KR20190093282A - Light emitting device package - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN, AlGaN, etc. has many advantages, such as having a wide and easy-to-adjust band gap energy, and can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials have been developed using thin film growth technology and device materials. There is an advantage that can implement light of various wavelength bands such as blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell is also fabricated using a Group 3-5
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device may replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp, or an incandescent bulb, which replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to include white light emitting diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the semiconductor device may be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device may be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electrical energy is converted into light energy using, for example, a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table. Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, an ultraviolet light emitting device, a red light emitting device using a nitride semiconductor, and the like are commercially used and widely used.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, a light emitting diode which emits light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm, and is used in the wavelength band, for short wavelengths, for sterilization and purification, and for long wavelengths, an exposure machine or a curing machine. Can be used.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be classified into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm), and UV-C (200nm ~ 280nm) in order of long wavelength. The UV-A (315nm ~ 400nm) area is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, forgery discrimination, photocatalyst sterilization, special lighting (aquarium / agriculture, etc.), and UV-B (280nm ~ 315nm). ) Area is used for medical purposes, UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. Meanwhile, as a semiconductor device capable of providing a high output is requested, research on a semiconductor device capable of increasing output by applying a high power source is being conducted.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the semiconductor device package, research has been conducted on a method of improving light extraction efficiency of the semiconductor device and improving brightness at the package end. In addition, in the semiconductor device package, research is being conducted to improve the bonding strength between the package electrode and the semiconductor device.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the semiconductor device package, research has been conducted on a method for reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and structural change.
실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.
실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device capable of improving process efficiency and suggesting a new package structure to reduce manufacturing cost and improve manufacturing yield.
실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package that can prevent re-melting from occurring in a bonding region of the semiconductor device package while the semiconductor device package is rebonded to a substrate or the like. have.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면, 하면, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함하는 몸체; 상기 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치된 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및 상기 제1 및 제2 개구부 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 본딩부와 각각 수직 방향에서 중첩된 제1 및 제2 프레임을 포함할 수 있다.According to an embodiment, there is provided a light emitting device package including: a body including an upper surface, a lower surface, first and second openings penetrating the upper surface and the lower surface; A light emitting device including first and second bonding parts disposed on the first and second openings, respectively; And first and second frames disposed in the first and second openings and overlapping the first and second bonding portions in a vertical direction, respectively.
실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임은 상기 몸체의 상기 상면에서 상기 하면을 향하는 제1 방향으로 연장된 제1 부분과, 상기 제1 부분이 연장된 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제2 부분을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first frame extends in a first direction extending from the upper surface of the body in a first direction toward the lower surface and in a second direction perpendicular to the first direction in which the first portion extends. It may comprise a second portion.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부는 제1 부분과 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 상기 제1 본딩부와 상기 수직 방향에서 중첩되어 제공되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분 아래에 배치되어 상기 제1 부분과 연결되고, 상기 제2 부분의 상부 영역의 폭이 상기 제1 부분의 하부 영역의 폭에 비해 더 크게 제공되고, 상기 제1 프레임은 상기 제1개구부의 상기 제1 및 제2 부분에 배치될 수 있다.In some embodiments, the first opening includes a first portion and a second portion, the first portion is provided to overlap the first bonding portion in the vertical direction, and the second portion is the first portion. Disposed below and connected to the first portion, wherein a width of an upper region of the second portion is provided to be larger than a width of a lower region of the first portion, and the first frame includes the first opening of the first opening portion; It can be arranged in the first and second parts.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부의 상기 제2 부분은 상기 몸체의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the second portion of the first opening may be recessed in an upward direction from a lower surface of the body.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 개구부 내에서 상기 제1 본딩부와 상기 제1 프레임 사이에 배치된 제1 도전체와, 상기 제2 개구부 내에서 상기 제2 본딩부와 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제2 도전체를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a first conductor disposed between the first bonding portion and the first frame in the first opening, the second bonding portion and the second bonding portion in the second opening. It may further include a second conductor disposed between the frame.
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부는 상기 발광소자의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공되고, 상기 제1 개구부는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first bonding portion is provided with a first width in a first direction parallel to the first side surface of the light emitting device, and the first opening portion has a first width in a direction parallel to the first direction. Can be provided with a smaller second width.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 본딩부의 하면과 상기 제1 도전체 사이에 배치된 제1 도전부를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive portion disposed between the lower surface of the first bonding portion and the first conductor.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전부는 상기 제1 본딩부의 하면으로부터 상기 제1 개구부 내로 연장되어 배치될 수 있다.In example embodiments, the first conductive part may extend from the lower surface of the first bonding part into the first opening.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체는 상기 제1 도전부의 측면과 상기 제1 개구부를 제공하는 상기 몸체의 측면 사이와, 상기 제1 도전부의 하면과 상기 제1 프레임의 상면 사이에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first conductor may be disposed between the side surface of the first conductive portion and the side surface of the body providing the first opening, and between the lower surface of the first conductive portion and the upper surface of the first frame. have.
실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임의 상면은 상기 제1 본딩부의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the upper surface of the first frame may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체의 상기 하면 아래에 배치되며, 제1 및 제2 패드를 포함하는 회로기판을 포함하고, 상기 발광소자의 상면에 대한 수직 방향에서, 상기 제1 및 제2 패드는 상기 제1 및 제2 프레임과 중첩되게 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment includes a circuit board disposed under the lower surface of the body and includes first and second pads, and is perpendicular to an upper surface of the light emitting device. The second pad may be disposed to overlap the first and second frames.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 몸체와 상기 회로기판 사이에 배치된 제1 및 제2 접착제를 포함하고, 상기 제1 접착제는 상기 제1 패드와 상기 제1 프레임에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 접착제는 상기 제2 패드와 상기 제2 프레임에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 및 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 본딩부와 상기 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment includes first and second adhesives disposed between the body and the circuit board, wherein the first adhesive is electrically connected to the first pad and the first frame. The second adhesive may be electrically connected to the second pad and the second frame, and the first and second adhesive may be disposed so as not to overlap the first and second bonding portions in the vertical direction.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device package manufacturing method according to the embodiment, there is an advantage that can improve the light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device package manufacturing method according to the embodiment, there is an advantage that can improve the process efficiency and propose a new package structure to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The semiconductor device package according to the embodiment may provide a body having a high reflectance, thereby preventing the reflector from being discolored, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment, the re-melting phenomenon can be prevented from occurring in the bonding region of the semiconductor device package during the rebonding of the semiconductor device package, etc. There is this.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 설명하는 평면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.1 is a plan view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along line DD of the light emitting device package shown in FIG. 1.
4 is an exploded perspective view illustrating the light emitting device package illustrated in FIG. 1.
5 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
10 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
11 is a plan view illustrating an example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view taken along line FF of the light emitting device of FIG. 11.
13 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of an embodiment, each layer, region, pattern, or structure is “on / over” or “under” the substrate, each layer, layer, pad, or pattern. In the case where it is described as being formed at, "on / over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. do. In addition, the criteria for the top / top or bottom of each layer will be described based on the drawings, but the embodiment is not limited thereto.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a semiconductor device package and a semiconductor device package manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a description will be given based on a case where a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. First, a light emitting device package according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.1 is a plan view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a bottom view of the light emitting device package shown in Figure 1, Figure 3 is a DD line of the light emitting device package shown in Figure 1 4 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device package illustrated in FIG. 1.
참고로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)의 구조가 용이하게 파악될 수 있도록, 도 1은 발광소자(120)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 실장되지 않은 상태로 도시되었으며, 도 2 및 도 3에 몸체(110), 발광소자(120), 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간의 배치 관계가 도시되었다.For reference, in order to easily understand the structure of the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
다른 표현으로서, 상기 제1 몸체(111)는 하부 몸체, 상기 제2 몸체(113)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. In other words, the
상기 제2 몸체(113)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.The
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티는 바닥면과, 상기 바닥면에서 상기 몸체(110)의 상면으로 경사진 측면을 포함할 수 있다.The
예로서, 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 블랙 에폭시 몰딩 컴파운드(Black EMC), 블랙 실리콘 몰딩 컴파운드(Black SMC) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. In example embodiments, the
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(124)은 상기 발광 구조물(123)을 지지할 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, a lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other under a lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 하면의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 하면의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. According to an embodiment, the width of the upper region of the first opening TH1 may be provided smaller than the width of the bottom surface of the
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the first opening TH1. In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the second opening TH2.
상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in an inclined form in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. The second opening TH2 may be provided in an inclined form in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. However, the present disclosure is not limited thereto, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, and the inclined surfaces may be disposed with curvature. .
상기 제1 몸체(111)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 몸체(111)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 100 마이크로 미터 내지 300 마이크로 미터로 제공될 수 있다. A width between the first opening part TH1 and the second opening part TH2 in the lower surface area of the
상기 제1 몸체(111)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 본딩패드 간의 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface area of the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자(120)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다. The first and
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.The first side surface of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include a first portion S1 and a second portion S2. The first portion S1 may be provided to overlap with the
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The second portion S2 of the first opening TH1 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다. The
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.The
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second opening TH2 may include a third portion S3 and a fourth portion S4. The third portion S3 may be provided to overlap with the
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The fourth portion S4 of the second opening TH2 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.In addition, the physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 몸체(111)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광 소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에서 광확산기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지(130)는 광확산기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광추출효율을 개선할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. In some embodiments, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.Subsequently, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
한편, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제1 몸체(111)의 상면에 적어도 하나의 리세스(R)가 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 13, at least one recess R may be provided on an upper surface of the
상기 제1 몸체(111)의 상면에 상기 리세스(R)가 제공되는 경우, 상기 제1 수지(130)가 상기 리세스(R)에 제공되도록 함으로써, 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1 몸체(111)의 상면에 배치된 상기 리세스(R)에 상기 제1 수지(130)가 제공되는 경우, 상기 제1 수지(130)의 주입 영역 및 주입량이 용이하게 제어될 수 있다.When the recess R is provided on the top surface of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.In addition, the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.According to an embodiment, after the
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.For example, the first and
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.The first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 금속층과 금속층 위에 형성된 도금층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.The first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity-type semiconductor layers may be implemented as at least one of a compound semiconductor of Groups 3-5 or 2-6. The first and the semiconductor material having a composition formula of the second conductivity type semiconductor layer is, for example In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) It can be formed as. For example, the first and second conductivity-type semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. . The first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be implemented with a compound semiconductor. The active layer may be implemented as at least one of a compound semiconductor of Group 3-Group 5 or Group 2-6, for example. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers that are alternately arranged, and In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ≦ x ≦ 1 , 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). For example, the active layer is selected from the group comprising InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InP / GaAs. It may include at least one.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as a reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, thereby weakening the stability of the electrical connection and the physical coupling.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion and the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.In addition, according to the light emitting
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 몸체(110)는 상면이 평탄한 지지부재만을 포함하고, 경사지게 배치된 반사부를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다. On the other hand, according to the light emitting device package according to the embodiment described above, the
다른 표현으로서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 몸체(110)는 캐비티(C)를 제공하는 구조로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 몸체(110)는 캐비티(C)의 제공 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.In other words, according to the light emitting device package according to the embodiment, the
다음으로, 도 5를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명한다. 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 5. 5 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 5를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the exemplary embodiment with reference to FIG. 5, the descriptions overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 4 may be omitted.
도 5에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. The light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 회로기판(310)은 제1 패드, 제2 패드를 포함할 수 있다. 상기 회로기판(310)은 제1 패드와 제2 패드가 제공된 기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The
상기 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)와 상기 회로기판(310) 사이에 제1 및 제2 접착제(311, 312)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)에 제공된 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 회로기판(310)에 제공된 제1 및 제2 패드와 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 프레임(211)과 상기 제1 패드 사이에 상기 제1 접착제(311)가 제공될 수 있으며, 상기 제 2 프레임(212)과 상기 제2 패드 사이에 제2 접착제(312)가 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first and
상기 회로기판(310)의 제1 패드 영역과 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)가 제1 도전체(321), 제1 프레임(211), 제1 접착제(311)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(310)의 제2 패드 영역과 상기 발광소자(120)의 제2 본딩부(122)가 제2 도전체(322), 제2 프레임(212), 제2 접착제(312)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.The first pad region of the
예로서, 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the first and
예로서, 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first and
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. In example embodiments, the
상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 몸체(113)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, a lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other under a lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다. The first and
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.The first side surface of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include a first portion S1 and a second portion S2. The first portion S1 may be provided to overlap with the
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The second portion S2 of the first opening TH1 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다. The
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.The
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second opening TH2 may include a third portion S3 and a fourth portion S4. The third portion S3 may be provided to overlap with the
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The fourth portion S4 of the second opening TH2 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.The
상기 제1 접착제(311)는 상기 제1 패드와 상기 제1 프레임(211)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 접착제(312)는 상기 제2 패드와 상기 제2 프레임(212)에 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 제1 접착제(311)는 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 부분과 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 상기 제2 접착제(312)는 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 부분과 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다. The
상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다.The first and
여기서, 상기 수직 방향이란 상기 발광소자(120)의 상면에 수직한 방향을 의미할 수 있다. 또한, 상기 수직 방향이란 상기 몸체(110)의 상면에 수직한 방향을 의미할 수 있다.Here, the vertical direction may mean a direction perpendicular to the upper surface of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 예로서 상기 제1 몸체(111)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.In addition, the physical properties of the
예로서, 상기 제1 수지(130)는 절연성 접착제로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. In some embodiments, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.Subsequently, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.In addition, the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.According to an embodiment, after the
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 예로서 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.For example, the first and
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.The first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 금속층과 금속층 위에 형성된 도금층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.The first and
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)가 실장된 상기 몸체(110)가 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)를 통하여 상기 회로기판(310) 위에 부착될 수 있다.According to an embodiment, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.When a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high temperature process such as a reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, thereby weakening the stability of the electrical connection and the physical coupling.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion and the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(200)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 접착제(311, 312)를 통하여 상기 회로기판(310)에 부착되는 과정에서, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.In addition, according to the light emitting
다음으로, 도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 6. 6 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the exemplary embodiment with reference to FIG. 6, the descriptions overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 5 may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. In example embodiments, the
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, a lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other under a lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다. The first and
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.The first side surface of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include a first portion S1 and a second portion S2. The first portion S1 may be provided to overlap with the
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The second portion S2 of the first opening TH1 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다. The
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 프레임(211)의 상기 제2 부분의 상면과 상기 제1 본딩부(121)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 프레임(211)의 상기 제2 부분의 측면과 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 측면 사이에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second opening TH2 may include a third portion S3 and a fourth portion S4. The third portion S3 may be provided to overlap with the
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The fourth portion S4 of the second opening TH2 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 프레임(212)의 상기 제4 부분의 상면과 상기 제2 본딩부(122)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 프레임(212)의 상기 제4 부분의 측면과 상기 제2개구부(TH2)를 제공하는 상기 제1 몸체(111)의 측면 사이에 배치될 수 있다.In some embodiments, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.In addition, the physical properties of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. In some embodiments, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.Subsequently, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.In addition, the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.According to an embodiment, after the
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.For example, the first and
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.The first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 금속층과 금속층 위에 형성된 도금층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.The first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as a reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, thereby weakening the stability of the electrical connection and the physical coupling.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion and the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(300)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.In addition, according to the light emitting
다음으로, 도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 7. 7 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the exemplary embodiment with reference to FIG. 7, the descriptions overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 6 may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. In example embodiments, the
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, a lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other under a lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다. The first and
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.The first side surface of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 금속층(231, 232)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 금속층(231,232)은 증착 또는 도금 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 형성될 수 있다.In addition, the light emitting
한편, 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지와 유사하게 제1 및 제2 프레임으로 지칭될 수도 있다.The first and
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 금속층(231) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 금속층(232) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include a first portion S1 and a second portion S2. The first portion S1 may be provided to overlap with the
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The second portion S2 of the first opening TH1 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제1 금속층(231)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다. The
상기 제1 금속층(231)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 연장되어 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.The
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second opening TH2 may include a third portion S3 and a fourth portion S4. The third portion S3 may be provided to overlap with the
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The fourth portion S4 of the second opening TH2 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제2 금속층(232)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 금속층(232)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 연장되어 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.In addition, the physical properties of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. In some embodiments, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.Subsequently, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.In addition, the
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.For example, the first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first and
상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.The first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 금속층(231)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 금속층(232)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as a reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, thereby weakening the stability of the electrical connection and the physical coupling.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion and the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(400)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)에 의하면, 상기 제1 금속층(231)과 상기 제2 금속층(232)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 금속층(231, 232) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.In addition, according to the light emitting
다음으로, 도 8을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 8. 8 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the exemplary embodiment with reference to FIG. 8, the descriptions that are the same as those described with reference to FIGS. 1 to 7 may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(113)는 상기 제1 몸체(111)의 상면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. In example embodiments, the
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, a lower surface of the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 몸체(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
예로서, 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 상기 제1 몸체(111)의 상면에 비해 더 높게 배치될 수 있다.For example, the lower surface of the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other under a lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 발광소자(120)의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공될 수 있다. The first and
상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 측면일 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 제1 측면은 상기 발광소자(120)의 단축 방향에 따른 측면일 수 있다.The first side surface of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 제1 및 제2 도전부(221, 222), 제1 및 제2 도전체(321, 322), 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면으로부터 각각 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 연장되어 배치될 수 있다.The first and second
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 도전부(221)의 측면과 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 몸체(110)의 측면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 도전부(221)의 하면과 상기 제1 프레임(211)의 상면 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 도전부(222)의 측면과 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 몸체(110)의 측면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 도전부(222)의 하면과 상기 제2 프레임(212)의 상면 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include a first portion S1 and a second portion S2. The first portion S1 may be provided to overlap with the
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The second portion S2 of the first opening TH1 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다. The
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.The
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second opening TH2 may include a third portion S3 and a fourth portion S4. The third portion S3 may be provided to overlap with the
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The fourth portion S4 of the second opening TH2 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.The
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.The first
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전체(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전체(321)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first
상기 제1 도전부(221)의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전부(221)의 하면은 상기 제1 도전체(321)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. The lower surface of the first
상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전부(221)는 상기 제1 본딩부(121)에서 상기 제1 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The first
또한, 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. In addition, the second
상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전체(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전체(322)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second
상기 제2 도전부(222)의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전부(222)의 하면은 상기 제2 도전체(322)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.The lower surface of the second
상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전부(222)는 상기 제2 본딩부(122)에서 상기 제2 개구부(TH2) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The second
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전부(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전체(321)가 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 도전부(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. According to an embodiment, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전부(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전체(322)가 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 도전부(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. In addition, according to an embodiment, the
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)에 의하여 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package according to the embodiment, the first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다.For example, the first and second
또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 도금 공정을 통해 제공될 수도 있다. 예로서, 복수의 발광소자가 형성된 웨이퍼 레벨에서 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 시드(seed)층이 제공되고, 시드층 위에 포토 레지스트막과 같은 마스크층이 형성된 후, 도금 공정이 수행될 수 있다. 도금 공정이 수행된 후, 포토레지스트막의 제거를 통해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 일정 영역에만 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)가 형성될 수 있다.In addition, the first and second
예로서, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 Ag, Au, Cu, Ti, Ni 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 상기 시드층을 포함할 수 있다. 상기 시드층은 예로서 Ti, Ni, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.For example, the first and second
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)는 예로서 원 기둥 형상 또는 다각 기둥 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 형상은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역 형상에 대응되어 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 폭 또는 직경은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭 또는 직경에 비해 작게 제공될 수 있다.The first and second
상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 서로 분리된 공정에서 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 서로 다른 물질 및 서로 다른 적층 구조를 포함할 수 있다.The first and second
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)의 제공 없이 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전부(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.According to an embodiment, the first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.In addition, the physical properties of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공된 상기 몸체(110)의 일부 영역에 상기 제1 수지(130)가 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 도포, 닷팅(dotting), 또는 주입 등의 방법을 통하여 상기 제1 몸체(111)의 상면 일부 영역에 제공될 수 있다. In some embodiments, the
이어서, 상기 제1 몸체(111) 위에 상기 발광소자(120)가 부착될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 확산 이동될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 또한, 점성 및 표면장력 등에 의하여 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내로 이동되지 않도록 제어될 수 있다.Subsequently, the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.In addition, the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.According to an embodiment, after the
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.For example, the first and
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.The first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. For example, the first and
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 금속층과 금속층 위에 형성된 도금층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 222)은 Cu, Ni, Ag 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합금층을 포함할 수 있다.The first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as a reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, thereby weakening the stability of the electrical connection and the physical coupling.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion and the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(500)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Accordingly, the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.In addition, according to the light emitting
다음으로, 도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 9. 9 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the exemplary embodiment with reference to FIG. 9, the descriptions overlapping the contents described with reference to FIGS. 1 to 8 may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 비해 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)의 배치 위치에 차이가 있다.The light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include a first portion S1 and a second portion S2. The first portion S1 may be provided to overlap with the
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The second portion S2 of the first opening TH1 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다. The
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 프레임(211)은 캐비티(C)의 바닥면에 의하여 정의된 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분은 캐비티의 바닥면에 의하여 정의된 영역 내에 배치될 수 있다. When viewed from the upper direction of the
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second opening TH2 may include a third portion S3 and a fourth portion S4. The third portion S3 may be provided to overlap with the
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The fourth portion S4 of the second opening TH2 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.The
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 프레임(212)은 캐비티(C)의 바닥면에 의하여 정의된 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 부분은 캐비티의 바닥면에 의하여 정의된 영역 내에 배치될 수 있다. When viewed from the upper direction of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.In addition, the physical properties of the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.In addition, the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.According to an embodiment, after the
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.For example, the first and
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.The first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as a reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, thereby weakening the stability of the electrical connection and the physical coupling.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion and the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(600)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(600)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.In addition, according to the light emitting
다음으로, 도 10을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명한다. 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 10. 10 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 10을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the exemplary embodiment with reference to FIG. 10, the descriptions that overlap with the contents described with reference to FIGS. 1 to 9 may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 비해 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)의 배치 위치에 차이가 있다.The light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 몸체(110)는 상면과 하면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 상에 배치된 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 포함할 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 및 제2 도전체(321, 332)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and
상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(321)는 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(211) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(322)는 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(212) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 제1 부분(S1)과 제2 부분(S2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(S1)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 부분(S1)과 연결될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)의 상부영역의 폭이 상기 제1 부분(S1)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include a first portion S1 and a second portion S2. The first portion S1 may be provided to overlap with the
상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 부분(S2)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The second portion S2 of the first opening TH1 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제1 및 제2 부분(S1, S2)에 배치될 수 있다. The
상기 제1 프레임(211)은 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제1 부분과 상기 제1 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제1 도전체(321)의 하면에 직접 접촉된 제2 부분을 포함할 수 있다. The
또한, 상기 제1 프레임(211)은 상기 제2 부분의 끝단에서 상기 몸체(110)의 상면 방향으로 돌출된 돌출부(211a)를 더 포함할 수 있다. 상기 돌출부(211a)에 의하여 상기 제1 프레임(211)의 상면과 상기 몸체(110)의 하면 사이에 기구적인 결합 강도가 향상될 수 있다.In addition, the
상기 제2 개구부(TH2)는 제3 부분(S3)과 제4 부분(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(S3)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3) 아래에 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제3 부분(S3)과 연결될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)의 상부영역의 폭이 상기 제3 부분(S3)의 하부영역의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second opening TH2 may include a third portion S3 and a fourth portion S4. The third portion S3 may be provided to overlap with the
상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제4 부분(S4)은 상기 제1 몸체(111)의 하면에 일종의 리세스 형태로 제공될 수 있다.The fourth portion S4 of the second opening TH2 may be recessed in an upward direction from a lower surface of the
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제3 및 제4 부분(S3, S4)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 프레임(212)은 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 몸체(110)의 하면에 평행하게 배치된 제3 부분과 상기 제3 부분의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되어 상기 제2 도전체(322)의 하면에 직접 접촉된 제4 부분을 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 프레임(212)은 상기 제4 부분의 끝단에서 상기 몸체(110)의 상면 방향으로 돌출된 돌출부(212a)를 더 포함할 수 있다. 상기 돌출부(212a)에 의하여 상기 제2 프레임(212)의 상면과 상기 몸체(110)의 하면 사이에 기구적인 결합 강도가 향상될 수 있다.In addition, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티의 바닥면 전체에 제공될 수도 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 노출된 상기 제1 몸체(111) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제1 수지(130), 상기 몸체(110), 상기 발광소자(120) 간의 CTE(Coefficient of Thermal Expansion) 매칭을 고려하여 상기 제1 수지(130)의 물성이 선택될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 낮은 CTE 값을 갖는 수지 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 제1 수지(130)는 LCBR(Low CTE Bottom Reflector)로 지칭될 수 있으며, 열 충격에 의한 크랙(crack)이나 박리 문제가 발생되는 문제를 개선할 수 있다.In addition, the physical properties of the
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역을 밀봉할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역으로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는, 제2 수지(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제1 몸체(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 상기 제2 몸체(113)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. The
상기 제2 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(140)는 클리어 몰딩부재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 수지(140)는 실리콘계 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제2 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.In addition, the
실시 예에 의하면, 상기 몸체(110) 위에 상기 발광소자(120)가 실장된 후, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 제공되고 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 대한 경화가 수행될 수 있다.According to an embodiment, after the
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 도전성 접착제로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)는 닷팅(dotting) 또는 제팅(jetting) 등의 방법을 통하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 제공될 수 있다.For example, the first and
그리고, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)에 각각 접촉되어 배치될 수 있으며, 경화 과정을 통해 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 안정적으로 실장될 수 있게 된다.The first and
실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전체(321) 및 상기 제1 프레임(211)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전체(322) 및 상기 제2 프레임(212)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high temperature process such as a reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, thereby weakening the stability of the electrical connection and the physical coupling.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부 및 제2 본딩부(121, 122) 는 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)와 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding portion and the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(700)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)로서 도전성 페이스트가 이용될 수 있으며, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 상기 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for the material constituting the
예를 들어, 상기 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)에 의하면, 상기 제1 프레임(211)과 상기 제2 프레임(212)이 상기 몸체(110)의 하면에서 충분한 거리를 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(700)가 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 실장되는 경우에, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212)을 통하여 서브 마운트 또는 메인 기판 등에 전기적으로 연결될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 프레임(211, 212) 간에 전기적인 단락(short)이 발생되는 것이 방지될 수 있다.In addition, according to the light emitting
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)가 제공된 몸체(110)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. As described above, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 예로서 상기 몸체(110)의 상면에서 사각 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 하면에서 사각 형상으로 제공될 수 있다. The first and second openings TH1 and TH2 may be provided, for example, in a quadrangular shape on an upper surface of the
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 상면 및 하면에서 원형 형상으로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)가 복수의 개구부로 제공되고, 상기 제2 개구부(TH2)가 복수의 개구부로 제공될 수도 있다.In addition, according to another embodiment, the first and second openings TH1 and TH2 may be provided in a circular shape on the upper and lower surfaces of the
한편, 이상에서 설명된 발광소자 패키지에는 예로서 플립칩 발광소자가 제공될 수 있다. Meanwhile, the above-described light emitting device package may be provided with, for example, a flip chip light emitting device.
예로서, 플립칩 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있으며, 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자로 제공될 수도 있다. For example, the flip chip light emitting device may be provided as a transmissive flip chip light emitting device in which light is emitted in six plane directions, or may be provided as a reflective flip chip light emitting device in which light is emitted in a five plane direction.
5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자는 패키지 몸체에 가까운 방향으로 반사층이 배치된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 반사형 플립칩 발광소자는 제1 및 제2 전극 패드와 발광구조물 사이에 절연성 반사층(예를 들어 Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector 등) 및/또는 전도성 반사층(예를 들어 Ag, Al, Ni, Au 등)을 포함할 수 있다. The reflective flip chip light emitting device that emits light in five surface directions may have a structure in which a reflective layer is disposed in a direction close to the package body. For example, the reflective flip chip light emitting device may include an insulating reflective layer (eg, Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector, etc.) and / or a conductive reflective layer (eg, Ag, Al) between the first and second electrode pads and the light emitting structure. , Ni, Au, and the like).
또한, 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 가지며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 빛이 방출되는 일반적인 수평형 발광소자로 제공될 수 있다. In addition, the flip chip light emitting device that emits light in the six plane direction has a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer. The light emitting device may be provided as a general horizontal light emitting device in which light is emitted between an electrode and the second electrode.
또한, 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는, 제1 및 제2 전극 패드 사이에 반사층이 배치된 반사 영역과 빛이 방출되는 투과 영역을 모두 포함하는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있다.In addition, the flip chip light emitting device in which light is emitted in the six plane directions may be provided as a transmissive flip chip light emitting device including both a reflecting region in which a reflective layer is disposed between the first and second electrode pads and a transmitting region in which light is emitted. Can be.
여기서, 투과형 플립칩 발광소자는 상면, 4개의 측면, 하면의 6면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다. 또한, 반사형 플립칩 발광소자는 상면, 4개의 측면의 5면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다.Here, the transmissive flip chip light emitting device refers to a device in which light is emitted to the top surface, four sides, and six surfaces of the bottom surface. In addition, the reflective flip chip light emitting device refers to a device that emits light to the top surface, five surfaces of four sides.
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다. Next, an example of a flip chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.11 is a plan view illustrating an electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line F-F of the light emitting device of FIG. 11.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 11을 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.On the other hand, for the sake of understanding, in FIG. 11, only a relative arrangement relationship between the
실시 예에 따른 발광소자는 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a
상기 기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123aa), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자는 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.The
상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The
상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The
한편, 상기 발광 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.Meanwhile, a protective layer may be further provided on the
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided as an insulating material. For example, the protective layer is Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y It may be formed of at least one material selected from the group containing.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the light generated by the
참고로, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 발광소자의 상하 배치 방향과 도 11 및 도 12에 도시된 발광소자의 상하 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다.For reference, the vertical arrangement direction of the light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 10 and the vertical placement direction of the light emitting device illustrated in FIGS. 11 and 12 are shown to be opposite to each other.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light source device.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, or the like according to an industrial field.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, and a light disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module to the front. An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; It may include a color filter disposed in front. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. In addition, the display device does not include a color filter, and may have a structure in which light emitting devices emitting red, green, and blue light are disposed.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp may include a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, a front, and reflected by the reflector. It may include a lens for refracting the light forward, and a shade for blocking or reflecting a portion of the light reflected by the reflector toward the lens to achieve a light distribution pattern desired by the designer.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Another example of a light source device may include a lighting device, a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. In addition, the light source device according to the embodiment may further include any one or more of the member and the holder. The light source module may include a light emitting device package according to the embodiment.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, but are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to such a combination and modification are included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made with reference to the embodiments, these are only examples and are not intended to limit embodiments. It will be appreciated that eggplant modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences related to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the embodiments set out in the appended claims.
110 몸체
111 제1 몸체
113 제2 몸체
120 발광소자
121 제1 본딩부
122 제2 본딩부
123 발광 구조물
130 제1 수지
140 제2 수지
211 제1 프레임
212 제2 프레임
221 제1 도전부
222 제2 도전부
310 회로기판
321 제1 도전체
322 제2 도전체
TH1 제1 개구부
TH2 제2 개구부110
113
121
123
140
212
222 Second
321
TH1 first opening TH2 second opening
Claims (12)
상기 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치된 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및
상기 제1 및 제2 개구부 내에 배치되어 상기 제1 및 제2 본딩부와 각각 수직 방향에서 중첩된 제1 및 제2 프레임;
을 포함하는 발광소자 패키지.An upper surface, a lower surface, a body including first and second openings penetrating the upper surface and the lower surface;
A light emitting device including first and second bonding parts disposed on the first and second openings, respectively; And
First and second frames disposed in the first and second openings and overlapping the first and second bonding portions in a vertical direction, respectively;
Light emitting device package comprising a.
상기 제1 프레임은 상기 몸체의 상기 상면에서 상기 하면을 향하는 제1 방향으로 연장된 제1 부분과, 상기 제1 부분이 연장된 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제2 부분을 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The first frame may include a first portion extending in a first direction from the upper surface of the body toward the lower surface and a second portion extending in a second direction perpendicular to the first direction in which the first portion extends. Light emitting device package comprising.
상기 제1 개구부는 제1 부분과 제2 부분을 포함하고,
상기 제1 부분은 상기 제1 본딩부와 상기 수직 방향에서 중첩되어 제공되고,
상기 제2 부분은 상기 제1 부분 아래에 배치되어 상기 제1 부분과 연결되고, 상기 제2 부분의 상부 영역의 폭이 상기 제1 부분의 하부 영역의 폭에 비해 더 크게 제공되고,
상기 제1 프레임은 상기 제1개구부의 상기 제1 및 제2 부분에 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The first opening includes a first portion and a second portion,
The first portion is provided to overlap with the first bonding portion in the vertical direction,
The second portion is disposed below the first portion and is connected with the first portion, the width of the upper region of the second portion is provided larger than the width of the lower region of the first portion,
The first frame is a light emitting device package disposed in the first and second portions of the first opening.
상기 제1 개구부의 상기 제2 부분은 상기 몸체의 하면으로부터 상기 상면 방향으로 오목하게 제공된 발광소자 패키지. The method of claim 3,
The second portion of the first opening is a light emitting device package provided concave in the direction of the upper surface from the lower surface of the body.
상기 제1 개구부 내에서 상기 제1 본딩부와 상기 제1 프레임 사이에 배치된 제1 도전체와,
상기 제2 개구부 내에서 상기 제2 본딩부와 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제2 도전체를 더 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
A first conductor disposed in the first opening portion between the first bonding portion and the first frame;
And a second conductor disposed in the second opening portion between the second bonding portion and the second frame.
상기 제1 본딩부는 상기 발광소자의 제1 측면에 평행한 제1 방향으로 제1 폭으로 제공되고,
상기 제1 개구부는 상기 제1 방향에 평행한 방향으로 상기 제1 폭에 비해 작은 제2 폭으로 제공된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The first bonding portion is provided with a first width in a first direction parallel to the first side surface of the light emitting device,
The first opening is a light emitting device package provided in a second width smaller than the first width in a direction parallel to the first direction.
상기 제1 본딩부의 하면과 상기 제1 도전체 사이에 배치된 제1 도전부를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 5,
The light emitting device package including a first conductive portion disposed between the lower surface of the first bonding portion and the first conductor.
상기 제1 도전부는 상기 제1 본딩부의 하면으로부터 상기 제1 개구부 내로 연장되어 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
The first conductive portion is a light emitting device package disposed to extend from the lower surface of the first bonding portion into the first opening.
상기 제1 도전체는 상기 제1 도전부의 측면과 상기 제1 개구부를 제공하는 상기 몸체의 측면 사이와, 상기 제1 도전부의 하면과 상기 제1 프레임의 상면 사이에 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
The first conductor is disposed between the side of the first conductive portion and the side of the body providing the first opening, and between the lower surface of the first conductive portion and the upper surface of the first frame.
상기 제1 프레임의 상면은 상기 제1 본딩부의 하면에 직접 접촉되어 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The upper surface of the first frame is disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion.
상기 몸체의 상기 하면 아래에 배치되며, 제1 및 제2 패드를 포함하는 회로기판을 포함하고,
상기 발광소자의 상면에 대한 수직 방향에서, 상기 제1 및 제2 패드는 상기 제1 및 제2 프레임과 중첩되게 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
A circuit board disposed below the bottom surface of the body, the circuit board including first and second pads;
The light emitting device package of claim 1, wherein the first and second pads overlap the first and second frames in a direction perpendicular to an upper surface of the light emitting device.
상기 몸체와 상기 회로기판 사이에 배치된 제1 및 제2 접착제를 포함하고,
상기 제1 접착제는 상기 제1 패드와 상기 제1 프레임에 전기적으로 연결되고,
상기 제2 접착제는 상기 제2 패드와 상기 제2 프레임에 전기적으로 연결되고,
상기 제1 및 제2 접착제는 상기 제1 및 제2 본딩부와 상기 수직 방향에서 중첩되지 않게 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 11,
First and second adhesives disposed between the body and the circuit board,
The first adhesive is electrically connected to the first pad and the first frame,
The second adhesive is electrically connected to the second pad and the second frame,
The first and second adhesives are disposed so as not to overlap the first and second bonding portions in the vertical direction.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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AMND | Amendment | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |