KR20180132598A - 도전 페이스트 - Google Patents

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KR20180132598A
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타이키 미하라
준야 미야케
나오미 사토
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가부시키가이샤 아데카
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Abstract

본 발명은 감도, 해상도 및 밀착성이 양호하며 저저항인 도전 페이스트를 제공하는 것으로, 구체적으로는, 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물의 1종 이상을 포함하는 중합개시제(A), 바인더 수지(B), 에틸렌성 불포화 화합물(C), 도전성 입자(D) 및 용매(E)를 함유하는 도전 페이스트를 제공하는 것이다. 본 발명의 도전성 페이스트에서는, 바람직하게는, 바인더 수지(B)로서, 일반식(II)로 나타내는 에폭시 화합물에, 불포화 1염기산을 부가시킨 구조를 가지는 에폭시 부가 화합물, 또는 상기 에폭시 부가 화합물과 다염기산무수물의 에스테르화물을 이용한다. 일반식(I) 및 (II)에 대해서는 본 명세서에 기재한 바와 같다.

Description

도전 페이스트
본 발명은 특정한 중합개시제를 함유하는 도전 페이스트에 관한 것이다.
유리, 세라믹, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에 도전 패턴을 형성하는 방법으로서 포토리소그래피가 알려져 있고, 최근 스마트폰이나 터치 패널 등의 모바일 전자기기에 있어서 소형화, 고정밀화가 요구되고 있다.
특허문헌 1~4에는 각종 도전 페이스트가 개시되어 있지만, 만족할 수 있는 해상도가 얻어지지 않고 있었다.
일본 공개특허공보 2001-154345호 일본 공개특허공보 2013-101861호 일본 공개특허공보 2013-210498호 일본 특허공보 3620861호
해결하고자 하는 문제점은 감도, 해상도 및 밀착성이 양호하며 저저항인 도전 페이스트가 지금까지 없었다는 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 감도, 해상도 및 밀착성이 양호하며 저저항인 도전 페이스트를 제공하는 것에 있다.
본 발명은 하기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물의 1종 이상을 포함하는 중합개시제(A), 바인더 수지(B), 에틸렌성 불포화 화합물(C), 도전성 입자(D) 및 용매(E)를 함유하는 도전 페이스트를 제공함으로써 상기 목적을 달성한 것이다.
Figure pct00001
(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로 R11, OR11, COR11, SR11, CONR12R13 또는 CN을 나타내고,
R11, R12 및 R13은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 나타내며,
R11, R12 및 R13으로 나타내는 기의 수소 원자는, 또한 R21, OR21, COR21, SR21, NR22R23, CONR22R23, -NR22-OR23, -NCOR22-OCOR23, NR22COR21, OCOR21, COOR21, SCOR21, OCSR21, COSR21, CSOR21, 수산기, 니트로기, CN, 아미노기, 할로겐 원자 또는 COOR21로 치환되어 있는 경우도 있고,
R21, R22 및 R23은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 나타내며,
R21, R22 및 R23으로 나타내는 기의 수소 원자는, 또한 수산기, 니트로기, CN, 할로겐 원자, 수산기 또는 카르복실기로 치환되어 있는 경우도 있고,
R11, R12, R13, R21, R22 및 R23으로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NR24-, -NR24COO-, -OCONR24-, -SCO-, -COS-, -OCS- 또는 -CSO-에 의해 산소 원자가 이웃하지 않는 조건으로 1~5회 치환되어 있는 경우도 있으며,
R24는 수소 원자, 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 나타내고,
R11, R12, R13, R21, R22, R23 및 R24로 나타내는 기가 알킬 부분을 가지는 경우, 상기 알킬 부분은 분기측 쇄를 가지는 경우도 있으며, 환상 알킬인 경우도 있고,
R3은 수소 원자, 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 나타내며, R3으로 나타내는 기가 알킬 부분을 가지는 경우, 상기 알킬 부분은 분기측 쇄를 가지는 경우도 있고, 환상 알킬인 경우도 있으며,
R3으로 나타내는 기의 수소 원자는, 또한 R21, OR21, COR21, SR21, NR22R23, CONR22R23, -NR22-OR23, -NCOR22-OCOR23, NR22COR21, OCOR21, COOR21, SCOR21, OCSR21, COSR21, CSOR21, 수산기, 니트로기, CN, 할로겐 원자 또는 COOR21로 치환되어 있는 경우도 있고,
R4, R5, R6 및 R7은, 각각 독립적으로 R11, OR11, SR11, COR14, CONR15R16, NR12COR11, OCOR11, COOR14, SCOR11, OCSR11, COSR14, CSOR11, 수산기, CN 또는 할로겐 원자를 나타내며,
또한, R3과 R7, R3과 R8, R4와 R5, R5와 R6 또는 R6과 R7은 각각 함께 환을 형성하고 있는 경우도 있고,
R14, R15 및 R16은 수소 원자 또는 탄소 원자 수 1~20의 알킬기를 나타내며,
R8은 R11, OR11, SR11, COR11, CONR12R13, NR12COR11, OCOR11, COOR11, SCOR11, OCSR11, COSR11, CSOR11, 수산기, CN 또는 할로겐 원자를 나타내고,
n은 0 또는 1을 나타낸다.)
또한, 본 발명은 상기 도전 페이스트로 이루어지는 도전 패턴을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 상기 도전 페이스트를 기판 상에 도포하는 공정, 건조하는 공정, 마스크를 이용해서 노광하는 공정, 현상하는 공정, 100~300℃에서 소성을 실시하는 공정을 포함하는 도전 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 상기 도전 패턴을 구비하는 터치 패널을 제공하는 것이다.
이하, 본 발명의 도전 페이스트에 대해 바람직한 실시형태에 기초하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 도전 페이스트는, 상기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물의 1종 이상을 포함하는 중합개시제(A), 바인더 수지(B), 에틸렌성 불포화 화합물(C), 도전성 입자(D) 및 용매(E)를 함유한다. 이하, 각 성분에 대해 순서대로 설명한다.
<중합개시제(A)>
본 발명에서 이용되는 중합개시제(A)는, 상기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물의 1종 이상을 함유한다.
상기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물에는, 옥심의 이중 결합에 의한 기하이성체(幾何異性體)가 존재하지만, 이들을 구별하는 것이 아니다.
즉, 본 명세서에 있어서 상기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물 및 그 예시 화합물은 그 화합물에 기하이성체가 존재하는 경우, 양쪽의 혼합물 또는 어느 한쪽을 나타내는 것이며, 본 명세서 중에 명시한 한쪽의 기하이성체에 한정되는 것이 아니다.
상기 일반식(I) 중의 R3, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R21, R22, R23 및 R24로 나타내는 탄소 원자 수 1~20의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 아밀, 이소아밀, t-아밀, 헥실, 헵틸, 옥틸, 이소옥틸, 2-에틸헥실, t-옥틸, 노닐, 이소노닐, 데실, 이소데실, 운데실, 도데실, 테트라데실, 헥사데실, 옥타데실, 이코실, 시클로펜틸, 시클로펜틸메틸, 시클로펜틸에틸, 시클로헥실, 시클로헥실메틸, 시클로헥실에틸 등을 들 수 있다.
상기 일반식(I) 중의 R3, R11, R12, R13, R21, R22, R23 및 R24로 나타내는 탄소 원자 수 6~30의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐, 트릴, 크실릴, 에틸페닐, 나프틸, 안트릴, 페난트레닐, 상기 알킬기에서 1개 이상 치환된페닐, 비페닐일, 나프틸, 안트릴 등을 들 수 있다.
상기 일반식(I) 중의 R3, R11, R12, R13, R21, R22, R23 및 R24로 나타내는 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 벤질, α-메틸벤질, α,α-디메틸벤질, 페닐에틸 등을 들 수 있다.
상기 일반식(I) 중의 R3, R11, R12, R13, R21, R22, R23, 및 R24로 나타내는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기로서는, 예를 들면, 피리딜, 피리미딜, 푸릴, 티에닐, 테트라하이드로푸릴, 디옥소라닐, 벤조옥사졸-2-일, 테트라하이드로피라닐, 피롤리딜, 이미다졸리딜, 피라졸리딜, 티아졸리딜, 이소티아졸리딜, 옥사졸리딜, 이소옥사졸리딜, 피페리딜, 피페라질, 모르폴리닐 등의 5~7원 복소환과 메틸렌쇄를 조합한 기를 들 수 있다.
상기 일반식(I) 중의 R3과 R7, R3과 R8, R4와 R5, R5와 R6 또는 R6과 R7이 각각 함께 형성할 수 있는 환으로서는, 예를 들면, 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 시클로펜텐환, 벤젠환, 피페리딘환, 모르폴린환, 락톤환, 락탐환 등의 5~7원환을 바람직하게 들 수 있다.
또한, 상기 일반식(I) 중의 R4, R5, R6, R7 및 R8, 그리고 상기 일반식(I) 중의 R3, R11, R12, R13, R21, R22 및 R23을 치환해도 되는 할로겐 원자로서는, 불소, 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있다.
상기 일반식(I) 중의 R11, R12, R13, R21, R22 및 R23으로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NR22-, -NR22CO-, -NR22COO-, -OCONR22-, -SCO-, -COS-, -OCS- 또는 -CSO-에 의해 산소 원자가 이웃하지 않는 조건으로 1~5회 치환되어 있어도 되고, 이 때 치환하는 결합기는 1종 또는 2종 이상의 기여도 되며, 연속해서 치환할 수 있는 기의 경우는 2개 이상 연속해서 치환되어 있어도 된다.
또한, 상기 일반식(I) 중의 R3, R11, R12, R13, R21, R22 및 R23으로 나타내는 기가 알킬(알킬렌) 부분을 가지는 경우, 이 알킬(알킬렌) 부분은 분기측 쇄를 가지는 경우도 있고, 환상 알킬인 경우도 있다. 환상 알킬로서는, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등의 탄소 원자 수 4~8의 환상 알킬을 들 수 있다. 예를 들면, R3, R11, R12, R13, R21, R22 및 R23으로 나타내는 기의 알킬 부분이, 환상 알킬인 기로서는, 시클로부틸메틸, 시클로부틸에틸, 시클로부틸프로필, 시클로부틸부틸, 시클로펜틸메틸, 시클로펜틸에틸, 시클로펜틸프로필, 시클로펜틸부틸, 시클로헥실메틸, 시클로헥실에틸, 시클로헥실프로필, 시클로헥실부틸, 시클로헵틸메틸, 시클로헵틸에틸, 시클로헵틸프로필, 시클로헵틸부틸 등의 탄소 원자 수 5~12의 시클로알킬기 등을 들 수 있다.
따라서, 상기 일반식(I)로 나타내는 화합물의 바람직한 구체적인 예로서는, 이하의 화합물 No.1~No.30을 들 수 있다. 단, 본 발명은 이하의 화합물에 의해 아무런 제한을 받지 않는다.
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
상기 일반식(I)로 나타내는 화합물로서는,
R1이 탄소 원자 수 1~12의 직쇄인 알킬기, 탄소 원자 수 5~12의 시클로알킬알킬기인 것이 바람직하고,
R2가 탄소 원자 수 1~6의 직쇄인 알킬기, 탄소 원자 수 6~10의 아릴기(특히, 페닐기)인 것이 바람직하며,
R3이 탄소 원자 수 1~6의 직쇄인 알킬기, COR21〔R21은 탄소 원자 수 1~6의 알킬기 또는 탄소 원자 수 6~10의 아릴기(특히 페닐기)〕, 수산기, 니트로기, CN, 할로겐 원자 혹은 아미노기로 치환되어 있거나 또는 무치환의 페닐기, 탄소 원자 수 7~10의 아릴알킬기(특히 벤질기)인 것이 바람직하고,
R4, R5, R6 또는 R7이 수소 원자, 시아노기, OR11〔R11은 수산기 혹은 카르복실기로 치환되어 있거나 또는 무치환의 탄소 원자 수 1~6의 알킬기〕인 것, 특히 R5가 시아노기, OR11〔R11은 수산기 혹은 카르복실기로 치환되어 있거나 또는 무치환의 탄소 원자 수 1~6의 알킬기〕인 것이 바람직하며,
R8이 수소 원자, 탄소 원자 수 1~6의 직쇄인 알킬기인 것이 바람직하다.
상기 중합개시제(A) 중에서의 상기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물의 함유량의 합계량은, 바람직하게는 30~100질량%, 보다 바람직하게는 50~100질량%이다.
상기 중합개시제(A)로서는, 상기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물 이외의 공지의 중합개시제와 병용할 수도 있다.
상기 공지의 중합개시제로서는, 아세트페논계 화합물, 벤질계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티옥산톤계 화합물, 비스이미다졸계 화합물, 아크리딘계 화합물, 아실포스핀계 화합물 등을 바람직한 것으로서 예시할 수 있다.
상기 아세트페논계 화합물로서는 예를 들면, 디에톡시아세트페논, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 4'-이소프로필-2-하이드록시-2-메틸프로피오페논, 2-하이드록시메틸-2-메틸프로피오페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, p-디메틸아미노아세트페논, p-터셔리부틸디클로로아세트페논, p-터셔리부틸트리클로로아세트페논, p-아지드벤잘아세트페논, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판온-1,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등을 들 수 있다.
상기 벤질계 화합물로서는 벤질 등을 들 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물로서는 예를 들면, 벤조페논, o-벤조일 안식향산메틸, 미히라케톤, 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드 등을 들 수 있다.
상기 티옥산톤계 화합물로서는, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤 등을 들 수 있다.
상기 비스이미다졸계 화합물로서는, 헥사아릴비스이미다졸(HABI, 트리아릴-이미다졸의 이량체(二量體)를 이용할 수 있고, 구체적으로는, 예를 들면 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,4,5,2',4',5'-헥사페닐비스이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐비스이미다졸, 2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐비스이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐비스이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라키스(3-메톡시페닐)비스이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라키스(3,4,5-트리메톡시페닐)-비스이미다졸, 2,5,2',5'-테트라키스(2-클로로페닐)-4,4'-비스(3,4-디메톡시페닐)비스이미다졸, 2,2'-비스(2,6-디클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐비스이미다졸, 2,2'-비스(2-니트로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐비스이미다졸, 2,2'-디-o-트릴-4,5,4',5'-테트라페닐비스이미다졸, 2,2'-비스(2-에톡시페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐비스이미다졸 및 2,2'-비스(2,6-디플루오로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐비스이미다졸, 5'-테트라(p-요오드페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(o-클로로페닐-4,4',5,5'-테트라(m-메톡시페닐)비이미다졸), 2,2'-비스(p-메틸티오페닐)-4,5,4',5'-디페닐-1,1'-비이미다졸, 비스(2,4,5-트리페닐)-1,1'-비이미다졸, 5,5'-테트라(p-클로로나프틸)비이미다졸 등이나 일본 공고특허공보 소45-37377호에 개시되어 있는 1,2'-, 1,4'-, 2,4'-로 공유결합하고 있는 호변이성체(호변(互變異性體), WO00/52529호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.
상기 아크리딘계 화합물로서는, 아크리딘, 9-페닐아크리딘, 9-(p-메틸페닐)아크리딘, 9-(p-에틸페닐)아크리딘, 9-(p-iso-프로필페닐)아크리딘, 9-(p-n-부틸페닐)아크리딘, 9-(p-tert-부틸페닐)아크리딘, 9-(p-메톡시페닐)아크리딘, 9-(p-에톡시페닐)아크리딘, 9-(p-아세틸페닐)아크리딘, 9-(p-디메틸아미노페닐)아크리딘, 9-(p-시아노페닐페닐)아크리딘, 9-(p-클로로페닐)아크리딘, 9-(p-브로모페닐)아크리딘, 9-(m-메틸페닐)아크리딘, 9-(m-n-프로필페닐)아크리딘, 9-(m-iso-프로필페닐)아크리딘, 9-(m-n-부틸페닐)아크리딘, 9-(m-tert-부틸페닐)아크리딘, 9-(m-메톡시페닐)아크리딘, 9-(m-에톡시페닐)아크리딘, 9-(m-아세틸페닐)아크리딘, 9-(m-디메틸아미노페닐)아크리딘, 9-(m-디에틸아미노페닐)아크리딘, 9-(시아노페닐)아크리딘, 9-(m-클로로페닐)아크리딘, 9-(m-브로모페닐)아크리딘, 9-메틸아크리딘, 9-에틸아크리딘, 9-n-프로필아크리딘, 9-iso-프로필아크리딘, 9-시아노에틸아크리딘, 9-하이드록시에틸아크리딘, 9-클로로에틸아크리딘, 9-브로모아크리딘, 9-하이드록시아크리딘, 9-니트로아크리딘, 9-아미노아크리딘, 9-메톡시아크리딘, 9-에톡시아크리딘, 9-n-프로폭시아크리딘, 9-iso-프로폭시아크리딘, 9-클로로에톡시아크리딘, 4,6-비스(디메틸아미노)아크리딘, 10-아세트산아크리딘, 10-메틸아세테이트아크리딘, 3,6-디메틸아크리딘, 7,13-디메틸아크리딘, 7,13-비스(디메틸아미노)아크리딘, 3,6-디메틸-10-아세트산아크리딘, 3,5-디메틸-10-메틸아세테이트아크리딘, 7,13-디메틸-10-아세트산아크리딘, 7,13-디메틸-10-메틸아세테이트아크리딘, 1,7-비스(9-아크리디닐)헵탄, 1,5-비스(9-아크리디닐)펜탄, 1,3-비스(9-아크리디닐)프로판, 2,7-디벤조일-9-페닐아크리딘, 2,7-비스(α-하이드록시벤질)-9-페닐아크리딘, 2,7-비스(α-아세톡시벤질)-9-페닐아크리딘, 2,7-디메틸-9-(4-메틸페닐)아크리딘, 2,7-디메틸-9-페닐아크리딘, 2,7-비스(3,4-디메틸-벤조일)-9-(3,4-디메틸페닐)아크리딘, 2,7-비스(α-아세톡시-4-tert-부틸벤질)-9-(4-tert-부틸페닐)아크리딘, 2,7-디메틸-9-(3,4-디클로로페닐)아크리딘, 2,7-디메틸-9-(4-벤조일페닐)아크리딘, 2,7-비스(2-클로로벤조일)-9-(2-클로로페닐)아크리딘, 2-(α-하이드록시-3-브로모벤질)-6-메틸-9-(3-브로모페닐)아크리딘, 2,5-비스(4-tert-부틸벤조일)-9-(4-tert-부틸페닐)아크리딘, 1,4-비스(2,7-디메틸-9-아크리디닐)벤젠, 2,7-비스(α-페닐아미노카르보닐옥시-3,4-디메틸벤질)-9-(3,4-디메틸페닐)아크리딘 및 2,7-비스(3,5-디메틸-4-하이드록시-4'-플루오로디페닐메틸)-9-(4-플루오로페닐)아크리딘, 9,10-디하이드로아크리딘, 1-메틸아크리딘, 4-메틸아크리딘, 2,3-디메틸아크리딘, 1-페닐아크리딘, 4-페닐아크리딘, 1-벤질아크리딘, 4-벤질아크리딘, 1-클로로아크리딘, 2,3-디클로로아크리딘, 10-부틸-2-클로로아크리딘-9(10H)-온, 10-프로필-2-클로로아크리딘-9(10H)-온, 10-부틸-2-클로로아크리딘-9(10H)-온, 1,2-비스(9-아크리디닐)에탄, 1,3-비스(9-아크리디닐)프로판, 1,4-비스(9-아크리디닐)부탄, 1,6-비스(9-아크리디닐)헥산, 1,7-비스(9-아크리디닐)헵탄, 1,8-비스(9-아크리디닐)옥탄, 1,9-비스(9-아크리디닐)노난, 1,10-비스(9-아크리디닐)데칸, 1,11-비스(9-아크리디닐)운데칸, 1,12-비스(9-아크리디닐)도데칸, 1,14-비스(9-아크리디닐)테트라데칸, 1,16-비스(9-아크리디닐)헥사데칸, 1,18-비스(9-아크리디닐)옥타데칸, 1,20-비스(9-아크리디닐)에이코산, 1,3-비스(9-아크리디닐)-2-티아프로판, 1,5-비스(9-아크리디닐)-3-티아펜탄, 7-메틸-벤조〔c〕아크리딘, 7-에틸-벤조〔c〕아크리딘, 7-프로필-벤조〔c〕아크리딘, 7-부틸-벤조〔c〕아크리딘, 7-펜틸-벤조〔c〕아크리딘, 7-헥실-벤조〔c〕아크리딘, 7-헵틸-벤조〔c〕아크리딘, 7-옥틸-벤조〔c〕아크리딘, 7-노닐-벤조〔c〕아크리딘, 7-데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-운데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-도데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-트리데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-테트라데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-펜타데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-헥사데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-헵타데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-옥타데실-벤조〔c〕아크리딘, 7-노나데실-벤조〔c〕아크리딘, 1,1-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)메탄, 1,2-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)에탄, 1,3-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)프로판, 1,4-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)부탄, 1,5-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)펜탄, 1,6-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)헥산, 1,7-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)헵탄, 1,8-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)옥탄, 1,9-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)노난, 1,10-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)데칸, 1,11-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)운데칸, 1,12-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)도데칸, 1,13-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)트리데칸, 1,14-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)테트라데칸, 1,15-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)펜타데칸, 1,16-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)헥사데칸, 1,17-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)헵타데칸, 1,18-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)옥타데칸, 1,19-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)노나데칸, 1,20-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)에이코산, 7-페닐-벤조〔c〕아크리딘, 7-(2-클로로페닐)-벤조〔c〕아크리딘, 7-(4-메틸페닐)-벤조〔c〕아크리딘, 7-(4-니트로페닐)-벤조〔c〕아크리딘, 1,3-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)벤젠, 1,4-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)벤젠, 7-〔1-프로펜-3-일(벤조〔c〕아크리딘)〕, 7-〔1-에틸펜틸-(벤조〔c〕아크리딘)〕, 7-〔8-헵타데세닐-(벤조〔c〕아크리딘)〕, 7,8-디페닐-1,14-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)테트라데칸, 1,2-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)에틸렌, 1-메틸-1,2-비스(7-벤조〔c〕아크리디닐)에틸렌, 7-스티릴-벤조〔c〕아크리딘, 7-(1-프로페닐)-벤조〔c〕아크리딘, 7-(1-펜테닐)-벤조〔c〕아크리딘, 9-(2-피리딜)아크리딘, 9-(3-피리딜)아크리딘, 9-(4-피리딜)아크리딘, 9-(4-피리미디닐)아크리딘, 9-(2-피라진일)아크리딘, 9(5-메틸-2-피라진일)아크리딘, 9-(2-퀴놀리닐)아크리딘, 9-(2-피리딜)-2-메틸-아크리딘, 9-(2-피리딜)-2-에틸아크리딘, 9-(3-피리딜)-2-메틸-아크리딘, 9-(3-피리딜)-2,4-디에틸-아크리딘, 3,6-디아미노-아크리딘술폰산염, 3,6-비스-(디메틸아미노)-아크리딘술폰산염, 3,6-디아미노-10-메틸-아크리디늄클로라이드, 9-아크리딘카르복실산 등을 들 수 있다.
상기 아실포스핀계 화합물로서는, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(Lucirin TPO; BASF사 제품), 이소부티릴-메틸포스핀산메틸에스테르, 이소부티릴-페닐포스핀산메틸에스테르, 피발로일-페닐포스핀산메틸에스테르, 2-에틸헥산오일-페닐포스핀산메틸에스테르, 피발로일-페닐포스핀산 이소프로필에스테르, p-톨루일-페닐포스핀산메틸에스테르, o-톨루일-페닐포스핀산메틸에스테르, 2,4-디메틸벤조일-페닐포스핀산메틸에스테르, p-3급 부틸벤조일-페닐포스핀산이소프로필에스테르, 아크릴로일-페닐포스핀산메틸에스테르, 이소부티릴-디페닐포스핀옥사이드, 2-에틸헥산오일-디페닐포스핀옥사이드, o-톨루일-디페닐포스핀옥사이드, p-3급 부틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드, 3-피리딜카르보닐-디페닐포스핀옥사이드, 아크릴로일-디페닐포스핀옥사이드, 벤조일-디페닐포스핀옥사이드, 피발로일-페닐포스핀산비닐에스테르, 아지포일-비스-디페닐포스핀옥사이드, 피발로일-디페닐포스핀옥사이드, p-톨루일-디페닐포스핀옥사이드, 4-(3급 부틸)-벤조일-디페닐포스핀옥사이드, 2-메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드, 2-메틸-2-에틸헥산오일-디페닐포스핀옥사이드, 1-메틸-시클로헥산오일-디페닐포스핀옥사이드, 피발로일-페닐포스핀산메틸에스테르 및 피발로일-페닐포스핀산이소프로필에스테르, 4-옥틸페닐포스핀옥사이드, 테레프탈로일-비스-디페닐포스핀옥사이드, 1-메틸-시클로헥실 카르보닐디페닐포스핀옥사이드, 버사토일-디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4-디이소부톡시페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐포스핀옥사이드(Irgacure819; BASF사 제품), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로-3,4,5-트리메톡시벤조일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로-3,4,5-트리메톡시벤조일)-4-에톡시페닐포스핀옥사이드, 비스(2-메틸-1-나프토일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스(2-메틸-1-나프토일)-4-에톡시페닐포스핀옥사이드, 비스(2-메틸-1-나프토일)-2-나프틸포스핀옥사이드, 비스(2-메틸-1-나프토일)-4-프로필페닐포스핀옥사이드, 비스(2-메틸-1-나프토일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스(2-메톡시-1-나프토일)-4-에톡시페닐포스핀옥사이드, 비스(2-클로로-1-나프토일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4-디옥틸옥시페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4-디이소프로폭시페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4-디헥실옥시페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2-프로폭시-4-메틸페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-2,4-디이소펜틸옥시페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로벤조일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로벤조일)-4-비페닐일포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로벤조일)-4-프로필페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로벤조일)-2-나프틸포스핀옥사이드, 비스(2,6-디클로로벤조일)-1-나프틸포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드(CGI403), 6-트리메틸벤조일-에틸-페닐-포스피네이트(SPEEDCURE TPO-L; Lambson사 제품) 등을 들 수 있다.
상기 중합개시제(A)의 함유량은, 본 발명의 도전 페이스트의 고형분 100질량부에 대하여 0.1~10질량부인 것이 바람직하고, 0.5~5질량부인 것이 바람직하다. 또한 고형분이란, 어떤 성분 중, 용매를 제외한 성분을 의미한다. 이하의 설명에서 동일하다.
<바인더 수지(B)>
바인더 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리이소부틸렌 등의 폴리올레핀계 폴리머; 폴리부타디엔, 폴리이소프렌 등의 디엔계 폴리머; 폴리아세틸렌계 폴리머, 폴리페닐렌계 폴리머 등의 공역 폴리엔 구조를 가지는 폴리머; 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 아세트산비닐, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산에스테르, 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐페놀 등의 비닐 폴리머; 폴리페닐렌에테르, 폴리옥시란, 폴리옥세탄, 폴리테트라하이드로푸란, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아세탈 등의 폴리에테르; 노볼락 수지, 레졸 수지 등의 페놀 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리페놀프탈레인테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 알키드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등의 폴리에스테르; 나일론-6, 나일론66, 수용성 나일론, 폴리페닐렌아미드 등의 폴리아미드; 젤라틴, 카제인 등의 폴리펩티드; 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀 에폭시 수지, 노볼락 에폭시 아크릴레이트 및 산무수물에 의해 변성 수지 등의 에폭시 수지 및 그 변성물; 폴리우레탄, 폴리이미드, 멜라민 수지, 요소 수지, 폴리이미다졸, 폴리옥사졸, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리술피드, 폴리술폰, 셀룰로오스류 등을 들 수 있다.
상기 바인더 수지(B)의 중량평균 분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 폴리스티렌 환산한 것으로, 바람직하게는 1,000~500,000, 보다 바람직하게는 2,000~200,000, 가장 바람직하게는 3,000~100,000이다. 바인더 수지의 Mw가 1,000 미만에서는 막의 내열성이 저하하는 경향이 있고, 또한 500,000을 초과하면, 막의 현상성이나 도포성이 저하하는 경향이 있다. 또한, 상기 바인더 수지(B)의 산가는 바람직하게는 30~300㎎KOH/g이다. 산가의 값이 30㎎KOH/g 미만이면, 현상성이 나빠지는 우려가 있고, 산가의 값이 300㎎KOH/g 초과이면, 수지의 열화가 진행될 우려가 있다.
상기 바인더 수지(B)로서는, 하기 일반식(II)로 나타내는 에폭시 화합물에, 불포화 1염기산을 부가시킨 구조를 가지는 에폭시 부가 화합물, 또는 상기 에폭시 부가 화합물과 다염기산무수물의 에스테르화물이, 감도 및 해상도가 높으므로 바람직하다.
Figure pct00005
(식 중, M은 직접 결합, 탄소 원자 수 1~4의 알킬렌기, 탄소 원자 3~30의 지환식 탄화수소기, 탄소 원자 수 6~12의 아릴기, O, S, SO2, SS, SO, CO, OCO 또는 하기 일반식(II-1), (II-2) 혹은 (II-3)으로 나타내는 기를 나타내고, R101, R102, R103, R104, R105, R106, R107 및 R108은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자 수 1~10의 알킬기, 탄소 원자 수 1~10의 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내며, s는 0~10의 수를 나타낸다.)
Figure pct00006
(R109, R110, R111, R112, R113, R114, R115, R116, R117, R118, R119, R120, R121, R122, R123, R124, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 및 R132는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자 수 1~10의 알킬기, 탄소 원자 수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자 수 6~20의 아릴기, 탄소 원자 수 7~20의 아릴알킬기, 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, 상기 알킬기 및 아릴알킬기 중의 메틸렌기는 불포화 결합, -O- 또는 -S-에 의해 산소 원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며, R109, R110, R111, R112, R117, R118, R119, R120, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 및 R132는, 인접하는 R109, R110, R111, R112, R117, R118, R119, R120, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 또는 R132끼리 환을 형성하고 있는 경우도 있다. *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
상기 일반식(II) 중의 탄소 원자 수 1~4의 알킬렌기로서는, 직쇄의 알킬렌으로서는, -(CH2)1-4-로 나타내는 것을 들 수 있고,
분기(分岐)의 알킬렌으로서는, 1-메틸메탄-1,1-디일, 1-에틸메탄-1,1-디일, 1-프로필메탄-1,1-디일, 1-메틸에탄-1,2-디일, 1-에틸에탄-1,2-디일, 1-메틸프로판-1,3-디일 등을 들 수 있다.
상기 일반식(II) 중의 탄소 원자 3~30의 지환식 탄화수소기로서는, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로데카닐, 1-아다만틸, 2-아다만틸, 노르아다만틸, 2-메틸아다만틸, 노르보르닐, 이소노르보르닐, 퍼하이드로나프틸, 퍼하이드로안트라세닐, 비시클로[1.1.0]부틸, 비시클로[1.1.1]펜틸, 비시클로[2.1.0]펜틸, 비시클로[3.1.0]헥실, 비시클로[2.1.1]헥실, 비시클로[2.2.0]헥실, 비시클로[4.1.0]헵틸, 비시클로[3.2.0]헵틸, 비시클로[3.1.1]헵틸, 비시클로[2.2.1]헵틸, 비시클로[5.1.0]옥틸, 비시클로[4.2.0]옥틸, 비시클로[4.1.1]옥틸, 비시클로[3.3.0]옥틸, 비시클로[3.2.1]옥틸, 비시클로[2.2.2]옥틸, 스피로[4,4]노나닐, 스피로[4,5]데카닐, 데칼린, 트리시클로데카닐, 테트라시클로도데카닐, 세드롤, 시클로도데카닐 등을 들 수 있다.
상기 일반식(II) 중의 R101, R102, R103, R104, R105, R106, R107 및 R108로 나타내는 탄소 원자 수 1~10의 알킬기, M으로 나타내는 탄소 원자 수 6~12의 아릴기, 상기 일반식(II-1), (II-2) 또는 (II-3) 중의 R109, R110, R111, R112, R113, R114, R115, R116, R117, R118, R119, R120, R121, R122, R123, R124, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 및 R132로 나타내는 탄소 원자 수 1~10의 알킬기, 탄소 원자 수 6~20의 아릴기, 탄소 원자 수 7~20의 아릴알킬기 및 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기로서는, 각각 상기 일반식(I)의 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 설명 중에서 예시한 기 중, 소정의 탄소 원자 수를 충족시키는 기를 들 수 있다.
상기 일반식(II) 중의 R101, R102, R103, R104, R105, R106, R107 및 R108로 나타내는 탄소 원자 수 1~10의 알콕시기, 상기 일반식(II-1), (II-2) 또는 (II-3) 중의 R109, R110, R111, R112, R113, R114, R115, R116, R117, R118, R119, R120, R121, R122, R123, R124, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 및 R132로 나타내는 탄소 원자 수 1~10의 알콕시기로서는, 메틸옥시, 에틸옥시, 프로필옥시, 이소프로필옥시, 부틸옥시, 제2부틸옥시, 제3부틸옥시, 이소부틸옥시, 아밀옥시, 이소아밀옥시, 제3아밀옥시, 헥실옥시, 시클로헥실옥시, 헵틸옥시, 이소헵틸옥시, 제3헵틸옥시, n-옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 제3옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 노닐옥시, 데실옥시 등을 들 수 있다.
상기 일반식(II-1), (II-2) 또는 (II-3) 중의 R109, R110, R111, R112, R117, R118, R119, R120, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 및 R132는, 인접하는 R109, R110, R111, R112, R117, R118, R119, R120, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 또는 R132끼리 형성할 수 있는 환으로서는, 상기 일반식(I) 중의 R3과 R7, R3과 R8, R4와 R5, R5와 R6 또는 R6과 R7이 각각 함께 형성할 수 있는 환과 동일한 환을 들 수 있다.
상기 일반식(II)로 나타내는 에폭시 화합물로서는, M이 상기 일반식(II-1)~ (II-3)으로 나타내는 기인 화합물, R101, R102, R103, R104, R105, R106, R107 또는 R108이 수소 원자인 화합물이 바람직하다.
상기 일반식(II)로 나타내는 에폭시 화합물에 작용시키는 상기 불포화 1염기산으로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 계피산, 소르빈산, 하이드록시에틸메타크릴레이트·말레이트(maleate), 하이드록시에틸아크릴레이트·말레이트, 하이드록시프로필메타크릴레이트·말레이트, 하이드록시프로필아크릴레이트·말레이트, 디시클로펜타디엔·말레이트 등을 들 수 있고, 특히 아크릴산 및 메타크릴산이 바람직하다.
또한, 상기 불포화 1염기산을 작용시킨 후에 작용시키는 상기 다염기산무수물로서는, 비페닐테트라카르복실산2무수물, 테트라하이드로무수프탈산, 무수숙신산, 비프탈산무수물, 무수말레산, 트리멜리트산무수물, 피로멜리트산무수물, 2,2'-3,3'-벤조페논테트라카르복실산무수물, 에틸렌글리콜비스안하이드로트리멜리테이트, 글리세롤트리스안하이드로트리멜리테이트, 헥사하이드로무수프탈산, 메틸테트라하이드로무수프탈산, 나딕산무수물, 메틸나딕산무수물, 트리알킬테트라하이드로무수프탈산, 헥사하이드로무수프탈산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산무수물, 트리알킬테트라하이드로무수프탈산-무수말레산 부가물, 도데세닐무수숙신산, 무수메틸히믹산 등을 들 수 있고, 특히 비프탈산무수물, 테트라하이드로무수프탈산, 무수숙신산이 바람직하다.
상기 에폭시 화합물, 상기 불포화 1염기산 및 상기 다염기산무수물의 반응 몰비는, 다음과 같이 하는 것이 바람직하다.
즉, 상기 에폭시 부가 화합물은 상기 에폭시 화합물의 에폭시기 1개에 대하여, 상기 불포화 1염기산의 카르복실기가 0.1~1.0개의 비율, 특히 0.4~1.0개의 비율이 되도록 부가시키는 것이 바람직하고, 또한 상기 에틸렌성 불포화 화합물은 상기 에폭시 부가물의 수산기 1개에 대하여, 상기 다염기산무수물의 산무수물 구조가 0.1~1.0개가 되는 비율, 특히 0.4~1.0개의 비율이 되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 화합물, 상기 불포화 1염기산 및 상기 다염기산무수물의 반응은 통상의 방법에 따라서 실시할 수 있다.
상기 바인더 수지(B)는 본 발명의 도전 페이스트 100질량부에 대하여 고형분 환산으로 1~50질량부인 것이 바람직하고, 10~30질량부인 것이 보다 바람직하다. 또한, 고형분 환산이란 용매를 제외해서 환산하는 것을 의미한다. 이하의 설명에 있어서 동일하다.
<에틸렌성 불포화 화합물(C)>
에틸렌성 불포화 화합물(C)이란, 구조 중에 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물을 의미하고, 이러한 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 이소부틸렌, 염화비닐, 염화비닐리덴, 불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌 등의 불포화 지방족 탄화수소; (메타)아크릴산, α-클로로아크릴산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산, 푸마르산, 히믹산, 크로톤산, 이소크로톤산, 비닐아세트산, 알릴아세트산, 계피산, 소르빈산, 메사콘산, 숙신산모노[2-아크릴로일록시에틸], 프탈산모노[2-아크릴로일록시에틸], ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트 등의 양 말단에 카르복실기와 수산기를 가지는 폴리머의 모노아크릴레이트, 숙신산모노[2-메타크릴로일록시에틸], 프탈산모노[2-메타크릴로일록시에틸], ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등의 양 말단에 카르복실기와 수산기를 가지는 폴리머의 모노아크릴레이트 또는 메타크릴레이트; 하이드록시에틸아크릴레이트·말레이트, 하이드록시프로필아크릴레이트·말레이트, 디시클로펜타디엔·말레이트 혹은 1개의 카르복실기와 2개 이상의 아크릴로일기를 가지는 다관능 아크릴레이트, 하이드록시에틸메타크릴레이트·말레이트, 하이드록시프로필메타크릴레이트·말레이트, 디시클로펜타디엔·말레이트 혹은 1개의 카르복실기와 2개 이상의 메타크릴로일기를 가지는 다관능 메타크릴레이트 등의 불포화 다염기산; 아크릴산-2-하이드록시에틸, 아크릴산-2-하이드록시프로필, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산-2-하이드록시에틸, 메타크릴산-2-하이드록시프로필, 메타크릴산글리시딜, 하기 화합물 No.A1~No.A4, 아크릴산메틸, 아크릴산부틸, 아크릴산이소부틸, 아크릴산-t-부틸, 아크릴산시클로헥실, 아크릴산n-옥틸, 아크릴산이소옥틸, 아크릴산이소노닐, 아크릴산스테아릴, 아크릴산라우릴, 아크릴산메톡시에틸, 아크릴산디메틸아미노메틸, 아크릴산디메틸아미노에틸, 아크릴산아미노프로필, 아크릴산디메틸아미노프로필, 아크릴산에톡시에틸, 아크릴산 폴리(에톡시)에틸, 아크릴산부톡시에톡시에틸, 아크릴산에틸헥실, 아크릴산페녹시에틸, 아크릴산테트라하이드로푸릴, 아크릴산비닐, 아크릴산알릴, 아크릴산벤질, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 트리메틸올에탄트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트, 트리[아크릴로일에틸]이소시아누레이트, 폴리에스테르아크릴레이트올리고머, 메타크릴산메틸, 메타크릴산부틸, 메타크릴산이소부틸, 메타크릴산-t-부틸, 메타크릴산시클로헥실, 메타크릴산n-옥틸, 메타크릴산이소옥틸, 메타크릴산이소노닐, 메타크릴산스테아릴, 메타크릴산라우릴, 메타크릴산메톡시에틸, 메타크릴산디메틸아미노메틸, 메타크릴산디메틸아미노에틸, 메타크릴산아미노프로필, 메타크릴산디메틸아미노프로필, 메타크릴산에톡시에틸, 메타크릴산폴리(에톡시)에틸, 메타크릴산부톡시에톡시에틸, 메타크릴산에틸헥실, 메타크릴산페녹시에틸, 메타크릴산테트라하이드로푸릴, 메타크릴산비닐, 메타크릴산알릴, 메타크릴산벤질, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 트리메틸올에탄트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 트리시클로데칸디메틸올디메타크릴레이트, 트리[메타크릴로일에틸]이소시아누레이트, 폴리에스테르메타크릴레이트올리고머 등의 불포화 1염기산 및 다가알코올 또는 다가페놀의 에스테르; 아크릴산아연, 아크릴산마그네슘, 메타크릴산아연, 메타크릴산마그네슘 등의 불포화 다염기산의 금속염; 말레산무수물, 이타콘산무수물, 시트라콘산무수물, 메틸테트라하이드로무수프탈산, 테트라하이드로무수프탈산, 트리알킬테트라하이드로무수프탈산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산무수물, 트리알킬테트라하이드로무수프탈산-무수말레산 부가물, 도데세닐무수숙신산, 무수메틸히믹산 등의 불포화 다염기산의 산무수물; 아크릴아미드, 메틸렌비스-아크릴아미드, 디에틸렌트리아민트리스아크릴아미드, 크실릴렌비스아크릴아미드, α-클로로아크릴아미드, N-2-하이드록시에틸아크릴아미드, 메타크릴아미드, 메틸렌비스-메타크릴아미드, 디에틸렌트리아민트리스메타크릴아미드, 크실릴렌비스메타크릴아미드, α-클로로아크릴아미드, N-2-하이드록시에틸메타크릴아미드 등의 불포화 1염기산 및 다가 아민의 아미드; 아크롤레인 등의 불포화 알데히드; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, α-클로로아크릴로니트릴, 시안화 비닐리덴, 시안화 알릴 등의 불포화 니트릴; 스티렌, 4-메틸스티렌, 4-에틸스티렌, 4-메톡시스티렌, 4-하이드록시스티렌, 4-클로로스티렌, 디비닐벤젠, 비닐톨루엔, 비닐안식향산, 비닐페놀, 비닐술폰산, 4-비닐벤젠술폰산, 비닐벤질메틸에테르, 비닐벤질글리시딜에테르 등의 불포화 방향족 화합물; 메틸비닐케톤 등의 불포화 케톤; 비닐아민, 알릴아민, N-비닐피롤리돈, 비닐피페리딘 등의 불포화 아민 화합물; 알릴 알코올, 클로틸알코올 등의 비닐알코올; 비닐메틸에테르, 비닐에틸에테르, n-부틸비닐에테르, 이소부틸비닐에테르, 알릴글리시딜에테르 등의 비닐에테르; 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드 등의 불포화 이미드류; 인덴, 1-메틸인덴 등의 인덴류; 1,3-부타디엔, 이소프렌, 클로로프렌 등의 지방족 공역 디엔류; 폴리스티렌, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리-n-부틸아크릴레이트, 폴리실록산 등의 중합체 분자쇄의 말단에 모노아크릴로일기를 가지는 매크로 모노머류, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리-n-부틸메타크릴레이트, 폴리실록산 등의 중합체 분자쇄의 말단에 모노메타크릴로일기를 가지는 매크로 모노머류; 비닐클로라이드, 비닐리덴클로라이드, 디비닐숙시네이트, 디알릴프탈레이트, 트리알릴포스페이트, 트리알릴이소시아누레이트, 비닐티오에테르, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸린, 비닐카르바졸, 비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 수산기 함유 비닐모노머 및 폴리이소시아네이트 화합물의 비닐우레탄 화합물, 수산기 함유 비닐모노머 및 폴리에폭시 화합물의 비닐에폭시 화합물을 들 수 있다. 상기 에틸렌성 불포화 화합물(C)은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 양 말단에 카르복실기와 수산기를 가지는 폴리머의 모노아크릴레이트 또는 메타크릴레이트, 1개의 카르복실기와 2개 이상의 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 가지는 다관능 아크릴레이트 또는 다관능 메타크릴레이트, 불포화 1염기산 및 다가알코올 또는 다가페놀의 에스테르가, 경화성, 색도 특성의 관점에서 바람직하다.
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
본 발명의 도전 페이스트에 있어서, 상기 에틸렌성 불포화 화합물(C)의 함유량은 본 발명의 도전 페이스트의 고형분 100질량부에 대하여 1~50질량부인 것이 바람직하고, 1~10질량부인 것이 보다 바람직하다.
<도전성 입자(D)>
도전성 입자(D)로서는, 각종 금속이나 합금의 분말, 혹은 그 산화물을 이용할 수 있고, 예를 들면, 금, 은, 백금, 이리듐, 로듐, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 알루미늄, 구리, 니켈, 팔라듐, 아연, 알루미늄 등의 금속입자; 은-팔라듐, 은-구리 등의 합금입자; 상기 금속입자 혹은 합금 입자를 코어 또는 피복층으로 하는 다층체; 산화주석, 산화인듐, ITO, 산화알루미늄, 산화붕소, 실리카, 산화티탄, 산화지르코니아, 산화마그네슘, 산화칼슘, 산화스트론튬, 산화바륨 등의 금속산화물; 탄산칼슘 등을 들 수 있다. 그 중에서도 은이 도전성이 좋으므로 바람직하다.
상기 도전성 입자(D)의 형상으로서는, 구 형상, 판 형상, 덩어리 형상, 원추 형상, 바늘 형상, 막대 형상, 프레이크 형상, 덴트라이트 형상의 것을 이용할 수 있지만, 구 형상인 것이 분산성이 좋으므로 바람직하다.
상기 도전성 입자(D)의 평균 입경은, 0.05~10㎛, 바람직하게는 0.1~5㎛이다.
또한, 평균 입경은, SEM(주사형 전자현미경)을 이용해서 관찰한 랜덤인 10개의 도전성 입자(D)를 측정한 평균을 산출함으로써 구해진다.
본 발명의 도전 페이스트에 있어서, 상기 도전성 입자(D)의 함유량은, 본 발명의 도전 페이스트의 고형분 100질량부에 대하여 바람직하게는 30~90질량부, 보다 바람직하게는 50~85질량부이다.
<용매(E)>
용매(E)로서는, 통상, 필요에 따라서 상기의 각 성분(상기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물의 1종 이상을 포함하는 중합개시제(A), 바인더 수지(B), 에틸렌성 불포화 화합물(C), 도전성 입자(D) 등)을 용해 또는 분산할 수 있는 용매, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 메틸아밀케톤, 디에틸케톤, 아세톤, 메틸이소프로필케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥산온, 2-헵탄온 등의 케톤류; 에틸에테르, 디옥산, 테트라하이드로푸란, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄, 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르계 용매; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산-n-프로필, 아세트산 이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산시클로헥실, 락트산에틸, 숙신산디메틸, 텍사놀 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 셀로솔브계 용매; 메탄올, 에탄올, 이소- 또는 n-프로판올, 이소- 또는 n-부탄올, 아밀알코올 등의 알코올계 용매; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르-2-아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸에테르아세테이트, 에톡시에틸에테르프로피오네이트 등의 에테르에스테르계 용매; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 BTX계 용매; 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매; 테레핀유, D-리모넨, 피넨 등의 테르펜계 탄화수소유; 미네랄 스피릿, 스와졸#310(코스모마쯔야마세끼유사), 솔베소#100(엑손가가쿠사) 등의 파라핀계 용매; 사염화탄소, 클로로포름, 트리클로로에틸렌, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄 등의 할로겐화 지방족 탄화수소계 용매; 클로로벤젠 등의 할로겐화 방향족 탄화수소계 용매; 카르비톨계 용매; 아닐린; 트리에틸아민; 피리딘; 아세트산; 아세트니트릴; 이황화탄소; N,N-디메틸포름아미드; N,N-디메틸아세트아미드; N-메틸피롤리돈; 디메틸술폭시드; 물 등을 들 수 있고, 이들 용매는 1종 또는 2종 이상의 혼합 용매로서 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 케톤류, 에테르에스테르계 용매 등, 특히 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르-2-아세테이트, 시클로헥산온 등이 상기의 각 성분과의 상용성이 좋으므로 바람직하다.
본 발명의 도전 페이스트에 있어서 상기 용매(E)의 함유량은, 본 발명의 도전 페이스트의 고형분 100질량부에 대하여 바람직하게는 50~1000질량부, 보다 바람직하게는 80~150질량부이다.
본 발명의 도전 페이스트에는, 또한 도전성 입자(D) 이외의 무기화합물을 함유시킬 수 있다. 상기 무기화합물로서는, 예를 들면, 산화니켈, 산화철, 산화이리듐, 산화티탄, 산화아연, 산화마그네슘, 산화칼슘, 산화칼륨, 실리카, 알루미나 등의 금속산화물; 그라파이트, 층상 점토광물, 밀로리 블루, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 코발트계, 망간계, 유리분말(특히 글래스 프릿, 마이카, 탤크, 카올린, 페로시안화물, 각종 금속황산염, 황화물, 셀렌화물, 알루미늄실리케이트, 칼슘실리케이트, 수산화알루미늄, 백금, 금, 은, 구리 등을 들 수 있다. 이들 무기화합물은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 글래스 프릿, 산화티탄, 실리카, 층상 점토광물, 은 등이 바람직하다.
본 발명의 도전 페이스트에 있어서 상기 무기화합물의 함유량은, 본 발명의 도전 페이스트의 고형분 100질량부에 대하여 바람직하게는 5~1000질량부, 바람직하게는 50~100질량부이다.
이들 무기화합물은, 예를 들면, 충전제, 반사방지제, 도전제, 안정제, 난연제, 기계적 강도향상제, 특수파장흡수제, 잉크 반발제 등으로서 이용된다.
본 발명의 도전 페이스트에는, 도전성 입자(D) 및/ 또는 무기화합물을 분산시키는 분산제를 첨가할 수 있다. 상기 분산제로서는, 도전성 입자(D) 또는 무기화합물을 분산, 안정화할 수 있는 것이면 제한되지 않고, 시판의 분산제, 예를 들면, 빅케미사 제품의 BYK시리즈 등을 이용할 수 있다. 특히, 염기성 관능기를 가지는 폴리에스테르, 폴리에테르, 또는 폴리우레탄으로 이루어지는 고분자 분산제, 염기성 관능기로서 질소 원자를 가지고, 질소 원자를 가지는 관능기가 아민, 및/ 또는 그 4급염이며, 아민가가 1~100㎎KOH/g인 것이 적합하게 이용된다.
또한, 본 발명의 도전 페이스트에는, 필요에 따라서 p-아니솔, 하이드로퀴논, 피로카테콜, t-부틸카테콜, 페노티아진 등의 열중합 억제제; 전사성(轉寫性) 부여제; 열중합개시제; 착색제; 가소제; 접착촉진제; 충전제; 소포제(消泡劑); 레벨링제; 표면조정제; 산화방지제; 자외선흡수제; 안정제; 분산조제; 응집방지제; 촉매; 효과촉진제; 가교제; 증점제; 박리제 등의 관용의 첨가물을 첨가할 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트에 있어서, 상기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물의 1종 이상을 포함하는 중합개시제(A), 바인더 수지(B), 에틸렌성 불포화 화합물(C), 도전성 입자(D) 이외의 임의 성분(단, 상기의 무기화합물(충전제)은 제외한다)의 사용량은, 그 사용 목적에 따라 적절히 선택되어 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는, 본 발명의 도전 페이스트의 고형분 100질량부에 대하여 합계로 50질량부 이하로 한다.
또한, 본 발명의 도전 페이스트에는, 상기 바인더 수지(B)와 함께, 다른 유기 중합체를 이용함으로써 경화물의 특성을 개선할 수도 있다. 상기 유기 중합체로서는, 예를 들면, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트-에틸아크릴레이트 공중합체, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 스티렌-아크릴산 공중합체, 스티렌-메타크릴산 공중합체, 아크릴산-메틸메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산-메틸 메타크릴산 공중합체, 에틸렌-염화비닐 공중합체, 에틸렌-비닐 공중합체, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지, 나일론6, 나일론66, 나일론12, 우레탄 수지, 폴리카보네이트폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 에스테르, 폴리아크릴아미드, 포화 폴리에스테르, 페놀수지, 페녹시수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리아믹산 수지, 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 폴리스티렌, 아크릴산-메틸메타크릴레이트 공중합체, 메타크릴산-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에폭시 수지가 바람직하다.
본 발명의 도전 페이스트에는, 또한 연쇄이동제, 증감제, 계면활성제, 실란 커플링제, 멜라민 등을 병용할 수 있다.
상기 연쇄이동제 또는 증감제로서는, 일반적으로 유황 원자 함유 화합물이 이용된다. 예를 들면 티오글리콜산, 티오사과산, 티오살리실산, 2-메르캅토프로피온산, 3-메르캅토프로피온산, 3-메르캅토부티르산, N-(2-메르캅토프로피오닐)글리신, 2-메르캅토니코틴산, 3-[N-(2-메르캅토에틸)카르바모일]프로피온산, 3-[N-(2-메르캅토에틸)아미노]프로피온산, N-(3-메르캅토프로피오닐)알라닌, 2-메르캅토에탄술폰산, 3-메르캅토프로판술폰산, 4-메르캅토부탄술폰산, 도데실(4-메틸티오)페닐에테르, 2-메르캅토에탄올, 3-메르캅토-1,2-프로판디올, 1-메르캅토-2-프로판올, 3-메르캅토-2-부탄올, 메르캅토페놀, 2-메르캅토에틸아민, 2-메르캅토이미다졸, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토-3-피리디놀, 2-메르캅토벤조티아졸, 메르캅토아세트산, 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트) 등의 메르캅토 화합물, 상기 메르캅토 화합물을 산화해서 얻어지는 디술피드 화합물, 요오드아세트산, 요오드프로피온산, 2-요오드에탄올, 2-요오드에탄술폰산, 3-요오드프로판술폰산 등의 요오드화 알킬 화합물, 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토이소부틸레이트), 부탄디올비스(3-메르캅토이소부틸레이트), 헥산디티올, 데칸디티올, 1,4-디메틸메르캅토벤젠, 부탄디올비스티오프로피오네이트, 부탄디올비스티오글리콜레이트, 에틸렌글리콜비스티오글리콜레이트, 트리메틸올프로판트리스티오글리콜레이트, 부탄디올비스티오프로피오네이트, 트리메틸올프로판트리스티오프로피오네이트, 트리메틸올프로판트리스티오글리콜레이트, 펜타에리트리톨테트라키스티오프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스티오글리콜레이트, 트리스하이드록시에틸트리스티오프로피오네이트, 디에틸티옥산톤, 디이소프로필티옥산톤, 하기 화합물 No.C1, 트리메르캅토프로피온산트리스(2-하이드록시에틸)이소시아누레이트 등의 지방족 다관능 티올 화합물, 쇼와덴코사 제품 카렌즈 MT BD1, PE1, NR1 등을 들 수 있다.
Figure pct00011
상기 계면활성제로서는, 퍼플루오로알킬인산에스테르, 퍼플루오로알킬카르복실산염 등의 불소계면활성제; 고급지방산 알칼리염, 알킬술폰산염, 알킬황산염 등의 음이온계 계면활성제; 고급 아민할로겐산염, 제4급 암모늄염 등의 양이온계 계면활성제; 폴리에틸렌글리콜알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 지방산 에스테르, 소르비탄 지방산 에스테르, 지방산 모노글리세리드 등의 비이온계 계면활성제; 양성 계면활성제; 실리콘계 계면활성제 등의 계면활성제를 이용할 수 있고, 이들은 조합하여 이용해도 된다.
상기 실란 커플링제로서는, 예를 들면 신에츠 가가쿠사 제품 실란 커플링제를 이용할 수 있고, 그중에서도, KBE-9007, KBM-502, KBE-403 등의 이소시아네이트기, 메타크릴로일기 또는 에폭시기를 가지는 실란커플링제가 적합하게 이용된다.
상기 멜라민 화합물로서는, (폴리)메틸올메라민, (폴리)메틸올글리콜우릴, (폴리)메틸올벤조구아나민, (폴리)메틸올우레아 등의 질소 화합물 중의 활성 메틸올기(CH2OH기)의 전부 또는 일부(적어도 2개)가 알킬 에테르화된 화합물 등을 들 수 있다.
여기서, 알킬에테르를 구성하는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기 또는 부틸기를 들 수 있고, 서로 동일해도 되고, 달라도 된다. 또한, 알킬에테르화되어 있지 않은 메틸올기는, 1분자 내에서 자기(自己)축합하고 있어도 되고, 2분자 사이에서 축합하여, 그 결과 올리고머 성분이 형성되어 있어도 된다.
구체적으로는, 헥사메톡시메틸메라민, 헥사부톡시메틸메라민, 테트라메톡시메틸글리콜우릴, 테트라부톡시메틸글리콜우릴 등을 이용할 수 있다.
이들 중에서도, 헥사메톡시메틸메라민, 헥사부톡시메틸메라민 등의 알킬에테르화된 멜라민이 바람직하다.
본 발명의 도전 패턴은, (1)본 발명의 도전 페이스트를 기판 상에 도포하고, 상기 기판 상에 도막을 형성하는 공정, (2)도막을 건조하는 공정, (3)건조시킨 상기 도막을 소정의 패턴 형상을 가지는 마스크를 통해 방사선(에너지선)을 조사하여 경화하는 공정, (4)경화시킨 상기 도막을 현상하는 공정, (5)현상 후의 상기 도막을 소성하는 공정에 의해 바람직하게 형성된다. 이하, 각 공정에 대해 순서대로 설명한다.
상기 (1)의 공정은, 조제한 본 발명의 도전 페이스트를, 대상으로 하는 기판에 도포하고, 기판 상에 도막을 형성하는 공정이다. 대상으로 하는 기재로서는, 소다유리, 석영유리, 반도체기판, 금속, 종이, 플라스틱 등을 들 수 있다. 또한 기판은 표면처리를 행한 것을 이용해도 된다. 도포의 방법은 특별히 한정되지 않고, 스핀 코터, 롤 코터, 바 코터, 다이 코터, 블레이드 코터, 커튼 코터, 각종의 인쇄, 침지 등의 공지의 수단을 채용할 수 있다.
또한, 기판 상에 대한 본 발명의 도전 페이스트의 도막의 형성은, 본 발명의 도전 페이스트의 도막을 일단 필름 등의 기판 상에 형성한 후, 다른 기판 상에 전사(轉寫)할 수도 있고, 그 형성 방법에 제한은 없다.
상기 (2)의 공정은, 기판 상에 형성된 도막을 건조(프리베이크)하고, 도막으로부터 용매(E)를 제거하기 위한 공정이다. 프리베이크된 도막은, 알카리성 용액에 대해 난용성(難溶性)이며, 다음 노광 공정에서 에너지선을 조사함으로써 에너지선이 조사된 부분(이하, 노광 부분이라고 하는 경우가 있다)이 알칼리 가용성(可溶性)이 된다.
프리베이크의 온도는, 사용한 용매(E)의 종류에 따라서도 다르지만, 온도가 지나치게 낮으면, 용매(E)의 잔류분이 많아져 노광 감도나 해상도의 저하의 원인이 되는 경우가 있고, 또한 온도가 지나치게 높으면, 프리베이크에 의해 도막의 전체의 경화가 진행되어, 에너지선이 조사된 부분의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 저하하고, 결과적으로 노광 감도나 해상도가 저하하는 경우가 있기 때문에, 80~150℃가 바람직하고, 90~120℃가 더 바람직하다. 프리베이크의 시간은, 사용한 용제(E)의 종류와 프리베이크의 온도에 의해 다르지만, 30초~10분이 바람직하고, 1~5분이 더 바람직하다.
상기 (3)의 공정은, 건조시킨 상기 도막에 소정의 패턴 형상을 가지는 마스크를 통해 방사선(에너지선)을 조사하고, 본 발명의 도전 페이스트의 도막을 경화시키는 공정이다. 본 발명의 도전 페이스트의 도막을 경화시킬 때에 이용되는 에너지선의 광원으로서는, 초고압 수은 램프, 고압 수은 램프, 중압 수은 램프, 저압 수은 램프, 수은증기 아크등(燈), 제논 아크등, 카본 아크등, 메탈하라이드 램프, 형광등, 텅스텐 램프, 엑시머 램프, 살균등, 발광 다이오드, CRT광원 등으로부터 얻어지는 2000옹스트롬에서 7000옹스트롬의 파장을 가지는 전자파 에너지나 전자선, X선, 방사선 등의 고에너지선을 이용할 수 있지만, 바람직하게는, 파장 300~450㎚의 광을 발광하는 초고압 수은 램프, 수은증기 아크등, 카본 아크등, 제논 아크등 등을 들 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트의 도막을 경화시킬 때에 이용되는 에너지선의 광원으로서는, 또한 노광 광원에 레이저광을 이용함으로써 마스크를 이용하지 않고, 컴퓨터 등의 디지털 정보로부터 직접 화상을 형성하는 레이저 직접 묘화법이, 생산성뿐만 아니라 해상성이나 위치 정밀도 등의 향상도 도모할 수 있기 때문에 유용하고, 그 레이저광으로서는, 340~430㎚의 파장의 광이 적합하게 사용되지만, 엑시머 레이저, 질소 레이저, 아르곤이온 레이저, 헬륨카드뮴 레이저, 헬륨네온 레이저, 크립톤이온 레이저, 각종 반도체 레이저 및 YAG 레이저 등의 가시로부터 적외 영역의 광을 발하는 것도 이용된다. 이들 레이저를 사용하는 경우에는, 가시로부터 적외의 해당 영역을 흡수하는 증감색소가 더해진다.
상기 마스크로서는, 사용하는 성분에 맞추어, 네거티브형용 마스크 및 포지티브형용의 마스크를 모두 사용할 수 있고, 상기 마스크로서는, 하프톤 마스크 또는 그레이 스케일 마스크 등의 다계조 마스크를 이용할 수도 있다.
상기 (4)의 공정은, 노광 후의 상기 도막 중, 조사광에 의해 알칼리 용해성이 향상된 부분을 현상액을 이용해서 제거함으로써, 소정의 패턴을 형성하는 공정이다.
현상 방법으로서는, 예를 들면, 스프레딩(spreading)법, 침지법, 샤워법, 스프레이법 등 중의 어느 방법도 이용할 수 있다.
현상 시간은, 각 성분의 종류나 분자량, 현상액의 온도 등에 따라 다르지만, 통상 30~180초간이다.
현상 공정으로 이용되는 현상액은, 노광 부분을 액 중에 용해 또는 분산되어 제거할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리류; 에틸아민, n-프로필아민 등의 1급 아민류; 디에틸아민, 디-n-프로필아민 등의 ２급 아민류; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등의 3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 3급 알칸올아민류; 피롤, 피페리딘, N-메틸피페리딘, N-메틸피롤리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨 등의 환상 3급 아민류; 피리딘, 콜리딘, 루티딘, 퀴놀린 등의 방향족 3급 아민류; 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드 등의 4급 암모늄염의 수용액 등의 알칼리류의 수용액을 이용할 수 있고, 그 농도는, 통상 이용되는 현상액의 알칼리 농도이면 된다. 이들 알칼리류의 수용액은, 또한 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기용매 및/ 또는 계면활성제를 적당량 함유해도 된다.
노광 부분을 현상액으로 제거한 후, 흐르는 물 또는 샤워에 의해 물로 린스하는 것이 바람직하고, 필요에 따라 50~120℃의 범위에서 탈수 건조시켜도 된다.
상기 (5)의 공정은, 현상 후의 상기 도막을 소성(포스트베이크)하는 공정이다.
이 공정에 있어서 상기 도막을 소성함으로써 바인더 수지의 경화 수축이 일어나 도전성 입자끼리가 접촉해서 충분한 도전성이 얻어지는 동시에, 내약품성도 향상된다.
포스트베이크는, 바람직하게는, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스 분위기 하에서, 100~300℃에서 10~60분의 시간 내에서 실시하는 것이 바람직하다.
상기 (1)~(5)의 공정에 의해 형성되는 도전 패턴은, 그 두께가 3~5㎛, 도체의 폭이 5~20㎛인 것이 저저항이며 양호한 패턴이 얻어지므로 바람직하다.
본 발명의 도전 패턴은, 터치 패널, 터치 센서, 3차원 실장 등의 용도로 이용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시예 등에 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하의 기재에 있어서 '%'는, 특별히 명기하지 않는 한 질량%을 나타낸다.
[제조예 1] 바인더 수지 B-1의 조제
1,1-비스〔4-(2,3-에폭시프로필옥시)페닐〕인단의 184g, 아크릴산 58g, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸 0.26g, 테트라-n-부틸암모늄브로마이드 0.11g 및 PGMEA 105g을 넣고, 120℃에서 16시간 교반했다. 반응액을 실온까지 냉각하고, PGMEA 160g, 비프탈산무수물 59g 및 테트라-n-부틸암모늄브로마이드 0.24g을 첨가하여, 120℃에서 4시간 교반했다. 또한, 테트라하이드로무수프탈산 20g을 첨가하고, 120℃에서 4시간, 100℃에서 3시간, 80℃에서 4시간, 60℃에서 6시간, 40℃에서 11시간 교반한 후, PGMEA 128g을 첨가하여, PGMEA 용액으로 하여 바인더 수지 B-1을 얻었다 (Mw=5000, 고형분 44.0%, 산가=100㎎KOH/g).
[제조예 2] 바인더 수지 B-2의 조제
비스〔4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐〕-4-비페닐일(시클로헥실)메탄 89.9g, 아크릴산 23.5g, 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸 0.457g, 벤질트리에틸암모늄클로라이드 0.534g 및 PGMEA 75.6g을 넣고, 120℃에서 16시간 교반했다. 실온까지 냉각하고, 2,4-펜탄디온 12.0g, 트리에틸아민 1.0g을 넣고, 92℃에서 17시간 교반했다. 실온까지 냉각하고, 무수숙신산 25.6g, 테트라-n-부틸암모늄브로마이드 1.39g, PGMEA 40.42g을 첨가하여 100℃에서 5시간 교반했다. 실온까지 냉각하고, PGMEA 46.7g을 첨가하여, PGMEA 용액으로 하여 바인더 수지 B-2를 얻었다(Mw=3500, 고형분 44.0%, 산가 90㎎KOH/g).
[실시예 1~3 및 비교예 1~3] 도전 페이스트 No.1~3 및 비교 도전 페이스트 No.1~3의 조제
[표 1]의 배합에 따라 각 성분을 혼합하여, 도전 페이스트 No.1~3 및 비교 도전 페이스트 No.1~3을 얻었다. 또한, 숫자는 질량부를 나타낸다.
Figure pct00012
이하의 성분 중, B-1, B-2 및 B-3 그리고 용매에 해당하는 E-1 이외의 성분은, 용매를 비함유이며 고형분 100%이다.
A-1 화합물 No.6
A'-1 IRGACURE-907(중합개시제; BASF사 제품)
A'-2 OXE-02(중합개시제; BASF사 제품)
B-1 상기 제조예 1에서 얻어진 것
B-2 상기 제조예 2에서 얻어진 것
B-3 SPC-1000(Mw=32000, 고형분 29.0%, 산가 110㎎KOH/g, 아크릴레이트; 쇼와덴코사 제품)
C-1 카야라드 DPHA(다관능 아크릴레이트; 니혼카야쿠사 제품)
D-1 FA-333(바인더 수지+도전성 입자; 후지쿠라 가세이사 제품)
E-1 프로필렌 글리콜-1-모노메틸에테르-2-아세테이트
F-1 F-554(레벨링제; DIC사 제품)
[평가 방법]
스핀 코터로 웨이퍼 상에 도전 페이스트 No.1~3 및 비교 도전 페이스트 No.1~3을 각각 도포 후, 건조했다. 포토마스크를 이용하여 노광했다. 이어서, 0.4% 탄산나트륨 현상액을 이용해서 현상, 린스를 실시하여, 패턴을 얻었다. 그 후 큐어 화로로 큐어를 실시하고, 하기 감도, 해상도 및 오버행량을 평가했다.
(감도)
30㎛의 선폭이 벗겨지지 않도록 해상되어 있는 노광량을 가지고 감도로 했다.
(해상도)
선폭이 30㎛일 때 선간이 몇㎛까지 해상되어 있는 지를 측정했다.
(오버행량)
SEM(주사형 전자현미경)으로 패턴의 절단면을 보았을 때, 패턴의 표면 측과 기판 측의 패턴 폭의 차이를 측정했다.
(밀착성)
스핀 코터로 웨이퍼 상에 도전 페이스트 No.1~3 및 비교 도전 페이스트 No.1~3을 각각 도포 후, 건조했다. 이어서, 초고압 수은 램프로 300mJ/㎠의 에너지를 조사하고, 샘플을 제작했다. 제작한 샘플의 점착테이프 필링을 실시하여, 패턴의 박리 여부를 평가했다. 평가 기준은 다음과 같다.
○: 패턴 박리 없음
△: 패턴의 일부에 박리 있음
×: 패턴 박리 있음
(비저항값)
스핀 코터로 웨이퍼 상에 도전 페이스트 No.1~3 및 비교 도전 페이스트 No.1~3을 각각 도포 후, 건조했다. 이어서, 초고압 수은 램프로 300mJ/㎠의 에너지를 조사하여, 샘플을 제작했다. 제작한 샘플을 로레스타 HP〔다이아 인스트루먼트 제품: 상품명〕에 의해 4단침법으로 비저항값을 측정했다.
Figure pct00013
따라서, 본 발명의 도전 페이스트는, 감도, 해상도, 밀착성이 뛰어나고, 비저항값이 낮기 때문에, 도전 패턴으로서 유용한 것이다.
본 발명에 의하면, 감도, 해상도 및 밀착성이 뛰어나고, 저저항인 도전 페이스트를 제공할 수 있다.

Claims (6)

  1. 하기 일반식(I)로 나타내는 옥심에스테르 화합물의 1종 이상을 포함하는 중합개시제(A), 바인더 수지(B), 에틸렌성 불포화 화합물(C), 도전성 입자(D) 및 용매(E)를 함유하는 도전 페이스트.
    Figure pct00014

    (식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로 R11, OR11, COR11, SR11, CONR12R13 또는 CN을 나타내고,
    R11, R12 및 R13은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 나타내며,
    R11, R12 및 R13으로 나타내는 기의 수소 원자는, 또한 R21, OR21, COR21, SR21, NR22R23, CONR22R23, -NR22-OR23, -NCOR22-OCOR23, NR22COR21, OCOR21, COOR21, SCOR21, OCSR21, COSR21, CSOR21, 수산기, 니트로기, CN, 아미노기, 할로겐 원자 또는 COOR21로 치환되어 있는 경우도 있고,
    R21, R22 및 R23은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 나타내며,
    R21, R22 및 R23으로 나타내는 기의 수소 원자는, 또한 수산기, 니트로기, CN, 할로겐 원자, 수산기 또는 카르복실기로 치환되어 있는 경우도 있고,
    R11, R12, R13, R21, R22 및 R23으로 나타내는 기 중의 메틸렌기는, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NR24-, -NR24COO-, -OCONR24-, -SCO-, -COS-, -OCS- 또는 -CSO-에 의해 산소 원자가 이웃하지 않는 조건으로 1~5회 치환되어 있는 경우도 있으며,
    R24는 수소 원자, 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 나타내고,
    R11, R12, R13, R21, R22, R23 및 R24로 나타내는 기가 알킬 부분을 가지는 경우, 상기 알킬 부분은, 분기측 쇄를 가지는 경우도 있으며, 환상 알킬인 경우도 있고,
    R3은 수소 원자, 탄소 원자 수 1~20의 알킬기, 탄소 원자 수 6~30의 아릴기, 탄소 원자 수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기를 나타내며, R3으로 나타내는 기가 알킬 부분을 가지는 경우, 상기 알킬 부분은 분기측 쇄를 가지는 경우도 있고, 환상 알킬인 경우도 있으며,
    R3으로 나타내는 기의 수소 원자는, 또한 R21, OR21, COR21, SR21, NR22R23, CONR22R23, -NR22-OR23, -NCOR22-OCOR23, NR22COR21, OCOR21, COOR21, SCOR21, OCSR21, COSR21, CSOR21, 수산기, 니트로기, CN, 할로겐 원자 또는 COOR21로 치환되어 있는 경우도 있고,
    R4, R5, R6 및 R7은, 각각 독립적으로 R11, OR11, SR11, COR14, CONR15R16, NR12COR11, OCOR11, COOR14, SCOR11, OCSR11, COSR14, CSOR11, 수산기, CN 또는 할로겐 원자를 나타내며,
    또한, R3과 R7, R3과 R8, R4와 R5, R5와 R6 또는 R6과 R7은 각각 함께 환을 형성하고 있는 경우도 있고,
    R14, R15 및 R16은 수소 원자 또는 탄소 원자 수 1~20의 알킬기를 나타내며,
    R8은 R11, OR11, SR11, COR11, CONR12R13, NR12COR11, OCOR11, COOR11, SCOR11, OCSR11, COSR11, CSOR11, 수산기, CN 또는 할로겐 원자를 나타내고,
    n은 0 또는 1을 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 바인더 수지(B)가 산가 30~300㎎KOH/g이며, 중량평균 분자량(Mw) 1,000~500,000인 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 바인더 수지(B)가 하기 일반식(II)로 나타내는 에폭시 화합물에, 불포화 1염기산을 부가시킨 구조를 가지는 에폭시 부가 화합물, 또는 상기 에폭시 부가 화합물과 다염기산무수물의 에스테르화물인 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
    Figure pct00015

    (식 중, M은 직접 결합, 탄소 원자 수 1~4의 알킬렌기, 탄소 원자 수 3~30의 지환식 탄화수소기, 탄소 원자 수 6~12의 아릴기, O, S, SO2, SS, SO, CO, OCO 또는 하기 일반식(II-1), (II-2) 혹은 (II-3)으로 나타내는 기를 나타내고, R101, R102, R103, R104, R105, R106, R107 및 R108은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자 수 1~10의 알킬기, 탄소 원자 수 1~10의 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내며, s는 0~10의 수를 나타낸다.)
    Figure pct00016

    (R109, R110, R111, R112, R113, R114, R115, R116, R117, R118, R119, R120, R121, R122, R123, R124, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 및 R132는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자 수 1~10의 알킬기, 탄소 원자 수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자 수 6~20의 아릴기, 탄소 원자 수 7~20의 아릴알킬기, 탄소 원자 수 2~20의 복소환 함유기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, 상기 알킬기 및 아릴알킬기 중의 메틸렌기는 불포화 결합, -O- 또는 -S-에 의해 산소 원자가 이웃하지 않는 조건으로 치환되어 있는 경우도 있으며, R109, R110, R111, R112, R117, R118, R119, R120, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 및 R132는, 인접하는 R109, R110, R111, R112, R117, R118, R119, R120, R125, R126, R127, R128, R129, R130, R131 또는 R132끼리 환을 형성하고 있는 경우도 있다. *는 *부분에서 인접하는 기와 결합하는 것을 의미한다.)
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트로 이루어지는 도전 패턴.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트를, 기판 상에 도포하는 공정, 건조하는 공정, 마스크를 이용해서 노광하는 공정, 현상하는 공정, 100~300℃에서 소성을 실시하는 공정을 포함하는 도전 패턴의 형성 방법.
  6. 제4항에 기재된 도전 패턴을 구비하는 터치 패널.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB8510726D0 (en) 1985-04-26 1985-06-26 Amersham Int Plc Stabilised radio-labelled compounds
JP2001154345A (ja) 1999-11-25 2001-06-08 Dainippon Printing Co Ltd 感光性導電ペーストおよびそれを用いた感光性導電層転写シート
CN102199273B (zh) * 2010-03-25 2014-07-09 株式会社艾迪科 光固化树脂和使用该树脂的分散剂
JP2013101861A (ja) 2011-11-09 2013-05-23 Toppan Printing Co Ltd 感光性導電ペースト、導電回路パターン、タッチパネルセンサーおよび表示装置
JP5916482B2 (ja) 2012-03-30 2016-05-11 太陽ホールディングス株式会社 感光性導電ペーストおよび導電回路
JP2014130186A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd 感光性組成物及び硬化物
JP6206028B2 (ja) 2013-09-19 2017-10-04 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
KR101541830B1 (ko) * 2013-10-18 2015-08-05 솔라눅스 주식회사 자외선 소결형 감광성 도전 페이스트
JPWO2015151892A1 (ja) * 2014-03-31 2017-04-13 東洋紡株式会社 感光性導電ペースト、導電性薄膜、電気回路、及びタッチパネル
JP2015193709A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 太陽インキ製造株式会社 導電性樹脂組成物及び導電回路
JP6595983B2 (ja) * 2014-04-04 2019-10-23 株式会社Ａｄｅｋａ オキシムエステル化合物及び該化合物を含有する光重合開始剤
JP2016031503A (ja) 2014-07-30 2016-03-07 日立化成株式会社 導電パターンの形成方法、導電パターン基板及びタッチパネルセンサ

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