore, according to the light emitting device package according to the embodiment, the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, Electrical shorting can be prevented and the light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부면을 따라 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 제1 영역(A1)으로 이동되어 제공될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 4개의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 접착제(130)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있다.The adhesive 130 provided on the recess R may move along a lower surface of the light emitting device 120 to a first region A1 located below the light emitting device 120. In this case, And may be disposed in contact with the four side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. The first and second bonding portions 121 and 122 may be disposed so as to be surrounded by the adhesive 130 and the first and second openings TH1 and TH2 may be formed by the adhesive 130, As shown in Fig.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 접착제(130)에 의하여 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면 위로 이동되는 것이 방지될 수 있다.Since the first and second openings TH1 and TH2 can be sealed by the adhesive 130 as described above, the first and second openings TH1 and TH2 provided in the first and second openings TH1 and TH2, (321, 322) can be prevented from moving over the upper surface of the body (113).

한편, 상기 접착제(130)의 양이 충분하게 제공되지 못하는 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.If the amount of the adhesive 130 is not sufficiently provided, the first region A1 positioned below the light emitting device 120 is not filled with the adhesive 130, ≪ / RTI > Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 10% or less based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be greater than the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122. In order to increase the light extraction efficiency of the light emitting device, May be set to 10% or less based on the top surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is set to be larger than the area of the top surface of the substrate 124 To 0.7% or more.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is set so that the first conductor 221 and the second conductor 222 can be stably arranged. May be set to 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is reduced, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 can be increased. Further, under the light emitting device 120, the adhesive 130 having a good reflection characteristic may be provided. Accordingly, the light emitted downward of the light emitting device 120 is reflected by the adhesive 130, and is effectively emitted toward the upper side of the light emitting device package 100, and the light extraction efficiency can be improved.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the bonding portion of the light emitting device according to the embodiment can receive the driving power through the conductive layer disposed in the opening portion. And, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperatures to be damaged or discolored.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.As a result, the selection range for the material constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin and SMC can do.

다음으로, 도 23을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG.

도 23은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 23을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 22를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.23 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 23, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 22. FIG.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 도 23에 도시된 바와 같이, 도 22를 참조하여 설명된 반도체 소자 패키지에 비하여 상부 리세스(R10)를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device package according to the embodiment may further include an upper recess R10 as compared to the semiconductor device package described with reference to Fig. 22, as shown in Fig.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상부면에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)의 하부면 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided on the upper surface of the body 113. [ The upper recess R10 may be provided in the first region A1 positioned below the lower surface of the light emitting device 120. [ The upper recess R10 may be recessed in a first direction from the upper surface to the lower surface of the body 113.

상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있으며 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 제공될 수 있다. 상기 상부 리세스(R10)는 상기 발광소자(120)에 아래에 상기 발광소자(120)의 단축 방향으로 연장되어 제공될 수 있다.The upper recess R10 may be provided under the light emitting device 120 and may be provided between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122. [ The upper recess R10 may be provided below the light emitting device 120 in a direction of a minor axis of the light emitting device 120. [

도 22를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 리세스(R)에 제공되는 상기 접착제(130)의 양이 충분하지 못할 경우, 상기 발광소자(120) 아래에 위치된 상기 제1 영역(A1)은 상기 접착제(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 빈 공간으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 접착제(130)의 빈 틈을 통하여 상기 제1 영역(A1)의 빈 공간으로 확산되어 이동될 수도 있다.22, when the amount of the adhesive 130 provided to the recess R is not sufficient, the first region A1 positioned under the light emitting device 120 is formed of The adhesive 130 may not be filled with the adhesive 130, and some areas may be provided as empty spaces. Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 may be diffused and moved to the empty space of the first region A1 through the voids of the adhesive 130. [

그러나, 실시 예에 따른 몸체(113)의 물성과 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the body 113 according to the embodiment and the physical properties of the first and second conductive layers 321 and 322, by selecting properties having poor adhesion to each other, The distance that the conductive layers 321 and 322 are diffused from the upper surface of the body 113 can be limited. The distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be controlled so that the first conductive layer 321 And the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지가 상기 상부 리세스(R10)를 포함하는 경우, 상기 상부 리세스(R10)는 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 확산되어 이동되는 것을 더 제한하는 기능을 제공할 수 있다.In addition, when the light emitting device package according to the embodiment includes the upper recess R10, the upper recess R10 may be formed in the first region A1 by the first and second conductive layers 321 and 322 Can be provided.

상기 상부 리세스(R10)가 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 일부가 상기 몸체(113)의 상부로 확산되는 경우에도 상기 상부 리세스(R10)에서 일종의 트랩(trap) 효과가 발생되어 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한된다. 상기 제1 개구부(TH1)를 통하여 확산되는 상기 제1 도전층(321)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)를 통하여 확산되는 상기 제2 도전층(322)은 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 상부 리세스(R10)의 하부 방향으로 이동되지 못하는 현상이 발생된다. 이는 표면 장력 등의 영향으로 인하여 상기 상부 리세스(R10)의 오목한 영역 경계면에서 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 흐름이 제한되는 것으로 해석된다.Even when a portion of the first and second conductive layers 321 and 322 is diffused to the upper portion of the body 113 as the upper recess R10 is provided, a trap effect is generated and the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited. The first conductive layer 321 diffused through the first opening TH1 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . The second conductive layer 322 diffused through the second opening portion TH2 is not moved in the lower direction of the upper recess R10 from the concave region boundary of the upper recess R10 . It is interpreted that the flow of the first and second conductive layers 321 and 322 is limited at the concave region boundary of the upper recess R10 due to the influence of surface tension and the like.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 안정적이고 확실하게 제어될 수 있으므로, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.Accordingly, since the distance that the first and second conductive layers 321 and 322 are moved on the upper surface of the body 113 can be stably and reliably controlled, The electrically conductive layer 321 and the second electrically conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited.

한편, 도 22를 참조하여 설명된 발광소자 패키지에서는, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)가 상기 리세스(R)의 외측 경계면에 의해 형성되는 면적에 비해 더 크게 제공된 경우를 기준으로 설명되었다.In the light emitting device package described with reference to FIG. 22, when viewed from above the light emitting device 120, the area of the light emitting device 120 formed by the outer boundary surface of the recess R And the case where a larger size is provided.

그러나, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12를 참조하여 설명된 발광소자 패키지와 유사하게, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 외측면이 상기 리세스(R)와 중첩되게 제공될 수 있다.However, in the light emitting device package according to another embodiment, when the upper side of the light emitting device 120 is viewed from the upper side of the light emitting device 120, Can be provided to overlap with the recess (R).

이와 같이, 상기 발광소자(120)의 외측면이 상기 리세스(R) 영역 위에 배치되도록 함으로써, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)에 의하여 상기 발광소자(120)의 하부면과 상기 몸체(113)의 상면이 고정되고 밀봉될 수 있게 된다.Since the outer surface of the light emitting device 120 is disposed on the recess R as described above, the adhesive 130 provided on the recess R allows the lower surface of the light emitting device 120, The upper surface of the body 113 can be fixed and sealed.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에서, 상기 접착층(130)이 상기 발광소자(120)의 측면에 인접하게 제공되는 경우, 상기 접착층(130)이 상기 발광소자(120)의 측면을 따라 일부 영역까지 확산될 수도 있다. In the light emitting device package according to the embodiment described above, when the adhesive layer 130 is provided adjacent to the side surface of the light emitting device 120, the adhesive layer 130 may be provided on the side surface of the light emitting device 120 To some regions.

또한, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 패키지 몸체에 형성된 리세스(R)가 폐루프로 제공되는 경우를 기준으로 설명되었으나, 리세스(R)가 반드시 폐루프로 형성되지 않을 수도 있다. 리세스(R)가 폐루프로 형성되지 않고 일정 거리를 두고 서로 이격된 형상으로 제공되는 경우에, 리세스(R)에 제공된 접착층이 서로 연결될 정도로 리세스(R)가 작은 거리로 이격되어 있다면, 접착제에 의하여 발광소자와 패키지 몸체가 안정적으로 밀봉될 수 있으므로 원하는 효과를 충분히 구현할 수 있게 된다. 또한, 접착제가 확산성을 가지고 있으므로, 서로 이격된 리세스(R)에 배치된 접착층이 발광소자의 하면과 패키지 몸체의 상면에서 확산될 수 있고, 이에 따라 발광소자의 하면과 패키지 몸체의 상면 사이가 효과적으로 밀봉될 수 있게 된다.In addition, although the light emitting device package according to the above-described embodiment is described based on the case where the recess R formed in the package body is provided as a closed loop, it is also possible that the recess R is not necessarily formed as a closed loop have. If the recesses R are spaced apart by a small distance such that the adhesive layers provided in the recesses R are connected to each other when the recesses R are provided in a shape spaced apart from each other by a certain distance, , The light emitting element and the package body can be stably sealed by the adhesive, so that a desired effect can be sufficiently realized. In addition, since the adhesive has diffusibility, the adhesive layer disposed in the recesses R spaced from each other can be diffused from the lower surface of the light emitting element and the upper surface of the package body, so that the lower surface of the light emitting element and the upper surface of the package body Can be effectively sealed.

다음으로, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다.Next, an example of a flip chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 24는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 25는 도 24에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.FIG. 24 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 25 is a sectional view taken along line A-A of the light emitting device shown in FIG.

한편, 이해를 돕기 위해, 도 24를 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.24, the first sub-electrode 1171 and the second sub-electrode 1172, which are disposed under the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172, are electrically connected to the first bonding portion 1171. However, And the second sub-electrode 1142 electrically connected to the second bonding portion 1172 can be seen.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 기판(1105) 위에 배치된 발광 구조물(1110)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include the light emitting structure 1110 disposed on the substrate 1105, as shown in FIGS. 24 and 25. FIG.

상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The substrate 1105 may be selected from the group consisting of a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. For example, the substrate 1105 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concavo-convex pattern formed on its upper surface.

상기 발광 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 1110 may include a first conductive semiconductor layer 1111, an active layer 1112, and a second conductive semiconductor layer 1113. The active layer 1112 may be disposed between the first conductive semiconductor layer 1111 and the second conductive semiconductor layer 1113. For example, the active layer 1112 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 1111, and the second conductive semiconductor layer 1113 may be disposed on the active layer 1112.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 1111 may be provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 1113 may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 1111 may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 1113 may be provided as an n-type semiconductor layer.

이하에서는 설명의 편의를 위해 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 n형 반도체층으로 제공되고 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 p형 반도체층으로 제공된 경우를 기준으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the first conductive semiconductor layer 1111 is provided as an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 1113 is provided as a p-type semiconductor layer for convenience of description .

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 25에 도시된 바와 같이, 투광성 전극층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a light transmitting electrode layer 1130 as shown in FIG. The transmissive electrode layer 1130 can improve current diffusion and increase light output.

예로서, 상기 투광성 전극층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다.For example, the light transmitting electrode layer 1130 may include at least one selected from the group consisting of a metal, a metal oxide, and a metal nitride. The transmissive electrode layer 1130 may include a light-transmitting material.

상기 투광성 전극층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The transparent electrode layer 1130 may be formed of a material such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZON (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO gallium zinc oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / IrOx / Au / ITO, Pt, Ni, Au, Rh, and Pd.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a reflection layer 1160, as shown in FIGS. 24 and 25. FIG. The reflective layer 1160 may include a first reflective layer 1161, a second reflective layer 1162, and a third reflective layer 1163. The reflective layer 1160 may be disposed on the transmissive electrode layer 1130.

상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 투광성 전극층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. The second reflective layer 1162 may include a first opening h1 for exposing the transmissive electrode layer 1130. The second reflective layer 1162 may include a plurality of first openings h1 disposed on the transmissive electrode layer 1130. [

상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.The first reflective layer 1161 may include a plurality of second openings h2 exposing the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 1111. [

상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The third reflective layer 1163 may be disposed between the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162. For example, the third reflective layer 1163 may be connected to the first reflective layer 1161. The third reflective layer 1163 may be connected to the second reflective layer 1162. The third reflective layer 1163 may be physically in direct contact with the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162.

실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.The reflective layer 1160 may be in contact with the second conductive type semiconductor layer 1113 through a plurality of contact holes provided in the transparent electrode layer 1130. [ The reflective layer 1160 may be physically contacted to the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 1113 through a plurality of contact holes provided in the transmissive electrode layer 1130.

상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.The reflective layer 1160 may be provided as an insulating reflective layer. For example, the reflective layer 1160 may be provided as a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer. In addition, the reflective layer 1160 may be provided as an ODR (Omni Directional Reflector) layer. Also, the reflective layer 1160 may be provided by stacking a DBR layer and an ODR layer.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a first sub electrode 1141 and a second sub electrode 1142, as shown in FIGS.

상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다. The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 1111 in the second opening h2. The first sub-electrode 1141 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 1111. For example, in the light emitting device 1100 according to the embodiment, the first sub-electrode 1141 penetrates the second conductive type semiconductor layer 1113 and the active layer 1112 to form the first conductive type semiconductor layer 1111. The first conductivity type semiconductor layer 1111 may be disposed on the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 1111 in the recess.

상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The first sub electrode 1141 may be electrically connected to the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 1111 through a second opening h2 provided in the first reflective layer 1161. [ 24 and 25, the first sub-electrode 1141 may overlap with the second opening h2 in the plurality of recessed regions. For example, the first sub- 1-conductivity type semiconductor layer 1111. [0216]

상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 투광성 전극층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 1113. The second sub-electrode 1142 may be disposed on the second conductive type semiconductor layer 1113. According to the embodiment, the transparent electrode layer 1130 may be disposed between the second sub-electrode 1142 and the second conductive type semiconductor layer 1113.

상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 투광성 전극층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 1113 through a first opening h1 provided in the second reflective layer 1162. [ 24 and 25, the second sub-electrode 1142 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 1113 through the transparent electrode layer 1130 in a plurality of P regions Can be connected.

상기 제2 서브전극(1142)은, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 투광성 전극층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.24 and 25, the second sub-electrode 1142 is electrically connected to the transmissive electrode layer 1130 through a plurality of first openings h1 provided in the second reflective layer 1162 in a plurality of P regions ). ≪ / RTI >

실시 예에 의하면, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다. According to the embodiment, as shown in FIGS. 24 and 25, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have polarities with respect to each other, and may be disposed apart from each other.

상기 제1 서브전극(1141)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 서브전극(1142)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 이웃된 복수의 제2 서브전극(1142) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 이웃된 복수의 제1 서브전극(1141) 사이에 배치될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be provided in a plurality of line shapes as an example. In addition, the second sub-electrode 1142 may be provided in a plurality of line shapes as an example. The first sub-electrode 1141 may be disposed between a plurality of second sub-electrodes 1142 adjacent to each other. The second sub-electrode 1142 may be disposed between a plurality of neighboring first sub-electrodes 1141.

상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)이 서로 다른 극성으로 구성되는 경우, 서로 다른 개수의 전극으로 배치될 수 있다. 예를 들어 상기 제1 서브전극(1141)이 n 전극으로, 상기 제2 서브전극(1142)이 p 전극으로 구성되는 경우 상기 제1 서브전극(1141)보다 상기 제2 서브전극(1142)의 개수가 더 많을 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 전기 전도도 및/또는 저항이 서로 다른 경우, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)에 의해 상기 발광 구조물(1110)로 주입되는 전자와 정공의 균형을 맞출 수 있고 따라서 상기 발광소자의 광학적 특성이 개선될 수 있다.When the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 have different polarities, they may be arranged in different numbers of electrodes. For example, when the first sub-electrode 1141 is an n-electrode and the second sub-electrode 1142 is a p-electrode, the number of the second sub-electrodes 1142 Can be more. When the electrical conductivity and / or resistance of the second conductivity type semiconductor layer 1113 and the first conductivity type semiconductor layer 1111 are different from each other, the first sub electrode 1141 and the second sub electrode 1142, The electrons injected into the light emitting structure 1110 can be balanced with the holes and thus the optical characteristics of the light emitting device can be improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자가 적용될 발광소자 패키지에서 요청되는 특성에 따라, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)의 극성이 서로 반대로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)의 폭/길이/형상 및 개수 등은 발광소자 패키지에서 요청되는 특성에 따라 다양하게 변형되어 적용될 수 있다.Meanwhile, the polarities of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be opposite to each other depending on characteristics required in the light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiment is applied. The width, length, shape, and number of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 can be variously modified according to characteristics required in the light emitting device package.

상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be ohmic electrodes. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be formed of a metal such as ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / , At least one of Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf or an alloy of two or more of them.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 보호층(1150)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a protective layer 1150, as shown in FIGS.

상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. The passivation layer 1150 may include a plurality of third openings h3 exposing the second sub-electrode 1142. [ The plurality of third openings h3 may be disposed corresponding to a plurality of PB regions provided in the second sub-

또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다.In addition, the protective layer 1150 may include a plurality of fourth openings h4 for exposing the first sub-electrode 1141. [ The plurality of fourth openings h4 may be disposed corresponding to a plurality of NB regions provided in the first sub-

상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다.The protective layer 1150 may be disposed on the reflective layer 1160. The protective layer 1150 may be disposed on the first reflective layer 1161, the second reflective layer 1162, and the third reflective layer 1163.

예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer 1150 may be provided as an insulating material. For example, the passivation layer 1150 may include at least one of Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y And at least one material selected from the group consisting of:

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a first bonding portion 1171 and a second bonding portion 1172 disposed on the protective layer 1150 as shown in FIGS. have.

상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding portion 1171 may be disposed on the first reflective layer 1161. The second bonding portion 1172 may be disposed on the second reflective layer 1162. The second bonding portion 1172 may be spaced apart from the first bonding portion 1171.

상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The first bonding portion 1171 may contact the upper surface of the first sub-electrode 1141 through a plurality of the fourth openings h4 provided in the protective layer 1150 in a plurality of NB regions. The plurality of NB regions may be arranged to be perpendicular to the second opening h2. When the plurality of NB regions and the second openings h2 are vertically offset from each other, a current injected into the first bonding portion 1171 can be uniformly distributed in the horizontal direction of the first sub-electrode 1141, Therefore, current can be uniformly injected in the plurality of NB regions.

또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The second bonding portion 1172 may be in contact with the upper surface of the second sub-electrode 1142 through a plurality of the third openings h3 provided in the protective layer 1150 in a plurality of PB regions have. When the plurality of PB regions and the plurality of first openings h1 are not vertically overlapped, the current injected into the second bonding portion 1172 is uniformly distributed in the horizontal direction of the second sub-electrode 1142 So that current can be evenly injected in the plurality of PB regions.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 복수의 제4 개구부(h4) 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)와 상기 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting device 1100, the first bonding portion 1171 and the first sub-electrode 1141 can be in contact with each other in the fourth openings h4. Also, the second bonding portion 1172 and the second sub-electrode 1142 may be in contact with each other in a plurality of regions. Thus, according to the embodiment, power can be supplied through a plurality of regions, so that current dispersion effect is generated according to increase of the contact area and dispersion of the contact region, and operation voltage can be reduced.

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 도 25에 도시된 바와 같이, 상기 제1 반사층(1161)이 상기 제1 서브전극(1141) 아래에 배치되며, 상기 제2 반사층(1162)이 상기 제2 서브전극(1142) 아래에 배치된다. 이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 발광 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다.25, the first reflective layer 1161 is disposed under the first sub-electrode 1141, the second reflective layer 1162 is disposed under the first sub-electrode 1141, Is disposed under the second sub-electrode 1142. The first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 reflect light emitted from the active layer 1112 of the light emitting structure 1110 to form a first sub-electrode 1141 and a second sub- It is possible to minimize the occurrence of light absorption and improve the light intensity Po.

예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 절연성 재료로 이루어지되, 상기 활성층(1112)에서 방출된 빛의 반사를 위하여 반사율이 높은 재료, 예를 들면 DBR 구조를 이룰 수 있다.For example, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 are made of an insulating material. In order to reflect light emitted from the active layer 1112, a material having a high reflectivity, for example, a DBR structure Can be achieved.

상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다.The first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may have a DBR structure in which materials having different refractive indexes are repeatedly arranged. For example, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be formed of TiO 2 , SiO 2 , Ta 2 O 5 , HfO 2 Or a laminated structure including at least one of them.

또한, 다른 실시 예에 의하면, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛의 파장에 따라 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛에 대한 반사도를 조절할 수 있도록 자유롭게 선택될 수 있다.The first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may emit light from the active layer 1112 according to the wavelength of the light emitted from the active layer 1112. In other words, And can be freely selected to adjust the reflectivity to light.

또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.According to another embodiment, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be provided as an ODR layer. According to another embodiment, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be provided as a hybrid type in which a DBR layer and an ODR layer are stacked.

실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 발광 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다. When the light emitting device according to the embodiment is mounted by a flip chip bonding method and is implemented as a light emitting device package, the light provided from the light emitting structure 1110 may be emitted through the substrate 1105. Light emitted from the light emitting structure 1110 may be reflected by the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 and may be emitted toward the substrate 1105.

또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 발광 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. Also, the light emitted from the light emitting structure 1110 may be emitted in the lateral direction of the light emitting structure 1110. The light emitted from the light emitting structure 1110 may be transmitted through the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 among the surfaces on which the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed, The portion 1172 can be released to the outside through the region not provided.

구체적으로, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163)이 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. The light emitted from the light emitting structure 1110 may be transmitted through the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1172 among the surfaces on which the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed. The second reflective layer 1162, and the third reflective layer 1163 are not provided.

이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 상기 발광 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device 1100 according to the embodiment can emit light in six directions surrounding the light emitting structure 1110, and the light intensity can be remarkably improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.The sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 in the upper direction of the light emitting element 1100 is smaller than the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172, May be equal to or smaller than 60% of the total area of the upper surface of the light emitting device 1100 in which the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed.

예로서, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 발광 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.The total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to an area defined by the lateral length and the longitudinal length of the lower surface of the first conductive semiconductor layer 1111 of the light emitting structure 1110 . The total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to the area of the upper surface or the lower surface of the substrate 1105.

이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.By thus providing the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 equal to or smaller than 60% of the total area of the light emitting device 1100, The amount of light emitted to the surface where the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed can be increased. Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted toward the six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency can be improved and the light intensity Po can be increased.

또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)의 면적과 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.The sum of the area of the first bonding portion 1171 and the area of the second bonding portion 1172 in the upper direction of the light emitting device 1100 is preferably 30 %, ≪ / RTI >

이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1100)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.By thus providing the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 equal to or greater than 30% of the total area of the light emitting device 1100, Stable mounting can be performed through the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 and the electrical characteristics of the light emitting device 1100 can be secured.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.The sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 may be greater than the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 in consideration of the light extraction efficiency and the stability of bonding, ) And not more than 60%.

즉, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.That is, when the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 is 30% or more to 100% or less of the total area of the light emitting device 1100, The electrical characteristics can be ensured and the bonding force to be mounted on the light emitting device package can be ensured, so that stable mounting can be performed.

또한, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1100)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.When the sum of the areas of the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 is more than 0% and not more than 60% of the total area of the light emitting device 1100, The light extraction efficiency of the light emitting device 1100 may be improved and the light intensity Po may be increased by increasing the amount of light emitted to the surface on which the second bonding portion 1172 and the second bonding portion 1172 are disposed.

실시 예에서는 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.In order to secure the electrical characteristics of the light emitting device 1100 and the bonding force to be mounted on the light emitting device package and increase the light intensity, the area of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 Is not less than 30% and not more than 60% of the total area of the light emitting element 1100.

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 따른 길이는 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the third reflective layer 1163 may be disposed between the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172. For example, the length of the third reflective layer 1163 along the major axis of the light emitting device 1100 may be arranged corresponding to the distance between the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 have. In addition, the area of the third reflective layer 1163 may be 10% or more and 25% or less of the entire upper surface of the light emitting device 1100, for example.

상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 패키지 몸체가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다. When the area of the third reflective layer 1163 is 10% or more of the entire upper surface of the light emitting device 1100, the package body disposed under the light emitting device can be discolored or prevented from cracking, , It is advantageous to secure the light extraction efficiency to emit light to the six surfaces of the light emitting element.

또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 패키지 몸체에 변색 또는 균열의 발생을 방지하는 효과를 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.In other embodiments, the area of the third reflective layer 1163 is set to be more than 0% and less than 10% of the entire upper surface of the light emitting device 1100 in order to secure a larger light extraction efficiency. And the area of the third reflective layer 1163 may be more than 25% to 100% of the entire upper surface of the light emitting device 1100 in order to further secure the effect of preventing discoloration or cracking in the package body. . ≪ / RTI >

또한, 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. The light emitting structure 1110 may be formed as a second region provided between the first bonding portion 1171 or the second bonding portion 1172 which is adjacent to the long side of the light emitting device 1100, The light can be transmitted and emitted.

또한, 상기 발광소자(1100)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. The light generated in the light emitting structure may be incident on the third region provided between the first bonding portion 1171 or the second bonding portion 1172 adjacent to the side surface of the light emitting device 1100 in the short axis direction And can be transmitted and discharged.

실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the size of the first reflective layer 1161 may be several micrometers larger than the size of the first bonding portion 1171. For example, the area of the first reflective layer 1161 may be sufficiently large to cover the area of the first bonding portion 1171. The length of one side of the first reflective layer 1161 may be about 4 micrometers to 10 micrometers larger than the length of one side of the first bonding portion 1171 in consideration of a process error.

또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the size of the second reflective layer 1162 may be several micrometers larger than the size of the second bonding portion 1172. For example, the area of the second reflective layer 1162 may be sufficiently large to cover the area of the second bonding portion 1172. The length of one side of the second reflective layer 1162 may be greater than the length of one side of the second bonding portion 1172, for example, about 4 micrometers to 10 micrometers.

실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 발광 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.The light emitted from the light emitting structure 1110 may be transmitted through the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 by the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162, The light can be reflected without being incident on the light source. Accordingly, according to the embodiment, light generated and emitted from the light emitting structure 1110 can be minimized by being incident on the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 and being lost.

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다. In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the third reflective layer 1163 is disposed between the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172, 1171 and the second bonding portion 1172 of the first bonding portion.

앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1100)가 실장되는 패키지 몸체가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1100)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 패키지 몸체가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다. As described above, the light emitting device 1100 according to the embodiment may be mounted, for example, in a flip chip bonding manner to provide a light emitting device package. In this case, when the package body on which the light emitting device 1100 is mounted is provided by resin or the like, strong light of a short wavelength emitted from the light emitting device 1100 in the lower region of the light emitting device 1100 causes discoloration Or cracks may occur.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다. However, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the amount of light emitted between the regions where the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 are disposed can be adjusted, Can be prevented from being discolored or cracked.

실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171), 상기 제2 본딩부(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.The light emitting device 1100 having the first bonding portion 1171, the second bonding portion 1172 and the third reflective layer 1163 may be formed on the upper surface of the upper surface of the light emitting device 1100, Light generated in the structure 1110 can be transmitted and emitted.

이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 하부 면에 근접하게 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted toward the six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency can be improved and the light intensity Po can be increased. In addition, it is possible to prevent the package body disposed close to the lower surface of the light emitting device 1100 from being discolored or cracked.

또한, 실시 예예 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the transparent electrode layer 1130 may be provided with a plurality of contact holes C1, C2, and C3. The second conductive type semiconductor layer 1113 and the reflective layer 1160 may be bonded to each other through a plurality of contact holes C1, C2, and C3 provided in the transparent electrode layer 1130. [ The reflective layer 1160 can be in direct contact with the second conductive type semiconductor layer 1113 so that the adhesive force can be improved as compared with the case where the reflective layer 1160 is in contact with the transparent electrode layer 1130.

상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. When the reflective layer 1160 is directly in contact with the transmissive electrode layer 1130, the bonding force or adhesion between the reflective layer 1160 and the transmissive electrode layer 1130 may be weakened. For example, when the insulating layer and the metal layer are combined, the bonding force or adhesion between the materials may be weakened.

예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 투광성 전극층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1100)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1100)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.For example, when the bonding force or adhesive force between the reflective layer 1160 and the transmissive electrode layer 1130 is weak, peeling may occur between the two layers. If peeling occurs between the reflective layer 1160 and the transparent electrode layer 1130, the characteristics of the light emitting device 1100 may deteriorate and the reliability of the light emitting device 1100 can not be secured.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 투광성 전극층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.However, according to the embodiment, since the reflective layer 1160 can directly contact the second conductive type semiconductor layer 1113, the reflective layer 1160, the transparent electrode layer 1130, (1113) can be stably provided.

따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 투광성 전극층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, according to the embodiment, since the coupling force between the reflective layer 1160 and the second conductive type semiconductor layer 1113 can be stably provided, it is possible to prevent the reflective layer 1160 from being peeled off from the transparent electrode layer 1130 . In addition, since the bonding force between the reflective layer 1160 and the second conductive type semiconductor layer 1113 can be stably provided, the reliability of the light emitting device 1100 can be improved.

한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 투광성 전극층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, the transparent electrode layer 1130 may be provided with a plurality of contact holes C1, C2, and C3. Light emitted from the active layer 1112 may be incident on the reflective layer 1160 through the plurality of contact holes C1, C2, and C3 provided in the transmissive electrode layer 1130 and may be reflected. Accordingly, the light generated in the active layer 1112 is incident on the light-transmitting electrode layer 1130 to be lost, and the light extraction efficiency can be improved. Accordingly, the luminous intensity of the light emitting device 1100 according to the embodiment can be improved.

다음으로, 도 26 및 도 27을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the flip chip light emitting device applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 26 and 27. FIG.

도 26은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 27은 도 26에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.FIG. 26 is a plan view illustrating an electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 27 is a cross-sectional view taken along line F-F of the light emitting device shown in FIG.

한편, 이해를 돕기 위해, 도 26을 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.26, only the relative arrangement of the first electrode 127 and the second electrode 128 is conceptually shown. The first electrode 127 may include a first bonding portion 121 and a first branched electrode 125. The second electrode 128 may include a second bonding portion 122 and a second branched electrode 126.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이, 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include the light emitting structure 123 disposed on the substrate 124, as shown in FIGS. 26 and 27.

상기 기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The substrate 124 may be selected from the group consisting of a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. For example, the substrate 124 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concavo-convex pattern formed on its upper surface.

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123aa), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(123b)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)과 상기 제2 도전형 반도체층(123c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(123a) 위에 상기 활성층(123b)이 배치되고, 상기 활성층(123b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer 123aa, an active layer 123b, and a second conductive semiconductor layer 123c. The active layer 123b may be disposed between the first conductive semiconductor layer 123a and the second conductive semiconductor layer 123c. For example, the active layer 123b may be disposed on the first conductive semiconductor layer 123a, and the second conductive semiconductor layer 123c may be disposed on the active layer 123b.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. The first conductive semiconductor layer 123a may be provided as an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 123c may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductive semiconductor layer 123a may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 123c may be provided as an n-type semiconductor layer.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a first electrode 127 and a second electrode 128, as shown in FIGS. 26 and 27.

상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The first electrode 127 may include a first bonding portion 121 and a first branched electrode 125. The first electrode 127 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 123c. The first branched electrodes 125 may be branched from the first bonding portion 121. The first branched electrode 125 may include a plurality of branched electrodes branched from the first bonding portion 121.

상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The second electrode 128 may include a second bonding portion 122 and a second branched electrode 126. The second electrode 128 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 123a. The second branched electrode 126 may be branched from the second bonding portion 122. The second branched electrode 126 may include a plurality of branched electrodes branched from the second bonding portion 122.

상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first branched electrode 125 and the second branched electrode 126 may be arranged to be shifted from each other in a finger shape. The power supplied through the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 by the first branched electrode 125 and the second branched electrode 126 is supplied to the entire light emitting structure 123 It can be spread and provided.

상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first electrode 127 and the second electrode 128 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 may be ohmic electrodes. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 may be formed of one selected from the group consisting of ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / , At least one of Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf or an alloy of two or more of them.

한편, 상기 발광 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.The light emitting structure 123 may further include a protective layer. The protective layer may be provided on the upper surface of the light emitting structure 123. Further, the protective layer may be provided on a side surface of the light emitting structure 123. The protective layer may be provided so that the first bonding part 121 and the second bonding part 122 are exposed. In addition, the protective layer may be selectively provided on the periphery and the bottom surface of the substrate 124.

예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.By way of example, the protective layer may be provided as an insulating material. For example, the protective layer can be made of Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y And at least one material selected from the group consisting of:

실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, light generated in the active layer 123b may be emitted in six directions of the light emitting device. Light generated in the active layer 123b may be emitted in six directions through the upper and lower surfaces of the light emitting device.

참고로, 도 1 내지 도 23을 참조하여 설명된 발광소자의 상하 배치 방향과 도 26 및 도 27에 도시된 발광소자의 상하 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다.For reference, the vertical direction of the light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 23 and the vertical direction of the light emitting device shown in FIGS. 26 and 27 are shown opposite to each other.

실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.According to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 10% or less based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be greater than the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122. In order to increase the light extraction efficiency of the light emitting device, May be set to 10% or less based on the top surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124. The sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is set to be larger than the area of the top surface of the substrate 124 To 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the width of the first bonding portion 121 along the major axis direction of the light emitting device may be several tens of micrometers. The width of the first bonding portion 121 may be, for example, 70 micrometers to 90 micrometers. Also, the area of the first bonding portion 121 may be several thousand square micrometers.

또한, 상기 제2 본딩부(122)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width of the second bonding portion 122 along the major axis direction of the light emitting device may be several tens of micrometers. The width of the second bonding portion 122 may be, for example, 70 micrometers to 90 micrometers. In addition, the area of the second bonding portion 122 may be several thousand square micrometers.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. As the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is reduced, the amount of light transmitted to the lower surface of the light emitting device 120 can be increased.

한편, 도 1 내지 도 23을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 직접 접촉되는 경우를 기반으로 설명되었다.In the light emitting device package according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 23, the first and second bonding portions 121 and 122 are in direct contact with the first and second conductive layers 321 and 322, Based on the following.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 사이에 별도의 도전성 구성요소가 더 배치될 수도 있다.However, according to another embodiment of the light emitting device package according to the embodiment, the first and second bonding parts 121 and 122 and the first and second conductive layers 321 and 322 may be formed of a separate conductive component Lt; / RTI >

한편, 도 1 내지 도 23을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 23 may be applied to a light source device.

또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Further, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like depending on an industrial field.

광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.An example of the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, a light emitting module disposed in front of the reflector, An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, And may include a color filter disposed in front thereof. Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. The display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are disposed, respectively, without including a color filter.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, A lens that refracts light forward, and a shade that reflects off a portion of the light that is reflected by the reflector and that is directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder. The light source module may include the light emitting device package according to the embodiment.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention.

110 패키지 몸체 111 제1 프레임
112 제2 프레임 113 몸체
117 반사부 120 발광소자
121 제1 본딩부 122 제2 본딩부
123 발광 구조물 124 기판
130 접착제 140 몰딩부
210 임시기판 310 회로기판
311 제1 패드 312 제2 패드
313 지지기판 321 제1 도전층
322 제2 도전층 421 제1 본딩층
422 제2 본딩층 R 리세스
R10 상부 리세스 TH1 제1 개구부
TH2 제2 개구부110 package body 111 first frame
112 Second frame 113 Body
117 Reflective element 120 Light emitting element
121 first bonding portion 122 second bonding portion
123 light emitting structure 124 substrate
130 adhesive 140 molding part
210 Temporary substrate 310 Circuit substrate
311 first pad 312 second pad
313 Support substrate 321 First conductive layer
322 Second conductive layer 421 First bonding layer
422 Second bonding layer R recess
R10 upper recess TH1 first opening
TH2 second opening

Claims (10)

패키지 몸체;
상기 패키지 몸체 위에 배치된 발광소자; 및
상기 패키지 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 접착제;
를 포함하고,
상기 패키지 몸체는 상기 패키지 몸체의 상면에서 상기 패키지 몸체를 관통하는 제1 및 제2 개구부와, 상기 패키지 몸체의 상면에서 상기 패키지 몸체의 하면으로 오목한 리세스를 포함하고,
상기 발광소자는 상기 제1 개구부 위에 배치된 제1 본딩부와 상기 제2 개구부 위에 배치된 제2 본딩부를 포함하고,
상기 리세스에 상기 접착제가 제공되고,
상기 리세스는 상기 제1 및 제2 개구부 둘레에 폐루프 형상으로 제공된 발광소자 패키지.A package body;
A light emitting element disposed on the package body; And
An adhesive disposed between the package body and the light emitting device;
Lt; / RTI >
The package body includes first and second openings passing through the package body on an upper surface of the package body, and a recess recessed from the upper surface of the package body to the lower surface of the package body,
Wherein the light emitting device includes a first bonding portion disposed on the first opening portion and a second bonding portion disposed on the second opening portion,
Said adhesive being provided in said recess,
Wherein the recess is provided in a closed loop shape around the first and second openings. 제1항에 있어서,
상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자의 크기가 상기 리세스에 의하여 제공된 폐루프 면적에 비해 더 크게 제공된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a size of the light emitting element is larger than a closed loop area provided by the recess when viewed from an upper direction of the light emitting element. 제1항에 있어서,
상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자의 네 측면을 연결하는 외곽선 내에 상기 리세스에 의하여 제공된 폐루프가 제공된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And a closed loop provided by the recess in an outline connecting four sides of the light emitting element when viewed from the upper direction of the light emitting element. 제1항에 있어서,
상기 발광소자의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자의 네 측면을 연결하는 외곽선이 상기 리세스 위에 중첩되어 제공된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And an outline connecting four sides of the light emitting device is provided in a superposed state on the recess when viewed from the upper direction of the light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체는 제1 프레임, 제2 프레임, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 몸체를 포함하고,
상기 제1 개구부는 상기 제1 프레임에 제공되고, 상기 제2 개구부는 상기 제2 프레임에 제공되고,
상기 리세스는 상기 제1 프레임, 상기 몸체, 상기 제2 프레임의 상면에 연결되어 제공된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the package body comprises a first frame, a second frame, a body disposed between the first frame and the second frame,
The first opening is provided in the first frame, the second opening is provided in the second frame,
Wherein the recess is connected to an upper surface of the first frame, the body, and the second frame. 제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 상면에서 하면 방향으로 오목한 상부 리세스를 더 포함하고,
상기 상부 리세스는 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 제공된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And an upper recess recessed in a downward direction from an upper surface of the package body,
And the upper recess is provided between the first opening and the second opening. 제1항에 있어서,
상기 접착제는 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 둘레에 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive is disposed around the first bonding portion and the second bonding portion. 제1항에 있어서,
상기 제1 개구부에 배치되어 상기 제1 본딩부와 전기적으로 연결된 제1 도전층과, 상기 제2 개구부에 배치되어 상기 제2 본딩부와 전기적으로 연결된 제2 도전층을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
A first conductive layer disposed in the first opening and electrically connected to the first bonding portion; and a second conductive layer disposed in the second opening and electrically connected to the second bonding portion. 제8항에 있어서,
상기 제1 본딩부와 상기 제1 도전층 사이에 배치된 제1 도전체와, 상기 제2 본딩부와 상기 제2 도전층 사이에 배치된 제2 도전체를 포함하는 발광소자 패키지.9. The method of claim 8,
A first conductor disposed between the first bonding portion and the first conductive layer; and a second conductor disposed between the second bonding portion and the second conductive layer. 제1항에 있어서,
상기 접착제는 상기 패키지 몸체의 상면 및 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되어 제공되고, 상기 제1 및 제2 본딩부 둘레를 둘러 싸고 밀봉시키는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive is provided in direct contact with the upper surface of the package body and the lower surface of the light emitting device, and surrounds and seals the first and second bonding parts.
KR1020170107566A 2017-08-02 2017-08-24 Light emitting device package KR102379834B1 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170107566A KR102379834B1 (en) 2017-08-24 2017-08-24 Light emitting device package
EP18185956.2A EP3439050B1 (en) 2017-08-02 2018-07-27 Light emitting device package
TW107126543A TWI775911B (en) 2017-08-02 2018-07-31 Light emitting device package
US16/052,247 US10749089B2 (en) 2017-08-02 2018-08-01 Light emitting device package including a recess provided under a light emitting device and having a closed loop shape
JP2018144644A JP7228871B2 (en) 2017-08-02 2018-08-01 light emitting device package
CN201810869572.1A CN109390449B (en) 2017-08-02 2018-08-02 Light emitting device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170107566A KR102379834B1 (en) 2017-08-24 2017-08-24 Light emitting device package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190021989A true KR20190021989A (en) 2019-03-06
KR102379834B1 KR102379834B1 (en) 2022-03-29

Family

ID=65761246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170107566A KR102379834B1 (en) 2017-08-02 2017-08-24 Light emitting device package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102379834B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110068317A (en) * 2009-12-16 2011-06-22 광주인탑스(주) Led package and the method for producing the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110068317A (en) * 2009-12-16 2011-06-22 광주인탑스(주) Led package and the method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102379834B1 (en) 2022-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190031094A (en) Light emitting device package and lighting apparatus
KR20190001188A (en) Light emitting device package and light unit
KR102508745B1 (en) Light emitting device package
JP6964345B2 (en) Light emitting element package and light source device
KR20190083042A (en) Light emitting device package
KR102432214B1 (en) Light emitting device package
KR20190031089A (en) Light emitting device package
KR102379733B1 (en) Light emitting device package
KR20190065011A (en) Light emitting device package
KR20190086099A (en) Light emitting device package
KR102542297B1 (en) Light emitting device package
KR102610607B1 (en) Light emitting device package
KR20190044449A (en) Light emitting device package and light unit
KR102379834B1 (en) Light emitting device package
KR102509064B1 (en) Light emitting device package and lighting apparatus
KR102433841B1 (en) Light emitting device package
KR102369237B1 (en) Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package
KR102369245B1 (en) Light emitting device package
KR102359818B1 (en) Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package
KR20190087710A (en) Light emitting device package
KR20190078749A (en) Light emitting device package
KR20190079076A (en) Light emitting device package
KR20190001384A (en) Light emitting device package and light unit
KR20190028014A (en) Light emitting device package
KR20190025400A (en) Light emitting device package and light emitting apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant