KR20190001384A - Light emitting device package and light unit - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiments relate to a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group II-VI compound semiconductor material can be used for a variety of applications such as red, Blue and ultraviolet rays can be realized. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconductor material can realize a white light source having high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconducting material, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. Further, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of element materials, and can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diode (LED) lighting devices, automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device can be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electric energy is converted into light energy by using a group III-V element or a group II-VI element in the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors have received great interest in the development of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. Particularly, a blue light emitting element, a green light emitting element, an ultraviolet (UV) light emitting element, and a red (RED) light emitting element using a nitride semiconductor are commercially available and widely used.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. It is used for sterilizing and purifying in the wavelength band, short wavelength, Can be used.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm) and UV-C (200nm ~ 280nm) in the long wavelength order. UV-A (315nm ~ 400nm) is applied in various fields such as UV curing for industrial use, curing of printing ink, exposure machine, discrimination of counterfeit, photocatalytic disinfection and special illumination (aquarium / ) Area is used for medical use, and UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products and the like.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. On the other hand, a semiconductor device capable of providing a high output has been requested, and a semiconductor device capable of increasing a power by applying a high power source has been studied.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies are being made on a method for improving the light extraction efficiency of a semiconductor device and improving the light intensity at a package end in a semiconductor device package. In addition, studies have been made on a method for improving the bonding strength between a package electrode and a semiconductor device in a semiconductor device package.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, studies have been made on a method for reducing the manufacturing cost and improving the manufacturing yield by improving the process efficiency and changing the structure in the semiconductor device package.
실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.
실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device, which can improve the process efficiency and provide a new package structure to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.
실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package that can prevent a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of a semiconductor device package in a process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like have.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 상기 제1 및 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자; 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제; 및 상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제; 를 포함하고, 상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 형성된 리세스에 배치되고, 상기 제1 및 제2 접착제는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes first and second frames spaced apart from each other; A body disposed between the first and second frames; A light emitting element electrically connected to the first and second frames; A first adhesive disposed between the body and the light emitting device; And a second adhesive disposed between the first and second frames and the light emitting element; Wherein the first adhesive is disposed in a recess formed in the upper surface of the body, and the first and second adhesive may include different materials.
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 절연성 접착제이고 상기 제2 접착제는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first adhesive may be an insulating adhesive and the second adhesive may be provided by a conductive adhesive.
실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 프레임의 상면에 각각 형성된 리세스에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second adhesive may be disposed on the recess formed on the upper surface of the first and second frames, respectively.
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 직접 접촉되며 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고, 상기 제2 접착제는 상기 제1 프레임의 상면에 직접 접촉되며 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first adhesive directly contacts the upper surface of the body and directly contacts the lower surface of the light emitting device, the second adhesive contacts directly to the upper surface of the first frame, Can be contacted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 상기 제1 프레임과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 발광소자; 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제; 및 상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 프레임 각각은 상면에서 하면으로 오목한 제1 및 제2 리세스를 포함하고, 상기 제1 리세스는 상기 제1 프레임의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극과 중첩되고, 상기 제2 리세스는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 제2 전극과 중첩되고, 상기 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 리세스 내에 배치되고, 상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 형성된 리세스에 배치될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes first and second frames spaced apart from each other; A body disposed between the first and second frames; A light emitting element including a first electrode electrically connected to the first frame and a second electrode electrically connected to the second frame; A first adhesive disposed between the body and the light emitting device; And a second adhesive disposed between the first and second frames and the light emitting element; Wherein each of the first and second frames includes first and second recesses recessed from an upper surface thereof, and the first recess has a first direction from a lower surface of the first frame toward an upper surface, The second recess overlaps with the second electrode with respect to the first direction, and the second adhesive is disposed within the first and second recesses, and the first The adhesive may be disposed in the recess formed on the upper surface of the body.
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 절연성 접착제이고 상기 제2 접착제는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first adhesive may be an insulating adhesive and the second adhesive may be provided by a conductive adhesive.
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 직접 접촉되며 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고, 상기 제2 접착제는 상기 제1 프레임의 상면에 직접 접촉되며 상기 제1 전극의 하면에 직접 접촉될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first adhesive directly contacts the upper surface of the body and directly contacts the lower surface of the light emitting device, the second adhesive contacts the upper surface of the first frame, Can be directly contacted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 및 제2 리세스 내에 배치되어 상기 제2 접착제와 접촉된 제1 수지부를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a first resin part disposed in the first and second recesses and in contact with the second adhesive.
실시 예에 의하면, 상기 제1 수지부는 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고 상기 제2 접착제의 측면에 직접 접촉될 수 있다.According to the embodiment, the first resin part is in direct contact with the lower surface of the light emitting element and can be in direct contact with the side surface of the second adhesive.
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 발광소자와 중첩되어 배치되고, 상기 제2 접착제는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극과 중첩되어 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first adhesive may be disposed to overlap the light emitting device with respect to the first direction, and the second adhesive may be disposed to overlap with the first electrode with respect to the first direction.
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the first adhesive may be disposed between the first electrode and the second electrode.
실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first frame and the second frame may be provided as a conductive frame.
실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 제1 방향으로 오목한 복수의 리세스를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the body may include a plurality of recesses recessed in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면에 제1 리세스를 포함하는 제1 프레임; 상기 제1 프레임과 이격되고, 상면에 제2 리세스를 포함하는 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 상기 제1 및 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자; 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제; 상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제; 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스 내에 배치되는 제1 수지부; 및 상기 제1 수지부 상에 배치된 제2 수지부; 를 포함하고, 상기 제1 수지부는 상기 발광소자의 하면에 접촉되어 제공될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a first frame including a first recess on an upper surface thereof; A second frame spaced apart from the first frame and including a second recess on an upper surface thereof; A body disposed between the first and second frames; A light emitting element electrically connected to the first and second frames; A first adhesive disposed between the body and the light emitting device; A second adhesive disposed between the first and second frames and the light emitting element; A first resin part disposed in the first recess and the second recess; And a second resin part disposed on the first resin part; And the first resin part may be provided in contact with the lower surface of the light emitting device.
실시 예에 의하면, 상기 제2 수지부는 상기 발광소자 위에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second resin part can be disposed on the light emitting element.
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 절연성 접착제이고 상기 제2 접착제는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first adhesive may be an insulating adhesive and the second adhesive may be provided by a conductive adhesive.
실시 예에 의하면, 상기 제1 수지부는 화이트 실리콘을 포함할 수 있다.According to the embodiment, the first resin part may include white silicon.
실시 예에 따른 광원 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 및 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 상기 제1 및 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자; 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제; 상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제; 상기 기판과 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 제3 접착제; 를 포함하고, 상기 제2 접착제 및 상기 제3 접착제는 전도성을 가지며 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.A light source device according to an embodiment includes: a substrate; First and second frames disposed on the substrate; A body disposed between the first and second frames; A light emitting element electrically connected to the first and second frames; A first adhesive disposed between the body and the light emitting device; A second adhesive disposed between the first and second frames and the light emitting element; A third adhesive disposed between the substrate and the first and second frames; Wherein the second adhesive and the third adhesive are conductive and may include different materials.
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제는 절연성 접착제이고, 상기 몸체의 상면에 직접 접촉되고 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되어 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first adhesive is an insulating adhesive and may be provided in direct contact with the upper surface of the body and in direct contact with the lower surface of the light emitting device.
실시 예에 의하면, 상기 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 프레임의 상면에 각각 형성된 리세스에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the second adhesive may be disposed on the recess formed on the upper surface of the first and second frames, respectively.
실시 예에 의하면, 상기 리세스에 배치된 제1 수지부를 포함하고, 상기 제1 수지부는 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고 상기 제2 접착제의 측면에 직접 접촉되어 제공될 수 있다.According to the embodiment, the light emitting device may include a first resin portion disposed in the recess, and the first resin portion may be provided directly in contact with the lower surface of the light emitting element and in direct contact with the side surface of the second adhesive.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for fabricating a semiconductor device package according to the embodiments, the light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability can be improved.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device package according to the embodiments, the process efficiency is improved and a new package structure is presented, which is advantageous in that the manufacturing cost can be reduced and the manufacturing yield can be improved.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The semiconductor device package according to the embodiment has an advantage that the reflector can be prevented from being discolored by providing the body with high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiments, it is possible to prevent the re-melting phenomenon from occurring in the bonding area of the semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to the substrate .
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 9 내지 도 11은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 12 내지 도 14는 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 15 내지 도 17은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 또 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 도 18에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 평면도이다.
도 22는 도 21에 도시된 발광소자의 A-A 선에 다른 단면도이다.
도 23a 및 도 23b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 반도체층이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 24a 및 도 24b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 오믹접촉층이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 25a 및 도 25b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 반사층이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 26a 및 도 26b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 제1 서브전극과 제2 서브전극이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 27a 및 도 27b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 보호층이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 28a 및 도 28b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 제1 전극패드와 제2 전극패드가 형성된 단계를 설명하는 도면이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line DD of the light emitting device package shown in FIG.
4 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
5 to 8 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
9 to 11 are views for explaining a modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
12 to 14 are views for explaining another modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
15 to 17 are views for explaining another modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
18 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package shown in FIG. 18;
20 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
21 is a plan view showing an example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
22 is another sectional view taken along the line AA of the light emitting device shown in Fig.
23A and 23B are views illustrating a step of forming a semiconductor layer according to a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
24A and 24B are views illustrating a step of forming an ohmic contact layer according to a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
25A and 25B are views illustrating a step of forming a reflective layer according to a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 26A and 26B are views for explaining steps of forming a first sub-electrode and a second sub-electrode according to a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 27A and 27B are views illustrating a step of forming a protective layer by a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 28A and 28B are views illustrating a step of forming a first electrode pad and a second electrode pad according to a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on " and " under " are intended to include both "directly" or "indirectly" do. In addition, the criteria for the top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to drawings, but the embodiment is not limited thereto.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a method for fabricating a semiconductor device package and a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a case where a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. First, referring to FIGS. 1 to 4, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이고, 도 4는 실시 예예 따른 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. And FIG. 4 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package according to the embodiment.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 전극(121), 제2 전극(122), 반도체층(123)을 포함할 수 있다. The
상기 반도체층(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(121)은 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 반도체층(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 반도체층(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)은 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 접착제(130)를 포함할 수 있다. The light emitting
상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. The
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 하면에서 상면을 향하는 방향을 기준으로 상기 발광소자(120)와 중첩되어 배치될 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. The recesses R may be provided in the
상기 리세스(R)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제1 전극(121)과 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제2 전극(122)과 중첩되지 않게 제공될 수 있다.The recess R may be disposed between the
예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)의 측면과 상기 제2 전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.The
상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2) 또는 상기 제2 프레임(112)의 두께(T2)에 비해 작게 제공될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be smaller than the thickness T2 of the
상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 제1 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 제1 접착제(130)를 통해 실장하기 위해 상기 제1 접착제(130)를 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다. The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제1 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may be provided at a depth greater than the first depth so that the
상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 제1 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 제1 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth (T1) and the width (W4) of the recess (R) may affect the forming position and fixing force of the first adhesive (130). The depth T1 and the width W4 of the recess R are determined so that a sufficient fixing force can be provided by the
예로서, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. By way of example, the depth (T1) of the recess (R) may be provided by several tens of micrometers. The depth (T1) of the recess (R) may be provided from 40 micrometers to 60 micrometers.
또한, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 발광소자(120)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.In addition, the width W4 of the recess R may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. Here, the width W4 of the recess R may be provided in the major axis direction of the
상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.The width W 4 of the recess R may be narrower than the gap between the
상기 제1 프레임(111)의 두께(T2) 및 상기 제2 프레임(112)의 두께(T2)는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2) 및 상기 제2 프레임(112)의 두께(T2)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.The thickness T2 of the
예로서, 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2)는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 프레임(111)의 두께(T2)는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the thickness T2 of the
예로서, 상기 (T2-T1)의 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. By way of example, the thickness of (T2-T1) may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process capable of providing crack free of the
실시 예에 의하면, T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)는 2 내지 10으로 제공될 수 있다. 예로서, T2의 두께가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, T1의 두께는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the ratio of the T1 thickness to the T2 thickness (T2 / T1) may be 2 to 10. As an example, if the thickness of T2 is provided at 200 micrometers, the thickness of T1 may be provided from 20 micrometers to 100 micrometers.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 접착제(133)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 전극(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 전극(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 예로서 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제1 전극(121)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 프레임(112)과 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.The
예로서, 상기 제2 접착제(133)는 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제2 접착제(133)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the
예로서, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제(130)와 상기 제2 접착제(133)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있고, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 리세스(R10)와 제2 리세스(R20)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first recess R10 and a second recess R20, as shown in FIGS.
상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first recess R10 may be provided on the upper surface of the
상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극(121)과 중첩될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)에 상기 제2 접착제(133)가 제공될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극(121)과 중첩되어 배치될 수 있다.The first recess R10 may overlap the
상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The second recess R20 may be provided on the upper surface of the
상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 전극(122)과 중첩될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)에 상기 제2 접착제(133)가 제공될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 전극(122)과 중첩되어 배치될 수 있다.The second recess R20 may overlap the
예로서, 상기 제1 리세스(R10)와 상기 제2 리세스(R20)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first recess R10 and the second recess R20 may be provided with a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)와 상기 제2 리세스(R20)에 배치될 수 있다.1 to 4, the
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공되어 상기 제1 전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 전극(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 리세스(R20)에 제공되어 상기 제2 전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 리세스(R20)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 전극(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 리세스(R10)의 면적이 상기 제1 전극(121)의 면적에 비해 더 크게 제공된다. 또한, 상기 제1 리세스(R10)의 면적이 상기 제2 접착제(133)의 면적에 비해 더 크게 제공된다. According to the light emitting
실시 예에 의하면, 상기 제1 리세스(R10)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. 이때, 상기 제1 리세스(R10)의 면적이 여유있게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가지 않고 상기 제1 리세스(R10) 내의 여유 공간으로 이동될 수 있게 된다. According to the embodiment, the
다른 표현으로서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가지 않고, 상기 발광소자(120)가 배치되지 않은 상기 제1 리세스(R10)의 외곽 영역으로 이동될 수 있게 된다.The
또한, 상기 제2 리세스(R20)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 전극(122)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. 이때, 상기 제2 리세스(R20)의 면적이 여유있게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 전극(122)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가지 않고 상기 제2 리세스(R20) 내의 여유 공간으로 이동될 수 있게 된다.The second recess R20 may be provided with the
다른 표현으로서, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 전극(122)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가지 않고, 상기 발광소자(120)가 배치되지 않은 상기 제2 리세스(R20)의 외곽 영역으로 이동될 수 있게 된다.The
이와 같이, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 발광소자(120)를 이루는 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있게 된다. 또한, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)를 이루는 활성층의 측면에 배치되는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.Since the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 제1 수지부(135)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 반도체층(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 접착제(133) 사이에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 직접 접촉될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제1 전극(121)의 둘레에 제공될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 전극(122)의 둘레에 제공될 수 있다.The
예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. The
상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 제1 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제2 접착제(133)와 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
참고로, 도 1을 도시함에 있어, 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)의 배치관계가 잘 나타날 수 있도록, 상기 제2 수지부(140)는 도시하지 아니하였다.1, the
상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제2 수지부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 제1 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 제2 수지부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)가 상기 제1 리세스(R10)와 상기 제2 리세스(R20)에 배치될 수도 있다. According to another embodiment of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 반도체층(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 반도체층(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반도체층(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the
상기 반도체층(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of at least one of Group III-V-Vs or Group V-VIs compound semiconductors. The first and second conductivity type semiconductor layers are formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? . For example, the first and second conductive semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, . The first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se or Te. The second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr or Ba.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be formed of a compound semiconductor. The active layer may be implemented, for example, in at least one of Group 3-Group-5 or Group-6-Group compound semiconductors. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of alternately arranged well layers and a plurality of barrier layers, and may be In x Al y Ga 1 -x- y N , 0? Y? 1, 0? X + y? 1). For example, the active layer may be selected from the group consisting of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, And may include at least one.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제1 전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 리세스(R20)에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제2 전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting
이에 따라, 상기 제1 전극(121) 및 상기 제2 전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
그러면, 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기로 한다.5 to 8, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.
도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.5 to 8, a method of fabricating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110)가 제공될 수 있다.Referring to FIG. 5, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may include providing a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the
상기 패키지 몸체(110)는 상기 몸체(113)에 제공된 리세스(R)를 포함할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)은 제1 리세스(R10)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 제2 리세스(R20)를 포함할 수 있다.Also, the
상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first recess R10 may be provided on the upper surface of the
상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The second recess R20 may be provided on the upper surface of the
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R10)와 상기 제2 리세스(R20)에 제2 접착제(133)가 제공될 수 있다.5, a
예로서, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)의 일부 영역과 상기 제2 리세스(R20)의 일부 영역에 도팅(doting) 방식 등을 통하여 제공될 수 있다. For example, the
상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 접착제(133)는 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제2 접착제(133)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The
예로서, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다.For example, the
그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110) 위에 발광소자(120)가 제공될 수 있다. 6, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치되는 과정에서 상기 리세스(R)는 일종의 정렬키(align key) 역할을 하도록 활용될 수도 있다.The recess R may be used as an align key in the process of disposing the
상기 발광소자(120)는 상기 제2 접착제(133)에 의하여 상기 몸체(113)에 고정될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)에 제공된 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 제1 전극(121)과 접착될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)에 제공된 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 제2 전극(122)과 접착될 수 있다. The
또한, 실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)에 제1 접착제(130)가 제공될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the
상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R) 영역에 주입될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)가 형성된 영역에 일정량 제공될 수 있으며, 상기 리세스(R)를 넘치도록 제공될 수 있다.The
또한, 실시 예에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)의 길이(L2)는 상기 발광소자(120)의 단축 방향 길이(L1)에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 이에 따라, 실시 예예 의하면 상기 리세스(R)를 통하여 상기 발광소자(120)의 하부 영역에 상기 제1 접착제(130)를 주입할 수 있게 된다.실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조공정에서, 상기 발광소자(120) 하부에 제공되는 상기 제1 접착제(130)의 양이 많을 경우, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 제1 접착제(130)가 상기 발광소자(120)의 하부에 접착되면서 넘치는 부분은 상기 리세스(R)의 길이(L2) 방향으로 이동될 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에 제공된 제1 전극(121)과 제2 전극(122) 방향으로 이동되어 배치될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 접착제(130)의 양이 설계에 비해 많게 도포되는 경우에도, 상기 발광소자(120)가 상기 몸체(113) 로부터 들뜨지 않고 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 6, the length L2 of the recess R may be greater than the length L1 of the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이의 넓은 영역에 상기 제1 접착제(130)가 제공될 수 있으며, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 고정력이 향상될 수 있게 된다.The
상기 발광소자(120)는 상기 제1 접착제(130)와 상기 제2 접착제(133)에 의하여 상기 몸체(113)의 상면에 고정될 수 있게 된다. 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있으며, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.The
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 수지부(135)가 형성될 수 있다.Next, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 7, a
상기 제1 수지부(135)는, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 반도체층(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 접착제(133) 사이에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 직접 접촉될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제1 전극(121)의 둘레에 제공될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 전극(122)의 둘레에 제공될 수 있다.The
예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 제1 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제2 접착제(133)와 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 위에 제2 수지부(140)가 제공될 수 있다.Next, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, a
상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제2 수지부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The
한편, 이상의 설명에서는, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 실장된 후에, 상기 발광소자(120) 하부에 상기 제1 접착제(130)가 형성되는 경우를 기준으로 설명되었다.5 and 6, after the
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 다른 예에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 리세스(R10, R20)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 리세스(R)에 상기 제1 접착제(130)가 형성된 후에, 상기 발광소자(120)가 상기 제1 접착제(130) 및 상기 제2 접착제(133) 위에 제공되고 고정되도록 할 수도 있다.However, according to another embodiment of the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 5, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 또 다른 예에 의하면, 상기 제1 수지부(135)가 형성되지 않고, 상기 패키지 몸체(110)의 캐비티 내에 상기 제2 수지부(140)만 형성될 수도 있다.According to another embodiment of the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제1 전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 리세스(R20)에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제2 전극(122)에 전원이 연결될 수 있다. The light emitting
이에 따라, 상기 제1 전극(121) 및 상기 제2 전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened, And the optical and electrical characteristics and reliability of the light emitting device package may be deteriorated.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되지 않게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 다양한 변형 예를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may include various modifications.
먼저, 도 9 내지 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 변형 예들에 대해 살펴 보기로 한다. 도 9 내지 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.9 to 17, modifications of the body applied to the light emitting device package according to the embodiment will be described. 9 to 17, a description of elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 8 may be omitted in the following description of the light emitting device package according to the embodiment.
도 9 내지 도 11은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 변형 예를 설명하는 도면이다. 9 to 11 are views for explaining a modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 9에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 2 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 상부 리세스(R11)를 포함할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 끝단에 접하여 제공될 수 있다.For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제2 상부 리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 끝단에 접하여 제공될 수 있다.In addition, the
상기 제1 상부 리세스(R11)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 제1 프레임(111)의 상면으로부터 아래 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 제2 프레임(112)의 상면으로부터 아래 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The first upper recess R11 may be recessed downward from the upper surface of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 제1 접착제(130)가 상기 제1 상부 리세스(R11)와 상기 제2 상부 리세스(R12)에 제공될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)의 측면과 상기 제2 전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 상부 리세스(R11)와 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first upper recess R11 and the second upper recess R12 may provide a suitable space under which a kind of underfill process may be performed under the
상기 제1 상부 리세스(R11)와 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제1 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 상부 제1 리세스(R11)와 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first upper recess R11 and the second upper recess R12 may be formed such that the
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 상부 리세스(R11) 및 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공된 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R12) 및 상기 제1 접착제(130)는 상기 제2 리세스(R20)에 제공된 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착제(133))의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.The first upper recess R11 and the
한편, 도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 10 및 도 11은 도 9에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.9 is a cross-sectional view of a
예로서, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제1 상부 리세스(R11)와 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R11)와 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 평행하게 배치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 10, the first upper recess R11 and the second upper recess R12 may be spaced apart from each other with a central region of the
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제1 상부 리세스(R11)와 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 상부 리세스(R11)와 상기 제2 상부 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다.11, the first upper recess R11 and the second upper recess R12 may be spaced apart from each other with a central region of the
한편, 도 12 내지 도 14는 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 다른 변형 예를 설명하는 도면이다. 12 to 14 are views for explaining another modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 12에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 3 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 상부 리세스(R21)를 포함할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R21)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제3 상부 리세스(R23)를 포함할 수 있다. 상기 제3 상부 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.In addition, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역에 배치된 제2 상부 리세스(R22)를 포함할 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R22)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R22)는 상기 제1 상부 리세스(R21)와 상기 제3 상부 리세스(R23) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 제1 접착제(130)가 상기 제1 상부 리세스(R21), 상기 제2 상부 리세스(R22), 상기 제3 상부 리세스(R23)에 제공될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)의 측면과 상기 제2 전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 상부 리세스(R21), 상기 제2 상부 리세스(R22), 상기 제3 상부 리세스(R23)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체에 부착하기 위해 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first upper recess R21, the second upper recess R22 and the third upper recess R23 are formed on the
상기 제1 상부 리세스(R21), 상기 제2 상부 리세스(R22), 상기 제3 상부 리세스(R23)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제1 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R21), 상기 제2 상부 리세스(R22), 상기 제3 상부 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first upper recess R21, the second upper recess R22 and the third upper recess R23 are formed between the lower surface of the
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 상부 리세스(R21) 및 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공된 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제3 상부 리세스(R23) 및 상기 제1 접착제(130)는 상기 제2 리세스(R20)에 제공된 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착제(133)의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.The first upper recess R21 and the
한편, 도 12는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 13 및 도 14는 도 12에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.12 is a cross-sectional view of a
예로서, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제1 상부 리세스(R21), 상기 제2 상부 리세스(R22), 상기 제3 상부 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면에서 서로 이격되어 일 방향으로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R21), 상기 상부 제2 리세스(R22), 상기 제3 상부 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면에서 일 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.13, the first upper recess R21, the second upper recess R22, and the third upper recess R23 are formed on the upper surface of the
또한, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제1 상부 리세스(R21)와 상기 제3 상부 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 상부 리세스(R21)와 상기 제3 상부 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R22)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R22)는 상기 제1 상부 리세스(R21)와 상기 제3 상부 리세스(R23)에 의하여 둘러 쌓여진 공간 내에 배치될 수도 있다.14, the first upper recess R21 and the third upper recess R23 may be spaced apart from each other with a central region of the
한편, 도 15 내지 도 17은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 또 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.15 to 17 are views for explaining another modification of the body applied to the light emitting device package shown in FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 15에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 2 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 상부 리세스(R31)를 포함할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R31)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R31)는 상기 제1 프레임(111)의 끝단으로부터 이격되어 배치될 수 있다. For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제2 상부 리세스(R32)를 포함할 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 제2 프레임(112)의 끝단으로부터 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 제1 접착제(130)가 상기 제1 상부 리세스(R31), 상기 제2 상부 리세스(R32)에 제공될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)의 측면과 상기 제2 전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 상부 리세스(R31)와 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first upper recess R31 and the second upper recess R32 may provide a proper space in which an underfill process may be performed under the
상기 제1 상부 리세스(R31)와 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제1 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R31)와 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first upper recess R31 and the second upper recess R32 may be formed such that the
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 상부 리세스(R31) 및 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공된 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R32) 및 상기 제1 접착제(130)는 상기 제2 리세스(R20)에 제공된 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착제(133)의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.The first upper recess R31 and the
한편, 도 15는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 16 및 도 17은 도 15에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.15 is a cross-sectional view of a
예로서, 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 제1 상부 리세스(R31)와 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면에서 서로 이격되어 일 방향으로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R31)와 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면에서 일 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 16, the first upper recess R31 and the second upper recess R32 may be spaced apart from each other on the upper surface of the
또한, 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제1 상부 리세스(R31)와 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 상부 리세스(R31)와 상기 제2 상부 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다. 17, the first upper recess R31 and the second upper recess R32 may be spaced apart from each other with a central region of the
다음으로, 도 18 및 도 19를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 18 and 19. FIG.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 19는 도 18에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.18 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, FIG. 19 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package shown in FIG. to be.
도 18 및 도 19를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 17을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIGS. 18 and 19, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 17. FIG.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 전극(121), 제2 전극(122), 반도체층(123)을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 반도체층(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 반도체층(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 하면에서 상면을 향하는 방향을 기준으로 상기 발광소자(120)와 중첩되어 배치될 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a recess (R) as shown in FIGS. 18 and 19.
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recesses R may be provided in the
상기 리세스(R)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제1 전극(121)과 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제2 전극(122)과 중첩되지 않게 제공될 수 있다.The recess R may be disposed between the
예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)의 측면과 상기 제2 전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.The
상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 제1 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 제1 접착제(130)를 통해 실장하기 위해 상기 제1 접착제(130)를 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다.The recess R may provide a suitable space under which an under-fill process may be performed under the
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제2 접착제(133)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 전극(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 전극(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 예로서 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제1 전극(121)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 프레임(112)과 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.The
예로서, 상기 제2 접착제(133)는 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제2 접착제(133)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.For example, the
예로서, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제(130)와 상기 제2 접착제(133)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있고, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 리세스(R10)와 제2 리세스(R20)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first recess R10 and a second recess R20, as shown in FIGS. 18 and 19.
상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first recess R10 may be provided on the upper surface of the
상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극(121)과 중첩될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)에 상기 제2 접착제(133)가 제공될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극(121)과 중첩되어 배치될 수 있다.The first recess R10 may overlap the
상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The second recess R20 may be provided on the upper surface of the
상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 전극(122)과 중첩될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)에 상기 제2 접착제(133)가 제공될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 전극(122)과 중첩되어 배치될 수 있다.The second recess R20 may overlap the
예로서, 상기 제1 리세스(R10)와 상기 제2 리세스(R20)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first recess R10 and the second recess R20 may be provided with a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)와 상기 제2 리세스(R20)에 배치될 수 있다.18 and 19, the
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공되어 상기 제1 전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 전극(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 리세스(R20)에 제공되어 상기 제2 전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 리세스(R20)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 전극(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 리세스(R10)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R20)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 전극(122)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다.According to the embodiment, the
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제3 리세스(R30)와 제4 리세스(R40)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제3 리세스(R30)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 전극(121)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제3 리세스(R30)는 상기 제1 전극(121)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제3 리세스(R30)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 리세스(R10)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제3 리세스(R30)는 상기 제1 리세스(R10)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다.The third recess R30 may be provided adjacent to three sides of the
또한, 상기 제4 리세스(R40)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 전극(122)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 전극(122)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제4 리세스(R40)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 리세스(R20)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제4 리세스(R40)는 상기 제2 리세스(R20)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 19, the fourth recess R40 may be provided adjacent to three sides of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 반도체층(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 접착제(133) 사이에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 직접 접촉될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제3 리세스(R30)와 상기 제4 리세스(R40)에 제공될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제3 리세스(R30)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 전극(121)이 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 반도체층(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제4 리세스(R40)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 전극(122)이 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 반도체층(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 반도체층(123)의 측면에도 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)가 상기 반도체층(123)의 측면에 배치됨으로써 상기 제2 접착제(133)가 상기 반도체층(123)의 측면으로 이동하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)가 상기 반도체층(123)의 측면에 배치될 때, 상기 반도체층(123)의 활성층 아래에 배치되도록 할 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. The
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제3 리세스(R30)의 일부 영역이 반도체층(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 전극(121)에 인접한 상기 제3 리세스(R30)의 측면 영역이 상기 반도체층(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.19, a part of the third recess R30 may be provided so as to be overlapped with the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 19에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제4 리세스(R40)의 일부 영역이 상기 반도체층(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 전극(122)에 인접한 상기 제4 리세스(R40)의 측면 영역이 상기 반도체층(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.19, a portion of the fourth recess R40 may be overlapped with the
이에 따라, 상기 제3 리세스(R30)와 상기 제4 리세스(R40)에 채워진 상기 제1 수지부(135)가 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다. The
또한, 상기 제3 리세스(R30)와 상기 제4 리세스(R40)가 상기 발광소자(120) 아래에 상기 제1 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. 상기 제3 리세스(R30)와 상기 제4 리세스(R40)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다.The third recess R30 and the fourth recess R40 may provide sufficient space under which the
예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. For example, the
상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 제1 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제2 접착제(133)와 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제2 수지부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the
상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제1 전극(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 리세스(R20)에 제공된 상기 제2 접착제(133)를 통해 상기 제2 전극(122)에 전원이 연결될 수 있다.The light emitting
이에 따라, 상기 제1 전극(121) 및 상기 제2 전극(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, since a conventional light emitting device package is mounted on a submount, a circuit board or the like, a high temperature process such as a reflow process can be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.According to the light emitting
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 도 1 내지 도 19를 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그러면, 도 20을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 20에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 도 1 내지 도 19를 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. The light emitting
도 20을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 19를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Referring to FIG. 20, a light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The
상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 전극(121)이 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 전극(122)이 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 전극(121), 제2 전극(122), 반도체층(123)을 포함할 수 있다. The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)은 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(121)은 상기 반도체층(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(122)은 상기 반도체층(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 하면에서 상면을 향하는 방향을 기준으로 상기 발광소자(120)와 중첩되어 배치될 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. The recesses R may be provided in the
상기 리세스(R)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제1 전극(121)과 중첩되지 않게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 방향에서 상기 제2 전극(122)과 중첩되지 않게 제공될 수 있다.The recess R may be disposed between the
예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 상기 제1 전극(121)의 측면과 상기 제2 전극(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the
상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.The
상기 제1 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제2 접착제(133)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 전극(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 전극(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 예로서 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제1 전극(121)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 프레임(112)과 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.The
예로서, 상기 제2 접착제(133)는 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제2 접착제(133)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the
예로서, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제(130)와 상기 제2 접착제(133)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있고, 상기 제2 접착제(133)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1 리세스(R10)와 제2 리세스(R20)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first recess R10 may be provided on the upper surface of the
상기 제1 리세스(R10)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극(121)과 중첩될 수 있다. 상기 제1 리세스(R10)에 상기 제2 접착제(133)가 제공될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극(121)과 중첩되어 배치될 수 있다.The first recess R10 may overlap the
상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The second recess R20 may be provided on the upper surface of the
상기 제2 리세스(R20)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 전극(122)과 중첩될 수 있다. 상기 제2 리세스(R20)에 상기 제2 접착제(133)가 제공될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 제1 방향을 기준으로 상기 제2 전극(122)과 중첩되어 배치될 수 있다.The second recess R20 may overlap the
예로서, 상기 제1 리세스(R10)와 상기 제2 리세스(R20)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first recess R10 and the second recess R20 may be provided with a width of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)에 의하면, 도 20에 도시된 바와 같이, 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)와 상기 제2 리세스(R20)에 배치될 수 있다.20, the
상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)에 제공되어 상기 제1 전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 리세스(R10)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제1 전극(121)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 리세스(R20)에 제공되어 상기 제2 전극(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 리세스(R20)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(133)는 상기 제2 전극(122)의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 리세스(R10)의 면적이 상기 제1 전극(121)의 면적에 비해 더 크게 제공된다. 또한, 상기 제1 리세스(R10)의 면적이 상기 제2 접착제(133)의 면적에 비해 더 크게 제공된다. According to the light emitting
실시 예에 의하면, 상기 제1 리세스(R10)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. 이때, 상기 제1 리세스(R10)의 면적이 여유있게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가지 않고 상기 제1 리세스(R10) 내의 여유 공간으로 이동될 수 있게 된다. According to the embodiment, the
다른 표현으로서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가지 않고, 상기 발광소자(120)가 배치되지 않은 상기 제1 리세스(R10)의 외곽 영역으로 이동될 수 있게 된다.The
또한, 상기 제2 리세스(R20)에 상기 제2 접착제(133)가 제공되고, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 전극(122)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장될 수 있다. 이때, 상기 제2 리세스(R20)의 면적이 여유있게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 전극(122)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가지 않고 상기 제2 리세스(R20) 내의 여유 공간으로 이동될 수 있게 된다.The second recess R20 may be provided with the
다른 표현으로서, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 전극(122)이 상기 제2 접착제(133) 위에 실장되는 과정에서 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가지 않고, 상기 발광소자(120)가 배치되지 않은 상기 제2 리세스(R20)의 외곽 영역으로 이동될 수 있게 된다.The
이와 같이, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 올라가는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 발광소자(120)를 이루는 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있게 된다. 또한, 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)를 이루는 활성층의 측면에 배치되는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.Since the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 20에 도시된 바와 같이 제1 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 전극(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 반도체층(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 접착제(133) 사이에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)의 하면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)의 측면에 직접 접촉될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 리세스(R10) 내에 배치되어 상기 제1 전극(121)의 둘레에 제공될 수 있다.The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)와 접촉될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 접착제(133)의 둘레에 제공될 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 리세스(R20) 내에 배치되어 상기 제2 전극(122)의 둘레에 제공될 수 있다.The
예로서, 상기 제1 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 제1 수지부(135)는 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제1 수지부(135)는 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120) 측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. The
상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제2 접착제(133)가 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 제1 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제2 접착제(133)와 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 상기 제1 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.When the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제2 수지부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지부(140)는 상기 제1 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제2 수지부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 프레임(111)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 프레임(112)이 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the
상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 제3 접착제로 지칭될 수도 있다. 예로서, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 접착제로 형성될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 접착제(130)는 절연성 접착제로 제공되고, 상기 제2 접착제(133)와 상기 제3 접착제는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 접착제(133)와 상기 제3 접착제는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. According to the embodiment, the
예로서, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 상기 제3 접착제의 용융점에 비해 더 높게 선택될 수 있다. 이에 따라, 상기 패키지 몸체(110)가 상기 제3 접착제에 의하여 상기 회로기판(310)에 실장되는 공정에서 상기 제2 접착제(133)의 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.For example, the melting point of the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(300)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다.Meanwhile, according to the embodiment, a separate bonding layer may be additionally provided between the
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자(120)의 상기 제1 전극(121)과 상기 제2 전극(122)은 상기 제2 접착제(133)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제2 접착제(133)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.As described above, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 패키지 몸체(110)는 상면이 평탄한 지지부재(113)만을 포함하고, 경사지게 배치된 반사부를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다. According to the light emitting device package according to the embodiment described above, the
다른 표현으로서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)를 제공하는 구조로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)의 제공 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.In other words, according to the light emitting device package according to the embodiment, the
한편, 이상에서 설명된 발광소자 패키지에는 예로서 플립칩 발광소자가 제공될 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package described above may be provided with a flip chip light emitting device as an example.
예로서, 플립칩 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있으며, 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자로 제공될 수도 있다. For example, the flip chip light emitting device may be provided as a transmissive flip chip light emitting device that emits light in six plane directions, or may be provided as a reflective flip chip light emitting device that emits light in five plane directions.
상기 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자는 상기 패키지 패키지 몸체(110)에 가까운 방향으로 반사층이 배치된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사형 플립칩 발광소자는 제1 및 제2 전극 패드와 발광구조물 사이에 절연성 반사층(예를 들어 Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector 등) 및/또는 전도성 반사층(예를 들어 Ag, Al, Ni, Au 등)을 포함할 수 있다. The reflection type flip chip light emitting device in which light is emitted in the five-sided direction may have a structure in which a reflection layer is disposed in a direction close to the
또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 가지며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 빛이 방출되는 일반적인 수평형 발광소자로 제공될 수 있다. The flip chip light emitting device may include a first electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer, And may be provided as a general horizontal type light emitting device in which light is emitted between one electrode and the second electrode.
또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는, 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에 반사층이 배치된 반사 영역과 빛이 방출되는 투과 영역을 모두 포함하는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있다.The flip-chip light emitting device in which the light is emitted in the six-sided direction includes a reflective region in which a reflective layer is disposed between the first and second electrode pads, and a transmissive flip chip light emitting device Can be provided.
여기서, 투과형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면, 하부면의 6면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다. 또한, 반사형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면의 5면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다.Here, the transmissive flip chip light emitting device refers to a device that emits light to the top surface, four side surfaces, and six surfaces of the bottom surface. In addition, the reflection type flip chip light emitting device means an element that emits light to the upper surface and the four side surfaces.
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다.Hereinafter, an example of a flip chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 21 및 도 22를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 설명하기로 한다. 도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 22는 도 21에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.First, referring to FIGS. 21 and 22, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 21 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 22 is a cross-sectional view taken along line A-A of the light emitting device shown in FIG.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 22를 도시함에 있어, 제1 전극(1171)과 제2 전극(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 전극(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 전극(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.22, a first sub-electrode 1141, which is disposed under the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 기판(1105) 위에 배치된 발광구조물(1110)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include the
상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The
상기 발광구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity
이하에서는 설명의 편의를 위해 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 n형 반도체층으로 제공되고 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 p형 반도체층으로 제공된 경우를 기준으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the first
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 오믹접촉층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)의 배치 위치 및 형상에 대해서는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하면서 더 살펴 보기로 한다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include an
예로서, 상기 오믹접촉층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
상기 오믹접촉층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. The second
상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.The first
상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The third
예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 폭(W5)은 도 1 내지 도 20을 참조하여 설명된 상기 리세스(R)의 폭(W4)에 비하여 더 작게 제공될 수 있다. For example, the width W5 of the third
이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제3 반사층(1163) 사이로 방출되는 빛이 상기 리세스(R) 영역에 배치된 상기 제1 접착제(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 제1 접착제(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.Accordingly, light emitted between the first
또한, 상기 제2 반사층(1162)과 상기 제3 반사층(1163) 사이로 방출되는 빛이 상기 리세스(R) 영역에 배치된 상기 제1 접착제(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 제1 접착제(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.Light emitted between the second
실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.The
실시 예에 따른 오믹접촉층(1130)의 형상 및 상기 반사층(1160)의 형상은 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하면서 더 살펴 보기로 한다.The shape of the
상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.The
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다. The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductivity
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 오믹접촉층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 오믹접촉층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive
상기 제2 서브전극(1142)은, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 오믹접촉층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.21 and 22, the second sub-electrode 1142 is electrically connected to the ohmic contact layer (not shown) through a plurality of first openings h1 provided in the second
실시 예에 의하면, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다. According to the embodiment, as shown in FIGS. 21 and 22, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have polarities and may be spaced apart from each other.
상기 제1 서브전극(1141)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 서브전극(1142)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 이웃된 복수의 제2 서브전극(1142) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 이웃된 복수의 제1 서브전극(1141) 사이에 배치될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be provided in a plurality of line shapes as an example. In addition, the second sub-electrode 1142 may be provided in a plurality of line shapes as an example. The first sub-electrode 1141 may be disposed between a plurality of second sub-electrodes 1142 adjacent to each other. The second sub-electrode 1142 may be disposed between a plurality of neighboring first sub-electrodes 1141.
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)이 서로 다른 극성으로 구성되는 경우, 서로 다른 개수의 전극으로 배치될 수 있다. 예를 들어 상기 제1 서브전극(1141)이 n 전극으로, 상기 제2 서브전극(1142)이 p 전극으로 구성되는 경우 상기 제1 서브전극(1141)보다 상기 제2 서브전극(1142)의 개수가 더 많을 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 전기 전도도 및/또는 저항이 서로 다른 경우, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)에 의해 상기 발광구조물(1110)로 주입되는 전자와 정공의 균형을 맞출 수 있고 따라서 상기 발광소자의 광학적 특성이 개선될 수 있다.When the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 have different polarities, they may be arranged in different numbers of electrodes. For example, when the first sub-electrode 1141 is an n-electrode and the second sub-electrode 1142 is a p-electrode, the number of the second sub-electrodes 1142 Can be more. When the electrical conductivity and / or resistance of the second conductivity
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be ohmic electrodes. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be formed of a metal such as ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / , At least one of Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf or an alloy of two or more of them.
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 보호층(1150)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. The
또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다.In addition, the
상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 전극(1171)과 제2 전극(1172)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 제1 전극(1171)은 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(1172)은 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(1172)은 상기 제1 전극(1171)과 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(1171)은 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 전극(1171)으로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The
또한, 상기 제2 전극(1172)은 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 전극(1172)으로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 복수의 제4 개구부(h4) 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(1172)과 상기 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting device 1100 of the embodiment, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 제1 반사층(1161)이 상기 제1 서브전극(1141) 아래에 배치되며, 상기 제2 반사층(1162)이 상기 제2 서브전극(1142) 아래에 배치된다. 이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 발광구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다.22, the first
예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 절연성 재료로 이루어지되, 상기 활성층(1112)에서 방출된 빛의 반사를 위하여 반사율이 높은 재료, 예를 들면 DBR 구조를 이룰 수 있다.For example, the first
상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다.The first
또한, 다른 실시 예에 의하면, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛의 파장에 따라 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛에 대한 반사도를 조절할 수 있도록 자유롭게 선택될 수 있다.The first
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.According to another embodiment, the first
실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 발광구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 발광구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다. When the light emitting device according to the embodiment is mounted by a flip chip bonding method and is implemented as a light emitting device package, the light provided from the
또한, 상기 발광구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 발광구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)이 배치된 면 중에서, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)이 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. Also, the light emitted from the
구체적으로, 상기 발광구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)이 배치된 면 중에서, 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163)이 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. The light emitted from the
이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 상기 발광구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device 1100 according to the embodiment can emit light in six directions surrounding the
한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)이 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.The sum of the area of the
예로서, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 발광구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.The total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to an area defined by the lateral length and the longitudinal length of the lower surface of the first
이와 같이, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)이 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.Since the sum of the areas of the
또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 전극(1171)의 면적과 상기 제2 전극(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.The sum of the area of the
이와 같이, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)을 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1100)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.The sum of the areas of the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.The sum of the areas of the
즉, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.That is, when the sum of the areas of the
또한, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)이 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1100)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.If the sum of the areas of the
실시 예에서는 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.The total area of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 따른 길이(W5)는 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the third
상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 패키지 몸체가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다. When the area of the third
또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 패키지 몸체에 변색 또는 균열의 발생을 방지하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.In other embodiments, the area of the third
또한, 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 전극(1171) 또는 상기 제2 전극(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 발광구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. The light generated by the
또한, 상기 발광소자(1100)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 전극(1171) 또는 상기 제2 전극(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. Light generated in the light emitting structure is transmitted to a third region provided between the
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 전극(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 전극(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 전극(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the size of the first
또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 전극(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 전극(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 전극(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.The size of the second
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 발광구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.The light emitted from the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다. The third
앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1100)가 실장되는 패키지 몸체가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1100)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 패키지 몸체가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다. As described above, the light emitting device 1100 according to the embodiment may be mounted, for example, in a flip chip bonding manner to provide a light emitting device package. In this case, when the package body on which the light emitting device 1100 is mounted is provided by resin or the like, strong light of a short wavelength emitted from the light emitting device 1100 in the lower region of the light emitting device 1100 causes discoloration Or cracks may occur.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)이 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다. However, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the amount of light emitted between the regions where the
실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(1171), 상기 제2 전극(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 상기 발광구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.The light emitting structure 1100 may be formed in an area of 20% or more of the upper surface of the light emitting device 1100 on which the
이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 하부 면에 근접하게 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted toward the six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency can be improved and the light intensity Po can be increased. In addition, it is possible to prevent the package body disposed close to the lower surface of the light emitting device 1100 from being discolored or cracked.
또한, 실시 예예 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 오믹접촉층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.According to the light emitting device 1100, the
상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. When the
예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1100)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1100)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.For example, if the bonding force or adhesive force between the
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 오믹접촉층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.However, according to the embodiment, since the
따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, according to the embodiment, since the coupling force between the
한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 오믹접촉층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 오믹접촉층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, the
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기로 한다. 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명함에 있어, 도 21 및 도 22를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. In explaining the method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment, description overlapping with those described with reference to FIGS. 21 and 22 may be omitted.
먼저, 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 23a 및 도 23b에 도시된 바와 같이, 기판(1105) 위에 발광구조물(1110)이 형성될 수 있다. 도 23a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 발광구조물(1110)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 23b는 도 23a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.First, in a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment, a
실시 예에 의하면, 상기 기판(1105) 위에 발광구조물(1110)이 형성될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105) 위에 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)이 형성될 수 있다.According to the embodiment, the
실시 예에 의하면, 메사 식각 공정을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역이 노출되도록 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(1110)은 메사 식각에 의하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)을 노출시키는 복수의 메사 개구부(M)를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 메사 개구부(M)는 복수의 원 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 메사 개구부(M)는 리세스로 지칭될 수도 있다. 상기 메사 개구부(M)는 원 형상뿐만 아니라, 타원형 또는 다각형 등의 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, a part of the first conductivity
다음으로, 도 244a 및 도 24b에 도시된 바와 같이, 오믹접촉층(1130)이 형성될 수 있다. 도 24a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 오믹접촉층(1130)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 24b는 도 24a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Next, as shown in Figs. 244A and 24B, an
실시 예에 의하면, 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 상기 오믹접촉층(1130)이 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)은 상기 메사 개구부(M)에 대응되는 영역에 제공된 복수의 개구부(M1)를 포함할 수 있다. According to the embodiment, the
예로서, 상기 개구부(M1)는 복수의 원 형상으로 제공될 수 있다. 상기 개구부(M1)는 원 형상뿐만 아니라, 타원형 또는 다각형 등의 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.For example, the opening M1 may be provided in a plurality of circular shapes. The opening M1 may be provided in various shapes such as an elliptical shape or a polygonal shape as well as a circular shape.
상기 오믹접촉층(1130)은 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제3 영역(R3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(R1)과 상기 제2 영역(R2)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 영역(R3)은 상기 제1 영역(R1)과 상기 제2 영역(R2) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 영역(R1)은 상기 발광구조물(1110)의 메사 개구부(M)에 대응되는 영역에 제공된 복수의 개구부(M1)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 영역(R1)은 복수의 제1 컨택홀(C1)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 컨택홀(C1)은 상기 개구부(M1) 주변에 복수로 제공될 수 있다.The
상기 제2 영역(R2)은 상기 발광구조물(1110)의 메사 개구부(M)에 대응되는 영역에 제공된 복수의 개구부(M1)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 영역(R2)은 복수의 제2 컨택홀(C2)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 컨택홀(C2)은 상기 개구부(M1) 주변에 복수로 제공될 수 있다.The second region R2 may include a plurality of openings M1 provided in a region corresponding to the mesa opening M of the
상기 제3 영역(R3)은 상기 발광구조물(1110)의 메사 개구부(M)에 대응되는 영역에 제공된 복수의 개구부(M1)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 영역(R1)은 복수의 제1 컨택홀(C1)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 컨택홀(C1)은 상기 개구부(M1) 주변에 복수로 제공될 수 있다.The third region R3 may include a plurality of openings M1 provided in a region corresponding to the mesa opening M of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)은 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 직경으로 제공될 수 있다. 상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)은 예로서 7 마이크로 미터 내지 20 마이크로 미터의 직경으로 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first contact hole C1, the second contact hole C2, and the third contact hole C3 may be provided with a diameter of several micrometers to tens of micrometers. The first contact hole C1, the second contact hole C2, and the third contact hole C3 may be provided with a diameter of, for example, 7 micrometers to 20 micrometers.
상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)은 원 형상뿐만 아니라, 타원형 또는 다각형 등의 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.The first contact hole C1, the second contact hole C2, and the third contact hole C3 may be provided in various shapes such as an elliptical shape or a polygonal shape as well as a circular shape.
실시 예에 의하면, 상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)에 의하여 상기 오믹접촉층(1130) 아래에 배치된 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 노출될 수 있다.The
상기 개구부(M1), 상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)의 기능에 대해서는 뒤에서 후속 공정을 설명하면서 더 살펴보기로 한다.The functions of the opening M1, the first contact hole C1, the second contact hole C2, and the third contact hole C3 will be described in further detail with reference to the subsequent process.
다음으로, 도 25a 및 도 25b에 도시된 바와 같이, 반사층(1160)이 형성될 수 있다. 도 25a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 반사층(1160)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 25b는 도 25a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Next, as shown in Figs. 25A and 25B, a
상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130) 위에 배치될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. The
상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다.The first
상기 제1 반사층(1161)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제1 영역(R1) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 반사층(1161)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 제1 컨택홀(C1) 위에 배치될 수 있다. The first
상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제2 영역(R2) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 제2 컨택홀(C2) 위에 배치될 수 있다.The second
상기 제3 반사층(1163)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제3 영역(R3) 위에 배치될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 제3 컨택홀(C3) 위에 배치될 수 있다.The third
상기 제2 반사층(1162)은 복수의 개구부를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 반사층(1162)은 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제1 개구부(h1)를 통해 상기 오믹접촉층(1130)이 노출될 수 있다. The second
또한, 상기 제1 반사층(1161)은 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제2 개구부(h2)를 통해 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면이 노출될 수 있다. 상기 복수의 제2 개구부(h2)는 상기 발광구조물(1110)에 형성된 상기 복수의 메사 개구부(M) 영역에 대응되어 제공될 수 있다. 또한, 상기 복수의 제2 개구부(h2)는 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 개구부(M1) 영역에 대응되어 제공될 수 있다.In addition, the first
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제1 영역(R1) 위에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 반사층(1161)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 상기 제1 컨택홀(C1)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 접착력이 향상될 수 있으며, 상기 제1 반사층(1161)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다.According to an embodiment of the present invention, the first
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제2 영역(R2) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 상기 제2 컨택홀(C2)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 반사층(1162)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 접착력이 향상될 수 있으며, 상기 제2 반사층(1162)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다.In addition, according to the embodiment, the second
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제3 영역(R3) 위에 제공될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 상기 제3 컨택홀(C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 반사층(1163)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 접착력이 향상될 수 있으며, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다.In addition, according to the embodiment, the third
이어서, 도 26a 및 도 26b에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)이 형성될 수 있다. 도 26a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 26b는 도 26a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Subsequently, as shown in FIGS. 26A and 26B, a first sub-electrode 1141 and a second sub-electrode 1142 may be formed. 26A is a plan view showing the shapes of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 formed according to the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment. FIG. 26B is a cross- FIG.
실시 예에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.According to the embodiment, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be spaced apart from each other.
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 일부와 상기 활성층(1112)의 일부가 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductive
상기 제1 서브전극(1141)은 예를 들어 선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 서브전극(1141)은 선 형상의 다른 영역에 비해 상대적으로 면적이 넓은 N 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)의 N 영역은 추후 형성될 제1 전극(1171)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be formed in a linear shape, for example. In addition, the first sub-electrode 1141 may include an N region having a relatively larger area than other linear regions. The N region of the first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 복수의 N 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 오믹접촉층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive
상기 제2 서브전극(1142)은 예를 들어 선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 서브전극(1142)은 선 형상의 다른 영역에 비해 상대적으로 면적이 넓은 P 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)의 P 영역은 추후 형성될 제2 전극(1172)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be formed in a linear shape, for example. In addition, the second sub-electrode 1142 may include a P region having a relatively larger area than other linear regions. The P region of the second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 복수의 P 영역에서 상기 오믹접촉층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 복수의 P 영역에서 상기 오믹접촉층(1130)의 상부 면에 직접 접촉될 수 있다.The
다음으로, 도 27a 및 도 27b에 도시된 바와 같이, 보호층(1150)이 형성될 수 있다. 도 27a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 보호층(1150)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 27b는 도 27a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Next, as shown in Figs. 27A and 27B, a
상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다.The
상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면을 노출시키는 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)의 복수의 NB 영역을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. The
상기 제4 개구부(h4)는 상기 제1 반사층(1161)이 배치된 영역 위에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제4 개구부(h4)는 상기 오믹접촉층(1130)의 제1 영역(R1) 위에 제공될 수 있다.The fourth opening h4 may be provided on a region where the first
상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면을 노출시키는 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)의 복수의 PB 영역을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다.The
상기 제3 개구부(h3)는 상기 제2 반사층(1162)이 배치된 영역 위에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제3 개구부(h3)는 상기 오믹접촉층(1130)의 제2 영역(R2) 위에 제공될 수 있다.The third opening h3 may be provided on a region where the second
이어서, 도 28a 및 도 28b에 도시된 바와 같이, 제1 전극(1171)과 제2 전극(1172)이 형성될 수 있다. 도 28a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 28b는 도 28a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Then, as shown in FIGS. 28A and 28B, a
실시 예에 의하면, 도 28a에 도시된 형상으로 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)은 상기 보호층(1150) 위에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the
상기 제1 전극(1171)은 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(1172)은 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(1172)은 상기 제1 전극(1171)과 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 전극(1171)은 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 제2 전극(1172)은 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제2 전극(1172)에 전원이 인가됨에 따라, 상기 발광구조물(1110)이 발광될 수 있게 된다.According to the embodiment, when the power is applied to the
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 전극(1171)과 상기 제1 서브전극(1141)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(1172)과 상기 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting device 1100 of the embodiment, the
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment can be applied to the light source device.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Further, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like depending on an industrial field.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.An example of the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, a light emitting module disposed in front of the reflector, An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, And may include a color filter disposed in front thereof. Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. The display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are disposed, respectively, without including a color filter.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, A lens that refracts light forward, and a shade that reflects off a portion of the light that is reflected by the reflector and that is directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder. The light source module may include the light emitting device package according to the embodiment.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention.
110 패키지 몸체
111 제1 프레임
112 제2 프레임
113 몸체
120 발광소자
121 제1 전극
122 제2 전극
123 반도체층
130 제1 접착제
133 제2 접착제
135 제1 수지부
140 제2 수지부
310 회로기판
311 제1 패드
312 제2 패드
313 기판
R 리세스
R10 제1 리세스
R20 제2 리세스110
112
120
122
130 first adhesive 133 second adhesive
135
310
312
R recess R10 first recess
R20 second recess
Claims (20)
상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체;
상기 제1 및 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자;
상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제; 및
상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제;
를 포함하고,
상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 형성된 리세스에 배치되고,
상기 제1 및 제2 접착제는 서로 다른 물질을 포함하는 발광소자 패키지.First and second frames spaced apart from each other;
A body disposed between the first and second frames;
A light emitting element electrically connected to the first and second frames;
A first adhesive disposed between the body and the light emitting device; And
A second adhesive disposed between the first and second frames and the light emitting element;
Lt; / RTI >
Wherein the first adhesive is disposed on a recess formed on an upper surface of the body,
Wherein the first and second adhesives comprise different materials.
상기 제1 접착제는 절연성 접착제이고 상기 제2 접착제는 도전성 접착제인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first adhesive is an insulating adhesive and the second adhesive is a conductive adhesive.
상기 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 프레임의 상면에 각각 형성된 리세스에 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the second adhesive is disposed on the recess formed on the upper surface of the first and second frames, respectively.
상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 직접 접촉되며 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고,
상기 제2 접착제는 상기 제1 프레임의 상면에 직접 접촉되며 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first adhesive directly contacts the upper surface of the body and directly contacts the lower surface of the light emitting device,
Wherein the second adhesive directly contacts the upper surface of the first frame and directly contacts the lower surface of the light emitting device.
상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체;
상기 제1 프레임과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 발광소자;
상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제; 및
상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제;
를 포함하고,
상기 제1 및 제2 프레임 각각은 상면에서 하면으로 오목한 제1 및 제2 리세스를 포함하고,
상기 제1 리세스는 상기 제1 프레임의 하면에서 상면으로 향하는 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극과 중첩되고,
상기 제2 리세스는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 제2 전극과 중첩되고,
상기 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 리세스 내에 배치되고,
상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 형성된 리세스에 배치된 발광소자 패키지.First and second frames spaced apart from each other;
A body disposed between the first and second frames;
A light emitting element including a first electrode electrically connected to the first frame and a second electrode electrically connected to the second frame;
A first adhesive disposed between the body and the light emitting device; And
A second adhesive disposed between the first and second frames and the light emitting element;
Lt; / RTI >
Wherein each of the first and second frames includes first and second recesses recessed from a top surface thereof,
The first recess overlaps with the first electrode with respect to a first direction from a lower surface of the first frame toward an upper surface,
The second recess overlaps the second electrode with respect to the first direction,
Wherein the second adhesive is disposed in the first and second recesses,
Wherein the first adhesive is disposed on a recess formed on an upper surface of the body.
상기 제1 접착제는 절연성 접착제이고 상기 제2 접착제는 도전성 접착제인 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the first adhesive is an insulating adhesive and the second adhesive is a conductive adhesive.
상기 제1 접착제는 상기 몸체의 상면에 직접 접촉되며 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고,
상기 제2 접착제는 상기 제1 프레임의 상면에 직접 접촉되며 상기 제1 전극의 하면에 직접 접촉된 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the first adhesive directly contacts the upper surface of the body and directly contacts the lower surface of the light emitting device,
Wherein the second adhesive directly contacts the upper surface of the first frame and directly contacts the lower surface of the first electrode.
상기 제1 및 제2 리세스 내에 배치되어 상기 제2 접착제와 접촉된 제1 수지부를 포함하는 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
And a first resin portion disposed in the first and second recesses and in contact with the second adhesive.
상기 제1 수지부는 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고 상기 제2 접착제의 측면에 직접 접촉된 발광소자 패키지.9. The method of claim 8,
Wherein the first resin part is in direct contact with the lower surface of the light emitting element and is in direct contact with the side surface of the second adhesive.
상기 제1 접착제는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 발광소자와 중첩되어 배치되고,
상기 제2 접착제는 상기 제1 방향을 기준으로 상기 제1 전극과 중첩되어 배치된 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the first adhesive is disposed so as to overlap the light emitting device with respect to the first direction,
And the second adhesive is disposed so as to overlap the first electrode with respect to the first direction.
상기 제1 접착제는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the first adhesive is disposed between the first electrode and the second electrode.
상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임은 도전성 프레임인 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the first frame and the second frame are conductive frames.
상기 제1 프레임과 이격되고, 상면에 제2 리세스를 포함하는 제2 프레임;
상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체;
상기 제1 및 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자;
상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제;
상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제;
상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스 내에 배치되는 제1 수지부; 및
상기 제1 수지부 상에 배치된 제2 수지부;
를 포함하고,
상기 제1 수지부는 상기 발광소자의 하면에 접촉된 발광소자 패키지.A first frame including a first recess on an upper surface thereof;
A second frame spaced apart from the first frame and including a second recess on an upper surface thereof;
A body disposed between the first and second frames;
A light emitting element electrically connected to the first and second frames;
A first adhesive disposed between the body and the light emitting device;
A second adhesive disposed between the first and second frames and the light emitting element;
A first resin part disposed in the first recess and the second recess; And
A second resin part disposed on the first resin part;
Lt; / RTI >
Wherein the first resin part is in contact with the lower surface of the light emitting element.
상기 제2 수지부는 상기 발광소자 위에 배치된 발광소자 패키지.14. The method of claim 13,
And the second resin part is disposed on the light emitting element.
상기 제1 접착제는 절연성 접착제이고 상기 제2 접착제는 도전성 접착제인 발광소자 패키지.14. The method of claim 13,
Wherein the first adhesive is an insulating adhesive and the second adhesive is a conductive adhesive.
상기 제1 수지부는 화이트 실리콘을 포함하는 발광소자 패키지.14. The method of claim 13,
Wherein the first resin part comprises white silicon.
상기 기판 상에 배치된 제1 및 제2 프레임;
상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체;
상기 제1 및 제2 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자;
상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 접착제;
상기 제1 및 제2 프레임과 상기 발광소자 사이에 배치된 제2 접착제;
상기 기판과 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 제3 접착제;
를 포함하고,
상기 제2 접착제 및 상기 제3 접착제는 전도성을 가지며 서로 다른 물질을 포함하는 광원 장치.Board;
First and second frames disposed on the substrate;
A body disposed between the first and second frames;
A light emitting element electrically connected to the first and second frames;
A first adhesive disposed between the body and the light emitting device;
A second adhesive disposed between the first and second frames and the light emitting element;
A third adhesive disposed between the substrate and the first and second frames;
Lt; / RTI >
Wherein the second adhesive and the third adhesive have conductivity and include different materials.
상기 제1 접착제는 절연성 접착제이고, 상기 몸체의 상면에 직접 접촉되고 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉된 광원 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the first adhesive is an insulating adhesive and is in direct contact with the upper surface of the body and directly contacts the lower surface of the light emitting device.
상기 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 프레임의 상면에 각각 형성된 리세스에 배치된 광원 장치.18. The method of claim 17,
And the second adhesive is disposed in the recess formed on the upper surface of the first and second frames, respectively.
상기 리세스에 배치된 제1 수지부를 포함하고,
상기 제1 수지부는 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되고 상기 제2 접착제의 측면에 직접 접촉된 광원 장치.20. The method of claim 19,
And a first resin part disposed in the recess,
Wherein the first resin part is in direct contact with the lower surface of the light emitting element and is in direct contact with the side surface of the second adhesive.
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