KR20180128062A - 전극 및 그 전극을 응용한 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 113
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910000941 alkaline earth metal alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 33
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- NDBCGHNTWCYIIU-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir+3].[C-]1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.[C-]1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.[C-]1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 NDBCGHNTWCYIIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01L51/5203—
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
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- H—ELECTRICITY
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Conductive Materials (AREA)
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Abstract
전극 및 그 전극을 응용한 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 전극은 적층 배치되는 제1 전도층(1), 제2 전도층(2)및 제3 전도층(3)을 포함하고, 상기 제2 전도층(2)은 알칼리 토금속, 알칼리 토금속합금, 알칼리 토금속 화합물 중 적어도 하나로 형성된 단층 또는 다층의 복합 구조이며, 제3 전도층(3)의 일함수는 3eV보다 작다. 전극 중의 각 전도층은 서로 필름층 중의 흠결을 보완할 수 있어, 전극 성능이 더욱 안정적이게 한다. 동시에, 제3 전도층(3)의 일함수는 3eV보다 작아, 유기/금속 인터페이스 전위 장벽을 효과적으로 줄여, 전자 주입을 유도하며, 소자의 발광 효율을 향상시킨다. 또한, 상기 전극은 비교적 우수한 광투과성을 가져 광투과성 전극으로 사용할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 분야에 관한 것이고, 구체적으로, 전극 및 그 전극을 응용한 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(영어 전칭: Organic Light-Emitting Diode, 약칭: OLED)는 액티브 발광 장치이다. 기존 평판 표시 기술 중 박막 트랜지스터 액정 표시장치(영어 전칭: Liquid Crystal Display, 약칭: LCD), 프라즈마 디스플레이 패널(영어 전칭: Plasma Display Panel, 약칭: PDP)에 비해, 유기 발광 다이오드를 사용하는 유기 발광 표시 장치는 높은 콘트라스트, 넓은 시야각, 저소모, 더 얇은 체적 등의 장점을 가져, 차세대 주류 평판 표시 기술이 될 수 있으며, 현재 평판 표시 기술 중 가장 각광 받는 하나의 기술이다.
OLED소자는 주로 적층 배치된 양극, 유기 발광층 및 음극을 포함한다. 전자의 주입효율을 향상시키기 위해, OLED음극은 일함수가 가능한 낮은 금속소재를 선택해야 하는데 그 이유는 전자의 주입이 정공의 주입보다 난이고가 높아 금속 일함수의 크기가 OLED 소자의 발광 효율 및 사용 수명에 크게 영향을 미치며, 금속 일함수가 낮을 수록 전자 주입이 더 용이하고, 발광 효율이 더 높기 때문이다. 그 외, 일함수가 낮을 수록 유기/금속 인터페이스 전위 장벽이 더 낮아, 작동 중에서 발생하는 줄열이 더 적고, 소자 수명이 비교적 크게 향상될 수 있다.
그러나, 저 일함수의 단층 금속 음극, 예를 들어 Mg, Ca 등은 공기 중에서 쉽게 산화되어, 소자가 불안정하게 되고, 사용 수명이 단축되며, 따라서, 일반적으로 일함수가 낮은 금속 및 내부식 금속의 합금을 음극으로 하여 이러한 문제를 피한다. 단일 금속 음극 박막을 증발할 경우, 대량의 형상 흠결 또는 구조 흠결이 형성될 수 있어, 내산화성이 떨어지게 되고, 합금 음극을 증착할 경우, 소량의 화학성 물질이 활발한 금속에 비해 먼저 흠결 중에 확산되어, 전체 음극층이 더욱 안정되도록 한다.
따라서, 우수한 성능을 가지는 음극 구조를 개발하는 것은 OLED 산업 기술 발전을 촉진하는 관건적인 하나의 기술이다.
이에, 성능이 우수한 전극 및 그 전극을 응용한 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 기술방안은 다음과 같다.
본 발명에 기재된 전극에 있어서, 적층 배치되는 제1 전도층, 제2 전도층 및 제3 전도층을 포함하고, 상기 제2 전도층은 알칼리 토금속, 알칼리 토금속 합금, 알칼리 토금속 화합물 중 적어도 하나로 형성된 단층 또는 다층의 복합 구조이며, 상기 제1 전도층 및 상기 제2 전도층의 광투과율은 모두 40% 이상이고, 상기 제3 전도층의 일함수는 3eV보다 작다.
선택 가능하게, 상기 제3 전도층은 희토류금속, 희토류금속 합금, 희토류금속 화합물 중 적어도 하나로 형성된 단층 또는 다층의 복합 구조이다.
선택 가능하게, 상기 희토류금속은 란타나이드 금속이다.
선택 가능하게, 상기 란타나이드 금속은 이테르븀 및/또는 사마륨이다.
선택 가능하게, 상기 제2 전도층은 알칼리 토금속, 알칼리 토금속합금, 알칼리 토금속 화합물 중 적어도 하나로 형성된 단층 또는 다층의 복합 구조이다.
선택 가능하게, 상기 제1 전도층은 은층이다.
선택 가능하게, 상기 제1 전도층의 두께는 5nm~20nm이다.
선택 가능하게, 상기 제2 전도층의 두께는 0.5nm~10nm이다.
선택 가능하게, 상기 제2 전도층의 두께는 0.5nm~2nm이다.
선택 가능하게, 상기 제3 전도층의 두께는 0.5nm~10nm이다.
본 발명에 기재된 유기 전계 발광 소자에 있어서, 적층 배치된 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상술한 전극이며, 상기 제3 전도층은 상기 유기 발광층에 접근하여 배치된다.
기존 기술에 비해 본 발명의 상술한 기술방안은 아래와 같은 장점을 가진다.
1, 본 발명의 실시예에서 제공한 전극에 있어서, 적층 배치되는 제1 전도층, 제2 전도층 및 제3 전도층을 포함하고, 제1 전도층과 제2 전도층의 광투과율은 모두 40% 이상이며, 제3 전도층의 일함수는 3eV보다 작다. 전극 중의 각 전도층은 서로 필름층 중의 흠결을 보완할 수 있어, 전극 성능이 더욱 안정적이게 한다. 동시에, 제3 전도층의 일함수는 3eV 보다 작아, 유기/금속 인터페이스 전위 장벽을 효과적으로 줄여, 전자 주입을 유도하며, 소자의 발광 효율을 향상시킨다. 또한, 제1 전도층 및 제2 전도층의 광투과율 모두 40% 이상이기에, 상기 전극은 비교적 우수한 광투과성을 가져 광투과성 전극으로 사용할 수 있다.
2, 본 발명의 실시예에서 제공한 전극에 있어서, 제3 전도층은 희토류금속층, 희토류금속 합금층, 희토류금속 화합물 중의 하나 또는 복수의 조합이다. 여기서, 희토류금속은 비교적 낮은 일함수를 가질뿐만 아니라, 전자 주입 에너지 장벽을 효과적으로 저하시킬 수 있어, 나아가서 소자의 구동 전압을 낮추고, 또한 비교적 낮은 흡광율을 가져 소자에 대한 출광효율에 대한 영향이 비교적 낮다.
3, 본 발명의 실시예에서 제공한 전극에 있어서, 제2 전도층은 제3 전도층 및 제1 전도층의 재료가 고용되는 것을 효과적으로 막을 수 있어, 이를 응용한 소자의 안정선과 사용수명을 효과적으로 향상시켰다. 동시에, 제2 전도층의 두께는 0.5nm~10nm이고, 광투과성이 우수하여 상기 전극이 비교적 우수한 광투과성을 가지게 하여 광투과성 전극으로 사용할 수 있다.
본 발명의 내용을 더욱 용이하고 더욱 명백하게 이해하도록 하기 위해, 이하 본 발명의 구체적인 실시예 및 첨부된 도면을 결부하여, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 전극 구조의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1, 실시예 3, 및 비교예 2의 광투과율의 비교도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1, 실시예 3 및 비교예 2의 반사율 비교도이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 전극 구조의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1, 실시예 3, 및 비교예 2의 광투과율의 비교도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1, 실시예 3 및 비교예 2의 반사율 비교도이다.
본 발명의 목적, 기술방안 및 장점을 더욱 명확하게 하기 위해, 이하 첨부된 도면에 결부하여, 본 발명의 실시 형태에 대해 더 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명은 여러가지 다른 형태로 실시할 수 있고, 여기서 서술한 실시예에 한정되는 것으로 이해해서는 아니된다. 반대로, 이러한 실시예를 제공하여 본 발명이 더욱 철저하고 완전하도록 하고, 또한 본 발명의 구상을 본 기술 분야의 당업자에게 충분히 전달하기 위한 것으로, 본 발명은 특허 청구범위에만 의해 한정되고, 첨부된 도면에 있어서, 더욱 분명하게 하기 위해 층 및 구역의 치수 및 상대 치수를 과장되게 표현할 수 있다.
실시예 1
본 실시예에서 제공한 실시예에 있어서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 적층 배치되는 제1 전도층(1) 및 제2 전도층(2)을 포함한다. 제1 전도층(1)은 Ag층이고, 두께는 16nm이며, 제2 전도층(2)은 Mg층이고, 두께는 1nm이며, 제3 전도층(3)은 Yb층이고, 두께는 1nm이다.
본 실시예는 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고,
Ag/ITO(20nm)/HATCN(20nm)/NPB(40nm)/mCBP:3wt%Ir(piq)3(30nm)/TPBi(50nm)/Yb(1nm)/Mg(1nm)/Ag(16nm)/ITO(20nm)이다.
여기서, 제1 전극은 적층 배치되는 Ag층 및 ITO층이고,
정공 주입층은 HATCN(1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylene-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)층이며,
정공 수송층은 NPB(4,4'-bis[N-(1-naphtyl)-N-phenylamino]-biphenyl)층이고,
발광층은 Ir(piq)3(Tris[1-phenylisoquinolinato-C2,N]iridium(III))과 CBP(4,4'-N,N'-dicarbazolylbiphenyl)의 도핑층이며,
정공 차단층은 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2,yl)benzene)층이고,
제2 전극은 상기 전극이며,
광결합층은 ITO(인듐 주석 산화물)층이다.
본 발명의 변형 가능한 실시예로서, 상기 유기 전계 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않으며, 본 발명에 기재된 전극을 응용하여 본 발명의 목적을 실현할 수 있으면 모두 본 발명의 보호 범위 내에 속한다.
실시예 2
본 실시예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제3 전도층은 Yb2O3층이고, 두께는 1nm이다.
본 실시예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제2 전극은 본 실시예에 기재된 전극은 Ag/ITO(20nm)/HATCN(20nm)/NPB(40nm)/mCBP:3wt%Ir(piq)3(30nm)/TPBi(50nm)/Yb2O3(1nm)/Mg(1nm)/Ag(16nm)/ITO(20nm)이다.
실시예 3
본 실시예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제2 전도층은 Mg, Ag합금층이고, 의 두께는 2nm이며, 제1 전도층의 두께는 5nm이다.
본 실시예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 다른 점은 제2 전극은 본 실시예에 기재된 전극이다.
실시예 4
본 실시예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제3 전도층 Sm, Ca합금층이고, Sm의 질량 백분율은 50%이며, 두께는 0.5nm이다.
본 실시예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 다른 점은 제2 전극은 본 실시예에 기재된 전극이다.
실시예 5
본 실시예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제3 전도층YbN층이며, 제2 전도층은 MgCO3층이고, 두께는 1nm이다.
본 실시예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제2 전극은 본 실시예에 기재된 전극이다.
실시예 6
본 실시예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제1 전도층의 두께는 20nm이고, 제2 전도층의 두께는 0.5nm이다.
본 실시예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 다른 점은 제2 전극은 본 실시예에 기재된 전극이다.
실시예 7
본 실시예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 다른 점은 제2 전도층의 두께는 10nm이고, 제3 전도층의 두께는 10nm이다.
본 실시예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제2 전극은 본 실시예에 기재된 전극이다.
비교예 1
본 비교예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 다른 점은 제2 전도층을 포함하지 않는다.
본 비교예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제2 전극은 본 비교예에 기재된 전극이다.
비교예 2
본 비교예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제3 전도층을 포함하지 않고, 제2 전도층은 Mg, Ag합금층이며, 두께는 2nm이다.
본 비교예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제2 전극은 본 비교예에 기재된 전극이다.
비교예 3
본 비교예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제3 전도층은 Ag층이다.
본 비교예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제2 전극은 본 비교예에 기재된 전극이다.
비교예 4
본 비교예에서 전극을 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 다른 점은 제2 전도층의 두께는 20nm이다.
본 비교예에서 유기 전계 발광 소자를 더 제공하고, 구조는 실시예 1과 같으며, 차이점은 제2 전극은 본 비교예에 기재된 전극이다.
테스트예 1
상술한 실시예 및 비교예에서 제공한 전극에 대해 광투과율, 반사율을 측정하고, 도 2에 나타낸 바와 같으며, 가시광 범위 내에서, 실시예 1 및 실시예 3에서 제공한 전극의 광투과율은 모두 30% 이상이고, 심지어 60%에 달하나, 비교예 2에서 제공한 전극의 광투과율은 모두 30%보다 작다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 실시예 1, 실시예 3 및 비교예 2의 다른 음극 구조의 광투과율 및 반사율을 비교하면 실시예 1 및 실시예 3의 빛의 광투과율은 40%를 초과하고, 비교예 2의 광투과율에 비해 25% 높은바 OLED소자의 출광 특성을 효과적으로 향상시킬 수 있다. 실시예 1 및 실시예 3의 빛의 반사율은 비교예 2에 비해 42% 높고, 광투과율 및 반사율의 향상은 출광 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있으며, 소자의 발광 효율을 향상시켰다.
테스트예 2
유기 전계 발광 소자의 장시간의 작동 조건 하에서, 유기 필름은 원래의 비결정성 필름에서 결정성 필름으로 변할 수 있고, 이러한 필름의 변화는 소자의 감퇴를 초래한다.
따라서, 다른 온도 하에서 소자에 대해 각각 1시간의 어닐링을 진행하여, 어닐링을 거치지 않은(25℃) 소자의 T97(밝기가 10000nit에서 97%의 수명으로 감퇴) 와 함께 측정 결과는 표 1에 나타낸 바와 같다.
어닐링 온도 | 20℃ | 80℃ | 100℃ | 120℃ | 140℃ |
T97(h) | T97(h) | T97(h) | T97(h) | T97(h) | |
실시예 1 | 765 | 749 | 721 | 690 | 573 |
실시예 2 | 733 | 705 | 645 | 620 | 527 |
실시예 3 | 755 | 726 | 694 | 618 | 564 |
실시예 4 | 621 | 605 | 573 | 526 | 473 |
실시예 5 | 681 | 629 | 566 | 504 | 441 |
실시예 6 | 756 | 732 | 713 | 677 | 545 |
실시예 7 | 741 | 725 | 705 | 681 | 531 |
비교예 1 | 421 | 378 | 301 | 193 | 56 |
비교예 2 | 350 | 295 | 150 | 97 | 33 |
비교예 3 | 211 | 156 | 123 | 91 | 29 |
비교예 4 | 599 | 456 | 323 | 191 | 79 |
표 1의 데이터로부터 알 수 있다시피, 본 발명에 기재된 전극을 소자에 응용할 경우, 소자의 수명은 비교예에서 제공한 소자의 수명보다 훨씬 길며, 고온 조건 하에서 소자의 안정성이 더욱 우수하다.
테스트예 3
동적 수명 시험(50% alternating checkerboard 평가), 즉 특정 작동 환경 하에서, 표시 스크린은 크로스 보드 격식으로 점등하고, 매 10초에 한번 변환되며, 밝기 감퇴를 측정함으로써 소자 수명을 평가하는 바, 밝기가 초기 밝기의 50%로 감퇴하였을 때, 시험을 정지하고, 밝기 테스트는 광도계 Spectrascan PR655를 사용하여 측정한다, 상온(25℃) 및 고온(85℃)의 동적 수명 시험 두가지로 나뉜다.
그룹 별 |
밝기
(cd/m 2 ) |
구동 전압
(V) |
효률
(cd/A) |
수명
(h) |
CIE
(x, y) |
실시예 1 | 5000 | 4.94 | 55.09 | 765 | (0.66, 0.33) |
실시예 2 | 5000 | 4.95 | 54.94 | 733 | (0.66, 0.33) |
실시예 3 | 5000 | 4.99 | 56.77 | 755 | (0.66, 0.33) |
실시예 4 | 5000 | 5.02 | 54.68 | 621 | (0.66, 0.34) |
실시예 5 | 5000 | 5.10 | 55.66 | 681 | (0.67, 0.33) |
실시예 6 | 5000 | 4.95 | 55.06 | 756 | (0.67, 0.33) |
실시예 7 | 5000 | 4.96 | 55.13 | 741 | (0.67, 0.33) |
비교예 1 | 5000 | 5.26 | 47.13 | 421 | (0.66, 0.33) |
비교예 2 | 5000 | 5.22 | 49.42 | 350 | (0.65, 0.33) |
비교예 3 | 5000 | 5.46 | 50.36 | 211 | (0.66, 0.32) |
비교예 4 | 5000 | 5.12 | 50.86 | 599 | (0.67, 0.34) |
표 2의 데이터로부터 알 수 있다시피, 본 발명에 기재된 전극을 유기 전계 발광 소자에 응용할 경우, 소자의 발광 효율과 수명을 현저하기 향상시킬 수 있고, 구동 전압을 낮추는 동시에, 색좌표(CIE) 데이터로부터 알 수 있다시피, 상기 전극은 비교적 낮은 흡광율을 가져, 소자의 발광 컬러에 영향을 미치지 않는다.
상술한 실시예는 명백하게 설명하기 위해 예를 든 것이고, 실시 형태에 대해 한정하고자 하는 것이 아닌 것은 자명한 것이다. 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 있어서, 상술한 설명의 기초상에 기타 다른 형태의 변화 또는 변경을 진행할 수 있으며 여기서 모든 실시예에 대해 일일이 나열하지 않으며 이로부터 파생된 자명한 변화 또는 변경은 여전히 본 발명의 보호 범위 내에 속한다.
1: 제1 전도층
2: 제2 전도층
3: 제3 전도층
2: 제2 전도층
3: 제3 전도층
Claims (10)
- 적층 배치되는 제1 전도층, 제2 전도층 및 제3 전도층을 포함하고, 상기 제2 전도층은 알칼리 토금속, 알칼리 토금속 합금, 알칼리 토금속 화합물 중 적어도 하나로 형성된 단층 또는 다층의 복합 구조이며, 상기 제3 전도층의 일함수는 3eV보다 작은 것을 특징으로 하는 전극.
- 제1항에 있어서,
상기 제3 전도층은 희토류금속, 희토류금속합금, 희토류금속 화합물 중 적어도 하나로 형성된 단층 또는 다층의 복합 구조인 것을 특징으로 하는 전극. - 제2항에 있어서,
상기 희토류금속은 란타나이드 금속인 것을 특징으로 하는 전극. - 제3항에 있어서,
상기 란타나이드 금속은 이테르븀 및/또는 사마륨인 것을 특징으로 하는 전극. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전도층은 은층인 것을 특징으로 하는 전극. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전도층의 두께는 5nm~20nm인 것을 특징으로 하는 전극. - 제6항에 있어서,
상기 제2 전도층의 두께는 0.5nm~10nm인 것을 특징으로 하는 전극. - 제7항에 있어서,
상기 제2 전도층의 두께는 0.5nm~2nm인 것을 특징으로 하는 전극. - 제8항에 있어서,
상기 제3 전도층의 두께는 0.5nm~10nm인 것을 특징으로 하는 전극. - 적층 배치된 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
상기 제2 전극은 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 전극이고, 상기 제3 전도층은 상기 유기 발광층에 접근하여 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710007519.6 | 2017-01-05 | ||
CN201710007519.6A CN108281562B (zh) | 2017-01-05 | 2017-01-05 | 一种电极及应用其的有机电致发光器件 |
PCT/CN2018/071554 WO2018127128A1 (zh) | 2017-01-05 | 2018-01-05 | 一种电极及应用其的有机电致发光器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180128062A true KR20180128062A (ko) | 2018-11-30 |
KR102216379B1 KR102216379B1 (ko) | 2021-02-18 |
Family
ID=62789287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187032528A KR102216379B1 (ko) | 2017-01-05 | 2018-01-05 | 전극 및 그 전극을 응용한 유기 전계 발광 소자 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10957872B2 (ko) |
EP (1) | EP3447817B1 (ko) |
JP (1) | JP6775723B2 (ko) |
KR (1) | KR102216379B1 (ko) |
CN (1) | CN108281562B (ko) |
TW (1) | TWI664085B (ko) |
WO (1) | WO2018127128A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109659450A (zh) | 2019-01-11 | 2019-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件 |
WO2021202950A2 (en) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | Drexel University | Mxene transparent conducting layers for digital display and method thereof |
CN111740022A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-02 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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-
2017
- 2017-01-05 CN CN201710007519.6A patent/CN108281562B/zh active Active
-
2018
- 2018-01-05 US US16/307,070 patent/US10957872B2/en active Active
- 2018-01-05 TW TW107100557A patent/TWI664085B/zh active
- 2018-01-05 WO PCT/CN2018/071554 patent/WO2018127128A1/zh active Application Filing
- 2018-01-05 KR KR1020187032528A patent/KR102216379B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-05 JP JP2018564978A patent/JP6775723B2/ja active Active
- 2018-01-05 EP EP18736429.4A patent/EP3447817B1/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190148666A1 (en) | 2019-05-16 |
WO2018127128A1 (zh) | 2018-07-12 |
CN108281562A (zh) | 2018-07-13 |
US10957872B2 (en) | 2021-03-23 |
EP3447817A1 (en) | 2019-02-27 |
TW201825281A (zh) | 2018-07-16 |
JP6775723B2 (ja) | 2020-10-28 |
TWI664085B (zh) | 2019-07-01 |
CN108281562B (zh) | 2020-06-19 |
EP3447817B1 (en) | 2023-07-19 |
EP3447817A4 (en) | 2019-08-21 |
KR102216379B1 (ko) | 2021-02-18 |
JP2019525385A (ja) | 2019-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |